JP6153510B2

JP6153510B2 - 有機電子素子および有機電子素子の製造方法

Info

Publication number: JP6153510B2
Application number: JP2014500642A
Authority: JP
Inventors: 智史永縄
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2012-02-21
Filing date: 2013-02-06
Publication date: 2017-06-28
Anticipated expiration: 2033-02-06
Also published as: EP2819486A1; KR20140128308A; CN104137649B; EP2819486B1; WO2013125352A1; KR102039390B1; JPWO2013125352A1; CN104137649A; TWI552407B; EP2819486A4; TW201336137A; US20160028041A1; US9577211B2

Description

本発明は、有機電子素子および有機電子素子の製造方法に関し、特に、ガスバリア性能に優れた封止層を備えた有機電子素子および有機電子素子の製造方法に関する。

近年、有機化合物からなる有機機能層を用いた有機電子素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、有機太陽電池等のさまざまな分野への研究開発が進められている。
中でも、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能であり、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能な画像表示装置として注目されている。
しかしながら、有機ＥＬ素子は、酸素や水蒸気等により、電極が酸化したり、有機物が変性したりすることにより、非発光点（ダークスポット）が発生するなど、画像表示装置としての性能が低下するという問題があった。

そこで、このような問題を解決すべく、基板と対する上部電極側から発光光を取り出す発光素子（有機ＥＬ素子）において、封止膜と、上部電極との間の反射防止を図るとともに、発光効率を向上させることを目的として、窒化シリコン膜等からなる封止膜を備えた発光素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
より具体的には、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層、および上部電極を順次積層してなる発光素子において、上部電極の表面側に、屈折率を３．５より低く、かつ大気の屈折率よりも大きい屈折率を有する封止材料、例えば、窒化シリコン膜からなる封止膜をＣＶＤ法で設けることを特徴としている。

また、バリア性に優れた欠陥の無い無機封止層を長期にわたって付与し、発光不良を少なくすることを目的とした有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
より具体的には、有機ＥＬ素子の製造方法において、基板上に、第１電極層を形成する工程、第１電極層上に有機発光媒体層（有機ＥＬ層）を形成する工程、有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、基板全体を、酸素原子（Ｏ）を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等からなる無機封止層を形成する工程、および無機封止層上にフッ素原子（Ｆ）を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、をそれぞれ含むことを特徴としている。

また、耐久性を向上させた窒素を含有するケイ素化合物からなる封止層を備え、高い信頼性を実現することを目的とした有機ＥＬ装置等が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
より具体的には、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層、および上部電極を順次積層してなる有機ＥＬ装置等において、上部電極の表面側に、窒素含有ケイ素化合物を含む第１のガスバリア層と、窒素含有ケイ素化合物の酸化物を含む第２のガスバリア層と、が交互に積層されてなる封止層を備えることを特徴としている。

さらには、有機ＥＬ素子の基板等として用いるためのガスバリアフィルムであって、加熱処理等を使用することなく、製造容易なガスバリアフィルムを提供すべく、ポリシラザン膜にプラズマ処理してなるガスバリアフィルムの製造方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
より具体的には、プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、ポリシラザン膜を形成し、当該ポリシラザン膜に、プラズマ処理を施して、それをガスバリア膜とすることを特徴としたガスバリアフィルムの製造方法であって、得られたガスバリアフィルムを有機ＥＬ素子の基板として用いることを特徴としている。

特開２００２−２３１４４３号公報特開２００８−７１６０８号公報特開２０１０−２７５６１号公報特開２００７−２３７５８８号公報

しかしながら、特許文献１に開示されたＣＶＤ法による封止膜は、屈折率を厳格に制御した窒化シリコン膜からなる封止材料を用いなければならず、材料選択の幅が狭い上に、有機ＥＬ素子に適用した場合、ガスバリア性や密着性、あるいは透明性等が未だ低いという問題が見られた。

また、特許文献２に開示された有機ＥＬ素子の製造方法は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等からなる封止層上に、Ｆ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程により、封止層表面を適度に粗面化し、その上の接着剤との接着性を確保するものであるが、封止層のガスバリア性については不十分であるという問題が見られた。
また、特許文献３に開示された有機ＥＬ素子の製造方法は、封止層として、窒素含有ケイ素化合物を含む第１のガスバリア層と、窒素含有ケイ素化合物の酸化物を含む第２のガスバリア層と、を交互に積層しなければならず、工程数が過度に増えたり、製造時間が長くなりやすいという問題が見られた。

さらにまた、特許文献４に開示された有機ＥＬ素子基板等に適用されるガスバリアフィルムの製造方法では、フィルムに対してポリシラザン膜を形成した後に、プラズマ処理を施し、それをガスバリアフィルムとして用いているものの、プラズマイオン注入処理までは行っていないために、有機ＥＬ素子におけるガスバリア性が未だ不十分であるという問題が見られた。

そこで、本発明者らは、このような問題を鋭意検討した結果、有機ＥＬ素子や太陽電池等の有機電子素子の上面や側面に、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接塗布して塗膜を直接的に形成し、その塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、有機電子素子の上面のみならず、側面についても緻密かつ効率的に封止できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、封止層として、ガスバリア性や透明性等に優れたケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分としたプラズマイオン注入膜を、周囲に直接的に備えた有機電子素子およびそのような有機電子素子の効率的な製造方法を提供することを目的とする。

本発明によれば、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層が、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、有機ＥＬ素子や太陽電池等の有機電子素子の上面および側面に対して、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を直接塗布することによって、表面の凹凸等に追随し、上面および側面に沿って、均一かつ任意な厚さの塗膜を形成することできる。そして、そのような塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、有機電子素子の上面のみならず、側面についても、三次元的に形成された封止層によって、緻密かつ効率的に封止することができる。
したがって、封止層を備えた有機電子素子であれば、当該有機電子素子が、大面積等の画像表示部を有する場合であっても、あるいは、上面や側面に凹凸（段差等を含む）を有する場合であっても、外部からの水分や空気等の侵入を効率的に防止し、有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。
また、本発明の有機電子素子によれば、従来のＣＶＤ法やスパッタリング法によって形成された無機系封止膜と比較して、透明性や密着性に優れているばかりか、同程度のガスバリア性を得るに際して、より薄膜化が可能であり、さらに、有機電子素子の上面や側面に対して良好に追従し、屈曲性や耐久性にも優れるという特徴がある。
このように屈折率が異なる複数領域からなる封止層であれば、透過性が向上し、例えば、有機電子素子が有機ＥＬ素子の場合であっても、光取り出し効果に優れ、発光効率の低下を抑制することができる。
なお、有機電子素子の上面とは、有機電子素子における、基板とは反対側に位置する最外層の表面を意味する。したがって、例えば、有機電子素子が、図４（ａ）に示すような、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０である場合には、第二電極２２の基材１０１とは反対側の面が、「有機電子素子の上面」となる。
また、有機電子素子の側面とは、有機電子素子の周囲に位置する露出部表面を意味する。したがって、例えば、有機電子素子が、図４（ａ）に示すような、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０である場合には、有機機能層９９、第一電極１１および第二電極２２の露出した側方の面が、「有機電子素子の側面」となる。
その他、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜とは、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、形成されたものであり、塗液中の全固形分におけるケイ素化合物としてのポリシラザン化合物の含有量は、少なくとも５０重量％以上、好ましくは、７０〜１００重量％の範囲内の値であり、より好ましくは、８０〜９５重量％の範囲内の値である。

また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、封止層の厚さを１０〜５０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このような封止層の厚さであれば、十分な封止機能を有し、例えば、有機電子素子が、有機ＥＬ素子の場合であっても発光効率を低下させることなく、さらに透明性やガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。

また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、第１領域における膜密度を２．３〜４．０ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とするとともに、第２領域における膜密度を２．３ｇ／ｃｍ³未満の値とすることが好ましい。
このように膜密度が異なる複数領域からなる封止層であれば、さらにガスバリア性を、向上させることができる。

また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、有機電子素子が、有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）であることを特徴とする。
このように有機ＥＬ素子として構成することによって、封止層としての機能を容易に発揮することができ、有機ＥＬ素子が大面積であっても、上面や側面に凹凸を有する場合であっても、有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。

また、本発明の別の態様は、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法。
（１）基板上に、第一電極、有機機能層、および第二電極を順次積層し、有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
（２）有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
（３）塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
すなわち、有機電子素子に対して、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接塗布して、塗膜を形成し、その塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、封止層を形成し、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層を直接的に設けることにより、緻密かつ効率的に封止することができる。

また、本発明の有機電子素子の製造方法を実施するにあたり、工程（２）において形成される塗膜が、ポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、形成されたものであり、工程（３）のイオン注入工程前に、塗膜の屈折率を１．４８〜１．６３の範囲内の値に調整することが好ましい。
塗膜の屈折率を上記範囲内の値に調整してから、イオン注入工程を実施することによって、さらに優れたガスバリア性を有する封止層を得ることができ、ひいては、有機ＥＬ素子等の有機電子素子の耐久性をさらに向上させることができる。

また、本発明の有機電子素子の製造方法を実施するにあたり、有機電子素子が、有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）であることが好ましい。
このような方法により有機ＥＬ素子を製造することによって、封止層としての機能を容易に発揮することができ、有機ＥＬ素子が大面積であっても、あるいは有機電子素子の上面や側面に凹凸を有する場合であっても、耐久性を著しく向上させた有機ＥＬ素子を効率的に製造することができる。

図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ封止層を備えた有機ＥＬ素子を説明するために供する図である。図２（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ封止層を備えた有機ＥＬ素子を説明するために供する図である。図３は、封止層を備えた有機太陽電池を説明するために供する図である。図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ封止層を備えた有機電子素子を説明するために供する図である。図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の有機電子素子の製造方法を説明するために供する図である。図６は、イオン注入装置の一例を説明するために供する図である。

［第１の実施形態］
第１の実施形態は、図４（ａ）に示すように、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０であって、有機電子素子５０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、かつ、封止層１００が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られることを特徴とする有機電子素子である。
以下、有機電子素子として、図１等に示す有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を例にとって、第１の実施形態の有機電子素子について、具体的に説明する。

１．有機ＥＬ素子の基本構成
有機ＥＬ素子の基本構成としては、特に制限されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子１１０は、図１（ａ）に示すように、透明基板１０１上に、透明導電材料からなる陽極１０２（第一電極）、有機化合物からなる正孔輸送層１０３、有機化合物からなる発光層１０４（有機機能層）、有機化合物からなる正孔ブロッキング層１０５、有機化合物からなる電子輸送層１０６、及び金属材料からなる陰極１０７（第二電極）が積層されており、有機ＥＬ素子１１０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
有機ＥＬ素子１１０は、電極からそれぞれ注入される電子および正孔との再結合によって、高輝度のＥＬ発光することができる。

また、別な有機ＥＬ素子１１１の構造としては、図１（ｂ）に示すように、電子輸送層１０６及び陰極１０７間に、電子注入層１０７ａを薄膜として、積層した有機ＥＬ素子１１１の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
さらに、他の有機ＥＬ素子１１２の構造として、図１（ｃ）に示すように、陽極１０２及び正孔輸送層１０３間に、正孔注入層１０３ａを薄膜として、積層した有機ＥＬ素子１１２の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。

発光層１０４が、正孔輸送性を有する発光材料からなるものであれば、上述した有機ＥＬ素子１１０〜１１２は、正孔輸送層１０３や正孔注入層１０３ａ等を省いた構造であってもよい。
発光層１０４が、正孔輸送性を有する発光材料からなるものである場合、例えば、図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１１３は、基板１０１上に、陽極１０２、正孔注入層１０３ａ、発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７ａ、及び陰極１０７が順次に積層され、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、正孔輸送層１０３を含まない構成である。
また、図２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１１４は、基板１０１上に、陽極１０２、発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７ａ、及び陰極１０７が順次に積層され、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、正孔輸送層１０３及び正孔注入層１０３ａを含まない構成である。
なお、基板、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び陰極等の構成は、特に制限されるものでなく、従来公知の構成とすることができる。
また、本発明では、上記の層以外に必要に応じて、他の層を設けてもよい。

（１）基板
基板１０１としては、特に制限はなく、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂等の有機材料から任意の方法で作製されたフィルムや板が挙げられる。

（２）陽極、陰極
有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における第一電極は、陽極１０２となる。陽極１０２（第１電極）としては、透明なものであれば特に制限はなく、例えば、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ），ＩｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯ（Ｇａ、Ａｌドープ）、ＭｏＯ_３等の材料から形成される電極が挙げられる。
また、有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における第二電極は、陰極１０７となる。陰極１０７（第２電極）としては、透明性は特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ，Ｉｒ、Ｃｒ、ＺｎＯ、ＣＮＴ、及びそれらの合金、複合体等が挙げられる。
陽極及び陰極の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法が挙げられる。
なお、陽極及び陰極の厚さは、特に制限はされないが、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましく、特に３０〜２００ｎｍであることが好ましい。

（３）発光層
有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における有機機能層は発光層１０４となる。
発光層１０４は、電子とホールとの再結合により励起子が生成し、その励起子がエネルギーを放出して基底状態に戻る際に発光するような発光性材料を含む層である。このような発光性材料としては、特に限定されることなく用いることができ、通常、蛍光発光する有機物、燐光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパント、金属錯体系材料、高分子系材料、色素系材料、ドーパント材料等のような発光性材料が挙げられる。
また、発光層を形成する方法としては、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スピンコーティング（スピンキャスト法）、スプレーコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ドクターブレード等の各種コーティング法により発光性材料に応じて適宜選択して用いることができる。発光層は、コーティング法により形成されることが好ましい。
なお、発光層１０４の厚さは、１〜１００μｍ、好ましくは２〜１,０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。

（４）正孔輸送層
正孔輸送層１０３は、正孔を、輸送する機能を有する層である。
また、正孔輸送層は、単層であっても、複数層の積層であってもよい。正孔輸送層は、光を吸収して電子と正孔を発生する電荷発生能を有していることが好ましい。
また、正孔輸送層は、１種又は２種以上の正孔輸送材料を用いて形成することができる。
ここで、正孔輸送材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、等が挙げられる。
また、正孔輸送層１０３の形成方法としては、スピンコート、スプレーコート、バーコート、ダイコート等の溶剤塗布法、真空蒸着法などが挙げられる。
なお、正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。

（５）正孔ブロッキング層
正孔ブロッキング層１０５は、陽極１０２から陰極１０７へ向かって移動する正孔を規制する機能を有しているものが好ましい。正孔ブロッキング層１０５の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
また、正孔ブロッキング層１０５の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、通常１〜５００ｎｍ程度であり、１０〜５０ｎｍが好ましい。

（６）電子輸送層
電子輸送層１０６は、電子を輸送する機能を有する層である。
また、電子輸送層１０６は、単層であっても、複数層の積層であってもよい。電子輸送層１０６は、光を吸収して電荷を発生する電荷発生能を有していることが好ましい。
また、電子輸送層は、１種又は２種以上の電子輸送材料を用いて形成することができる。
ここで、電子輸送材料は、例えば、フラーレン誘導体、パラフェニレンビニレン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物及びこれらから誘導されるイミド類やヘテロ環類、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が挙げられる。
また、電子輸送層１０６の形成方法としては、スピンコート、スプレーコート、バーコート、ダイコート等の溶剤塗布法、真空蒸着法などが挙げられる。
なお、電子輸送層１０６の厚みとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。

２．封止層
（１）基本構成
図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｂ）に示す封止層１００は、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られる層である。
すなわち、有機ＥＬ素子（１１０，１１１，１１２，１１３，１１４）の上面および側面に対して、ケイ素化合物を主成分としてなる材料を直接塗布することにより、塗膜を全体的に形成し、その塗膜に対してプラズマイオンを注入することによって、封止層が形成されることを特徴とする。
このように、封止層が、これら有機ＥＬ素子の上面や側面を、三次元的に覆うことから、酸素や水蒸気等が有機ＥＬ素子の内部に侵入することを防ぐことができ、有機ＥＬ素子の性能の劣化を抑制することができる。
なお、封止層１００は、図４(ｃ)に示すように、基板１０１の表面（図４において、有機機能層９９、第一電極１１および第二電極２２が積層されている側の反対側）および側面、あるいはいずれか一方についても、封止層１００が設けられていてもよい。
このように基板１０１の表面にも封止層１００を備えることによって、基板１０１側から酸素や水蒸気等が浸入することを防ぐことができるため、有機電子素子５０の劣化をさらに抑制することができる。

（２）厚さ
また、封止層１００の厚さは、１０〜５０００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。このような封止層の厚さであれば、透明性が低下しないため、有機ＥＬ素子等の発光効率を低下させることなく、さらにガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。

（３）ケイ素化合物
また、ケイ素化合物の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
この理由は、このようなケイ素化合物であれば、得られる封止層の透明性や密着性等に優れているとともに、プラズマイオンを注入することによって、優れたガスバリア性を有する封止層を得ることができるためである。
封止層１００を形成する方法としては、後述する有機電子素子の製造方法で詳しく説明する。

以上、図１および図２に示す有機ＥＬ素子を例に、有機電子素子として有機ＥＬ素子の例を説明したが、本発明においては、有機ＥＬ素子に限定されるものではなく、例えば、有機機能層として有機光電変換層を備える有機太陽電池であってもよい。

３．有機太陽電池
以下、有機電子素子が有機太陽電池である場合について、具体的に説明する。
有機太陽電池の基本構成としては、特に制限されるものではない。
具体的には、有機太陽電池１１５は、例えば、図３に示すように、透明基板１０１上に、透明導電材料からなる陽極１０２（第一電極）、有機化合物からなる有機光電変換層１０８（有機機能層）、金属材料からなる陰極１０７（第二電極）が積層されている。そして、有機太陽電池１１５の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
当該有機光電変換層１０８は、光を吸収して電子と正孔を発生させる機能を有するものである。
また、有機光電変換層１０８は、単層からなってもよいし、複数層からなってもよい。例えば、単層としては、正孔輸送材料と電子輸送材料の混合層が挙げられる。また、複数層としては、例えば、（正孔輸送層／電子輸送層）、および（正孔輸送層／混合層／電子輸送層）の構成が挙げられる。図３では、混合されている場合を示している。
本発明では、上記の層以外に、必要に応じて他の層を設けてもよい。
なお、陽極１０２、陰極１０７、封止層１００は、上述したものを用いることができる。

以上のように、本発明の有機電子素子は、有機電子素子の上面のみならず、側面についても、三次元的に形成された封止層によって、緻密かつ効率的に封止されている。この封止層によって、酸素や水蒸気等が有機電子素子の内部に侵入することが防止されて、有機ＥＬ素子や有機太陽電池等の種々の有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は、図４（ｂ）に示すように、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０であって、有機電子素子５０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、かつ、封止層１００が、ポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域１０ａと、屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域１０ｂと、を含むことを特徴とする有機電子素子５０である。
また、有機電子素子５０の基本構成としては、特に制限はなく、図１〜図２に示す有機ＥＬ素子、図３に示す有機太陽電池と同様のものが挙げられる。
以下、第２の実施形態における封止層１００について、具体的に説明する。

１.屈折率
図４（ｂ）に示す有機電子素子５０は、封止層１００が、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域１０ａと屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域１０ｂとを含むことが好ましい。
この理由は、封止層の屈折率を上記のような範囲にすることによって、優れたガスバリア性が得られるとともに、封止層での反射も低減することができるため極めて優れた透明性等を得ることができるためである。
第１領域における屈折率を１．５０〜１．６６の範囲内の値とし、かつ、第２領域における屈折率を１．４２〜１．４９の範囲内の値とすることがより好ましく、第１領域における屈折率を１．５１〜１．６０の範囲内の値とし、かつ、第２領域における屈折率を１．４４〜１．４８の範囲内の値とすることがさらに好ましい。

２.膜密度
また、第１領域１０ａにおける膜密度を２．３〜４．０ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とするとともに、第２領域１０ｂにおける膜密度を２．３ｇ／ｃｍ³未満の値とすることが好ましい。
この理由は、このように各領域の膜密度を制限することによって、封止層として、さらに優れた透明性や優れたガスバリア性を得ることができるためである。
第１領域における膜密度を２．４〜２．９ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とし、かつ、第２領域における膜密度を１．８〜２．２ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とすることがより好ましく、第１領域における膜密度を２．５〜２．８ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とし、かつ、第２領域における膜密度を１．９〜２．１ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とすることがさらに好ましい。

３.厚さ
また、封止層１００の厚さは、１０〜５０００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。このような封止層の厚さであれば、透明性が低下しないため、有機ＥＬ素子等の発光効率を低下させることなく、さらにガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。
また、第１領域１０ａにおける厚さを１０〜１５ｎｍ未満の範囲内の値とし、第２領域１０ｂにおける厚さを１０〜３０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように各領域の厚さを制限するとともに、上述したようにそれらの屈折率を調整することによって、さらに優れたガスバリア性や透明性等を得ることができるためである。

［第３の実施形態］
第３の実施形態は、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあることを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法である。
（１）基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
（２）有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
（３）塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
以下、有機電子素子として、有機ＥＬ素子を例にとって、第３の実施形態の有機電子素子の製造方法を具体的に説明する。

１．工程（１）：有機電子素子形成工程
有機電子素子形成工程は、公知の方法によって、図５（ａ）に示すように、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子１２を形成する工程である。
すなわち、有機電子素子１２が、図１（ａ）の有機ＥＬ素子１１０である場合を例にとれば、透明陽極１０２が形成された基板１０１上に、正孔輸送層１０３、有機機能層としての発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６および陰極１０７をこの順に積層し、有機ＥＬ素子１１０を形成することができる。
各層の形成方法は、特に限定されず、公知の各種形成方法が挙げられる。

２．工程（２）：膜形成工程
次いで、塗布工程は、図５（ｂ）に示すように、ケイ素化合物を主成分とした塗液を、上記工程（１）において形成した有機電子素子１２の上面および側面に沿って、塗布し、有機電子素子１２の上面および側面に、塗膜１０を直接的に形成する工程である。
また、ケイ素化合物としては、ポリシラザン化合物が挙げられる。
また、塗膜の形成方法としては、ケイ素化合物を主成分とした塗液を有機ＥＬ素子１２上に塗布し、塗布膜を形成し、図５（ｃ）に示すように、加熱乾燥して塗布膜中の溶媒を除去することで、塗膜１０を形成することができる。
また、塗膜の加熱乾燥方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。加熱温度は、通常、８０〜１５０℃であり、加熱時間は、通常、数十秒から数十分である。
なお、塗布方法としては、公知の各種塗布方法を使用することができる。
したがって、例えば、スクリーン印刷法、ナイフコート法、ロールコート法、ダイコート法、インクジェット法、スピンコート法、スプレー法、ディップ法等の一種単独、または二種以上の組み合わせが挙げられる。
なお、図４(ｃ)に示すように、基板１０１の表面および側面、あるいはいずれか一方についても、封止層１００を形成する場合は、工程（２）において、同様の方法で塗膜１０を形成すればよい。

また、工程（２）において、塗膜１０のシーズニング処理工程を設けてもよい。
なお、ケイ素化合物のシーズニング条件として、温度を１５〜３５℃、処理時間を２４〜４８０時間の範囲内の値とすることが好ましい。

その他、ケイ素化合物として、例えば、ポリシラザン化合物を用いた場合、工程（２）において形成される塗膜の屈折率を１．４８〜１．６３の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような屈折率の値に制限することによって、工程（３）のプラズマイオン注入を実施した場合に、より優れたガスバリア性を得ることができるためである。

３．工程（３）：プラズマイオン注入工程
（１）基本方法
工程（３）は、図５（ｄ）に示すように、塗膜１０に対して、プラズマイオン注入を行い、矢印Ｐで表わされるように、イオンを注入し、最終的に、図５（ｅ）に示すように、封止層１０´を備えた有機電子素子６０とする工程である。
より具体的には、プラズマイオン注入は、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、負の高電圧パルスを印加することにより、塗膜１０の表面部分に、プラズマ中のイオン（陽イオン）を注入するのが基本方法である。

また、一例として、図６に示すプラズマイオン注入装置２００を用いることができる。
すなわち、かかるプラズマイオン注入装置２００は、基本的に、真空チャンバー２１１と、マイクロ波電源（図示せず）と、マグネットコイル（図示せず）と、直流印加装置（パルス電源）２０８と、を備えている。
そして、真空チャンバー２１１は、その内部の所定位置に、有機電子素子１２上に塗膜１０が形成された被処理物１６を配置するとともに、その塗膜に対して、イオン注入を行うための容器である。

また、直流印加装置２０８は、オシロスコープ２０７が取り付けられた直流電源であって、被処理物１６に、高電圧パルスを印加するためのパルス電源である。
そのため、直流印加装置２０８は、被処理物１６がその上に配置された導体２０２に電気的に接続されている。

よって、このように構成されたプラズマイオン注入装置２００によれば、マイクロ波電源（プラズマ放電用電極）およびマグネットコイルを駆動することによって、導体２０２および被処理物１６の周囲でガス導入口２０３から導入したガスのプラズマが発生する。
次いで、所定時間経過後、マイクロ波電源およびマグネットコイルの駆動が停止されるとともに、直流印加装置２０８が駆動され、高電圧パルス（負電圧）が、高電圧導入端子２１０および導体２０２を介して、被処理物１６に印加されることになる。
したがって、かかる高電圧パルス（負電圧）の印加によって、プラズマ中のイオン種が誘引され、塗膜１０に注入される。

（２）イオン種
上述した真空チャンバーに導入され、ひいては、塗膜１０に注入されるイオン種については特に制限されるものではない。例えば、イオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスのイオン；フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン；メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類のイオン；エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類のイオン；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類のイオン；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類のイオン；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類のイオン；シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類のイオン；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類のイオン；金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン；シラン（ＳｉＨ_４）又は有機ケイ素化合物のイオン；等が挙げられる。

これらの中でも、より簡便に注入することができ、優れたガスバリア性を有する封止層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。

（３）プラズマイオン注入圧力
また、イオン注入する際の真空チャンバーの圧力、すなわち、プラズマイオン注入圧力を０．０１〜１Ｐａの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるプラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一にイオンを注入することができ、優れた耐折り曲げ性やガスバリア性を兼ね備えた封止層を効率よく形成することができるためである。
したがって、プラズマイオン注入圧力を０．０２〜０．８Ｐａの範囲内の値とすることがより好ましく、０．０３〜０．６Ｐａの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

（４）プラズマイオン注入印加電圧
また、イオン注入する際の印加電圧（高電圧パルス／負電圧）を−１ｋＶ〜−５０ｋＶの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる印加電圧が上記範囲外の場合は、所望のガスバリア性が得られない場合があるためである。
したがって、イオン注入する際の印加電圧を−１ｋＶ〜−１５ｋＶの範囲内の値とすることがより好ましく、−５ｋＶ〜−８ｋＶの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

４.その他の工程
また、各種層形成工程を設けて、有機電子素子に、その他の層を形成してもよい。
例えば、光学特性、耐久性および機械的特性等の向上のために、封止層の表面に、光学調整層、無機薄膜層やガスバリア層などを形成することも好ましい。
また、有機電子素子の装飾性や情報性向上のために、封止層または基板の表面に、装飾層や印刷層（金属蒸着層を含む。）を全面的または部分的に形成することも好ましい。

以下、実施例を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。

［実施例１］
１．有機ＥＬ素子の製造
（１）工程１：発光素子形成工程
陽極（第一電極）として、酸化インジウムスズ薄膜（ＩＴＯ）（厚さ：１５０ｎｍ、シート抵抗：３０Ω／□）が予め設けてあるＩＴＯ薄膜付ガラス基板を準備し、そのＩＴＯ薄膜表面を、溶媒洗浄およびＵＶ／オゾン処理を実施した。
次いで、ＩＴＯ薄膜付ガラス基板のＩＴＯ薄膜上に、発光性材料であるＮ,Ｎ‘-ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ,Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジテン）を厚さ６０ｎｍ、トリス（８−ヒドロキシル−キノリネート）アルミニウムを厚さ１０ｎｍ、(８−ヒドロキシ−キノリノレート)リチウムを厚さ１０ｎｍとなるように、０．１〜０．２ｎｍ/ｓの蒸着速度でそれぞれ順次蒸着し、発光層（有機機能層）を形成した。
なお、使用した発光性材料は、すべてルミネッセンステクノロジー社（ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＴｅｃｎｏｌｏｇｙＣｏｒｐ.）製である。
次いで、アルミニウム（Ａｌ）（高純度化学研究所（株）社製）を０．１ｎｍ/ｓの速度で蒸着し、厚さ１００ｎｍの陰極を形成することによって、封止前の有機ＥＬ素子（有機電子素子）を用意した。
なお、それぞれの蒸着処理において、真空度は全て１×１０^-4Ｐａ以下となるように調整した。

（２）工程２：塗膜形成工程
次いで、スピンコーター（ミカサ（株）製、ＭＳ−Ａ２００、回転数：３０００ｒｐｍ、回転時間：３０秒）を用いて、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、パーヒドロポリシラザン含有液（クラリアントジャパン社製、「アクアミカＮＬ１１０Ａ−２９」、溶媒：キシレン、濃度：１０重量％）を、得られた有機ＥＬ素子の上面および側面に沿って塗布し、次いで、１２０℃、２分の条件で、加熱処理して塗布膜中の溶媒を除去することで、塗膜を形成した。
さらに、２３℃、５０％ＲＨ環境下に４８時間放置し、厚さが５０ｎｍの塗膜を形成した。得られた塗膜の屈折率は１．５５０５であった。

（３）工程３：プラズマイオン注入工程
次いで、プラズマイオン注入装置（ＲＦ電源：日本電子（株）製、ＲＦ５６０００、高電圧パルス電源：栗田製作所（株）、ＰＶ−３−ＨＳＨＶ−０８３５）を用いて、得られた塗膜に対し、下記条件にてプラズマイオン注入を行い、有機ＥＬ素子の上面および側面に沿って、封止層（厚さ：５０ｎｍ）が直接的に設けてある実施例１の有機ＥＬ素子（有機電子素子）を得た。
チャンバー内圧：０．２Ｐａ
導入ガス：アルゴン
ＲＦ出力：１０００Ｗ
ＲＦ周波数：１０００Ｈｚ
ＲＦパルス幅：５０μｓｅｃ
ＲＦｄｅｌａｙ：２５ｎｓｅｃ
ＤＣ電圧：−１０ｋＶ
ＤＣ周波数：１０００Ｈｚ
ＤＣパルス幅：５μｓｅｃ
ＤＣｄｅｌａｙ：５０μｓｅｃ
Ｄｕｔｙ比：０．５％
処理時間：３００ｓｅｃ

２．有機ＥＬ素子等の評価
プラズマイオン注入を経て最終的に得られた封止層を有する有機ＥＬ素子につき、以下の評価を行った。

（１）有機ＥＬ性能評価
得られた封止層を有する有機ＥＬ素子を、標準環境下（６０℃、９０％Ｒｈ）に、１０００時間放置した後、有機ＥＬ素子を起動させ、ダークスポット（非発光箇所）の発生具合を目視観察し、以下の評価基準に準じて、有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表２に示す。
◎：ダークスポットの発生が全く見られない
○：ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の５％未満である。
△：ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の１０％未満である。
×：有機ＥＬ素子が起動しないか、ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の１０％以上である。

（２）屈折率
得られた封止層の屈折率を、第１領域および第２領域に分けて、それぞれ分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ.ウーラム・ジャパン（株）製）を用いて測定した。
なお、測定の便宜上、有機ＥＬ素子の替わりに、厚さ１５０μｍのＰＥＴフィルム上に、上記封止層と同条件で封止層を形成し、その屈折率を測定した。得られた結果を表２に示す。

（３）膜密度
得られた封止層の膜密度を、Ｘ線回折装置（（株）リガク製、全自動水平型多目的Ｘ線回折装置 Smart Lab）を用いて測定した。
なお、測定の便宜上、有機ＥＬ素子の替わりに、厚さ１５０μｍのＰＥＴフィルム上に、上記封止層と同条件で封止層を形成し、その膜密度を測定した。得られた結果を表２に示す。

［実施例２］
実施例２においては、実施例１における封止層の厚さを５０ｎｍから、２００ｎｍに増加させた以外は、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。

［実施例３］
実施例３においては、実施例１における封止層の厚さを５０ｎｍから、５００ｎｍにさらに増加させた以外は、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。

［参考例４〜６］
参考例４〜６においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１〜３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリオルガノシロキサンを主成分とする塗液（信越化学工業（株）社製「ＫＳ８５３」）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［参考例７〜９］
参考例７〜９においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１〜３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリシランを主成分とする塗液（大阪ガスケミカル社製、「オグソールＳＩ−１０」をトルエン／エチルメチルケトン：７／３に溶解した溶液，固形分濃度７％）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［参考例１０〜１２］
参考例１０〜１２においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１〜３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリカルボシランを主成分とする塗液（日本カーボン社製、「ニプシＴｙｐe Ｓ」をトルエン／エチルメチルケトン：７／３に溶解した溶液、固形分濃度７％）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例１］
比較例１においては、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例２］
比較例２においては、有機ＥＬ素子上に対して、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ₂膜）を形成し、これを封止層とし、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、実施例１と同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例３］
比較例３においては、比較例２と同様に、スパッタリング法にて形成し厚さ２００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ_２膜）を形成し、さらに、二酸化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施し、封止層を形成したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例４］
比較例４においては、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）を形成し、これを封止層とし、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、実施例１と同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例５］
比較例５においては、比較例４と同様に、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）を形成し、さらに、窒化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例６］
比較例６においては、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの酸窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ膜）を形成し、さらに、酸窒化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。

［比較例７］
比較例７においては、厚さ１００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ_２膜）および厚さ１００ｎｍの酸窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ膜）からなる積層膜を、スパッタリング法にて形成し、さらに、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に評価した。得られた結果を表１に示す。

実施例の有機ＥＬ素子は、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られる封止層を備えるため、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、有機電子素子の性能の劣化を抑制されていることが分かった。

以上、詳述したように、本発明の封止層を備える有機電子素子は、有機ＥＬ素子、有機光電変換素子等の有機電子デバイスとして好適に用いられる。そして、このような有機電子デバイスは、例えば、携帯電話、ディスプレイ、電子ペーパー等の表示部材や、有機太陽電池等への応用が期待される。

１０：塗膜
１０´、１００：封止層
１０ａ：第１領域
１０ｂ：第２領域
１１、１０２：第一電極
１２：有機電子素子
２２、１０７：第二電極
５０、６０：封止層を備えた有機電子素子
９９、１０４：有機機能層
１００：封止層
１０１：基材
１０３：正孔輸送層
１０３ａ：正孔注入層
１０５：正孔ブロッキング層
１０６：電子輸送層
１０７ａ：電子注入層
１０８：有機光電変換層
１１０、１１１、１１２、１１３、１１４：有機ＥＬ素子
１１５：有機太陽電池
２００：プラズマイオン注入装置
１６：被処理物
２０２：導体
２０３：ガス導入口
２０７：オシロスコープ
２０８：直流印加装置（パルス電源）
２１０：高電圧導入端子
２１１：真空チャンバー

Claims

基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、
前記有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、
前記封止層が、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、前記封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子。
前記封止層の厚さを１０〜５０００ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の有機電子素子。
前記第１領域における膜密度を２．３〜４．０ｇ／ｃｍ³の範囲内の値とするとともに、前記第２領域における膜密度を２．３ｇ／ｃｍ³未満の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電子素子。
前記有機電子素子が、前記有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電子素子。
基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、前記封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０〜２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０〜１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法。
（１）前記基板上に、第一電極、有機機能層、および第二電極を順次積層し、有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
（２）前記有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物としてのポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
（３）前記塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
前記工程（２）において形成される塗膜が、前記工程（３）のイオン注入工程前に、屈折率を１．４８〜１．６３の範囲内の値に調整してあることを特徴とする請求項５に記載に有機電子素子の製造方法。
前記有機電子素子が、前記有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項５または６に記載の有機電子素子の製造方法。