JP2002232320A

JP2002232320A - 高周波モジュール

Info

Publication number: JP2002232320A
Application number: JP2001022428A
Authority: JP
Inventors: Satoru Iwasaki; 悟岩崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-01-30
Filing date: 2001-01-30
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】電力増幅部とカップラおよび分波回路、高周波
スイッチを一体化しても、高調波レベル制御を容易に、
かつ効率的に行うことができ、電力増幅部に用いられる
高周波用半導体素子の特性を最大限に引き出すことがで
きる高周波モジュールを提供する。【解決手段】電力増幅部ＡＭＰ１，ＡＭＰ２と、カップ
ラＣＯＰ１、ＣＯＰ２と、分波回路ＤＩＰ１と、高周波
スイッチＳＷ１、ＳＷ２とを具備するとともに、カップ
ラＣＯＰ１、ＣＯＰ２および／または分波回路ＤＩＰ１
に、オープンスタブＬ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６、分布定数
線路Ｌ７とコンデンサＣ５の直列共振回路、およびイン
ダクタＬ８とコンデンサＣ６の直列共振回路のうちの少
なくとも１種を、高調波レベル制御用として設けてな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
に関し、特に、電力増幅部からの出力をモニタするため
のカップラと、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分離する分波回路とを有する高周波モジュール
に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年の携帯電話の普及には、目を見張るも
のがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られて
いる。そして、新たな携帯電話として、デュアルバンド
携帯電話の提案がなされている。このデュアルバンド携
帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り
扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。
これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利
用することができるものである。

【０００３】近年の欧州においては、通過帯域の異なる
複数の送受信系を有するＧＳＭ／ＤＣＳのデュアルバン
ド方式の携帯電話が検討されている。

【０００４】図８に、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方
式の回路ブロック図を示す。図８に示したＧＳＭ／ＤＣ
Ｓデュアルバンド方式の場合には、送信時においては、
Ｔｘ側の電力増幅器ＡＭＰ１００またはＡＭＰ２００で
増幅した後、カップラＣＯＰ１００またはＣＯＰ２００
を通し、高周波スイッチ、分波回路から成る高周波スイ
ッチモジュールＡＳＭ１を経由してアンテナＡＮＴから
電波を送信する。

【０００５】一方、受信時においては、電波がアンテナ
ＡＮＴから受信され、高周波スイッチモジュールＡＳＭ
１を介して取り出し、受信回路（Ｒｘ）側の電力増幅器
ＡＭＰ３００、またはＡＭＰ４００へ送出される。

【０００６】上記デュアルバンド方式の携帯電話におい
て、従来、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の部品、
即ち、カップラＣＯＰ１００、ＣＯＰ２００、電力増幅
器ＡＭＰ１００、ＡＭＰ２００を用いて回路が構成すれ
ば、機器の大型化、高コスト化を招く。共通可能な部分
はできるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、
低コスト化に有利となる。そのため、今後とも、より機
能を高めつつ一層の小型化、軽量化が進展するものと期
待される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
においては、例えばデュアルバンド対応高周波スイッチ
モジュールに代表されるような一部のモジュール化は行
なわれているが、高周波スイッチモジュール、カップラ
および電力増幅器の各部品をプリント配線基板に実装し
ているため、さらなる小型化、軽量化は困難であるとい
う問題があった。

【０００８】そこで、近年においては、電力増幅器、こ
の電力増幅器の出力電力を分配するカプラ、高周波信号
の送受信信号を分波する高周波スイッチなどをモジュー
ル化することが提案されている。

【０００９】上記した高周波モジュールにおいて、主要
特性の一つにスプリアス特性がある。これは、基本周波
数以外の高次高調波におけるレベルを規定するものであ
るが、このスプリアス調整としては、通常電力増幅部
の、特に出力整合回路において調整を行っていた。一般
的には、出力整合回路部にある高調波制御用の回路であ
る、オープンスタブやＬＣ直列回路、電源供給線路等で
調整を行っていた。

