JP2002289936A - 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
圧電/電歪デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002289936A JP2002289936A JP2001076314A JP2001076314A JP2002289936A JP 2002289936 A JP2002289936 A JP 2002289936A JP 2001076314 A JP2001076314 A JP 2001076314A JP 2001076314 A JP2001076314 A JP 2001076314A JP 2002289936 A JP2002289936 A JP 2002289936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- base
- electrostrictive device
- electrostrictive
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000639 Spring steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CRLHSBRULQUYOK-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].[O-][W]([O-])(=O)=O CRLHSBRULQUYOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACNRWWUEFJNUDD-UHFFFAOYSA-N lead(2+);distiborate Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-][Sb]([O-])([O-])=O.[O-][Sb]([O-])([O-])=O ACNRWWUEFJNUDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001105 martensitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- -1 specifically Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
- G11B5/5552—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
- H10N30/2043—Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49147—Assembling terminal to base
- Y10T29/49151—Assembling terminal to base by deforming or shaping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
側に固定部11cを有する基体11と、基体11の可動
部11a,11bの側面に配設した圧電/電歪素子12
a,12bを具備する圧電/電歪デバイスを、部品点数
の少ない構成とする。 【解決手段】圧電/電歪デバイスの基体として、基体を
平板状に展開した形状に打抜き加工してなる原板を屈曲
加工した一体構造の基体11を採用することにより、部
品点数の少ない構成の圧電/電歪デバイスを提供する。
Description
スに関する。
ーロッパ特許(EP1017116A2)明細書に開示
されているように、左右一対の可動部およびこれら両可
動部を一端側にて互いに連結する固定部を有する基体
と、同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面に配
設してなる圧電/電歪素子を具備する形式の圧電/電歪
デバイスや、左右一対の可動部、これら両可動部を一端
部側にて互いに連結する固定部、および、これら両可動
部を他端部側にて互いに連結する取付部を有する基体
と、同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面に配
設してなる圧電/電歪素子を具備する形式の圧電/電歪
デバイスがある。
電歪素子の変位動作に起因する可動部の作動機能、また
は、被検出側から入力される可動部の変位を圧電/電歪
素子により検出する検出機能を有するもので、これらの
機能を有効に利用して、下記のごとき広い用途に使用さ
れている。
は、各種トランスデューサ、各種アクチュエータ、周波
数領域機能品(フィルタ)、トランス、通信用、動力用
の振動子や共振子、発振子、ディスクリミネータ等の能
動素子、超音波センサ、加速度センサ、角速度センサ、
衝撃センサ、質量センサ等の各種センサ素子、光学機
器、精密機器等の各種精密部品等の変位や位置決め調
整、角度調整の機構に用いられる各種アクチュエータ等
に使用される。
は、一般には、デバイス原盤を適宜の大きさに切断して
形成されるもので、デバイス原盤は、基体原盤の表裏両
面に圧電/電歪素子を接着剤を介して接着して構成さ
れ、または、これらを一体に形成して構成されている。
なお、基体原盤は、複数枚のシートを積層し焼成して構
成されている。
の圧電/電歪デバイスは、その構成部品の部品点数が多
くて、コストが高いとともに組立作業が面倒であり、か
つ、各構成部品同士を接着剤を介して接着していること
から、各構成部品同士の接着にバラツキが生じて、デバ
イス特性に影響を及ぼすおそれがある。
成するには、デバイス原盤を適宜に切断して多数取りす
る手段が採られることから、切断して形成された圧電/
電歪デバイスは、切断時に発生する塵埃や切削液、さら
には、切断時にデバイス原盤を保持するために使われる
接着剤やワックス等の有機成分により汚染されていて、
圧電/電歪デバイスの洗浄が容易ではない。
は、セラミックスが割れ易いため、ジルコニア等の硬い
材質のセラミックスを採用する必要があり、硬い材料の
セラミックスを採用した場合でも、欠損やクラックが発
生しないように適切な切断条件を選定する必要がある。
また、基体が硬い材料のセラミックスであることから加
工し難く、加工処理数を増やすためには、異なる機能の
多くの加工装置を使用する等の配慮をする必要がある。
るが、金属材料は切削加工中に摩擦熱で端面が酸化した
り、加工端面にバリが残留するため、これらを除去する
別工程を追加しなければならない。また、圧電/電歪素
子の検査は、デバイス原盤を切断した後でなければでき
ない。
スの洗浄には、汚れが容易に除去し得る超音波洗浄を採
用することが好ましいが、超音波洗浄において洗浄効果
を挙げるべく強い超音波を使用すると、デバイスにダメ
ージを与えることがあり、圧電/電歪素子が基体から剥
離したり破損することもある。このため、超音波洗浄を
採用する場合には、デバイスにダメージを与えない弱い
超音波を選定する必要があるが、このような洗浄条件を
採用する場合には、切断時に付着する汚れを除去するに
は長時間を要することになる。
ば、ハードディスクドライブの磁気ヘッドのアクチュエ
ータに圧電/電歪デバイスを使用する場合にドライブの
中で発塵すると、その塵が浮上スライダーとメディアの
クラッシュの原因となり、データを破壊するおそれがあ
る。また、圧電/電歪デバイス自身に対しても、その塵
が圧電/電歪素子の電極に付着してショートを引起こす
おそれがある。このため、ハードディスクドライブに対
しては勿論のこと、デバイス自身にも高い清浄化度が要
求される。
/電歪デバイスを構成する基体を、1枚の平板を原板と
する一体構造とすることにより、上記した各問題を解消
することにある。
バイス、および圧電/電歪デバイスの製造方法に関する
もので、本発明に係る圧電/電歪デバイスは、下記の3
種類の形式の圧電/電歪デバイスである。
イスは、左右一対の可動部およびこれら両可動部を一端
部側にて互いに連結する固定部を有する基体と、同基体
の前記両可動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電
/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイスである。
歪デバイスは、左右一対の可動部、これら両可動部を一
端部側にて互いに連結する固定部、および、これら両可
動部を他端部側にて互いに連結して前記固定部とは互い
に分離している取付部を有する基体と、同基体の前記両
可動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電/電歪素
子を具備する圧電/電歪デバイスである。
歪デバイスは、左右一対の可動部、これら両可動部を一
端部側にて互いに連結する固定部、これら両可動部を他
端部側にて互いに連結して前記固定部とは互いに分離し
ている取付部、および、同取付部と一体で同取付部、前
記各可動部および前記固定部を包囲する連結部を有する
基体と、同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面
に配設した圧電/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイ
スである。
/電歪デバイスにおいては、前記基体は1枚の平板にて
構成されていて、前記固定部は平板状を呈し、前記各可
動部は、前記固定部の各側縁部から所定高さ起立して互
いに対向して、固定部の各側縁部に沿って同固定部の他
端部を越えて延出していることを特徴とするものであ
る。
基体を構成する各可動部の基部と前記固定部の側縁部間
には、同固定部の他端部側から延びるスリット状溝部が
介在している構成とすることができる。また、当該圧電
/電歪デバイスにおいては、前記基体を構成する前記各
可動部の基部と前記固定部の各側縁部間の連結部を円弧
状を呈する構成とすることができる。
イスにおいては、前記基体1枚の平板にて構成されてい
て、前記固定板および前記取付板は平板状を呈し、前記
各可動部は、前記固定部および前記取付部の各側縁部か
ら所定高さ起立して互いに対向して、同固定部および前
記取付部の各側縁部に沿って延びていることを特徴とす
るものである。
基体を構成する前記固定部の他端部と前記取付部の一端
部間には横方向に延びるスリット状溝部が介在し、か
つ、前記各可動部の基部と前記固定部および前記取付部
の側縁部間には縦方向に延びるスリット状溝部が介在し
ている構成とすることができ、また、前記基体を構成す
る前記固定部の他端部と前記取付部の一端部間には、横
方向および縦方向に延びる方形状の溝部が介在している
構成とすることができる。さらにまた、当該圧電/電歪
デバイスにおいては、前記基体を構成する前記各可動部
の基部と前記固定部の各側縁部間の連結部を円弧状を呈
する構成とすることができる。
イスにおいては、前記基体は1枚の平板にて構成されて
いて、前記固定板および前記取付板は平板状を呈し、前
記各可動部は、前記固定部および前記取付部の各側縁部
から所定高さ起立して、互いに対向して同固定部および
前記取付部の各側縁部に沿って延び、かつ、前記各可動
部、前記固定部および前記取付部は前記連結部の中央空
間部内に位置していることを特徴とするものである。
連結部の前記中央空間部における前記固定部の一端部側
は閉鎖状態または開放状態にある構成とすることができ
る。また、当該圧電/電歪デバイスにおいては、前記基
体を構成する前記各可動部の基部と前記固定部の各側縁
部間の連結部を円弧状を呈する構成とすることができ
る。
バイスにおいては、さらには下記の構成を採ることがで
きる。すなわち、前記基体を金属製の1枚の平板に構成
すること、当該基板を構成する前記各可動部の長さ方向
の中間部位を他の部位に比較して薄く形成する構成、前
記基体を構成する前記各可動部の前記固定部側の端部
に、同端部の上縁から屈曲して延びて前記固定部の表面
に当接する補強部を具備する構成、前記基体を構成する
前記各可動部の前記固定部側の端部に、同端部の端縁か
ら屈曲して内側へ延びて前記固定部の表面に当接する補
強部を具備する構成、前記基体を構成する前記固定部に
おける前記各可動部間に補強部材を介在させる構成とす
ることができる。また、前記基体を構成する前記固定部
を前記各可動部の一端部側から延出して、前記各可動部
内に位置する場合に比較して拡大させる構成、前記基体
を構成する前記取付部を前記各可動部の他端部側から延
出して、前記各可動部内に位置する場合に比較して拡大
させる構成とすることができる。
製造方法は、上記した3種類の形式の圧電/電歪デバイ
スをそれぞれ製造する方法であって、各種形式の圧電/
電歪デバイスの製造方法は下記に示すものである。
係る第1の形式の圧電/電歪デバイスを製造する方法で
あって、前記基体の形成材料として可撓性で屈曲加工の
可能な平板を採用して同平板を、前記基体を平面状に展
開した形状に打抜き加工して打抜構造体を形成し、同打
抜構造体の所定の部位を屈曲して前記各可動部および前
記固定部を有する基体を形成することを特徴とするもの
である。
を、方形の平板の左右の側部に側縁部に沿って延びる一
対の直線状の側方溝部とこれら両溝部間の部位を切欠い
た開口部からなる門形形状の開口部を有する形状とし
て、前記平板の各側縁部を前記側方溝部に沿って屈曲加
工することにより、前記各側縁部を前記各可動部に形成
するとともに、前記各側方溝部間の部位を前記固定部に
形成するようにすることができる。
係る第2の形式の圧電/電歪デバイスを製造する方法で
あって、前記基体の形成材料として可撓性で屈曲加工の
可能な平板を採用して同平板を、前記基体を平面状に展
開した形状に打抜き加工して打抜構造体を形成し、同打
抜構造体の所定の部位を屈曲して前記各可動部および前
記固定部を有する基体を形成することを特徴とするもの
である。
を、方形の平板の左右の側部に側縁部に沿って延びる一
対の直線状の側方溝部とこれら両側方溝部を中間部にて
互いに連結する直線状の中央溝部からなるH形状の開口
部を有する形状として、前記平板の各側縁部を前記側方
溝部に沿って屈曲加工することにより、前記各側縁部を
前記各可動部に形成するとともに、前記各側方溝部間の
部位を前記固定部および前記取付部に形成するようにす
ることができる。また、当該製造方法においては、前記
打抜構造体を方形の平板の中央部に方形の開口部を有す
る形状として、前記平板の各側縁部を前記開口部の側縁
部に沿って屈曲加工することにより、前記各側縁部を前
記各可動部に形成するとともに、前記各側方溝部間の部
位を前記固定部および前記取付部に形成するようにする
ことができる。
係る第3の形式の圧電/電歪デバイスを製造する方法で
あって、前記基体の形成材料として可撓性で屈曲加工の
可能な平板を採用して同平板を、前記基体を平面状に展
開した形状に打抜き加工して打抜構造体を形成し、同打
抜構造体の所定の部位を屈曲して前記各可動部、前記固
定部、前記取付部および前記連結部を有する基体を形成
することを特徴とするものである。
を方形の平板の中央開口部の内部に方形の平板部を有す
る形状にするとともに、同平板部の左右の側部に側縁部
に沿って延びる一対の直線状の側方溝部とこれら両側方
溝部を中間部にて互いに連結する直線状の中央溝部から
なるH形状の開口部を有する形状として、前記平板部の
各側縁部を前記側方溝部に沿って屈曲加工することによ
り、前記各側縁部を前記各可動部に形成し、前記各側方
溝部間の部位を前記固定部および前記取付部に形成し、
かつ、前記中央開口部の外周の部位を前記連結部に形成
するようにすることができる。
基板の形成材料としては金属製の平板を採用して、前記
打抜構造体の開口部を、前記平板の打抜き加工と同時に
打抜きして形成し、または、前記平板の打抜き加工後の
穴開け加工にて形成するようにすることができる。
は、作動原理上、固定部、または固定部と取付部が可撓
性を有する2つの側縁部に緊密に連結されていることが
必要とされるなかでこれらが一体成形されているので、
作動原理上の最も好ましい形態を具現化している。
金属製として溶着した場合においては、溶着の熱による
歪み、材質劣化、焼き鈍し等の熱処理工程での問題を考
慮しなければならない。これに対して、本発明に係る圧
電/電歪デバイスを構成するの基体のごとく一体成形に
よるものは、これが金属製であっても、これらの懸念は
全くなく、また、一体成形時の加工硬化による連結部の
強度の向上も期待することができる。
