JP2001338755A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】両電極側から光が放射される有機ＥＬ素子の場
合でも、有機ＥＬ素子の封止が良好に行われるようにす
る。 【解決手段】透明基板１上に積層体２０を形成する。積
層体２０は、透明電極２と正孔注入／輸送層３と発光層
４と陰極５とからなる。積層体２０の陰極５上面と積層
体２０の端面を、ＬｉＦからなる第一封止層６で覆う。
第一封止層６の外側をエポキシ樹脂からなる第二封止層
７で覆う。
合でも、有機ＥＬ素子の封止が良好に行われるようにす
る。 【解決手段】透明基板１上に積層体２０を形成する。積
層体２０は、透明電極２と正孔注入／輸送層３と発光層
４と陰極５とからなる。積層体２０の陰極５上面と積層
体２０の端面を、ＬｉＦからなる第一封止層６で覆う。
第一封止層６の外側をエポキシ樹脂からなる第二封止層
７で覆う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイや面
光源装置等に使用される有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）素子およびその製造方法に関する。
光源装置等に使用される有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイに替わる自発光
型ディスプレイとして、有機ＥＬ素子（陽極と陰極との
間に有機物からなる発光層を設けた構造の発光素子）の
開発が加速度的に進んでいる。従来の有機ＥＬ素子の構
造としては、透明基板の上に、透明電極からなる陽極、
正孔注入／輸送層、発光層、光透過性でない陰極がこの
順に形成されている構造が挙げられる。この構造の有機
ＥＬ素子では、発光層で電子とホールが結合して生じた
光は基板側に放射される。
型ディスプレイとして、有機ＥＬ素子（陽極と陰極との
間に有機物からなる発光層を設けた構造の発光素子）の
開発が加速度的に進んでいる。従来の有機ＥＬ素子の構
造としては、透明基板の上に、透明電極からなる陽極、
正孔注入／輸送層、発光層、光透過性でない陰極がこの
順に形成されている構造が挙げられる。この構造の有機
ＥＬ素子では、発光層で電子とホールが結合して生じた
光は基板側に放射される。
【０００３】有機ＥＬ素子の特徴は、 低電圧を印加する
だけで高輝度、高効率で発光が生じることにある。しか
しながら、有機ＥＬ素子には、素子の構成部材が経時変
化で劣化することに伴って、この優れた特性が得られな
くなるという問題点がある。その原因としては、 特に陰
極と発光層が大気中の酸素や水により酸化されることが
挙げられている。
だけで高輝度、高効率で発光が生じることにある。しか
しながら、有機ＥＬ素子には、素子の構成部材が経時変
化で劣化することに伴って、この優れた特性が得られな
くなるという問題点がある。その原因としては、 特に陰
極と発光層が大気中の酸素や水により酸化されることが
挙げられている。
【０００４】その対策として、特開平５−１８２７５９
号公報および特開平７−２８２９７５号公報には、基板
上の少なくとも陽極、発光層、陰極からなる積層体を、
内側の第一封止層と外側の第二封止層からなる二層構造
の封止材で封止することが提案されている。これらの公
報には、第一封止層として、ＳｉＯ2 膜またはＳｉＯ膜
をスパッタリング法または蒸着法で形成し、第二封止層
として、防湿性を有する光硬化性樹脂層または熱可塑性
高分子層を形成することが記載されている。一方、陽極
だけでなく陰極も光透過性であれば、発光層で電子とホ
ールが結合して生じた光は陰極側にも放射される。「Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６８（１９）、
６Ｍａｙ，１９９６」の２６０６頁には、ＭｇとＡｇを
共蒸着して得られた薄膜を陰極として形成することによ
り、陰極側にも光が放射される有機ＥＬ素子が記載され
ている。この有機ＥＬ素子では、発光層として低分子量
の有機材料であるアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）
を用いている。また、ＭｇとＡｇとからなる陰極の上に
ＩＴＯ膜をスパッタリング法で成膜している。このＩＴ
Ｏ膜は、封止層および補助陰極として設けられている。
号公報および特開平７−２８２９７５号公報には、基板
上の少なくとも陽極、発光層、陰極からなる積層体を、
内側の第一封止層と外側の第二封止層からなる二層構造
の封止材で封止することが提案されている。これらの公
報には、第一封止層として、ＳｉＯ2 膜またはＳｉＯ膜
をスパッタリング法または蒸着法で形成し、第二封止層
として、防湿性を有する光硬化性樹脂層または熱可塑性
高分子層を形成することが記載されている。一方、陽極
だけでなく陰極も光透過性であれば、発光層で電子とホ
ールが結合して生じた光は陰極側にも放射される。「Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６８（１９）、
６Ｍａｙ，１９９６」の２６０６頁には、ＭｇとＡｇを
共蒸着して得られた薄膜を陰極として形成することによ
り、陰極側にも光が放射される有機ＥＬ素子が記載され
ている。この有機ＥＬ素子では、発光層として低分子量
の有機材料であるアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）
を用いている。また、ＭｇとＡｇとからなる陰極の上に
ＩＴＯ膜をスパッタリング法で成膜している。このＩＴ
Ｏ膜は、封止層および補助陰極として設けられている。
【０００５】また、この文献には、陰極側の封止方法が
初期特性に顕著な影響を与えることが記載されている。
具体的には、封止層の形成条件（酸素量等）に起因し
て、有機ＥＬ素子のしきい値電圧が高くなることが記載
されている。
初期特性に顕著な影響を与えることが記載されている。
具体的には、封止層の形成条件（酸素量等）に起因し
て、有機ＥＬ素子のしきい値電圧が高くなることが記載
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、二層構
造の封止材で封止する際の第一封止層としてＳｉＯ2 膜
またはＳｉＯ膜を形成すると、この第一封止層に接触す
る陰極が酸化される恐れがある。両電極側に光が放射さ
れる有機ＥＬ素子においても、陰極としてカルシウム等
の仕事関数が小さい材料を用いることが好ましいが、こ
の場合に第一封止層としてＳｉＯ2 膜またはＳｉＯ膜を
形成すると陰極の酸化が特に生じ易くなる。
造の封止材で封止する際の第一封止層としてＳｉＯ2 膜
またはＳｉＯ膜を形成すると、この第一封止層に接触す
る陰極が酸化される恐れがある。両電極側に光が放射さ
れる有機ＥＬ素子においても、陰極としてカルシウム等
の仕事関数が小さい材料を用いることが好ましいが、こ
の場合に第一封止層としてＳｉＯ2 膜またはＳｉＯ膜を
形成すると陰極の酸化が特に生じ易くなる。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目してなされたものであり、両電極側に光が放射され
る有機ＥＬ素子の場合でも、有機ＥＬ素子の封止が良好
に行われるようにすることを課題とする。
着目してなされたものであり、両電極側に光が放射され
る有機ＥＬ素子の場合でも、有機ＥＬ素子の封止が良好
に行われるようにすることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に、陰極と陽極の間に有機材料か
らなる発光層を有する構造の積層体を備え、この積層体
の少なくとも基板側とは反対側の面が、内側の第一封止
層と外側の第二封止層からなる二層構造の封止材で封止
されている有機ＥＬ素子において、第一封止層はアルカ
リ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物からな
り、第二封止層は防湿性を有する樹脂材料からなること
を特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
に、本発明は、基板上に、陰極と陽極の間に有機材料か
らなる発光層を有する構造の積層体を備え、この積層体
の少なくとも基板側とは反対側の面が、内側の第一封止
層と外側の第二封止層からなる二層構造の封止材で封止
されている有機ＥＬ素子において、第一封止層はアルカ
リ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物からな
り、第二封止層は防湿性を有する樹脂材料からなること
を特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
【０００９】この有機ＥＬ素子では、第一封止層がアル
カリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物からな
るため、積層体の少なくとも基板側とは反対側の面が酸
化され難くなる。
カリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物からな
るため、積層体の少なくとも基板側とは反対側の面が酸
化され難くなる。
【００１０】第一封止層をなすアルカリ金属またはアル
