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JP2002250826A - チップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュール - Google Patents

チップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュール

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Publication number
JP2002250826A
JP2002250826A JP2001046663A JP2001046663A JP2002250826A JP 2002250826 A JP2002250826 A JP 2002250826A JP 2001046663 A JP2001046663 A JP 2001046663A JP 2001046663 A JP2001046663 A JP 2001046663A JP 2002250826 A JP2002250826 A JP 2002250826A
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JP
Japan
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chip
wafer
contour
shape
cutting
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001046663A
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English (en)
Inventor
Shinya Watanabe
真也 渡邊
Hiroyuki Kato
弘之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to US10/067,320 priority patent/US6707133B2/en
Priority to CA002371630A priority patent/CA2371630C/en
Priority to EP09155417A priority patent/EP2083292A3/en
Priority to EP02251244A priority patent/EP1239310B1/en
Publication of JP2002250826A publication Critical patent/JP2002250826A/ja
Priority to US10/648,276 priority patent/US20040036147A1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アレイ導波路格子のようにウェハ上における
素子全体の占有する形状が矩形以外の形状となっている
ものについて、1つのウェハからより多くの収量を得る
ことのできるチップ、そのチップの製造方法およびその
チップを収容したチップ収容モジュールを得ること。 【解決手段】 ウェハ101上には、同一方向に凸型と
なった2つの曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端
部を互いに平行な2本の直線で結んだ弓形の領域に、そ
れぞれアレイ導波路格子のパターン102が形成されて
いる。これらを直線状の切断パス103Aと、互いに同
一形状の弓形を2つ横方向に連続させた曲線状の切断パ
ス103Bで切り出すことで、アレイ導波路格子のパタ
ーン102を矩形形状で切り出した場合よりも多くのチ
ップを製造することができる。切り出しには、超音波加
工技術やサンドブラスト加工技術等を使用することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、占有する平面形状
が矩形以外の形状となる素子をウェハから切断して得ら
れるチップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュ
ールに係わり、一例としてはアレイ導波路格子チップ、
アレイ導波路格子チップ製造方法のようなチップ、チッ
プの製造方法およびチップ収容モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】伝送するデータの大容量化と共に、光フ
ァイバ通信システムで伝送容量の拡大が望まれている。
このために、高密度波長分割多重通信方式(Dense Wave
lengthDivision Multiplexing:DWDM)で、それぞれの
波長を分割したり統合するための合分波デバイスとして
の光波長フィルタの重要性がますます高まっている。
【0003】光波長フィルタにはさまざまな形態のもの
がある。中でもアレイ導波路格子は、波長特性が狭帯域
で高消光比であり、また多入力多出力のフィルタデバイ
スとしての特徴を備えている。このため、多重化された
信号の分離やその逆の動作を行わせることが可能であ
り、容易に波長合分波デバイスを構成することができる
という利点がある。更にアレイ導波路格子を石英導波路
を使用して構成すると、光ファイバとの結合に優れ、挿
入損失が数dB(デシベル)程度の低挿入損失動作を実
現することができる。このような点から、アレイ導波路
格子は光波長フィルタの中でも特に重要なデバイスとし
て注目されており、国内外で盛んに研究が行われてい
る。
【0004】図15は、従来のアレイ導波路格子の全体
的な構成を表わしたものである。アレイ導波路格子10
は、基板11上に形成された1または複数の入力導波路
12と、複数の出力導波路13と、異なった曲率でそれ
ぞれ一定方向に曲がったチャネル導波路アレイ14と、
入力導波路12とチャネル導波路アレイ14を接続する
入力側スラブ導波路15と、チャネル導波路アレイ14
と出力導波路13を接続する出力側スラブ導波路16と
によって構成されている。入力導波路12から入射した
多重信号光は、入力側スラブ導波路15によってその進
路を広げられ、チャネル導波路アレイ14に入射する。
【0005】チャネル導波路アレイ14では、これを構
成する各アレイ導波路の間に一定の光路長差が設けられ
ており、光路長が順次長く、あるいは短くなるように設
定されている。したがって、それぞれのアレイ導波路を
導波する光には一定間隔ずつの位相差が付けられて出力
側スラブ導波路16に到達するようになっている。実際
には波長分散があるので、波長によってその等位相面が
傾く。この結果、波長によって出力側スラブ導波路16
と出力導波路13の界面上の異なった位置に光が結像
(集光)する。波長に対応したそれぞれの位置に出力導
波路13が配置されているので、出力導波路13からは
任意の波長成分を取り出すことが可能になる。
【0006】ところでこのようなアレイ導波路格子10
は、シリコン基盤や石英基盤といったウェハ上に形成す
るのが一般的である。ウェハはほぼ円盤に近い形状をし
ており、この上にアレイ導波路格子10を複数形成して
これらを切り出してチップ化している。チップ化に際し
ては、従来からブレードと呼ばれる刃を所定の切断方向
に沿って走査するダイシングと呼ばれる技術が使用され
ている。
【0007】図16は、従来におけるウェハ上でのアレ
イ導波路格子の切断のためのレイアウトの一例を示した
ものである。それぞれのアレイ導波路格子10は、この
図でX軸方向およびY軸方向に所定間隔で設定されたダ
イシング切断パス22、23に沿って、それぞれ矩形形
状のチップとなるように切断する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来から
ウェハの切断の際にはダイシング切断パス22、23を
使用し、矩形形状のチップを作成するのが通常である。
一般のIC(集積回路)チップをウェハから切り出す場
合には、IC回路自体が矩形の領域を占有する形状に形
成されるので、チップをこのように矩形形状に切り出す
ことは効率的である。
【0009】ところが図15に示したアレイ導波路格子
10は全体として弓形あるいはブーメランのような形状
をしている。したがって、これを従来と同様に矩形形状
のチップとして切り出すとスペース的に無駄が生じ、ウ
ェハの使用効率が悪いといった問題があった。たとえば
図16に示した例の場合には、直径約13センチのウェ
ハの場合で1つのウェハ21からアレイ導波路格子10
について4個〜6個のチップが得られるだけであり、ア
レイ導波路格子の占有する面積の割合は少ない。
【0010】図17は、ウェハ上の他のレイアウトとし
て1×Nスプリッタの例を示したものである。この例で
もダイシング切断パス31、32を使用して、ウェハ2
1から1×Nスプリッタのチップ33を切り出してい
る。この例の1×Nスプリッタ自体は菱形を二等分した
漏斗形状となっているが、これを矩形に切り出すこと
で、1つのウェハ21から2つのチップ33、33が切
り出されるのみとなっており、同様にウェハ21の使用
効率が低いという問題がある。
【0011】そこで本発明の目的は、アレイ導波路格子
のようにウェハ上における素子全体の占有する形状が矩
形以外の形状となっているものについて、1つのウェハ
からより多くの収量を得ることのできるチップ、そのチ
ップの製造方法およびそのチップを収容したチップ収容
モジュールを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、チップは一方向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハか
ら切り出した形状をしている。
【0013】すなわち請求項1記載の発明では、チップ
の形状を従来の画一的な矩形形状とすることなく、物に
よっては無駄な部分を殺ぎ落とした凹形状とすることで
多くの数のチップをウェハから切り出すことができる。
【0014】請求項2記載の発明では、請求項1記載の
チップでウェハ上の隣接したチップ同士で凹形状の一部
が少なくとも重なり合うようにそれぞれの輪郭線が配置
されていることを特徴としている。
【0015】すなわち請求項2記載の発明では、凹形状
の一部が少なくとも重なり合うようにチップ同士の輪郭
線を配置することで、多くの数のチップをウェハから切
り出すことができる。
【0016】請求項3記載の発明では、チップは、輪郭
の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状とし
て描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状をしてい
る。
【0017】これにより、配置を工夫することで矩形の
