JP2002343860A - 保護膜形成用材料 - Google Patents
保護膜形成用材料Info
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- compounds
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 埋込材をビアホールに充填する際に、埋込
性、及び平坦性が優れる保護膜形成用材料を提供する。 【解決手段】 有機溶剤、及び少なくとも２個以上の脂
環構造を有する化合物を含有してなる保護膜形成用材
料。
性、及び平坦性が優れる保護膜形成用材料を提供する。 【解決手段】 有機溶剤、及び少なくとも２個以上の脂
環構造を有する化合物を含有してなる保護膜形成用材
料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線構造を形成
する際にホールパターンに埋めこむ保護膜形成用材料に
関する。
する際にホールパターンに埋めこむ保護膜形成用材料に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化とチップサ
イズの縮小に伴い、配線の微細化及び多層化が進行して
いる。こうした中で、ホトリソグラフイー技術によって
形成されるホールパターン寸法は更に微細化されてい
る。
イズの縮小に伴い、配線の微細化及び多層化が進行して
いる。こうした中で、ホトリソグラフイー技術によって
形成されるホールパターン寸法は更に微細化されてい
る。
【０００３】このような微細ホールパターンを形成する
にあたり、Ｃｕ等の金属を用いることが提案され、これ
に伴いダマシン法或いはデュアルダマシン法を用いたリ
ソグラフイー技術が採用されている。
にあたり、Ｃｕ等の金属を用いることが提案され、これ
に伴いダマシン法或いはデュアルダマシン法を用いたリ
ソグラフイー技術が採用されている。
【０００４】デュアルダマシン法においては、ホールパ
ターン形成後に上層配線を形成するにあたり、下層配線
をエッチングによる損傷から保護するために、一度その
ホールパターンを埋め込む必要がある。その保護膜形成
用材料としては、ホトレジスト組成物を使用することが
提案されていた。
ターン形成後に上層配線を形成するにあたり、下層配線
をエッチングによる損傷から保護するために、一度その
ホールパターンを埋め込む必要がある。その保護膜形成
用材料としては、ホトレジスト組成物を使用することが
提案されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たホトレジスト組成物は、アスペクト比の大きいビアホ
ールに埋め込まれる際には、ボイドと呼ばれる気泡が発
生する不利がある。
たホトレジスト組成物は、アスペクト比の大きいビアホ
ールに埋め込まれる際には、ボイドと呼ばれる気泡が発
生する不利がある。
【０００６】上記の問題を解決するために、特開２００
０−１９５９５５号公報には、メラミン誘導体、ベンゾ
グアナミン誘導体等の熱架橋性化合物を用いた埋め込み
材が開示されているが、これら埋め込み材は、ホトレジ
スト組成物に比べて、その埋め込み特性及び平坦性は改
善されているものの、現在必要とされる特性を満たすに
至っていない。
０−１９５９５５号公報には、メラミン誘導体、ベンゾ
グアナミン誘導体等の熱架橋性化合物を用いた埋め込み
材が開示されているが、これら埋め込み材は、ホトレジ
スト組成物に比べて、その埋め込み特性及び平坦性は改
善されているものの、現在必要とされる特性を満たすに
至っていない。
【０００７】したがって本願発明の目的は、埋め込み材
をビアホールに充填する際に、埋め込み性、及び平坦性
が優れる保護膜形成用材料を提供することにある。
をビアホールに充填する際に、埋め込み性、及び平坦性
が優れる保護膜形成用材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る保護膜形成用材料は、少なくとも２個以上の
脂環構造を有する化合物を、有機溶剤に溶解した。ま
た、前記少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物
としては、スピロ炭化水素化合物、二環モノテルペン化
合物、アダマンタン化合物、及びステロイド化合物が挙
げられる。このような化合物としては、具体的に、一般
式１(化１)〜一般式４(化４)
発明に係る保護膜形成用材料は、少なくとも２個以上の
脂環構造を有する化合物を、有機溶剤に溶解した。ま
た、前記少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物
としては、スピロ炭化水素化合物、二環モノテルペン化
合物、アダマンタン化合物、及びステロイド化合物が挙
げられる。このような化合物としては、具体的に、一般
式１(化１)〜一般式４(化４)
【０００９】
【化１】
【００１０】
【化２】
【００１１】
【化３】
【００１２】
【化４】 で表されるモノテルペン化合物、一般式５(化５)
【００１３】
【化５】 で表されるアダマンタン化合物、さらには一般式６(化
６)
６)
【００１４】
【化６】 で表されるステロイド化合物が挙げられる。（但し、こ
こでRoは炭素原子数１〜４の低級アルキル基、水素原
子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキ
シアルキル基、あるいはアルコキシアルキル基を示し、
さらにR1は炭素原子数２〜１０の直鎖状でも分枝状でも
よい炭化水素基であって、カルボキシル基、水酸基等で
置換されていてもよい。中でもR1は、特に炭素原子数３
〜６でかつカルボキシル基を有する炭化水素基が好まし
い。またｐ及びｑはそれぞれ０〜３と０〜５の整数を示
す。） 上記の化合物としては、スピロへプタン、スピロオクタ
ン、スピロウンデカン等のスピロ炭化水素化合物、ツジ
ャン類（ツジャン、サビネン等）、カラン類（カラン
等）、ピナン類（ピナン、ノルピナン等）、ボルナン類
（ボルナン、ノルボルナン、トリシクレン、ボルネオー
ル、１，３，３−トリメチルーノルボルナンー２−オー
ル、ショウノウオキシム、３−（ヒドロキシメチレン）
ショウノウ、３−ショウノウカルボン酸等）等の二環モ
ノテルペン化合物、１−ヒドロキシアダマンタン、１−
ヒドロキシメチルアダマンタン、１−アダマンタンカル
ボン酸、２−ヒドロキシー２−メチルアダマンタン、２
−アダマンタンカルボン酸等のアダマンタン化合物、ス
テロール類（コレスタノール、コプロスタノール、コレ
ステロール、シムノール等）、胆汁酸（コラン酸、リト
コール酸、デオキシコール酸、α−ヒオデオキシコール
酸、コール酸等）のステロイド化合物が具体的に挙げら
れる。高ドライエッチングレート特性を得るためには、
構造中の不飽和結合含有率が少なく、かつ分子のカサが
大きいものが好ましい。このような観点からコール酸及
びリトコール酸が好適である。さらに、このような２個
以上の脂環構造を有する化合物に、含窒素化合物を添加
するのも好適である。
こでRoは炭素原子数１〜４の低級アルキル基、水素原
子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキ
シアルキル基、あるいはアルコキシアルキル基を示し、
さらにR1は炭素原子数２〜１０の直鎖状でも分枝状でも
よい炭化水素基であって、カルボキシル基、水酸基等で
置換されていてもよい。中でもR1は、特に炭素原子数３
〜６でかつカルボキシル基を有する炭化水素基が好まし
い。またｐ及びｑはそれぞれ０〜３と０〜５の整数を示
す。） 上記の化合物としては、スピロへプタン、スピロオクタ
ン、スピロウンデカン等のスピロ炭化水素化合物、ツジ
ャン類（ツジャン、サビネン等）、カラン類（カラン
等）、ピナン類（ピナン、ノルピナン等）、ボルナン類
（ボルナン、ノルボルナン、トリシクレン、ボルネオー
ル、１，３，３−トリメチルーノルボルナンー２−オー
ル、ショウノウオキシム、３−（ヒドロキシメチレン）
ショウノウ、３−ショウノウカルボン酸等）等の二環モ
ノテルペン化合物、１−ヒドロキシアダマンタン、１−
ヒドロキシメチルアダマンタン、１−アダマンタンカル
ボン酸、２−ヒドロキシー２−メチルアダマンタン、２
−アダマンタンカルボン酸等のアダマンタン化合物、ス
テロール類（コレスタノール、コプロスタノール、コレ
ステロール、シムノール等）、胆汁酸（コラン酸、リト
コール酸、デオキシコール酸、α−ヒオデオキシコール
酸、コール酸等）のステロイド化合物が具体的に挙げら
れる。高ドライエッチングレート特性を得るためには、
構造中の不飽和結合含有率が少なく、かつ分子のカサが
大きいものが好ましい。このような観点からコール酸及
びリトコール酸が好適である。さらに、このような２個
以上の脂環構造を有する化合物に、含窒素化合物を添加
するのも好適である。
【００１５】前記含窒素化合物としては、ヒドロキシア
ルキシ基、アルコキシアルキル基あるいはその両方で置
換されたアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物
を挙げられる。このような含窒素化合物としては、例え
ばアミノ基の水素原子がメチロール基またはアルコシキ
メチル基あるいはその両方で置換されたメラミン系化合
物、尿素系化合物、グアナミン系化合物、アセトグアナ
ミン系化合物、べンゾグアナミン系化合物、グリコール
ウリル系化合物、スクシニルアミド系化合物、エチレン
尿素系化合物等を挙げることができる。
ルキシ基、アルコキシアルキル基あるいはその両方で置
換されたアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物
を挙げられる。このような含窒素化合物としては、例え
ばアミノ基の水素原子がメチロール基またはアルコシキ
メチル基あるいはその両方で置換されたメラミン系化合
物、尿素系化合物、グアナミン系化合物、アセトグアナ
ミン系化合物、べンゾグアナミン系化合物、グリコール
ウリル系化合物、スクシニルアミド系化合物、エチレン
尿素系化合物等を挙げることができる。
【００１６】これらの含窒素化合物は、例えば、上記メ
