JP2002203993A - 熱電モジュール用基板およびそれを用いた熱電モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】冷却・昇温特性の向上および高出力化を図ると
ともに、耐熱サイクル特性を向上させた高信頼性の熱電
モジュール用基板およびそれを用いた熱電モジュールを
提供する。 【解決手段】窒化けい素基板１の少なくとも一方の面に
３０個以上の熱電素子３を搭載するための金属板２を接
合したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱エネルギと電気
エネルギとを相互に変換する熱電モジュールに関する技
術であり、冷却・昇温特性の向上および高出力化を図
り、かつ、耐熱サイクル特性を向上させた熱電モジュー
ル用基板およびそれを用いた熱電モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】熱電モジュールは、ｐ型熱電素子とｎ型
熱電素子とが電気的に直列となるように接合された熱電
素子の性質を利用したものであり、熱エネルギを電気エ
ネルギに変換し、または、電気エネルギを熱エネルギに
変換する機能を有する独立した部品である。

【０００３】詳述すると、熱電素子は、ｐ型熱電素子と
ｎ型熱電素子との接合部間に温度差を与えると電位差が
発生するというゼーベック効果と、ｐ型熱電素子とｎ型
熱電素子との接合部間に電流を流すと、その電流の向き
に応じて吸熱または発熱するペルチェ効果とを有し、こ
のような効果を利用して、電気エネルギと熱エネルギと
を相互に変換する。このため熱電モジュールは、例え
ば、廃熱を利用して発電を行う熱電発電用装置，半導体
プロセスにおける恒温装置，エレクトロデバイスを冷却
する熱電冷却装置などの各種装置に搭載され、実用化が
進められている。

【０００４】上記熱電モジュールは、絶縁基板を土台と
して、この絶縁基板の少なくとも一方の面に電極板（金
属板）を接合しており、さらに、この電極板に熱電素子
を接続した構成を有する。

【０００５】上述したように、熱電素子は、ｐ型熱電素
子とｎ型熱電素子とを各１個ずつ直列に接続したものを
構成し、これを最小単位とするものである。そして、最
小単位とする熱電素子の搭載数に応じて、熱電モジュー
ルの冷却・昇温特性または電圧特性が決定される。従っ
て、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上または高出
力化を図るために、絶縁基板上に複数個の熱電素子を搭
載する必要があり、これに伴い、当然、熱電素子を搭載
する絶縁基板の基板面積を大面積化することが必須であ
った。

【０００６】従来、このような絶縁基板として、比較的
優れた熱伝導率および機械的強度を確保できるセラミッ
ク焼結体が適用されており、例えば、アルミナ（Ａｌ_２
Ｏ_３）焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体，ベ
アリリア（ＢｅＯ）焼結体，コージェライト（２ＭｇＯ
・Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２）焼結体などのセラミック焼結
体が適用されていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たセラミック基板では、十分な素体強度を得られないこ
とから、セラミック基板面積を大面積化することが困難
であり、この結果、熱電モジュールの搭載数が制限さ
れ、近年要求される熱電モジュールの冷却・昇温特性の
向上および高出力化を図ることが困難であった。実際、
熱電素子を搭載するセラミック基板面のサイズは５ｃｍ
角が上限となっており、搭載できる熱電素子数は限られ
ていた。

【０００８】このように従来のセラミックス焼結体は、
強度特性を満足するものではないことから、１ｍｍを超
える厚肉のセラミック基板として基板強度を高め、セラ
ミック基板の基板面積を大面積化する試みがなされてい
る。しかし、厚肉のセラミックス基板を適用して熱電モ
ジュールを構成すると、熱電モジュール自体が大型化し
てしまうという問題を有していた。

【０００９】また、熱電モジュールは、多数の熱電素子
を基板上に設けることから通常の半導体素子よりも熱サ
イクル条件が厳しい条件下により使用される。このた
め、セラミック基板の基板面積を大面積化し、このセラ
ミック基板上に複数個の金属板を接合すると、セラミッ
ク基板と金属板との熱膨張差に起因してクラックが発生
してしまう。この熱電モジュールに冷却・昇温の熱サイ
クルを繰り返すことにより、最終的には金属板が剥離し
てしまい、その結果、熱電モジュールの信頼性が低下し
てしまうという問題を有していた。

【００１０】特に、セラミック基板上に金属板を複数個
配置する際、隣接する金属板の距離を１ｍｍ以下に近づ
けて配置すると、金属板とセラミック基板との熱膨張差
の影響が顕著となり、耐熱サイクル特性が低下してしま
うという問題を有していた。

【００１１】本発明は、上述した問題を解決するために
なされたものであり、冷却・昇温特性の向上および高出
力化を図り、かつ、耐熱サイクル特性を向上させた高い
信頼性を有する熱電モジュール用基板およびそれを用い
た熱電モジュールを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
解決すべく種々研究した結果、セラミック基板を素体曲
げ強度の高い窒化けい素焼結体から形成することによ
り、窒化けい素基板面のサイズを５ｃｍ角以上と大型化
することができ、窒化けい素基板上に複数個の金属板を
接合して、搭載する熱電素子の数を増加させることによ
り、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出
力化を図れることを見い出した。また、窒化けい素焼結
体は、従来のセラミック焼結体に比べて熱膨張係数が低
い材料であることから、熱電モジュールに冷却・昇温の
熱サイクルを繰り返した際においても、金属板とセラミ
ック基板との熱膨張差に起因する耐熱サイクル特性の低
下を防止でき、耐熱サイクル特性を格段に向上させるこ
とができることを見い出し、本発明の完成に至ったもの
である。

【００１３】本発明の熱電モジュール用基板は、窒化け
い素基板の少なくとも一方の面に３０個以上の熱電素子
を搭載するための金属板を接合したことを特徴とする。

【００１４】本発明のように、窒化けい素基板の少なく
とも一方の面に３０個以上の金属板を接合することによ
り、搭載できる熱電素子数を増加させ、これにより、熱
電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を
図ることができる。

【００１５】また、上記熱電モジュールにおいて、金属
板と金属板との間隔が１ｍｍ以下であることが望まし
い。このように金属板と金属板との間隔を１ｍｍ以下と
して配置した場合であっても、本発明においては、優れ
た放熱特性を有する窒化けい素焼結体を基板として適用
しているため、熱膨張差に起因する窒化けい素基板と金
属板との剥離を防止し、その結果、熱電モジュールの耐
熱サイクル特性の低下を防止することができる。なお、
金属板と金属板との間隔が０．３ｍｍ未満となると耐熱
サイクル特性が低下することから、望ましくは０．３ｍ
ｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすると良い。

【００１６】また、上記熱電モジュールにおいて、金属
板の面積（例えば、金属板が長方形の場合は、縦×横の
積）が２５ｍｍ^２以下であることが望ましい。このよう
に金属板の面積を２５ｍｍ^２以下とすることにより、窒
化けい素基板と金属板との接合面積を低減することによ
り、窒化けい素基板と金属板との剥離を防止して、耐熱
サイクル特性を向上させた熱電モジュールとすることが
できる。

【００１７】また、上記の熱電モジュールにおいて、窒
化けい素基板の金属板と接合する面の表面積を１６００
ｍｍ^２以上とすることが望ましい（例えば、窒化けい素
基板が長方形の場合は、縦×横の積で求める）。このよ
うに窒化けい素基板を大型化することにより、窒化けい
素基板上に接合する金属板を増加させ、これにより熱電
素子の搭載数を増やし、その結果、熱電モジュールの冷
却・昇温特性の向上および高出力化を図ることができ
る。

【００１８】上記熱電モジュールにおいて、窒化けい素
基板の板厚が０．２〜１．０ｍｍであることが望まし
い。この理由は、板厚が１．０ｍｍを超えると熱抵抗値
が高くなり放熱性が低下し、その結果、耐熱サイクル特
性が低下しまうためであり、一方、板厚が０．２ｍｍ未
満であると、窒化けい素基板が薄肉となりすぎることか
ら耐久性が低下して機械的強度を得られないためであ
り、いずれも熱電モジュールの信頼性が低下するためで
ある。

【００１９】また、このような熱電モジュールにおい
て、窒化けい素基板の熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上で
あることが望ましい。この理由は、窒化けい素基板の熱
伝導率が、６５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、窒化けい素基
板の熱抵抗が増加してしまい、耐熱サイクル特性が低下
してしまうからである。さらに、窒化けい素基板の熱伝
導率を８５Ｗ／ｍＫ以上とすることが望ましい。このよ
うな高熱伝導性を具備する窒化けい素焼結体としては、
例えば、窒化けい素焼結体中の粒界相を全粒界相に対し
て２０％以上結晶化したものが挙げられる。粒界相を結
晶化するためには、焼結後の炉冷速度を１００℃／ｈ以
下と除冷することが効果的である。また、同様にＡｌ，
Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｂの不純物陽イオンを合
計で０．２質量％以下に制御することも熱伝導率の向上
に有効である。なお、本発明の熱電モジュール用基板は
窒化けい素焼結体を使用することが特徴であるから、こ
のような窒化けい素焼結体に限定されるものではない。

【００２０】また、上記熱電モジュールにおいて、窒化
けい素基板の３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上であるこ
とが望ましい。このように窒化けい素基板の３点曲げ強
度を６００ＭＰａ以上として機械的強度を高めることに
より高い信頼性を有する熱電モジュールとすることがで
きる。

【００２１】上記熱電モジュールにおいて、金属板は、
銅またはアルミニウムから選ばれた少なくとも１種の材
料を主成分とすることが望ましい。

【００２２】さらに、上記熱電モジュールにおいて、金
属板の表面にＮｉメッキが施されていることが望まし
い。

【００２３】また、上記熱電モジュールにおいて、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＡｌおよびＮｂから選ばれた少なくと
も１種の活性金属を含むろう材層を介して、前記窒化け
い素基板上に金属板を接合していることが望ましい。こ
のように活性金属を含むろう材層を介して、窒化けい素
基板上に金属板を接合することにより両者を強固に接合
することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の熱電モジュールに
ついて、図１，図２および表１〜表３を用いて説明す
る。

【００２５】第１実施形態（表１，図１，図２） 実施例１〜実施例２，参考例１〜参考例２ 本実施形態では、Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に金属板を接合し、
この金属板に熱電素子を接続した熱電モジュールを作製
し、この熱電モジュールの出力および冷却・昇温特性を
試験して性能評価を行った。

【００２６】まず、酸素を１．３質量％、不純物陽イオ
ン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｂを
合計で、０．１０質量％含有し、α相型Ｓｉ_３Ｎ_４９７
％を含む平均粒径０．４０μｍのＳｉ_３Ｎ_４原料粉末に
対して、焼結助剤として平均粒径０．７μｍのＹ_２Ｏ_３
粉末５質量％、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ粉末１．５
質量％を添加し、エチルアルコール中で７２時間湿式混
合した後、乾燥して原料粉末混合体を調整した。

【００２７】次に、この原料粉末混合体に有機バインダ
を所定量添加して均一に混合した後、１２０ＭＰａの成
形圧力でプレス成形して成形体とした。

【００２８】この成形体を５００℃の空気気流中におい
て２時間脱脂した後、脱脂体を窒素ガス雰囲気中、７．
５気圧下、１８００℃において８時間保持し、緻密化焼
結を実施した後、焼結炉に付設した加熱装置への通電量
を制御して焼結炉内温度が１５００℃に降下するまでの
間に冷却速度を１００℃／ｈ以下として除冷し、粒界相
の結晶化率２０％以上のＳｉ_３Ｎ_４焼結体（熱伝導率８
８Ｗ／ｍ・Ｋ、３点曲げ強度７００ＭＰａ）から形成さ
れる縦５５ｍｍ，横５５ｍｍ，厚さ０．６３５ｍｍのＳ
ｉ_３Ｎ_４基板とした。

【００２９】このＳｉ_３Ｎ_４基板上に質量比でＡｇ：Ｃ
ｕ：Ｉｎ：Ｔｉ＝６１．９：２４．１：１０：４の活性
金属ろう材ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後のペー
スト上に、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとした
Ｃｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を０．６ｍｍとして、縦に７
枚、横に６枚ずつ配置し、Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に合計して
４２個配置した。その後、１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の
真空中において、８００℃、１０分間接合して熱電モジ
ュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板とした。

【００３０】さらに、この熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４
基板のＣｕ板にｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とを各１個
ずつ接続した熱電素子を接続して熱電モジュールを形成
した。この熱電モジュールを実施例とした。この熱電モ
ジュールを上面から見た図を図１とし、図１に示すＡ−
Ａ´線の断面図を図２に示す。なお、図２のようにＳｉ
_３Ｎ_４基板の片面のみにＣｕ板を介して熱電素子を設け
たものを実施例１、図３のようにＳｉ_３Ｎ_４基板の両面
に対称にＣｕ板を介して熱電素子を設けたものを実施例
２とする。

【００３１】図１から図３までに示すように、Ｓｉ_３Ｎ
_４基板１上にＣｕ板２を接合しており、さらに、このＣ
ｕ板２に熱電素子３を接続している。

【００３２】また、上述した実施例と同様に、縦５５ｍ
ｍ，横５５ｍｍ，厚さ０．６３５ｍｍのＳｉ_３Ｎ_４基板
を作製し、このＳｉ_３Ｎ_４基板上に質量比でＡｇ：Ｃ
ｕ：Ｉｎ：Ｔｉ＝６１．９：２４．１：１０：４の活性
金属ろう材ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後のペー
スト上に、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとした
Ｃｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を２ｍｍとして、縦に４枚、
横に５枚ずつ配置し、Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に合計して２０
個配置した。その後、１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の真空
中において、８００℃、１０分間接合して熱電モジュー
ル用Ｓｉ_３Ｎ_４基板とした。そして、上述した実施例と
同様に発電素子を接続して、発電モジュールを形成し
た。なお、片面のみにＣｕ板を介して熱電素子を設けた
ものを参考例１、両面にＣｕ板を介して熱電素子を設け
たものを参考例２とした。

【００３３】上記実施例および参考例の熱電モジュール
について、発電素子の出力および冷却・昇温特性を調べ
たところ、熱電素子を多く搭載した実施例１および実施
例２の方が、参考例１および参考例２より優れた特性を
示した。

【００３４】次に、実施例１〜実施例２、参考例１〜参
考例２の熱電素子モジュール用基板に対し、耐熱サイク
ル特性評価（ＴＣＴ試験）を行った。耐熱サイクル試験
は、−４０℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．（室温）×１０ｍ
ｉｎ→１２５℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．（室温）×１０
ｍｉｎを１サイクルとするＴＣＴ試験を実施し、２００
サイクル後におけるクラックの有無を健全指数ηとして
評価したものである。健全指数ηは、１００％は「ＴＣ
Ｔ試験後においてクラックの発生なし」、０％は「ＴＣ
Ｔ試験後において全面的にクラックが発生した」ことを
示すものである。健全指数ηの測定は、ＴＣＴ試験後の
熱電モジュール用基板のＣｕ板および活性金属ろう材層
をエッチングにより除去し、各Ｓｉ_３Ｎ_４基板について
蛍光探傷試験（ＰＴ）を実施してクラックの有無を測定
した。また、健全指数ηは、次のような数式にしたがっ
て算出した。

【００３５】

【数１】健全指数η＝（１−Σｄ／Ｄ）×１００（％） ここで、Ｄは、熱電モジュール用基板の接合部の長手方
向において、クラックの発生し得るＣｕ板縁部の経路の
全長であり、Σｄは上記経路上に発生した各クラックの
長さ（ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、…ｄ_ｎ）の総和を示す。その
結果を表１に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１に示すように、本実施形態にかかる熱
電モジュール用基板は、Ｃｕ板の数が一つの面に３０個
以上接合した場合であっても、両面に設けた場合であっ
てもクラックの発生は確認されなかった。これは参考例
１および参考例２のようにＣｕ板の数が少なく、Ｃｕ板
の間隔を空けたものと同等の特性を示すものであり、熱
電モジュール用基板として窒化けい素焼結体を使用する
ことにより、間隔を詰めて金属板を多数接続することが
可能であることを示すものである。

【００３８】従って、本実施形態によれば、Ｓｉ_３Ｎ_４
焼結体から形成した大型化したＳｉ _３Ｎ_４基板を作製
し、このＳｉ_３Ｎ_４基板上に３０個以上の金属板を接合
して、熱電素子の搭載数を増やすことにより、熱電モジ
ュールの高出力化および優れた冷却・昇温特性を得られ
る。

【００３９】第２実施形態（表２，表３） 本実施形態においては、熱電素子を搭載するための熱電
モジュール用セラミック基板を各種作製し、この熱電モ
ジュール用セラミック基板の３点曲げ強度特性および耐
熱サイクル特性を評価した。

【００４０】実施例３〜実施例８（表２） まず、第１実施形態に示す製造方法により、以下に示す
表２の基板表面サイズ，板厚，熱伝導率を有するＳｉ_３
Ｎ_４焼結体から形成されるＳｉ_３Ｎ_４基板を作製した。
これを実施例３〜実施例８とした。なお、実施例３〜実
施例８のいずれもＳｉ_３Ｎ_４基板の片面のみに金属板を
接合したものである。

【００４１】次に、実施例３〜実施例８に示すＳｉ_３Ｎ
_４基板上に活性金属接合法によりＣｕ板を接合して熱電
モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板とした。なお、活性金属接
合法の製造方法は、第１実施形態に示す製造方法と同様
とした。

【００４２】具体的には、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ
０．３ｍｍとしたＣｕ板を縦に６枚、横に５枚ずつ配置
し、Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に合計して３０個配置したものを
実施例３とした。また、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．
３ｍｍとしたＣｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を０．６ｍｍと
して、縦に１０枚、横に１０枚ずつ配置し、Ｓｉ_３Ｎ_４
基板上に合計して１００個配置したものを実施例４，実
施例５とした。

【００４３】また、実施例６から実施例８までは、直接
接合法を用いて、以下に示すように熱電モジュール用Ｓ
ｉ_３Ｎ_４基板を作製した。

【００４４】実施例６では、表２に示す基板表面のサイ
ズ，板厚，熱伝導率のＳｉ_３Ｎ_４基板を用い、このＳｉ
_３Ｎ_４基板上に厚さ１〜３μｍの酸化珪素（ＳｉＯ_２）
膜を形成した。その後、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．
３ｍｍとしたＣｕ板を縦に６枚、横に５枚ずつ配置し、
Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に合計して３０個配置した。そして、
１０７０〜１０７５℃、１０〜２０分間の加熱により接
合を行い、熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を形成し
た。なお、Ｃｕ板をＡｌ板としたものを実施例７とし
た。

【００４５】また、実施例８では、表２に示す基板表面
のサイズ，板厚，熱伝導率のＳｉ_３Ｎ_４基板上に縦３ｍ
ｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を縦に１０
枚、横に１０枚ずつ配置し、Ｓｉ_３Ｎ_４基板上に合計し
て１００個配置し、実施例４と同様に熱伝モジュール用
Ｓｉ_３Ｎ_４基板を形成した。

【００４６】

【表２】

【００４７】比較例１〜比較例１０ 本比較例では、セラミック基板として熱伝導率が２０Ｗ
／ｍ・ＫであるＡｌ_２Ｏ_３焼結体を適用したもの（比較
例１）、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・ＫであるＡｌＮ焼結
体を適用したもの（比較例２〜比較例４）、Ｓｉ_３Ｎ_４
基板の基板面積を変えたもの（比較例５，比較例６）、
Ｓｉ_３Ｎ_４基板の基板厚を変えたもの（比較例７，比較
例８）、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・ＫであるＳｉ_３Ｎ_４焼
結体を適用したもの（比較例９）、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結体を
用いて金属板をＣｏとしたもの（比較例１０）とし、そ
れぞれ熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を形成した。

【００４８】上記実施例３〜実施例８および比較例１〜
比較例１０の熱電モジュール用Ｓｉ _３Ｎ_４基板を用い
て、３点曲げ強度および耐熱サイクル特性の評価試験を
行った。

【００４９】３点曲げ強度は、ＪＩＳ−Ｒ−１６０１に
準ずる３点曲げ強度により測定した。また、耐熱サイク
ル特性は実施例１と同様の方法により測定した。その結
果を表２に示す。

【００５０】表２に示すように、実施例３〜実施例８に
示す熱電モジュール用窒化けい素基板は、３点曲げ強度
がいずれも６００ＭＰａ以上と高く、健全指数ηが１０
０％となっており、強度特性および耐熱サイクル特性の
両特性とも良好であった。一方、比較例１〜比較例４，
比較例７〜比較例１０は、３点曲げ強度または耐熱サイ
クル特性のいずれかの特性が低下していた。また、比較
例５および比較例６では、３点曲げ強度および耐熱サイ
クル特性が優れていたが、基板面積が小さいことから金
属板を接合できる数が少なく、その結果、熱電モジュー
ルの高出力化または冷却特性の向上を図ることができな
かった。なお、実施例３〜実施例８に示すＳｉ_３Ｎ_４基
板は、熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、３点曲げ
強度を６００ＭＰａ以上と高くできることから、Ｓｉ_３
Ｎ_４基板の板厚を薄肉形成することにより、熱電モジュ
ールのコンパクト化を図ることができる。さらに、Ｓｉ
_３Ｎ_４基板を薄肉とすることにより、熱抵抗を低減し、
その結果、熱電モジュールの高出力化および冷却・昇温
特性の向上を図ることができる。

【００５１】実施例９〜実施例１７ 本実施例では、上述した実施例３，実施例５，実施例６
と同様の製造方法を用いて、実施例９〜実施例１７の熱
電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を作製した。

【００５２】実施例９〜実施例１７は、表３に示すよう
に、個々のＣｕ板の基板への接合面の表面積を２５ｍｍ
^２以下の範囲で種々変えたものであり、Ｓｉ_３Ｎ_４基板
の表面にＣｕ板を３０個以上接合し、Ｓｉ_３Ｎ_４基板表
面にＣｕ板を接合する際に、Ｃｕ板とＣｕ板との間隔を
１ｍｍ以下としたものである。

【００５３】

【表３】

【００５４】比較例１１〜比較例１５ 本比較例では、実施例３，実施例５，実施例６と同様の
製造方法を用いて、比較例１１〜比較例１５の熱電モジ
ュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を作製した。

【００５５】比較例１１から比較例１３までは、Ｃｕ板
の基板表面積を２５ｍｍ^２以上としたものであり、比較
例１４および比較例１５は、Ｃｕ板とＣｕ板との間隔を
０．２ｍｍとしてＣｕ板をＳｉ_３Ｎ_４基板上に接合して
熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を形成した。

【００５６】上記実施例９〜実施例１１７および比較例
１１〜比較例１５の熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板を
用いて、耐熱サイクル特性を評価した。なお、試験条件
は、上述した耐熱サイクル特性の評価試験の条件と同様
とした。その結果を表３に示す。

【００５７】表３に示すように、個々のＣｕ板の基板へ
の接合面の表面積を２５ｍｍ^２以下とした実施例９〜実
施例１７の熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板は、健全指
数ηがいずれも１００％を示しており、耐熱サイクル特
性が良好であった。一方、個々のＣｕ板の基板への接合
面の表面積が２５ｍｍ^２を超えるＣｕ板を用いた比較例
１１から比較例１３までの熱電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４
基板では、冷却・昇温の熱サイクル後にＳｉ_３Ｎ_４基板
とＣｕ板との剥離が発生したために健全指数ηが低下し
ており、耐熱サイクル特性が低下した。また、Ｃｕ板と
Ｃｕ板との間隔を狭くした比較例１４，比較例１５の熱
電モジュール用Ｓｉ_３Ｎ_４基板は、Ｃｕ板とＳｉ_３Ｎ_４
基板との熱膨張差の影響が顕著となることから健全指数
ηが低下しており、耐熱サイクル特性が低下していた。

【００５８】従って、本実施形態によれば、金属板の基
板表面積を２５ｍｍ_２以下としてセラミック基板と金属
板との剥離を防止して耐熱サイクル特性を向上させると
ともに、金属板と金属板との間隔を規定して配置するこ
とにより、３点曲げ強度特性および耐熱サイクル特性の
両特性の向上を図ることができる。これにより、高信頼
性の熱電モジュールを得ることができる。

【００５９】また、素体曲げ強度の高い窒化けい素焼結
体を適用することにより、Ｓｉ_３Ｎ _４基板の板厚を０．
３２ｍｍ程度に薄肉とすることができるため、熱電モジ
ュールのコンパクト化を図るとともに、基板厚さを薄肉
とすることにより、セラミック基板の熱抵抗の低減によ
り放熱性を向上させて、熱電モジュールの冷却・昇温特
性の向上および高出力化を図ることができる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱電モジ
ュール用基板によれば、Ｓｉ_３Ｎ_４基板を大型化し、こ
のＳｉ_３Ｎ_４基板に接合する金属板を３０個以上とし、
搭載する発電素子数を増やすことにより、熱電モジュー
ルの高出力化または冷却・昇温特性の向上を図るととも
に、耐熱サイクル特性を向上させることにより、熱電モ
ジュールの信頼性向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を説明する図で、熱電モジュ
ールを上方から見た上面図。

【図２】本発明の実施形態における、熱電モジュールの
断面図。

【図３】本発明の実施形態における、熱電モジュールの
断面図。

【符号の説明】

１ 窒化けい素基板 ２ 金属板（Ｃｕ板） ３ 熱電素子

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化けい素基板の少なくとも一方の面に
   ３０個以上の熱電素子を搭載するための金属板を接合し
   たことを特徴とする熱電モジュール用基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載の熱電モジュール用基板に
   おいて、金属板と金属板との間隔が１ｍｍ以下であるこ
   とを特徴とする熱電モジュール用基板。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の熱電モジュール
   用基板において、金属板の基板との接合面の表面積が２
   ５ｍｍ^２以下であることを特徴とする熱電モジュール用
   基板。
4. 【請求項４】 請求項１から３までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、窒化けい素基板の金属
   板と接合する面の表面積が１６００ｍｍ^２以上であるこ
   とを特徴とする熱電モジュール用基板。
5. 【請求項５】 請求項１から４までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、窒化けい素基板の板厚
   が０．２〜１．０ｍｍであることを特徴とする熱電モジ
   ュール用基板。
6. 【請求項６】 請求項１から５までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、窒化けい素基板の熱伝
   導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする熱電
   モジュール用基板。
7. 【請求項７】 請求項１から６までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、窒化けい素基板の３点
   曲げ強度が６００ＭＰａ以上であることを特徴とする熱
   電モジュール用基板。
8. 【請求項８】 請求項１から７までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、金属板は、銅またはア
   ルミニウムから選ばれた少なくとも１種の材料を主成分
   としたことを特徴とする熱電モジュール用基板。
9. 【請求項９】 請求項１から８までのいずれかに記載の
   熱電モジュール用基板において、金属板の表面にＮｉメ
   ッキが施されていることを特徴とする熱電モジュール用
   基板。
10. 【請求項１０】 請求項１から９までのいずれかに記載
    の熱電モジュール用基板において、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
    ＡｌおよびＮｂから選ばれた少なくとも１種の活性金属
    を含むろう材層を介して、前記窒化けい素基板上に金属
    板を接合していることを特徴とする熱電モジュール用基
    板。
11. 【請求項１１】 請求項１から１０までのいずれかに記
    載の熱電モジュール用基板を用いたことを特徴とする熱
    電モジュール。