JP2001102289A - Device and method for substrate processing - Google Patents
Device and method for substrate processingInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用角
形ガラス基板、プリント基板、プラズマディスプレイ用
基板等の板状の基板(以下、基板と呼ぶ)に対し、処理
液を供給して処理をおこなう基板処理装置に関し、さら
に詳しくは、基板の表面に現像液、エッチング液、剥離
液、リンス液、等の処理液を供給して基板上に液層を形
成し、形成された液層の処理液により基板を処理する基
板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plate-like substrate (hereinafter, referred to as a substrate) such as a rectangular glass substrate for a liquid crystal display device, a printed substrate, a substrate for a plasma display, etc. More specifically, a processing solution such as a developing solution, an etching solution, a stripping solution, and a rinsing solution is supplied to the surface of the substrate to form a liquid layer on the substrate, and the formed liquid layer is processed. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate with a liquid.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、基板表面に処理液の液層を形成し
て基板処理をおこなう装置として、搬送される基板上に
スプレーを用いて処理液を供給し、基板上に液層を形成
して処理をおこなうとともに、基板処理が終了すると、
基板上の処理液を液切りローラで除去しながらリンス部
へ搬送してリンスをおこなう基板処理装置が知られてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as an apparatus for processing a substrate by forming a liquid layer of a processing liquid on a substrate surface, a processing liquid is supplied to a conveyed substrate by using a spray to form a liquid layer on the substrate. When the substrate processing is completed,
2. Description of the Related Art There has been known a substrate processing apparatus which carries out rinsing by transporting a processing liquid on a substrate to a rinsing section while removing the processing liquid with a draining roller.
【0003】このように基板を水平方向に搬送しながら
処理をおこなう装置では、連続して基板処理が行えるの
で処理能力が高い反面、基板処理を終了して疲労した処
理液を液切りローラで液切りすると、液切りローラに付
着した疲労液が、濃縮化や固形化し、次に処理される基
板表面に付着して、処理品質が劣化する問題があった。
さらに、リンス部へ搬送された基板表面には、疲労した
処理液が残留しており、疲労した処理液をリンス処理す
るため、リンス液が短時間で汚染されるので頻繁にリン
ス液を取り替える必要があった。In such an apparatus that performs processing while transporting a substrate in the horizontal direction, the substrate processing can be performed continuously, so that the processing capability is high. When the cutting is performed, there is a problem that the fatigue liquid attached to the draining roller is concentrated or solidified, adheres to the surface of the substrate to be processed next, and the processing quality is deteriorated.
In addition, the substrate surface transported to the rinsing part contains the fatigued processing solution, and the rinsing treatment of the fatigued processing solution contaminates the rinsing solution in a short time. was there.
【0004】このような問題点を解決する手段として、
回転台上に載置された基板表面に、スリットノズルを平
行移動させながら処理液を供給してパドルを形成し、基
板の処理が終了後に回転台を回転させて液切りをおこな
い、その後、回転台を回転させつつ、基板上にリンス液
を供給して洗浄をおこなう基板処理装置が提案されてい
る。図5はこのような従来装置を示した模式図である。[0004] As means for solving such problems,
On the surface of the substrate placed on the turntable, a processing liquid is supplied while moving the slit nozzle in parallel to form a paddle, and after the processing of the substrate is completed, the turntable is rotated to perform liquid drainage. A substrate processing apparatus has been proposed in which a rinsing liquid is supplied onto a substrate to perform cleaning while the table is being rotated. FIG. 5 is a schematic view showing such a conventional apparatus.
【0005】図5において、基板Wは、ロボット等の搬
送手段により、回転台40上に載置され、図示しない吸
引機構により回転台40上に固定される。次にスリット
ノズル42が、基板W表面に処理液を供給しながら、図
示右方向から左方向へと平行移動し、基板W表面に処理
液の液層43を形成する。In FIG. 5, a substrate W is mounted on a turntable 40 by a transfer means such as a robot and fixed on the turntable 40 by a suction mechanism (not shown). Next, the slit nozzle 42 moves in parallel from right to left in the drawing while supplying the processing liquid to the surface of the substrate W, and forms a liquid layer 43 of the processing liquid on the surface of the substrate W.
【0006】基板W上に形成された処理液層43により
基板Wの処理が終了すると、回転軸41が高速回転して
基板W上の処理液を遠心力により除去する。液切りが終
了して回転軸41の回転が停止すると、リンスノズル4
4が実線位置から破線位置まで移動し、リンスノズル4
4の処理液供給口からリンス液を基板Wの表面に供給す
る。リンス液の供給と同時に、回転軸41が低速回転を
開始して、基板Wの表面がリンス処理される。リンス処
理が終了すると、リンスノズル44はリンス液の供給を
停止し、リンスノズル44が破線位置から実線位置へと
待避するとともに、回転軸41が高速回転し、基板Wの
表面に残留したリンス液を遠心力により除去する。液切
りが終了すると、回転軸41は回転を停止し、基板Wは
図示しないロボットにより後工程へと搬送されて基板処
理を終了する。When the processing of the substrate W is completed by the processing liquid layer 43 formed on the substrate W, the rotating shaft 41 rotates at a high speed to remove the processing liquid on the substrate W by centrifugal force. When the rotation of the rotary shaft 41 is stopped after the drainage is completed, the rinse nozzle 4
4 moves from the solid line position to the broken line position,
The rinsing liquid is supplied to the surface of the substrate W from the processing liquid supply port 4. Simultaneously with the supply of the rinsing liquid, the rotation shaft 41 starts rotating at a low speed, and the surface of the substrate W is rinsed. When the rinsing process is completed, the rinsing nozzle 44 stops supplying the rinsing liquid, the rinsing nozzle 44 retreats from the position indicated by the broken line to the position indicated by the solid line, and the rotating shaft 41 rotates at a high speed, and the rinsing liquid remaining on the surface of the substrate W Is removed by centrifugal force. When the draining is completed, the rotation shaft 41 stops rotating, the substrate W is transported to a subsequent process by a robot (not shown), and the substrate processing ends.
【0007】このように、上記の従来装置では、基板W
に供給する処理液やリンス液の使用量が節約できるとと
もに、処理により疲労した処理液は、回転台の回転によ
りきれいに除去できる等の優れた効果を奏する。As described above, in the above conventional apparatus, the substrate W
It is possible to save the amount of the processing liquid and the rinsing liquid supplied to the apparatus and to achieve an excellent effect that the processing liquid fatigued by the processing can be removed cleanly by rotating the turntable.
【0008】しかし、上記の従来装置はこのような優れ
た効果を奏する反面、基板Wを1枚毎にしか処理できな
いため、処理枚数を増加させるには処理装置を複数台用
意しなければならないという問題があった。[0008] However, while the above-described conventional apparatus has such excellent effects, it can process only one substrate W at a time, so that a plurality of processing apparatuses must be prepared to increase the number of processed wafers. There was a problem.
【0009】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、液切りローラやリンス液の
汚染を防止できるとともに、処理能力が高い基板処理装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can prevent contamination of a liquid removing roller and a rinsing liquid and has a high processing capability. And
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を所定の方向に搬送して処理をおこなう基板処
理装置において、基板を搬送する搬送手段と、搬送され
る基板表面に処理液を供給して基板表面上に処理液の液
層を形成する液層形成手段と、処理液により処理された
基板表面にさらに処理液を供給して処理液の液層を液置
換する液置換手段と、液置換された基板表面の処理液を
除去する処理液除去手段と、を備えたことを特徴とす
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing processing by transporting a substrate in a predetermined direction, comprising: transport means for transporting the substrate; A liquid layer forming means for supplying a liquid to form a liquid layer of the processing liquid on the substrate surface, and a liquid replacement for further supplying the processing liquid to the substrate surface treated with the processing liquid and replacing the liquid layer of the processing liquid Means, and a processing liquid removing means for removing the processing liquid from the substrate surface after the liquid replacement.
【0011】請求項2に記載の発明は、液層形成手段
は、基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給
口が延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方
向に向けて傾斜配置されたスリットノズルであることを
特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the liquid layer forming means, the processing liquid supply port extends in a direction orthogonal to the substrate transport direction, and the processing liquid supply port extends in the substrate transport direction. It is a slit nozzle that is inclined and arranged to face.
【0012】請求項3に記載の発明は、液置換手段は、
基板の搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が
延設されるとともに、処理液供給口が基板の搬送方向と
対向する方向に傾斜配置されたスリットノズルであるこ
とを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, the liquid replacement means comprises:
The processing liquid supply port extends in a direction orthogonal to the substrate transport direction, and the processing liquid supply port is a slit nozzle that is inclined and disposed in a direction opposite to the substrate transport direction.
【0013】請求項4に記載の発明は、液置換手段は、
基板搬送手段により搬送される基板を、水平姿勢から傾
斜姿勢に変更する姿勢変更手段と、傾斜姿勢で搬送され
る基板の上方に配置されるとともに、搬送方向に沿って
処理液供給口が形成されたスリットノズルとからなるこ
とを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, the liquid replacement means comprises:
A posture changing means for changing the substrate conveyed by the substrate conveyance means from a horizontal posture to an inclined posture, and a processing liquid supply port is formed along the conveyance direction while being disposed above the substrate conveyed in the inclined posture. And a slit nozzle.
【0014】請求項5に記載の発明は、処理液除去手段
は、基板の搬送方向と直交する方向に配置された液切り
ローラからなることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, the processing liquid removing means comprises a liquid removing roller disposed in a direction orthogonal to the substrate transport direction.
【0015】請求項6に記載の発明は、処理液除去手段
は、液切り後の液切りローラ表面に処理液を供給する処
理液供給手段を備えることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, the processing liquid removing means includes a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the surface of the draining roller after draining.
【0016】請求項7に記載の発明は、所定方向に搬送
される基板表面に処理液の液層を形成して処理をおこな
う基板処理方法において、搬送される基板表面に処理液
を供給して液層を形成し基板を処理する工程と、処理液
の液層により処理された基板表面にさらに処理液を供給
して基板表面に形成された処理液の液層を液置換する工
程と、液置換された基板表面の処理液を除去する工程
と、からなることを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing a process by forming a liquid layer of a processing liquid on a surface of a substrate conveyed in a predetermined direction. Forming a liquid layer and processing the substrate; supplying the processing liquid further to the substrate surface processed by the liquid layer of the processing liquid to replace the liquid layer of the processing liquid formed on the substrate surface; Removing the treatment liquid from the surface of the replaced substrate.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明を液晶用角形ガラス
基板の現像処理をおこなう基板処理装置に適用した場合
を例として、図面に基づいて実施の形態を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, taking as an example the case where the present invention is applied to a substrate processing apparatus for developing a rectangular glass substrate for liquid crystal.
【0018】図1は本発明に係る基板処理装置1の一実
施形態を示す概略構成図である。図1において、基板処
理装置100は、前工程から搬送されてきた基板Aを受
け入れる基板導入部1と、基板導入部1から水平姿勢で
搬送されてきた基板Aの表面に現像液を供給して現像処
理をおこなう処理部2と、現像処理された基板表面にシ
ャワーノズル8からリンス液を供給してリンス処理をお
こなうリンス部3と、リンス処理された基板Aの表面に
高圧エア(または窒素ガス)を吹き付けて乾燥処理をお
こなう乾燥部4とが直列に配設されて構成されている。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. In FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 supplies a developing solution to a substrate introduction unit 1 that receives a substrate A transported from a previous process and a surface of the substrate A transported from the substrate introduction unit 1 in a horizontal posture. A processing unit 2 for performing a developing process, a rinsing unit 3 for performing a rinsing process by supplying a rinsing liquid from a shower nozzle 8 to the surface of the developed substrate, and a high-pressure air (or nitrogen gas) ) And a drying unit 4 for performing a drying process by spraying the drying unit.
【0019】そして基板処理装置1は、基板導入部1、
処理部2、リンス部3、乾燥部4の順に基板Aを搬送し
つつ基板Aに所定の処理を施すものである。The substrate processing apparatus 1 includes a substrate introduction unit 1,
The processing unit 2, the rinsing unit 3, and the drying unit 4 perform predetermined processing on the substrate A while transporting the substrate A in this order.
【0020】また、処理部2の下には現像液槽9が配置
されており、現像液槽9に貯留された現像液は、送液ポ
ンプ11により液層形成手段となるスリットノズル5へ
と送られ、スリットノズル5に設けられた処理液供給口
より、基板Aの表面へ現像液を供給して液層20を形成
する。また、現像液槽9にはもう1つの送液ポンプ13
が設けられており、送液ポンプ13により送られた現像
液は、3方電磁弁により液置換用のスリットノズル6、
または処理液除去手段である上下1対の液切りローラ1
5に向けて処理液供給口が形成された処理液供給ノズル
7、のいずれかに現像液を切替供給するように構成され
ている。処理部2において、基板Aまたは液切りローラ
15に供給された現像液は、処理部2の底部に設けられ
たドレン12から、現像液槽9へ回収されて循環使用さ
れるようになっている。A developing solution tank 9 is disposed below the processing section 2, and the developing solution stored in the developing solution tank 9 is sent to a slit nozzle 5 serving as a liquid layer forming means by a liquid sending pump 11. The developer is supplied to the surface of the substrate A from the processing liquid supply port provided in the slit nozzle 5 to form a liquid layer 20. Further, another liquid feed pump 13 is provided in the developer tank 9.
The developing solution sent by the solution sending pump 13 is supplied with a slit nozzle 6 for solution replacement by a three-way solenoid valve.
Alternatively, a pair of upper and lower liquid removal rollers 1 as processing liquid removing means
The developing solution is configured to be selectively supplied to one of the processing solution supply nozzles 7 having the processing solution supply ports formed therein. In the processing section 2, the developer supplied to the substrate A or the liquid removal roller 15 is collected from a drain 12 provided at the bottom of the processing section 2 to the developer tank 9 and is circulated and used. .
【0021】同様に、リンス部3の下にはリンス液槽1
6が設けられており、リンス液槽16に貯留されたリン
ス液は、リンス液送液ポンプ17によりシャワーノズル
8を介して基板A表面へと供給され、基板Aの表面がリ
ンス処理される。基板Aの表面に供給されたリンス液
は、リンス部3の底部に設けられたドレン18から、リ
ンス液槽16へ回収されて循環使用されるようになって
いる。また、本実施形態ではシャワーノズル8を基板A
の上部面側のみに設けているが、基板Aの下部面側にも
設けて、基板Aの両面をリンス処理するように構成して
もよい。Similarly, a rinsing liquid tank 1 is provided below the rinsing section 3.
The rinsing liquid stored in the rinsing liquid tank 16 is supplied to the surface of the substrate A by the rinsing liquid feed pump 17 via the shower nozzle 8, and the surface of the substrate A is rinsed. The rinsing liquid supplied to the surface of the substrate A is collected from a drain 18 provided at the bottom of the rinsing section 3 to a rinsing liquid tank 16 and used for circulation. In the present embodiment, the shower nozzle 8 is connected to the substrate A
Is provided only on the upper surface side of the substrate A, but may also be provided on the lower surface side of the substrate A so that both surfaces of the substrate A are rinsed.
【0022】次に、本実施形態では、基板Aを搬送する
基板搬送手段としてローラコンベアーが適用されてい
る。このローラコンベアーは、基板Aの搬送方向(図1
の左方から右方に向かう方向)と直交する方向に支持軸
を配した複数の搬送ローラ10が、等ピッチで搬送方向
に並設配置されている。Next, in the present embodiment, a roller conveyor is applied as a substrate transport means for transporting the substrate A. This roller conveyor moves the substrate A in the transport direction (FIG. 1).
A plurality of transport rollers 10 having support shafts arranged in a direction orthogonal to the direction from the left to the right) are arranged side by side in the transport direction at an equal pitch.
【0023】そして、回転駆動している複数の搬送ロー
ラ10上に基板Aを載置することにより、基板Aは各搬
送ローラ10の同期回転に伴って搬送方向(図1の右
方)に向けて搬送されるようになっている。Then, the substrate A is placed on the plurality of transport rollers 10 that are being driven to rotate, so that the substrate A is oriented in the transport direction (rightward in FIG. 1) with the synchronous rotation of each transport roller 10. Transported.
【0024】基板Aは、前工程からコンベアあるいはロ
ボット等の上流側引継手段を介して基板導入部1に移さ
れ、ついで搬送ローラ10の駆動によって、基板導入部
1から処理部2へと移送される。処理部2では、スリッ
トノズル5から基板A表面に現像液が供給されて所定の
処理が施された後に、リンス部3に移送されて基板Aに
付着した現像液がリンス処理される。リンス処理された
基板Aは乾燥部4へと移送され、乾燥部4で基板Aを搬
送ローラ10により搬送しながら、乾燥部4に設けられ
たエアーナイフ19によって、基板Aの表面に付着した
リンス液を乾燥させる。その後、乾燥部4の下流側で、
コンベアあるいはロボット等からなる下流側引継手段を
介して、次行程に向けて導出されるようになっている。The substrate A is transferred from the preceding process to the substrate introduction unit 1 via an upstream transfer means such as a conveyor or a robot, and then transferred from the substrate introduction unit 1 to the processing unit 2 by driving the transport roller 10. You. In the processing unit 2, after a developing solution is supplied from the slit nozzle 5 to the surface of the substrate A and subjected to a predetermined process, the developing solution transferred to the rinsing unit 3 and adhered to the substrate A is rinsed. The rinsed substrate A is transferred to the drying unit 4, and while the substrate A is being transported by the transport roller 10 in the drying unit 4, the rinsing attached to the surface of the substrate A is performed by the air knife 19 provided in the drying unit 4. Allow the liquid to dry. Then, on the downstream side of the drying unit 4,
It is drawn out to the next step via downstream transfer means such as a conveyor or a robot.
【0025】次に図2は、本発明に係る基板処理装置1
の処理部2の詳細を説明するための模式図であり、図2
の(a)は基板Aの表面に現像液の液層20を形成する
様子を表し、図2(b)は基板表面に形成された液層2
0に、さらに現像液を供給して液置換を行っている様子
を表したものである。Next, FIG. 2 shows a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining details of the processing unit 2 of FIG.
2A shows a state in which a liquid layer 20 of a developing solution is formed on the surface of the substrate A, and FIG.
0 shows that the liquid replacement is performed by further supplying a developing solution.
【0026】図2の(a)において、処理部2には、搬
送方向と直交する方向に複数の搬送ローラ10が並設配
置されている。基板導入部1から処理部2へと搬送され
てきた基板Aは、搬送ローラ10上に載置されて、搬送
ローラ10の同期回転により、処理部2内を搬送され
る。処理部2の基板搬入口上部には、基板表面に現像液
を供給して、現像液の液層20を形成するためのスリッ
トノズル5が設けられている。スリットノズル5には、
搬送方向と直交する方向に沿って処理液供給口が設けら
れており、スリットノズル5は、処理液供給口が基板A
の搬送方向に向くように傾斜配置されている。In FIG. 2A, a plurality of conveying rollers 10 are arranged in the processing section 2 in a direction perpendicular to the conveying direction. The substrate A transported from the substrate introduction unit 1 to the processing unit 2 is placed on the transport roller 10 and transported in the processing unit 2 by the synchronous rotation of the transport roller 10. A slit nozzle 5 for supplying a developing solution to the surface of the substrate and forming a liquid layer 20 of the developing solution is provided above the substrate loading port of the processing unit 2. In the slit nozzle 5,
A processing liquid supply port is provided along a direction orthogonal to the transport direction.
Are arranged in an inclined manner so as to face the transport direction.
【0027】また、スリットノズル5の下流位置であっ
て、基板Aの搬送方向長さより下流位置には、現像処理
された基板A表面の液層20に向けて現像液を供給し、
基板A上の現像液を液置換するためのスリットノズル6
が設けられている。スリットノズル6には、搬送方向と
直交する方向に沿って処理液供給口が設けられており、
スリットノズル6は、処理液供給口が基板Aの搬送方向
と対向する方向に傾斜配置されている。At the downstream position of the slit nozzle 5 and downstream of the length of the substrate A in the transport direction, a developing solution is supplied to the liquid layer 20 on the surface of the developed substrate A,
Slit nozzle 6 for replacing the developing solution on substrate A
Is provided. The slit nozzle 6 is provided with a processing liquid supply port along a direction orthogonal to the transport direction,
The slit nozzle 6 is arranged to be inclined in a direction in which the processing liquid supply port is opposed to the transport direction of the substrate A.
【0028】また、スリットノズル6の下流には、液置
換された基板A上に残留する現像液を除去するための液
切りローラ15が設けられている。液切りローラ15
は、搬送方向と直交する方向に設けられた上下一対の液
切りローラ15a、15bとで構成されており、搬送ロ
ーラ10によって搬送されてきた基板Aが、この液切り
ローラ15の間を搬送されることにより、基板Aの表面
に残留した現像液が除去されるように構成されている。Downstream of the slit nozzle 6, there is provided a draining roller 15 for removing the developing solution remaining on the substrate A on which the liquid has been replaced. Drain roller 15
Is composed of a pair of upper and lower liquid drainage rollers 15a and 15b provided in a direction perpendicular to the transport direction. The substrate A transported by the transport roller 10 is transported between the liquid drainage rollers 15. Thus, the developing solution remaining on the surface of the substrate A is removed.
【0029】液切りローラ15aの上部と、液切りロー
ラ15bの下部には、基板A表面から現像液を除去した
後に、液切りローラ15a、15bに向けて現像液を供
給して、液切りローラ15a、15bに付着し、疲労し
た現像液を洗い流すための処理液ノズル7a、7bが配
置されている。処理液ノズル7a、7bは、基板Aの搬
送方向と直交する方向に沿って、液切りローラ15a、
15bと平行に配置されたパイプからなり、パイプに設
けられた処理液供給口から、液切りローラ15a、15
bに向けて処理液を供給するように構成されている。After removing the developing solution from the surface of the substrate A, the developing solution is supplied to the upper portions of the draining rollers 15a and 15b and then to the draining rollers 15a and 15b. Processing solution nozzles 7a and 7b for washing away the developing solution that has adhered to and have become fatigued on 15a and 15b are arranged. The processing liquid nozzles 7a and 7b are disposed along a direction perpendicular to the direction in which the substrate A is transported.
15b, the drainage rollers 15a, 15b are provided through processing liquid supply ports provided in the pipes.
It is configured to supply the processing liquid toward b.
【0030】基板導入部1に基板Aが搬入されると、処
理部2の送液ポンプ11(図1参照)が運転を開始し、
現像液槽9の現像液をスリットノズル5に供給する。基
板導入部1から処理部2へ搬送ローラ10により基板A
が搬送されてくると、基板Aの搬送方向先端部から後端
部まで、スリットノズル5から現像液が供給され、基板
Aの表面に現像液の液層20が形成される。When the substrate A is carried into the substrate introduction part 1, the liquid supply pump 11 (see FIG. 1) of the processing part 2 starts operating,
The developer in the developer tank 9 is supplied to the slit nozzle 5. The substrate A is transferred from the substrate introduction unit 1 to the processing unit 2 by the transport roller 10.
Is transported from the leading edge to the trailing edge of the substrate A in the transport direction from the slit nozzle 5, and a liquid layer 20 of the developer is formed on the surface of the substrate A.
【0031】この時、スリットノズル5は、基板Aの搬
送方向に傾斜姿勢で配置されているので、スリットノズ
ル5から基板Aの表面へと供給された現像液は、基板A
の搬送方向への移動と、スリットノズル5から供給され
る現像液の流速とが同期して、基板Aの表面に静的に供
給される。そのため、現像液が基板Aの表面からこぼれ
落ちにくくなり、現像液の表面張力によって基板Aの表
面に均一な現像液の液層20が形成される。At this time, since the slit nozzle 5 is disposed in an inclined posture in the transport direction of the substrate A, the developer supplied from the slit nozzle 5 to the surface of the substrate A
In the transport direction and the flow rate of the developing solution supplied from the slit nozzle 5 are synchronously supplied to the surface of the substrate A statically. As a result, the developer hardly spills off from the surface of the substrate A, and a uniform developer liquid layer 20 is formed on the surface of the substrate A by the surface tension of the developer.
【0032】基板Aの表面に現像液の液層20が形成さ
れると、図示しない制御手段により送液ポンプ11が停
止して、スリットノズル5からの現像液供給が停止する
とともに、搬送ローラ10の駆動が停止し、基板Aはそ
の表面に形成された現像液の液層20により現像処理が
行われる。When the developer liquid layer 20 is formed on the surface of the substrate A, the liquid supply pump 11 is stopped by control means (not shown), and the supply of the developer from the slit nozzle 5 is stopped. Is stopped, and the substrate A is subjected to the developing process by the liquid layer 20 of the developing solution formed on the surface thereof.
【0033】次に図2(b)を用いて、現像処理後に、
基板表面に形成された液層20を液置換する様子を説明
する。所定の処理時間が経過して基板Aの現像処理が終
了すると、制御手段により送液ポンプ13が運転を開始
するとともに、電磁弁14が切り替えられて、現像液槽
9の現像液はスリットノズル6へと供給を開始する。そ
れと同時に、制御手段により搬送ローラ10の駆動が開
始され、基板Aがスリットノズル6に向けて搬送され
る。基板Aの先端がスリットノズル6の現像液供給位置
まで達すると、スリットノズル6から供給された現像液
により、基板Aの表面に形成された現像液の液層20は
基板Aの表面から洗い流され、現像処理により疲労した
現像液が現像液槽9に貯留されていた現像液に液置換さ
れる。Next, referring to FIG. 2B, after the development processing,
The manner in which the liquid layer 20 formed on the substrate surface is replaced with a liquid will be described. When a predetermined processing time elapses and the development processing of the substrate A ends, the control means starts the operation of the liquid supply pump 13 and the electromagnetic valve 14 is switched, so that the developer in the developer tank 9 is supplied to the slit nozzle 6. Start supplying to. At the same time, the driving of the transport roller 10 is started by the control means, and the substrate A is transported toward the slit nozzle 6. When the leading end of the substrate A reaches the developing solution supply position of the slit nozzle 6, the developing solution supplied from the slit nozzle 6 causes the developing solution layer 20 formed on the surface of the substrate A to be washed off from the surface of the substrate A. Then, the developing solution that has been fatigued by the developing process is replaced with the developing solution stored in the developing solution tank 9.
【0034】この時、スリットノズル6は基板Aの搬送
方向と対向する方向に傾斜して配置されているので、ス
リットノズル6から供給される現像液の流れと、基板A
の搬送方向への移動との相互作用により、基板Aの表面
は短時間で疲労した現像液が洗い流されて液置換され
る。At this time, since the slit nozzle 6 is arranged to be inclined in the direction opposite to the transport direction of the substrate A, the flow of the developing solution supplied from the slit nozzle 6 and the substrate A
Of the substrate A, the fatigued developer is washed away and replaced on the surface of the substrate A in a short time.
【0035】基板A表面の液置換が終了すると、基板A
は搬送ローラ10により液切りローラ15へと搬送さ
れ、液切りローラ15a、15bにより、基板Aの表面
に残留した現像液が除去される。液切りローラ15に搬
送されてきた時点で、基板Aの表面に残留した現像液
は、現像槽9に貯留されていた疲労していない現像液に
液置換されているので、液切りローラの汚染をかなり軽
減することができる。また液切り後の基板表面に残留し
た現像液も、疲労していない現像液に液置換されている
ので、リンス部3におけるリンス液の汚染が少なくな
り、リンス液の寿命を延ばすことができる。When the liquid replacement on the surface of the substrate A is completed,
Is transported to the draining roller 15 by the transport roller 10, and the developer remaining on the surface of the substrate A is removed by the draining rollers 15a and 15b. The developer remaining on the surface of the substrate A at the time when the developer is conveyed to the draining roller 15 has been replaced by a non-fatigued developer stored in the developing tank 9, so that the contamination of the draining roller can be prevented. Can be considerably reduced. Further, since the developing solution remaining on the substrate surface after draining is also replaced with a developing solution that is not fatigued, contamination of the rinsing solution in the rinsing section 3 is reduced, and the life of the rinsing solution can be extended.
【0036】次に図3は、液切りローラ15を洗浄して
いる様子を表した模式図である。図3において、液切り
ローラ15により、基板Aに残留した現像液の除去が終
了すると、図示しない制御手段により、送液ポンプ13
が運転を開始するとともに、電磁弁14が切り替えられ
て、現像液槽9の現像液は処理液ノズル7a、7bへと
供給を開始する。所定時間現像液が供給されて、液切り
ローラ15の表面が洗浄されると、制御手段により送液
ポンプ13が停止して、液切りローラ15の洗浄処理を
終了する。この洗浄処理により、液切りローラ15の表
面に現像液が濃縮されて固形化し、基板A表面に液切り
時のムラや傷が発生するのを防止することができる。Next, FIG. 3 is a schematic view showing a state in which the liquid removal roller 15 is being cleaned. In FIG. 3, when the removal of the developing solution remaining on the substrate A is completed by the draining roller 15, the control unit (not shown) controls the liquid feeding pump 13
Starts the operation, the electromagnetic valve 14 is switched, and the supply of the developing solution in the developing solution tank 9 to the processing solution nozzles 7a and 7b is started. When the developer is supplied for a predetermined time and the surface of the liquid drain roller 15 is cleaned, the liquid pump 13 is stopped by the control means, and the cleaning process of the liquid drain roller 15 is completed. By this cleaning process, the developer is concentrated on the surface of the liquid drain roller 15 and solidified, and it is possible to prevent the occurrence of unevenness and scratches at the time of liquid drain on the surface of the substrate A.
【0037】次に図4は、本実施形態における処理液置
換手段の、他の実施形態を説明するための模式図であ
る。Next, FIG. 4 is a schematic diagram for explaining another embodiment of the processing liquid replacement means in this embodiment.
【0038】図4の実施形態では、処理部2における基
板Aを載置搬送する複数の搬送ローラ10の後半部分、
すなわち現像処理後の液置換をおこなう部分が、図示し
ない駆動手段により水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変更可
能に設けられているとともに、姿勢変更後に傾斜姿勢で
搬送される基板Aの、搬送方向と直交する方向の上部位
置に、搬送方向に沿って処理液供給口が形成されたスリ
ットノズル6が配置されている点が、前述の実施形態と
異なる。本実施形態では前述の実施形態と異なるところ
のみを説明する。In the embodiment shown in FIG. 4, the latter half of the plurality of transport rollers 10 for placing and transporting the substrate A in the processing section 2,
That is, a portion for performing liquid replacement after the development processing is provided so as to be changeable from a horizontal position to a tilt position by a driving unit (not shown), and is orthogonal to the transfer direction of the substrate A transferred in the tilt position after the change in position. This embodiment is different from the above-described embodiment in that a slit nozzle 6 having a processing liquid supply port formed along the transport direction is disposed at an upper position in the direction of the transfer. In the present embodiment, only differences from the above-described embodiment will be described.
【0039】スリットノズル6は前述の実施形態と同様
に、現像液槽9に貯留された現像液が、送液ポンプ11
により供給されるようになっている。 基板Aは、搬送
ローラ10に設けられた中央支持ローラ130上に載置
されるとともに、基板Aの下端縁部を支持する支持ロー
ラ150の周面に、基板Pの下端縁部を支持されながら
処理部2内を搬送するように構成されている。As in the above-described embodiment, the slit nozzle 6 receives the developing solution stored in the developing solution tank 9 and feeds the developing solution to the feed pump 11.
Is supplied by The substrate A is placed on the central support roller 130 provided on the transport roller 10, and is supported on the peripheral surface of the support roller 150 that supports the lower edge of the substrate A while supporting the lower edge of the substrate P. The processing unit 2 is configured to be transported.
【0040】水平姿勢で搬送されてきた基板Aの現像処
理が終了し、基板Aが処理部2の後半部へ到達すると、
一旦搬送を停止し、図示しない制御手段により、搬送ロ
ーラ10が水平姿勢から傾斜姿勢へと姿勢変更される。
姿勢変更が完了すると図示しない制御手段により搬送ロ
ーラ10による搬送を開始するとともに、基板Aの上部
に配置されたスリットノズル6から現像液の供給を開始
する。これにより、基板A上に残留していた疲労現像液
が基板上から流れ落ちるとともに、基板表面の液置換が
おこなわれる。このように本実施形態では、液置換時に
基板Aを傾斜させるようにしたので、より短時間に液置
換をおこなうことができる。When the development processing of the substrate A transported in the horizontal position is completed and the substrate A reaches the latter half of the processing unit 2,
The transport is stopped once, and the attitude of the transport roller 10 is changed from the horizontal attitude to the inclined attitude by control means (not shown).
When the posture change is completed, the conveyance by the conveyance roller 10 is started by a control unit (not shown), and the supply of the developing solution is started from the slit nozzle 6 arranged above the substrate A. As a result, the fatigue developing solution remaining on the substrate A flows down from the substrate, and the liquid on the substrate surface is replaced. As described above, in the present embodiment, the substrate A is inclined at the time of liquid replacement, so that liquid replacement can be performed in a shorter time.
【0041】また、本実施形態においては、液切りロー
ラ15も傾斜姿勢で配置されており、リンス部3も傾斜
姿勢でリンス処理が行われるように構成されているが、
リンス終了後は、基板Aを水平姿勢に姿勢変更してエア
ーナイフ19により乾燥処理がおこなわれるように構成
されている。Further, in the present embodiment, the draining roller 15 is also disposed in an inclined posture, and the rinsing unit 3 is also configured to perform the rinsing process in the inclined posture.
After the rinsing, the substrate A is changed to a horizontal position, and the drying process is performed by the air knife 19.
【0042】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の内容をも包含するものである。The present invention is not limited to the above embodiment, but includes the following contents.
【0043】(1)本実施形態においては、基板Aの表
面に液層20を形成後、搬送ローラ10を停止して現像
処理をおこなったが、スリットノズル5とスリットノズ
ル6との搬送方向における配置間隔を長くとり、基板A
の表面に現像液の液層20が形成された時点で搬送ロー
ラ10の搬送速度を低速に切替て、基板Aがスリットノ
ズル6の配置位置に達するまでに現像処理を終了するよ
うにすれば、基板Aの搬送を停止することなく処理する
ことができる。(1) In this embodiment, after the liquid layer 20 is formed on the surface of the substrate A, the transport roller 10 is stopped and the developing process is performed, but in the transport direction between the slit nozzle 5 and the slit nozzle 6 Increase the spacing between the two
If the transport speed of the transport roller 10 is switched to a low speed when the developer liquid layer 20 is formed on the surface of the substrate A, the developing process is completed before the substrate A reaches the position where the slit nozzle 6 is arranged. Processing can be performed without stopping transfer of the substrate A.
【0044】(2)本実施形態においては、現像液槽9
に貯留された現像液を、送液ポンプ11及び、送液ポン
プ13と電磁弁14との組み合わせにより、スリットノ
ズル5及び、スリットノズル6、処理液ノズル7a、7
bへと供給するように構成したが、単一の送液ポンプ
と、3組の電磁弁を用いて、電磁弁の切替により供給す
るようにしても良い。また、電磁弁を用いずに3組の送
液ポンプにより供給するようにしても良い。(2) In the present embodiment, the developer tank 9
The developing solution stored in the slit nozzle 5, the slit nozzle 6, and the processing liquid nozzles 7 a, 7 are supplied by the liquid feeding pump 11 and the combination of the liquid feeding pump 13 and the electromagnetic valve 14.
Although the configuration is such that the supply is made to the b, the supply may be made by switching the electromagnetic valve using a single liquid feed pump and three sets of electromagnetic valves. Further, the supply may be performed by three sets of liquid feed pumps without using the electromagnetic valve.
【0045】(3)本実施形態においては、基板Aの液
切りの都度、処理液ノズル7a、7bに現像液を供給し
て、液切りローラ15を洗浄するように構成したが、基
板Aを複数枚処理する毎に洗浄しても良く、また、基板
Aの連続処理が終了して、基板処理装置100を停止す
る前と、基板Aの連続処理を開始する前のみ洗浄するよ
うにしても良い。(3) In this embodiment, each time the substrate A is drained, the developing solution is supplied to the processing liquid nozzles 7a and 7b to wash the drain roller 15, but the substrate A is Cleaning may be performed every time a plurality of substrates are processed, or may be cleaned only before the continuous processing of the substrate A is completed and before the substrate processing apparatus 100 is stopped and before the continuous processing of the substrate A is started. good.
【0046】(4)本実施形態においては、基板Aの処
理終了毎にスリットノズル5及び、スリットノズル6へ
の現像液供給を停止していたが、基板Aを連続で処理す
る場合は現像液供給を停止せずに、連続処理を終了する
ときに現像液の供給を停止するようにしても良い。(4) In the present embodiment, the supply of the developing solution to the slit nozzle 5 and the slit nozzle 6 is stopped every time the processing of the substrate A is completed. Instead of stopping the supply, the supply of the developer may be stopped when the continuous processing is completed.
【0047】(5)本実施形態においては、基板Aを処
理する処理液として、現像液による現像処理を例に説明
したが、剥離液、エッチング液、リンス液、等による基
板処理にも適用できる。(5) In the present embodiment, the development processing using a developing solution has been described as an example of the processing liquid for processing the substrate A. However, the present invention can also be applied to substrate processing using a stripping liquid, an etching liquid, a rinsing liquid, or the like. .
【0048】[0048]
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、基板を
処理し疲労した処理液の液層に、液置換手段によりさら
に処理液を供給して、基板上の処理液を液置換するとと
もに、液置換された処理液を、処理液除去手段で除去す
るように構成したので、処理液除去手段やリンス部にお
けるリンス液の汚染を防止することができる。According to the first aspect of the present invention, the processing liquid is further supplied to the liquid layer of the processing liquid which has been processed and fatigued by the liquid replacement means, and the processing liquid on the substrate is replaced. At the same time, the processing liquid having undergone the liquid replacement is configured to be removed by the processing liquid removing means, so that contamination of the rinsing liquid in the processing liquid removing means and the rinsing section can be prevented.
【0049】請求項2に記載の発明によれば、液層形成
手段の処理液供給口を、基板の搬送方向に向けて配置し
たので、基板上に静的に処理液供給が可能となり、短時
間で基板上に均一な処理液の液層を形成できる。According to the second aspect of the present invention, since the processing liquid supply port of the liquid layer forming means is arranged in the direction of transport of the substrate, the processing liquid can be statically supplied on the substrate. A uniform processing liquid layer can be formed on the substrate in a short time.
【0050】請求項3に記載の発明によれば、液置換手
段の処理液供給口を、基板の搬送方向と対向する方向に
向けて配置したので、基板上の疲労した処理液の液層
を、短時間で洗い流して液置換することができる。According to the third aspect of the present invention, since the processing liquid supply port of the liquid replacement means is arranged in the direction opposite to the substrate transfer direction, the liquid layer of the fatigued processing liquid on the substrate can be removed. It can be flushed in a short time to replace the liquid.
【0051】請求項4に記載の発明によれば、液置換時
に基板を傾斜姿勢で搬送するようにしたので、より短時
間に液置換することができる。According to the fourth aspect of the present invention, the substrate is transported in an inclined posture during liquid replacement, so that liquid replacement can be performed in a shorter time.
【0052】請求項5に記載の発明によれば、基板上に
残留した処理液を除去する処理液除去手段を設けたの
で、リンス部へ持ち込まれる処理液量を減少させ、リン
ス液の寿命を延ばすことができる。According to the fifth aspect of the present invention, since the processing liquid removing means for removing the processing liquid remaining on the substrate is provided, the amount of the processing liquid brought into the rinsing section is reduced, and the life of the rinsing liquid is reduced. Can be extended.
【0053】請求項6に記載の発明によれば、処理液除
去手段に処理液を供給する処理液供給手段を設けたの
で、処理液除去手段表面に残留した処理液が、濃縮化や
固形化することにより、液切り時に基板の汚れや傷が発
生するのを防止することができる。According to the sixth aspect of the present invention, the processing liquid removing means is provided with the processing liquid supply means for supplying the processing liquid, so that the processing liquid remaining on the surface of the processing liquid removing means can be concentrated or solidified. By doing so, it is possible to prevent the substrate from being stained or damaged when the liquid is drained.
【0054】請求項7に記載の発明によれば、基板を処
理し疲労した処理液の液層に、さらに処理液を供給し
て、基板上の処理液を液置換するとともに、液置換され
た処理液は基板上から除去するように構成したので、疲
労した処理液による、処理液を除去する工程やリンス工
程での汚染を防止することができる。According to the seventh aspect of the present invention, the processing liquid is further supplied to the liquid layer of the processing liquid that has been processed and fatigued to replace the processing liquid on the substrate and to perform the liquid replacement. Since the processing liquid is configured to be removed from above the substrate, it is possible to prevent contamination of the processing liquid by a fatigued processing liquid in a step of removing the processing liquid or in a rinsing step.
【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明に係る基板処理装置1の処理部2の詳細
を説明するための模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining details of a processing unit 2 of the substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
【図3】本発明に係る基板処理装置の液切りローラ15
を洗浄している様子を表した模式図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a liquid removal roller 15 of the substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 5 is a schematic view showing a state in which is washed.
【図4】本実施形態における処理液置換手段の、他の実
施形態を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining another embodiment of the processing liquid replacement unit in the present embodiment.
【図5】従来装置を示した模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a conventional device.
A 基板 100 基板処理装置 1 基板導入部 2 処理部 3 リンス部 4 乾燥部 5 スリットノズル 6 スリットノズル 7 処理液ノズル 9 現像液槽 10 搬送ローラ 11 送液ポンプ 13 送液ポンプ 14 電磁弁 15 液切りローラ 16 リンス液槽 130 中央支持ローラ 150 支持ローラ A Substrate 100 Substrate processing apparatus 1 Substrate introduction unit 2 Processing unit 3 Rinse unit 4 Drying unit 5 Slit nozzle 6 Slit nozzle 7 Processing liquid nozzle 9 Developing solution tank 10 Transport roller 11 Liquid feed pump 13 Liquid feed pump 14 Solenoid valve 15 Liquid drain Roller 16 Rinse liquid tank 130 Center support roller 150 Support roller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 H01L 21/30 569D 21/68 569E 21/306 R (72)発明者 碓井 健司 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA02 AB14 BA08 BB21 BB92 CB15 CC01 CC12 CC14 CD22 5F031 CA05 CA20 GA53 MA23 MA24 NA04 5F043 BB27 CC12 DD13 EE07 EE36 EE40 5F046 LA11 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/306 H01L 21/30 569D 21/68 569E 21/306 R (72) Inventor Kenji Usui Kamigyo, Kyoto 4-chome Tenjin, Horikawa-dori-Terauchi-ku, Tenjin Kita-machi 1 Dai-Nihon Screen Manufacturing Co., Ltd. F term (reference) 3B201 AA02 AB14 BA08 BB21 BB92 CB15 CC01 CC12 CC14 CD22 5F031 CA05 CA20 GA53 MA23 MA24 NA04 5F043 BB27 CC12 DD13 EE07 EE36 EE40 5F046 LA11
Claims (7)
う基板処理装置において、 基板を搬送する搬送手段と、 搬送される基板表面に処理液を供給して基板表面上に処
理液の液層を形成する液層形成手段と、 処理液により処理された基板表面にさらに処理液を供給
して処理液の液層を液置換する液置換手段と、 液置換された基板表面の処理液を除去する処理液除去手
段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing processing by transporting a substrate in a predetermined direction, comprising: transport means for transporting the substrate; supplying a processing liquid to the surface of the substrate to be transported; A liquid layer forming means for forming a layer; a liquid replacement means for further supplying a processing liquid to the substrate surface treated with the processing liquid to replace the liquid layer of the processing liquid; A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid removing means for removing.
る方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処
理液供給口が基板の搬送方向に向けて傾斜配置されたス
リットノズルであることを特徴とする請求項1に記載の
基板処理装置2. The liquid layer forming means includes a slit having a processing liquid supply port extending along a direction perpendicular to the substrate transport direction, and a processing liquid supply port inclined with respect to the substrate transport direction. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is a nozzle.
方向に沿って処理液供給口が延設されるとともに、処理
液供給口が基板の搬送方向と対向する方向に傾斜配置さ
れたスリットノズルであることを特徴とする請求項1乃
至請求項2に記載の基板処理装置。3. The liquid replacement means has a processing liquid supply port extending along a direction orthogonal to the substrate transfer direction, and the processing liquid supply port is inclinedly disposed in a direction opposite to the substrate transfer direction. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is a slit nozzle.
れる基板を、水平姿勢から傾斜姿勢に変更する姿勢変更
手段と、傾斜姿勢で搬送される基板の上方に配置される
とともに、搬送方向に沿って処理液供給口が形成された
スリットノズルとからなることを特徴とする請求項1乃
至請求項2に記載の基板処理装置。4. A liquid replacement means, comprising: a posture changing means for changing a substrate conveyed by a substrate conveyance means from a horizontal posture to an inclined posture; 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a slit nozzle having a processing liquid supply port formed along the slit.
する方向に配置された液切りローラからなることを特徴
とする請求項1乃至請求項4に記載の基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid removing means comprises a liquid removing roller disposed in a direction orthogonal to a direction in which the substrate is transported.
ラ表面に処理液を供給する処理液供給手段を備えること
を特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the processing liquid removing unit includes a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the surface of the liquid draining roller after draining.
液層を形成して処理をおこなう基板処理方法において、 搬送される基板表面に処理液を供給して液層を形成し基
板を処理する工程と、 処理液の液層により処理された基板表面にさらに処理液
を供給して基板表面に形成された処理液の液層を液置換
する工程と、 液置換された基板表面の処理液を除去する工程と、 からなる基板処理方法。7. A substrate processing method for forming a liquid layer of a processing liquid on a surface of a substrate conveyed in a predetermined direction and performing processing by supplying a processing liquid to the surface of the conveyed substrate to form a liquid layer. A step of processing, a step of supplying a processing liquid further to the substrate surface treated with the liquid layer of the processing liquid, and replacing the liquid layer of the processing liquid formed on the surface of the substrate, and a processing of the surface of the liquid-substituted substrate Removing the liquid; and a substrate processing method.
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