JP2001504996A - 僅かなシェージングを有する太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ２０％以上の効率を有する高出力太陽電池のために、（１１０）配向シリコン基板を使用し、すべての接点を裏面（ＲＳ）上に配置し、前面（ＶＳ）の電気的接続を、結晶配向的にエッチングされ、基板中の（１１１）面に対して平行に整列された高ドーピングスロットのパターンにより基板を通して行うことを提案する。

Description

【発明の詳細な説明】 僅かなシェージングを有する太陽電池 およびその製造方法 僅かなシェージングはたとえば、ｎ接点ならびにｐ て実現することができる。こうして、前面（vorderseite）は接点によりシェー ジングされず、従って光線投射のために無制限に利用される。 前面金属化なしの太陽電池は、たとえばシントン（R.A.Sinton）、フェリンド ンデン（P.J.velinden）、クレーン（R.A.Crane）、スワンソン（R.M.Swanson） 、チルフォード（Tilford）、パーキンス（Perkins）およびギャリソン（Garris on）、１９９３年、ルイスビルにおける第２３回ＩＥＥＥ光起電力専門家会議の 議事録“Larqe-Area 21% Efficient Si Solar Cells”、１５７〜６１ページか ら公知である。その製造のために、複数のマスキング工程において種々にドーピ ングされた領域を並列して形成し、その上に多層の金属構造を設けることにより 金属化ないしは接触させる。その際、金属構造を設けるのは薄膜法によって行わ れる。 その際、方法が複数のマスキング工程を必要とし、これにより費用がかかるこ とが不利である。さらに、 全荷電粒子は拡散により太陽電池の裏面に到達しなければならず、その際荷電粒 子再結合の高い確率が生じ、これが太陽電池の全効率を再び低下する。 前面金属化なしの太陽電池の他の構想は、１９９３年、ルイスビルにおける第 ２３回光起電力専門家会議への寄稿におけるジェームス（James M.Gee）等のタ イトル“Emitter Wrap-Throuqh Solar cell”の記事から公知である。そこに記 載された太陽電池は、前面の近くに置かれたエミッタ層とそれに隣接するｐｎ接 合部を有する。レーザーで穿孔し、金属化した接点孔が、エミッタ層を裏面に置 かれた金属化接点と結合する。裏面接点は、“前面接点”に対し交差指的（inte rdigital）に同様に裏面に配置されている。この太陽電池の欠点は、レーザーで 穿孔すべき接点孔の高い数であり、代表的な１００ｃｍ²の大きさの太陽電池に 対し、代表的な接点孔間隔１ｍｍの場合太陽電池あたり約１００００個の接点孔 が必要である。これが、自動的生産における処理量を減少する。付加的に、接点 孔およびこれに所属する裏面に配置された接点を相互に位置調整しなければなら ない。さらに、レーザーで穿孔した接点孔中でシリコンにおける不所望の構造変 化が生起可能であり、それで荷電粒子対に対する付加的な再結合中心が生成する ことができ、これが綜合効率（Sammelwirkungsgrad）をさらに低下する。これら の太陽電池において、低下した機械的強度 は破壊をもたらしうる。 ＵＳ５０６７９８５号から、交差指的バック接点および前面にくぼみを有する 太陽電池は公知である。くぼみはボリューム半導体に対しｐｎ接合部が生じるよ うにドーピングされている。これらのくぼみは、エネルギー捕獲くぼみと呼ばれ 、１つのくぼみ中での多重反射の場合でさえ吸収率の増加に役立つ。基板は（１ １０）ウエーハであり、くぼみは（１１１）面ないしは等価面により限定される 。記載された光線捕獲改善の目的に応じ、すべてのくぼみは前面に向け開いてい る。 本発明の課題は、簡単かつ廉価に製造でき、高出力太陽電池に対する他の要件 を満足する、シエージングを形成する前面接点なしの太陽電池を記載することで ある。 この課題は、本発明により請求項１記載の太陽電池により解決される。本発明 の好ましい実施形ならびに製造方法は他の請求項から推考できる。 本発明による太陽電池は、（１１０）配向を有する結晶性シリコン基板から構 成されている。