JP2001267211A

JP2001267211A - 位置検出方法及び装置、並びに前記位置検出方法を用いた露光方法及び装置

Info

Publication number: JP2001267211A
Application number: JP2000073475A
Authority: JP
Inventors: Hideo Mizutani; 英夫水谷
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-03-16
Filing date: 2000-03-16
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】回折格子状マークの非対称性による位置検出
誤差を低減し、被検物の位置合わせを高精度に行う。【解決手段】互いに周波数が異なる２光束Ｌ０３及び
Ｌ３０をウエハ上に形成された回折格子状マークＷＭに
対して所定の入射角で入射させ、回折格子マークＷＭか
ら発生する±３次回折光を光電検出器３３により検出す
る。次に、２光束Ｌ０３及びＬ３０の入射角とは異なる
所定の入射角で、互いに周波数が異なる２光束Ｌ０４及
びＬ４０を回折格子状マークＷＭに対して入射させ、回
折格子状マークから発生する±４次回折光を光電検出器
３３により検出する。±３次回折光を検出して得られる
ビート信号と±４次回折光を検出して得られるビート信
号とに基づいて、回折格子マークＷＭの断面形状の非対
称性による検出誤差を補正し、ウエハの位置合わせを行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロダイン干渉
方式の位置検出方法及び位置検出装置に関し、例えば半
導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は
薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ
工程においてマスクのパターンを感光性基板上に露光す
るために使用される露光装置のアライメント系に使用し
て好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等の微細パターンを形成する
ために、マスクとしてのレチクル（又はフォトマスク
等）のパターンを投影光学系を介して感光基板としての
ウエハ（又はガラスプレート等）上に転写するステッパ
ー等の投影露光装置、又はレチクルのパターンを直接ウ
エハ上に転写するプロキシミティ方式の露光装置等の露
光装置が使用されている。例えば半導体素子はウエハ上
に多数層の回路パターンを所定の位置関係で積み重ねて
形成されるため、ウエハ上の２層目以降に回路パターン
を転写する際には、それまでに形成されている各ショッ
ト領域内の回路パターンとこれから転写するレチクルの
パターンとの位置合わせ（アライメント）を高精度に行
う必要がある。

【０００３】このため、従来よりレチクルとウエハとを
高精度に位置合わせするため、レチクル及びウエハ上に
設けられた回析格子状のマーク（アライメントマーク）
に２本の位置検出光を所定の２方向から照射し、発生し
た２つの回析光より得られる干渉光の位相から、マーク
の位置を計測するＬＩＡ（Laser Interferometric Alig
nment ）方式のアライメント装置が使用されてきた。

【０００４】このＬＩＡ方式のアライメント装置には、
マークの格子の周期方向に対して±Ｎ次方向から位置検
出光を照射し、発生した干渉光（両入射光の±Ｎ次回折
光の合成光束：Ｎは自然数）を受光する方式（以下、
「±Ｎ次光検出方式」と呼ぶ。）と、マークの格子の周
期方向に対して±Ｎ／２次方向から位置検出光を照射
し、一方の入射光（第１の入射光）の０次光と他方の入
射光（第２の入射光）のＮ次回折光との合成光束と、第
２の入射光の０次回折光と第１の入射光のＮ次回折光と
の合成光束とを独立に受光する方式（以下、「０−Ｎ次
光検出方式」と呼ぶ。）とがある。

【０００５】また、ＬＩＡ方式のアライメント装置は、
２つの位置検出光の周波数を同一にしたホモダイン方式
と、２つの位置検出光に一定の周波数差を持たせたヘテ
ロダイン方式とに大別され、上述の±Ｎ次光検出方式及
び０−Ｎ次光検出方式は、両者ともヘテロダイン方式及
びホモダイン方式の何れの方式でも使用することができ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来の露光
装置ではレチクルとウエハとを高精度に位置合わせする
ため、ＬＩＡ方式等のアライメント装置を使用してい
た。しかしながら、アライメントマークは、ウエハ等の
表面に微少な段差を持って形成されており、半導体製造
工程におけるエッチングやスパッタ等のウエハプロセス
等によって、アライメントマークの断面形状が非対称に
なる場合には、このマークの非対称性により位置検出精
度が低下する不都合があった。

【０００７】このため、複数波長の光を位置検出光とし
て用いることにより、マークの非対称性による検出誤差
を低減する方法が、特開平９−２１９３６２号公報にお
いて開示されている。また、ＷＯ９８／３９６８９号公
報において、ホモダイン方式で互いに次数の異なる複数
の位置検出光を用いることにより、マークの非対称性に
よる検出誤差を低減する方法が提案されている。

【０００８】しかしながら、特開平９−２１９３６２号
公報の複数波長の光を位置検出光として用いる方法で
は、例えば±１次回折光等の単一の次数による検出しか
行われないため、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish
ing:化学機械研磨）等の処理が施された低段差のウエハ
のアライメントを行う場合には、マークの非対称性によ
る影響を受けやすいという不都合があった。

【０００９】また、ホモダイン方式で互いに次数の異な
る複数の位置検出光を用いる方法では、使用する位置検
出光の次数の種類の数と同じ数の検出器を備える必要が
あり、装置の構成が複雑になる不都合があった。また、
構成上の理由から±Ｎ次光検出方式でしか使用できず、
±Ｎ次光検出方式は０−Ｎ次光検出方式に比べて信号強
度が極端に小さくなるため、十分な検出精度が得られな
い恐れもあった。

【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、簡単な構成で、
且つ回折格子状マークの非対称性による位置検出誤差を
低減して被検物の位置合わせを高精度に行うことができ
る位置検出方法を提供することを目的とする。更に、本
発明はそのような位置検出方法を実施できる位置検出装
置、並びにそのような位置検出方法を用いた露光方法及
び装置を提供することをも目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明による位置検出方
法は、物体（１，４）上に形成されたマーク（ＲＭ，Ｗ
Ｍ）の位置を計測する位置検出方法であって、所定波長
を有する第１の２光束（Ｌ０３，Ｌ３０）を、そのマー
クに対して、異なる２方向から第１の入射角θ１で入射
せしめ、その所定波長を有し、その第１の２光束とは異
なる第２の２光束（Ｌ０４，Ｌ４０）を、そのマークに
対して、異なる２方向からその第１の入射角とは異なる
第２の入射角θ２で入射せしめ、その第１及び第２の２
光束の入射によりそのマークからそれぞれ発生した回折
ビームに基づいて、そのマークの位置情報を求めるもの
である。