カリ土類金属のハロゲン化物としては、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化ナ
トリウム（ＮａＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩
化カリウム（ＫＣｌ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）、フッ
化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）、塩化リチウム（ＬｉＣ
ｌ）等が挙げられる。これらのうちフッ化リチウム（Ｌ
ｉＦ）が特に好ましい。
カリ土類金属のハロゲン化物としては、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化ナ
トリウム（ＮａＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩
化カリウム（ＫＣｌ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）、フッ
化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）、塩化リチウム（ＬｉＣ
ｌ）等が挙げられる。これらのうちフッ化リチウム（Ｌ
ｉＦ）が特に好ましい。
【００１１】特に、積層体の基板側とは反対側に配置さ
れる電極が、著しく酸化されやすい仕事関数の小さな金
属材料（例えば、カルシウムを含む材料）で形成されて
いる場合であっても、この電極に接触する第一封止層
を、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化
物（特にＬｉＦ）からなる層とすることによって、前記
電極の酸化が効果的に防止される。
れる電極が、著しく酸化されやすい仕事関数の小さな金
属材料（例えば、カルシウムを含む材料）で形成されて
いる場合であっても、この電極に接触する第一封止層
を、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化
物（特にＬｉＦ）からなる層とすることによって、前記
電極の酸化が効果的に防止される。
【００１２】また、ＬｉＦからなる層は、適切な膜厚に
形成することによって、可視光領域での透過率をガラス
以上に高くすることができるため、両電極側に光が放射
される有機ＥＬ素子用の第一封止材として好適である。
形成することによって、可視光領域での透過率をガラス
以上に高くすることができるため、両電極側に光が放射
される有機ＥＬ素子用の第一封止材として好適である。
【００１３】第二封止層の材料としては、アクリル樹脂
やエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのうちエポキシ
樹脂は、防湿性が高く可視光の透過率も高いため特に好
ましい。エポキシ樹脂からなる第二封止層は、例えば、
液状の熱硬化性エポキシ樹脂または光硬化性エポキシ樹
脂を塗布した後に硬化させることで、容易に形成するこ
とができる。
やエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのうちエポキシ
樹脂は、防湿性が高く可視光の透過率も高いため特に好
ましい。エポキシ樹脂からなる第二封止層は、例えば、
液状の熱硬化性エポキシ樹脂または光硬化性エポキシ樹
脂を塗布した後に硬化させることで、容易に形成するこ
とができる。
【００１４】前述の電極の酸化防止効果を十分に得ると
ともに、第二封止層の形成時に積層体（特に発光層）が
劣化することを防止するためには、第一封止層の厚さを
３００Å以上にすることが好ましい。また、第一封止層
の成膜時に発光層等が熱で劣化することを防止する観点
から、第一封止層の膜厚は例えば５００Å以下とするこ
とが好ましい。
ともに、第二封止層の形成時に積層体（特に発光層）が
劣化することを防止するためには、第一封止層の厚さを
３００Å以上にすることが好ましい。また、第一封止層
の成膜時に発光層等が熱で劣化することを防止する観点
から、第一封止層の膜厚は例えば５００Å以下とするこ
とが好ましい。
【００１５】さらに、本発明の有機ＥＬ素子において
は、前記積層体の基板側とは反対側の面および端面が、
アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物か
らなる第一封止層と、防湿性を有する樹脂材料からなる
第二封止層と、からなる二層構造の封止材で封止されて
いることが好ましい。
は、前記積層体の基板側とは反対側の面および端面が、
アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物か
らなる第一封止層と、防湿性を有する樹脂材料からなる
第二封止層と、からなる二層構造の封止材で封止されて
いることが好ましい。
【００１６】本発明はまた、基板上に、陰極と陽極の間
に有機材料からなる発光層を有する構造の積層体を形成
する工程と、形成された積層体の少なくとも基板側とは
反対側の面に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物からなる第一封止層を、実質的に酸素およ
び水が存在しない雰囲気下で形成する工程と、第一封止
層の外側に防湿性を有する樹脂材料からなる第二封止層
を、実質的に酸素および水が存在しない雰囲気下で形成
する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法を提供する。
に有機材料からなる発光層を有する構造の積層体を形成
する工程と、形成された積層体の少なくとも基板側とは
反対側の面に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物からなる第一封止層を、実質的に酸素およ
び水が存在しない雰囲気下で形成する工程と、第一封止
層の外側に防湿性を有する樹脂材料からなる第二封止層
を、実質的に酸素および水が存在しない雰囲気下で形成
する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法を提供する。
【００１７】本発明の方法においては、第一封止層とし
てＬｉＦからなる層を形成することが好ましい。本発明
の方法においては、第二封止層としてエポキシ樹脂から
なる層を形成するがこと好ましい。
てＬｉＦからなる層を形成することが好ましい。本発明
の方法においては、第二封止層としてエポキシ樹脂から
なる層を形成するがこと好ましい。
【００１８】本発明の方法において、ＬｉＦからなる第
一封止層を真空蒸着法で形成する場合には、第一封止層
の成膜時に発光層等が熱で劣化することを防止する観点
から、成膜速度を１秒当たり８Å以上となる条件で形成
することが好ましい。
一封止層を真空蒸着法で形成する場合には、第一封止層
の成膜時に発光層等が熱で劣化することを防止する観点
から、成膜速度を１秒当たり８Å以上となる条件で形成
することが好ましい。
【００１９】本発明の方法において、第一封止層の厚さ
は３００Å以上に形成することが好ましい。
は３００Å以上に形成することが好ましい。
【００２０】本発明の方法においては、アルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる第一封止
層の形成と、防湿性を有する樹脂材料からなる第二封止
層の形成を、前記積層体の基板側とは反対側の面だけで
なく当該積層体の端面にも行ことが好ましい。
たはアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる第一封止
層の形成と、防湿性を有する樹脂材料からなる第二封止
層の形成を、前記積層体の基板側とは反対側の面だけで
なく当該積層体の端面にも行ことが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２２】図１は、本発明の一実施形態に相当する有
機ＥＬ素子の構造を示す断面図である。
機ＥＬ素子の構造を示す断面図である。
【００２３】この有機ＥＬ素子では、透明なガラス基板
１上に、透明な電極（陽極）２と正孔注入／輸送層３と
発光層４と陰極５とからなる積層体２０が形成されてい
る。陰極５は、Ｃａ薄膜からなる第一陰極層５１と、Ａ
ｌ薄膜からなる第二陰極層５２の二層構造になってい
る。積層体２０をなす各層のうち陽極２は、端子部分２
ａが他の層からはみ出した平面形状で形成され、他の層
の平面形状は同じ大きさで同じ位置に形成されている。
１上に、透明な電極（陽極）２と正孔注入／輸送層３と
発光層４と陰極５とからなる積層体２０が形成されてい
る。陰極５は、Ｃａ薄膜からなる第一陰極層５１と、Ａ
ｌ薄膜からなる第二陰極層５２の二層構造になってい
る。積層体２０をなす各層のうち陽極２は、端子部分２
ａが他の層からはみ出した平面形状で形成され、他の層
の平面形状は同じ大きさで同じ位置に形成されている。
【００２４】この積層体２０の陰極５の上面（基板側と
は反対側の面）全体と、この積層体２０の端子部分２ａ
以外の端面全体と、端子部分２ａの上面全体に、ＬｉＦ
からなる第一封止層６が形成されている。この第一封止
層６の外側全体に、防湿性のエポキシ樹脂からなる第二
封止層７が形成されている。さらに、第二封止層７の上
面に封止用のガラス板８が固定されている。
は反対側の面）全体と、この積層体２０の端子部分２ａ
以外の端面全体と、端子部分２ａの上面全体に、ＬｉＦ
からなる第一封止層６が形成されている。この第一封止
層６の外側全体に、防湿性のエポキシ樹脂からなる第二
封止層７が形成されている。さらに、第二封止層７の上
面に封止用のガラス板８が固定されている。
【００２５】この有機ＥＬ素子は、積層体の基板側とは
反対側に配置される電極として、著しく酸化され易いＣ
ａ層を含む二層構造の陰極５が形成されているが、この
陰極５を覆うようにＬｉＦからなる第一封止層６を設け
ることによって、陰極５の酸化が効果的に防止される。
反対側に配置される電極として、著しく酸化され易いＣ
ａ層を含む二層構造の陰極５が形成されているが、この
陰極５を覆うようにＬｉＦからなる第一封止層６を設け
ることによって、陰極５の酸化が効果的に防止される。
【００２６】また、第一封止層６の外側にエポキシ樹脂
からなる第二封止層７を設けることによって、ＬｉＦか
らなる第一封止層６にクラックが発生し難くなる。
からなる第二封止層７を設けることによって、ＬｉＦか
らなる第一封止層６にクラックが発生し難くなる。
【００２７】また、陰極５を覆うようにＬｉＦからなる
第一封止層６を設けることによって、第二封止層７の形
成時に、液状のエポキシ樹脂に含まれる有機溶剤や酸素
や水が、発光層４に混入することが防止される。その結
果、発光層４の経時劣化が低減される。
第一封止層６を設けることによって、第二封止層７の形
成時に、液状のエポキシ樹脂に含まれる有機溶剤や酸素
や水が、発光層４に混入することが防止される。その結
果、発光層４の経時劣化が低減される。
【００２８】なお、この実施形態のように、陰極５を、
仕事関数が小さい材料からなる第一陰極層（発光層４側
の陰極層）５１と、この層より仕事関数の大きい第二陰
極層を積層させた二層構造とし、合計厚さを１００Å以
下とすることにより、陽極２側と陰極５側の両方から光
が放射される有機ＥＬ素子が得られる。第一陰極層５１
の材料としてはＣａまたはＭｇを用い、第二陰極層５２
の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金
（Ａｕ）を用いることが好ましい。
仕事関数が小さい材料からなる第一陰極層（発光層４側
の陰極層）５１と、この層より仕事関数の大きい第二陰
極層を積層させた二層構造とし、合計厚さを１００Å以
下とすることにより、陽極２側と陰極５側の両方から光
が放射される有機ＥＬ素子が得られる。第一陰極層５１
の材料としてはＣａまたはＭｇを用い、第二陰極層５２
の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金
（Ａｕ）を用いることが好ましい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 〔実施例１〕図１の構成の有機ＥＬ素子を以下の方法で
作製した。
作製した。
【００３０】先ず、厚さが１．１ｍで一辺が１５０ｍｍ
である正方形の透明なガラス基板１を用意し、このガラ
ス基板１を洗浄した。次に、スパッタリング装置を用い
て、このガラス基板１上に、透明なＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2
Ｏ3 −ＺｎＯ）膜（陽極）２を成膜した。成膜条件は、
真空度：１×１０-4Ｐａ以下、スパッタリングガス：Ａ
ｒとＯ2 の混合ガス（流量比はＡｒ：Ｏ2 ＝１０：
１）、電圧：３２０Ｖ、電流：０．１５ｍＡ、成膜時
間：１４分とした。これにより、ＩＤＩＸＯ膜（陽極）
２の厚さを１０００Åにした。なお、陽極２としてはＩ
ＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜等を形成してもよい。
である正方形の透明なガラス基板１を用意し、このガラ
ス基板１を洗浄した。次に、スパッタリング装置を用い
て、このガラス基板１上に、透明なＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2
Ｏ3 −ＺｎＯ）膜（陽極）２を成膜した。成膜条件は、
真空度：１×１０-4Ｐａ以下、スパッタリングガス：Ａ
ｒとＯ2 の混合ガス（流量比はＡｒ：Ｏ2 ＝１０：
１）、電圧：３２０Ｖ、電流：０．１５ｍＡ、成膜時
間：１４分とした。これにより、ＩＤＩＸＯ膜（陽極）
２の厚さを１０００Åにした。なお、陽極２としてはＩ
ＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜等を形成してもよい。
【００３１】次に、このガラス基板１に対して酸素プラ
ズマ処理を行った。プラズマ装置としてはサンユー電子
社製の「ＶＰＳ０２０」を用い、 ２〜３回酸素によるパ
ージ処理を行った後、電圧：１０ｍＡ、処理時間：５分
の条件で酸素プラズマ処理を行った。これにより、ガラ
ス基板１上のＩＤＩＸＯ膜（陽極）２の表面が酸素プラ
ズマ処理される。
ズマ処理を行った。プラズマ装置としてはサンユー電子
社製の「ＶＰＳ０２０」を用い、 ２〜３回酸素によるパ
ージ処理を行った後、電圧：１０ｍＡ、処理時間：５分
の条件で酸素プラズマ処理を行った。これにより、ガラ
ス基板１上のＩＤＩＸＯ膜（陽極）２の表面が酸素プラ
ズマ処理される。
【００３２】以上の工程は全てクリーンルーム内で行っ
た。以下の工程は全てグローブボックス内で行った。グ
ローブボックス内は、実質的に酸素および水が存在しな
い雰囲気（酸素濃度：０．０１ｐｐｍ以下、水の露点：
−７０℃以下）にした。
た。以下の工程は全てグローブボックス内で行った。グ
ローブボックス内は、実質的に酸素および水が存在しな
い雰囲気（酸素濃度：０．０１ｐｐｍ以下、水の露点：
−７０℃以下）にした。
【００３３】先ず、バイエル社の「バイトロンＰ」（ポ
リエチレンジオキシチオフェン：ＰＥＤＯＴとポリスチ
レンスルフォン酸：ＰＳＳとの混合物）とポリスチレン
スルフォン酸とを、「バイトロンＰ」：ＰＳＳ＝５：１
で混合した。さらに、この混合物を水で１．５倍に希釈
した。
リエチレンジオキシチオフェン：ＰＥＤＯＴとポリスチ
レンスルフォン酸：ＰＳＳとの混合物）とポリスチレン
スルフォン酸とを、「バイトロンＰ」：ＰＳＳ＝５：１
で混合した。さらに、この混合物を水で１．５倍に希釈
した。
【００３４】ここで、ＰＥＤＯＴは下記の化学式（１）
で、ＰＳＳは下記の化学式（２）で示される高分子化合
物である。
で、ＰＳＳは下記の化学式（２）で示される高分子化合
物である。
【００３５】
【化１】
【化２】 この液体を、表面が酸素プラズマ処理されたＩＤＩＸＯ
膜（陽極）２上に、スピンコート法により塗布した。塗
布条件は、回転速度：３０００ｒｐｍ、回転時間：４５
秒とした。この状態でガラス基板１を２００℃で１０分
間加熱することにより、ＩＤＩＸＯ膜（陽極）２上に膜
厚６００Åの正孔注入／輸送層３を形成した。
膜（陽極）２上に、スピンコート法により塗布した。塗
布条件は、回転速度：３０００ｒｐｍ、回転時間：４５
秒とした。この状態でガラス基板１を２００℃で１０分
間加熱することにより、ＩＤＩＸＯ膜（陽極）２上に膜
厚６００Åの正孔注入／輸送層３を形成した。
【００３６】次に、下記の化学式（３）で示されるポリ
フルオレン誘導体をキシレン溶媒に溶解させた。この溶
液を、正孔注入／輸送層３上にスピンコート法により塗
布した。これにより、正孔注入／輸送層３上に膜厚８０
０Åの発光層４を形成した。なお、発光層４としてはポ
リパラフェニレンビニレン等からなる層を形成してもよ
い。
フルオレン誘導体をキシレン溶媒に溶解させた。この溶
液を、正孔注入／輸送層３上にスピンコート法により塗
布した。これにより、正孔注入／輸送層３上に膜厚８０
０Åの発光層４を形成した。なお、発光層４としてはポ
リパラフェニレンビニレン等からなる層を形成してもよ
い。
【００３７】
【化３】 次に、真空蒸着法により、この発光層４上に、第一陰極
層５１としてＣａ薄膜を成膜した後、第二陰極層５２と
してＡｌ薄膜を成膜した。両薄膜の成膜は、グローブボ
ックス内に配置された真空蒸着装置を用いて連続的に行
った。先ず、開始時の真空度１×１０-6torr程度、成膜
速度３Å／秒の条件で、膜厚７０ÅのＣａ薄膜を成膜し
た後、真空度が１×１０-6torr程度に戻ってから、成膜
速度３Å／秒の条件で、膜厚１０ÅのＡｌ薄膜を成膜し
た。
層５１としてＣａ薄膜を成膜した後、第二陰極層５２と
してＡｌ薄膜を成膜した。両薄膜の成膜は、グローブボ
ックス内に配置された真空蒸着装置を用いて連続的に行
った。先ず、開始時の真空度１×１０-6torr程度、成膜
速度３Å／秒の条件で、膜厚７０ÅのＣａ薄膜を成膜し
た後、真空度が１×１０-6torr程度に戻ってから、成膜
速度３Å／秒の条件で、膜厚１０ÅのＡｌ薄膜を成膜し
た。
【００３８】これにより、ガラス基板１上に、陽極２と
正孔注入／輸送層３と発光層４と二層構造の陰極５とか
らなる積層体２０が形成された。積層体２０をなす各層
のうち陽極２は、端子部分２ａが他の層からはみ出した
平面形状で形成され、他の層の平面形状は同じ大きさで
同じ位置に形成されている。
正孔注入／輸送層３と発光層４と二層構造の陰極５とか
らなる積層体２０が形成された。積層体２０をなす各層
