JP2000348398A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生時に磁壁の移動を利用した超高密度の光
磁気記録媒体の製造方法を提供する。 【解決手段】 媒体表面の各トラック間に突起を有する
光磁気記録媒体の側面からイオンビームを照射して、そ
の光磁気記録媒体の磁性層の一部を一括して分断するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生時に磁壁の移
動を利用した超高密度の光磁気記録媒体およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体として光
磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気デ
ィスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要求
が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光学
系のレーザー波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡに大き
く依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ／λ程度が
検出可能な限界である。したがって、従来の光ディスク
で高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー
波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする
必要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズ
の開口数の改善にも限界がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する技術
がいくつか提案されている。

【０００３】例えば、本発明者らは、特開平６−２９０
４９６号において、再生信号振幅を低下させることなく
光の回折限界以下の周期の信号を高速で再生可能とした
光磁気記録媒体及びその再生方式及びその再生装置を提
案している。すなわち、光磁気記録媒体の再生層に光ビ
ーム等の加熱手段によって温度分布を形成すると、磁壁
エネルギー密度に分布が生じるために、磁壁エネルギー
の低い方に磁壁を瞬時に移動させることができる。この
結果、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（すな
わち、記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振
幅となる。すなわち、線記録密度向上に伴う再生出力の
必然的な低下が大幅に改善され、さらなる高密度化が可
能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平６−２９０
４９６号によると、磁壁の移動は、同一トラック上で
（トラック方向に）起こる現象であり、磁性層はトラッ
ク間で互いに分断（すなわち、磁気的に分離）されてい
ることが必須となっている。このような閉じていない磁
区（分断された磁壁）を作成する方法として、特開平６
−２９０４９６号では、矩形の深溝基板を用いる方法
と、溝部分をレーザーでアニール照射して磁気的に変質
させる方法を提案しているが、矩形の深溝基板について
は、成形時の転写性に問題があり、また、アニール処理
を行なった場合には、アニールによって磁気特性が劣化
している部分（磁性層が変質している部分）の面積がレ
ーザーの温度分布に依存していることから、アニール処
理による磁性層の変質部分が所望のトラック以外にも広
がっている可能性があり、その場合、実際の情報データ
部として使える面積が狭まり、トラック密度が減少する
という問題がある。また、アニール処理は、ディスク全
面に行なうと媒体のコストアップに繋がり、媒体の量産
性を考慮した場合、問題である。

【０００５】また、磁壁移動型の光磁気記録媒体に限ら
ず、高密度の光磁気記録媒体及び磁気記録媒体におい
て、トラック密度を向上させてゆくと、隣接トラック間
のクロスライトやクロスイレースの問題で、トラック間
の分断は必須の技術となってきている。しかし、現状で
は媒体の量産性を考慮したトラック間分断技術は確立さ
れていない。

【０００６】本発明は、従来技術の問題点を解決し超高
密度の磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、その表面に、各トラックを分断するために形成され
た突起を有し、磁性層を形成した後に、この突起に対し
て、イオンビームスパッタリング法を用いてイオンビー
ムを照射し、この突起の先端部をエッチングするという
方法を用いて突起先端部の磁性層を除去して磁性層を分
断した光磁気記録媒体である。ここで、突起とは、隣接
するトラック間にトラックに沿ってディスク円周方向に
形成された連続した凸部である。

【０００８】また、本発明の光磁気記録媒体は、特開平
６−２９０４９６号で開示した膜構成であり、すなわ
ち、少なくとも、第１、第２、第３の磁性層が順次積層
されている光磁気記録媒体であって、第１の磁性層は、
周囲温度近傍において第３の磁性層に比べて相対的に磁
壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層（移動層か
つ再生層）であり、第２の磁性層は第１の磁性層及び第
３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層（スイッチ
ング層）からなり、第３の磁性層は磁区の保存安定性に
優れた通常の磁気記録層（メモリ層）である。この場
合、磁性層の分断効果が記録再生特性に与える影響が大
きい。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明によると、該光磁気記録媒
体の磁性層の磁気的分断が一括で可能となる。ここで、
本発明を実現するための媒体の表面形状は、基板を従来
の製造方法（射出成形やガラス２Ｐ法等）を用いて形成
することで可能であり、また、イオンビームによるエッ
チングは従来技術であることから、本発明を実現する上
で特別困難な技術は不要である。すなわち、目的の媒体
を製造する上で、アニール処理と比較すると、コストが
大幅に低減される。また、アニール処理と比較すると、
突起の物理的なエッチング（突起上部の除去）法は、エ
ッチングする部分の面積を極めて少なく調整することが
可能であるため、有効なトラック面積を最大限確保する
ことができることから、高トラック密度化に有利であ
る。

【００１０】また、本発明は、磁壁移動再生型の光磁気
記録媒体に限定されず、クロスライトやクロスイレース
の低減を目的とした高密度なあらゆる磁気記録媒体にも
適用される。

【００１１】

【実施例】以下、本発明を適用した実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１２】図１は、本発明の光磁気記録媒体の一例
で、ポリカーボネート基板１１は、ランド部の断面が三
角形になるような角状であり、ランド部は磁性層の分断
を目的としたガードバンド部１３となっている。該ポリ
カーボネート基板１１上に磁性層等の積層薄膜１５を形
成した後、図２に示したように、媒体の側面からイオン
ビーム２２を照射することによって、ランド部（突起２
５）の先端部２６のみをエッチングする。ランド部に
は、グルーブ部（トラック幅１２）と比較して、極薄の
薄膜が堆積しているが（図１、図２には示していな
い）、イオンビーム２２によるエッチングで磁性層が断
続的に除去されるため（磁性層が不連続となる）、磁性
層の磁気的分断が達成される。

【００１３】図３、図５は、本発明の他の実施例で、基
板形状として、イオンビームで削りたい（エッチングし
たい）部分を突起とすることによって、図１、図２で説
明した実施例と同様の効果が得られる。これらは、イオ
ンビームスパッタリング装置において、イオンビームを
突起側面から照射した場合、突起の先端が集中してエッ
チングされる現象（いわゆるバリ取り）を利用してい
る。

【００１４】図８は、イオンビームスパッタリング装置
の概要図である。光磁気ディスク８３は突起形成部分が
上面（基板ホルダー８４側を下面とする）になるように
基板ホルダー８４に固定され、基板ホルダー８４はモー
ター８５で定速回転している。イオン源８１に対して、
光磁気ディスク８３を垂直に配置し、イオンビーム８２
が媒体に対してほぼ平行（ビーム入射角±１０°以下、
好ましくはビーム入射角０°）に照射するようにした。
エッチング条件は、装置の種類や大きさによっても異な
るが、例えば、ビーム径１００ｍｍφのバケット型イオ
ン源を用いた場合、ビーム電圧を４００ｅＶ〜１０００
ｅＶ、ビーム電流を１００ｍＡ〜２００ｍＡの範囲で調
整することによって、数秒間で、ディスクの突起上部か
ら、長さ２０ｎｍ程度までエッチングする（削る）こと
ができる。

【００１５】図７は、本発明を適用した光磁気記録媒体
の一つとして、磁壁移動再生型の光磁気記録媒体の膜構
成を示した模式的断面図である。

【００１６】透明基板７１上に、第１の誘電体層７２、
磁性層７３、第２の誘電体層７４が順に積層形成されて
いる。

【００１７】透明基板７１としては、例えば、ガラス、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑
性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。

【００１８】磁性層７３は、単層であっても積層であっ
てもよく、特に限定されないが、発明者らが特開平６−
２９０４９６号で開示した第１、第２、第３の磁性層を
形成したものが適している。すなわち、第１の磁性層７
３１は周囲温度近傍において第３の磁性層に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層（移
動層かつ再生層）であり、第２の磁性層７３２は第１の
磁性層及び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性
層（スイッチング層）からなり、第３の磁性層７３３
は、磁区の保存安定性に優れた磁気記録層（メモリ層）
である。

【００１９】各磁性層は、スパッタリングや真空蒸着等
の物理的蒸着法で連続成膜され、第１、第２、第３の磁
性層は互いに交換結合あるいは静磁結合をしている。

【００２０】磁性層７３１としては、例えば、ＧｄＣｏ
系、ＧｄＦｅ系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＴｂＣｏ系などの磁
気異方性の比較的小さな希土類−鉄族非晶質合金やガー
ネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。

【００２１】磁性層７３２としては、例えば、Ｃｏ系あ
るいはＦｅ系合金磁性層で、キュリー温度が磁性層７３
１及び磁性層７３３より小さく、飽和磁化の値が磁性層
７３３より小さいものが好ましい。ここで、キュリー温
度は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の添加量で調整可能である。

【００２２】磁性層７３３としては、例えば、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−
鉄属非晶質合金や、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金
族−鉄属周期構造膜など、垂直磁気異方性が大きく、安
定に磁化状態が保持できるものが好ましい。

【００２３】誘電体層７２、７４は特に限定されない
が、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＺｎＳ等が好ましい。また、誘
電体層７４上には必要に応じて紫外線樹脂等からなる保
護層７５を形成してもよい。なお、誘電体層７４と保護
層７５は、媒体を保護する観点からは、突起をイオンビ
ームでエッチングした後に形成するのが好ましい。

【００２４】イオンビームによって突起が削られている
ことの観察は、ＦＥ−ＳＥＭ（Field Emission Scannin
g Electron Microscope）で行なった。加速電圧は１０
ＫＶ、倍率は約４０，０００倍で観察した。また、イオ
ンビームで突起が削られた後の媒体の最終形状について
は、ＡＦＭ（Atomic Force Microscopy）を用いて確認
した。

【００２５】光磁気記録媒体の記録再生特性は、ナカミ
チの標準評価装置で行なった。波長は６８０ｎｍ、ＮＡ
０．６、最短記録マーク長０．１５μｍ、線速１．５ｍ
／ｓｅｃの条件下で評価した。

【００２６】以下に具体的な実施例をもって本発明をさ
らに詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。

【００２７】実施例１図１は本発明の光磁気記録媒体の
ディスク半径方向の模式的断面図、図７は膜の層構成を
示した模式的断面図である。図１において、ポリカーボ
ネート基板１１は、グルーブ幅（トラック幅１２）が
０．９μｍ、突起でありかつガードバンドとなっている
ランド部のランド幅１３が０．３μｍ、ランド高さ１４
が２００ｎｍのランド＆グルーブ基板である。

【００２８】ポリカーボネート基板１１上に、以下に示
した順に積層薄膜１５を形成した。積層薄膜１５を図７
で説明すると、ポリカーボネート基板７１上に第１の誘
電体層（干渉層）としてＳｉＮ層７２を９０ｎｍ形成
し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣ
ｒ層７３１を３０ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング
層）としてＴｂＦｅＣｒ層７３２を１０ｎｍ、第３の磁
性層（メモリ層）としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層７３３を８
０ｎｍを順次スパッタリング形成した。

【００２９】このようにして得られた光磁気記録媒体の
断面形状をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、図１の模式
図に示したように、積層薄膜１５がグルーブ面（トラッ
ク幅１２と表示）では蒲鉾型形状であり、ランド部（突
起部）では極薄の薄膜（図１には示されていないが、膜
厚がグルーブ部の約１／５程度）になっていた。

【００３０】次に、図８に示したイオンビームスパッタ
リング装置を用いて光磁気記録媒体８３のエッチングを
行なった。光磁気記録媒体８３は突起２５形成部を上面
にして、イオンビーム８２が基板上面に対して平行（ビ
ーム入射角０°）にあたるように配置した。エッチング
条件は、ビーム電圧６５０ｅＶ、ビーム電流１００ｍ
Ａ、エッチング時間を３０秒とした。

【００３１】イオンビーム照射後の媒体の断面形状をＦ
Ｅ−ＳＥＭで観察したところ、突起部分（ランド部）の
みが若干削られていた。このことは、図２に示したよう
に、突起部２５の先端部分２６のみがイオンビーム２２
で削られた結果である。ＡＦＭでイオンビームエッチン
グ後の突起高さを測定したところ、約１５０ｎｍであっ
た。すなわち、イオンビームにより約５０ｎｍエッチン
グされたことになる。続いて、第２の誘電体層（保護
層）としてＳｉＮ層７４を５０ｎｍスパッタ形成し、保
護層７５として紫外線硬化樹脂を１０μｍ塗布形成し
た。

【００３２】このようにして得られた光磁気ディスクを
汎用の光ディスクの評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をデータトラック部１２（グルーブ面）
に記録した。ランド部のアニール処理は行なっていな
い。

【００３３】このようにして得られた光磁気ディスク
を、発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４
９６参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎ
ｍ、ＮＡ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）に
おいて、Ｃ／Ｎ ３９．５ｄＢ、ジッター ６．０ｎｓｅ
ｃが再現性よく得られた。エラーレートは実用上全く問
題の無いレベルであった。

【００３４】以上の結果より、イオンビームによる媒体
突起部の一括エッチング工程を用いることによって、光
磁気ディスクの磁性層の分断を一括に行なうことが可能
となった。また、本発明で得られた磁壁移動型の光磁気
記録媒体は、アニール処理を施した磁壁移動型の光磁気
記録媒体と同等の記録再生特性であることが確認された
ことから、本発明により、量産性のある高密度な光磁気
記録媒体の提供が可能となった。

【００３５】比較例１ 実施例１において、イオンビームによるエッチング工程
を行なわなかったほかは実施例１と同じ基板と工程を用
いて光磁気記録媒体を作成した。イオンビームによるエ
ッチングを行なっていないので、ランド高さ１４は２０
０ｎｍのままであった。

【００３６】このようにして得られた光磁気ディスク
を、実施例１と同じ評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をデータトラック部１２（グルーブ面）
に記録した。実施例１と同様、ランド面のアニール処理
は行なっていない。

【００３７】このようにして得られた記録トラックを、
発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を利用
した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６
参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎｍ、Ｎ
Ａ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）におい
て、Ｃ／Ｎ ３７．５ｄＢ、ジッター ８．５ｎｓｅｃで
あった。エラーレートは実施例１と比較すると約５０倍
以上劣化し、実用上問題であった。

【００３８】以上の結果より、本比較例の媒体は、図１
の媒体断面図で示すと、突起部（ランド部）先端のエッ
チングを行なわなかったために、磁性層の分断が不十分
であったことからＣ／Ｎとジッターが低下した、すなわ
ち、磁壁の移動現象が得られにくくなったと推測され
る。

【００３９】実施例２ 図３に示した形状の基板を用意した。すなわち、図３に
おいて、ポリカーボネート基板３１は、ランド幅３８が
０．７μｍ、グルーブ幅３２が０．７μｍ、突起であり
かつガードバンド部となっているガードバンドの幅３３
が０．１μｍ、突起高さ３７が４００ｎｍ、ランド高さ
が１５０ｎｍのランド＆グルーブ基板である。

【００４０】この基板を用いて、実施例１と同様に第３
の磁性層まで形成して、ＦＥ−ＳＥＭでその断面構造を
観察したところ、図３の模式図で示したように、積層薄
膜３５はランド面３８及びグルーブ面３２のいずれにお
いても蒲鉾型形状であり、ガードバンド部３３（突起
部）では極薄の薄膜（図３には示されていないが、膜厚
がランドあるいはグルーブ部の約１／５程度）になって
いた。

【００４１】次に、図８に示したイオンビームスパッタ
リング装置を用いて、実施例１と同様に突起部３７のエ
ッチングを行なった。エッチング条件も、実施例１と同
様にした。イオンビーム照射後の媒体の断面形状をＦＥ
−ＳＥＭで観察したところ、突起部分（ランド部）のみ
が若干削られていた。このことは、図４に示したよう
に、突起部４５の先端部分４６のみがイオンビーム４２
で削られた結果である。ＡＦＭでイオンビームエッチン
グ後の突起高さ３７を測定したところ、約３５０ｎｍで
あった。すなわち、イオンビームにより約５０ｎｍエッ
チングされたことになる。続いて、第２の誘電体層（保
護層）と保護層を実施例１と同様に形成した。

【００４２】このようにして得られた光磁気ディスクを
汎用の光ディスクの評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をランド部３８に記録した。なお、隣接
するグルーブ部には信号を記録していない。また、ガー
ドバンド部のアニール処理は行なっていない。

【００４３】このようにして得られた光磁気ディスク
を、発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４
９６参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎ
ｍ、ＮＡ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）に
おいて、Ｃ／Ｎ ３９．０ｄＢ、ジッター ６．３ｎｓｅ
ｃが再現性よく得られた。エラーレートは実用上全く問
題の無いレベルであった。また、グルーブ部でもランド
部と同様に記録／再生実験を行なったところ、ランド部
とほぼ同等の特性が得られた。

【００４４】以上の結果より、イオンビームによる媒体
突起部の一括エッチング工程を用いることによって、光
磁気ディスクの磁性層の分断を一括に行なうことが可能
となった。また、本発明で得られた磁壁移動型の光磁気
記録媒体は、アニール処理を施した磁壁移動型の光磁気
記録媒体と同等の記録再生特性であることが確認された
ことから、本発明により、量産性のある高密度な光磁気
記録媒体の提供が可能となった。

【００４５】比較例２ 実施例２において、イオンビームによるエッチング工程
を行なわなかったほかは実施例２と同じ基板と工程を用
いて光磁気記録媒体を作成した。イオンビームによるエ
ッチングを行なっていないので、突起高さ３７は４００
ｎｍのままであった。

【００４６】このようにして得られた光磁気ディスク
を、実施例２と同じ評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をランド面３８に記録した。実施例２と
同様、隣接するグルーブ部には信号を記録していない。
また、ガードバンド部のアニール処理は行なっていな
い。

【００４７】このようにして得られた記録トラックを、
発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を利用
した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６
参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎｍ、Ｎ
Ａ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）におい
て、Ｃ／Ｎ ３７．０ｄＢ、ジッター ９．０ｎｓｅｃで
あった。また、エラーレートは実施例１と比較すると約
４０倍以上劣化し、実用上問題であった。一方、グルー
ブ面にもランド面と同様に記録／再生実験を行なったと
ころ、Ｃ／Ｎ ３８．５ｄＢ、ジッター ７．０ｎｓｅｃ
が得られ、エラーレートは実用上問題のないレベルであ
った。

【００４８】以上の結果より、本比較例の媒体は、図３
の媒体断面図で示すと、突起部（ガードバンド部）先端
のエッチングを行なわなかったために、磁性層の分断が
不十分であったことから、特にランド部でのＣ／Ｎとジ
ッターが低下した、すなわち、磁壁の移動現象が得られ
にくくなったと推測される。

【００４９】実施例３ 図５に示したような断面形状を持つ基盤を用いて光磁気
ディスクを作成した。すなわち、図５において、ポリカ
ーボネート基板５１は、ランド幅５３が０．６μｍ、グ
ルーブ幅５２が０．６μｍ、テーパ幅５８が０．１μ
ｍ、突起高さ５７が４０ｎｍ、溝深さが１５０ｎｍのラ
ンド＆グルーブ基板である。

【００５０】この基板を用いて、実施例１と同様に第３
の磁性層まで形成して、ＦＥ−ＳＥＭでその断面構造を
観察したところ、図５の模式図で示したように、積層薄
膜３５は、グルーブ面５２では蒲鉾型形状であり、ラン
ド面５３では突起が形成されているトラック両端で盛り
上がった形の蒲鉾型形状であった。テーパ部５８では極
薄の薄膜（図５には示されていないが、膜厚がランドあ
るいはグルーブ部の約１／５程度）になっていた。

【００５１】次に、図８に示したイオンビームスパッタ
リング装置を用いて、実施例１と同様に突起部５７のエ
ッチングを行なった。エッチング条件は、ビーム電圧６
５０ｅＶ、ビーム電流１００ｍＡ、エッチング時間を１
５秒とした。

【００５２】イオンビーム照射後の媒体の断面形状をＦ
Ｅ−ＳＥＭで観察したところ、突起部分（ランド部）の
みが若干削られていた。このことは、図６に示したよう
に、突起部６５の先端部分６６のみがイオンビーム６２
で削られた結果である。ＡＦＭでイオンビームエッチン
グ前後の（溝深さ５４＋突起高さ５７＋積層薄膜５５の
膜厚）を測定したところ、イオンビーム前が約３９０ｎ
ｍ、イオンビーム後が約３６５ｎｍであった。すなわ
ち、イオンビームにより約２５ｎｍエッチングされたこ
とになる。続いて、第２の誘電体層（保護層）と保護層
を実施例１と同様に形成した。

【００５３】このようにして得られた光磁気ディスクを
汎用の光ディスクの評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をランド部３８に記録した。なお、隣接
するグルーブ部には信号を記録していない。また、ガー
ドバンド部のアニール処理は行なっていない。

【００５４】このようにして得られた光磁気ディスク
を、発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４
９６参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎ
ｍ、ＮＡ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）に
おいて、Ｃ／Ｎ ３８．８ｄＢ、ジッター ６．５ｎｓｅ
ｃが再現性よく得られた。エラーレートは実用上全く問
題の無いレベルであった。また、グルーブ部でもランド
部と同様に記録／再生実験を行なったところ、ランド部
とほぼ同等の特性が得られた。

【００５５】以上の結果より、イオンビームによる媒体
突起部の一括エッチング工程を用いることによって、光
磁気ディスクの磁性層の分断を一括に行なうことが可能
となった。また、本発明で得られた磁壁移動型の光磁気
記録媒体は、アニール処理を施した磁壁移動型の光磁気
記録媒体と同等の記録再生特性であることが確認された
ことから、本発明により、量産性のある高密度な光磁気
記録媒体の提供が可能となった。

【００５６】比較例３ 実施例３において、イオンビームによるエッチング工程
を行なわなかったほかは実施例３と同じ基板と工程を用
いて光磁気記録媒体を作成した。イオンビームによるエ
ッチングを行なっていないので、（溝深さ５４＋突起高
さ５７＋積層薄膜５５の膜厚）は３９０ｎｍのままであ
った。

【００５７】このようにして得られた光磁気ディスク
を、実施例３と同じ評価装置にかけ、通常の磁界変調方
式で、マーク長０．１０μｍ（線速１．５ｍ／ｓｅｃ）
の繰り返し信号をランド面３８に記録した。実施例３と
同様、隣接するグルーブ部には信号を記録していない。
また、テーパ部（ガードハンド部）のアニール処理は行
なっていない。

【００５８】このようにして得られた記録トラックを、
発明者らが既に提案している『磁性層の温度勾配を利用
した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６
参照）』を用いて再生したところ、波長６８０ｎｍ、Ｎ
Ａ ０．６の光学系（相対速度１．５ｍ／ｓ）におい
て、Ｃ／Ｎ ３６．５ｄＢ、ジッター ９．５ｎｓｅｃで
あった。また、エラーレートは、実施例３と比較すると
約５０倍以上劣化し、実用上問題であった。一方、グル
ーブ面にもランド面と同様に記録／再生実験を行なった
ところ、Ｃ／Ｎ ３８．０ｄＢ、ジッター ７．５ｎｓｅ
ｃが得られ、エラーレートは実用上問題のないレベルで
あった。

【００５９】以上の結果より、本比較例の媒体は、図５
の媒体断面図で示すと、突起部先端６６のエッチングを
行なわなかったために、磁性層の分断が不十分であった
ことから、特にランド部でのＣ／Ｎとジッターが低下し
た、すなわち、磁壁の移動現象が得られにくくなったと
推測される。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体とその製造方法によれば、トラック間の磁気的分
断を一括で行なうことが可能となり、高密度な記録媒体
（例えば、特開平６−２９０４９６で開示した磁壁移動
型の光磁気記録媒体）を安価に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例（実施例１）の
媒体断面の模式図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体（実施例１）がイオン
ビームでエッチングされている様子を示す模式図であ
る。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の一例（実施例２）の
媒体断面の模式図である。

【図４】本発明の光磁気記録媒体（実施例２）がイオン
ビームでエッチングされている様子を示す模式図であ
る。

【図５】本発明の光磁気記録媒体の一例（実施例３）の
媒体断面の模式図である。

【図６】本発明の光磁気記録媒体（実施例３）がイオン
ビームでエッチングされている様子を示す模式図であ
る。

【図７】本発明の光磁気記録媒体の媒体断面構成図であ
る。

【図８】本発明の光磁気記録媒体の一例（実施例３）の
表面突起部をエッチングするイオンビームスパッタリン
グ装置の概要図である。

【符号の説明】

１１、２４、３１、４４、５１、６４ ポリカーボネ
ート基板 １２ トラック幅 １３、３３ ガードバンド幅 １４ ランド高さ １５、３５、５５ 積層薄膜 １６、２３、３６、４３、５６、８３ 光磁気ディス
ク ２１、４１、６１、８１ イオン源 ２２、４２、６２、８２ イオンビーム ２５、４５、６５ 突起 ２６、４６、６６ イオンビームで削られる部分 ３２、５２ グルーブ幅 ３８、５３ ランド幅 ３４ ランド高さ ３７ 突起高さ ５４ 溝深さ ５７ 突起高さ ５８ テーパ幅 ７１ 透明基板 ７３ 磁性層 ７３１ 第１の磁性層（再生層） ７３２ 第２の磁性層（スイッチング層） ７３３ 第３の磁性層（メモリ層） ７２、７４ 誘電体層 ７５ 保護層（紫外線硬化樹脂） ８６ シャッター ８４ 基板ホルダー ８５ モーター

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 媒体表面の各トラック間に突起を有する
   光磁気記録媒体において、該突起の一部が一括で削られ
   てなることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記光磁気記録媒体が少なくとも、第
   １、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記
   録媒体であって、該第１の磁性層は、周囲温度近傍の温
   度において該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力
   が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、該第２の
   磁性層は、該第１の磁性層及び該第３の磁性層よりキュ
   リー温度の低い磁性層からなり、該第３の磁性層は垂直
   磁化膜であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気
   記録媒体。
3. 【請求項３】 媒体表面の各トラック間に突起を有する
   光磁気記録媒体の製造方法において、該光磁気記録媒体
   の側面からイオンビームを照射して、該光磁気記録媒体
   の磁性層の一部を一括で分断することを特徴とする光磁
   気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記光磁気記録媒体が少なくとも、第
   １、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記
   録媒体であって、該第１の磁性層は、周囲温度近傍の温
   度において該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力
   が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、該第２の
   磁性層は、該第１の磁性層及び該第３の磁性層よりキュ
   リー温度の低い磁性層からなり、該第３の磁性層は垂直
   磁化膜であることを特徴とする請求項３に記載の製造方
   法。