は、部品(例えばハードディスクドライブの磁気ヘッ
ド)と組合わせた場合、部品の高さとデバイスの高さの
和が組立後の高さにはならずにこれより低くなるため、
コンパクトな構成とし得る利点がある。デバイスの高さ
では、可動部の板の厚み分と接着剤の厚み分が部品の高
さに加わるが、冒頭で記述した公知のデバイスに比較し
て組立後の高さを低くできて、省スペース化の効果があ
る。また、部品を固定部上に接着するのみで簡単に組立
ができ、かつ、接着面積を広くとることができるため、
接着強度をより強固にし得て、衝撃によっても脱落し難
い構造とすることができる利点がある。
第1,第2の圧電/電歪デバイスにおいては、その構造
上、取付部および固定部の被接着部品に対する接着部位
に、接着剤が入る窪みをプレスにて形成することが容易
であり、これにより、接着強度を増加させたり接着剤の
はみ出しを抑制することができる。また、部品組立の際
に用いる位置決め用の基準位置(穴等)を形成すること
も容易である。このため、後工程で部品をデバイス上の
取付部に組立てたり、固定部をサスペンションのジンバ
ルに取付ける際の組立精度を上げて、歩留まりを一層向
上させることができる。デバイスを組立てる前に圧電/
電歪素子を予め検査して組立てることで、組立後のデバ
イスの特性不良を大幅に低減することができる。
歪デバイスにおいては、第1,第2の圧電/電歪デバイ
スが有する作用効果を奏し得ることは勿論であるが、特
に、取付部と一体の連結部を有するもので、当該連結部
を、ハードディスクドライブの磁気ヘッド(スライダ
ー)を支持するジンバルとして機能させることができる
という大きな利点がある。
した3種類の形式の圧電/電歪デバイスを基本とするも
ので、これらの基本構造の圧電/電歪デバイスにおいて
は、いずれの基体も、平板を原板とする一体構造のもの
で原則的に1個の構成部品で構成されていることから、
構成部品は基体と圧電/電歪素子の2種類となり、圧電
/電歪デバイスの構成部品を大幅に低減できるととも
に、構成部品の組付工数を低減できて、コストを大幅に
軽減することができる。
バイスにおいては、構成部品の部品点数が極めて少なく
て、各構成部品同士の接着部位も極めて少ないことか
ら、各構成部品同士の接着のバラツキが皆無またはほと
んどなくて、設定された精度の高いデバイス特性を有す
るものである。
においては、その形成にあっては、デバイス原盤を多数
の部位にて切断する手段を採ることがなく、デバイス原
盤の切断時に発生する塵埃やその他の汚染物による汚染
がない。このため、圧電/電歪デバイスを組立てる際
に、予め、基体および圧電/電歪素子を洗浄しておけ
ば、形成された圧電/電歪デバイスでは汚染が皆無また
はほとんど無くて、圧電/電歪デバイスの洗浄を省略す
ることができ、または、簡単に済ますことができる利点
がある。
は、第1の形式の圧電/電歪デバイスにあっては本発明
に係る第1の製造方法により、第2の形式の圧電/電歪
デバイスにあっては本発明に係る第2の製造方法によ
り、第3の形式の圧電/電歪デバイスにあっては本発明
に係る第3の製造方法により、それぞれ容易に、かつ、
廉価に製造することができる。
は、左右一対の可動部およびこれら両可動部を一端部側
にて互いに連結する固定部を有する基体と、同基体の前
記両可動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電/電
歪素子を具備する第1の形式の圧電/電歪デバイス、左
右一対の可動部、これら両可動部を一端部側にて互いに
連結する固定部、および、これら両可動部を他端部側に
て互いに連結して前記固定部とは互いに分離している取
付部を有する基体と、同基体の前記両可動部の少なくと
も一方の側面に配設した圧電/電歪素子を具備する第2
の形式の圧電/電歪デバイス、および、左右一対の可動
部、これら両可動部を一端部側にて互いに連結する固定
部、これら両可動部を他端部側にて互いに連結して前記
固定部とは互いに分離している取付部、および、同取付
部と一体で同取付部、前記各可動部および前記固定部を
包囲する連結部を有する基体と、同基体の前記両可動部
の少なくとも一方の側面に配設した圧電/電歪素子を具
備する第3の形式の圧電/電歪デバイスである。図1に
は、各形式の圧電/電歪デバイスの多数の実施形態(第
1の実施形態〜第11の実施形態)を示している。
10aは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するもので、図2に示す状態で使用される
ものである。第1圧電/電歪デバイス10aは、図3お
よび図4に示す方法で形成される。第1圧電/電歪デバ
イス10aは、基体11と一対の圧電/電歪素子12
a,12bからなるもので、基体11は、細幅で長尺の
板状の左右一対の可動部11a,11bと、両可動部1
1a,11bを一端部側にて互いに連結する平板状の固
定部11cと、両可動部11a,11bを他端部側にて
互いに連結する平板状の取付部11dにて構成されてい
る。
1b、固定部11c、および取付部11dが、H形状の
開口部11eにて分割されている。開口部11eは、左
右一対の側方溝部11e1,11e2と、これら両側方溝
部11e1,11e2を長手方向の中央部で互いに連結す
る中央溝部11e3とからなり、左側の可動部11a
は、側方溝部11e1にて同溝部11e1に沿って屈曲さ
れて、固定部11cおよび取付部11dに対して直交状
態に起立している。同様に、右側の可動部11bは、側
方溝部11e2にて同溝部11e2に沿って屈曲されて、
固定部11cおよび取付部11dに対して直交状態に起
立している。
a,11bの外側面に、各圧電/電歪素子12a,12
bがエポキシ樹脂等からなる接着剤を介して接着されて
いる。各圧電/電歪素子12a,12bは、圧電/電歪
層と電極膜からなる多層体であって、各可動部11a,
11bとは同一形状で、所定長さ短く形成されていて、
各可動部11a,11bの固定部11c側の端部に一致
して接着されて、各可動部11a,11bの取付部11
d側の端部から所定長さを残した部位まで延びている。
cの上面側には、例えば、被制御部品であるハードディ
スク用の磁気ヘッドH(スライダ)が接着されて固定さ
れて、その下面側にてサスペンションのジンバルに接着
されて固定される。なお、この場合、磁気ヘッドHとサ
スペンションの取付位置を上記とは逆に、取付部11d
および固定部11cに変更することができ、これによっ
てもデバイスの機能は何等変わらない。また、磁気ヘッ
ドHとサスペンションの取付位置の固定部11cおよび
取付部11dに対する取付部位を表裏逆に変更すること
もでき、これによってもデバイスの機能は何等変わらな
い。但し、圧電/電歪素子12a,12bの端子部にコ
ンタクトする外部電極の配線をサスペンション上で逆に
配線する必要がある。
を構成する基体11は、図3(a)に示す原板11Aを
成形材料とするもので、原板11Aを同図(b)に示す
ように屈曲して形成されているものである。原板11A
は、可撓性で屈曲加工が可能な平板を打抜き加工してな
る打抜構造体であって、基体11を平面状に展開した形
状に形成されている。原板11Aを構成する平板は、強
度的には金属製であることが好ましい。
属製であることが好ましく、鉄系材料としては、SUS
301、SUS304、AISI653、SUH660
等のオーステナイト系ステンレス鋼、SUS430、S
US434等のフェライト系ステンレス鋼、SUS41
0、SUS630等のマルテンサイト系ステンレス鋼、
SUS6312、AISI632等のセミオーステナイ
ト系ステンレス鋼、エルマージングステンレス鋼、各種
ばね鋼鋼材等を挙げることができる。また、非鉄系材料
としては、チタン−ニッケル合金等の超弾性チタン合
金、黄銅、白銅、アルミニウム、タングステン、モリブ
デン、ベリリウム銅、リン青銅、ニッケル、ニッケル鉄
合金、チタン等を挙げることができる。
て形成されているもので、H形状の開口部11eを具備
している。開口部11eは、平板の打抜き加工時に同時
に形成されているもので、原板11Aの左右の各側部に
前後両端側に延びる一対の直線状の側方溝部11e1,
11e2と、これら両側方溝部11e1,11e2を中間
部にて互いに連結する直線状の中央溝部11e3からな
る。基体11は、原板11Aの左右の各側縁部を、各側
方溝部11e1,11e2にて、同溝部11e1,11e2
の幅の中心をその長手方向に延びる中心線L1,L2に沿
って直角に屈曲することにより形成されている。原板1
1Aの左右の各側部をこのように屈曲加工することによ
り、各側方溝部11e1,11e2の側縁部位が各可動部
11a,11bに形成されているとともに、中央溝部1
1e3の前端部側の部位が固定部11cに形成され、か
つ、後端部側の部位が取付部11dに形成されている。
成された基体11には、図4(a)に示すように、その
各可動部11a,11bの外側面に圧電/電歪素子12
a,12bを接着剤を介して接着されて、同図(b)に
示す圧電/電歪デバイス10aが形成される。形成され
た圧電/電歪デバイス10aは、従来のこの種形式の圧
電/電歪デバイスと同様に機能するとともに、基体11
が原板11Aにて一体的に構成されていることから、下
記のごとき作用効果を奏するものである。
においては、基体11が1枚の原板11Aのみからなる
一体構造のもので1個の構成部品で構成されていること
から、構成部品は基体11と圧電/電歪素子12a,1
2bの2種類となり、圧電/電歪デバイス10aの構成
部品を大幅に低減できるとともに、構成部品の組付工数
を大幅に低減できて、コストを大幅に軽減することがで
きる。
いては、構成部品の部品点数が極めて少なくて、各構成
部品同士の接着部位も極めて少ないことから、各構成部
品同士の接着のバラツキが皆無またはほとんどなくて、
設定された精度の高いデバイス特性を有するものとな
る。
いては、その形成にあっては、従来のごとくデバイス原
盤を多数の部位にて切断する手段を採ることがなく、デ
バイス原盤の切断時に発生する塵埃、その他の汚染物の
付着に起因する汚染がない。このため、第1圧電/電歪
デバイス10aの組立てに際して、予め、基体11およ
び圧電/電歪素子12a,12bを洗浄しておけば、組
立てられた圧電/電歪デバイス10aは汚染が皆無また
はほとんど無くて、圧電/電歪デバイス10aの洗浄を
省略することができ、または、簡単に済ますことができ
るという大きな利点がある。
10bは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第2圧電/電歪デバイス
10bは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体の構
成をわずかに異にするにすぎないもので、図6(b)に
示すように、基体13と一対の圧電/電歪素子12a,
12bからなり、基体13は、細幅で長尺の板状の左右
一対の可動部13a,13bと、両可動部13a,13
bを一端部側にて互いに連結する平板状の固定部13c
と、両可動部13a,13bを他端部側にて互いに連結
する平板状の取付部13dにて構成されている。
3b、固定部13c、および取付部13dが、H形状の
開口部13eにて分割されていて、かかる構成に関する
かぎり、第1圧電/電歪デバイス10aの基体11と同
一構成である。
13a,13bの固定部13cおよび取付部13dに対
する連結部位である屈曲部13a1,13b1が、固定部
13c,13dの表面より窪んだ円弧状を呈している。
当該基体13を構成する原板13Aは、図5(a)に
示すように、基体11の原板11Aと同一のもので、各
可動部13a,13bを屈曲形成する際の屈曲形状を異
にするものである。すなわち、当該屈曲加工において
は、各可動部13a,13bの基部に円弧状の屈曲部1
3a1,13b1を形成している。当該基体13には、図
6(a)に示すように、各可動部13a,13bの外側
面に各圧電/電歪素子12a,12bを接着することに
より、第2圧電/電歪デバイス10bが形成される。
電/電歪デバイス10aとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものであるが、特に、各
可動部13a,13bが円弧状の屈曲部13a1,13
b1を介して、固定部13cおよび取付部13dに連結
していることから、各可動部13c,13dの可動性が
向上していて、高いデバイス機能を有するものである。
においては、各可動部13a,13bの固定部13cお
よび取付部13dに対する垂直度の精度を出し易くし
て、煽り方向変位を抑えることができる。また、固定部
13cおよび取付部13dに対して、各可動部13a,
13bのY軸方向の位置が円弧状の屈曲部の曲げ方を変
えることで設定することができるため、デバイスの設計
の幅を広げることができる。
10cは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第3圧電/電歪デバイス
10cは、第2圧電/電歪デバイス10bとは基体の構
成のわずかの部位を異にするが、その他の構成は同じで
ある。
は、図8(b)に示すように、基体14と一対の圧電/
電歪素子12a,12bからなるもので、基体14は、
細幅で長尺の板状の左右一対の可動部14a,14b
と、両可動部14a,14bを一端部側にて互いに連結
する平板状の固定部14cと、両可動部14a,14b
を他端部側にて互いに連結する平板状の取付部14dに
て構成されている。
4bの長手方向の中間部が、所定長さにわたって薄肉部
14a1,14b1に形成されているが、この点を除いて
は基体13と同一に構成されている。また、基体14の
原板14Aは、図7(a)に示すように、各可動部14
a,14bを構成することとなる、H形状の開口部14
eの左右の各側部に薄肉部14a1,14b1を具備する
もので、図7(b)に示す2点鎖線L1,L2にに沿っ
て、基体13と同様に屈曲加工され、図8(a)に示す
ように、各可動部14a,14bの外側面に各圧電/電
歪素子12a,12bを接着することにより、第3圧電
/電歪デバイス10cが形成されている。
電/電歪デバイス10bとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものであるが、特に、各
可動部14a,14bがその中間部に長手方向に延びる
薄肉部14a1,14b1を具備することから、各可動部
14a,14bの可動性が一層高くて、一層高いデバイ
ス機能を有するものである。
b1を形成する手段としては、化学エッチッング、マイ
クロブラスト、イオンミリング等により部分的に肉を除
去して厚みを薄くする方法や、研削により切削して厚み
を薄くする方法等を採ることができる。また、特殊な手
段としては、所定長さの穴を開けた板と穴の無い板を重
ねて張り合わせして、穴に対応する部位を薄肉部に形成
した板を原板として採用することもできる。
10dは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第4圧電/電歪デバイス
10dは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体の構
成のわずかの部位を異にするが、その他の構成は同じで
ある。
(b)に示すように、基体15と一対の圧電/電歪素子
12a,12bからなり、基体15は、細幅で長尺の板
状の左右一対の可動部15a,15bと、両可動部15
a,15bを一端部側にて互いに連結する平板状の固定
部15cと、両可動部15a,15bを他端部側にて互
いに連結する平板状の取付部15dと、各可動部15
a,15bの一端部側上縁から固定部15cの表面に延
びて当接する左右一対の補強部15f,15gにて構成
されている。
備している点を除けば、基体11と同一に構成されてい
る。また、基体15の原板15Aは、図9(a)に示す
ように、各可動部15a,15bを構成することとな
る、H形状の開口部15eの左右の各側部に、その一端
部側から外方に延びる補強部15f,15gの構成部位
を具備していて、図9(b)に示すように2点鎖線L
1,L2等に沿って屈曲加工され、図10(a)に示すよ
うに、各可動部15a,15bの外側面に各圧電/電歪
素子12a,12bを接着することにより、第4圧電/
電歪デバイス10dが形成されている。
電/電歪デバイス10aとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものであるが、特に、各
補強部15f,15gにより固定部15cを補強してい
るものである。各補強部15f,15gは、固定部15
c上に接着されているが、その接着手段としては、スポ
ット溶接、圧着、かしめ、半田付け、ロウ付け、エポキ
シ樹脂、UV硬化型樹脂等の接着剤等による接着手段を
採用することができる。これらの接着手段のうちでも、
スポット溶接が特に好ましい。
10eは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第5圧電/電歪デバイス
10eは、第4圧電/電歪デバイス10dとは基体の構
成のわずかの部位を異にするもので、その他の構成は同
じである。
は、図12(b)に示すように、基体16と一対の圧電
/電歪素子12a,12bからなるもので、基体16
は、細幅で長尺の板状の左右一対の可動部16a,16
bと、両可動部16a,16bを一端部側にて互いに連
結する平板状の固定部16cと、両可動部16a,16
bを他端部側にて互いに連結する平板状の取付部16d
と、各可動部16a,16bの各端部から内向きにフラ
ンジ状に屈曲する補強部16f,16gにて構成されて
いる。
状が各補強部15f,15gの形状とは異なる点を除け
ば、基体15と同一に構成されている。また、基体16
の原板16Aは、図11(a)に示すように、各可動部
16a,16bを構成することとなる、H形状の開口部
16eの左右の各側部が前後に所定長さ突出しているも
ので、図11(a)に示す2点鎖線L1,L2等に沿って
同図(b)に示すように屈曲加工され、図12(a)に
示すように、各可動部16a,16bの外側面に各圧電
/電歪素子12a,12bを接着することにより、第5
圧電/電歪デバイス10eが形成されている。
いては、補強部16f,16gは固定部16cおよび取
付部16dとは非接着状態にあるが、固定部16cおよ
び取付部16d上に接着することが一層好ましい。接着
手段としては、スポット溶接、圧着、かしめ、半田付
け、ロウ付け、エポキシ樹脂、UV硬化型樹脂等の接着
剤等による接着等の手段を採用することができる。これ
らの接着手段のうちでも、スポット溶接が特に好まし
い。
電/電歪デバイス10aとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものであるが、特に、各
補強部16f,16gにより固定部16cおよび取付部
16dを補強しているものである。
10fは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第6圧電/電歪デバイス
10fは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体に補
強部材を付加した点で異なるが、その他の構成は同じで
ある。
は、図14(b)に示すように、基体17と一対の圧電
/電歪素子12a,12bからなるもので、基体17
は、細幅で長尺の板状の左右一対の可動部17a,17
bと、両可動部17a,17bを一端部側にて互いに連
結する平板状の固定部17cと、両可動部17a,17
bを他端部側にて互いに連結する平板状の取付部17d
と、各可動部17a,17bの一端部側間に介装されて
固定部17cの表面に接着された板状の補強部材17f
にて構成されている。
示すように、基板11の原板11Aと同一形状のもの
で、図13(b)に示すように、2点鎖線L1,L2に沿
って屈曲加工され、図14(a)に示すように、両可動
部17a,17bの一端部側間にて補強部材17fを固
定部17cの表面に接着し、かつ、各可動部17a,1
7bの外側面に各圧電/電歪素子12a,12bを接着
することにより、第6圧電/電歪デバイス10fが形成
されている。第6圧電/電歪デバイス10fは、第4圧
電/電歪デバイス10dとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものである。
10gは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第7圧電/電歪デバイス
10gは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体の固
定部および取付部の形状が異なるが、その他の構成は同
じである。
(b)に示すように、基体18と一対の圧電/電歪素子
12a,12bからなる。基体18は、細幅で長尺の板
状の左右一対の可動部18a,18bと、両可動部18
a,18bを一端部側にて互いに連結する平板状の固定
部18cと、両可動部18a,18bを他端部側にて互
いに連結する平板状の取付部18dにて構成されてい
る。固定部18cは、両可動部18a,18bの一端部
側から所定長さ突出し、かつ、取付部18dは、両可動
部18a,18bの他端部側から所定長さ突出してい
る。従って、固定部18cおよび取付部18dは、第1
圧電/電歪デバイス10aの基体11における固定部1
1cおよび取付部11dより拡大されていて、大きな面
積を確保している。
8dの面積が拡大されている点を除けば、基体11と同
一に構成されている。また、基体18の原板18Aは、
図15(a)に示すように、固定部18cおよび取付部
18dを構成することとなる、H形状の開口部18eの
前後の部位が前後に所定長さ突出しているもので、図1
5(b)に示すように2点鎖線L1,L2に沿って屈曲加
工され、図16(a)に示すように、各可動部18a,
18bの外側面に各圧電/電歪素子12a,12bを接
着することにより、第7圧電/電歪デバイス10gが形
成されている。
電/電歪デバイス10aとは同一の機能を有するととも
に、略同様の作用効果を奏するものであるが、特に、固
定部18cおよび取付部18dを拡大して、サスペンシ
ョンのジンバルへの接着面積の拡大、および、ハードデ
ィスクドライブの磁気ヘッド等の被制御部品に対する接
着面積の拡大を図ることができる。
20aは、本発明に係る第1の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第8圧電/電歪デバイス
20aは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体の構
成を大きく異にするものである。
は図18(b)に示すように、基体21と一対の圧電/
電歪素子22a,22bからなるもので、基体21は、
細幅で長尺の板状の左右一対の可動部21a,21b
と、両可動部21a,21bを一端部側にて互いに連結
する平板状の固定部21cにて構成されている。但し、
両可動部21a,21bの他端部側には、取付部は具備
していない。
(a)に示すように、平板を打抜き加工して門形形状の
開口部21dを形成されているものである。開口部21
dは、平板の左右の側部にて前後両端部側に延びる一対
の直線状の側方溝部21d1,21d2と、これら両溝部
21d1,21d2間の他端部側を切欠いた開口部位21
d3を備えた形状のものである。基体21は、原板21
Aの左右の各側部を、各側方溝部21d1,21d2に
て、同図(b)に示すように、同溝部21d1,21d2
の幅の中心をその長手方向に延びる中心線L1,L2に沿
って直角に屈曲加工することにより形成されている。原
板21Aの左右の各側部をこのように屈曲加工すること
により、各側方溝部21d1,21d2の側縁部位が各可
動部21a,21bに形成されるとともに、両側方溝部
21d1,21d2間の部位が固定部21cに形成され
る。
された基体21には、図18(a)に示すように、その
各可動部21a,21bの外側面に圧電/電歪素子22
a,22bを接着剤を介して接着されて、同図(b)に
示す圧電/電歪デバイス20aが形成される。形成され
た圧電/電歪デバイス20aは、両可動部21a,21
bの他端部側の間に磁気ヘッド等の被制御部品を接着し
た状態で使用されて、従来のこの種形式の圧電/電歪デ
バイスと同様に機能するものであるが、基体21が1枚
の原板21Aによって一体的に構成されていることか
ら、下記のごとき作用効果を奏するものである。
においては、基体21が原板21Aからなる一体構造の
もので1個の構成部品で構成されていることから、構成
部品は基体21と圧電/電歪素子22a,22bの2種
類となり、圧電/電歪デバイス20の構成部品を大幅に
低減できるとともに、構成部品の組付工数を低減でき
て、コストを大幅に軽減することができる。
いては、構成部品の部品点数が極めて少なくて、各構成
部品同士のを接着部位も極めて少ないことから、各構成
部品同士の接着のバラツキが皆無またはほとんどなく
て、設定された精度の高いデバイス特性を有するものと
なる。
いては、その形成にあっては、従来のごとくデバイス原
盤を多数の部位にて切断する手段を採ることがなく、デ
バイス原盤の切断時に発生する塵埃、その他の汚染物の
付着に起因する汚染がない。このため、第8圧電/電歪
デバイス20の組立てに際して、予め、基体21および
圧電/電歪素子22a,22bを洗浄しておけば、組立
てられた圧電/電歪デバイス20aは汚染が皆無または
ほとんど無くて、圧電/電歪デバイス20aの洗浄を省
略することができ、または、簡単に済ますことができる
という大きな利点がある。
制御部品等の取付けは、両可動部21a,21bの先端
側内面21a1,21b1に接着剤を介して固定すること
によって行う。この場合、当該圧電/電歪デバイス20
aの変形例である後述する圧電/電歪デバイス20cを
示す図19を参照すれば明らかなように、デバイス20
aの高さH1が被制御部品の高さH2より低いときには、
デバイス20aと被制御部品を組立た状態での高さH3
は、被制御部品の高さH2と同じ(H3=H2)になって
デバイス20aの高さH1を無視することができ、本発
明の他の形態の圧電/電歪デバイスに比較して、さらに
省スペース化をすることができる利点がある。
可動部21a,21bで挟む構造であるため、両可動部
21a,21bにおける先端側内面21a1,21b1の
間隔を、被制御部品の幅と介在させる接着剤層の厚みを
含めた幅寸法と同等に設定しておく必要がある。これを
怠ると、両可動部21a,21bの先端側内面21a
1,21b1の間隔が狭すぎる場合には、部品が先端側内
面21a1,21b1間に配置できずに組立不能となり、
これとは逆に、両可動部21a,21bの先端側内面2
1a1,21b1の間隔が広すぎる場合には、被制御部品
が先端側内面21a1,21b1の両者に接着できずに組
立不能となる。
21a,21bの先端側内面21a1,21b1の間隔
を、部品が配置できて先端側内面21a1,21b1の両
者に接着できる幅寸法に設定し得たとしても、被制御部
品を各先端側内面21a1,21b1に接着させる接着剤
層の厚みがばらつくと、両可動部21a,21bの変位
共振が変化してデバイス特性にばらつきが生じる原因と
なる。このため、基体21の形成時の屈曲加工では、高
精度のプレス成形手段を採ることにより、高精度に屈曲
加工した基体21を大量に作成し得るようにしている。
これにより、部品を各先端側内面21a1,21b1に接
着させる接着剤層の厚みのばらつきを極力少なくして、
デバイス特性のばらつきが極めて小さい品質のものとし
ている。
aを変形した第1の変形例である圧電/電歪デバイス2
0cを示している。当該圧電/電歪デバイス20cは、
圧電/電歪デバイス20aとは基本構成を同じくするも
ので、可動部21a,21bの先端部が内側に折曲げら
れている点でのみ、圧電/電歪デバイス20aとは構成
を異にしている。すなわち、各可動部21a,21b
は、先端部に折曲部21a2,21b2を有するものであ
る。各折曲部21a2,21b2は、可動部21a,21
bの先端部を内側へほぼ180度折曲げられて形成され
ているもので、折曲部21a2,21b2の内側面は互い
に対向していて、これら両内側面が被制御部品Hの取付
部位となっている。被制御部品Hは、適宜の接着剤を介
して折曲部21a2,21b2の内側面に接着して取付け
られる。
の他の構成は圧電/電歪デバイス20aと同じであるた
め、同一の構成部材および同一の構成部位については同
一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
においては、被制御部品Hに対する接着長さおよび接着
面積を、両折曲部21a2,21b2により規定すること
ができて、個々のデバイス間での被制御部品Hの接着長
さおよび接着面積のばらつきを効果的に解消することが
できる。これにより、被制御部品Hの接着長さおよび接
着面積のばらつきに起因する、デバイス個々の変位共振
の値のばらつきを解消することができる。
いては、第8圧電/電歪デバイス20aの作用効果で述
べているように、デバイス20cの高さH1が被制御部
品の高さH2より低いため、デバイス20cに被制御部
品Hを取付けた状態での高さH3は、被制御部品の高さ
H2と同じ(H3=H2)になってデバイス20の高さH1
を無視することができ、本発明の他の形態の圧電/電歪
デバイスに比較して、さらに省スペース化をすることが
できる利点がある。
aを変形した第2の変形例である圧電/電歪デバイス2
0dを示している。当該圧電/電歪デバイス20dは、
圧電/電歪デバイス20aとは基本構成を同じくするも
ので、可動部21a,21bが段付きの細帯状板に形成
されており、可動部21a,21bの先端部が主体部よ
りわずかに内側に偏倚した屈折部21a3,21b3とな
っている。可動部21a,21bの屈折部21a3,2
1b3は互いに対向して位置していて、圧電/電歪デバ
イス20cにおける両折曲部21a2,21b2と同様
に、これらの屈折部21a3,21b3の両内側面が被制
御部品Hの取付部位となっている。被制御部品Hは、適
宜の接着剤を介して屈折部21a3,21b3の内側面に
接着して取付けられている。従って、当該圧電/電歪デ
バイス20dは、圧電/電歪デバイス20cと同様に機
能して、同様の作用効果を奏するものである。
の他の構成は、圧電/電歪デバイス20cと同じ構成で
あるため、圧電/電歪デバイス20cと同一の構成部材
および同一の構成部位は、圧電/電歪デバイス20cと
同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
20bは、本発明に係る第2の形式の圧電/電歪デバイ
スの範疇に属するものである。第9圧電/電歪デバイス
20bは、第1圧電/電歪デバイス10aとは基体の構
成を大きく異にするものである。
は、図22(b)に示すように、基体23と一対の圧電
/電歪素子22a,22bからなるもので、基体23
は、細幅で長尺の板状の左右一対の可動部23a,23
bと、両可動部23a,23bを一端部側にて互いに連
結する平板状で細幅の固定部23cと、両可動部23
a,23bを他端部側にて互いに連結する平板状で細幅
の取付部23dにて構成されている。
(a)に示すように、平板を打抜き加工して略正方形の
開口部23eを形成されているものである。基体23
は、原板23Aの左右の各側部を、開口部23eの各開
口縁部にて、同図(b)に示すように、同開口縁部に沿
って長手方向に延びる中心線L1,L2に沿って直角に屈
曲することにより形成されている。原板23Aの左右の
各側部をこのように屈曲加工することにより、各開口縁
部の側縁部位が各可動部23a,23bに形成されてい
るとともに、両開口縁部の側縁部位間が固定部23cお
よび取付部23dに形成されている。
れた基体23には、図22(a)に示すように、その各
可動部23a,23bの外側面に圧電/電歪素子22
a,22bを接着剤を介して接着されて、同図(b)に
示す圧電/電歪デバイス20bが形成される。組立てら
れた圧電/電歪デバイス20bは、従来のこの種形式の
圧電/電歪デバイスと同様に機能するものであるが、基
体23が1枚の原板23Aによって一体的に構成されて
いることから、第1圧電/電歪デバイス10aおよび第
8圧電/電歪デバイス20aと略同様の作用効果を奏す
るものである。
定部23cおよび取付部23dが小さくてアクチュエー
タや被制御部品に対する接着面積が小さいが、たとえ
ば、スポット溶接のように小さい接着面積で部品を強固
に接合できる手段を採ることができる場合には、大きい
固定部や取付部は余計な錘り(質量)として作用するこ
とになる。当該第9圧電/電歪デバイス20bは、この
点で他の圧電/電歪デバイス10a〜10gとは相違
し、余計な質量が無い分、共振周波数を高く設定するこ
とができて、アクチュエータの動作を高速化することが
できる利点がある。
イス10a〜10g,20a〜20dにおいては、各基
体11〜18,21,23を形成する原板として採用し
ている打抜構造体では、各開口部11e〜18e,21
d,23eを、打抜き加工時に同時に打抜いて形成して
いるが、これらの原板の各開口部11e〜18e,21
d,23eについては、所定形状に打抜かれた原板を打
抜き手段以外の手段、例えば、レーザー加工、放電加
工、ドリル加工、超音波加工、エッチング等の穴開け加
工手段にて形成するようにすることができる。これらの
穴開け加工手段においては、エッチング以外の手段で
は、穴加工端面にバリが発生する場合があるが、バリは
エッチング処理やブラスト処理にて簡単に除去すること
ができる。
g,20a〜20dの基体11,13〜18,21,2
3を構成する可動部11a,11b…の折曲げ角度は、
固定部11c…および取付部11d…に対してほぼ垂直
とすることが好ましく、交差角度は90±10度、好ま
しくは90±5度、より好ましくは90±1度とする。
可動部11a,11b…の折曲げ角度が90度からずれ
ると、煽り方向の変位が大きくなる。なお、上記した符
号…は、対応する部位の他の符号を省略したことを意味
するもので、記載を簡略にするため使用している。
8,21,23については、洗剤、有機溶剤等を使用す
る超音波洗浄に付すことが好ましい。超音波洗浄におい
ては、パワーを強くしても基体が破壊するようなことが
ないため、パワーの強い超音波洗浄により汚れを簡単に
除去することができる。
g,20a〜20dでは、基体と圧電/電歪素子をそれ
ぞれ別体に形成して、各圧電/電歪素子を基体の可動部
に接着することにより構成しているが、本発明に係る圧
電/電歪デバイスにおいては、基体に形成する前の原板
の可動部となる部位、または、基体の可動部に、圧電/
電歪層および電極をスパッタ、CVD、MBE等の手段
で成膜したり、ゾルゲル法にて成膜することにより、圧
電/電歪素子を基体に直接形成するようにすることがで
きる。
イス10a〜10g,20a〜20dを構成する圧電/
電歪素子12a,12b、22a,22bは、圧電/電
歪層とこれに電界を印加するための一対の電極を備える
もので、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電/電歪素
子である。なかでも、ユニモルフ型の圧電/電歪素子
は、派生する変位の安定性に優れ、かつ、軽量化にとっ
て有利であることから、圧電/電歪デバイスの構成部品
として適している。
イス10a〜10g,20a〜20dを構成する圧電/
電歪素子12a,12b、22a,22bに好適に採用
される数例の圧電/電歪素子31〜34を示している。
は、圧電/電歪層が1層である1層構造のもので、圧電
/電歪層31a、上下一対の第1,第2電極31b,3
1c、および、一対の端子31d,31eにて構成され
ている。同図(b)に示す圧電/電歪素子32は、圧電
/電歪層が2層である2層構造のもので、圧電/電歪層
32a,32b、両圧電/電歪層32a,32b間に介
在する第1電極32c、両圧電/電歪層32a,32b
の外側面を包囲する第2電極32d、および、一対の端
子32e,32fにて構成されている。
34は、圧電/電歪層が4層である4層構造のものであ
る。同図(a)に示す圧電/電歪素子33は、圧電/電
歪層33a,33b,33c,33d、これらの両圧電
/電歪層間に介在し包囲する第1,第2電極33e,3
3f、および、一対の端子33g,33hにて構成され
ている。また、同図(b)に示す圧電/電歪素子34
は、圧電/電歪素子33とは端子の配設部位を異にする
もので、圧電/電歪層34a,34b,34c,34
d、これらの両圧電/電歪層間に介在し包囲する第1,
第2電極34e,34f、および、一対の端子34g,
34hにて構成されている。
各圧電/電歪デバイスの圧電/電歪素子12a,12
b、22a,22bとして、圧電/電歪デバイスの用途
に応じて適宜採用されるものである。
電/電歪層には圧電セラミックスが用いられるが、電歪
セラミックス、強誘電セラミックス、反強誘電セラミッ
クス等を用いることも可能である。但し、圧電/電歪デ
バイスをハードディスクドライブの磁気ヘッド位置決め
等に使用する場合には、取付部の変位量と駆動電圧また
は出力電圧とのリニアリティが重要であることから、歪
み履歴の小さい材料を用いることが好ましい。抗電界が
10kV/mm以下の材料を用いることが好ましい。
は、具体的には、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシ
ウムニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸
鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、
コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナト
リウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタ
ル酸ストロンチウムビスマス等の単独、または、これら
の適宜の混合物等を挙げることができる。特に、ジルコ
ン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛を主成分
とする材料、または、チタン酸ナトリウムビスマスを主
成分とする材料が好適である。
適宜の材料を添加して、圧電/電歪層の特性を調整する
ことができる。添加材としては、ランタン、カルシウ
ム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セシウム、
カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イッ
トリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸
化物、または、最終的に酸化物となる材料の単独、もし
くは、これらの適宜の混合物等を挙げることができる。
ン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛等に、ランタンやスト
ロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性
を調整し得る利点がある。なお、シリカ等のガラス化し
易い材料の添加は避けるべきである。何故ならば、シリ
カ等のガラス化し易い材料は、圧電/電歪層の熱処理時
に圧電/電歪層と反応し易く、その組成を変化させて圧
電特性を劣化させるからである。
極は、室温で固体であって、導電性に優れた金属材料で
形成されることが好ましい。金属材料としては、アルミ
ニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、
銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウ
ム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イ
リジウム、白金、金、鉛等の金属の単体、または、これ
ら金属の合金等を挙げることができる。また、これらの
金属材料に圧電/電歪層と同じ材料または異なる材料の
セラミックスを分散させてなるサーメット材料を用いる
こともできる。
歪層と各電極を互いに積層した状態で、一体的に焼成す
ることにより形成することが好ましい。この場合には、
電極としては、白金、パラジウム、またはこれらの合金
等の高融点金属材料からなるもの、高融点金属材料と圧
電/電歪層の形成材料や他のセラミックス材料との混合
物であるサーメット材料からなる電極を採用することが
好ましい。電極の厚みは、圧電/電歪素子の変位に影響
を及ぼす要因になることから、極力薄い薄膜状であるこ
とが好ましい。このため、圧電/電歪層と一体に焼成さ
れて形成される電極が極力薄い薄膜状となるためには、
電極を形成する材料は金属ペースト、例えば金レジネー
トペースト、白金レジネートペースト、銀レジネートペ
ースト等の形態で使用することが好ましい。
実施形態の圧電/電歪デバイスの圧電/電歪素子12
a,12b、22a,22bとして使用する場合には、
40μm〜180μmの範囲が好ましい。厚みが40μ
m未満である場合には、取扱い中に破損し易く、また、
厚みが180μmを越える場合には、デバイスの小型化
が困難となる。また、圧電/電歪素子は、圧電/電歪素
子33,34のごとく多層構造とすることによりその出
力を増加させて、デバイスの変位の拡大を図ることがで
きる。また、圧電/電歪素子を多層構造とすることによ
り、デバイスの剛性が向上することから、デバイスの共
振周波数が高くなって、デバイスの変位動作を高速化で
きる利点がある。
歪層と電極を印刷またはテープ成形により積層して焼成
してなる大面積の原板を、ダイサー、スライサー、ワイ
ヤーソウ等により所定寸法に多数個切出す手段で作成さ
れる。圧電/電歪素子31〜34は、公知のセラミック
ス基体に比較して薄くて硬度が低いため、原板の切削速
度を速く設定できて高速で大量に加工処理できる。
状構造であって取扱いが容易であり、また、表面積が小
さいため汚れの付着量が少なくて汚れを除去し易い。但
し、圧電/電歪素子は、セラミックス材料を主体とする
ことから、超音波洗浄では、適切な洗浄条件を設定する
必要がある。原板から切出された圧電/電歪素子におい
ては、US洗浄で精密洗浄した後、大気中、100℃〜
1000℃で熱処理することにより、セラミックス材料
の微細な気孔に入り込んでいる水分と有機物を完全に除
去するようにすることが好ましい。
a〜10g,20a〜20dを構成する圧電/電歪素子
12a,12b、22a,22bとして、各圧電/電歪
素子31〜34を採用する場合、各圧電/電歪素子31
〜34の基体に対する接着手段としては、エポキシ樹
脂、UV樹脂、ホットメルト接着剤等の樹脂系接着剤
や、ガラス、セメント、半田、ロウ材等の無機系の接着
剤を使用することが好ましく、また、樹脂系接着剤に金
属粉末やセラミックス粉末を混合したものを使用するこ
ともできる。接着剤の硬度はショアDで80以上が好ま
しい。
される表面の部位には、予め、ブラスト、エッチング、
めっき等の粗面加工を施しておくことが好ましい。接着
部位の表面粗さをRa=0.1μm〜5μm程度にする
ことにより、接着面積を広げて接着強度を向上させるこ
とができる。この場合、圧電/電歪素子側の接着部位の
表面も粗い方が好ましい。電極を基体とは導通させたく
ない場合には、最下層の圧電/電歪層の表面に電極を配
置しないようにする。
には、濡れ性をよくするために、圧電/電歪素子の表面
に金属材料の電極層を配置することが好ましい。接着剤
の厚みは、1μm〜50μmの範囲であることが好まし
い。接着剤の厚みは、薄い方がデバイスの変位および共
振特性のばらつきを減らす点、および省スペース化の点
で好ましいが、接着強度、変位、共振等の特性を確保す
るためには、採用する接着剤毎に最適の厚みを設定する
ようにする。
圧電/電歪素子の電極が基体の固定部側となるようにし
て、圧電/電歪素子が固定部の屈曲位置に完全にかかる
ように接着する。圧電/電歪素子は、基体の固定部側の
端部と一致させて接着することが好ましいが、圧電/電
歪素子の端子と外部端子との接続を容易にするために、
圧電/電歪素子を基体の端部から外方へ突出させて接着
してもよい。但し、圧電/電歪素子は、金属製である基
体に比較して破損し易いので、取扱いに注意が必要であ
る。
/電歪デバイスの範疇に属する第1圧電/電歪デバイス
10aにおいて、各圧電/電歪素子12a,12bとし
て圧電/電歪素子34を採用した例を示している。以下
では、当該実施形態の第1圧電/電歪デバイス10aを
本発明に係る圧電/電歪デバイスの基本構成を有する代
表例として、本発明に係る圧電/電歪デバイスの構成、
動作、作用効果等を、当該第1圧電/電歪デバイス10
aに基づいて詳細に説明する。
圧電/電歪素子34の一部が基体11の固定部11cに
位置する場合、図26に示すように、一対の可動部11
a,11bにおける取付部11dとの境界部と固定部1
1cとの境界部間の最短距離をLaとし、取付部11d
と可動部12a,12bとの境界部分から圧電/電歪素
子34の各電極34e,34fのいずれかの端部までの
短い方の距離をLbとするとき、(1−Lb/La)が
0.4以上であることが好ましく、一層好ましくは0.
5〜0.8である。この値が0.4未満である場合に
は、デバイスの変位を大きくとれない。この値が0.5
〜0.8である場合には、デバイスの変位と共振の両立
を達成し易い。この場合、可動部12a,12bの一方
にのみ、圧電/電歪素子34を接着する構成を採ること
もでき、より好ましい実施形態ということができる。な
お、圧電/電歪素子34の一部が取付部11dの一部に
位置する場合も同様である。
両圧電/電歪素子34の各電極34e,34fへの電圧
の印加は、各端子34g,34hを通して行われる。各
端子34g,34hの位置は、一方の電極34eに対す
る端子34gが固定部11cの後ろよりに形成され、他
方の電極34hに対する端子34hは固定部11cの内
壁よりに形成されている。いずれかの端子34g,34
hは、基体11と導通させることで、基体11のアース
と共有させて省略することができる。接着する圧電/電
歪素子34の幅は、基体11の接着部(可動部11a,
11bの接着部位)の幅と同一である必要はなく、異な
っていてもデバイスの機能上何等問題はない。
ば、基体11を板厚40μmのSUS304で形成され
て、全長1.9mm、全幅1.5mmの大きさに形成さ
れる。圧電/電歪素子12a,12bとして採用してい
る圧電/電歪素子34は、PZTを使用した4層構造体
であって、圧電/電歪層34a〜34dの1層の厚みが
15μm、各電極34e,34fは3μmの白金、各端
子34g,34hは金ペーストからなる薄膜である。各
圧電/電歪素子34は、1液の熱硬化エポキシ樹脂接着
剤で各可動部11a,11bの外側面に接着される。
歪デバイス10aにおいては、圧電/電歪素子34を駆
動電圧20±20Vの1kHzの正弦波で駆動させた場
合の取付部11dの変位を測定したところ、±1.5μ
mであった。また、正弦波電圧±0.5Vとして周波数
を掃引して変位の最大値を示す共振周波数を測定したと
ころ、45kHzであった。
動作を、上記した第1圧電/電歪デバイス10aに基づ
いて説明する。
各圧電/電歪素子12a,12b(34)に電圧が印加
されていない非作動時には図26に示す状態にあり、圧
電/電歪デバイス10aの長軸m(固定部11cの長
軸)と取付部11dの中心軸nとはほぼ一致している。
この状態で、例えば、図27(a)の波形図に示すよう
に、一方の圧電/電歪素子12bにおける一対の電極3
4e,34fに所定のバイアス電位Vbを有するサイン
波Wbをかけ、同図(b)に示すように、他方の圧電/
電歪素子12aにおける一対の電極34e,34fに、
前記サイン波Wbとはほぼ180度位相の異なるサイン
波Waをかける。
おける一対の電極34e,34fに対して、例えば、最
大値の電圧が印加された段階では、一方の圧電/電歪素
子12bにおける圧電/電歪層34a〜34dは、その
主面方向に収縮変位する。
aにおいては、例えば図28に示すように、一方の可動
部11bに対して図示右方向(矢印A方向)に撓ませる
応力が発生することから、可動部11bは同方向に撓
む。この場合、他方の圧電/電歪素子12aにおける一
対の電極34e,34fは、電圧が印加されない状態に
なるため、他方の可動部11aは一方の可動部11bの
撓みに追従して、可動部11bと同方向へ撓む。この結
果、両可動部11a,11bは、圧電/電歪デバイス1
0aの長軸mに対して、図示右方向へ変位する。この変
位の変位量は、各圧電/電歪素子12a,12bに対す
る印加電圧の最大値に応じて変化する。電圧の最大値が
大きくなるほど、変位量は大きくなる。
/電歪層34a〜34dの構成材料として、高い抗電界
を有する圧電/電歪材料を採用した場合には、図27
(a),(b)の2点鎖線の波形に示すように、最小値
のレベルがわずかに負のレベルとなるように、前記バイ
アス電位を調整するようにしてもよい。この場合、負の
レベルのバイアス電位が印加されている圧電/電歪素
子、例えば、他方の圧電/電歪素子12aの駆動によっ
て、例えば、他方の可動部11aに一方の可動部11b
の撓み方向と同方向の応力が発生し、取付部11dの変
位量をより大きくすることが可能となる。換言すれば、
図27(a),(b)におけるの2点鎖線で示す波形を
使用することにより、負のレベルのバイアス電位が印加
されている圧電/電歪素子12a,12bは、変位動作
の主体となっている圧電/電歪素子12b,12aをサ
ポートするという機能を持たせることができる。
aにおいては、圧電/電歪素子12a,12bの微小な
変位が、両可動部11a,11bの撓みを利用して大き
な変位動作に増幅されて両可動部11a,11bに伝達
されることになるため、取付部11dは、圧電/電歪デ
バイス10aの長軸mに対して大きく変位させることが
可能となる。
は、その機能を一層確実に発揮させるためには、下記の
ごとく配慮することが好ましい。すなわち、取付部11
dの変位動作を確実なものとするために、圧電/電歪素
子12a,12bの実質的駆動部分Lcが固定部11c
または取付部11dにかかる距離Ldを、可動部11
a,11bの厚みbの1/2以上とすることが好まし
い。また、可動部11a,11bの内壁間の距離c(X
軸方向の距離)と可動部11a,11bの幅d(Y軸方
向の距離)との比c/dが0.5〜20となるように構
成する。当該比c/dは、好ましくは1〜15であり、
さらに好ましくは1〜10である。当該比c/dの規定
値は、取付部11dの変位量を大きくし、X軸−Z軸平
面内での変位を支配的に得られることを知得したことに
基づく規定である。
実質的な可動長さe(Z軸方向の距離)と、可動部11
a,11bの内壁間の距離cとの比e/cは、好ましく
は0.5〜10であり、さらに好ましくは0.5〜5で
ある。取付部11dと可動部11a,11bとの連結部
の長さf1(Z軸方向の距離)、固定部11cと可動部
11a,11bとの連結部の長さf2(Z軸方向の距
離)は、短いことが好ましい。取付部11dを短くする
ことにより、デバイスの軽量化と共振周波数の増大を図
ることができる。しかしながら、取付部11dのX軸方
向の剛性を確保して、その変位を確実なものとするに
は、可動部11a,11bの厚みbとの比f1/b,f2
/bを2以上、好ましくは5以上とすることが好まし
い。また、基体11の屈曲位置L1から可動部12aま
での距離e1x、L1から固定部11cまたは取付部11
dまでの距離e1yは、(e1x/b)>1、(e1y/
b)>1であって、それぞれ2以上であることが好まし
い。
実寸法は、部品を取付けるための取付部11dの接着面
積、固定部11cを他の部材へ取付けるための接着面
積、電極用の端子等の取付けのための接着面積、デバイ
ス全体の強度、耐久性、必要な変位量および共振性、駆
動電圧等を考慮して設定することが肝要である。
bの内壁間の距離cは、好ましくは100μm〜200
0μm、さらに好ましくは200μm〜1600μmで
ある。可動部11a,11bの幅dは、好ましくは50
μm〜2000μm、さらに好ましくは100μm〜5
00μmである。可動部11a,11bの厚みbは、Y
軸方向への変位成分である煽り変位が効果的に抑制でき
るように、可動部11a,11bの幅dとの関係がd>
bであって、好ましくは2μm〜300μm、さらに好
ましくは10μm〜80μmである。
動長さeは、好ましくは200μm〜3000μm、さ
らに好ましくは300μm〜2000μmである。取付
部11dと可動部11a,11bとの連結長さf1、固
定部11cと可動部11a,11bとの連結長さf2
は、好ましくは50μm〜2000μm、さらに好まし
くは100μm〜1000μmである。
までの距離e1xは、好ましくは1μm〜300μm、
さらの好ましくは5μm〜80μmである。また、基体
11の屈曲位置L1から固定部11cまたは取付部11
dまでの距離e1yは、好ましくは1μm〜1000μ
m、好ましくは5μm〜500μmである。なお、基体
11の屈曲位置L2から可動部12aまでの距離(距離
e1xに対応する距離)、および、基体11の屈曲位置
L2から固定部11cまたは取付部11dまでの距離
(距離e1yに対応する距離)は、距離e1xおよび距離
e1yと同様である。
に構成することにより、X軸方向の変位に対するY軸方
向の変位を10%を超えないようにすることができる
が、上記した寸法比率と実寸法の範囲内で適宜設定する
ことにより低電圧での駆動が可能であり、X軸方向の変
位に対するY軸方向の変位を5%以下に抑制し得るとい
う優れた効果を奏する。換言すれば、取付部11dは、
実質的にX軸方向の1軸方向に変位することになって、
高速応答性に優れ、低電圧で大きな変位が得られるとい
う優れた特性を有する。
いては、その主要構成部材である基体11が特有の形状
を呈していて、可動部11a,11bが固定部11cお
よび取付部11dに対してほぼ直交状態にあって、リブ
のごとく機能するため、デバイスのY軸方向の剛性を高
く設定することができる。このため、当該圧電/電歪デ
バイス10aにおいては、取付部11dの動作を平面内
(X軸−Z軸平面内)のみに選択的に発生させることが
できて、取付部11dのY軸−Z軸平面内での動作、所
謂、煽り方向の動作を抑制することができる。
基体の固定部と取付部の形状を工夫することにより、ハ
ードディスクドライブのサスペンションのジンバルと、
デバイスの基体を一体化することも可能である。
/電歪デバイス10aの2つの変形例を示している。こ
れらの両変形例に係る圧電/電歪デバイス10a1,1
0a2は、基本的には、第1圧電/電歪デバイス10a
と同一構成であるが、圧電/電歪デバイス10a1にお
いては、基体11の固定部11cおよび取付部11dの
ほぼ中央部に、円形状の窪み部11c1,11d1がプレ
ス成形にて形成されており、また、圧電/電歪デバイス
10a2においては、基体11の固定部11cおよび取
付部11dのほぼ中央部に、円形状の貫通穴11c2,
11d2が打ち抜き加工にて形成されている。
基体11の固定部11cおよび取付部11dに設けた窪
み部11c1,11d1は、固定部11cおよび取付部1
1dに取付けられる部品を接着するための接着剤を収容
すべく機能するもので、窪み部11c1,11d1に収容
された接着剤により部品に対する接着強度を増加させる
ことができるとともに、接着剤の接着部位からのはみ出
しを防止することができる。
ては、基体11の固定部11cおよび取付部11dに設
けた貫通穴11c2,11d2は、固定部11cおよび取
付部11dへの部品の組立(接着)の際の位置決め基準
として機能するもので、後工程での組立精度を向上させ
て、製品の歩留まりを向上させることができる。
歪デバイス20e、第11圧電/電歪デバイス20f
は、本発明に係る第3の形式の圧電/電歪デバイスの範
疇に属する圧電/電歪デバイスである。これらの各圧電
/電歪デバイス20e,20fは、図31および図32
に示すように、左右一対の可動部、これら両可動部を一
端部側にて互いに連結する固定部、これら両可動部を他
端部側にて互いに連結して前記固定部とは互いに分離し
ている取付部、および、取付部と一体で取付部、各可動
部および固定部を包囲する連結部を有する基体と、同基
体の両可動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電/
電歪素子を具備することを基本構成とするものであり、
他の各実施形態の圧電/電歪デバイスとは、基体の構成
を大きく異にするものである。
0eを構成する基体24は、左右一対の可動部24a,
24b、両可動部24a,24bを一端部側にて互いに
連結する固定部24c、両可動部24a,24bを他端
部側にて互いに連結する取付部24d、および、取付部
24dと一体の連結部24eを具備している。
10gを構成する基体18に連結部が付加されている形
状のものであって、基体24の連結部24eは、中央部
に方形の開口部24f1を有する平板状を呈していて、
開口部24f1内に、可動部24a,24b、固定部2
4cおよび取付部24dが一体の状態で位置している。
当該連結部24eにおいては、基体24の主要構成部位
を包囲していて、連結部24eの両側縁部24e1,2
4e2がバネ機能を有している。
示すように、連結部24eを構成することとなる方形状
の開口部24f1と、可動部24a,24b、固定部2
4cおよび取付部24dを一体に構成することとなる門
形状の開口部24f2を有するもので、同図(a)に示
す2点鎖線L1,L2に沿って屈曲加工することにより、
同図(b)に示す基体24が形成される。このように形
成された基体24には、各可動部24a,24bの外側
面に各圧電/電歪素子22a,22bを接着することに
より、図31に示す第10圧電/電歪デバイス20eが
形成される。
第7圧電/電歪デバイス10gとは同一の機能を有する
とともに、略同様の作用効果を奏するものであるが、特
に、バネ機能を有する連結部24eを一体に具備してい
ることから、当該連結部24eを、ハードディスクドラ
イブを構成するサスペンションのジンバルとして機能さ
せることができる。換言すれば、当該基体24は、ジン
バルの機能を併せて有するものである。
0fを構成する基体25は、左右一対の可動部25a,
25b、両可動部25a,25bを一端部側にて互いに
連結する固定部25c、両可動部25a,25bを他端
部側にて互いに連結する取付部25d、および、取付部
25dと一体の連結部25eを具備している。
10gを構成する基体18に連結部が付加されている形
状のものであって、基体25の連結部25eは、中央部
に門形状の開口部25f1を有するとともに、先端部側
に一端側が開放された方形状の開口部25f2を有する
平板状を呈していて、開口部25f2内に、可動部25
a,25b、固定部25cおよび取付部25dが一体の
状態で位置している。当該連結部25eにおいては、基
体25の主要構成部位を包囲していて、連結部25eの
外側の両側縁部25e1,25e2、および、内側の両側
縁部25e3,25e4がバネ機能を有している。
示すように、連結部25eを構成することとなる門形状
の開口部25f1および方形状の開口部25f2と、可動
部25a,25b、固定部25cおよび取付部25dを
一体に構成することとなる門形状の開口部25f3を有
するもので、同図(a)に示す2点鎖線L1,L2に沿っ
て屈曲加工することにより、同図(b)に示す基体25
が形成される。このように形成された基体25には、各
可動部25a,25bの外側面に各圧電/電歪素子22
a,22bを接着することにより、図33に示す第11
圧電/電歪デバイス20fが形成される。
第7圧電/電歪デバイス10gとは同一の機能を有する
とともに、略同様の作用効果を奏するものであるが、特
に、バネ機能を有する連結部25eを一体に具備してい
ることから、当該連結部25eを、ハードディスクドラ
イブを構成するサスペンションのジンバルとして機能さ
せることができる。換言すれば、当該基体25は、ジン
バルの機能を併せて有するものである。また、当該11
圧電/電歪デバイス20fにおいては、第10圧電/電
歪デバイス20eに比較してより高いバネ機能を有する
ことから、ジンバルの機能をより的確に発揮し得る。
/電歪デバイスである第10圧電/電歪デバイス20e
を搭載したハードディスクドライブ40を示している。
当該ハードディスクドライブ40は、サスペンションを
備えた公知のもので、ベース41上にはボイスコイル4
2およびマグネット43を備えていて、ベース41上に
設けたアーム44に、第10圧電/電歪デバイス20e
を搭載したサスペンション45が取付けられている。な
お、符号46は磁気ディスクを示す。
20eは、図36に示すように、基体24の固定部24
c上に磁気ヘッド47(スライダー)を接着剤を介して
固定されていて、基体24の連結部24eにおける取付
部24d側の裏面側にて、サスペンション45の裏面側
に、スポット溶接等の手段で固定されている。当該第1
0圧電/電歪デバイス20eのこのような取付構造で
は、基体24の連結部24eが従来のジンバルの機能を
有していて、当該第10圧電/電歪デバイス20eのサ
スペンション45への搭載には、従来のジンバルの使用
を省略できる利点がある。
の実施形態を示す斜視図(a)〜(i)である
デバイスの被制御部品を搭載した状態の斜視図である。
の斜視図(a)、および同原板を屈曲加工して形成され
た基体の斜視図(b)である。
斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイス
の斜視図(b)である。
デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、および
同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)で
ある。
斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイス
の斜視図(b)である。
デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、および
同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)で
ある。
斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイス
の斜視図(b)である。
デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、および
同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)で
ある。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
歪デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、およ
び同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)
である。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
歪デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、およ
び同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)
である。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
スを構成する基体の原板の斜視図(a)、および同原板
を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)である。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
歪デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、およ
び同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)
である。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
す被制御部品を搭載した状態の斜視図である。
す斜視図である。
歪デバイスを構成する基体の原板の斜視図(a)、およ
び同原板を屈曲加工して形成された基体の斜視図(b)
である。
す斜視図(a)、および組立てられた圧電/電歪デバイ
スの斜視図(b)である。
圧電/電歪素子に採用される2例の各圧電/電歪素子の
斜視図(a),(b)である。
圧電/電歪素子に採用される他の2例の各圧電/電歪素
子の斜視図(a),(b)である。
電/電歪素子を採用してなる第1圧電/電歪デバイスの
斜視図である。
である。
印加される電圧の波形図である(a),(b)である。
ある。
す斜視図である。
す斜視図である。
電歪デバイスの斜視図である。
の斜視図(a)、および、
電歪デバイスの斜視図である。
の斜視図(a)、および、同原板を屈曲加工して形成さ
れた基体の斜視図(b)である。
ディスクドライブの斜視図である。
ョンの平面図(a)、および、同側面図(b)である。
ス、11…基体、11A…原板、11a,11b…可動
部、11c…固定部、11d…取付部、11c1,11
d1…窪み部、11c2,11d2…貫通穴、11e…開
口部、11e1,11e2…側方溝部、11e3…中央溝
部、12a,12b…圧電/電歪素子、13…基体、1
3A…原板、13a,13b…可動部、13a1,13
b1…円弧状の屈曲部、13c…固定部、13d…取付
部、13e…開口部、14…基体、14A…原板、14