チップよりも多くの数のチップをウェハから切り出すこ
とができる。
【0018】請求項4記載の発明では、請求項1記載の
チップで、閉ループ形状は同一方向に凸型となった2つ
の曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端部を互いに
平行な2本の直線で結んだ弓形となっており、複数の閉
ループ形状の少なくとも一部は曲線部分を共通にしてい
ることを特徴としている。
【0019】すなわち請求項4記載の発明では、閉ルー
プ形状として弓形の例を挙げている。この閉ループ形状
は同一方向に凸型となった2つの曲線部分を所定間隔で
配置しそれぞれの端部を互いに平行な2本の直線で結ん
だ弓形であれば、瓦を積み重ねるように湾曲した箇所を
互いに共通するように重ね合わせることで1つのウェハ
から多くのチップを得ることができる。
【0020】請求項5記載の発明では、請求項2記載の
チップで、閉ループ形状はアレイ導波路格子の輪郭形状
であることを特徴としている。
【0021】すなわち請求項5記載の発明では、閉ルー
プ形状が弓形の例としてアレイ導波路格子のチップを挙
げている。
【0022】請求項6記載の発明では、請求項3記載の
チップで、閉ループ形状は互いに遠ざかる方向に凸型と
なった2つの曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端
部を互いに平行な2本の直線で結んだ菱形を二等分した
漏斗形状となっていることを特徴としている。
【0023】すなわち請求項6記載の発明では、閉ルー
プ形状の他の例として2つの曲線部分を所定間隔で配置
しそれぞれの端部を互いに平行な2本の直線で結んだ菱
形を二等分した漏斗形状を挙げている。この場合にもウ
ェハから矩形のチップを切り出すよりも多くのチップを
切り出すことができる。
【0024】請求項7記載の発明では、(イ)一方向に
窪んだ凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一の
ウェハ上に形成する素子形成ステップと、(ロ)素子形
成ステップで形成された各素子をウェハから切り出して
個々の素子のチップとする切り出しステップとをチップ
の製造方法に具備させる。
【0025】すなわち請求項7記載の発明では、素子形
成ステップで形成された、一方向に窪んだ凹形状の輪郭
線で区切られる複数の素子を輪郭線で切り出して個々の
素子のチップを製造するようにしている。
【0026】請求項8記載の発明では、(イ)一方向に
窪んだ凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一の
ウェハ上に形成する素子形成ステップと、(ロ)素子形
成ステップで形成されたウェハ上の各素子を輪郭線に沿
ってレーザビームを用いて切断して個々の素子のチップ
とする切り出しステップとをチップの製造方法に具備さ
せる。
【0027】すなわち請求項8記載の発明では、レーザ
ビームを用いて一方向に窪んだ凹形状の輪郭線に沿って
切断し、個々の素子のチップを製造するようにしてい
る。
【0028】請求項9記載の発明では、(イ)一方向に
窪んだ凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一の
ウェハ上に形成する素子形成ステップと、(ロ)素子形
成ステップで形成された各素子の輪郭線の形状と一致し
た工具を超音波振動させウェハを輪郭線に沿って切断す
ることで個々の素子のチップとする切り出しステップと
をチップの製造方法に具備させる。
【0029】すなわち請求項9記載の発明では、一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線の形状と一致した工具を超音波
振動させウェハを輪郭線に沿って切断することで個々の
素子のチップとするようにしている。したがって、複雑
な輪郭線であっても一度にこれに沿ったチップの切り出
しが可能である。
【0030】請求項10記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一
のウェハ上に形成する素子形成ステップと、(ロ)素子
形成ステップで形成されたウェハ上の各素子を輪郭線に
沿って水圧を用いて切断して個々の素子のチップとする
切り出しステップとをチップの製造方法に具備させる。
【0031】すなわち請求項10記載の発明では、一方
向に窪んだ凹形状の輪郭線に沿って水圧でチップを切り
出すようにしている。
【0032】請求項11記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一
のウェハ上に形成する素子形成ステップと、(ロ)素子
形成ステップで形成されたウェハ上の各素子の輪郭線以
外の領域を覆った状態で研磨剤等の所定の粒子を吹き付
けて輪郭線に沿った切断を行い個々の素子のチップとす
る切り出しステップとをチップの製造方法に具備させ
る。
【0033】すなわち請求項11記載の発明では、ウェ
ハ上の各素子の一方向に窪んだ凹形状の輪郭線以外の領
域を覆った状態で研磨剤等の所定の粒子を吹き付けて輪
郭線に沿った切断を行う。したがって、複雑な輪郭線で
あっても一度にこれに沿ったチップの切り出しが可能で
ある。
【0034】請求項12記載の発明では、(イ)少なく
とも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区
切られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形
成ステップと、(ロ)素子形成ステップで形成された各
素子をウェハから切り出して個々の素子のチップとする
切り出しステップとをチップの製造方法に具備させる。
【0035】すなわち請求項12記載の発明では、素子
形成ステップで形成された、少なくとも一部に曲線を含
む所定の閉ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子
を輪郭線で切り出して個々の素子のチップを製造するよ
うにしている。
【0036】請求項13記載の発明では、(イ)少なく
とも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区
切られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形
成ステップと、(ロ)素子形成ステップで形成されたウ
ェハ上の各素子を輪郭線に沿ってレーザビームを用いて
切断して個々の素子のチップとする切り出しステップと
をチップの製造方法に具備させる。
【0037】すなわち請求項13記載の発明では、レー
ザビームを用いて少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
ループ形状の輪郭線に沿って切断し、個々の素子のチッ
プを製造するようにしている。
【0038】請求項14記載の発明では、(イ)少なく
とも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区
切られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形
成ステップと、(ロ)素子形成ステップで形成された各
素子の輪郭線の形状と一致した工具を超音波振動させウ
ェハを輪郭線に沿って切断することで個々の素子のチッ
プとする切り出しステップとをチップの製造方法に具備
させる。
【0039】すなわち請求項14記載の発明では、少な
くとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線の
形状と一致した工具を超音波振動させウェハを輪郭線に
沿って切断することで個々の素子のチップとするように
している。したがって、複雑な輪郭線であっても一度に
これに沿ったチップの切り出しが可能である。
【0040】請求項15記載の発明では、(イ)少なく
とも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区
切られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形
成ステップと、(ロ)素子形成ステップで形成されたウ
ェハ上の各素子を輪郭線に沿って水圧を用いて切断して
個々の素子のチップとする切り出しステップとをチップ
の製造方法に具備させる。
【0041】すなわち請求項15記載の発明では、少な
くとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線に
沿って水圧でチップを切り出すようにしている。
【0042】請求項16記載の発明では、(イ)少なく
とも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区
切られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形
成ステップと、(ロ)素子形成ステップで形成されたウ
ェハ上の各素子の輪郭線以外の領域を覆った状態で研磨
剤等の所定の粒子を吹き付けて輪郭線に沿った切断を行
い個々の素子のチップとする切り出しステップとをチッ
プの製造方法に具備させる。
【0043】すなわち請求項16記載の発明では、ウェ
ハ上の各素子の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ル
ープ形状の輪郭線以外の領域を覆った状態で研磨剤等の
所定の粒子を吹き付けて輪郭線に沿った切断を行う。し
たがって、複雑な輪郭線であっても一度にこれに沿った
チップの切り出しが可能である。
【0044】請求項17記載の発明では、請求項8〜請
求項11、請求項13〜請求項16のいずれかに記載の
チップの製造方法で、輪郭線に沿った切断のうち直線部
分の切断をダイシングで行うことを特徴としている。
【0045】すなわち請求項17記載の発明では、直線
部分の切断をダイシングで行うので、その面をほぼ鏡面
とすることができ、光学部品であっても追加的な鏡面加
工が不要である。
【0046】請求項18記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線で第1のウェハから切り出した
形状の第1のチップと、(ロ)この第1のチップと同一
形状として描かれる輪郭線で第2のウェハから切り出し
た形状の第2のチップと、(ハ)これら第1および第2
のチップの間にこれらの固定のために配置されたチップ
接着剤とをチップに具備させる。
【0047】すなわち請求項18記載の発明では、第1
のチップに第2のチップを貼り合せることで、全体とし
て安価なチップを作成することができる。
【0048】請求項19記載の発明では、(イ)輪郭の
少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状として
描かれる輪郭線で第1のウェハから切り出した形状の第
1のチップと、(ロ)前記した所定の閉ループ形状とし
て描かれる輪郭線で第2のウェハから切り出した形状の
第2のチップと、(ハ)これら第1および第2のチップ
の間にこれらの固定のために配置されたチップ接着剤と
をチップに具備させる。
【0049】すなわち請求項19記載の発明では、第1
のチップに第2のチップを貼り合せることで、全体とし
て安価なチップを作成することができる。
【0050】請求項20記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線で第1のウェハから第1のチッ
プを切り出す第1のチップ切り出しステップと、(ロ)
この第1のチップと同一形状として描かれる輪郭線で第
2のウェハから第2のチップを切り出す第2のチップ切
り出しステップと、(ハ)これら第1および第2のチッ
プ切り出しステップで切り出された第1および第2のチ
ップを貼り合せるチップ貼り合わせステップとをチップ
製造方法に具備させる。
【0051】すなわち請求項20記載の発明では、第1
のチップに第2のチップを貼り合せるプロセスを採るこ
とで、全体として安価なチップを作成することができ
る。
【0052】請求項21記載の発明では、(イ)輪郭の
少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状として
描かれる輪郭線で第1のウェハから第1のチップを切り
出す第1のチップ切り出しステップと、(ロ)前記した
所定の閉ループ形状として描かれる輪郭線で第2のウェ
ハから第2のチップを切り出す第2のチップ切り出しス
テップと、(ハ)これら第1および第2の切り出しステ
ップで切り出された第1および第2のチップを貼り合せ
るチップ接着ステップとをチップ製造方法に具備させ
る。
【0053】すなわち請求項21記載の発明では、第1
のチップに第2のチップを貼り合せるプロセスを採るこ
とで、全体として安価なチップを作成することができ
る。
【0054】請求項22記載の発明では、請求項20ま
たは請求項21記載のチップ製造方法で、第1および第
2の切り出しステップは第1および第2のチップを同一
の形状に切り出すステップであることを特徴としてい
る。
【0055】すなわち請求項22記載の発明では、素子
の形成されたチップと補強のためのチップを同一形状に
切り出すことで、コンパクトな素子を作成することがで
きる。
【0056】請求項23記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状の
チップ本体と、(ロ)このチップ本体の少なくとも一部
に取り付けられた補強部材とをチップに具備させる。
【0057】すなわち請求項23記載の発明では、一方
向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状
のチップ本体の少なくとも一部に補強部材を取り付けて
チップを作成することにしている。補強部材はチップ本
体の一部に取り付けられてもよいし、チップ本体よりも
大きくてもよい。
【0058】請求項24記載の発明では、(イ)輪郭の
少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状として
描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ本
体と、(ロ)このチップ本体の少なくとも一部に取り付
けられた補強部材とをチップに具備させる。
【0059】すなわち請求項24記載の発明では、輪郭
の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状とし
て描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ
本体の少なくとも一部に補強部材を取り付けてチップを
作成することにしている。補強部材はチップ本体の一部
に取り付けられてもよいし、チップ本体よりも大きくて
もよい。
【0060】請求項25記載の発明では、請求項23ま
たは請求項24記載のチップで、チップ本体は弓形をし
ており、その比較的細幅の箇所に補強部材が固定されて
いることを特徴としている。
【0061】すなわち請求項25記載の発明では、チッ
プ本体が弓形をしている場合、その比較的細幅の強度的
に弱い場所を重点的に補強することにしている。
【0062】請求項26記載の発明では、請求項23ま
たは請求項24記載のチップで、チップ本体は弓形をし
ており、このチップ本体と同一形状の銅板がこれに補強
部材として固定されていることを特徴としている。
【0063】すなわち請求項26記載の発明では、チッ
プ本体と同一形状の銅板を補強部材とすることにより、
熱の拡散を良好に行うことができる。
【0064】請求項27記載の発明では、請求項23ま
たは請求項24記載のチップで、チップ本体は弓形をし
ており、このチップ本体の弓形からなる面を覆うサイズ
の矩形の銅板が補強部材として取り付けられていること
を特徴としている。
【0065】すなわち請求項27記載の発明では、補強
部材としての銅板のサイズを大きくし、補強以外に熱の
拡散等の他の機能も兼ね備えさせている。
【0066】請求項28記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状の
チップと、(ロ)このチップを収容する筐体と、(ハ)
チップと筐体の隙間に収容された緩衝剤とをチップ収容
モジュールに具備させる。
【0067】すなわち請求項28記載の発明では、一方
向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状
のチップの強度の弱さを緩衝剤によってカバーしたもの
である。
【0068】請求項29記載の発明では、(イ)輪郭の
少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状として
描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ
と、(ロ)このチップを収容する筐体と、(ハ)チップ
と筐体の隙間に収容された緩衝剤とをチップ収容モジュ
ールに具備させる。
【0069】すなわち請求項29記載の発明では、輪郭
の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状とし
て描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ
の強度の弱さを緩衝剤によってカバーしたものである。
【0070】請求項30記載の発明では、(イ)一方向
に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状の
チップと、(ロ)このチップを取り付けた支持体と、
(ハ)チップおよび支持体を収容する筐体と、(ニ)こ
の筐体上で支持体を支えるバネ材とをチップ収容モジュ
ールに具備させる。
【0071】すなわち請求項30記載の発明では、一方
向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハから切り出した形状
のチップの強度の弱さをバネ材でカバーしたものであ
る。
【0072】請求項31記載の発明では、(イ)輪郭の
少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状として
描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ
と、(ロ)このチップを取り付けた支持体と、(ハ)チ
ップおよび支持体を収容する筐体と、(ニ)この筐体上
で支持体を支えるバネ材とをチップ収容モジュールに具
備させる。
【0073】すなわち請求項31記載の発明では、輪郭
の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ形状とし
て描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状のチップ
の強度の弱さをバネ材でカバーしたものである。
【0074】請求項32記載の発明では、請求項31記
載のチップ収容モジュールで、支持体は金属板であるこ
とを特徴とする。
【0075】すなわち請求項32記載の発明では、請求
項31記載のチップ収容モジュールで、支持体を金属板
とすることで熱の拡散とチップの補強の2つの機能を兼
用させている。
【0076】
【発明の実施の形態】
【0077】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【0078】<第1の実施例>
【0079】図1は本発明の第1の実施例におけるウェ
ハ上に形成されたアレイ導波路格子チップのパターンを
表わしたものである。本実施例では直径約13センチの
ウェハ101に、図15に示したような形状のアレイ導
波路格子のパターン102が1列に5個ずつ合計10個
形成されている。それぞれのアレイ導波路格子のパター
ン102は図15に示したチャネル導波路アレイ14に
相当する部分が弓状に曲がっている。この弓状あるいは
典型的なブーメランの形状のアレイ導波路格子のパター
ンをそれぞれ取り囲むように、アレイ導波路格子チップ
を切り出すための切断パス103が設定されている。
【0080】切断パス103は、直線状の切断パス10
3Aと、互いに同一形状の弓形を2つ横方向に連続させ
た曲線状の切断パス103Bとから構成されている。上
下に隣接するアレイ導波路格子のパターン102同士で
は、曲線状の切断パス103Bが共通している。すなわ
ち、個々のアレイ導波路格子のパターン102は従来の
図16に示したものと比べると、図で上下方向に瓦を積
み重ねたように湾曲した箇所(切断パス103B)が互
いに共通するように重ね合わされており、これによって
1つのウェハ101から切り出すことのできるアレイ導
波路格子チップの数を大幅に増加させている。
【0081】ところで、既に説明した通り直線状の切断
パス103Aはダイシングによって切断可能であるが、
曲線状の切断パス103Bについては不可能である。そ
こで、図1に示したようなレイアウトでウェハ101を
切断するためには、曲線状の切断を行う技術で直線部分
と曲線部分を切断するか、曲線状の切断を行う技術とダ
イシングを併用する必要がある。ウェハ101を曲線的
に切断する技術としては、次のものが存在している。 ホーンを用いた超音波加工技術による切断 レーザ加工技術による切断 水圧加工技術による切断 サンドブラスト加工技術による切断
【0082】このうちの〜で示した加工法は切断工
法として広く知られているものである。しかしながら、