のうち陽極２は、端子部分２ａが他の層からはみ出した
平面形状で形成され、他の層の平面形状は同じ大きさで
同じ位置に形成されている。
【００３９】次に、この状態のガラス基板１上に、第一
封止層６としてＬｉＦ薄膜を膜厚５００Åで成膜した。
この成膜は、第二陰極層５２の成膜後に、真空度が１×
１０ -6torr程度に戻ってから、成膜速度８Å／秒の条件
で行った。なお、第一陰極層５１、第二陰極層５２、第
一封止層６の成膜は、同じ真空蒸着装置内で一度も蒸着
釜を開けずに行った。
封止層６としてＬｉＦ薄膜を膜厚５００Åで成膜した。
この成膜は、第二陰極層５２の成膜後に、真空度が１×
１０ -6torr程度に戻ってから、成膜速度８Å／秒の条件
で行った。なお、第一陰極層５１、第二陰極層５２、第
一封止層６の成膜は、同じ真空蒸着装置内で一度も蒸着
釜を開けずに行った。
【００４０】これにより、積層体２０の陰極５の上面
（基板側とは反対側の面）全体と、この積層体２０の端
子部分２ａ以外の端面全体と、端子部分２ａの上面全体
に、ＬｉＦからなる第一封止層６が形成された。
（基板側とは反対側の面）全体と、この積層体２０の端
子部分２ａ以外の端面全体と、端子部分２ａの上面全体
に、ＬｉＦからなる第一封止層６が形成された。
【００４１】次に、真空蒸着装置から取り出したガラス
基板１を冷却した後、第二封止層７として、３Ｍ社製の
熱硬化性エポキシ樹脂「ＤＰｐｕｒｅ６０」をディッピ
ング法で、第一封止層６の外側全体に塗布した。なお、
この第二封止層７は、ＥＭＥＲＳＯＮ＆ＣＯＭＩＮＧ社
製の「ＳＴＹＣＡＳＴ１２６９Ａ」等を用いて形成して
もよい。
基板１を冷却した後、第二封止層７として、３Ｍ社製の
熱硬化性エポキシ樹脂「ＤＰｐｕｒｅ６０」をディッピ
ング法で、第一封止層６の外側全体に塗布した。なお、
この第二封止層７は、ＥＭＥＲＳＯＮ＆ＣＯＭＩＮＧ社
製の「ＳＴＹＣＡＳＴ１２６９Ａ」等を用いて形成して
もよい。
【００４２】次に、この第二封止層７の上面に厚さ０．
３ｍｍの透明なガラス板８を置き、この状態のガラス基
板１をグローブボックス内のホットプレート上に載せ
て、０．１torr程度の真空下、５０℃で１２時間加熱し
た。これにより、エポキシ樹脂は泡が除かれながら硬化
され、第一封止層６の外側全体に、エポキシ樹脂からな
る第二封止層７が厚さ２００μｍで形成された。また、
封止用のガラス板８が第二封止層７の上面に固定され
た。
３ｍｍの透明なガラス板８を置き、この状態のガラス基
板１をグローブボックス内のホットプレート上に載せ
て、０．１torr程度の真空下、５０℃で１２時間加熱し
た。これにより、エポキシ樹脂は泡が除かれながら硬化
され、第一封止層６の外側全体に、エポキシ樹脂からな
る第二封止層７が厚さ２００μｍで形成された。また、
封止用のガラス板８が第二封止層７の上面に固定され
た。
【００４３】このようにして、図１の構成の有機ＥＬ素
子が得られた。
子が得られた。
【００４４】〔実施例２〕第一封止層６としてＬｉＦ薄
膜を２００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
膜を２００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００４５】〔実施例３〕第一封止層６としてＬｉＦ薄
膜を３００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
膜を３００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００４６】〔実施例４〕第一封止層６としてＬｉＦ薄
膜を４００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
膜を４００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００４７】〔実施例５〕第一封止層６としてＬｉＦ薄
膜を６００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
膜を６００Åの膜厚で形成した。これ以外の点は全て実
施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００４８】実施例１〜５の有機ＥＬ素子を駆動電圧８
Ｖで発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定した。また、各有機ＥＬ素子を駆動電圧を変
えて発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定し、輝度が５ｃｄ／ｍ 2 以上となる駆動電圧
の最低値を「しきい値電圧」として求めた。輝度の測定
には（株）トプコン製の輝度計「ＢＭ−７」を用いた。
Ｖで発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定した。また、各有機ＥＬ素子を駆動電圧を変
えて発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定し、輝度が５ｃｄ／ｍ 2 以上となる駆動電圧
の最低値を「しきい値電圧」として求めた。輝度の測定
には（株）トプコン製の輝度計「ＢＭ−７」を用いた。
【００４９】この輝度測定としきい値電圧の特定は、有
機ＥＬ素子の作製直後（初期）と、有機ＥＬ素子を１カ
月間、温度が２０℃で、湿度が５０％である環境下に放
置した後に行った。これらの結果を下記の表１に示す。
機ＥＬ素子の作製直後（初期）と、有機ＥＬ素子を１カ
月間、温度が２０℃で、湿度が５０％である環境下に放
置した後に行った。これらの結果を下記の表１に示す。
【００５０】
【表１】
【００５１】この結果から分かるように、第一封止層６
の膜厚が２００Åであると、初期の輝度は高いが１カ月
後に半分以下の輝度になるため好ましくない。この経時
変化は、第一封止層６が薄いため、第一封止層６による
封止作用が十分に得られず、特にカルシウムからなる第
２陰極層５１の酸化や発光層４の劣化が生じたことに起
因すると考えられる。
の膜厚が２００Åであると、初期の輝度は高いが１カ月
後に半分以下の輝度になるため好ましくない。この経時
変化は、第一封止層６が薄いため、第一封止層６による
封止作用が十分に得られず、特にカルシウムからなる第
２陰極層５１の酸化や発光層４の劣化が生じたことに起
因すると考えられる。
【００５２】これに対して、第一封止層６の膜厚が３０
０Å以上であると、１カ月による輝度の低下量が小さ
く、１カ月後の輝度の値も１００ｃｄ／ｍ2 以上となっ
ているため好ましい。
０Å以上であると、１カ月による輝度の低下量が小さ
く、１カ月後の輝度の値も１００ｃｄ／ｍ2 以上となっ
ているため好ましい。
【００５３】また、第一封止層６の厚さが６００Åであ
ると、初期の輝度が小さいため好ましくない。これは、
第一封止層６の成膜に時間がかかって、これより下側の
層が長時間熱に晒された結果、特に発光層４に劣化が生
じたためと考えられる。
ると、初期の輝度が小さいため好ましくない。これは、
第一封止層６の成膜に時間がかかって、これより下側の
層が長時間熱に晒された結果、特に発光層４に劣化が生
じたためと考えられる。
【００５４】〔実施例６〕第一封止層６の成膜速度を４
Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方法
で有機ＥＬ素子を作製した。
Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方法
で有機ＥＬ素子を作製した。
【００５５】〔実施例７〕第一封止層６の成膜速度を６
Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方法
で有機ＥＬ素子を作製した。
Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方法
で有機ＥＬ素子を作製した。
【００５６】〔実施例８〕第一封止層６の成膜速度を１
０Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方
法で有機ＥＬ素子を作製した。
０Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方
法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００５７】〔実施例９〕第一封止層６の成膜速度を１
５Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方
法で有機ＥＬ素子を作製した。
５Å／秒とした。これ以外の点は全て実施例１と同じ方
法で有機ＥＬ素子を作製した。
【００５８】実施例６〜９の有機ＥＬ素子を駆動電圧８
Ｖで発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定した。また、各有機ＥＬ素子を駆動電圧を変
えて発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定し、輝度が５ｃｄ／ｍ 2 以上となる駆動電圧
の最低値を「しきい値電圧」として求めた。輝度の測定
には（株）トプコン製の輝度計「ＢＭ−７」を用いた。
