JP2000131543A - 光送受信モジュール及びその製造方法 - Google Patents
光送受信モジュール及びその製造方法Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造容易で光損失の少ない光送受信モジュー
ル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 多波長の光信号から少なくとも１つの波
長帯の光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送受
信モジュールであって、劈開面を有しかつ劈開面との交
差部位にて劈開面の法線から等しい角度で伸長し互いに
交差する入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結晶
基板と、第１劈開性結晶基板の入力及び出力導波路の交
差部位における劈開面に接する干渉フィルタと、干渉フ
ィルタに接する劈開面を有しかつ交差部位の近傍から伸
長するとともに互いに分岐する受信及び送信導波路を有
する送受信導波路を担持する第２劈開性結晶基板と、を
備える。
ル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 多波長の光信号から少なくとも１つの波
長帯の光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送受
信モジュールであって、劈開面を有しかつ劈開面との交
差部位にて劈開面の法線から等しい角度で伸長し互いに
交差する入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結晶
基板と、第１劈開性結晶基板の入力及び出力導波路の交
差部位における劈開面に接する干渉フィルタと、干渉フ
ィルタに接する劈開面を有しかつ交差部位の近傍から伸
長するとともに互いに分岐する受信及び送信導波路を有
する送受信導波路を担持する第２劈開性結晶基板と、を
備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光送受信モジュー
ルに関し、特に、集積可能な光送受信モジュールに関す
る。
ルに関し、特に、集積可能な光送受信モジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、画像情報通信が盛んになってお
り、その通信に光ケーブル化が試みられている。その中
の一例のアクセス系光通信においては、１．３μｍ帯の
光を用いて複数の加入者と送信局との間で双方向通信を
行い、１．５５μｍ帯の光を用いて送信局から加入者へ
画像情報の配信を行うシステムがある。かかるシステム
では加入者側に、ＷＤＭ(Wavelength Division Multipl
exing)光送受信モジュールを設ける必要がある。
り、その通信に光ケーブル化が試みられている。その中
の一例のアクセス系光通信においては、１．３μｍ帯の
光を用いて複数の加入者と送信局との間で双方向通信を
行い、１．５５μｍ帯の光を用いて送信局から加入者へ
画像情報の配信を行うシステムがある。かかるシステム
では加入者側に、ＷＤＭ(Wavelength Division Multipl
exing)光送受信モジュールを設ける必要がある。
【０００３】光送受信モジュールにおいては、誘電体多
層膜フィルタいわゆる反射型波長分波器を用いたもの
が、広い波長帯域のアイソレーションを実現できるの
で、注目されている（特開平８−１９００２６号公
報）。図１に示すように従来の光送受信モジュールにお
いて、シリコン基板１１上には、石英系ガラスのクラッ
ド１２中に埋設されたコアのシングルモード導波路２、
３及び２'が形成されている。導波路２及び３の交わる
位置の近傍にダイシングソーにより形成された溝４が設
けられ、その中に誘電体多層膜フィルタ５が配置されて
いる。誘電体多層膜フィルタ５の導波路２，３と反対側
に形成されている導波路２'の光軸は導波路２の光軸と
一致している。
層膜フィルタいわゆる反射型波長分波器を用いたもの
が、広い波長帯域のアイソレーションを実現できるの
で、注目されている（特開平８−１９００２６号公
報）。図１に示すように従来の光送受信モジュールにお
いて、シリコン基板１１上には、石英系ガラスのクラッ
ド１２中に埋設されたコアのシングルモード導波路２、
３及び２'が形成されている。導波路２及び３の交わる
位置の近傍にダイシングソーにより形成された溝４が設
けられ、その中に誘電体多層膜フィルタ５が配置されて
いる。誘電体多層膜フィルタ５の導波路２，３と反対側
に形成されている導波路２'の光軸は導波路２の光軸と
一致している。
【０００４】プレーナ光波回路３０には入力側のシング
ルモード光ファイバ１０Ａ、出力側のシングルモード光
ファイバ１０Ｂがガラスブロック９に挿入固定され、ガ
ラスブロック９は光ファイバ１０Ａ，１０Ｂの光軸が導
波路２，３の光軸と一致するように、それらの入出力ポ
ートの端面に接着固定されている。光ファイバ１０Ａか
らの波長多重化された１．３μｍ及び１．５５μｍ帯の
光が入出力ポートから導波路２に入射され、１．５５μ
ｍの光は誘電体多層膜フィルタ５で反射されてそのまま
導波路３に導波し、導波路端でシングルモード光ファイ
バ１０Ｂに結合され外部に出力される。一方、導波路２
からの１．３μｍ帯の光は誘電体多層膜フィルタ５の反
射型波長合分波器を透過し、導波路２'に導波し、Ｙ分
岐６で二分され、それぞれレーザダイオード７とフォト
ダイオード８に結合される。レーザダイオード７は、受
信者側からの送信信号の伝送用に、フォトダイオード８
は受信した光信号の電気信号への変換用に、それぞれ用
いられる。１．５５μｍ帯の光は、例えば送信局から加
入者へ多チャンネルのビデオ信号を分配することに使用
され、１．３μｍ帯の光は各種のデータ信号の双方向通
信に使われる。
ルモード光ファイバ１０Ａ、出力側のシングルモード光
ファイバ１０Ｂがガラスブロック９に挿入固定され、ガ
ラスブロック９は光ファイバ１０Ａ，１０Ｂの光軸が導
波路２，３の光軸と一致するように、それらの入出力ポ
ートの端面に接着固定されている。光ファイバ１０Ａか
らの波長多重化された１．３μｍ及び１．５５μｍ帯の
光が入出力ポートから導波路２に入射され、１．５５μ
ｍの光は誘電体多層膜フィルタ５で反射されてそのまま
導波路３に導波し、導波路端でシングルモード光ファイ
バ１０Ｂに結合され外部に出力される。一方、導波路２
からの１．３μｍ帯の光は誘電体多層膜フィルタ５の反
射型波長合分波器を透過し、導波路２'に導波し、Ｙ分
岐６で二分され、それぞれレーザダイオード７とフォト
ダイオード８に結合される。レーザダイオード７は、受
信者側からの送信信号の伝送用に、フォトダイオード８
は受信した光信号の電気信号への変換用に、それぞれ用
いられる。１．５５μｍ帯の光は、例えば送信局から加
入者へ多チャンネルのビデオ信号を分配することに使用
され、１．３μｍ帯の光は各種のデータ信号の双方向通
信に使われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ダイシングソ
ーにより形成された溝４の側面は凹凸のあるものであ
る。よって、溝側面の研磨が難しい。さらに、誘電体多
層膜フィルタ５は、所定膜厚のポリイミド薄膜にＳｉＯ
2とＴｉＯ2を交互に多層蒸着して、１．３μｍ帯の光は
透過して１．５５μｍ帯の光は反射するように形成され
ている。また、この誘電体多層膜フィルタのフィルムは
該溝に挿入され、シリコーン系接着剤１３で固定される
ので、経時変化が生じやすい。さらに、溝側面の凹凸、
接着剤及びプラスチックフィルムを経る光の反射及び透
過の損失が大きいという問題もある。
ーにより形成された溝４の側面は凹凸のあるものであ
る。よって、溝側面の研磨が難しい。さらに、誘電体多
層膜フィルタ５は、所定膜厚のポリイミド薄膜にＳｉＯ
2とＴｉＯ2を交互に多層蒸着して、１．３μｍ帯の光は
透過して１．５５μｍ帯の光は反射するように形成され
ている。また、この誘電体多層膜フィルタのフィルムは
該溝に挿入され、シリコーン系接着剤１３で固定される
ので、経時変化が生じやすい。さらに、溝側面の凹凸、
接着剤及びプラスチックフィルムを経る光の反射及び透
過の損失が大きいという問題もある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、製造容易で光損
失の少ない光送受信モジュール及びその製造方法を提供
することにある。
失の少ない光送受信モジュール及びその製造方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光送受信モジュ
ールは、多波長の光信号から少なくとも１つの波長帯の
光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送受信モジ
ュールであって、劈開面を有しかつ前記劈開面との交差
部位にて前記劈開面の法線から等しい角度で伸長し互い
に交差する入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結
晶基板と、前記第１劈開性結晶基板の入力及び出力導波
路の交差部位における前記劈開面に接する干渉フィルタ
と、前記干渉フィルタに接する劈開面を有しかつ前記交
差部位の近傍から伸長するとともに互いに分岐する受信
及び送信導波路を有する送受信導波路を担持する第２劈
開性結晶基板と、を備えたことを特徴とする。
ールは、多波長の光信号から少なくとも１つの波長帯の
光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送受信モジ
ュールであって、劈開面を有しかつ前記劈開面との交差
部位にて前記劈開面の法線から等しい角度で伸長し互い
に交差する入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結
晶基板と、前記第１劈開性結晶基板の入力及び出力導波
路の交差部位における前記劈開面に接する干渉フィルタ
と、前記干渉フィルタに接する劈開面を有しかつ前記交
差部位の近傍から伸長するとともに互いに分岐する受信
及び送信導波路を有する送受信導波路を担持する第２劈
開性結晶基板と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】本発明の光送受信モジュールにおいては、
前記入力及び出力導波路は前記第１劈開性結晶基板の他
方の劈開面にて共に終端していることを特徴とする。本
発明の光送受信モジュールにおいては、前記受信及び送
信導波路は前記第２劈開性結晶基板の他方の劈開面にて
共に終端していることを特徴とする。本発明の光送受信
モジュールにおいては、前記第１及び第２劈開性結晶基
板はＩｎＰの化合物半導体であり、前記入力及び出力導
波路並びに送受信導波路はＩｎＧａＡｓＰであることを
特徴とする。
前記入力及び出力導波路は前記第１劈開性結晶基板の他
方の劈開面にて共に終端していることを特徴とする。本
発明の光送受信モジュールにおいては、前記受信及び送
信導波路は前記第２劈開性結晶基板の他方の劈開面にて
共に終端していることを特徴とする。本発明の光送受信
モジュールにおいては、前記第１及び第２劈開性結晶基
板はＩｎＰの化合物半導体であり、前記入力及び出力導
波路並びに送受信導波路はＩｎＧａＡｓＰであることを
特徴とする。
【０００９】本発明の光送受信モジュールにおいては、
前記第１及び第２劈開性結晶基板はＧａＡｓの化合物半
導体からなり、前記入力及び出力導波路並びに送受信導
波路はＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする。本発明
の光送受信モジュールにおいては、前記入力及び出力導
波路並びに送受信導波路はチャネル形導波路であること
を特徴とする。
前記第１及び第２劈開性結晶基板はＧａＡｓの化合物半
導体からなり、前記入力及び出力導波路並びに送受信導
波路はＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする。本発明
の光送受信モジュールにおいては、前記入力及び出力導
波路並びに送受信導波路はチャネル形導波路であること
を特徴とする。
【００１０】本発明の光送受信モジュールにおいては、
前記干渉フィルタは、前記多波長の光信号のうちの、短
い方の波長帯の光信号を透過し、長い方の波長帯を反射
する構造を有する誘電体の多層膜からなることを特徴と
する。本発明の光送受信モジュールにおいては、前記受
信及び送信導波路にそれぞれ接続するための受光素子及
び発光素子を有することを特徴とする。
前記干渉フィルタは、前記多波長の光信号のうちの、短