この材料は、（１１０）面に対し垂直に整列された（１１１）面 を有するという利点を有する。結晶構造に関して配向された異方性エッチングに より、（１１０）基板中に高いアスペクト比および２つの垂直な側壁を有するく ぼみ、孔またはまたは切欠を形成することが可能であ る。本発明による太陽電池は、（１１１）面に対し平行に整列され、シリコン基 板の全厚にわたるかないしはこれを貫通する多数の細長いスロットを有する。ス ロットの内表面は、少なくとも前面に形成された平らなエミッタ層の導電率型に 相応する高いドーピングを有する。太陽電池の裏面には、バルク材料を電気的に 接続するための格子状の第一接点パターンが存在する。これに対し交差指的に、 第二格子状接点パターンが裏面に配置されていて、これはスロットと少なくとも 部分的に重なり、こうしてエミッタ層の電気的接続を保証する。 本発明による太陽電池の前面は、スロットを除けば 有効な反射防止層を可能にする高価値の表面を有する。（１１０）配向シリコン における良好な異方性エッチング可能性のため、シリコン基板にたとえば１：６ ００の高いアスペクト比を有するスロットを形成することができる。こうして、 スロットの大きさ、それと共に表面の損失を最小にすることが可能である。（１ １０）シリコンにおいて異方性エッチングされたスロットは、（１１１）面から なる側壁を有する。これら２つの面は基板表面に対して垂直に配置され、両“狭 幅側面”は基板を通って斜めに延びる。それで、シリコン基板の裏面からエッチ ングする場合、スロットの断面は前面の方へ先細になるので、これによりスロッ トによる表面損失はさらに減少する。スロットの長手方向の膨張は裏面における スロットに重なる第二接点パターンの調整を容易にする。 シリコン基板は、スロット中で高度にドーピングされている。これにより、十 分に導電性で、太陽電池の前面を裏面ないしはそこに設けられた接点パターンと 結合する電流回路が形成される。スロットの十分密なパターンおよび比較的低い 基板の厚さにより、前面に集められた荷電粒子のための電流回路は短いままであ る。それで、太陽電池の直列抵抗も僅かであり、高い 本発明の有利な実施態様においては、基板として、たとえばSolid State phen omena ３２〜３３巻（１９９３年）、２１〜２６ページにおけるマルチネリ（G. Martinelli）の記事から公知であるようないわゆる三結晶ウエーハ（Trikristal lwafer）が使用される。かかるウエーハは、３つの互いに傾斜し、その都度それ 自体（１１０）配向されている単結晶領域を有する。単結晶領域の間の界面は半 径方向にウェーハの中央に向かって延び、従って単結晶領域は三結晶ウェーハの 円形セクタを形成する。その際、３つの界面の２つはとくに妨害個所の少ない（ １１１）面における一次の双子粒子境界（zwillingskorngrenzen）である。 かかる三結晶ウェーハから製造された本発明による 太陽電池は、ウェーハ、それと共に太陽電池の機械的安定性が単結晶の基板と比 較して強く増加しているという利点を有する。こうして基板の厚さを、加工の際 に増加した破壊の危険を甘受しなければならないことなしに、３０〜７０μｍの 値に減少できる。本発明にとり、三結晶ウェーハはとくに適当である、それとい うのも該ウェーハは専ら（１１０）配向面を有するか、ないしは（１１０）配向 シリコン基板を初めて十分に利用可能にするからである。単結晶性（１１０）配 向棒の結晶引上は、慣例の（１００）シリコン棒の結晶引上よりも著しく困難で ある、それというのも急速に結晶の転位（Kristallversetzungen）および構造損 失が起き、これが引上法の早期中断を生じるからである。それに反して、三結晶 の結晶引上は（１１０）配向のシリコン棒の場合よりも２〜３倍速い。棒末端に コーンは必要でない。従って、準連続的にずれなしに実施できる。坩堝は１０回 まで使用することができる。 薄いシリコン基板を有する太陽電池は、材料節約の外になお付加的な技術的利 点を有する。少数荷電粒子 さの３倍よりも大きいという高出力太陽電池に対する要求は、薄い基板を用い、 既に低電子品質の材料によって達成される。