a,14b…可動部、14a1,14b1…薄肉部、14
c…固定部、14d…取付部、14e…開口部、15…
基体、15A…原板、15a,15b…可動部、15c
…固定部、15d…取付部、15e…開口部、15f,
15g…補強部、16…基体、16A…原板、16a,
16b…可動部、16c…固定部、16d…取付部、1
6e…開口部、16f,16g…補強部、17…基体、
17A…原板、17a,17b…可動部、17c…固定
部、17d…取付部、17e…開口部、17f…補強部
材、18…基体、18A…原板、18a,18b…可動
部、18c…固定部、18d…取付部、18e…開口
部、20a,20b,20c、20d、20e,20f
…圧電/電歪デバイス、21…基体、21A…原板、2
1a,21b…可動部、21a1,21b1…先端側内
面、21a2,21b2…折曲部、21a3,21b3…屈
折部、21c…固定部、21d…開口部、21d1,2
1d2…側方溝部、21d3…開口部位、22a,22b
…圧電/電歪素子、23…基体、23A…原板、23
a,23b…可動部、23c…固定部、23d…取付
部、23e…開口部、24…基体、24A…原板、24
a,24b…可動部、24c…固定部、24d…取付
部、24e…連結部、24e1,24e2…側縁部、24
f1,24f2…開口部、25…基体、25A…原板、2
5a,25b…可動部、25c…固定部、25d…取付
部、25e…連結部、25e1,25e2,25e3,2
5e4…側縁部、25f1,25f2,25f3…開口部、
31,32,33,34…圧電/電歪素子、31a、3
2a,32b、33a〜33d、34a〜34d…圧電
/電歪層、31b,31c、32c,32d、33e,
33f、34e,34f…電極、31d,31d、32
e、32f、33g,33h、34g,34h…端子。
40…ハードディスクドライブ、41…ベース、42…
ボイスコイル、43…マグネット、44…アーム、45
…サスペンション、46…磁気ディスク、47…磁気ヘ
ッド。
Claims (25)
- 【請求項1】左右一対の可動部およびこれら両可動部を
一端部側にて互いに連結する固定部を有する基体と、同
基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面に配設した
圧電/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイスであり、
前記基体は1枚の平板にて構成されていて、前記固定部
は平板状を呈し、前記各可動部は、前記固定部の各側縁
部から所定高さ起立して互いに対向して、固定部の各側
縁部に沿って同固定部の他端部を越えて延出しているこ
とを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項2】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体を構成する各可動部の基部と前記固定部
の側縁部間には、同固定部の他端部側から延びるスリッ
ト状溝部が介在していることを特徴とする圧電/電歪デ
バイス。 - 【請求項3】左右一対の可動部、これら両可動部を一端
部側にて互いに連結する固定部、および、これら両可動
部を他端部側にて互いに連結して前記固定部とは互いに
分離している取付部を有する基体と、同基体の前記両可
動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電/電歪素子
を具備する圧電/電歪デバイスであり、前記基体は1枚
の平板にて構成されていて、前記固定板および前記取付
板は平板状を呈し、前記各可動部は、前記固定部および
前記取付部の各側縁部から所定高さ起立して互いに対向
して、同固定部および前記取付部の各側縁部に沿って延
びていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項4】請求項3に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体を構成する前記固定部の他端部と前記取
付部の一端部間には横方向に延びるスリット状溝部が介
在し、かつ、前記各可動部の基部と前記固定部および前
記取付部の側縁部間には縦方向に延びるスリット状溝部
が介在していることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項5】請求項3に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体を構成する前記固定部の他端部と前記取
付部の一端部間には、横方向および縦方向に延びる方形
状の溝部が介在していることを特徴とする圧電/電歪デ
バイス。 - 【請求項6】左右一対の可動部、これら両可動部を一端
部側にて互いに連結する固定部、これら両可動部を他端
部側にて互いに連結して前記固定部とは互いに分離して
いる取付部、および、同取付部と一体で同取付部、前記
各可動部および前記固定部を包囲する連結部を有する基
体と、同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面に
配設した圧電/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイス
であり、前記基体は1枚の平板にて構成されていて、前
記固定板および前記取付板は平板状を呈し、前記各可動
部は、前記固定部および前記取付部の各側縁部から所定
高さ起立して、互いに対向して同固定部および前記取付
部の各側縁部に沿って延び、かつ、前記各可動部、前記
固定部および前記取付部は前記連結部の中央空間部内に
位置していることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項7】請求項6に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記連結部の前記中央空間部における前記固定部
の一端部側は閉鎖状態にあることを特徴とする圧電/電
歪デバイス。 - 【請求項8】請求項6に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記連結部の前記中央空間部における前記固定部
の一端部側は開放状態にあることを特徴とする圧電/電
歪デバイス。 - 【請求項9】請求項1または2に記載の圧電/電歪デバ
イスにおいて、前記基体を構成する前記各可動部の基部
と前記固定部の各側縁部間の連結部は円弧状を呈してい
ることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項10】請求項3,4,5,6,7,8または9
に記載の圧電/電歪デバイスにおいて、前記基体を構成
する前記各可動部の基部と前記固定部および前記取付部
の各側縁部間の連結部は円弧状を呈していることを特徴
とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項11】請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9または10に記載の圧電/電歪デバイスにおい
て、前記基体を構成する前記各可動部は、長さ方向の中
間部位が他の部位に比較して薄く形成されていることを
特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項12】請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9,10または11に記載の圧電/電歪デバイスに
おいて、前記基体を構成する前記各可動部は前記固定部
側の端部に、同端部の上縁から屈曲して延びて前記固定
部の表面に当接する補強部を具備していることを特徴と
する圧電/電歪デバイス。 - 【請求項13】請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9,10または11に記載の圧電/電歪デバイスに
おいて、前記基体を構成する前記各可動部は前記固定部
側の端部に、同端部の端縁から屈曲して内側へ延びて前
記固定部の表面に当接する補強部を具備していることを
特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項14】請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9,10または11に記載の圧電/電歪デバイスに
おいて、前記基体を構成する前記固定部における前記各
可動部間に補強部材が介在していることを特徴とする圧
電/電歪デバイス。 - 【請求項15】請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9,10,11,12,13または14に記載の圧
電/電歪デバイスにおいて、前記基体を構成する前記固
定部は前記各可動部の一端部側から延出していて、前記
各可動部内に位置する場合に比較して拡大されているこ
とを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項16】請求項3,4,5,6,7,8,9,1
0,11,12,13または14に記載の圧電/電歪デ
バイスにおいて、前記基体を構成する前記取付部は前記
各可動部の他端部側から延出していて、前記各可動部内
に位置する場合に比較して拡大されていることを特徴と
する圧電/電歪デバイス。 - 【請求項17】請求項1,2,4,5,6,7,8,
9,10,12,13,14,15または16に記載の
圧電/電歪デバイスにおいて、前記基体は金属製の平板
にて構成されていることを特徴とする圧電/電歪デバイ
ス。 - 【請求項18】左右一対の可動部およびこれら両可動部
を一端部側にて互いに連結する固定部を有する基体と、
同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面に配設し
た圧電/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイスを製造
する方法であり、前記基体の形成材料として可撓性で屈
曲加工の可能な平板を採用して同平板を、前記基体を平
面状に展開した形状に打抜き加工して打抜構造体を形成
し、同打抜構造体の所定の部位を屈曲して前記各可動部
および前記固定部を有する基体を形成することを特徴と
する圧電/電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項19】請求項18に記載の圧電/電歪デバイス
の製造方法において、前記打抜構造体は、方形の平板の
左右の側部に側縁部に沿って延びる一対の直線状の側方
溝部とこれら両溝部間の部位を切欠いた開口部からなる
門形形状の開口部を有していて、前記平板の各側縁部を
前記側方溝部に沿って屈曲加工することにより、前記各
側縁部を前記各可動部に形成するとともに、前記各側方
溝部間の部位を前記固定部に形成することを特徴とする
圧電/電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項20】左右一対の可動部、これら両可動部を一
端部側にて互いに連結する固定部、および、これら両可
動部を他端部側にて互いに連結して前記固定部とは互い
に分離している取付部を有する基体と、同基体の前記両
可動部の少なくとも一方の側面に配設した圧電/電歪素
子を具備する圧電/電歪デバイスを製造する方法であ
り、前記基体の形成材料として可撓性で屈曲加工の可能
な平板を採用して同平板を、前記基体を平面状に展開し
た形状に打抜き加工して打抜構造体を形成し、同打抜構
造体の所定の部位を屈曲して前記各可動部および前記固
定部を有する基体を形成することを特徴とする圧電/電
歪デバイスの製造方法。 - 【請求項21】請求項20に記載の圧電/電歪デバイス
の製造方法において、前記打抜構造体は、方形の平板の
左右の側部に側縁部に沿って延びる一対の直線状の側方
溝部とこれら両側方溝部を中間部にて互いに連結する直
線状の中央溝部からなるH形状の開口部を有していて、
前記平板の各側縁部を前記側方溝部に沿って屈曲加工す
ることにより、前記各側縁部を前記各可動部に形成する
とともに、前記各側方溝部間の部位を前記固定部および
前記取付部に形成することを特徴とする圧電/電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項22】請求項20に記載の圧電/電歪デバイス
の製造方法において、前記打抜構造体は方形の平板の中
央部に方形の開口部を有していて、前記平板の各側縁部
を前記開口部の側縁部に沿って屈曲加工することによ
り、前記各側縁部を前記各可動部に形成するとともに、
前記各側方溝部間の部位を前記固定部および前記取付部
に形成することを特徴とする圧電/電歪デバイスの製造
方法。 - 【請求項23】左右一対の可動部、これら両可動部を一
端部側にて互いに連結する固定部、これら両可動部を他
端部側にて互いに連結して前記固定部とは互いに分離し
ている取付部、および、同取付部と一体で同取付部、前
記各可動部および前記固定部を包囲する連結部を有する
基体と、同基体の前記両可動部の少なくとも一方の側面
に配設した圧電/電歪素子を具備する圧電/電歪デバイ
スを製造する方法であり、前記基体の形成材料として可
撓性で屈曲加工の可能な平板を採用して同平板を、前記
基体を平面状に展開した形状に打抜き加工して打抜構造
体を形成し、同打抜構造体の所定の部位を屈曲して前記
各可動部、前記固定部、前記取付部および前記連結部を
有する基体を形成することを特徴とする圧電/電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項24】請求項23に記載の圧電/電歪デバイス
の製造方法において、前記打抜構造体は方形の平板の中
央開口部の内部に方形の平板部を有するとともに、同平
板部の左右の側部に側縁部に沿って延びる一対の直線状
の側方溝部とこれら両側方溝部を中間部にて互いに連結
する直線状の中央溝部からなるH形状の開口部を有して
いて、前記平板部の各側縁部を前記側方溝部に沿って屈
曲加工することにより、前記各側縁部を前記各可動部に
形成し、前記各側方溝部間の部位を前記固定部および前
記取付部に形成し、かつ、前記中央開口部の外周の部位
を前記連結部に形成することを特徴とする圧電/電歪デ
バイスの製造方法。 - 【請求項25】請求項18,19,20,21,22,
23または24に記載の圧電/電歪デバイスの製造方法
において、前記打抜構造体の開口部は、前記平板の打抜
き加工と同時に打抜きして形成され、または、前記平板
の打抜き加工後の穴開け加工にて形成されていることを
特徴とする圧電/電歪デバイスの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001076314A JP4007767B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-03-16 | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
US10/046,331 US6798119B2 (en) | 2001-01-18 | 2002-01-14 | Piezoelectric/electrostrictive device and method of producing the same |
EP20020250298 EP1225644B1 (en) | 2001-01-18 | 2002-01-16 | Piezoelectric/electrostrictive device and method of producing the same |
DE2002625362 DE60225362T2 (de) | 2001-01-18 | 2002-01-16 | Piezoelektrisches/elektrostriktives Bauelement und dessen Herstellungsverfahren |
US10/862,845 US7024739B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-06-07 | Method of producing a piezoelectric/electrostrictive device |