い方の波長帯の光信号を透過し、長い方の波長帯を反射
する構造を有する誘電体の多層膜からなることを特徴と
する。本発明の光送受信モジュールにおいては、前記受
信及び送信導波路にそれぞれ接続するための受光素子及
び発光素子を有することを特徴とする。
【００１１】本発明の光送受信モジュールにおいては、
前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方の劈開面に反射
防止膜が被覆されていることを特徴とする。また、本発
明の光送受信モジュール製造方法においては、多波長帯
の光信号から少なくとも１つの波長帯の光信号を分波し
これを受信しかつ送信する光送受信モジュールの製造方
法であって、劈開すべき所定の劈開面との交差部位にて
前記劈開面の法線から等しい角度で伸長し互いに交差す
る入力及び出力導波路並びに前記交差部位の近傍から伸
長するとともに互いに分岐する受信及び送信導波路を有
する送受信導波路を、劈開性結晶基板上に形成する導波
路形成工程と、前記交差部位を通過する方向に前記劈開
性結晶基板を劈開して、前記交差部位に劈開面を有する
前記入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結晶基板
並びに送受信導波路を担持する第２劈開性結晶基板を形
成する劈開工程と、前記第１及び第２劈開性結晶基板の
劈開面のうち、少なくとも一方の面の少なくとも導波路
端面部分に干渉フィルタを被覆する干渉フィルタ形成工
程と、前記送受信導波路が前記交差部位の近傍から伸長
させるべく、前記干渉フィルタを挟んで挟持して前記第
１及び第２劈開性結晶基板の劈開面側を接合する接合工
程と、を含むことを特徴とする。
前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方の劈開面に反射
防止膜が被覆されていることを特徴とする。また、本発
明の光送受信モジュール製造方法においては、多波長帯
の光信号から少なくとも１つの波長帯の光信号を分波し
これを受信しかつ送信する光送受信モジュールの製造方
法であって、劈開すべき所定の劈開面との交差部位にて
前記劈開面の法線から等しい角度で伸長し互いに交差す
る入力及び出力導波路並びに前記交差部位の近傍から伸
長するとともに互いに分岐する受信及び送信導波路を有
する送受信導波路を、劈開性結晶基板上に形成する導波
路形成工程と、前記交差部位を通過する方向に前記劈開
性結晶基板を劈開して、前記交差部位に劈開面を有する
前記入力及び出力導波路を担持する第１劈開性結晶基板
並びに送受信導波路を担持する第２劈開性結晶基板を形
成する劈開工程と、前記第１及び第２劈開性結晶基板の
劈開面のうち、少なくとも一方の面の少なくとも導波路
端面部分に干渉フィルタを被覆する干渉フィルタ形成工
程と、前記送受信導波路が前記交差部位の近傍から伸長
させるべく、前記干渉フィルタを挟んで挟持して前記第
１及び第２劈開性結晶基板の劈開面側を接合する接合工
程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記劈開工程において、前記劈開性結晶基板
を劈開して、前記入力及び出力導波路が共に終端する前
記第１劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成することを
特徴とする。本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記劈開工程において、前記劈開性結晶基板
を劈開して、前記受信及び送信導波路が共に終端する前
記第２劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成することを
特徴とする。
おいては、前記劈開工程において、前記劈開性結晶基板
を劈開して、前記入力及び出力導波路が共に終端する前
記第１劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成することを
特徴とする。本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記劈開工程において、前記劈開性結晶基板
を劈開して、前記受信及び送信導波路が共に終端する前
記第２劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成することを
特徴とする。
【００１３】本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記導波路形成工程において、前記劈開性結
晶基板上に導波路層を形成し、前記導波路層上に導波路
パターンマスクを形成し、前記導波路層をエッチング
し、リッジ形導波路を形成することを特徴とする。本発
明の光送受信モジュールの製造方法においては、前記干
渉フィルタ形成工程において、前記多波長の光信号のう
ちの、短い方の波長帯の光信号を透過し、長い方の波長
帯を反射させるべく、誘電体薄膜の複数を被覆すること
を特徴とする。
おいては、前記導波路形成工程において、前記劈開性結
晶基板上に導波路層を形成し、前記導波路層上に導波路
パターンマスクを形成し、前記導波路層をエッチング
し、リッジ形導波路を形成することを特徴とする。本発
明の光送受信モジュールの製造方法においては、前記干
渉フィルタ形成工程において、前記多波長の光信号のう
ちの、短い方の波長帯の光信号を透過し、長い方の波長
帯を反射させるべく、誘電体薄膜の複数を被覆すること
を特徴とする。
【００１４】本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方の劈
開面に反射防止膜を被覆する工程を含むことを特徴とす
る。本発明の光送受信モジュールの製造方法において
は、前記接合工程おいて、第１ボンディング材によっ
て、熱伝導性基板上に前記第１及び第２劈開性結晶基板
の一方を接着し、残る劈開性結晶基板の他方を、第１ボ
ンディング材の融点よりも低い融点を有する第２ボンデ
ィング材によって、接着することを特徴とする。
おいては、前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方の劈
開面に反射防止膜を被覆する工程を含むことを特徴とす
る。本発明の光送受信モジュールの製造方法において