従って、薄いシリコン基板は太陽電 池においては厚い基板よりも僅かな再結合損失を生じ る。 三結晶性シリコン基板を有する太陽電池は、基板を貫通するスロットが多数の 場合でも十分に安定である。にもかかわらず、（１１１）面に対し平行に延びる スロットが互いにずらされ、それで同一（１１１）面内に、結晶面に対して平行 な基板の破壊を所定の“パーホレーション”により支持しうる複数のスロットが 直列に配置されていない場合が有利である。 太陽電池の裏面上の第一および第二接点パターンは、とくに厚膜接点として、 殊に焼結融着すべき導電性ペーストとして塗布される。第一および第二接点パタ ーンは、指状接点が交互に配置されていて、その際第一および第二接点パターン はジッパーファスナーの歯のように係合する交差指構造を形成する。各接点パタ ーンは、全指状接点が互いに結合する少なくとも１つのバス構造（Busstruktur ）を包含する。とくに、バス構造の１つは太陽電池裏面の縁の近くに配置されて いる。とくに、第一および第二接点パターンの平面部分はほぼ等しい、それとい うのも双方の荷電粒子型は同じ電荷量を輸送しなければならず、それで直列抵抗 は最小になるからである。 本発明による太陽電池の製造方法は、次に実施例およびそれに所属する１０の 図につき詳述する。その際、図は専ら実施例に所属し、制限的と考察すべきでは ない。 図１〜７は、基板の概略断面図につき太陽電池の製造における種々の工程を示 す。 図８および９は、基板の概略断面図につき変法の種々の工程を示す。 図１０は、シリコン基板上のスロットを斜視図で示す。 図１１は、三結晶ウエーハを平面図で示す。 図１２は、裏面上の第一および第二接点パターンの可能な配置を示す。 本発明による方法の出発点は、たとえばｐ−ドーピングの（１１０）配向シリ コンウエーハ１である。第１工程において、スロットまたはスロットのパターン が形成される。このため、差し当たり酸化物または窒化物層２が前面ＶＳおよび 裏面ＲＳ上に全面的に設けられる。引き続き、この酸化物または窒化物層２にフ ォトリソグラフィーによりスロットパターンに一致する長方形の開口部３が限定 され、自由にエッチングされる。図１に、この工程はシリコン基板の非原寸大の 概略断面図につき示されている。 結晶配向のアルカリ性エッチングにより、マスキング層２中に限定された開口 部３のパターンに応じて、スロット４が基板１に形成される。図２は、マスキン グ層２を除去した後のこの状態を示す。 図３：全面的に行われるリンドーピングにより、ス ロットを含めシリコン基板１の全表面に平らなｎ⁺ドーピングエミッタ層が、た とえば０．３〜２μｍの深さで形成される。 図４：次の工程で、すべての表面に全面的に不動態化層６、たとえば代表的に ７０ｎｍ厚さの酸化物または窒化物層が設けられる。 図５：次の工程で、裏面に電気接点が厚膜技術で設けられる。このため、第一 接点パターン７に関して、たとえばバルク材料の接触のため、従って内部のｐ− ドーピング基板領域を接触するための指状接点が、スロット４のほかに裏面ＲＳ 上に設けられる。これは、たとえば銀またはアルミニウム粒子を含有する焼結お よび導電性スクリーン印刷ペーストを捺印することにより行うことができる。ペ ーストは、アルミニウムかまたは他の、ｐ−ドーピング形成ドーパント、たとえ ばホウ素を含有する。第二接点パターン８は、少なくとも部分的にスロット４上 に、たとえば銀含有導電性ペーストを捺印することにより設けられる。第一およ び第二の接点パターン７ないしは８は、格子状に構成され、それぞれ少なくとも １つのバス構造およびそれから出発する指状接点を包含する。その際、基板の裏 面上での双方の接点パターンの配置は、指状接点が交差指的に係合し、空間的に 互いに分離されているように行われる。図５は、この工程後の配置を示す。 図６：第一工程において、接点は焼付けられ、焼結 され、その際不動態化層６は接点パターン７および８の下に導電的に合金化され る。第一接点パターン７のペースト中に含有されているドーピング物質は、エミ ッタ層５を過補償し、基板１の内部に位置決めされたｐ−ドーピング領域とオー ム接触を形成するｐ⁺−ドーピング９を生成する。