このうちのとしてのレーザ加工技術による切断と、
としての水圧加工技術による切断は、すべての切断パス
を順次なぞっていくようにトレースする必要があり、切
断時間を考慮した場合には量産に不向きである。とし
てのホーンを用いた超音波加工技術による切断および
としてのサンドブラスト加工技術による切断が量産性の
点から好ましい。
【0083】ここでのサンドブラスト加工技術は、本
来表面処理に広く用いられている加工法である。従来か
らこの加工法でガラス等のウェハ以外の材料に対して研
磨剤や小さな粒子を物体に吹き付けて表面処理やバリの
除去などを行っているが行われている。切断する部分以
外を樹脂材等で保護しておいて、ウェハ全体に粒子を吹
き付けることによって、直線のみならず曲線での切断も
可能になる。
【0084】またとしての超音波加工技術では、ホー
ンと呼ばれる共振媒体を介して超音波で工具を振動させ
てウェハの切断を行う。本実施例ではとしての超音波
加工技術を使用する。
【0085】図2は、超音波加工技術によるウェハの切
断原理を示したものである。超音波加工では、超音波発
振器121を交流で駆動することによって超音波振動子
122を振動させて超音波を発生させ、コーン123お
よびホーン124を介して工具(ツール)125を上下
方向に振動させる。工具125と被加工物としてのウェ
ハ101の間には、砥粒を水に混合した加工液126が
供給されている。そこで、工具125を適当な加圧力で
ウェハ101に押し付けた状態で超音波振動を起こさせ
ると、砥粒の衝撃によってウェハ101が所望の形状に
切断される。1回の衝撃による加工量はごくわずかであ
るが衝撃回数が毎秒数万回にも及ぶため、工具125の
先端をウェハ101の切断パス103と一致させておく
ことで、1枚のウェハ101上のすべてのパスを一括し
て切断することが可能である。このため、高精度な精密
加工を能率よく迅速に行なうことができる。
【0086】もちろん、図2に示した切断パス103を
同一形状の複数の部分切断パスに区分けしておき、ウェ
ハ101あるいは工具125を、区分けしたそれぞれの
位置に移動させて部分切断パスごとに超音波加工技術を
用いて切断を行うことも可能である。
【0087】<第1の実施例の第1の変形例>
【0088】ところで、ウェハ101の切断後にチップ
上のアレイ導波路格子の特性を検査する工程が製造工程
の一部に存在するような場合がある。切断されたアレイ
導波路格子チップの直線状のパスに相当する箇所の端面
が、この段階である程度の鏡面になっていないと、この
部分に存在する入出力光導波路の端部を使用した光学的
な検査が困難になる。そこで、超音波加工技術による加
工の精度がこの検査に十分でないような場合には、直線
状の切断パス103Aの部分のみをダイシングで切断
し、端面を特別に研磨することなく検査に適する状態に
することも有効である。
【0089】図3は、第1の実施例の第1の変形例とし
て、ウェハの切断箇所に応じて2通りの工法を使い分け
る場合を示したものである。まず、曲線状の切断パス1
03Bについて超音波切断を行い、この後に直線状の切
断パス103Aをダイシングで順次切断することでウェ
ハ101から各アレイ導波路格子のパターン102を切
り出す。これにより直線状の切断パス103Aの切断面
を研磨することなく特性試験を行うことができる。
【0090】なお、直線状の切断パス103Aの切断を
先に行うことも可能である。この場合には、曲線状の切
断パス103Bによる切断を行う前の段階で各アレイ導
波路格子のパターン102について特性のチェックを行
うことができる。
【0091】<第1の実施例の第2の変形例>
【0092】図4はウェハ上に形成したアレイ導波路格
子のレイアウトの他の例を示したものである。この第2
の変形例では、ウェハ101A上に図1に示した10個
のアレイ導波路格子のパターン102の他に、これらと
逆方向のアレイ導波路格子のパターン102Aを追加し
て、合計11個のアレイ導波路格子のチップを切り出せ
るようにしている。このためには中央の直線状の切断パ
ス103A1の下端部をパターン102Aの手前で止め
る必要がある。
【0093】したがって、図4に示したウェハ101A
の場合には周辺に位置する直線状の切断パス103
2、103A3についてはダイシングによる切断を行う
ことができるが、他の箇所をホーンを用いた超音波加工
技術による切断等の他の切断手法を採ることが好まし
い。もちろん、図4に示した全パスをホーンを用いた超
音波加工技術やサンドブラスト加工技術を用いて一括し
て処理することは可能である。
【0094】<第2の実施例>
【0095】以上説明したように、ウェハ上にアレイ導
波路格子のように全体が矩形以外の形状となった素子の
パターンを効率的に配置して、これらをパターンに沿っ
た任意の形状で切り出すと、より多くのチップを製造す
ることができる。しかしながら、切り出されたチップの
形状は矩形と比較すると一般に幅の狭い領域や小さな突
起部分のような強度的に弱い形状部分を有する可能性が
ある。第1の実施例で挙げたアレイ導波路格子チップの
場合を具体的に説明すると、これは全体として弓形ある
いはブーメランの形をしており、幅の細くなった部分で
従来の矩形のチップと比べると強度が劣化するおそれが
ある。
【0096】強度に大きな関係を有するチップの厚み
は、その主原料であるシリコンウェハや石英ガラスの厚
さによって決定される。このようなことから、一般的に
アレイ導波路格子チップの厚さは1mm以下であり、耐
振動性ならびに耐衝撃性に優れているとはいえない。ア
レイ導波路格子チップあるいはこれを組み込んだ装置が
その移動時等に予期される衝撃に十分耐える必要があ
る。
【0097】耐振動性や耐衝撃性に優れたアレイ導波路
格子チップ(以下、特別の場合を除いてアレイ導波路格
子と略称する。)を実現するためには、(イ)チップ自
体の強度を上げるか、(ロ)チップに応力がかかりにく
い構造にする必要がある。前者の(イ)チップ自体の強
度を上げる手法としては、たとえば次のようなものが有
効である。
【0098】(a)大型銅板型 アレイ導波路格子を放熱のために保持する銅板を大型化
する手法である。 (b)強化梁型 アレイ導波路格子に強化梁を接着して強度をアップする
手法である。 (c)基板2層型 アレイ導波路格子と同一の形状のシリコン基板を作製し
て、アレイ導波路格子にこれを接着して厚みを増す手法
である。
【0099】後者の(ロ)チップに応力がかかりにくい
構造にするための手法としては、たとえば次のようなも
のが有効である。
【0100】(a)緩衝剤充填型 アレイ導波路格子を収容するパッケージ内に緩衝剤(断
熱材)を充填する手法である。 (b)バネ支持型 アレイ導波路格子の端部をバネ材料で固定して衝撃を吸
収する手法である。
【0101】このうち本発明の第2の実施例では、大型
銅板型を採用する。大型銅板型では、アレイ導波路格子
を放熱のために保持する銅板を大型化する手法を使用し
てウェハの耐振動性あるいは耐衝撃性を向上させる。
【0102】図5はアレイ導波路格子パッケージの内部
を表わしたものである。アレイ導波路格子パッケージ2
01は、ケース底板部202とケースカバー203から
なる中空の箱状のケースを備えている。ケース底板部2
02には断熱用支柱204を介して板状のヒータ205
がケース底板部202と平行に配置されている。ヒータ
205の上には、大型銅板206が載置されており、こ
の上にアレイ導波路格子207が取り付けられている。
【0103】大型銅板206におけるアレイ導波路格子
207と対向する面には図示しないがその周辺部から中
央部に至る溝が切られており、アレイ導波路格子207
における図15に示したチャネル導波路アレイ14に対
応する溝の部分には温度検出素子208が埋設されてい
る。溝の他の部分にはこの温度検出素子208のリード
線が埋設されている。温度検出素子208はヒータ20
5の温度を検出してアレイ導波路格子207を所望の温
度に調整する制御を行うために使用される。
【0104】アレイ導波路格子パッケージ201には、
図示しない外部装置にそれぞれ一端を接続された光ファ
イバ211、212が導入されている。一方の光ファイ
バ211の他端は、アレイ導波路格子207の端部に紫
外線硬化型の接着剤でUV固定されており、他方の光フ
ァイバ212の他端はアレイ導波路格子207の図示し
ないファイバアレイに固定されている。
【0105】図6は本実施例のアレイ導波路格子が大型
銅板に取り付けられた状態をパッケージ内部で上から見
たものである。大型銅板206として本実施例では加工
性に優れた銅材料としてJIS規格のC1100で規定
されたタフピッチ銅を使用している。この大型銅板20
6は、アレイ導波路格子207をほぼ覆う6×4cmの
矩形形状で、厚さが数mmとなっている。大型銅板20
6の上にはアレイ導波路格子207が接着されている。
なお、タフピッチ銅以外の銅材料を使用できることは当
然である。
【0106】図7は、従来の同様のアレイ導波路格子パ
ッケージに使用されたアレイ導波路格子と銅板の一例を
参考として表わしたものである。矩形をしたアレイ導波
路格子チップ221における点線で示す矩形領域が、銅
板222の占める領域となっている。本実施例の大型銅
板206はこの図7に示した銅板222よりも大型にす
ることで、アレイ導波路格子207の特に周辺部の強度
を補っている。
【0107】図8は参考として従来と同様の銅板に本実
施例の弓状の形状をしたアレイ導波路格子を取り付けた
状態を示したものである。ここでは、幅6mm、厚さ
0.83mm、長さ27mmの片持ち支持梁の自由端に
ファイバアレイ231、232相当の負荷をかけたモデ
ルを考える。実験によると、片持ち支持梁をたとえば5
00Gの衝撃に耐える強さにするには、本実施例のアレ
イ導波路格子207と同様の厚さおよび形状の3枚以上
のシリコン基板をこれに裏打ちすることが必要となる。
【0108】なお、第2の実施例では、矩形の大型銅板
型を使用したが、アレイ導波路格子207と同一形状の
銅板をこれに貼り合せる形で使用してもよい。
【0109】<第2の実施例の第1の変形例>
【0110】図9は強化梁型のアレイ導波路格子の一例
を示したものである。アレイ導波路格子207Aにはそ
の弓形の立ち上がりおよび立ち下がり部分にそれぞれ強
化梁251、252が接着されている。強化梁251、
252はアレイ導波路格子207Aの中心軸253に対
して対称となっている。
【0111】<第2の実施例の第2の変形例>
【0112】図10は基板2層型のアレイ導波路格子の
一例を示したものである。アレイ導波路格子207B
は、第2の実施例で使用されたアレイ導波路格子207
と、これと同一のサイズおよび形状で導波路の形成され
ていない弓形シリコン基板271を貼り合わせたもので
ある。
