JP2002329701A - 半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示装置の製造過程、クリーンルームの環境
や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなどで生
じる基板汚染が起因するデバイス特性の不安定に対し
て、前記製造過程の主たる工程間の洗浄を管理する。 【解決手段】 本発明は、基板上の酸化膜がエッチング
除去され、清浄化さらた後に露出したシリコン膜面や、
基板上の金属膜を覆う自然酸化膜面や、膜形成による絶
縁膜表面が清浄化され、その膜面が水素処理によって改
質されることに特徴を有する。これにより次のような作
用を有する。すなわち、これによって基板上の膜面を改
質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しいては積
層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する半導体基
板を提供するものである。
や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなどで生
じる基板汚染が起因するデバイス特性の不安定に対し
て、前記製造過程の主たる工程間の洗浄を管理する。 【解決手段】 本発明は、基板上の酸化膜がエッチング
除去され、清浄化さらた後に露出したシリコン膜面や、
基板上の金属膜を覆う自然酸化膜面や、膜形成による絶
縁膜表面が清浄化され、その膜面が水素処理によって改
質されることに特徴を有する。これにより次のような作
用を有する。すなわち、これによって基板上の膜面を改
質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しいては積
層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する半導体基
板を提供するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板を用いた電子部
品の製造過程にかかる基板処理方法や製造装置に関する
ものである。
品の製造過程にかかる基板処理方法や製造装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来法について液晶表示の製造方法を例
に以下に説明する。
に以下に説明する。
【０００３】液晶表示装置となるＴＦＴ基板の概略製造
は、基板洗浄には成膜前洗浄やパターン加工前後の洗浄
など工程間の全てに施されている（図６）。その洗浄目
的の多くはパーティクルや汚染物の除去である。ＴＦＴ
は金属膜、絶縁膜、半導体層で構成されており、金属膜
や半導体層にはその表面に自然酸化膜が覆っている。一
般的には半導体プロセスで公知の過酸化水素水をベース
とした薬液によるＲＣＡ洗浄をもとにしたウェット洗浄
方法が用いられている。
は、基板洗浄には成膜前洗浄やパターン加工前後の洗浄
など工程間の全てに施されている（図６）。その洗浄目
的の多くはパーティクルや汚染物の除去である。ＴＦＴ
は金属膜、絶縁膜、半導体層で構成されており、金属膜
や半導体層にはその表面に自然酸化膜が覆っている。一
般的には半導体プロセスで公知の過酸化水素水をベース
とした薬液によるＲＣＡ洗浄をもとにしたウェット洗浄
方法が用いられている。
【０００４】半導体レジストの剥離に用いられるＨ2Ｓ
Ｏ4／H2O2（ＳＰＭ）洗浄は有機物を酸化して除去する
方法である。また、ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2（ＡＰＭ）洗浄
は粒子除去に使用され、ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2（ＨＰＭ）洗浄
は金属汚染を除去するのに使用される。これらＲＣＡ洗
浄はその多くが高温下で行われるため液の組成変化が著
しく、液管理や蒸発成分の排気に伴うクリーンルーム内
のクリーン度管理等は必要である。
Ｏ4／H2O2（ＳＰＭ）洗浄は有機物を酸化して除去する
方法である。また、ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2（ＡＰＭ）洗浄
は粒子除去に使用され、ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2（ＨＰＭ）洗浄
は金属汚染を除去するのに使用される。これらＲＣＡ洗
浄はその多くが高温下で行われるため液の組成変化が著
しく、液管理や蒸発成分の排気に伴うクリーンルーム内
のクリーン度管理等は必要である。
【０００５】液晶基板のように大版基板に対しては、前
記高温管理下での薬液による洗浄は極めて困難であり、
有機洗浄液やフッ酸水溶液を用い純水をリンス液とした
枚葉処理が施されている。フッ酸水溶液は自然酸化膜を
エッチングすることで基板表面の付着物を除去できる。
また有機物はオゾンガス中に基板を暴露することで分解