第二接点パターン８の材料は 、ｎ⁺−ドーピング領域５、エミッタ層への導電結合を形成する。 図７：次の工程において、第一および第二接点パターン７および８は、場合に より第一および第二接点パターンの間のｐｎ接合部をたとえばプラズマエッチン グにより分離するための自己調整マスクとして使用することができ、くぼみ１３ は第一および第二接点パターンの間に形成される。同時にバックサーフェースフ ィールド（ＢＳＦ）を表わすｐ⁺−ドーピング９がエミッタ層への接点パターン ７の導電結合を阻止する場合には、プラズマエッチングは必要でない。 図８：変法（図４に一致する工程に続く）においては、不動態化層６およびエ ミッタ層５はリフトオフ法（lift off verfahren）で、たとえば第一接点パター ンを収容するために設けられている範囲１４において短時間のプラズマエッチン グにより除去される。従って、この範囲は第一接点パターンよりも若干大きく寸 法決めされている。 図９：引き続き、第一および第二接点パターンはた とえば捺印することにより設けられ、場合により焼き付けられる。その際、第一 接点パターンは再びＢＳＦの形成に適当なドーピングを含有することができる。 しかし、図４に示した状態に続き差し当たり第二接点パターン８を塗布し、不 動態化層６およびエミッタ層５を除去するためのリフトオフ法のマスクとして使 用する事も可能であり、その際範囲１４に相当し、バルク材料中にまで達するく ぼみが形成される。引き続き、このくぼみ中に第一接点パターン７が塗布される 。この変法においては、リフトオフ法により最大のエミッタ面を保有するために 、第一接点パターンよりも大きい面を有する第二接点パターン８を形成するのが 有利である。 それぞれの場合に、第一および第二接点パターンの塗布は、両者が重ならず、 電気的に互いに分離されているように行われる。 図１０は、斜視図でスロット４の１つを有するシリコン基板１の裏面を示す。 このスロットは、基板中の（１１１）面に一致する２つの相対する垂直壁１１を 有する。それに反して、スロット４の狭幅側面は、これに対して斜めに延びる、 同様に（１１１）面を表わす結晶面１２により限定されている。方法の初めにマ スキング層２中にスロットパターンを限定する場合には、スロットの縦軸が垂直 な（１１１）面に対して平行に配置されていることが 配慮される。スロットの長さｌおよび幅ｂ（裏面上）は、結晶配向エッチングに おいて辛うじて基板１を貫通する開口が形成されているように選択される。スロ ットの幅ｂは５〜５０μｍに調節され、たとえば１５〜２０μｍである。スロッ トの長さｌは、シリコン基板１の厚さに依存する。とくに長さｌは、スロットの 狭幅側面を限定する面１２の仮想交点がシリコン基板１の前面ＶＳ上方に密着し て配置されているように選択される。こうして、基板１の前面ＶＳから考察した 、その“長さ”がｂに一致し、スロットの長さｌに対し平行なその“幅”が最小 にされているスロットが得られ。 図１１は、とくに本発明による太陽電池の基板として使用される三結晶ウエー ハを示す。これは、すべて（１１０）配向されているが、相互に傾斜している３ つの単結晶領域Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３を有する。図中に三結晶ウエーハは、単結晶領 域Ｍ１およびＭ２の間に粒子制限結晶面として（１１１）面を有する一次の双子 粒子境界ＫＧ１２が生じるように配置されている。Ｍ１およびＭ３の間の粒子境 界ＫＧ１３も、限定（１１１）結晶面を有する一次の双子粒子境界である。２つ の一次の双子粒子境界を有する最適に成長した三結晶は、Ｗ１に対し正確に１０ ９．４７°であり、Ｗ２およびＷ３に対し正確に１２５．２６°である種々の単 結晶領域間の理想内角（ideale Innenwinkel）を有 する。それから偏依する内角も、安定な三結晶ウエーハを生じる。これは、相応 する三結晶棒から鋸引きによって得ることができ、その際下方へ３０μｍのウエ ーハの厚さまでは増加する破壊の危険なしに確実な取扱いが保証されている。太 陽電池に好ましいウエーハの厚さは、たとえば６０〜１５０μｍの範囲内にある 。 図１１は、三結晶ウエーハの裏面上の第一および第二接点パターンの配置の１ 実施例を示す。