US11/206,252 US7345406B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-08-17 | Piezoelectric/electrostrictive device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-10622 | 2001-01-18 | ||
JP2001010622 | 2001-01-18 | ||
JP2001076314A JP4007767B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-03-16 | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007198469A Division JP4587232B2 (ja) | 2001-01-18 | 2007-07-31 | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002289936A true JP2002289936A (ja) | 2002-10-04 |
JP4007767B2 JP4007767B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=26607908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001076314A Expired - Fee Related JP4007767B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-03-16 | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6798119B2 (ja) |
EP (1) | EP1225644B1 (ja) |
JP (1) | JP4007767B2 (ja) |
DE (1) | DE60225362T2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299713A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
JP2004319712A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 圧電トランス装置およびその製造方法 |
EP1424737A3 (en) * | 2002-11-28 | 2006-04-05 | TDK Corporation | Actuator and method of making the same |
US7181825B2 (en) | 2003-05-12 | 2007-02-27 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method and mechanism of PZT micro-actuator attachment for the hard disk driver arm |
JP2007228782A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイス |
JP2007534172A (ja) * | 2004-04-23 | 2007-11-22 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 微小電気機械装置 |
US7377190B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-05-27 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | Method and mechanism of the suspension resonance optimization for the hard disk driver |
JP2013004165A (ja) * | 2011-06-11 | 2013-01-07 | Nhk Spring Co Ltd | 遠隔駆動の回転ヘッド形デュアルステージアクチュエータ |
JP2014022015A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022016A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022014A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022013A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
WO2015129393A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 株式会社Lixil | 発電装置および圧電装置 |
JP2015164154A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 株式会社Lixil | 圧電装置 |
JP2019185843A (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-24 | マグネコンプ コーポレーションMagnecompcorporation | 垂直結合及び風損制御用に構成されたディスクドライブサスペンション |
JP2023113601A (ja) * | 2019-07-08 | 2023-08-16 | マグネコンプ コーポレーション | 共振改善のための多層アクチュエータ電極構成 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60035932T2 (de) | 1999-10-01 | 2008-05-15 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Piezoelektrisches/elektrostriktives Bauelement und dessen Herstellungsverfahren |
JP3965515B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
JP4058223B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2008-03-05 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
US7345406B2 (en) * | 2001-01-18 | 2008-03-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
JP4033643B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2008-01-16 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
GB2388741B (en) * | 2002-05-17 | 2004-06-30 | Morgan Crucible Co | Transducer assembly |
JP4492349B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動体 |
US7333298B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-02-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magnetic head actuator and magnetic disk drive using the same |
KR100747459B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 모듈의 충돌 방지가 보장되는 멀티태스킹 방법 및 이동단말기 |
JP2007158276A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイス及び圧電/電歪デバイスの駆動方法 |
US7269003B1 (en) * | 2006-08-09 | 2007-09-11 | D-Link Corporation | External box for hard disk drives |
US7884526B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-02-08 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US7843108B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-11-30 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US20080247088A1 (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-09 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Micro-actuator having at least one segmented flexible side arm, and method of making the same |
US8085508B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-12-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for flexure-integrated microactuator |
JP2011061895A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Olympus Corp | 超音波モータ機構 |
JP6398771B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-10-03 | Tdk株式会社 | 圧電組成物および圧電素子 |
MX2020008375A (es) | 2018-02-08 | 2020-09-25 | Yissum Res Dev Co Of Hebrew Univ Jerusalem Ltd | Compuestos de heteroarilo, composiciones farmaceuticas de los mismos y su uso terapeutico. |
JP2022535850A (ja) | 2019-06-03 | 2022-08-10 | バイオセリックス, インコーポレイテッド | ピラゾール化合物の非吸湿性結晶塩、ならびにその医薬組成物および使用 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2492393A (en) * | 1946-04-12 | 1949-12-27 | Daniel Smilo And Sons Inc | Mesh link construction |
GB1328931A (en) * | 1972-03-23 | 1973-09-05 | Creed Co Ltd | Piezoelectric transducer motor arrangement |
EP0008788B1 (de) * | 1978-09-05 | 1982-06-23 | Deibele GmbH & Co. | Vorrichtung zur Wärmedämmung an Gewächshäusern |
GB2050671B (en) | 1979-06-09 | 1983-08-17 | Sony Corp | Rotary transducer head assemblies |
JPS5760528A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Sony Corp | Head supporting in recorder and reproducer |
DE3332949A1 (de) * | 1983-09-13 | 1985-04-04 | Finnigan MAT GmbH, 2800 Bremen | Vorrichtung zur einstellung von spaltweiten bei spektrometern |
JPS6364640A (ja) | 1986-09-06 | 1988-03-23 | Olympus Optical Co Ltd | アクチユエ−タ |
US5166571A (en) * | 1987-08-28 | 1992-11-24 | Nec Home Electronics, Ltd. | Vibration gyro having an H-shaped vibrator |
JPH01180766U (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-26 | ||
US5049775A (en) * | 1988-09-30 | 1991-09-17 | Boston University | Integrated micromechanical piezoelectric motor |
US5227937A (en) * | 1991-03-14 | 1993-07-13 | Ampex Corporation | Side-stiffened flexural pantographic mount for positioning a magnetic transducing head assembly |
US5745319A (en) * | 1992-08-12 | 1998-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording/reproducing apparatus with coarse and fine head positioning actuators and an elastic head gimbal |
US5434731A (en) * | 1992-11-12 | 1995-07-18 | Seagate Technology, Inc. | Process for making a one-piece flexure for small magnetic heads |
US5500777A (en) * | 1993-05-19 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head drive which uses independently controlled piezo-electric elements |
US5901014A (en) * | 1993-08-10 | 1999-05-04 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head and assembly configured to reduce risk of discharge between the coil and the core slider |
US5708320A (en) * | 1994-10-28 | 1998-01-13 | Alps Electric Co., Ltd | Vibratory gyroscope |
JP3235099B2 (ja) * | 1994-11-07 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 圧電アクチュエータおよびそれを用いた焦電型赤外線センサ |
JP3166530B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2001-05-14 | ブラザー工業株式会社 | インク噴射装置 |
FR2734051B1 (fr) * | 1995-05-10 | 1997-06-20 | France Etat | Transducteur a bilames piezolectriques |
