JP2001343663A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴ基板の環状の上層遮光膜とパッドとの
近接に伴う静電気不良の発生をチップサイズを大きくす
ることなく抑制する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板１１０には、外周寄りの領域
に金属配線１１５及びパッド部１１６が設けられ、その
外側には導電性遮光膜１２４が設けられている。導電性
遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成
する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチ
ング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１
１０の外周部に環状に残すようにしたものである。そし
て、この導電性遮光膜１２４のうち、パッド部１１６の
外側に配置される導電性遮光膜１２４Ａの位置を外側に
移動し、導電性遮光膜１２４Ａとパッド部１１６との間
隔を例えば１０μｍ以上離間させた。これにより、導電
性遮光膜１２４Ａとパッド部１１６との間の静電不良を
抑制する。
近接に伴う静電気不良の発生をチップサイズを大きくす
ることなく抑制する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板１１０には、外周寄りの領域
に金属配線１１５及びパッド部１１６が設けられ、その
外側には導電性遮光膜１２４が設けられている。導電性
遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成
する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチ
ング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１
１０の外周部に環状に残すようにしたものである。そし
て、この導電性遮光膜１２４のうち、パッド部１１６の
外側に配置される導電性遮光膜１２４Ａの位置を外側に
移動し、導電性遮光膜１２４Ａとパッド部１１６との間
隔を例えば１０μｍ以上離間させた。これにより、導電
性遮光膜１２４Ａとパッド部１１６との間の静電不良を
抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種表示装置とし
て用いられる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
て用いられる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置を構成する画素
トランジスタを搭載した駆動基板（ＴＦＴ基板）を基板
（ウェーハ）上に多数一括して形成し、基板をスクライ
ブラインで分断することにより、個々のＴＦＴ基板を得
るようにしたものが知られている。図３はこのような従
来のＴＦＴ基板上における配線パターンの一例を示す平
面図であり、図４は図３のＡ−Ａで示す領域における内
部積層構造を示す部分断面図である。
トランジスタを搭載した駆動基板（ＴＦＴ基板）を基板
（ウェーハ）上に多数一括して形成し、基板をスクライ
ブラインで分断することにより、個々のＴＦＴ基板を得
るようにしたものが知られている。図３はこのような従
来のＴＦＴ基板上における配線パターンの一例を示す平
面図であり、図４は図３のＡ−Ａで示す領域における内
部積層構造を示す部分断面図である。
【０００３】図３に示すように、１つのＴＦＴ基板１０
を形成する領域は、ウェーハ１上に格子状に形成された
スクライブライン２により区画されており、各ＴＦＴ基
板１０には画素トランジスタ１１をマトリクス状に配置
した表示領域１２が設けられている。また、この表示領
域１２の外側には、表示領域１２の各画素トランジスタ
を駆動するための垂直駆動回路１３及び水平駆動回路１
４が設けられ、さらに、その外側に金属配線１５が設け
られるとともに、複数のパッド部１６が設けられてい
る。パッド部１６は、表示領域１２の水平駆動回路１４
を設けた１つの辺に沿って並行に配列されている。そし
て、これらのパッド部１６は金属配線１５に接続されて
おり、検査機器等の端子が接触するものである。なお、
いくつかのパッド部１６は、金属配線１５に接続されな
いダミーとして設けられている。また、金属配線１５の
コーナ部にはコモン電極部１５Ａが設けられ、各駆動回
路１３、１４等への給電が行われるようになっている。
を形成する領域は、ウェーハ１上に格子状に形成された
スクライブライン２により区画されており、各ＴＦＴ基
板１０には画素トランジスタ１１をマトリクス状に配置
した表示領域１２が設けられている。また、この表示領
域１２の外側には、表示領域１２の各画素トランジスタ
を駆動するための垂直駆動回路１３及び水平駆動回路１
４が設けられ、さらに、その外側に金属配線１５が設け
られるとともに、複数のパッド部１６が設けられてい
る。パッド部１６は、表示領域１２の水平駆動回路１４
を設けた１つの辺に沿って並行に配列されている。そし
て、これらのパッド部１６は金属配線１５に接続されて
おり、検査機器等の端子が接触するものである。なお、
いくつかのパッド部１６は、金属配線１５に接続されな
いダミーとして設けられている。また、金属配線１５の
コーナ部にはコモン電極部１５Ａが設けられ、各駆動回
路１３、１４等への給電が行われるようになっている。
【０００４】また、図４において、石英基板２０上に設
けた層間絶縁膜２１上に多結晶シリコン膜２２が形成さ
れ、その上層にＡｌ電極膜２３、上層遮光膜２４が設け
られている。また、上層遮光膜２４の上に層間絶縁膜２
５を介して透明電極２６が設けられている。また、多結
晶シリコン膜２２の外周部には、層間絶縁膜２７及び２
８が設けられ、上方に突出した形状によりスクライブラ
インの溝を形成している。なお、上層遮光膜２４はＡｌ
やＴｉ等を用いた合金等から形成された導電性遮光膜で
ある。また、透明電極２６はＩＴＯ膜等から形成され、
層間絶縁膜２５はＰ型ＴＥＯＳ膜またはＳＯＧ膜等から
形成されている。また、その他の層間絶縁膜は、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜等が適宜用いられている。
けた層間絶縁膜２１上に多結晶シリコン膜２２が形成さ
れ、その上層にＡｌ電極膜２３、上層遮光膜２４が設け
られている。また、上層遮光膜２４の上に層間絶縁膜２
５を介して透明電極２６が設けられている。また、多結
晶シリコン膜２２の外周部には、層間絶縁膜２７及び２
８が設けられ、上方に突出した形状によりスクライブラ
インの溝を形成している。なお、上層遮光膜２４はＡｌ
やＴｉ等を用いた合金等から形成された導電性遮光膜で
ある。また、透明電極２６はＩＴＯ膜等から形成され、
層間絶縁膜２５はＰ型ＴＥＯＳ膜またはＳＯＧ膜等から
形成されている。また、その他の層間絶縁膜は、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜等が適宜用いられている。
【０００５】ところで、このようなＴＦＴ基板の作製に
おいて、ウェーハのストレスによる反りを緩和するため
の対策として、スクラブライン上に成膜される各薄膜
を、それらを成膜する毎に、ドライまたはウエットエッ
チングとリソグラフィ技術を用いて取り除くような処理
を行っている。このため、上層遮光層２４を形成する段
階ではスクライブラインの溝が深くなり、この上層遮光
膜２４を加工する際に、スクライブラインの底部に上層
遮光層が残り、この部分が加工後の洗浄などで剥がれ、
例えば画素間のショートを招く原因になっていた。そこ
で、図４に示すように、ＴＦＴ基板の外周部に沿って上
層遮光膜を環状に残すことにより上層遮光膜が剥がれに
くくなる構造を採用して対応していた。
おいて、ウェーハのストレスによる反りを緩和するため
の対策として、スクラブライン上に成膜される各薄膜
を、それらを成膜する毎に、ドライまたはウエットエッ
チングとリソグラフィ技術を用いて取り除くような処理
を行っている。このため、上層遮光層２４を形成する段
階ではスクライブラインの溝が深くなり、この上層遮光
膜２４を加工する際に、スクライブラインの底部に上層
遮光層が残り、この部分が加工後の洗浄などで剥がれ、
例えば画素間のショートを招く原因になっていた。そこ
で、図４に示すように、ＴＦＴ基板の外周部に沿って上
層遮光膜を環状に残すことにより上層遮光膜が剥がれに
くくなる構造を採用して対応していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにＴＦＴ基板の外周部に沿って上層遮光膜を環状に残
すようにした場合、図５に示すように、上述したパッド
部１６の周辺にも、上層遮光膜２４（図５に実線２４Ａ
で示す）が配置されることになり、このような環状の上
層遮光膜２４の存在によって液晶工程で静電気によるダ
メージが入りやすくなるという問題がある。これに対
し、環状の上層遮光膜をパッド部から遠ざけた位置に形
成することにより、静電気の悪影響を防止することも可
能であるが、スクライブライン上には、種々の合わせマ
ーク、ＴＥＧが配置されており、環状の上層遮光膜をＴ
ＦＴ基板の全周にわたって中心から遠ざけた位置に形成
すると、その配置スペースのためにスクライブラインを
太くする必要があり、また、チップサイズが大きくな
り、ひいてはＴＦＴ基板からの収率数が減少するという
問題が生じる。
うにＴＦＴ基板の外周部に沿って上層遮光膜を環状に残
すようにした場合、図５に示すように、上述したパッド
部１６の周辺にも、上層遮光膜２４（図５に実線２４Ａ
で示す）が配置されることになり、このような環状の上
層遮光膜２４の存在によって液晶工程で静電気によるダ
メージが入りやすくなるという問題がある。これに対
し、環状の上層遮光膜をパッド部から遠ざけた位置に形
成することにより、静電気の悪影響を防止することも可
能であるが、スクライブライン上には、種々の合わせマ
ーク、ＴＥＧが配置されており、環状の上層遮光膜をＴ
ＦＴ基板の全周にわたって中心から遠ざけた位置に形成
すると、その配置スペースのためにスクライブラインを
太くする必要があり、また、チップサイズが大きくな
り、ひいてはＴＦＴ基板からの収率数が減少するという
問題が生じる。
【０００７】そこで本発明の目的は、ＴＦＴ基板の環状
の上層遮光膜とパッドとの近接に伴う静電気不良の発生
をチップサイズを大きくすることなく抑制できる液晶表
示装置及びその製造方法を提供することにある。
の上層遮光膜とパッドとの近接に伴う静電気不良の発生
をチップサイズを大きくすることなく抑制できる液晶表
示装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、基板上に複数一括して形成され、前記基板を
スクライブラインで分断することにより作製された駆動
基板を有する液晶表示装置において、前記駆動基板の外
周部に沿って環状に形成された導電性遮光膜と、前記駆
動基板の一辺に沿って前記導電性遮光膜の内側に配列さ
れた複数のパッド部とを有し、前記駆動基板のパッド部
を設けた辺において前記導電性遮光膜と前記各パッドと
の間隔が少なくとも１０μｍ以上離間していることを特
徴とする。また本発明は、基板上に複数一括して形成さ
れ、前記基板をスクライブラインで分断することにより
