JP2001203464A

JP2001203464A - ビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001203464A
Application number: JP2000014153A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Urasaki; 直之浦崎; Kenji Takai; 健次高井; Toyoki Ito; 豊樹伊藤; Shigeharu Ariga; 茂晴有家; Akishi Nakaso; 昭士中祖
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2000-01-20
Filing date: 2000-01-20
Publication date: 2001-07-27
Anticipated expiration: 2020-01-20
Also published as: JP4370490B2

Abstract

(57)【要約】【課題】工程の簡略化が図れ、微細配線の形成性に優
れ、無電解ニッケル/金めっきのふりがなく、生産性に
優れ、微細配線に適した多層プリント配線板とその製造
方法を提供すること。【解決手段】下地銅上にめっきレジストを形成しパター
ンめっきを行い、めっきレジストを剥離した後下地銅を
除去して回路を形成した後無電解ニッケル金めっきを施
すことからなるビルドアップ多層プリント配線板におい
て、下地銅としてキャリア銅と下地銅の間に中間層を有
する複合金属箔を使用することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ多層
プリント配線板及びその製造方法に関する。

【従来の技術】

【０００２】近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能
化が一段と進み、これに伴い、ＬＳＩやチップ部品等の
高集積化が進展し、その形態も多ピン化、小型化へと急
速に変化している。このため、多層プリント配線板に
は、電子部品の実装密度を向上するために、配線パター
ンの高密度化が一層求められるようになった。これらの
要望を満たすために、層間の薄型化、配線の微細化、層
間接続穴の小径化が行われ、また、隣接する層間の導体
のみを接続するインタースティシャルバイアボール(以
下、ＩＶＨという。)や、ベリードバイアボール(以下、
ＢＶＨという。)が用いられるようになり、このＩＶＨ
やＢＶＨも更に小径化されつつある。配線の多層化に
は、通常、複数の回路層と該間の層間絶縁層をまとめて
重ね、加熱加圧して積層一体化し、必要な箇所に穴をあ
け接続する多層配線板と、回路を形成した上に層間絶縁
層を形成し、その上に更に回路を形成し、必要な箇所に
穴を設け、というように回路層と絶縁層とを順次形成す
るビルドアップ多層配線板とがある。ビルドアップ多層
配線板の一例を示すと、めっきスルーホールと内層回路
とが形成された内層回路板のスルーホールに、シルクス
クリーン印刷法などによって熱硬化性樹脂を穴が塞がる
ように埋め、加熱して硬化した後、穴からはみ出した樹
脂を研磨などにより除去し、熱硬化性の樹脂を塗布し、
加熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の一部を選択
的に除去することによって層間接続用の穴を設け、無電
解めっきなどによってその層間接続用の穴内壁の金属化
を行った後、基板表面にめっきレジストを形成しパター
ン電気めっき後めっきレジストを剥離しクイックエッチ
ングにより下地銅めっきをエッチングすることにより回
路を形成する。この回路を形成したものを内層回路板と
すれば、上記と同様の操作によりさらに１層の絶縁層及
び回路層の形成ができ、これを繰り返すことによって、
必要とする多層回路が形成できる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このようなビルドアッ
プ多層配線板は、回路を形成するために下地銅めっきを
エッチングした後、表面処理の無電解ニッケル/金めっ
きのふり抑制及びイオンマイグレーション性向上のた
め、無電解銅めっきの触媒であるパラジウムを除去する
必要がある。しかし、パラジウムの剥離剤や過マンガン
酸の粗化剤を用いた場合、配線の細りや配線の剥離など
が発生する不具合のため、歩留まりの低下をまねいてい
た。本発明は、工程の簡略化が図れ、微細配線の形成性
に優れ、無電解ニッケル/金めっきのふりがなく、生産
性に優れ、微細配線に適した多層プリント配線板とその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下地
銅上にめっきレジストを形成しパターンめっきを行い、
めっきレジストを剥離した後下地銅を除去して回路を形
成した後無電解ニッケル金めっきを施すことからなるビ
ルドアップ多層プリント配線板において、下地銅として
キャリア銅と下地銅の間に中間層を有する複合金属箔を
使用することを特徴とするビルドアップ多層プリント配
線板に関する。本発明のビルドアップ多層プリント配線
板は、内層基板にスルーホールがあり、内層基板の上に
バイアホールが形成された絶縁層と導体回路が積層され
たビルドアップ多層プリント配線板において、内層基板
のスルーホールがビルドアップ層と同一の絶縁樹脂で充
填されており、キャリア銅と下地銅の間に中間層を有す
る複合金属箔を使用することを特徴とする。

【０００５】また、このようなビルドアップ多層プリン
ト配線板を、以下の工程を、この順序に行って製造する
ことを特徴とする。ａ１熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウ
ィスカを配合し、均一に分散させた後、樹脂との接着に
適した粗さを有する０.１〜１.０μｍの厚さの下地銅層
と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を
有する厚さ１０〜１５０μｍのキャリア銅層と、その２
層の中間に設けられた厚さが０.０４〜１.５μｍのニッ
ケル−リン合金層からなる複合金属箔の下地銅層の粗化
面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成
し、予めめっきスルーホールと第１の導体回路を形成し
た内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧
して積層一体化する工程。ａ２キャリア層のみを除去する工程。ａ３ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。ｂＩＶＨを形成するための穴の形状にレーザ光を照射
することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで
除去して、バイアホールとする工程。ｃバイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。ｄ前記内層回路導体と前記銅箔とを電気的に接続する
ために、無電解銅めっきを行う工程。ｅ前記銅箔上にめっきレジストを形成し、該めっきレ
ジストで形成されたスペース部に電気銅めっきを施し、
第２の導体回路を形成する工程。ｆ前記めっきレジストを除去する工程。ｇ下地銅めっきを除去する工程。ｈ導体回路表面に凹凸を形成し、層間の接着力を高め
る工程。ｉａからｈでの工程を必要な回数繰り返すことにより
ビルドアップ層を形成する工程。ｊソルダーレジストを形成する工程。ｋ無電解ニッケル・金めっきを施す工程。

【０００６】

【発明の実施の形態】(熱硬化性樹脂)本発明の熱硬化性
樹脂には、種々のものが使用でき、従来においてガラス
布に含浸して使用していた樹脂、例えば、分子量が３
０,０００を超えない樹脂であって、エポキシ樹脂、ビ
ストリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、
メラミン樹脂、珪素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シ
アン酸エステル樹脂、イソシアネート樹脂、またはこれ
らの変性樹脂などがある。中でも、エポキシ樹脂、ビス
トリアジン樹脂及びポリイミド樹脂は、Ｔｇ弾性率、
硬度が高く好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラ
ック型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、グリシジアルアミン型エポキシ樹脂、ヒダン
トイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹
脂、脂肪族環状エポキシ樹脂ならびにこれらのハロゲン
化物、水素添加物から選択されたものを使用でき、併用
することもできる。中でも、ビスフェノールＡノボラッ
ク型エポキシ樹脂とサリチルアルデヒドノボラック型エ
ポキシ樹脂は、耐熱性に優れ好ましい。

【０００７】(電気絶縁性セラミック系ウィスカ)本発明
に使用する電気絶縁性セラミック系ウィスカには、弾性
率が２００ＭＰａ以上必要であり、２００ＭＰａ未満で
は剛性が不足し板厚が薄い場合、チップ搭載後のそりが
大きくマザーボードヘの実装性が低下する。このような
電気絶縁性セラミック系ウィスカには、例えば、ほう酸
アルミニウム、ウォラスナイト、チタン酸カリウム、塩
基性硫酸マグネシウム、窒化珪素、及びα−アルミナの
中から選択して用いることができる。中でも、ほう酸ア
ルミニウムとチタン酸カリウムは、モース硬度が従来の
Ｅガラスと同程度であり、従来のプリプレグと同等のワ
イヤボンディング性が得られ、さらに、ほう酸アルミニ
ウムは、弾性率が４００ＭＰａと高い上に、ワニスと混
合しやすく好ましい。この電気絶縁性セラミック系ウィ
スカの形状としては、平均直径が０.３〜３μｍ、平均
長さが平均直径の５倍以上であることが必要である。平
均直径が０.３μｍ未満であると、樹脂ワニスヘの混合
が困難となり、３μｍを超えると、樹脂への分散が十分
でなく、塗布した表面の凹凸が大きくなり、好ましくな
い。この平均直径は、０.３〜１μｍの範囲がより好ま
しい。平均長さが、５倍未満であると、樹脂の剛性が得
られず、さらには２０倍以上であることがより好まし
い。また、上限として、３０μｍ以下であることが好ま
しく、この数値は、内層回路の回路間隔より小さいこと
が必要であり、現状では内層回路間隔が３０μｍ未満の
ものが無いためである。この平均長さが、内層回路の間
隔を超えると、両回路に接触した場合に、電気絶縁性セ
ラミック系ウィスカに沿って銅のイオンマイグレーショ
ンが起こり易く、回路が短絡する可能性が高いので好ま
しくない。この電気絶縁性セラミック系ウィスカと熱硬
化性樹脂との濡れ性を高めるために、電気絶縁性セラミ
ック系ウィスカの表面をカップリング剤で処理したもの
を用いることが好ましく、このようなカップリング剤に
は、シリコン系カップリング剤、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カ
ップリング剤、ジルコアルミニウム系カップリング剤、
クロム系カップリング剤、ボロン系カップリング剤、リ
ン系カップリング剤、アミノ系カップリング剤などから
選択して使用できる。

【０００８】(硬化剤)本発明の熱硬化性樹脂に用いる硬
化剤には、上記した樹脂に用いる硬化剤であればどのよ
うなものでも使用でき、例えば、樹脂にエポキシ樹脂を
用いる場合には、ジシアンジアミド、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂が耐熱
性に優れ好ましい。この硬化剤の前記熱硬化性樹脂に対
する配合比は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対し
て、２〜１００重量部の範囲が好ましく、ジシアンジア
ミドであれば、２〜５重量部、それ以外の上記硬化剤で
あれば、３０〜８０重量部の範囲が好ましい。２重量部
未満であると硬化不足となり、耐熱性が低下し、１００
重量部を超えると、電気特性や耐熱性が低下する。

【０００９】(硬化促進剤)本発明の熱硬化性樹脂と硬化
剤には、さらに、硬化促進剤を用いることが望ましく、
熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合には、硬化促進剤に
は、イミダゾール化合物、有機リン化合物、第３級アミ
ン、第４級アンモニウム塩などを使用することができ
る。この硬化促進剤の配合比は、前記熱硬化性樹脂１０
０重量部に対し、０.０１〜２０重量部の範囲が好まし
く、０.１〜１.０重量部の範囲がより好ましい。０.０
１重量部未満であると、硬化不足となり耐熱性が低下
し、２０重量部を超えると、Ｂステージの寿命が短くな
り耐熱性が低下する。

【００１０】(希釈剤)上記熱硬化性樹脂、電気絶縁性セ
ラミック系ウィスカ、硬化剤、硬化促進剤は、溶剤に希
釈して用いる。この溶剤には、アセトン、メチルエチル
ケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢
酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メ
タノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド等が使用できる。この希釈剤の上記
熱硬化性樹脂に対する配合比は、上記熱硬化性樹脂１０
０重量部に対し、１〜２００重量部の範囲が好ましく、
３０〜１００重量部の範囲がより好ましい。１重量部未
満であると、粘度が高くなり塗りムラができやすく、２
００重量部を超えると、粘度が低くなりすぎ必要な厚さ
にまで塗布することができない。