【００１０】つまり、高周波モジュールとなった場合で
も、基本的に高調波を自由に制御できる回路上の素子は
電力増幅部にしか無く、また一方ではモジュール化が進
み、小型化が進むにつれ、高調波制御用の回路も、電源
供給用の線路等を用いて高調波制御も兼ねるようにし、
高調波制御用としての専用回路を削減する方向に進んで
いるという現状もあるため、電力増幅部の出力整合回路
のみでスプリアス特性の調整をすることに関しては限界
があり、今後さらなるモジュールの小型化が進んでいっ
た場合に電力増幅部のみでスプリアス調整を行いつつモ
ジュールの小型化を行うことが困難な状況となってい
る。

【００１１】本発明は、電力増幅部とカップラおよび分
波回路、高周波スイッチを一体化しても、高調波レベル
制御を容易に、かつ効率的に行うことができ、電力増幅
部に用いられる高周波用半導体素子の特性を最大限に引
き出すことができる高周波モジュールを提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波モジュー
ルは、高周波用半導体素子を有し、高周波入力信号を増
幅する電力増幅部と、該電力増幅部からの出力をモニタ
するためのカップラと、通過帯域の異なる複数の送受信
系を各送受信系に分離する分波回路と、送信系と受信系
を切り替える高周波スイッチとを具備するとともに、前
記カップラおよび／または前記分波回路に、オープンス
タブ、分布定数線路とコンデンサの直列共振回路、およ
びインダクタとコンデンサの直列共振回路のうちの少な
くとも１種を、高調波レベル制御用として設けてなるも
のである。

【００１３】本発明の高周波モジュールによれば、カッ
プラおよび／または分波回路に高調波制御用のオープン
スタブ、あるいは分布定数線路とコンデンサの直列共振
回路、あるいはインダクタとコンデンサの直列共振回路
を有していることから、電力増幅部の出力整合回路以外
でも高調波レベル制御が可能であるために、より自由度
の高い、かつ効率的な高調波レベル制御を達成できる。

【００１４】また、本発明では、カップラおよび／また
は分波回路にオープンスタブを設けてなるとともに、該
オープンスタブのスタブ長が基本波の１／４波長よりも
短いことが望ましい。

【００１５】オープンスタブのスタブ長が基本波の１／
４波長よりも短い線路長であるために、任意の高調波の
制御が可能となり、また、オープンスタブから回路の両
側を見たときの任意の高調波のインピーダンスを非共役
整合とすることも可能であるため、より効率的に高調波
レベルを制御できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１に、本発明に係る高周波モジ
ュールのブロック図を示す。本発明の高周波モジュール
は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分
ける分波回路ＤＩＰ１、および高調波信号を取り除くた
めのローパスフィルタＬＰＦ２、前記各送受信系に送信
系と受信系を切り替える高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２
と、電力増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２と、これらの電力増
幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２の出力をモニタするために、高
周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２のＴｘ端子側に接続され、
各々の通過周波数に対応したカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ
２とで構成されている。

【００１７】なお、高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２は、
ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の携帯電話機におい
て、それぞれのシステムに対応する送信回路Ｔｘと共通
回路である分波回路ＤＩＰ１との接続、および受信回路
Ｒｘと共通回路である分波回路ＤＩＰ１との接続を切り
換えるために用いられる。

【００１８】また、Ｔｘ側のカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ
２は、各々の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２により増幅され
た送信信号の一部を取り出し、ＡＰＣ回路にフィードバ
ック信号を送る役割を果たす。

【００１９】図２に、図１の分波回路ＤＩＰ１、高周波
スイッチＳＷ１、ＳＷ２、カップラＣＯＰ１、ＣＯＰ２
の具体的構成について説明する。Ｔｘ１側のカップラＣ
ＯＰ１と接続される高周波スイッチＳＷ１の第１ポート
Ｐ１は、ダイオードＤＡＧ１のアノードに接続されてい
る。また、ダイオードＤＡＧ１のアノードは、インダク
タＬＡＧ２およびコンデンサＣＡＧ４を介して接地され
ている。

