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JPH03180054A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH03180054A
JPH03180054A JP89319689A JP31968989A JPH03180054A JP H03180054 A JPH03180054 A JP H03180054A JP 89319689 A JP89319689 A JP 89319689A JP 31968989 A JP31968989 A JP 31968989A JP H03180054 A JPH03180054 A JP H03180054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
heat
heat dissipation
sealed
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP89319689A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Yamada
恭裕 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP89319689A priority Critical patent/JPH03180054A/ja
Publication of JPH03180054A publication Critical patent/JPH03180054A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電気・電子機器に用いられる樹脂封止型半
導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来より半導体チップと共に樹脂により封止された放熱
ブロックを有する樹脂封止型半導体装置において、その
放熱効果を向上するために放熱ブロック上に、それとは
別の外部放熱器を接着剤により固定することが提案され
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら上記のような構造では、外部放熱器を放熱
ブロックに取付けて接着固定するときの位置合わせが難
しい。また、接着する面が平面であるために、外部放熱
器の接着強度が弱いという問題を有していた。
この発明の目的は、外部放熱器を放熱ブロックに取付け
て接合するときの位置合わせが容易かつ正確に行え、接
合強度が高い樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップの放
熱用の放熱ブロックを有し、この放熱ブロックの一部を
露出させて、前記半導体チップと共に樹脂で封止し、前
記放熱ブロックの露出部に外部放熱器を接合した樹脂封
止型半導体装置において、前記放熱ブロックの露出部お
よび外部放熱器の各接合面のどちらか一方に突起部を形
成し、他方に前記突起部を嵌合可能な穴部を設けたこと
を特徴とするものである。
〔作用〕
この発明の樹脂封止型半導体装置は、放熱ブロックの露
出部および外部放熱器の接合する面の一方に突起部を形
成し、他方にこの突起部に嵌合可能な穴部を設けること
により、整合密着するときの位置合わせを容易かつ正確
に行うことができ、接合強度が向上する。
［実施例］ この発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説
明する。
半導体チンプ２に接した放熱ブロック３が、その一部を
露出するするように樹脂部１により封止して設けられて
いる。またこの放熱ブロック３の露出部３ａには、外部
放熱器４の穴部５と整合密着し接合する突起部７が形成
されている。さらに高熱伝導グリス６が放熱ブロック３
と外部放熱器４の間に介在されている。
このように、放熱ブロック３の露出部３ａに突起部、７
を設け、外部放熱器４に穴部５を設けることにより、整
合するときの位置合わせが容易かつ正確に行うことがで
き作業性が向上する。また、突起部７と穴部５を高熱伝
導グリス６を介して強固に接合することにより、安定し
た放熱効果を得ることができ、樹脂封止型半導体の高出
力化や信頼性の向上が可能となる。
つぎに、他の実施例を第４図ないし第６図に基づいて説
明する。
半導体チップ２に接した放熱ブロック３′が、その一部
を露出するするように樹脂部１により封止して設けられ
ている。またこの放熱ブロック３′の露出部３ａ′には
、外部放熱器４′の突起部７′と整合密着して接合する
穴部５′が形成されている。さらに高熱伝導グリス６が
放熱ブロック３′と外部放熱器４′の間に介在されてい
る。
このように、放熱ブロック３′の露出部３ａ’に穴部５
′を設け、外部放熱器４′に突起部７′を設けることに
より、整合するときの位置合わせが容易かつ正確に行う
ことができ作業性が向上する。また、突起部７′と穴部
５′を高熱伝導グリス６を介して強固に接合することに
より、安定した放熱効果を得ることができ、樹脂封止型
半導体の高出力化や信頼性の向上が可能となる。
なお、突起部７．７′の形状は、円柱形、角柱形または
円錐台形、角錐台形のいずれでも良く、その寸法として
は、突起部７の外形または外接円の直径が０．１〜５．
０ｍｍ、高さが０．１〜５．０閤とすることが望ましい
。また、穴部５．５′の形状も突起部７．７′の形状と
整合密着して強固に接合できる形状であれば良い。
〔発明の効果〕
この発明の樹脂封止型半導体装置は、放熱ブロックの露
出部および外部放熱器のどちらか一方の接合する面に突
起部を形成し、他方にこの突起部に嵌合可能な穴部を設
けることにより、整合するときの位置合わせが容易かつ
正確に行うことができ作業性が向上する。また、この突
起部と穴部を整合密着し、強固に接合することにより、
放熱ブロックと外部放熱器により安定した放熱効果を得
ることかでき、高出力化や信頼性の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の
外部放熱器の接合前の斜視図、第２図はその接合後の斜
視図、第３図はその断面図、第４図は他の実施例の外部
放熱器の接合前の斜視図、第５図はその接合後の斜視図
、第６図はその断面図である。 ３．３′・・・放熱ブロック、３ａ、３ａ’・・・露出
部、４，４′・・・外部放熱器、５．５′・・・穴部、
７７′・・・突起部 第 １ 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップの放熱用の放熱ブロックを有し、この放熱
    ブロックの一部を露出させて、前記半導体チップと共に
    樹脂で封止し、前記放熱ブロックの露出部に外部放熱器
    を接合した樹脂封止型半導体装置において、前記放熱ブ
    ロックの露出部および外部放熱器の各接合面のどちらか
    一方に突起部を形成し、他方に前記突起部を嵌合可能な
    穴部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP89319689A 1989-12-08 1989-12-08 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03180054A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP89319689A JPH03180054A (ja) 1989-12-08 1989-12-08 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP89319689A JPH03180054A (ja) 1989-12-08 1989-12-08 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03180054A true JPH03180054A (ja) 1991-08-06

Family

ID=18113087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP89319689A Pending JPH03180054A (ja) 1989-12-08 1989-12-08 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03180054A (ja)

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