【００１１】(熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系
ウィスカの割合)熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック
系ウィスカの割合は、硬化した熱硬化性樹脂の中で電気
絶縁性セラミック系ウィスカが、５〜５０容積％となる
ように調整することが必要である。さらには、２０〜４
０容積％であることがより好ましい。５容積％未満であ
ると、熱硬化性樹脂のフィルム形成能が小さく、切断時
に飛散する等、取り扱いが困難であり、剛性も低く、チ
ップ実装後の基板のそりが大きくなり実装性が低下す
る。５０容積％を超えると、前記工程ａ１において、加
熱加圧成型時に、内層回路板の穴や回路間隔への埋め込
みが不十分で、成形後にボイドやかすれを生じ、絶縁性
が低下する。

【００１２】(工程ａ１）この工程において、銅箔に、
熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカを塗布
するには、上記熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び希釈剤を混合した溶液(以下、熱硬化性樹脂ワニスと
いう)に、電気絶縁性セラミック系ウィスカを均一に混
合したワニスを塗布し、加熱して、半硬化させるもので
あり、ブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコータ、
スクイズコータ、リバースロールコータ、あるいはトラ
ンスファロールコータ等、銅箔と平行な方向にせん断力
を負荷できるか、あるいは銅箔の面に垂直な方向に、圧
縮力を負荷できる塗布方法を選択することが好ましい。
この熱硬化性樹脂ワニスの樹脂フローは、５００μｍ以
上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが、２５〜１
００μｍの範囲であることが好ましい。この樹脂フロー
とは、樹脂の厚さが５０μｍの銅箔付きプリプレグに３
０ｍｍ角の穴をあけ、銅張り積層板の銅箔面に樹脂が接
触するように重ね、１７０℃、２.５ＭＰａで６０分
間、加熱加圧して積層接着したときに、３０ｍｍ角の穴
の縁から銅箔表面に流れ出した樹脂の最小距離である。
この樹脂フローは、５００μｍから１０ｍｍの範囲に調
節することが好ましく、５００μｍ未満であると、内層
銅箔の埋め込み性が小さく表面に凹凸を生じ、１０ｍｍ
を超えると積層後の端部の厚さが薄く絶縁性が低下す
る。

【００１３】(工程ａ２，ａ３）この工程は、薄い銅箔
を扱う場合に、物理的に剥離可能なキャリアでは、取り
扱いの工程で、銅箔表面に傷の発生や異物の付着が起こ
ることもあり、これを防ぐために、密着度の高い複合金
属箔を用い、キャリアの除去に、回路導体と異なる化学
的除去条件を有する金属を用いるものである。ところ
で、このような金属層は、厚くすると経済的でなく、ま
た、工程も長くなるので、エッチングを止めたい位置
に、中間層を用いるものである。また、キャリア銅層の
みをエッチング除去する溶液としては、塩素イオンとア
ンモニウムイオンと銅イオンを含む溶液(以下、アルカ
リエッチャントという)を用いる。処理方法は、浸漬、
噴霧などの溶液に接触させることによって行う。さら
に、ニッケル−リン合金のみを除去する工程では、硝酸
と過酸化水素を主成分とする液に、添加剤としてカルボ
キシル基を有する有機酸、環構成員として、−ＮＨ−、
−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環式化合物を配合した水溶
液に浸漬するか、あるいはそのような水溶液を噴霧して
行う。

【００１４】(工程ａ４)この工程ａ４は、上記工程ａ１
に代えて用いることができるものであり、工程ａ１お
いて扱う絶縁性樹脂が単独でフイルム状となるものであ
ればどのようなものでも良く、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等はＴｇや弾性率、
硬度が高く好ましい。

【００１５】(工程ｂ）この工程では、レーザ光を照射
して下地銅層と樹脂を同時に、内層板の銅箔が露出する
まで除去しバイアホールを形成する工程である。この工
程において使用できるレーザーは、炭酸ガスレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ、エキシマレーザ等があり、生産性の点から
炭酸ガスレーザが好ましい。このときのレーザ光の照射
条件は、時間が短く、出力の大きなパルス状の発振をす
るものが好ましく、例えば、１パルスの幅が１〜４０μ
秒、パルス繰り返し周波数が１５０〜１０,０００Ｈ
ｚ、繰り返しパルス数が１〜１０パルスの条件で、出力
の大きさが、２〜５パルスの範囲で、穴加工できる出力
の出せるレーザ発振器が、発振、制御が容易となり好ま
しい。この出力は、エネルギー密度にして、１５〜４０
Ｊ/ｃｍ²の範囲である。時間当たりの出力が、上記範囲
未満であると、樹脂層を蒸発、発散することができず、
上記範囲を超えると、必要以上の穴径となり制御が困難
で、一旦蒸発した樹脂が炭化して付着することもあり、
付着した炭化物の除去を行わなければならない。下地銅
層の厚さは０.１〜１μｍ以下の範囲がよく、レーザの
加工性、パターンめっきの膜厚均一性、クイックエッチ
ングによる配線形成性等の点から０.３〜０.６μｍの範
囲が好ましい。

【００１６】(工程ｃ)この工程で用いる粗化剤は、樹脂
を膨潤、溶解するものであればどのようなものでも使用
でき、通常は、アルカリ過マンガン酸水溶液を使用する
ことが好ましい。

【００１７】(工程ｄ）この工程で行う無電解銅めっき
は、通常の配線板のスルーホルめっきと同様の技術を用
いる。すなわち、パラジウム等のめっきの核になる物質
を、前記粗化した樹脂層に付着させ、イオン化しためっ
き金属と、めっき金属の錯化剤と、そのめっき金属の還
元剤とを有する無電解めっき液に接触させ、壁全体にめ
っき金属を析出させる。このように、めっきを行うと、
外層の銅箔と、ＩＶＨの壁面と、内層板の回路導体とを
電気的に接続することができる。この工程で行う無電解
銅めっきは、内層回路と基板表面を電気的に接続できる
厚さであればよく、１μｍ未満とすることが好ましく、
更に好ましくは０.３から０.５μｍがよい。

【００１８】(工程ｅ）この工程では、前記無電解めっ
きを１μｍ未満施した基板に感光性ドライフィルムフォ
トレジストをラミネートし、回路のスペースとなる部分
に紫外線を照射し回路部分にある樹脂を現像液を用いて
除去する。この工程で行う電気めっきは、通常の電気め
っきの技術を使うことができ、めっき液としてはシアン
化銅めっき、ほう弗化銅めっき、ピロ燐酸銅めっき、硫
酸銅めっき等があり安全性、浴管理の容易な硫酸銅めっ
きが好ましい。

【００１９】(工程ｆ）この工程では、一般的な剥離液
である苛性ソーダやモノエタノールアミン等の剥離液が
使用でき、なかでも浸透性の高いモノエタノールアミン
が好ましい。

【００２０】(工程ｇ）この工程における下地銅及び導
体回路の表面処理液としては、種々のものが使用できる
が、エッチング速度の遅い酸系のエッチング液が好まし
い。

【００２１】(工程ｈ）この工程における下地銅及び導
体回路の表面処理液としては、種々のものが使用できる
が、エッチング速度の遅い硫酸・過酸化水素系、有機酸
系、硝酸系のエッチング液が好ましい。

【００２２】(工程ｉ）ａからｈでの工程を繰り返すこ
とによりビルドアップ層を形成する工程。

【００２３】(工程ｊ）この工程におけるソルダーレジ
ストとしては、一般的な熱硬化性及び感光性のフォトソ
ルダーレジストを使用することができるが、微細なパタ
ーンを形成できることからフォトソルダーレジストが好
ましい。

【００２４】(工程ｋ）この工程における無電解ニッケ
ル・金めっきには、市販のものが適用できる。以下、本
発明を実施例に基づき詳細に説明するが本発明はこれに
限定されるものではない。

【００２５】

【実施例】実施例１工程ａ１図１(ａ)に示すように、厚さ０.４ｍｍのガラス布−エ
ポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ-Ｅ-６７
９(日立化成工業（株）製、商品名)を使用し、穴あけ、
無電解銅めっきを行い、スルーホール１０１に穴埋め材
として熱硬化性樹脂Ｍ-６５０ＴＨ(アサヒ科研製、商品
名)を印刷穴埋めし加熱硬化させ通常のサブトラクト法
によって穴埋めしたスルーホール１０１を有する内層回
路板１を作製した。次に、図１(ｂ）に示すように、厚
さ０.５μｍの下地銅層/厚さ０.２μｍのニッケル−リ
ン合金層/厚さ１５μｍのキャリア銅層からなる複合金
属箔３の下地銅層の面に、下記の組成の熱硬化性樹脂ワ
ニスに対して、３０容積％のほう酸アルミニウムウィス
カを混合、攪拌し、ナイフコータで塗布し、１５０℃で
１０分間乾燥して、半硬化させた厚さ５０μｍの熱硬化
性樹脂２を有する銅箔付き接着フィルムを作製した。

【００２６】(熱硬化性樹脂ワニスの組成) ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量:２００)１００重量部・ビスフェノールＡノボラック樹脂(水酸基当量:１０
６) ６０重量部・２−エチル−４−メチルイミダゾール(硬化剤) ０.５
重量部・メチルエチルケトン(希釈剤) １００重量部このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フイル
ムとを、内層板１の両面の回路導体と接着フィルムの熱
硬化性樹脂層２とが接するように重ね、１７０℃で、６
０分間、２.５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体
化した。この条件による樹脂フローは３ｍｍであった。

【００２７】工程ａ２キャリア銅層のみを、以下のアルカリエッチャントでエ
ッチング除去した。 (アルカリエッチャント組成) ・Ｃｕｃｌ₂・・・・・・・・・・・・・１７５g/１・ＮＨ₄ＯＨ・・・・・・・・・・・・・１５４g/１・ＮＨ₄ｃｌ・・・・・・・・・・・・・２３６g/１液温:５０℃

【００２８】工程ａ３ニッケル−リン合金層のみを以下のエッチング液で、エ
ッチング除去した。(エッチング液組成) ・硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２
００g/１・過酸化水素水(３５％)・・・・・・・・・・・・・１
０m１/１・カルボキシル基を含む有機酸(DL−リンゴ酸)・・・１
００g/１・ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・・・・５
ｇ１

【００２９】工程ｂ前記硬化した熱硬化性樹脂層を、炭酸ガスレーザー光に
よって、エネルギー密度２０Ｊ/ｃｍ²、発振時間５μ
秒、発振周波数５００Ｈｚ、４パルスの条件で、照射す
ることにより、前記内層板の回路導体が露出するまで除
去して、ＩＶＨ４を形成した。（図１ｅ）

【００３０】工程ｃ前記硬化した熱硬化性樹脂層の基板表面とＩＶＨ壁面
を、粗化剤である７％のアルカリ過マンガン酸水溶液を
用いて、液温７０℃、時間１０分間の条件で粗化した。

【００３１】工程ｄ前記粗化を施した基板の表面及びバイアホール壁面に無
電解銅めっき触媒付与処理液であるＨＳ-２０２Ｂ(日立
化成工業（株）製、商品名)に、室温で１０分間基板を
接触させ基板表面及びバイアホール壁面に触媒を付与し
た。前記触媒を付与した基板の表面およびバイアホール
の壁面に、無電解銅めっき液であるＣＵＳＴ-２０１(日
立化成工業（株）製、商品名)に、基板を浸漬し下地銅
層を０.３μｍ行った。めっき膜厚の測定は、ＳＦＴ８
０００(セイコー電子製、商品名)を使用した。（図１
ｆ）

【００３２】工程ｅ前記銅表面に、ドライフィルムフォテックＲＹ３０２５
(日立化成工業（株）製、商品名)を使用し、間隙となる
部分にめっきレジスト５を形成した。前記めっきレジス
トを形成した基板を、硫酸銅めっき液を用いて導体回路
の厚さが１５μｍとなるようにパターン電気めっき６を
行った。（図１ｇ）