【００１２】斯かる本発明によれば、一例として、その
第１の２光束の入射によりそのマークから発生した所定
次数の回折ビーム同士の第１干渉ビームを検出し、その
第２の２光束の入射によりそのマークから発生したその
所定次数とは異なる次数の回折ビーム同士の第２干渉ビ
ームを検出する。ＬＩＡ方式でマークの位置検出を行う
場合、そのマークの断面形状の非対称性による検出誤差
は、一般に検出する干渉ビームの次数が高い程小さくな
る。従って、例えば予めシミュレーション又は実験によ
り干渉ビームの次数と検出誤差との関係を求め、この関
係からそのマークの非対称性による検出誤差を推定して
補正することによって、そのマークの非対称性による検
出誤差を低減することができ、ひいてはその物体の位置
合わせを高精度に行うことができる。

【００１３】また、その第１の２光束の入射によりその
マークから発生した回折ビームとその第２の２光束の入
射によりそのマークから発生した回折ビームとは、同一
の光電検出器を用いて検出することができ、装置の構成
が簡単になる利点もある。また、それらの各干渉ビーム
を構成する回折ビームの次数、その干渉ビームに基づく
信号のＳＮ比、又はその信号の強度に基づいて、その第
１干渉ビームとその第２干渉ビームとのうちのいずれか
一方を選択し、この選択された干渉ビームの検出結果に
基づいて、そのマークの位置情報を求めることが望まし
い。この場合には、マークの非対称性による検出誤差を
より高精度に補正することができ、その物体の位置合わ
せをより高精度に行うことができる。

【００１４】また、その第１の２光束をそのマークに入
射させた状態と、その第２の２光束をそのマークに入射
させた状態とを時間的に切り換えることことが望まし
い。この場合には、例えば同一の音響光学素子を使用し
てその第１及び第２の２光束を生成することができ、装
置の構成が簡単になる利点がある。また、その第１の２
光束と前記その第２の２光束とを空間的に分離すること
が望ましい。この場合にも、例えば同一の音響光学素子
を使用してその第１及び第２の２光束を生成することが
でき、装置の構成が簡単になる利点がある。

【００１５】次に、本発明による露光方法は、露光ビー
ムを用いて物体（４）上に所定パターンを形成する露光
方法であって、本発明の位置検出方法により検出された
マーク（ＷＭ）の位置情報に基づいて、その物体の位置
合わせを行い、その位置合わせが行われたその物体上に
その所定パターンを露光するものである。斯かる本発明
によれば、本発明の位置検出方法によりそのマークの位
置情報を検出するため、その物体の位置合わせを高精度
に行うことができ、その所定パターンをその物体上に高
精度に露光することができる。

【００１６】次に、本発明による位置検出装置は、物体
（１，４）上に形成されたマーク（ＲＭ，ＷＭ）の位置
を計測する位置検出装置であって、所定波長を有する第
１の２光束（Ｌ０３，Ｌ３０）と、その所定波長を有す
る第２の２光束（Ｌ０４，Ｌ４０）とを生成する２光束
生成手段（１０〜１３，１７，６０）と、その第１及び
第２の２光束を、そのマークに対して異なる２方向から
入射せしめる照射手段（１８ａ，１８ｂ，２１，２２，
２６，２７，３７，３８，３）と、その第１及び第２の
２光束の照射によりそのマークから発生した回折ビーム
を検出する検出手段（３３，３６）とを有し、その第１
の２光束は、そのマークに対するその第２の２光束の入
射角とは異なる入射角で、そのマークに入射するもので
ある。斯かる本発明の位置検出装置によれば、本発明の
位置検出方法を実施することができる。

【００１７】また、本発明による露光装置は、露光ビー
ムを用いて物体（４）上に所定パターンを形成する露光
装置であって、本発明の位置検出装置により検出された
マーク（ＷＭ）の位置情報に基づいて、その物体の位置
合わせを行い、その位置合わせが行われたその物体上に
その所定パターンを露光するものである。斯かる本発明
によれば、本発明の位置検出装置によりその物体の位置
合わせを高精度に行うことができ、その所定パターンを
その物体上に高精度に露光することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
につき図面を参照して説明する。本例は、ステッパー型
の投影露光装置に備えられたＴＴＲ（スルー・ザ・レチ
クル）方式で、且つヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系に本発明を適用したものである。図１は、本例の投
影露光装置を示し、この図１において、２次元的に移動
自在なレチクルステージ２上にレチクル１が保持されて
いる。レチクル１のパターン面には転写用の回路パター
ンが形成され、そのパターン面上のその回路パターンの
近傍にアライメントマーク（レチクルマーク）としての
回折格子マークＲＭが形成されている。

【００１９】そして、レチクル１の斜め上方に照明光学
系４０が配置され、露光時には、照明光学系４０からの
露光光が、レチクル１の上方に４５゜の傾斜角で斜設さ
れたダイクロイックミラー６により下方へ反射されて、
レチクル１上の回路パターンを均一な照度分布で照明す
る。その露光光のもとでレチクル１上の回路パターン
は、投影光学系３を介して所定の投影倍率βでウエハ４
上の各ショット領域に投影露光される。ウエハ４の表面
にはフォトレジストが塗布され、その表面は投影光学系
３に関してレチクル１のパターン面と共役な面に保持さ
れている。また、ウエハ４上の各ショット領域の近傍に
は、それぞれレチクル１上の回折格子マークＲＭと同様
のアライメントマーク（ウエハマーク）としての回折格
子マークＷＭが形成されている。以下、投影光学系３の
光軸に平行にｚ軸を取り、ｚ軸に垂直な平面内で図１の
紙面に平行にｘ軸を、図１の紙面に垂直にｙ軸を取って
説明する。

【００２０】ウエハ４は、ステップ・アンド・リピート
方式でｘ方向、ｙ方向に２次元的に移動するウエハステ
ージ５上に保持され、ウエハ４上の１つのショット領域
に対するレチクル１のパターンの転写露光が完了する
と、ウエハ４上の次の露光対象のショット領域が投影光
学系３の露光フィールドにステッピングされる。レチク
ルステージ２及びウエハステージ５におけるｘ方向、ｙ
方向及び回転方向（θ方向）の位置を独立に検出するた
めの不図示の干渉計が各ステージに設けられており、各
方向における各ステージの駆動は付属の駆動モータによ
り行われる。

【００２１】一方、回折格子マークＲＭ及びＷＭの位置
を検出するためのアライメント光学系が、ダイクロイッ
クミラー６の上方に設けられている。このアライメント
光学系において、光源１０は、露光光とは異なる広帯域
の光を供給するキセノン（Ｘｅ）ランプ又はハロゲンラ
ンプ等の白色光源である。光源１０からの白色光は、口
径可変な可変絞り１１及びコンデンサレンズ１２を介す
ることにより平行光束に変換された後、所定の波長域の
光を抽出するバンドパスフィルタ１３を介して光束Ｌと
して第１の音響光学素子（以下、「ＡＯＭ」と呼ぶ。）
１７に入射する。第１のＡＯＭ１７は、周波数ｆ１の高
周波信号ＳＦ１で駆動されており、ＡＯＭ１７からは光
束Ｌの０次光Ｌ０及び異方ブラッグ回折によりｆ１で周
波数変調された１次回折光Ｌ３が射出される。

【００２２】その後、０次光Ｌ０及び１次回折光Ｌ３
は、レンズ１８ａ、ミラー２０、レンズ１８ｂを経て、
周波数ｆ２の高周波信号ＳＦ２で駆動された第２のＡＯ
Ｍ６０に入射する。このとき、レンズ１８ａ及び１８ｂ
よりなるリレー光学系１８ａ，１８ｂに関して、ＡＯＭ
１７の超音波作用領域の中心とＡＯＭ６０の超音波作用
領域の中心とは共役である。また、リレー光学系１８
ａ，１８ｂ内に配置された空間フィルタ１９により、第
１のＡＯＭ１７からの０次光Ｌ０及び１次回折光Ｌ３以
外の光束が遮断されるようになっている。

【００２３】また、リレー光学系１８ａ，１８ｂでの反
転投影、及びミラー２０での反転を考慮して、ＡＯＭ６
０はＡＯＭ１７の場合と逆方向に高周波信号ＳＦ２で駆
動されている。この結果、０次光Ｌ０のＡＯＭ６０での
異方ブラッグ回折によってｆ２で周波数変調された１次
回折光（以下、単に「光束」と呼ぶ。）Ｌ０３、及び１
次回折光Ｌ３のＡＯＭ６０における０次光（以下、単に
「光束」と呼ぶ。）Ｌ３０が、異なる方向に射出され
る。光束Ｌ３０及び光束Ｌ０３は共に図１の紙面に垂直
な方向に偏光しているため、光束Ｌ３０及び光束Ｌ０３
を干渉させることによって、周波数（ｆ１−ｆ２）のヘ
テロダインビームが得られる。

【００２４】そして、光束Ｌ３０及び光束Ｌ０３はそれ
ぞれレンズ２１、及び空間フィルタ６１を経て、ビーム
スプリッタ２２により２分割される。ビームスプリッタ
２２を透過した光束Ｌ０３及び光束Ｌ３０はレンズ２３
により集光され、この集光位置に設けられた参照用の回
折格子２４上には、ピッチ方向に沿って流れる干渉縞が
形成される。そして、この回折格子２４を介した回折光
がフォトダイオード等からなる光電検出器２５にて参照
用の光ビート信号として光電検出される。

【００２５】一方、ビームスプリッタ２２で反射された
光束Ｌ０３及び光束Ｌ３０は、レンズ２６ａ，２６ｂよ
りなるリレー光学系２６、リレーレンズ２７、ビームス
プリッタ２８、平行平面板３７を通過する。この平行平
面板３７は、投影光学系３の瞳共役位置又はその近傍
に、アライメント光学系の光軸に対して傾角可変に設け
られ、テレセントリック性を維持するための機能を有す
る。平行平面板３７を通過した光束Ｌ０３及び光束Ｌ３
０は、対物レンズ３８、ダイクロイックミラー６を介し
て、所定の交差角を持つ２方向からレチクル１上の回折
格子マークＲＭを照明する。

【００２６】これにより、回折格子マークＲＭ上には、
ピッチ方向に沿って流れる干渉縞が形成され、回折格子
マークＲＭの法線方向（投影光学系３の光軸方向）に、
光束Ｌ０３の−３次回折光と、光束Ｌ３０の＋３次回折
光とがそれぞれ発生する。そして、光束Ｌ０３及び光束
Ｌ３０が回折格子マークＲＭを２方向から照明するとき
の交差角は、回折格子マークＲＭのピッチをＰＲＭ、光
源１０から供給される光の基準波長をλ０、光束Ｌ０３
又は光束Ｌ３０の回折格子マークＲＭに対する入射角を
θＲＭとするとき、次の関係を満足するように設定され
ている。

【００２７】ＰＲＭ・ｓｉｎθＲＭ＝３λ０ …（１）これにより、回折格子マークＲＭから発生する±３次回
折光は、再びダイクロイックミラー６、対物レンズ３
８、平行平面板３７を通過して、ビームスプリッター２
８で反射された後、レンズ２９及びビームスプリッター
３０を介して、視野絞り３４に達する。

【００２８】この視野絞り３４は、レチクル１と共役な
位置に設けられ、具体的には、図３（ａ）の斜線部で示
す如く、レチクル１の回折格子マークＲＭからの回折光
のみを通過させるように、回折格子マークＲＭと共役な
位置に開口部ＳＲＭが設けられている。視野絞り３４を
通過した回折格子マークＲＭからの回折光は、０次回折
光を遮光する空間フィルタ３５によりフィルタリングさ
れて、±３次回折光のみが光電検出器３６に達し、この
光電検出器３６にてレチクル１の位置情報を含んだ光ビ
ート信号が光電検出される。