図９に示した配向に従い、粒子境界により形成される“スター（ Ｓｔｅｒｎｓ）”の２つの下方シャンクが一次の双子粒子境界を形成する。とく に、三結晶ウエーハにおけるスロットは、その長さｌが一次の双子粒子境界に対 し平行に整列されているように配置される。とくにスロットは、スロットに一番 近い一次の双子粒子境界に対し平行に整列されている。図９に示した三結晶ウエ ーハの配置に従い、スロットパターンは仮想軸Ａの左側の第一ウエーハ半部中で は粒子境界ＫＧ１３に対し平行に整列され、それに反して軸Ａの右側に存在する ウエーハ半部中では粒子境界ＫＧ１２に対して平行に整列される。スロットは、 とくに互いにずらして配置されているので、１列に並んで配置されたスロットは 同一の（１１１）面内には存在しない。とくにスロットは、スロットの全幅以上 にずらされている。 このために適当な、全スロットに重なる第二接点パ ターン８は、たとえば図１２に示されている。第一接点パターン７は、基板縁の 近くに囲繞配置されているバス構造を有する。これから出発する接点指は、基板 の中心軸に対し斜めを指向する。それに反し第二接点パターン８は、たとえば図 ９に示した軸Ａに対し平行に配置された中央バス構造を有する。これから出発す る指状接点は、第一接点構造７に対し交差指的に、該構造に接触することなく、 配置されている。第一接点パターン８の幾何的整列は実施例において、接点指は スロットの長さｌに対し平行に整列されていて、従って長さが重なるように選択 されている。第一接点パターン７はスロットのどれとも重ならない。しかし、太 陽電池のｐ−ないしはｎ−ドーピング領域への接点パターンの所属を交換して、 たとえば囲繞バス構造を有する接点パターンがスロットに重なり、従ってｎ−ド ーピング領域を接触し、中央バス構造を有する接点パターンをｐ−ドーピングバ ルク材料の接触のために使用することも可能である。 第一および第二接点パターンの指状接点の幅は、たとえば約３００μｍに調節 される。かかる接点パターンは、慣例のスクリーン印刷技術を用い確実および再 現可能に製造できる。しかし、明らかに幅の広いかまたは狭い指状接点も可能で ある。スロットの間隔に応じて、接点構造の指状接点は互いに約３ｍｍ離れてい る。 引き続き、なお１以上の適当な厚さの反射防止層、たとえば他の酸化物、窒化 物または酸化チタン層を不動態化層６上に設けることができる。 こうして製造された本発明による太陽電池は、２０％以上の綜合効率を達成す るために必要なすべての前提条件を有する。少数荷電粒子の拡散距離はシリコン 基板の厚さの３倍よりも大きいという要求は、すでに低廉なＣＺシリコンを用い る本発明による太陽電池により満足され、この太陽電池においては拡散距離Ｌは 基板の厚さｄを１．５倍上回る（ｄ＝６０μｍの場合、Ｌ≧１２０μｍ）。低い 再結合速度Ｓにより現れる高い表面品質は、前面ならびに裏面上の不動態化層に より簡単確実に達成できる。エミッタ上方では、酸化物不動態化によりＳ＜１０ ００ｃｍ／ｓの高い表面品質が調節できる。裏面の品質には、表面再結合速度Ｓ ＜１００ｃｍ／ｓが要求され、これは本発明による太陽電池においては他の手段 なしでも達成できる。要求される４％以下のシェージング損失は、本発明による 太陽電池で同様に十二分に満足される、それというのも該電池は実際にシェージ ングを有しないからである。要求される低い反射値＜４％は、標準反射防止層を 用いて得られる。少なくとも８０％の高い充填率も、本発明により達成される。 専ら裏面上に設けられた接点を有する太陽電池の他の利点は、種々の太陽電池 を１つのモジュールに機械 的に接続するのが容易であることである、それというのも相応する結線をハンダ 付けするために前面上の引込み（Durchfuerungen）はもはや必要でないからであ る。これが接続技術を簡単にし、方法の確実性を増加する。従って、本発明によ る太陽電池は全自動化され、大工業的に製造できる。

