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JPS60207359A - 半導体スタツク - Google Patents

半導体スタツク

Info

Publication number
JPS60207359A
JPS60207359A JP59063597A JP6359784A JPS60207359A JP S60207359 A JPS60207359 A JP S60207359A JP 59063597 A JP59063597 A JP 59063597A JP 6359784 A JP6359784 A JP 6359784A JP S60207359 A JPS60207359 A JP S60207359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor
positioning
semiconductor stack
cooling fin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59063597A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Ishii
秀明 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59063597A priority Critical patent/JPS60207359A/ja
Publication of JPS60207359A publication Critical patent/JPS60207359A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in subclass H10D
    • H01L25/117Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) この発明は半導体装置に使用される平形半導体素子を用
いた半導体スタックに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に半導体装置に組込み使用される半導体スタックは
第1図に示す如く、サイリスタやダイオードなどの所要
数の平形半導体素子1と放熱体である冷却フィン2とを
交互に重合すると共に、その両端側に絶縁座3を重合し
、更にその一端側に押え板4を重合し、そしてその両端
側から締付板5を当て、その両線付板5を締付ボルト6
でもって皿ばね7を介しナツト8にて締付けることで構
成される。
また、上記半導体スタックは、その平形半導体スタック
ド冷却フィン2・絶縁座3並びに押え板4などの各構成
部品の互いに隣接する圧接接合面が、第2図に示す如く
各々の中心に設けた位置決め穴1a、2a、3a、4a
にビン9a、9b。
9C・・・を挿入することで位置合せされている。
ところで、上述した構成の従来の半導体スタックにおい
ては、その組立ての際、上記各部品を一個ずつ順番にビ
ン9a、9b、9c・・・を組込みながら重ねていかな
けらばならず、その作業が煩雑で非常に面倒であったと
共に、上記ビン9a、9b、9c・・・の長さが各種異
なる為に、そのビンの誤挿入により位置合せの役目を果
たさなかったり、長ずぎて素子を破損する等の事故を起
こしたりして、信頼性の面からも問題があった。更に何
らかの理由により半導体素子1等を交換する必要が生じ
た場合、上記組立て時とは逆+’−1第3図に示す如く
各構成部品を一個ずつ離して分解しなければならず、そ
の作業が煩雑である上にビンの脱落・紛失を招く問題が
あった。
〔発明の目的〕
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、位置合せ用
のビンの脱落・紛失等が無(、組立てが非常に容易且つ
確実であると共に、部品交換作業も非常に簡便に行なえ
る半導体スタックを提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
この発明の半導体スタックは、平形半導体素子と放熱体
とを所要数交互に重合すると共に両端側に絶縁座等を配
して加圧締付けし、且つ前記各部品の隣接する接合面相
互をビンにより位置合せしてなる半導体スタックにおい
て、上記半導体素子以外の部品に上記ビンを予め圧入嵌
合或いは一体的に突出する状態に固設し、そのビン付き
部品と隣接重合する半導体素子等の他の部品の接合面に
該ビンが嵌合する位置決め穴を設けて構成したものであ
る。
〔発明の実施例〕
以下この発明の一実施例を第4図及び第5図に従い説明
する。なお図中筒2図及ホ第3図のものと同一構成をな
すものには同一符号を附して説明の簡略化を図ることに
する。ここで平形半導体素子1を除いたそれ以外の部品
即ち、放熱体である冷却フィン2・絶縁座3並びに押え
板4のそれぞれの接合面の中心部には従来の位置決め穴
を兼ねるビン嵌合穴2b、3b、4bが形成され、また
上記各平形半導体素子1の両側接合面の中心には従来略
同様の位置決め穴1aが形成されている。
そしてまず各平形半導体素子1と冷却フィン2との間に
てそれぞれ隣接する接合面相互の位置合せを行なうビン
9c、9d、9eは、各々が冷却フィン2側のビン嵌合
穴2bに予め適度なしまりばめにより圧入嵌合されて半
分程度突出する状態に固設されて、それらの突出部がス
タック組立ての際に平形半導体素子1の位置決め穴1a
と嵌合される様になっている。また上記絶縁座3と冷却
フィン2及び押え板4との間にてそれぞれ隣接する接合
面相互の位置合せを行なうビン9a、9bは、各々該絶
縁座3と冷却フィン2及び押え板4のビン嵌合穴3bと
2b、3bと4bに半分ずつ適度なしまりばめにより圧
入嵌合されて固設置され、これにて該絶縁座3とその両
側の冷却フィン2と押え板4とがスタック組゛立て前に
予めユニットとして結合されている。
而して、上述した構成であれあば、半導体スタックの組
立てをする場合、各平形半導体素子1・・・と予め所定
のビンを固設した冷却フィン2・・・とを交互に配して
、その冷却フィン2から突出しているビン9d、9eを
対向する平形半導体スタック1の位置決め穴1aに嵌合
する様にして、各素子1と冷却フィン2とを交互に位置
合せ重合する。
またそれらの両端側に予めビン9b、9aを位置決め兼
用嵌合穴3b、2b及び3b、4bに圧入5− 嵌合して結合した絶縁座2と冷却フィン2と押え板4と
のユニット(図示省略した反対側は絶縁座と冷却フィン
とのユニット)を配し、そしてそのユニットの冷却フィ
ン2から突出しているビン9Cを平形半導体素子1の位
置決め穴1aに嵌合する様にして重合し、ここで両端か
ら従来同様に締付板5で挟んで、締付ボルト6とナツト
8等により締付けることで組立て完了する。つまり、ス
タック組立ての際に、各構成部品相互間に従来の如く作
業員が手でビンを一個ずつ挿入する面倒な作業が必要無
く、該各ビンが隣接重合する少なくても片側の部品に予
め架設されていて、作業員はビンに触れることなく単に
構成部品を相互に重合して行くだけで済み、組立て作業
が非常に簡便となると共に、ビンの誤挿入による位置合
せ不良や素子の破損或いはビンの脱落・紛失等の不都合
がなくなる。しかも両端側の絶縁座3・冷却フィン2及
び押え板4をビンにより予め結合してユニット化してい
るので更にスタック組立てが容易簡便となる。
6一 また、一度組立てた半導体スタックの平形半導体素子1
を何らかの理由で交換する場合、締付ボルト6を緩めて
分解しても、各ビンが脱落することが無いので、上記組
立て時同様に容易確実に交換作業ができる様になる。
なお、この発明の半導体スタックでは上記実施例のみに
限定されること無く、例えば第6図に示す如く、各ビン
9a、9b、9c、9dを冷却フィン2や押え板4から
一体的に突設して設けた構成のものでも良い。
また、第7図に示す如くスペーサ10を使用する場合、
つまり一般に半導体装置は種々のサイリスタやダイオー
ドなどの半導体素子を使用した複数の半導体スタックで
構成されるが、その各半導体スタックの長さが素子の厚
みや数の違いにより各種異なることが多く、そのバラバ
ラの長さのスタックで半導体装置を構成するのはあまり
都合が良く無い。したがって通常スタックの長さを揃え
るべくスペーサ10を設けて調整している。ところでこ
うしたスペーサ10は厚みが2〜3#程度と薄く、それ
単独で他の部品と同様に重合位置決めすることは難しい
。そこで第7図に示す如く絶縁座3等の一側面にピン止
めする。その止め付は用として段付きビン9Aを使用し
、その段付きビン9Aは該スペーサ10に貫通して絶縁
座3のピン嵌合穴3bに圧入嵌合して固定し、該スペー
サ10の位置決めを行なうと共に、図示しないが前述同
様に隣接する他の部品の接合面の位置決め穴に嵌合して
位置合せを行なう。これにてスペーサ10が付加されて
も煩雑な面倒が無い。
〔発明の効果〕
この発明は上述した如くなしたから、各構成部品の位置
合せ用のビンの脱落・紛失等が無く、組立てが非常に容
易且つ確実であると共に、部品交換作業も非常に簡便に
行なえる実用上効果大なる半導体スタックとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体スタックの側面図、第2図は同従
来の一部断面した部分拡大図、第3図は第2図の分解図
、第4図はこの発明の一実施例を示す第2図相当図、第
5図は第4図の分解図、第6図はこの発明の他の実施例
を示す分解図、第7図はこの発明の更に他の実施例を示
す一部断面図である。 1・・・平形半導体スタック、2・・・放熱体(冷却フ
ィン)、3・・・絶縁座、4・・・押え板、Ia、2a
。 3a、4a・・・位置決め穴、2 b、 3 b、 4
 b−t:’ン嵌合穴、5・・・締付板、6・・・締付
ボルト、7・・・皿ばね、8・・・ナツト、9a、9b
、9c、9d、9e、9A・・・ビン、10スペーサ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 9− 第1図 第9図 第3図 第4図 第5図 9ト 第6図 qb 9C

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 平形半導体素子と放熱体とを所要数交互に重合すると共
    に両端側に絶縁座等を配して加圧締付けし、且つ前記各
    部品の隣接する接合面相互をビンにより位置合せしてな
    る半導体スタックにおいて、上記半導体素子以外の部品
    に上記ビンを突出する状態に固設し、その部品と隣接重
    合する半導体素子等の他の部品の接合面に上記ビンが嵌
    合する位置決め穴を設けて構成したことを特徴とする半
    導体スタック。
JP59063597A 1984-03-31 1984-03-31 半導体スタツク Pending JPS60207359A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59063597A JPS60207359A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 半導体スタツク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59063597A JPS60207359A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 半導体スタツク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60207359A true JPS60207359A (ja) 1985-10-18

Family

ID=13233837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59063597A Pending JPS60207359A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 半導体スタツク

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6492720B1 (en) 2001-06-06 2002-12-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Flat-type semiconductor stack

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6492720B1 (en) 2001-06-06 2002-12-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Flat-type semiconductor stack
DE10161593B4 (de) * 2001-06-06 2005-07-21 Mitsubishi Denki K.K. Flacher Halbleiterstapel

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