Ｖで発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定した。また、各有機ＥＬ素子を駆動電圧を変
えて発光させ、その光の輝度をガラス板８側（陰極５
側）で測定し、輝度が５ｃｄ／ｍ 2 以上となる駆動電圧
の最低値を「しきい値電圧」として求めた。輝度の測定
には（株）トプコン製の輝度計「ＢＭ−７」を用いた。
【００５９】この輝度測定としきい値電圧の特定は、有
機ＥＬ素子の作製直後（初期）に行った。これらの結果
を、実施例１の結果とともに下記の表２に示す。
機ＥＬ素子の作製直後（初期）に行った。これらの結果
を、実施例１の結果とともに下記の表２に示す。
【００６０】
【表２】
【００６１】この結果から分かるように、第一封止層６
の成膜速度が４Å／秒および６Å／秒であると、初期の
しきい値電圧が高いため好ましくない。これは、第一封
止層６の成膜速度が遅いため、同じ膜厚とするまでに時
間がかかり、長時間熱に晒されることによって発光層４
が劣化したことに起因すると考えられる。
の成膜速度が４Å／秒および６Å／秒であると、初期の
しきい値電圧が高いため好ましくない。これは、第一封
止層６の成膜速度が遅いため、同じ膜厚とするまでに時
間がかかり、長時間熱に晒されることによって発光層４
が劣化したことに起因すると考えられる。
【００６２】これに対して、第一封止層６の成膜速度が
８Å／秒以上であると、しきい値電圧が低いため好まし
い。これは、第一封止層６の成膜時に熱に晒される時間
が短いことから、発光層４の劣化が抑えられたためであ
ると考えられる。
８Å／秒以上であると、しきい値電圧が低いため好まし
い。これは、第一封止層６の成膜時に熱に晒される時間
が短いことから、発光層４の劣化が抑えられたためであ
ると考えられる。
【００６３】また、実施例１で得られた有機ＥＬ素子の
透過率を測定した。この測定は、（株）日立製作所製の
分光器を用い、 ベースラインを空気とし、集光部に３ｍ
ｍ径のピンホールを置いて行った。その結果を図２にグ
ラフで示す。このグラフから分かるように、この有機Ｅ
Ｌ素子の透過率は、可視光領域のほぼ全体で５０％以上
であった。
透過率を測定した。この測定は、（株）日立製作所製の
分光器を用い、 ベースラインを空気とし、集光部に３ｍ
ｍ径のピンホールを置いて行った。その結果を図２にグ
ラフで示す。このグラフから分かるように、この有機Ｅ
Ｌ素子の透過率は、可視光領域のほぼ全体で５０％以上
であった。
【００６４】なお、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１の透
過率は７５％程度であるため、この有機ＥＬ素子は、こ
のガラス基板１の７０％程度の可視光透過性を有してい
ることになる。
過率は７５％程度であるため、この有機ＥＬ素子は、こ
のガラス基板１の７０％程度の可視光透過性を有してい
ることになる。
【００６５】以上のことから、実施例１〜９で得られた
有機ＥＬ素子は、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素
子になっていることが分かる。
有機ＥＬ素子は、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素
子になっていることが分かる。
【００６６】また、特に、第一封止層６の膜厚を３００
Å以上とし、第一封止層６の成膜速度を８Å／秒以上と
することで、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素子で
あっても、有機ＥＬ素子の封止が良好に行われる。その
結果、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素子の場合で
も、低電圧を印加するだけで高輝度、高効率で発光が生
じるという優れた特性が長期間に渡って確保されるよう
にできる。
Å以上とし、第一封止層６の成膜速度を８Å／秒以上と
することで、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素子で
あっても、有機ＥＬ素子の封止が良好に行われる。その
結果、両電極側に光が放射される有機ＥＬ素子の場合で
も、低電圧を印加するだけで高輝度、高効率で発光が生
じるという優れた特性が長期間に渡って確保されるよう
にできる。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子およびその製造方法によれば、第一封止材の材料を
特定することにより、両電極側から光が放射される有機
ＥＬ素子の場合でも、封止が良好に行われ、特性の経時
劣化を防ぐことができる。
素子およびその製造方法によれば、第一封止材の材料を
特定することにより、両電極側から光が放射される有機
ＥＬ素子の場合でも、封止が良好に行われ、特性の経時
劣化を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施形態に相当する有機ＥＬ素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】実施例１の方法で作製された有機ＥＬ素子の可
視光領域の透過率を示すグラフである。
視光領域の透過率を示すグラフである。
１ ガラス基板 ２ 透明電極（陽極） ３ 正孔注入／輸送層 ４ 発光層 ５ 陰極（積層体の基板側とは反対側に配置される電
極） ５１ 第一陰極 ５１ 第二陰極 ６ 第一封止層 ７ 第二封止層 ８ 封止用のガラス板 ２０ 積層体
極） ５１ 第一陰極 ５１ 第二陰極 ６ 第一封止層 ７ 第二封止層 ８ 封止用のガラス板 ２０ 積層体
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に、陰極と陽極の間に有機材料か
らなる発光層を有する構造の積層体を備え、この積層体
の少なくとも基板側とは反対側の面が、内側の第一封止
層と外側の第二封止層からなる二層構造の封止材で封止
されている有機ＥＬ素子において、 第一封止層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物からなり、第二封止層は防湿性を有する樹脂
材料からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 第一封止層はフッ化リチウム（ＬｉＦ）
からなる請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 第二封止層はエポキシ樹脂からなる請求
項１または２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 積層体の基板側とは反対側に配置される
電極は、カルシウム（Ｃａ）を含む材料で形成されてい
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 第一封止層の厚さは３００Å以上である
請求項請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項６】 基板上に、陰極と陽極の間に有機材料か
らなる発光層を有する構造の積層体を形成する工程と、 形成された積層体の少なくとも基板側とは反対側の面
に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化
物からなる第一封止層を、実質的に酸素および水が存在
しない雰囲気下で形成する工程と、 第一封止層の外側に防湿性を有する樹脂材料からなる第
二封止層を、実質的に酸素および水が存在しない雰囲気
下で形成する工程と、を有することを特徴とする有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項７】 第一封止層としてフッ化リチウム（Ｌｉ
Ｆ）からなる層を形成する請求項６記載の有機ＥＬ素子
の製造方法。 - 【請求項８】 第二封止層としてエポキシ樹脂からなる
層を形成する請求項６または７記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項９】 積層体の基板側とは反対側に配置される
電極として、カルシウム（Ｃａ）を含む材料からなる層
を形成する請求項６〜８のいずれか１項に記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項１０】 ＬｉＦからなる第一封止層を、真空蒸
着法により、成膜速度が１秒当たり８Å以上となる条件
で形成する請求項６〜９のいずれか１項に記載の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項１１】 第一封止層の厚さを３００Å以上に形
成する請求項６〜１０いずれか１項に記載の有機ＥＬ素
子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359882A JP2001338755A (ja) | 2000-03-21 | 2000-11-27 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US09/811,618 US6617052B2 (en) | 2000-03-21 | 2001-03-20 | Organic EL element and method of manufacturing the same |
