JP2001217544A - 多層回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度配線化およびＬＳＩ等の半導体チップ
の高密度実装に有利な多層回路基板を提供すること。 【解決手段】 内層に導体回路を有する多層化基板の一
方の表面上に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間がビアホールにて接続されたビルドア
ップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、上
記多層化基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面に導
体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体
回路に達する孔内に、導電性ペースト層またはめっき層
を設けたビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤
層を介して積層され、一括して加熱プレスされることに
より形成され、さらに、ビルドアップ配線層の最も外側
の導体層表面には導電性バンプが形成され、多層化基板
のビルドアップ配線層が形成されない表面には、導電性
ピンまたは導電性ボールが形成されていることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ベースとなる多
層化基板の片面にビルドアップ配線層が形成された多層
回路基板に係り、とくに、ベースとなる基板の多層化
が、充填ビアホールを備えた複数の片面または両面回路
基板を積層し、接着剤を介して一括加熱プレスすること
により行なわれ、その多層化基板内の導体回路と多層化
基板の片面に形成したビルドアップ配線層との電気的接
続が、多層化基板に形成した充填ビアホールと、その直
上に形成したビルドアップ配線層内のビアホールとを介
して確保できる高密度配線化に有利な多層回路基板につ
いて提案する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の半導体チップを含む電
子部品を実装するパッケージ基板は、電子工業の進歩に
伴う電子機器の小型化あるいは高速化に対応し、ファイ
ンパターンによる高密度化および信頼性の高いものが求
められている。このようなパッケージ基板として、１９
９７年、１月号の「表面実装技術」には、多層化基板の
両面にビルドアップ多層配線層が形成されたものが開示
されている。

【０００３】ところが、上掲の従来技術に係るパッケー
ジ基板では、多層化基板内の導体層とビルドアップ配線
層との接続は、多層化基板の表面にスルーホールから配
線した内層パッドを設け、この内層パッドにビアホール
を接続させて行っていた。このため、スルーホールのラ
ンド形状がダルマ形状あるいは鉄アレイ形状となり、そ
の内層パッドの領域がスルーホールの配置密度の向上を
阻害し、スルーホールの形成数には一定の限界があっ
た。それ故に、配線の高密度化を図るためにコア基板を
多層化すると、外層のビルドアップ配線層は、多層化基
板内の導体層と十分な電気的接続を確保することができ
ないという問題があった。

【０００４】なお、このような問題点については、本発
明らは先に、特願平第１０−１５３４６号（特開平第１
１−２１４８４６号）としてその改善方法を提案した。
このような改善提案による多層回路基板は、内層に導体
層を有する多層化基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層と
が交互に積層されて各導体層間がビアホールにて接続さ
れたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板
において、多層化基板には、スルーホールが形成され、
そのスルーホールには充填材が充填されるとともに該充
填材のスルーホールからの露出面を覆って導体層が形成
され、その導体層にはビアホールが接続された構成であ
り、それによってスルーホールの配置密度が向上し、高
密度化したスルーホールを介して多層化したコア基板内
の導体回路との接続が確保できるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の多層回路基板におけるスルーホールは、多層化さ
れたコア基板にドリル等で貫通孔を明け、その貫通孔の
壁面および基板表面に無電解めっきを施して形成される
ため、その開口性や経済性を考慮すると、形成され得る
スルーホール開口径の下限は３００μｍ程度であり、現
在の電子産業界の要請を満足するような超高密度配線を
実現するためには、５０〜２５０μｍ程度のより小さな
開口径と、より狭いスルーホールランドピッチを得るた
めの技術開発が望まれている。

【０００６】そこで、本発明者らは、硬質材料からなる
コア材の片面または両面に導体回路を有し、その片面か
らコア材を貫通して導体回路に達する開口内に導電性物
質を充填したビアホールを形成してなる回路基板の複数
枚を互いに積層し、接着剤を介して一括して加熱プレス
することにより多層化基板を形成すれば、多層化基板に
スルーホールを設けることなく、多層化基板内の導体回
路同士、および多層化基板内の導体回路と多層化基板上
に形成したビルドアップ配線層との電気的接続が、多層
化基板に形成した充填ビアホールと、その直上に形成し
たビルドアップ配線層内のビアホールとを介して十分に
確保できることを知見し、さらに、ビルドアップ配線層
の最も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに
形成し、そのはんだパッドに対してＬＳＩ等の半導体チ
ップを含んだ電子部品に接続できる導電性バンプを配設
し、さらに、多層化基板の外側に露出するビアホール直
上の導体回路に対して、あるいはビアホールから露出す
る導電性物質の一部をはんだパッドに形成しそのはんだ
パッドに対して、マザーボードに直接的に接続できる導
電性ピンまたは導電性ボールを配設することによって高
密度配線および電子部品の高密度実装化が可能となるこ
とを知見した。本発明の目的は、このような高密度配線
および高密度実装化に有利な多層回路基板を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。すなわち、 （１） 本発明の多層回路基板は、内層に導体回路を有
する多層化基板の片面上に、層間樹脂絶縁層と導体層と
が交互に積層され、各導体層間がビアホールにて接続さ
れたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板
において、上記多層化基板は、絶縁性硬質基材の片面ま
たは両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通
して前記導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填さ
れてなるビアホールを有する回路基板の複数枚が、接着
剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされること
で形成され、さらに、上記ビルドアップ配線層の最も外
側の導体層表面には、ビアホール直上に位置して、ＬＳ
Ｉ等の半導体チップを含む電子部品に接続されるはんだ
バンプが配設され、前記多層化基板の他方の表面に露出
する導体回路の表面には、前記充填ビアホールの直上に
位置して、マザーボードに接続される導電性ピンまたは
導電性ボールが配設されていることを特徴とする。上記
多層化基板を構成する各回路基板のビアホール形成用開
口内に充填される導電性物質は、金属粒子と、熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂とからなる導電性ペースト、も
しくは電解めっき処理によって形成された電解銅めっき
であることが望ましい。

【０００８】また、上記多層化基板を構成する各回路基
板は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホール
に電気的接続された突起状導体が形成されていることが
望ましく、その突起状導体は、導電性ペーストから形成
されることが望ましい。

【０００９】さらに、上記ビルドアップ配線層のビアホ
ールの一部は、上記多層化基板に形成されたビアホール
の直上に位置して、そのビアホールに直接接続されてい
ることが望ましい。

【００１０】また、上記多層化基板を構成する各回路基
板の絶縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス
布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフ
ェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ
樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から
選ばれるいずれかの硬質基材から形成されることが望ま
しく、厚さが２０〜１００μｍのガラス布エポキシ樹脂
基材から形成されることがさらに望ましい。

【００１１】このようなガラス布エポキシ樹脂基材から
形成された絶縁性基材に形成される充填ビアホール径
は、５０〜２５０μｍであることが望ましい。

【００１２】上記ビアホールは、パルスエネルギーが
０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パル
ス間隔が０．５ms以上、ショット数が３〜５０の条件
で、ガラス布エポキシ樹脂基材の表面に照射される炭酸
ガスレーザによって形成された開口に対して形成される
ことが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明は、絶縁性硬質基材の片面
または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫
通して前記導体回路に達する貫通孔に導電性物質が充填
されてなる回路基板の複数枚を接着剤層を介して互いに
積層し、かつ一括して加熱プレスすることにより形成し
た多層化基板の一方の表面に、絶縁層層と導体層とが交
互に積層され、導体層間の電気的接続がビアホールを介
して行われるようなビルドアップ配線層が形成されてな
る多層回路基板において、ビルドアップ配線層の最も外
側の導体層表面には、ビアホール直上に位置してＬＳＩ
等の半導体チップを含む電子部品に接続されるはんだバ
ンプが配設され、またビルドアップ配線層が形成されな
い多層化基板の他方の表面に露出する導体回路上には、
充填ビアホールの直上に位置して、マザーボードに接続
される導電性ピンまたは導電性ボールが配設されている
点に特徴がある。

【００１４】このような本発明の構成によれば、コア基
板にスルーホールを設けることが不要となるので、従来
技術に比べてランドなどのパッド配設の自由度が向上す
る。その結果、充填ビアホールを高密度に設けることが
できるので、多層化基板内における配線の高密度化が可
能となり、こうして高密度化されたビアホールを介し
て、外層のビルドアップ配線層は、多層化基板内の導体
回路と十分な接続を確保することが可能になり、高密度
配線化が可能となる。