作製された駆動基板を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記駆動基板の外周部に沿って環状に導電性遮
光膜を形成する工程と、前記駆動基板の一辺に沿って前
記導電性遮光膜の内側に配列された複数のパッド部を形
成する工程とを有し、前記駆動基板のパッド部を設けた
辺において前記導電性遮光膜と前記各パッドとの間隔を
少なくとも１０μｍ以上離間して形成したことを特徴と
する。
するため、基板上に複数一括して形成され、前記基板を
スクライブラインで分断することにより作製された駆動
基板を有する液晶表示装置において、前記駆動基板の外
周部に沿って環状に形成された導電性遮光膜と、前記駆
動基板の一辺に沿って前記導電性遮光膜の内側に配列さ
れた複数のパッド部とを有し、前記駆動基板のパッド部
を設けた辺において前記導電性遮光膜と前記各パッドと
の間隔が少なくとも１０μｍ以上離間していることを特
徴とする。また本発明は、基板上に複数一括して形成さ
れ、前記基板をスクライブラインで分断することにより
作製された駆動基板を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記駆動基板の外周部に沿って環状に導電性遮
光膜を形成する工程と、前記駆動基板の一辺に沿って前
記導電性遮光膜の内側に配列された複数のパッド部を形
成する工程とを有し、前記駆動基板のパッド部を設けた
辺において前記導電性遮光膜と前記各パッドとの間隔を
少なくとも１０μｍ以上離間して形成したことを特徴と
する。
【０００９】本発明による液晶表示装置では、駆動基板
のパッド部を設けた辺において導電性遮光膜と各パッド
との間隔が１０μｍ以上離間して配置されている。この
１０μｍ以上という間隔は、静電気による不良発生率を
低下できる値として判明している。したがって、導電性
遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間させるこ
とにより、導電性遮光膜と各パッドとの間の静電気によ
る不良を抑制できる。また、駆動基板のパッド部を設け
た辺においてだけ、導電性遮光膜と各パッドとの間隔を
１０μｍ以上離間させることにより、駆動基板の全周に
わたって導電性遮光膜を中心から遠ざけることがなく、
チップサイズをそれほど大きくすることなく実現でき
る。
のパッド部を設けた辺において導電性遮光膜と各パッド
との間隔が１０μｍ以上離間して配置されている。この
１０μｍ以上という間隔は、静電気による不良発生率を
低下できる値として判明している。したがって、導電性
遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間させるこ
とにより、導電性遮光膜と各パッドとの間の静電気によ
る不良を抑制できる。また、駆動基板のパッド部を設け
た辺においてだけ、導電性遮光膜と各パッドとの間隔を
１０μｍ以上離間させることにより、駆動基板の全周に
わたって導電性遮光膜を中心から遠ざけることがなく、
チップサイズをそれほど大きくすることなく実現でき
る。
【００１０】また、本発明による液晶表示装置の製造方
法でも同様に、駆動基板のパッド部を設けた辺において
導電性遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間し
て配置する。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できる。
また、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだけ、導
電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間させ
ることにより、駆動基板の全周にわたって導電性遮光膜
を中心から遠ざけることがなく、チップサイズをそれほ
ど大きくすることなく実現できる。
法でも同様に、駆動基板のパッド部を設けた辺において
導電性遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間し
て配置する。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できる。
また、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだけ、導
電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間させ
ることにより、駆動基板の全周にわたって導電性遮光膜
を中心から遠ざけることがなく、チップサイズをそれほ
ど大きくすることなく実現できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
とその製造方法の実施の形態について説明する。図１は
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置のＴＦＴ
基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置関係を示
す要部平面図である。本例のＴＦＴ基板１１０は、ウェ
ーハ１０１上に格子状に形成されたスクライブライン
（図１では省略する）により区画された領域に形成さ
れ、ウェーハ１０１をスクライブラインで分断すること
により、複数一括して形成されるものである。このＴＦ
Ｔ基板１１０には、中央に画素トランジスタ（図１では
省略する）をマトリクス状に配置した表示領域１１２が
設けられており、この表示領域１１２の外側に、表示領
域１１２の各画素トランジスタを駆動するための垂直駆
動回路１１３及び水平駆動回路１１４が設けられ、さら
に、その外側に金属配線１１５が設けられるとともに、
複数のパッド部１１６が設けられている。
とその製造方法の実施の形態について説明する。図１は
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置のＴＦＴ
基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置関係を示
す要部平面図である。本例のＴＦＴ基板１１０は、ウェ
ーハ１０１上に格子状に形成されたスクライブライン
（図１では省略する）により区画された領域に形成さ
れ、ウェーハ１０１をスクライブラインで分断すること
により、複数一括して形成されるものである。このＴＦ
Ｔ基板１１０には、中央に画素トランジスタ（図１では
省略する）をマトリクス状に配置した表示領域１１２が
設けられており、この表示領域１１２の外側に、表示領
域１１２の各画素トランジスタを駆動するための垂直駆
動回路１１３及び水平駆動回路１１４が設けられ、さら
に、その外側に金属配線１１５が設けられるとともに、
複数のパッド部１１６が設けられている。
【００１２】パッド部１１６は、表示領域１１２の水平
駆動回路１１４を設けた１つの辺に沿って並行に配列さ
れている。そして、これらのパッド部１１６は金属配線
１１５に接続されており、検査機器等の端子が接触する
ものである。なお、いくつかのパッド部１１６は、金属
配線１１５に接続されないダミーとして設けられてい
る。また、金属配線１１５のコーナ部にはコモン電極部
１１５Ａが設けられ、各駆動回路１１３、１１４等への
給電が行われるようになっている。
駆動回路１１４を設けた１つの辺に沿って並行に配列さ
れている。そして、これらのパッド部１１６は金属配線
１１５に接続されており、検査機器等の端子が接触する
ものである。なお、いくつかのパッド部１１６は、金属
配線１１５に接続されないダミーとして設けられてい
る。また、金属配線１１５のコーナ部にはコモン電極部
１１５Ａが設けられ、各駆動回路１１３、１１４等への
給電が行われるようになっている。
【００１３】また、金属配線１１５及びパッド部１１６
の外側には、導電性遮光膜１２４が設けられている。こ
の導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０の外周部に
沿って四角形の環状に形成されたものであり、ＴＦＴ基
板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブラ
イン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しに
くくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残す
ようにしたものである。なお、この導電性遮光膜１２４
は、Ｗ、ＭＯ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡＬ、Ｃｕ、Ｚｎ
と、それらのシリサイドと、それらの合金のいずれかの
組み合わせを用いて、５０〜５００ｎｍの範囲の膜厚で
形成できる。また、この導電性遮光膜１２４は、２００
ＫΩ／□以下の低抵抗を有し、少なくとも４００〜５０
０ｎｍの領域の光に対して透過率が１０％以下のものと
なっている。
の外側には、導電性遮光膜１２４が設けられている。こ
の導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０の外周部に
沿って四角形の環状に形成されたものであり、ＴＦＴ基
板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブラ
イン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しに
くくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残す
ようにしたものである。なお、この導電性遮光膜１２４
は、Ｗ、ＭＯ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡＬ、Ｃｕ、Ｚｎ
と、それらのシリサイドと、それらの合金のいずれかの
組み合わせを用いて、５０〜５００ｎｍの範囲の膜厚で
形成できる。また、この導電性遮光膜１２４は、２００
ＫΩ／□以下の低抵抗を有し、少なくとも４００〜５０
０ｎｍの領域の光に対して透過率が１０％以下のものと
なっている。
【００１４】そして、本例においては、パッド部１１６
の外側に配置される導電性遮光膜１２４Ａの位置を、図
５に示した従来例（図１に破線２４Ｂで示す）に比較し
て１４７ｎｍだけ外側に移動することにより、導電性遮
光膜１２４Ａとパッド部１１６との間隔を例えば１０μ
ｍ以上離間させた。すなわち、図１に示すように、環状
の導電性遮光膜１２４のうちパッド部１１６が配列され
た部分の導電性遮光膜１２４Ａだけを１４７ｎｍだけ外
側に形成している。なお、このような導電性遮光膜１２
４の位置及び形状の変更に伴い、スクライブラインの位
置及び形状のも導電性遮光膜１２４、１２４Ａに対応す
るように形成している。
の外側に配置される導電性遮光膜１２４Ａの位置を、図
５に示した従来例（図１に破線２４Ｂで示す）に比較し
て１４７ｎｍだけ外側に移動することにより、導電性遮
光膜１２４Ａとパッド部１１６との間隔を例えば１０μ
ｍ以上離間させた。すなわち、図１に示すように、環状
の導電性遮光膜１２４のうちパッド部１１６が配列され
た部分の導電性遮光膜１２４Ａだけを１４７ｎｍだけ外
側に形成している。なお、このような導電性遮光膜１２
４の位置及び形状の変更に伴い、スクライブラインの位
