JP2002201226A - 共重合体およびそれを用いた感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各種の放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザ
ーに代表される遠紫外線に対して透過性が高く、感度、
解像度、基板密着性およびドライエッチング耐性に優れ
た感放射線性樹脂組成物、およびそれに用いられる共重
合体を提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの酸分解性基を有してい
て、下記式（１）で表される繰返し単位および下記式
（２）で表される繰返し単位を有する共重合体。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ² は水素原子、メチル基、もしくはヒドロキシ
ル基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。式（２）におい
て、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は
相互に独立に水素原子または一価の有機基を示す。〕こ
の共重合体と感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性
樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、共重合体およびそ
れを用いた感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳細に
は、ＫｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線のほ
か、電子線等の荷電粒子線、Ｘ線の如き各種の放射線を
用いて微細加工するのに好適なレジストとして有用な感
放射線性樹脂組成物、およびそれに用いる共重合体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、リ
ソグラフィーにおける加工サイズの微細化が進んでお
り、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を再現性よく
行なうことの可能な技術が必要とされている。そのた
め、微細加工に用いられるレジストにおいても０．５μ
ｍ以下のパターンを精度よく形成することが必要である
が、従来の可視光線（波長８００〜４００ｎｍ）または
近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用いる方法で
は、０．５μｍ以下の微細パターンを高精度に形成する
ことは極めて困難である。そこで、より短波長（波長３
００ｎｍ以下）の放射線の利用が鋭意検討されている。

【０００３】このような短波長の放射線としては、例え
ば、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦ
エキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等に代表される遠
紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷
電粒子線を挙げることができるが、これらのうち特にエ
キシマレーザーを使用するリソグラフィーが、その高出
力、高効率特性等の理由から、特に注目されている。こ
のため、リソグラフィーに用いられるレジストに関して
も、エキシマレーザーにより、０．５μｍ以下の微細パ
ターンを高感度かつ高解像度で再現性よく形成できるこ
とが必要とされている。エキシマレーザー等の遠紫外線
に適したレジストとしては、放射線の照射（以下、「露
光」という。）により酸を生成する感放射線性酸発生剤
を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向
上させた「化学増幅型レジスト」が提案されている。

【０００４】このような化学増幅型レジストとしては、
例えば、特開昭５９−４５４３９号公報には、ｔ−ブチ
ル基あるいはｔ−ブトキシカルボニル基で保護された樹
脂と感放射線性酸発生剤との組合せが、また特開昭６０
−５２８４５号公報には、シリル基で保護された樹脂と
感放射線性酸発生剤との組合せが、特開平２−２５８５
０号公報には、アセタール基を有する樹脂と感放射線性
酸発生剤との組合せが、それぞれ開示されている。

【０００５】しかしながら、デバイスの設計寸法がサブ
ハーフミクロン以下になると、レジスト膜の薄膜化が進
み、従来の樹脂成分では、微細加工に必要な、十分なド
ライエッチング耐性を賦与することができなくなってき
た。また感度、解像度およびパターン形状に大きく影響
を与える、溶解コントラスト、ガラス転移温度および放
射線の透過性に関しても、従来の樹脂成分では十分でな
かった。

【０００６】また、放射線透過性、ドライエッチング耐
性を向上させる試みとして米国特許明細書ＵＳＰ６，０
１３，４１３号にノルトリシクレン骨格を有する感光性
樹脂組成物が開示されているが、ポリヒドロキシスチレ
ン系のレジストに比べ基板密着性という点で不十分で、
特にＫｒＦエキシマレーザー用レジストとして好ましく
ない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来技術における前記
状況に鑑み、本発明の課題は、各種の放射線、特に、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線に対して透
過性が高く、感度、解像度、基板密着性およびドライエ
ッチング耐性に優れた感放射線性樹脂組成物およびそれ
に用いられる共重合体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々検討
した結果、後述する特定の共重合体およびこれを用いた
樹脂組成物が上記課題を解決することができるものであ
ることを見出し、本発明に到達した。

【０００９】すなわち、本発明は、第一に、少なくとも
１つの酸分解性基を有していて、下記式（１）で表され
る繰返し単位および下記式（２）で表される繰返し単位
を有することを特徴とする共重合体を提供する。

【００１０】

【化２】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
示し、Ｒ² は水素原子、メチル基、もしくはヒドロキシ
ル基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。式（２）におい
て、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は
相互に独立に水素原子または一価の有機基を示す。〕

【００１１】第二に、前記共重合体（Ａ）および感放射
線性酸発生剤（Ｂ）を含有することを特徴とする感放射
線性樹脂組成物を提供する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 ［共重合体（Ａ)］本発明における共重合体（Ａ）は、
前記式（１）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単
位（１）」という。）および前記式（２）で表される繰
返し単位（以下、「繰返し単位（２）」という。）を有
し、場合により式（１）で表わされる繰返し単位および
式（２）で表わされる繰返し単位とは異なる、重合性不
飽和結合を有する化合物に由来する他の繰返し単位（以
下、「他の繰返し単位（ａ）」という。）を有する共重
合体である。

【００１３】また当該共重合体中には酸分解性基を有し
ていて、この酸分解性基は、繰返し単位（２）において
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰で表さ
れる一価の有機基中、および／または他の繰返し単位
（ａ）中に、少なくとも一つ含まれていなければならな
い。

【００１４】共重合体（Ａ）は、繰返し単位（２）中に
ノルトリシクレン構造を含み、従来の（α−メチル）ス
チレン誘導体および（メタ）アクリル酸誘導体の（共）
重合物よりなる樹脂に比べて、遠紫外線の吸収が少な
く、また主鎖の剛直性が高いため、ガラス転移温度やド
ライエッチング耐性が高い。また（α−メチル）スチレ
ン構造を有するため、繰返し単位（２）のみからなる樹
脂や繰返し単位（２）と無水マレイン酸等の重合性二重
結合を有する化合物に由来する繰返し単位からなる樹脂
に比べて基板密着性が高い。

【００１５】共重合体（Ａ）における繰返し単位（１）
を構成する単量体としては、例えば次のものが挙げられ
る。

【００１６】すなわち、（α−メチル）４−ヒドロキシ
スチレン、（α−メチル）３−ヒドロキシスチレン、
（α−メチル）２−ヒドロキシスチレン、（α−メチ
ル）２，３−ジヒドロキシスチレン、（α−メチル）
２，４−ジヒドロキシスチレン、（α−メチル）２，４
−ジヒドロキシスチレン、（α−メチル）２，５−ジヒ
ドロキシスチレン、（α−メチル）２，６−ジヒドロキ
シスチレン、（α−メチル）３，４−ジヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）２−メチル−３−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）２−メチル−４−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）２−メチル−５−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）２−メチル−６−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）３−メチル−１−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）３−メチル−２−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）３−メチル−４−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）３−メチル−５−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）３−メチル−６−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）４−メチル−２−ヒドロキシスチ
レン、（α−メチル）４−メチル−３−ヒドロキシスチ
レン等が挙げられ、中でもα−メチル−４−ヒドロキシ
スチレン、４−ヒドロキシスチレン、３，４−ジヒドロ
キシスチレン、３−メチル−４−ヒドロキシスチレンが
望ましい。

【００１７】共重合体（Ａ）における繰返し単位（２）
において、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹および
Ｒ¹⁰は相互に独立に水素原子または一価の有機基を示
し、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ
¹⁰（Ｒ³〜Ｒ¹⁰と記す）は場合により酸分解性基を含ん
でいても良いし、含まなくても良い。しかしほかの繰返
し単位（ａ）中に酸分解性基が含まれないときは、Ｒ³
〜Ｒ¹⁰中に少なくとも一つ以上の酸分解性基を含まなけ
ればならない。

【００１８】Ｒ³〜Ｒ¹⁰の有機基において酸分解性基を
含まない有機基の例としては、直鎖または分岐状の、非
環式炭化水素基が挙げられ、好ましくは脂肪族炭化水素
基が挙げられ、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数４〜６のアル
カジエニル基等を挙げることができる。これらの非環式
炭化水素基は適宜の位置に１種以上の置換基を有するこ
ともできる。

【００１９】前記１価の脂肪族炭化水素基のうち、炭素
数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができる。炭素数２
〜６のアルケニル基としては、例えば、CH₂=CH- 、CH₂=
CHCH₂-、CH₂=C(CH₃)- 、CH₂=CHCH₂CH₂- 、CH₂=C(CH₃)CH
₂-、CH₃CH=CHCH₂-、CH₂=CHCH₂CH₂CH₂-、CH₂=C(CH₃)CH₂C
H₂-、CH₂=CHCH₂CH₂CH₂CH₂-等を挙げることができる。炭
素数４〜６のアルカジエニル基としては、例えば、CH₂=
CHCH=CH-、CH ₂=CHCH=CHCH₂-、CH₂=C(CH₃)CH=CH-、CH₂=C
HCH₂CH=CH-、CH₂=CHCH=CHCH₂CH₂-等を挙げることができ
る。

【００２０】また、１価の非環式炭化水素基が有しても
よい置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えば、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子等）、ア
ミノ基、ジアルキルアミノ基、アセトアミノ基、アシル
基、アシルオキソ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、ニトロ基、シアノ基、アリールスルホニル基、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシ基、アセチル基等を挙げ
ることができる。

【００２１】前記置換基を有する１価の非環式炭化水素
基の具体例としては、フロロメチル基、ジフロロメチル
基、トリフロロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメ
チル基、トリクロロメチル基、１−フロロエチル基、１
−フロロプロピル基、１−フロロブチル基、１−クロロ
エチル基、１−クロロプロピル基、１−クロロブチル
基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、１−ジ
メチルアミノエチル基、２−ジメチルアミノエチル基、
１−アセトアミノエチル基、２−アセトアミノエチル
基、アセチルメチル基、１−フェニルチオエチル基、２
−フェニルチオエチル基、１−ニトロエチル基、２−ニ
トロエチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル
基、フェニルスルホニルメチル基、ジ（フェニルスルホ
ニル）メチル基等を挙げることができる。

【００２２】前記非置換の１価の非環式炭化水素基およ
び置換された１価の非環式炭化水素基のうち、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、トリフロロメチル基、ト
リクロロメチル基、２−ジメチルアミノエチル基、アセ
チルメチル基、ジ（フェニルスルホニル）メチル基等が
好ましい。

【００２３】また、前記の酸分解性基を含まない有機基
は、シクロアルキル基であってもよく、シクロアルキル
基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数
３〜８のシクロアルキル基を挙げることができ、これら
のシクロアルキル基は適宜の位置に１種以上の置換基を
有することもできる。

【００２４】シクロアルキル基に対する置換基として
は、例えば、１価の非環式炭化水素基について例示した
前記置換基と同様の基のほか、アルキル基等を挙げるこ
とができる。

【００２５】前記置換基を有するシクロアルキル基の具
体例としては、４−メチルシクロヘキシル基、４−フロ
ロシクロヘキシル基、２−クロロシクロヘキシル基、４
−クロロシクロヘキシル基、４−ブロモシクロヘキシル
基、４−ニトロシクロヘキシル基等を挙げることができ
る。

【００２６】前記非置換のシクロアルキル基および置換
されたシクロアルキル基のうち、シクロヘキシル基、２
−クロロシクロヘキシル基、４−クロロシクロヘキシル
基等が好ましい。

【００２７】また、前記の酸分解性基を含まない有機基
は、アリール基であってもよく、アリール基としては、
例えば、フェニル基、ビフェニリル基、１−ナフチル
基、１−アントリル基、９−アントリル基、９−フェナ
ントリル基等を挙げることができ、これらのアリール基
は適宜の位置に１種以上の置換基を有することもでき
る。

【００２８】アリール基に対する置換基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６
のアルキル基、あるいはこれらアルキル基に由来するパ
ーフロロアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、よう素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素
数１〜６のアルコキシル基；アセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ベ
ンゾイル基等の炭素数２〜１１のアシル基；アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ヘ
キサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基等の炭素数２〜１１のアシルオキシ基；ベン
ジル基、ジフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、
２−フェニルプロピル基、３−フェニルプロピル基等の
炭素数７〜２０のアラルキル基や、ニトロ基、シアノ
基、水酸基、ビニル基、アセトアミノ基、ブトキシカル
ボニルオキシ基等を挙げることができる。

【００２９】前記置換基を有するアリール基の具体例と
しては、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル
基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフ
ェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチル
フェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，
４，６−トリエチルフェニル基、２，４，６−トリ−ｎ
−プロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピル
フェニル基、４−トリフロロメチルフェニル基、４−フ
ロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフ
ェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エトキシフェ
ニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、２−ベンゾイ
ルフェニル基、４−アセチルオキシフェニル基、４−ベ
ンジルフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル基、２−ニトロフ
ェニル基、４−ニトロフェニル基、２，４−ジニトロフ
ェニル基、４−アセトアミノフェニル基等を挙げること
ができる。

【００３０】前記非置換のアリール基および置換された
アリール基のうち、フェニル基、４−メチルフェニル
基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２，４，６−トリイソ
プロピルフェニル基、４−フロロフェニル基、４−クロ
ロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−メトキシフ
ェニル基、２−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル
基等が好ましい。

【００３１】また、前記の酸分解性基を含まない有機基
は、アラルキル基であってもよく、アラルキル基として
は、例えば、ベンジル基、ジフェニルメチル基、３，５
−ジフェニルベンジル基、２−フェニルエチル基、３−
フェニルプロピル基、１−ナフチルメチル基、１−アン
トラニルメチル基、９−アントラニルメチル基等の炭素
数７〜２０のアラルキル基を挙げることができ、これら
のアラルキル基は適宜の位置に１種以上の置換基を有す
ることもできる。

【００３２】アラルキル基に対する置換基としては、例
えば、アリール基について例示した置換基と同様の基を
挙げることができる。

【００３３】前記置換基を有するアラルキル基の具体例
としては、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジル
基、４−ｎ−プロピルベンジル基、４−イソプロピルベ
ンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−ｔ−ブチル
ベンジル基、４−フロロベンジル基、４−メトキシベン
ジル基、４−アセチルオキシベンジル基、２−ニトロベ
ンジル基、４−ニトロベンジル基、２，４−ジニトロベ
ンジル基、４−シアノベンジル基、４−ヒドロキシベン
ジル基、４−ビニルベンジル基等を挙げることができ
る。

【００３４】前記非置換のアラルキル基および置換され
たアラルキル基のうち、ベンジル基、９−アントラニル
メチル基、４−フロロベンジル基、４−メトキシベンジ
ル基、２−ニトロベンジル基、４−ニトロベンジル基等
が好ましい。

【００３５】また、前記の酸分解性基を含まない有機基
は、ヘテロ原子を有する１価の有機基であってもよく、
このような基としては、例えば、シアノ基、ジメチルア
ミノカルボニル基、４−ブロモベンゾイル基、２−ピリ
ジニル基、４−ピリジニル基等を挙げることができる。

【００３６】また、前記の酸分解性基を含まない有機基
は、式（３）に示すカルボニル基を有する基であっても
よく、代表的なものとして、アルキルカルボニル基、ア
リールカルボニル基、アラルキルカルボニル基等が挙げ
られる。

【００３７】

【化３】

【００３８】式（３）おけるＲは１価の非環式炭化水素
基が例示され、さらに具体的にはアルキル基、アルケニ
ル基およびアルカジエニル基が挙げられ、さらにシクロ
アルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、具
体的には以下に例示の基が挙げられる。

【００３９】Ｒにおけるアルキル基としては、炭素数１
〜６のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができ、炭素数２〜
６のアルケニル基としては、例えば、CH₂=CH- 、CH₂=CH
CH ₂-、CH₂=C(CH₃)- 、CH₂=CHCH₂CH₂- 、CH₂=C(CH₃)CH
₂-、CH₃CH=CHCH₂-、CH₂=CHCH ₂CH₂CH₂- 、CH₂=C(CH₃)CH₂
CH₂- 、CH₂=CHCH₂CH₂CH₂CH₂-等を挙げることができ、炭
素数４〜６のアルカジエニル基としては、例えば、CH₂=
CHCH=CH-、CH₂=CHCH=CHCH₂- 、CH₂=C(CH₃)CH=CH-、CH₂=
CHCH₂CH=CH- 、CH₂=CHCH=CHCH₂CH₂-等を挙げることがで
きる。

【００４０】また、Ｒで表わされる前記の１価の非環式
炭化水素は置換されていてもよく、置換基としては、例
えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、よう素原子等）、アミノ基、ジアルキルアミ
ノ基、アセトアミノ基、アシル基、アシルオキソ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、
アリールスルホニル基、水酸基、アルコキシ基、カルボ
キシ基、アセチル基等を挙げることができる。

【００４１】前記置換基を有する１価の非環式炭化水素
基の具体例としては、フロロメチル基、ジフロロメチル
基、トリフロロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメ
チル基、トリクロロメチル基、１−フロロエチル基、１
−フロロプロピル基、１−フロロブチル基、１−クロロ
エチル基、１−クロロプロピル基、１−クロロブチル
基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、１−ジ
メチルアミノエチル基、２−ジメチルアミノエチル基、
１−アセトアミノエチル基、２−アセトアミノエチル
基、アセチルメチル基、１−フェニルチオエチル基、２
−フェニルチオエチル基、１−ニトロエチル基、２−ニ
トロエチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル
基、フェニルスルホニルメチル基、ジ（フェニルスルホ
ニル）メチル基等を挙げることができる。

【００４２】前記非置換の１価の非環式炭化水素基およ
び置換された１価の非環式炭化水素基のうち、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、トリフロロメチル基、ト
リクロロメチル基、２−ジメチルアミノエチル基、アセ
チルメチル基、ジ（フェニルスルホニル）メチル基等が
好ましい。

【００４３】また、Ｒで表わされるシクロアルキル基と
しては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３
〜８のシクロアルキル基を挙げることができ、これらの
シクロアルキル基は適宜の位置に１種以上の置換基を有
することもできる。

【００４４】シクロアルキル基に対する前記置換基とし
ては、例えば、１価の非環式炭化水素基について例示し
た前記置換基と同様の基のほか、アルキル基等を挙げる
ことができる。

【００４５】前記置換基を有するシクロアルキル基の具
体例としては、４−メチルシクロヘキシル基、４−フロ
ロシクロヘキシル基、２−クロロシクロヘキシル基、４
−クロロシクロヘキシル基、４−ブロモシクロヘキシル
基、４−ニトロシクロヘキシル基等を挙げることができ
る。

【００４６】前記非置換のシクロアルキル基および置換
されたシクロアルキル基のうち、シクロヘキシル基、２
−クロロシクロヘキシル基、４−クロロシクロヘキシル
基等が好ましい。

【００４７】また、Ｒで表わされるアリール基として
は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、１−ナフチ
ル基、１−アントリル基、９−アントリル基、９−フェ
ナントリル基等を挙げることができ、これらのアリール
基は適宜の位置に１種以上の置換基を有することもでき
る。

【００４８】アリール基に対する前記置換基としては、
例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜
６のアルキル基、あるいはこれらアルキル基に由来する
パーフロロアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、よう素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素
数１〜６のアルコキシル基；アセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ベ
ンゾイル基等の炭素数２〜１１のアシル基；アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ヘ
キサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基等の炭素数２〜１１のアシルオキシ基；ベン
ジル基、ジフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、
２−フェニルプロピル基、３−フェニルプロピル基等の
炭素数７〜２０のアラルキル基や、ニトロ基、シアノ
基、水酸基、ビニル基、アセトアミノ基、ブトキシカル
ボニルオキシ基等を挙げることができる。

【００４９】前記置換基を有するアリール基の具体例と
しては、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル
基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフ
ェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチル
フェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，
４，６−トリエチルフェニル基、２，４，６−トリ−ｎ
−プロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピル
フェニル基、４−トリフロロメチルフェニル基、４−フ
ロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフ
ェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エトキシフェ
ニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、２−ベンゾイ
ルフェニル基、４−アセチルオキシフェニル基、４−ベ
ンジルフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル基、２−ニトロフ
ェニル基、４−ニトロフェニル基、２，４−ジニトロフ
ェニル基、４−アセトアミノフェニル基等を挙げること
ができる。

【００５０】前記非置換のアリール基および置換された
アリール基のうち、フェニル基、４−メチルフェニル
基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２，４，６−トリイソ
プロピルフェニル基、４−フロロフェニル基、４−クロ
ロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−メトキシフ
ェニル基、２−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル
基等が好ましい。

【００５１】また、Ｒで表わされるアラルキル基として
は、例えば、ベンジル基、ジフェニルメチル基、３，５
−ジフェニルベンジル基、２−フェニルエチル基、３−
フェニルプロピル基、１−ナフチルメチル基、１−アン
トラニルメチル基、９−アントラニルメチル基等の炭素
数７〜２０のアラルキル基を挙げることができ、これら
のアラルキル基は適宜の位置に１種以上の置換基を有す
ることもできる。

【００５２】アラルキル基に対する前記置換基として
は、例えば、アリール基について例示した置換基と同様
の基を挙げることができる。

【００５３】前記置換基を有するアラルキル基の具体例
としては、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジル
基、４−ｎ−プロピルベンジル基、４−イソプロピルベ
ンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−ｔ−ブチル
ベンジル基、４−フロロベンジル基、４−メトキシベン
ジル基、４−アセチルオキシベンジル基、２−ニトロベ
ンジル基、４−ニトロベンジル基、２，４−ジニトロベ
ンジル基、４−シアノベンジル基、４−ヒドロキシベン
ジル基、４−ビニルベンジル基等を挙げることができ
る。

【００５４】前記非置換のアラルキル基および置換され
たアラルキル基のうち、ベンジル基、９−アントラニル
メチル基、４−フロロベンジル基、４−メトキシベンジ
ル基、２−ニトロベンジル基、４−ニトロベンジル基等
が好ましい。

【００５５】また、Ｒで表わされるヘテロ原子を有する
１価の有機基としては、例えば、シアノ基、ジメチルア
ミノカルボニル基、４−ブロモベンゾイル基、２−ピリ
ジニル基、４−ピリジニル基等を挙げることができる。

【００５６】次にＲ³〜Ｒ¹⁰で示される１価の有機基が
酸分解性基を含有する有機基である場合について説明す
る。酸分解性基を有する基としては、フェノール性水酸
基およびカルボキシル基等の酸性官能基の水素原子を、
酸の存在下で解離することができる一種以上の酸解離性
基で置換した構造を挙げることができ、例えば、式
(4)：

【００５７】

【化４】 〔式(4)において、ｎは０以上の整数を示す。〕、式
(5)：

【００５８】

【化５】 〔式(5)において、ｎ、ｍは互いに独立に０以上の整数
を示す。〕、式(6)：

【００５９】

【化６】 〔式(6)において、ｎは０以上の整数を示し、ｍは０以
上５以下の整数を示す。Ｒは水素原子、メチル基、ハロ
ゲン原子、もしくはヒドロキシル基を示す。〕、式
(7)：

【００６０】

【化７】 〔式(7)において、ｎ、ｍは互いに独立に０以上の整数
を示し、ｌは０以上５以下の整数を示す。Ｒは水素原
子、メチル基、ハロゲン原子、もしくはヒドロキシル基
を示す。〕、および式(8)：

【００６１】

【化８】 〔式(8)において、ｎは０以上の整数を示し、ｍは０以
上５以下の整数を示す。Ｒは水素原子、メチル基、ハロ
ゲン原子、もしくはヒドロキシル基を示す。〕等により
表わされる構造においてフェノール性水酸基および、カ
ルボキシル基等の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下
で解離することができる一種以上の酸解離性基で置換し
た構造が挙げられる。

【００６２】前記酸解離性基としては、例えば、置換メ
チル基、１−置換エチル基、１−置換プロピル基等、１
−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシ
カルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げるこ
とができる。

【００６３】前記置換メチル基としては、例えば、メト
キシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル
基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、
ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェ
ナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル
基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル
基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニル
メチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、
ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベ
ンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル
基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブト
キシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基等を挙げることができる。

【００６４】また、前記１−置換エチル基としては、例
えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル
基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル
基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチ
ル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチ
ル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオ
キシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロ
プロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジ
フェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、
１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシ
カルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエ
チル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ
−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができ
る。

【００６５】また、前記１−分岐アルキル基としては、
例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができ
る。また、前記１−置換プロピル基としては、１−メト
キシプロピル基、１−エトキシプロピル基等を挙げるこ
とができる。

【００６６】また、前記シリル基としては、例えば、ト
リメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジ
エチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジ
メチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、ト
リ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル
基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチル
シリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニ
ルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることがで
きる。

【００６７】また、前記ゲルミル基としては、例えば、
トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メ
チルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−
プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピル
ゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチ
ルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル
基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲ
ルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニル
ゲルミル基等を挙げることができる。

【００６８】また、前記アルコキシカルボニル基として
は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基等を挙げることができる。

【００６９】前記アシル基としては、例えば、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘ
キサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリ
ル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル
基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スク
シニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル
基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、ア
クリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、
クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロ
イル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル
基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル
基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル
基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テ
ノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−
トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができ
る。

【００７０】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチ
オフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト
ラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン
−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。

【００７１】これらの酸解離性基のうち、ｔ−アミル
基、１−エトキシプロピル基、ｔ−ブチル基、１−メト
キシメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエ
チル基、１−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチ
ル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル
基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、テトラヒドロフラニル基等が好ましい。

【００７２】共重合体（Ａ）における繰返し単位（２）
において好ましいものとしては、２−カルボキシノルボ
ルナジエン、２，３−ジカルボキシノルボルナジエン、
２−フェニル−３−カルボキシノルボルナジエン、２−
フェニル−３−（４−ヒドロキシフェニルカルボニル）
ノルボルナジエン等のフェノール性水酸基もしくはカル
ボキシル基等の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で
解離することのできる１種以上の酸解離性基で置換した
構造を有するものが、ノルトリシクレン型に環化した単
位を挙げることができる。

【００７３】共重合体（Ａ）における繰返し単位（２）
を構成する単量体としては、下記式（２’）

【００７４】

【化９】

【００７５】［式（２’）においてＲ³〜Ｒ¹⁰は式
（２）で挙げたものと同じものを示す。］で表わされる
ノルボルナジエンが挙げられ、好ましいものとしては、
２−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナジエン、２−
（１−メトキシメトキシカルボニル）ノルボルナジエ
ン、２−（１−メトキシエトキシカルボニル）ノルボル
ナジエン、２−（１−エトキシエトキシカルボニル）ノ
ルボルナジエン、２−（１−エトキシプロポキシカルボ
ニル）ノルボルナジエン、２−（１−プロポキシエチル
カルボニル）ノルボルナジエン、２−トリメチルシリル
オキシカルボニルノルボルナジエン、２−（ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシカルボニル）ノルボルナジエン、２
−（ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル）ノル
ボルナジエン、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボ
ニルノルボルナジエン、２−テトラヒドロフラニルオキ
シカルボニルノルボルナジエン、２−イソプロピルカル
ボニルノルボルナジエン、２，３−ビス（ｔ−ブトキシ
カルボニル）ノルボルナジエン、２，３−ビス（１−メ
トキシメトキシカルボニル）ノルボルナジエン、２，３
−ビス（１−メトキシエトキシカルボニル）ノルボルナ
ジエン、２，３−ビス−（１−エトキシエトキシカルボ
ニル）ノルボルナジエン、２，３−ビス（１−エトキシ
プロポキシカルボニル）ノルボルナジエン、２，３−ビ
ス（１−プロポキシエチルカルボニル）ノルボルナジエ
ン、２，３−ビス（トリメチルシリルオキシカルボニ
ル）ノルボルナジエン、２，３−ビス（ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシカルボニル）ノルボルナジエン、２，３
−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル）
ノルボルナジエン、２，３−ビス（テトラヒドロピラニ
ルオキシカルボニル）ノルボルナジエン、２，３−ビス
（テトラヒドロフラニルオキシカルボニル）ノルボルナ
ジエン、２，３−ビス（イソプロピルカルボニル）ノル
ボルナジエン、２−フェニル−３−（４−（ｔ−ブトキ
シ）フェニルカルボニル）ノルボルナジエン、２−フェ
ニル−３−（４−（１−メトキシメトキシ）フェニルカ
ルボニル）ノルボルナジエン、２−フェニル−３−（４
−（１−メトキシエトキシ）フェニルカルボニル）ノル
ボルナジエン、２−フェニル−３−（４−（１−エトキ
シエトキシ）フェニルカルボニル）ノルボルナジエン、
２−フェニル−３−（４−（１−エトキシプロピル）フ
ェニルカルボニル）ノルボルナジエン、２−フェニル−
３−（４−（１−プロポキシエチル）フェニルカルボニ
ル）ノルボルナジエン、２−フェニル−３−（４−トリ
メチルシリルフェニルカルボニル）ノルボルナジエン、
２−フェニル−３−（４−（ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ）フェニルカルボニル）ノルボルナジエン、２−フ
ェニル−３−（４−テトラヒドロピラニルフェニルカル
ボニル）ノルボルナジエン、２−フェニル−３−（４−
テトラヒドロピラニルフェニルカルボニル）ノルボルナ
ジエン、２−フェニル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノ
ルボルナジエン、２−フェニル−３−（１−メトキシメ
トキシカルボニル）ノルボルナジエン、２−フェニル−
３−（１−メトキシエトキシカルボニル）ノルボルナジ
エン、２−フェニル−３−（１−エトキシエトキシカル
ボニル）ノルボルナジエン、２−フェニル−３−（１−
エトキシプロポキシカルボニル）ノルボルナジエン、２
−フェニル−３−（１−プロポキシエチルカルボニル）
ノルボルナジエン、２−フェニル−３−トリメチルシリ
ルオキシカルボニルノルボルナジエン、２−フェニル−
３−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシカルボニル）ノル
ボルナジエン、２−フェニル−３−（ｔ−ブトキシカル
ボニルメトキシカルボニル）ノルボルナジエン、２−フ
ェニル−３−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルノ
ルボルナジエン、２−フェニル−３−テトラヒドロフラ
ニルオキシカルボニルノルボルナジエン、２−フェニル
−３−イソプロピルカルボニルノルボルナジエン等が挙
げられる。

【００７６】共重合体（Ａ）における他の繰返し単位
（ａ）としては、次に例示する重合性不飽和結合を有す
る化合物に由来する単位を挙げることができ、重合性不
飽和結合を有する化合物としては、スチレン、α−メチ
ルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレ
ン、４−メチルスチレン、２−メトキシスチレン、３−
メトキシスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブ
トキシスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチ
レン、４−（２’−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキ
シ）スチレン、４−テトラヒドロフラニルオキシスチレ
ン、４−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のビニ
ル芳香族化合物；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、
（メタ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メタ）アクリル酸
ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｉ−ブチル、（メタ）
アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブ
チル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アク
リル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシ
ル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸
２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒド
ロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、
（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル
酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、
（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アク
リル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマ
ンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル、（メ
タ）アクリル酸テトラヒドロフラニル、（メタ）アクリ
ル酸テトラヒドロピラニル、（メタ）アクリル酸フェニ
ル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸
フェネチル等が挙げられ、さらに、下記式で表される
（メタ）アクリル酸エステル類の単量体等が挙げられ
る。

【００７７】

【化１０】

【００７８】

【化１１】

【００７９】

【化１２】

【００８０】さらに、（メタ）アクリル酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボ
ン酸類；（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、
（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）
アクリル酸３−カルボキシプロピル等の不飽和カルボン
酸のカルボキシアルキルエステル類；（メタ）アクリロ
ニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニト
リル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニ
トリル化合物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物：マレ
イミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシル
マレイミド等の不飽和イミド化合物；Ｎ−ビニル−ε−
カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ビニルピ
リジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２
−ビニルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等の他
の含窒素ビニル化合物等を挙げることができる。

【００８１】これらの他の繰返し単位（ａ）のうち、ス
チレン、α−メチルスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレ
ン、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、４−
ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン、４−
（２’−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレ
ン、（メタ）アクリル酸−ｔ−ブチル、（メタ）アクリ
ル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカ
ニル、前記式（９）〜（11）で表される単量体等の重合
性不飽和結合に由来する単位が好ましい。

【００８２】共重合体（Ａ）において、他の繰返し単位
（ａ）における酸分解性基としては、式（１２）〜（１
４）に示すフェノール性水酸基およびカルボキシル基等
の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離すること
ができる一種以上の酸解離性基で置換した構造を挙げる
ことができる。

【００８３】

【化１３】 〔式（１２）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基
を示し、Ｒ² はハロゲン原子または炭素数１〜６の１価
の有機基を示し、ｎは０〜３の整数である。〕

【００８４】

【化１４】 〔式（１３）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基
を示す。〕

【００８５】

【化１５】

【００８６】

【００８７】他の繰返し単位（ａ）における酸解離性基
としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、
１−置換プロピル基、１−分岐アルキル基、シリル基、
ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式
酸解離性基等を挙げることができる。

【００８８】前記置換メチル基としては、例えば、メト
キシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル
基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、
ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェ
ナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル
基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル
基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニル
メチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、
ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベ
ンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル
基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エト
キシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメ
チル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブト
キシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基等を挙げることができる。

【００８９】また、前記１−置換エチル基としては、例
えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル
基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル
基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチ
ル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチ
ル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオ
キシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロ
プロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジ
フェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、
１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシ
カルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエ
チル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ
−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができ
る。

【００９０】また、前記１−分岐アルキル基としては、
例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができ
る。また、前記１−置換プロピル基としては、１−メト
キシプロピル基、１−エトキシプロピル基等を挙げるこ
とができる。

【００９１】また、前記シリル基としては、例えば、ト
リメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジ
エチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジ
メチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、ト
リ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル
基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチル
シリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニ
ルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることがで
きる。

【００９２】また、前記ゲルミル基としては、例えば、
トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メ
チルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−
プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピル
ゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチ
ルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル
基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲ
ルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニル
ゲルミル基等を挙げることができる。

【００９３】また、前記アルコキシカルボニル基として
は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基等を挙げることができる。

【００９４】前記アシル基としては、例えば、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘ
キサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリ
ル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル
基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スク
シニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル
基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、ア
クリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、
クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロ
イル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル
基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル
基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル
基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テ
ノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−
トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができ
る。

【００９５】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチ
オフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト
ラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン
−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。

【００９６】これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル
基、１−メトキシメチル基、１−メトキシエチル基、１
−エトキシエチル基、１−エトキシプロピル基、１−プ
ロポキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシ
カルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テト
ラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル、ｔ−アミ
ル基、１−エトキシプロピル基等が好ましい。

【００９７】共重合体（Ａ）において、繰返し単位
（１）、繰返し単位（２）および他の繰返し単位（ａ）
は、それぞれ単独でまたは２種以上が存在することがで
きる。

【００９８】共重合体（Ａ）において、繰返し単位
（２）の含有率は、樹脂組成物の配合組成やレジストと
しての所望の特性に応じて変わるが、繰返し単位（１）
と繰返し単位（２）との合計に対して、好ましくは１〜
８０モル％、さらに好ましくは３〜６０モル％、特に好
ましくは５〜５０モル％である。この場合、繰返し単位
（２）の含有率が１モル％未満では、レジストとしての
溶解コントラストが低下する傾向があり、一方８０モル
％を超えると、レジストとしての基板密着性が低下する
傾向がある。

【００９９】また、繰返し単位（１）の含有率は、全繰
返し単位に対して、好ましくは１０〜９０モル％、さら
に好ましくは２０〜８５モル％、特に好ましくは３０〜
８０モル％である。この場合、繰返し単位（１）の含有
率が１０モル％未満では、酸分解性基の酸解離反応に対
する促進効果が低下し、レジストとしての解像性能が損
なわれるおそれがあり、一方９０モル％を超えると、樹
脂の溶解速度が早すぎ、レジストとして未露光部に現像
ムラを生じやすくなる傾向がある。

【０１００】さらに、他の繰返し単位（ａ）の含有率
は、全繰返し単位に対して、好ましくは４０モル％以
下、さらに好ましくは３０モル％以下である。

【０１０１】共重合体（Ａ）は、例えば、（イ）シクロ
ペンタジエン誘導体とｔ−ブチルプロピオレート等のプ
ロピオリル酸エステル等のアルケンを反応させて、繰返
し単位（２）に対応する単量体を合成した後、ｐ−ヒド
ロキシスチレンおよび／またはｐ−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレンと常法により共重合する方法、（ロ）繰返
し単位（２）に対応する単量体を、ｐ−アセトキシスチ
レンおよび／またはｐ−アセトキシ−α−メチルスチレ
ンと常法により共重合したのち、アンモニア水等の塩基
を触媒として、アセチル基を常法により加水分解する方
法等により製造することができる。

【０１０２】共重合体（Ａ）のゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）による
ポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）は、好ましくは５００〜５００，０００、さらに
好ましくは１０００〜４００，０００、特に好ましくは
１，０００〜３００，０００である。この場合、共重合
体（Ａ）のＭｗが５００未満であると、レジストとして
の感度および耐熱性が低下する傾向があり、一方５０
０，０００を超えると、レジストとしての現像性が低下
する傾向がある。

【０１０３】また、共重合体（Ａ）のＭｗとＧＰＣによ
るポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」とい
う。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好まし
くは１〜２. ５である。

【０１０４】本発明において、共重合体（Ａ）は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。ま
た、共重合体（Ａ）は、酸解離性基を有する他の樹脂と
混合して使用することができる。

【０１０５】［感放射線性酸発生剤（Ｂ）］本発明にお
ける感放射線性酸発生剤（Ｂ）成分は、露光により酸を
発生する成分（以下、「酸発生剤（Ｂ）」という。）で
ある。このような酸発生剤（Ｂ）としては、オニウム
塩、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、
スルホンイミド化合物、ジスルフォニルジアゾメタ
ン化合物、ジスルフォニルメタン化合物等を挙げるこ
とができる。

【０１０６】これらの酸発生剤（Ｂ）の例を以下に示
す。 オニウム塩：オニウム塩としては、例えば、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウ
ム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げること
ができる。

【０１０７】オニウム塩化合物の具体例としては、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ
ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ
オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムドデシルベンゼンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
−ｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムオクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパ
ーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１０８】ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタ
ンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフル
オロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピ
レンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベ
ンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−ト
ルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼン
スルホネート、ジフェニルヨードニウム−１０−カンフ
ァースルホネート、ジフェニルヨードニウムオクタンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウム−２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、

【０１０９】ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムノナフル
オロブタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、
ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンスルホネート、
ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムドデシルベンゼンスル
ホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム−ｐ−トル
エンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム
−１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−トルイル）
ヨードニウムオクタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム−４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トル
イル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、

【０１１０】ジ（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニ
ウムノナフルオロブタンスルホネート、ジ（３,４−ジ
メチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ジ（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ（３,４−ジ
メチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ
（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウムドデシルベ
ンゼンスルホネート、ジ（３,４−ジメチルフェニル）
ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホネート、ジ（３,４
−ジメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジ（３,４−ジメチルフェニル）ヨードニウム−１
０−カンファースルホネート、ジ（３,４−ジメチルフ
ェニル）ヨードニウムオクタンスルホネート、ジ（３,
４−ジメチルフェニル）ヨードニウム−２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３,４−ジメチル
フェニル）ヨードニウム−４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、ジ（３,４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１１１】ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムノナフルオロブタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニ
ル・フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムパー
フルオロオクタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・
フェニルヨードニウムピレンスルホネート、ｐ−ニトロ
フェニル・フェニルヨードニウムドデシルベンゼンスル
ホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
−ｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロ
フェニル・フェニルヨードニウム−１０−カンファース
ルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムオクタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニ
ルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼ
ンスルホネート、

【０１１２】ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロブタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ
（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロオク
タンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニ
ウムピレンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨ
ードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニ
トロフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホネー
ト、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム−
１０−カンファースルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムオクタンスルホネート、ジ（ｍ−ニト
ロフェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨード
ニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【０１１３】メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
ノナフルオロブタンスルホネート、メトキシフェニル・
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、メトキシフェニル・フェニルヨードニウムパーフル
オロオクタンスルホネート、メトキシフェニル・フェニ
ルヨードニウムピレンスルホネート、メトキシフェニル
・フェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネー
ト、メトキシフェニル・フェニルヨードニウム−ｐ−ト
ルエンスルホネート、メトキシフェニル・フェニルヨー
ドニウムベンゼンスルホネート、メトキシフェニル・フ
ェニルヨードニウム−１０−カンファースルホネート、
メトキシフェニル・フェニルヨードニウムオクタンスル
ホネート、メトキシフェニル・フェニルヨードニウム−
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウム−４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、メトキシフェニル・フェ
ニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１１４】ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロブタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニ
ル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ
（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロオク
タンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニ
ウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨ
ードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−ク
ロロフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホネー
ト、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム−
１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニ
ル）ヨードニウムオクタンスルホネート、ジ（ｐ−クロ
ロフェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨード
ニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【０１１５】ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジ（ｐ−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウ
ムピレンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム−
ｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ
（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム−１
０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメ
チルフェニル）ヨードニウムオクタンスルホネート、ジ
（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム−２
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム−４−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、

【０１１６】ジナフチルヨードニウムノナフルオロブタ
ンスルホネート、ジナフチルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ジナフチルヨードニウムパーフル
オロオクタンスルホネート、ジナフチルヨードニウムピ
レンスルホネート、ジナフチルヨードニウムドデシルベ
ンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウム−ｐ−ト
ルエンスルホネート、ジナフチルヨードニウムベンゼン
スルホネート、ジナフチルヨードニウム−１０−カンフ
ァースルホネート、ジナフチルヨードニウムオクタンス
ルホネート、ジナフチルヨードニウム−２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウ
ム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
ナフチルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、

【０１１７】ビフェニレンヨードニウムノナフルオロブ
タンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムパ
ーフルオロオクタンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムピレンスルホネート、ビフェニレンヨードニウム
ドデシルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウム−ｐ−トルエンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウ
ム−１０−カンファースルホネート、ビフェニレンヨー
ドニウムオクタンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムパーフル
オロベンゼンスルホネート、

【０１１８】２−クロロビフェニレンヨードニウムノナ
フルオロブタンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウムパーフルオロオクタンス
ルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
ドデシルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレ
ンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロ
ビフェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−
クロロビフェニレンヨードニウム−１０−カンファース
ルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムオク
タンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウ
ム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２
−クロロビフェニレンヨードニウム−４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１１９】トリフェニルスルホニウムノナフルオロブ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパ
ーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウム−ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウ
ム−１０−カンファースルホネート、トリフェニルスル
ホニウムオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム−４−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナ
フタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、

【０１２０】４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４
−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレン
スルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルス
ルホニウムドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエン
スルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルス
ルホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェ
ニル・ジフェニルスルホニウム−１０−カンファースル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムオクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウム−２−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェ
ニルスルホニウム−４−トリフルオロメタンベンゼンス
ルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１２１】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオ
ロブタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジ
フェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジ
フェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、４
−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベン
ゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェ
ニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムオクタ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１２２】４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロブ
タンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムピレン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネ
ート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム−１０−カンファースルホネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・ジフェニルスルホニウムオクタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム
−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム−４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホネート、パーフルオロ
ベンゼンスルホネート、

【０１２３】トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウ
ムノナフルオロブタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキ
シフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムパー
フルオロオクタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフ
ェニル）スルホニウムピレンスルホネート、トリ（ｐ−
メトキシフェニル）スルホニウム−ｐ−トルエンスルホ
ネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムベ
ンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ス
ルホニウム−１０−カンファースルホネート、トリ（ｐ
−メトキシフェニル）スルホニウムオクタンスルホネー
ト、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム−２−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−
メトキシフェニル）スルホニウム−４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニ
ル）スルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１２４】ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルス
ルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジ（メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−
トルイルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネー
ト、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウ
ムピレンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−
トルイルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、ジ
（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムベン
ゼンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジ
（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムオク
タンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルス
ルホニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１２５】フェニル・テトラメチレンスルホニウムノ
ナフルオロブタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フ
ェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロオク
タンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムピレンスルホネート、フェニル・テトラメチレンス
ルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、フェニル・テ
トラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、フェ
ニル・テトラメチレンスルホニウム−１０−カンファー
スルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム
オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスル
ホニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウム−４−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【０１２６】ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレン
スルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、ｐ−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムパーフルオロオクタンスル
ホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンス
ルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニ
ル・テトラメチレンスルホニウム−ｐ−トルエンスルホ
ネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスル
ホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニ
ル・テトラメチレンスルホニウム−１０−カンファース
ルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレン
スルホニウムオクタンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフ
ェニル・テトラメチレンスルホニウム−２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニ
ル・テトラメチレンスルホニウム−４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、

【０１２７】フェニルビフェニレンスルホニウムノナフ
ルオロブタンスルホネート、フェニルビフェニレンスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニルビ
フェニレンスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネ
ート、フェニルビフェニレンスルホニウムピレンスルホ
ネート、フェニルビフェニレンスルホニウム−ｐ−トル
エンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウム
ベンゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニ
ウム−１０−カンファースルホネート、フェニルビフェ
ニレンスルホニウムオクタンスルホネート、フェニルビ
フェニレンスルホニウム−２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、フェニルビフェニレンスルホニウム
−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェ
ニルビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【０１２８】（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニ
ルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、（４
−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、（４−フェニルチオフ
ェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタ
ンスルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフ
ェニルスルホニウムピレンスルホネート、（４−フェニ
ルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム−ｐ−トル
エンスルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジ
フェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、（４−フ
ェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム−１０
−カンファースルホネート、（４−フェニルチオフェニ
ル）・ジフェニルスルホニウムオクタンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４
−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパ
ーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１２９】４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジノナフルオロブタンスルホネー
ト、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）
スルフィドジトリフルオロメタンスルホネート、４,
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジパーフルオロオクタンスルホネート、４,４’−ビ
ス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジピレ
ンスルホネート、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニ
オフェニル）スルフィドジ−ｐ−トルエンスルホネー
ト、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）
スルフィドジベンゼンスルホネート、４,４’−ビス
（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ１０−
カンファースルホネート、４,４’−ビス（ジフェニル
スルホニオフェニル）スルフィドジオクタンスルホネー
ト、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）
スルフィドジ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネート、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ−４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、等を挙げることができる。

【０１３０】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。

【０１３１】スルホン化合物の具体例としては、フェナ
シルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、
ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナ
シルスルホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。

【０１３２】スルホン酸エステル化合物の具体例として
は、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフ
ルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスノナフ
ルオロブタンスルホネート、ピロガロールメタンスルホ
ン酸トリエステル、ニトロベンジル−９,１０−ジエト
キシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロール
ベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインオク
タンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフル
オロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインド
デシルスルホネート等を挙げることができる。

【０１３３】スルホンイミド化合物：スルホンイミド
化合物としては、例えば、下記式（１５）

【０１３４】

【化１６】 （式（１５）中、Ｒ¹はアルキレン基、アリーレン基、
アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ²はアルキル
基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置
換アリール基等の１価の基を示す。）で表される化合物
を挙げることができる。

【０１３５】スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１３６】Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニ
ルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースル
ホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カ
ンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプ
ト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１
０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシク
ロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１３７】Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）−７−オキ
サビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（オクタンスルホニルオキ
シ）ナフチルイミド、

【０１３８】Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−
５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−ト
ルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタ
ン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１３９】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］
ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.
１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイ
ミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、

【０１４０】Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］
ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.
１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイ
ミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、

【０１４１】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エ
ン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ
ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプ
タン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ
−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナフチル
イミド、

【０１４２】Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）ジフェ
ニルマレイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカ
ルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）
−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−
２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−
オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレ
ンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１４３】Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチル
スルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ノナ
フルオロブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.
１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−
ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−
オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフル
オロブチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１４４】Ｎ−（パーフルオロオクタンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロオクタンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロオ
クタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロオクタンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（パーフルオロオクタンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エ
ン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ
オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプ
タン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ
−（パーフルオロオクタンスルホニルオキシ）ナフチル
イミド、

【０１４５】Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキ
サビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキ
シ）ナフチルイミド等を挙げることができる。

【０１４６】ジスルフォニルジアゾメタン化合物：ジ
スルフォニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下
記式（１６）

【０１４７】

【化１７】 （式（１６）中、Ｒ¹およびＲ²は、互いに同一でも異な
ってもよく、アルキル基、アリール基、ハロゲン置換ア
ルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示
す。）で表される化合物を挙げることができる。

【０１４８】ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビ
ス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トル
エンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２,４−ジメチ
ルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニ
ル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（ｐ−
ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｐ−クロロベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、シク
ロヘキシルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾ
メタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（１,１
−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１,１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（３、３−ジメチル−１、５−ジオキサスピロ［５、
５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１、４−ジオキサスピロ［４、５］デカン−７−スル
ホニル）ジアゾメタン等を挙げることができる。

【０１４９】ジスルフォニルメタン化合物：ジスルフ
ォニルメタン化合物としては、例えば、下記式（１７）

【０１５０】

【化１８】 〔式（１７）中、Ｒ¹およびＲ²は、相互に同一でも異な
ってもよく、１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化
水素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基
またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、Ｖ
およびＷは、相互に同一でも異なってもよく、アリール
基、水素原子、１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭
化水素基またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を
示し、かつＶおよびＷの少なくとも一方がアリール基で
あるか、あるいはＶとＷが相互に連結して少なくとも１
個の不飽和結合を有する単環または多環を形成している
か、あるいはＶとＷが相互に連結して式（１８）で表さ
れる基を形成している。〕

【０１５１】

【化１９】 （但し、式（１８）中、Ｖ’およびＷ’は相互に同一で
も異なってもよく、かつ複数存在するＶ’およびＷ’は
それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基また
はアラルキル基を示すか、あるいは同一もしくは異なる
炭素原子に結合したＶ’とＷ’が相互に連結して炭素単
環構造を形成しており、ｎは２〜１０の整数である。）

【０１５２】前記酸発生剤（Ｂ）は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。本発明におい
て、酸発生剤（Ｂ）の使用量は、（Ａ）共重合体１００
重量部当り、好ましくは０.１〜２０重量部、より好ま
しくは０.５〜１５重量部である。

【０１５３】［酸拡散制御剤］本発明においては、さら
に、露光により酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中
における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくな
い化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合
することが好ましい。

【０１５４】このような酸拡散制御剤を使用することに
より、組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとし
て解像度が向上するとともに、ＰＥＤ（露光からポスト
ベークまでの引き置き時間の変動：Post Exposure De
lay）によるレジストパターンの線幅変化を抑えること
ができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。

【０１５５】酸拡散制御剤としては、レジストパターン
の形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しな
い含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機
化合物としては、例えば、下記式（１９）

【０１５６】

【化２０】 〔式（１９）中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、相互に同一で
も異なってもよく、水素原子、アルキル基、アリール基
またはアラルキル基（アルキル基、アリール基、アラル
キル基等の水素原子が、例えば、ヒドロキシ基など、官
能基で置換されている場合を含む）を示す。〕で表され
る化合物（以下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）、
同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以
下、「含窒素化合物（ＩＩ）」という。）、窒素原子を
３個以上有するジアミノ重合体（以下、「含窒素化合物
（ＩＩＩ）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア
化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。

【０１５７】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン等のトリアルキルアミン類；ア
ニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミ
ン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香
族アミン類等を挙げることができる。

【０１５８】含窒素化合物（ＩＩ）としては、例えば、
エチレンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラメチルエ
チレンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’-テトラキス（２−ヒ
ドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、４,４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４,４’−ジアミノベンゾフェノン、４,４’−
ジアミノジフェニルアミン、２,２’−ビス（４−アミ
ノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−
２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１,４−ビス［１−（４−アミ
ノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１,３−
ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチ
ル］ベンゼン等を挙げることができる。

【０１５９】含窒素化合物（ＩＩＩ）としては、例え
ば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチル
アミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることが
できる。

【０１６０】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセ
トアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。

【０１６１】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１,１−ジメチルウレア、１,３−ジ
メチルウレア、１,１,３,３−テトラメチルウレア、１,
３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げ
ることができる。

【０１６２】前記含窒素複素環化合物としては、例え
ば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイ
ミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、
２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；
ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、
２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニ
ルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−
フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸
アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等
のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジ
ン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モ
ルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１,４
−ジメチルピペラジン、１,４−ジアザビシクロ［２.
２.２］オクタン等を挙げることができる。

【０１６３】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（Ｉ）、含窒素複素環化合物等が好ましい。ま
た、含窒素化合物（Ｉ）の中では、トリアルキルアミン
類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、ピリ
ジン類が特に好ましい。

【０１６４】前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以
上を一緒に使用することができる。

【０１６５】酸拡散制御剤の配合量は、共重合体（Ａ）
１００重量部当り、１５重量部以下、好ましくは０.０
０１〜１０重量部、さらに好ましくは０.００５〜５重
量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重
量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像
性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量
が０.００１重量部未満では、プロセス条件によって
は、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下
するおそれがある。

【０１６６】［他の添加剤］本発明の感放射線性樹脂組
成物には、組成物の塗布性やストリエーション、レジス
トとしての現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を
配合することができる。

【０１６７】このような界面活性剤としては、ポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル、ポリエ
チレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコー
ルジステアレート等を挙げることができ、また市販品と
しては、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，
ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファック
ス Ｆ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）
製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリー
エム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロン
Ｓ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、Ｓ
Ｃ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）
製）、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフロ
ーＮｏ.７５、Ｎｏ.９５（共栄社化学（株）製）等を挙
げることができる。界面活性剤の配合量は、共重合体
（Ａ）１００重量部当り、好ましくは２重量部以下であ
る。

【０１６８】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを
酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加させる
作用を示し、レジストの見掛けの感度を向上させる効果
を有する増感剤を配合することができる。好ましい増感
剤の例としては、ベンゾフェノン類、ローズベンガル
類、アントラセン類等を挙げることができる。増感剤の
配合量は、共重合体（Ａ）１００重量部当り、好ましく
は５０重量部以下である。

【０１６９】また、染料および／または顔料を配合する
ことにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハ
レーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合すること
により、基板との接着性をさらに改善することができ
る。

【０１７０】さらに、他の添加剤として、４−ヒドロキ
シ−４'−メチルカルコン等のハレーション防止剤、形
状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することもでき
る。

【０１７１】［溶剤］本発明の感放射線性樹脂組成物
は、その使用に際して、全固形分の濃度が、例えば0.１
〜５０重量％、好ましくは1〜４０重量％になるよう
に、溶剤に均一に溶解したのち、例えば孔径０.２μｍ
程度のフィルターでろ過することにより、組成物溶液と
して調製される。

【０１７２】前記組成物溶液の調製に使用される溶剤と
しては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエ
ーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチ
ルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアル
キルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテ
ル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル等
のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロ
ピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコ
ールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−
プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチ
ルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテ
ル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテ
ルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチル
エーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアル
キルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、
乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル
類；ぎ酸ｎ−アミル、ぎ酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢
酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、
酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プ
ロピオン酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プ
ロピオン酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル
類；ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチ
ルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪
酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、
３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピ
オン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−
エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセ
テート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、
３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−
メチル−３−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メ
チル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、メチルプロピ
ルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、３−
ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケ
トン類；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；
γ−ブチロラクン等のラクトン類を挙げることができ
る。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を一緒に使
用することができる。

【０１７３】［レジストパターンの形成］本発明の感放
射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際に
は、前述したようにして調製された組成物溶液を、回転
塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によっ
て、例えば、シリコンウェハー、アルミニウムで被覆さ
れたウェハー等の基板上に塗布することにより、レジス
ト被膜を形成し、場合により予め７０℃〜１６０℃程度
の温度で加熱処理（以下、「プレベーク」という。）を
行った後、所定のマスクパターンを介して露光する。そ
の際に使用される放射線として、酸発生剤の種類に応
じ、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）やＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等の
遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の
荷電粒子線を適宜選択し使用する。また、露光量等の露
光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤
の種類等に応じて、適宜選定される。

【０１７４】本発明においては、高精度の微細パターン
を安定して形成するために、露光後に、７０〜１６０℃
の温度で３０秒間以上加熱処理（以下、「露光後ベー
ク」という。）を行なうことが好ましい。この場合、露
光後ベークの温度が７０℃未満では、基板の種類による
感度のばらつきが広がるおそれがある。

【０１７５】その後、アルカリ現像液で１０〜５０℃、
１０〜２００秒間、好ましくは１５〜３０℃、１５〜１
００秒間、特に好ましくは２０〜２５℃、１５〜９０秒
間の条件で現像することにより所定のレジストパターン
を形成させる。

【０１７６】前記アルカリ現像液としては、例えば、ア
ルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−ある
いはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはト
リ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１,８
−ジアザビシクロ−［５.４.０］−７−ウンデセン、
１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−ノネン等
のアルカリ性化合物を、通常、１〜１０重量％、好まし
くは１〜５重量％、特に好ましくは１〜３重量％の濃度
となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。

【０１７７】また、前記アルカリ性水溶液からなる現像
液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機
溶剤や界面活性剤を適宜添加することもできる。なお、
レジストパターンの形成に際しては、環境雰囲気中に含
まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジスト
被膜上に保護膜を設けることもできる。

【０１７８】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら
制約されるものではない。 実施例１〜２０、比較例１〜５ 表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのテフロン
（登録商標）製メンブレンフィルターでろ過して、組成
物溶液を調製した。

【０１７９】次いで、各組成物溶液を、シリコンウエハ
ー上に回転塗布したのち、表２に示す温度と時間にてプ
レベークを行って、膜厚0.4μｍのレジスト被膜を形成
した。このレジスト被膜に、（株）ニコン製ＫｒＦエキ
シマレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２００５ ＥＸ
８Ａ）を用い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）を、マスクパターンを介し露光量を変えて露光し
た。また実施例１７〜２０では、日立製作所（株）製直
描用電子線描画装置HL700(加速電圧３０ＫｅＶ）を加速
電圧５０ＫｅＶに改良した装置を用いて露光を行った。
露光後、表２に示す温度と時間にて露光後ベークを行っ
たのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液を現像液として用い、２３℃で６０秒間
現像したのち、水で３０秒間洗浄し、乾燥して、ポジ型
のレジストパターンを形成させた。各実施例および比較
例の評価結果を、表３に示す。

【０１８０】ここで、各レジストの評価は、下記の要領
で実施した。 ［放射線透過率］組成物溶液を石英ガラス上にスピンコ
ートにより塗布し、９０℃に保持したホットプレート上
で６０秒間プレベークを行って形成した膜厚0.4μｍの
レジスト被膜について、波長２４８ｎｍにおける吸光度
から、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における
透明性の尺度とした。 ［相対エッチング速度］組成物溶液をシリコーンウエハ
ー上にスピンコートにより塗布し、乾燥して形成した膜
厚０．4μｍのレジスト被膜に対して、ＰＭＴ社製ドラ
イエッチング装置（Pinnacle8000) を用い、エッチング
ガスをＣＦ₄ 、Ｃｌ₂ およびＡｒとし、エッチングガス
流量７５ｓｃｃｍ、エッチングガス圧力２．５ｍＴｏｒ
ｒ、出力２，５００Ｗの条件でドライエッチングを行っ
て、エッチング速度を測定し、クレゾールノボラック樹
脂からなる被膜のエッチング速度に対する相対値によ
り、相対エッチング速度を評価した。相対エッチング速
度が小さいほど、ドライエッチング耐性に優れることを
意味する。 ［感度］シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に
露光量を変えて露光したのち、直ちに露光後ベークを行
い、次いでアルカリ現像したのち、水洗し、乾燥して、
レジストパターンを形成したとき、線幅０．２５μｍの
ライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対
１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適
露光量を感度とした。 ［解像度］最適露光量で露光したときに解像されるレジ
ストパターンの最小寸法（μｍ）を解像度とした。 ［パターン形状］シリコンウエハー上に形成した線幅
０．２５μｍの１Ｌ１Ｓの方形状断面の下辺の寸法Ｌa
と上辺の寸法Ｌb とを、走査型電子顕微鏡を用いて測定
して、 ０．８５≦Ｌb ／Ｌa ≦１ を満足し、かつ基板付近にパターンのえぐれやパターン
上層部の庇のないものを、パターン形状が「良」である
とし、これらの条件の少なくとも１つを満たさないもの
を、パターン形状が「不可」であるとした。 ［基板密着性］シリコンウエハー上に形成したレジスト
被膜に０．２５μｍのライン・アンド・スペースのパタ
ーンの最適露光量の１．５倍の露光量で露光した後、直
ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像したの
ち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したと
き、０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン
において、パターン剥がれが見られないものを密着性
「良」とし、パターン剥がれが見られるものを密着性
「不良」とした。

【０１８１】各実施例および比較例で用いた各成分は、
下記のとおりである。 ［共重合体（Ａ）］以下に示す共重合体Ａ−１〜Ａ−１
２において、式（２’）のＲ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸のうち一
つがｔ−ブトキシカルボニル基であり、他のＲｎが水素
原子である単量体を「ＴＢＮＤ」とし、式（２’）のＲ
³、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸のうち２つがｔ−ブトキシカルボニル
基と、フェニル基であり、他のＲｎが水素原子である単
量体を「ＴＢＰＮＤ」とし、式（２’）のＲ³、Ｒ⁵、Ｒ
⁶、Ｒ⁸のうち２つがヒドロキシフェニルカルボニル基
と、フェニル基であり、他のＲｎが水素原子である単量
体を「ＨＰＰＮＤ」とする。

【０１８２】Ａ-1：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＮＤ
共重合体（共重合モル比＝６７／３３、Ｍｗ＝９，２０
０） Ａ-2：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＮＤ／スチレン共
重合体（共重合モル比＝６７／２３／１０、Ｍｗ＝８，
２００） Ａ-3：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＮＤ／ｔ−ブチル
アクリレート共重合体（共重合モル比＝６７／２３／１
０、Ｍｗ＝８，２００） Ａ-4：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＮＤ／４−ｔ−ブ
トキシスチレン共重合体（共重合モル比＝６５／２５／
１０、Ｍｗ＝８，２００） Ａ-5：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＰＮＤ共重合体
（共重合モル比＝６７／３３、Ｍｗ＝９，８００） Ａ-6：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＰＮＤ／スチレン
共重合体（共重合モル比＝６５／２５／１０、Ｍｗ＝２
０，０００） Ａ-7：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＰＮＤ／ｔ−ブチ
ルアクリレート共重合体（共重合モル比＝６５／２５／
１０、Ｍｗ＝１３，０００） Ａ-8：４−ヒドロキシスチレン／ＴＢＰＮＤ／４−ｔ−
ブトキシスチレン共重合体（共重合モル比＝６５／２５
／１０、Ｍｗ＝１０，０００） Ａ-9：４−ヒドロキシスチレン／ＨＰＰＮＤ／ｔ−ブチ
ルアクリレート共重合体（共重合モル比＝６５／２５／
１０、Ｍｗ＝９，０００） Ａ-10：４−ヒドロキシスチレン／ＨＰＰＮＤ／４−ｔ
−ブトキシスチレン共重合体（共重合モル比＝６５／２
５／１０、Ｍｗ＝１２，０００） Ａ-11：４−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレ
ート共重合体（共重合モル比＝６７／３３，Ｍｗ＝１
５，０００） Ａ-12：ＴＢＮＤ重合体（共重合モル比＝１００、Ｍｗ
＝１２，０００）

【０１８３】［共重合体Ａ−１〜Ａ−１２の合成および
スペクトルデータ］ 〈合成例１〉ｐ−ヒドロキシスチレン５６ｇ、TBND４４
ｇを、ジオキサン３００ミリリットルに溶解した後、窒
素ガスにより３０分間バブリングを行った。この溶液に
アゾビスイソブチロニトリル６．５ｇを添加し、これを
窒素雰囲気下において６０℃で１６時間加熱することに
より、p−ヒドロキシスチレン、TBNDの共重合を行っ
た。得られた反応溶液を大量の水中に滴下することによ
り、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過した後、減
圧下において５０℃で一晩加熱することにより、乾燥し
た。

【０１８４】この樹脂は、Ｍｗが９，２００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重合
体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６７モル％、
TBNDが３３モル％であった（理論値：C77.95%,H7.24%
分析値：C78.32%, H7.85%）。この樹脂を共重合体（Ａ
−1）とする。

【０１８５】〈合成例２〉ｐ−ヒドロキシスチレン60
ｇ、TBND32ｇ、スチレン８ｇを、ジオキサン３００ミリ
リットルに溶解した後、窒素ガスにより３０分間バブリ
ングを行った。この溶液にアゾビスイソブチロニトリル
６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下において６０℃
で１６時間加熱することにより、p−ヒドロキシスチレ
ン、TBND、スチレンの共重合を行った。得られた反応溶
液を大量の水中に滴下することにより、生成した共重合
体樹脂を凝固させ、ろ過した後、減圧下において５０℃
で一晩加熱することにより、乾燥した。

【０１８６】この樹脂は、Ｍｗが８，２００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重合
体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６７モル％、
TBNDが２３モル％、スチレンが１０モル％であった（理
論値：C79.42%,H7.18% 分析値：C79.32%, H7.45%）。こ
の樹脂を共重合体（Ａ−２）とする。なお、この樹脂の
ＩＲチャートを図１に、¹Ｈ−ＮＭＲチャートを図２に
示す。

【０１８７】〈合成例３〉ｐ−ヒドロキシスチレン５９
ｇ、TBND３2ｇ、ｔ−ブチルアクリレート9ｇを、ジオキ
サン３００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより
３０分間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソ
ブチロニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下
において６０℃で１６時間加熱することにより、p−ヒ
ドロキシスチレン、TBND、ｔ−ブチルアクリレートの共
重合を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下す
ることにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過
した後、減圧下において５０℃で一晩加熱することによ
り、乾燥した。

【０１８８】この樹脂は、Ｍｗが８，２００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重合
体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６７モル％、
TBNDが２３モル％、ｔ−ブチルアクリレートが１０モル
％であった（理論値：C77.15%,H7.35% 分析値：C77.32
%, H7.45%）。この樹脂を共重合体（Ａ−3）とする。

【０１８９】〈合成例４〉ｐ−ヒドロキシスチレン54
ｇ、TBND33ｇ、p-t-ブトキシスチレン12ｇを、ジオキサ
ン３００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより３
０分間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソブ
チロニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下に
おいて６０℃で１６時間加熱することにより、p−ヒド
ロキシスチレン、TBND、p-t-ブトキシスチレンの共重合
を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下するこ
とにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過した
後、減圧下において５０℃で一晩加熱することにより、
乾燥した。

【０１９０】この樹脂は、Ｍｗが８，２００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重合
体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６５モル％、
TBNDが２５モル％、p-t-ブトキシスチレンが１０モル％
であった（理論値：C78.66%,H7.41% 分析値：C78.32%,
H7.80%）。この樹脂を共重合体（Ａ−4）とする。

【０１９１】〈合成例５〉ｐ−ヒドロキシスチレン48
ｇ、TBPND52ｇを、ジオキサン３００ミリリットルに溶
解した後、窒素ガスにより３０分間バブリングを行っ
た。この溶液にアゾビスイソブチロニトリル６．５ｇを
添加し、これを窒素雰囲気下において６０℃で１６時間
加熱することにより、p−ヒドロキシスチレン、TBPNDの
共重合を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下
することにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ
過した後、減圧下において５０℃で一晩加熱することに
より、乾燥した。

【０１９２】この樹脂は、Ｍｗが９，８００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎが２．０であった。元素分析の結果この共重合
体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６７モル％、
TBPNDが３３モル％であった（理論値：C80.44%,H6.95%
分析値：C80.78%, H7.42%）。この樹脂を共重合体（Ａ
−5）とする。

【０１９３】〈合成例６〉４−アセトキシスチレン58
ｇ、ＴＢＰＮＤ33ｇ、スチレン9ｇ、アゾビスイソブチ
ロニトリル６ｇ、ｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｇに溶解
し、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して、１６
時間重合させた。重合後、反応溶液を大量のヘキサン中
に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、精製樹
脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１
５０ｇを加えたのち、メタノール３００ｇ、トリエチル
アミン８０ｇ、水１５ｇを加えて、沸点にて還流させつ
つ、８時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒および
トリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセト
ンに溶解したのち、大量の水中に滴下して凝固させ、生
成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥し
た。

【０１９４】この樹脂は、Ｍｗが２０，０００であり、
Ｍｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重
合体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６５モル
％、TBPNDが２５モル％、スチレンが１０モル％であっ
た（理論値：C80.52%,H7.16% 分析値：C80.80%, H7.08
%）。この樹脂を共重合体（Ａ−6）とする。

【０１９５】〈合成例７〉４−アセトキシスチレン５９
ｇ、ＴＢＰＮＤ３４ｇ、t-ブチルアクリレート７ｇ、ア
ゾビスイソブチロニトリル６ｇ、ｔ−ドデシルメルカプ
タン１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル
１００ｇに溶解し、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に
保持して、１６時間重合させた。重合後、反応溶液を大
量のヘキサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。
次いで、精製樹脂に、再度プロピレングリコールモノメ
チルエーテル１５０ｇを加えたのち、メタノール３００
ｇ、トリエチルアミン８０ｇ、水１５ｇを加えて、沸点
にて還流させつつ、８時間加水分解反応を行った。反応
後、溶媒およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られ
た樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下し
て凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０
℃で一晩乾燥した。

【０１９６】この樹脂は、Ｍｗが１３，０００であり、
Ｍｗ／Ｍｎが１．７であった。元素分析の結果この共重
合体のモノマー組成比はヒドロキシスチレン６５モル
％、TBPNDが２５モル％、t-ブチルアクリレートが１０
モル％であった（理論値：C79.14%,H7.12% 分析値：C7
8.98%, H7.28%）。この樹脂を共重合体（Ａ−7）とす
る。

【０１９７】〈合成例８〉ｐ−ヒドロキシスチレン48
ｇ、TBPND41ｇ、4-t-ブトキシスチレン11gを、ジオキサ
ン３００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより３
０分間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソブ
チロニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下に
おいて６０℃で１６時間加熱することにより、p−ヒド
ロキシスチレン、TBPND、4-t-ブトキシスチレン11gの共
重合を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下す
ることにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過
した後、減圧下において５０℃で一晩加熱することによ
り、乾燥した。

【０１９８】この樹脂は、Ｍｗが1０，000であり、Ｍｗ
／Ｍｎが１．6であった。元素分析の結果この共重合体
のモノマー組成比はヒドロキシスチレン65モル％、TBPN
Dが25モル％、4-t-ブトキシスチレン10モル％であった
（理論値：C80.54%,H7.16% 分析値：C81.22%, H7.05
%）。この樹脂を共重合体（Ａ−8）とする。

【０１９９】〈合成例９〉ｐ−ヒドロキシスチレン4８
ｇ、HPPND4４ｇ、t-ブチルアクリレート８gを、ジオキ
サン３００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより
３０分間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソ
ブチロニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下
において６０℃で１６時間加熱することにより、p−ヒ
ドロキシスチレン、HPPND、t-ブチルアクリレートの共
重合を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下す
ることにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過
した後、減圧下において５０℃で一晩加熱することによ
り、乾燥した。

【０２００】この樹脂は、Ｍｗが９，000であり、Ｍｗ
／Ｍｎが１．５であった。元素分析の結果この共重合体
のモノマー組成比はヒドロキシスチレン65モル％、HPPN
Dが25モル％、t-ブチルアクリレート10モル％であった
（理論値：C80.32%,H6.43% 分析値：C80.22%, H6.85
%）。この樹脂を共重合体（Ａ−９）とする。

【０２０１】〈合成例10〉ｐ−ヒドロキシスチレン47
ｇ、HPPND43ｇ、4-t-ブトキシスチレン10gを、ジオキサ
ン３００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより３
０分間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソブ
チロニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下に
おいて６０℃で１６時間加熱することにより、p−ヒド
ロキシスチレン、HPPND,4-t-ブトキシスチレン11gの共
重合を行った。得られた反応溶液を大量の水中に滴下す
ることにより、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過
した後、減圧下において５０℃で一晩加熱することによ
り、乾燥した。

【０２０２】この樹脂は、Ｍｗが12，000であり、Ｍｗ
／Ｍｎが１．9であった。元素分析の結果この共重合体
のモノマー組成比はヒドロキシスチレン65モル％、HPPN
Dが25モル％、4-t-ブトキシスチレン10モル％であった
（理論値：C81.59%,H6.49% 分析値：C81.65%, H6.69
%）。この樹脂を共重合体（Ａ−10）とする。

【０２０３】〈合成例11〉ｐ−ヒドロキシスチレン66
ｇ、t-ブチルアクリレート34gを、ジオキサン３００ミ
リリットルに溶解した後、窒素ガスにより３０分間バブ
リングを行った。この溶液にアゾビスイソブチロニトリ
ル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下において６０
℃で１６時間加熱することにより、p−ヒドロキシスチ
レン、t-ブチルアクリレートの共重合を行った。得られ
た反応溶液を大量の水中に滴下することにより、生成し
た共重合体樹脂を凝固させ、ろ過した後、減圧下におい
て５０℃で一晩加熱することにより、乾燥した。この樹
脂は、Ｍｗが15，000であり、Ｍｗ／Ｍｎが2．５であっ
た。元素分析の結果この共重合体のモノマー組成比はヒ
ドロキシスチレン67モル％、t-ブチルアクリレート33モ
ル％であった（理論値：C75.02%,H7.65% 分析値：C75.3
2%, H7.77%）。この樹脂を共重合体（Ａ−11）とする。

【０２０４】〈合成例12〉TBND100ｇを、ジオキサン３
００ミリリットルに溶解した後、窒素ガスにより３０分
間バブリングを行った。この溶液にアゾビスイソブチロ
ニトリル６．５ｇを添加し、これを窒素雰囲気下におい
て６０℃で１６時間加熱することにより、重合を行っ
た。得られた反応溶液を大量の水中に滴下することによ
り、生成した共重合体樹脂を凝固させ、ろ過した後、減
圧下において５０℃で一晩加熱することにより、乾燥し
た。

【０２０５】この樹脂は、Ｍｗが12，000であり、Ｍｗ
／Ｍｎが１．9であった。元素分析の結果この共重合体
のモノマー組成比はTBND100モル％であった（理論値：C
75.36%,H7.91% 分析値：C75.64%, H7.69%）。この樹脂
を共重合体（Ａ−12）とする。

【０２０６】［酸発生剤（Ｂ）］ Ｂ-1：ビス（４−t −ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート Ｂ-2：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカ
ルボキシイミド Ｂ-3：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Ｂ-4：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン Ｂ-5:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート Ｂ-6：Ｎ−（１０−カンファースルフォニルオキシ）ス
クシンイミド ［酸拡散制御剤］ Ｃ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｃ-2：トリエタノールアミン Ｃ-3：Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（２−ヒドロキシプ
ロピル）エチレンジアミン Ｃ-4：２−フェニルベンズイミダゾール ［溶剤］ Ｄ-1：乳酸エチル Ｄ-2：３−エトキシプロピオン酸エチル Ｄ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｄ-4：メチルアミルケトン

【０２０７】

【表１】

【０２０８】

【表２】

【０２０９】

【表３】

【０２１０】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、各種
の放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザーに代表される
遠紫外線に対して透過性が高く、感度、解像度、基板密
着性およびドライエッチング耐性に優れている。したが
って、本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に、今後ま
すます微細化が進行すると予想される半導体デバイス製
造用のレジストとして極めて有用である。また、本発明
の共重合体は感放射線性樹脂組成物の成分として有用で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例２で得られた共重合体のＩＲチャートで
ある。

【図２】合成例２で得られた共重合体の¹Ｈ−ＮＭＲチ
ャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA09 AA14 AB16 AC04 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 BJ10 CB08 CB17 CB41 4J002 BC121 BK001 EB106 EN026 EN036 EN066 EN076 EP016 ET016 EU046 EU116 EV076 EV216 EV226 EV246 EV296 FD206 GP03 4J100 AB07P AR21Q BA03P BA04Q BA05Q BA06Q BA12Q BA15Q BA20Q BA71Q BC43Q BC53Q CA04 DA01 DA28 DA61 FA03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つの酸分解性基を有してい
   て、下記式（１）で表される繰返し単位および下記式
   （２）で表される繰返し単位を有することを特徴とする
   共重合体。 【化１】 〔式（１）において、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基を
   示し、Ｒ² は水素原子、メチル基、もしくはヒドロキシ
   ル基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。式（２）におい
   て、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は
   相互に独立に水素原子または一価の有機基を示す。〕
2. 【請求項２】 少なくとも１つの酸分解性基を式（２）
   で表される繰返し単位中に有することを特徴とする請求
   項１記載の共重合体。
3. 【請求項３】 さらに、式（１）で表わされる繰返し単
   位および式（２）で表わされる繰返し単位とは異なる重
   合性不飽和結合を有する化合物に由来する繰返し単位を
   有することを特徴とする請求項１記載の共重合体。
4. 【請求項４】 少なくとも１つの酸分解性基を、前記の
   重合性不飽和結合を有する化合物に由来する繰返し単位
   中に有することを特徴とする請求項３記載の共重合体。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項記載の共重
   合体（Ａ）および感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有する
   ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。