JP2002158316A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性に優れ、電磁波障害（ＥＭＩ）が発生
しにくい半導体装置を、少ない工数で製造する。 【解決手段】 まず、ヒートシンク７Ａを、半導体チッ
プ４の背面に載置された放熱用シート６に密着させ、半
導体チップ４の周囲を取り囲み、かつ外周部の底面を基
板１のグラウンドパターン３に密着させて、基板１の主
面に載置する。次に、ノズル１４を下降させて先端を注
入口９Ａに挿入する。次に、ノズル１４によりキャビテ
ィ１３に粘性樹脂１５を注入する。次に、加熱して粘性
樹脂１５を硬化させて硬化樹脂８を形成する。したがっ
て、樹脂封止とヒートシンク７Ａの取付とを一連の工程
で行うことにより、半導体チップ４で発生した熱が速や
かにヒートシンク７Ａに伝導し、かつ、ヒートシンク７
Ａのシールド効果により電磁波障害が発生しにくい半導
体装置を、少ない工数で製造することができる。
しにくい半導体装置を、少ない工数で製造する。 【解決手段】 まず、ヒートシンク７Ａを、半導体チッ
プ４の背面に載置された放熱用シート６に密着させ、半
導体チップ４の周囲を取り囲み、かつ外周部の底面を基
板１のグラウンドパターン３に密着させて、基板１の主
面に載置する。次に、ノズル１４を下降させて先端を注
入口９Ａに挿入する。次に、ノズル１４によりキャビテ
ィ１３に粘性樹脂１５を注入する。次に、加熱して粘性
樹脂１５を硬化させて硬化樹脂８を形成する。したがっ
て、樹脂封止とヒートシンク７Ａの取付とを一連の工程
で行うことにより、半導体チップ４で発生した熱が速や
かにヒートシンク７Ａに伝導し、かつ、ヒートシンク７
Ａのシールド効果により電磁波障害が発生しにくい半導
体装置を、少ない工数で製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップボ
ンディングにより半導体チップを基板上に樹脂封止して
なる半導体装置であって、樹脂封止と同時にヒートシン
クが取り付けられてなる半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
ンディングにより半導体チップを基板上に樹脂封止して
なる半導体装置であって、樹脂封止と同時にヒートシン
クが取り付けられてなる半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップを基板上に樹脂封止
して製造される半導体装置（パッケージ）を使用する際
には、必要に応じて、放熱性を向上させる目的でヒート
シンクが使用されている。特に、近年高速化が著しいＣ
ＰＵパッケージの場合にはヒートシンクの使用は必須で
あり、次のようにしてパッケージにヒートシンクを取り
付けている。まず、プリント基板上に設けられたソケッ
トにパッケージを装着する。次に、パッケージ背面にシ
リコーングリースを塗布し、又は放熱用シートを載置す
る。次に、パッケージ背面にヒートシンクを載置し、更
にパッケージ背面にヒートシンクを押さえつけて、シリ
コーングリースや放熱用シートと、パッケージ背面及び
ヒートシンクとを充分になじませる。次に、例えばビス
を使用してプリント基板にヒートシンクを固定し、又は
クリップ状の金具を使用してソケットにヒートシンクを
固定する。すなわち、パッケージをプリント基板に実装
した後に、別部材であるヒートシンクを取り付けてい
る。
して製造される半導体装置（パッケージ）を使用する際
には、必要に応じて、放熱性を向上させる目的でヒート
シンクが使用されている。特に、近年高速化が著しいＣ
ＰＵパッケージの場合にはヒートシンクの使用は必須で
あり、次のようにしてパッケージにヒートシンクを取り
付けている。まず、プリント基板上に設けられたソケッ
トにパッケージを装着する。次に、パッケージ背面にシ
リコーングリースを塗布し、又は放熱用シートを載置す
る。次に、パッケージ背面にヒートシンクを載置し、更
にパッケージ背面にヒートシンクを押さえつけて、シリ
コーングリースや放熱用シートと、パッケージ背面及び
ヒートシンクとを充分になじませる。次に、例えばビス
を使用してプリント基板にヒートシンクを固定し、又は
クリップ状の金具を使用してソケットにヒートシンクを
固定する。すなわち、パッケージをプリント基板に実装
した後に、別部材であるヒートシンクを取り付けてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のパッケージにヒートシンクを取り付ける場合には、
次のような問題があった。第１に、半導体チップが発生
した熱は、パッケージを構成する封止樹脂と、シリコー
ングリース等とを順次介して、ヒートシンクに伝導す
る。したがって、封止樹脂の部分を熱が伝導する分だけ
熱伝導に時間がかかるので、放熱性の向上に限界があ
る。第２に、パッケージ背面にシリコーングリースを塗
布し、又は放熱用シートを載置するという作業と、パッ
ケージ背面にヒートシンクを載置して押さえつけるとい
う作業とが必要であり、その工数が必要になる。第３
に、エンドユーザーがヒートシンクの取付を行うことも
あり、エンドユーザーが不慣れな作業を強いられること
になる。このことから、シリコーングリースや放熱用シ
ートと、パッケージ背面及びヒートシンクとが充分なじ
んでいない場合がある。そして、最悪の場合には、パッ
ケージ背面とヒートシンクとの間で、シリコーングリー
スにおける気泡や放熱用シートのしわが発生するおそれ
がある。したがって、放熱性の向上が不充分になるので
ＣＰＵの性能を発揮できず、誤動作が発生することさえ
ある。
来のパッケージにヒートシンクを取り付ける場合には、
次のような問題があった。第１に、半導体チップが発生
した熱は、パッケージを構成する封止樹脂と、シリコー
ングリース等とを順次介して、ヒートシンクに伝導す
る。したがって、封止樹脂の部分を熱が伝導する分だけ
熱伝導に時間がかかるので、放熱性の向上に限界があ
る。第２に、パッケージ背面にシリコーングリースを塗
布し、又は放熱用シートを載置するという作業と、パッ
ケージ背面にヒートシンクを載置して押さえつけるとい
う作業とが必要であり、その工数が必要になる。第３
に、エンドユーザーがヒートシンクの取付を行うことも
あり、エンドユーザーが不慣れな作業を強いられること
になる。このことから、シリコーングリースや放熱用シ
ートと、パッケージ背面及びヒートシンクとが充分なじ
んでいない場合がある。そして、最悪の場合には、パッ
ケージ背面とヒートシンクとの間で、シリコーングリー
スにおける気泡や放熱用シートのしわが発生するおそれ
がある。したがって、放熱性の向上が不充分になるので