・気化させて除去できる。そして、昨今前記ＲＣＡ洗浄
に代る機能水としてオゾンガスを純水に含有させたオゾ
ン水が注目されている。オゾン水はオゾンガスによって
基板表面の金属や有機の付着物を酸化させ、希フッ酸水
溶液により前記酸化物をエッチングすることで基板面の
清浄化をはかるものである。しかしながら、液晶表示装
置は薄膜の積層で構成されており、ＴＦＴのフルプロセ
スにおいて全ての工程間洗浄に希フッ酸水溶液と純水を
用いた洗浄方法で処理することは、前記膜厚の制御性か
ら不適である。そして、金属配線が形成された工程にお
いても金属種によってはオゾン水の酸化性は不適であっ
た。
記高温管理下での薬液による洗浄は極めて困難であり、
有機洗浄液やフッ酸水溶液を用い純水をリンス液とした
枚葉処理が施されている。フッ酸水溶液は自然酸化膜を
エッチングすることで基板表面の付着物を除去できる。
また有機物はオゾンガス中に基板を暴露することで分解
・気化させて除去できる。そして、昨今前記ＲＣＡ洗浄
に代る機能水としてオゾンガスを純水に含有させたオゾ
ン水が注目されている。オゾン水はオゾンガスによって
基板表面の金属や有機の付着物を酸化させ、希フッ酸水
溶液により前記酸化物をエッチングすることで基板面の
清浄化をはかるものである。しかしながら、液晶表示装
置は薄膜の積層で構成されており、ＴＦＴのフルプロセ
スにおいて全ての工程間洗浄に希フッ酸水溶液と純水を
用いた洗浄方法で処理することは、前記膜厚の制御性か
ら不適である。そして、金属配線が形成された工程にお
いても金属種によってはオゾン水の酸化性は不適であっ
た。
【０００６】さらに、クリーンルーム環境暴露によりク
リーンルーム内汚染物が基板面に吸着して、次工程で封
じ込まれ界面に残存するとデバイス特性を劣化させる。
リーンルーム内汚染物が基板面に吸着して、次工程で封
じ込まれ界面に残存するとデバイス特性を劣化させる。
【０００７】クリーンルームに浮遊する汚染物は以下の
ようにして基板に吸着汚染される。クリーンルーム構成
材料から汚染物は発し、ガラス材で構成されてなるクリ
ーンルームの空調フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）も、薬
品使用工程のクリーンルーム雰囲気を循環させることで
フィルタを溶解し、微粒子となってクリーンルーム内に
浮遊する。
ようにして基板に吸着汚染される。クリーンルーム構成
材料から汚染物は発し、ガラス材で構成されてなるクリ
ーンルームの空調フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）も、薬
品使用工程のクリーンルーム雰囲気を循環させることで
フィルタを溶解し、微粒子となってクリーンルーム内に
浮遊する。
【０００８】液晶表示装置の構成において、前記のよう
な汚染物が吸着するとプラズマプロセスや熱プロセス等
を経て半導体層に拡散したり界面に残留して、膜特性の
不良を引き起こす。パーティクルサイズのレベルでは層
間に残留することでカバレッジやパターン不良を生じ、
それに伴なう絶縁不良や耐圧不良など様々な問題を生じ
させる。さらには完成したＴＦＴにおいては駆動電圧の
印加によってバラツキを生じ、初期特性のバラツキやさ
らには信頼性特性の劣化変動を引き起こすなど問題があ
った。
な汚染物が吸着するとプラズマプロセスや熱プロセス等
を経て半導体層に拡散したり界面に残留して、膜特性の
不良を引き起こす。パーティクルサイズのレベルでは層
間に残留することでカバレッジやパターン不良を生じ、
それに伴なう絶縁不良や耐圧不良など様々な問題を生じ
させる。さらには完成したＴＦＴにおいては駆動電圧の
印加によってバラツキを生じ、初期特性のバラツキやさ
らには信頼性特性の劣化変動を引き起こすなど問題があ
った。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】表示装置の製造過程、
クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じるク
ロスコンタミなどで生じる基板汚染が起因するデバイス
特性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の
洗浄を管理する。
クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じるク
ロスコンタミなどで生じる基板汚染が起因するデバイス
特性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の
洗浄を管理する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板は、
酸化膜を有する半導体基板であって、酸化膜の一部又は
全部が除去され、水素処理によって改質されることを特
徴とする半導体基板である。また、半導体基板が、少な
くともシリコンからなることを特徴とする半導体基板で
ある。
酸化膜を有する半導体基板であって、酸化膜の一部又は