置及び形状のも導電性遮光膜１２４、１２４Ａに対応す
るように形成している。
【００１５】このようなＴＦＴ基板を製造する場合、導
電性遮光膜として、例えばＡＬ／ＴｉＯｎ／Ｔｉを１０
０ｎｍ／５０ｎｍ／１００ｎｍの膜厚で順番に成膜後、
エッチング等によってパターン形成し、平面的に６μｍ
の幅を有する帯状パターンで形成する。この後、Ｐ−Ｔ
ＥＯＳを１００ｎｍ成膜後、ＳＯＧ（ＳｐｉｎｏｎＧｒ
ａｓｓ）を４００ｎｍ成膜して層間絶縁膜を形成し、コ
ンタクトホールを開け、膜厚が７０ｎｍのＩＴＯ膜から
なる透明画素電極を形成する。このような構造により、
パッド部とフレキシブル基板との圧着作業において、圧
着マージンが増え、静電気によるパッド部とフレキシブ
ル基板とのショートが低減できる。
電性遮光膜として、例えばＡＬ／ＴｉＯｎ／Ｔｉを１０
０ｎｍ／５０ｎｍ／１００ｎｍの膜厚で順番に成膜後、
エッチング等によってパターン形成し、平面的に６μｍ
の幅を有する帯状パターンで形成する。この後、Ｐ−Ｔ
ＥＯＳを１００ｎｍ成膜後、ＳＯＧ（ＳｐｉｎｏｎＧｒ
ａｓｓ）を４００ｎｍ成膜して層間絶縁膜を形成し、コ
ンタクトホールを開け、膜厚が７０ｎｍのＩＴＯ膜から
なる透明画素電極を形成する。このような構造により、
パッド部とフレキシブル基板との圧着作業において、圧
着マージンが増え、静電気によるパッド部とフレキシブ
ル基板とのショートが低減できる。
【００１６】なお、以上の例では、環状の導電性遮光膜
１２４のうちＰＡＤ部１１６が配列された範囲の導電性
遮光膜１２４ＡをＰＡＤ部１１６より離間させるように
したが、図２に示すように、導電性遮光膜１２４のうち
ＰＡＤ部１１６が配置された辺の導電性遮光膜１２４を
全体的にＰＡＤ部１１６より離間させるようにしてもよ
い。また、その他の構成は、図１に示す例と同様である
ので説明は省略する。
１２４のうちＰＡＤ部１１６が配列された範囲の導電性
遮光膜１２４ＡをＰＡＤ部１１６より離間させるように
したが、図２に示すように、導電性遮光膜１２４のうち
ＰＡＤ部１１６が配置された辺の導電性遮光膜１２４を
全体的にＰＡＤ部１１６より離間させるようにしてもよ
い。また、その他の構成は、図１に示す例と同様である
ので説明は省略する。
【００１７】また、以上の例は、ＴＦＴ基板をスクライ
ブラインでウェーハから分断した後も導電性遮光膜がＴ
ＦＴ基板の外周部に残存するように構成したものであっ
たが、導電性遮光膜をＰＡＤ部より大きく後退した位置
に形成することにより、ＴＦＴ基板をスクライブライン
でウェーハから分断した際に、導電性遮光膜も一緒に切
り取られるようにすることも可能である。このような製
造方法によれば、パッド部とフレキシブル基板との圧着
作業において、パッド部の周辺には導電性遮光膜が存在
しないことになり、静電気によるＰＡＤ基板とフレキシ
ブル基板とのショートをさらに確実に低減できる。
ブラインでウェーハから分断した後も導電性遮光膜がＴ
ＦＴ基板の外周部に残存するように構成したものであっ
たが、導電性遮光膜をＰＡＤ部より大きく後退した位置
に形成することにより、ＴＦＴ基板をスクライブライン
でウェーハから分断した際に、導電性遮光膜も一緒に切
り取られるようにすることも可能である。このような製
造方法によれば、パッド部とフレキシブル基板との圧着
作業において、パッド部の周辺には導電性遮光膜が存在
しないことになり、静電気によるＰＡＤ基板とフレキシ
ブル基板とのショートをさらに確実に低減できる。
【００１８】なお、以上のような実施の形態において、
導電性遮光膜１２４Ａの位置は、ＰＡＤ部から５μｍ以
上離間した位置に配置されていれば、一定の効果を得ら
れるものであるが、確実な効果を得るための値として１
０μｍ以上離間した位置に配置するものとし、さらに望
ましい範囲としては１５０μｍ以上〜２００ｎｍ以内の
範囲で設定するのがよい。また、導電性遮光層は、隣接
配線へのカップリング容量の原因となるため、１００Ｋ
Ω／□以下の低抵抗が良く、好ましくは１０ＫΩ／□以
下とするのがよい。
導電性遮光膜１２４Ａの位置は、ＰＡＤ部から５μｍ以
上離間した位置に配置されていれば、一定の効果を得ら
れるものであるが、確実な効果を得るための値として１
０μｍ以上離間した位置に配置するものとし、さらに望
ましい範囲としては１５０μｍ以上〜２００ｎｍ以内の
範囲で設定するのがよい。また、導電性遮光層は、隣接
配線へのカップリング容量の原因となるため、１００Ｋ
Ω／□以下の低抵抗が良く、好ましくは１０ＫΩ／□以
下とするのがよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置では、駆動基板のパッド部を設けた辺において導電性
遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間して配置
されている。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できると
ともに、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだけ、
導電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間さ
せることにより、駆動基板の全周にわたって導電性遮光
膜を中心から遠ざけることがなく、チップサイズをそれ
ほど大きくすることなく実現できる効果がある。
置では、駆動基板のパッド部を設けた辺において導電性
遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間して配置
されている。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できると
ともに、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだけ、
導電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離間さ
せることにより、駆動基板の全周にわたって導電性遮光
膜を中心から遠ざけることがなく、チップサイズをそれ
ほど大きくすることなく実現できる効果がある。
【００２０】また、本発明による液晶表示装置の製造方
法でも同様に、駆動基板のパッド部を設けた辺において
導電性遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間し
て配置する。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できるる
とともに、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだ
け、導電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離
間させることにより、駆動基板の全周にわたって導電性
遮光膜を中心から遠ざけることがなく、チップサイズを
それほど大きくすることなく実現できる効果がある。
法でも同様に、駆動基板のパッド部を設けた辺において
導電性遮光膜と各パッドとの間隔が１０μｍ以上離間し
て配置する。したがって、導電性遮光膜と各パッドとの
間隔を１０μｍ以上離間させることにより、導電性遮光
膜と各パッドとの間の静電気による不良を抑制できるる
とともに、駆動基板のパッド部を設けた辺においてだ
け、導電性遮光膜と各パッドとの間隔を１０μｍ以上離
間させることにより、駆動基板の全周にわたって導電性
遮光膜を中心から遠ざけることがなく、チップサイズを
それほど大きくすることなく実現できる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
のＴＦＴ基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置
関係を示す要部平面図である。
のＴＦＴ基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置
関係を示す要部平面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置
のＴＦＴ基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置
関係を示す要部平面図である。
のＴＦＴ基板上におけるパッド部と導電性遮光膜の配置
関係を示す要部平面図である。
【図３】従来のＴＦＴ基板上における配線パターンの一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａで示す領域における内部積層構造
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図５】図３に示すＴＦＴ基板上におけるパッド部と導
電性遮光膜の配置関係を示す要部平面図である。
電性遮光膜の配置関係を示す要部平面図である。
１０１……ウェーハ、１１０……ＴＦＴ基板、１１２…
…表示領域、１１３……垂直駆動回路、１１４……水平
駆動回路、１１５……金属配線、１１６……パッド部、
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ……導電性遮光膜。
…表示領域、１１３……垂直駆動回路、１１４……水平
駆動回路、１１５……金属配線、１１６……パッド部、
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ……導電性遮光膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H090 JA06 JB02 JC02 JC13 JC17 JC18 LA04 2H092 GA46 GA57 GA59 JA24 JB51 JB58 JB79 KA04 KA07 KB14 KB25 NA14 NA25 NA27 PA01 5C094 AA15 AA21 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 ED15 FB12 FB14 FB15 5G435 AA16 BB12 EE33 EE37 EE41 FF13 GG32 HH12 KK05
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に複数一括して形成され、前記基
板をスクライブラインで分断することにより作製された
駆動基板を有する液晶表示装置において、 前記駆動基板の外周部に沿って環状に形成された導電性
遮光膜と、 前記駆動基板の一辺に沿って前記導電性遮光膜の内側に
配列された複数のパッド部とを有し、 前記駆動基板のパッド部を設けた辺において前記導電性
遮光膜と前記各パッドとの間隔が少なくとも１０μｍ以
上離間している、 ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記導電性遮光膜は、Ｗ、ＭＯ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎと、それらのシリサイド
と、それらの合金のいずれかの組み合わせを用いたこと
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記導電性遮光膜の膜厚は、５０以上５
００以下ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。 - 【請求項４】 前記導電性遮光膜は、２００ＫΩ／□以
下の低抵抗を有することを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 前記導電性遮光膜は、少なくとも４００
以上５００以下ｎｍの領域の光に対して透過率が１０％
以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 基板上に複数一括して形成され、前記基
板をスクライブラインで分断することにより作製された
駆動基板を有する液晶表示装置の製造方法において、 前記駆動基板の外周部に沿って環状に導電性遮光膜を形
成する工程と、 前記駆動基板の一辺に沿って前記導電性遮光膜の内側に
配列された複数のパッド部を形成する工程とを有し、 前記駆動基板のパッド部を設けた辺において前記導電性
遮光膜と前記各パッドとの間隔を少なくとも１０μｍ以
上離間して形成した、 ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記導電性遮光膜は画素トランジスタま
たは周辺駆動回路の配線成膜時または遮光用薄膜成膜時
に同時に成膜し、前記配線または遮光用薄膜のパターン
形成時に同時にパターン形成することを特徴とする請求
項６記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記導電性遮光膜は基板の加工時にだけ
基板上に存在し、駆動基板の分断時には除去することを
特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2000162775A JP2001343663A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP01113081A EP1160616A1 (en) | 2000-05-31 | 2001-05-29 | Liquid crystal display device and method of producing the same |
| KR1020010029959A KR100762113B1 (ko) | 2000-05-31 | 2001-05-30 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US09/871,122 US6441876B1 (en) | 2000-05-31 | 2001-05-31 | Liquid crystal display device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000162775A JP2001343663A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001343663A true JP2001343663A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000162775A Pending JP2001343663A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6441876B1 (ja) |
| EP (1) | EP1160616A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001343663A (ja) |
| KR (1) | KR100762113B1 (ja) |
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| US7365494B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN100437236C (zh) * | 2005-10-28 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板与其上的线路布局 |
| KR101424784B1 (ko) | 2006-01-10 | 2014-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2008164787A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| JP2012208301A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および投射型表示装置 |
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Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US6011607A (en) * | 1995-02-15 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Active matrix display with sealing material |
| JPH0950044A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Sony Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| US5739880A (en) * | 1995-12-01 | 1998-04-14 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source |
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