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JP2001148392A - 電子装置とその製造方法およびその製造装置 - Google Patents

電子装置とその製造方法およびその製造装置

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JP2001148392A
JP2001148392A JP2000139072A JP2000139072A JP2001148392A JP 2001148392 A JP2001148392 A JP 2001148392A JP 2000139072 A JP2000139072 A JP 2000139072A JP 2000139072 A JP2000139072 A JP 2000139072A JP 2001148392 A JP2001148392 A JP 2001148392A
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JP
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electronic device
ceramic substrate
resin
mold
thin film
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JP2000139072A
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Takeshi Kobayashi
健 小林
Takashi Araki
隆志 荒木
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】上下金型でセラミック基板を挟んで加圧して
も、その加圧力を緩衝し、歪み力が発生せず、セラミッ
ク基板のクラックや割れの発生を防止した半導体装置な
どの電子装置とその製造方法及びその製造装置を提供す
る。 【解決手段】セラミック基板(32)の周囲で、かつ表面側
及び裏面側から選ばれる少なくとも一方の面に一体化し
た金属薄膜(2)を備えた前記セラミック基板を、トラン
スファーモールド金型のキャビティ(38)の内部と外部と
にまたがって配置するとともに、前記金型の上金型(30)
と下金型(31)とが当接する位置に前記金属薄膜(2)を配
置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子装置とその製
造方法及びその製造装置に係り、例えばリードレス小型
面実装型のトランジスタやダイオード等の半導体装置の
電子装置とその製造方法及びその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９Ａ〜Ｃは、従来のリードレス小型面
実装型のトランジスタの構造例を示す。すなわち、図９
Ａは従来のリードレス小型面実装型トランジスタの平面
図、図９Ｂは図９Ａの透視側面図、図９Ｃは図９Ａの底
面図である。
【０００３】図９Ａ〜図９Ｂに示すように、リードレス
小型面実装型電子装置３は、セラミック基板３２の上面
３２１に素子載置部を備えた第１上部電極１１とこの第
１上部電極１１と離間して配設された第２上部電極１２
及び第３上部電極１３とを有する。
【０００４】トランジスタ１４が形成されている半導体
チップの裏面には例えばコレクタ電極が金属蒸着等で形
成されており、第１上部電極１１上にはトランジスタ１
４のコレクタ電極がダイボンディング等で固着されるこ
とにより第１上部電極１１はトランジスタ１４のコレク
タ電極と電気的に接続されている。
【０００５】トランジスタ１４の例えばベース電極と第
２上部電極１２とは金属ワイヤ１５で接続されている。
同様に、トランジスタ１４の例えばエミッタ電極と第３
上部電極１３とは金属ワイヤ１６で接続されている。セ
ラミック基板３２の下面３２２には、第１上部電極１１
と電気的に接続される一対の下部電極２１，２２が形成
されている。第１上部電極１１と下部電極２１，２２と
は、セラミック基板３２を貫通する導電中継体すなわ
ち、ビアホール１７，１８を介して電気的に接続されて
いる。
【０００６】同様に、セラミック基板３２の下面３２２
には、第２上部電極１２および第３上部電極１３と各別
に電気的に接続される下部電極２３，２４が形成され、
セラミック基板３２を貫通するビアホール１９とビアホ
ール２０を介してそれらは各別に接続されている。
【０００７】そして図９Ｃに示すように下部電極２１，
２２，２３および２４はセラミック基板３２の下面３２
２の４隅に配置されている。
【０００８】これらの下部電極２１〜２４は図示しな
い、例えばプリント基板に配設された配線パターン上に
半田等の導電接着材によって取り付けられる。
【０００９】図１０Ａ〜図１０Ｂは図９Ａ〜Ｃに示した
電子装置が個々に分割される前のいわゆる個々の電子装
置が複数個作り込まれているマスター電子装置を示す。
すなわち、図１０Ａに示すように共通のセラミック基板
３２上に電子装置３が縦横に、ｍ×ｎ個作り込まれてい
る。これらの電子装置３は既にセラミック基板３２上に
形成された配線パターン（電極）上にトランジスタ、ダ
イオード、抵抗器その他の電子素子が載置されていると
ともに、電子素子の所定の電極、例えば、トランジスタ
のコレクタ、ベース、エミッタ電極はセラミック基板上
に配設された配線パターン（電極）上に直接若しくは金
属ワイヤ等を介して接続されている。
【００１０】このあと、図１０Ｂに示すように電極セラ
ミック基板３２の上面側は、通常ポッティング方式、デ
ィスペンサー方式、真空印刷方式等により液状樹脂２６
が被覆され、熱硬化して樹脂封止される。その後、ダイ
シングソーで切断線３３(図１０Ａ)に沿って個々の電子
装置に分割される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のリード
レス小型面実装型電子装置は、液状樹脂をポッティング
方式、ディスペンサー方式、真空印刷方式等で樹脂パッ
ケージに形成させたのち、硬化炉等により樹脂を硬化さ
せたものが一般的であるが、液状樹脂を硬化させたもの
はガラス転移点が約１００℃と低い。このため、２３０
℃ではんだリフローを施すと硬化した樹脂が再び軟化し
てしまい、セラミック基板から軟化した樹脂が剥離しや
すいという問題があった。
【００１２】また、ポッティング方式やディスペンサー
方式は、液状樹脂をセラミック基板上に滴下させたり流