| CNB011117664A CN1244255C (zh) | 2000-03-21 | 2001-03-21 | 有机el器件及其制造方法 |
| KR1020010014701A KR20010092414A (ko) | 2000-03-21 | 2001-03-21 | 유기 ｅｌ 소자 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000078662 | 2000-03-21 | ||
| JP2000-78662 | 2000-03-21 | ||
| JP2000359882A JP2001338755A (ja) | 2000-03-21 | 2000-11-27 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338755A true JP2001338755A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=26587971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000359882A Withdrawn JP2001338755A (ja) | 2000-03-21 | 2000-11-27 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6617052B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001338755A (ja) |
| KR (1) | KR20010092414A (ja) |
| CN (1) | CN1244255C (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004060022A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004314292A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-11-11 | Robert Bosch Gmbh | 制御された雰囲気を有する電気機械的システム及びこのシステムを製造する方法 |
| JP2006004910A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| JP2007115705A (ja) * | 2002-12-26 | 2007-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、表示装置及び電子機器 |
| US7700958B2 (en) | 2002-07-05 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having pixel portion surrounded by first sealing material and covered with second sealing material |
| JP2010140980A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sony Corp | 機能性有機物素子及び機能性有機物装置 |
| WO2011055686A1 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent element and display including same |
| JP2011138748A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| US7982397B2 (en) | 2004-04-27 | 2011-07-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Organic electroluminescence display device with moisture absorbing material |
| JP2012527084A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ネオビューコロン カンパニー，リミテッド | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2015108836A (ja) * | 2008-01-30 | 2015-06-11 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯＳＲＡＭ ＯＬＥＤ ＧｍｂＨ | カプセル封入ユニットを有する装置 |
| US9214647B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-12-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US6853130B2 (en) * | 2000-03-21 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and manufacturing method therefor |
| JP4112800B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2008-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| GB0104961D0 (en) * | 2001-02-28 | 2001-04-18 | Microemissive Displays Ltd | An encapsulated electrode |
| TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| CA2352567A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-06 | Mohamed Latreche | Translucent material displaying ultra-low transport of gases and vapors, and method for its production |
| US7488986B2 (en) * | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2003142262A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
| KR100819864B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전기발광소자 |
| GB2383683B (en) * | 2001-12-28 | 2004-04-07 | Delta Optoelectronics Inc | Housing structure with multiple sealing layers |
| JP4069639B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2008-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP3837344B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2003282240A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
| DE10228939A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung mit transparenter Kathode |
| US7015639B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes |
| KR101032337B1 (ko) | 2002-12-13 | 2011-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
| JP4401657B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
| US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| JP4754772B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器 |
| JP2004362912A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP4886162B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2012-02-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置付き表示装置 |