【００２９】さて、光束Ｌ０３及び光束Ｌ３０は、レチ
クル上の回折格子マークＲＭを照明するが、レチクル１
には、図２（ａ）に示す如く、回折格子マークＲＭと並
列的にアライメント光用の透過窓Ｐ０が設けられてお
り、図２（ｂ）に示す如く、ウエハ４上でその透過窓Ｐ
０に対応する位置に、回折格子マークＷＭが形成されて
いる。

【００３０】図１において、レチクル１の透過窓Ｐ０を
通過した光束Ｌ０３及び光束Ｌ３０の一部は、投影光学
系３を介して、ウエハ４上の回折格子マークＷＭを所定
の交差角を持った２方向から照明し、これにより回折格
子マークＷＭ上には、ピッチ方向に沿って流れる干渉縞
が形成される。回折格子マークＷＭの法線方向（投影光
学系３の光軸方向）には、光束Ｌ０３の−３次回折光
と、光束Ｌ３０の＋３次回折光とがそれぞれ発生する。
回折格子マークＷＭから発生する±３次回折光は、再び
投影光学系３、透過窓Ｐ０（図２（ａ）参照）、ダイク
ロイックミラー６、対物レンズ３８、平行平面板３７を
通過してビームスプリッタ２８で反射された後、レンズ
２９、ビームスプリッタ３０を経て視野絞り３１に達す
る。この視野絞り３１は、ウエハ４と共役な位置に設け
られており、具体的には、図３（ｂ）の斜線部で示す如
く、ウエハ４上の回折格子マークＷＭからの回折光のみ
を通過させるように、回折格子マークＷＭと共役な位置
に開口部ＳＷＭが設けられている。

【００３１】このため、視野絞り３１を通過した回折格
子マークＷＭからの回折光は、０次回折光を遮光する空
間フィルタ３２によりフィルタリングされて、±３次回
折光のみが光電検出器３３に達し、この光電検出器３３
にてウエハ４上の位置情報を含んだ光ビート信号が光電
検出される。ここで、各空間フィルタ３２，３５はアラ
イメント光学系の瞳と略共役な位置、即ち投影光学系３
の瞳（射出瞳）と実質的に共役な配置にされ、レチクル
１、ウエハ４上に形成された回折格子マークＲＭ，ＷＭ
からの０次光（正反射光）を遮断し、±３次回折光（レ
チクル１、ウエハ４上の回折格子マークに対して垂直方
向に発生する回折光）のみを通過させるように設定され
ている。また、光電検出器３３及び３６は、対物レンズ
３８及びレンズ２９に関して、それぞれレチクル１及び
ウエハ４と略共役となるように配置されている。

【００３２】さて、各光電検出器２５，３３，３６から
得られる３つの光電信号は、共に同一の周波数Δｆ（＝
ｆ１−ｆ２）の正弦波状の光ビート信号を含んでおり、
それぞれ図１の位相検出系５０に供給される。この位相
検出系５０内の光ビート信号抽出部（フーリエ変換回
路）にてそれら３つの光電信号を電気的にフーリエ変換
して、それぞれ周波数Δｆの正弦波状の光ビート信号を
精度良く抽出し、これら光ビート信号の相互の位相差を
検出する。

【００３３】今、位置合わせされていない状態でレチク
ル１、ウエハ４が任意の位置で停止しているとすると、
対応する２つの光ビート信号は、一定の位相だけずれる
ことになる。ここで、レチクル１及びウエハ４からの各
光ビート信号の位相差（±１８０゜以内）は、レチクル
１及びウエハ４上にそれぞれ形成された回折格子マーク
の格子ピッチの１／２以内の相対位置ずれ量に一義的に
対応している。

【００３４】このため、予めプリアライメント及びサー
チアライメント工程によって、レチクル１とウエハ４上
の各ショット領域との相対位置ずれ量が各回折格子マー
クＲＭ，ＷＭの格子ピッチの１／２以下となるように位
置合わせを行う。そして、位相検出系５０では例えば回
折格子マークＲＭに対応する光ビート信号と、回折格子
マークＷＭに対応する光ビート信号との位相差を求め、
この位相差を装置全体の動作を統轄制御する主制御系５
１に供給する。それに応じて主制御系５１では、位相検
出系５０から供給された位相差が零又は所定の値となる
ようにサーボ系５２を介してレチクルステージ２又はウ
エハステージ５を２次元移動させて位置合わせを行う。

【００３５】なお、光電検出器２５により得られる参照
用の光ビート信号を基準信号として、この基準信号と各
回折格子マークＲＭ，ＷＭからの光ビート信号との各々
の位相差が零又は所定の値となるように位置合わせを行
ってもよい。また、ＡＯＭ１７，６０を駆動する高周波
信号を混合して得られるビート信号を基準信号として利
用することもできる。

【００３６】次に、互いに異なる周波数の２光束を生成
する部分について図４を参照して詳細に説明する。図４
では、図１のリレー光学系１８ａ，１８ｂをリレー光学
系１８で表し、且つミラー２０を省略してある。従っ
て、ＡＯＭ６０における高周波信号ＳＦ２の印加方向
は、図１の場合と逆になっている。図４において、ＡＯ
Ｍ１７の音響光学媒体１７ａ内の超音波作用領域の中心
（回折点）ＣＡと、ＡＯＭ６０の音響光学媒体６０ａ内
の超音波作用領域の中心（回折点）ＣＢとはリレー光学
系１８に関して共役となっている。

【００３７】また、ＡＯＭ１７は、例えば２酸化テルル
（ＴｅＯ₂)、石英、又はモリブデン酸鉛（ＰｂＭｏＯ₄)
等の音響光学媒体１７ａに、圧電素子等のトランスデュ
ーサ１７ｂを被着したものであり、このトランスデュー
サ１７ｂに発振器１６から周波数ｆ１の高周波信号ＳＦ
１が印加されている。同様に、ＡＯＭ６０も、音響光学
媒体６０ａにトランスデューサ６０ｂを被着したもので
あり、トランスデューサ６０ｂに発振器５９から周波数
ｆ２の高周波信号ＳＦ２が印加されている。

【００３８】そして、光束Ｌは図４の紙面に平行な方向
に偏光してＡＯＭ１７に入射し、ＡＯＭ１７の音響光学
媒体１７ａ内の横波の超音波進行波Ａによって約５０％
が異方ブラッグ回折を受けて１次回折光である光束Ｌ３
となり、残りの大部分が０次光である光束Ｌ０として光
軸に平行にＡＯＭ１７を透過する。また、光束Ｌ３は、
ｆ１の周波数変調を受けると共に、図４の紙面に垂直な
方向に偏光方向が回転しており、０次光Ｌ０の偏光方向
は入射時と同じである。光束Ｌ３及び光束Ｌ０はリレー
光学系１８を介して、第２のＡＯＭ６０の音響光学媒体
６０ａ内の超音波作用領域の中心ＣＢで交差するように
そのＡＯＭ６０に入射する。

【００３９】そして、光束Ｌ０はＡＯＭ６０の音響光学
媒体６０ａ内の超音波進行波Ｂによってほぼ１００％が
回折されて、ｆ２の周波数変調を受けた１次回折光であ
る光束Ｌ０３となり、光束Ｌ３はＡＯＭ６０をほぼその
まま透過して０次光である光束Ｌ３０となる。また、光
束Ｌ０３はＡＯＭ６０での回折によって偏光方向が図８
の紙面に垂直な方向に回転しており、光束Ｌ３０の偏光
方向と等しくなっている。従って、光束Ｌ０３と光束Ｌ
３０とを位置検出用の光束として使用できる。

【００４０】また、０次光Ｌ０のＡＯＭ６０による０次
光Ｌ００も僅かに発生することがあるが、この０次光Ｌ
００は図１の空間フィルタ６１で遮光される。また、本
例では、ＡＯＭ１７に入射した光束Ｌのほぼ５０％がｆ
１の周波数変調を受けた光束Ｌ３０となり、残りのほぼ
全部がｆ２の周波数変調を受けた光束Ｌ０３となるた
め、回折効率が極めて高くなっている。

【００４１】ところで、図５に示すように、回折格子マ
ークＷＭを構成するラインの溝底部が例えば傾きφで格
子周期方向に差を持ったりするなど回折格子マークＷＭ
の断面形状が非対称性を有する場合には、回折格子マー
クの振幅反射率の絶対値及び位相も非対称になる。この
結果、回折格子マークから発生する回折光も例えば０次
光に対して右方向に発生する正の次数と左方向に発生す
る負の次数とで強度や位相が異なったものになり、位置
検出精度が悪化してしまう。特にＣＭＰ等の処理が施さ
れた低段差のウエハを使用する場合には、検出誤差が大
きくなってしまう。

【００４２】そこで本例では、ＬＩＡ方式でアライメン
トを行う場合に回折格子マークの非対称性による検出誤
差が、図６に示すように高次の回折光を使用する程小さ
くなることを利用して、予めシミュレーションにより図
６の誤差曲線を求めておき、上述の±３次回折光の他
に、±４次回折光も使用して回折格子マークＷＭの位置
検出を行い、回折格子マークＷＭの非対称性による検出
誤差を推定し補正する。±４次回折光による検出は、図
４の発振器１６，５９からトランスデューサ１７ｂ，６
０ｂに印加する周波数ｆ１，ｆ２を変更し、実線で示す
光束Ｌ０３，Ｌ３０を点線で示す光束Ｌ０４，Ｌ４０の
ように変更して、回折格子マークＷＭに対する入射角を
変更することによって行う。

【００４３】まず±３次回折光による検出を行う際に
は、例えば図４のＡＯＭ１７，６０に印加する超音波の
周波数ｆ１，ｆ２を、それぞれ５０ＭＨｚ、５０．１Ｍ
Ｈｚとし、光束Ｌ０３，Ｌ３０を生成する。図９に示す
ように、光束Ｌ０３，Ｌ３０は回折格子マークＷＭに対
して入射角θ１で入射し、回折格子マークＷＭ上には、
ピッチが２μｍの干渉縞が形成され、回折格子マークＷ
Ｍの法線方向には、光束Ｌ３０の−３次回折光Ｌ３Ａ
と、光束Ｌ０３の＋３次回折光Ｌ３Ｂとがそれぞれ発生
する。ここで、回折格子マークＷＭのピッチＰは１２μ
ｍであり、光束Ｌ０３と光束Ｌ３０とが回折格子マーク
ＷＭを２方向から照明するときの交差角は、光源１０か
ら供給される光の基準波長をλとするとき、次の関係を
満足するようになっている。

【００４４】Ｐ・ｓｉｎθ１＝３λ …（２）これにより、回折格子マークＷＭから発生する±３次回
折光Ｌ３Ａ，Ｌ３Ｂは、光電検出器３３に達し、上述の
ようにウエハ４上の位置情報を含んだ光ビート信号が光
電検出される。このとき、光ビート信号の周波数は１０
０ｋＨｚとなる。この周波数は容易にｐｐｍのオーダー
で安定させることができ、極めて高精度に設定すること
ができる。また、超音波の音速を４０００ｍ／ｓｅｃと
すると、ＡＯＭ１７，６０内を進行する超音波のピッチ
は８０μｍであり、０次光を遮光するので干渉縞のピッ
チが４μｍとなるため、ＡＯＭ１７，６０〜回折格子マ
ークＷＭ間の投影光学系３を含めた光学系の縮小倍率は
１／２０としている。

【００４５】次に、±４次回折光による検出を行う際に
は、例えば図４のＡＯＭ１７，６０に印加する超音波の
周波数ｆ１，ｆ２を、それぞれ６６．６７ＭＨｚ、６
６．７７ＭＨｚに切り換えて、光束Ｌ０４，Ｌ４０を生
成する。図９に示すように、光束Ｌ０４，Ｌ４０は回折
格子マークＷＭに対して入射角θ２で入射し、回折格子
マークＷＭ上には、ピッチが１．５μｍの干渉縞が形成
され、回折格子マークＷＭの法線方向には、光束Ｌ４０
の−４次回折光Ｌ４Ａと、光束Ｌ０４の＋４次回折光Ｌ
４Ｂとがそれぞれ発生する。ここで、光束Ｌ０４と光束
Ｌ４０とが回折格子マークＷＭを２方向から照明すると
きの交差角は、次の関係を満足するようになっている。

【００４６】Ｐ・ｓｉｎθ２＝４λ …（３）これにより、回折格子マークＷＭから発生する±４次回
折光Ｌ４Ａ，Ｌ４Ｂは、光電検出器３３に達し、ウエハ
４の位置情報を含んだ光ビート信号が光電検出される。
この光ビート信号の周波数も１００ｋＨｚとなる。そし
て、主制御系５１では、図６の誤差曲線、及び±３次回
折光Ｌ３Ａ，Ｌ３Ｂの検出値と±４次回折光Ｌ４Ａ，Ｌ
４Ｂの検出値とに基づいて回折格子マークＷＭの非対称
性による検出誤差を推定して補正し、サーボ系５２を介
してウエハステージ５を２次元移動させて位置合わせを
行う。

【００４７】以上のように、ＡＯＭ１７，６０に印加す
る超音波の周波数を時間的に切り換え、±３次回折光Ｌ
３Ａ，Ｌ３Ｂ及び±４次回折光Ｌ４Ａ，Ｌ４Ｂを検出す
ることによって、回折格子マークＷＭの非対称性による
誤差を低減し、高精度なアライメントを行うことができ
る。また、本例によれば、光束Ｌ０３，Ｌ３０及び光束
Ｌ０４，Ｌ４０は、同一のＡＯＭ１７，６０で生成する
ことができ、さらに、±３次回折光Ｌ３Ａ，Ｌ３Ｂ及び
±４次回折光Ｌ４Ａ，Ｌ４Ｂの検出も同一の光電検出器
３３で行うことができ、簡単な構成で回折格子マークＷ
Ｍの位置検出を高精度に行うことができる利点がある。

【００４８】また、±３次回折光による検出と±４次回
折光による検出との切り換えは、ＡＯＭ１７，６０に印
加する超音波の周波数の変更をμｓｅｃのオーダーで極
めて短時間に行うことができ、回折格子マークＷＭの検
出も極めて短時間に行うことができることから、極めて
短時間に行うことができる。従って、±３次回折光と±
４次回折光とは、見かけ上同時に検出したことになる。
また、ＡＯＭ１７，６０に印加する超音波について２種
類の周波数を同時に加えることもできる。

【００４９】なお、検出に使用する回折光の次数は、３
次及び４次に限られるものではなく、例えば５次、６次
等のより高次の回折光を使用するようにしてもよく、１
次回折光等の低次の回折光を使用するようにしてもよ
い。また、検出の基準又は真値として、光ビート信号の
ＳＮ比の最も良好な回折光又は最も高次の回折光の検出
値を選択するようにしてもよい。

【００５０】また、レイヤ毎に、例えばロッドの先頭の
ウエハのアライメントを行う前に予め誤差曲線を求め、
検出誤差のオフセットを記憶して検出の基準となる回折
光の次数を、例えば３次等に固定するようにしてもよ
い。次に、本発明の第２の実施の形態につき図７を参照
して説明する。本例は、第１の実施の形態に対して、回
折格子マークＷＭに入射する２光束を生成する部分を変
更したものであり、図７において図４に対応する部分に
は同一符号を付してその詳細説明を省略する。

【００５１】図７において、光源１０から射出された光
束は、ＡＯＭ１７，６０により周波数変調させられ、レ
ンズ２１を介してビームスプリッタ７０に入射する。ビ
ームスプリッタ７０を通過した光束Ｌ１は、レンズ７
１、ビームスプリッタ７３、及び空間フィルタ６１〜対
物レンズ３８を介して入射角θで回折格子マークＷＭに
入射するようになっており、回折格子マークＷＭの法線
方向には、光束Ｌ１の±１次回折光が発生する。ここ
で、光束Ｌ１が回折格子マークＷＭを２方向から照明す
るときの交差角は、次の関係を満足するように設定され
ている。

【００５２】Ｐ・ｓｉｎθ＝λ …（４）これにより、回折格子マークＷＭから発生する±１次回
折光は、光電検出器３３に達し、この光電検出器３３に
てウエハ４上の位置情報を含んだ光ビート信号が光電検
出される。一方、ビームスプリッタ７０により反射され
た光束Ｌ３は、ミラー７２ａ，７２ｄ及びレンズ７２
ｂ，７２ｃ，７２ｅからなる拡大光学系７２を介して、
ビームスプリッタ７３により反射され、空間フィルタ６
１〜対物レンズ３８を介して所定の入射角で回折格子マ
ークＷＭに入射するようになっている。拡大光学系７２
を含む光束Ｌ３の光路の光学系の倍率は、レンズ７１を
含む光束Ｌ１の光路の光学系の倍率よりも大きくなって
おり、本例では、回折格子マークＷＭの法線方向に光束
Ｌ３の±３次回折光が発生するような入射角で光束Ｌ３
が回折格子マークＷＭに入射するような倍率になってい
る。そして、回折格子マークＷＭの法線方向に発生した
光束Ｌ３の±３次回折光は光電検出器３３に達し、この
光電検出器３３にてウエハ４上の位置情報を含んだ光ビ
ート信号が光電検出される。

【００５３】以上のように、２光束を空間的に分割し
て、一方の２光束を他方の２光束と倍率を異ならせて再
合成することによって、回折格子マークＷＭに対する入
射角を異ならせることができる。また、第１の実施の形
態のように、±３次回折光及び±４次回折光のような高
次回折光のみを使用する場合には、検出範囲がそれぞれ
２μｍ及び１．５μｍと狭くなるため、ラフアライメン
トを行うことが困難になるが、本例のように±１次回折
光を使用する場合には、検出範囲が６μｍとなり、ラフ
アライメントに対しても実用的なものとなる。

【００５４】また、上述の各実施の形態では、±Ｎ次光
検出方式を用いているが、高次回折光は一般に回折効率
が低いため、±Ｎ次光検出方式で十分な信号強度が得ら
れない場合には、以下のように０−Ｎ次光検出方式を用
いるようにするとよい。図１０は、０−Ｎ次光検出方式
を用いた場合の回折格子マークＷＭの近傍の様子を示
し、この図１０において、光束Ｌ０３及びＬ３０は、入
射角θ３で回折格子マークＷＭに入射するようになって
いる。そして、回折格子マークＷＭから発生する光束Ｌ
３０の０次光と光束Ｌ０３の−３次回折光Ｌ３Ｃとが光
電検出器３３Ａに達し、この光電検出器３３Ａにて回折
格子マークＷＭの位置情報を含んだ光ビート信号が光電
検出される。また、光束Ｌ０３の０次光と光束Ｌ０３の
３次回折光とが光電検出器３３Ｂに達し、この光電検出
器３３Ｂにて回折格子マークＷＭの位置情報を含んだ光
ビート信号が光電検出される。ここで、光束Ｌ０３及び
Ｌ３０が回折格子マークＷＭを２方向から照明するとき
の交差角は、次の関係を満足するように設定されてい
る。

【００５５】２Ｐ・ｓｉｎθ３＝３λ …（５）また、光束Ｌ０４及びＬ４０は、入射角θ４で回折格子
マークＷＭに入射するようになっており、回折格子マー
クＷＭから発生する光束Ｌ４０の０次光と光束Ｌ０４の
−３次回折光Ｌ４Ｃとが光電検出器３３Ａに達し、この
光電検出器３３Ａにて回折格子マークＷＭの位置情報を
含んだ光ビート信号が光電検出される。また、光束Ｌ０
４の０次光と光束Ｌ４０の３次回折光とが光電検出器３
３Ｂに達し、この光電検出器３３Ｂにて回折格子マーク
ＷＭの位置情報を含んだ光ビート信号が光電検出され
る。ここで、光束Ｌ０４及びＬ４０が回折格子マークＷ
Ｍを２方向から照明するときの交差角は、次の関係を満
足するように設定されている。

【００５６】２Ｐ・ｓｉｎθ４＝４λ …（６）このように、０−Ｎ次光検出方式を用いることによっ
て、±Ｎ次光検出方式を用いる場合よりも高い信号強度
を得ることができる。また、図８に示すように、０次光
Ｌ３０と−３次回折光Ｌ３Ｄとを光電検出器３３Ａで、
０次光Ｌ０３と３次回折光Ｌ３Ｃとを光電検出器３３Ｂ
で、それぞれビームスプリッタ等を介さずに検出するよ
うにしてもよい。

【００５７】ところで、ＡＯＭの音響光学媒体に加える
超音波の周波数をｆとすると、次式で与えられるパラメ
ータＱを適切に選ぶように注意する必要がある。Ｑ＝（２πＬλｆ² ）／ｎＶ² …（７）但し、Ｌは超音波作用領域の長さ、λは使用される光束
の中心波長、ｎは音響光学媒体の屈折率、Ｖは超音波の
速度である。そして、Ｑの値が４π前後（≒１２．６）
ではブラッグ回折が起こり、Ｑの値が２の前後ではラマ
ン−ナス（Raman-Nath）回折が起こる。そして、そのＱ
の値の条件をほぼ満たす範囲で、超音波の周波数ｆを調
整することで、その音響光学媒体内の進行波のピッチを
或る程度変化させることができ、回折格子マークＷＭに
入射する２光束の交差角を変化させることができる。ま
た、第２の実施の形態のように、２光束を分割して、一
方の２光束を他方の２光束と倍率を異ならせて再合成す
ることによって、回折格子マークＷＭに対する入射角を
互いに異ならせる場合には、さらに広い範囲で交差角を
変化させることができる。

【００５８】また、上記の各実施の形態は、本発明をＴ
ＴＲ方式のアライメント系に適用したものであるが、本
発明はオフ・アクシス方式のアライメント系にも適用す
ることができる。更に、上記の各実施の形態は、本発明
をステッパー型の投影露光装置のアライメント系に適用
したものであるが、本発明はステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置、更には投影光学系を使用しない
プロキシミティ方式の露光装置等のアライメント系にも
適用することができる。

【００５９】また、上記の実施の形態の投影露光装置
は、照明光学系や投影光学系の調整を行うと共に、各構
成要素を、電気的、機械的又は光学的に連結して組み上
げられる。この場合の作業は温度管理が行われたクリー
ンルーム内で行うことが望ましい。そして、上記のよう
に露光が行われたウエハ４が、現像工程、パターン形成
工程、ボンディング工程等を経ることによって、半導体
素子等のデバイスが製造される。

【００６０】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、マークの非対称性によ
る検出誤差を低減することができ、その物体の位置合わ
せを高精度に行うことができる。また、その第１の２光
束の入射によりそのマークから発生した回折ビームとそ
の第２の２光束の入射によりそのマークから発生した回
折ビームとを、同一の光電検出器を用いて検出すること
ができ、装置の構成が簡単になる利点がある。また、露
光ビームを用いて物体上に所定パターンを形成する場合
に、本発明を適用した場合には、その所定パターンをそ
の物体上に高精度に露光することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態において使用され
る投影露光装置を示す概略構成図である。

【図２】（ａ）はレチクル上の回折格子マーク及び透
過窓を示す平面図、（ｂ）はウエハ上の回折格子マーク
を示す平面図である。

【図３】（ａ）はレチクルと共役な視野絞りを示す
図、（ｂ）はウエハと共役な視野絞りを示す図である。

【図４】図１の投影露光装置のアライメント系を示す
図である。

【図５】格子方向の断面形状に非対称性を有する回折
格子マークを示す断面図である。

【図６】ＬＩＡ方式でアライメントを行う際の回折光
の次数Ｎと回折格子マークの非対称性による検出誤差δ
との関係の一例を示すグラフである。

【図７】本発明の第２の実施の形態において使用され
る投影露光装置のアライメント系を示す図である。

【図８】０−Ｎ次光検出方式でアライメントを行う際
の回折格子マークの近傍を示す図である。

【図９】 ±Ｎ次光検出方式でアライメントを行う際の
回折格子マークの近傍を示す図である。

【図１０】０−Ｎ次光検出方式でアライメントを行う
際の回折格子マークの近傍を示す図である。

【符号の説明】

ＲＭ，ＷＭ…回折格子マーク、１…レチクル、３…投影
光学系、４…ウエハ、１０…光源、１１…可変絞り、１
２…コンデンサレンズ、１３…バンドパスフィルタ、１
７，６０…音響光学素子（ＡＯＭ）、１８ａ，１８ｂ…
リレー光学系のレンズ、１９，６１…空間フィルタ、２
５，３３，３６…光電検出器、３８…対物レンズ、７１
…レンズ、７２…拡大光学系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０７ＲＦターム(参考） 2F065 AA03 AA14 BB02 BB28 CC20 DD00 DD02 FF48 FF49 FF52 GG02 GG03 GG04 GG24 HH12 JJ01 JJ05 JJ18 LL00 LL20 LL46 LL57 LL59 NN08 PP12 UU01 UU07 2H051 AA10 BA53 BA72 CE12 CE14 2H097 CA16 GB00 KA20 LA10 LA12 5F046 AA20 BA02 BA03 CB17 DA12 DB05 EA07 EA09 FA06 FA09 FC04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】物体上に形成されたマークの位置を計測
する位置検出方法であって、所定波長を有する第１の２光束を、前記マークに対し
て、異なる２方向から第１の入射角で入射せしめ、前記所定波長を有し、前記第１の２光束とは異なる第２
の２光束を、前記マークに対して、異なる２方向から前
記第１の入射角とは異なる第２の入射角で入射せしめ、前記複数の光束の入射により前記マークから発生した回
折ビームに基づいて、前記マークの位置情報を求めるこ
とを特徴とする位置検出方法。
【請求項２】前記第１の２光束の入射により前記マー
クから所定方向に発生した回折ビーム同士の第１干渉ビ
ームを検出し、前記第２の２光束の入射により前記マークから前記所定
方向に発生した回折ビーム同士の第２干渉ビームを検出
し、前記第１、第２干渉ビームの検出結果に基づいて、前記
マークの位置情報を求めることを特徴とする請求項１記
載の位置検出方法。
【請求項３】前記第１干渉ビームは、所定次数の回折
ビームを含み、前記第２干渉ビームは、前記所定次数とは異なる次数の
回折ビームを含むことを特徴とする請求項２記載の位置
検出方法。
【請求項４】前記各干渉ビームを構成する回折ビーム
の次数、前記干渉ビームに基づく信号のＳＮ比、又は前
記信号の強度に基づいて、前記第１干渉ビームと前記第
２干渉ビームとのうちのいずれか一方を選択し、該選択
された干渉ビームの検出結果に基づいて、前記マークの
位置情報を求めることを特徴とする請求項２又は３記載
の位置検出方法。
【請求項５】前記第１の２光束を前記マークに入射さ
せた状態と、前記第２の２光束を前記マークに入射させ
た状態とを時間的に切り換えることを特徴とする請求項
１〜４の何れか一項記載の位置検出方法。
【請求項６】前記第１の２光束と前記第２の２光束と
を空間的に分離することを特徴とする請求項１〜４の何
れか一項記載の位置検出方法。
【請求項７】前記第１の２光束は互いに周波数が異な
り、前記第２の２光束も互いに周波数が異なることを特
徴とする請求項１〜６の何れか一項記載の位置検出方
法。
【請求項８】露光ビームを用いて物体上に所定パター
ンを形成する露光方法であって、請求項１〜７の何れか一項記載の位置検出方法により検
出された前記マークの位置情報に基づいて、前記物体の
位置合わせを行い、前記位置合わせが行われた前記物体上に前記所定パター
ンを露光することを特徴とする露光方法。
【請求項９】物体上に形成されたマークの位置を計測
する位置検出装置であって、所定波長を有する第１の２光束と、前記所定波長を有す
る第２の２光束とを生成する２光束生成手段と、前記第１及び第２の２光束を、前記マークに対して異な
る２方向から入射せしめる照射手段と、前記第１及び第２の２光束の照射により前記マークから
発生した回折ビームを検出する検出手段とを有し、前記第１の２光束は、前記マークに対する前記第２の２
光束の入射角とは異なる入射角で、前記マークに入射す
ることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１０】前記検出手段は、前記第１の２光束の
入射により前記マークから所定方向に発生した回折ビー
ム同士の第１干渉ビーム、及び前記第２の２光束の入射
により前記マークから前記所定方向に発生した回折ビー
ム同士の第２干渉ビームを検出し、前記第１、第２干渉ビームの検出結果に基づいて、前記
マークの位置情報を求めることを特徴とする請求項９に
記載の位置検出装置。
【請求項１１】前記第１干渉ビームは、所定次数の回
折ビームを含み、前記第２干渉ビームは、前記所定次数
とは異なる次数の回折ビームを含むことを特徴とする請
求項１０に記載の位置検出装置。
【請求項１２】前記各干渉ビームを構成する回折ビー
ムの次数、前記干渉ビームに基づく信号のＳＮ比、又は
前記信号の強度に基づいて、前記第１干渉ビームと前記
第２干渉ビームとのうちのいずれか一方を選択する選択
手段を更に有し、前記選択された干渉ビームの検出結果に基づいて、前記
マークの位置情報を求めることを特徴とする請求項９又
は１０記載の位置検出装置。
【請求項１３】前記２光束生成手段は、音響光学素子
を含み、前記音響光学素子に印加する超音波の周波数を
変更することにより、前記入射角の異なる２光束を生成
することを特徴とする請求項９〜１２の何れか一項記載
の位置検出装置。
【請求項１４】前記２光東生成手段は、前昌己音響光
学素手に印加する前記超音波の周波数を時分割に変更す
ることにより、それぞれ入射角の異なる前記第１の２光
束と前記第２の２光束とを時分割で生成することを特徴
とする請求項１３記載の位置検出装置。
【請求項１５】前記２光束生成手段は、前記第１の光
束の入射角に応じた複数の周波数の超音波と、前記第２
の光束の入射角に応じた複数の周波数の超音波とを、前
記音響光学素子に実質的に同時に印加することにより、
それそれ入射角の異なる前記第１の２光束と前記第２の
２光束とを実質的に同時に生成することを特徴とする請
求項１３記載の位置検出装置。
【請求項１６】前記第１の２光束は互いに周波数が異
なり、前記第２の２光束も互いに周波数が異なることを
特徴とする請求項９〜１５の何れか一項記載の位置検出
装置。
【請求項１７】露光ビームを用いて前記物体上に所定
パターンを形成する露光装置であって、請求項９〜１６の何れか一項記載の位置検出装置により
検出された前記マークの位置情報に基づいて、前記物体
の位置合わせを行い、前記位置合わせが行われた前記物体上に前記所定パター
ンを露光することを特徴とする露光装置。