【００２０】さらに、インダクタンスＬＡＧ２とコンデ
ンサＣＡＧ４との接続点は、制御抵抗ＲＧ１を介して制
御端子ＶＧ１に接続されている。また、ダイオードＤＡ
Ｇ１のカソードは、分波回路ＤＩＰ１の第２ポートＰ２
に接続されている。

【００２１】この第２ポートＰ２には、伝送線路ＳＴＬ
１の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ１の他端は、
Ｒｘ１信号出力端子である第３ポートＰ３に接続されて
いる。また、伝送線路ＳＴＬ１の他端は、ダイオードＤ
ＡＧ２のアノードに接続され、ダイオードＤＡＧ２のカ
ソードは、コンデンサＣＡＧ２、インダクタＬＡＧ１を
介して接地されている。ここでコンデンサＣＡＧ２、イ
ンダクタＬＡＧ１にて形成される並列共振回路は、第１
ポートＰ１と第３ポートＰ３間のアイソレーションを制
御する役割を担っている。

【００２２】同様にＴｘ２側のカップラＣＯＰ２は、高
調波信号を取り除くためのローパスフィルタＬＰＦ２の
第４ポートＰ４に接続されている。また、ローパスフィ
ルタＬＰＦ２の他端は、高周波スイッチＳＷ２のダイオ
ードＤＡＤ１のアノードに接続されている。

【００２３】また、ダイオードＤＡＤ１のアノードは、
インダクタＬＡＤ２およびコンデンサＣＡＤ４を介して
接地されている。さらに、インダクタＬＡＤ２とコンデ
ンサＣＡＤ４との接続点は、制御抵抗ＲＤ１を介して制
御端子ＶＤ１に接続されている。また、ダイオードＤＡ
Ｄ１のカソードは、分波回路ＤＩＰ１の第５ポートＰ５
に接続されている。

【００２４】さらに、第５ポートＰ５には、伝送線路Ｓ
ＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他端
は、Ｒｘ２信号出力端子である第６ポートＰ６に接続さ
れている。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダイオー
ドＤＡＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤＡＤ２
のカソードは、コンデンサＣＡＤ２、インダクタＬＡＤ
１を介して接地されている。ここでコンデンサＣＡＤ
２、インダクタＬＡＤ１にて形成される並列共振回路
は、ポートＰ４とポートＰ６間のアイソレーションを制
御する役割を担っている。

【００２５】また、アンテナ端子ＡＮＴは分波回路ＤＩ
Ｐ１を介してそれぞれ第２ポートＰ２、第５ポートＰ５
に接続されている。この分波回路ＤＩＰ１は、異なる２
つのシステムの周波数、例えば９００ＭＨｚ帯の送受信
信号と１８００ＭＨｚ帯の送受信信号を分離する役割を
持っている。

【００２６】ここで分波回路ＤＩＰ１は、例えば１８０
０ＭＨｚ帯を通過させるハイパスフィルタＨＰＦ１と、
コンデンサＣ２と、インダクタＬ２と、９００ＭＨｚ帯
を通過させるローパスフィルタＬＰＦ１と、コンデンサ
Ｃ１と、インダクタＬ１とにより形成されている。

【００２７】分波回路ＤＩＰ１、高周波スイッチＳＷ
１、ＳＷ２、ローパスフィルタＬＰＦ２、およびカップ
ラＣＯＰ１、ＣＯＰ２が基板に内蔵されている。例え
ば、分波回路ＤＩＰ１を構成するハイパスフィルタＨＰ
Ｆ１、ローパスフィルタＬＰＦ１、高調波を取り除くた
めのローパスフィルタＬＰＦ２、および高周波スイッチ
ＳＷ１、ＳＷ２を構成する伝送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ
２、およびカップラＣＯＰ１、ＣＯＰ２が、電極パター
ンと誘電体層とを積層してなる基板に内蔵されている。
また、分波回路ＤＩＰ１、高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ
２、ローパスフィルタＬＰＦ２、およびカップラＣＯＰ
１、ＣＯＰ２の一部を構成する、ダイオード等のチップ
素子が基板上に実装されている。

【００２８】図３に、図１の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２
の回路図を、図４に図３の具体的構成を示す。

【００２９】例えば、欧州の携帯電話システムであるＧ
ＳＭ／ＤＣＳのデュアル方式において、一方がＧＳＭ用
高周波電力増幅部ＡＭＰ１で、もう一方がＤＣＳ用高周
波電力増幅部ＡＭＰ２であり、これらが複合されて電力
増幅部ＡＭＰが構成されている。

【００３０】電力増幅部ＡＭＰは、高周波用半導体素子
（以下、高周波用ＭＭＩＣということもある）３ａ，３
ｂと、これらの高周波用ＭＭＩＣ３ａ，３ｂに接続され
た、高周波入力信号の入力インピーダンス整合をとるた
めの入力整合回路２ａ，２ｂと、高周波用ＭＭＩＣ３
ａ，３ｂに電圧を供給する電圧供給線路６ａ，６ｂに接
続された、所望の出力特性に整合をとるための出力整合
回路５ａ，５ｂとを具備している。

【００３１】入力整合回路２ａ，２ｂは、コンデンサや
インダクタ等を有している。

【００３２】一方、出力整合回路５ａ，５ｂは、異なる
信号を送出する出力側マイクロストリップライン線路
７，１０を有しており、この出力側マイクロストリップ
ライン線路７，１０と出力端子１２，１５との間には出
力側直流阻止コンデンサＣが接続されている。出力端子
１２，１５が、図１、図２のＴｘ端子に接続されること
になる。

【００３３】出力側マイクロストリップライン線路７，
１０は、出力端子１２，１５に接続される外部回路との
インピーダンス整合を最適なものとして所望の出力特
性、例えば出力電力・消費電流等を単独であるいは同時
に満足するように整合をとるためのものであり、この出
力側マイクロストリップライン線路７，１０は出力整合
用コンデンサＣ２１ａ、Ｃ３１ａを介して接地されてい
る。

【００３４】さらに、出力側マイクロストリップライン
線路７、１０には、高周波用ＭＭＩＣ３ａ、３ｂに電圧
を印加するための電圧供給線路６ａ、６ｂが接続されて
おり、また、先端開放分布定数線路（オープンスタブ）
１７ａ、１７ｂが電圧供給線路６ａ、６ｂと並列に接続
されている。

【００３５】電力増幅部ＡＭＰは、具体的には図４に示
すように、２つの電力増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２として
所定の値の比誘電率を有する誘電体基板に形成されてい
る。具体的には欧州の携帯電話システムであるＧＳＭ／
ＤＣＳのデュアル方式において、Ａ−Ｂ間下部がＧＳＭ
用の高周波電力増幅部ＡＭＰ１で、Ａ−Ｂ間上部がＤＣ
Ｓ用高周波電力増幅部ＡＭＰ２である。

【００３６】電力増幅部ＡＭＰは、高周波用ＭＭＩＣ３
（３ａ、３ｂ）に接続された、高周波入力信号の入力イ
ンピーダンス整合をとるための入力整合回路２と、バイ
アス回路４と、所望の出力特性に整合をとるために出力
整合回路５ａ、５ｂとを具備している。入力整合回路２
は、コンデンサやインダクタ等が接続されている。

【００３７】出力整合回路５ａ、５ｂにおいては、高周
波用ＭＭＩＣ３には、所望の出力特性、例えば出力電力
・消費電流等を単独であるいは同時に満足するように整
合をとるために、分布定数線路である出力側マイクロス
トリップライン線路７，１０が接続されており、これら
の出力側マイクロストリップライン線路７，１０は出力
整合用コンデンサＣ２１ａ、Ｃ３１ａを介して接地され
ている。

【００３８】さらに、出力側マイクロストリップ線路
７、１０には、先端開放分布定数線路１７ａ、１７ｂが
接続されている。

【００３９】Ａ−Ｂ間の上部のＤＣＳ用高周波電力増幅
回路ＡＭＰ２の周波数が１８００ＭＨｚで、ＧＳＭ用高
周波電力増幅回路ＡＭＰ１の９００ＭＨｚの２倍の周波
数にあたる。ＧＳＭ側の高調波、特に２倍波が、ＤＣＳ
側の基本波である１８００ＭＨｚの高調波信号に干渉に
よって影響を与える恐れがあるが、本発明では、出力側
マイクロストリップライン線路７、１０に先端開放分布
定数線路１７ａ、１７ｂを設けることで高調波レベルを
低減することが可能となる。

【００４０】そして、出力整合回路５ａ、５ｂにおい
て、ＤＣＳ側の出力側マイクロストリップライン線路７
とＧＳＭ側の出力側マイクロストリップライン線路１０
の間には、ＧＮＤ線路９及びＧＮＤ線路１８が配置さ
れ、ＧＳＭ側とＤＣＳ側の出力マイクロストリップ線路
７、１０間の干渉を低減する配置となっている。このＧ
ＮＤ線路９、１８は平行に形成されており、複数のビア
ホール導体によりＧＮＤに接続されている。

【００４１】電圧供給線路６ａ、６ｂ、先端開放分布定
数線路１７ａ、１７ｂの線路長は、高周波入力信号にお
ける基本波の波長の１／４よりも短くされている。線路
長が基本波の１／４波長に固定でなく１／４波長より短
いために高調波の位相を調整することができ、カップラ
と増幅部間の任意のスプリアス周波数において非共役整
合とすることができるとともに、小型の高周波モジュー
ルを得ることができる。

【００４２】そして、本発明の高周波モジュールでは、
分波回路ＤＩＰ１、カプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２には、そ
れぞれオープンスタブＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６が並列に
接続されていることが重要である。

【００４３】オープンスタブＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６は
スプリアス特性を制御するためのスタブで、スタブ長
は、基本波の１／４波長よりも短い線路長に設定する。
基本波の１／４波長よりも短い線路長であるために、高
調波の位相を調整することができ、任意のスプリアス周
波数において非共役整合とすることも可能となるため、
より効率的に高調波の制御が達成される。

【００４４】また、オープンスタブＬ３，Ｌ４，Ｌ５，
Ｌ６の代わりに、図５、図６に示すように、分布定数線
路Ｌ７とコンデンサＣ５の直列共振回路、またはインダ
クタＬ８とコンデンサＣ６の直列共振回路で構成しても
良い。この場合においてもコンデンサＣ５、Ｃ６の容量
値ならびに分布定数線路Ｌ７の線路長、インダクタＬ８
のインダクタンスを変更することで、同様に任意の高調
波レベルの制御が可能となる。

【００４５】特に、オープンスタブ、直列共振回路のう
ち、より精度よく高調波レベルの制御を行うという点か
ら考えると、部品定数の変更が可能なインダクタとコン
デンサの直列共振回路を設けることが望ましい。また、
オープンスタブは分波回路ＤＩＰ１またはカプラＣＯＰ
１、ＣＯＰ２のいずれか一方に設けても良いが、上記例
のように、分波回路ＤＩＰ１およびカプラＣＯＰ１、Ｃ
ＯＰ２の両方に、それぞれオープンスタブＬ３、Ｌ４、
Ｌ５、Ｌ６を設けることが、高調波レベルの制御の自由
度、効率という点から望ましい。

【００４６】以上のように構成された高周波モジュール
では、電力増幅部ＡＭＰの出力整合回路５ａ、５ｂにお
ける電圧供給線路６ａ、６ｂ、先端開放分布定数線路１
７ａ、１７ｂ以外にも、カプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２およ
び分波回路ＤＩＰ１に並列にオープンスタブＬ３、Ｌ
４、Ｌ５、Ｌ６、または分布定数線路Ｌ７とコンデンサ
Ｃ５の直列共振回路、またはインダクタＬ８とコンデン
サＣ６の直列共振回路を構成することにより、電力増幅
部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２の出力整合回路５ａ、５ｂ以外に
おいても、高調波レベルを制御して低減することがで
き、これにより、高調波レベルをさらに自由に、かつ効
率的に制御できる。

【００４７】なお、本発明の高周波モジュールはこれら
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。

【００４８】本発明者は、上記した電力増幅部ＡＭＰ
１、ＡＭＰ２、分波回路ＤＩＰ１、ローパスフィルタＬ
ＰＦ２、高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２、カップラＣＯ
Ｐ１、ＣＯＰ２とを一体化し、モジュール化するととも
に、カプラＣＯＰ１に並列にオープンスタブＬ５を設け
た場合について、高調波レベルの減衰量についてＧＳＭ
側回路でシミュレーションを行い、図７に記載した。

【００４９】図７（ａ）は、オープンスタブＬ５、Ｌ６
を設けない場合の減衰量、（ｂ）はオープンスタブＬ
５、Ｌ６のスタブ長を共に基本波の１／４波長よりも短
い約０．２５ｍｍとした時の減衰量、（ｃ）はオープン
スタブＬ５、Ｌ６のスタブ長をそれぞれ基本波の１／４
波長よりも短い約０．２５ｍｍ、約１．６ｍｍとした時
の減衰量である。

【００５０】この図７より、オープンスタブ長を変更す
ることでＳ２１特性における高調波レベルの変化が確認
され、オープンスタブＬ５を設けた場合には、設けない
場合よりも基本波の２倍波、３倍波、４倍波・・・等の
高調波の減衰量が大きく、高調波レベルを低減できるこ
とが判る。また、図７（ｂ）、（ｃ）より、オープンス
タブＬ５のスタブ長を最適化することにより、さらに高
調波レベルを低減することができることが判る。

【００５１】

【発明の効果】本発明の高周波モジュールによれば、カ
ップラおよび／または分波回路に高調波制御用のオープ
ンスタブ、あるいは分布定数線路とコンデンサの直列共
振回路、あるいはインダクタとコンデンサの直列共振回
路を有していることから、電力増幅部の出力整合回路以
外でも高調波レベル制御が可能であるために、より自由
度の高い、かつ効率的な高調波レベル制御を達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波モジュールの概念を示すブロッ
ク図である。

【図２】図１の高周波モジュールにおける分波回路、高
周波スイッチ、カップラの回路図である。

【図３】本発明の高周波モジュールの電力増幅部の回路
図である。

【図４】図３のパターン配置図である。

【図５】本発明の分布定数線路とコンデンサの直列共振
回路図である。

【図６】本発明のインダクタとコンデンサの直列共振回
路図である。

【図７】高調波レベルの減衰量についてＧＳＭ側回路で
シミュレーションした際のＳ２１特性を示すもので、
（ａ）はオープンスタブを設けない場合、（ｂ）はスタ
ブ長が約０．２５ｍｍの場合、（ｃ）はスタブ長が約
１．６ｍｍの場合である。

【図８】従来の高周波スイッチ、カップラ、電力増幅器
を有する送受信系のブロック図である。

【符号の説明】

ＡＭＰ１、ＡＭＰ２・・・電力増幅部ＣＯＰ１、ＣＯＰ２・・・カップラＳＷ１、ＳＷ２・・・高周波スイッチＤＩＰ１・・・分波回路Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６・・・オープンスタブＣ５，Ｃ６・・・コンデンサＬ７・・・分布定数線路Ｌ８・・・インダクタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波用半導体素子を有し、高周波入力信
号を増幅する電力増幅部と、該電力増幅部からの出力を
モニタするためのカップラと、通過帯域の異なる複数の
送受信系を各送受信系に分離する分波回路と、送信系と
受信系を切り替える高周波スイッチとを具備するととも
に、前記カップラおよび／または前記分波回路に、オー
プンスタブ、分布定数線路とコンデンサの直列共振回
路、およびインダクタとコンデンサの直列共振回路のう
ちの少なくとも１種を、高調波レベル制御用として設け
てなることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】カップラおよび／または分波回路にオープ
ンスタブを設けてなるとともに、該オープンスタブのス
タブ長が基本波の１／４波長よりも短いことを特徴とす
る請求項１記載の高周波モジュール。