| KR100544121B1 (ko) * | 2003-07-19 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
| JP4534064B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-09-01 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| CN100587998C (zh) * | 2003-11-12 | 2010-02-03 | 铼宝科技股份有限公司 | 具有疏水层的有机发光面板 |
| KR100563057B1 (ko) | 2003-11-14 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100563058B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2005235403A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機・ｅｌ表示装置 |
| US7202504B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| TWI268732B (en) | 2004-12-16 | 2006-12-11 | Au Optronics Corp | Organic light emitting device |
| BRPI0519478A2 (pt) * | 2004-12-27 | 2009-02-03 | Quantum Paper Inc | display emissivo endereÇÁvel e imprimÍvel |
| CN100424910C (zh) * | 2005-01-05 | 2008-10-08 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光元件 |
| DE102005014031A1 (de) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Leybold Optics Gmbh | Beschichtetes Substrat mit einer temporären Schutzschicht sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN100387101C (zh) * | 2005-07-01 | 2008-05-07 | 中山大学 | 一种提高有机电致发光器件寿命的方法 |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| JP2007179828A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2007179977A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Tdk Corp | Ｅｌパネル及びその製造方法 |
| JP2007184279A (ja) | 2005-12-30 | 2007-07-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
| JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
| KR100977704B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-08-24 | 주성엔지니어링(주) | 표시소자 및 그 제조방법 |
| TWI578850B (zh) * | 2007-12-28 | 2017-04-11 | 住友化學股份有限公司 | 高分子發光元件、製造方法以及高分子發光顯示裝置 |
| CN101436648B (zh) * | 2008-12-09 | 2010-06-16 | 彩虹集团公司 | 一种新型有机电致发光器件薄膜封装方法 |
| TW201032293A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-01 | Etron Technology Inc | Moisture-proof device, moisture-proof chip, and method for increasing moisture-proof capability of chip |
| JP2011034711A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US11038144B2 (en) * | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| CN103582559B (zh) | 2011-09-08 | 2015-09-09 | 琳得科株式会社 | 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法 |
| EP2805817A4 (en) | 2012-01-20 | 2015-09-23 | Lintec Corp | BARRIER FILM AGAINST GAS AND METHOD FOR PRODUCING BARRIER FILM AGAINST GAS |
| JP6153510B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2017-06-28 | リンテック株式会社 | 有機電子素子および有機電子素子の製造方法 |
| KR101929980B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2018-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101903056B1 (ko) | 2012-07-24 | 2018-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101473311B1 (ko) | 2012-12-20 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101465620B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-11-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유기발광소자의 봉지방법 |
| KR20150011231A (ko) | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN105514274B (zh) * | 2016-01-08 | 2019-10-01 | 中国计量学院 | 一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术 |
| CN105514286B (zh) * | 2016-01-08 | 2019-01-04 | 中国计量学院 | 一种基于氟化锂缓冲层的光敏有机场效应管薄膜封装技术 |
| KR20210106606A (ko) * | 2020-02-20 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
| JPH05182759A (ja) | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Pioneer Video Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JPH07282975A (ja) | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP0781075B1 (en) * | 1994-09-08 | 2001-12-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for sealing organic el element and organic el element |
| JP4354019B2 (ja) | 1997-04-18 | 2009-10-28 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| JPH1174078A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| KR100252953B1 (ko) * | 1997-07-31 | 2000-04-15 | 구자홍 | 유기 전계 발광 소자 |