【手続補正書】 【提出日】平成１１年７月９日（１９９９．７．９） 【補正内容】 請求の範囲 １． −前面（ＶＳ）および裏面（ＲＳ）上に結晶学的（１１０）面を有する結 晶性シリコン基板（１）、 −少なくとも前面（ＶＳ）上にドーピングされた平らなエミッタ層（５）、 −結晶学的（１１１）面に対して平行に整列され、シリコン基板の全厚を通 して延びる多数の細長いスロット（４）、 −スロット中の、エミッタ層の導電率型に相応する高いドーピング、 −バルク材料の電気的接続のための裏面上の第一格子状接点パターン（７） 、 −エミッタ層の電気的接続のための裏面上の第二格子状接点パターン（８） を有し、その際第二接点パターン（８）がスロット（４）に少なくとも部分的 に重なり、およびその際 −スロット（４）は裏面（ＲＳ）から結晶学的異方性にエッチングされ、そ れでスロット中に（１１１）面（１１、１２）が限定表面として露出されてい て、その際スロットは太陽電池の表面に対して斜めに延びる２つの壁（１２） により太陽電池の前面（ＶＳ）の方へ先細になる、太陽電池。 ２． シリコン基板（１）が、３つの互いに傾斜した単結晶の、その都度（１１ １）配向領域を有する三結晶ウエーハを包含し、その相互の境界面（ＫＧｎ、 ｎ＋１）は半径方向に延びて三結晶ウエーハの円形セクタを形成し、境界面の ２つは（１１１）面に一次の双子粒子境界を形成する、請求項１記載の太陽電 池。 ３． 第一および第二接点パターン（７、８）が捺印された厚膜接点を包含する 、請求項１または２記載の太陽電池。 ４． スロット（４）が太陽電池の表面にわたり規則的に分布されていて、５〜 ５０μｍの幅を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の太陽電池。 ５． スロット（４）が（１１１）面に対し平行に延びるが、相互にずらされて いる、請求項１から４までのいずれか１項記載の太陽電池。 ６． 第一および第二接点パターン（７、８）が交差指的に係合する指状接点お よびその都度全指状接点を互いに結合する、その都度少なくとも１つのバス構 造を包含し、その際バス構造（７）の１つは裏面（ＲＳ）上で太陽電池縁の近 くで外側に囲繞的に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載 の太陽電池。 ７． 裏面（ＲＳ）上へ転置された前面接点を有する請求項１に記載の太陽電池 の製造方法において、 −（１１０）配向の結晶性シリコン基板（１）を使用し、 −シリコン基板の全厚を通して延びる多数のスロット（４）を、裏面から、 アルカリ性の、結晶配向しおよび遮蔽する方法で、（１１１）面に対して平行 にシリコン基板にエッチングし、 −平らなエミッタ層（５）をドーピング物質の拡散により形成し、 −裏面（ＲＳ）上に第一および第二接点パターン（７、８）を、導電性ペー ストを捺印および焼付けることにより形成し、その際第二接点パターン（８） をスロット（４）に重なるように配置する、太陽電池の製造方法。 ８． ドーピング物質の拡散を全面的に行い、 −第一接点パターン（７）の領域におけるエミッタ層のドーピングを、ペー ストの相応するドーピングにより焼付ける際に過補償し、 −裏面のエミッタ層（５）を第一および第二接点パターンの間で分離する、 請求項７記載の方法。 ９． スロット（４）のエッチングを、窒化物または酸化物からなるフォトリソ グラフィーにより構造化されたエッチングマスク（２）により行う、請求項７ または８記載の方法。 １０．スロット（４）のエッチングを時間的に制御して実施し、丁度シリコン基 板（１）を通して延びる開口が生じた時に終了させる、請求項７から９までの いずれか１項記載の方法。 １１．スロット（４）の長さを、シリコン基板（１）の厚さに依存して、シリコ ン基板の表面に対し斜めに延び、スロットを限定する２つの（１１１）面（１ ２）の仮想交点が丁度前面（ＶＳ）上方でシリコン基板の外部に配置されてい るように選択する、請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法。 １２．裏面（ＲＳ）上のエミッタ層（５）を、第一および第二接点パターンの間 でマスクエッチングにより分離し、その際接点パターン（７、８）をマスクと して使用する、請求項７から１１までのいずれか１項記載の方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． −前面（ＶＳ）および裏面（ＲＳ）上に結晶学的（１１０）面を有する結 晶性シリコン基板（１）、 −少なくとも前面（ＶＳ）上にドーピングされた平らなエミッタ層（５）、 −結晶学的（１１１）面に対して平行に整列され、シリコン基板の全厚を通 して延びる多数の細長いスロット（４）、 −スロット中の、エミッタ層の導電率型に相応する高いドーピング、 −バルク材料の電気的接続のための裏面上の第一格子状接点パターン（７） 、 −エミッタ層の電気的接続のための裏面上の第二格子状接点パターン（８） を有し、その際第二接点パターン（８）がスロット（４）に少なくとも部分的に 重なり、およびその際 −スロット（４）は裏面（ＲＳ）から結晶学的異方性にエッチングされ、そ れでスロット中に（１１１）面（１１、１２）が限定表面として露出されていて 、その際スロットは太陽電池の表面に対して斜めに延びる２つの壁（１２）によ り太陽電池の前面（ＶＳ）の方へ先細になる、太陽電池。 ２． シリコン基板（１）が、３つの互いに傾斜した 単結晶の、その都度（１１１）配向領域を有する三結晶ウエーハを包含し、その 相互の境界面（ＫＧｎ、ｎ＋１）は半径方向に延びて三結晶ウエーハの円形セク タを形成し、境界面の２つは（１１１）面に一次の双子粒子境界を形成する、請 求項１記載の太陽電池。 ３． 第一および第二接点パターン（７、８）が捺印された厚膜接点を包含する 、請求項１または２記載の太陽電池。 ４． スロット（４）が太陽電池の表面にわたり規則的に分布されていて、５〜 ５０μｍの幅を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の太陽電池。 ５． スロット（４）が（１１１）面に対し平行に延びるが、相互にずらされて いる、請求項１から４までのいずれか１項記載の太陽電池。 ６． 第一および第二接点パターン（７、８）が交差指的に係合する指状接点お よびその都度全指状接点を互いに結合する、その都度少なくとも１つのバス構造 を包含し、その際バス構造（７）の１つは裏面（ＲＳ）上で太陽電池縁の近くで 外側に囲繞的に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の太陽 電池。 ７． 裏面（ＲＳ）上へ転置された前面接点を有する太陽電池の製造方法におい て、−（１１０）配向の 結晶性シリコン基板を使用し、 −シリコン基板の全厚を通して延びる多数のスロット（４）を、裏面から、 アルカリ性の、結晶配向しおよび遮蔽する方法で、（１１１）面に対して平行に シリコン基板にエッチングし、 −平らなエミッタ層（５）をドーピング物質の拡散により形成し、 −裏面（ＲＳ）上に第一および第二接点パターン（７、８）を、導電性ペー ストを捺印および焼付けることにより形成し、その際第二接点パターン（８）を スロット（４）に重なるように配置する、太陽電池の製造方法。 ８． ドーピング物質の拡散を全面的に行い、 −第一接点パターン（７）の領域におけるエミッタ層のドーピングを、ペー ストの相応するドーピングにより焼付ける際に過補償し、 −裏面のエミッタ層（５）を第一および第二接点パターンの間で分離する、 請求項７記載の方法。 ９． スロット（４）のエッチングを、窒化物または酸化物からなるフォトリソ グラフィーにより構造化されたエッチングマスク（２）により行う、請求項７ま たは８記載の方法。 １０．スロット（４）のエッチングを時間的に制御して実施し、丁度シリコン基 板（１）を通して延びる開口が生じた時に終了させる、請求項７から９まで のいずれか１項記載の方法。 １１．スロット（４）の長さを、シリコン基板（１）の厚さに依存して、シリコ ン基板の表面に対し斜めに延び、スロットを限定する２つの（１１１）面（１２ ）の仮想交点が丁度前面（ＶＳ）上方でシリコン基板の外部に配置されているよ うに選択する、請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法。 １２．裏面（ＲＳ）上のエミッタ層（５）を、第一および第二接点パターンの間 でマスクエッチングにより分離し、その際接点パターン（７、８）をマスクとし て使用する、請求項７から１１までのいずれか１項記載の方法。