JP2000278605A

JP2000278605A - 撮像装置および画像処理システム

Info

Publication number: JP2000278605A
Application number: JP11086798A
Authority: JP
Inventors: Seiji Hashimoto; 誠二橋本; Osamu Hamamoto; 修浜本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2000-10-06

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】大型化に適し、低コストで、高画質な動画撮
影が可能な撮像装置を得る。【解決手段】撮像装置は４つのブロック１００，１０
０′，２００，２００′から構成され、各ブロックは撮
像センサーＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅのうちの４つを貼合せて
構成される。ブロック１００は撮像センサーＡ１，Ｃ
１，Ｄ１，Ｅ１が密接して貼り合わされ、ブロック１０
０′は撮像センサーＡ４，Ｃ４，Ｄ４，Ｅ４が密接して
貼り合わされて構成される。また、ブロック２００は撮
像センサーＢ２，Ｃ２，Ｄ２，Ｅ２が密接して貼り合わ
され、ブロック２００′は撮像センサーＢ３，Ｃ３，Ｄ
３，Ｅ３が密接して貼り合わされて構成される。対角を
なす撮像センサーＡ１とＡ４，Ｂ２とＢ３はそれぞれ同
一構成であり、対辺をなす撮像センサーＣ１とＣ３，Ｃ
２とＣ４、撮像センサーＤ１とＤ２，Ｄ３とＤ４はそれ
ぞれ同一構成で駆動装置を有し、また内部に配置された
撮像センサーＥ１〜Ｅ４は同一構成で駆動装置なしであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置および画像
処理システムに係わり、特に、２次元状に配列された複
数の画素を組み合わせて構成される撮像装置および画像
処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像読み取り系としては、ライン
センサーとして、ＣＣＤを用いた縮小光学型センサー、
画素に光電変換領域に蓄積された電荷を増幅するアンプ
を有するセンサー、あるいはａ−ｓｉ（アモルファスシ
リコン）を用いた等倍型ＣＩＳセンサー等が使われてい
る。また画素が二次元状に配置されたエリアセンサー
は、主にビデオカメラやデジタルスチルカメラに高感度
特性を有するＣＣＤが使われている。また高感度センサ
ーとしてＣＣＤ型と同等な高感度特性を有するＣＭＯＳ
センサーが注目されている。

【０００３】一方、入射するＸ線をシンチレータにより
光に変換し、さらにセンサーでかかる光を検知するＸ線
撮像装置が医療分野、無破壊検査分野等で研究開発され
ている。例えば、医療分野では歯科用に小型ＣＣＤが実
用化されており、また、胸部撮影など数十ｃｍ以上の大
型Ｘ線撮像装置としては、近年ａ−Ｓｉやｐｉｎ型フォ
ト・ダイオードなどが研究開発されている。ａ−Ｓｉを
改良した例としては、特開平８−１１６００４号公報に
開示されている。この撮像装置は大型で安価な静止画像
を得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、撮像装置、
特に医療分野に用いられるＸ線撮像センサーに用いられ
る撮像装置として、静止画像撮像装置の次世代の動画像
撮像装置が期待されている。

【０００５】ここでの技術的課題としては、高感度，
高速読取り技術、大型化、低コスト化、などがあ
る。

【０００６】上記高感度，高速読取りの課題に関して
は、動画を撮像するには現状ａ−Ｓｉやｐｉｎ型に比較
して、１０倍以上の高感度性と読取り速度が求められ
る。動画を撮像するにはＸ線を連続的に人間に照射する
ことになるが、Ｘ線照射による影響を考慮するとＸ線の
照射量を数分の１に、また数十フレーム／秒の読取りを
行うには数分の１の露光時間に対応する感度と数倍の高
速性が求められる。この点、ａ−Ｓｉやｐｉｎ型フォト
ダイオードではこの要求の実現は困難である。

【０００７】また、ＣＣＤについては、確かに完全空之
型のＣＣＤは高感度であるが、チップサイズが大きくな
る程不向きになる。ＣＣＤは電荷転送型であるが故に、
転送段数（高画素）になる程、転送が問題になる。即
ち、駆動電圧が駆動端と中心付近では異なり完全転送が
困難になる。また消費電力はＣＶ²ｆで表されるが、大
面積である程、ＣとＶが大きくなり、このことは周辺の
駆動回路が発熱源、ノイズ源となり高Ｓ／Ｎではなくな
る。この様にＣＣＤは大型センサーには適さない面をも
っている。

【０００８】ａ−Ｓｉやｐｉｎ型は大型センサーの製造
プロセスはＣＣＤやＣＭＯＳセンサーに比較し有利であ
る。しかし光電変換部が完全空之型でなく、また出力線
の寄生容量に依存するＫＴＣノイズが有り低感度であ
る。またセンサーの駆動回路とアンプが外部に必要であ
り（特開平８−１１６００４号公報の図５２）、これは
センサーの良品判定も、周辺部品を組込後行う必要があ
り、センサーそのものは割と低価格であるが、最終的コ
ストは高くなっていた。

【０００９】本発明の目的は、大型化に適し、低コスト
で、高画質な動画撮影が可能となる撮像装置を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の撮像装置は、２
次元状に配列された複数の画素を少なくとも一配列方向
に駆動する駆動手段を内蔵する撮像センサーと、該駆動
手段を内蔵しない撮像センサーとを複数組合せて構成さ
れてなるものである。

【００１１】また本発明の撮像装置は、２次元状に配列
された複数の画素からなる撮像センサーが複数配列して
構成され、該複数の画素を駆動する駆動手段が外部接続
されてなるものである。

【００１２】また本発明の撮像装置は、２次元状に配列
された複数の画素を一配列方向に駆動する第１の駆動手
段を内蔵する撮像センサーが複数配列して構成され、該
複数の画素を他の配列方向に駆動する第２の駆動手段が
外部接続されてなるものである。

【００１３】本発明の画像処理システムは、本発明の撮
像装置と、該撮像装置からの信号を画像処理する画像処
理手段と、該画像処理手段からの信号を記録するための
記録手段と、該画像処理手段からの信号を表示する表示
手段と、該画像処理手段からの信号を電送するための電
送手段と、を有するものである。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。

【００１５】図１は複数の撮像センサーを貼り合せた撮
像装置の構成図であり、図２は複数の撮像センサーを貼
り合せた他の撮像装置の構成図であり、図３〜図７は図
１の撮像装置を構成する各撮像センサーの説明図であ
り、図８は図１の撮像装置の走査の説明図である。

【００１６】図１において、撮像装置は４つのブロック
１００，１００′，２００，２００′から構成され、各
ブロックは撮像センサーＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅのうちの４
つを貼合せて構成されたものである。ブロック１００は
撮像センサーＡ1，Ｃ1，Ｄ1，Ｅ1が密接して貼り合わさ
れ、ブロック１００′は撮像センサーＡ4，Ｃ4，Ｄ4，
Ｅ4 が密接して貼り合わされて構成される。また、ブロ
ック２００は撮像センサーＢ2，Ｃ2，Ｄ2，Ｅ2が密接し
て貼り合わされ、ブロック２００′は撮像センサーＢ
3，Ｃ3，Ｄ3，Ｅ3が密接して貼り合わされて構成され
る。ここで、対角をなす撮像センサーＡ1とＡ4、Ｂ2と
Ｂ3はそれぞれ同一構成であり、対辺をなす撮像センサ
ーＣ1とＣ3，Ｃ2とＣ4、撮像センサーＤ1とＤ2，Ｄ3と
Ｄ4はそれぞれ同一構成であり、また内部に配置された
撮像センサーＥ1〜Ｅ4は同一構成である。

【００１７】さらに大画面の撮像装置が必要な場合は、
図２に示すように、撮像センサーＣ，Ｅからなるブロッ
クと、撮像センサーＤ，Ｅからなるブロックと、撮像セ
ンサーＥのみのブロックを適宜増して貼合せれば良い。

【００１８】図３〜図７に各撮像センサーの概略図を示
す。なお各図において同一構成部材については同一符号
を付する。なお、行走査回路、列走査回路は駆動手段を
構成する。

【００１９】図３は撮像センサーＡの構成を示す概略的
平面図である。同図に示すように、撮像センサーＡは、
撮像領域１１の一辺（図中左辺）に行走査回路（Ｖ・Ｓ
Ｒ；垂直駆動回路を構成する）１２を、もう一辺（図中
上辺）にメモリ回路１３と列走査回路（Ｈ・ＳＲ）１
４、及びメモリ回路１３に接続された出力アンプ１５を
撮像領域１１の角（図中左上の角）側に有する。

【００２０】図４は撮像センサーＢの構成を示す概略的
平面図である。同図に示すように、撮像センサーＢは図
３の撮像センサーＡをミラー反転して形で同様な周辺回
路を有する。すなわち、撮像センサーＢは、撮像領域１
１の一辺（図中右辺）に行走査回路（Ｖ・ＳＲ）１２
を、もう一辺（図中上辺）にメモリ回路１３と列走査回
路（Ｈ・ＳＲ）１４、及びメモリ回路１３に接続された
出力アンプ１５を撮像領域１１の角（図中右上の角）側
に有する。

【００２１】図５は撮像センサーＤの構成を示す概略的
平面図である。同図に示すように、撮像センサーＤは、
撮像領域１１の一辺（図中左辺）に行走査回路（Ｖ・Ｓ
Ｒ）１２を有する。

【００２２】図６は撮像センサーＣの構成を示す概略的
平面図である。同図に示すように、撮像センサーＣは、
撮像領域１１の一辺（図中上辺）にメモリ回路１３と列
走査回路（Ｈ・ＳＲ）１４を有する。

【００２３】図７は撮像センサーＥの構成を示す概略的
平面図である。同図に示すように、撮像センサーＥは、
撮像領域１１のみで形成されている。

【００２４】各ブロックは行走査回路および列走査回路
により共通の走査パルスで駆動される。各ブロックを構
成する撮像センサー間（例えばブロック１００では撮像
センサーＡ1とＣ1，Ａ1とＤ1，Ｃ1とＥ1，Ｄ1とＥ1の
間）は走査パルス線、垂直出力信号線、垂直走査線が導
電性物質で接続されており、また、各ブロック間の撮像
センサー端面は接触不良をさけるため絶縁物で保護され
ている。

【００２５】本実施例の撮像装置は撮像センサーに走査
回路と出力アンプが内蔵されていることにより、外部に
ドライバやアンプを設ける必要がないので実装が極めて
簡単になる。また回路内蔵のために駆動が簡単で、撮像
センサーをＣＭＯＳセンサーで構成した場合にはその低
消費電力性を生かすことができる。また、各撮像センサ
ーを必要最低限の構成にしたため、ウエハ収量が増し、
また比較的低画素数の撮像センサーとすることにより、
歩留りが向上しコストも低減できる。

【００２６】各ブロックは共通のタイミングパルスで駆
動できるので外部のセンサ駆動回路も簡単にできる。

【００２７】図８において、各ブロックの撮像センサー
は図示の方向で列走査及び行走査が行われる。以下、ブ
ロック１００を取り上げて説明する。

【００２８】撮像センサーＤ1とＥ1、撮像センサーＡ1
とＣ1の走査パルス線は導電性物質で接続されているの
で、撮像センサーＤ1にある行走査回路の走査パルスに
より、撮像センサーＤ1と撮像センサーＥ1の画像行が駆
動され、撮像センサーＡ1にある行走査回路の走査パル
スにより、撮像センサーＡ1と撮像センサーＣ1の画像行
が駆動される。また撮像センサーＡ1とＤ1、撮像センサ
ーＣ1，Ｅ1との垂直出力線は導電性物質で接続されてい
るので、選択された画素行の信号は垂直出力線を経て、
撮像センサーＡ1とＣ1に設けられているメモリ回路に転
送される。メモリ回路からの信号は撮像センサーＡ1に
設けられている差動アンプ（出力アンプ）で後述する画
素部のノイズを除去して外部のＡ／Ｄ変換器に出力され
る。

【００２９】メモリ回路は撮像センサーＡ1とＣ1の列走
査回路によってその出力が制御される。この様な動作が
撮像センサーＤ1，Ｅ1から撮像センサーＡ１，Ｃ１のセ
ンサーへ画素行ごとに順次行なわれ、撮像領域で光電変
換された信号が電気信号として外部の回路へ出力され
る。同様に他のブロックの撮像センサーもパラレルに駆
動されることにより、撮像装置全体の画像信号を得る。

【００３０】本実施例の場合、対角をなす撮像センサー
Ａ，Ｂ、対辺をなす撮像センサーＣ，Ｄを同一構成と
し、ブロック１００と１００′，２００と２００′の列
走査を同方向としているが、これは撮像センサー内の列
走査回路を双方向シフトレジスタ（Ｈ1からＨｎ、Ｈｎ
からＨ1への走査が可能）で構成することで可能とな
る。ただし、ブロック１００と１００′，２００と２０
０′の列走査を逆方向とした場合には列走査回路を双方
向シフトレジスタで構成しなくともよい。

【００３１】一方、行走査は図８に示す様に、ブロック
１００と２００′のつなぎ部およびブロック２００と１
００′のつなぎ部から外側に駆動する（各ブロックで反
対の方向に走査する）ので動被写体を撮像した時、画像
のつながりが自然的になる。その理由について以下に説
明する。

【００３２】今、図８の行走査方向がブロック１００と
２００′（２００と１００′）で同方向、すなわちＡ1
からＤ1、Ｄ3からＢ3の方向（Ｂ2からＤ2、Ｄ4からＡ4
の方向）であるとすると、ブロックのつなぎ部（Ｄ1と
Ｄ3、Ｅ1とＥ3、Ｅ2とＥ4、Ｄ2とＤ4の各つなぎ部）で
画像の相関性がなくなる。例えば、撮像センサーＤ1と
Ｄ3のつなぎ部近傍の隣接する、撮像センサーＤ1の画素
行（走査の終了となる画素行）と撮像センサーＤ3の画
素行（走査の開始となる画素行）とでは行方向の走査期
間分の時間的なずれを生ずるので画像の相関性がなくな
ることになる。しかし、本実施例のように行走査方向が
ブロック１００と２００′（２００と１００′）で反対
方向であるとすると、撮像センサーＤ1とＤ3のつなぎ部
近傍の隣接する、撮像領域Ｄ1の画素行と撮像領域Ｄ3の
画素行とで同じタイミングで走査が開示されるので、画
像のつながりが自然的となる。なお、隣接するブロック
間で互いに反対方向になるように行走査回路の走査がさ
れれば、撮像センサーの貼り合わせ辺から遠ざかるよう
な走査でも（図８の行走査方向；Ｄ1からＡ1、Ｄ3から
Ｂ3の方向）でも、近づくような走査（図８のＡ1からＤ
1、Ｂ3からＤ3の方向）でもよい。ところで、画像のつ
ながりの問題は行走査方向ばかりでなく、列走査方向に
も生じ得るが、列走査方向の時間ずれは実質的に問題な
いので、ここでは列走査方向をグループ間で同走査方向
としている。

【００３３】なお、行走査方向を図８に示すようにブロ
ック間で反対にし、かつ撮像センサーＤ1，Ｄ2，Ｄ3，
Ｄ4の構成を同一とするには、少なくとも撮像センサー
Ｄ1，Ｄ2，Ｄ3，Ｄ4の行走査回路（垂直駆動回路）は双
方向シフトレジスタで構成することが求められる。これ
は、例えば撮像センサーＤ1ではＶｎからＶ1、撮像セン
サーＤ2ではＶ1からＶｎが走査方向となるからである。

【００３４】本実施例の走査回路を双方向シフトレジス
タとすることで、例えば撮像装置の撮像センサーＥ１〜
Ｅ４のみの画像だけを出力することも可能である。行走
査は図８の様に行ない、列走査は撮像センサーＥ１とＥ
３を図８と逆方向から走査すれば撮像センサーＥ１〜Ｅ
４の出力が連続で得られる。撮像センサーＥ１〜Ｅ４の
終端で列走査をストップし、次の画像を読む時、再び列
走査回路にスタートパルスを入力すれば走査回路はリセ
ットされ、再び走査が開始される。

【００３５】図９及び図１０に撮像装置の他の実施例の
平面図を示す。図９（ａ）は撮像センサーＥのみ使った
例を示す図である。この場合、行走査回路（行走査ドラ
イバ）２１と出力アンプ２２は外部接続となる。

【００３６】本実施例では撮像センサーが一種類なので
センサーの製造は一番効率的であり、また出力アンプも
列毎あるいは複数列毎にすれば画像信号の読取りは非常
に速くなる。

【００３７】図１０は撮像センサーＣのみを使った例を
示す図である。本実施例では行走査回路は外付となる。
ローノイズ出力アンプは高価なので内蔵化し、低価格な
行走査回路（行走査ドライバ）２１を外付とした。

【００３８】本発明は上述した各実施例に限定されず、
撮像装置のアプリケーションにより、各撮像センサーの
組合せを変えれることができる。

【００３９】以下、本発明の撮像センサーの構成例につ
いて説明する。図１１に撮像センサーの概略構成図を示
す。図１１において、Ｈ−ＳＲは列走査回路、Ｖ−ＳＲ
は行走査回路、ブロックＳは単位画素を示す。ＣTS，Ｃ
TNは画素信号と画素ノイズの一時的保持メモリ用の容量
であり、このメモリからの出力が後段の差動アンプで画
素信号から画素ノイズが除去されてＳＮ比の良い信号
（図省略）が出力される。

【００４０】単位画素Ｓにおいて、１０はフォトダイオ
ード、２０はフォトダイオード１０から光電変換された
信号を画素アンプのフローティングデフュージョン部
（ＦＤ部）へ転送する転送スイッチ、３０は画素アンプ
のＦＤ部をリセット電位にリセットするリセットスイッ
チ、４０は画素アンプ、５０は画素アンプ４０に接続さ
れる画素（行単位）選択スイッチである。垂直信号線６
０には画素アンプ４０の負荷があり（図中省略）、７０
は垂直信号線６０の残留電荷クリア用のクリアスイッチ
である。

【００４１】次に上記撮像装置の実装例について、上記
撮像装置をＸ線撮像装置に適用した場合を例にとって説
明する。

【００４２】図１２はＸ線撮像装置の断面図、図１３は
その斜視図である。

【００４３】図１２において、１は駆動回路を内蔵する
撮像センサー（撮像センサーＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）、２は駆
動回路（駆動手段）を内蔵しない撮像センサー（撮像セ
ンサーＥ）、３００は撮像センサーの端子に形成された
スタッドバンプ、３はＸ線を撮像センサーに検知可能な
波長の光（例えば可視光）に変換するシンチレータ、４
はその光を分散することなく撮像センサー１，２に導光
する光ファイバープレート、５は透明接着剤、６はＦＰ
Ｃ（フレキシブルプリント配線基板）、７はシンチレー
タ保護樹脂、８は異方性導電接着剤、４００は撮像セン
サーどうしを接続する電極端子、４０１はＦＰＣと接続
するための電極配線である。スタッドバンプは通常、金
が用いられ、配線は通常アルミニウムが用いられる。

【００４４】光ファイバープレート４は、直径約５〜６
μｍの１本の光ファイバーを複数束ね加熱プレスした
後、板状に切断する。切断後５０×５０ｍｍ、厚み３ｍ
ｍ程度のプレートを複数枚突き合わせ加熱接着し大型の
ファイバープレートにしあげている。その後、それぞれ
のプレート４間に厚み段差が生じない様、研磨する。

【００４５】更に光ファイバープレート４には、各々の
撮像センサー１及び２をフェイスダウン実装にて外部入
出力端子と結線させるための電極配線４０１や撮像セン
サー同士を接続する電極端子４００をあらかじめフォト
エッチングプロセスにより形成しておく。純アルミをス
パッタや蒸着等により成膜したものを実装する撮像セン
サー１及び２に合わせて電極を構成する。

【００４６】そのアルミ電極にパラジウムを１００Å、
ニッケル０．１μｍ、金０．３μｍを無電解メッキにて
積層することにより接続安定性が向上する。

【００４７】次に、撮像センサー１及び２上の電極に接
続用のバンプ３００を設ける。ボールボンディングのボ
ール部のみを端子につけるスタッドバンプを用いれば、
ボールを端子部に超音波と熱で付けた後、切断したワー
ヤーの再結晶部が短く残り凸形状になり基板との接合す
るためには不都合なので上面を別のツールで押しつぶす
フラットニングを行う。バンプ３００には接続信頼性を
確保するため銀ペーストを転写法にて塗布しておく。

【００４８】電極配線４０１や電極端子４００が設けら
れた光ファイバープレート４の撮像センサー１及び２が
貼り合わさる部分の中央部に適量の接着剤を滴下し撮像
センサー１及び２のパンプ３００が電極配線４０１、電
極端子４００に接続されるよう位置合わせし仮圧着させ
る。

【００４９】なお、この接着剤はいわゆるアンダーフィ
ル剤であり硬化収縮が大きく熱膨張係数の小さい透光性
エポキシ樹脂とシリカの混合物を使用した。

【００５０】この作業を撮像センサーを使用する数だけ
繰り返し、実装する全ての撮像センサーが仮圧着させた
ところで、本圧着を行う。

【００５１】なお、今回使用した撮像センサーを１６ヶ
使用した場合の配置図は図１４に示した撮像装置であ
る。３００は撮像センサーの電極上のバンプ、３０２の
斜線部は撮像有効領域、３０３は撮像センサーの駆動回
路、信号処理回路及び実装領域である。

【００５２】図１４に示すように、撮像センサー間には
撮像センサーの切断バラツキや位置合わせバラツキなど
からある程度の隙間を設けざるをえなく、今回は５０μ
ｍの隙間を設けて貼り合わせている。撮像センサーの画
素ピッチは５０μｍであり、ちょうど１画素分欠落する
ものの両サイドの画素データから補完することでデータ
の欠落部分を穴埋めする。

【００５３】また、図１５に光ファイバープレートを示
す。４００は撮像センサーとの接続端子、４０１はＦＰ
Ｃの接続端子、４０２は電極配線であり、各撮像センサ
ーに供給される共通信号や電源等は光ファイバープレー
ト上の電極配線で結線されている。

【００５４】撮像センサーはシリコンウエハ上に製作
し、ダイサーにて切断するが撮像センサーと撮像センサ
ーが隣接する辺は切断精度が要求される。

【００５５】本圧着の加熱条件としては、樹脂成分が硬
化する条件、例えば、温度条件は、１５０℃、８０ｓｅ
ｃで、圧力条件は端子数によって異なるが、端子当たり
７０〜１２０ｇになるように適宜装置側の荷重を設定す
る。

【００５６】本圧着の際、撮像センサー１及び２の高さ
ばらつきやバンプ３００の高さばらつきを吸収するため
独立ヒーターヘッドで同時に全ての撮像センサーを本圧
着できる特殊ヒーターツールを使用する。あるいは一体
型ヒーターツールでもバラツキを吸収する緩衝材を設け
ても良い。

【００５７】光ファイバープレート４上の電極配線４０
０を通して、外部から電源供給、信号入出力用のＦＰＣ
６を熱圧着し、更に端子部、素子部を保護するために樹
脂封止を施しておく。

【００５８】また、光ファイバープレート４の電極配線
側とは反対側の面にはＸ線を光に変換するシンチレータ
として蛍光体を光ファイバープレート上に積層するか蛍
光体フィルムを接着する。

【００５９】蛍光体の材質としては、よう化セシウム
（ＣｓＩ）や硫化ガドリウム（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ₂）を使用
し、真空蒸着により積層する。積層したままでは触れた
だけで破壊したり湿度で溶解してしまうおそれもあるの
で透湿防止樹脂７などで保護する。

【００６０】また、硫化ガドリウム粉体にバインダーを
混合しフィルム状に加工したものを使用してファイバー
プレートに接着剤を用いて接着しても良い。

【００６１】このようにしてＸ線撮像装置を構成する。

【００６２】図１６は本発明による撮像装置を用いた画
像処理システム（Ｘ線診断システム）のさらに具体的な
例を示す模式図である。

【００６３】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレーターを上部に実装した本発明に係わる
撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患
者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射
に対応してシンチレーターは発光し、これを光電変換し
て、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換さ
れイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御
室のディスプレイ６０８０で観察できる。

【００６４】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の様な効果を得ることができる。（１）．撮像装置の周辺に駆動手段を内蔵した撮像セン
サーを配置したので、外部ドライバや外部出力アンプを
実装する必要がなく、低コストとなる。（２）．撮像装置の各ブロックを共通の駆動パルスで駆
動できるので周辺の駆動回路が少なくて済み実装も簡単
で、低消費電力、低コストとなる。（３）．本発明による撮像装置を用いて撮像センサー間
で行走査方向を逆にすることで、画面を分割する部分の
露光時刻をほぼ同一にでき、高画質な動画像撮像が可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による複数の撮像センサーを貼合せた撮
像装置の一実施例の構成図である。

【図２】本発明による複数の撮像センサーを貼合せた撮
像装置の他の実施例の構成図である。

【図３】図１の撮像装置を構成する撮像センサーＡの説
明図である。

【図４】図１の撮像装置を構成する撮像センサーＢの説
明図である。

【図５】図１の撮像装置を構成する撮像センサーＣの説
明図である。

【図６】図１の撮像装置を構成する撮像センサーＤの説
明図である。

【図７】図１の撮像装置を構成する撮像センサーＥの説
明図である。

【図８】図１の撮像装置の走査の説明図である。

【図９】本発明の撮像装置の他の実施例の平面図であ
る。

【図１０】本発明の撮像装置の更に他の実施例の平面図
である。

【図１１】撮像センサーの概略構成図である。

【図１２】本発明を用いたＸ線撮像装置の断面図であ
る。

【図１３】図１１の斜視図である。

【図１４】本発明による撮像センサーの配置図である。

【図１５】本発明による各種撮像センサーの構成図であ
る。

【図１６】本発明による撮像装置を用いた画像処理シス
テム（Ｘ線診断システム）のさらに具体的な例を示す模
式図である。

【符号の説明】

１駆動回路を内蔵した撮像センサー２駆動回路を内蔵しない撮像センサー３蛍光体４ファイバープレート電極配線及び端子５透明接着剤６ＦＰＣ７シンチレータ保護樹脂８異方性導電接着剤１１撮像領域１２行走査回路１３メモリ回路１４列走査回路１５出力アンプ１００，１００′ 撮像センサーブロック２００，２００′ 撮像センサーブロック３００スタッドバンプ３０２撮像有効領域３０３駆動、信号処理及び実装領域４００撮像センサー接続用端子４０１ＦＰＣ接続用端子４０２電極配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4C093 AA30 CA01 CA32 CA50 EB13 EB16 EB17 EB18 FC03 4M118 AA04 AA10 AB01 BA04 BA14 CB11 FA06 GA09 GA10 HA20 HA21 HA22 HA31 HA32 5C022 AA13 AA15 AB20 AB31 5C024 AA01 AA11 AA20 BA01 CA12 CA16 FA13 GA20 GA32 GA41 HA24 JA04 JA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２次元状に配列された複数の画素を少な
くとも一配列方向に駆動する駆動手段を内蔵する撮像セ
ンサーと、該駆動手段を内蔵しない撮像センサーとを複
数組合せて構成されてなる撮像装置。
【請求項２】請求項１に記載の撮像装置において、前
記駆動手段を内蔵する撮像センサーと前記駆動手段を内
蔵しない撮像センサーとを組合せてブロックを構成し、
そのブロックを複数組合せて構成されてなる撮像装置。
【請求項３】請求項２に記載の撮像装置において、複
数の前記ブロックをブロック毎に駆動することを特徴と
する撮像装置。
【請求項４】請求項２に記載の撮像装置において、前
記ブロック内の撮像センサー間で配線が電気的に接続さ
れていることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】請求項２〜４のいずれかの請求項に記載
の撮像装置において、前記ブロック間は絶縁物により絶
縁されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかの請求項に記載
の撮像装置において、前記駆動手段における少なくとも
垂直駆動回路は双方向走査回路であることを特徴とする
撮像装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかの撮像装置にお
いて、前記駆動手段を内蔵する撮像センサーは配列され
た撮像センサー群の周囲に配置され、前記駆動手段を内
蔵しない撮像センサーは配列された撮像センサー群の内
部に配置されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】請求項７に記載の撮像装置において、前
記駆動手段を内蔵する撮像センサーのうち対角をなす撮
像センサーは、同一構成であることを特徴とする撮像装
置。
【請求項９】請求項７に記載の撮像装置において、前
記駆動手段を内蔵する撮像センサーのうち対角をなす撮
像センサー以外の対辺をなす撮像センサーは、同一構成
であることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】請求項７に記載の撮像装置において、
前記駆動手段を内蔵しない撮像センサーは、同一構成で
あることを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】請求項７に記載の撮像装置において、
前記対角をなす撮像センサーは、それぞれ、２次元状に
配列された複数の画素を行方向及び列方向に駆動する駆
動手段を内蔵することを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】２次元状に配列された複数の画素から
なる撮像センサーが複数配列して構成され、該複数の画素を駆動する駆動手段が外部接続されてなる
撮像装置。
【請求項１３】２次元状に配列された複数の画素を一
配列方向に駆動する第１の駆動手段を内蔵する撮像セン
サーが複数配列して構成され、該複数の画素を他の配列方向に駆動する第２の駆動手段
が外部接続されてなる撮像装置。
【請求項１４】請求項１〜１３のいずれかに記載の撮
像装置と、該撮像装置からの信号を画像処理する画像処
理手段と、該画像処理手段からの信号を記録するための
記録手段と、該画像処理手段からの信号を表示する表示
手段と、該画像処理手段からの信号を電送するための電
送手段と、を有する画像処理システム。