JP2002304156A

JP2002304156A - 発光装置

Info

Publication number: JP2002304156A
Application number: JP2002009261A
Authority: JP
Inventors: Kazutaka Inukai; 和隆犬飼
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-01-29
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2002-10-18

Abstract

(57)【要約】【課題】有機発光層が多少劣化したり、環境温度が変
わったりしても、ＯＬＥＤの輝度の変化を抑え、安定し
て所望のカラー表示を行うことが可能な、簡便かつ無駄
のない構成の発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】画素部のＯＬＥＤの駆動電流を測定し、
測定した駆動電流が基準の値になるように、可変電源か
ら上記２つの画素部に供給される電圧の値を補正する。
ＯＬＥＤの駆動電流を測定するときは、画像を表示する
ためのビデオ信号とは系統の異なるモニター用のビデオ
信号を用い、モニター用の画像を画素部に表示させる。
上記構成によって、有機発光層の劣化に伴う輝度の低下
を抑えることができ、その結果鮮明な画像を表示するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting D
evice）を、該基板とカバー材の間に封入したＯＬＥＤ
パネルに関する。また、該ＯＬＥＤパネルにコントロー
ラＩＣ等を実装したＯＬＥＤモジュールに関する。なお
本明細書において、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥＤモジュ
ールを発光装置と総称する。本発明はさらに、該発光装
置を用いた電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高
く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要
らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無
い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。

【０００３】ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有
機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層
と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化
合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明
の発光装置は、上述した発光のうちのいずれか一方の発
光を用いても良いし、または両方の発光を用いても良
い。

【０００４】なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰
極の間に設けられた全ての層を有機発光層と定義する。
有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
ＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】発光装置を実用化する
上で、現在一つの重大な問題となっているのが、有機発
光層が有する有機発光材料の劣化に伴う、ＯＬＥＤの輝
度の低下である。

【０００６】有機発光層が有する有機発光材料は水分、
酸素、光、熱に弱く、これらのものによって劣化が促進
される。具体的には、発光装置を駆動するデバイスの構
造、有機発光層を構成する有機発光材料の特性、電極の
材料、作製工程における条件、発光装置の駆動方法等に
より、有機発光層の劣化の速度が左右される。

【０００７】有機発光層に一対の電極から一定の電圧を
かけていても、有機発光層が劣化することで、ＯＬＥＤ
の輝度は低下する。そしてＯＬＥＤの輝度が低下する
と、発光装置に表示される画像は不鮮明になる。なお本
明細書において、一対の電極から有機発光層に印加する
電圧をＯＬＥＤ駆動電圧（Ｖｅｌ）と定義する。

【０００８】また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対
応した三種類のＯＬＥＤを用いたカラー化表示方式にお
いて、有機発光層を構成する有機発光材料は、ＯＬＥＤ
の対応する色によって異なる。そのため、ＯＬＥＤの有
機発光層が、対応する色にごとに異なる速度で劣化する
ことがある。この場合、時間が経つにつれ、ＯＬＥＤの
輝度が色ごとに異なってしまい、発光装置に所望の色を
有する画像を表示することができなくなる。

【０００９】さらに、ＯＬＥＤの発光輝度は大きな温度
依存性を有するため、定電圧駆動すると、気温によって
表示の輝度や、色合いが変わってしまうという問題もあ
る。

【００１０】本発明は上述したことに鑑み、有機発光層
が多少劣化したり、環境温度が変わったりしても、ＯＬ
ＥＤの輝度の変化を抑え、安定して所望のカラー表示を
行うことが可能な発光装置の提供を課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、ＯＬＥＤ駆
動電圧を一定に保って発光させるのと、ＯＬＥＤに流れ
る電流を一定に保って発光させるのとでは、後者の方
が、劣化によるＯＬＥＤの輝度の低下が小さいことにま
ず着目した。なお本明細書において、ＯＬＥＤに流れる
電流をＯＬＥＤ駆動電流（Ｉｅｌ）と呼ぶ。

【００１２】図２に、ＯＬＥＤ駆動電圧を一定にしたと
きと、ＯＬＥＤ駆動電流を一定にしたときの、ＯＬＥＤ
の輝度の変化を示す。図２に示すとおり、ＯＬＥＤ駆動
電流が一定のＯＬＥＤの方が、劣化による輝度の変化が
小さい。これは、ＯＬＥＤは劣化すると、Ｌ−Ｉ直線の
傾きが小さくなるだけではなく、Ｉ−Ｖ曲線自体が下側
に移動してしまうからである。（図１８（Ａ）、（Ｂ）
参照）

【００１３】よって本発明者は、劣化等によってＯＬＥ
Ｄ駆動電流が変化しても、常にＯＬＥＤ駆動電流が一定
になるように、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正することができ
る発光装置を考案した。

【００１４】具体的に本発明の発光装置は、画素部のＯ
ＬＥＤのＯＬＥＤ駆動電流を測定する第１の手段と、そ
の測定値から、ＯＬＥＤに印加する電圧を算出する第２
の手段、実際に電圧値の制御を行う第３の手段とを有し
ている。

【００１５】なお、第２の手段は電流測定値と基準値の
比較をする手段、第３の手段は測定値と基準値との間に
ある程度の差があった場合に、その差を縮めるように可
変電源を制御し、表示用画素のＯＬＥＤ（以下、表示用
ＯＬＥＤまたは第１のＯＬＥＤ）及びモニター用ＯＬＥ
ＤのＯＬＥＤ駆動電圧を補正する手段であっても良い。

【００１６】なお本明細書において可変電源とは、回路
や素子に供給する電圧が一定ではなく可変である電源を
意味する。

【００１７】そして、画素部のＯＬＥＤのＯＬＥＤ駆動
電流を測定するときは、モニター用のビデオ信号（以
下、モニター用ビデオ信号と呼ぶ）によりモニター用の
画像を画素部に表示させる。ただし、両ビデオ信号と
も、階調の情報を含んでいるという点では同じであり、
表示する画像の系統が別個であるにすぎない。モニター
用の画像は静止画でも動画でもどちらでも良い。また全
ての画素において同じ階調を表示するようにしても良
い。

【００１８】なお、電流の基準値は常に同じ値に定めて
おく必要はなく、異なる基準電流値のモニター画像を用
意し、モニターするたび毎にモニター画像を選択するよ
うにしても良い。もちろん、基準電流値の等しい数種類
のモニター画像を用意しても良い。

【００１９】上記構成によって、本発明の発光装置は、
有機発光層が劣化してもＯＬＥＤの輝度の低下を抑える
ことができ、その結果鮮明な画像を表示することができ
る。

【００２０】また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対
応した三種類のＯＬＥＤを用いたカラー化表示方式の場
合、各色のＯＬＥＤごとにＯＬＥＤ駆動電流を測定し、
ＯＬＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。この構
成によって、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色にご
とに異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバランスが
崩れるのを防いで所望の色を表示することができる。

【００２１】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等に左右されるが、一般的に
ＯＬＥＤは定電圧で駆動すると温度によって流れる電流
の値が変化する。図３に、有機発光層の温度を変化させ
たときの、ＯＬＥＤの電圧電流特性の変化を示す。電圧
が一定のとき、有機発光層の温度が高くなると、ＯＬＥ
Ｄ駆動電流は大きくなる。そしてＯＬＥＤ駆動電流とＯ
ＬＥＤの輝度はほぼ比例関係にあるため、ＯＬＥＤ駆動
電流が大きければ大きいほど、ＯＬＥＤの輝度は高くな
る。図２において、定電圧輝度が約２４時間の上下周期
を示しているのも、昼夜温度差が反映されているためで
ある。しかし、本発明の発光装置では、有機発光層の温
度が変化しても、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正することでＯ
ＬＥＤ駆動電流を常に一定に保つことができる。よっ
て、温度変化に左右されずに一定の輝度を得ることがで
き、また温度の上昇に伴って消費電力が大きくなるのを
防ぐことができる。

【００２２】さらに、一般的に、有機発光材料の種類に
よって温度変化におけるＯＬＥＤ駆動電流の変化の度合
いが異なるため、カラー表示において各色のＯＬＥＤの
輝度が温度によってバラバラに変化することが起こりう
る。しかし本発明の発光装置では、温度変化に左右され
ずに一定の輝度を得ることができるので、各色の輝度の
バランスが崩れるのを防ぐことができ、所望の色を表示
することができる。

【００２３】なお本発明は、デジタル時間階調駆動のア
クティブマトリクス型発光装置に特に有効であるが、ア
ナログ階調駆動のアクティブマトリクス型発光装置にも
有効である。またパッシブ型の発光装置にも用いること
ができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成について説明
する。

【００２５】図１に本発明のＯＬＥＤパネルの構成を、
ブロック図で示す。１０１は画素部であり、複数の画素
１０２がマトリクス状に形成されている。また１０３は
ソース線駆動回路、１０４はゲート線駆動回路である。

【００２６】なお図１ではソース線駆動回路１０３とゲ
ート線駆動回路１０４とが、画素部１０１と同じ基板上
に形成されているが、本発明はこの構成に限定されな
い。ソース線駆動回路と１０３とゲート線駆動回路１０
４とが画素部１０１と異なる基板上に形成され、ＦＰＣ
等のコネクターを介して、画素部１０１と接続されてい
ても良い。また、図１ではソース線駆動回路１０３とゲ
ート線駆動回路１０４は１つづつ設けられているが、本
発明はこの構成に限定されない。ソース線駆動回路１０
３とゲート線駆動回路１０４の数は設計者が任意に設定
することができる。

【００２７】また図１では、画素部１０１にソース線Ｓ
１〜Ｓｘ、電源線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙが設
けられている。なおソース線と電源線の数は必ずしも同
じであるとは限らない。またこれらの配線の他に、別の
異なる配線が設けられていても良い。

【００２８】各画素１０２にはＯＬＥＤ１０５が設けら
れている。ＯＬＥＤ１０５は陽極と陰極を有しており、
本明細書では、陽極を画素電極（第１の電極）として用
いる場合は陰極を対向電極（第２の電極）と呼び、陰極
を画素電極として用いる場合は陽極を対向電極と呼ぶ。

【００２９】各画素１０２のＯＬＥＤ１０５の画素電極
は、１つまたは複数のＴＦＴを介して電源線Ｖ１〜Ｖｘ
のいずれか１つに接続されている。そして電源線Ｖ１〜
Ｖｘは全て電流計１０７を介して、可変電源１０６に接
続されている。さらに、ＯＬＥＤ１０５の対向電極は全
て可変電源１０６に接続されている。なおＯＬＥＤ１０
５の対向電極は、１つまたは複数の素子を介して可変電
源１０６に接続されていても良い。

【００３０】なお本明細書において可変電源とは、回路
や素子に供給する電圧が可変である電源を意味する。図
１では、可変電源１０６が、電源線側が高い電位（Ｖｄ
ｄ）に、対向電極側が低い電位（Ｖｓｓ）に保たれるよ
うに接続されている。しかし本発明はこの構成に限定さ
れず、可変電源１０６はＯＬＥＤ１０５に流れる電流が
順バイアスになるように接続されていれば良い。

【００３１】なお図１では、全ての電源線Ｖ１〜Ｖｘが
電流計１０７に直列に接続されているが、電源線Ｖ１〜
Ｖｘのいくつかが電流計１０７を介して可変電源１０６
に接続され、残りの電源線が電流計１０７を介さずに可
変電源１０６に接続されていても良い。

【００３２】また電流計１０７を設ける位置は、必ずし
も可変電源１０６と電源線との間である必要はなく、可
変電源１０６と対向電極の間であっても良い。

【００３３】そして１０８は補正回路であり、電流計１
０７において測定された電流の値（測定値）に基づい
て、可変電源１０６から対向電極及び電源線Ｖ１〜Ｖｘ
に供給される電圧を制御する。

【００３４】なお、電流計１０７、可変電源１０６、補
正回路１０８は、画素部１０１が形成されている基板と
は異なる基板上に形成され、コネクター等を介して画素
部１０１と接続されていても良いし、作製が可能であれ
ば画素部１０１と同じ基板上に形成しても良い。

【００３５】またカラー化表示方式の場合、各色ごとに
可変電源、電流計を設け、各色のＯＬＥＤにおいてＯＬ
ＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。なおこのと
き、補正回路は色毎に設けても良いし、複数の色のＯＬ
ＥＤに共通の補正回路を設けても良い。

【００３６】図４に各画素の詳しい構成を示す。図４に
示した画素は、ソース線Ｓｉ（ｉ＝１〜ｘ）、ゲート線
Ｇｊ（ｊ＝１〜ｙ）、電源線Ｖｉ、スイッチング用ＴＦ
Ｔ１１０、駆動用ＴＦＴ１１１、コンデンサ１１２及び
ＯＬＥＤ１０５を有している。なお図４に示した画素の
構成はほんの一例であり、画素が有する配線や素子の
数、種類及びその接続は、図４に示した構成に限定され
ない。本発明の発光装置は、可変電源１０６により各画
素のＯＬＥＤのＯＬＥＤ駆動電圧が制御可能であるなら
ば、どのような構成を有していても良い。

【００３７】図４では、スイッチング用ＴＦＴ１１０の
ゲート電極がゲート線Ｇｊに接続されている。そしてス
イッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域
は、一方はソース線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ１
１１のゲート電極に接続されている。そして、駆動用Ｔ
ＦＴ１１１のソース領域とドレイン領域は、一方は電源
線Ｖｉに、もう一方はＯＬＥＤ１０５の画素電極に接続
されている。コンデンサ１１２は駆動用ＴＦＴ１１１の
ゲート電極と電源線Ｖｉとの間に形成されている。

【００３８】図４に示した画素では、ゲート線Ｇｊの電
位がゲート線駆動回路１０４によって制御され、ソース
線Ｓｉにはソース線駆動回路１０３によってビデオ信号
またはモニター用ビデオ信号が入力される。スイッチン
グ用ＴＦＴ１１０がオンになると、ソース線Ｓｉに入力
されたビデオ信号またはモニター用ビデオ信号は、スイ
ッチング用ＴＦＴ１１０を介して駆動用ＴＦＴ１１１の
ゲート電極に入力される。そして駆動用ＴＦＴ１１１が
ビデオ信号またはモニター用ビデオ信号によりオンにな
ると、可変電源１０６によりＯＬＥＤ１０５の画素電極
と対向電極の間にＯＬＥＤ駆動電圧が印加され、ＯＬＥ
Ｄ１０５が発光する。

【００３９】ＯＬＥＤ１０５が発光しているときに、電
流計１０７において電流が測定され、その測定値がデー
タとして補正回路１０８に送られる。電流を測定する期
間は電流計１０７の性能により異なり、計測可能な長さ
以上の期間であることが必要である。また電流計１０７
では、計測する期間に流れる電流の平均値もしくは最大
値が読み取られるようにする。

【００４０】補正回路１０８では、電流の測定値と、定
められた電流の値（基準値）とが比較される。そして、
測定値と基準値の間にある程度の差がある場合に、補正
回路１０８は可変電源１０６を制御して電源線Ｖ１〜Ｖ
ｘと対向電極との間の電圧を補正する。これにより、各
画素１０２が有するＯＬＥＤにおいてＯＬＥＤ駆動電圧
が補正され、所望する大きさのＯＬＥＤ駆動電流が流れ
る。

【００４１】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【００４２】図５に、カラーの発光装置において、電源
線側の電位を制御する場合の、各色のＯＬＥＤのＯＬＥ
Ｄ駆動電圧の変化を示す。図５において、ＶｒはＲ用Ｏ
ＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧であり、Ｖｒ
₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。同様に、Ｖｇは
Ｇ用ＯＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧であ
り、Ｖｇ₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。Ｖｂは
Ｂ用ＯＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧であ
り、Ｖｂ₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。

【００４３】図５の場合、対向電極の電位（対向電位）
は全てのＯＬＥＤにおいて同じ高さに固定されている。
各色のＯＬＥＤごとにＯＬＥＤ駆動電流を測定し、電源
線の電位（電源電位）を可変電源により制御すること
で、ＯＬＥＤ駆動電圧が補正される。

【００４４】本発明の発光装置は、上記構成によって、
図２におけるＯＬＥＤ駆動電流を一定にしたときと同じ
輝度の変化が得られる。

【００４５】本発明は上記構成によって、有機発光層が
劣化してもＯＬＥＤの輝度の低下を抑えることができ、
その結果鮮明な画像を表示することができる。また、各
色毎に対応したＯＬＥＤを用いたカラー表示の発光装置
の場合、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色にごとに
異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバランスが崩れ
るのを防いで所望の色を表示することができる。

【００４６】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等に左右されても、ＯＬＥＤ
の輝度が変化するのを抑えることができ、また温度の上
昇に伴って消費電力が大きくなるのを防ぐことができ
る。また、カラー表示の発光装置の場合、温度変化に左
右されずに各色のＯＬＥＤの輝度の変化を抑えることが
できるので、各色の輝度のバランスが崩れるのを防ぐこ
とができ、所望の色を表示することができる。

【００４７】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００４８】（実施例１）本実施例では、本発明の発光
装置が有する補正回路の詳しい構成について説明する。

【００４９】図６に、本実施例の補正回路の構成をブロ
ック図で示す。補正回路２０３は、Ａ／Ｄ変換回路２０
４、測定値用メモリ２０５、演算回路２０６、基準値用
メモリ２０７、コントローラ２０８を有していている。

【００５０】電流計２０１において測定された電流の値
（測定値）は、補正回路２０３が有するＡ／Ｄ変換回路
２０４に入力される。Ａ／Ｄ変換回路２０４において、
アナログの測定値はデジタルに変換される。変換された
測定値のデジタルデータは測定値用メモリ２０５に入力
されて保持される。

【００５１】一方、基準値用メモリ２０７には、理想の
値の測定値、いわゆる基準値の、デジタルデータが保持
されている。演算回路２０６では、測定値用メモリ２０
５において保持されている測定値のデジタルデータと、
基準値用メモリ２０７において保持されている基準値の
デジタルデータとをそれぞれ読み出し、比較する。

【００５２】そして、測定値のデジタルデータと基準値
のデジタルデータの比較により、電流計２０１に実際に
流れている電流の値を基準値に近づけるために、可変電
源２０２を制御して電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極との間
の電圧を補正する。これにより、各画素が有するＯＬＥ
ＤにおいてＯＬＥＤ駆動電圧が補正され、所望する大き
さのＯＬＥＤ駆動電流が流れる。

【００５３】測定値と基準値の電流の差を偏差電流と
し、電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極の間の、補正によって
変化する分の電圧を補正電圧とすると、偏差電流と補正
電圧の関係は、例えば図７のように表される。図７では
偏差電流が一定の幅で変化するごとに、補正電圧を一定
の大きさで変えている。

【００５４】なお偏差電流と補正電圧の関係は、必ずし
も図７に示したグラフに則していなくても良い。偏差電
流と補正電圧は、電流計に実際に流れている電流の値が
基準値に近づくような関係であれば良い。例えば偏差電
流と補正電圧とが線形性をもつ関係であっても良いし、
偏差電流が補正電圧の二乗に比例していても良い。

【００５５】なお本実施例で示した補正回路の構成はほ
んの一例であり、本発明はこの構成に限定されない。本
発明で用いられる補正回路は、測定値と基準値とを比較
する手段と、電流計による測定値をもとに何らかの演算
処理をして、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正する手段を有して
いれば良い。メモリに記憶された電流基準値を用いて補
正を行うのではなく、偏差電流がある一定の値以上にな
ったときの演算処理方法を規定しておくだけでも良い。

【００５６】（実施例２）本実施例では、本発明の発光
装置の、図４とは異なる画素の構成について説明する。

【００５７】図８に本実施例の画素の構成を示す。本実
施例の発光装置の画素部には、画素３００がマトリクス
状に設けられている。画素３００は、ソース線３０１、
第１ゲート線３０２、第２ゲート線３０３、電源線３０
４、スイッチング用ＴＦＴ３０５、駆動用ＴＦＴ３０
６、消去用ＴＦＴ３０９及びＯＬＥＤ３０７を有してい
る。

【００５８】そして、スイッチング用ＴＦＴ３０５のゲ
ート電極は第１ゲート線３０２に接続されている。スイ
ッチング用ＴＦＴ３０５のソース領域とドレイン領域
は、一方はソース線３０１に、もう一方は駆動用ＴＦＴ
３０６のゲート電極に接続されている。

【００５９】消去用ＴＦＴ３０９のゲート電極は第２ゲ
ート線３０３に接続されている。消去用ＴＦＴ３０９の
ソース領域とドレイン領域は、一方は電源線３０４に、
もう一方は駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電極に接続され
ている。

【００６０】駆動用ＴＦＴ３０６のソース領域は電源線
３０４に、ドレイン領域はＯＬＥＤ３０７の画素電極に
接続されている。コンデンサ３０８は駆動用ＴＦＴ３０
６のゲート電極と電源線３０４との間に形成されてい
る。

【００６１】電源線３０４は電流計３１０を介して可変
電源３１１に接続されている。さらに、ＯＬＥＤ３０７
の対向電極は全て可変電源３１１に接続されている。な
お図８で可変電源３１１は、電源線側が高い電位（Ｖｄ
ｄ）に、対向電極側が低い電位（Ｖｓｓ）に保たれるよ
うに接続されている。しかし本発明はこの構成に限定さ
れず、可変電源３１１はＯＬＥＤ３０７に流れる電流が
順バイアスになるように接続されていれば良い。

【００６２】電流計３１０を設ける位置は、必ずしも可
変電源３１１と電源線３０４の間である必要はなく、可
変電源３１１と対向電極の間であっても良い。

【００６３】そして３１２は補正回路であり、電流計３
１０において測定された電流の値（測定値）に基づい
て、可変電源３１１から対向電極及び電源線３０４に供
給される電圧を制御する。

【００６４】なお、電流計３１０、可変電源３１１、補
正回路３１２は、画素部が形成されている基板とは異な
る基板上に形成され、コネクター等を介して画素部と接
続されていても良いし、作製が可能であれば画素部と同
じ基板上に形成しても良い。

【００６５】またカラー化表示方式の場合、各色ごとに
可変電源、電流計を設け、各色のＯＬＥＤにおいてＯＬ
ＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。なおこのと
き、補正回路は色毎に設けても良いし、複数の色のＯＬ
ＥＤに共通の補正回路を設けても良い。

【００６６】図８に示した画素では、第１ゲート線３０
２と第２ゲート線３０３の電位が、異なるゲート線駆動
回路によって制御されている。ソース線３０１にはソー
ス線駆動回路によってビデオ信号またはモニター用ビデ
オ信号が入力される。

【００６７】スイッチング用ＴＦＴ３０５がオンになる
と、ソース線３０１に入力されたビデオ信号またはモニ
ター用ビデオ信号は、スイッチング用ＴＦＴ３０１を介
して駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電極に入力される。そ
して駆動用ＴＦＴ３０６がビデオ信号またはモニター用
ビデオ信号によりオンになると、可変電源３１１により
ＯＬＥＤ３０７の画素電極と対向電極の間にＯＬＥＤ駆
動電圧が印加され、ＯＬＥＤ３０７が発光する。

【００６８】そして、消去用ＴＦＴ３０９がオンになる
と、駆動用ＴＦＴ３０６のソース領域とゲート電極の電
位差が０に近くなり、駆動用ＴＦＴ３０６がオフにな
る。よって、ＯＬＥＤ３０７が発光しなくなる。

【００６９】本発明では、ＯＬＥＤ３０７が発光してい
るときに、電流計３１０において電流が測定され、その
測定値がデータとして補正回路３１２に送られる。

【００７０】補正回路３１２では、電流の測定値と、定
められた電流の値（基準値）とが比較される。そして、
測定値と基準値の間にある程度の差がある場合に、可変
電源３１１を制御して電源線３０４と対向電極との間の
電圧を補正する。これにより、各画素３００が有するＯ
ＬＥＤ３０７においてＯＬＥＤ駆動電圧が補正され、所
望する大きさのＯＬＥＤ駆動電流が流れる。

【００７１】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【００７２】本実施例で示した画素の構成はほんの一例
であり、本発明はこの構成に限定されない。なお本実施
例は、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可
能である。

【００７３】（実施例３）本実施例では、本発明の発光
装置において、電流の補正が行われる際に、画素部に表
示されるモニター用の画像について説明する。

【００７４】本発明では、設定によりあらかじめ決まっ
た時に行われるようにしても良いし、使用者が補正時を
その都度任意に決めるようにしても良い。

【００７５】設定によりあらかじめ決まった時に補正が
行われる場合、使用者の意図に反して表示する画像が変
わらないようにするのが、利便性の点から見て好まし
い。例えば、携帯電話だと待ち受け用の画像が表示され
ている時にのみ補正が行われるように設定したり、パー
ソナルコンピュータ（ＰＣ）だと、画面の焼け付き防止
用のスクリーンセーバーが起動しているときにのみ補正
が行われるように設定したりする。そして各画面が表示
されているときにおける電流の基準値を補正回路内に記
憶させておくことで、使用者の意図に反して表示する画
面が変わらないように補正を行うことができる。

【００７６】また、補正を行うときに表示している画像
を、そのままモニター用の画像として用い、基準電流値
の異なるモニター画像を用いるようにしても良い。この
場合、補正回路にもビデオ信号を入力し、演算回路等で
基準値を算出する。モニター用の画像を用いない場合
は、モニター用のビデオ信号を用いる必要がなくなり、
もちろん使用者の意図に反して表示する画像が変わるこ
ともない。

【００７７】本実施例は、実施例１または２と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【００７８】（実施例４）本実施例では、図１及び図４
に示した本発明の発光装置の駆動方法について、図９を
用いて説明する。なお、図９において横軸は時間を、縦
軸は各ゲート線に接続されている画素の位置を示す。

【００７９】まず、書き込み期間Ｔａが開始されると、
電源線Ｖ１〜Ｖｘの電源電位は、ＯＬＥＤ１０５の対向
電極の電位と同じ高さに保たれる。そしてゲート線駆動
回路１０４から出力される選択信号によって、ゲート線
Ｇ１に接続されている全ての画素（１ライン目の画素）
のスイッチング用ＴＦＴ１１０がオンになる。

【００８０】そして、ソース線駆動回路１０３によっ
て、ソース線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力された１ビット目の
デジタルのビデオ信号（以下、デジタルビデオ信号）
が、スイッチング用ＴＦＴ１１０を介して駆動用ＴＦＴ
１１１のゲート電極に入力される。

【００８１】次に１ライン目の画素のスイッチング用Ｔ
ＦＴ１１０がオフになり、１ライン目の画素と同様に、
選択信号によってゲート線Ｇ２に接続されている２ライ
ン目の画素のスイッチング用ＴＦＴ１１０がオンにな
る。次に、ソース線（Ｓ１〜Ｓｘ）から１ビット目のデ
ジタルビデオ信号が、２ライン目の画素のスイッチング
用ＴＦＴ１１０を介して駆動用ＴＦＴ１１１のゲート電
極に入力される。

【００８２】そして順に、全てのラインの画素に１ビッ
ト目のデジタルビデオ信号が入力される。全てのライン
の画素に１ビット目のデジタルビデオ信号が入力される
までの期間が書き込み期間Ｔａ１である。なお本実施例
において画素にデジタルビデオ信号が入力されるとは、
デジタルビデオ信号がスイッチング用ＴＦＴ１１０を介
して駆動用ＴＦＴ１１１のゲート電極に入力されること
を意味する。

【００８３】書込期間Ｔａ１が終了すると次に表示期間
Ｔｒ１になる。表示期間Ｔｒ１では、電源線の電源電位
は、電源電位がＯＬＥＤの画素電極に与えられたときに
ＯＬＥＤが発光する程度に、対向電極との間に電位差を
有する電位になる。

【００８４】そして本実施例では、デジタルビデオ信号
が「０」の情報を有していた場合、駆動用ＴＦＴ１１１
はオフの状態となる。よって電源電位は、ＯＬＥＤ１０
５の画素電極に与えられない。その結果、「０」の情報
を有するデジタルビデオ信号が入力された画素が有する
ＯＬＥＤ１０５は発光しない。

【００８５】逆に、「１」の情報を有していた場合、駆
動用ＴＦＴ１１１はオンの状態となっている。よって電
源電位がＯＬＥＤ１０５の画素電極に与えられる。その
結果、「１」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力
された画素が有するＯＬＥＤ１０５は発光する。

【００８６】このように、表示期間Ｔｒ１においてＯＬ
ＥＤ１０５が発光、または非発光の状態になり、全ての
画素は表示を行う。画素が表示を行っている期間を表示
期間Ｔｒと呼ぶ。特に１ビット目のデジタルビデオ信号
が画素に入力されたことで開始する表示期間をＴｒ１と
呼ぶ。

【００８７】表示期間Ｔｒ１が終了すると書込期間Ｔａ
２となり、再び電源線の電源電位はＯＬＥＤの対向電極
の電位と同じになる。そして書込期間Ｔａ１の場合と同
様に順に全てのゲート線が選択され、２ビット目のデジ
タルビデオ信号が全ての画素に入力される。全てのライ
ンの画素に２ビット目のデジタルビデオ信号が入力し終
わるまでの期間を、書き込み期間Ｔａ２と呼ぶ。

【００８８】書込期間Ｔａ２が終了すると表示期間Ｔｒ
２になり、電源線の電源電位は、電源電位がＯＬＥＤの
画素電極に与えられたときにＯＬＥＤが発光する程度
に、対向電極との間に電位差を有する電位になる。そし
て全ての画素が表示を行う。

【００８９】上述した動作はｎビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われ、書込期
間Ｔａと表示期間Ｔｒとが繰り返し出現する。全ての表
示期間（Ｔｒ１〜Ｔｒｎ）が終了すると１つの画像を表
示することができる。明細書において、１つの画像を表
示する期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。１フレーム
期間が終了すると次のフレーム期間が開始される。そし
て再び書込期間Ｔａ１が出現し、上述した動作を繰り返
す。

【００９０】通常の発光装置では１秒間に６０以上のフ
レーム期間を設けることが好ましい。１秒間に表示され
る画像の数が６０より少なくなると、視覚的に画像のち
らつきが目立ち始めることがある。

【００９１】本実施例では、全ての書き込み期間の長さ
の和が１フレーム期間よりも短く、なおかつ表示期間の
長さ比は、Ｔｒ１：Ｔｒ２：Ｔｒ３：…：Ｔｒ（ｎ−
１）：Ｔｒｎ＝２⁰：２¹：２²：…：２^(n-2)：２^(n-1)
となるようにすることが必要である。この表示期間の組
み合わせで２ⁿ階調のうち所望の階調表示を行うことが
できる。

【００９２】１フレーム期間中にＯＬＥＤが発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。例え
ば、ｎ＝８のとき、全部の表示期間で画素が発光した場
合の輝度を１００％とすると、Ｔｒ１とＴｒ２において
画素が発光した場合には１％の輝度が表現でき、Ｔｒ３
とＴｒ５とＴｒ８を選択した場合には６０％の輝度が表
現できる。

【００９３】また表示期間Ｔｒ１〜Ｔｒｎは、どのよう
な順序で出現させても良い。例えば１フレーム期間中に
おいて、Ｔｒ１の次にＴｒ３、Ｔｒ５、Ｔｒ２、…とい
う順序で表示期間を出現させることも可能である。

【００９４】なお本実施例では、電源線の電源電位の高
さを書込期間と表示期間とで変化させていたが、本発明
はこれに限定されない。電源電位がＯＬＥＤの画素電極
に与えられたときにＯＬＥＤが発光する程度の電位差
を、電源電位と対向電極の電位とが常に有するようにし
ても良い。その場合、書込期間においてもＯＬＥＤを発
光させることが可能になる。よって、当該フレーム期間
において画素が表示する階調は、１フレーム期間中にＯ
ＬＥＤが発光した書込期間と表示期間の長さの総和によ
って決まる。なおこの場合、各ビットのデジタルビデオ
信号に対応する書込期間と表示期間の長さの和の比が、
（Ｔａ１＋Ｔｒ１）：（Ｔａ２＋Ｔｒ２）：（Ｔａ３＋
Ｔｒ３）：…：（Ｔａ（ｎ−１）＋Ｔｒ（ｎ−１））：
（Ｔａｎ＋Ｔｒｎ）＝２⁰：２¹：２²：…：２^(n-2)：２
^(n-1)となることが必要である。

【００９５】なお、本実施例で示した駆動方法はほんの
一例にすぎず、図１及び図４に示した本発明の発光装置
の駆動方法は、本実施例の駆動方法に限定されない。図
１及び図４に示した本発明の発光装置は、アナログのビ
デオ信号によって表示を行うことも可能である。

【００９６】なお本実施例は、実施例１または３と自由
に組み合わせて実施することが可能である。

【００９７】（実施例５）本実施例では、本発明の発光
装置の画素部を駆動させるために用いる、ソース線駆動
回路、ゲート線駆動回路の詳しい構成について説明す
る。

【００９８】図１０に、本実施例の発光装置の駆動回路
をブロック図で示す。図１０（Ａ）はソース線駆動回路
６０１であり、シフトレジスタ６０２、ラッチ（Ａ）６
０３、ラッチ（Ｂ）６０４を有している。

【００９９】ソース線駆動回路６０１において、シフト
レジスタ６０２にクロック信号（ＣＬＫ）およびスター
トパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ６０２
は、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパ
ルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、
バッファ等（図示せず）を通して後段の回路へタイミン
グ信号を順次入力する。

【０１００】シフトレジスタ６０２からのタイミング信
号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミング
信号が入力される配線には、多くの回路あるいは素子が
接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。
この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立
ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、こ
のバッファが設けられる。なおバッファは必ずしも設け
る必要はない。

【０１０１】バッファによって緩衝増幅されたタイミン
グ信号は、ラッチ（Ａ）６０３に入力される。ラッチ
（Ａ）６０３は、デジタルビデオ信号を処理する複数の
ステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）６０３
は、前記タイミング信号が入力されると、ソース線駆動
回路６０１の外部から入力されるデジタルビデオ信号が
順次書き込まれ、保持する。

【０１０２】なお、ラッチ（Ａ）６０３にデジタルビデ
オ信号が書き込まれる際に、ラッチ（Ａ）６０３が有す
る複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号
が書き込まれても良い。しかし本発明はこの構成に限定
されない。ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージ
のラッチをいくつかのグループに分け、各グループごと
に並行して同時にデジタルビデオ信号が書き込まれる、
いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグル
ープの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとに
ラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動する
と言う。

【０１０３】ラッチ（Ａ）６０３の全てのステージのラ
ッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了する
までの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライ
ン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に
含むことがある。

【０１０４】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
６０４にラッチシグナル（Latch Signal）が入力され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）６０３に書き込まれ保持さ
れているデジタルビデオ信号は、ラッチ（Ｂ）６０４に
一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）６０４の全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。

【０１０５】デジタルビデオ信号をラッチ（Ｂ）６０４
に送出し終えたラッチ（Ａ）６０３には、シフトレジス
タ６０２からのタイミング信号に基づき、デジタルビデ
オ信号の書き込みが順次行われる。

【０１０６】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）６０４に書き込まれ、保持されているデジタルビ
デオ信号がソース線に入力される。

【０１０７】図１０（Ｂ）はゲート線駆動回路の構成を
示すブロック図である。

【０１０８】ゲート線駆動回路６０５は、それぞれシフ
トレジスタ６０６、バッファ６０７を有している。また
場合によってはレベルシフトを有していても良い。

【０１０９】ゲート線駆動回路６０５において、シフト
レジスタ６０６からのタイミング信号がバッファ６０７
に入力され、対応するゲート線に入力される。ゲート線
には、１ライン分の画素が有するＴＦＴのゲート電極が
接続されている。そして、１ライン分の画素のＴＦＴを
一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大き
な電流を流すことが可能なものが用いられる。

【０１１０】なお、本実施例で示した駆動回路はほんの
一例にすぎない。本実施例は実施例１〜４と自由に組み
合わせて実施することが可能である。

【０１１１】（実施例６）本実施例では、本発明の発光
装置の外観について、図１１を用いて説明する。

【０１１２】図１１（Ａ）は、発光装置の上面図であ
り、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＡ−Ａ’における
断面図、図１１（Ｃ）は図１１（Ａ）のＢ−Ｂ’におけ
る断面図である。

【０１１３】基板４００１上に設けられた画素部４００
２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲ
ート線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲むようにして、シ
ール材４００９が設けられている。また画素部４００２
と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲー
ト線駆動回路４００４ａ、ｂとの上にシーリング材４０
０８が設けられている。よって画素部４００２と、ソー
ス線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート線駆動
回路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４０
０９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１
０と共に密封されている。

【０１１４】また基板４００１上に設けられた画素部４
００２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２
のゲート線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複数のＴＦＴ
を有している。図１１（Ｂ）では代表的に、下地膜４０
１０上に形成された、ソース線駆動回路４００３に含ま
れる駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型Ｔ
ＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４２０１及び画
素部４００２に含まれる駆動用ＴＦＴ（ＯＬＥＤへの電
流を制御するＴＦＴ）４２０２を図示した。

【０１１５】本実施例では、駆動回路用ＴＦＴ４２０１
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたは
ｎチャネル型ＴＦＴが用いられ、駆動用ＴＦＴ４２０２
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用い
られる。また、画素部４００２には駆動用ＴＦＴ４２０
２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が設
けられる。

【０１１６】駆動回路用ＴＦＴ４２０１及び駆動用ＴＦ
Ｔ４２０２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形
成され、その上に駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電
気的に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成され
る。画素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導
電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウ
ムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛と
の化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを
用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウム
を添加したものを用いても良い。

【０１１７】そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜
４３０２が形成され、絶縁膜４３０２は画素電極４２０
３の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４２０３の上には有機発光層４２０４が形
成される。有機発光層４２０４は公知の有機発光材料ま
たは無機発光材料を用いることができる。また、有機発
光材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポ
リマー系）材料があるがどちらを用いても良い。

【０１１８】有機発光層４２０４の形成方法は公知の蒸
着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、有機
発光層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造
または単層構造とすれば良い。

【０１１９】有機発光層４２０４の上には遮光性を有す
る導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主
成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層
膜）からなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４
２０５と有機発光層４２０４の界面に存在する水分や酸
素は極力排除しておくことが望ましい。従って、有機発
光層４２０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素
や水分に触れさせないまま陰極４２０５を形成するとい
った工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー
方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いること
で上述のような成膜を可能とする。そして陰極４２０５
は所定の電圧が与えられている。

【０１２０】以上のようにして、画素電極（陽極）４２
０３、有機発光層４２０４及び陰極４２０５からなるＯ
ＬＥＤ４３０３が形成される。そしてＯＬＥＤ４３０３
を覆うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４２０９が形
成されている。保護膜４２０９は、ＯＬＥＤ４３０３に
酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。

【０１２１】４００５ａは電源線に接続された引き回し
配線であり、駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域に電気
的に接続されている。引き回し配線４００５ａはシール
材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電性フ
ィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦＰＣ
用配線４３０１に電気的に接続される。

【０１２２】シーリング材４００８としては、ガラス
材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス
材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を
用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ
（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌ
ａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムま
たはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフ
ィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０１２３】但し、ＯＬＥＤからの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０１２４】また、充填材４１０３としては窒素やアル
ゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルク
ロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができ
る。本実施例では充填材として窒素を用いた。

【０１２５】また充填材４１０３を吸湿性物質（好まし
くは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさ
らしておくために、シーリング材４００８の基板４００
１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素
を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性
物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らな
いように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質ま
たは酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保
持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かい
メッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物
質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成
になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質
４２０７を設けることで、ＯＬＥＤ４３０３の劣化を抑
制できる。

【０１２６】図１１（Ｃ）に示すように、画素電極４２
０３が形成されると同時に、引き回し配線４００５ａ上
に接するように導電性膜４２０３ａが形成される。

【０１２７】また、異方導電性フィルム４３００は導電
性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦ
ＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の
導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線
４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気
的に接続される。

【０１２８】本発明の発光装置が有する電流計と、可変
電源と、補正回路は、基板４００１とは異なる基板（図
示せず）上に形成され、ＦＰＣ４００６を介して、基板
４００１上に形成された電源線及び陰極４２０５に電気
的に接続されている。

【０１２９】なお本実施例は、実施例１〜５と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０１３０】（実施例７）本実施例では、本発明の発光
装置が有する電流計と、可変電源と、補正回路を画素部
が形成されている基板とは異なる基板上に形成し、ワイ
ヤボンディング法、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）法
等の手段によって画素部が形成されている基板上の配線
と接続する例について説明する。

【０１３１】図１２に本実施例の発光装置の外観図を示
す。基板５００１上に設けられた画素部５００２と、ソ
ース線駆動回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆
動回路５００４ａ、ｂとを囲むようにして、シール材５
００９が設けられている。また画素部５００２と、ソー
ス線駆動回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆動
回路５００４ａ、ｂとの上にシーリング材５００８が設
けられている。よって画素部５００２と、ソース線駆動
回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆動回路５０
０４ａ、ｂとは、基板５００１とシール材５００９とシ
ーリング材５００８とによって、充填材（図示せず）と
共に密封されている。

【０１３２】シーリング材５００８の基板５００１側の
面に凹部５００７を設けて吸湿性物質または酸素を吸着
しうる物質を配置する。

【０１３３】基板５００１上に引き回されている配線
（引き回し配線）は、シール材５００９と基板５００１
との間を通り、ＦＰＣ５００６を介して発光装置の外部
の回路または素子に接続されている。

【０１３４】本発明の発光装置が有する電流計と、可変
電源と、補正回路は、基板５００１とは異なる基板（以
下、チップと呼ぶ）５０２０に形成され、ＣＯＧ（チッ
プ・オン・グラス）法等の手段によって基板５００１上
に取り付けられ、基板５００１上に形成された電源線及
び陰極（図示せず）に電気的に接続されている。

【０１３５】本実施例では、電流計と、可変電源と、補
正回路が形成されたチップ５０２０を、ワイヤボンディ
ング法、ＣＯＧ法等により基板５００１上に取り付ける
ことで、発光装置が１枚の基板で構成することができ、
装置自体がコンパクトになり、機械的強度も上がる。

【０１３６】なお、基板上にチップを接続する方法に関
しては、公知の方法を用いて行うことが可能である。ま
た、電流計と、可変電源と、補正回路以外の回路及び素
子を、基板５００１上に取りつけても良い。

【０１３７】本実施例は、実施例１〜６と自由に組み合
わせて実施することが可能である。

【０１３８】（実施例８）本発明において、三重項励起
子からの燐光を発光に利用できる有機発光材料を用いる
ことで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることが
できる。これにより、ＯＬＥＤの低消費電力化、長寿命
化、および軽量化が可能になる。

【０１３９】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光
量子効率を向上させた報告を示す。(T.Tsutsui, C.Adac
hi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized
Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub.,
Tokyo,1991) p.437.)

【０１４０】上記の論文により報告された有機発光材料
（クマリン色素）の分子式を以下に示す。

【０１４１】

【化１】

【０１４２】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)

【０１４３】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。

【０１４４】

【化２】

【０１４５】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)

【０１４６】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。

【０１４７】

【化３】

【０１４８】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。

【０１４９】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例７のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０１５０】（実施例９）本発明の発光装置の作製方法
の一例について、図１３〜図１５を用いて説明する。こ
こでは、画素部のスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用Ｔ
ＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動部のＴＦＴを同
時に作製する方法について、工程に従って詳細に説明す
る。

【０１５１】まず、本実施例ではコーニング社の＃７０
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板
９００としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。

【０１５２】次いで、図１３（Ａ）に示すように、基板
９００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素
膜などの絶縁膜から成る下地膜９０１を形成する。本実
施例では下地膜９０１として２層構造を用いるが、前記
絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いて
も良い。下地膜９０１の一層目としては、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏを反応ガスと
して成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを１０〜２００
ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。本実施
例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ａ（組成
比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７
％）を形成した。次いで、下地膜９０１のニ層目として
は、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ₄、及びＮ₂Ｏを反
応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ｂを５０
〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さ
に積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９
％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。

【０１５３】次いで、下地膜９０１上に半導体層９０２
〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、非晶
質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、Ｌ
ＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜し
た後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化
法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）
を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパター
ニングして形成する。この半導体層９０２〜９０５の厚
さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚
さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、
好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲルマニウ
ム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合
金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、ニ
ッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この
非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った
後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶
化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶
質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォ
トリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、
半導体層９０２〜９０５を形成した。

【０１５４】また、半導体層９０２〜９０５を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０
２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を
ドーピングしてもよい。

【０１５５】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００ｍＪ／ｃｍ²(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ
²)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその
第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚ
とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／
ｃｍ²(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ²)とすると
良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μ
ｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射
し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバー
ラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。

【０１５６】次いで、半導体層９０２〜９０５を覆うゲ
ート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

【０１５７】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosiliｃat
e）とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３０
０〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密
度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ²で放電させて形成すること
ができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、そ
の後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜
として良好な特性を得ることができる。

【０１５８】そして、ゲート絶縁膜９０６上にゲート電
極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４０
０ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成
する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、
必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成
る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔ
ｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする
合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。こ
れらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成され
るものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃
度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関して
は３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３
００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとし
てスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステ
ン（ＷＦ₆）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃ
ｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくす
ることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素
などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵
抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度
９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時
に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮して
Ｗ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを
実現することができる。

【０１５９】一方、耐熱性導電層９０７にＴａ膜を用い
る場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能で
ある。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、ス
パッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、
形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止するこ
とができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度
でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴ
ａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極と
するには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構
造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα
相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐
熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン
（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有
効である。これにより、その上に形成される導電膜の密
着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０
７が微量に含有するアルカリ金属元素が第１の形状のゲ
ート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐことができる。い
ずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵抗率を１０〜５
０μΩｃｍの範囲ですることが好ましい。

【０１６０】次に、フォトリソグラフィーの技術を使用
してレジストによるマスク９０８を形成する。そして、
第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰエッ
チング装置を用い、エッチング用ガスにＣｌ₂とＣＦ₄を
用い、１Ｐａの圧力で３．２Ｗ／ｃｍ²のＲＦ（１３.５
６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。基
板側（試料ステージ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ²のＲＦ
（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、これにより実質的
に負の自己バイアス電圧が印加される。この条件でＷ膜
のエッチング速度は約１００ｎｍ／ｍｉｎである。第１
のエッチング処理はこのエッチング速度を基にＷ膜がち
ょうどエッチングされる時間を推定し、それよりもエッ
チング時間を２０％増加させた時間をエッチング時間と
した。

【０１６１】第１のエッチング処理により第１のテーパ
ー形状を有する導電層９０９〜９１２が形成される。導
電層９０９〜９１２のテーパー部の角度は１５〜３０°
となるように形成される。残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング
時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとす
る。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９
０６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、
オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が
露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。
（図１３（Ｂ））

【０１６２】そして、第１のドーピング処理を行い一導
電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、ｎ
型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第１の形状
の導電層を形成したマスク９０８をそのまま残し、第１
のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２をマスク
として自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオン
ドープ法で添加する。ｎ型を付与する不純物元素をゲー
ト電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜９０６
とを通して、その下に位置する半導体層に達するように
添加するためにドーズ量を１×１０¹³〜５×１０¹⁴ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ²とし、加速電圧を８０〜１６０ｋｅＶと
して行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属
する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を
用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。このようなイ
オンドープ法により第１の不純物領域９１４〜９１７に
は１×１０²⁰〜１×１０²¹atoｍiｃ／ｃｍ³の濃度範囲
でｎ型を付与する不純物元素が添加される。（図１３
（Ｃ））

【０１６３】この工程において、ドーピングの条件によ
っては、不純物が第１の形状の導電層９０９〜９１２の
下に回りこみ、第１の不純物領域９１４〜９１７が第１
の形状の導電層９０９〜９１２と重なることも起こりう
る。

【０１６４】次に、図１３（Ｄ）に示すように第２のエ
ッチング処理を行う。エッチング処理も同様にＩＣＰエ
ッチング装置により行い、エッチングガスにＣＦ₄とＣ
ｌ₂の混合ガスを用い、ＲＦ電力３．２Ｗ／ｃｍ²(１３.
５６ＭＨｚ)、バイアス電力４５ｍＷ／ｃｍ²(１３.５６
ＭＨｚ)、圧力１．０Ｐａでエッチングを行う。この条
件で形成される第２の形状を有する導電層９１８〜９２
１が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、
該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパ
ー形状となる。第１のエッチング処理と比較して基板側
に印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチング
の割合が多くなり、テーパー部の角度は３０〜６０°と
なる。マスク９０８はエッチングされて端部が削れ、マ
スク９２２となる。また、図１３（Ｄ）の工程におい
て、ゲート絶縁膜９０６の表面が４０ｎｍ程度エッチン
グされる。

【０１６５】そして、第１のドーピング処理よりもドー
ズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元
素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０
ｋｅＶとし、１×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で行い、不
純物濃度が大きくなった第１の不純物領域９２４〜９２
７と、前記第１の不純物領域９２４〜９２７に接する第
２の不純物領域９２８〜９３１とを形成する。この工程
において、ドーピングの条件によっては、不純物が第２
の形状の導電層９１８〜９２１の下に回りこみ、第２の
不純物領域９２８〜９３１が第２の形状の導電層９１８
〜９２１と重なることも起こりうる。第２の不純物領域
における不純物濃度は、１×１０¹⁶〜１×１０¹⁸ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ³となるようにする。（図１４（Ａ））

【０１６６】そして、（図１４（Ｂ））に示すように、
ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０２、９０５
に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３３（９３３
ａ、９３３ｂ）及び９３４（９３４ａ、９３４ｂ）を形
成する。この場合も第２の形状の導電層９１８、９２１
をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自
己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネ
ル型ＴＦＴを形成する半導体層９０３、９０４は、レジ
ストのマスク９３２を形成し全面を被覆しておく。ここ
で形成される不純物領域９３３、９３４はジボラン（Ｂ
₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域
９３３、９３４のｐ型を付与する不純物元素の濃度は、
２×１０²⁰〜２×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³となるよう
にする。

【０１６７】しかしながら、この不純物領域９３３、９
３４は詳細にはｎ型を付与する不純物元素を含有する２
つの領域に分けて見ることができる。第３の不純物領域
９３３ａ、９３４ａは１×１０²⁰〜１×１０²¹ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ³の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含み、
第４の不純物領域９３３ｂ、９３４ｂは１×１０¹⁷〜１
×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でｎ型を付与する不
純物元素を含んでいる。しかし、これらの不純物領域９
３３ｂ、９３４ｂのｐ型を付与する不純物元素の濃度を
１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上となるようにし、第
３の不純物領域９３３ａ、９３４ａにおいては、ｐ型を
付与する不純物元素の濃度をｎ型を付与する不純物元素
の濃度の１．５から３倍となるようにすることにより、
第３の不純物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域お
よびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じ
ない。

【０１６８】その後、図１４（Ｃ）に示すように、第２
の形状を有する導電層９１８〜９２１およびゲート絶縁
膜９０６上に第１の層間絶縁膜９３７を形成する。第１
の層間絶縁膜９３７は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積
層膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁
膜９３７は無機絶縁物材料から形成する。第１の層間絶
縁膜９３７の膜厚は１００〜２００nmとする。第１の層
間絶縁膜９３７として酸化シリコン膜を用いる場合に
は、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ₂とを混合し、反
応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周
波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm²で放
電させて形成することができる。また、第１の層間絶縁
膜９３７として酸化窒化シリコン膜を用いる場合には、
プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、ＮＨ₃から作製さ
れる酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作
製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。この場
合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３
００〜４００℃とし、高周波（６０MHz）電力密度０．
１〜１．０W/cm²で形成することができる。また、第１
の層間絶縁膜９３７としてＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から作
製される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。
窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、
ＮＨ₃から作製することが可能である。

【０１６９】そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板５０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい。

【０１７０】活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化
させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜
４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水
素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素
により半導体層にある１０¹⁶〜１０¹⁸/cm³のダングリン
グボンドを終端する工程である。水素化の他の手段とし
て、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を
用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体層９
０２〜９０５中の欠陥密度を１０¹⁶/cm³以下とすること
が望ましく、そのために水素を０．０１〜０．１atomic
％程度付与すれば良い。

【０１７１】そして、有機絶縁物材料からなる第２の層
間絶縁膜９３９を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成
する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、
ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗
布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合に
は、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。
また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用
い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板
全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の
予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で
６０分焼成して形成することができる。

【０１７２】このように、第２の層間絶縁膜９３９を有
機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦
化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘
電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿
性があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、第１の層間絶縁膜９３７として形成した酸化シリコ
ン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み
合わせて用いると良い。

【０１７３】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ₄、
Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２
の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続い
てエッチングガスをＣＦ ₄、Ｏ₂として第１の層間絶縁膜
９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比
を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ₃に切り替え
て第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングするこ
とによりコンタクトホールを形成することができる。

【０１７４】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレ
イン配線９４４〜９４６を形成する。図示していない
が、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍの
Ｔｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合
金膜）との積層膜で形成した。

【０１７５】次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２
０nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画
素電極９４７を形成する（図１５（Ａ））。なお、本実
施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。

【０１７６】また、画素電極９４７は、ドレイン配線９
４６と接して重ねて形成することによって駆動用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される。

【０１７７】次に、図１５（Ｂ）に示すように、画素電
極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶
縁膜９４９を形成する。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁
性を有していて、バンクとして機能し、隣接する画素の
有機発光層を分離する役割を有している。本実施例では
レジストを用いて第３の層間絶縁膜９４９を形成する。

【０１７８】本実施例では、第３の層間絶縁膜９４９の
厚さを１μｍ程度とし、開口部は画素電極９４７に近く
なればなるほど広くなる、所謂逆テーパー状になるよう
に形成する。これはレジストを成膜した後、開口部を形
成しようとする部分以外をマスクで覆い、ＵＶ光を照射
して露光し、露光された部分を現像液で除去することに
よって形成される。

【０１７９】本実施例のように、第３の層間絶縁膜９４
９を逆テーパー状にすることで、後の工程において有機
発光層を成膜した時に、隣り合う画素同士で有機発光層
が分断されるため、有機発光層と、第３の層間絶縁膜９
４９の熱膨張係数が異なっていても、有機発光層がひび
割れたり、剥離したりするのを抑えることができる。

【０１８０】なお、本実施例においては、第３の層間絶
縁膜としてレジストでなる膜を用いているが、場合によ
っては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることも
できる。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有する物質
であれば、有機物と無機物のどちらでも良い。

【０１８１】次に、有機発光層９５０を蒸着法により形
成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１お
よび保護電極９５２を形成する。このとき有機発光層９
５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４
７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくこ
とが望ましい。なお、本実施例ではＯＬＥＤの陰極とし
てＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても
良い。

【０１８２】なお、有機発光層９５０としては、公知の
材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層
（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting la
yer）でなる２層構造を有機発光層とするが、正孔注入
層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける
場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報
告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。

【０１８３】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層と
しては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサ
ジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させ
たものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてク
マリン６を約１％添加している。

【０１８４】また、保護電極９５２でも有機発光層９５
０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さら
に好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例で
は保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設け
る。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しない
で連続的に形成しても構わない。

【０１８５】また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化
を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金
属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、
有機発光層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いの
で、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形
成し、外気から有機発光層を保護することが望ましい。

【０１８６】なお、有機発光層９５０の膜厚は１０〜４
００[nm]（典型的には６０〜１５０[nm]）、陰極９５１
の厚さは８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１５０
[nm]）とすれば良い。

【０１８７】こうして図１５（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、有機発光
層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＯＬ
ＥＤに相当する。

【０１８８】ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル
型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭ
ＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及び
駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。

【０１８９】なお、ＯＬＥＤを用いた発光装置の場合、
駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ
程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロン
による劣化があまり問題にならない。また駆動回路を高
速で動作させる必要があるので、ＴＦＴのゲート容量は
小さいほうが好ましい。よって、本実施例のように、Ｏ
ＬＥＤを用いた発光装置の駆動回路では、ＴＦＴの半導
体層が有する第２の不純物領域９２９と、第４の不純物
領域９３３ｂとが、それぞれゲート電極９１８、９１９
と重ならない構成にするのが好ましい。

【０１９０】本発明の発光装置の作製方法は、本実施例
において説明した作製方法に限定されない。本発明の発
光装置は公知の方法を用いて作製することが可能であ
る。

【０１９１】なお本実施例は、実施例１〜８と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０１９２】（実施例１０）本実施例では、実施例９と
は異なる発光装置の作製方法について説明する。

【０１９３】第２の層間絶縁膜９３９を形成するまでの
工程は、実施例５と同じである。図１６（Ａ）に示すよ
うに、第２の層間絶縁膜９３９を形成した後、第２の層
間絶縁膜９３９に接するように、パッシベーション膜９
８１を形成する。

【０１９４】パッシベーション膜９８１は、第２の層間
絶縁膜９３９に含まれる水分が、画素電極９４７や、第
３の層間絶縁膜９８２を介して、有機発光層９５０に入
るのを防ぐのに効果的である。第２の層間絶縁膜９３９
が有機樹脂材料を有している場合、有機樹脂材料は水分
を多く含むため、パッシベーション膜９８１を設けるこ
とは特に有効である。

【０１９５】本実施例では、パッシベーション膜９８１
として、窒化珪素膜を用いた。

【０１９６】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ₄、
Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２
の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続い
てエッチングガスをＣＦ ₄、Ｏ₂として第１の層間絶縁膜
９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比
を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ₃に切り替え
て第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングするこ
とによりコンタクトホールを形成することができる。

【０１９７】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレ
イン配線９４４〜９４６を形成する。図示していない
が、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍの
Ｔｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合
金膜）との積層膜で形成した。

【０１９８】次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２
０nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画
素電極９４７を形成する（図１６（Ａ））。なお、本実
施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。

【０１９９】また、画素電極９４７は、ドレイン配線９
４６と接して重ねて形成することによって駆動用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される。

【０２００】次に、図１６（Ｂ）に示すように、画素電
極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶
縁膜９８２を形成する。本実施例では、開口部を形成す
る際、ウエットエッチング法を用いることでテーパー形
状の側壁とした。実施例５に示した場合と異なり、第３
の層間絶縁膜９８２上に形成される有機発光層は分断さ
れないため、開口部の側壁が十分になだらかでないと段
差に起因する有機発光層の劣化が顕著な問題となってし
まうため、注意が必要である。

【０２０１】なお、本実施例においては、第３の層間絶
縁膜９８２として酸化珪素でなる膜を用いているが、場
合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、Ｂ
ＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用い
ることもできる。

【０２０２】そして、第３の層間絶縁膜９８２上に有機
発光層９５０を形成する前に、第３の層間絶縁膜９８２
の表面にアルゴンを用いたプラズマ処理を施し、第３の
層間絶縁膜９８２の表面を緻密化しておくのが好まし
い。上記構成によって、第３の層間絶縁膜９８２から有
機発光層９５０に水分が入るのを防ぐことができる。

【０２０３】次に、有機発光層９５０を蒸着法により形
成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１お
よび保護電極９５２を形成する。このとき有機発光層９
５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４
７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくこ
とが望ましい。なお、本実施例ではＯＬＥＤの陰極とし
てＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても
良い。

【０２０４】なお、有機発光層９５０としては、公知の
材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層
（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting la
yer）でなる２層構造を有機発光層とするが、正孔注入
層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける
場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報
告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。

【０２０５】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層と
しては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサ
ジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させ
たものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてク
マリン６を約１％添加している。

【０２０６】また、保護電極９５２でも有機発光層９５
０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さら
に好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例で
は保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設け
る。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しない
で連続的に形成しても構わない。

【０２０７】また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化
を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金
属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、
有機発光層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いの
で、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形
成し、外気から有機発光層を保護することが望ましい。

【０２０８】なお、有機発光層９５０の膜厚は１０〜４
００[nm]（典型的には６０〜１５０[nm]）、陰極９５１
の厚さは８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１５０
[nm]）とすれば良い。

【０２０９】こうして図１６（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、有機発光
層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＯＬ
ＥＤに相当する。

【０２１０】ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル
型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭ
ＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及び
駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。

【０２１１】本発明の発光装置の作製方法は、本実施例
において説明した作製方法に限定されない。本発明の発
光装置は公知の方法を用いて作製することが可能であ
る。

【０２１２】なお本実施例は、実施例１〜９と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０２１３】（実施例１１）発光装置は自発光型である
ため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性
に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示
部に用いることができる。

【０２１４】本発明の発光装置を用いた電子機器とし
て、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備
えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ：Digital Versat
ile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる
ディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、
斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視
野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いること
が望ましい。それら電子機器の具体例を図１７に示す。

【０２１５】図１７（Ａ）は有機発光表示装置であり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピ
ーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。
本発明の発光装置は表示部２００３に用いることができ
る。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要
なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることが
できる。なお、有機発光表示装置は、パソコン用、ＴＶ
放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装
置が含まれる。

【０２１６】図１７（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０
２に用いることができる。

【０２１７】図１７（Ｃ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の
発光装置は表示部２２０３に用いることができる。

【０２１８】図１７（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることが
できる。

【０２１９】図１７（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明の発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

【０２２０】図１７（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。

【０２２１】図１７（Ｇ）はビデオカメラであり、本体
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明の発光装置は表示部２６０
２に用いることができる。

【０２２２】ここで図１７（Ｈ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができ
る。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を
表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができ
る。

【０２２３】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。

【０２２４】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応
答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好まし
い。

【０２２５】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０２２６】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１０に示し
たいずれの構成の発光装置を用いても良い。

【０２２７】

【発明の効果】本発明は実用容易な構成によって、有機
発光層が劣化してもＯＬＥＤの輝度の低下を抑え、その
結果鮮明な画像を表示することを可能とする。また、各
色毎に対応したＯＬＥＤを用いたカラー表示の発光装置
の場合、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色にごとに
異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバランスが崩れ
るのを防いで所望の色を表示し続けることを可能とす
る。

【０２２８】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等により影響を受けるが、そ
のような場合でもＯＬＥＤの輝度が変化するのを抑える
ことができ、また温度の上昇に伴って消費電力が大きく
なるのを防ぐことができる。また、カラー表示の発光装
置の場合、温度変化に左右されずに各色のＯＬＥＤの輝
度の変化を抑えることができるので、各色の輝度のバラ
ンスが崩れるのを防ぐことができ、所望の色を表示する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置のブロック図。

【図２】定電流駆動または定電圧駆動時における、劣
化による輝度の変化。

【図３】有機発光層の温度による電流の変化。

【図４】本発明の発光装置の画素回路図。

【図５】補正による電圧の変化。

【図６】補正回路ブロック図。

【図７】偏差電流と補正電圧の関係図。

【図８】本発明の発光装置の画素回路図。

【図９】本発明の発光装置の駆動方法を示す図。

【図１０】駆動回路のブロック図。

【図１１】本発明の発光装置の外観図。

【図１２】本発明の発光装置の外観図。

【図１３】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１４】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１５】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１６】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１７】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。

【図１８】ＯＬＥＤの電圧電流特性と電流輝度特性の
劣化による変化。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｐ６７０６７０Ｊ６７０ＬＨ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＯＬＥＤを有する発光装置であって、前記ＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する第１の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、前記ＯＬＥＤが有する第１の電極と第２の電極の間
に流れる電流が前記基準となる電流値に近づくように、
前記ＯＬＥＤが有する第１の電極と第２の電極の間の電
圧を補正する第３の手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項２】ＯＬＥＤを有する画素が複数設けられた発
光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する第１
の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１
の電極と第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準
となる電流値に近づくように、前記複数の画素に設けら
れた全てのＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電
圧を補正する第３の手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項３】ＯＬＥＤを有する画素が複数設けられた発
光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する第１
の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１
の電極と第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準
となる電流値に近づくように、前記複数の画素に設けら
れた全てのＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電
圧を補正する第３の手段とを有し、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差が一定
の幅で変化するごとに、補正する電圧が一定の大きさで
変化することを特徴とする発光装置。
【請求項４】画素部にＯＬＥＤを有する画素が複数設け
られた発光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する第１
の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１
の電極と第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準
となる電流値に近づくように、前記複数の画素に設けら
れた全てのＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電
圧を補正する第３の手段とを有し、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する時に
前記画素部に特定の画像が表示されることを特徴とする
発光装置。
【請求項５】画素部にＯＬＥＤを有する画素が複数設け
られた発光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する第１
の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１
の電極と第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準
となる電流値に近づくように、前記複数の画素に設けら
れた全てのＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電
圧を補正する第３の手段とを有し、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する時に
前記画素部に表示される画像によって、前記基準となる
電流値が異なることを特徴とする発光装置。
【請求項６】画素部にＯＬＥＤを有する画素が複数設け
られた発光装置であって、前記画素部には、ＯＬＥＤ及び少なくとも１つのＴＦＴ
を有する画素が複数設けられ、前記ＴＦＴによって前記ＯＬＥＤの発光が制御され、全ての前記ＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する第１の手段と、前記測定した電流値と、基準となる電流値を比較する第
２の手段と、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差によっ
て、全ての前記ＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間
に流れる電流の合計が前記基準となる電流値に近づくよ
うに、全ての前記ＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の
間の電圧を補正する第３の手段とを有することを特徴と
する発光装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか１項にお
いて、前記第１、第２または第３の手段が、前記ＯＬＥ
Ｄの対応する色ごとに設けられていることを特徴とする
発光装置。
【請求項８】ＯＬＥＤと、可変電源とを有する発光装置
であって、前記ＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する電流計と、前記測定した電流値と基準となる電流値を比較し、前記
ＯＬＥＤが有する第１の電極と第２の電極の間に流れる
電流が前記基準となる電流値に近づくように、前記ＯＬ
ＥＤが有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を、前
記可変電源を制御することにより補正する補正回路とを
有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】ＯＬＥＤを有する画素が複数設けられた発
光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する電流
計と、前記測定した電流値と基準となる電流値を比較し、前記
複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準となる電
流値に近づくように、前記複数の画素に設けられた全て
のＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電圧を、可
変電源を制御することにより補正する補正回路とを有す
ることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】ＯＬＥＤを有する画素が複数設けられた
発光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する電流
計と、前記測定した電流値と基準となる電流値を比較し、前記
複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準となる電
流値に近づくように、前記複数の画素に設けられた全て
のＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電圧を、可
変電源を制御することにより補正する補正回路とを有
し、前記測定した電流値と前記基準となる電流値の差が一定
の幅で変化するごとに、補正する電圧が一定の大きさで
変化することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】画素部にＯＬＥＤを有する画素が複数設
けられた発光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する電流
計と、前記測定した電流値と基準となる電流値を比較し、前記
複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準となる電
流値に近づくように、前記複数の画素に設けられた全て
のＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電圧を、可
変電源を制御することにより補正する補正回路とを有
し、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する時に
前記画素部に特定の画像が表示されることを特徴とする
発光装置。
【請求項１２】画素部にＯＬＥＤを有する画素が複数設
けられた発光装置であって、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する電流
計と、前記測定した電流値と基準となる電流値を比較し、前記
複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流の合計が前記基準となる電
流値に近づくように、前記複数の画素に設けられた全て
のＯＬＥＤの第１の電極と第２の電極の間の電圧を、可
変電源を制御することにより補正する補正回路とを有
し、前記複数の画素に設けられた全てのＯＬＥＤの第１の電
極と第２の電極の間に流れる電流の合計を測定する時に
前記画素部に表示される画像によって、前記基準となる
電流値が異なることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】請求項８乃至請求項１２のいずれか１項
において、前記可変電源、前記電流計及び前記補正回路
が、前記ＯＬＥＤの対応する色ごとに設けられているこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項１４】請求項８乃至請求項１３のいずれか１項
において、前記ＯＬＥＤが形成されている第１の基板上
に、前記補正回路または電流計が形成されている第２の
基板が取り付けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】請求項８乃至請求項１３のいずれか１項
において、前記ＯＬＥＤが形成されている第１の基板上
に、前記補正回路または電流計が形成されている第２の
基板がＣＯＧ法により取り付けられていることを特徴と
する発光装置。
【請求項１６】請求項８乃至請求項１３のいずれか１項
において、前記ＯＬＥＤが形成されている第１の基板上
に、前記補正回路または電流計が形成されている第２の
基板がワイヤボンディング法により取り付けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１７】請求項１乃至請求項１６のいずれか１項
において、前記ＯＬＥＤの発光する時間をデジタルのビ
デオ信号によって制御することで階調を表示することを
特徴とする発光装置。