ラミン系化合物、尿素系化合物、グアナミン系化合物、
アセトグアナミン系化合物、べンゾグアナミン系化合
物、グリコールウリル系化合物、スクシニルアミド系化
合物、エチレン尿素系化合物等を、沸騰水中においてホ
ルマリンと反応させてメチロール化することにより、あ
るいはこれにさらに低級アルコール、具体的にはメタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｎ−ブタノール、イソブタノール等と反応させてア
ルコキシル化することにより、得ることができる。
ラミン系化合物、尿素系化合物、グアナミン系化合物、
アセトグアナミン系化合物、べンゾグアナミン系化合
物、グリコールウリル系化合物、スクシニルアミド系化
合物、エチレン尿素系化合物等を、沸騰水中においてホ
ルマリンと反応させてメチロール化することにより、あ
るいはこれにさらに低級アルコール、具体的にはメタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｎ−ブタノール、イソブタノール等と反応させてア
ルコキシル化することにより、得ることができる。
【００１７】これら含窒素化合物の中でも、アミノ基の
水素原子の少なくとも２個がメチロール基、または（低
級アルコキシ）メチル基、あるいはその両方で置換され
たべンゾグアナミン系化合物、グアナミン系化合物、メ
ラミン系化合物、および尿素系化合物が好ましい。特に
は、べンゾグアナミン系化合物、グアナミン系化合物、
メラミン系化合物等のトリアジン系化合物が好ましい。
そして、これらはトリアジン環１個あたり、メチロール
基または（低級アルコキシ）メチル基を平均３個以上６
個未満有するものがより好ましい。
水素原子の少なくとも２個がメチロール基、または（低
級アルコキシ）メチル基、あるいはその両方で置換され
たべンゾグアナミン系化合物、グアナミン系化合物、メ
ラミン系化合物、および尿素系化合物が好ましい。特に
は、べンゾグアナミン系化合物、グアナミン系化合物、
メラミン系化合物等のトリアジン系化合物が好ましい。
そして、これらはトリアジン環１個あたり、メチロール
基または（低級アルコキシ）メチル基を平均３個以上６
個未満有するものがより好ましい。
【００１８】このような含窒素化合物としては、具体的
には、メトキシメチル化ベンゾグアナミン、エトキシメ
チル化ベンゾグアナミン、イソプロポキシメチル化ベン
ゾグアナミン、イソブトキシメチル化ベンゾグアナミ
ン、メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミ
ン等のベンゾグアナミン系化合物、メトキシメチル化メ
ラミン、エトキシメチル化メラミン、イソプロボキシメ
チル化メラミン、イソブトキシメチル化メラミン、メト
キシメチル化イソブトキシメチル化メラミン等のメラミ
ン系化合物、メトキシメチル化グリコールウリル、エト
キシメチル化グリコールウリル、イソブトキシメチル化
グルコールウリル等のグルコールウリル系化合物などが
挙げられる。
には、メトキシメチル化ベンゾグアナミン、エトキシメ
チル化ベンゾグアナミン、イソプロポキシメチル化ベン
ゾグアナミン、イソブトキシメチル化ベンゾグアナミ
ン、メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミ
ン等のベンゾグアナミン系化合物、メトキシメチル化メ
ラミン、エトキシメチル化メラミン、イソプロボキシメ
チル化メラミン、イソブトキシメチル化メラミン、メト
キシメチル化イソブトキシメチル化メラミン等のメラミ
ン系化合物、メトキシメチル化グリコールウリル、エト
キシメチル化グリコールウリル、イソブトキシメチル化
グルコールウリル等のグルコールウリル系化合物などが
挙げられる。
【００１９】含窒素化合物の配合量は、少なくとも２個
以上の脂環構造を有する化合物に対し、０．５〜３０重
量％が好ましく、特には１〜１５重量％が好ましい。
以上の脂環構造を有する化合物に対し、０．５〜３０重
量％が好ましく、特には１〜１５重量％が好ましい。
【００２０】このような含窒素化合物は、本発明の保護
膜形成用材料を基板上に塗布し、加熱乾燥させる際に、
前記少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物の水
酸基、カルボキシル基に対して架橋反応を起こすことに
より、得られる被膜が保護膜としての好適な特性を奏す
ることができる。
膜形成用材料を基板上に塗布し、加熱乾燥させる際に、
前記少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物の水
酸基、カルボキシル基に対して架橋反応を起こすことに
より、得られる被膜が保護膜としての好適な特性を奏す
ることができる。
【００２１】更に、本発明では、上記の少なくとも２個
以上の脂環構造を有する化合物、及び含窒素化合物の必
須成分に加えて、更に酸性化合物、高吸光成分、及び樹
脂成分を任意添加成分として配合してもよい。
以上の脂環構造を有する化合物、及び含窒素化合物の必
須成分に加えて、更に酸性化合物、高吸光成分、及び樹
脂成分を任意添加成分として配合してもよい。
【００２２】酸性化合物としては、硫黄含有酸残基をも
つ無機酸、有機酸またはそれらのエステル等や、活性光
線により酸を発生する化合物（酸発生剤）等が挙げられ
る。これら酸性化合物は、ベークの温度を低くすること
によりプロセスを簡易化できる等の効果を奏する。
つ無機酸、有機酸またはそれらのエステル等や、活性光
線により酸を発生する化合物（酸発生剤）等が挙げられ
る。これら酸性化合物は、ベークの温度を低くすること
によりプロセスを簡易化できる等の効果を奏する。
【００２３】硫黄含有酸残基をもつ無機酸としては、硫
酸、亜硫酸、チオ硫酸等が挙げられるが、特に硫酸が好
ましい。硫黄含有酸残基をもつ有機酸としては、有機ス
ルホン酸が挙げられる。また、それらのエステルとして
は、有機硫酸エステル、有機亜硫酸エステル等が挙げら
れる。これらの中でも、特に有機スルホン酸、例えば、
下記一般式（Ｉ）
酸、亜硫酸、チオ硫酸等が挙げられるが、特に硫酸が好
ましい。硫黄含有酸残基をもつ有機酸としては、有機ス
ルホン酸が挙げられる。また、それらのエステルとして
は、有機硫酸エステル、有機亜硫酸エステル等が挙げら
れる。これらの中でも、特に有機スルホン酸、例えば、
下記一般式（Ｉ）
【００２４】
【化７】 （式中、Ｒ1は、置換基を有していてもいなくてもよい
炭化水素基を示し、Ｘはスルホン酸基を示す）で表され
る化合物が好ましい。
炭化水素基を示し、Ｘはスルホン酸基を示す）で表され
る化合物が好ましい。
【００２５】上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1として
は、炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましく、この炭化
水素基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また
直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。ま
た、置換基としては、例えばフツ素原子等のハロゲン原
子、スルホン酸基、カルボキシル基、水酸基、アミノ
基、シアノ基等が挙げられ、これらの置換基は１個導入
されていてもよいし、複数個導入されていてもよい。
は、炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましく、この炭化
水素基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また
直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。ま
た、置換基としては、例えばフツ素原子等のハロゲン原
子、スルホン酸基、カルボキシル基、水酸基、アミノ
基、シアノ基等が挙げられ、これらの置換基は１個導入
されていてもよいし、複数個導入されていてもよい。
【００２６】Ｒ1としては、具体的には、芳香族炭化水
素基、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル
基等が例示されるが、中でもフェニル基が好ましい。ま
た、これらの芳香族炭化水素基の芳香環には、炭素数１
〜２０のアルキル基を１〜複数個結合していてもよい。
そのほか、この芳香環は、フッ素原子等のハロゲン原
子、スルホン酸基、カルボキシル基、水酸基、アミノ
基、シアノ基等の置換基の１個または複数個で置換され
ていてもよい。
素基、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル
基等が例示されるが、中でもフェニル基が好ましい。ま
た、これらの芳香族炭化水素基の芳香環には、炭素数１
〜２０のアルキル基を１〜複数個結合していてもよい。
そのほか、この芳香環は、フッ素原子等のハロゲン原
子、スルホン酸基、カルボキシル基、水酸基、アミノ
基、シアノ基等の置換基の１個または複数個で置換され
ていてもよい。
【００２７】このような有機スルホン酸としては、ホト
レジストパターンの下部の形状改善効果の点から、特に
ノナフルオロブタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、またはこれらの混合物
が好適である。
レジストパターンの下部の形状改善効果の点から、特に
ノナフルオロブタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、またはこれらの混合物
が好適である。
【００２８】酸発生剤としては、例えば以下の化合物が
挙げられる。
挙げられる。
【００２９】（a）ビス（p−トルエンスルホニル）ジア
ゾメタン、メチルスルホニルーｐ−トルエンスルホニル
ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニルー1−
（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
シ、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホ
ニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン
類；
ゾメタン、メチルスルホニルーｐ−トルエンスルホニル
ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニルー1−
（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
シ、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホ
ニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン
類；
【００３０】（ｂ）p−トルエンスルホン酸−２−ニト
ロべンジル、ｐ−トルエンスルホン酸−２，６−ジニト
ロべンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン
酸―２，４−ジニトロべンジル等のニトロベンジル誘導
体；
ロべンジル、ｐ−トルエンスルホン酸−２，６−ジニト
ロべンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン
酸―２，４−ジニトロべンジル等のニトロベンジル誘導
体；
【００３１】（ｃ）ピロガロールのメタンスルホン酸エ
ステル（ピロガロールトリメシレート）、ピロガロール
のベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−メトキ
シベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチ
レンスルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスル
ホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸
エステル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベンゼンスルホ
ン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのべンジルスルホン酸エ
ステル等のポリヒドロキシ化合物と脂肪族または芳香族
スルホン酸エステル類；
ステル（ピロガロールトリメシレート）、ピロガロール
のベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−メトキ
シベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチ
レンスルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスル
ホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸
エステル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベンゼンスルホ
ン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのべンジルスルホン酸エ
ステル等のポリヒドロキシ化合物と脂肪族または芳香族
スルホン酸エステル類；
【００３２】（ｄ）ジフェニルヨードニウムテトラフル
オロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
ホスフエート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）フェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、（４−
メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフエート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム
塩；
オロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
ホスフエート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）フェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、（４−
メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフエート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム
塩；
【００３３】（e）２−メチルー２−（ｐ−トルエンス
ルホニル）プロピオンフエノン、２−（シクロヘキシル
カルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパ
ン、２−メタンスルホニルー２−メチルー（４−メチル
チオ）プロピオフェノン、２，４−ジメチルー2−（ｐ
−トルエンスルホニル）ペンタンー３−オン等のスルホ
ニルカルボニルアルカン類；
ルホニル）プロピオンフエノン、２−（シクロヘキシル
カルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパ
ン、２−メタンスルホニルー２−メチルー（４−メチル
チオ）プロピオフェノン、２，４−ジメチルー2−（ｐ
−トルエンスルホニル）ペンタンー３−オン等のスルホ
ニルカルボニルアルカン類；
【００３４】（ｆ）１−ｐ一トルエンスルホニルー１−
シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾー
１−メチルスルホニルー４−フェニル２−ブタノン、１
−シクロヘキシルスルホニルー１−シクロヘキシルカル
ボニルジアゾメタン、１−ジアゾー１−シクロヘキシル
スルホニルー３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−ジ
アゾー1−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−
３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−アセチルー１−
（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジ
アゾー１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３，３−ジメ
チル−２−ブタノン、１−ジアゾー１一ベンゼンスルホ
ニル−３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−ジアゾー
１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチルー２−ブ
タノン、２−ジアゾー２−（ｐ−トルエンスルホニル）
酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾー２−ベンゼンスルホ
ニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、２−ジアゾー２−メタンス
ルホニル酢酸イソプロピル、２−ジアゾー２−ベンゼン
スルホニル酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾー２―（ｐ
−トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ−ブチル等のスル
ホニルカルボニルジアゾメタン類；
シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾー
１−メチルスルホニルー４−フェニル２−ブタノン、１
−シクロヘキシルスルホニルー１−シクロヘキシルカル
ボニルジアゾメタン、１−ジアゾー１−シクロヘキシル
スルホニルー３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−ジ
アゾー1−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−
３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−アセチルー１−
（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジ
アゾー１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３，３−ジメ
チル−２−ブタノン、１−ジアゾー１一ベンゼンスルホ
ニル−３，３−ジメチルー２−ブタノン、１−ジアゾー
１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチルー２−ブ
タノン、２−ジアゾー２−（ｐ−トルエンスルホニル）
酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾー２−ベンゼンスルホ
ニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、２−ジアゾー２−メタンス
ルホニル酢酸イソプロピル、２−ジアゾー２−ベンゼン
スルホニル酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾー２―（ｐ
−トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ−ブチル等のスル
ホニルカルボニルジアゾメタン類；
【００３５】（ｇ）べンゾイントシレート、α−メチル
べンゾイントシレート等のべンゾイントシレート類；
べンゾイントシレート等のべンゾイントシレート類；
【００３６】（ｈ）２−（４−メトキシフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−（４−メトキシナフチル）―４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（２−フリル）エテニル］―４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−
（５―メチルー２−フリル）エテニル〕−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル］−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エ
テニル〕―４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，
３，５−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，
３，５−トリアジン、トリス（１，３−ジブロモプロピ
ル）−１，３，５一トリアジン、トリス（２，３−ジブ
ロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリス
（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート等のハ
ロゲン含有トリアジン化合物類；
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−（４−メトキシナフチル）―４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（２−フリル）エテニル］―４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−
（５―メチルー２−フリル）エテニル〕−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル］−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エ
テニル〕―４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，
３，５−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，
３，５−トリアジン、トリス（１，３−ジブロモプロピ
ル）−１，３，５一トリアジン、トリス（２，３−ジブ
ロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリス
（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート等のハ
ロゲン含有トリアジン化合物類；
【００３７】（ｉ）α−（メチルスルホニルオキシイミ
ノ）フェニルアセトニトリル、α−（トルエンスルホニ
ルオキシイミノ）フェニルアセトニトリル、α−（ｐ−
クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセ
トニトリル、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキ
シイミノ）フェニルアセトニトリル、α−（４一ニトロ
ー２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ）フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニ
ルオキシイミノ）−１−フェニルアセトニトリル、α−
（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェ
ニルアセトニトリル、α―（メチルスルホニルオキシイ
ミノ）−１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、
α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メ
トキシフェニル）アセトニトリル、α−（ベンゼンスル
ホニルオキシイミノ）−４−クロロフェニルアセトニト
リル、α―（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，
４−ジクロロフェニルアセトニトリル、α―（ベンゼン
スルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニル
アセトニトリル、α―（ベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）−２，４−（ジクロロフェニルアセトニトリル、α
−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−4−メトキシ
フェニルアセトニトリル、α―（２−クロロべンゼンス
ルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセト
ニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−
２−チエニルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセトニトリ
ル、α−（トルエンスホニルオキシイミノ）−４−メト
キシフェニルアセトニトリル、α―（４−ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル
アセトニトリル、α−（トリスルホニルオキシイミノ）
−３−チエニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホ
ニルオキシミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−４−メト
キシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルア
セトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（メ
チルスルホニルオキシイミノ）−４−ブロモフェニルア
セトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）
−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチル
スルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセ
トニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−
１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルス
ルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクチニルアセト
ニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ
イミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−
シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（エチルスルホ
ニルオキシイミノ）エチルアセトニトリル、α−（プロ
ピルスルホニルオキシイミノ）プロピルアセトニトリ
ル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）シ
クロぺンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルス
ルホニルオキシイミノ）シクロヘキシルアセトニトリ
ル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−
１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（１−ナフ
チルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジル
シアニド、α−（２−ナフチルスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシべンジルシアニド、α−（１−ナフ
チルスルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド、α−
（２−ナフチルスルホニルオキシイミノ）べンジルシア
ニド、α−（１０−カンファスルホニルオキシイミノ）
−４−メトキシべンジルシアニド、α−（１０−カンフ
ァスルホニルオキシイミノ）べンジルシアニド、α−
（３−カンファスルホニルオキシイミノ）−４−メトキ
シべンジルシアニド、α−（３−ブロモー１０−カンフ
ァスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシべンジルシ
アニド、次の式（ＩＩ）〜（ＸＩＩＩ）で表される化合
物等のオキシムスルホネート系化合物類；
ノ）フェニルアセトニトリル、α−（トルエンスルホニ
ルオキシイミノ）フェニルアセトニトリル、α−（ｐ−
クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセ
トニトリル、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキ
シイミノ）フェニルアセトニトリル、α−（４一ニトロ
ー２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ）フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニ
ルオキシイミノ）−１−フェニルアセトニトリル、α−
（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェ
ニルアセトニトリル、α―（メチルスルホニルオキシイ
ミノ）−１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、
α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メ
トキシフェニル）アセトニトリル、α−（ベンゼンスル
ホニルオキシイミノ）−４−クロロフェニルアセトニト
リル、α―（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，
４−ジクロロフェニルアセトニトリル、α―（ベンゼン
スルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニル
アセトニトリル、α―（ベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）−２，４−（ジクロロフェニルアセトニトリル、α
−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−4−メトキシ
フェニルアセトニトリル、α―（２−クロロべンゼンス
ルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセト
ニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−
２−チエニルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセトニトリ
ル、α−（トルエンスホニルオキシイミノ）−４−メト
キシフェニルアセトニトリル、α―（４−ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル
アセトニトリル、α−（トリスルホニルオキシイミノ）
−３−チエニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホ
ニルオキシミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−４−メト
キシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルア
セトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（メ
チルスルホニルオキシイミノ）−４−ブロモフェニルア
セトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）
−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチル
スルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセ
トニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−
１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルス
ルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクチニルアセト
ニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ
イミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−
シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（エチルスルホ
ニルオキシイミノ）エチルアセトニトリル、α−（プロ
ピルスルホニルオキシイミノ）プロピルアセトニトリ
ル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）シ
クロぺンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルス
ルホニルオキシイミノ）シクロヘキシルアセトニトリ
ル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−
１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（１−ナフ
チルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジル
シアニド、α−（２−ナフチルスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシべンジルシアニド、α−（１−ナフ
チルスルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド、α−
（２−ナフチルスルホニルオキシイミノ）べンジルシア
ニド、α−（１０−カンファスルホニルオキシイミノ）
−４−メトキシべンジルシアニド、α−（１０−カンフ
ァスルホニルオキシイミノ）べンジルシアニド、α−
（３−カンファスルホニルオキシイミノ）−４−メトキ
シべンジルシアニド、α−（３−ブロモー１０−カンフ
ァスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシべンジルシ
アニド、次の式（ＩＩ）〜（ＸＩＩＩ）で表される化合
物等のオキシムスルホネート系化合物類；
【００３８】
【化８】
【００３９】
【化９】
【００４０】
【化１０】
【００４１】
【化１１】
【００４２】
【化１２】
【００４３】
【化１３】
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
【化１６】
【００４７】
【化１７】
【００４８】
【化１８】
【００４９】
【化１９】
【００５０】（ｊ）Ｎ−メチルスルホニルオキシスクシ
ンイミド、Ｎ−イソプロピルスルホニルオキシスクシン
イミド、Ｎ−クロロエチルスルホニルオキシスクシンイ
ミド、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）スルホニルオキシ
スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−ビニルフェニル）スルホニ
ルオキシスクシンイミド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキ
シスクシンイミド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシスク
シンイミド、Ｎ―（２，３，６−トリフェニル）スルホ
ニルオキシスクシンイミド、Ｎ−メチルスルホニルオキ
シマレイミド、Ｎ−イソプロピルスルホニルオキシマレ
イミド、Ｎ−クロロエチルスルホニルオキシマレイミ
ド、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）スルホニルオキシマ
レイミド、Ｎ−（ｐ−ビニルフェニル）スルホニルオキ
シマレイミド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキシマレイミ
ド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ−
（２，３，６−トリフェニル）スルホニルオキシマレイ
ミド、Ｎ−メチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
イソプロピルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−クロ
ロエチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（ｐ−メ
トキシフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
（ｐ−ビニルフェニル）スルホニルオキシフタルイミ
ド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
フェニルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（２，
３，６−トリフェニル）スルホニルオキシフタルイミド
等のイミド系化合物類；等を挙げることができる。
ンイミド、Ｎ−イソプロピルスルホニルオキシスクシン
イミド、Ｎ−クロロエチルスルホニルオキシスクシンイ
ミド、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）スルホニルオキシ
スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−ビニルフェニル）スルホニ
ルオキシスクシンイミド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキ
シスクシンイミド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシスク
シンイミド、Ｎ―（２，３，６−トリフェニル）スルホ
ニルオキシスクシンイミド、Ｎ−メチルスルホニルオキ
シマレイミド、Ｎ−イソプロピルスルホニルオキシマレ
イミド、Ｎ−クロロエチルスルホニルオキシマレイミ
ド、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）スルホニルオキシマ
レイミド、Ｎ−（ｐ−ビニルフェニル）スルホニルオキ
シマレイミド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキシマレイミ
ド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ−
（２，３，６−トリフェニル）スルホニルオキシマレイ
ミド、Ｎ−メチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
イソプロピルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−クロ
ロエチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（ｐ−メ
トキシフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
（ｐ−ビニルフェニル）スルホニルオキシフタルイミ
ド、Ｎ−ナフチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−
フェニルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ−（２，
３，６−トリフェニル）スルホニルオキシフタルイミド
等のイミド系化合物類；等を挙げることができる。
【００５１】これら酸性化合物の配合量は、少なくとも
２個以上の脂環構造を有する化合物に対して、酸であれ
ば、０．１〜２０重量％、特には０．５〜１５重量％と
するのが好ましく、酸発生剤であれば少なくとも２個以
上の脂環構造を有する化合物に対して０．１〜３０重量
％、特には０．５〜２０重量％とするのが好ましい。
２個以上の脂環構造を有する化合物に対して、酸であれ
ば、０．１〜２０重量％、特には０．５〜１５重量％と
するのが好ましく、酸発生剤であれば少なくとも２個以
上の脂環構造を有する化合物に対して０．１〜３０重量
％、特には０．５〜２０重量％とするのが好ましい。
【００５２】高吸光性成分としては、本発明で得られる
ホトレジスト層中の感光性成分の感光特性波長域におけ
る光に対して高い吸収能を有し、基板からの反射によっ
て生じる定在波や基板表面の段差による乱反射を防ぐこ
とができるものであればよく、特に制限はない。このよ
うなものとしては、例えばサリシレート系化合物、べン
ゾフェノン系化合物、べンゾトリアゾール系化合物、シ
アノアクリレート系化合物、アゾ系化合物、ポリエン系
化合物、アントラキノン系化合物、ビスフェニルスルホ
ン系化合物、ビスフェニルスルホキシド系化合物、アン
トラセン系化合物等、いずれも使用することができる。
ホトレジスト層中の感光性成分の感光特性波長域におけ
る光に対して高い吸収能を有し、基板からの反射によっ
て生じる定在波や基板表面の段差による乱反射を防ぐこ
とができるものであればよく、特に制限はない。このよ
うなものとしては、例えばサリシレート系化合物、べン
ゾフェノン系化合物、べンゾトリアゾール系化合物、シ
アノアクリレート系化合物、アゾ系化合物、ポリエン系
化合物、アントラキノン系化合物、ビスフェニルスルホ
ン系化合物、ビスフェニルスルホキシド系化合物、アン
トラセン系化合物等、いずれも使用することができる。
【００５３】かかる成分としては、含窒素化合物や溶剤
に対する溶解性等の点から、べンゾフェノン系化合物、
ビスフェニルスルホン系化合物、ビスフェニルスルホキ
シド系化合物、アントラセン系化合物等が好ましく用い
られる。中でも、少なくとも２個の水酸基を有するべン
ゾフェノン類すなわちポリヒドロキシべンゾフェノン
類、少なくとも２個の水酸基を有するビスフェニルスル
ホン類、少なくとも２個の水酸基を有するビスフェニル
スルホキシド類、少なくとも１個の水酸基またはヒドロ
キシアルキル基を有するアントラセン類の中から選ばれ
る少なくとも１種のヒドロキシ化合物が好ましい。これ
らの中で特に好ましいのは、例えばＫｒＦエキシマレー
ザーを用いた場合、アントラセン系化合物またはビスフ
ェニルスルホン系化合物である。これらは単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
に対する溶解性等の点から、べンゾフェノン系化合物、
ビスフェニルスルホン系化合物、ビスフェニルスルホキ
シド系化合物、アントラセン系化合物等が好ましく用い
られる。中でも、少なくとも２個の水酸基を有するべン
ゾフェノン類すなわちポリヒドロキシべンゾフェノン
類、少なくとも２個の水酸基を有するビスフェニルスル
ホン類、少なくとも２個の水酸基を有するビスフェニル
スルホキシド類、少なくとも１個の水酸基またはヒドロ
キシアルキル基を有するアントラセン類の中から選ばれ
る少なくとも１種のヒドロキシ化合物が好ましい。これ
らの中で特に好ましいのは、例えばＫｒＦエキシマレー
ザーを用いた場合、アントラセン系化合物またはビスフ
ェニルスルホン系化合物である。これらは単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】上記の少なくとも２個の水酸基を有するべ
ンゾフェノン類すなわちポリヒドロキシべンゾフェノン
類としては、例えば２，４−ジヒドロキシべンゾフェノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシべンゾフェノン、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシべンゾフェノン、
２，２′，５，６′−テトラヒドロキシべンゾフェノ
ン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，６−ジヒドロキシー４−メトキシべンゾフェ
ノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシ
べンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２′，４′−ジ
ヒドロキシべンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−
３′，４′−ジヒドロキシべンゾフェノン等が挙げられ
る。
ンゾフェノン類すなわちポリヒドロキシべンゾフェノン
類としては、例えば２，４−ジヒドロキシべンゾフェノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシべンゾフェノン、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシべンゾフェノン、
２，２′，５，６′−テトラヒドロキシべンゾフェノ
ン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，６−ジヒドロキシー４−メトキシべンゾフェ
ノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシ
べンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２′，４′−ジ
ヒドロキシべンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−
３′，４′−ジヒドロキシべンゾフェノン等が挙げられ
る。
【００５５】また、少なくとも２個の水酸基を有するビ
スフェニルスルホン酸およびビスフェニルスルホキシド
類としては、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン類、
ビス（ヒドロキシフェニル）スルホキシド類、ビス（ポ
リヒドロキシフェニル）スルホン類、ビス（ポリヒドロ
キシフェニル）スルホキシド類が好ましく、このような
ものとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルホキシド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，３−ジヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，４−ジヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（２，４−ジヒドロキシ
−６−メチルフェニル）スルホン、ビス（５−クロロ−
２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，
５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３，４−ト
リヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホン、ビス
（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３−ジヒドロ
キシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，
３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，
４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，
４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシ
ド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５
−クロロ−２，３、４−トリヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−ト
リヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。
スフェニルスルホン酸およびビスフェニルスルホキシド
類としては、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン類、
ビス（ヒドロキシフェニル）スルホキシド類、ビス（ポ
リヒドロキシフェニル）スルホン類、ビス（ポリヒドロ
キシフェニル）スルホキシド類が好ましく、このような
ものとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルホキシド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，３−ジヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，４−ジヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（２，４−ジヒドロキシ
−６−メチルフェニル）スルホン、ビス（５−クロロ−
２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，
５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−
ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３，４−ト
リヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホン、ビス
（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）
スルホン、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，３−ジヒドロ
キシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，
３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，
４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，
４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシ
ド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５
−クロロ−２，３、４−トリヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−ト
リヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。
【００５６】さらに、少なくとも１個の水酸基またはヒ
ドロキシアルキル基を有するアントラセン類としては、
アントラセン環及び置換基を有するものが用いられる。
このようなものとしては、例えば下記一般式（ＸＩＶ）
ドロキシアルキル基を有するアントラセン類としては、
アントラセン環及び置換基を有するものが用いられる。
このようなものとしては、例えば下記一般式（ＸＩＶ）
【００５７】
【化２０】
【００５８】（式中、ｎは１〜１０の整数、ｍは０〜８
の整数、ｋは０〜６の整数であり、ただし、ｋとｎが同
時に０となることはない）で表される化合物を挙げるこ
とができる．
の整数、ｋは０〜６の整数であり、ただし、ｋとｎが同
時に０となることはない）で表される化合物を挙げるこ
とができる．
【００５９】上記一般式（ＸＩＶ）で表される化合物と
しては、具体的には、１−ヒドロキシアントラセン、９
−ヒドロキシアントラセン、１，２−ジヒドロキシアン
トラセン、１，５−ジヒドロキシアントラセン、９，１
０−ジヒドロキシアントラセン、１，２，３−トリヒド
ロキシアントラセン、１−ヒドロキシメチルアントラセ
ン、９−ヒドロキシメチルアントラセン、９−ヒドロキ
シエチルアントラセン、９−ヒドロキシヘキシルアント
ラセン、９−ヒドロキシオクチルアントラセン、９，１
０−ジヒドロキシメチルアントラセン等が挙げられ、さ
らには９−アントラセンカルボン酸、９，１０−アント
ラセンジカルボン酸、グリシジル化アントラセンカルボ
ン酸、グリシジル化アントラセニルメチルアルコール、
アントラセニルメチルアルコールと多価カルボン酸（例
えば、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマ
ロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、メチルコハク
酸、２，２−ジメチルコハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ピメリン酸等）との縮合生成物なども好適に使用す
ることができる。
しては、具体的には、１−ヒドロキシアントラセン、９
−ヒドロキシアントラセン、１，２−ジヒドロキシアン
トラセン、１，５−ジヒドロキシアントラセン、９，１
０−ジヒドロキシアントラセン、１，２，３−トリヒド
ロキシアントラセン、１−ヒドロキシメチルアントラセ
ン、９−ヒドロキシメチルアントラセン、９−ヒドロキ
シエチルアントラセン、９−ヒドロキシヘキシルアント
ラセン、９−ヒドロキシオクチルアントラセン、９，１
０−ジヒドロキシメチルアントラセン等が挙げられ、さ
らには９−アントラセンカルボン酸、９，１０−アント
ラセンジカルボン酸、グリシジル化アントラセンカルボ
ン酸、グリシジル化アントラセニルメチルアルコール、
アントラセニルメチルアルコールと多価カルボン酸（例
えば、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマ
ロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、メチルコハク
酸、２，２−ジメチルコハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ピメリン酸等）との縮合生成物なども好適に使用す
ることができる。
【００６０】これらの中でも、反応性が高く、かつイン
ターミキシングが発生しにくい等の条件を満たし、加え
て吸光性が高いという点から、アントラセン類、特に９
−アントラセンカルボン酸及び９，１０−アントラセン
ジカルボン酸が好ましい。
ターミキシングが発生しにくい等の条件を満たし、加え
て吸光性が高いという点から、アントラセン類、特に９
−アントラセンカルボン酸及び９，１０−アントラセン
ジカルボン酸が好ましい。
【００６１】これら吸光性化合物の配合量は、少なくと
も２個以上の脂環構造を有する化合物１００重量％に対
して、５０〜２００重量％、好ましくは８０〜２００重
量％であるが、少なくとも２個以上の脂環構造を有する
化合物及び露光波長等により、その配合量は適宜調整さ
れる。
も２個以上の脂環構造を有する化合物１００重量％に対
して、５０〜２００重量％、好ましくは８０〜２００重
量％であるが、少なくとも２個以上の脂環構造を有する
化合物及び露光波長等により、その配合量は適宜調整さ
れる。
【００６２】樹脂成分としては、例えばポリアミド酸、
ポリスルホン、ハロゲン化重合体、ポリアセタール、ア
セタール共重合体、α―置換ビニル重合体、ポリアミン
酸、ポリブテンスルホン酸、アクリル系樹脂等が挙げら
れるが、特にはアクリレート単位を少なくとも１個有す
るアクリル系樹脂が好ましい。
ポリスルホン、ハロゲン化重合体、ポリアセタール、ア
セタール共重合体、α―置換ビニル重合体、ポリアミン
酸、ポリブテンスルホン酸、アクリル系樹脂等が挙げら
れるが、特にはアクリレート単位を少なくとも１個有す
るアクリル系樹脂が好ましい。
【００６３】このようなアクリル系樹脂としては、例え
ばグリシジルアクリレート、メチルアクリレート、エチ
ルアクリレート、プロピルアクリレート等のアルキルア
クリレート、４−（４−ヒドロキシフェニル）スルホニ
ルフェニルアクリレートおよび対応するメタクリレート
等を重合して得られる重合体が好ましい。このような重
合体としては、例えばポリグリシジルアクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリ
［４−（４−ヒドロキシフェニル）スルホニルフェニ
ル］アクリレート、グリシジルアクリレートとメチルア
クリレートとの共重合体および対応するメタクリレート
重合体または共重合体等を挙げることができる。なお、
これらの中で、グリシジルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの重量比が２：８〜８：２、特には７：３
〜３：７の共重合体や、ポリ［４−（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホニルフェニル］メタクリレートがインタ
ミキシング層を発生しにくいという点で有利である。さ
らには、これらの樹脂成分に対して、例えば前記高吸光
性成分を置換させ、樹脂自体に吸収能を持たせたものと
しても良い。
ばグリシジルアクリレート、メチルアクリレート、エチ
ルアクリレート、プロピルアクリレート等のアルキルア
クリレート、４−（４−ヒドロキシフェニル）スルホニ
ルフェニルアクリレートおよび対応するメタクリレート
等を重合して得られる重合体が好ましい。このような重
合体としては、例えばポリグリシジルアクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリ
［４−（４−ヒドロキシフェニル）スルホニルフェニ
ル］アクリレート、グリシジルアクリレートとメチルア
クリレートとの共重合体および対応するメタクリレート
重合体または共重合体等を挙げることができる。なお、
これらの中で、グリシジルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの重量比が２：８〜８：２、特には７：３
〜３：７の共重合体や、ポリ［４−（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホニルフェニル］メタクリレートがインタ
ミキシング層を発生しにくいという点で有利である。さ
らには、これらの樹脂成分に対して、例えば前記高吸光
性成分を置換させ、樹脂自体に吸収能を持たせたものと
しても良い。
【００６４】樹脂成分を配合する場合は、該樹脂成分１
００重量％に対して少なくとも２個以上の脂環構造を有
する化合物が３〜２００重量％、好ましくは５〜１００
重量％であることが好ましい。
００重量％に対して少なくとも２個以上の脂環構造を有
する化合物が３〜２００重量％、好ましくは５〜１００
重量％であることが好ましい。
【００６５】上記各成分は、有機溶媒に溶解して用いら
れる。有機溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチ
ルイソアミルケトン、２−ヘプタノン、１，１，１−ト
リメチルアセトン等のケトン類；エチレングリコール、
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコ
ールまたはジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル
またはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およ
びその誘導体；ジオキサンのような環状エーテル類；乳
酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピ
オン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類等を挙げることができる．これらは１種を用い
てもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
れる。有機溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチ
ルイソアミルケトン、２−ヘプタノン、１，１，１−ト
リメチルアセトン等のケトン類；エチレングリコール、
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコ
ールまたはジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル
またはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およ
びその誘導体；ジオキサンのような環状エーテル類；乳
酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピ
オン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類等を挙げることができる．これらは１種を用い
てもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６６】上記有機溶媒は、全固形分濃度が１〜１５
重量％、好ましくは３〜１０重量％となるように配合さ
れる。
重量％、好ましくは３〜１０重量％となるように配合さ
れる。
【００６７】また、塗布性の向上やストリエーション防
止のための界面活性剤を添加することができる。このよ
うな界面活性剤としては、サーフロンＳＣ−１０３、Ｓ
Ｒ−１００（旭硝子社製）、ＥＦ−３５１（東北肥料社
製）、フロラードＦｃ−４３１、フロラードＦｃ−１３
５、フロラードＦｃ−９８、フロラードＦｃ−４３０、
フロラードＦｃ−１７６（住友３Ｍ社製）、メガファッ
クＲ−０８（大日本インキ社製）等のフッ素系界面活性
剤が挙げられ、その添加量は本発明組成物の固形分に対
して２０００ｐｐｍ未満の範囲で選ぶのが好ましい。
止のための界面活性剤を添加することができる。このよ
うな界面活性剤としては、サーフロンＳＣ−１０３、Ｓ
Ｒ−１００（旭硝子社製）、ＥＦ−３５１（東北肥料社
製）、フロラードＦｃ−４３１、フロラードＦｃ−１３
５、フロラードＦｃ−９８、フロラードＦｃ−４３０、
フロラードＦｃ−１７６（住友３Ｍ社製）、メガファッ
クＲ−０８（大日本インキ社製）等のフッ素系界面活性
剤が挙げられ、その添加量は本発明組成物の固形分に対
して２０００ｐｐｍ未満の範囲で選ぶのが好ましい。
【００６８】上記少なくとも２個以上の脂環構造を有す
る化合物の配合量は、有機溶剤中に１重量％〜１５重量
％となるように配合するのが好ましい。３重量％〜１０
重量％の範囲が、平坦性、埋込特性の面で、特に好まし
い。
る化合物の配合量は、有機溶剤中に１重量％〜１５重量
％となるように配合するのが好ましい。３重量％〜１０
重量％の範囲が、平坦性、埋込特性の面で、特に好まし
い。
【００６９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。 （実施例１）ＳｉＯ2膜が形成された基板に対して、ア
スペクト比４．５（ホールの直径２２０ｎｍ）のホール
パターンを形成し、その上にコール酸をプロピレングリ
コールモノメチルエーテルに溶解させ、その固形分濃度
を１０質量％に調整した保護膜形成用材料を塗布し、１
８０℃にて１分間加熱し、ホールパターン内に保護膜を
形成した。この状態の基板を、ＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）を用いて観察したところ、ホール内は完全に埋め込
まれ、かつホールパターン上部は平坦であった。
する。 （実施例１）ＳｉＯ2膜が形成された基板に対して、ア
スペクト比４．５（ホールの直径２２０ｎｍ）のホール
パターンを形成し、その上にコール酸をプロピレングリ
コールモノメチルエーテルに溶解させ、その固形分濃度
を１０質量％に調整した保護膜形成用材料を塗布し、１
８０℃にて１分間加熱し、ホールパターン内に保護膜を
形成した。この状態の基板を、ＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）を用いて観察したところ、ホール内は完全に埋め込
まれ、かつホールパターン上部は平坦であった。
【００７０】（比較例１）実施例１で用いた保護膜形成
用材料をべンゾグアナミンのプロピレングリコールモノ
メチルエーテル溶液（固形分濃度が５重量％）に代えた
以外は同様の操作によりホールを埋め込み、その埋込性
及び平坦性を観察したところ、ホール内部にはボイドと
呼ばれる気泡が発生した。
用材料をべンゾグアナミンのプロピレングリコールモノ
メチルエーテル溶液（固形分濃度が５重量％）に代えた
以外は同様の操作によりホールを埋め込み、その埋込性
及び平坦性を観察したところ、ホール内部にはボイドと
呼ばれる気泡が発生した。
【００７１】（比較例２）実施例１で用いた保護膜形成
用材料をアクリル系樹脂にジフェニルスルホン系置換基
を架橋させたＰＡＣ−１０１及びメトキシメチル化メラ
ミン化合物であるＭＸ−７５０（重量比＝８：２）の乳
酸エチル溶液（固形分濃度が５重量％）に代えた以外は
同様の操作によりホールを埋め込み、その埋込性及び平
坦性を観察したところ、ホール内部を完全に埋め込むこ
とができなかった。
用材料をアクリル系樹脂にジフェニルスルホン系置換基
を架橋させたＰＡＣ−１０１及びメトキシメチル化メラ
ミン化合物であるＭＸ−７５０（重量比＝８：２）の乳
酸エチル溶液（固形分濃度が５重量％）に代えた以外は
同様の操作によりホールを埋め込み、その埋込性及び平
坦性を観察したところ、ホール内部を完全に埋め込むこ
とができなかった。
【００７２】
【発明の効果】本願発明によれば、デュアルダマシン法
をはじめとする多層配線を形成するプロセスにおいて、
少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物を含有し
てなる保護膜形成用材料を用いることにより、ホールパ
ターンに塗布する際に気泡が発生することがなく、かつ
平坦な膜を得ることができた。
をはじめとする多層配線を形成するプロセスにおいて、
少なくとも２個以上の脂環構造を有する化合物を含有し
てなる保護膜形成用材料を用いることにより、ホールパ
ターンに塗布する際に気泡が発生することがなく、かつ
平坦な膜を得ることができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 DA02 DA03 5F033 MM01 MM02 QQ09 QQ37 RR04 RR21 SS22 XX00 XX01 XX03 XX04
Claims (6)
- 【請求項１】 有機溶剤、及び少なくとも２個以上の脂
環構造を有する化合物を含有してなることを特徴とする
保護膜形成用材料。 - 【請求項２】 前記化合物が、スピロ炭化水素化合物、
二環モノテルペン化合物、アダマンタン化合物、及びス
テロイド化合物の中から選ばれる少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項１に記載の保護膜形成用材料。 - 【請求項３】 前記化合物が、ステロイド系化合物であ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の保護膜形成
用材料。 - 【請求項４】 前記化合物が、胆汁酸系化合物の中から
選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の保護膜形成用材料。 - 【請求項５】 前記化合物が、１又は２個の水酸基及び
カルボキシル基から選ばれる少なくとも１種の置換基を
有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の保護膜形成用材料。 - 【請求項６】 前記保護膜形成用材料であって、更にヒ
ドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基、或いは
その両方で置換されたアミノ基を少なくとも２個有する
含窒素化合物の中から選ばれる少なくとも１種を配合す
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の保
護膜形成用材料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148369A JP2002343860A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 保護膜形成用材料 |
| KR1020020027298A KR100890791B1 (ko) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | 보호막 형성용 재료 |
| TW91110414A TW558800B (en) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | Material for forming protective film |
| CNB021410119A CN100346230C (zh) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | 保护膜形成用材料 |
| US10/147,942 US7179399B2 (en) | 2001-05-17 | 2002-05-17 | Material for forming protective film |
Applications Claiming Priority (1)
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