JP2001042790A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光強度の異なる複数の発光素子の配置に起因
して発生する不均一性を低減し、画質の向上を実現す
る。 【解決手段】マトリクス状に形成された画素を備える表
示装置において、各画素は複数の発光素子を備え、前記
複数の発光素子は、各々発光強度が異なり、それぞれ独
立して発光するように構成されており、前記複数の発光
素子の配置が隣接する画素において異なっている。
して発生する不均一性を低減し、画質の向上を実現す
る。 【解決手段】マトリクス状に形成された画素を備える表
示装置において、各画素は複数の発光素子を備え、前記
複数の発光素子は、各々発光強度が異なり、それぞれ独
立して発光するように構成されており、前記複数の発光
素子の配置が隣接する画素において異なっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示装置に関し、特に、
薄膜トランジスタ及び電流により発光する素子を備えた
表示装置における階調表示技術の改良に関する。
薄膜トランジスタ及び電流により発光する素子を備えた
表示装置における階調表示技術の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面型の表示装置としては液晶表示装置
が知られているが、かかる液晶表示装置は、視野角が狭
い、応答特性が悪いといった問題を有しているため、大
型、高精細、広視野角、低消費電力を実現できる薄膜ト
ランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置（以下、「ＴＦＴ−ＯＥＬＤ」（Thin Fil
m Transistor - Organic ElectroLuminescence Displa
y)と呼ぶ。）が開発されてきた。
が知られているが、かかる液晶表示装置は、視野角が狭
い、応答特性が悪いといった問題を有しているため、大
型、高精細、広視野角、低消費電力を実現できる薄膜ト
ランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置（以下、「ＴＦＴ−ＯＥＬＤ」（Thin Fil
m Transistor - Organic ElectroLuminescence Displa
y)と呼ぶ。）が開発されてきた。
【０００３】ＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける各画素は、例え
ば、図１３に示すように、有機ＥＬ素子１０８２と、Ｔ
ＦＴで構成される駆動用トランジスタ１０７２と、ＴＦ
Ｔで構成される選択用トランジスタ１０５２と、保持容
量１０６２を含んで構成される。
ば、図１３に示すように、有機ＥＬ素子１０８２と、Ｔ
ＦＴで構成される駆動用トランジスタ１０７２と、ＴＦ
Ｔで構成される選択用トランジスタ１０５２と、保持容
量１０６２を含んで構成される。
【０００４】シフトレジスタ１０１からパルスが出力さ
れ、アナログ信号供給線１０２２のアナログ信号は、伝
送スイッチ１０３２を通じて、ソース線１０４２へ伝達
される。ゲート線１０９が選択されることにより、アナ
ログ信号は、選択用トランジスタ１０５２を通じて、保
持容量１０６２に伝達される。アナログ信号により駆動
用トランジスタ１０７２のコンダクタンスが制御され、
有機ＥＬ素子１０８２はアナログ信号に対応した強度で
発光する。
れ、アナログ信号供給線１０２２のアナログ信号は、伝
送スイッチ１０３２を通じて、ソース線１０４２へ伝達
される。ゲート線１０９が選択されることにより、アナ
ログ信号は、選択用トランジスタ１０５２を通じて、保
持容量１０６２に伝達される。アナログ信号により駆動
用トランジスタ１０７２のコンダクタンスが制御され、
有機ＥＬ素子１０８２はアナログ信号に対応した強度で
発光する。
【０００５】図１４に、従来のＴＦＴ−ＯＥＬＤの駆動
方法を説明するタイミングチャートを示す。第０列のシ
フトレジスタ１０１のパルスＳＲ０により、アナログ信
号供給線１０２２のアナログ信号Ａは、第０列のソース
線１０４２の電位Ｓ０へと伝達される。また、第１列の
シフトレジスタ１０１のパルスＳＲ１により、アナログ
信号Ａは、第１列のソース線１０４２の電位Ｓ１へと伝
達される。まず、第０行のゲート線１０９のパルスＧ０
が印加されているときは、第０列のソース線１０４２の
電位Ｓ０は、第０行・第０列の保持容量１０６２の電位
Ｃ００に伝達され、第１列のソース線１０４２の電位Ｓ
１は、第０行・第１列の保持容量１０６２の電位Ｃ０１
に伝達される。次に、第１行のゲート線１０９のパルス
Ｇ１が印加されているときは、第０列のソース線１０４
２の電位Ｓ０は、第１行・第０列の保持容量１０６２の
電位Ｃ１０に伝達され、第１列のソース線１０４２の電
位Ｓ１は、第１行・第１列の保持容量１０６２の電位Ｃ
１１に伝達される。各保持容量１０６２の電位、すなわ
ち対応するアナログ信号Ａに従って、各有機ＥＬ素子１
０８２が所定の強度で発光する。
方法を説明するタイミングチャートを示す。第０列のシ
フトレジスタ１０１のパルスＳＲ０により、アナログ信
号供給線１０２２のアナログ信号Ａは、第０列のソース
線１０４２の電位Ｓ０へと伝達される。また、第１列の
シフトレジスタ１０１のパルスＳＲ１により、アナログ
信号Ａは、第１列のソース線１０４２の電位Ｓ１へと伝
達される。まず、第０行のゲート線１０９のパルスＧ０
が印加されているときは、第０列のソース線１０４２の
電位Ｓ０は、第０行・第０列の保持容量１０６２の電位
Ｃ００に伝達され、第１列のソース線１０４２の電位Ｓ
１は、第０行・第１列の保持容量１０６２の電位Ｃ０１
に伝達される。次に、第１行のゲート線１０９のパルス
Ｇ１が印加されているときは、第０列のソース線１０４
２の電位Ｓ０は、第１行・第０列の保持容量１０６２の
電位Ｃ１０に伝達され、第１列のソース線１０４２の電
位Ｓ１は、第１行・第１列の保持容量１０６２の電位Ｃ
１１に伝達される。各保持容量１０６２の電位、すなわ
ち対応するアナログ信号Ａに従って、各有機ＥＬ素子１
０８２が所定の強度で発光する。
【０００６】かかる有機ＥＬ素子を用いて中間調を表現
する方法の一つとして、駆動用トランジスタ１０７２の
コンダクタンスを制御することにより発光強度を変化さ
せる方法がある。すなわち、中間調の発光強度を得るた
めに、駆動用トランジスタ１０７２のコンダクタンスと
有機ＥＬ素子１０８２のコンダクタンスとを同等にし
て、駆動用トランジスタ１０７２と有機ＥＬ素子１０８
２との電圧分割により、有機ＥＬ素子１０８２に印加さ
れる電圧の制御を行う。
する方法の一つとして、駆動用トランジスタ１０７２の
コンダクタンスを制御することにより発光強度を変化さ
せる方法がある。すなわち、中間調の発光強度を得るた
めに、駆動用トランジスタ１０７２のコンダクタンスと
有機ＥＬ素子１０８２のコンダクタンスとを同等にし
て、駆動用トランジスタ１０７２と有機ＥＬ素子１０８
２との電圧分割により、有機ＥＬ素子１０８２に印加さ
れる電圧の制御を行う。
【０００７】しかし、かかる方法は、パネル内またはパ
ネル間で駆動用トランジスタ１０７２のコンダクタンス
に不均一性が生じた場合、そのまま有機ＥＬ素子１０８
２の発光強度の不均一性として視認されてしまうという
問題がある。
ネル間で駆動用トランジスタ１０７２のコンダクタンス
に不均一性が生じた場合、そのまま有機ＥＬ素子１０８
２の発光強度の不均一性として視認されてしまうという
問題がある。
【０００８】一方、有機ＥＬ素子を用いて中間調を表現
する別の方法として、特開平１１−７３１５８号公報に
記載された方法がある。かかる方法は、１つの画素につ
いて複数の駆動用トランジスタと複数の発光強度の異な
る発光素子を配し、それら複数の駆動用トランジスタと
複数の発光素子を各々直列に接続させることで、中間調
の表現を実現している。すなわち、各々異なる発光強度
である複数の発光素子のそれぞれを、完全にオン状態あ
るいは完全にオフ状態のどちらかになるように制御し、
それら複数の発光素子の発光状態を組み合わせることで
中間調を表現している。かかる方法においては、各発光
素子の状態はオンかオフに限定されるため、それぞれの
発光強度は駆動用トランジスタのコンダクタンスには直
接影響を受けず、コンダクタンスの不均一性に起因する
発光強度の不均一性を低減させることができる。
する別の方法として、特開平１１−７３１５８号公報に
記載された方法がある。かかる方法は、１つの画素につ
いて複数の駆動用トランジスタと複数の発光強度の異な
る発光素子を配し、それら複数の駆動用トランジスタと
複数の発光素子を各々直列に接続させることで、中間調
の表現を実現している。すなわち、各々異なる発光強度
である複数の発光素子のそれぞれを、完全にオン状態あ
るいは完全にオフ状態のどちらかになるように制御し、
それら複数の発光素子の発光状態を組み合わせることで
中間調を表現している。かかる方法においては、各発光
素子の状態はオンかオフに限定されるため、それぞれの
発光強度は駆動用トランジスタのコンダクタンスには直
接影響を受けず、コンダクタンスの不均一性に起因する
発光強度の不均一性を低減させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】発光強度の異なる発光
素子を組み合わせて中間調を表現しようとした場合、そ
れぞれの発光素子の配置をどうするかは、大変重要な問
題である。すなわち、配置の仕方によっては、発光状態
が望ましくない模様、例えば線状の模様を形成してしま
うおそれがあるからである。
素子を組み合わせて中間調を表現しようとした場合、そ
れぞれの発光素子の配置をどうするかは、大変重要な問
題である。すなわち、配置の仕方によっては、発光状態
が望ましくない模様、例えば線状の模様を形成してしま
うおそれがあるからである。
【００１０】例えば、１つの画素について発光強度が異
なる２つの発光素子が配されており、マトリクス状に並
べられた各画素において図１５のように発光素子が配置
されている場合を考える。図１５において、各発光素子
に記された値はその発光素子の発光強度を表わしてい
る。
なる２つの発光素子が配されており、マトリクス状に並
べられた各画素において図１５のように発光素子が配置
されている場合を考える。図１５において、各発光素子
に記された値はその発光素子の発光強度を表わしてい
る。
【００１１】かかる場合ににおいて、全画素において同
じ中間調を表現しようとすると、図１６に示すように、
発光する発光素子が線状に並ぶこととなってしまい、線
を表示させていないにもかかわらず、線状の模様が視認
されてしまうという問題が生じる。
じ中間調を表現しようとすると、図１６に示すように、
発光する発光素子が線状に並ぶこととなってしまい、線
を表示させていないにもかかわらず、線状の模様が視認
されてしまうという問題が生じる。
【００１２】しかし、従来はこのような発光強度の異な
る発光素子の配置に関わる問題についての検討はなされ
ていなかった。
る発光素子の配置に関わる問題についての検討はなされ
ていなかった。
【００１３】そこで、本発明は、異なる発光強度を形成
する複数の発光素子の配置に起因して発生する不均一性
を低減し、画質の向上を実現することを目的とする。
する複数の発光素子の配置に起因して発生する不均一性
を低減し、画質の向上を実現することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マトリクス状
に形成された画素を備える表示装置において、各画素は
複数の発光素子を備え、一画素内で前記複数の発光素子
は、点灯及び非点灯による組合せにおいて各々発光強度
が異なるように構成されており、各画素における前記複
数の発光素子の配置が隣接する画素において異なってい
ることを特徴とする。
に形成された画素を備える表示装置において、各画素は
複数の発光素子を備え、一画素内で前記複数の発光素子
は、点灯及び非点灯による組合せにおいて各々発光強度
が異なるように構成されており、各画素における前記複
数の発光素子の配置が隣接する画素において異なってい
ることを特徴とする。
【００１５】前記複数の発光素子の配置は、画素内にお
ける発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する画素
において異なっていることが好ましい。又、一画素内に
おいて前記複数の発光素子は、各々発光強度が異なり、
それぞれ独立して発光するように配置されていることが
好ましい。
ける発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する画素
において異なっていることが好ましい。又、一画素内に
おいて前記複数の発光素子は、各々発光強度が異なり、
それぞれ独立して発光するように配置されていることが
好ましい。
【００１６】本構成によれば、複数の発光素子の配置を
隣接する画素において異ならせることにより、発光素子
の点灯、非点灯の組合せによる等しい発光強度の発光状
態が偏在することを防止することができ、線状の模様等
の発生を防ぐことができる。
隣接する画素において異ならせることにより、発光素子
の点灯、非点灯の組合せによる等しい発光強度の発光状
態が偏在することを防止することができ、線状の模様等
の発生を防ぐことができる。
【００１７】また、本発明は、マトリクス状に形成され
た画素を備える表示装置において、各画素は表示色が異
なる複数の副画素を備え、各副画素は複数の発光素子を
有しており、一副画素内で前記複数の発光素子は、点灯
及び非点灯による組合せにおいて各々発光強度が異なる
ように構成されており、前記複数の発光素子の配置が隣
接する副画素において異なっていることを特徴とする。
た画素を備える表示装置において、各画素は表示色が異
なる複数の副画素を備え、各副画素は複数の発光素子を
有しており、一副画素内で前記複数の発光素子は、点灯
及び非点灯による組合せにおいて各々発光強度が異なる
ように構成されており、前記複数の発光素子の配置が隣
接する副画素において異なっていることを特徴とする。
【００１８】前記複数の発光素子の配置は、副画素内に
おける発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する副
画素において異なっていることが好ましい。又、前記一
副画素内において、前記複数の発光素子は各々発光強度
が異なりそれぞれ独立して発光することが好ましい。
おける発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する副
画素において異なっていることが好ましい。又、前記一
副画素内において、前記複数の発光素子は各々発光強度
が異なりそれぞれ独立して発光することが好ましい。
【００１９】本構成によれば、複数の発光素子の配置を
隣接する副画素において異ならせることにより、等しい
発光強度の発光素子が偏在することを防止することがで
き、線状の模様等の発生を防ぐことができる。
隣接する副画素において異ならせることにより、等しい
発光強度の発光素子が偏在することを防止することがで
き、線状の模様等の発生を防ぐことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面に基づいて説明する。 （第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかるＴＦＴ−ＯＥＬＤでは、１画素について発光
強度が異なる表示素子としての２つの発光素子１１、１
２が配されている。図において、各発光素子に記された
値はその発光素子の発光強度を表わしている。
態を、図面に基づいて説明する。 （第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかるＴＦＴ−ＯＥＬＤでは、１画素について発光
強度が異なる表示素子としての２つの発光素子１１、１
２が配されている。図において、各発光素子に記された
値はその発光素子の発光強度を表わしている。
【００２１】本実施例の構成では、1画素について４階
調レベルの中間調が表現できる。すなわち、２つの発光
素子がともに発光しない場合、強度１の発光素子のみ発
光する場合、強度２の発光素子のみ発光する場合、２つ
の発光素子がともに発光する場合が、ぞれぞれ階調レベ
ル０，１，２，３に対応することになる。
調レベルの中間調が表現できる。すなわち、２つの発光
素子がともに発光しない場合、強度１の発光素子のみ発
光する場合、強度２の発光素子のみ発光する場合、２つ
の発光素子がともに発光する場合が、ぞれぞれ階調レベ
ル０，１，２，３に対応することになる。
【００２２】図１に示すように、各画素における２つの
発光素子の配置は、横方向（画像内における発光素子の
並び方向に直交する方向）に隣接する画素について比較
すると、互いに転置関係となる配置となっている。
発光素子の配置は、横方向（画像内における発光素子の
並び方向に直交する方向）に隣接する画素について比較
すると、互いに転置関係となる配置となっている。
【００２３】かかる配置において、各画素において同一
の中間調を表現した場合を図２に示す。図２において、
斜線のかかっている発光素子が発光していることを表わ
しており、図２（ａ）は全画素について中間調を階調レ
ベル１とした場合、（ｂ）は階調レベル２とした場合を
示している。いずれの場合においても、発光している発
光素子が均一に分散しており、線状の模様の発生が防止
されていることがわかる。あるいは、横方向の模様の空
間周波数が視認限界を超えているため、線状の模様が視
認されにくい、と言うこともできる。
の中間調を表現した場合を図２に示す。図２において、
斜線のかかっている発光素子が発光していることを表わ
しており、図２（ａ）は全画素について中間調を階調レ
ベル１とした場合、（ｂ）は階調レベル２とした場合を
示している。いずれの場合においても、発光している発
光素子が均一に分散しており、線状の模様の発生が防止
されていることがわかる。あるいは、横方向の模様の空
間周波数が視認限界を超えているため、線状の模様が視
認されにくい、と言うこともできる。
【００２４】図３に、本発明の第１の実施例における各
画素の等価回路図を示す。各画素は、有機ＥＬ素子１０
８１０〜１９８１１と、ＴＦＴで構成される駆動用トラ
ンジスタ１０７１０〜１０７１１と、ＴＦＴで構成され
る選択用トランジスタ１０５１０〜１０５１１と、保持
容量１０６１０〜１０６１１とを含んで構成される。
画素の等価回路図を示す。各画素は、有機ＥＬ素子１０
８１０〜１９８１１と、ＴＦＴで構成される駆動用トラ
ンジスタ１０７１０〜１０７１１と、ＴＦＴで構成され
る選択用トランジスタ１０５１０〜１０５１１と、保持
容量１０６１０〜１０６１１とを含んで構成される。
【００２５】薄膜トランジスタである駆動用トランジス
タ１０７１０〜１０７１１と、電流素子である有機ＥＬ
素子１０８１０〜１０８１１とは、各々直列に接続され
ており、２つの有機ＥＬ素子が独立して発光できるよう
に構成されている。
タ１０７１０〜１０７１１と、電流素子である有機ＥＬ
素子１０８１０〜１０８１１とは、各々直列に接続され
ており、２つの有機ＥＬ素子が独立して発光できるよう
に構成されている。
【００２６】このときゲート線１０９が選択されること
により、デジタル信号は、それぞれ第０〜１ビットの選
択用トランジスタ１０５１０〜１０５１１を通じて、そ
れぞれ第０〜１ビットの保持容量１０６１０〜１０６１
１に伝達される。
により、デジタル信号は、それぞれ第０〜１ビットの選
択用トランジスタ１０５１０〜１０５１１を通じて、そ
れぞれ第０〜１ビットの保持容量１０６１０〜１０６１
１に伝達される。
【００２７】かかる構成において、シフトレジスタ１０
１からパルスが出力され、第０〜１ビットのデジタル信
号供給線１０２１０〜１０２１１のデジタル信号は、そ
れぞれ第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０
３１１を通じて、それぞれ第０〜１ビットのソース線１
０４１０〜１０４１１へ伝達される。すなわち、デジタ
ル信号が、各画素まで伝達されることになる。デジタル
信号により第０〜１ビットの駆動用トランジスタ１０７
１０〜１０７１１のオン・オフが制御され、第０〜１ビ
ットの有機ＥＬ素子１０８１０〜１０８１１はデジタル
信号に対応して発光または非発光となる。
１からパルスが出力され、第０〜１ビットのデジタル信
号供給線１０２１０〜１０２１１のデジタル信号は、そ
れぞれ第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０
３１１を通じて、それぞれ第０〜１ビットのソース線１
０４１０〜１０４１１へ伝達される。すなわち、デジタ
ル信号が、各画素まで伝達されることになる。デジタル
信号により第０〜１ビットの駆動用トランジスタ１０７
１０〜１０７１１のオン・オフが制御され、第０〜１ビ
ットの有機ＥＬ素子１０８１０〜１０８１１はデジタル
信号に対応して発光または非発光となる。
【００２８】図４に、本発明の第１の実施例における各
画素の平面図および断面図を示す。発光素子である第０
〜１ビットの有機ＥＬ素子１０８１０〜１０８１１は、
それぞれ面積が異なっており、オン状態において面積に
応じた発光強度で発光する。ここで、面積比は１対２と
なっており、ＤＡコンバータの機能も各画素毎に内蔵し
ている。
画素の平面図および断面図を示す。発光素子である第０
〜１ビットの有機ＥＬ素子１０８１０〜１０８１１は、
それぞれ面積が異なっており、オン状態において面積に
応じた発光強度で発光する。ここで、面積比は１対２と
なっており、ＤＡコンバータの機能も各画素毎に内蔵し
ている。
【００２９】本実施例においては、シフトレジスタ１０
１、第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０３
１３、第０〜１ビットの選択用トランジスタ１０５１０
〜１０５１１、駆動用トランジスタ１０７１０〜１０７
１１等を構成する薄膜トランジスタは、６００℃以下の
低温プロセスで形成された多結晶シリコン薄膜トランジ
スタを用いているが、同等の機能を持つものであれば他
の素子でも構わない。
１、第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０３
１３、第０〜１ビットの選択用トランジスタ１０５１０
〜１０５１１、駆動用トランジスタ１０７１０〜１０７
１１等を構成する薄膜トランジスタは、６００℃以下の
低温プロセスで形成された多結晶シリコン薄膜トランジ
スタを用いているが、同等の機能を持つものであれば他
の素子でも構わない。
【００３０】また、第０〜１ビットの有機ＥＬ素子１０
８１０〜１０８１１は、インクジェットプロセスで形成
されてたものを用いているが、他のプロセスで形成され
ていたり、有機ＥＬ素子以外の電流発光素子であっても
かまわない。
８１０〜１０８１１は、インクジェットプロセスで形成
されてたものを用いているが、他のプロセスで形成され
ていたり、有機ＥＬ素子以外の電流発光素子であっても
かまわない。
【００３１】図５に、本発明の第１の実施例に係るＴＦ
Ｔ−ＯＥＬＤの駆動方法を説明するタイミングチャート
を示す。第０列のシフトレジスタ１０１のパルスＳＲ０
により、第０および１ビットのデジタル信号供給線１０
２１０〜１０２１１のデジタル信号Ｄ０およびＤ１は、
第０列・第０および１ビットのソース線１０４１０〜１
０４１１の電位Ｓ００およびＳ０１へと伝達される。ま
た、第１列のシフトレジスタ１０１のパルスＳＲ１によ
り、第０および１ビットのデジタル信号Ｄ０およびＤ１
は、第１列・第０および１ビットのソース線１０４１０
〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１へと伝達され
る。
Ｔ−ＯＥＬＤの駆動方法を説明するタイミングチャート
を示す。第０列のシフトレジスタ１０１のパルスＳＲ０
により、第０および１ビットのデジタル信号供給線１０
２１０〜１０２１１のデジタル信号Ｄ０およびＤ１は、
第０列・第０および１ビットのソース線１０４１０〜１
０４１１の電位Ｓ００およびＳ０１へと伝達される。ま
た、第１列のシフトレジスタ１０１のパルスＳＲ１によ
り、第０および１ビットのデジタル信号Ｄ０およびＤ１
は、第１列・第０および１ビットのソース線１０４１０
〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１へと伝達され
る。
【００３２】まず、第０行のゲート線１０９のパルスＧ
０が印加されているときは、第０列・第０および１ビッ
トのソース線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およ
びＳ０１は、第０行・第０列・第０および１ビットの保
持容量１０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０００およびＣ
００１に伝達され、第１列・第０および１ビットのソー
ス線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１
は、第０行・第１列・第０および１ビットの保持容量１
０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０１０およびＣ０１１に
伝達される。
０が印加されているときは、第０列・第０および１ビッ
トのソース線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およ
びＳ０１は、第０行・第０列・第０および１ビットの保
持容量１０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０００およびＣ
００１に伝達され、第１列・第０および１ビットのソー
ス線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１
は、第０行・第１列・第０および１ビットの保持容量１
０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０１０およびＣ０１１に
伝達される。
【００３３】次に、第１行のゲート線のパルスが印加さ
れているときは、第０列・第０および１ビットのソース
線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およびＳ０１
は、第１行・第０列・第０、１ビットの保持容量１０６
１０〜１０６１１の電位Ｃ１００およびＣ１０１に伝達
され、第１列・第０および１ビットのソース線１０４１
０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１は、第１行・
第１列・第０および１ビットの保持容量１０６１０〜１
０６１１の電位Ｃ１１０およびＣ１１１に伝達される。
れているときは、第０列・第０および１ビットのソース
線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およびＳ０１
は、第１行・第０列・第０、１ビットの保持容量１０６
１０〜１０６１１の電位Ｃ１００およびＣ１０１に伝達
され、第１列・第０および１ビットのソース線１０４１
０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１は、第１行・
第１列・第０および１ビットの保持容量１０６１０〜１
０６１１の電位Ｃ１１０およびＣ１１１に伝達される。
【００３４】各有機ＥＬ素子は、各保持容量の電位、す
なわち対応するデジタル信号に従って発光または非発光
となる。
なわち対応するデジタル信号に従って発光または非発光
となる。
【００３５】ここで、オン状態の駆動用トランジスタの
抵抗は、オン状態の有機ＥＬ素子の抵抗に比べて、無視
できるほど小さくなっている。このため、有機ＥＬ素子
を流れる電流は、共通電極１１０と上側電極１１１間電
圧に対する有機ＥＬ素子の抵抗のみで決定されることに
なり、駆動用トランジスタの抵抗が多少増減しようと影
響を受けずにすむ。そのため、トランジスタのコンダク
タンスの不均一性に起因する発光強度の不均一性は抑制
されることになる。また、オフ状態の駆動用トランジス
タの抵抗は、極めて大きくなっているため、確実に有機
ＥＬ素子をオフ状態にすることができる。
抵抗は、オン状態の有機ＥＬ素子の抵抗に比べて、無視
できるほど小さくなっている。このため、有機ＥＬ素子
を流れる電流は、共通電極１１０と上側電極１１１間電
圧に対する有機ＥＬ素子の抵抗のみで決定されることに
なり、駆動用トランジスタの抵抗が多少増減しようと影
響を受けずにすむ。そのため、トランジスタのコンダク
タンスの不均一性に起因する発光強度の不均一性は抑制
されることになる。また、オフ状態の駆動用トランジス
タの抵抗は、極めて大きくなっているため、確実に有機
ＥＬ素子をオフ状態にすることができる。
【００３６】なお、デジタル信号に従って有機ＥＬ素子
の発光、非発光を制御する際に、誤差拡散法に基づいて
制御を行うようにしても良い。すなわち、入力画像にお
ける中間調とＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける中間調の差を周
りの画素に分散させることで、画像全体の累積的な中間
調の誤差を少なくするように、デジタル信号を制御す
る。
の発光、非発光を制御する際に、誤差拡散法に基づいて
制御を行うようにしても良い。すなわち、入力画像にお
ける中間調とＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける中間調の差を周
りの画素に分散させることで、画像全体の累積的な中間
調の誤差を少なくするように、デジタル信号を制御す
る。
【００３７】ＴＦＴ−ＯＥＬＤでは、各画素ごとに入力
画像の階調値に最も近い階調レベル値が選択され、これ
に対応する階調レベルを与えるようにデジタル信号が送
られる。ここで、階調レベル値とは、ＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の階調レベルに対応付けた入力画像の階調値である。例
えば、入力画像が２５５階調の画像だったとすると、第
１の実施例における階調レベル０，１，２，３には、階
調レベル値０〜６３、６４〜１２７、１２８〜１９１、
１９２〜２５５が対応することになる。
画像の階調値に最も近い階調レベル値が選択され、これ
に対応する階調レベルを与えるようにデジタル信号が送
られる。ここで、階調レベル値とは、ＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の階調レベルに対応付けた入力画像の階調値である。例
えば、入力画像が２５５階調の画像だったとすると、第
１の実施例における階調レベル０，１，２，３には、階
調レベル値０〜６３、６４〜１２７、１２８〜１９１、
１９２〜２５５が対応することになる。
【００３８】誤差拡散法に基づく場合は、入力画像の階
調値と選択された階調レベル値との誤差は、例えばＦｌ
ｏｙｄ−Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇフィルタを用いて、隣接す
る画素に分配されることになる。図６はＦｌｏｙｄ−Ｓ
ｔｅｉｎｂｅｒｇフィルタを示しており、Ｘは注目して
いる画素を表わす。Ｘにおける誤差は、隣接する画素に
フィルタ上の数値の比率で分配される。隣接する画素で
は、当該画素の階調値に分配された値を加えて階調値を
更新し、更新後の階調値に基いて階調レベル値が選択さ
れていくことになる。 （第２の実施例）図７は、本発明の第２の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかるＴＦＴ−ＯＥＬＤでは、１画素が例えばＲＧ
Ｂの３色に対応する３つの副画素から構成されており、
各副画素について発光強度が異なる２つの発光素子１
３、１４が配されている。即ち、本例においてＲＧＢに
よるカラー表示単位を画素とし、それを構成する各色表
示単位を副画素と呼んでいる。
調値と選択された階調レベル値との誤差は、例えばＦｌ
ｏｙｄ−Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇフィルタを用いて、隣接す
る画素に分配されることになる。図６はＦｌｏｙｄ−Ｓ
ｔｅｉｎｂｅｒｇフィルタを示しており、Ｘは注目して
いる画素を表わす。Ｘにおける誤差は、隣接する画素に
フィルタ上の数値の比率で分配される。隣接する画素で
は、当該画素の階調値に分配された値を加えて階調値を
更新し、更新後の階調値に基いて階調レベル値が選択さ
れていくことになる。 （第２の実施例）図７は、本発明の第２の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかるＴＦＴ−ＯＥＬＤでは、１画素が例えばＲＧ
Ｂの３色に対応する３つの副画素から構成されており、
各副画素について発光強度が異なる２つの発光素子１
３、１４が配されている。即ち、本例においてＲＧＢに
よるカラー表示単位を画素とし、それを構成する各色表
示単位を副画素と呼んでいる。
【００３９】図７に示すように、各副画素における２つ
の発光素子の配置は、横方向（副画素内における発光素
子の並び方向に直交する方向）に隣接する副画素につい
て比較すると、互いに転置関係となる配置となってい
る。
の発光素子の配置は、横方向（副画素内における発光素
子の並び方向に直交する方向）に隣接する副画素につい
て比較すると、互いに転置関係となる配置となってい
る。
【００４０】かかる配置において、各副画素において同
一の中間調を表現した場合を図８に示す。図８におい
て、斜線のかかっている発光素子が発光していることを
表わしており、図２（ａ）は全画素全色について中間調
を階調レベル１とした場合、（ｂ）は階調レベル２とし
た場合を示している。いずれの場合においても、発光し
ている発光素子が均一に分散しており、線状の模様の発
生が防止されていることがわかる。 （第３の実施例）図９は、本発明の第３の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、第２の実施例と同様に１
画素が３つの副画素から構成されている。各副画素の位
置がずれた状態で配置されている点で第２の実施例と異
なる。このようにずれた状態で副画素を配置することに
より、横方向にのびる走査線１００を直線状に配するこ
とができ、配線構造を簡単にすることができる。 （第４の実施例）図１０は、本発明の第４の実施例に係
るＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、第２の実施例と同様に１
画素が３つの副画素から構成されている。各副画素にお
いて発光強度２の状態を実現するのに、発光強度２の発
光素子を１つ用いる代わりに、発光強度１の発光素子を
２つ用いている点で第２の実施例と異なる。即ち、一画
素（副画素）内で同一の発光強度を持つ複数の発光素子
の同等点灯及び非点灯の組合せにより異なる発光強度を
形成している。 有機ＥＬ素子の特性上、発光素子の表
面が長方形であっても、実際に発光する部分は長方形と
はならない場合がある。あるいは、その長方形全体が均
一に発光しない場合がある。そのため、発光素子の表面
の面積を１対２としても、発光強度が１対２とはならな
い可能性がある。本実施例においては、発光強度１の発
光素子を２つ同時に発光させることで発光強度２の状態
を実現しているため、正確に発光強度を１対２とするこ
とができる。 （第５の実施例）図１１は、本発明の第５の実施例に係
るＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、１画素について発光強度
が異なる３つの発光素子２０、２１、２２が配されてい
る。本実施例の構成では、1画素について８階調レベル
の中間調が表現できる。
一の中間調を表現した場合を図８に示す。図８におい
て、斜線のかかっている発光素子が発光していることを
表わしており、図２（ａ）は全画素全色について中間調
を階調レベル１とした場合、（ｂ）は階調レベル２とし
た場合を示している。いずれの場合においても、発光し
ている発光素子が均一に分散しており、線状の模様の発
生が防止されていることがわかる。 （第３の実施例）図９は、本発明の第３の実施例に係る
ＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、第２の実施例と同様に１
画素が３つの副画素から構成されている。各副画素の位
置がずれた状態で配置されている点で第２の実施例と異
なる。このようにずれた状態で副画素を配置することに
より、横方向にのびる走査線１００を直線状に配するこ
とができ、配線構造を簡単にすることができる。 （第４の実施例）図１０は、本発明の第４の実施例に係
るＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、第２の実施例と同様に１
画素が３つの副画素から構成されている。各副画素にお
いて発光強度２の状態を実現するのに、発光強度２の発
光素子を１つ用いる代わりに、発光強度１の発光素子を
２つ用いている点で第２の実施例と異なる。即ち、一画
素（副画素）内で同一の発光強度を持つ複数の発光素子
の同等点灯及び非点灯の組合せにより異なる発光強度を
形成している。 有機ＥＬ素子の特性上、発光素子の表
面が長方形であっても、実際に発光する部分は長方形と
はならない場合がある。あるいは、その長方形全体が均
一に発光しない場合がある。そのため、発光素子の表面
の面積を１対２としても、発光強度が１対２とはならな
い可能性がある。本実施例においては、発光強度１の発
光素子を２つ同時に発光させることで発光強度２の状態
を実現しているため、正確に発光強度を１対２とするこ
とができる。 （第５の実施例）図１１は、本発明の第５の実施例に係
るＴＦＴ−ＯＥＬＤの発光素子の配置を示す模式図であ
る。かかる実施例においては、１画素について発光強度
が異なる３つの発光素子２０、２１、２２が配されてい
る。本実施例の構成では、1画素について８階調レベル
の中間調が表現できる。
【００４１】図１１に示すように、各画素における３つ
の発光素子の配置は、横方向（副画素内における発光素
子の並び方向に直交する方向）に隣接する画素について
比較すると、常に異なった配置となっている。
の発光素子の配置は、横方向（副画素内における発光素
子の並び方向に直交する方向）に隣接する画素について
比較すると、常に異なった配置となっている。
【００４２】かかる配置において、同一の中間調を表現
した場合の例を図１２に示す。図１２において、斜線の
かかっている発光素子が発光していることを表わしてお
り、発光している発光素子が均一に分散しており、線状
の模様の発生が防止されていることがわかる。 （その他の変形例）表示装置を有する電子機器装置、例
えばビデオカメラ、デジタルカメラ、カーオーディオ、
ビデオCDプレーヤー、携帯端末、ノートパソコンなどに
おいて、本発明の表示装置を用いることができる。
した場合の例を図１２に示す。図１２において、斜線の
かかっている発光素子が発光していることを表わしてお
り、発光している発光素子が均一に分散しており、線状
の模様の発生が防止されていることがわかる。 （その他の変形例）表示装置を有する電子機器装置、例
えばビデオカメラ、デジタルカメラ、カーオーディオ、
ビデオCDプレーヤー、携帯端末、ノートパソコンなどに
おいて、本発明の表示装置を用いることができる。
【００４３】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ことなく、種々に変形して適用することが可能である。
階調レベル、色数、画素（副画素）形状、発光素子の並
び等について種々の変形を行うことが可能であり、例え
ば、１画素（１副画素）あたり４以上の発光素子を配す
ることにより階調レベルを増やした構成としても良い。
ことなく、種々に変形して適用することが可能である。
階調レベル、色数、画素（副画素）形状、発光素子の並
び等について種々の変形を行うことが可能であり、例え
ば、１画素（１副画素）あたり４以上の発光素子を配す
ることにより階調レベルを増やした構成としても良い。
【００４４】また、上記実施例においては、発光素子と
して薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆
動方式で有機エレクトロルミネッセンス素子を用いる構
成となっているが、本発明はパッシブマトリクス方式の
表示装置や液晶表示装置に対しても適用することができ
る。
して薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆
動方式で有機エレクトロルミネッセンス素子を用いる構
成となっているが、本発明はパッシブマトリクス方式の
表示装置や液晶表示装置に対しても適用することができ
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明は、複数の発光素子の配置を隣接
する画素や副画素において異ならせることにより、等し
い発光強度の発光素子が偏在することを防止することが
でき、線状の模様等の発生を防ぐことができる。
する画素や副画素において異ならせることにより、等し
い発光強度の発光素子が偏在することを防止することが
でき、線状の模様等の発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の発光素子の配置を示す模式図である。
の発光素子の配置を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施例における発光状態を示す
模式図である。
模式図である。
【図３】本発明の第１の実施例における各画素の等価回
路図である。
路図である。
【図４】本発明の第１の実施例における各画素の平面図
および断面図である。
および断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の駆動方法を説明するための図である。
の駆動方法を説明するための図である。
【図６】Ｆｌｏｙｄ−Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇフィルタを表
わす図である。
わす図である。
【図７】本発明の第２の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の発光素子の配置を示す模式図である。
の発光素子の配置を示す模式図である。
【図８】本発明の第２の実施例における発光状態を示す
模式図である。
模式図である。
【図９】本発明の第３の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬＤ
の発光素子の配置を示す模式図である。
の発光素子の配置を示す模式図である。
【図１０】本発明の第４の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬ
Ｄの発光素子の配置を示す模式図である。
Ｄの発光素子の配置を示す模式図である。
【図１１】本発明の第５の実施例に係るＴＦＴ−ＯＥＬ
Ｄの発光素子の配置を示す模式図である。
Ｄの発光素子の配置を示す模式図である。
【図１２】本発明の第５の実施例における発光状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１３】従来のＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける各画素の等
価回路図である。
価回路図である。
【図１４】従来のＴＦＴ−ＯＥＬＤの駆動方法を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１５】ＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける発光素子の配置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図１６】ＴＦＴ−ＯＥＬＤにおける発光状態を示す模
式図である。
式図である。
１０、１１、２０、２１、２２ 発光素子
フロントページの続き (72)発明者 前田 浩 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 北和田 清文 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 DA02 GA04 5C094 AA07 AA08 AA55 BA03 BA29 CA19 CA24 EA04 GA10
Claims (8)
- 【請求項１】 マトリクス状に形成された画素を備える
表示装置において、 各画素は複数の発光素子を備え、 一画素内で前記複数の発光素子は、点灯及び非点灯によ
るくみあわせにおいて各々発光強度が異なるように構成
されており、 前記複数の発光素子の配置が隣接する画素において異な
っていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記複数の発光素子の配置が、画素内に
おける発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する画
素において、異なっていることを特徴とする請求項１記
載の表示装置。 - 【請求項３】 一画素内において、前記複数の発光素子
は各々発光強度が異なり、それぞれ独立して発光するこ
とを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項４】 マトリクス状に形成された画素を備える
表示装置において、 各画素は表示色が異なる複数の副画素を備え、各副画素
は複数の発光素子を有しており、 一副画素内で前記複数の発光素子は、点灯及び非点灯に
よるくみあわせにおいて各々発光強度が異なり、それぞ
れ独立して発光するように構成されており、 前記複数の発光素子の配置が隣接する副画素において異
なっていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】 前記複数の発光素子の配置が、副画素内
における発光素子の並び方向と直交する方向に隣接する
副画素において、異なっていることを特徴とする請求項
４記載の表示装置。 - 【請求項６】 一副画素内において前記複数の発光素子
は各々発光強度が異なり、それぞれ独立して発光するこ
とを特徴とする請求項４記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記発光素子が有機エレクトロルミネッ
センス素子によって構成されることを特徴とする請求項
１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
表示装置を備えた電子機器装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21797699A JP3791744B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21797699A JP3791744B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001042790A true JP2001042790A (ja) | 2001-02-16 |
| JP3791744B2 JP3791744B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=16712691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21797699A Expired - Fee Related JP3791744B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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-
1999
- 1999-07-30 JP JP21797699A patent/JP3791744B2/ja not_active Expired - Fee Related
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