は、前記接合工程おいて、第１ボンディング材によっ
て、熱伝導性基板上に前記第１及び第２劈開性結晶基板
の一方を接着し、残る劈開性結晶基板の他方を、第１ボ
ンディング材の融点よりも低い融点を有する第２ボンデ
ィング材によって、接着することを特徴とする。
【００１５】本発明の光送受信モジュールの製造方法に
おいては、前記熱伝導性基板上に、前記受信及び送信導
波路にそれぞれ接続するための受光素子及び発光素子を
接着する工程を有することを特徴とする。本発明の光送
受信モジュールの製造方法においては、前記熱伝導性基
板には、前記受信及び送信導波路に光軸を芯合わせるべ
く前記受光素子及び発光素子の接着部位に隆起した台場
部又は陥没した凹部が形成されることを特徴とする。
おいては、前記熱伝導性基板上に、前記受信及び送信導
波路にそれぞれ接続するための受光素子及び発光素子を
接着する工程を有することを特徴とする。本発明の光送
受信モジュールの製造方法においては、前記熱伝導性基
板には、前記受信及び送信導波路に光軸を芯合わせるべ
く前記受光素子及び発光素子の接着部位に隆起した台場
部又は陥没した凹部が形成されることを特徴とする。
【００１６】本願発明によれば、導波路を劈開可能な結
晶例えばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなどの化合物半導体で
形成することで、この半導体導波路の分波する部分を劈
開により一度切断し、劈開面に誘電体多層膜すなわち多
層膜コーティングをした後、接合するので工程が簡略化
され、光送受信モジュールが簡便に作製可能になる。ま
た、劈開面に直接形成された誘電体多層膜フィルタによ
って分波を行うことで、環境耐久性が向上するととも
に、分波特性の環境温度依存性を少なくできる。
晶例えばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなどの化合物半導体で
形成することで、この半導体導波路の分波する部分を劈
開により一度切断し、劈開面に誘電体多層膜すなわち多
層膜コーティングをした後、接合するので工程が簡略化
され、光送受信モジュールが簡便に作製可能になる。ま
た、劈開面に直接形成された誘電体多層膜フィルタによ
って分波を行うことで、環境耐久性が向上するととも
に、分波特性の環境温度依存性を少なくできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施例の光
送受信モジュールを図面を参照しつつ説明する。図２
に、波長多重化された１．３μｍ及び１．５５μｍ帯の
多波長の光信号から１．３μｍ帯の光信号を分波しこれ
を受信しかつ送信する光送受信モジュールの実施例を示
す。この光送受信モジュールは、シリコン基板１１上に
プレーナ光波回路１００のチップが第１及び第２ボンデ
ィング材２０１，２０２によって固定された構成を有し
ている。光送受信モジュールは１．３μｍ帯用の受信及
び送信導波路にそれぞれ接続するための受光素子フォト
ダイオード８及び発光素子レーザダイオード７を有す
る。プレーナ光波回路１００は、入力及び出力導波路２
０及び３０を担持する第１基板１０１と、入出力導波路
２０から共軸に伸長する送受信導波路２０ａを担持する
第２基板１０２と、からなり、第１及び第２基板１０１
及び１０２の劈開面の間に接して形成された干渉フィル
タ５０を有している。干渉フィルタ５０は、多波長の光
信号のうちの、波長の短い方の１．３μｍ帯の光信号を
透過し、波長の長い方の１．５５μｍ帯光を反射する構
造を有する誘電体の多層膜からなる。第１及び第２基板
１０１及び１０２は、劈開性結晶例えば、ＩｎＰの化合
物半導体からなる。入力及び出力導波路２０及び３０並
びに送受信導波路２０ａは、ＩｎＰ基板上にエピタキシ
ャル成長させた導波路材料膜を形成しこれをフォトリソ
グラフィ方法などにより食刻した、使用波長帯にて透光
性があるＩｎＧａＡｓＰリッジ形導波路である。第１及
び第２基板１０１及び１０２は一体的なモノリシックＩ
ｎＰ平板を劈開により分割したので、それぞれ劈開面１
０１ａ及び１０２ａを有している。
送受信モジュールを図面を参照しつつ説明する。図２
に、波長多重化された１．３μｍ及び１．５５μｍ帯の
多波長の光信号から１．３μｍ帯の光信号を分波しこれ
を受信しかつ送信する光送受信モジュールの実施例を示
す。この光送受信モジュールは、シリコン基板１１上に
プレーナ光波回路１００のチップが第１及び第２ボンデ
ィング材２０１，２０２によって固定された構成を有し
ている。光送受信モジュールは１．３μｍ帯用の受信及
び送信導波路にそれぞれ接続するための受光素子フォト
ダイオード８及び発光素子レーザダイオード７を有す
る。プレーナ光波回路１００は、入力及び出力導波路２
０及び３０を担持する第１基板１０１と、入出力導波路
２０から共軸に伸長する送受信導波路２０ａを担持する
第２基板１０２と、からなり、第１及び第２基板１０１
及び１０２の劈開面の間に接して形成された干渉フィル
タ５０を有している。干渉フィルタ５０は、多波長の光
信号のうちの、波長の短い方の１．３μｍ帯の光信号を
透過し、波長の長い方の１．５５μｍ帯光を反射する構
造を有する誘電体の多層膜からなる。第１及び第２基板
１０１及び１０２は、劈開性結晶例えば、ＩｎＰの化合
物半導体からなる。入力及び出力導波路２０及び３０並
びに送受信導波路２０ａは、ＩｎＰ基板上にエピタキシ
ャル成長させた導波路材料膜を形成しこれをフォトリソ
グラフィ方法などにより食刻した、使用波長帯にて透光
性があるＩｎＧａＡｓＰリッジ形導波路である。第１及
び第２基板１０１及び１０２は一体的なモノリシックＩ
ｎＰ平板を劈開により分割したので、それぞれ劈開面１
０１ａ及び１０２ａを有している。
【００１８】また、基板としては、III−V族元素の化合
物半導体の例えばＧａＡｓも用いられ得、この場合のリ
ッジ形導波路はＡｌＧａＡｓから形成される。さらに、
以上の波長帯が伝搬するそれぞれの導波路はリッジ形導
波路に限定されず、チャネル型の３次元導波路であれば
よい。チャネル型導波路としては、例えば、使用波長帯
にて透光性を与え周囲のクラッド層よりも屈折率を高め
る材料を、基板の結晶表面から拡散させることにより、
クラッドに比べてその拡散部分の屈折率をあげる拡散方
法によって、所定パターンの３次元導波路を形成した
り、また、プロトン交換方法でチャネル型導波路を形成