ＣＰＵの性能を発揮できず、誤動作が発生することさえ
ある。
【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、樹脂封止と同時にヒートシンクが取
り付けられ放熱性に優れた半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
されたものであり、樹脂封止と同時にヒートシンクが取
り付けられ放熱性に優れた半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するために、本発明に係る半導体装置は、フリップチッ
プボンディングにより基板の主面に搭載された半導体チ
ップを樹脂封止してなる半導体装置であって、基板の主
面において、半導体チップを覆うとともに該半導体チッ
プの背面に接するように載置されたヒートシンクと、ヒ
ートシンクと基板との間の空間に充填された硬化樹脂と
を備えるとともに、ヒートシンクの一部が基板の主面に
接していることを特徴とする。
するために、本発明に係る半導体装置は、フリップチッ
プボンディングにより基板の主面に搭載された半導体チ
ップを樹脂封止してなる半導体装置であって、基板の主
面において、半導体チップを覆うとともに該半導体チッ
プの背面に接するように載置されたヒートシンクと、ヒ
ートシンクと基板との間の空間に充填された硬化樹脂と
を備えるとともに、ヒートシンクの一部が基板の主面に
接していることを特徴とする。
【０００６】これによれば、ヒートシンクが半導体チッ
プの背面に接する状態で、ヒートシンクが硬化樹脂によ
って基板に固定される。したがって、半導体チップで発
生した熱が速やかにヒートシンクに伝導するので、放熱
性に優れた半導体装置が得られる。また、樹脂封止用の
硬化樹脂によりヒートシンクの取付がなされるので、半
導体装置の製造工数が削減される。
プの背面に接する状態で、ヒートシンクが硬化樹脂によ
って基板に固定される。したがって、半導体チップで発
生した熱が速やかにヒートシンクに伝導するので、放熱
性に優れた半導体装置が得られる。また、樹脂封止用の
硬化樹脂によりヒートシンクの取付がなされるので、半
導体装置の製造工数が削減される。
【０００７】また、本発明に係る半導体装置は、上述の
半導体装置において、ヒートシンクは良熱伝導性部材を
介して半導体チップの背面に接することを特徴とする。
半導体装置において、ヒートシンクは良熱伝導性部材を
介して半導体チップの背面に接することを特徴とする。
【０００８】これによれば、半導体チップで発生した熱
が、良熱伝導性部材を経由して確実かつ速やかにヒート
シンクに伝導するので、放熱性に優れた半導体装置が得
られる。
が、良熱伝導性部材を経由して確実かつ速やかにヒート
シンクに伝導するので、放熱性に優れた半導体装置が得
られる。
【０００９】また、本発明に係る半導体装置は、上述の
半導体装置において、ヒートシンクは導電性材料からな
り、基板の主面においてヒートシンクの一部が接する部
分にはグラウンドパターンが設けられているとともに、
ヒートシンクの電位がグラウンド電位に等しくなってい
ることを特徴とする。
半導体装置において、ヒートシンクは導電性材料からな
り、基板の主面においてヒートシンクの一部が接する部
分にはグラウンドパターンが設けられているとともに、
ヒートシンクの電位がグラウンド電位に等しくなってい
ることを特徴とする。
【００１０】これによれば、半導体チップを覆うように
設けられたヒートシンクの電位がグラウンド電位に等し
いので、シールド効果によって電磁波障害（電磁界干
渉；ＥＭＩ）の発生を抑制することができる。
設けられたヒートシンクの電位がグラウンド電位に等し
いので、シールド効果によって電磁波障害（電磁界干
渉；ＥＭＩ）の発生を抑制することができる。
【００１１】また、本発明に係る半導体装置は、上述の
半導体装置において、基板の主面においてヒートシンク
の一部が接する部分は、半導体チップを取り囲んでいる
ことを特徴とする。
半導体装置において、基板の主面においてヒートシンク
の一部が接する部分は、半導体チップを取り囲んでいる
ことを特徴とする。
【００１２】これによれば、半導体チップの上方と周囲
とを完全に覆うように設けられたヒートシンクの電位が
グラウンド電位に等しいので、シールド効果によって電
磁波障害の発生を更に抑制することができる。
とを完全に覆うように設けられたヒートシンクの電位が
グラウンド電位に等しいので、シールド効果によって電
磁波障害の発生を更に抑制することができる。
【００１３】上述の技術的課題を解決するために、本発
明に係る半導体装置の製造方法は、フリップチップボン
ディングにより基板の主面に搭載された半導体チップを
樹脂封止して半導体装置を製造する方法であって、半導
体チップを覆うとともに、該半導体チップの背面と基板
の主面とにそれぞれ接するようにしてヒートシンクを載
置する工程と、ヒートシンクに設けられた開口を経由し
て該ヒートシンクと基板との間の空間に粘性樹脂を注入
する工程と、粘性樹脂を硬化させる工程とを備えたこと
を特徴とする。
明に係る半導体装置の製造方法は、フリップチップボン
ディングにより基板の主面に搭載された半導体チップを
樹脂封止して半導体装置を製造する方法であって、半導
体チップを覆うとともに、該半導体チップの背面と基板
の主面とにそれぞれ接するようにしてヒートシンクを載
置する工程と、ヒートシンクに設けられた開口を経由し
て該ヒートシンクと基板との間の空間に粘性樹脂を注入
する工程と、粘性樹脂を硬化させる工程とを備えたこと
を特徴とする。
【００１４】これによれば、半導体チップの背面にヒー
トシンクを接触させ、ヒートシンクと基板との間の空間
に粘性樹脂を注入して硬化させる。したがって、半導体
チップで発生した熱が速やかにヒートシンクに伝導する
構造を有する、放熱性に優れた半導体装置を製造するこ
とができる。また、樹脂封止用の硬化樹脂によりヒート
シンクを取り付けるので、半導体装置の製造工数を削減
することができる。
トシンクを接触させ、ヒートシンクと基板との間の空間
に粘性樹脂を注入して硬化させる。したがって、半導体
チップで発生した熱が速やかにヒートシンクに伝導する
構造を有する、放熱性に優れた半導体装置を製造するこ
とができる。また、樹脂封止用の硬化樹脂によりヒート
シンクを取り付けるので、半導体装置の製造工数を削減
することができる。
【００１５】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上述の半導体装置の製造方法において、注入する工
程では、金型を使用したトランスファモールドにより粘
性樹脂を注入することを特徴とする。
は、上述の半導体装置の製造方法において、注入する工
程では、金型を使用したトランスファモールドにより粘
性樹脂を注入することを特徴とする。
【００１６】これによれば、トランスファモールドによ
り粘性樹脂を押圧して、ヒートシンクと基板との間の空
間に粘性樹脂を注入して硬化させる。したがって、低粘
度樹脂を使用することなく、放熱性に優れた半導体装置
を製造することができる。
り粘性樹脂を押圧して、ヒートシンクと基板との間の空
間に粘性樹脂を注入して硬化させる。したがって、低粘
度樹脂を使用することなく、放熱性に優れた半導体装置
を製造することができる。
【００１７】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上述の半導体装置の製造方法において、載置する工
程では、基板のグラウンドパターンとヒートシンクの一
部とを接触させて該ヒートシンクの電位をグラウンド電
位に等しくすることを特徴とする。
は、上述の半導体装置の製造方法において、載置する工
程では、基板のグラウンドパターンとヒートシンクの一
部とを接触させて該ヒートシンクの電位をグラウンド電
位に等しくすることを特徴とする。
【００１８】これによれば、半導体チップを覆って設け
たヒートシンクの電位をグラウンド電位に等しくする。
したがって、放熱性に優れるとともに、シールド効果に
より電磁波障害が発生しにくい半導体装置を製造するこ
とができる。
たヒートシンクの電位をグラウンド電位に等しくする。
したがって、放熱性に優れるとともに、シールド効果に
より電磁波障害が発生しにくい半導体装置を製造するこ
とができる。
【００１９】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上述の半導体装置の製造方法において、半導体チッ
プの背面又はヒートシンクにおいて背面に対向する面の
少なくともいずれか一方に、良熱伝導性部材を載置する
工程を備えたことを特徴とする。
は、上述の半導体装置の製造方法において、半導体チッ
プの背面又はヒートシンクにおいて背面に対向する面の
少なくともいずれか一方に、良熱伝導性部材を載置する
工程を備えたことを特徴とする。
【００２０】これによれば、半導体チップで発生した熱
を、良熱伝導性部材を経由して確実かつ速やかにヒート
シンクに伝導させるので、放熱性に優れた半導体装置を
製造することができる。
を、良熱伝導性部材を経由して確実かつ速やかにヒート
シンクに伝導させるので、放熱性に優れた半導体装置を
製造することができる。
【００２１】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上述の半導体装置の製造方法において、ヒートシン
クの一部又は基板のグラウンドパターンの少なくともい
ずれか一方に導電性物質を載置する工程を備えたことを
特徴とする。
は、上述の半導体装置の製造方法において、ヒートシン
クの一部又は基板のグラウンドパターンの少なくともい
ずれか一方に導電性物質を載置する工程を備えたことを
特徴とする。
【００２２】これによれば、導電性物質が、ヒートシン
クと基板との間の空間から粘性樹脂が漏出することを防
ぐ。したがって、放熱性に優れるとともに、樹脂バリが
発生しない半導体装置を製造することができる。
クと基板との間の空間から粘性樹脂が漏出することを防
ぐ。したがって、放熱性に優れるとともに、樹脂バリが
発生しない半導体装置を製造することができる。
【００２３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上述の半導体装置の製造方法において、注入する工
程では、ヒートシンクに設けられた別の開口を経由して
該ヒートシンクと基板との間の空間を吸引することを特
徴とする。
は、上述の半導体装置の製造方法において、注入する工
程では、ヒートシンクに設けられた別の開口を経由して
該ヒートシンクと基板との間の空間を吸引することを特
徴とする。
【００２４】これによれば、半導体チップと基板との間
の空間に粘性樹脂を確実に充填するとともに、ヒートシ
ンクと基板との間の空間に粘性樹脂を短時間に充填し
て、放熱性に優れた半導体装置を製造することができ
る。
の空間に粘性樹脂を確実に充填するとともに、ヒートシ
ンクと基板との間の空間に粘性樹脂を短時間に充填し
て、放熱性に優れた半導体装置を製造することができ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態を、図１及び図２を参照して説明する。図１
は、本発明に係る半導体装置を示す断面図である。図１
において、プリント基板等からなる基板１の主面には、
後述する半導体チップに対して各信号を授受するパッド
２と、グラウンドパターン３とが、設けられている。ま
た、主面１の反対面には、半導体装置と外部との間で各
信号を授受する外部端子（図示なし）が、設けられてい
る。半導体チップ４は、ＣＰＵ等の半導体素子からな
り、フリップチップボンディングにより、各端子（図示
なし）がバンプ５を介してパッド２に電気的に接続され
ている。半導体チップ４の背面には、シリコーン樹脂等
からなる放熱用シート６が載置されている。ヒートシン
ク７Ａは、例えばアルミニウム等の導電性材料からな
り、ダイキャストによって製造され、片側に凹部を有す
るとともに、半導体チップ４の上方を覆い周囲を完全に
取り囲むようにして基板１の主面に載置されている。ま
た、ヒートシンク７Ａは、外周部の底面がグラウンドパ
ターン３に密着するとともに、凹部の底面が放熱用シー
ト６を介して半導体チップ４の背面に密着している。硬
化樹脂８は、エポキシ樹脂等からなり、半導体チップ４
を覆うように、ヒートシンク７Ａと基板１の主面との間
に充填された封止樹脂である。注入口９Ａは、ヒートシ
ンク７Ａに設けられ、硬化樹脂の原材料である粘性樹脂
を注入するための開口である。エアベント１０は、ヒー
トシンク７Ａに設けられた別の開口であって、粘性樹脂
が注入される際に、ヒートシンク７Ａと基板１の主面と
の間に存在するガスを排出するために使用される。
の実施形態を、図１及び図２を参照して説明する。図１
は、本発明に係る半導体装置を示す断面図である。図１
において、プリント基板等からなる基板１の主面には、
後述する半導体チップに対して各信号を授受するパッド
２と、グラウンドパターン３とが、設けられている。ま
た、主面１の反対面には、半導体装置と外部との間で各
信号を授受する外部端子（図示なし）が、設けられてい
る。半導体チップ４は、ＣＰＵ等の半導体素子からな
り、フリップチップボンディングにより、各端子（図示
なし）がバンプ５を介してパッド２に電気的に接続され
ている。半導体チップ４の背面には、シリコーン樹脂等
からなる放熱用シート６が載置されている。ヒートシン
ク７Ａは、例えばアルミニウム等の導電性材料からな
り、ダイキャストによって製造され、片側に凹部を有す
るとともに、半導体チップ４の上方を覆い周囲を完全に
取り囲むようにして基板１の主面に載置されている。ま
た、ヒートシンク７Ａは、外周部の底面がグラウンドパ
ターン３に密着するとともに、凹部の底面が放熱用シー
ト６を介して半導体チップ４の背面に密着している。硬
化樹脂８は、エポキシ樹脂等からなり、半導体チップ４
を覆うように、ヒートシンク７Ａと基板１の主面との間
に充填された封止樹脂である。注入口９Ａは、ヒートシ
ンク７Ａに設けられ、硬化樹脂の原材料である粘性樹脂
を注入するための開口である。エアベント１０は、ヒー
トシンク７Ａに設けられた別の開口であって、粘性樹脂
が注入される際に、ヒートシンク７Ａと基板１の主面と
の間に存在するガスを排出するために使用される。
【００２６】図１の半導体装置の特徴は、第１に、放熱
用シート６を介して半導体チップ４の背面に密着してい
るヒートシンク７Ａが、硬化樹脂８によって基板１に固
定されていることである。これにより、ヒートシンク７
Ａは放熱用シート６を介して半導体チップ４の背面に、
硬化樹脂８の圧縮応力によって充分に押圧される。した
がって、半導体チップ４で発生した熱は、放熱用シート
６を介して速やかにヒートシンク７Ａに伝導するので、
放熱性に優れた半導体装置が得られる。第２に、ヒート
シンク７Ａが、半導体チップ４の上方と周囲とを完全に
覆い、かつ、外周部の底面がグラウンドパターン３に密
着していることである。これにより、半導体チップ４が
高速のクロックで動作する場合であっても、シールド効
果によって、半導体チップ４の外部に電磁界変動を与え
ることと、外部からの電磁界変動に影響されることとが
抑制される。したがって、電磁波障害が発生しにくい半
導体装置が得られる。
用シート６を介して半導体チップ４の背面に密着してい
るヒートシンク７Ａが、硬化樹脂８によって基板１に固
定されていることである。これにより、ヒートシンク７
Ａは放熱用シート６を介して半導体チップ４の背面に、
硬化樹脂８の圧縮応力によって充分に押圧される。した
がって、半導体チップ４で発生した熱は、放熱用シート
６を介して速やかにヒートシンク７Ａに伝導するので、
放熱性に優れた半導体装置が得られる。第２に、ヒート
シンク７Ａが、半導体チップ４の上方と周囲とを完全に
覆い、かつ、外周部の底面がグラウンドパターン３に密
着していることである。これにより、半導体チップ４が
高速のクロックで動作する場合であっても、シールド効
果によって、半導体チップ４の外部に電磁界変動を与え
ることと、外部からの電磁界変動に影響されることとが
抑制される。したがって、電磁波障害が発生しにくい半
導体装置が得られる。
【００２７】図１の半導体装置の製造方法について、図
２を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施
形態によって図１の半導体装置を製造する方法を工程別
に説明する断面図である。まず、図２（ａ）に示すよう
に、凹部１１を有するヒートシンク７Ａを、半導体チッ
プ４が空隙１２をはさんで装着された、基板１の主面に
載置する。ここでは、ヒートシンク７Ａが半導体チップ
４の背面に載置された放熱用シート６に密着し、半導体
チップ４の周囲を取り囲み、かつ、ヒートシンク７Ａの
外周部の底面がグラウンドパターン３に密着するように
して、ヒートシンク７Ａを基板１の主面に載置する。
２を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施
形態によって図１の半導体装置を製造する方法を工程別
に説明する断面図である。まず、図２（ａ）に示すよう
に、凹部１１を有するヒートシンク７Ａを、半導体チッ
プ４が空隙１２をはさんで装着された、基板１の主面に
載置する。ここでは、ヒートシンク７Ａが半導体チップ
４の背面に載置された放熱用シート６に密着し、半導体
チップ４の周囲を取り囲み、かつ、ヒートシンク７Ａの
外周部の底面がグラウンドパターン３に密着するように
して、ヒートシンク７Ａを基板１の主面に載置する。
【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、凹部１１
からなる空間、すなわちヒートシンク７Ａと基板１とに
囲まれた空間がキャビティ１３を形成した状態で、ノズ
ル１４を下降させてその先端を注入口９Ａに挿入する。
この工程以降では、ヒートシンク７Ａを、一定の圧力で
基板１に押圧しておくことが好ましい。
からなる空間、すなわちヒートシンク７Ａと基板１とに
囲まれた空間がキャビティ１３を形成した状態で、ノズ
ル１４を下降させてその先端を注入口９Ａに挿入する。
この工程以降では、ヒートシンク７Ａを、一定の圧力で
基板１に押圧しておくことが好ましい。
【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、ノズル１
４を使用して、キャビティ１３に粘性樹脂１５を注入す
る。キャビティ１３及び半導体チップ４の体積から予め
算出された量を注入することにより、半導体チップ４と
基板１の主面との間の空隙１２を含むキャビティ１３
は、粘性樹脂１５によって充填される。ここで、キャビ
ティ１３内の余分な空気は、エアベント１０から排出さ
れる。また、粘性樹脂１５が多めに注入された場合であ
っても、余分な量がエアベント１０内に留まるので、粘
性樹脂１５はヒートシンク７Ａの上面には流出しない。
４を使用して、キャビティ１３に粘性樹脂１５を注入す
る。キャビティ１３及び半導体チップ４の体積から予め
算出された量を注入することにより、半導体チップ４と
基板１の主面との間の空隙１２を含むキャビティ１３
は、粘性樹脂１５によって充填される。ここで、キャビ
ティ１３内の余分な空気は、エアベント１０から排出さ
れる。また、粘性樹脂１５が多めに注入された場合であ
っても、余分な量がエアベント１０内に留まるので、粘
性樹脂１５はヒートシンク７Ａの上面には流出しない。
【００３０】次に、図２（ｄ）に示すように、加熱する
ことにより、粘性樹脂１５を硬化させて、硬化樹脂８を
形成する。ここまでの工程によって、図１に示された半
導体装置が完成する。
ことにより、粘性樹脂１５を硬化させて、硬化樹脂８を
形成する。ここまでの工程によって、図１に示された半
導体装置が完成する。
【００３１】以上説明したように、本発明によれば、ヒ
ートシンク７Ａと基板１とによってキャビティ１３を形
成し、ノズル１４を使用して粘性樹脂１５を注入し、注
入された粘性樹脂１５を硬化させる。これにより、樹脂
封止とパッケージへのヒートシンク７Ａの取付とを、同
一の工程で行うことができる。したがって、後工程にお
けるヒートシンクを取り付ける工数を削減して、放熱性
に優れるとともに電磁波障害が発生しにくい半導体装置
を製造することができる。
ートシンク７Ａと基板１とによってキャビティ１３を形
成し、ノズル１４を使用して粘性樹脂１５を注入し、注
入された粘性樹脂１５を硬化させる。これにより、樹脂
封止とパッケージへのヒートシンク７Ａの取付とを、同
一の工程で行うことができる。したがって、後工程にお
けるヒートシンクを取り付ける工数を削減して、放熱性
に優れるとともに電磁波障害が発生しにくい半導体装置
を製造することができる。
【００３２】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態について、図３を参照しながら説明する。図３（ａ）
〜（ｃ）は、本実施形態によって図１の半導体装置を製
造する方法を工程別に説明する断面図である。本実施形
態は、粘性樹脂の注入を、下型と上型とからなる金型を
使用したトランスファモールドによって行うものであ
る。
態について、図３を参照しながら説明する。図３（ａ）
〜（ｃ）は、本実施形態によって図１の半導体装置を製
造する方法を工程別に説明する断面図である。本実施形
態は、粘性樹脂の注入を、下型と上型とからなる金型を
使用したトランスファモールドによって行うものであ
る。
【００３３】まず、図３（ａ）に示すように、下型１６
と上型１７とからなる金型を型開きした状態で、下型１
６の凹部１８に基板１を載置する。その後に、第１の実
施形態と同様に、ヒートシンク７Ａを基板１の主面に載
置する。ヒートシンク７Ａの側面には、注入口９Ｂが設
けられている。ここで、下型１６に設けられたポット１
９には、樹脂タブレット２０が投入されている。また、
上型１７には、ポット１９に対向し粘性樹脂を分岐する
空間であるカル部２１が設けられ、そのカル部２１に順
次連通してランナ部２２、ゲート部２３が設けられてい
る。加えて、上型１７には、ヒートシンク７Ａに対応す
る寸法形状を有する凹部２４と、エアベント１０に対応
する位置における貫通穴２５とが設けられている。
と上型１７とからなる金型を型開きした状態で、下型１
６の凹部１８に基板１を載置する。その後に、第１の実
施形態と同様に、ヒートシンク７Ａを基板１の主面に載
置する。ヒートシンク７Ａの側面には、注入口９Ｂが設
けられている。ここで、下型１６に設けられたポット１
９には、樹脂タブレット２０が投入されている。また、
上型１７には、ポット１９に対向し粘性樹脂を分岐する
空間であるカル部２１が設けられ、そのカル部２１に順
次連通してランナ部２２、ゲート部２３が設けられてい
る。加えて、上型１７には、ヒートシンク７Ａに対応す
る寸法形状を有する凹部２４と、エアベント１０に対応
する位置における貫通穴２５とが設けられている。
【００３４】次に、図３（ｂ）に示すように、下型１６
と上型１７とを型締めする。この状態で、放熱用シート
６が圧縮されてヒートシンク７Ａと半導体チップ４との
間で圧力を吸収し、上型１７のゲート部２３とヒートシ
ンク７Ａの注入口９Ｂとが連通する。そして、金型に設
けられたヒータ（図示なし）により樹脂タブレット２０
を加熱溶融して粘性樹脂１５を形成し、プランジャ２６
により粘性樹脂１５を下方から押圧する。これにより、
カル部２１，ランナ部２２，ゲート部２３，注入口９Ｂ
を順次経由して、キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填
する。
と上型１７とを型締めする。この状態で、放熱用シート
６が圧縮されてヒートシンク７Ａと半導体チップ４との
間で圧力を吸収し、上型１７のゲート部２３とヒートシ
ンク７Ａの注入口９Ｂとが連通する。そして、金型に設
けられたヒータ（図示なし）により樹脂タブレット２０
を加熱溶融して粘性樹脂１５を形成し、プランジャ２６
により粘性樹脂１５を下方から押圧する。これにより、
カル部２１，ランナ部２２，ゲート部２３，注入口９Ｂ
を順次経由して、キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填
する。
【００３５】次に、図３（ｃ）に示すように、粘性樹脂
１５を更に加熱して硬化させて硬化樹脂８を形成する。
そして、下型１６と上型１７とを型開きした後に、例え
ばエジェクタピン（図示なし）により基板１を突き上げ
て、ゲート部２３と注入口９Ｂとの境界でゲートブレー
クを行う。以上の工程により、基板１に装着された半導
体チップ４を樹脂封止するとともに、半導体チップ４の
背面に放熱用シート６を介してヒートシンク７Ａが密着
した状態で基板１にヒートシンク７Ａを取り付けて、半
導体装置を完成させることができる。
１５を更に加熱して硬化させて硬化樹脂８を形成する。
そして、下型１６と上型１７とを型開きした後に、例え
ばエジェクタピン（図示なし）により基板１を突き上げ
て、ゲート部２３と注入口９Ｂとの境界でゲートブレー
クを行う。以上の工程により、基板１に装着された半導
体チップ４を樹脂封止するとともに、半導体チップ４の
背面に放熱用シート６を介してヒートシンク７Ａが密着
した状態で基板１にヒートシンク７Ａを取り付けて、半
導体装置を完成させることができる。
【００３６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ヒートシンク７Ａと基板１とによりキャビティ１３
を形成し、金型を使用したトランスファモールドにより
キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填して硬化させる。
これにより、第１の実施形態と同様、後工程におけるヒ
ートシンクを取り付ける工数を削減して、放熱性に優れ
るとともに電磁波障害が発生しにくい半導体装置を製造
することができる。更に、トランスファモールドを使用
して、プランジャ２６により粘性樹脂１５を押圧して、
キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填する。したがっ
て、高価な低粘度樹脂を使用することなく、ヒートシン
ク付の半導体装置を製造することができる。
ば、ヒートシンク７Ａと基板１とによりキャビティ１３
を形成し、金型を使用したトランスファモールドにより
キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填して硬化させる。
これにより、第１の実施形態と同様、後工程におけるヒ
ートシンクを取り付ける工数を削減して、放熱性に優れ
るとともに電磁波障害が発生しにくい半導体装置を製造
することができる。更に、トランスファモールドを使用
して、プランジャ２６により粘性樹脂１５を押圧して、
キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填する。したがっ
て、高価な低粘度樹脂を使用することなく、ヒートシン
ク付の半導体装置を製造することができる。
【００３７】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態について、図４を参照しながら説明する。図４（ａ）
〜（ｃ）は、本実施形態によって図１の半導体装置を製
造する方法を工程別に説明する断面図である。本実施形
態は、例えばアルミニウム製押出材からなるヒートシン
クを使用して、半導体装置を製造するものである。
態について、図４を参照しながら説明する。図４（ａ）
〜（ｃ）は、本実施形態によって図１の半導体装置を製
造する方法を工程別に説明する断面図である。本実施形
態は、例えばアルミニウム製押出材からなるヒートシン
クを使用して、半導体装置を製造するものである。
【００３８】本実施形態によれば、まず、図４（ａ）に
示すように、半導体チップ４が装着された基板１の主面
に、アルミニウム製押出材からなるヒートシンク７Ｂを
載置する。第１の実施形態と同様に、ヒートシンク７Ｂ
は、半導体チップ４の背面に放熱用シート６を介して密
着し、かつ、外周部の底面が基板１のグラウンドパター
ン（図示なし）に密着している。ここで、押出材の特性
から、ヒートシンク７Ｂは、半導体チップ４の周囲をす
べて取り囲むことができない。
示すように、半導体チップ４が装着された基板１の主面
に、アルミニウム製押出材からなるヒートシンク７Ｂを
載置する。第１の実施形態と同様に、ヒートシンク７Ｂ
は、半導体チップ４の背面に放熱用シート６を介して密
着し、かつ、外周部の底面が基板１のグラウンドパター
ン（図示なし）に密着している。ここで、押出材の特性
から、ヒートシンク７Ｂは、半導体チップ４の周囲をす
べて取り囲むことができない。
【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、一方の上
型２７と他方の上型（図示なし）とからなる分割された
上型セットを下降させて、その上型セットと下型１６と
を型締めするとともに、ヒートシンク７Ｂを基板１に押
圧する。ここで、一方の上型２７は図４（ｂ）の奥側に
設けられ、他方の上型は図４（ｂ）の手前側に設けられ
ている。また、一方の上型２７には、注入口９Ａに対応
する位置における貫通穴２８が、他方の上型にはエアベ
ント１０に対応する位置における貫通穴（図示なし）
が、それぞれ設けられている。これにより、基板１、ヒ
ートシンク７Ｂ、一方の上型２７、及び他方の上型によ
って、キャビティ１３が形成される。
型２７と他方の上型（図示なし）とからなる分割された
上型セットを下降させて、その上型セットと下型１６と
を型締めするとともに、ヒートシンク７Ｂを基板１に押
圧する。ここで、一方の上型２７は図４（ｂ）の奥側に
設けられ、他方の上型は図４（ｂ）の手前側に設けられ
ている。また、一方の上型２７には、注入口９Ａに対応
する位置における貫通穴２８が、他方の上型にはエアベ
ント１０に対応する位置における貫通穴（図示なし）
が、それぞれ設けられている。これにより、基板１、ヒ
ートシンク７Ｂ、一方の上型２７、及び他方の上型によ
って、キャビティ１３が形成される。
【００４０】次に、図３（ｃ）に示すように、ノズル１
４を下降させて、その先端を貫通穴２８を介して注入口
９Ａに挿入する。以下、第１の実施形態と同様に、ノズ
ル１４からキャビティ１３に粘性樹脂を注入してこれを
硬化させる。
４を下降させて、その先端を貫通穴２８を介して注入口
９Ａに挿入する。以下、第１の実施形態と同様に、ノズ
ル１４からキャビティ１３に粘性樹脂を注入してこれを
硬化させる。
【００４１】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、アルミニウム製押出材からなるヒートシンク７Ｂを
使用する場合においても、凹部１１からなる空間と分割
された上型セットとによってキャビティ１３を形成し、
そのキャビティ１３に粘性樹脂を注入して硬化させるこ
とができる。したがって、第１の実施形態と同様、後工
程におけるヒートシンクを取り付ける工数を削減して、
放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。ま
た、半導体チップ４を覆って設けられたヒートシンク７
Ｂの電位がグラウンド電位に等しいので、シールド効果
によって電磁波障害の発生を抑制することができる。
ば、アルミニウム製押出材からなるヒートシンク７Ｂを
使用する場合においても、凹部１１からなる空間と分割
された上型セットとによってキャビティ１３を形成し、
そのキャビティ１３に粘性樹脂を注入して硬化させるこ
とができる。したがって、第１の実施形態と同様、後工
程におけるヒートシンクを取り付ける工数を削減して、
放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。ま
た、半導体チップ４を覆って設けられたヒートシンク７
Ｂの電位がグラウンド電位に等しいので、シールド効果
によって電磁波障害の発生を抑制することができる。
【００４２】なお、本実施形態では、ノズル１４を使用
して粘性樹脂を注入したが、これに代えて、図３に示す
ように、金型を使用したトランスファモールドによって
キャビティ１３に粘性樹脂を注入してもよい。
して粘性樹脂を注入したが、これに代えて、図３に示す
ように、金型を使用したトランスファモールドによって
キャビティ１３に粘性樹脂を注入してもよい。
【００４３】なお、上述の各実施形態においては、ほぼ
逆Ｕ字形状の断面を有するヒートシンク７Ａ，７Ｂを使
用して、半導体装置を構成した。その変形例として、フ
ィン付のヒートシンク７Ｃを使用して、図５に示される
半導体装置を構成することもできる。図５は、本発明に
係る半導体装置の変形例であって、フィン付のヒートシ
ンクを使用した半導体装置を示す断面図である。図５に
おいて、ヒートシンク７Ｃは、例えばアルミニウム等の
導電性材料からなり、押出材を加工して、又はダイキャ
ストによって製造される。この変形例によれば、ヒート
シンク７Ｃの表面積が大幅に増大するので、いっそう放
熱性に優れた半導体装置が得られる。
逆Ｕ字形状の断面を有するヒートシンク７Ａ，７Ｂを使
用して、半導体装置を構成した。その変形例として、フ
ィン付のヒートシンク７Ｃを使用して、図５に示される
半導体装置を構成することもできる。図５は、本発明に
係る半導体装置の変形例であって、フィン付のヒートシ
ンクを使用した半導体装置を示す断面図である。図５に
おいて、ヒートシンク７Ｃは、例えばアルミニウム等の
導電性材料からなり、押出材を加工して、又はダイキャ
ストによって製造される。この変形例によれば、ヒート
シンク７Ｃの表面積が大幅に増大するので、いっそう放
熱性に優れた半導体装置が得られる。
【００４４】また、ヒートシンク７Ａ，７Ｂは、銅等か
らなる金属板を、曲げ加工又は絞り加工して製造するこ
ともできる。
らなる金属板を、曲げ加工又は絞り加工して製造するこ
ともできる。
【００４５】また、半導体チップ４の背面には、シリコ
ーン樹脂等からなる放熱用シート６を載置することとし
た。これに限らず、ペースト状のシリコーン樹脂等をス
クリーン印刷等を使用して塗布することにより、半導体
チップ４の背面に予め載置してもよい。更に、これらの
良熱伝導性部材を、ヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃの凹
部の底面に予め載置してもよい。
ーン樹脂等からなる放熱用シート６を載置することとし
た。これに限らず、ペースト状のシリコーン樹脂等をス
クリーン印刷等を使用して塗布することにより、半導体
チップ４の背面に予め載置してもよい。更に、これらの
良熱伝導性部材を、ヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃの凹
部の底面に予め載置してもよい。
【００４６】また、注入口９Ａ，９Ｂを経由して粘性樹
脂１５を充填する際に、エアベント１０を経由してキャ
ビティ１３内の雰囲気を吸引してもよい。これによれ
ば、空隙１２に粘性樹脂１５を確実に充填することがで
きるとともに、キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填す
る時間を短縮することができる。
脂１５を充填する際に、エアベント１０を経由してキャ
ビティ１３内の雰囲気を吸引してもよい。これによれ
ば、空隙１２に粘性樹脂１５を確実に充填することがで
きるとともに、キャビティ１３に粘性樹脂１５を充填す
る時間を短縮することができる。
【００４７】また、ヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃがそ
れぞれ有する凹部の底面が平滑であれば、放熱用シート
６を介することなく、各凹部の底面と半導体チップ４の
背面とを直接密着させてもよい。この場合には、グラウ
ンドパターン３とヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃの外周
部の底面との間に、適当な弾性を有する導電性物質、例
えば異方性導電膜や導電性樹脂等を介しておくことが好
ましい。これにより、半導体チップ４に過度の圧力を加
えることなく、半導体チップ４の背面とヒートシンク７
Ａ，７Ｂ，７Ｃの凹部の底面とを、密着させることがで
きる。また、この導電性物質は、キャビティ１３から粘
性樹脂１５が漏出することを防ぐシール部材としても機
能するので、半導体装置における樹脂バリを防止するこ
とができる。更に、ヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃと半
導体チップ４の背面との間に放熱用シート６を介した状
態で、グラウンドパターン３とヒートシンク７Ａ，７
Ｂ，７Ｃの外周部の底面との間に、適当な弾性を有する
導電性物質を使用することもできる。加えて、適当な弾
性を有するこれらの導電性物質は、半導体装置が使用さ
れる際に、熱応力を緩和する緩衝材としても機能する。
れぞれ有する凹部の底面が平滑であれば、放熱用シート
６を介することなく、各凹部の底面と半導体チップ４の
背面とを直接密着させてもよい。この場合には、グラウ
ンドパターン３とヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃの外周
部の底面との間に、適当な弾性を有する導電性物質、例
えば異方性導電膜や導電性樹脂等を介しておくことが好
ましい。これにより、半導体チップ４に過度の圧力を加
えることなく、半導体チップ４の背面とヒートシンク７
Ａ，７Ｂ，７Ｃの凹部の底面とを、密着させることがで
きる。また、この導電性物質は、キャビティ１３から粘
性樹脂１５が漏出することを防ぐシール部材としても機
能するので、半導体装置における樹脂バリを防止するこ
とができる。更に、ヒートシンク７Ａ，７Ｂ，７Ｃと半
導体チップ４の背面との間に放熱用シート６を介した状
態で、グラウンドパターン３とヒートシンク７Ａ，７
Ｂ，７Ｃの外周部の底面との間に、適当な弾性を有する
導電性物質を使用することもできる。加えて、適当な弾
性を有するこれらの導電性物質は、半導体装置が使用さ
れる際に、熱応力を緩和する緩衝材としても機能する。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップで発生し
た熱が速やかにヒートシンクに伝導するので、放熱性に
優れた半導体装置が得られる。また、樹脂封止用の硬化
樹脂によりヒートシンクの取付がなされるので、半導体
装置の製造工数が削減される。また、半導体チップを覆
うように設けられたヒートシンクの電位がグラウンド電
位に等しいので、シールド効果によって電磁波障害が発
生しにくい半導体装置が得られる。したがって、放熱性
に優れ、電磁波障害が発生しにくい半導体装置と、その
半導体装置を少ない工数で製造する製造方法とを提供で
きるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
た熱が速やかにヒートシンクに伝導するので、放熱性に
優れた半導体装置が得られる。また、樹脂封止用の硬化
樹脂によりヒートシンクの取付がなされるので、半導体
装置の製造工数が削減される。また、半導体チップを覆
うように設けられたヒートシンクの電位がグラウンド電
位に等しいので、シールド効果によって電磁波障害が発
生しにくい半導体装置が得られる。したがって、放熱性
に優れ、電磁波障害が発生しにくい半導体装置と、その
半導体装置を少ない工数で製造する製造方法とを提供で
きるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
よって図１の半導体装置を製造する方法を工程別に説明
する断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の変形例であって、フ
ィン付のヒートシンクを使用した半導体装置を示す断面
図である。
ィン付のヒートシンクを使用した半導体装置を示す断面
図である。
１ 基板 ２ パッド ３ グラウンドパターン ４ 半導体チップ ５ バンプ ６ 放熱用シート（良熱伝導性部材） ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ ヒートシンク ８ 硬化樹脂 ９Ａ，９Ｂ 注入口（開口） １０ エアベント（別の開口） １１，１８，２４ 凹部 １２ 空隙 １３ キャビティ １４ ノズル １５ 粘性樹脂 １６ 下型 １７ 上型 １９ ポット ２０ 樹脂タブレット ２１ カル部 ２２ ランナ部 ２３ ゲート部 ２５ 貫通穴 ２６ プランジャ ２７ 一方の上型 ２８ 貫通穴
Claims (10)
- 【請求項１】 フリップチップボンディングにより基板
の主面に搭載された半導体チップを樹脂封止してなる半
導体装置であって、 前記基板の主面において、前記半導体チップを覆うとと
もに該半導体チップの背面に接するように載置されたヒ
ートシンクと、 前記ヒートシンクと前記基板との間の空間に充填された
硬化樹脂とを備えるとともに、 前記ヒートシンクの一部が前記基板の主面に接している
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記ヒートシンクは良熱伝導性部材を介して前記半導体
チップの背面に接することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置におい
て、 前記ヒートシンクは導電性材料からなり、前記基板の主
面において前記ヒートシンクの一部が接する部分にはグ
ラウンドパターンが設けられているとともに、前記ヒー
トシンクの電位がグラウンド電位に等しくなっているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置において、 前記基板の主面において前記ヒートシンクの一部が接す
る部分は、前記半導体チップを取り囲んでいることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 フリップチップボンディングにより基板
の主面に搭載された半導体チップを樹脂封止して半導体
装置を製造する方法であって、 前記半導体チップを覆うとともに、該半導体チップの背
面と前記基板の主面とにそれぞれ接するようにしてヒー
トシンクを載置する工程と、 前記ヒートシンクに設けられた開口を経由して該ヒート
シンクと前記基板との間の空間に粘性樹脂を注入する工
程と、 前記粘性樹脂を硬化させる工程とを備えたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記注入する工程では、金型を使用したトランスファモ
ールドにより前記粘性樹脂を注入することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載の半導体装置の製造
方法において、 前記載置する工程では、前記基板のグラウンドパターン
と前記ヒートシンクの一部とを接触させて該ヒートシン
クの電位をグラウンド電位に等しくすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれかに記載の半導体
装置の製造方法において、 前記半導体チップの背面又は前記ヒートシンクにおいて
前記背面に対向する面の少なくともいずれか一方に良熱
伝導性部材を載置する工程を備えたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項５〜８のいずれかに記載の半導体
装置の製造方法において、 前記ヒートシンクの一部又は前記基板のグラウンドパタ
ーンの少なくともいずれか一方に導電性物質を載置する
工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項５〜９のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記注入する工程では、前記ヒートシンクに設けられた
別の開口を経由して該ヒートシンクと前記基板との間の
空間を吸引することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349825A JP4630449B2 (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349825A JP4630449B2 (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158316A true JP2002158316A (ja) | 2002-05-31 |
| JP4630449B2 JP4630449B2 (ja) | 2011-02-09 |
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ID=18823157
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| CN107026107A (zh) * | 2016-02-02 | 2017-08-08 | 东和株式会社 | 电子部件的制造装置及制造方法以及电子部件 |
| EP3313155A3 (en) * | 2016-10-24 | 2018-08-29 | Hamilton Sundstrand Corporation | Component vertical mounting |
| WO2019124024A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
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| CN117153839A (zh) * | 2023-08-28 | 2023-12-01 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 | 一种封装结构及其制造方法 |
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- 2000-11-16 JP JP2000349825A patent/JP4630449B2/ja not_active Expired - Lifetime
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