JP2000357804A - Optical module, method of manufacturing the same, and optical transmission device - Google Patents
Optical module, method of manufacturing the same, and optical transmission deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール及び
その製造方法並びに光伝達装置に関する。The present invention relates to an optical module, a method of manufacturing the same, and an optical transmission device.
【0002】[0002]
【発明の背景】近年、情報通信が高速化・大容量化の傾
向にあり、光通信の開発が進んでいる。一般に、光通信
では、電気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバ
で送信し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気
信号と光信号との変換は光素子によって行われる。2. Description of the Related Art In recent years, information communication has been trending toward higher speed and larger capacity, and optical communication has been developed. Generally, in optical communication, an electric signal is converted into an optical signal, the optical signal is transmitted through an optical fiber, and the received optical signal is converted into an electric signal. The conversion between an electric signal and an optical signal is performed by an optical element.
【0003】例えば、特開平10−339824号公報
には、V溝が形成されたプラットフォームに光ファイバ
を位置決めして固定して、光モジュールを構成すること
が記載されている。For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-339824 describes that an optical module is formed by positioning and fixing an optical fiber on a platform having a V-groove formed therein.
【0004】しかしながら、V溝を利用して光ファイバ
の位置合わせをするのは手間がかかるため、光モジュー
ルの製造に時間がかかるという問題がある。However, it takes time and effort to position the optical fiber using the V-groove, so that there is a problem that it takes time to manufacture the optical module.
【0005】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、光モジュールを簡単に製造することが
できる光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
を提供することにある。An object of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide an optical module capable of easily manufacturing an optical module, a manufacturing method thereof, and an optical transmission device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る光モ
ジュールは、光ファイバと、前記光ファイバに設けられ
ており、導電層が形成された支持部材と、尖鋭形状をな
して前記導電層に係止され電気的に接続される少なくと
も一つのバンプを有する光素子と、を含む。(1) An optical module according to the present invention comprises: an optical fiber; a support member provided on the optical fiber, the support member having a conductive layer formed thereon; An optical element having at least one bump locked and electrically connected to the layer.
【0007】本発明によれば、バンプが導電層に係止さ
れるという簡単な構造で電気的な接続を図ることができ
る。According to the present invention, electrical connection can be achieved with a simple structure in which the bump is locked to the conductive layer.
【0008】(2)この光モジュールにおいて、前記支
持部材は、樹脂で形成されており、前記バンプは、前記
導電層を貫通して前記支持部材に突き刺さっていてもよ
い。(2) In this optical module, the support member may be formed of resin, and the bump may penetrate the conductive layer and penetrate the support member.
【0009】これによれば、バンプが支持部材にも突き
刺さることで、光素子を支持部材に支持させることがで
きる。[0009] According to this, the optical element can be supported by the supporting member by piercing the bump into the supporting member.
【0010】(3)この光モジュールにおいて、前記バ
ンプと前記導電層とは、接着剤で固定されていてもよ
い。(3) In this optical module, the bump and the conductive layer may be fixed with an adhesive.
【0011】これによれば、光素子を安定して支持部材
に支持させることができる。According to this, the optical element can be stably supported by the support member.
【0012】(4)この光モジュールにおいて、前記バ
ンプは、少なくとも中心部と前記中心部を覆う表面層と
を有し、前記中心部よりも前記表面層は、硬い材質から
なるものであってもよい。(4) In this optical module, the bump has at least a central portion and a surface layer covering the central portion, and the surface layer is made of a harder material than the central portion. Good.
【0013】これによれば、比較的軟らかい材料でバン
プの中心部を形成し、比較的硬い材料からなる表面層で
中心部を補強して、硬いバンプを形成することができ
る。According to this, the center of the bump is formed of a relatively soft material, and the center is reinforced with a surface layer made of a relatively hard material, whereby a hard bump can be formed.
【0014】(5)この光モジュールにおいて、前記支
持部材は、前記光ファイバの端部に先端面を避けて設け
られており、前記光ファイバの前記先端面とほぼ平行な
表面を有し、前記光素子は、前記光ファイバの前記先端
面に光学的部分を向けて前記支持部材に搭載されていて
もよい。(5) In this optical module, the support member is provided at an end of the optical fiber so as to avoid a tip end face, and has a surface substantially parallel to the tip end face of the optical fiber. The optical element may be mounted on the support member with an optical part facing the distal end face of the optical fiber.
【0015】(6)この光モジュールにおいて、前記光
素子は、第1及び第2の電極を有し、前記第1の電極上
に前記バンプが設けられており、前記第2の電極と前記
導電層とが電気的に接続されていてもよい。(6) In this optical module, the optical element has first and second electrodes, the bump is provided on the first electrode, and the second electrode and the conductive The layers may be electrically connected.
【0016】(7)この光モジュールにおいて、前記光
ファイバが取り付けられる基板と、前記光素子を駆動す
るための半導体チップと、を有し、前記光ファイバに設
けられた前記導電層と前記半導体チップとが電気的に接
続されていてもよい。(7) In this optical module, the optical module includes a substrate on which the optical fiber is mounted, and a semiconductor chip for driving the optical element, wherein the conductive layer provided on the optical fiber and the semiconductor chip are provided. And may be electrically connected.
【0017】(8)この光モジュールにおいて、前記光
素子と、前記導電層と、前記半導体チップと、の少なく
とも電気的な接続部を封止する封止部をさらに有しても
よい。(8) The optical module may further include a sealing portion for sealing at least an electrical connection portion between the optical element, the conductive layer, and the semiconductor chip.
【0018】(9)この光モジュールにおいて、前記封
止部は、前記光素子と前記導電層との電気的な接続部を
封止する第1の樹脂部と、前記第1の樹脂部と前記半導
体チップとを封止する第2の樹脂部と、を含んでもよ
い。(9) In this optical module, the sealing portion includes a first resin portion for sealing an electrical connection portion between the optical element and the conductive layer; A second resin part for sealing the semiconductor chip.
【0019】(10)この光モジュールにおいて、前記
第1の樹脂部は、前記第2の樹脂部よりも柔軟性が高く
てもよい。(10) In this optical module, the first resin portion may have higher flexibility than the second resin portion.
【0020】これによれば、光素子と導電層との電気的
な接続部に対して大きな応力が加えられないので接続部
が保護される。According to this, since a large stress is not applied to the electrical connection between the optical element and the conductive layer, the connection is protected.
【0021】(11)本発明に係る光伝達装置は、両端
部に導電層が形成された光ファイバと、発光部を前記前
記光ファイバの一方の端面に向けて前記光ファイバに搭
載され、前記導電層に電気的に接続された発光素子と、
受光部を前記前記光ファイバの他方の端面に向けて前記
光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
た受光素子と、を含む。(11) In the optical transmission device according to the present invention, an optical fiber having conductive layers formed at both ends and a light emitting portion are mounted on the optical fiber with one end face of the optical fiber facing the optical fiber. A light-emitting element electrically connected to the conductive layer,
A light receiving element mounted on the optical fiber with a light receiving portion facing the other end face of the optical fiber, and electrically connected to the conductive layer.
【0022】(12)この光伝達装置において、前記発
光素子に接続されるプラグと、前記受光素子に接続され
るプラグと、をさらに含んでもよい。(12) The light transmission device may further include a plug connected to the light emitting element and a plug connected to the light receiving element.
【0023】(13)本発明に係る光モジュールの製造
方法は、光素子に尖鋭のバンプを設ける第1工程と、光
ファイバに導電層を形成する第2工程と、前記導電層に
前記バンプを突き刺して、前記導電層と前記バンプとを
電気的に接続するとともに、前記光素子を前記支持部材
に搭載する第3工程と、を含む光モジュールの製造方
法。(13) In the method for manufacturing an optical module according to the present invention, a first step of providing a sharp bump on an optical element, a second step of forming a conductive layer on an optical fiber, and forming the bump on the conductive layer A third step of piercing and electrically connecting the conductive layer and the bump and mounting the optical element on the support member.
【0024】本発明によれば、バンプを導電層に突き刺
すだけで、簡単に両者の電気的な接続を図ることができ
る。According to the present invention, the electrical connection between the two can be easily achieved only by piercing the bump into the conductive layer.
【0025】(14)この光モジュールの製造方法にお
いて、前記第1工程は、導電線を前記光素子にボンディ
ングする工程と、前記ボンディングされた導電線を、そ
の一部を前記光素子に残して前記バンプを形成する工程
と、を含んでもよい。(14) In this method of manufacturing an optical module, the first step is a step of bonding a conductive line to the optical element, and leaving the bonded conductive line partially in the optical element. Forming the bumps.
【0026】これによれば、導電線を光素子にボンディ
ングし、導電線の一部を光素子に残して切断するだけで
バンプを形成することができる。According to this, the bump can be formed only by bonding the conductive line to the optical element and cutting while leaving a part of the conductive line in the optical element.
【0027】(15)この光モジュールの製造方法にお
いて、前記バンプを形成する工程は、前記導電線のうち
前記光素子に残された部分に、前記導電線よりも硬い材
質の材料からなる表面層を形成する工程を含んでもよ
い。(15) In this method of manufacturing an optical module, the step of forming the bumps includes the step of forming a surface layer made of a material harder than the conductive wires on a portion of the conductive wires left on the optical element. May be included.
【0028】これによれば、比較的軟らかい材料でバン
プの中心部を形成し、比較的硬い材料からなる表面層で
中心部を補強して、硬いバンプを形成することができ
る。According to this, the center portion of the bump is formed by a relatively soft material, and the center portion is reinforced by a surface layer made of a relatively hard material, whereby a hard bump can be formed.
【0029】(16)この光モジュールの製造方法にお
いて、前記第2工程で、前記バンプと前記導電層とを接
着剤で固定してもよい。(16) In this method of manufacturing an optical module, in the second step, the bump and the conductive layer may be fixed with an adhesive.
【0030】これによれば、光素子を安定して支持部材
に支持させることができる。According to this, the optical element can be stably supported by the support member.
【0031】(17)この光モジュールの製造方法にお
いて、前記光素子は、第1及び第2の電極を有し、前記
バンプは、前記第1の電極上に設けられており、前記第
2工程後に、前記第2の電極と前記導電層とを電気的に
接続する工程をさらに含んでもよい。(17) In this method of manufacturing an optical module, the optical element has first and second electrodes, and the bump is provided on the first electrode. Thereafter, the method may further include a step of electrically connecting the second electrode and the conductive layer.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0033】図1(A)〜図3(B)は、本発明を適用
した光モジュールの製造方法を説明する図である。本実
施の形態では、光モジュールの製造方法は、光素子への
バンプの形成方法を含み、図1(A)〜図1(C)が、
光素子へのバンプの形成方法を示す図である。FIGS. 1A to 3B are views for explaining a method of manufacturing an optical module to which the present invention is applied. In the present embodiment, the method for manufacturing an optical module includes a method for forming a bump on an optical element, and FIGS.
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of forming a bump on an optical element.
【0034】(第1工程)まず、光素子10を用意す
る。光素子10は、発光素子であっても受光素子であっ
てもよい。発光素子の一例として面発光素子、特に面発
光レーザを適用することができる。面発光レーザなどの
面発光素子は、基板に対して垂直方向に光を発する。光
素子10は、光学的部分12を有する。光素子10が発
光素子であるときは、光学的部分12は発光部であり、
光素子10が受光素子であるときは、光学的部分12は
受光部である。(First Step) First, the optical element 10 is prepared. The optical element 10 may be a light emitting element or a light receiving element. As an example of the light emitting element, a surface emitting element, in particular, a surface emitting laser can be used. A surface emitting device such as a surface emitting laser emits light in a direction perpendicular to a substrate. The optical element 10 has an optical part 12. When the optical element 10 is a light emitting element, the optical part 12 is a light emitting part,
When the optical element 10 is a light receiving element, the optical part 12 is a light receiving section.
【0035】光素子10は、少なくとも1つ(一般的に
は2つ又はそれ以上)の電極を有する。例えば、光学的
部分12が形成された面に、第1の電極14が設けられ
ていてもよい。なお、第1の電極14が形成された面に
ダミー電極(図示せず)を設けてもよい。ダミー電極
は、第1の電極14と同じ材料で形成してもよいが、光
素子10の内部には電気的に接続されていないものであ
る。例えば、光素子10における光学的部分12が形成
された面に、1つの第1の電極14と、複数(少なくと
も2つ)のダミー電極とを設けてもよい。詳しくは、全
てを直線で結んで三角形以上の多角形を描く位置に、第
1の電極14及び複数のダミー電極を設けてもよい。The optical element 10 has at least one (typically two or more) electrodes. For example, the first electrode 14 may be provided on the surface on which the optical portion 12 is formed. Note that a dummy electrode (not shown) may be provided on the surface on which the first electrode 14 is formed. The dummy electrode may be formed of the same material as the first electrode 14, but is not electrically connected to the inside of the optical element 10. For example, one first electrode 14 and a plurality (at least two) of dummy electrodes may be provided on the surface of the optical element 10 where the optical portion 12 is formed. Specifically, the first electrode 14 and a plurality of dummy electrodes may be provided at positions where all are connected by straight lines to draw a polygon of a triangle or more.
【0036】第1の電極14が設けられた面とは別の面
に、第2の電極16が設けられていてもよい。光素子1
0が面発光レーザなどの半導体レーザであるときは、第
1の電極14が設けられた面とは反対側の面に第2の電
極16を設けてもよい。The second electrode 16 may be provided on a surface different from the surface on which the first electrode 14 is provided. Optical element 1
When 0 is a semiconductor laser such as a surface emitting laser, the second electrode 16 may be provided on a surface opposite to the surface on which the first electrode 14 is provided.
【0037】図1(A)に示すように、光素子10上
に、半導体装置の製造で使用されるキャピラリ20を配
置する。詳しくは、光素子10における光学的部分12
が形成された面の側に、キャピラリ20を配置する。例
えば、光素子10の第1の電極14上にキャピラリ20
を配置する。キャピラリ20には、ワイヤなどの導電線
22が挿通されている。導電線22は、金、銅又はアル
ミニウムなどの導電材料で構成される。導電線22に
は、キャピラリ20の外側にボール24が形成されてい
る。ボール24は、導電線22の先端に、例えば電気ト
ーチによって高電圧の放電を行って形成される。As shown in FIG. 1A, a capillary 20 used for manufacturing a semiconductor device is arranged on the optical element 10. Specifically, the optical part 12 of the optical element 10
The capillary 20 is arranged on the side of the surface where is formed. For example, the capillary 20 is placed on the first electrode 14 of the optical element 10.
Place. A conductive wire 22 such as a wire is inserted through the capillary 20. The conductive wire 22 is made of a conductive material such as gold, copper, or aluminum. The conductive wire 22 has a ball 24 formed outside the capillary 20. The ball 24 is formed at the tip of the conductive wire 22 by performing a high-voltage discharge using, for example, an electric torch.
【0038】そして、クランパ26を開放して、キャピ
ラリ20を下降させて、光素子10にボール24を押圧
する。例えば、第1の電極14にボール24を押圧す
る。ボール24を一定の圧力で押しつけて光素子10に
圧着を行っている間に超音波や熱等を印加する。こうし
て、図1(B)に示すように、導電線22が光素子10
にボンディングされる。例えば、導電線22が第1の電
極14にボンディングされる。Then, the clamper 26 is opened, the capillary 20 is lowered, and the ball 24 is pressed against the optical element 10. For example, the ball 24 is pressed against the first electrode 14. Ultrasonic waves, heat, or the like is applied while the ball 24 is pressed against the optical element 10 by pressing it with a certain pressure. Thus, as shown in FIG. 1B, the conductive line 22 is
Bonding. For example, the conductive line 22 is bonded to the first electrode 14.
【0039】そして、クランパ26を閉じて導電線22
を保持し、図1(C)に示すように、キャピラリ20及
びクランパ26を同時に上昇させる。こうして、導電線
22は、引き離されて、ボール24を含む部分が光素子
10上に残る。この部分は、バンプ30(図2(B)参
照)の中心部32となる。中心部32は、引きちぎられ
たことで、先がとがった形状になっている。Then, the clamper 26 is closed and the conductive wire 22 is closed.
Is held, and the capillary 20 and the clamper 26 are simultaneously raised as shown in FIG. Thus, the conductive wire 22 is separated, and a portion including the ball 24 remains on the optical element 10. This portion becomes the central portion 32 of the bump 30 (see FIG. 2B). The center portion 32 has a pointed shape due to being torn.
【0040】なお、複数箇所にバンプ形成の必要がある
場合には、以上の工程を繰り返して行う。図2(A)
は、導電線のボンディング工程を複数回行った状態を示
す図である。例えば、第1の電極14上の他に、第1の
電極14が形成された面であって、ダミー電極上にも上
記工程を行ってもよい。こうして、複数の中心部32を
形成することができる。When it is necessary to form bumps at a plurality of locations, the above steps are repeated. FIG. 2 (A)
FIG. 3 is a diagram showing a state in which a conductive wire bonding step is performed a plurality of times. For example, the above process may be performed on a dummy electrode, which is a surface on which the first electrode 14 is formed, in addition to the first electrode 14. Thus, a plurality of central portions 32 can be formed.
【0041】そして、図2(B)に示すように、光素子
10上に残った導電線22の部分を中心部32として、
これに表面部34を被覆してバンプ30を形成する。表
面部34は、中心部32よりも硬い材質の材料から形成
することが好ましい。例えばニッケルを中心部32にメ
ッキすることで表面部34を形成することができる。こ
うして、中心部32よりも硬くなった少なくとも一つの
尖鋭のバンプ(スタッドバンプ)30を光素子10に設
けることができる。Then, as shown in FIG. 2B, the portion of the conductive line 22 remaining on the optical element 10 is set as a central portion 32.
The bumps 30 are formed by covering the surface portions 34. The surface portion 34 is preferably formed from a material of a material harder than the central portion 32. For example, the surface portion 34 can be formed by plating nickel on the center portion 32. In this manner, at least one sharp bump (stud bump) 30 that is harder than the central portion 32 can be provided on the optical element 10.
【0042】光素子10における光学的部分12が形成
された面に、3つ以上のバンプ30を設けることが好ま
しい。詳しくは、全てを直線で結んで三角形以上の多角
形を描く位置に、バンプ30を設ける。こうすること
で、バンプ30を介して、光素子10が支持部材に安定
して支持される。なお、バンプ30のうちの少なくとも
一つは、光素子10と、支持部材の導電層とを電気的に
接続するためのものであり、残りのバンプ30は、電気
的な接続に使用されても、使用されなくてもよい。電気
的な接続に使用されないバンプ30は、図示しないダミ
ー電極上に設けられても、それ以外の領域に設けられて
もよい。It is preferable to provide three or more bumps 30 on the surface of the optical element 10 on which the optical portion 12 is formed. Specifically, the bumps 30 are provided at positions where all are connected by straight lines to draw a polygon of a triangle or more. By doing so, the optical element 10 is stably supported by the support member via the bump 30. At least one of the bumps 30 is for electrically connecting the optical element 10 to the conductive layer of the support member, and the remaining bumps 30 may be used for electrical connection. , May not be used. The bumps 30 not used for electrical connection may be provided on a dummy electrode (not shown) or may be provided in other regions.
【0043】図2(C)に示すように、バンプ30に接
着剤36を設けることが好ましい。接着剤36は、導電
性の接着剤であることが好ましいが、絶縁性の接着剤で
あってもよい。接着剤36によって、図3(A)に示す
ように、支持部材42と光素子10とを固定することが
できる。As shown in FIG. 2C, it is preferable to provide an adhesive 36 on the bump 30. The adhesive 36 is preferably a conductive adhesive, but may be an insulating adhesive. As shown in FIG. 3A, the support member 42 and the optical element 10 can be fixed by the adhesive 36.
【0044】(第2工程)上述した工程とは別に又は同
時に、図3(A)に示すように、光ファイバ40に支持
部材42を設ける。光ファイバ40は、コアとこれを同
心円状に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッド
との境界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられ
て伝搬するものである。支持部材42は、樹脂で形成す
ることが好ましい。樹脂は、溶融された状態あるいは軟
化した状態で用意する。樹脂は、常温又は所定の温度以
下で固体になるとともに所定の温度を超えると溶融され
るものに限らない。例えば、樹脂は、常温で軟化した状
態であり、熱を加えたり光又は放射線を照射して硬化す
るものであってもよい。樹脂は、120℃程度以上の耐
熱性を有することが好ましく、液晶ポリマーやエポキシ
樹脂などが例に挙げられる。(Second Step) Separately or simultaneously with the above steps, as shown in FIG. 3A, a support member 42 is provided on the optical fiber 40. The optical fiber 40 includes a core and a clad that concentrically surrounds the core. Light is reflected at the boundary between the core and the clad, and the light is confined and propagated in the core. The support member 42 is preferably formed of a resin. The resin is prepared in a molten or softened state. The resin is not limited to a resin that becomes solid at room temperature or below a predetermined temperature and is melted above a predetermined temperature. For example, the resin may be in a softened state at normal temperature, and may be cured by applying heat or irradiating light or radiation. The resin preferably has heat resistance of about 120 ° C. or higher, and examples thereof include a liquid crystal polymer and an epoxy resin.
【0045】支持部材42は、光ファイバ40の端部に
設けられる。支持部材42は、光ファイバ40の先端面
44を避けて設けられることが好ましい。ここで、光フ
ァイバ40の先端面44は、少なくともコアの先端面で
ある。The support member 42 is provided at the end of the optical fiber 40. The support member 42 is preferably provided so as to avoid the distal end surface 44 of the optical fiber 40. Here, the distal end surface 44 of the optical fiber 40 is at least the distal end surface of the core.
【0046】支持部材42には、導電層48が形成され
ている。導電層48は、光素子10と他の部品とを電気
的に接続するときに利用することができる。導電層48
は、支持部材42における光ファイバ40の先端面44
と平行な表面50上に形成される。また、導電層48
は、支持部材42の周面に至るまで形成してもよいが、
導電層48は、光ファイバ40の先端面44上を避ける
ことが好ましい。導電層48は、光素子10と電気的に
接続されるので、必要に応じて、配線パターンになって
いてもよい。The conductive layer 48 is formed on the support member 42. The conductive layer 48 can be used when electrically connecting the optical element 10 to other components. Conductive layer 48
Is a tip surface 44 of the optical fiber 40 in the support member 42.
Is formed on the surface 50 parallel to. Also, the conductive layer 48
May be formed up to the peripheral surface of the support member 42,
It is preferable that the conductive layer 48 be avoided on the distal end surface 44 of the optical fiber 40. Since the conductive layer 48 is electrically connected to the optical element 10, it may have a wiring pattern as necessary.
【0047】(第3工程)図3(A)に示すように、支
持部材42に光素子10を搭載する。詳しくは、尖鋭の
バンプ30を導電層48に突き刺して、光素子10を支
持部材42に搭載する。こうして、光素子10に設けら
れたバンプ30と導電層48とが、簡単に電気的に接合
される。第1の電極14上に設けられたバンプ30と導
電層48とが接合されるので、第1の電極14と導電層
48とが電気的に接続される。また、第1の電極14上
のバンプ30と同様に、それ以外の箇所に設けられたバ
ンプ30も導電層48に接合されることで、光素子10
が安定して支持部材42に支持される。さらに、バンプ
30は、導電層48を貫通して支持部材42に突き刺さ
ることが好ましい。(Third Step) As shown in FIG. 3A, the optical element 10 is mounted on the support member 42. Specifically, the sharp bump 30 is pierced into the conductive layer 48, and the optical element 10 is mounted on the support member 42. Thus, the bump 30 provided on the optical element 10 and the conductive layer 48 are easily electrically connected. Since the bump 30 provided on the first electrode 14 and the conductive layer 48 are joined, the first electrode 14 and the conductive layer 48 are electrically connected. Similarly to the bump 30 on the first electrode 14, the bump 30 provided in other places is also joined to the conductive layer 48, so that the optical element 10
Are stably supported by the support member 42. Further, it is preferable that the bump 30 penetrates the conductive layer 48 and penetrates the support member 42.
【0048】以上の工程により製造された光モジュール
は、光ファイバ40、支持部材42及び光素子10を含
む。支持部材42は、光ファイバ40の端部にその先端
面44を避けて設けられている。また、支持部材42
は、光ファイバ40の先端面12とほぼ平行な表面50
を有し、少なくとも表面50に導電層48が形成されて
いる。光素子10は、光ファイバ40の先端面44に光
学的部分12を向けて支持部材42に搭載され、導電層
48に電気的に接続されている。The optical module manufactured by the above steps includes the optical fiber 40, the support member 42 and the optical element 10. The support member 42 is provided at the end of the optical fiber 40 so as to avoid the end face 44 thereof. The support member 42
Is a surface 50 substantially parallel to the distal end surface 12 of the optical fiber 40.
And a conductive layer 48 is formed on at least the surface 50. The optical element 10 is mounted on the support member 42 with the optical portion 12 facing the distal end face 44 of the optical fiber 40, and is electrically connected to the conductive layer 48.
【0049】さらに、図3(B)に示すように、光素子
10の第2の電極16と導電層48とを電気的に接続し
てもよい。例えば、ワイヤ52によって、第2の電極1
6と導電層48とを接続してもよい。この場合、導電層
48が配線パターンとなっており、導電層48における
第1の電極14と接続された部分と、導電層48におけ
る第2の電極16と接続された部分と、が切り離されて
いることが好ましい。Further, as shown in FIG. 3B, the second electrode 16 of the optical element 10 and the conductive layer 48 may be electrically connected. For example, the second electrode 1
6 and the conductive layer 48 may be connected. In this case, the conductive layer 48 has a wiring pattern, and a portion of the conductive layer 48 connected to the first electrode 14 and a portion of the conductive layer 48 connected to the second electrode 16 are separated. Is preferred.
【0050】ワイヤ52の代わりに、銀ペーストなどの
導電性ペーストを、第2の電極16及び導電層48の間
に設けてもよい。これによれば、ボンディングが不要で
あるため、簡単に電気的な接続を図ることができる。A conductive paste such as a silver paste may be provided between the second electrode 16 and the conductive layer 48 instead of the wires 52. According to this, since no bonding is required, electrical connection can be easily achieved.
【0051】本発明は、上記実施の形態に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実
施の形態では、光ファイバ40の一方の端部に支持部材
42が設けられて、これに光素子10が搭載されたもの
であるが、光ファイバ40の両方の端部に同じ工程で光
素子10を搭載してもよい。すなわち、本発明は、光フ
ァイバ40の両方の端部に光素子10が搭載された光モ
ジュールも含む。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, the support member 42 is provided at one end of the optical fiber 40, and the optical element 10 is mounted on the support member 42. However, the same process is performed on both ends of the optical fiber 40. Alternatively, the optical element 10 may be mounted. That is, the present invention includes an optical module in which the optical element 10 is mounted on both ends of the optical fiber 40.
【0052】次に、図4には、図3(B)に示す光モジ
ュールに、基板60及び半導体チップ70が付加された
例が示されている。Next, FIG. 4 shows an example in which a substrate 60 and a semiconductor chip 70 are added to the optical module shown in FIG.
【0053】基板60は、有機系又は無機系のいずれの
材料から形成されたものであってもよく、これらの複合
構造からなるものであってもよい。基板60には、配線
パターン62が形成されている。また、基板60には、
複数の外部端子64が設けられている。外部端子64
は、配線パターン62に電気的に接続されている。例え
ば、基板60の一方の面に配線パターン62が形成さ
れ、他方の面に外部端子64が設けられ、基板60に形
成されたスルーホールを介して、配線パターン62に外
部端子64が電気的に接続されていてもよい。外部端子
64として、ハンダボールを使用してもよい。The substrate 60 may be formed of either an organic or inorganic material, or may be formed of a composite structure of these. The wiring pattern 62 is formed on the substrate 60. In addition, the substrate 60 includes
A plurality of external terminals 64 are provided. External terminal 64
Are electrically connected to the wiring pattern 62. For example, a wiring pattern 62 is formed on one surface of the substrate 60, and external terminals 64 are provided on the other surface, and the external terminals 64 are electrically connected to the wiring pattern 62 through through holes formed in the substrate 60. It may be connected. A solder ball may be used as the external terminal 64.
【0054】基板60には、半導体チップ70が搭載さ
れている。半導体チップ70は、光素子10を駆動する
ための回路を内蔵している。図4には、半導体チップ7
0をフェースアップボンディングした例が示してある。
この場合、例えば、基板60上で、配線パターン62を
避けて半導体チップ70を接着剤72で接着してもよ
い。あるいは、配線パターン62の上に、絶縁性の接着
剤で、半導体チップ70を接着してもよい。半導体チッ
プ70をフェースダウンボンディングする場合には、配
線パターン62上に、異方性導電膜などの異方性導電材
料を使用したり、ハンダなどの金属接合によって、半導
体チップ70を基板60に固定する。A semiconductor chip 70 is mounted on the substrate 60. The semiconductor chip 70 has a built-in circuit for driving the optical element 10. FIG. 4 shows a semiconductor chip 7.
0 shows an example of face-up bonding.
In this case, for example, the semiconductor chip 70 may be bonded on the substrate 60 with the adhesive 72 while avoiding the wiring pattern 62. Alternatively, the semiconductor chip 70 may be bonded onto the wiring pattern 62 with an insulating adhesive. When the semiconductor chip 70 is subjected to face-down bonding, the semiconductor chip 70 is fixed to the substrate 60 by using an anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive film on the wiring pattern 62 or by bonding metal such as solder. I do.
【0055】半導体チップ70と光素子10とは電気的
に接続されている。例えば、半導体チップ70の電極7
4と、支持部材42の導電層48と、をワイヤ76で接
続してもよい。この場合、光素子10の電極(図4では
第2の電極16)と、導電層48とが電気的に接続され
ていれば、導電層48を介して、半導体チップ70と光
素子10とが電気的に接続される。なお、支持部材42
における光素子10が搭載された面と、これ以外の面
(例えば側面)に、導電層48が連続して形成されてい
るときには、光素子10が搭載された面以外の面で、導
電層48と半導体チップ70とを電気的に接続すること
が好ましい。これによれば、光素子10を避けているの
で、導電層48と半導体チップ70との電気的接続手段
(例えばワイヤ76)が光素子10と接触することを防
止できる。また、光素子10の搭載領域を避けているの
で、導電層48の広い面積を、半導体チップ70との電
気的接続に利用することができる。The semiconductor chip 70 and the optical element 10 are electrically connected. For example, the electrode 7 of the semiconductor chip 70
4 and the conductive layer 48 of the support member 42 may be connected by a wire 76. In this case, if the electrode of the optical element 10 (the second electrode 16 in FIG. 4) and the conductive layer 48 are electrically connected, the semiconductor chip 70 and the optical element 10 are connected via the conductive layer 48. Electrically connected. The support member 42
When the conductive layer 48 is continuously formed on the surface on which the optical element 10 is mounted and the other surface (for example, side surface), the conductive layer 48 is formed on the surface other than the surface on which the optical element 10 is mounted. And the semiconductor chip 70 are preferably electrically connected. According to this, since the optical element 10 is avoided, the electrical connection means (for example, the wire 76) between the conductive layer 48 and the semiconductor chip 70 can be prevented from contacting the optical element 10. Further, since the mounting region of the optical element 10 is avoided, a large area of the conductive layer 48 can be used for electrical connection with the semiconductor chip 70.
【0056】半導体チップ70は、配線パターン62と
電気的に接続されていてもよい。例えば、半導体チップ
70の図示しない電極と配線パターン62とを、図示し
ないワイヤで接続してもよい。The semiconductor chip 70 may be electrically connected to the wiring pattern 62. For example, an electrode (not shown) of the semiconductor chip 70 and the wiring pattern 62 may be connected by a wire (not shown).
【0057】光素子10も、配線パターン62と電気的
に接続されていてもよい。例えば、支持部材42に形成
された導電層48と配線パターン62とが接合されてい
てもよい。具体的には、導電性の接着剤を使用したり、
金属接合によって、導電層48と配線パターン62とを
接合することができる。詳しくは、光素子10の電極
(図4では第1の電極14)と導電層48とがバンプ3
0を介して接合されている。支持部材42には、光素子
10が搭載される面と、これ以外の面(例えば側面)に
連続的に導電層48が形成されている。導電層48のう
ち、光素子10搭載される面以外の面に形成された部分
と、配線パターン62を接合することができる。The optical element 10 may also be electrically connected to the wiring pattern 62. For example, the conductive layer 48 formed on the support member 42 and the wiring pattern 62 may be joined. Specifically, using a conductive adhesive,
The conductive layer 48 and the wiring pattern 62 can be joined by metal joining. Specifically, the electrode of the optical element 10 (the first electrode 14 in FIG. 4) and the conductive layer 48 are
0. The conductive layer 48 is continuously formed on the support member 42 on the surface on which the optical element 10 is mounted and on the other surface (for example, the side surface). In the conductive layer 48, a portion formed on a surface other than the surface on which the optical element 10 is mounted can be joined to the wiring pattern 62.
【0058】以上の構成によって、光素子10、配線パ
ターン62及び半導体チップ70が、電気的に接続され
る。配線パターン62には外部端子64が電気的に接続
されているので、外部端子64と、光素子10及び半導
体チップ70と、が電気的に接続される。With the above configuration, the optical element 10, the wiring pattern 62 and the semiconductor chip 70 are electrically connected. Since the external terminals 64 are electrically connected to the wiring pattern 62, the external terminals 64, the optical element 10, and the semiconductor chip 70 are electrically connected.
【0059】図4に示す光モジュールでは、封止部80
が形成されている。封止部80は、支持部材42と光素
子10と半導体チップ70との少なくとも電気的な接続
部を封止している。封止部80は、第1の樹脂部82
と、第2の樹脂部84と、で構成される。In the optical module shown in FIG.
Are formed. The sealing portion 80 seals at least an electrical connection between the support member 42, the optical element 10, and the semiconductor chip 70. The sealing portion 80 includes a first resin portion 82
And a second resin portion 84.
【0060】第1の樹脂部82は、支持部材42と光素
子10との電気的な接続部を封止する。例えば、光素子
10の電極(図4では第2の電極16)とワイヤ78と
の電気的な接続部や、ワイヤ78と支持部材42に形成
された導電層48との電気的な接続部や、光素子10の
電極(図4では第1の電極14)と支持部材42に形成
された導電層48とを電気的に接続するバンプ30等
が、第1の樹脂部82で封止されている。また、第1の
樹脂部82は、支持部材42と他の部品との電気的な接
続部や、光素子10と他の部品との電気的な接続部を封
止してもよい。例えば、第1の樹脂部82は、基板60
に形成された配線パターン62と、支持部材42に形成
された導電層48との電気的な接続部を封止してもよ
い。また、第1の樹脂部82は、半導体チップ70に接
続されるワイヤ76と、支持部材42に形成された導電
層48との電気的な接続部を封止してもよい。さらに、
第1の樹脂部82は、支持部材42及び光素子10の少
なくとも一方、好ましくは両方を封止してもよい。The first resin portion 82 seals an electrical connection between the support member 42 and the optical element 10. For example, an electrical connection between the electrode of the optical element 10 (the second electrode 16 in FIG. 4) and the wire 78, an electrical connection between the wire 78 and the conductive layer 48 formed on the support member 42, The bumps 30 for electrically connecting the electrode of the optical element 10 (the first electrode 14 in FIG. 4) and the conductive layer 48 formed on the support member 42 are sealed with the first resin portion 82. I have. The first resin portion 82 may seal an electrical connection between the support member 42 and another component or an electrical connection between the optical element 10 and another component. For example, the first resin portion 82 is
The electrical connection between the wiring pattern 62 formed on the support member 42 and the conductive layer 48 formed on the support member 42 may be sealed. Further, the first resin portion 82 may seal an electrical connection portion between the wire 76 connected to the semiconductor chip 70 and the conductive layer 48 formed on the support member 42. further,
The first resin portion 82 may seal at least one, preferably both of the support member 42 and the optical element 10.
【0061】第2の樹脂部84は、第1の樹脂部82と
半導体チップ70とを封止する。特に、第2の樹脂部8
4は、半導体チップ70と他の部品との電気的な接続部
を封止する。例えば、第2の樹脂部84は、半導体チッ
プ70の電極74とワイヤ76との電気的な接続部を封
止する。さらに、第2の樹脂部84は、光ファイバ40
の一部を封止して、支持部材42からの抜け止めを図る
ことが好ましい。The second resin portion 84 seals the first resin portion 82 and the semiconductor chip 70. In particular, the second resin portion 8
Reference numeral 4 seals an electrical connection between the semiconductor chip 70 and another component. For example, the second resin portion 84 seals an electrical connection between the electrode 74 of the semiconductor chip 70 and the wire 76. Further, the second resin portion 84 is provided in the optical fiber 40.
Is preferably sealed to prevent the support member 42 from coming off.
【0062】第1の樹脂部82は、第2の樹脂部84よ
りも柔軟性が高いことが好ましい。例えば、第1の樹脂
部82が第2の樹脂部84よりも、収縮又は膨張したと
きに生じる応力が低いことが好ましい。あるいは、第1
の樹脂部82が第2の樹脂部84よりも、外部から加え
られた応力を吸収しやすいことが好ましい。柔軟性が高
い第1の樹脂部82によって、支持部材42と光素子1
0との電気的な接続部分を保護することができる。一
方、第2の樹脂部84は、第1の樹脂部82ほど柔軟性
の高さが要求されないので、材料選択の幅が拡がる。It is preferable that the first resin portion 82 has higher flexibility than the second resin portion 84. For example, it is preferable that the stress generated when the first resin portion 82 contracts or expands is lower than that of the second resin portion 84. Or the first
It is preferable that the resin portion 82 absorbs the stress applied from the outside more easily than the second resin portion 84. The first resin portion 82 having high flexibility allows the support member 42 and the optical element 1
0 can be protected electrically. On the other hand, the second resin portion 84 is not required to be as flexible as the first resin portion 82, so that the range of material selection is expanded.
【0063】図5は、本発明を適用した実施の形態に係
る光伝達装置を示す図である。光伝送装置90は、コン
ピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子
機器92を相互に接続するものである。電子機器92
は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置90は、
ケーブル94の両端にプラグ96が設けられたものであ
ってもよい。ケーブル94は、1つ又は複数(少なくと
も一つ)の光ファイバ40を含む。光ファイバ40の両
端部には支持部材42(図3(A)参照)が設けられて
いる。光ファイバ40と支持部材42との取り付け状態
は、上述した通りである。プラグ96は、支持部材42
を内蔵し、支持部材42は基板60に取り付けられてい
ても良く、基板60には半導体チップ70が搭載されて
いてもよい(図4参照)。FIG. 5 is a diagram showing an optical transmission device according to an embodiment to which the present invention is applied. The optical transmission device 90 interconnects electronic devices 92 such as a computer, a display, a storage device, and a printer. Electronic equipment 92
May be an information communication device. The optical transmission device 90
The cable 94 may be provided with plugs 96 at both ends. The cable 94 includes one or more (at least one) optical fibers 40. At both ends of the optical fiber 40, support members 42 (see FIG. 3A) are provided. The mounting state of the optical fiber 40 and the support member 42 is as described above. The plug 96 is connected to the support member 42.
And the support member 42 may be attached to the substrate 60, and the semiconductor chip 70 may be mounted on the substrate 60 (see FIG. 4).
【0064】光ファイバ40に接続される一方の支持部
材42に搭載される光素子10は、発光素子である。一
方の電子機器92から出力された電気信号は、発光素子
である光素子10によって光信号に変換される。光信号
は光ファイバを伝わり、他方の支持部材42に搭載され
る光素子10に入力される。この光素子10は、受光素
子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。
電気信号は、他方の電子機器92に入力される。こうし
て、本実施の形態に係る光伝達装置90によれば、光信
号によって、電子機器92の情報伝達を行うことができ
る。The optical element 10 mounted on one support member 42 connected to the optical fiber 40 is a light emitting element. An electric signal output from one electronic device 92 is converted into an optical signal by the optical element 10 which is a light emitting element. The optical signal travels through the optical fiber and is input to the optical element 10 mounted on the other support member 42. The optical element 10 is a light receiving element, and converts an input optical signal into an electric signal.
The electric signal is input to the other electronic device 92. Thus, according to the optical transmission device 90 according to the present embodiment, information transmission of the electronic device 92 can be performed by an optical signal.
【図1】図1(A)〜図1(C)は、本発明を適用した
実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図であ
る。FIGS. 1A to 1C are diagrams showing a method of manufacturing an optical module according to an embodiment to which the present invention is applied.
【図2】図2(A)〜図2(C)は、本発明を適用した
実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図であ
る。FIGS. 2A to 2C are diagrams illustrating a method for manufacturing an optical module according to an embodiment to which the present invention is applied.
【図3】図3(A)及び図3(B)は、本発明を適用し
た実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図で
ある。FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating a method for manufacturing an optical module according to an embodiment to which the present invention is applied.
【図4】図4は、本発明を適用した実施の形態に係る光
モジュールを示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an optical module according to an embodiment to which the present invention is applied.
【図5】図5は、本発明を適用した実施の形態に係る光
伝達装置を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an optical transmission device according to an embodiment to which the present invention is applied.
10 光ファイバ 12 光学的部分 14 第1の電極 16 第2の電極 22 導電線 30 バンプ 32 中心部 34 表面部 36 接着剤 40 光ファイバ 42 支持部材 44 先端面 48 導電層 60 基板 70 半導体チップ 80 樹脂部 82 第1の樹脂部 84 第2の樹脂部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical fiber 12 Optical part 14 1st electrode 16 2nd electrode 22 Conductive wire 30 Bump 32 Central part 34 Surface part 36 Adhesive 40 Optical fiber 42 Supporting member 44 Tip surface 48 Conductive layer 60 Substrate 70 Semiconductor chip 80 Resin Part 82 First resin part 84 Second resin part
Claims (17)
支持部材と、 尖鋭形状をなして前記導電層に係止され電気的に接続さ
れる少なくとも一つのバンプを有する光素子と、 を含む光モジュール。An optical fiber, a support member provided on the optical fiber and having a conductive layer formed thereon, and at least one bump formed in a sharp shape and locked to and electrically connected to the conductive layer. An optical element comprising: and an optical module comprising:
は、前記導電層を貫通して前記支持部材に突き刺さって
いる光モジュール。2. The optical module according to claim 1, wherein the support member is formed of a resin, and the bump penetrates the conductive layer and penetrates the support member.
ルにおいて、 前記バンプと前記導電層とは、接着剤で固定されている
光モジュール。3. The optical module according to claim 1, wherein the bump and the conductive layer are fixed with an adhesive.
の光モジュールにおいて、 前記バンプは、少なくとも中心部と前記中心部を覆う表
面層とを有し、 前記中心部よりも前記表面層は、硬い材質からなる光モ
ジュール。4. The optical module according to claim 1, wherein the bump has at least a central part and a surface layer covering the central part, and the surface layer is more than the central part. Is an optical module made of hard material.
の光モジュールにおいて、 前記支持部材は、前記光ファイバの端部に先端面を避け
て設けられており、前記光ファイバの前記先端面とほぼ
平行な表面を有し、 前記光素子は、前記光ファイバの前記先端面に光学的部
分を向けて前記支持部材に搭載されている光モジュー
ル。5. The optical module according to claim 1, wherein the support member is provided at an end of the optical fiber so as to avoid a distal end face, and the distal end of the optical fiber is provided. An optical module having a surface substantially parallel to a surface, wherein the optical element is mounted on the support member with an optical part directed toward the distal end surface of the optical fiber.
の光モジュールにおいて、 前記光素子は、第1及び第2の電極を有し、 前記第1の電極上に前記バンプが設けられており、 前記第2の電極と前記導電層とが電気的に接続されてい
る光モジュール。6. The optical module according to claim 1, wherein the optical element has first and second electrodes, and the bump is provided on the first electrode. An optical module, wherein the second electrode and the conductive layer are electrically connected.
の光モジュールにおいて、 前記光ファイバが取り付けられる基板と、 前記光素子を駆動するための半導体チップと、 を有し、 前記光ファイバに設けられた前記導電層と前記半導体チ
ップとが電気的に接続されている光モジュール。7. The optical module according to claim 1, further comprising: a substrate on which the optical fiber is mounted; and a semiconductor chip for driving the optical element. An optical module in which the conductive layer provided on the substrate is electrically connected to the semiconductor chip.
少なくとも電気的な接続部を封止する封止部をさらに有
する光モジュール。8. The optical module according to claim 7, further comprising a sealing portion for sealing at least an electrical connection between the optical element, the conductive layer, and the semiconductor chip.
続部を封止する第1の樹脂部と、前記第1の樹脂部と前
記半導体チップとを封止する第2の樹脂部と、を含む光
モジュール。9. The optical module according to claim 8, wherein the sealing portion seals an electrical connection between the optical element and the conductive layer, and the first resin. An optical module, comprising: a first resin part for sealing the semiconductor chip;
て、 前記第1の樹脂部は、前記第2の樹脂部よりも柔軟性が
高い光モジュール。10. The optical module according to claim 9, wherein the first resin portion has higher flexibility than the second resin portion.
バと、 発光部を前記前記光ファイバの一方の端面に向けて前記
光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
た発光素子と、 受光部を前記前記光ファイバの他方の端面に向けて前記
光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
た受光素子と、 を含む光伝達装置。11. An optical fiber having conductive layers formed on both ends, and a light emitting unit mounted on the optical fiber with a light emitting unit facing one end face of the optical fiber and electrically connected to the conductive layer. An optical transmission device, comprising: an element; and a light receiving element mounted on the optical fiber with a light receiving portion facing the other end face of the optical fiber, and electrically connected to the conductive layer.
て、 前記発光素子に接続されるプラグと、 前記受光素子に接続されるプラグと、 をさらに含む光伝達装置。12. The light transmission device according to claim 11, further comprising: a plug connected to the light emitting element; and a plug connected to the light receiving element.
程と、 光ファイバに導電層を形成する第2工程と、 前記導電層に前記バンプを突き刺して、前記導電層と前
記バンプとを電気的に接続するとともに、前記光素子を
前記支持部材に搭載する第3工程と、 を含む光モジュールの製造方法。13. A first step of providing a sharp bump on an optical element, a second step of forming a conductive layer on an optical fiber, and piercing the bump into the conductive layer to electrically connect the conductive layer and the bump. And a third step of mounting the optical element on the support member while electrically connecting the optical element.
方法において、 前記第1工程は、 導電線を前記光素子にボンディングする工程と、 前記ボンディングされた導電線を、その一部を前記光素
子に残して前記バンプを形成する工程と、 を含む光モジュールの製造方法。14. The method for manufacturing an optical module according to claim 13, wherein the first step is a step of bonding a conductive line to the optical element, and a step of bonding the bonded conductive line to a part of the optical element. Forming the bumps while leaving the bumps in the optical module.
方法において、 前記バンプを形成する工程は、前記導電線のうち前記光
素子に残された部分に、前記導電線よりも硬い材質の材
料からなる表面層を形成する工程を含む光モジュールの
製造方法。15. The method for manufacturing an optical module according to claim 14, wherein the step of forming the bumps comprises forming a portion of the conductive wire remaining on the optical element from a material of a material harder than the conductive wire. A method for manufacturing an optical module, comprising a step of forming a surface layer.
に記載の光モジュールの製造方法において、 前記第2工程で、前記バンプと前記導電層とを接着剤で
固定する光モジュールの製造方法。16. The method for manufacturing an optical module according to claim 13, wherein in the second step, the bump and the conductive layer are fixed with an adhesive.
に記載の光モジュールの製造方法において、 前記光素子は、第1及び第2の電極を有し、前記バンプ
は、前記第1の電極上に設けられており、 前記第2工程後に、前記第2の電極と前記導電層とを電
気的に接続する工程をさらに含む光モジュールの製造方
法。17. The method for manufacturing an optical module according to claim 13, wherein said optical element has first and second electrodes, and said bumps are said first electrodes. A method of manufacturing an optical module, the method further comprising: after the second step, electrically connecting the second electrode and the conductive layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11169658A JP2000357804A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Optical module, method of manufacturing the same, and optical transmission device |
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JP11169658A JP2000357804A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Optical module, method of manufacturing the same, and optical transmission device |
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ID=15890546
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JP11169658A Withdrawn JP2000357804A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Optical module, method of manufacturing the same, and optical transmission device |
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005017684A (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nec Corp | Optical module and method for manufacturing the same |
US7198412B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Holder of optical transmission lines and multi-core optical wave-guide |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP11169658A patent/JP2000357804A/en not_active Withdrawn
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