全部が除去され、水素処理によって改質されることを特
徴とする半導体基板である。また、半導体基板が、少な
くともシリコンからなることを特徴とする半導体基板で
ある。
【００１１】また、本発明の別の半導体基板は、金属膜
と金属膜を被覆した自然酸化膜面を有する半導体基板で
あって、前記自然酸化膜が清浄化され、水素処理によっ
て改質されていることを特徴とする半導体基板。
と金属膜を被覆した自然酸化膜面を有する半導体基板で
あって、前記自然酸化膜が清浄化され、水素処理によっ
て改質されていることを特徴とする半導体基板。
【００１２】また、本発明の別の半導体基板は、膜形成
による絶縁膜を有する半導体基板であって、前記絶縁膜
表面が清浄化され、水素処理によって改質されているこ
とを特徴とする半導体基板である。
による絶縁膜を有する半導体基板であって、前記絶縁膜
表面が清浄化され、水素処理によって改質されているこ
とを特徴とする半導体基板である。
【００１３】上記の半導体基板の発明により、基板上の
膜面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、し
いては積層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する
半導体基板を提供することができる。
膜面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、し
いては積層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する
半導体基板を提供することができる。
【００１４】また、本発明の表示装置、液晶表示装置，
又は有機ＥＬ表示装置は、上記のいずれかに記載の半導
体基板を用いたものである。
又は有機ＥＬ表示装置は、上記のいずれかに記載の半導
体基板を用いたものである。
【００１５】上記の発明により、デバイス特性の他に良
好な表示特性、信頼性特性の安定化、歩留まり向上とい
う効果を有し、有機ＥＬ表示装置に対しては有機発光層
の形成工程においてもプロセス安定性をはかるという作
用を有するものである。
好な表示特性、信頼性特性の安定化、歩留まり向上とい
う効果を有し、有機ＥＬ表示装置に対しては有機発光層
の形成工程においてもプロセス安定性をはかるという作
用を有するものである。
【００１６】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄化工程と、
金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程と、膜形成
による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面を改質する
ための水素処理工程とを少なくとも有する液晶表示装置
の製造方法。
は、酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄化工程と、
金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程と、膜形成
による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面を改質する
ための水素処理工程とを少なくとも有する液晶表示装置
の製造方法。
【００１７】また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方
法は、酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄化工程
と、金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程と、膜
形成による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面を改質
するための水素処理工程とを少なくとも有する有機ＥＬ
表示装置の製造方法。
法は、酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄化工程
と、金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程と、膜
形成による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面を改質
するための水素処理工程とを少なくとも有する有機ＥＬ
表示装置の製造方法。
【００１８】また、本発明の磁気ヘッドは、金属膜を被
覆した自然酸化膜面が清浄化され、前記膜面が水素処理
によって改質されてなる基板で成る磁気ヘッドである。
覆した自然酸化膜面が清浄化され、前記膜面が水素処理
によって改質されてなる基板で成る磁気ヘッドである。
【００１９】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
ＭｇＯ基板上の電極や素子の形成に際し、前記電極や素
子を構成する多層膜の界面毎に前記自然酸化膜面を清浄