【0113】図11は、弓形シリコン基板を切り出すた
めのウェハを示したものである。ウェハ272上には図
1に示したウェハ101と同様の切断パス103(10
3A、103B)が設定されている。ただし、ウェハ2
72は図1等に示したアレイ導波路格子207を形成す
る必要がないので、ウェハ101よりもシリコンの純度
の低い安価なものを使用することができる。また、アレ
イ導波路格子207を製造するプロセス自体も不要なの
で、それぞれの弓形シリコン基板271を非常に安価に
製造することができる。したがって、図10に示す基板
2層型のアレイ導波路格子207Bは、従来の矩形のア
レイ導波路格子よりもその製造コストを大幅に低下させ
ることができる。
【0114】なお、基板2層型のアレイ導波路格子20
7Bの代わりに弓形シリコン基板271を2枚以上貼り
合せた基板多層型のアレイ導波路格子を製造することも
可能である。また、弓形シリコン基板271を切り出す
ウェハ272としてアレイ導波路格子207のそれより
も十分に厚いものを使用し、強度を向上させることも可
能である。
【0115】<第2の実施例の第3の変形例>
【0116】図12は緩衝剤充填型のアレイ導波路格子
のアレイ導波路格子パッケージの内部構造の一例を示し
たものである。図12で図5と同一部分には同一の符号
を付しており、これらの説明を適宜省略する。図5と対
比すると分かるようにこの変形例のアレイ導波路格子パ
ッケージ201Aでは、アレイ導波路格子207の上側
の空間に第1の緩衝・断熱剤291が、また光ファイバ
211の下側で断熱用支柱204とケースカバー203
に囲まれた空間には第2の緩衝・断熱剤292が、更に
光ファイバ212の下側で断熱用支柱204とケースカ
バー203に囲まれた空間には第3の緩衝・断熱剤29
3がそれぞれ充填されている。これら第1〜第3の緩衝
・断熱剤291〜293は従来、断熱材として使用され
てきた弾力性を有する各種材料を適宜な形状に加工して
使用することができる。
【0117】<第2の実施例の第4の変形例>
【0118】図13は緩衝剤充填型のアレイ導波路格子
のアレイ導波路格子パッケージの内部構造の一例を示し
たものである。図13で図5と同一部分には同一の符号
を付しており、これらの説明を適宜省略する。図5と対
比すると分かるようにこの変形例のアレイ導波路格子パ
ッケージ201Bでは、図5に示す断熱用支柱204の
代わりにバネ材料からなる複数本の下部支柱301を使
用している。また、ケースカバー203の上部裏面とア
レイ導波路格子207の上面との間にも複数本の上部支
柱302を配置している。これらの支柱301、302
はバネ性だけでなく断熱性にも優れたものを使用するこ
とが好ましい。
【0119】この変形例のアレイ導波路格子パッケージ
201Bでは、アレイ導波路格子207が上下の支柱3
01、302によって弾性的に支持されているので、パ
ッケージ外部に衝撃が加わってもこれを吸収することが
できる。ケース底板部202あるいはケースカバー20
3には、横方向の衝撃を吸収する弾性部材を更に配置し
てもよい。
【0120】<発明のその他の変形例>
【0121】以上説明した実施例および変形例では弓形
をしたアレイ導波路格子チップを例に挙げたが、矩形以
外の形状あるいは少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
ループを描くような輪郭線のすべてのチップに対して本
発明を適用することができることは当然である。
【0122】図14は、ウェハ上の1×Nスプリッタの
レイアウトを示したものである。この例では先の実施例
と異なり、ウェハ101B上に菱形を二等分した漏斗形
状をした1×Nスプリッタ333が6個配置されてい
る。図17と対比すると1つのウェハ101Bから同一
形状およびサイズのチップを2倍の収量で得ることがで
きる。
【0123】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、チップの形状を従来の画一的な矩形形状とす
ることなく、物によっては無駄な部分を殺ぎ落とした凹
形状としたので、ウェハからの収量を増加させることが
でき、そのコストダウンを図ることができる。
【0124】また請求項2記載の発明では、凹形状の一
部が少なくとも重なり合うようにチップ同士の輪郭線を
配置することで、多くの数のチップをウェハから切り出
すことができ、生産性を高めると共に、資源の節約を図
ることができる。
【0125】更に請求項3記載の発明によれば、チップ
は、輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所定の閉ループ
形状として描かれる輪郭線でウェハから切り出した形状
をしているので、素子のパターンの部分が矩形以外の形
状をしている場合にはその形状に近い形のチップとする
ことで、切り出す配置を工夫することによりウェハから
の収量を増加させることができ、そのコストダウンを図
ることができる。
【0126】また、請求項4および請求項5記載の発明
によれば、チップの閉ループ形状は同一方向に凸型とな
った2つの曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端部
を互いに平行な2本の直線で結んだ弓形となっているの
で、瓦を積み重ねるように湾曲した箇所が互いに共通す
るように重ね合わせることで1つのウェハから多くのチ
ップを得ることができる。
【0127】更に請求項6記載の発明によれば、チップ
の閉ループ形状は互いに遠ざかる方向に凸型となった2
つの曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端部を互い
に平行な2本の直線で結んだ菱形を二等分した漏斗形状
となっているので、請求項2および請求項3記載の発明
と同様にウェハから矩形のチップを切り出すよりも多く
のチップを切り出すことができる。
【0128】また請求項7〜請求項11記載の発明によ
れば、素子形成ステップで形成された、一方向に窪んだ
凹形状の輪郭線で区切られる複数の素子を輪郭線で切り
出して個々の素子のチップを製造するようにしているの
で、切り出す配置を工夫することによりウェハからのチ
ップの収量を増加させることができ、そのコストダウン
を図ることができる。
【0129】また、請求項12〜請求項16記載の発明
では素子形成ステップで形成された、少なくとも一部に
曲線を含む所定の閉ループ形状の輪郭線で区切られる複
数の素子を輪郭線で切り出して個々の素子のチップを製
造するようにしているので、切り出す配置を工夫するこ
とによりウェハからのチップの収量を増加させることが
でき、そのコストダウンを図ることができる。
【0130】更に請求項13記載の発明では輪郭線に沿
ってレーザビームを用いて切断するので、輪郭線が複雑
な形状でも忠実に切り出してチップを製造することがで
きる。
【0131】また請求項14記載の発明によれば、輪郭
線の形状と一致した工具を超音波振動させウェハを輪郭
線に沿って切断することで個々の素子のチップとするよ
うにしているので、複雑な輪郭線であっても一度にこれ
に沿ったチップの切り出しが可能である。
【0132】更に請求項16記載の発明によれば、ウェ
ハ上の各素子の輪郭線以外の領域を覆った状態で研磨剤
等の所定の粒子を吹き付けて輪郭線に沿った切断を行う
ので、複雑な輪郭線であっても一度にこれに沿ったチッ
プの切り出しが可能である。
【0133】また請求項17記載の発明によれば、請求
項8〜請求項11、請求項13〜請求項16記載のチッ
プの製造方法で、輪郭線に沿った切断のうち直線部分の
切断をダイシングで行うので、その面をほぼ鏡面とする
ことができ、光学部品であっても追加的な鏡面加工が不
要である。
【0134】更に請求項18または請求項19記載の発
明によれば、第1のチップに第2のチップを貼り合せる
ことで、全体として安価なチップを作成することができ
る。
【0135】また請求項20または請求項21記載の発
明によれば、第1のチップに第2のチップを貼り合せる
プロセスを採ることで、全体として安価なチップを作成
することができる。
【0136】更に請求項22記載の発明によれば、素子
の形成されたチップと補強のためのチップを同一形状と
することで、コンパクトな素子を作成することができ
る。
【0137】また請求項23または請求項24記載の発
明によれば、チップ本体の少なくとも一部に補強部材を
取り付けてチップを作成するので、補強部材の形状やサ
イズを配慮することで、単に補強以外の機能も兼ね備え
させることができる。
【0138】更に請求項26および請求項27記載の発
明によれば、チップ本体と同一形状の銅板を補強部材と
することにより、熱の拡散を良好に行わせることができ
る。
【0139】また請求項28〜請求項32記載の発明に
よれば、チップ自体を補強しなくてもこれを収容したチ
ップ収容モジュールの強度あるいは耐衝撃性を十分なも
のとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるウェハ上に形成
されたアレイ導波路格子チップのパターンを表わした平
面図である。
【図2】超音波加工技術によるウェハの切断の様子を示
した原理図である。
【図3】第1の実施例の第1の変形例として、ウェハの
切断箇所に応じて2通りの工法を使い分ける場合を示し
た説明図である。
【図4】第1の実施例の第2の変形例として、ウェハ上
のチップのレイアウトの他の例を示した平面図である。
【図5】本発明の第2の実施例におけるアレイ導波路格
子パッケージの内部を表わした断面図である。
【図6】本実施例のアレイ導波路格子が大型銅板に取り
付けられた状態をパッケージ内部で上から見た平面図で
ある。
【図7】従来のアレイ導波路格子パッケージに使用され
たアレイ導波路格子と銅板の一例を示した平面図であ
る。
【図8】従来と同様の銅板に本実施例のアレイ導波路格
子を取り付けた状態を参考として示した平面図である。
【図9】第2の実施例の第1の変形例におけるアレイ導
波路格子を示した平面図である。
【図10】第2の実施例の第2の変形例における基板2
層型のアレイ導波路格子の分解された状態を示す斜視図
である。
【図11】第2の実施例の第2の変形例における弓形シ
リコン基板を切り出すためのウェハのレイアウトを示し
た平面図である。
【図12】第2の実施例の第3の変形例における緩衝剤
充填型のアレイ導波路格子のアレイ導波路格子パッケー
ジの内部構造を示した断面図である。
【図13】第2の実施例の第4の変形例におけるアレイ
導波路格子のアレイ導波路格子パッケージの内部構造を
示した断面図である。
【図14】本発明の変形の他の例としてウェハ上の1×
Nスプリッタのレイアウトを示した平面図である。
【図15】従来のアレイ導波路格子の全体的な構成を表
わした平面図である。