し込むだけで加圧成形せずに硬化させ、樹脂パッケージ
として形成させるので、図９Ｂに示すように硬化後の樹
脂厚みにばらつきｄ１が生じるばかりでなく、樹脂の密
度を向上させることが困難であり、樹脂強度が弱く、外
部からの応力を受けると樹脂パッケージの変形が発生し
易いという問題があった。
【００１３】また、真空印刷方式においても、セラミッ
ク基板上に液状樹脂を印刷手段を用いて塗布し硬化させ
ているだけのため、硬化後の樹脂厚みにばらつきｄ１が
５〜１５μｍ程度生じるという問題があった。
【００１４】上述したように、従来の成形方法では、電
子装置の樹脂厚みに差が生じ表面の凹凸が大きくなるば
かりでなく、電子装置と他の電子装置との間でも樹脂の
厚みに差が生じていた。このため、樹脂封止成型後、砥
石等を用いて樹脂表面を研削するなどの後加工を行わな
ければならないという問題があった。
【００１５】また、図１０Ｂに示すように、液状樹脂を
用いると、セラミック基板の周辺部の樹脂厚みが大きく
なり、樹脂厚みが均一な箇所は基板中央付近に限られ
る。セラミック基板の中央付近と周辺との樹脂厚みの差
ｄ２は０．１ｍｍ程度に及ぶ。
【００１６】また、個々へのパッケージ形成のためのダ
イシング工程においても樹脂硬化後の前記電子装置表面
の凹凸ｄ１およびｄ２により当該電子装置を樹脂面側を
固定用テープ等に張り付かせることは難しく、また、ダ
イシング時に個々に切断された前記電子装置が固定用テ
ープからはずれて、紛失しやすいという問題もあった。
【００１７】また、従来から半導体の封止方法として知
られる金型を用いたトランスファーモールド方式による
樹脂封止は、セラミック基板が他のレジン基板や金属の
リードフレームに比べて撓みにくいので、上下金型でセ
ラミック基板を挟んだときの加圧力による歪みにより、
セラミック基板にクラックや割れが発生しやすく、従来
のリードレス小型面実装型トランジスタでは採用されな
かった。
【００１８】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、上下金型でセラミック基板を挟んで加圧しても、そ
の加圧力を緩衝し、歪み力が発生しないようにすること
によりセラミック基板のクラックや割れの発生を防止で
きる電子装置とその製造方法及びその製造装置を提供す
ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の電子装置は、セラミック基板の上に複数組
の電子部品を搭載し、前記電子部品を熱硬化性樹脂でト
ランスファー封止成形した電子装置であって、前記セラ
ミック基板の周囲で、かつ前記セラミック基板の表面側
及び裏面側から選ばれる少なくとも一方の面に前記セラ
ミック基板と一体化した金属薄膜を備えたことを特徴と
する。
【００２０】なお、金属薄膜は上部電極を兼用しても良
い。つまり、金属薄膜には電極利用も含む。
【００２１】また本発明の電子装置の製造方法は、セラ
ミック基板の上に複数組の電子部品を搭載し、前記電子
部品を熱硬化性樹脂でトランスファー封止成形する電子
装置の製造方法であって、前記セラミック基板の周囲
で、かつ表面側及び裏面側から選ばれる少なくとも一方
の面に一体化した金属薄膜を備えた前記セラミック基板
を、トランスファーモールド金型のキャビティの内部と
外部とにまたがって配置するとともに、前記金型の上金
型と下金型とが当接する位置に前記金属薄膜を配置し、
前記キャビティの内部にトランスファーモールド用熱硬
化性樹脂を注入して成形し、加熱硬化することを特徴と
する。
【００２２】また本発明の電子装置の製造装置は、トラ
ンスファーモールド用熱硬化性樹脂を加圧するプランジ
ャーと、前記トランスファーモールド用熱硬化性樹脂が
流れるランナーと、前記ランナーにつながり、前記トラ
ンスファーモールド用熱硬化性樹脂が流れ込むキャビテ
ィと、前記キャビティをかたどる上金型および下金型と
を備え、前記セラミック基板の周囲で、かつ表面側及び
裏面側から選ばれる少なくともセラミック基板の一方の
面に一体化した金属薄膜を備えた前記セラミック基板
を、トランスファーモールド金型のキャビティの内部と
外部とにまたがって配置するとともに、前記金型の上金
型と下金型とが当接する位置に前記金属薄膜を配置し、
前記キャビティの内部にトランスファーモールド用熱硬
化性樹脂を注入して成形し、加熱硬化することを特徴と
する。
【００２３】本発明によれば、セラミック基板の周囲
で、かつ表面側及び裏面側から選ばれる少なくとも一方
の面に一体化した金属薄膜を備えた前記セラミック基
板、トランスファーモールド金型のキャビティの内部と
外部とにまたがって配置するとともに、前記金型の上金
型と下金型とが当接する位置に前記金属薄膜を配置する
ことにより、上下金型でセラミック基板を挟んで加圧し
ても、その加圧力を緩衝し、歪み力が発生せず、セラミ
ック基板のクラックや割れの発生を防止できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の電子装置においては、金
属薄膜はセラミック基板の表面側と裏面側の両面に存在
ことが好ましい。上金型と下金型の両方の金型の加圧力
を緩衝できるからである。
【００２５】また本発明の電子装置においては、金属薄
膜は、セラミック基板の原料であるグリーンシートに金
属ペーストを印刷し、前記グリーンシートを焼結する際
にセラミック基板に一体化焼結されていることが好まし
い。コストの低減が図れるからである。なお前記金属ペ
ーストは、セラミック基板の表面及び／または裏面に形
成する電極と同一の材料を用いて同一の工程で形成する
のがコスト面から好ましい。前記金属薄膜は、例えばタ
ングステンを使用することができる。
【００２６】また前記金属薄膜の厚さは、１０〜５０μ
ｍの範囲が好ましい。この範囲であれば金型の加圧力を
緩衝できる。前記金属薄膜の幅は、１．０〜２．５ｍｍ
の範囲が好ましい。前記の範囲であれば、上下金型がセ
ットされたときその端が前記金属薄膜に正確に当接でき
る。
【００２７】前記熱硬化性樹脂は、当業界では公知の樹
脂を用いることができ、例えばエポキシ樹脂を使用でき
る。エポキシ樹脂としては、よく知られているビスフェ
ノールＡまたはクレゾール・ノボラック型のグリシジル
エーテル型樹脂をベースにし、これに芳香族アミン硬化
剤または酸無水物硬化剤及び充填剤を配合し、ある程度
反応を進めて適正な成形性を与えたものである。充填剤
としては、シリカ粉末、タルク粉末などのフィラーを約
８５重量％添加することができる。
【００２８】前記熱硬化性樹脂の被覆厚さは、製品の規
格によっても異なるが、一例として０．３５〜０．６ｍ
ｍの範囲である。
【００２９】前記セラミック基板の厚さは、製品の規格
によっても異なるが、一例として０．１〜０．５ｍｍの
範囲である。
【００３０】本発明で得られたマスター電子装置は、ダ
イシングにより個々の電子装置に分割する。
【００３１】次に本発明方法においては、トランスファ
ーモールド成形の条件が、温度１４０〜１９０℃の範
囲、成形圧力１０〜５０kg/cm2、硬化時間６０〜１００
secであることが好ましい。
【００３２】また前記上金型及び下金型の少なくとも一
方の金型のセラミック基板が載置される一部にはさらに
摺動手段を備え、前記摺動手段は前記セラミック基板の
厚み方向に対して押圧するように配置されていることが
好ましい。
【００３３】また上金型と下金型との少なくとも一方の
樹脂成形面に、さらに樹脂フィルムを密着させると、さ
らにセラミック基板への緩衝作用が増大して好ましい。
【００３４】本発明一例の電子装置は、少なくとも２つ
の電極を備えた電子素子と、セラミック基板と、前記セ
ラミック基板の一方の面に配設され前記電子素子の一方
側の電極に電気的に接続される第１電極と、前記電子素
子の他方側の電極に電気的に接続される第２電極と、前
記電子素子の他方側の電極と前記第２電極とを電気的に
接続する金属ワイヤと、前記セラミック基板の他方の面
に配設され前記第１及び第２電極と各別に電気的に接続
される第３電極及び第４電極と、前記セラミック基板の
一方の面と他方の面との間に形成されかつ前記第１電極
と第３電極及び第２電極と前記第４電極とを各別に電気
的に接続させる複数の導電中継体と、前記電子素子を被
覆する被覆用樹脂とからなる電子装置であって、前記電
子装置は前記セラミック基板の他方の面を除いてトラン
スファーモールド用熱硬化性の前記被覆用樹脂で被覆、
封止されている電子装置である。この構成により、被覆
された樹脂表面は液状樹脂を用いるよりも樹脂表面の平
坦性さらにはガラス転移点を向上させることができる。
これによって、はんだリフロー時の高温時に硬化した樹
脂が再び軟化することがなくなりセラミック基板から剥
離するという問題や樹脂密度を向上させることにより外
力による樹脂パッケージの変形等を解決することができ
る。
【００３５】また本発明の別の例の電子装置は、少なく
とも２つの電極を備えた電子素子と、前記電子素子が複
数個で構成される回路体と、セラミック基板と、前記セ
ラミック基板の一方の面に配設され前記回路体の所定の
電極に接続される第１電極と、前記回路体の別の所定の
電極に接続される第２電極と、前記回路体の別の所定の
電極と前記第２電極とを接続する金属ワイヤと、前記セ
ラミック基板の他方の面に配設され前記第１及び第２電
極と各別に接続される第３電極及び第４電極と、前記セ
ラミック基板の一方の面と他方の面との間に形成されか
つ前記第１電極と第３電極及び第２電極と前記第４電極
とを各別に接続させる複数の導電中継体と、前記回路体
を被覆する被覆用樹脂とからなる電子装置であって、前
記電子装置は前記セラミック基板の他方の面を除いてト
ランスファーモールド用熱硬化性樹脂の前記被覆用樹脂
で被覆されている電子装置である。この例によれば、前
記と同じ効果が得られる。
【００３６】また本発明の別の例の電子装置は、１つの
共通セラミック基板上に、少なくとも１つ若しくは複数
個の前記電子素子で構成される回路体が縦横に配置され
前記電子素子若しくは前記回路体は被覆用樹脂で被覆さ
れており前記電子素子同士若しくは前記回路体同士を分
割するように前記被覆用樹脂から前記セラミック基板ま
でが分割され略直方体の形状をなしている。この例によ
れば、ダイシング時に樹脂面を固定用テープに確実に固
定することができ個々の電子装置が固定用テープよりは
ずれて紛失することが無くなる。
【００３７】さらに本発明の別の例の電子装置は、セラ
ミック基板の一方の面に少なくとも２つの電極を備えた
電子素子を配置し、前記セラミック基板の一方の面には
前記電子素子の一方側の電極が電気的に接続される第１
電極及び前記電子素子の他方側の電極と電気的に接続さ
れる第２電極を形成し、前記電子素子の他方側の電極と
第２電極とは金属ワイヤで接続され、前記セラミック基
板の他方の面には前記第１及び第２電極と各別に電気的
に接続される第３電極及び第４電極が形成されており、
前記セラミック基板の一方の面と他方の面との間には前
記第１電極と前記第３電極、前記第２電極と前記第４電
極とを各別に電気的に接続するための導電中継体がそれ
ぞれ形成され、前記セラミック基板の周辺部の少なくと
も一部はトランスファーモールド金型のキャビティの内
部と外部にまたがって配置され、前記キャビティ内にト
ランスファーモールド樹脂が注入される。この例によれ
ば、セラミック基板上の複数個の電子装置の樹脂パッケ
ージが均一に成形される。また、セラミック基板上に形
成される複数個の電子装置間の樹脂厚みのばらつきも減
少する。そのため、成型後、砥石等を用いて樹脂表面を
研削するなどの後加工が不要となるばかりでなく、固定
用テープに樹脂面を容易に張り付けることもでき、ダイ
シング加工時に前記電子装置が固定用テープからはずれ
て、紛失するという問題も解決できる。また、この例に
より樹脂厚みが均一になるため、セラミック基板の中央
付近のみでなくセラミック基板周辺付近まで電子装置を
形成できるため、セラミック基板上に形成できる電子装
置の数量を向上させることができる。
【００３８】また本発明の別の例の電子装置は、セラミ
ック基板はトランスファーモールド金型のキャビティの
内部と外部にまたがって配置され前記キャビティの外部
に配置された前記セラミック基板周辺の少なくとも一部
と前記トランスファーモールド金型との間隙に金属薄膜
が介在している。この例によれば、金属薄膜が緩衝材と
なりセラミック基板が破損されることが排除できる。
【００３９】また本発明の別の例によれば、トランスフ
ァーモールド金型は上金型及び下金型からなり、前記上
金型及び下金型の少なくとも一方の金型のセラミック基
板が載置される一部は、セラミック基板の厚み方向を押
圧する方向に摺動する摺動手段を備えている。この例に
より、高温に加熱された前記上・下金型の微小な傾斜や
歪みなどを調整し、セラミック基板に加わる圧力を均等
に調整することができるので、セラミック基板にクラッ
クや割れを発生させることがなくなる。
【００４０】また本発明の別の例によれば、上金型と下
金型の少なくとも一方の樹脂成形面に樹脂フィルムを密
着させる。好ましくはこの樹脂フィルムはフッ素樹脂で
あり、その厚みは５０μｍ以上に選ばれている。この例
により、樹脂フィルムの緩衝効果が金型クランプ時のセ
ラミック基板へのストレスを緩和させて、セラミック基
板のクラック防止や割れ防止を図ることができる。さら
に、金型内への樹脂送圧によりセラミック基板の下面側
にトランスファーモールド用熱硬化性樹脂が周り込むこ
とを防止することが可能となり、キャビティ内面にフィ
ルムを密着することで金型への樹脂張り付きをも防止で
きる。また、セラミック基板にかかる圧力を十分に緩衝
させ得る厚みを確保することができ、金型圧力や樹脂注
入圧力などでフィルムが変形圧縮されて、変形圧縮され
た箇所が破れることなく樹脂を注入でき、また樹脂が金
型に付着することを防止できる。さらに金型内にフィル
ムを敷いてキャビティ内にフィルムを敷き詰める引き詰
め内面に密着させる必要とセラミック基板へのストレス
を緩和するためには、そのフィルムに柔軟性を持たせる
ことが可能である。
【００４１】また本発明の別の例は、金属薄膜はセラミ
ック基板の一方の側に形成された電極及びその他方の側
に形成された電極の少なくとも一方の側の電極と同時に
形成されている電子装置の製造方法である。この構成に
より、あらかじめ金属薄膜はセラミック基板上に、第１
電極〜第４電極の少なくともいずれかの電極と同時に形
成されるので、金属薄膜を用意するための工程が省略で
きる。
【００４２】さらに、本発明の別の例は、セラミック基
板に電極と、電子素子と、金属ワイヤとを備えて構成さ
れ、前記セラミック基板はトランスファーモールド金型
のキャビティの内部と外部とにまたがって配置され前記
キャビティの内部にトランスファーモールド樹脂が注入
されてなる電子装置の製造装置において、前記トランス
ファーモールド金型は上金型および下金型からなり、前
記上金型および前記下金型の少なくとも一方側の金型の
加重圧力を、前記トランスファーモールド樹脂注入圧力
に応動させて変化させる。この例により、上金型と下金
型との間に加わる加重圧力は、樹脂の注入圧力が小さい
時はそれよりやや高い圧力に設定され、また樹脂の注入
圧力が比較的大きい場合にはそれに耐えられるだけの圧
力に設定されるので、常時セラミック基板に高い圧力が
印加される状態を解除できる。これによって、セラミッ
ク基板の割れを抑止できる。
【００４３】また本発明の別の例は、上金型および下金
型の少なくとも一方の金型の加重圧力が少なくとも２段
階に制御される。この例により、樹脂注入圧力が比較的
小さくて済む樹脂注入時と、比較的大きな樹脂加圧を要
する２つの工程に即応できる。
【００４４】また本発明の別の例は、前記加重圧力の少
なくとも２段階の一方は、キャビティの内部にトランス
ファーモールド樹脂が注入されている時であり、２段階
の他方はトランスファーモールド樹脂の注入が終わった
後である。この例により、樹脂注入圧力が比較的小さく
て済むトランスファーモールド樹脂の注入（充填）時
と、キャビティ内の気泡を除去するために比較的大きな
樹脂加圧を要する樹脂注入後の２つの工程に対応でき
る。
【００４５】以下図面を参照しながら説明する。
【００４６】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態に係わる電子装置の概略構成を示した図であ
り、図３Ａ〜図３Ｂのマスター基板からダイシングによ
ってカットして得たものである。具体的には、コレクタ
電極、ベース電極およびエミッタ電極の３つの電極を備
えた３端子リードレス小型面実装型トランジスタの透視
側面図を示す。
【００４７】図示したように、本発明による第１の形態
の電子装置１は、セラミック基板３２と上部電極１１〜
１３、下部電極２１〜２４、セラミック基板３２に設け
られたビアホール１７〜２０、金属ワイヤ１５，１６を
備えている。
【００４８】セラミック基板３２の厚みｔは０．１５〜
０．２０ｍｍとした。このセラミック基板３２の所定箇
所に直径がほぼ０．１０ｍｍφのビアホール１７〜２０
を設けた。ビアホール１７〜２０内部には例えば導電性
ペーストを注入し導電体を形成した。これらのビアホー
ルに形成された導電体は上部電極１１〜１３と下部電極
２１〜２４とを電気的に接続するための導電中継体を成
す。
【００４９】セラミック基板３２上の第１〜第３の上部
電極１１〜１３と下部電極２１〜２４には金メッキがさ
れている。
【００５０】第１上部電極１１にはトランジスタ１４の
コレクタ電極を直接ダイボンドした。第１上部電極１１
から離間して配置された第２上部電極１２及び第３上部
電極１３と、トランジスタ１４のベース及びエミッタ電
極とは第１金属ワイヤ１５及び第２金属ワイヤ１６でそ
れぞれ電気的に接続した。
【００５１】そして、トランジスタ１４と第１金属ワイ
ヤ１５及び第２金属ワイヤ１６は、従来から一般に用い
られているトランスファーモールド用熱硬化性樹脂２５
（例えばビスフェノールＡまたはクレゾール・ノボラッ
ク型のグリシジルエーテル型樹脂をベースにしたエポキ
シ樹脂）で被覆した。被覆の方法は後述する実施の形態
３に具体的に説明する。モールド樹脂の被覆の厚みは
０．３５〜０．３９ｍｍとした。ダイシングにより分割
した後の電子装置１の大きさは、縦１ｍｍ、横０．８ｍ
ｍ、高さ０．６ｍｍであった。
【００５２】なお上記の実施の形態は、３つの電極をも
つトランジスタを例示したが、これには限らない。例え
ば、ダイオード、抵抗器などの少なくとも２つの電極を
備えた電子装置であればよい。この場合には、上部電極
１１〜１３、下部電極２１〜２４、ビアホール１７〜２
０、金属ワイヤ１５，１６はより少ない数で構成でき
る。
【００５３】（実施の形態２）図２Ａ，図２Ｂ，図２Ｃ
は２個のトランジスタ１４ｂ，１４ｃからなる電子装置
を１つのパッケージに搭載した６端子の小型面実装型電
子装置のそれぞれ表面図、透視側面図、裏面図を示す。
これらも図３Ａ〜図３Ｂのマスター基板からダイシング
によってカットして得たものである。
【００５４】セラミック基板３２の厚みｔは実施の形態
１と同じで０．１５〜０．２ｍｍに選ばれている。セラ
ミック基板３２にはその直径がほぼ０．１ｍｍφの６個
のビアホール１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂ，２０
ａ，２０ｂが穿孔されている。これらのビアホールの内
部には例えば導電性ペーストが注入され導電体が形成さ
れている。
【００５５】また、セラミック基板に第１〜第６上部電
極１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂと
下部電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２
４ｂが金メッキにより形成されている。
【００５６】第１上部電極１１ａにはトランジスタ１４
ｂのコレクタ電極がダイボンディングされている。第１
上部電極１１ａから離間して配置された第２上部電極１
１ｂにはトランジスタ１４ｃのコレクタ電極がダイボン
ディングされている。第１上部電極１１ａと第２上部電
極１１ｂとの間に配置された第３上部電極１２ａ，１２
ｂは、トランジスタ１４ｂとトランジスタ１４ｃの例え
ばエミッタ電極と金属ワイヤ１５ａ，１５ｂで各別に電
気的に接続されている。
【００５７】第１上部電極１１ａから離間して配置され
た第５上部電極１３ａはトランジスタ１４ｂの例えばベ
ース電極と金属ワイヤ１６ａで電気的に接続されてい
る。第２上部電極１１ｂから離間して配置された第６上
部電極１３ｂはトランジスタ１４ｃの例えばベース電極
と金属ワイヤ１６ｂで電気的に接続されている。
【００５８】セラミック基板３２の上面３２１の各上部
電極１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ
は各ビアホール１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂ，２０
ａ，２０ｂを介してそれぞれセラミック基板３２の下面
３２２の下部電極２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ，２
３ａ，２３ｂに電気的に接続されている。これらの下部
電極には金メッキが施されている。
【００５９】ビアホール１７ａ，１７ｂ等はセラミック
基板の一方の面と他方の面にそれぞれ形成された上記上
部電極及び下部電極とを電気的に接続するための導電中
継体である。
【００６０】セラミック基板３２の上面側、第１〜第６
上部電極１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１
３ｂ、トランジスタ１４ｂとトランジスタ１４ｃ及び金
属ワイヤ１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂをトランスフ
ァーモールド用熱硬化性樹脂２５によって被覆した。
【００６１】なお実施の形態２において、３つの電極を
備えたトランジスタ２個を個々に取り出せるように６端
子構成を示したがこれに限らない。たとえばコンパレー
タや演算増幅器などの集積回路体を内蔵させ、その入力
端子、出力端子、電源端子などの所定電極を取り出して
もよい。
【００６２】図３Ａ〜図３Ｂは本発明の個々の電子装置
ができる前のいわゆるマスター電子装置を示す。このマ
スター電子装置には、既に配線、電極が形成されている
１つの共通セラミック基板３２の中に、図１又は図２、
さらには図示しない集積回路体が縦横に、たとえば、ｍ
×ｎ個配置されている。そしてこのマスター電子装置
は、トランスファーモールド樹脂２５で被覆・封止され
ている。樹脂封止されたマスター電子装置は切断線３３
に沿って切断され、個々の電子装置１が作り出される。
なお、セラミック基板３２の周辺の一部には金属薄膜２
が形成されているがこれについては後述する。
【００６３】（実施の形態３）次に、本発明の電子装置
の製造方法の一例について説明する。特に本発明は図３
Ａ〜図３Ｂに示したマスター電子装置が出来上がるまで
の製造方法に関わる。
【００６４】図４に示すように、セラミック基板３２は
トランスファーモールド金型の、上金型３０と下金型３
１の間に挟持される。このセラミック基板３２には既に
上部電極１１〜１３、下部電極２１〜２４が形成されて
いる。そして、トランジスタ１４の所定の電極と上部電
極とはワイヤ１５，１６を通じて結線も既に施されてい
る。
【００６５】さらに、図４には示していないが、上部電
極１１〜１３と下部電極２１〜２４とを接続するため
の、ビアホールも形成されている。
【００６６】セラミック基板３２は上金型３０側に設け
たキャビティ３８の内部と外部とにまたがって配置され
ている。すなわち、セラミック基板３２の周辺部をキャ
ビティ３８から延出させ、その延出させた箇所を上金型
３０と下金型３１の両方に当接するように配置させる。
【００６７】さらに上金型３０と下金型３１とが当接す
る箇所には金属薄膜２を形成した。金属薄膜２は、上金
型３０と下金型３１とにより挟持し加圧されたときの緩
衝材の作用を有する。
【００６８】なお、金属薄膜２は図３Ａに示したように
セラミック基板３２の周辺部に、上部電極及び下部電極
を導電性ペースト材料で印刷形成するのと同時に焼結し
て形成した。金属薄膜の材質はタングステンとし、厚さ
は２０μｍ、幅は１．０ｍｍとした。
【００６９】また、緩衝材として作用する金属薄膜２
は、セラミック基板３２の上面または下面のいずれか一
方の面に形成するだけでも良い。なお、金属薄膜は上部
電極を兼用しても良い。つまり、金属薄膜には電極利用
も含む。上部電極間には段差があり、この電極の段差は
エアーベントと同じくらいなので、電極厚みがモールド
の金型で使われるエアーベントと同じ効果を発揮してモ
ールドは可能である。なお図４中の点線の丸の部分は、
図１の電子装置１を示す。
【００７０】このように上金型３０と下金型３１の間に
セラミック基板３２を平行に保持し所定圧力で加圧させ
たのち、溶融させたトランスファーモールド用熱硬化性
樹脂２５をプランジャー３６によりランナー３５を経由
してキャビティ３８内に流し込み、トランスファーモー
ルド樹脂２５で被覆した（図５）。
【００７１】トランスファーモールド成形の条件は、温
度１７５℃、成形圧力１５kg/cm2、硬化時間９０secと
した。
【００７２】図５は、トランスファーモールド金型の下
金型３１の内面に、樹脂フィルム３４を密着させた本発
明のもう１つの実施例を示している。
【００７３】図５において、下金型３１の上面に樹脂フ
ィルム３４を、例えば、減圧ポンプなどの真空引きの手
段により均一に密着させている。この樹脂フィルムは、
厚みが１００μｍ程度のポリテトラフルオロエチレン樹
脂フィルムを用いたが、厚さは５０μｍ以上であれば十
分に緩衝効果が得られる。
【００７４】なお、図５において、樹脂フィルム３４は
下金型３１の内面に密着させたが下金型に限られること
はなく、上金型に密着させても、或いは上下金型の内面
全てに密着させてもよい。樹脂フィルム３４としては、
例えばポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂の
フィルムを採用するならば、柔軟性や耐熱に対しても有
効である。
【００７５】なお、本発明の実施形態において３端子ト
ランジスタを用いたが３端子以外の他の電子装置につい
ても応用できる。
【００７６】図６は、本発明の他の実施例を示し、トラ
ンスファーモールド金型の下金型３１に摺動する摺動手
段を配置したものを示している。
【００７７】図６において、セラミック基板３２を受け
る下金型３１の少なくともセラミック基板３２が載置さ
れる箇所に、セラミック基板の厚み方向に対して押圧可
能な摺動手段３１１を構成している。この摺動手段３１
１は、下金型３１に所定の空間３１２が備えられ、この
空間内に、例えば、コイル状のばね３７を介して下金型
３１に支えられている。
【００７８】摺動手段３１１はセラミック基板３２の厚
み方向に対して圧力が加わるように作動する。なお、摺
動手段３１１が下金型３１側に配置したものを示したが
上金型側に設けてもよい。
【００７９】（実施の形態４）図７Ａ〜図７Ｂは本発明
に係るトランスファーモールド金型を備えた製造装置を
示す。本実施の形態は、上金型３０および下金型３１と
の間の加重圧力が、トランスファーモールド樹脂の注入
圧力、すなわち、図５，図６に示したプランジャー３６
の動作に応動する点で実施の形態３とは相違する。
【００８０】上金型３０と下金型３１はストローク調整
用のストッパー４２と支柱４３により支持されている。
また、上金型３０側には、トランスファーモールド用熱
硬化性樹脂２５をキャビティ３８内に注入するためのラ
ンナー３５、熱硬化性樹脂２５をキャビティ３８に送出
するためのプランジャー３６、熱硬化性樹脂２５をスト
ックするためのプランジャーポット４０が配置されてい
る。また、上金型３０側にはサーボモータ４１が備えら
れている。
【００８１】詳しく図示しないがサーボモータ４１は、
プランジャー３６の動作に応動して、上金型３０、下金
型３１の少なくとも一方側の金型を稼動させるために用
意されている。
【００８２】プランジャーポット４０内で溶融したトラ
ンスファーモールド用熱硬化性樹脂２５はプランジャー
３６によりランナー３５を経てキャビティ３８内を充填
する。キャビティ３８の中には熱硬化性樹脂２５で封止
される電子装置１が前もって配置されている。
【００８３】図７Ａにおいて、電子装置１の詳細は示し
ていないが、熱硬化性樹脂２５が被覆される前は実施の
形態３の説明に用いた図４に示した状態に近く、熱硬化
性樹脂２５で被覆された後は、同じく実施の形態３の説
明に用いた図３に示した状態にほぼ同一である。
【００８４】電子装置１の周辺部はキャビティ３８の端
からＬ１、Ｌ２だけ延びて配置されている。すなわち、
電子装置１はキャビティ３８の内部と外部とにまたがっ
て配置されている。このＬ１、Ｌ２だけ延びた電子装置
１の周辺部が上金型３０と下金型３１の両金型に当接す
ることになり、また、両金型３０，３１との間に挟持さ
れる。このため電子装置１を構成するたとえばセラミッ
ク基板が両金型３０，３１によって挟持されると、電子
装置１の周辺部は両金型３０，３１からの加重圧力（図
７Ｂの矢印Ｘ）を受ける。この加重圧力が電子装置１の
セラミック基板の限界加重圧力を越えると電子装置１は
変形や割れを生じることになる。
【００８５】一般に樹脂流入速度は、樹脂材料、キャビ
ティ容量等により異なるが、樹脂材料、キャビティ容量
が決まると樹脂流入速度はほぼ一定の値を示す。これに
よってトランスファーモールド工程に要する時間が決定
される。
【００８６】図８は本発明のトランスファーモールド方
式の成形パターンを示す。横軸に時間を縦軸に圧力を表
す。実線Ｓ１は、プランジャー３６が熱硬化性樹脂２５
をキャビティ３８に送出する時の圧力を示す。破線Ｓ２
は上金型３０、下金型３１との間に加重される圧力を示
す。トランスファーモールドを正常に行うために、該金
型３０，３１間に印加される加重圧力Ｓ２は、プランジ
ャー３６の送出圧力Ｓ１に比べて常に大きくなるよう
に、すなわち、Ｓ２＞Ｓ１の関係に設定、保持されてい
る。
【００８７】実線Ｓ１は、時間Ｔ１にトランスファーモ
ールド用熱硬化性樹脂２５が注入開始され、時間Ｔ２に
樹脂の充填が完了すると同時に樹脂加圧が開始され、時
間Ｔ３で加圧充填が完了することを示している。樹脂の
充填時間（Ｔ２−Ｔ１）は数秒間であり、充填が完了し
た時の圧力Ｐ１は数ｋｇ重である。また、樹脂の注入
（充填）が完了した直後（Ｔ２）に、キャビティ３８内
の気泡を除去するためにさらに数百ｋｇ重の圧力を加え
樹脂加圧（加圧充填）を行う。この気泡を除去するため
の加圧充填の時間（Ｔ３−Ｔ２）は１秒以下に設定され
ている。
【００８８】なお樹脂の加圧時間（Ｔ３−Ｔ２）は１秒
以下に設定され、樹脂の注入加圧が完了した時の圧力Ｐ
３は１５０〜３００ｋｇ重である。
【００８９】一方、破線Ｓ２で示すように、樹脂注入開
始時Ｔ１よりも早い時間（Ｔ０）で上金型３０と下金型
３１との間には樹脂注入圧力Ｐ１よりもやや大きい圧力
Ｐ２が加えられ、樹脂注入圧力Ｐ１に耐えられるように
設定される。ここで樹脂注入圧力はプランジャー３６の
送出圧力に相当する。そして、樹脂加圧開始時間（Ｔ
２）と同時に樹脂加圧に必要な圧力Ｐ３よりもやや大き
い圧力Ｐ４を上金型３０と下金型３１との間に加重加圧
される。
【００９０】このときの圧力Ｐ４は２００〜４００ｋｇ
重であり、Ｐ４＞Ｐ３の関係を保持するように設定して
いる。これによって、両者の金型３０，３１間に常時過
剰な加重圧力が印加されるという状態を排除できる。す
なわち、従来は上金型３０と下金型３１との間の圧力は
常に最も高い圧力Ｐ４に固定しなければならなかった
が、本発明はトランスファーモールド樹脂の注入圧力、
すなわち、プランジャー３６の送出圧力に応じて変化さ
せることができる。すなわち、上金型３０と下金型３１
との間の加重圧力をＰ２およびＰ４の２段階に制御する
ものである。もちろん３段階以上の制御も可能である。
【００９１】こうした加重圧力の制御、切替えによっ
て、両者の金型３０，３１に挟持配置されているセラミ
ック基板への過剰な圧力が減らせるので、セラミック基
板の変形や割れを防げる。
【００９２】上金型３０と下金型３１との間の加重圧力
の可変は、加圧力可変手段によって制御される。該加圧
力可変手段の主体はサーボモータ４１であり、このサー
ボモータ４１によって下金型３１は、該下金型３１が備
え付けられている下プレート４４ともに矢印Ａで示した
ように上下方向に稼動して、電子装置１の周辺部が上金
型３１に当接するように働く。なお、符号４５は下プレ
ート４４を導くためのプレートガイドであり、４６は上
金型３０と下金型３１を支持するための基台である。
【００９３】樹脂充填時間（Ｔ２−Ｔ１）は、前記した
ようにほぼ一定の時間を得ることができる。したがっ
て、この時間を計測し、たとえばタイマー等の設定によ
りサーボモータ４１を制御して、トランスファーモール
ド金型３０，３１の加重圧力を樹脂の充填時の一次圧力
（Ｐ２）から、加圧充填時の二次圧力（Ｐ４）の２段階
に変化させることができる。
【００９４】すなわち、トランスファーモールド樹脂注
入圧力やプランジャー３６の動作に応じさせるというこ
とは必ずしもこれらの大きさや動作を直接検知する必要
はなく、前に述べたようにタイマーを用いて、サーボモ
ータ４１を制御することで簡便化が図れる。
【００９５】なお、本発明の実施の形態４においては、
実施の形態３で説明し、図４に示したように上金型３０
と下金型３１とが当接する箇所に金属薄膜２を介在させ
て、緩衝材の作用を持たせてもよい。また、図５に示し
たように、樹脂フィルム３４を上金型３０と下金型３１
の少なくとも一方の樹脂成形面に密着させてもよい。ま
た、図６に示したように、摺動手段３１１を採用しても
よい。もちろんこれらを組み合わせてもよい。
【００９６】また本実施の形態においては３端子トラン
ジスタを用いて説明したがもちろん３端子以外の他の電
子装置についても応用できる。
【００９７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、セラミック基板の周囲で、かつ表面側及び裏面側か
ら選ばれる少なくとも一方の面に一体化した金属薄膜を
備えた前記セラミック基板と、トランスファーモールド
金型のキャビティの内部と外部とにまたがって配置する
とともに、前記金型の上金型と下金型とが当接する位置
に前記金属薄膜を配置することにより、上下金型でセラ
ミック基板を挟んで加圧しても、その加圧力を緩衝し、
歪み力が発生せず、セラミック基板のクラックや割れの
発生を防止できる。
【００９８】また本発明の電子装置によれば、プリント
基板実装時のリフロー時におけるセラミック基板と樹脂
との密着が向上し、樹脂強度も向上する。さらに、０．
２ｍｍ以下のセラミック基板を使用することで、０．１
ｍｍφのビアホールを貫通させることが可能となり、軽
量化が図れ、トランスファーモールド金型構造を工夫す
ることでトランスファーモールド用熱硬化性樹脂を用い
た樹脂被覆が可能となる。
【００９９】さらに、本発明の電子装置の製造方法によ
れば、０．２ｍｍ以下のセラミック基板であっても、ト
ランスファーモールド方式による樹脂モールドが可能と
なり、金型成形により一定時間内の硬化時間でモールド
成形ができるため、液状樹脂のようなハンドリングの難
しさや樹脂硬化までの間の浮遊ゴミの除去や平板に放置
しなければならないなどの工夫や長時間の樹脂硬化時間
もなく工程短縮が図れる。
【０１００】また、液状樹脂では樹脂厚みを均一に維持
するために樹脂モールド面の研削をすることで、素子間
の精度確保をしなければならなかった、またセラミック
基板上に形成できる電子装置の個数にも限界があった。
ダイシング時に樹脂面の凹凸により樹脂面を固定用シー
トに張り付けることが困難であったが、トランスファー
方式の金型で成形することでこのような問題が解決し、
工程短縮や電子装置の紛失防止が図れる。
【０１０１】さらに、本発明の電子装置の製造方法およ
びその製造装置によれば、プランジャーの圧力に応動さ
せて上・下金型間に加重される圧力を可変できるので、
前記上・下金型間に挟持されている電子装置の基板に加
重される過度な圧力を緩和することができる。これによ
って、セラミック等の基板の変形や割れを抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による電子装置の透視
側面図
【図２】図２Ａは本発明の第２の実施形態による電子装
置を示す図で、電子素子が複数個搭載された電子装置の
平面図、図２Ｂは同側面断面図、図２Ｃは同底面図
【図３】図３Ａは本発明の第１及び第２の実施形態の電
子装置が複数個作り込まれたマスター電子装置の平面
図、図３Ｂはその側面図
【図４】 本発明の第３の実施形態を示し、トランスフ
ァーモールド金型を用いた製造方法を示す断面図
【図５】本発明の第３の実施形態のもう１つの実施例を
示し、トランスファーモールド金型に樹脂フィルムを用
いた概略断面図
【図６】 本発明の第３の実施形態の他の実施例を示
し、下金型に摺動手段を備えたトランスファーモールド
金型の概略断面図
【図７】図７Ａは本発明の第４の実施形態を示し、トラ
ンスファーモールド金型の上金型と下金型とが離れてい
る状態を示す図、図７Ｂはトランスファーモールド金型
の上金型と下金型とが当接し電子装置に加重圧力がかか
っている状態を示す図
【図８】本発明の第４の実施形態によってなされるトラ
ンスファーモールドの成形圧力と時間の関係を示す図
【図９】 従来の電子装置を示し、図９Ａは平面図、図
９Ｂは図９Ａの断面図図９Ｃは図９Ａの底面図
【図１０】従来の電子装置が複数個作り込まれたマスタ
ー電子装置を示し、図１０Ａは平面図、図１０Ｂはその
断面図
【符号の説明】
１ 本発明の電子装置 ２ 金属薄膜 ３ 従来の電子装置 １１ 第１上部電極 １２ 第２上部電極 １３ 第３上部電極 １４ 電子素子 １５ 第１金属ワイヤ １６ 第２金属ワイヤ １７〜２０ ビアホール ２１〜２４ 下部電極 ２５ トランスファーモールド用熱硬化性樹脂 ３０ 上金型 ３１ 下金型 ３２ セラミック基板 ３３ 切断線 ３４ 樹脂フィルム ３５ ランナー ３６ プランジャー ３７ ばね ３８ キャビティ ４０ プランジャーポット ４１ サーボモータ ４２ ストッパー ４３ 支柱 ４４ 下プレート ４５ プレートガイド ４６ 基台

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミック基板の上に複数組の電子部品
    を搭載し、前記電子部品を熱硬化性樹脂でトランスファ
    ー封止成形した電子装置であって、前記セラミック基板
    の周囲で、かつ前記セラミック基板の表面側及び裏面側
    から選ばれる少なくとも一方の面に前記セラミック基板
    と一体化した金属薄膜を備えたことを特徴とする電子装
    置。
  2. 【請求項２】 前記金属薄膜は前記セラミック基板の表
    面側と裏面側の両面に存在する請求項１に記載の電子装
    置。
  3. 【請求項３】 前記金属薄膜は、セラミック基板の原料
    であるグリーンシートに金属ペーストを印刷し、前記グ
    リーンシートを焼結する際にセラミック基板に一体化焼
    結されている請求項１に記載の電子装置。
  4. 【請求項４】 前記金属薄膜は、タングステンである請
    求項１に記載の電子装置。
  5. 【請求項５】 前記金属薄膜の厚さが、１０〜５０μｍ
    の範囲である請求項１に記載の電子装置。
  6. 【請求項６】 前記金属薄膜の幅が、１．０〜２．５ｍ
    ｍの範囲である請求項１に記載の電子装置。
  7. 【請求項７】 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であ
    る請求項１に記載の電子装置。
  8. 【請求項８】 前記熱硬化性樹脂の被覆厚さが、０．３
    ５〜０．６ｍｍの範囲である請求項１に記載の電子装
    置。
  9. 【請求項９】 前記セラミック基板の厚さが、０．１〜
    ０．５ｍｍの範囲である請求項１に記載の電子装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１の電子装置をダイシングによ
    り個々の電子装置に分割した電子装置。
  11. 【請求項１１】 セラミック基板の上に複数組の電子部
    品を搭載し、前記電子部品を熱硬化性樹脂でトランスフ
    ァー封止成形する電子装置の製造方法であって、 前記セラミック基板の周囲で、かつ表面側及び裏面側か
    ら選ばれる少なくとも一方の面に一体化した金属薄膜を
    備えた前記セラミック基板を、トランスファーモールド
    金型のキャビティの内部と外部とにまたがって配置する
    とともに、前記金型の上金型と下金型とが当接する位置
    に前記金属薄膜を配置し、 前記キャビティの内部にトランスファーモールド用熱硬
    化性樹脂を注入して成形し、加熱硬化することを特徴と
    する電子装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記金属薄膜は前記セラミック基板の
    表面側と裏面側の両面に存在する請求項１１に記載の電
    子装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記金属薄膜は、セラミック基板の原
    料であるグリーンシートに金属ペーストを印刷し、前記
    グリーンシートを焼結する際にセラミック基板に一体化
    焼結されている請求項１１に記載の電子装置の製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 前記金属薄膜は、タングステンである
    請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記金属薄膜の厚さが１０〜５０μｍ
    の範囲、幅が１．０〜２．５ｍｍの範囲である請求項１
    １に記載の電子装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂で
    ある請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記成形の条件が、温度１４０〜１９
    ０℃の範囲、成形圧力１０〜５０kg/cm2、硬化時間６０
    〜１００secである請求項１１に記載の電子装置の製造
    方法。
  18. 【請求項１８】 前記上金型及び下金型の少なくとも一
    方の金型のセラミック基板が載置される一部にはさらに
    摺動手段を備え、前記摺動手段は前記セラミック基板の
    厚み方向に対して押圧するように配置されている請求項
    １１に記載の電子装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 上金型と下金型の少なくとも一方の樹
    脂成形面に、さらに樹脂フィルムを密着させる請求項１
    １に記載の電子装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記金属薄膜は、セラミック基板の少
    なくとも一方の面の電極の焼結と同時に一体形成されて
    いる請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記上金型および前記下金型の少なく
    とも一方側の金型の加重圧力を、前記トランスファーモ
    ールド用熱硬化樹脂の注入圧力に応動させて変化させる
    請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上金型および下金型の少なくとも一方
    の金型の加重圧力が少なくとも２段階に制御される請求
    項２１に記載の電子装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 少なくとも２段階の一方は、キャビテ
    ィの内部にトランスファーモールド樹脂が注入されてい
    る時であり、他方はトランスファーモールド樹脂の注入
    が終わった後である請求項２２に記載の電子装置の製造
    方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１１の方法によって得られたマ
    スター電子装置を、さらにダイシングにより個々の電子
    装置に分割する電子装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 トランスファーモールド用熱硬化性樹
    脂を加圧するプランジャーと、前記トランスファーモー
    ルド用熱硬化性樹脂が流れるランナーと、前記ランナー
    につながり、前記トランスファーモールド用熱硬化性樹
    脂が流れ込むキャビティと、前記キャビティをかたどる
    上金型および下金型とを備え、 セラミック基板の周囲で、かつ表面側及び裏面側から選
    ばれる少なくとも一方の面に一体化した金属薄膜を備え
    た前記セラミック基板を、トランスファーモールド金型
    のキャビティの内部と外部とにまたがって配置するとと
    もに、前記金型の上金型と下金型とが当接する位置に前
    記金属薄膜を配置し、 前記キャビティの内部にトランスファーモールド用熱可
    塑性樹脂を注入して成形し、加熱硬化することを特徴と
    する電子装置の製造装置。
  26. 【請求項２６】 さらに前記上金型および下金型との間
    に加える圧力を可変する加圧力可変手段とを備え、前記
    加圧力可変手段は前記プランジャーの加圧に応動する請
    求項２５に記載の電子装置の製造装置。
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