化し、前記膜面を水素処理する工程を有する磁気ヘッド
の製造方法である。また、前記水素処理は、水素ガス溶
解法又は、純水の電気分解法によって水素水化させてい
ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
ＭｇＯ基板上の電極や素子の形成に際し、前記電極や素
子を構成する多層膜の界面毎に前記自然酸化膜面を清浄
化し、前記膜面を水素処理する工程を有する磁気ヘッド
の製造方法である。また、前記水素処理は、水素ガス溶
解法又は、純水の電気分解法によって水素水化させてい
ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
【００２０】上記の磁気ヘッドに関する発明によって前
記積層膜でなる電極界面およびその下地界面の清浄化後
水素処理を施すことで清浄性を保持し、前記空乏層を作
らず電極間ショートの欠陥を防御するという作用を有す
るものである。
記積層膜でなる電極界面およびその下地界面の清浄化後
水素処理を施すことで清浄性を保持し、前記空乏層を作
らず電極間ショートの欠陥を防御するという作用を有す
るものである。
【００２１】本発明の水素処理は水素ガス中に基板を暴
露したり、水素ガス溶解法又は、純水の電気分解法によ
って水素水化させた水を用いて基板に処理するものであ
る。
露したり、水素ガス溶解法又は、純水の電気分解法によ
って水素水化させた水を用いて基板に処理するものであ
る。
【００２２】本発明の製造装置は、基板清浄化において
有機物質・酸化物質・無機物質・イオン物質などを除去
するための洗浄処理ユニットと、前記基板面を改質する
ためのユニットを少なくとも備えてなる。前記洗浄処理
ユニットで例えばオゾン水の基板面酸化や希フッ酸によ
るエッチング、純水による基板面残留溶剤の置換などを
施して基板面を清浄化し、他のユニットではその基板面
の清浄化状態を保持し、さらにはその基板面を改質処理
するものである。
有機物質・酸化物質・無機物質・イオン物質などを除去
するための洗浄処理ユニットと、前記基板面を改質する
ためのユニットを少なくとも備えてなる。前記洗浄処理
ユニットで例えばオゾン水の基板面酸化や希フッ酸によ
るエッチング、純水による基板面残留溶剤の置換などを
施して基板面を清浄化し、他のユニットではその基板面
の清浄化状態を保持し、さらにはその基板面を改質処理
するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２４】（第１の実施の形態）本発明の実施例につ
いて液晶表示装置の概略製造フロー（図１参照）を例に
説明する。従来の種々の洗浄工程の後に水素含有水（水
素水）を用いて洗浄する水素処理がなされている。
いて液晶表示装置の概略製造フロー（図１参照）を例に
説明する。従来の種々の洗浄工程の後に水素含有水（水
素水）を用いて洗浄する水素処理がなされている。
【００２５】基板として、例えばシリコン基板を用いた
実験結果を図７、図８に示す。図７左方の「洗浄−Ａ」
は従来の純水を用いた洗浄後の微粒子残留量である。こ
れに対し図７右方の「洗浄−Ｂ」は、これまでの純水に
代わり水素を含有した洗浄水を用いた洗浄後の微粒子残
留量を示す。これは水素含有水が基板洗浄においてパー
ティクル除去性能に優れるとした公知の結果である。な
お、本実施の形態では、シリコン基板としているが、他
の材料や形態（基板、電極、膜）、例えば、アルミニウ
ム、チタン、タングステン、銅、銀、モリブデン、パラ
ジウム、等若しくはこれらの合金、又はＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、
ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、等の酸化物でも同様の効果がみら
れる。
実験結果を図７、図８に示す。図７左方の「洗浄−Ａ」
は従来の純水を用いた洗浄後の微粒子残留量である。こ
れに対し図７右方の「洗浄−Ｂ」は、これまでの純水に
代わり水素を含有した洗浄水を用いた洗浄後の微粒子残
留量を示す。これは水素含有水が基板洗浄においてパー
ティクル除去性能に優れるとした公知の結果である。な
お、本実施の形態では、シリコン基板としているが、他
の材料や形態（基板、電極、膜）、例えば、アルミニウ
ム、チタン、タングステン、銅、銀、モリブデン、パラ
ジウム、等若しくはこれらの合金、又はＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、
ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、等の酸化物でも同様の効果がみら
れる。
【００２６】次に基板に対して、洗浄と微粒子汚染を繰
り返すことで、基板面の汚染経緯を検討した結果を図８
に示す。従来の純水洗浄では洗浄による微粒子の除去効
果が希薄であり、汚染を繰り返すことで基板面の微粒子
残留量が増加傾向を示す。また、金属膜などを覆う自然
酸化膜を含むＳｉＯｘ膜面に対して、前記同様に洗浄と