することもできる。さらに、チャネル型導波路として
は、結晶基板上に予め形成した２次元導波路材料層の一
部に誘電体の所定パターンを装荷すると誘電体装荷部分
直下の導波路材料に比べて、その周囲の導波路材料の等
価屈折率が大きくなり、この部分に光を閉じ込めること
ができる装荷型３次元導波路としてもよい。
物半導体の例えばＧａＡｓも用いられ得、この場合のリ
ッジ形導波路はＡｌＧａＡｓから形成される。さらに、
以上の波長帯が伝搬するそれぞれの導波路はリッジ形導
波路に限定されず、チャネル型の３次元導波路であれば
よい。チャネル型導波路としては、例えば、使用波長帯
にて透光性を与え周囲のクラッド層よりも屈折率を高め
る材料を、基板の結晶表面から拡散させることにより、
クラッドに比べてその拡散部分の屈折率をあげる拡散方
法によって、所定パターンの３次元導波路を形成した
り、また、プロトン交換方法でチャネル型導波路を形成
することもできる。さらに、チャネル型導波路として
は、結晶基板上に予め形成した２次元導波路材料層の一
部に誘電体の所定パターンを装荷すると誘電体装荷部分
直下の導波路材料に比べて、その周囲の導波路材料の等
価屈折率が大きくなり、この部分に光を閉じ込めること
ができる装荷型３次元導波路としてもよい。
【００１９】図２に示すように、第１基板１０１の入力
及び出力導波路２０及び３０は劈開面１０１ａとの交差
部位１５にて劈開面の法線から等しい角度で伸長し互い
に交差するように形成されている。入力及び出力導波路
の交差部位１５における劈開面に接する干渉フィルタに
よって、１．５５μｍ帯の光を入出力導波路２０から出
力導波路３０へ反射させ、導波させるためである。入力
及び出力導波路２０及び３０は交差部位１５の反対側の
第１基板の他方の劈開面１０１ｂにて共に入力出力ポー
トとして終端している。第１基板１０１の他方の劈開面
１０１ｂは反射防止膜ＡＲで被覆されている。
及び出力導波路２０及び３０は劈開面１０１ａとの交差
部位１５にて劈開面の法線から等しい角度で伸長し互い
に交差するように形成されている。入力及び出力導波路
の交差部位１５における劈開面に接する干渉フィルタに
よって、１．５５μｍ帯の光を入出力導波路２０から出
力導波路３０へ反射させ、導波させるためである。入力
及び出力導波路２０及び３０は交差部位１５の反対側の
第１基板の他方の劈開面１０１ｂにて共に入力出力ポー
トとして終端している。第１基板１０１の他方の劈開面
１０１ｂは反射防止膜ＡＲで被覆されている。
【００２０】第２基板１０２はその劈開面１０２ａにて
干渉フィルタ５０に接する。交差部位１５の近傍の劈開
面１０２ａから伸長する送受信導波路２０ａは、互いに
分岐する受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔを有して
いる。受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔは第２基板
１０２の他方の劈開面１０２ｂにて共に終端している。
受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０ＴがＹ分岐６で二分
され、それぞれフォトダイオード８及びレーザダイオー
ド７に結合させるためである。第２基板１０２の他方の
劈開面１０２ｂは予め反射防止膜ＡＲで被覆されてい
る。
干渉フィルタ５０に接する。交差部位１５の近傍の劈開
面１０２ａから伸長する送受信導波路２０ａは、互いに
分岐する受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔを有して
いる。受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔは第２基板
１０２の他方の劈開面１０２ｂにて共に終端している。
受信及び送信導波路２０Ｒ及び２０ＴがＹ分岐６で二分
され、それぞれフォトダイオード８及びレーザダイオー
ド７に結合させるためである。第２基板１０２の他方の
劈開面１０２ｂは予め反射防止膜ＡＲで被覆されてい
る。
【００２１】プレーナ光波回路１００には入力側のシン
グルモード光ファイバ１０Ａ、出力側のシングルモード
光ファイバ１０Ｂはガラスブロック９内に設けられた溝
に挿入固定され、ガラスブロック９は光ファイバ１０
Ａ，１０Ｂの光軸が導波路２０，３０の光軸と一致する
ように、それらの入出力ポートの端面に接着固定されて
いる。光ファイバ１０Ａからの波長多重化された１．３
μｍ及び１．５５μｍ帯の光が入出力ポートから入出力
導波路２０に入射され、１．５５μｍの光は誘電体多層
膜フィルタ５０で反射されてそのまま出力導波路３０に
導波し、導波路端でシングルモード光ファイバ１０Ｂに
結合され外部に出力される。一方、入出力導波路２０か
らの１．３μｍ帯の光はフィルタ５０を透過し、送受信
導波路２０ａに導波し、Ｙ分岐６で二分された受信及び
送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔにてそれぞれフォトダイオ
ード８とレーザダイオード７とに結合される。レーザダ
イオード７は、受信者側からの送信信号の伝送用に、フ
ォトダイオード８は受信した光信号の電気信号への変換
用に、それぞれ用いられる。
グルモード光ファイバ１０Ａ、出力側のシングルモード
光ファイバ１０Ｂはガラスブロック９内に設けられた溝
に挿入固定され、ガラスブロック９は光ファイバ１０
Ａ，１０Ｂの光軸が導波路２０，３０の光軸と一致する
ように、それらの入出力ポートの端面に接着固定されて
いる。光ファイバ１０Ａからの波長多重化された１．３
μｍ及び１．５５μｍ帯の光が入出力ポートから入出力
導波路２０に入射され、１．５５μｍの光は誘電体多層
膜フィルタ５０で反射されてそのまま出力導波路３０に
導波し、導波路端でシングルモード光ファイバ１０Ｂに
結合され外部に出力される。一方、入出力導波路２０か
らの１．３μｍ帯の光はフィルタ５０を透過し、送受信
導波路２０ａに導波し、Ｙ分岐６で二分された受信及び
送信導波路２０Ｒ及び２０Ｔにてそれぞれフォトダイオ
ード８とレーザダイオード７とに結合される。レーザダ
イオード７は、受信者側からの送信信号の伝送用に、フ
ォトダイオード８は受信した光信号の電気信号への変換
用に、それぞれ用いられる。
【００２２】光送受信モジュールは以下の作製プロセス
により、製造される。まず、図３に示すように、透光性
導波路を形成できる劈開性結晶基板のウエハ９０を用意
する。例えば、半導体材料としては、劈開可能なＧａＡ
ｓ系、ＩｎＰ系半導体などが挙げられる。導波路構造と
しては、リッジ型でも埋め込み型でも良い。
により、製造される。まず、図３に示すように、透光性
導波路を形成できる劈開性結晶基板のウエハ９０を用意
する。例えば、半導体材料としては、劈開可能なＧａＡ
ｓ系、ＩｎＰ系半導体などが挙げられる。導波路構造と
しては、リッジ型でも埋め込み型でも良い。
【００２３】ＩｎＰ系リッジ型導波路を例にとると、Ｍ
ＯＣＶＤなどの手法により、劈開性結晶基板９０上にＩ
ｎＧａＡｓＰスラブ導波路層９１を結晶成長させる。こ
こで、ＩｎＧａＡｓＰスラブ導波路９１は１．３μｍ、
１．５５μｍに対して透明な組成とする。そのために該
基板は使用波長帯にて透光性があるものが好ましい。次
に、図４に示すように、ウエハ表面９１ａ上に、導波路
形状及び劈開位置を示すパターンをフォトリソグラフィ
プロセスによりニングし、さらにエッチングにより三次
元導波路P及びマーカＭを加工する。このとき同時にマ
ーカＭもエッチング加工される。マーカＭの中で、特
に、劈開マーカは、劈開予定の光分波位置CLを示すた
め、マーカによる位置決めが特に重要である。このよう
にしてエッチングにより図２に示すような、リッジ形導
波路２０、３０及び２０ａを形成し、三次元導波路を形
成する。
ＯＣＶＤなどの手法により、劈開性結晶基板９０上にＩ
ｎＧａＡｓＰスラブ導波路層９１を結晶成長させる。こ
こで、ＩｎＧａＡｓＰスラブ導波路９１は１．３μｍ、
１．５５μｍに対して透明な組成とする。そのために該
基板は使用波長帯にて透光性があるものが好ましい。次
に、図４に示すように、ウエハ表面９１ａ上に、導波路
形状及び劈開位置を示すパターンをフォトリソグラフィ
プロセスによりニングし、さらにエッチングにより三次
元導波路P及びマーカＭを加工する。このとき同時にマ
ーカＭもエッチング加工される。マーカＭの中で、特
に、劈開マーカは、劈開予定の光分波位置CLを示すた
め、マーカによる位置決めが特に重要である。このよう
にしてエッチングにより図２に示すような、リッジ形導
波路２０、３０及び２０ａを形成し、三次元導波路を形
成する。
【００２４】次に、図５に示すように、劈開可能な厚さ
まで劈開性結晶基板９０の裏面９１ｂを研磨する。次
に、図６に示すように、劈開予定の光分波位置CLのマー
カ位置で劈開して、劈開性結晶基板９０をバー状に分割
して加工し、導波路バー９５が作製される。次に、図７
に示すように、真空蒸着法、マグネトロンスパッタ法な
どにより、図２に示す第１基板１０１となるべき導波路
バー９５の劈開面１０１aに、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2など
を交互に積層して干渉フィルタ５０の誘電体多層膜の積
層を行ない、分波用干渉フィルタ５０を形成する。これ
ら劈開面のうち、少なくとも一方の面の少なくとも導波
路端面部分に干渉フィルタを被覆すればよい。誘電体多
層膜５０は後に接合して光回路モジュールとなす時に挟
持されるので、いずれの導波路バー９５及び９５aの対
向する劈開面１０１a及び１０２aに形成してもよい。
まで劈開性結晶基板９０の裏面９１ｂを研磨する。次
に、図６に示すように、劈開予定の光分波位置CLのマー
カ位置で劈開して、劈開性結晶基板９０をバー状に分割
して加工し、導波路バー９５が作製される。次に、図７
に示すように、真空蒸着法、マグネトロンスパッタ法な
どにより、図２に示す第１基板１０１となるべき導波路
バー９５の劈開面１０１aに、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2など
を交互に積層して干渉フィルタ５０の誘電体多層膜の積
層を行ない、分波用干渉フィルタ５０を形成する。これ
ら劈開面のうち、少なくとも一方の面の少なくとも導波
路端面部分に干渉フィルタを被覆すればよい。誘電体多
層膜５０は後に接合して光回路モジュールとなす時に挟
持されるので、いずれの導波路バー９５及び９５aの対
向する劈開面１０１a及び１０２aに形成してもよい。
【００２５】さらに、導波路バー９５の反対側の劈開面
１０１bに１．３及び１．５５μｍ波用の反射防止膜Ａ
Ｒを形成、被膜する。また、図２に示す第２基板１０２
となるべき他方の導波路バー９５aの反対側の劈開面１
０２bに１．３μｍ用の反射防止膜ＡＲを形成、被膜す
る。次に、図８の破線に示すように、導波路バーを第１
及び第２基板１０１及び１０２毎にさらに劈開し、個別
の導波路チップにする。
１０１bに１．３及び１．５５μｍ波用の反射防止膜Ａ
Ｒを形成、被膜する。また、図２に示す第２基板１０２
となるべき他方の導波路バー９５aの反対側の劈開面１
０２bに１．３μｍ用の反射防止膜ＡＲを形成、被膜す
る。次に、図８の破線に示すように、導波路バーを第１
及び第２基板１０１及び１０２毎にさらに劈開し、個別
の導波路チップにする。
【００２６】両方の導波路チップに予め位置合わせ用の
アラインメントマーカをパターニングしてあるので、マ
ーカに合わせて個別のチップを、例えば、シリコン基板
などの熱伝導性基板上にて接合する。その他、導波路バ
ーに光を導波させながら位置合わせを行ないつつ個別の
導波路チップを接合するなどの方法もある。次に、図９
に示すように、第１及び第２基板を接着する工程におい
て、導波路チップを接続する時に一方の導波路チップを
シリコン基板１１に固定しておく必要があるため、シリ
コン基板１１上に融点の異なる第１及び第２ボンディン
グ材２０１及び２０２を蒸着しておく。ここでは、第１
ボンディング材２０１の融点が第２ボンディング材２０
２のものより高い。
アラインメントマーカをパターニングしてあるので、マ
ーカに合わせて個別のチップを、例えば、シリコン基板
などの熱伝導性基板上にて接合する。その他、導波路バ
ーに光を導波させながら位置合わせを行ないつつ個別の
導波路チップを接合するなどの方法もある。次に、図９
に示すように、第１及び第２基板を接着する工程におい
て、導波路チップを接続する時に一方の導波路チップを
シリコン基板１１に固定しておく必要があるため、シリ
コン基板１１上に融点の異なる第１及び第２ボンディン
グ材２０１及び２０２を蒸着しておく。ここでは、第１
ボンディング材２０１の融点が第２ボンディング材２０
２のものより高い。
【００２７】次に、図１０に示すように、シリコン基板
１１を第１ボンディング材２０１の融点以上に加熱しく
し、一方の導波路チップ例えば第２基板１０２を、マー
カに沿って、シリコン基板１１上にボンディングする。
次に、図１１に示すように、低い融点の第２ボンディン
グ材２０２だけが溶ける温度にして他方の導波路チップ
の第１基板１０１を、送受信導波路２０ａが交差部位１
５の近傍から入出力導波路２０の光軸と一致して伸長す
るように芯合わせしつつ又はボンディングする。
１１を第１ボンディング材２０１の融点以上に加熱しく
し、一方の導波路チップ例えば第２基板１０２を、マー
カに沿って、シリコン基板１１上にボンディングする。
次に、図１１に示すように、低い融点の第２ボンディン
グ材２０２だけが溶ける温度にして他方の導波路チップ
の第１基板１０１を、送受信導波路２０ａが交差部位１
５の近傍から入出力導波路２０の光軸と一致して伸長す
るように芯合わせしつつ又はボンディングする。
【００２８】次に、図２に示すように、対応導波路の端
部に送信用レーザダイオード７と受信用フォトダイオー
ド８とをそれぞれシリコン基板１１上に固定する。送信
用レーザダイオード７と受信用フォトダイオード８は対
応導波路への高さ合わせ及び放熱のために、シリコン基
板１１上に隆起した台場部としてＳｉテラス１１aを設
けることもできる。また、Ｓｉテラス１１aの他に、受
信及び送信導波路に光軸を芯合わせるように、レーザダ
イオード７とフォトダイオード８の接着部位に陥没した
凹部を形成してもよい。
部に送信用レーザダイオード７と受信用フォトダイオー
ド８とをそれぞれシリコン基板１１上に固定する。送信
用レーザダイオード７と受信用フォトダイオード８は対
応導波路への高さ合わせ及び放熱のために、シリコン基
板１１上に隆起した台場部としてＳｉテラス１１aを設
けることもできる。また、Ｓｉテラス１１aの他に、受
信及び送信導波路に光軸を芯合わせるように、レーザダ
イオード７とフォトダイオード８の接着部位に陥没した
凹部を形成してもよい。
【図１】従来の光送受信モジュールの概略斜視図。
【図２】本発明による実施例の光送受信モジュールの概
略斜視図。
略斜視図。
【図３】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
【図４】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
【図５】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
造方法における結晶基板ウエハの概略斜視図。
【図６】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における導波路バーの概略斜視図。
造方法における導波路バーの概略斜視図。
【図７】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における導波路バーの概略斜視図。
造方法における導波路バーの概略斜視図。
【図８】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における導波路バーの概略斜視図。
造方法における導波路バーの概略斜視図。
【図９】本発明による実施例の光送受信モジュールの製
造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略斜
視図。
造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略斜
視図。
【図１０】本発明による実施例の光送受信モジュールの
製造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略
斜視図。
製造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略
斜視図。
【図１１】本発明による実施例の光送受信モジュールの
製造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略
斜視図。
製造方法における熱伝導性基板及び導波路チップの概略
斜視図。
６ Ｙ分岐 ７ 発光素子レーザダイオード ８ 受光素子フォトダイオード １１a Ｓｉテラス １５ 交差部位 ２０ 入出力導波路 ２０ａ 送受信導波路 ２０Ｒ 受信導波路 ２０Ｔ 送信導波路 ３０ 出力導波路 ５０ 干渉フィルタ ９０ 劈開性結晶基板ウエハ ９１ スラブ導波路層 ９５、９５a 導波路バー １００ プレーナ光波回路 １０１ 第１基板 １０１ａ、１０１ｂ、１０２ａ、１０２ｂ 劈開面 １０２ 第２基板 ２０１，２０２ ボンディング材 Ｐ 三次元導波路 Ｍ マーカ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 陳 農 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 竹間 清文 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA05 KA12 KA15 LA18 MA05 MA07 PA21 PA24 QA02 QA07 TA35 TA43
Claims (18)
- 【請求項１】多波長の光信号から少なくとも１つの波長
帯の光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送受信
モジュールであって、 劈開面を有しかつ前記劈開面との交差部位にて前記劈開
面の法線から等しい角度で伸長し互いに交差する入力及
び出力導波路を担持する第１劈開性結晶基板と、 前記第１劈開性結晶基板の入力及び出力導波路の交差部
位における前記劈開面に接する干渉フィルタと、 前記干渉フィルタに接する劈開面を有しかつ前記交差部
位の近傍から伸長するとともに互いに分岐する受信及び
送信導波路を有する送受信導波路を担持する第２劈開性
結晶基板と、を備えたことを特徴とする光送受信モジュ
ール。 - 【請求項２】前記入力及び出力導波路は前記第１劈開性
結晶基板の他方の劈開面にて共に終端していることを特
徴とする請求項１記載の光送受信モジュール。 - 【請求項３】前記受信及び送信導波路は前記第２劈開性
結晶基板の他方の劈開面にて共に終端していることを特
徴とする請求項１又は２記載の光送受信モジュール。 - 【請求項４】前記第１及び第２劈開性結晶基板はＩｎＰ
の化合物半導体からなり、前記入力及び出力導波路並び
に送受信導波路はＩｎＧａＡｓＰからなることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項５】前記第１及び第２劈開性結晶基板はＧａＡ
ｓの化合物半導体からなり、前記入力及び出力導波路並
びに送受信導波路はＡｌＧａＡｓからなることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項６】前記入力及び出力導波路並びに送受信導波
路はチャネル形導波路であることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１記載の光送受信モジュール。 - 【請求項７】前記干渉フィルタは、前記多波長の光信号
のうちの、短い方の波長帯の光信号を透過し、長い方の
波長帯を反射する構造を有する誘電体の多層膜からなる
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１記載の光送
受信モジュール。 - 【請求項８】前記受信及び送信導波路にそれぞれ接続す
るための受光素子及び発光素子を有することを特徴とす
る請求項１〜７のいずれか１記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項９】前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方の
劈開面に反射防止膜が被覆されていることを特徴とする
請求項１〜８のいずれか１記載の光送受信モジュール。 - 【請求項１０】多波長帯の光信号から少なくとも１つの
波長帯の光信号を分波しこれを受信しかつ送信する光送
受信モジュールの製造方法であって、 劈開すべき所定の劈開面との交差部位にて前記劈開面の
法線から等しい角度で伸長し互いに交差する入力及び出
力導波路並びに前記交差部位の近傍から伸長するととも
に互いに分岐する受信及び送信導波路を有する送受信導
波路を、劈開性結晶基板上に形成する導波路形成工程
と、 前記交差部位を通過する方向に前記劈開性結晶基板を劈
開して、前記交差部位に劈開面を有する前記入力及び出
力導波路を担持する第１劈開性結晶基板並びに送受信導
波路を担持する第２劈開性結晶基板を形成する劈開工程
と、 前記第１及び第２劈開性結晶基板の劈開面のうち、少な
くとも一方の面の少なくとも導波路端面部分に干渉フィ
ルタを被覆する干渉フィルタ形成工程と、 前記送受信導波路が前記交差部位の近傍から伸長させる
べく、前記干渉フィルタを挟んで挟持して前記第１及び
第２劈開性結晶基板の劈開面側を接合する接合工程と、
を含むことを特徴とする光送受信モジュールの製造方
法。 - 【請求項１１】前記劈開工程において、前記劈開性結晶
基板を劈開して、前記入力及び出力導波路が共に終端す
る前記第１劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成するこ
とを特徴とする請求項１０記載の製造方法。 - 【請求項１２】前記劈開工程において、前記劈開性結晶
基板を劈開して、前記受信及び送信導波路が共に終端す
る前記第２劈開性結晶基板の他方の劈開面を形成するこ
とを特徴とする請求項１０又は１１記載の製造方法。 - 【請求項１３】前記導波路形成工程において、前記劈開
性結晶基板上に導波路層を形成し、前記導波路層上に導
波路パターンマスクを形成し、前記導波路層をエッチン
グし、リッジ形導波路を形成することを特徴とする請求
項１０〜１２のいずれか１記載の製造方法。 - 【請求項１４】前記干渉フィルタ形成工程において、前
記多波長の光信号のうちの、短い方の波長帯の光信号を
透過し、長い方の波長帯を反射させるべく、誘電体薄膜
の複数を被覆することを特徴とする請求項１０〜１３の
いずれか１記載の製造方法。 - 【請求項１５】前記第１及び第２劈開性結晶基板の他方
の劈開面に反射防止膜を被覆する工程を含むことを特徴
とする請求項１０〜１４のいずれか１記載の製造方法。 - 【請求項１６】前記接合工程おいて、第１ボンディング
材によって、熱伝導性基板上に前記第１及び第２劈開性
結晶基板の一方を接着し、残る劈開性結晶基板の他方
を、第１ボンディング材の融点よりも低い融点を有する
第２ボンディング材によって、接着することを特徴とす
る請求項１０〜１５のいずれか１記載の製造方法。 - 【請求項１７】前記熱伝導性基板上に、前記受信及び送
信導波路にそれぞれ接続する受光素子及び発光素子を接
着する工程を有することを特徴とする請求項１６記載の
製造方法。 - 【請求項１８】前記熱伝導性基板には、前記受信及び送
信導波路に光軸を芯合わせるべく前記受光素子及び発光
素子の接着部位に隆起した台場部又は陥没した凹部が形
成されることを特徴とする請求項１６又は１７記載の製
造方法。
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| JP10303651A JP2000131543A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 光送受信モジュール及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP2000131543A (ja) |
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1998
- 1998-10-26 JP JP10303651A patent/JP2000131543A/ja not_active Abandoned
-
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- 1999-10-25 US US09/425,939 patent/US6535670B1/en not_active Expired - Fee Related
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| US6535670B1 (en) | 2003-03-18 |
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