【００３３】工程ｆ前記電気めっきを行った基板を、剥離液ＲＳ-２０００
(アトテツク製、商品名)を用いて、５０℃、スプレー圧
０．２ＭＰａ、１分間の条件で一般的なスプレー式剥離
機を用いてめっきレジストを剥離した。（図１ｈ）

【００３４】工程ｇ下地銅のエッチング液として、コブラエッチ(荏原電産
製、商品名)を用いて、３０℃、スプレー圧０．２ＭＰ
ａ、１分間の条件で一般的なスプレー式エッチング機を
用いて下地銅を除去した。（図１ｉ）

【００３５】工程ｈ導体回路の表面に凹凸を形成する液として、ＣＺ-８１
００(メック（株）製、商品名)を用いて下地銅と導体回
路表面の粗化を同時に行った。エッチング量は、３μｍ
の設定で行った。

【００３６】工程ｉ工程aから工程ｈでを繰り返し、２段ビルドアップ基板
を作製する工程。

【００３７】工程ｊ前記２段ビルドアップ基板表面にソルダーレジストＳＲ
-７０００を印刷し、８０℃、２０分間乾燥した後、開
口部となる部分に紫外光をさえぎるようにパターンを作
製したフォトマスクを位置合わせし、４５０ｍＪ/ｃｍ²
の露光量で露光した後、炭酸ナトリウム１.５％溶液で
スプレー圧０．２ＭＰａで現像し、後露光１J/ｃｍ²、
後加熱１５０℃、６０分を行いソルダーレジストを形成
した。

【００３８】工程ｋ以下の工程を用いて無電解ニッケル金めっきを行った。・脱脂処理：Ｚ-２００(（株）ワールドメタル社製、商
品名)に、５０℃で、１分間浸漬処理する。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。・ソフトエッチング：１００g/１過硫酸アンモニウム
に、室温で、１分間浸漬処理する。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。・酸洗処理：１０％硫酸に、室温で、１分間浸漬処理す
る。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。・活性化：無電解めっき用触媒溶液ＳＡ-１００(日立化
成工業（株）製、商品名)に、室温で、５分間浸漬処理
する。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。・無電解ニッケルめっき：無電解ニッケルめっき液であ
るＮＩＰＳ-１００(日立化成工業（株）製、商品名)に
８５℃で、２０分間浸漬処理する。この無電解ニッケル
めっき皮膜の析出形態は層状であった。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。・無電解金めっき：無電解金めっきであるＨＧＳ-５０
０(日立化成工業（株）製、商品名)に、８５℃で、５分
間浸漬処理する。・水洗：室温で、２分間、流水で洗浄する。

【００３９】実施例２熱硬化性樹脂ワニスに対して、１０容積％のほう酸アル
ミニウムウィスカを配合した以外は、全て実施例１と同
様に行った。実施例３工程ａ１に代えて単独でフイルム状となる熱硬化性樹脂
としてＭＣＦ-７０００ＬＸ(日立化成工業（株）製、商
品名)を使用した以外は、実施例１と同様にして作製し
た。

【００４０】比較例１工程ａ１で使用した樹脂付き複合金属箔に代えて、アル
カリ過マンガン酸に粗化性のあるエポキシ樹脂を用いて
ラミネートした以外は実施例１と同様にして作製した。比較例２工程ａ１で使用した複合金属箔に代えて、５μｍキャリ
ア付き銅箔を使用した以外は、施例１と同様にして作製
した。実施例及び比較例における結果を表１に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、本発明によ
れば、配線の微細化、無電解ニッケルめっきのふりのな
い、また、ＩＶＨ,ＢＶＨの小径化に優れ、かつ強度に
優れ、接続信頼性に優れ、生産性に優れた多層プリント
配線板及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)〜(ｉ）は、本発明の一実施例を説明する
ための各工程を示す断面図。

【符号の説明】１.内層板２.電気絶縁性セラミック含有絶縁樹脂層３.複合金属箔４.バイアホール５.めっきレジスト６.パターン銅めっき７.ソルダーレジスト８.無電解ニッケル・金めっき１０１.スルーホール３０１.下地銅

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｋ 7/04 Ｃ０８Ｋ 7/04 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 (72)発明者伊藤豊樹茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者有家茂晴茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者中祖昭士茨城県下館市大字小川1500番地日立化成工業株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA03 AA04 BB30 BB33 BB35 BB38 BB49 CC06 CC07 CC19 DD04 DD19 DD21 DD54 GG01 GG20 4J002 AA021 CC031 CC181 CD021 CD051 CD061 CD131 CD141 CF211 CM021 CM041 CP031 DE146 DE186 DG046 DJ006 DK006 FA026 FB076 FB086 FD016 FD126 FD140 FD150 FD200 GQ01 5E317 AA24 BB02 BB03 BB12 BB15 BB18 CC32 CC33 CC52 CD05 CD13 CD15 CD18 CD25 CD27 CD32 GG03 GG14 GG16 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA17 AA32 AA43 BB01 BB15 CC02 CC08 CC17 CC32 CC37 CC38 CC41 CC43 DD02 DD12 DD23 DD25 DD33 DD47 EE31 EE38 FF01 FF07 FF15 GG01 GG15 GG17 GG22 GG27 GG28 HH26 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下地銅上にめっきレジストを形成しパター
ンめっきを行い、めっきレジストを剥離した後下地銅を
除去して回路を形成した後無電解ニッケル金めっきを施
すことからなるビルドアップ多層プリント配線板におい
て、下地銅としてキャリア銅と下地銅の間に中間層を有
する複合金属箔を使用することを特徴とするビルドアッ
プ多層プリント配線板。
【請求項２】複合金属箔が、キャリア銅の厚さが７０〜
１２μｍ、下地銅の厚さが１.０〜０.１μｍ、中間層が
１.０〜０.０４μｍの金属箔である請求項１に記載のビ
ルドアップ多層プリント配線板。
【請求項３】中間層がニッケル−リン合金層である請求
項１または２に記載のビルドアップ多層プリント配線
板。
【請求項４】以下の工程を、この順に行うことを特徴と
する多層プリント配線板の製造方法。ａ１熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウ
ィスカを配合し、均一に分散させた後、樹脂との接着に
適した粗さを有する１〜９μｍの厚さの下地銅層と、全
体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有する
厚さ１０〜１５０μｍのキャリア銅層と、その２層の中
間に設けられた厚さが０.０４〜１.５μｍのニッケル−
リン合金層からなる複合金属箔の下地銅層の粗化面に塗
布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予め
めっきスルーホールと第１の導体回路を形成した内層板
の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層
一体化する工程。ａ２キャリア層のみを除去する工程。ａ３ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。ｂＩＶＨを形成するための穴の形状にレーザ光を照射
することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで
除去して、バイアホールとする工程。ｃバイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。ｄ前記内層回路導体と前記銅箔とを電気的に接続する
ために、無電解銅めっきを行う工程。ｅ前記銅箔上にめっきレジストを形成し、該めっきレ
ジストで形成されたスペース部に電気銅めっきを施し、
第２の導体回路を形成する工程。ｆ前記めっきレジストを除去する工程。ｇ下地銅めっきを除去する工程。ｈ導体回路表面に凹凸を形成し、層間の接着力を高め
る工程。ｉａからｈでの工程を必要な回数繰り返すことにより
ビルドアップ層を形成する工程。ｊソルダーレジストを形成する工程。ｋ無電解ニッケル・金めっきを施す工程。
【請求項５】工程ａ１代えて、工程a４として充填材を
含まないフイルムを使用して積層一体化する請求項４に
記載のビルドアップ多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】熱硬化性樹脂の樹脂フローが５００μｍ以
上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２５〜１０
０μｍの範囲である請求項４又は５に記載のビルドアッ
プ多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】熱硬化性樹脂に配合する電気絶縁性セラミ
ック系ウィスカの配合量が、５〜５０容積％である請求
項４乃至６のいずれかに記載の多層プリント配線板の製
造方法。