微粒子汚染の繰り返し実験を行ったところＳｉ面同様の
結果であった（図９参照）。
り返すことで、基板面の汚染経緯を検討した結果を図８
に示す。従来の純水洗浄では洗浄による微粒子の除去効
果が希薄であり、汚染を繰り返すことで基板面の微粒子
残留量が増加傾向を示す。また、金属膜などを覆う自然
酸化膜を含むＳｉＯｘ膜面に対して、前記同様に洗浄と
微粒子汚染の繰り返し実験を行ったところＳｉ面同様の
結果であった（図９参照）。
【００２７】次にＳｉＯｘ膜面に対して、有機物暴露汚
染を施し、暴露日数とＳｉＯｘ膜面の状態として接触角
の変化を検討したところ、３日ほどで４度に至りその表
面が徐々に汚染されていることが確認された（図１０参
照）。
染を施し、暴露日数とＳｉＯｘ膜面の状態として接触角
の変化を検討したところ、３日ほどで４度に至りその表
面が徐々に汚染されていることが確認された（図１０参
照）。
【００２８】これに対して、清浄基板面の再汚染防止と
汚染物に対し、主たる洗浄工程の洗浄処理後に水素処理
を施すことで基板面を水素終端化することが有効である
ことが証明された。そこで、ＴＦＴ製造過程における洗
浄工程後に本発明の水素処理を付加する製造方法や製造
装置と、それで得た半導体基板を提供するものである。
汚染物に対し、主たる洗浄工程の洗浄処理後に水素処理
を施すことで基板面を水素終端化することが有効である
ことが証明された。そこで、ＴＦＴ製造過程における洗
浄工程後に本発明の水素処理を付加する製造方法や製造
装置と、それで得た半導体基板を提供するものである。
【００２９】前記証明に至った実験結果を図２〜図５を
用いて以下に説明する。
用いて以下に説明する。
【００３０】図２は微粒子汚染基板を洗浄処理後に再度
微粒子汚染を施したものである。洗浄―Ｂについては再
汚染量がやや少なく、微粒子の再付着防止効果が確認で
きた。
微粒子汚染を施したものである。洗浄―Ｂについては再
汚染量がやや少なく、微粒子の再付着防止効果が確認で
きた。
【００３１】次に、図３はＳｉ面に対し、微粒子汚染と
洗浄を繰り返すことで基板面の微粒子残留量をみたもの
である。洗浄−Ａ（純水）に比較して洗浄−Ｂ（水素含
有水）は繰り返しによって残留量に増加はみられるもの
の洗浄毎に除去効果が確認できた。
洗浄を繰り返すことで基板面の微粒子残留量をみたもの
である。洗浄−Ａ（純水）に比較して洗浄−Ｂ（水素含
有水）は繰り返しによって残留量に増加はみられるもの
の洗浄毎に除去効果が確認できた。
【００３２】次に、図４は前記同様ＳｉＯｘ膜面に対
し、微粒子汚染と洗浄を繰り返すことで基板面の微粒子
残留量をみたものである。洗浄−Ａ（純水）に比較して
洗浄−Ｂ（水素含有水）は繰り返しによりわずかな増加
傾向は示すものの、初期値レベルまでの極めて良好な洗
浄除去効果が確認できた。なお、「洗浄―Ｂ」に水素含
有水を実施例として用いたが、その製法は問わない。ま
た、Ｈ（水素）ターミネート効果が得られるのであれば
他の溶剤やガスによるものでもよい。また、本発明に用
いた製造フローは一例であり、デバイス構成によりその
工程の違いはあるものの洗浄工程後に水素処理する効果
に変わりのないことは言うまでもない。なお、本発明の
実施の形態において、脱離パーティクルの除去促進や再
付着を制御できるのであれば薬液や機能水の併用に効果
が増大することは言うまでもない。
し、微粒子汚染と洗浄を繰り返すことで基板面の微粒子
残留量をみたものである。洗浄−Ａ（純水）に比較して
洗浄−Ｂ（水素含有水）は繰り返しによりわずかな増加
傾向は示すものの、初期値レベルまでの極めて良好な洗
浄除去効果が確認できた。なお、「洗浄―Ｂ」に水素含
有水を実施例として用いたが、その製法は問わない。ま
た、Ｈ（水素）ターミネート効果が得られるのであれば
他の溶剤やガスによるものでもよい。また、本発明に用
いた製造フローは一例であり、デバイス構成によりその
工程の違いはあるものの洗浄工程後に水素処理する効果
に変わりのないことは言うまでもない。なお、本発明の
実施の形態において、脱離パーティクルの除去促進や再
付着を制御できるのであれば薬液や機能水の併用に効果
が増大することは言うまでもない。
【００３３】次に、ＳｉＯｘ膜面に対して、有機物暴露
汚染を施し、暴露日数とＳｉＯｘ膜面の状態として接触
角の変化を検討したところ、従来の洗浄−Ａが３日ほど
で汚染されているに対し、洗浄−Ｂでは１０日まで基板
表面が安定であることが確認された（図５参照）。
汚染を施し、暴露日数とＳｉＯｘ膜面の状態として接触
角の変化を検討したところ、従来の洗浄−Ａが３日ほど
で汚染されているに対し、洗浄−Ｂでは１０日まで基板
表面が安定であることが確認された（図５参照）。
【００３４】これら水素処理は基板面のＳｉやＳｉ−Ｏ
に対しＨ（水素）結合で基板面を安定に改質し得た効果
である。
に対しＨ（水素）結合で基板面を安定に改質し得た効果
である。
【００３５】このように洗浄−Ｂを洗浄後のリンス処理
とすることで、製造プロセスのマージンすなわち清浄化
基板の安定性を図ることで性能、生産性向上に有望であ
ることが確認された。