| JPH11312585A (ja) | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6081071A (en) * | 1998-05-18 | 2000-06-27 | Motorola, Inc. | Electroluminescent apparatus and methods of manufacturing and encapsulating |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359882A patent/JP2001338755A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-20 US US09/811,618 patent/US6617052B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-21 KR KR1020010014701A patent/KR20010092414A/ko not_active Ceased
- 2001-03-21 CN CNB011117664A patent/CN1244255C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10566569B2 (en) | 2002-07-05 | 2020-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9601712B2 (en) | 2002-07-05 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8927979B2 (en) | 2002-07-05 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9929377B2 (en) | 2002-07-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Arrangement of sealing materials for display device |
| US8455916B2 (en) | 2002-07-05 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory, Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7700958B2 (en) | 2002-07-05 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having pixel portion surrounded by first sealing material and covered with second sealing material |
| US7985606B2 (en) | 2002-07-05 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
| US8785964B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Panel light comprising a light-emitting device |
| US7948175B2 (en) | 2002-12-26 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| WO2004060022A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置及びその作製方法 |
| US9577218B2 (en) | 2002-12-26 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8330363B2 (en) | 2002-12-26 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2007115705A (ja) * | 2002-12-26 | 2007-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、表示装置及び電子機器 |
| US10103355B2 (en) | 2002-12-26 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7109655B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9771257B2 (en) | 2003-03-20 | 2017-09-26 | Robert Bosch Gmbh | Electromechanical system having a controlled atmosphere, and method of fabricating same |
| JP2004314292A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-11-11 | Robert Bosch Gmbh | 制御された雰囲気を有する電気機械的システム及びこのシステムを製造する方法 |
| US8018077B2 (en) | 2003-03-20 | 2011-09-13 | Robert Bosch Gmbh | Electromechanical system having a controlled atmosphere, and method of fabricating same |
| US7982397B2 (en) | 2004-04-27 | 2011-07-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Organic electroluminescence display device with moisture absorbing material |
| JP2006004910A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| JP2015108836A (ja) * | 2008-01-30 | 2015-06-11 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯＳＲＡＭ ＯＬＥＤ ＧｍｂＨ | カプセル封入ユニットを有する装置 |
| US10026625B2 (en) | 2008-01-30 | 2018-07-17 | Osram Oled Gmbh | Device comprising an encapsulation unit |
| US9647186B2 (en) | 2008-01-30 | 2017-05-09 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| US10297469B2 (en) | 2008-01-30 | 2019-05-21 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| JP2010140980A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sony Corp | 機能性有機物素子及び機能性有機物装置 |
| JP2012527084A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ネオビューコロン カンパニー，リミテッド | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| WO2011055686A1 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent element and display including same |
| JP2011119233A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-06-16 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子とそれを用いた表示装置 |
| US9214647B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-12-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
| US8735936B2 (en) | 2010-01-04 | 2014-05-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2011138748A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6617052B2 (en) | 2003-09-09 |
| CN1317922A (zh) | 2001-10-17 |
| KR20010092414A (ko) | 2001-10-24 |
| CN1244255C (zh) | 2006-03-01 |
| US20010044035A1 (en) | 2001-11-22 |
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