【００１５】また、ビルドアップ配線層内に高密度に形
成されたビアホールのうち、最も外側に位置するソルダ
ーレジスト層に形成された開口内に露出する導体回路
（導体パッド）に対して導電性バンプを配設し、多層化
基板のビルドアップ配線層が形成されない側の表面に露
出するビアホール直上の導体パッドに対して導電性ピン
または導電性ボールを配設するので、ビルドアップ配線
層は、このような導電性バンプ、導電性ピンまたは導電
性ボールを介して、ＬＳＩ等の半導体チップを含んだ電
子部品やマザーボードに最短の配線長で接続され、高密
度配線化および電子部品の高密度実装化が可能となる。

【００１６】本発明において、多層化基板を構成する各
回路基板は、従来のような半硬化状態のプリプレグでは
なく、完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶
縁性樹脂基材から形成されるのが望ましい。

【００１７】このような絶縁性基材としては、ガラス布
エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン
樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、
アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−
ポリイミド樹脂基材から選ばれるリジッド（硬質）な積
層基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も望
ましい。

【００１８】上記絶縁性基材上に導体回路を形成する場
合に、絶縁性基材上に銅箔を加熱プレスによって圧着さ
せる工程において、プレス圧による絶縁性基材の最終的
な厚みの変動がなくなるので、ビアホールの位置ずれが
最小限度に抑えられ、ビアランド径を小さくでき、その
結果、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させるこ
とができる。

【００１９】また、硬化された樹脂基材を絶縁性基材と
して用いるので、基材の厚みを実質的に一定に保つこと
ができ、ひいてはビアホール形成用開口を形成する際の
レーザ加工条件の設定が容易となる。

【００２０】上記絶縁性基材の厚さは、２０〜６００μ
ｍが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。２０μｍ未満の厚さでは強度が低下して取扱が難し
くなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くな
るからであり、６００μｍを超えると微細なビアホール
形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなる
ためである。

【００２１】また、上記範囲の厚さを有するガラスエポ
キシ基板上に形成されるビアホール形成用開口は、パル
スエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１
００μｓ、パルス間隔が0.５ｍｓ以上、ショット数が３
〜５０の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成
されることが好ましく、その開口径は、５０〜２５０μ
ｍの範囲であることが望ましい。その理由は、５０μｍ
未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接
続信頼性が低くなるからであり、２５０μｍを超える
と、高密度化が困難になるからである。

【００２２】このような炭酸ガスレーザによる開口形成
の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹
脂フィルムを粘着させ、あるいは必要に応じて、半硬化
状態の樹脂接着剤層を介して樹脂フィルムを粘着させ、
その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望まし
い。前者の方法は、片面に予め銅箔を貼り付けた絶縁性
基材に銅箔の反対側からレーザ照射を行なうことによっ
て、非貫通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリ
ードとして電解めっき層を充填した後、エッチング処理
することによって片面回路基板を製作する場合、あるい
は片面銅張積層板をエッチング処理して導体回路を予め
形成した絶縁性基材にレーザ照射により非貫通孔を設
け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解め
っき層を充填することによって片面回路基板を製作する
場合に採用され、後者は、絶縁性基材に予めレーザ照射
により貫通孔を設け、その貫通孔を導電性ペーストで充
填した後に、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付け、エッ
チング処理することによって両面回路基板を製作する場
合に採用される。この樹脂接着剤は、銅箔を絶縁性基材
の表面に接着するためのものであり、たとえば、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂から形成され、その厚みは１
０〜５０μｍの範囲が好ましい。

【００２３】上記絶縁性基材上にあるいはその絶縁性基
材上に形成した樹脂接着剤層の上に貼付けられた樹脂フ
ィルムは、ビアホール形成用の開口内に電解めっきを充
填してビアホールを形成する際の保護フィルムとして、
あるいは開口内に導電性ペーストを充填してビアホール
と突起状導体を形成する際の、あるいは電解めっき層の
上に導電性ペーストを充填して電解めっき層の直上に突
起状導体（バンプ）を形成する際の印刷用マスクとして
機能し、導電性物質の充填後は、絶縁性基材あるいは接
着剤層から剥離されるような粘着剤層を有する。この樹
脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが１〜２０μ
ｍであり、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍである
ＰＥＴフィルムから形成されるのが好ましい。

【００２４】その理由は、ＰＥＴフィルムの厚さに依存
して後述する突起状導体の高さが決まるので、１０μｍ
未満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりや
すく、逆に５０μｍを超えた厚さでは、接続界面で突起
状導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成が
できないからである。

【００２５】上記絶縁性基材に形成した開口内部に充填
される導電性物質としては、電解めっき処理によって形
成される金属めっきや導電性ペーストが好ましい。導電
性ペーストは、工程をシンプルにして、製造コストを低
減させ、歩留まりを向上させる点では好ましいが、接続
信頼性の点から金属めっきがより好ましい。

【００２６】上記導電性ペーストとしては、銀、銅、
金、ニッケル、半田から選ばれる少なくとも１種以上の
金属粒子からなる導電性ペーストを使用できる。上記金
属粒子としては、金属粒子の表面に異種金属をコーティ
ングしたものも使用できる。具体的には銅粒子の表面に
金、銀から選ばれる貴金属を被覆した金属粒子を使用す
ることができる。このような導電性ペーストとしては、
金属粒子に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬
化性樹脂と、ポリフェニレンスルフイド（ＰＰＳ）など
の熱可塑性樹脂とを加えた有機系導電性ペーストが望ま
しい。

【００２７】上記絶縁性基材の片面または両面に形成さ
れる導体回路は、厚さが５〜１８μｍの銅箔を半硬化状
態に保持された樹脂接着剤層を介して熱プレスした後、
適切なエッチング処理をすることによって形成されるの
が好ましい。このような熱プレスは、適切な温度および
加圧力のもとで行なわれる。より好ましくは、減圧下に
おいて行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化
することによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかり
と接着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基
板に比べて製造時間が短縮される。

【００２８】このような導体回路が絶縁性基材の両面に
形成されるような回路基板は、多層コア基板のコアとし
て適切であるが、各ビアホールに対応した基板表面に
は、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、そ
の口径が５０〜２５０μｍの範囲に形成されるのが好ま
しい。

【００２９】また、導体回路が絶縁性基材の片面に形成
されるような回路基板は、それらの複数枚を順次重ね合
わせて多層化基板とすることができるだけでなく、両面
回路基板をコアとし、その両側に積層される積層用回路
基板として適切であり、ビアホールに充填された導電性
物質の位置の真上に突起状導体が形成されることが好ま
しい。

【００３０】上記突起状導体は、導電性ペーストや低融
点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積
層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性
ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビ
アホール内に充填される導電性物質の高さのばらつきを
吸収することができ、それ故に、接続不良を防止して接
続信頼性に優れた多層コア基板を得ることができる。こ
のような突起状導体は、ビアホール内に充填される導電
性ペーストと同一の材料で、しかも同一の充填工程によ
って形成することもできる。

【００３１】さらに、多層コア基板上に形成するビルド
アップ配線層を、後述するような樹脂の塗布および硬化
によって形成する場合には、多層コア基板表面に設けた
導体回路の表面には、粗化層が形成されていることが有
利である。その理由は、多層コア基板上に積層されるビ
ルドアップ配線層内の層間樹脂絶縁層やビアホールとの
密着性を改善することができるからである。とくに、導
体回路の側面に粗化層が形成されていると、その導体回
路側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。

【００３２】一方、ビルドアップ配線層を、後述するよ
うな樹脂フィルムの積層および加熱加圧による硬化によ
って形成する場合には、粗化層の形成は必ずしも必要で
ない。

【００３３】このような導体回路の表面に形成される粗
化層の厚さは、 ０．１〜１０μｍがよい。この理由
は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると
被着体との密着力が低くなるからである。この粗化層と
しては、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形
成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめ
っき処理にて形成したものがよい。

【００３４】これらの粗化処理のうち、有機酸−第二銅
錯体の混合水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリ
ングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回
路である銅などの金属箔を溶解させる。 Ｃｕ＋Ｃｕ（II）Ａ_ｎ →２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ＋ｎ／４Ｏ_２ ＋ｎＡＨ （エ
アレーション）→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ Aは錯化剤（キレート剤として作用）、nは配位数であ
る。

【００３５】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾー
ル、２−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％がよ
い。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れる
からである。

【００３６】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも１種がよい。この有機酸の含有量は、０．１〜
３０重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、か
つ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第
一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅
錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸
に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加
してもよい。

【００３７】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。

【００３８】ハロゲンイオン量は、０．０１〜２０重量
％がよい。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層
間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。この有機
酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の
第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオ
ン）を、水に溶解して調製する。

【００３９】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッ
ケル 0.１〜６.0 ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、
次亜リン酸塩１０〜１００ ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０
ｇ／ｌ、界面活性剤００１〜１０ｇ／ｌからなる液組成
のめっき浴を用いることが望ましい。

【００４０】本発明においては、多層コア基板は、上記
片面回路基板の複数枚を積層して、それらを一括して加
熱加圧することによって形成されるが、その多層コア基
板上に形成されるビルドアップ配線層を構成する層間樹
脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができ
る。

【００４１】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレ
ンエーテル（ＰＰＥ）などが使用できる。熱可塑性樹脂
としては、フェノキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、熱可塑型ポリフェニレ
ンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥ
Ｓ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレン
スルフォン（ＰＰＥＳ）、４フッ化エチレン６フッ化プ
ロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エチレンパーフ
ロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐ
ＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂などが使用できる。熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体としては、エポキシ
樹脂−ＰＥＳ、エポキシ樹脂−ＰＳＦ、エポキシ樹脂−
ＰＰＳ、エポキシ樹脂−ＰＰＥＳ、エポキシ樹脂−フェ
ノキシ樹脂、フェノール樹脂−フェノキシ樹脂などが使
用できる。

【００４２】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂等
の所望枚数の樹脂フィルムを積層し、加熱プレスした
後、熱硬化させて一体化させて形成することができる。
ポリオレフィン系樹脂層の厚さは、５〜２００μｍの範
囲が望ましい。その理由は、５μｍ未満では層間絶縁の
確保が難しく、２００μｍを超えるとレーザ加工による
開口を形成し難くなるからである。

【００４３】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接
着剤を用いることができる。この無電解めっき用接着剤
としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤
に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなる
ものが最適である。この理由は、酸や酸化剤で処理する
ことにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に
蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面が形成できるからで
ある。粗化面の深さは、０．１〜２０μｍがよい。密着
性を確保するためである。また、セミアディティブプロ
セスにおいては、 ０．１〜５μｍがよい。密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからであ
る。

【００４４】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくと
も１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１
〜０．８μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が ０．８μ
ｍを超え２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平
均粒径が０．１〜１０ μｍの耐熱性樹脂粉末、から選
ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望まし
い。また上記樹脂粒子の代わりに金属粒子や無機粒子を
用いてもよく、さらにそれらの複数種類を適宜混合して
用いてもよい。より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。上記無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹
脂は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。

【００４５】本発明において、多層コア基板上に形成さ
れた導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続は、層間樹脂絶縁層内に形成したビアホールで
接続することができる。この場合、ビアホールは、めっ
き膜や充填材で充填してもよい。

【００４６】以下、本発明の多層回路基板を製造する一
例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。
なお、以下に述べる方法において、多層化基板上へのビ
ルドアップ配線層の形成は、セミアディティブ法によっ
て行うが、フルアディティブ法やマルチラミネーション
法、ピンラミネーション法を採用することもできる。

【００４７】(Ａ) 多層化基板の形成 (1)まず多層化基板を構成する両面回路基板を形成す
る。そのコア材としては、完全に硬化した絶縁性基材が
使用される。この絶縁性基材は、たとえば、ガラス布エ
ポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹
脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、ア
ラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポ
リイミド樹脂基材から選ばれるリジッド（硬質）な積層
基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ま
しい。上記絶縁性基材１０の厚さは、２０〜６００μｍ
が望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。２０μｍ未満の厚さでは強度が低下して取扱いが難
しくなり、６００μｍを超えると微細なビアホールの形
成および導電性物質の充填が難しくなるからである。

【００４８】このような絶縁性基材１０の両面に半硬化
状態の接着剤、すなわちＢステージの接着剤層１２を設
け(図１(a)参照)、さらに、その接着剤層１２の上に保
護フィルム１４を貼付ける（図１(b)参照）。上記接着
剤１２は導体回路を形成する銅箔を接着するためのもの
であり、たとえば、エポキシ樹脂ワニスが使用され、そ
の層厚は１０〜５０μｍの範囲が好ましい。また上記保
護フィルム１４は、後述する導電性ペーストの印刷用マ
スクとして使用され、たとえば、表面に粘着層を設けた
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが使用
され得る。前記ＰＥＴフィルム１４は、粘着剤層の厚み
が１〜２０μｍ、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍ
であるようなものが使用される。

【００４９】(2) ついで、絶縁性基材１０上に貼付け
られたＰＥＴフィルム１４上からレーザ照射を行って、
絶縁性基材を貫通するビアホール形成用開口１６を形成
する（図１(ｃ)参照）。このレーザ加工は、パルス発振
型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われる。加工条件
は、、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス
幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、シ
ョット数が３〜５０の範囲内であることが望ましい。こ
のような加工条件のもとで形成され得る開口１６の開口
径は、５０〜２５０μｍであることが望ましい。その
後、開口１６の内壁面に残留する樹脂を取り除くため
に、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等のデスミ
ア処理を行うことが、接続信頼性確保の点で望ましい。

【００５０】(3)次に、前記(2)の工程においてＰＥＴフ
ィルム１４に形成された開口からビアホール形成用開口
１６内に、導電性ペースト１８を印刷によって充填し、
あるいは基板上の金属箔をめっきリードとして電解めっ
き処理を施して、開口１６内に電解めっき層を充填して
ビアホール２０を形成する（図１(ｄ)参照）。この際、
ＰＥＴフィルム１４は、印刷用マスクあるいはめっき保
護フィルムとして機能する。

【００５１】上記導電性物質の充填方法には、絶縁性
基材を貫通して形成された開口１６の上部をわずかに残
して開口内の隙間のほとんど全てに、めっき処理による
金属めっきを充填した後、ＰＥＴフィルム１４を貫通し
て形成された開口および接着剤層１２を貫通して形成さ
れた開口内の隙間の全てに導電性ペーストを充填するや
り方と、絶縁性基材を貫通して形成された開口１６
と、ＰＥＴフィルム１４を貫通して形成された開口と、
接着剤層１２を貫通して形成された開口内の隙間の全て
に導電性ペーストを充填するやり方があるが、この実施
形態においては、の方法を採用する。上記めっき処理
としては電解めっき処理が好ましく、とくに、電解銅め
っき処理によって形成された電解銅めっきが好ましい。
また上記導電性ペーストは、銀、銅、金、ニッケル、半
田から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子からなる
導電性ペーストを使用できる。上記金属粒子としては、
金属粒子の表面に異種金属をコーティングしたものも使
用できる。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれ
る貴金属を被覆した金属粒子を使用することができる。
このような導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフ
ェニレンスルフイド（ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂を加
えた有機系導電性ペーストが望ましい。

【００５２】また、上記導電性ペーストに代えて、低融
点金属である半田ペーストを用いて印刷する方法、半田
めっきを行う方法、あるいは半田溶融液に浸漬する方法
により、導電性物質を開口内に形成することもでき、低
融点金属としては、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ、Ａｇ−Ｓｎ系
はんだ、インジウムはんだ等を使用することができる。

【００５３】(4)その後、ＰＥＴフィルム１４を接着剤
層１２の表面から剥離させたのち（図１(ｅ)参照）、銅
箔２２を樹脂接着剤層１２を介して絶縁性基材１０の両
面に熱プレスによって圧着して、樹脂接着剤１２を硬化
させる（図１(f)参照）。その際、銅箔２２は硬化した
樹脂接着剤１２を介して絶縁性基材１０に接着され、導
電性ペースト１８と銅箔２２とが電気的に接続される。
銅箔２２の厚さは、５〜１８μｍが望ましい。その理由
は、レーザ加工で絶縁性基材にビアホール形成用開口を
形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、
逆に厚すぎるとエッチングにより、回路パターンにアン
ダーカットが形成されるためファインパターンを形成し
難いからである。

【００５４】(5)ついで、銅箔２２上にエッチング保護
フィルムを貼付して、所定パターンのマスクを披覆した
後、エッチング処理を行って導体回路２４（ビアランド
を含む）を形成する（図１(g)参照）。この処理工程に
おいては、先ず、銅箔２２の表面に感光性ドライフィル
ムレジストを貼付するか、液状感光性レジストを塗布し
た後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理して
エッチングレジストを形成した後、エッチングレジスト
非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含
んだ導体パターン２４を形成する。エッチング液として
は、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第
二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも１種の水溶液が望
ましい。上記銅箔２２をエッチングして導体回路２４を
形成する前処理として、ファインパターンを形成しやす
くするため、あらかじめ、銅箔２２の表面全面をエッチ
ングして厚さを１〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μ
ｍ程度まで薄くすることができる。導体回路の一部とし
てのビアランドは、その内径がビアホール径とほぼ同様
であるが、その外径は、５０〜２５０μｍの範囲に形成
されることが好ましい。

【００５５】(6)エッチング処理の後、(5)の工程におい
て形成した導体回路２４の表面を粗化処理して（粗化層
の表示は省略する）、コア用回路基板３０を形成する。
この粗化処理は、多層化する際に、接着剤層との密着性
を改善し、剥離（デラミネーション）を防止するためで
ある。粗化処理方法としては、例えば、ソフトエッチン
グ処理や、黒化（酸化）一還元処理、銅−ニッケルーリ
ンからなる針状合金めっき（荏原ユージライト製：商品
名インタープレート）の形成、メック社製の商品名「メ
ックエッチボンド」なるエッチング液による表面粗化が
ある。

【００５６】この実施形態においては、上記粗化層の形
成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、
たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合
水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理するこ
とによって形成することができる。かかるエッチング液
は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅
導体回路を溶解させることができ、反応は、次のように
進行するものと推定される。 Ｃｕ＋Ｃｕ（II）Ａ_ｎ →２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ＋ｎ／４Ｏ_２ ＋ｎＡＨ （エ
アレーション）→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ 式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位
数を示す。

【００５７】この式に示されるように、発生した第一銅
錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体
となって、再び銅の酸化に寄与する。本発明で用いられ
る第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。この
有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール
類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイ
オン）を、水に溶解して調製することができる。またエ
ッチング液は、たとえば、イミダゾール銅(ＩＩ)錯体
１０重量部、グリコール酸 ７重量部、塩化カリウム
５重量部を混合した水溶液から形成される。

【００５８】(7)次に、前記(6)の工程にて形成したコア
用回路基板に積層される片面回路基板を製造する。この
積層用片面回路基板の製造に当たって、片面に金属層４
２の形成された絶縁性基材４０を出発材料として用い
る。使用する絶縁性基材４０としては、コア用回路基板
と同様に、完全に硬化した樹脂材料から形成され、たと
えば、ガラス布エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−エ
ポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド基材、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂基材から選ばれるリジッ
ド（硬質）な積層基材が使用される。特に、ガラス布エ
ポキシ樹脂基材が好ましい。また、絶縁性基材４０の一
方の表面に形成された金属層４２は、銅箔を使用でき
る。銅箔は密着性改善のため、マット処理されていても
よく、また絶縁性基材４０の表面に、金属を蒸着した
後、電解めっき処理を施して形成した銅めっきを、金属
層４２とすることもできる。

【００５９】上記絶縁性基材４０の厚さは、２０〜６０
０μｍが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するため
である。２０μｍ未満の厚さでは、強度が低下して取扱
が難しくなるとともに電気的絶縁性に対する信頼性が低
くなり、６００μｍを超えると、微細なビアホールの形
成および導電性物質の充填が難しくなるからである。一
方、金属層４２の厚さは、５〜１８μｍが望ましい。そ
の理由は、レーザ加工で絶縁性基材にビアホール形成用
開口を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからで
あり、逆に厚すぎるとエッチングにより、ファインパタ
ーンを形成し難いからである。上記絶縁性基材４０およ
び金属層４２としては、特に、エポキシ樹脂をガラスク
ロスに含潰させてＢステージとしたプリプレグと、銅箔
とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅
張積層板を用いることが好ましい。その理由は、金属層
４２がエッチングされた後の取扱中に、配線パターンや
ビアホールの位置がずれることがなく、位置精度に優れ
るからである。

【００６０】(8)次に、絶縁性基材４０の金属層４２形
成面と反対側の表面に保護フィルム４４を貼付する（図
２(a)参照）。この保護フィルム４４は、表面に粘着層
を設けたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムが使用され得る。

【００６１】(9)ついで、絶縁性基材４０の保護フィル
ム４４上からレーザ照射を行って、保護フィルム４４お
よび絶縁性基材４０を貫通して金属層４２に至るビアホ
ール形成用開口４６を形成する（図２(b)参照）。この
開口４６の形成は、パルス発振型炭酸ガスレーザ加工装
置によって行われる。このようなビアホール形成用開口
４６の加工条件は、、パルスエネルギーが０．５〜１０
０ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．
５ｍｓ以上、ショット数が３〜５０の範囲であることが
望ましく、このような加工条件のもとで形成される開口
４６の開口径は、５０〜２５０μｍであることが望まし
い。その後、開口４６の内壁面に残留する樹脂を取り除
くために、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等の
デスミア処理を行うことが、接続信頼性確保の点で望ま
しい。

【００６２】(10)次に、レーザ加工で形成したビアホー
ル形成用開口４６内に、導電性物質４８を充填してビア
ホール４９を形成する。このような導電性物質４８は、
上記(3)の工程と同様に、導電性ペーストの充填あるい
は電解めっき処理による金属めっきの充填により形成さ
れるのが好ましい。

【００６３】(11)その後、絶縁性基材４０に貼付した保
護フィルム４４の上に、さらにエッチング保護フィルム
５０を貼付し（図２(ｃ)参照）、一方、金属層４２には
所定パターンのマスクで披覆した後、上記(5)の工程に
したがうエッチングを行って、導体回路５２を形成する
（図２(d)参照）。この処理工程においては、先ず、金
属層４２の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付
するか、液状感光性レジストを塗布した後、所定の回路
パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジス
トを形成した後、エッチングレジスト非形成部分の金属
層４２をエッチングして導体パターン５２を形成する。

【００６４】(12)エッチング処理の後、保護フィルム４
４および５０を剥離し（図２(e)参照）、必要に応じ
て、導体回路５２の表面を粗化処理する。この粗化処理
は、多層化する際に、接着剤層との密着性を改善し、剥
離（デラミネーション）を防止するためであり、その粗
化処理方法は、上記(6)の工程にしたがって行う。

【００６５】絶縁性基板４０から保護フィルム５０を剥
離した状態においては、開口４６内に充填した導電性物
質４８は、絶縁性基板４０の表面から保護フィルム４４
の厚さ分だけ突出しており、この突出部分５３（以下、
「突起状導体」という）の高さは、１０〜４０μｍの範
囲が望ましい。その理由は、１０μｍ未満では、接続不
良を招きやすく、４０μｍを越えると抵抗値が高くなる
と共に、加熱プレス工程において突起状導体が熱変形し
た際に、絶縁性基板の表面に沿って拡がりすぎるので、
ファインパターンが形成できなくなるからである。ま
た、上記導電ペーストから形成される突起状導体は、プ
レキュアされた状態であることが望ましい。その理由
は、突起状導体は半硬化状態でも硬いので、後述するよ
うな積層プレスの段階で軟化した有機系接着剤層を貫通
し、積層される他の回路基板のビアホールと電気的接触
が可能となるからである。また、加熱プレス時に変形し
て接触面積が増大し、導通抵抗を低くすることができる
だけでなく、突起状導体の高さのばらつきを是正するこ
とができる。

【００６６】(13)次いで、絶縁性基材４０の突起状導体
５３側の表面に樹脂接着剤５４を塗布する（図２(ｆ)参
照）。上記積層用回路基板は、それらの複数枚が相互に
積層接着されたり、予め製造されたコア用回路基板に積
層接着されて多層化されるが、接着剤はこのような積層
段階で使用される。例えば、絶縁性基材４０の突起状導
体５３側の表面全体および／または導体回路５２側の表
面全体に塗布され、乾燥化された状態の未硬化樹脂から
なる接着剤層５４として形成される。この接着剤層は、
取扱が容易になるため、プレキュアしておくことが好ま
しく、その厚さは、５〜５０μｍの範囲が望ましい。

【００６７】前記接着剤層５４は、有機系接着剤からな
ることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリフ
ェノレンエーテル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱可塑性
樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との
複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹
脂であることが望ましい。有機系接着剤である未硬化樹
脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロー
ルコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用
できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミ
ネートすることによってもできる。

【００６８】上記導体回路の形成直後に、その導体回路
５２やビアホール４９の検査が可能であり、積層する前
に不良個所の有無を検査することかできる。上記コア用
片面回路基板に対する積層段階では、不良のない片面回
路基板のみを用いることができるので、多層化基板、ひ
いては多層回路基板を高い歩留まりで製造することがで
きる。

【００６９】（Ｂ）上記(1)〜(13)の工程によって製造
された複数の両面および片面回路基板、たとえば４枚の
回路基板を相互に積層して多層化基板を製造する。 (1)まず、コア用両面回路基板３０と積層用片面回路基
板３２、３４および３６を互いに対向するように積層す
る(図３参照)。この重ね合わせは、隣接する片面回路基
板の突起状導体５３と導体回路５２とが、対向するよう
な位置に配置することにより行なわれる、すなわち、各
回路基板の周囲に設けられたガイドホールにガイドピン
（図示せず）を挿通することにより、位置合わせしなが
ら行なわれる。また、位置合わせは、画像処理にて行っ
てもよい。

【００７０】(2)上記積層された４層基板を、熱プレス
を用いて１５０〜２００℃で加熱し、０．５〜１０ＭＰ
ａ、望ましくは２〜５ＭＰａで加熱プレスすることによ
り、回路基板３０〜３６を、１度のプレス成形により一
体化し、多層化基板６０を得る（図４参照）。ここで
は、先ず、加圧されることで、積層用片面回路基板３２
の突起状導体５３が、未硬化の接着剤５４を周囲に押し
出し、その突起状導体５３がコア用両面回路基板３０の
導体回路５２に当接して両者の電気的接続がなされる。
同様に、積層用片面回路基板３４の突起状導体５３が積
層用片面回路基板３６の導体回路５２と当接して両者の
電気的接続がなされ、積層用片面回路基板３６の突起状
導体５３は、コア用両面回路基板３０の導体回路５２に
当接して両者の電気的接続がなされる。

【００７１】更に、加圧と同時に加熱することで、各回
路基板３０〜３６の接着剤層５４が硬化し、隣接する片
面回路基板との間で強固な接着が行われる。なお、熱プ
レスとしては、真空熱プレスを用いることが好適であ
る。このように、積層された４層の回路基板を一括して
加熱加圧しながら、各回路基板の突起状導体を接着剤層
に嵌入・貫通せしめて、その突起状導体と対向する前記
導体回路に接続させて一体化することにより、多層化基
板６０が製造される。上述した実施形態では、４層の回
路基板を用いて多層化したが、３層、５層あるいは６層
を超える多層化基板の製造にも適用できる。

【００７２】（Ｃ）ビルドアップ配線層の形成 上記(Ａ)および(Ｂ)の工程によって形成された多層化基
板６０の片面に、ビルドアップ配線層を形成する。図５
においては、多層化基板６０を構成する両面および片面
回路基板の図示は、簡単化の目的ですべて省略する（図
５（ａ）参照）。 (1)多層化基板６０の片面にある導体回路５２の表面に
銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成する（図
５（ｂ）参照）。この粗化層６２は、無電解めっきによ
り形成される。この無電解めっき水溶液の液組成は、銅
イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃
度が、それぞれ２．２×１０^−２〜４．１×１０^−２
ｍｏｌ／ｌ、 ２．２×１０^−３〜４．１×１０^−３ ｍ
ｏｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌであることが
望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構
造になるため、アンカー効果に優れるからである。この
無電解めっき水溶液には上記化合物に加えて錯化剤や添
加剤を加えてもよい。粗化層の形成方法としては、前述
したように、銅−ニッケル−リン針状合金めっきによる
処理、酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グする処理にて粗化面を形成する方法などがある。

【００７３】(2) 次に、前記(1)で作製した粗化層を有
する多層化基板６０の上に、層間樹脂絶縁層６４を形成
する（図５（ｃ））。特に本発明では、後述するビアホ
ール７０を形成する層間樹脂絶縁材として、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を樹脂マトリックスとした無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。また、半
硬化状態の樹脂フィルムを積層して用いてもよい。

【００７４】(3) 前記(2)で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、ビアホール形成用の開口部６５を
設ける（図５（ｄ））。感光性樹脂の場合は、露光，現
像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂
の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層６４にビアホール形成用の開口部６５
を設ける。

【００７５】(4) 次に、硬化した前記接着剤層６４の表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によ
って分解または溶解して除去し、接着剤層表面に粗化処
理を施して粗化面６６とする（第１図（ｅ））。ここ
で、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻
酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、ビアホールから露
出する金属導体層を腐食させ難いからである。一方、上
記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マン
ガン酸カリウムなど）を用いることが望ましい。

【００７６】(5) 次に、接着剤層６４表面の粗化面６６
に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオン
や貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的
には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。

【００７７】(6) さらに、（無電解めっき用）接着剤層
６４の表面に無電解めっきを施し、粗化面全域に追従す
るように、無電解めっき膜６７を形成する（図５
（ｆ））。このとき、無電解めっき膜６７の厚みは、
０．１〜５μｍの範囲が好ましく、より望ましくは
０．５〜３μｍとする。次に、無電解めっき膜６７上に
めっきレジスト６８を形成する（図６（ａ))。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のア
クリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用い
ることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使
用することもできる。

【００７８】(7) さらに、無電解めっき膜６７上のめっ
きレジスト非形成部に電解めっきを施して、上層導体回
路７２を形成すべき導体層を設けると共に開口６５内部
に電解めっき膜６９を充填してビアホール７０を形成す
る（図６（ｂ））。この時、開口５の外側に露出する電
解めっき膜９の厚みは、５〜３０μｍが望ましい。ここ
で、上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが
望ましい。

【００７９】(8) さらに、めっきレジスト６８を除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジス
ト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した上層導
体回路７２と充填ビアホール７０とする。

【００８０】(9) 次に、上層導体回路７２の表面に粗化
層７４を形成する。粗化層７４の形成方法としては、エ
ッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理が
ある。これらの処理のうち、酸化還元処理は、ＮａＯＨ
（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ ₂（５０ｇ／ｌ）、ＮａＰ
Ｏ_４（１５．０ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）とし、Ｎａ
ＯＨ（２．７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４(１．０ｇ／ｌ）を
還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層からな
る粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成さ
れる。

【００８１】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１ 〜６．０ｇ／
ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１
００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．
０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。さらに、この粗化層７４の表面をイオン
化傾向が銅より大きくチタン以下である金属もしくは貴
金属の層にて被覆する。スズの場合は、ホウフッ化スズ
−チオ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このと
き、Ｃｕ−Ｓｎの置換反応により０．１〜２μｍ程度の
Ｓｎ層が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着
などの方法が採用できる。

【００８２】(10) 次に、この基板上に層間樹脂絶縁層
として、無電解めっき用接着剤層７６を形成する。 (11) さらに、前記工程(3)〜(9)を繰り返して、ビアホ
ール７０の真上に他のビアホール８０を設けると共に上
記上層導体回路７２よりもさらに外側に上層導体回路８
２および粗化層８４を設ける（図６（ｃ）参照）。この
ビアホール８０の表面は、はんだパッドとして機能する
導体パッドに形成される。

【００８３】(12) 次いで、こうして得られた配線基板
の外表面に、ソルダーレジスト組成物９０を塗布し、そ
の塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフ
ォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理すること
により、導体層のうちはんだパッド（導体パッド、ビア
ホールを含む）部分を露出させた開口９１を形成する
（図７（ａ）参照）。ここで、露出する開口の開口径
は、はんだパッドの径よりも大きくすることができ、は
んだパッドを完全に露出させてもよい。また、逆に前記
開口の開口径は、はんだパッドの径よりも小さくするこ
とができ、はんだパッドの縁周をソルダーレジスト層９
０で被覆することができる。この場合、はんだパッドを
ソルダーレジスト層９０で抑えることができ、はんだパ
ッドの剥離を防止できる。

【００８４】(13) さらに、前記ソルダーレジスト層９
０の開口部９１から露出した前記はんだパッド部上に
「ニッケル−金」からなる金属層を形成する。ニッケル
層９２は１〜７μｍが望ましく、金層は０．０１〜０．
０６μｍがよい。この理由は、ニッケル層９２は、厚す
ぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいか
らである。一方金層９４は、厚すぎるとコスト増にな
り、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下するからで
ある。

【００８５】(14)さらに、多層化基板の片面に形成した
ビルドアップ配線層の最も外側に位置するソルダーレジ
スト層の一方に形成した開口部９１（上方に位置する開
口部）から露出する導体回路（はんだパッド）上には、
はんだ体を供給してはんだバンプ９６を形成するととも
に、多層化基板のビルドアップ配線層が形成されない側
の表面に露出した導体回路５２（はんだパッド）上に
は、はんだ体を供給してＴピン９６又ははんだボール１
００を形成することによって、多層回路基板が製造され
る（図７（ｂ）参照）。

【００８６】はんだ体の供給方法としては、はんだ転写
法や印刷法を用いることができる。ここで、はんだ転写
法は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を
開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングするこ
とにより、はんだパターンを形成してはんだキャリアフ
ィルムとし、このはんだキャリアフィルムを、基板のソ
ルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した後、は
んだパターンがパッドに接触するように積層し、これを
加熱して転写する方法である。一方、印刷法は、パッド
に相当する箇所に貫通孔を設けた印刷マスク（メタルマ
スク) を基板に載置し、はんだペーストを印刷して加熱
処理する方法である。はんだとしては、スズ−銀、スズ
−インジウム、スズ−亜鉛、スズ−ビスマスなどが使用
できる。

【００８７】なお、導電性バンプ９６を形成するはんだ
体としては、融点が比較的に低いスズ／鉛はんだ（融点
１８３℃）やスズ／銀はんだ（融点２２０℃）を用い、
導電性ピン９８や導電性ボール１００を接続するはんだ
体としては、融点が２３０℃〜２７０℃と比較的融点の
高いスズ／アンチモンはんだ、スズ／銀はんだ、スズ／
銀／銅はんだを用いることが好ましい。

【００８８】

【実施例】（実施例１） （１）エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステ
ージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレス
することにより得られる片面銅張積層板を基板として用
いて、両面回路基板を製作する。この絶縁性基材１０の
厚さは７５μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍであっ
た。この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが
１０μｍの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２
μｍのＰＥＴフィルム１４をラミネートする。

【００８９】（２）次いで、ＰＥＴフィルム１４上から
パルス発振型炭酸ガスレーザを照射して銅箔１２に達す
るビアホール形成用の非貫通孔１６を形成し、さらに銅
箔１２をめっきリードとして電解銅めっき処理を施し
て、非貫通孔１６上部にわずかの隙間を残してその非貫
通孔内部に電解銅めっき１８を充填して、充填ビアホー
ル２０を形成する。

【００９０】この実施例においては、ビアホール形成用
の非貫通孔の形成には、三菱電機製の高ピーク短パルス
発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体として厚さ
２２μｍのＰＥＴフィルムを樹脂面にラミネートした、
基材厚７５μｍのガラス布エポキシ樹脂基材に、マスク
イメージ法でＰＥＴフィルム側からレーザビーム照射し
て１００穴／秒のスピードで、１５０μｍφのビアホー
ル形成用の開口を形成した。

【００９１】（３）ＰＥＴフィルム１４を印刷用マスク
として、レーザ照射により形成された開口から、充填ビ
アホール２０の上部に残った隙間に導電性ペースト２２
を充填した。

【００９２】（４）ＰＥＴフィルム１４を絶縁性基材１
０の表面から剥離すると、絶縁性基材１０のビアホール
２０側の表面に、ビアホール２０の真上に突起状導体２
４が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状
導体側の全面に塗布し、１００℃で３０分間の乾燥を行
って厚さ２０μｍの接着剤層２６を形成した後、厚さ１
２μｍの銅箔２８を、加熱温度１８０℃、加熱時間７０
分、圧力２ＭＰａ、真空度２．５×１０^３Ｐａの条件の
もとで、接着剤層２６上に加熱プレスする。

【００９３】（５）その後、基板両面の銅箔１２および
２８に適切なエッチング処理を施して、導体回路３０お
よび３２（ビアランドを含む）を形成して、コア用両面
回路基板３４を作製した。

【００９４】（６）次に、積層用の片面回路基板を作製
する。この回路基板は両面回路基板と同様に、片面銅張
積層板を基板として用いる。絶縁性基材１０の厚さは７
５μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍである。この積層
板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０μｍの粘
着剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２μｍのＰＥＴ
フィルム１４をラミネートする。

【００９５】（７）ついで、上記（２）および（３）の
工程にしたがった処理を行って、充填ビアホール２０の
わずかな隙間に導電性ペースト２２を充填して、突起状
導体４４を形成する。

【００９６】（８）上記ＰＥＴフィルム１４を覆って、
エッチング保護フィルムとしての厚さ２２μｍのＰＥＴ
フィルム２５を貼付けた後、絶縁性基材１０の充填ビア
ホール２０と反対側の表面に貼付けた銅箔１２に適切な
エッチング処理を施して、導体回路４０を形成する。

【００９７】（９）その後、ＰＥＴフィルム１４および
２５をすべて絶縁性基材１０から剥離すると、絶縁性基
材１０のビアホール２０側の表面に、ビアホール２０の
真上に突起状導体４４が形成される。さらに、エポキシ
樹脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布してプレキュア
して、多層化のための接着剤層４６を形成する。このよ
うな積層用片面回路基板を３枚作製する。

【００９８】（１０）上記（１）〜（９）の処理によっ
て形成された、１層の両面回路基板３４をコアとして、
その両面に対して３層の片面回路基板５０、５２および
５４を所定の位置にスタックし（図３参照）、真空熱プ
レスを用いて１８０℃の温度で積層プレスして全層がＩ
ＶＨ構造を有する多層コア基板６０を作成した（図４参
照）。このように製造された多層コア基板６０において
は、Ｌ/Ｓ=７５μｍ/７５μｍ、ランド径が２５０μ
ｍ、ビアホール口径が１５０μｍ、導体層の厚みが１２
μｍ、そして絶縁層の厚みが７５μｍであった。本発明
の多層回路基板は、上記多層コア基板６０の片面にビル
ドアップ配線層を形成することによって製作されるの
で、ビルドアップ配線層の形成前に、多層コア基板６０
の片面に保護フィルム（図示を省略）を貼り付けてお
く。

【００９９】（１１）次に、片面に保護フィルムを貼り
付けた多層コア基板６０を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッ
ケル０．６ｇ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリ
ウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤 ０．
１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し
て、多層コア基板６０の片側の導体回路４０の表面に厚
さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形
成した。次いで、その基板を水洗いし、０．１ｍｏｌ／
ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からな
る無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、前
記粗化層６３の表面に ０．３μｍのスズ層を設けた
（図５(b) 参照、但し、スズ層については図示しな
い）。

【０１００】(１２) 下記〜で得た組成物を混合撹
拌して、無電解めっき用接着剤を調製した。 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、
分子量2500）の２５％アクリル化物を３５重量部（固形
分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製、アロニック
スＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）
０．５ 重量部、ＮＭＰ ３．６重量部を撹拌混合した。 ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８重量部、エポキ
シ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径
０．５μｍのものを ７．２４５重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合した。 イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量
部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−90
7 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２
重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合した。

【０１０１】(１３) 前記（１２）で調製した無電解め
っき用接着剤を上記（１１）の処理を施した基板６０に
塗布し（図５(c) 参照）、乾燥させて接着剤層を形成し
たその基板６０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り ５００ｍJ／ｃｍ^２ で露光した。これをＤＭＤＧ
（ジエチレングリコールジメチルエーテル）溶液でスプ
レー現像することにより、接着剤層に８５μｍφのビア
ホールとなる開口６５を形成した。さらに、当該基板を
超高圧水銀灯により３０００ｍJ／ｃｍ^２ で露光し、１
００ ℃で１時間、その後 １５０℃で５時間の加熱処理
をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸
法精度に優れた開口を有する厚さ３５μｍの層間絶縁材
層６４（接着剤層）を形成した（図５(ｄ) 参照）。な
お、ビアホールとなる開口６５には、スズめっき層を部
分的に露出させた。

【０１０２】(１４)ビアホール形成用開口６５を形成し
た基板を、クロム酸に２０分間浸漬し、接着剤層表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層６４の表面をRmax=１〜５μｍ程度の深さで粗化して
粗化面６６を形成し、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗した。

【０１０３】(１５)接着剤層表面の粗化層６６（粗化深
さ ３.５μｍ）に対し、パラジウム触媒（アトテック
製）を付与することにより、接着剤層６４およびビアホ
ール形成用開口６５の表面に触媒核を付与した。

【０１０４】(１６)以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗化面全体に厚さ０．６ μｍの無電
解銅めっき膜６７を形成した（図５（ｆ）参照）。この
とき、その無電解めっき膜６７は、薄いために、その膜
表面には、接着剤層６４の粗化面６６に追従した凹凸が
観察された。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ_４ ：０．００３ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ：０．２０ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ：０．０３ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ：０．０５ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ：０．１０ｍｏｌ／ｌ α、α’−ビピリジル ：４０ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：０．１ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３３℃の液温度

【０１０５】(１７) 前記（１６）で形成した無電解銅
めっき膜６７上に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、１００ｍJ／ｃｍ^２で露光、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト６８を設けた（図６（ａ）参照）。

【０１０６】（１８） 次に、以下の条件にて、めっき
レジスト非形成部分に電解めっきを施し、厚さ２０μｍ
の電解めっき膜６９を設けて上層導体回路７２を形成す
べき導体層を設けると同時に、開口部内をめっき膜６９
で充填してビアホール７０を形成した（図６(b) 参
照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅・５水和物 ：６０ｇ／ｌ レベリング剤（アトテック製、ＨＬ） ：４０ｍｌ／ｌ 硫酸 ：１９０ｇ／ｌ 光沢剤（アトテック製、ＵＶ） ：０．５ ｍｌ／ｌ 塩素イオン ：４０ｐｐｍ 〔電解めっき条件〕 バブリング ：３．０リットル／分 電流密度 ：０．５Ａ／ｄｍ^２ 設定電流値 ： ０．１８ Ａ めっき時間 ： １３０分

【０１０７】（１９） めっきレジスト６８を剥離、除
去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレ
ジスト下の無電解めっき膜６７を溶解、除去して、無電
解めっき膜６７と電解銅めっき膜６９からなる厚さ約２
０μｍ、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの上層導体回路７
２を形成した。このとき、ビアホール７０の表面は平坦
であり、導体回路表面とビアホール表面のレベルは同一
であった。

【０１０８】（２０）この基板に上記（１１）と同様の
処理を行って粗化層８４を形成し、さらに上記（１２）
〜（１９）の手順を繰り返して、さらに上層の層間樹脂
絶縁層７６と導体回路８２（ビアホール８０を含む）を
１層積層し、片面３層のビルドアップ配線層を得た（図
７（ａ）参照）。なお、ここでは、導体回路８２の表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層８４を設けるが、
この粗化層８４表面にはスズ置換めっき層を形成しな
い。

【０１０９】（２１）一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０
重量％のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化
薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与
のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７重量部、
メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１
００１）１４.１２１重量部、イミダゾール硬化剤（四
国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１.６重量部、感光性モ
ノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６
０４）１.５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共
栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）３０重量部、アクリル酸エス
テル重合物からなるレベリング剤（共栄社製、ポリフロ
ーＮｏ.７５）０．３６重量部を混合し、この混合物に
対して光開始剤としてのペンゾフェノン（関東化学製）
２０重量部、光増感割としてのＥＡＢ（保土ヶ谷化学
製）0.２重量部を加え、さらにＤＭＤＧ（ジエチレング
リコールジメチルエーテル）１０重量部を加えて、粘度
を２５℃で１.４±０．３ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器、ＤＶＬ‐Ｂ型）を用いて行い、６０ｒｐｍ
の場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローター
Ｎｏ.３によった。

【０１１０】（２２）上記（２０）で得られたビルドア
ップ配線層の表面に、前記（２１）で得られたソルダー
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行っ
た後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パ
ターン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのソ
ーダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソ
ルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の
紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。さらに、８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口
した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層９０（厚
み２０μｍ）を形成した。

【０１１１】（２３）次に、ソルダーレジスト層９０を
形成した基板を、塩化ニッケル３０ｇ／１、次亜リン酸
ナトリウム１０ｇ／１、クエン酸ナトリウム１０ｇ／１
からなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間
浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層９２
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金力リウム
２ｇ／１、塩化アンモニウム７５ｇ／１、クエン酸ナト
リウム５０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１か
らなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬
して、ニッケルめっき層９２上に厚さ０．０３μｍの金
めっき層９４を形成した。

【０１１２】（２４）ついで、上記（１１）の工程にお
いて多層化基板６０の片面に貼りつけた保護フィルムを
剥離させた後、その多層化基板６０の片面に形成された
導体回路４０（はんだパッド）上に、融点が２３０℃の
スズ／アンチモンはんだからなるはんだペーストを印刷
し、融点近傍の雰囲気温度でリフローさせることで、は
んだパッド上にＴピン９６又ははんだボール１００を固
着させ、ビルドアップ配線層のソルダーレジスト層９０
の開口から露出する金めっき層９４（はんだパッド）上
には、融点が１８３℃のスズ／鉛はんだからなるはんだ
ペーストを印刷し、融点近傍の雰囲気温度でリフローさ
せることで、はんだパッド上にはんだバンプ９６を形成
して多層回路基板を製作した（図７（ｂ）参照）。

【０１１３】このようにして製造した多層回路基板で
は、多層コア基板のビアホールのランド形状を真円とす
ることができ、ランドピッチを６００μｍ程度にできる
ため、ビアホールを密集して形成でき、ビアホールの高
密度化が容易に達成できる。しかも、多層コア基板中の
ビアホール数を増やすことができるので、多層コア基板
内の導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続を十分に確保することができる。また、ビルド
アップ配線層の外側に設けたソルダーレジスト層９０の
開口から露出した金めっき層９４（はんだパッド）に形
成したはんだバンプ９６を介してＬＳＩ等の半導体チッ
プを含む電子部品に接続され、多層コア基板の片面の導
体回路４０（はんだパッド）に形成した導電性ピン９８
または導電性ボール１００を介してマザーボード上の接
続端子等に接続されるので、電子部品の高密度実装が可
能となる。

【０１１４】（実施例２）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例１と同様にして多層回路基
板を製作した。

【０１１５】（実施例３）層間樹脂絶縁層を、厚さ２０
μｍのエポキシ樹脂フィルムを熱圧着させることにより
形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍのビア
ホール形成用の開口を設け、その開口内壁面を含んだ層
間樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸溶液によって粗化処
理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして多層回路
基板を製造した。上記エポキシ樹脂フィルムは、フェノ
キシ樹脂との樹脂複合体であることが望ましく、粗化層
形成用の粒子を含有させている。

【０１１６】（実施例４）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例３と同様にして多層回路基
板を製作した。

【０１１７】(実施例５)層間樹脂絶縁層を、厚さ２０μ
ｍのポリオレフィン樹脂フィルムを熱圧着させることに
より形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍの
ビアホール形成用の開口を設け、その後、無電解めっき
膜を形成する代わりに、粗化処理を施さないで、スパッ
タリングによって開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の
表面に厚さ０．１μｍのＣｕスパッタ膜またはＣｕ−Ｎ
ｉスパッタ膜を形成したこと以外は実施例１と同様にし
て多層回路基板を製造した。

【０１１８】（実施例６）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例５と同様にして多層回路基
板を製作した。

【０１１９】（比較例） （１） 厚さ０．8μｍの両面銅張積層板からなる絶縁
基板をコア基板とし、そのコア基板に直径３００μｍの
貫通孔をドリルで削孔し、その後、無電解めっき、電解
めっき処理を施してスルーホールを含む導体層を形成
し、さらに、スルーホールを含む導体層の全表面に粗化
層を設け、スルーホール内に非導電性の穴埋め用充填材
を充填し、乾燥、硬化させた。 （２） 次いで、スルーホールからはみ出した充填材を
取り除いて平坦化し、その表面に無電解めっき、電解め
っき処理を施して厚付けして導体回路、およびスルーホ
ールに充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成
した。 （３） 導体回路およびスルーホールに充填された充填
材を覆う導体層となる部分を形成した基板の表面に、エ
ッチングレジストを形成し、そのエッチングレジスト非
形成部分のめっき膜をエッチング除去し、さらにエッチ
ングレジストを剥離除去して、独立した導体回路および
充填材を覆う導体層を形成した。さらに、実施例１の
（１１）〜（２３）と同様の工程に従って多層回路基板
を製造した。

【０１２０】上記実施例１〜６および比較例について、
ＩＣチップからはんだバンプ、ＢＧＡ（ボールグリッド
アレイ）またはＰＧＡ(ピングリッドアレイ)までの配線
長およびコアのランド形成数を調べた結果、配線長を１
０〜２５％短縮させ、単位面積（ｃｍ^２）当りのコアラ
ンド数を１０〜３０％増加させることができ、電気特性
や信頼性に悪影響をもたらすものは確認されなかった。

【０１２１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層回路
基板によれば、レーザ加工により形成した微細な充填ビ
アホールおよび導体回路を有する多数の回路基板を積層
して一括熱プレスすることによって形成した多層化基板
の片面にビルドアップ配線層を形成したので、多層化基
板内の配線を高密度化できるとともに、従来のようなス
ルーホールを設けることなく、ビルドアップ配線層との
電気的接続が充填ビアホールを介して十分に確保するこ
とができる。

【０１２２】さらに、ビルドアップ配線層の層数を少な
くできるので、配線板上に載置されるＬＳＩ等の半導体
チップを含む電子部品を含めた配線板全体としての厚み
を薄くすることができるという効果を得ることができ
る。

【０１２３】さらにまた、ビルドアップ配線層のソルダ
ーレジスト層に設けた開口内に露出する導体パッド、す
なわちビアホール直上のはんだパッド上に、導電性バン
プを配設し、多層化基板のビルドアップ配線層が形成さ
れない側の表面に露出する導体回路（はんだパッド）上
には、導電性ピンまたは導電性ボールが配設されるの
で、ビルドアップ配線層内の配線層は、ビアホール直上
にある導電性バンプを介して、ＬＳＩ等の半導体チップ
を含んだ電子部品に接続され、多層化基板内の配線層
は、充填ビアホール直上の導電性ピンまたは導電性ボー
ルを介してマザーボードに最短の配線長で接続され、高
密度配線化および電子部品の高密度実装化が可能とな
る。

【０１２４】更に、多層化基板は、片面あるいは両面回
路基板を同一材料で形成し、それらを積層した構造なの
で、熱膨張に起因する界面を起点とするクラックや剥離
が起きにくく、したがって、温度サイクル試験に対する
信頼性も向上する。また、片面回路基板だけを用いて多
層化基板を構成した場合には、配線形成の有無に関わら
ず反りが発生し難くなるという効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層化基板の製造工程の一部を示す図であ
る。

【図２】(a) 〜(e) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層化基板の製造工程の一部を示す図であ
る。

【図３】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層化基板の製造工程の一部を示す図である。

【図４】本発明にかかる多層回路基板における積層され
た多層化基板を示す図である。

【図５】（ａ）〜（ｆ） は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ） は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。

【図７】（ａ）〜（ｂ） は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。

【符号の説明】

１０ 絶縁性基材 １２ 接着剤 １４ 保護フィルム １６ ビアホール形成用開口 １８ 導電性ペースト ２０ ビアホール ２２ 銅箔 ２４ 導体回路 ３０ 両面回路基板 ３２、３４，３６ 片面回路基板 ４０ 絶縁性基材 ４２ 銅箔 ４４ ＰＥＴフィルム ４６ ビアホール形成用開口 ４８ 導電性ペースト ４９ ビアホール ５０ エッチング保護フィルム ５２ 導体回路 ５３ 突起状導体 ５４ 接着剤層 ６０ 多層化基板 ６２ 粗化層 ６４ 無電解めっき用接着剤層 ６５ ビアホール形成用開口 ６６ 粗化層 ６７ 無電解めっき膜 ６８ めっきレジスト ６９ 電解めっき膜 ７０ ビアホール ７２ 導体回路 ７４ 粗化層 ７６ 無電解めっき用接着剤層 ８０ ビアホール ８２ 導体回路 ８４ 粗化層 ９０ ソルダーレジスト層 ９２ ニッケルめっき層 ９４ 金めっき層 ９６ はんだバンプ ９８ Ｔピン １００ はんだボール

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｘ Ｈ０１Ｌ 23/12 1/03 ６１０Ｌ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ ６１０Ｎ 1/11 Ｎ 1/11 3/00 Ｎ 3/00 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 CC25 CC33 CC53 CD32 GG14 5E346 AA04 AA05 AA06 AA12 AA22 AA32 AA43 AA51 BB15 BB16 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD25 DD32 DD33 DD44 EE06 EE09 EE13 EE15 EE19 EE33 EE38 FF06 FF07 FF09 FF10 FF12 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG27 GG28 HH11 HH22 HH25

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内層に導体回路を有する多層化基板の一
   方の表面上には、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積
   層され、各導体層間がビアホールにて接続されたビルド
   アップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、 上記多層化基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面に
   導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導
   体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなるビ
   アホールを有する回路基板の複数枚が、接着剤層を介し
   て積層され、一括して加熱プレスされることで形成さ
   れ、さらに、 上記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層表面には、
   ビアホール直上に位置して、ＬＳＩ等の半導体チップを
   含む電子部品に接続されるはんだバンプが配設され、ま
   た前記多層化基板の他方の表面に露出する導体回路上に
   は、前記充填ビアホールの直上に位置して、マザーボー
   ドに接続される導電性ピンまたは導電性ボールが配設さ
   れていることを特徴とする多層回路基板。
2. 【請求項２】 上記導電性物質は、金属粒子と、熱硬化
   性樹脂または熱可塑性樹脂とからなる導電性ペーストで
   あることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
3. 【請求項３】 上記導電性物質層は、電解めっき処理に
   よって形成された電解銅めっきであることを特徴とする
   請求項１に記載の多層回路基板。
4. 【請求項４】 上記多層化基板を構成する各回路基板
   は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホールに
   電気的接続された突起状導体が形成されていることを特
   徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の多層回路
   基板。
5. 【請求項５】 上記突起状導体は、導電性ペーストから
   形成されることを特徴とする請求項４に記載の多層回路
   基板。
6. 【請求項６】 上記ビルドアップ配線層のビアホールの
   一部は、上記多層化基板に形成されたビアホールの直上
   に位置して、そのビアホールに直接接続されていること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層回路
   基板。
7. 【請求項７】上記多層化基板を構成する各回路基板の絶
   縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビス
   マレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレ
   ンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基
   材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から選ばれ
   るいずれかの硬質基材から形成されることを特徴とする
   請求項１〜６のいずれかに記載の多層回路基板。
8. 【請求項８】 上記多層化基板を構成する各回路基板の
   絶縁性基材は、厚さが２０〜１００μmのガラス布エポ
   キシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール径は５
   ０〜２５０μｍであることを特徴とする請求項７に記載
   の多層回路基板。
9. 【請求項９】 上記多層化基板を構成する各回路基板の
   ビアホールは、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍ
   Ｊ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ms
   以上、ショット数が３〜５０の条件で、ガラス布エポキ
   シ樹脂基材の表面に照射される炭酸ガスレーザによって
   形成された開口に対して形成されたことを特徴とする請
   求項８に記載の多層回路基板。