とすることで、製造プロセスのマージンすなわち清浄化
基板の安定性を図ることで性能、生産性向上に有望であ
ることが確認された。
【００３６】（第２の実施の形態）第２の実施の形態
は、第１の実施の形態に記載の洗浄後の基板を用いた表
示装置である。それは、成膜やパターン加工等の処理を
重ねながら製造する過程において、第１の実施の形態に
記載の基板状態を有することに特徴を有し、基板上の膜
面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しい
ては積層界面を清浄に保った基板を用いた表示装置は、
デバイス特性の他に良好な表示特性を有するものであ
る。
は、第１の実施の形態に記載の洗浄後の基板を用いた表
示装置である。それは、成膜やパターン加工等の処理を
重ねながら製造する過程において、第１の実施の形態に
記載の基板状態を有することに特徴を有し、基板上の膜
面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しい
ては積層界面を清浄に保った基板を用いた表示装置は、
デバイス特性の他に良好な表示特性を有するものであ
る。
【００３７】（第３の実施の形態）第３の実施の形態
は、第１の実施の形態に記載の洗浄後の基板を用いた有
機ＥＬ表示装置である。そしてそれは、成膜やパターン
加工等の処理を重ねながら製造する過程において、第１
の実施の形態に記載の基板状態を有することに特徴を有
し、基板上の膜面を改質・安定化することで膜面の清浄
性を保ち、しいては積層界面を清浄に保った基板を用い
た表示装置は、デバイス特性の他に良好な表示特性を有
するものである。
は、第１の実施の形態に記載の洗浄後の基板を用いた有
機ＥＬ表示装置である。そしてそれは、成膜やパターン
加工等の処理を重ねながら製造する過程において、第１
の実施の形態に記載の基板状態を有することに特徴を有
し、基板上の膜面を改質・安定化することで膜面の清浄
性を保ち、しいては積層界面を清浄に保った基板を用い
た表示装置は、デバイス特性の他に良好な表示特性を有
するものである。
【００３８】（第４の実施の形態）従来の界面活性材や
純水による洗浄を施し得たインクジェットヘッド用電極
はＰｔ、ＰＬＴ、ＰＺＴ等の層からなる積層膜である。
この積層膜を作製する過程で層間にパーティクル起因の
空乏層が生じ、前記空乏層が生じるとその空乏層にイン
クが入り込み、電極間ショートの欠陥を生じた。本発明
によって前記積層膜でなる電極界面およびその下地界面
の清浄化後水素処理を施すことで清浄性を保持し、前記
空乏層を作らず電極間ショートの欠陥を防御するという
作用を有するものである。
純水による洗浄を施し得たインクジェットヘッド用電極
はＰｔ、ＰＬＴ、ＰＺＴ等の層からなる積層膜である。
この積層膜を作製する過程で層間にパーティクル起因の
空乏層が生じ、前記空乏層が生じるとその空乏層にイン
クが入り込み、電極間ショートの欠陥を生じた。本発明
によって前記積層膜でなる電極界面およびその下地界面
の清浄化後水素処理を施すことで清浄性を保持し、前記
空乏層を作らず電極間ショートの欠陥を防御するという
作用を有するものである。
【００３９】（第５の実施の形態）第５の実施の形態
は、基板清浄化において有機物質・酸化物質・無機物質
・イオン物質などを除去するための洗浄処理ユニット
と、前記基板面を改質するためのユニットを少なくとも
備えてなる製造装置である。そしてそれは、表示装置用
の基板を製造する過程において、膜面の清浄性を保ち、
しいては積層界面を清浄に保った基板の基板面処理に特
徴を有し基板上の膜面を改質・安定化することで、第１
〜第４の実施の形態に記載の基板状態を得るものであ
る。
は、基板清浄化において有機物質・酸化物質・無機物質
・イオン物質などを除去するための洗浄処理ユニット
と、前記基板面を改質するためのユニットを少なくとも
備えてなる製造装置である。そしてそれは、表示装置用
の基板を製造する過程において、膜面の清浄性を保ち、
しいては積層界面を清浄に保った基板の基板面処理に特
徴を有し基板上の膜面を改質・安定化することで、第１
〜第４の実施の形態に記載の基板状態を得るものであ
る。
【００４０】
【発明の効果】本発明によると、水素処理は基板面のＳ
ｉやＳｉ−Ｏに対しＨ（水素）結合で基板面を安定に改
質し得、汚染物の再付着防止と付着物除去性を向上させ
ることで、製造環境を安定にし、生産性を向上させるこ
とができる。
ｉやＳｉ−Ｏに対しＨ（水素）結合で基板面を安定に改
質し得、汚染物の再付着防止と付着物除去性を向上させ
ることで、製造環境を安定にし、生産性を向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の概略製造フロー図
【図２】本発明の水素処理効果確認図
【図３】本発明の水素処理効果確認図
【図４】本発明の水素処理効果確認図
【図５】本発明の水素処理効果確認図
【図６】本発明の洗浄・面改質処理装置構成図
【図７】従来の概略製造処理フロー図
【図８】従来の水素処理効果確認図
【図９】従来の水素処理効果確認図
【図１０】従来の水素処理効果確認図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ａ ５Ｆ１１０ Ｇ ５Ｇ４３５ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０５Ｂ 33/02 29/786 33/14 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ 33/14 ６２７Ｚ (72)発明者 山本 睦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA24 MA23 NA27 NA29 PA01 3B201 AA01 BB01 BB92 BB93 BB96 CC01 3K007 AB11 AB18 BA06 BB07 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA42 AA43 BA29 EB05 GB10 5D033 BA51 DA31 5F110 AA14 AA26 EE47 FF35 GG02 GG13 GG51 GG57 HJ21 HL26 NN39 NN40 5G435 AA17 BB05 EE33 KK05 KK10
Claims (17)
- 【請求項１】 酸化膜を有する半導体基板であって、前
記酸化膜の一部又は全部が除去され清浄化されて、前記
基板面が水素処理によって改質されることを特徴とする
半導体基板。 - 【請求項２】 前記半導体基板が、少なくともシリコン
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体基板。 - 【請求項３】 金属膜と金属膜を被覆した酸化膜面を有
する半導体基板であって、前記酸化膜が清浄化され、水
素処理によって改質されていることを特徴とする半導体
基板。 - 【請求項４】 膜形成による絶縁膜を有する半導体基板
であって、前記絶縁膜表面が清浄化され、水素処理によ
って改質されていることを特徴とする半導体基板。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
半導体基板を用いた表示装置。 - 【請求項６】 酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄
化工程と、金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程
と、膜形成による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面
を改質するための水素処理工程とを少なくとも有する表
示装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
半導体基板を用いた液晶表示装置。 - 【請求項８】 酸化膜の一部又は、全部を除去する清浄
化工程と、金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工程
と、膜形成による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄面
を改質するための水素処理工程とを少なくとも有する液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
半導体基板に有機発光材料を有し電流駆動装置を具備し
た有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項１０】 酸化膜の一部又は、全部を除去する清
浄化工程と、金属膜を被覆した自然酸化膜面の清浄化工
程と、膜形成による絶縁膜面の清浄化工程と、前記清浄
面を改質するための水素処理工程とを少なくとも有する
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 金属膜を被覆した自然酸化膜面が清浄
化され、前記膜面が水素処理によって改質されてなる基
板で成る磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 ＭｇＯ基板上の電極や素子の形成に際
し、前記電極や素子を構成する多層膜の界面毎に前記自
然酸化膜面を清浄化し、前記膜面を水素処理する工程を
有する磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記水素処理は、水素ガス溶解法若し
くは、純水の電気分解水素の溶解法によって水素水化さ
せた水を用いて処理又は、水素ガス雰囲気に暴露処理す
ることを特徴とする請求項１２記載の磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１４】 前記水素処理は、水素ガス溶解法若し
くは、純水の電気分解水素の溶解法によって水素水化さ
せた水を用いて処理又は、水素ガス雰囲気に暴露処理す
ることを特徴とする請求項６記載の表示装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記水素処理は、水素ガス溶解法若し
くは、純水の電気分解水素の溶解法によって水素水化さ
せた水を用いて処理又は、水素ガス雰囲気に暴露処理す
ることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１６】 前記水素処理は、水素ガス溶解法若し
くは、純水の電気分解水素の溶解法によって水素水化さ
せた水を用いて処理又は、水素ガス雰囲気に暴露処理す
ることを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬ表示装置
の製造方法。 - 【請求項１７】 基板清浄化において有機物質・酸化物
質・無機物質・イオン物質などを除去するための洗浄処
理部と、前記基板面の改質処理部を少なくとも備えてな
る製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001131458A JP2002329701A (ja) | 2001-02-28 | 2001-04-27 | 半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053983 | 2001-02-28 | ||
| JP2001-53983 | 2001-02-28 | ||
| JP2001131458A JP2002329701A (ja) | 2001-02-28 | 2001-04-27 | 半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329701A true JP2002329701A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=26610282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001131458A Pending JP2002329701A (ja) | 2001-02-28 | 2001-04-27 | 半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002329701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133769A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| JP2009506538A (ja) * | 2005-08-23 | 2009-02-12 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | シリコン表面の調製 |
| WO2011145149A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 表示用薄膜半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001131458A patent/JP2002329701A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133769A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| US8207534B2 (en) | 2004-10-26 | 2012-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| US8288771B2 (en) | 2004-10-26 | 2012-10-16 | Samsung Electonics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| US8455277B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
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| WO2011145149A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 表示用薄膜半導体装置の製造方法 |
| WO2011145286A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 表示用薄膜半導体装置の製造方法 |
| US8623715B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-01-07 | Panasonic Corporation | Method for fabricating thin-film semiconductor device for display |
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