【図16】従来におけるウェハ上でのアレイ導波路格子
の切断のためのレイアウトを示した説明図である。
【図17】従来におけるウェハ上での1×Nスプリッタ
の切断のためのレイアウトを示した説明図である。
【符号の説明】
101、101A、101B ウェハ 102、102A アレイ導波路格子のパターン 103 切断パス 103A 直線状の切断パス 103B 曲線状の切断パス 121 超音波発振器 125 工具 201、201A アレイ導波路格子パッケージ 202 ケース底板部 203 ケースカバー 206 大型銅板 207、207A、207B アレイ導波路格子 251、252 強化梁 271 導波路の形成されていない弓形シリコン基板 291 第1の緩衝・断熱剤 292 第2の緩衝・断熱剤 293 第3の緩衝・断熱剤 301 下部支柱 302 上部支柱 333 1×Nスプリッタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B26F 3/04 B23K 101:40 G02B 6/13 G02B 6/12 F // B23K 101:40 M Fターム(参考) 2H047 KA03 KA12 LA19 PA24 QA02 RA08 TA05 TA47 3C060 AA10 CA03 CD02 4E067 BM00 EB00 4E068 AE01 DA10

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェハ
    から切り出した形状のチップ。
  2. 【請求項2】 前記ウェハ上の隣接したチップ同士で前
    記凹形状の一部が少なくとも重なり合うようにそれぞれ
    の輪郭線が配置されていることを特徴とする請求項1記
    載のチップ。
  3. 【請求項3】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所定
    の閉ループ形状として描かれる輪郭線でウェハから切り
    出した形状のチップ。
  4. 【請求項4】 前記閉ループ形状は同一方向に凸型とな
    った2つの曲線部分を所定間隔で配置しそれぞれの端部
    を互いに平行な2本の直線で結んだ弓形となっており、
    複数の閉ループ形状の少なくとも一部は前記曲線部分を
    共通にしていることを特徴とする請求項1記載のチッ
    プ。
  5. 【請求項5】 前記閉ループ形状はアレイ導波路格子の
    輪郭形状であることを特徴とする請求項2記載のチッ
    プ。
  6. 【請求項6】 前記閉ループ形状は互いに遠ざかる方向
    に凸型となった2つの曲線部分を所定間隔で配置しそれ
    ぞれの端部を互いに平行な2本の直線で結んだ菱形を二
    等分した漏斗形状となっていることを特徴とする請求項
    1記載のチップ。
  7. 【請求項7】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で区切ら
    れる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形成ス
    テップと、 素子形成ステップで形成された各素子をウェハから切り
    出して個々の素子のチップとする切り出しステップとを
    具備することを特徴とするチップの製造方法。
  8. 【請求項8】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で区切ら
    れる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形成ス
    テップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子を前記
    輪郭線に沿ってレーザビームを用いて切断して個々の素
    子のチップとする切り出しステップとを具備することを
    特徴とするチップの製造方法。
  9. 【請求項9】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で区切ら
    れる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形成ス
    テップと、 素子形成ステップで形成された各素子の前記輪郭線の形
    状と一致した工具を超音波振動させ前記ウェハを前記輪
    郭線に沿って切断することで個々の素子のチップとする
    切り出しステップとを具備することを特徴とするチップ
    の製造方法。
  10. 【請求項10】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で区切
    られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形成
    ステップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子を前記
    輪郭線に沿って水圧を用いて切断して個々の素子のチッ
    プとする切り出しステップとを具備することを特徴とす
    るチップの製造方法。
  11. 【請求項11】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で区切
    られる複数の素子を同一のウェハ上に形成する素子形成
    ステップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子の前記
    輪郭線以外の領域を覆った状態で研磨剤等の所定の粒子
    を吹き付けて輪郭線に沿った切断を行い個々の素子のチ
    ップとする切り出しステップとを具備することを特徴と
    するチップの製造方法。
  12. 【請求項12】 少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
    ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一のウ
    ェハ上に形成する素子形成ステップと、 素子形成ステップで形成された各素子をウェハから切り
    出して個々の素子のチップとする切り出しステップとを
    具備することを特徴とするチップの製造方法。
  13. 【請求項13】 少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
    ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一のウ
    ェハ上に形成する素子形成ステップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子を前記
    輪郭線に沿ってレーザビームを用いて切断して個々の素
    子のチップとする切り出しステップとを具備することを
    特徴とするチップの製造方法。
  14. 【請求項14】 少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
    ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一のウ
    ェハ上に形成する素子形成ステップと、 素子形成ステップで形成された各素子の前記輪郭線の形
    状と一致した工具を超音波振動させ前記ウェハを前記輪
    郭線に沿って切断することで個々の素子のチップとする
    切り出しステップとを具備することを特徴とするチップ
    の製造方法。
  15. 【請求項15】 少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
    ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一のウ
    ェハ上に形成する素子形成ステップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子を前記
    輪郭線に沿って水圧を用いて切断して個々の素子のチッ
    プとする切り出しステップとを具備することを特徴とす
    るチップの製造方法。
  16. 【請求項16】 少なくとも一部に曲線を含む所定の閉
    ループ形状の輪郭線で区切られる複数の素子を同一のウ
    ェハ上に形成する素子形成ステップと、 素子形成ステップで形成されたウェハ上の各素子の前記
    輪郭線以外の領域を覆った状態で研磨剤等の所定の粒子
    を吹き付けて輪郭線に沿った切断を行い個々の素子のチ
    ップとする切り出しステップとを具備することを特徴と
    するチップの製造方法。
  17. 【請求項17】 前記輪郭線に沿った切断のうち直線部
    分の切断をダイシングで行うことを特徴とする請求項8
    〜請求項11、請求項13〜請求項16のいずれかに記
    載のチップの製造方法。
  18. 【請求項18】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で第1
    のウェハから切り出した形状の第1のチップと、 この第1のチップと同一形状として描かれる輪郭線で第
    2のウェハから切り出した形状の第2のチップと、 これら第1および第2のチップの間にこれらの固定のた
    めに配置されたチップ接着剤とを具備することを特徴と
    するチップ。
  19. 【請求項19】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所
    定の閉ループ形状として描かれる輪郭線で第1のウェハ
    から切り出した形状の第1のチップと、 前記所定の閉ループ形状として描かれる輪郭線で第2の
    ウェハから切り出した形状の第2のチップと、 これら第1および第2のチップの間にこれらの固定のた
    めに配置されたチップ接着剤とを具備することを特徴と
    するチップ。
  20. 【請求項20】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線で第1
    のウェハから第1のチップを切り出す第1のチップ切り
    出しステップと、 この第1のチップと同一形状として描かれる輪郭線で第
    2のウェハから第2のチップを切り出す第2のチップ切
    り出しステップと、 これら第1および第2のチップ切り出しステップで切り
    出された第1および第2のチップを貼り合せるチップ貼
    り合わせステップとを具備することを特徴とするチップ
    製造方法。
  21. 【請求項21】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所
    定の閉ループ形状として描かれる輪郭線で第1のウェハ
    から第1のチップを切り出す第1のチップ切り出しステ
    ップと、 前記所定の閉ループ形状として描かれる輪郭線で第2の
    ウェハから第2のチップを切り出す第2のチップ切り出
    しステップと、 これら第1および第2のチップ切り出しステップで切り
    出された第1および第2のチップを貼り合せるチップ貼
    り合わせステップとを具備することを特徴とするチップ
    製造方法。
  22. 【請求項22】 前記第1および第2の切り出しステッ
    プは第1および第2のチップを同一の形状に切り出すス
    テップであることを特徴とする請求項20または請求項
    21記載のチップ製造方法。
  23. 【請求項23】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェ
    ハから切り出した形状のチップ本体と、 このチップ本体の少なくとも一部に取り付けられた補強
    部材とを具備することを特徴とするチップ。
  24. 【請求項24】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所
    定の閉ループ形状として描かれる輪郭線でウェハから切
    り出した形状のチップ本体と、 このチップ本体の少なくとも一部に取り付けられた補強
    部材とを具備することを特徴とするチップ。
  25. 【請求項25】 前記チップ本体は弓形をしており、そ
    の比較的細幅の箇所に前記補強部材が固定されているこ
    とを特徴とする請求項23または請求項24記載のチッ
    プ。
  26. 【請求項26】 前記チップ本体は弓形をしており、こ
    のチップ本体と同一形状の銅板がこれに前記補強部材と
    して固定されていることを特徴とする請求項23または
    請求項24記載のチップ。
  27. 【請求項27】 前記チップ本体は弓形をしており、こ
    のチップ本体の弓形からなる面を覆うサイズの矩形の銅
    板が前記補強部材として取り付けられていることを特徴
    とする請求項23または請求項24記載のチップ。
  28. 【請求項28】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェ
    ハから切り出した形状のチップと、 このチップを収容する筐体と、 前記チップと筐体の隙間に収容された緩衝剤とを具備す
    ることを特徴とするチップ収容モジュール。
  29. 【請求項29】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所
    定の閉ループ形状として描かれる輪郭線でウェハから切
    り出した形状のチップと、 このチップを収容する筐体と、 前記チップと筐体の隙間に収容された緩衝剤とを具備す
    ることを特徴とするチップ収容モジュール。
  30. 【請求項30】 一方向に窪んだ凹形状の輪郭線でウェ
    ハから切り出した形状のチップと、 このチップを取り付けた支持体と、 前記チップおよび支持体を収容する筐体と、 この筐体上で前記支持体を支えるバネ材とを具備するこ
    とを特徴とするチップ収容モジュール。
  31. 【請求項31】 輪郭の少なくとも一部に曲線を含む所
    定の閉ループ形状として描かれる輪郭線でウェハから切
    り出した形状のチップと、 このチップを取り付けた支持体と、 前記チップおよび支持体を収容する筐体と、 この筐体上で前記支持体を支えるバネ材とを具備するこ
    とを特徴とするチップ収容モジュール。
  32. 【請求項32】 前記支持体は金属板であることを特徴
    とする請求項30または請求項31記載のチップ収容モ
    ジュール。
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CA002371630A CA2371630C (en) 2001-02-22 2002-02-13 Semiconductor chip having an arrayed waveguide grating and method of manufacturing the semiconductor chip and module containing the semiconductor chip
EP09155417A EP2083292A3 (en) 2001-02-22 2002-02-22 Semiconductor chip having an arrayed waveguide grating and method of manufacturing the semiconductor chip, and module containing the semiconductor chip
EP02251244A EP1239310B1 (en) 2001-02-22 2002-02-22 Semiconductor chip having an arrayed waveguide grating and method of manufacturing the semiconductor chip
US10/648,276 US20040036147A1 (en) 2001-02-22 2003-08-27 Semiconductor chip having an arrayed waveguide grating and method of manufacturing the semiconductor chip and module containing the semiconductor chip

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032579A1 (fr) 2006-09-13 2008-03-20 Ntt Electronics Corporation Puce optique pour circuit multiplexeur/démultiplexeur optique du type à réseau de diffraction à guides d'ondes, substrat de guides d'ondes et procédé de fabrication d'une puce optique pour circuit multiplexeur/démultiplexeur optique du type à réseau de diffraction à guides d'ondes
JP2009237205A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Furukawa Electric Co Ltd:The アレイ導波路回折格子型光合分波器
JP2011034056A (ja) * 2009-07-08 2011-02-17 Furukawa Electric Co Ltd:The アレイ導波路回折格子型光合分波器
KR101084991B1 (ko) * 2009-03-26 2011-11-21 (주)웨이옵틱스 배열 도파로 회절격자소자 및 그 제조방법
KR101119515B1 (ko) 2010-03-19 2012-02-28 우리로광통신주식회사 평판형 광소자 및 그 제조방법
JP2013050651A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Omron Corp 光導波路、光伝送モジュールおよび電子機器
JP2018084695A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 住友ベークライト株式会社 光導波路樹脂フィルムの製造方法および光学部品の製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8353634B2 (en) 2003-06-06 2013-01-15 Intel Corporation Mounting a planar light wave circuit in a housing
JP4725581B2 (ja) * 2005-09-27 2011-07-13 パナソニック株式会社 放熱配線基板とそれを用いた電気機器
US7447394B2 (en) * 2006-09-29 2008-11-04 Neophotonics Corporation Stable center wavelength performance in non-rectilinearly shaped optical integrated circuit chip
DE102008033352A1 (de) * 2008-07-16 2010-01-21 Concentrix Solar Gmbh Solarzellenchips mit neuer Geometrie und Verfahren zu deren Herstellung
US9213138B2 (en) 2013-03-26 2015-12-15 Lumentum Operations Llc Packaging an arcuate planar lightwave circuit
CN103345018B (zh) * 2013-06-28 2017-04-26 武汉光迅科技股份有限公司 一种曲线型阵列波导光栅芯片的切割方法及其切割用夹具
JP6817862B2 (ja) * 2017-03-24 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5759334A (en) * 1980-09-27 1982-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for cutting of semiconductor wafer
US5223741A (en) * 1989-09-01 1993-06-29 Tactical Fabs, Inc. Package for an integrated circuit structure
US5327517A (en) * 1991-08-05 1994-07-05 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Guided-wave circuit module and wave-guiding optical component equipped with the module
EP0548440A1 (en) * 1991-12-23 1993-06-30 International Business Machines Corporation Bilithic composite for optoelectronic integration
US5340772A (en) * 1992-07-17 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Method of increasing the layout efficiency of dies on a wafer and increasing the ratio of I/O area to active area per die
US5546483A (en) * 1993-08-02 1996-08-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Integrated optical waveguide circuit and optical branch line test system using the same
US5841927A (en) * 1993-09-20 1998-11-24 Fujitsu Limited Optical waveguide device and optical waveguide apparatus
TW289837B (ja) * 1994-01-18 1996-11-01 Hwelett Packard Co
US5467415A (en) * 1994-04-22 1995-11-14 At&T Corp. Method for making polarization independent silica optical circuits
US5776796A (en) * 1994-05-19 1998-07-07 Tessera, Inc. Method of encapsulating a semiconductor package
JP3549294B2 (ja) * 1995-08-23 2004-08-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその実装構造
US5745631A (en) * 1996-01-26 1998-04-28 Irvine Sensors Corporation Self-aligning optical beam system
US5952725A (en) * 1996-02-20 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor devices
CA2217084A1 (en) * 1996-10-30 1998-04-30 Tin-Tack Peter Cheung Hydrogenation catalysts and processes therewith
AU5703698A (en) * 1996-12-06 1998-06-29 Corning Incorporated Package for temperature-sensitive planar optical components
US5919586A (en) * 1997-03-28 1999-07-06 Rayovac Corporation Toed-in anode can and electrochemical cell made therewith
US5926586A (en) * 1997-07-09 1999-07-20 Lucent Technologies Inc. Non-rectangular optical devices
US6021267A (en) * 1997-09-08 2000-02-01 International Business Machines Corporation Aspect ratio program for optimizing semiconductor chip shape
US6091870A (en) * 1998-02-20 2000-07-18 Corning Incorporated Wavelength division multiplexer/demultiplexer optical device
JP2000131539A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Hitachi Cable Ltd 導波路型光モジュール
JP2000131543A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Pioneer Electronic Corp 光送受信モジュール及びその製造方法
JP2000206348A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路回路の光透過波長の補償方法
US6529670B1 (en) * 1999-07-08 2003-03-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical fiber array and optical light-wave device, and connecting the same
US6263941B1 (en) * 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6376909B1 (en) * 1999-09-02 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Mixed-mode stacked integrated circuit with power supply circuit part of the stack
US6243517B1 (en) * 1999-11-04 2001-06-05 Sparkolor Corporation Channel-switched cross-connect
JP2001148358A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ及び該半導体ウェーハの分割方法
US6521513B1 (en) * 2000-07-05 2003-02-18 Eastman Kodak Company Silicon wafer configuration and method for forming same
US6596185B2 (en) * 2000-11-28 2003-07-22 Lightcross, Inc. Formation of optical components on a substrate
US6787891B2 (en) * 2000-12-06 2004-09-07 Medtronic, Inc. Freeform substrates and devices

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032579A1 (fr) 2006-09-13 2008-03-20 Ntt Electronics Corporation Puce optique pour circuit multiplexeur/démultiplexeur optique du type à réseau de diffraction à guides d'ondes, substrat de guides d'ondes et procédé de fabrication d'une puce optique pour circuit multiplexeur/démultiplexeur optique du type à réseau de diffraction à guides d'ondes
JP2008070511A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Ntt Electornics Corp アレイ導波路回折格子型光合分波回路の光チップ、導波路基板及びアレイ導波路回折格子型光合分波回路の光チップの製造方法
US8111955B2 (en) 2006-09-13 2012-02-07 NTT Electronics Corporatioin Optical chip for arrayed waveguide grating type optical multiplexer/demultiplexer circuit, waveguide substrate, and method for fabricating optical chip for arrayed waveguide grating type optical multiplexer/demultiplexer circuit
EP2063299A4 (en) * 2006-09-13 2012-04-11 Ntt Electronics Corp OPTICAL CHIP FOR DIGITAL WAVEGUIDE DIFFRACTION NETWORK OPTICAL MULTIPLEXER / DEMULTIPLEXER CIRCUIT, WAVEGUIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL CHIP FOR OPTICAL DIFFERACY DIFFRACTION NETWORK TYPE MULTIPLEXER / DEMULTIPLEXER CIRCUIT WAVE
JP2009237205A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Furukawa Electric Co Ltd:The アレイ導波路回折格子型光合分波器
KR101084991B1 (ko) * 2009-03-26 2011-11-21 (주)웨이옵틱스 배열 도파로 회절격자소자 및 그 제조방법
JP2011034056A (ja) * 2009-07-08 2011-02-17 Furukawa Electric Co Ltd:The アレイ導波路回折格子型光合分波器
KR101119515B1 (ko) 2010-03-19 2012-02-28 우리로광통신주식회사 평판형 광소자 및 그 제조방법
JP2013050651A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Omron Corp 光導波路、光伝送モジュールおよび電子機器
JP2018084695A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 住友ベークライト株式会社 光導波路樹脂フィルムの製造方法および光学部品の製造方法

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