JP2002324669A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易に形成でき、安定した特性が得られる有
機電界発光素子の提供を目的とする。 【解決手段】 基板１０上に陽極１１と陰極１６とで挟
んだ少なくとも１層以上の有機層で構成される少なくと
も片側より光を取り出す事ができる有機電界発光素子で
ある。前記有機層はホスト材料とゲスト材料とを混合比
率が重量比５００：１以上の関係にある有機蛍光体材料
を抵抗加熱法により数nm／秒の速度で基板１０に蒸着さ
せて形成する発光層１４を有する。
機電界発光素子の提供を目的とする。 【解決手段】 基板１０上に陽極１１と陰極１６とで挟
んだ少なくとも１層以上の有機層で構成される少なくと
も片側より光を取り出す事ができる有機電界発光素子で
ある。前記有機層はホスト材料とゲスト材料とを混合比
率が重量比５００：１以上の関係にある有機蛍光体材料
を抵抗加熱法により数nm／秒の速度で基板１０に蒸着さ
せて形成する発光層１４を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
（ＯＬＥＤ）に関する。
（ＯＬＥＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機化合物から成る発光層を有するＯＬ
ＥＤは、直流低電圧駆動を実現するものとして注目され
ており、例えば特公平６−３２３０７号公報には、透光
性ガラスから成る基板の上面にインジウムスズ酸化物
（ITO）の半透明被膜から成る陽極を形成し、この上に
正孔注入層、発光層、アルミニュウム（Al）の被膜から
成る陰極を順次形成し、前記陽極と前記陰極との間に電
源を接続することにより、前記陽極で発生した正孔は前
記正孔注入層と前記発光層との界面へ伝達され、ここで
前記陰極から伝達された電子と結合して、可視光線を発
する構成が開示されている。
ＥＤは、直流低電圧駆動を実現するものとして注目され
ており、例えば特公平６−３２３０７号公報には、透光
性ガラスから成る基板の上面にインジウムスズ酸化物
（ITO）の半透明被膜から成る陽極を形成し、この上に
正孔注入層、発光層、アルミニュウム（Al）の被膜から
成る陰極を順次形成し、前記陽極と前記陰極との間に電
源を接続することにより、前記陽極で発生した正孔は前
記正孔注入層と前記発光層との界面へ伝達され、ここで
前記陰極から伝達された電子と結合して、可視光線を発
する構成が開示されている。
【０００３】また、正孔注入を促進させるために、前記
正孔注入層と前記発光層との間に、正孔輸送層を介在さ
せる構成のＯＬＥＤや、前記正孔注入層と前記正孔輸送
層とを一体化した正孔注入・輸送層とする構成のＯＬＥ
Ｄも知られており、前記構成と同様に、前記陽極で発生
した正孔は前記正孔注入層と前記発光層との界面へ伝達
され、ここで前記陰極から伝達された電子と結合して、
可視光線を発し、この発光は、前記基板を通して前記Ｏ
ＬＥＤの外部へ照射される。
正孔注入層と前記発光層との間に、正孔輸送層を介在さ
せる構成のＯＬＥＤや、前記正孔注入層と前記正孔輸送
層とを一体化した正孔注入・輸送層とする構成のＯＬＥ
Ｄも知られており、前記構成と同様に、前記陽極で発生
した正孔は前記正孔注入層と前記発光層との界面へ伝達
され、ここで前記陰極から伝達された電子と結合して、
可視光線を発し、この発光は、前記基板を通して前記Ｏ
ＬＥＤの外部へ照射される。
【０００４】ところで、前記発光層は、ホスト材料に微
量のゲスト材料をドーピングしたものであるが、これを
形成するに際しては、前記ホスト材料と前記ゲスト材料
とを個別の坩堝に入れて各々を加熱する所謂共蒸着法が
用いられていた（例えば特開平１１−２０４２６１号公
報参照）。
量のゲスト材料をドーピングしたものであるが、これを
形成するに際しては、前記ホスト材料と前記ゲスト材料
とを個別の坩堝に入れて各々を加熱する所謂共蒸着法が
用いられていた（例えば特開平１１−２０４２６１号公
報参照）。
【０００５】斯かる共蒸着法では、前記ホスト材料と前
記ゲスト材料との混合比率が大きい、例えば重量比１０
０：１以上になると、前記ゲスト材料の蒸着を安定に制
御することが困難となり、発光特性や温度特性などの特
性の再現性が悪くなるという問題があった。
記ゲスト材料との混合比率が大きい、例えば重量比１０
０：１以上になると、前記ゲスト材料の蒸着を安定に制
御することが困難となり、発光特性や温度特性などの特
性の再現性が悪くなるという問題があった。
【０００６】また、『月刊ディスプレイ1998年４月号』
の第55〜58ページに掲載された「混合単層蒸着膜を用い
た有機ＥＬ素子」の中において第56ページには、ホール
輸送材料ＴＰＤ、電子輸送性発光材料のAlq3および発光
材料のＤＣＭをあらかじめ目標の混合比で混合してある
粉体を蒸着ボード（前記坩堝に相当）に充填し真空中で
蒸発させる混合単層型のＯＬＥＤが開示されている。
の第55〜58ページに掲載された「混合単層蒸着膜を用い
た有機ＥＬ素子」の中において第56ページには、ホール
輸送材料ＴＰＤ、電子輸送性発光材料のAlq3および発光
材料のＤＣＭをあらかじめ目標の混合比で混合してある
粉体を蒸着ボード（前記坩堝に相当）に充填し真空中で
蒸発させる混合単層型のＯＬＥＤが開示されている。
【０００７】斯かる混合単層型では、成膜後の混合比は
前記蒸着ボードへの充填比とほぼ一致することが可能で
あり、前記共蒸着の問題を改善することができるもの
の、前記蒸着ボードを10秒以内に摂氏約400度まで上昇
させて約20nm/秒の蒸着速度で行う必要があり、蒸着速
度が速いことに起因して膜の均一性の確保が困難であ
り、また大面積の作成には不向きであるという問題があ
った。
前記蒸着ボードへの充填比とほぼ一致することが可能で
あり、前記共蒸着の問題を改善することができるもの
の、前記蒸着ボードを10秒以内に摂氏約400度まで上昇
させて約20nm/秒の蒸着速度で行う必要があり、蒸着速
度が速いことに起因して膜の均一性の確保が困難であ
り、また大面積の作成には不向きであるという問題があ
った。
【０００８】この発明は、容易に形成でき、安定した特
性が得られるＯＬＥＤの提供を目的とする。
性が得られるＯＬＥＤの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のＯＬＥＤは、請求項１に記載のように、基
板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機
層で構成される少なくとも片側より光を取り出す事がで
きる有機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材
料とゲスト材料とが微量ドーパントの関係にある有機蛍
光体材料を前記基板に蒸着させて形成する発光層を有す
るものである。
め、本発明のＯＬＥＤは、請求項１に記載のように、基
板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機
層で構成される少なくとも片側より光を取り出す事がで
きる有機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材
料とゲスト材料とが微量ドーパントの関係にある有機蛍
光体材料を前記基板に蒸着させて形成する発光層を有す
るものである。
【００１０】また、請求項２に記載のように、基板上に
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料と微量ドーパントの関係にある有機蛍光体材料
を抵抗加熱法により前記基板に蒸着させて形成する発光
層を有するものである。
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料と微量ドーパントの関係にある有機蛍光体材料
を抵抗加熱法により前記基板に蒸着させて形成する発光
層を有するものである。
【００１１】また、請求項３に記載のように、基板上に
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料と微量ドーパントの関係にある有機蛍光体材料
を真空蒸着法により前記基板に蒸着させて形成する発光
層を有するものである。
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料と微量ドーパントの関係にある有機蛍光体材料
を真空蒸着法により前記基板に蒸着させて形成する発光
層を有するものである。
【００１２】特に、請求項１から請求項３において請求
項４に記載のように、前記微量ドーパントは、前記ホス
ト材料と前記ゲスト材料との混合比率が重量比１００：
１以上であるものである。
項４に記載のように、前記微量ドーパントは、前記ホス
ト材料と前記ゲスト材料との混合比率が重量比１００：
１以上であるものである。
【００１３】特に、請求項１から請求項３において請求
項５に記載のように、前記蒸着の速度は、０．０１〜２
nm／秒であるものである。
項５に記載のように、前記蒸着の速度は、０．０１〜２
nm／秒であるものである。
【００１４】また、請求項６に記載のように、基板上に
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料とを混合比率が重量比５００：１以上の関係に
ある有機蛍光体材料を抵抗加熱法により数nm／秒の速度
で前記基板に蒸着させて形成する発光層を有するもので
ある。
陽極と陰極とで挟んだ少なくとも１層以上の有機層で構
成される少なくとも片側より光を取り出す事ができる有
機電界発光素子であって、前記有機層はホスト材料とゲ
スト材料とを混合比率が重量比５００：１以上の関係に
ある有機蛍光体材料を抵抗加熱法により数nm／秒の速度
で前記基板に蒸着させて形成する発光層を有するもので
ある。
【００１５】これにより、安定した特性が得られるＯＬ
ＥＤを容易に形成することができる。
ＥＤを容易に形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明を、添付図面に示した実施
の形態に基づき説明する。
の形態に基づき説明する。
【００１７】本実施の形態の構成は、図１で示すよう
に、透光性ガラスから成る基板１０の上面にITOの半透
明被膜から成る膜厚100[nm]の陽極１１を形成し、この
上に銅フタロシアニン（CuPc）から成る膜厚20[nm]の正
孔注入層１２、N,N'−ビス（3−メチルフェニル）−N,
N'−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン
（TPD）から成る膜厚70[nm]の正孔輸送層１３、後述す
る膜厚70[nm]の発光層１４、及びAlから成る膜厚150[n
m]の陰極１５を順次積層形成して成り、陽極１１と陰極
１５との間に数ボルト〜数十ボルトの直流電源１６を接
続するものである。
に、透光性ガラスから成る基板１０の上面にITOの半透
明被膜から成る膜厚100[nm]の陽極１１を形成し、この
上に銅フタロシアニン（CuPc）から成る膜厚20[nm]の正
孔注入層１２、N,N'−ビス（3−メチルフェニル）−N,
N'−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン
（TPD）から成る膜厚70[nm]の正孔輸送層１３、後述す
る膜厚70[nm]の発光層１４、及びAlから成る膜厚150[n
m]の陰極１５を順次積層形成して成り、陽極１１と陰極
１５との間に数ボルト〜数十ボルトの直流電源１６を接
続するものである。
【００１８】発光層１４は、ホスト材料とゲスト材料と
から構成され、発光特性や温度特性などの所望の特性を
得るために適宜好ましい材料が必要量用いられるが、前
記ホスト材料と前記ゲスト材料との混合比が大きい、例
えば１００：１以上の場合に本発明は適しており、以下
に斯かる構成のＯＬＥＤの製造方法について説明する。
から構成され、発光特性や温度特性などの所望の特性を
得るために適宜好ましい材料が必要量用いられるが、前
記ホスト材料と前記ゲスト材料との混合比が大きい、例
えば１００：１以上の場合に本発明は適しており、以下
に斯かる構成のＯＬＥＤの製造方法について説明する。
【００１９】本実施の形態の製造装置は、図２で示すよ
うな蒸着装置から構成されており、２０は真空槽であっ
て、この中に複数の蒸着用の坩堝２１と膜厚モニタ用水
晶振動子２２を有し、ＯＬＥＤのベースとなる基板１０
を真空槽２０内の坩堝２１の上方にセットする。この基
板１０は、陽極１１が塗布等により形成された後、表面
活性剤で超音波洗浄処理され、脱イオン化水で洗浄さ
れ、トルエン蒸気で脱脂され、強酸化剤で表面処理さ
れ、陽極１１が坩堝２１と対向する状態で真空槽２０内
にセットされる。
うな蒸着装置から構成されており、２０は真空槽であっ
て、この中に複数の蒸着用の坩堝２１と膜厚モニタ用水
晶振動子２２を有し、ＯＬＥＤのベースとなる基板１０
を真空槽２０内の坩堝２１の上方にセットする。この基
板１０は、陽極１１が塗布等により形成された後、表面
活性剤で超音波洗浄処理され、脱イオン化水で洗浄さ
れ、トルエン蒸気で脱脂され、強酸化剤で表面処理さ
れ、陽極１１が坩堝２１と対向する状態で真空槽２０内
にセットされる。
【００２０】そして、電極用アルミボード２３で坩堝２
１を加熱することにより、陽極１１の上面（図２では図
面の下方）に前記有機層及び陰極１５を順次積層形成す
るため、坩堝２１と基板１０との間に位置するマスク２
４やシャッター２５をマイクロコンピュータ（マイコ
ン）２６により制御する構成となっている。
１を加熱することにより、陽極１１の上面（図２では図
面の下方）に前記有機層及び陰極１５を順次積層形成す
るため、坩堝２１と基板１０との間に位置するマスク２
４やシャッター２５をマイクロコンピュータ（マイコ
ン）２６により制御する構成となっている。
【００２１】すなわち、マイコン２６は、膜厚計２７を
介して水晶振動子２２からの膜厚データや８チャンネル
Ａ／Ｄコンバータ２８を介して坩堝２１にセットした熱
電対（図示しない）からの温度データを得て、８ビット
３ポートPPI制御回路２９を介して坩堝２１の切り替え
とマスク２４やシャッター２５の制御を行うと共に、２
チャンネルＤ／Ａコンバータ３０を介してアルミボード
２３を制御する。
介して水晶振動子２２からの膜厚データや８チャンネル
Ａ／Ｄコンバータ２８を介して坩堝２１にセットした熱
電対（図示しない）からの温度データを得て、８ビット
３ポートPPI制御回路２９を介して坩堝２１の切り替え
とマスク２４やシャッター２５の制御を行うと共に、２
チャンネルＤ／Ａコンバータ３０を介してアルミボード
２３を制御する。
【００２２】これにより、真空槽２０内の高真空下（〜
２×１０↑−↑５[Torr]）において、全ての前記有機層
と陰極１５を連続蒸着することができる。
２×１０↑−↑５[Torr]）において、全ての前記有機層
と陰極１５を連続蒸着することができる。
【００２３】また、基板１０をガラス等の透光性基板と
することにより、この基板１０を通して発光層１４から
の発光を外部へ照射する、すなわち、少なくとも片側よ
り光を取り出す事ができるＯＬＥＤとなり、一方、陰極
１５を透光性とすることにより、これらバッファ層１５
や陰極１６を通して発光層１４からの発光を外部へ照射
する、すなわち、少なくとも片側より光を取り出す事が
できるＯＬＥＤとなり、以上を組み合わせて用いること
も可能である。更に、基板１０をシリコン等の非透光性
基板としてこの上に陰極１５、発光層１４、陽極１１
（必要に応じて発光層１４と陽極１１との間に正孔輸送
層１３、及び／又は、正孔注入層１２、あるいは、これ
らを一体化した層を介在させても良い）をこの順番で積
層形成することにより、基板１０の反対側である陽極１
１を通して発光層１４からの発光を外部へ照射する、す
なわち、少なくとも片側より光を取り出す事ができるＯ
ＬＥＤとなる。
することにより、この基板１０を通して発光層１４から
の発光を外部へ照射する、すなわち、少なくとも片側よ
り光を取り出す事ができるＯＬＥＤとなり、一方、陰極
１５を透光性とすることにより、これらバッファ層１５
や陰極１６を通して発光層１４からの発光を外部へ照射
する、すなわち、少なくとも片側より光を取り出す事が
できるＯＬＥＤとなり、以上を組み合わせて用いること
も可能である。更に、基板１０をシリコン等の非透光性
基板としてこの上に陰極１５、発光層１４、陽極１１
（必要に応じて発光層１４と陽極１１との間に正孔輸送
層１３、及び／又は、正孔注入層１２、あるいは、これ
らを一体化した層を介在させても良い）をこの順番で積
層形成することにより、基板１０の反対側である陽極１
１を通して発光層１４からの発光を外部へ照射する、す
なわち、少なくとも片側より光を取り出す事ができるＯ
ＬＥＤとなる。
【００２４】次に、発光層１４の形成方法について説明
すると、発光層１４は、ホスト材料とゲスト材料とから
構成されるもので、白色の発光を得る場合には、出光興
産製の商品名「IDE120」から成るホスト材料に出光興産
製の商品名「IDE103」から成るゲスト材料を混合比率が
重量比５００：１に計量し、均一となるように乳鉢で混
合して有機蛍光体材料を作った後、これを坩堝２１にセ
ットして前記抵抗加熱法により数nm/秒の蒸着速度によ
り基板１０に蒸着させる。
すると、発光層１４は、ホスト材料とゲスト材料とから
構成されるもので、白色の発光を得る場合には、出光興
産製の商品名「IDE120」から成るホスト材料に出光興産
製の商品名「IDE103」から成るゲスト材料を混合比率が
重量比５００：１に計量し、均一となるように乳鉢で混
合して有機蛍光体材料を作った後、これを坩堝２１にセ
ットして前記抵抗加熱法により数nm/秒の蒸着速度によ
り基板１０に蒸着させる。
【００２５】この際、前記有機蛍光体材料の均一化を確
かめるために、混合した前記有機蛍光体材料へブラック
ライトを照射して、均一な発光が得られるか否かで判断
することが望ましい。
かめるために、混合した前記有機蛍光体材料へブラック
ライトを照射して、均一な発光が得られるか否かで判断
することが望ましい。
【００２６】このように、蒸着前に前記ホスト材料と前
記ゲスト材料とを混合して前記有機蛍光体材料を得た後
に蒸着させることにより、前記ホスト材料に比べて微量
な前記ゲスト材料は前記ホスト材料に引きずられる形で
前記ホスト材料と一緒に蒸着することになり、同一の坩
堝２１による一回の作業で前記ホスト材料と前記ゲスト
材料とを同時に蒸着させて発光層１４を形成することが
できる。
記ゲスト材料とを混合して前記有機蛍光体材料を得た後
に蒸着させることにより、前記ホスト材料に比べて微量
な前記ゲスト材料は前記ホスト材料に引きずられる形で
前記ホスト材料と一緒に蒸着することになり、同一の坩
堝２１による一回の作業で前記ホスト材料と前記ゲスト
材料とを同時に蒸着させて発光層１４を形成することが
できる。
【００２７】これにより、前記有機蛍光体材料を作成す
る時点における前記ホスト材料と前記ゲスト材料との混
合比率に応じて所定のドーパント量を含んだ発光層１４
を再現性良く得ることができ、特に混合比率が重量比１
０００：１以上の微量ドーパント制御による発光層１４
の形成に大きな効果を有し、しかも作業工程を簡素化で
きる。
る時点における前記ホスト材料と前記ゲスト材料との混
合比率に応じて所定のドーパント量を含んだ発光層１４
を再現性良く得ることができ、特に混合比率が重量比１
０００：１以上の微量ドーパント制御による発光層１４
の形成に大きな効果を有し、しかも作業工程を簡素化で
きる。
【００２８】発光層１４の形成には、抵抗加熱法の他に
も真空蒸着法等によっても可能である。
も真空蒸着法等によっても可能である。
【００２９】なお、前記方法による発光層１４の形成に
おいては、前記混合比率がおよそ重量比１００：１以上
でないと、前記ホスト材料と前記ゲスト材料とを同時に
蒸着させることが困難となって使用できない。
おいては、前記混合比率がおよそ重量比１００：１以上
でないと、前記ホスト材料と前記ゲスト材料とを同時に
蒸着させることが困難となって使用できない。
【００３０】また、発光層１４の蒸着の速度は、できる
だけ低い（遅い）レート数が望ましく、０．０１〜２nm
／秒が最適である。
だけ低い（遅い）レート数が望ましく、０．０１〜２nm
／秒が最適である。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、容易に形成でき、安定した
特性が得られるＯＬＥＤを提供することができる。
特性が得られるＯＬＥＤを提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態の構成を説明する模式断
面図。
面図。
【図２】 同上の製造装置を説明する模式断面図。
１０ 基板 １１ 陽極 １２ 正孔注入層（有機層） １３ 正孔輸送層（有機層） １４ 発光層（有機層） １５ 陰極 １６ 電源
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくと
も１層以上の有機層で構成される少なくとも片側より光
を取り出す事ができる有機電界発光素子であって、前記
有機層はホスト材料とゲスト材料とが微量ドーパントの
関係にある有機蛍光体材料を前記基板に蒸着させて形成
する発光層を有することを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項２】 基板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくと
も１層以上の有機層で構成される少なくとも片側より光
を取り出す事ができる有機電界発光素子であって、前記
有機層はホスト材料とゲスト材料と微量ドーパントの関
係にある有機蛍光体材料を抵抗加熱法により前記基板に
蒸着させて形成する発光層を有することを特徴とする有
機電界発光素子。 - 【請求項３】 基板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくと
も１層以上の有機層で構成される少なくとも片側より光
を取り出す事ができる有機電界発光素子であって、前記
有機層はホスト材料とゲスト材料と微量ドーパントの関
係にある有機蛍光体材料を真空蒸着法により前記基板に
蒸着させて形成する発光層を有することを特徴とする有
機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記微量ドーパントは、前記ホスト材料
と前記ゲスト材料との混合比率が重量比１００：１以上
であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか
に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記蒸着の速度は、０．０１〜２nm／秒
であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか
に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項６】 基板上に陽極と陰極とで挟んだ少なくと
も１層以上の有機層で構成される少なくとも片側より光
を取り出す事ができる有機電界発光素子であって、前記
有機層はホスト材料とゲスト材料とを混合比率が重量比
５００：１以上の関係にある有機蛍光体材料を抵抗加熱
法により数nm／秒の速度で前記基板に蒸着させて形成す
る発光層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001125367A JP2002324669A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001125367A JP2002324669A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324669A true JP2002324669A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18974599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001125367A Pending JP2002324669A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013084613A (ja) * | 2007-04-27 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| WO2023063163A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用の混合粉体及びその製造方法、当該混合粉体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、当該混合粉体における化合物の選択方法、及び真空蒸着用の組成物 |
-
2001
- 2001-04-24 JP JP2001125367A patent/JP2002324669A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013084613A (ja) * | 2007-04-27 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| WO2023063163A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用の混合粉体及びその製造方法、当該混合粉体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、当該混合粉体における化合物の選択方法、及び真空蒸着用の組成物 |
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