JP3333367B2 (ja) | 1995-12-04 | 2002-10-15 | 富士通株式会社 | ヘッドアクチュエータ |
JPH1021519A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Sony Corp | 磁気ヘッド装置 |
US5747915A (en) * | 1996-08-19 | 1998-05-05 | Sandia Corporation | Bent shaft motor |
US5877042A (en) * | 1996-08-28 | 1999-03-02 | Motorola, Inc. | Glass/Metal package and method for producing the same |
JPH10136665A (ja) | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Tdk Corp | 圧電アクチュエータ |
US6246552B1 (en) | 1996-10-31 | 2001-06-12 | Tdk Corporation | Read/write head including displacement generating means that elongates and contracts by inverse piezoelectric effect of electrostrictive effect |
DE19882261T1 (de) * | 1997-03-31 | 2000-02-24 | Seagate Technology | Mikrobetätiger mit Biegeelement |
JPH1126834A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshio Fukuda | Pzt薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法 |
EP1152401A4 (en) * | 1998-09-16 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | HEAD SUPPORT MECHANISM, INFORMATION RECORDING / REPRODUCING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING A HEAD SUPPORT MECHANISM |
US6198606B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-03-06 | Seagate Technology Llc | Disc drive actuation system having an injection molded magnetic micro-actuator with metal beam inserts and its method of fabrication |
JP4058223B2 (ja) | 1999-10-01 | 2008-03-05 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
US6404109B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-06-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device having increased strength |
DE60035932T2 (de) | 1999-10-01 | 2008-05-15 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Piezoelektrisches/elektrostriktives Bauelement und dessen Herstellungsverfahren |
HK1039533A1 (en) | 1999-10-01 | 2002-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
JP3436735B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2003-08-18 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
US6525448B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-02-25 | Ngk Insulators Ltd | Piezoelectric/electrostrictive device |
JP2002133803A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Tdk Corp | ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータ、該アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えたディスク装置、該アクチュエータの製造方法及び該ヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076314A patent/JP4007767B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-14 US US10/046,331 patent/US6798119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-16 EP EP20020250298 patent/EP1225644B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-16 DE DE2002625362 patent/DE60225362T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-07 US US10/862,845 patent/US7024739B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299713A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 |
EP1424737A3 (en) * | 2002-11-28 | 2006-04-05 | TDK Corporation | Actuator and method of making the same |
EP1424738A3 (en) * | 2002-11-28 | 2006-04-05 | TDK Corporation | Actuator and method of making the same |
US7050271B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-05-23 | Tdk Corporation | Actuator having doped silicon arms and method of making the same |
US7119994B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-10-10 | Tdk Corporation | Actuator having a pair of arms with piezoelectric devices attached thereto and methods of making the same |
JP2004319712A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 圧電トランス装置およびその製造方法 |
US7501737B2 (en) | 2003-05-12 | 2009-03-10 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method and mechanism of PZT micro-actuator attachment for the hard disk driver arm |
US7181825B2 (en) | 2003-05-12 | 2007-02-27 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method and mechanism of PZT micro-actuator attachment for the hard disk driver arm |
US7377190B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-05-27 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | Method and mechanism of the suspension resonance optimization for the hard disk driver |
JP2007534172A (ja) * | 2004-04-23 | 2007-11-22 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 微小電気機械装置 |
JP2007228782A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイス |
JP2013004165A (ja) * | 2011-06-11 | 2013-01-07 | Nhk Spring Co Ltd | 遠隔駆動の回転ヘッド形デュアルステージアクチュエータ |
JP2014022016A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022015A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022014A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
JP2014022013A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用サスペンション |
WO2015129393A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 株式会社Lixil | 発電装置および圧電装置 |
JP2015164154A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 株式会社Lixil | 圧電装置 |
JP2019185843A (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-24 | マグネコンプ コーポレーションMagnecompcorporation | 垂直結合及び風損制御用に構成されたディスクドライブサスペンション |
JP7262281B2 (ja) | 2018-04-11 | 2023-04-21 | マグネコンプ コーポレーション | 垂直結合及び風損制御用に構成されたディスクドライブサスペンション |
JP2023113601A (ja) * | 2019-07-08 | 2023-08-16 | マグネコンプ コーポレーション | 共振改善のための多層アクチュエータ電極構成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6798119B2 (en) | 2004-09-28 |
US20020093271A1 (en) | 2002-07-18 |
DE60225362T2 (de) | 2009-03-26 |
DE60225362D1 (de) | 2008-04-17 |
US20040216289A1 (en) | 2004-11-04 |
EP1225644A2 (en) | 2002-07-24 |
EP1225644B1 (en) | 2008-03-05 |
US7024739B2 (en) | 2006-04-11 |
EP1225644A3 (en) | 2005-09-07 |
JP4007767B2 (ja) | 2007-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002289936A (ja) | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 | |
US7378778B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of producing the same | |
JP4460742B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
WO2001026167A1 (fr) | Dispositif piezo-electrique / electrostrictif et procede de fabrication correspondant | |
WO2001026169A1 (fr) | Dispositif piezo-electrique / electrostrictif et procede de fabrication correspondant | |
WO2001097296A1 (fr) | Dispositif piezoelectrique/electrostrictif et son procede de fabrication | |
JP4851476B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
US6657364B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device | |
US6525448B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device | |
US7345406B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device | |
JP4566439B2 (ja) | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 | |
JP4587232B2 (ja) | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 | |
JP4747795B2 (ja) | アクチュエータ、スライダユニット、サスペンション及びハードディスク装置、並びにこれらに用いられる圧電素子 | |
JP2002026411A (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
HK1045021A (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of producing the same | |
EP1089355B1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device | |
JP2001315100A (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
WO2016076361A1 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2002026413A (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP2006019520A (ja) | 圧電/電歪デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070828 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |