JP2001060600A - 半導体装置 - Google Patents
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱収縮量差に起因する応力の集中があって
も、テープキャリア基板における配線リードの断線を確
実に防止し、接続信頼性を向上する。 【解決手段】 テープＢＧＡ半導体装置のテープキャリ
ア基板において、バンプが形成される基板電極のうち、
テープキャリア基板に接着された補強材の内周辺である
補強材端ラインＨＬの直下に端部が位置している基板電
極８ａは、リード引き出し部８ｂから引き出されたリー
ド配線３が、ある長さだけ補強材端ラインＨＬに沿って
平行に配線された後、その折れ曲がり部に所定の円弧が
形成されて曲げられ、補強材端ラインＨＬに直交せずに
斜めに、ある角度をつけて配線されている。よって、補
強材端ラインＨＬを通過するリード配線３の面積を大き
くでき、断線を大幅に低減することができる。
も、テープキャリア基板における配線リードの断線を確
実に防止し、接続信頼性を向上する。 【解決手段】 テープＢＧＡ半導体装置のテープキャリ
ア基板において、バンプが形成される基板電極のうち、
テープキャリア基板に接着された補強材の内周辺である
補強材端ラインＨＬの直下に端部が位置している基板電
極８ａは、リード引き出し部８ｂから引き出されたリー
ド配線３が、ある長さだけ補強材端ラインＨＬに沿って
平行に配線された後、その折れ曲がり部に所定の円弧が
形成されて曲げられ、補強材端ラインＨＬに直交せずに
斜めに、ある角度をつけて配線されている。よって、補
強材端ラインＨＬを通過するリード配線３の面積を大き
くでき、断線を大幅に低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テープキャリアに
形成されたリード配線の断線防止技術に関し、特に、Ｃ
ＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などの補
強枠が用いられたテープキャリアの断線防止に適用して
有効な技術に関するものである。
形成されたリード配線の断線防止技術に関し、特に、Ｃ
ＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などの補
強枠が用いられたテープキャリアの断線防止に適用して
有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、た
とえば、テープ形ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）半導体装置は、半導体チップを搭載するキャリア基
板としてテープキャリア基板が用いられ、ＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）技術によっ
て接続される。
とえば、テープ形ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）半導体装置は、半導体チップを搭載するキャリア基
板としてテープキャリア基板が用いられ、ＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）技術によっ
て接続される。
【０００３】このテープキャリア基板は、たとえば、ポ
リイミドなどからなる樹脂テープの裏面にリード配線と
なる銅箔が貼り付けられている。テープキャリア基板の
中央部には、半導体チップを搭載するデバイスホールが
設けられており、デバイスホールから突き出した配線部
分がパッド電極となり、半導体チップのボンディングパ
ッドと電気的に接続されている。
リイミドなどからなる樹脂テープの裏面にリード配線と
なる銅箔が貼り付けられている。テープキャリア基板の
中央部には、半導体チップを搭載するデバイスホールが
設けられており、デバイスホールから突き出した配線部
分がパッド電極となり、半導体チップのボンディングパ
ッドと電気的に接続されている。
【０００４】テープキャリア基板の裏面には、アレイ状
の基板電極が形成されており、これら基板電極はリード
配線を介してそれぞれのパッド電極に電気的に接続され
ている。各々の基板電極には、外部導出用リードの代わ
りとして球形のはんだ、いわゆる、はんだボールが形成
されており、これらはんだボールを介して電子部品が実
装されるプリント配線基板の電極部に接続されている。
の基板電極が形成されており、これら基板電極はリード
配線を介してそれぞれのパッド電極に電気的に接続され
ている。各々の基板電極には、外部導出用リードの代わ
りとして球形のはんだ、いわゆる、はんだボールが形成
されており、これらはんだボールを介して電子部品が実
装されるプリント配線基板の電極部に接続されている。
【０００５】また、テープキャリア基板の表面における
搭載された半導体チップの外周部近傍には、たとえば、
ニッケルからなる補強枠が接着されている。この補強枠
により、テープキャリア基板の平坦度が維持され、実装
時の取り扱いを容易にすることができる。
搭載された半導体チップの外周部近傍には、たとえば、
ニッケルからなる補強枠が接着されている。この補強枠
により、テープキャリア基板の平坦度が維持され、実装
時の取り扱いを容易にすることができる。
【０００６】なお、この種の半導体装置について詳しく
述べてある例としては、平成１０年７月２７日、株式会
社プレスジャーナル発行、「’９９半導体組立・検査技
術」Ｐ１７〜Ｐ２０があり、この文献には、各種のＢＧ
Ａ形半導体装置における構成などが記載されている。
述べてある例としては、平成１０年７月２７日、株式会
社プレスジャーナル発行、「’９９半導体組立・検査技
術」Ｐ１７〜Ｐ２０があり、この文献には、各種のＢＧ
Ａ形半導体装置における構成などが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な半導体装置では、次のような問題点があることが本発
明者により見い出された。
な半導体装置では、次のような問題点があることが本発
明者により見い出された。
【０００８】すなわち、基板電極から引き出されたリー
ド配線が、テープキャリア基板の表面に接着された補強
枠と直交するように配線されており、テープキャリア基
板と補強枠との膨張係数の違いなどからテープキャリア
基板における補強枠の周辺部に応力が集中してしまい、
リード配線が断線してしまう恐れがあり、半導体装置の
信頼性が低下してしまうという問題がある。
ド配線が、テープキャリア基板の表面に接着された補強
枠と直交するように配線されており、テープキャリア基
板と補強枠との膨張係数の違いなどからテープキャリア
基板における補強枠の周辺部に応力が集中してしまい、
リード配線が断線してしまう恐れがあり、半導体装置の
信頼性が低下してしまうという問題がある。
【０００９】また、このような断線は、補強枠における
周辺部の直下に位置する基板電極から引き出されるリー
ド配線が顕著となっている。
周辺部の直下に位置する基板電極から引き出されるリー
ド配線が顕著となっている。
【００１０】本発明の目的は、熱収縮量差に起因する応
力の集中があっても、配線リードの断線を確実に防止
し、接続信頼性を向上することのできる半導体装置を提
供することにある。
力の集中があっても、配線リードの断線を確実に防止
し、接続信頼性を向上することのできる半導体装置を提
供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、本発明の半導体装置は、バンプ
が形成されるテープキャリア基板の基板電極から引き出
されるリード配線を、半導体チップの外周部近傍に設け
られた補強枠の内周辺に直交しないように配線したもの
である。
が形成されるテープキャリア基板の基板電極から引き出
されるリード配線を、半導体チップの外周部近傍に設け
られた補強枠の内周辺に直交しないように配線したもの
である。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、前記リード
配線を、テープキャリア基板に形成された基板電極のう
ち、補強枠における内周辺の直下またはその近傍に位置
する基板電極にのみ形成したものである。
配線を、テープキャリア基板に形成された基板電極のう
ち、補強枠における内周辺の直下またはその近傍に位置
する基板電極にのみ形成したものである。
【００１５】さらに、本発明の半導体装置は、前記基板
電極におけるリード配線の引き出し部を、ある配線長だ
け補強枠の内周辺に平行して配線した後、リード配線の
折れ曲がり部を円弧状に形成し、補強枠の内周辺に直交
しないように配線したものである。
電極におけるリード配線の引き出し部を、ある配線長だ
け補強枠の内周辺に平行して配線した後、リード配線の
折れ曲がり部を円弧状に形成し、補強枠の内周辺に直交
しないように配線したものである。
【００１６】以上のことにより、補強枠の内周辺を通過
するリード配線の面積を大きくすることができ、リード
配線の断線を大幅に低減することができる。
するリード配線の面積を大きくすることができ、リード
配線の断線を大幅に低減することができる。
【００１７】また、基板電極から引き出されたリード配
線の折れ曲がり部に所定の円弧を形成することにより、
リード配線をより断線しにくくすることができる。
線の折れ曲がり部に所定の円弧を形成することにより、
リード配線をより断線しにくくすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施の形態による半導
体装置の断面図、図２は、本発明の一実施の形態による
テープキャリア基板の平面図、図３は、本発明の一実施
の形態による基板電極からリード配線が引き出されるリ
ード引き出し部における形状の説明図、図４は、本発明
の一実施の形態による半導体装置における製造工程のフ
ローチャート、図５〜図８は、本発明の一実施の形態に
よる半導体装置における製造工程の説明図、図９は、本
発明の一実施の形態による半導体チップが搭載されたテ
ープキャリア基板の平面図である。
体装置の断面図、図２は、本発明の一実施の形態による
テープキャリア基板の平面図、図３は、本発明の一実施
の形態による基板電極からリード配線が引き出されるリ
ード引き出し部における形状の説明図、図４は、本発明
の一実施の形態による半導体装置における製造工程のフ
ローチャート、図５〜図８は、本発明の一実施の形態に
よる半導体装置における製造工程の説明図、図９は、本
発明の一実施の形態による半導体チップが搭載されたテ
ープキャリア基板の平面図である。
【００２０】本実施の形態において、半導体装置１は、
表面実装形パッケージの一種であるテープＢＧＡからな
っている。半導体装置１には、図１に示すように、テー
プ状のフレキシブル配線基板であるテープキャリア基板
２が設けられている。
表面実装形パッケージの一種であるテープＢＧＡからな
っている。半導体装置１には、図１に示すように、テー
プ状のフレキシブル配線基板であるテープキャリア基板
２が設けられている。
【００２１】テープキャリア基板２は、たとえば、ポリ
イミドなどの絶縁テープフィルム２ａの裏面に接着材を
介して配線リード３が形成されている。この配線リード
３における先端部がインナリード３ａとなり、これらイ
ンナリード３ａがテープキャリア基板２の中央部に位置
するデバイスホール４に搭載された半導体チップＣＨの
バンプＢＰと接続されている。半導体チップＣＨのバン
プＢＰは、たとえば、金（Ａｕ）バンプなどからなる。
イミドなどの絶縁テープフィルム２ａの裏面に接着材を
介して配線リード３が形成されている。この配線リード
３における先端部がインナリード３ａとなり、これらイ
ンナリード３ａがテープキャリア基板２の中央部に位置
するデバイスホール４に搭載された半導体チップＣＨの
バンプＢＰと接続されている。半導体チップＣＨのバン
プＢＰは、たとえば、金（Ａｕ）バンプなどからなる。
【００２２】半導体チップＣＨの外周部近傍には、銅あ
るいはニッケルなどからなる枠状の補強材（補強枠）５
が接着材６を介してテープキャリア基板２に貼り付けら
れている。補強材５は、テープキャリア基板２の平坦度
を維持し、実装時の取り扱いを容易にする。
るいはニッケルなどからなる枠状の補強材（補強枠）５
が接着材６を介してテープキャリア基板２に貼り付けら
れている。補強材５は、テープキャリア基板２の平坦度
を維持し、実装時の取り扱いを容易にする。
【００２３】また、テープキャリア基板２に搭載された
半導体チップＣＨの側面および主面には、エポキシなど
のレジン７が塗布され封止されている。テープキャリア
基板２の裏面には、円形の基板電極８が形成されてお
り、これら基板電極８以外の裏面には、ソルダーレジス
ト９が形成されている。
半導体チップＣＨの側面および主面には、エポキシなど
のレジン７が塗布され封止されている。テープキャリア
基板２の裏面には、円形の基板電極８が形成されてお
り、これら基板電極８以外の裏面には、ソルダーレジス
ト９が形成されている。
【００２４】さらに、基板電極８は、テープキャリア基
板２の裏面における補強材５が貼り付けられた領域に形
成されている。基板電極８には、バンプ１０がそれぞれ
形成されている。これらバンプ１０は、球状のはんだで
ある、いわゆるはんだボールからなり、半導体装置１の
外部引き出し用リードの代わりとなって、電子部品など
を実装するプリント配線基板に実装される。
板２の裏面における補強材５が貼り付けられた領域に形
成されている。基板電極８には、バンプ１０がそれぞれ
形成されている。これらバンプ１０は、球状のはんだで
ある、いわゆるはんだボールからなり、半導体装置１の
外部引き出し用リードの代わりとなって、電子部品など
を実装するプリント配線基板に実装される。
【００２５】次に、本実施例におけるテープキャリア基
板２における配線リード３と基板電極８との接続形状に
ついて、図２、図３を用いて説明する。
板２における配線リード３と基板電極８との接続形状に
ついて、図２、図３を用いて説明する。
【００２６】テープキャリア基板２には、図２に示すよ
うに、デバイスホール４の各外周辺からテープキャリア
基板２の外周辺にかけてそれぞれ３列の基板電極８が形
成されている。
うに、デバイスホール４の各外周辺からテープキャリア
基板２の外周辺にかけてそれぞれ３列の基板電極８が形
成されている。
【００２７】これら基板電極８のうち、デバイスホール
４の外周辺に最も近い、すなわち半導体チップＣＨ周辺
部に最も近い位置に形成された基板電極８ａは、該基板
電極８ａの端部が、補強材５の内周辺である補強材端ラ
インＨＬの直下に位置している。
４の外周辺に最も近い、すなわち半導体チップＣＨ周辺
部に最も近い位置に形成された基板電極８ａは、該基板
電極８ａの端部が、補強材５の内周辺である補強材端ラ
インＨＬの直下に位置している。
【００２８】また、基板電極８ａのリード引き出し部８
ｂから引き出されたリード配線３は、図３に示すよう
に、ある長さだけ補強材端ラインＨＬに沿って平行に配
線された後、その折れ曲がり部に所定の円弧が形成され
て曲げられており、補強材端ラインＨＬに直交せずに斜
めに、ある角度をつけて配線されている。よって、補強
材端ラインＨＬを通過するリード配線３の面積を大きく
することができる。
ｂから引き出されたリード配線３は、図３に示すよう
に、ある長さだけ補強材端ラインＨＬに沿って平行に配
線された後、その折れ曲がり部に所定の円弧が形成され
て曲げられており、補強材端ラインＨＬに直交せずに斜
めに、ある角度をつけて配線されている。よって、補強
材端ラインＨＬを通過するリード配線３の面積を大きく
することができる。
【００２９】次に、半導体装置１の製造方法について、
図１、図２、図４のフローチャート、図５〜図８の工程
説明図、および図９の平面図を用いて説明する。
図１、図２、図４のフローチャート、図５〜図８の工程
説明図、および図９の平面図を用いて説明する。
【００３０】まず、図５に示すように、テープキャリア
基板２（図２）が繰り返し形成されたテープキャリアＴ
Ｐを準備する。このテープキャリアＴＰに、図６に示す
ように、接着材６を介して補強材５を熱圧着などによっ
て貼り付ける（ステップＳ１０１）。
基板２（図２）が繰り返し形成されたテープキャリアＴ
Ｐを準備する。このテープキャリアＴＰに、図６に示す
ように、接着材６を介して補強材５を熱圧着などによっ
て貼り付ける（ステップＳ１０１）。
【００３１】そして、テープキャリアＴＰにおけるテー
プキャリア基板２上に半導体チップＣＨを搭載し、図７
に示すように、半導体チップＣＨに形成されたバンプＢ
Ｐとテープキャリア基板２に形成されたインナリード３
ａとを、一括熱圧着ボンディング、いわゆるギャグボン
ディングなどにより接続する（ステップＳ１０２）。
プキャリア基板２上に半導体チップＣＨを搭載し、図７
に示すように、半導体チップＣＨに形成されたバンプＢ
Ｐとテープキャリア基板２に形成されたインナリード３
ａとを、一括熱圧着ボンディング、いわゆるギャグボン
ディングなどにより接続する（ステップＳ１０２）。
【００３２】ここで、半導体チップＣＨのバンプＢＰと
テープキャリア基板２インナリード３ａとがギャグボン
ディングされた状態の図９に示す。
テープキャリア基板２インナリード３ａとがギャグボン
ディングされた状態の図９に示す。
【００３３】その後、図８に示すように、半導体チップ
ＣＨの側面、ならびに主面に液状のレジン７を塗布して
封止し（ステップＳ１０３）、テープキャリア基板２の
基板電極８にバンプ１０を蒸着法などによって形成し
（ステップＳ１０４）、テープキャリアＴＰを個片切断
して図１に示すような半導体装置が製造される。
ＣＨの側面、ならびに主面に液状のレジン７を塗布して
封止し（ステップＳ１０３）、テープキャリア基板２の
基板電極８にバンプ１０を蒸着法などによって形成し
（ステップＳ１０４）、テープキャリアＴＰを個片切断
して図１に示すような半導体装置が製造される。
【００３４】それにより、本実施の形態においては、基
板電極８ａに接続されるリード配線３を補強材端ライン
ＨＬに対して斜めに、ある角度をつけて引き出して配線
することにより、補強材端ラインＨＬを通過するリード
配線３の面積を大きくすることができ、テープキャリア
基板２における補強材端ラインＨＬ近傍に温度変化など
によって応力がかかってもリード配線３の断線を大幅に
低減することができる。
板電極８ａに接続されるリード配線３を補強材端ライン
ＨＬに対して斜めに、ある角度をつけて引き出して配線
することにより、補強材端ラインＨＬを通過するリード
配線３の面積を大きくすることができ、テープキャリア
基板２における補強材端ラインＨＬ近傍に温度変化など
によって応力がかかってもリード配線３の断線を大幅に
低減することができる。
【００３５】また、基板電極８ａから引き出されたリー
ド配線３の折れ曲がり部に所定の円弧を形成することに
より、リード配線３をより断線しにくくすることができ
る。
ド配線３の折れ曲がり部に所定の円弧を形成することに
より、リード配線３をより断線しにくくすることができ
る。
【００３６】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００３７】たとえば、前記実施の形態では、半導体チ
ップ周辺部に最も近い位置に形成された基板電極だけに
断線防止のリード配線形状としたが、リード配線のレイ
アウトに余裕がある場合には、すべての基板電極から引
き出されるリード配線を補強材端ラインに対して斜めに
配線することにより、応力による配線パターンの断線を
大幅に低減でき、半導体装置の接続信頼性をより向上す
ることができる。
ップ周辺部に最も近い位置に形成された基板電極だけに
断線防止のリード配線形状としたが、リード配線のレイ
アウトに余裕がある場合には、すべての基板電極から引
き出されるリード配線を補強材端ラインに対して斜めに
配線することにより、応力による配線パターンの断線を
大幅に低減でき、半導体装置の接続信頼性をより向上す
ることができる。
【００３８】また、基板電極から引き出されるリード配
線は、前記実施の形態に示した形状以外でもよく、たと
えば、図１０に示すように、電極基板８ａのリード引き
出し部８ｂを補強材端ラインＨＬに平行に配線せずに、
補強材端ラインに対して斜めに、ある角度をつけて引き
出すようにしてもよい。
線は、前記実施の形態に示した形状以外でもよく、たと
えば、図１０に示すように、電極基板８ａのリード引き
出し部８ｂを補強材端ラインＨＬに平行に配線せずに、
補強材端ラインに対して斜めに、ある角度をつけて引き
出すようにしてもよい。
【００３９】これによっても、配線パターンの断線を大
幅に低減でき、半導体装置の接続信頼性をより向上する
ことができる。
幅に低減でき、半導体装置の接続信頼性をより向上する
ことができる。
【００４０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４１】（１）本発明によれば、基板電極に接続さ
れるリード配線を補強枠の内周辺に対して斜めに配線す
ることにより、温度変化などによるリード配線の断線を
大幅に低減することができる。
れるリード配線を補強枠の内周辺に対して斜めに配線す
ることにより、温度変化などによるリード配線の断線を
大幅に低減することができる。
【００４２】（２）また、本発明では、基板電極から引
き出されたリード配線の折れ曲がり部に所定の円弧を形
成することにより、リード配線の断線をより低減するこ
とができる。
き出されたリード配線の折れ曲がり部に所定の円弧を形
成することにより、リード配線の断線をより低減するこ
とができる。
【００４３】（３）さらに、本発明においては、上記
（１）、（２）により、半導体装置における信頼性を大
幅に向上することができる。
（１）、（２）により、半導体装置における信頼性を大
幅に向上することができる。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるテープキャリア基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による基板電極からリー
ド配線が引き出されるリード引き出し部における形状の
説明図である。
ド配線が引き出されるリード引き出し部における形状の
説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態による半導体装置におけ
る製造工程のフローチャートである。
る製造工程のフローチャートである。
【図５】本発明の一実施の形態による半導体装置におけ
る製造工程の説明図である。
る製造工程の説明図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図９】本発明の一実施の形態による半導体チップが搭
載されたテープキャリア基板の平面図である。
載されたテープキャリア基板の平面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態による基板電極から
リード配線が引き出されるリード引き出し部における形
状の説明図である。
リード配線が引き出されるリード引き出し部における形
状の説明図である。
１ 半導体装置 ２ テープキャリア基板 ２ａ 絶縁テープフィルム ３ リード配線 ３ａ インナリード ４ デバイスホール ５ 補強材（補強枠） ６ 接着材 ７ レジン ８ 基板電極 ８ａ 基板電極 ８ｂ リード引き出し部 ９ ソルダーレジスト １０ バンプ ＣＨ 半導体チップ ＢＰ バンプ ＴＰ テープキャリア ＨＬ 補強材端ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 靖久 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 春田 亮 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 5F044 MM03 MM08 MM13 MM25 MM28 MM31 NN09 RR18
Claims (3)
- 【請求項１】 テープキャリア基板の表面に半導体チッ
プが搭載され、前記半導体チップの外周部近傍に補強枠
が接着され、裏面にバンプを並べて外部端子とする半導
体装置であって、前記バンプが形成される基板電極から
引き出されるリード配線を、前記補強枠の内周辺に直交
しないように配線したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記リード配線を、前記テープキャリア基板に形成された
前記基板電極のうち、前記補強枠における内周辺の直下
またはその近傍に位置する基板電極に形成したことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、前記基板電極における前記リード配線の引き出し
部を、ある配線長だけ前記補強枠の内周辺に平行して配
線した後、前記リード配線の折れ曲がり部を円弧状に形
成し、前記補強枠の内周辺に直交しないように配線した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11233438A JP2001060600A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11233438A JP2001060600A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060600A true JP2001060600A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16955054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11233438A Withdrawn JP2001060600A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001060600A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786569B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-08-31 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device using wiring substrate having a wiring structure reducing wiring disconnection |
| JP2013518417A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | シェンゼェン ビーワイディー オート アールアンドディー カンパニー リミテッド | ゴールデンフィンガーの接点片、ゴールデンフィンガー、及び、ゴールデンフィンガーを備えるコネクタ |
-
1999
- 1999-08-20 JP JP11233438A patent/JP2001060600A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786569B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-08-31 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device using wiring substrate having a wiring structure reducing wiring disconnection |
| JP2013518417A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | シェンゼェン ビーワイディー オート アールアンドディー カンパニー リミテッド | ゴールデンフィンガーの接点片、ゴールデンフィンガー、及び、ゴールデンフィンガーを備えるコネクタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |