JP2000277312A - 焼結磁石およびその製造方法 - Google Patents
焼結磁石およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁力の高いフェライト焼結磁石を、残留磁
束密度の著しい低下を招かず、かつ低コストで実現す
る。 【解決手段】 六方晶構造を有するフェライトを主相と
する焼結磁石を製造する方法であって、原料粉末を仮焼
して仮焼体を得る仮焼工程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉
末を得る粉砕工程と、仮焼粉末を成形して成形体を得る
成形工程と、成形体を焼成して焼結磁石を得る焼成工程
とを有し、前記焼成工程において、昇温速度および降温
速度を900℃以上において1〜4℃/分に設定する焼
結磁石の製造方法。
束密度の著しい低下を招かず、かつ低コストで実現す
る。 【解決手段】 六方晶構造を有するフェライトを主相と
する焼結磁石を製造する方法であって、原料粉末を仮焼
して仮焼体を得る仮焼工程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉
末を得る粉砕工程と、仮焼粉末を成形して成形体を得る
成形工程と、成形体を焼成して焼結磁石を得る焼成工程
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結磁石の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト焼結磁
石およびその製造方法に関する。
石およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】酸化物永久磁石材料には、六方晶系のS
rフェライトまたはBaフェライトがあるが、現在はマ
グネトプランバイト型(M型)のSrフェライト、また
はBaフェライトが主に用いられており、これらの焼結
磁石やボンディッド磁石が製造されている。
rフェライトまたはBaフェライトがあるが、現在はマ
グネトプランバイト型(M型)のSrフェライト、また
はBaフェライトが主に用いられており、これらの焼結
磁石やボンディッド磁石が製造されている。
【0003】磁石特性のうち特に重要なものは、残留磁
束密度(Br)および固有保磁力(HcJ)である。
束密度(Br)および固有保磁力(HcJ)である。
【0004】本出願人は、特開平9−115715号公
報において、M型フェライトに例えばLaとZnとを適
量含有させることにより、4.5kG以上のBrを実現し
た焼結磁石を提案している。しかしこの場合、異方性磁
場(HA)が低下するため、高いHcJを同時に得ること
は困難であった。
報において、M型フェライトに例えばLaとZnとを適
量含有させることにより、4.5kG以上のBrを実現し
た焼結磁石を提案している。しかしこの場合、異方性磁
場(HA)が低下するため、高いHcJを同時に得ること
は困難であった。
【0005】高いHcJを得るためには、Al2O3やCr
2O3の添加が有効であることが従来から知られていた。
この場合、Al3+やCr3+はM型構造中の「上向き」ス
ピンをもつFe3+を置換してHAを増加させると共に、
粒成長を抑制する効果があるため、4.5kOe以上の高
いHcJが得られる。しかし、Al2O3を多量に添加する
とBrが著しく低下するため、Al2O3を添加せずに、
あるいはAl2O3添加量を抑えて、高いHcJを実現する
ことが望まれる。
2O3の添加が有効であることが従来から知られていた。
この場合、Al3+やCr3+はM型構造中の「上向き」ス
ピンをもつFe3+を置換してHAを増加させると共に、
粒成長を抑制する効果があるため、4.5kOe以上の高
いHcJが得られる。しかし、Al2O3を多量に添加する
とBrが著しく低下するため、Al2O3を添加せずに、
あるいはAl2O3添加量を抑えて、高いHcJを実現する
ことが望まれる。
【0006】また、特開平9−115715号公報に記
載されているような高性能フェライト磁石では、高HcJ
を得るためにCoが必須であり、しかもCo含有量をか
なり多くする必要がある。しかしCoは高価であるた
め、低コスト化のためには、特性を落とさずにCo量を
減らすことのできる手段が望まれる。
載されているような高性能フェライト磁石では、高HcJ
を得るためにCoが必須であり、しかもCo含有量をか
なり多くする必要がある。しかしCoは高価であるた
め、低コスト化のためには、特性を落とさずにCo量を
減らすことのできる手段が望まれる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、保磁
力の高いフェライト焼結磁石を、残留磁束密度の著しい
低下を招かず、かつ低コストで実現することである。
力の高いフェライト焼結磁石を、残留磁束密度の著しい
低下を招かず、かつ低コストで実現することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(9)の本発明により達成される。 (1) 六方晶構造を有するフェライトを主相とする焼
結磁石であって、CoおよびAl2O3を含有し、粒径が
1.0±0.5μmの範囲内に収まる結晶粒が全体の7
0体積%以上を占める焼結磁石。 (2) Al2O3の含有量が1.0重量%以下である上
記(1)の焼結磁石。 (3) Sr、Ba、CaおよびPbから選択される少
なくとも1種の元素であって、Srを必ず含むものをA
とし、希土類元素(Yを含む)およびBiから選択され
る少なくとも1種の元素であってLaを必ず含むものを
Rとし、Co、またはCoおよびZnをMとしたとき、
A,R,FeおよびMを含有する上記(1)または
(2)の焼結磁石。 (4) A,R,FeおよびMそれぞれの金属元素の総
計の構成比率が、全金属元素量に対し、A:1〜13原
子%、R:0.05〜10原子%、Fe:92〜95原
子%、M:0.1〜5原子%である上記(3)の焼結磁
石。 (5) 組成を 式 A1-xRx(Fe12-yMy)zO19 (x,y,zはモル数を表す)で表したとき、 0.04≦x≦0.9、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 である上記(4)の焼結磁石。 (6) 六方晶構造を有するフェライトを主相とする焼
結磁石を製造する方法であって、原料粉末を仮焼して仮
焼体を得る仮焼工程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉末を得
る粉砕工程と、仮焼粉末を成形して成形体を得る成形工
程と、成形体を焼成して焼結磁石を得る焼成工程とを有
し、前記焼成工程において、昇温速度および降温速度を
900℃以上において1〜4℃/分に設定する焼結磁石
の製造方法。 (7) 前記粉砕工程において、仮焼粉末の比表面積が
7.0〜9.0m2/gとなり、かつ、粒径0.8〜1.0
μmの粒子が仮焼粉末全体の80重量%以上を占めるよ
うに粉砕を行う上記(6)の焼結磁石の製造方法。 (8) 焼成後のAl2O3含有量が1.0重量%以下と
なるように、前記成形体にAl2O3が含有されている上
記(6)または(7)の焼結磁石の製造方法。 (9) 上記(1)〜(5)のいずれかの焼結磁石が製
造される上記(6)〜(8)のいずれかの焼結磁石の製
造方法。
(1)〜(9)の本発明により達成される。 (1) 六方晶構造を有するフェライトを主相とする焼
結磁石であって、CoおよびAl2O3を含有し、粒径が
1.0±0.5μmの範囲内に収まる結晶粒が全体の7
0体積%以上を占める焼結磁石。 (2) Al2O3の含有量が1.0重量%以下である上
記(1)の焼結磁石。 (3) Sr、Ba、CaおよびPbから選択される少
なくとも1種の元素であって、Srを必ず含むものをA
とし、希土類元素(Yを含む)およびBiから選択され
る少なくとも1種の元素であってLaを必ず含むものを
Rとし、Co、またはCoおよびZnをMとしたとき、
A,R,FeおよびMを含有する上記(1)または
(2)の焼結磁石。 (4) A,R,FeおよびMそれぞれの金属元素の総
計の構成比率が、全金属元素量に対し、A:1〜13原
子%、R:0.05〜10原子%、Fe:92〜95原
子%、M:0.1〜5原子%である上記(3)の焼結磁
石。 (5) 組成を 式 A1-xRx(Fe12-yMy)zO19 (x,y,zはモル数を表す)で表したとき、 0.04≦x≦0.9、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 である上記(4)の焼結磁石。 (6) 六方晶構造を有するフェライトを主相とする焼
結磁石を製造する方法であって、原料粉末を仮焼して仮
焼体を得る仮焼工程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉末を得
る粉砕工程と、仮焼粉末を成形して成形体を得る成形工
程と、成形体を焼成して焼結磁石を得る焼成工程とを有
し、前記焼成工程において、昇温速度および降温速度を
900℃以上において1〜4℃/分に設定する焼結磁石
の製造方法。 (7) 前記粉砕工程において、仮焼粉末の比表面積が
7.0〜9.0m2/gとなり、かつ、粒径0.8〜1.0
μmの粒子が仮焼粉末全体の80重量%以上を占めるよ
うに粉砕を行う上記(6)の焼結磁石の製造方法。 (8) 焼成後のAl2O3含有量が1.0重量%以下と
なるように、前記成形体にAl2O3が含有されている上
記(6)または(7)の焼結磁石の製造方法。 (9) 上記(1)〜(5)のいずれかの焼結磁石が製
造される上記(6)〜(8)のいずれかの焼結磁石の製
造方法。
【0009】
【作用および効果】本発明法では、フェライト焼結磁石
を製造するに際し、昇温速度および降温速度を、いずれ
も900℃以上において上記範囲内となるように制御す
る。これにより、保磁力を向上させることができる。ま
た、昇降温速度をこのように制御すると共に、粉砕工程
において、仮焼粉末の比表面積が7.0〜9.0m2/gと
なり、かつ、粒径0.8〜1.0μmの粒子が仮焼粉末
全体の80重量%以上を占めるように粉砕を行えば、保
磁力をさらに向上させることができる。そして、製造条
件をこのように制御すると共に、成形体にAl2O3を添
加すれば、磁石中のAl2O3含有量を1.0重量%以下
と少なくしても、5kOe前後にも達する極めて高い保磁
力が得られる。しかも、Al2O3含有量が少なくて済む
ので、残留磁束密度の低下も少ない。また、特性向上の
ために添加するCoの含有量も少なくて済む。
を製造するに際し、昇温速度および降温速度を、いずれ
も900℃以上において上記範囲内となるように制御す
る。これにより、保磁力を向上させることができる。ま
た、昇降温速度をこのように制御すると共に、粉砕工程
において、仮焼粉末の比表面積が7.0〜9.0m2/gと
なり、かつ、粒径0.8〜1.0μmの粒子が仮焼粉末
全体の80重量%以上を占めるように粉砕を行えば、保
磁力をさらに向上させることができる。そして、製造条
件をこのように制御すると共に、成形体にAl2O3を添
加すれば、磁石中のAl2O3含有量を1.0重量%以下
と少なくしても、5kOe前後にも達する極めて高い保磁
力が得られる。しかも、Al2O3含有量が少なくて済む
ので、残留磁束密度の低下も少ない。また、特性向上の
ために添加するCoの含有量も少なくて済む。
【0010】このようにして製造されたフェライト焼結
磁石では、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる
結晶粒が全体の70体積%以上を占める程度に、結晶粒
の粒径が揃っている。
磁石では、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる
結晶粒が全体の70体積%以上を占める程度に、結晶粒
の粒径が揃っている。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明では、六方晶構造を有する
フェライトを主相とする焼結磁石が製造される。本発明
の製造方法は、原料粉末を仮焼して仮焼体を得る仮焼工
程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、仮
焼粉末を成形して成形体を得る成形工程と、成形体を焼
成して焼結磁石を得る焼成工程とを有する。
フェライトを主相とする焼結磁石が製造される。本発明
の製造方法は、原料粉末を仮焼して仮焼体を得る仮焼工
程と、仮焼体を粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、仮
焼粉末を成形して成形体を得る成形工程と、成形体を焼
成して焼結磁石を得る焼成工程とを有する。
【0012】焼成工程では、昇温速度および降温速度を
900℃以上において1〜4℃/分に設定する。昇温速
度および降温速度をこの範囲内に設定することにより、
焼結磁石の結晶粒径の均一性が高くなるので、高保磁力
の焼結磁石が実現する。昇温速度および降温速度の少な
くとも一方が上記範囲未満であると、生産性が低くなり
すぎる。一方、少なくとも一方が上記範囲を超えると、
焼結磁石の結晶粒径の均一性が十分に高くならない。
900℃以上において1〜4℃/分に設定する。昇温速
度および降温速度をこの範囲内に設定することにより、
焼結磁石の結晶粒径の均一性が高くなるので、高保磁力
の焼結磁石が実現する。昇温速度および降温速度の少な
くとも一方が上記範囲未満であると、生産性が低くなり
すぎる。一方、少なくとも一方が上記範囲を超えると、
焼結磁石の結晶粒径の均一性が十分に高くならない。
【0013】なお、昇温過程および降温過程における9
00℃未満の領域においても、温度変化速度を上記範囲
内としてもよいが、この領域における温度変化速度制御
は、焼結磁石の保磁力に大きな影響は与えないため、生
産性を考慮して4℃/分を超える温度変化速度としても
よい。
00℃未満の領域においても、温度変化速度を上記範囲
内としてもよいが、この領域における温度変化速度制御
は、焼結磁石の保磁力に大きな影響は与えないため、生
産性を考慮して4℃/分を超える温度変化速度としても
よい。
【0014】粉砕工程では、仮焼粉末の比表面積が7.
0〜9.0m2/gとなり、かつ、粒径0.8〜1.0μm
の粒子が仮焼粉末全体の80重量%以上を占めるように
粉砕を行うことが好ましい。このように粉砕することに
より、焼結磁石の平均結晶粒径が1μm前後と高保磁力
実現に十分な程度まで小さくなり、かつ、結晶粒径の均
一性が高くなるので、高保磁力の焼結磁石が実現する。
粉砕手段は特に限定されず、アトライタ、ボールミル等
の一般的な粉砕手段を利用できるが、特にアトライタが
好ましい。そして、粉砕条件を比較的穏やかなものとす
ることにより、具体的には、例えばアトライタであれば
回転数を遅くし、それによって低下した粉砕強度を補う
ために粉砕時間を長くすれば、粒度の揃った仮焼粉末を
得ることができる。
0〜9.0m2/gとなり、かつ、粒径0.8〜1.0μm
の粒子が仮焼粉末全体の80重量%以上を占めるように
粉砕を行うことが好ましい。このように粉砕することに
より、焼結磁石の平均結晶粒径が1μm前後と高保磁力
実現に十分な程度まで小さくなり、かつ、結晶粒径の均
一性が高くなるので、高保磁力の焼結磁石が実現する。
粉砕手段は特に限定されず、アトライタ、ボールミル等
の一般的な粉砕手段を利用できるが、特にアトライタが
好ましい。そして、粉砕条件を比較的穏やかなものとす
ることにより、具体的には、例えばアトライタであれば
回転数を遅くし、それによって低下した粉砕強度を補う
ために粉砕時間を長くすれば、粒度の揃った仮焼粉末を
得ることができる。
【0015】なお、粒径0.8〜1.0μmの粒子が仮
焼粉末全体に占める比率は、100重量%に近いほど好
ましいが、通常は90重量%が上限となり、この程度で
あっても十分に高い保磁力が得られる。
焼粉末全体に占める比率は、100重量%に近いほど好
ましいが、通常は90重量%が上限となり、この程度で
あっても十分に高い保磁力が得られる。
【0016】本発明の製造方法は、フェライト焼結磁石
一般に対して効果があるが、前述したように、Al2O3
添加と併用することにより、さらに効果が増大し、ま
た、特性向上のためにCoを添加したフェライト焼結磁
石に適用した場合には、Co量を少なくしても、極めて
高い保磁力が得られる。そして、このような焼結磁石に
おいて、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる結
晶粒が全体の70体積%以上を占める場合に、特に高い
保磁力が得られる。なお、粒径が1.0±0.5μmの
範囲内に収まる結晶粒が磁石全体に占める比率は、10
0体積%に近いほど好ましいが、通常は80体積%が上
限となり、この程度であっても十分に高い保磁力が得ら
れる。結晶粒径は走査型電子顕微鏡によって測定するこ
とができる。
一般に対して効果があるが、前述したように、Al2O3
添加と併用することにより、さらに効果が増大し、ま
た、特性向上のためにCoを添加したフェライト焼結磁
石に適用した場合には、Co量を少なくしても、極めて
高い保磁力が得られる。そして、このような焼結磁石に
おいて、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる結
晶粒が全体の70体積%以上を占める場合に、特に高い
保磁力が得られる。なお、粒径が1.0±0.5μmの
範囲内に収まる結晶粒が磁石全体に占める比率は、10
0体積%に近いほど好ましいが、通常は80体積%が上
限となり、この程度であっても十分に高い保磁力が得ら
れる。結晶粒径は走査型電子顕微鏡によって測定するこ
とができる。
【0017】次に、本発明の焼結磁石、すなわち、本発
明の製造方法を適用した場合に特に高保磁力が得られる
フェライト焼結磁石について説明する。
明の製造方法を適用した場合に特に高保磁力が得られる
フェライト焼結磁石について説明する。
【0018】本発明の焼結磁石は、Sr、Ba、Caお
よびPbから選択される少なくとも1種の元素であっ
て、Srを必ず含むものをAとし、希土類元素(Yを含
む)およびBiから選択される少なくとも1種の元素で
あってLaを必ず含むものをRとし、CoであるかCo
およびZnをMとしたとき、A,R,FeおよびMを含
有する。
よびPbから選択される少なくとも1種の元素であっ
て、Srを必ず含むものをAとし、希土類元素(Yを含
む)およびBiから選択される少なくとも1種の元素で
あってLaを必ず含むものをRとし、CoであるかCo
およびZnをMとしたとき、A,R,FeおよびMを含
有する。
【0019】前記A,R,FeおよびMそれぞれの金属
元素の総計の構成比率は、全金属元素量に対し、好まし
くは A:1〜13原子%、R:0.05〜10原子%、F
e:80〜95原子%、M:0.1〜5原子%であり、
より好ましくは、A:3〜11原子%、R:0.2〜6
原子%、Fe:83〜94原子%、M:0.3〜4原子
%であり、さらに好ましくは、A:3〜9原子%、R:
0.5〜4原子%、Fe:86〜93原子%、M:0.
5〜3原子%である。
元素の総計の構成比率は、全金属元素量に対し、好まし
くは A:1〜13原子%、R:0.05〜10原子%、F
e:80〜95原子%、M:0.1〜5原子%であり、
より好ましくは、A:3〜11原子%、R:0.2〜6
原子%、Fe:83〜94原子%、M:0.3〜4原子
%であり、さらに好ましくは、A:3〜9原子%、R:
0.5〜4原子%、Fe:86〜93原子%、M:0.
5〜3原子%である。
【0020】上記各構成元素において、Aは、Sr、B
a、CaおよびPbから選択される少なくとも1種の元
素であって、Srを必ず含む。Aが小さすぎると、M型
フェライトが生成しないか、α−Fe2O3 等の非磁性
相が多くなる。Aが大きすぎるとM型フェライトが生成
しないか、SrFeO3-x 等の非磁性相が多くなる。A
中のSrの比率は、好ましくは51原子%以上、より好
ましくは70原子%以上、さらに好ましくは100原子
%である。A中のSrの比率が低すぎると、飽和磁化向
上と保磁力の著しい向上とを共に得ることができなくな
る。
a、CaおよびPbから選択される少なくとも1種の元
素であって、Srを必ず含む。Aが小さすぎると、M型
フェライトが生成しないか、α−Fe2O3 等の非磁性
相が多くなる。Aが大きすぎるとM型フェライトが生成
しないか、SrFeO3-x 等の非磁性相が多くなる。A
中のSrの比率は、好ましくは51原子%以上、より好
ましくは70原子%以上、さらに好ましくは100原子
%である。A中のSrの比率が低すぎると、飽和磁化向
上と保磁力の著しい向上とを共に得ることができなくな
る。
【0021】Rは、希土類元素(Yを含む)およびBi
から選択される少なくとも1種の元素である。Rには、
Laが必ず含まれる。Rが小さすぎると、Mの固溶量が
少なくなり、M添加による効果が得られにくくなる。R
が大きすぎると、オルソフェライト等の非磁性の異相が
多くなる。R中においてLaの占める割合は、好ましく
は40原子%以上、より好ましくは70原子%以上であ
り、飽和磁化向上のためにはRとしてLaだけを用いる
ことが最も好ましい。これは、六方晶M型フェライトに
対する固溶限界量を比較すると、Laが最も多いためで
ある。したがって、R中のLaの割合が低すぎるとRの
固溶量を多くすることができず、その結果、元素Mの固
溶量も多くすることができなくなる。また、Biを併用
すれば仮焼温度および焼結温度を低くすることができる
ので、生産上有利である。
から選択される少なくとも1種の元素である。Rには、
Laが必ず含まれる。Rが小さすぎると、Mの固溶量が
少なくなり、M添加による効果が得られにくくなる。R
が大きすぎると、オルソフェライト等の非磁性の異相が
多くなる。R中においてLaの占める割合は、好ましく
は40原子%以上、より好ましくは70原子%以上であ
り、飽和磁化向上のためにはRとしてLaだけを用いる
ことが最も好ましい。これは、六方晶M型フェライトに
対する固溶限界量を比較すると、Laが最も多いためで
ある。したがって、R中のLaの割合が低すぎるとRの
固溶量を多くすることができず、その結果、元素Mの固
溶量も多くすることができなくなる。また、Biを併用
すれば仮焼温度および焼結温度を低くすることができる
ので、生産上有利である。
【0022】元素Mは、CoであるかCoおよびZnで
ある。Mが少なすぎると、M添加による効果が不十分と
なり、Mが多すぎると、BrやHcJがかえって低下して
しまう。M中のCoの比率は、好ましくは10原子%以
上、より好ましくは20原子%以上である。Coの比率
が低すぎると、保磁力向上が不十分となる。
ある。Mが少なすぎると、M添加による効果が不十分と
なり、Mが多すぎると、BrやHcJがかえって低下して
しまう。M中のCoの比率は、好ましくは10原子%以
上、より好ましくは20原子%以上である。Coの比率
が低すぎると、保磁力向上が不十分となる。
【0023】本発明の焼結磁石の組成を 式 A1-xRx(Fe12-yMy)zO19 (x,y,zはモル数を表す)で表したとき、好ましく
は 0.04≦x≦0.9、特に0.04≦x≦0.6、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 であり、より好ましくは 0.04≦x≦0.5、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 であり、さらに好ましくは 0.1≦x≦0.4、 0.1≦y≦0.4、 0.8≦z≦1.1 であり、特に好ましくは 0.9≦z≦1.05 である。
は 0.04≦x≦0.9、特に0.04≦x≦0.6、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 であり、より好ましくは 0.04≦x≦0.5、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 であり、さらに好ましくは 0.1≦x≦0.4、 0.1≦y≦0.4、 0.8≦z≦1.1 であり、特に好ましくは 0.9≦z≦1.05 である。
【0024】上記式において、xが小さすぎると、すな
わち元素Rの量が少なすぎると、六方晶フェライトに対
する元素Mの固溶量を多くできなくなり、飽和磁化向上
効果および/または異方性磁場向上効果が不十分とな
る。xが大きすぎると六方晶フェライト中に元素Rが置
換固溶できなくなり、例えば元素Rを含むオルソフェラ
イトが生成して飽和磁化が低くなってしまう。yが小さ
すぎると飽和磁化向上効果および/または異方性磁場向
上効果が不十分となる。yが大きすぎると六方晶フェラ
イト中に元素Mが置換固溶できなくなる。また、元素M
が置換固溶できる範囲であっても、異方性定数(K1)
や異方性磁場(HA)の劣化が大きくなってしまう。z
が小さすぎるとSrおよび元素Rを含む非磁性相が増え
るため、飽和磁化が低くなってしまう。zが大きすぎる
とα−Fe2O3相または元素Mを含む非磁性スピネルフ
ェライト相が増えるため、飽和磁化が低くなってしま
う。なお、上記式は不純物が含まれていないものとして
規定されている。
わち元素Rの量が少なすぎると、六方晶フェライトに対
する元素Mの固溶量を多くできなくなり、飽和磁化向上
効果および/または異方性磁場向上効果が不十分とな
る。xが大きすぎると六方晶フェライト中に元素Rが置
換固溶できなくなり、例えば元素Rを含むオルソフェラ
イトが生成して飽和磁化が低くなってしまう。yが小さ
すぎると飽和磁化向上効果および/または異方性磁場向
上効果が不十分となる。yが大きすぎると六方晶フェラ
イト中に元素Mが置換固溶できなくなる。また、元素M
が置換固溶できる範囲であっても、異方性定数(K1)
や異方性磁場(HA)の劣化が大きくなってしまう。z
が小さすぎるとSrおよび元素Rを含む非磁性相が増え
るため、飽和磁化が低くなってしまう。zが大きすぎる
とα−Fe2O3相または元素Mを含む非磁性スピネルフ
ェライト相が増えるため、飽和磁化が低くなってしま
う。なお、上記式は不純物が含まれていないものとして
規定されている。
【0025】組成を表わす上記式において、酸素(O)
のモル数は19となっているが、これは、Rがすべて3
価であって、かつx=y、z=1のときの化学量論組成
比を示したものである。Rの種類やx、y、zの値によ
って、酸素のモル数は異なってくる。また、例えば焼成
雰囲気が還元性雰囲気の場合は、酸素の欠損(ベイカン
シー)ができる可能性がある。さらに、FeはM型フェ
ライト中においては通常3価で存在するが、これが2価
などに変化する可能性もある。また、Co等のMで示さ
れる元素も価数が変化する可能性があり、これらにより
金属元素に対する酸素の比率は変化する。本明細書で
は、Rの種類やx、y、zの値によらず酸素のモル数を
19と表示してあるが、実際の酸素のモル数は化学量論
組成比から多少偏倚していてもよい。例えば、Srフェ
ライト中に二価のFeが生成すると、フェライトの比抵
抗は低下すると考えられる(Fe2+→Fe3++e- )。
多結晶体の場合は、通常、粒界抵抗の方が粒内抵抗より
も大きいが、この原因により実際の焼結磁石の比抵抗は
変化する場合がある。
のモル数は19となっているが、これは、Rがすべて3
価であって、かつx=y、z=1のときの化学量論組成
比を示したものである。Rの種類やx、y、zの値によ
って、酸素のモル数は異なってくる。また、例えば焼成
雰囲気が還元性雰囲気の場合は、酸素の欠損(ベイカン
シー)ができる可能性がある。さらに、FeはM型フェ
ライト中においては通常3価で存在するが、これが2価
などに変化する可能性もある。また、Co等のMで示さ
れる元素も価数が変化する可能性があり、これらにより
金属元素に対する酸素の比率は変化する。本明細書で
は、Rの種類やx、y、zの値によらず酸素のモル数を
19と表示してあるが、実際の酸素のモル数は化学量論
組成比から多少偏倚していてもよい。例えば、Srフェ
ライト中に二価のFeが生成すると、フェライトの比抵
抗は低下すると考えられる(Fe2+→Fe3++e- )。
多結晶体の場合は、通常、粒界抵抗の方が粒内抵抗より
も大きいが、この原因により実際の焼結磁石の比抵抗は
変化する場合がある。
【0026】焼結磁石には、Al2O3が含有される。A
l2O3の含有量は、好ましくは1.0重量%以下であ
る。本発明の製造方法を適用すれば、Al2O3含有量を
この程度に抑えても、十分に高い保磁力が得られるた
め、残留磁束密度の低下を抑えることができる。なお、
Al2O3添加の効果を十分に発揮させるためには、Al
2O3含有量を0.1重量%以上とすることが好ましい、
l2O3の含有量は、好ましくは1.0重量%以下であ
る。本発明の製造方法を適用すれば、Al2O3含有量を
この程度に抑えても、十分に高い保磁力が得られるた
め、残留磁束密度の低下を抑えることができる。なお、
Al2O3添加の効果を十分に発揮させるためには、Al
2O3含有量を0.1重量%以上とすることが好ましい、
【0027】焼結磁石には、B2O3が含まれていてもよ
い。B2O3を含むことにより仮焼温度および焼結温度を
低くすることができるので、生産上有利である。B2O3
の含有量は、酸化物磁性材料に対しての0.5重量%以
下であることが好ましい。B 2O3含有量が多すぎると、
飽和磁化が低くなってしまう。
い。B2O3を含むことにより仮焼温度および焼結温度を
低くすることができるので、生産上有利である。B2O3
の含有量は、酸化物磁性材料に対しての0.5重量%以
下であることが好ましい。B 2O3含有量が多すぎると、
飽和磁化が低くなってしまう。
【0028】焼結磁石中には、Na、KおよびRbの少
なくとも1種が含まれていてもよい。これらをそれぞれ
Na2O、K2OおよびRb2Oに換算したとき、これら
の含有量の合計は、焼結磁石全体の3重量%以下である
ことが好ましい。これらの含有量が多すぎると、飽和磁
化が低くなってしまう。これらの元素をMIで表わした
とき、焼結磁石中においてMIは例えば Sr1.3-2aRaMI a-0.3Fe11.7M0.3O19 の形で含有される。なお、この場合、0.3<a≦0.
5であることが好ましい。aが大きすぎると、飽和磁化
が低くなってしまう他、焼成時に元素MIが多量に蒸発
してしまうという問題が生じる。
なくとも1種が含まれていてもよい。これらをそれぞれ
Na2O、K2OおよびRb2Oに換算したとき、これら
の含有量の合計は、焼結磁石全体の3重量%以下である
ことが好ましい。これらの含有量が多すぎると、飽和磁
化が低くなってしまう。これらの元素をMIで表わした
とき、焼結磁石中においてMIは例えば Sr1.3-2aRaMI a-0.3Fe11.7M0.3O19 の形で含有される。なお、この場合、0.3<a≦0.
5であることが好ましい。aが大きすぎると、飽和磁化
が低くなってしまう他、焼成時に元素MIが多量に蒸発
してしまうという問題が生じる。
【0029】また、これらの不純物の他、例えばSi,
Ga,In,Li,Mg,Mn,Ni,Cr,Cu,T
i,Zr,Ge,Sn,V,Nb,Ta,Sb,As,
W,Mo等を酸化物の形で、それぞれ酸化シリコン1重
量%以下、酸化ガリウム5重量%以下、酸化インジウム
3重量%以下、酸化リチウム1重量%以下、酸化マグネ
シウム3重量%以下、酸化マンガン3重量%以下、酸化
ニッケル3重量%以下、酸化クロム5重量%以下、酸化
銅3重量%以下、酸化チタン3重量%以下、酸化ジルコ
ニウム3重量%以下、酸化ゲルマニウム3重量%以下、
酸化スズ3重量%以下、酸化バナジウム3重量%以下、
酸化ニオブ3重量%以下、酸化タンタル3重量%以下、
酸化アンチモン3重量%以下、酸化砒素3重量%以下、
酸化タングステン3重量%以下、酸化モリブデン3重量
%以下程度含有されていてもよい。
Ga,In,Li,Mg,Mn,Ni,Cr,Cu,T
i,Zr,Ge,Sn,V,Nb,Ta,Sb,As,
W,Mo等を酸化物の形で、それぞれ酸化シリコン1重
量%以下、酸化ガリウム5重量%以下、酸化インジウム
3重量%以下、酸化リチウム1重量%以下、酸化マグネ
シウム3重量%以下、酸化マンガン3重量%以下、酸化
ニッケル3重量%以下、酸化クロム5重量%以下、酸化
銅3重量%以下、酸化チタン3重量%以下、酸化ジルコ
ニウム3重量%以下、酸化ゲルマニウム3重量%以下、
酸化スズ3重量%以下、酸化バナジウム3重量%以下、
酸化ニオブ3重量%以下、酸化タンタル3重量%以下、
酸化アンチモン3重量%以下、酸化砒素3重量%以下、
酸化タングステン3重量%以下、酸化モリブデン3重量
%以下程度含有されていてもよい。
【0030】焼結磁石の組成は、蛍光X線定量分析など
により測定することができる。また、主相、すなわち六
方晶構造を有するフェライト相の存在は、X線回折によ
り確認できる。
により測定することができる。また、主相、すなわち六
方晶構造を有するフェライト相の存在は、X線回折によ
り確認できる。
【0031】次に、本発明の製造法の各工程における好
ましい条件について説明する。
ましい条件について説明する。
【0032】フェライトの原料粉末および添加物の原料
粉末としては、酸化物や、焼成により酸化物となる各種
化合物、例えば炭酸塩等を用いればよい。
粉末としては、酸化物や、焼成により酸化物となる各種
化合物、例えば炭酸塩等を用いればよい。
【0033】仮焼は、空気中において例えば1000〜
1350℃で1秒間〜10時間、特に1秒間〜3時間程
度行えばよい。仮焼体は、実質的にマグネトプランバイ
ト型のフェライト構造をもつ。
1350℃で1秒間〜10時間、特に1秒間〜3時間程
度行えばよい。仮焼体は、実質的にマグネトプランバイ
ト型のフェライト構造をもつ。
【0034】粉砕工程は、一般に顆粒状として得られる
仮焼体を粉砕ないし解砕するために設ける。なお、Al
2O3を添加する場合、原料粉末と同時に混合してもよ
く、この粉砕工程において添加してもよく、これら2回
に分けて添加してもよいが、好ましくは粉砕工程におい
て添加する。粉砕工程では、まず、乾式粗粉砕を行うこ
とが好ましい。乾式粗粉砕には、フェライト粒子に結晶
歪を導入して、保磁力HcBをいったん小さくする効果も
ある。保磁力の低下により粒子の凝集が抑制され、分散
性が向上する。また、粒子の凝集を抑制することによ
り、配向度が向上する。粒子に導入された結晶歪は、後
の焼成工程において解放され、保磁力が回復することに
よって永久磁石とすることができる。なお、乾式粗粉砕
の際には、通常、SiO2 と、焼成によりCaOとなる
CaCO3 とが添加される。SiO2およびCaCO3
は、一部を仮焼前に添加してもよい。不純物および添加
されたSiやCaは、大部分粒界や三重点部分に偏析す
るが、一部は粒内のフェライト部分(主相)にも取り込
まれる。特にCaは、Srサイトにはいる可能性が高
い。
仮焼体を粉砕ないし解砕するために設ける。なお、Al
2O3を添加する場合、原料粉末と同時に混合してもよ
く、この粉砕工程において添加してもよく、これら2回
に分けて添加してもよいが、好ましくは粉砕工程におい
て添加する。粉砕工程では、まず、乾式粗粉砕を行うこ
とが好ましい。乾式粗粉砕には、フェライト粒子に結晶
歪を導入して、保磁力HcBをいったん小さくする効果も
ある。保磁力の低下により粒子の凝集が抑制され、分散
性が向上する。また、粒子の凝集を抑制することによ
り、配向度が向上する。粒子に導入された結晶歪は、後
の焼成工程において解放され、保磁力が回復することに
よって永久磁石とすることができる。なお、乾式粗粉砕
の際には、通常、SiO2 と、焼成によりCaOとなる
CaCO3 とが添加される。SiO2およびCaCO3
は、一部を仮焼前に添加してもよい。不純物および添加
されたSiやCaは、大部分粒界や三重点部分に偏析す
るが、一部は粒内のフェライト部分(主相)にも取り込
まれる。特にCaは、Srサイトにはいる可能性が高
い。
【0035】乾式粗粉砕の後、フェライト粒子と水とを
含む粉砕用スラリーを調製し、これを用いて湿式粉砕を
行うことが好ましい。
含む粉砕用スラリーを調製し、これを用いて湿式粉砕を
行うことが好ましい。
【0036】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを濃縮して成
形用スラリーを調製する。濃縮は、遠心分離やフィルタ
ープレス等によって行えばよい。
形用スラリーを調製する。濃縮は、遠心分離やフィルタ
ープレス等によって行えばよい。
【0037】成形は、乾式で行っても湿式で行ってもよ
いが、配向度を高くするためには、湿式成形を行うこと
が好ましい。
いが、配向度を高くするためには、湿式成形を行うこと
が好ましい。
【0038】湿式成形工程では、成形用スラリーを用い
て磁場中成形を行う。成形圧力は0.1〜0.5t/cm2
程度、印加磁場は5〜15kOe程度とすればよい。
て磁場中成形を行う。成形圧力は0.1〜0.5t/cm2
程度、印加磁場は5〜15kOe程度とすればよい。
【0039】湿式成形では、非水系の分散媒を用いても
よく、水系の分散媒を用いてもよいが、環境への負荷を
考慮すると、水系の分散媒を用いることが好ましい。非
水系の分散媒を用いる場合には、例えば特開平6−53
064号公報に記載されているように、トルエンやキシ
レンのような有機溶媒に、例えばオレイン酸のような界
面活性剤を添加して、分散媒とする。このような分散媒
を用いることにより、分散しにくいサブミクロンサイズ
のフェライト粒子を用いた場合でも最高で98%程度の
高い磁気的配向度を得ることが可能である。一方、水系
の分散媒としては、水に各種界面活性剤を添加したもの
を用いればよいが、好ましくは、WO98/25278
に記載されている分散剤を用いることが好ましい。この
分散剤は、水酸基およびカルボキシル基を有する有機化
合物またはその中和塩もしくはそのラクトンであるか、
ヒロドキシメチルカルボニル基を有する有機化合物であ
るか、酸として解離し得るエノール型水酸基を有する有
機化合物またはその中和塩であって、前記有機化合物
が、炭素数3〜20であり、酸素原子と二重結合した炭
素原子以外の炭素原子の50%以上に水酸基が結合して
いる化合物、例えばグルコン酸やアスコルビン酸、であ
る。また、このほか、クエン酸またはその中和塩も上記
WO98/25278に挙げられている。
よく、水系の分散媒を用いてもよいが、環境への負荷を
考慮すると、水系の分散媒を用いることが好ましい。非
水系の分散媒を用いる場合には、例えば特開平6−53
064号公報に記載されているように、トルエンやキシ
レンのような有機溶媒に、例えばオレイン酸のような界
面活性剤を添加して、分散媒とする。このような分散媒
を用いることにより、分散しにくいサブミクロンサイズ
のフェライト粒子を用いた場合でも最高で98%程度の
高い磁気的配向度を得ることが可能である。一方、水系
の分散媒としては、水に各種界面活性剤を添加したもの
を用いればよいが、好ましくは、WO98/25278
に記載されている分散剤を用いることが好ましい。この
分散剤は、水酸基およびカルボキシル基を有する有機化
合物またはその中和塩もしくはそのラクトンであるか、
ヒロドキシメチルカルボニル基を有する有機化合物であ
るか、酸として解離し得るエノール型水酸基を有する有
機化合物またはその中和塩であって、前記有機化合物
が、炭素数3〜20であり、酸素原子と二重結合した炭
素原子以外の炭素原子の50%以上に水酸基が結合して
いる化合物、例えばグルコン酸やアスコルビン酸、であ
る。また、このほか、クエン酸またはその中和塩も上記
WO98/25278に挙げられている。
【0040】成形工程と焼成工程との間には、成形体を
大気中または窒素中において100〜500℃の温度で
熱処理して、添加した分散剤を十分に分解除去するため
の工程が、必要に応じて設けられる。
大気中または窒素中において100〜500℃の温度で
熱処理して、添加した分散剤を十分に分解除去するため
の工程が、必要に応じて設けられる。
【0041】焼成工程では、大気中で好ましくは115
0〜1270℃、より好ましくは1160〜1240℃
の温度(安定温度)で焼成する。焼成時に安定温度に保
持する時間(安定時間)は、0.5〜3時間程度するこ
とが好ましい。
0〜1270℃、より好ましくは1160〜1240℃
の温度(安定温度)で焼成する。焼成時に安定温度に保
持する時間(安定時間)は、0.5〜3時間程度するこ
とが好ましい。
【0042】本発明により製造される焼結磁石は、所定
の形状に加工され、例えば下記に示すような幅広い用途
に使用される。
の形状に加工され、例えば下記に示すような幅広い用途
に使用される。
【0043】例えば、フュエールポンプ用、パワーウイ
ンド用、ABS用、ファン用、ワイパ用、パワーステア
リング用、アクティブサスペンション用、スタータ用、
ドアロック用、電動ミラー用等の自動車用モータ;FD
Dスピンドル用、VTRキャプスタン用、VTR回転ヘ
ッド用、VTRリール用、VTRローディング用、VT
Rカメラキャプスタン用、VTRカメラ回転ヘッド用、
VTRカメラズーム用、VTRカメラフォーカス用、ラ
ジカセ等キャプスタン用、CD,LD,MDスピンドル
用、CD,LD,MDローディング用、CD,LD光ピ
ックアップ用等のOA、AVI機器用モータ;エアコンコ
ンプレッサー用、冷蔵庫コンプレッサー用、電動工具駆
動用、扇風機用、電子レンジファン用、電子レンジプレ
ート回転用、ミキサ駆動用、ドライヤーファン用、シェ
ーバー駆動用、電動歯ブラシ用等の家電機器用モータ;
ロボット軸、関節駆動用、ロボット主駆動用、工作機器
テーブル駆動用、工作機器ベルト駆動用等のFA機器用
モータ;その他、オートバイ用発電器、スピーカ・ヘッ
ドホン用マグネット、マグネトロン管、MRI用磁場発
生装置、CD−ROM用クランパ、ディストリビュータ
用センサ、ABS用センサ、燃料・オイルレベルセン
サ、マグネットラッチ等に好適に使用される。
ンド用、ABS用、ファン用、ワイパ用、パワーステア
リング用、アクティブサスペンション用、スタータ用、
ドアロック用、電動ミラー用等の自動車用モータ;FD
Dスピンドル用、VTRキャプスタン用、VTR回転ヘ
ッド用、VTRリール用、VTRローディング用、VT
Rカメラキャプスタン用、VTRカメラ回転ヘッド用、
VTRカメラズーム用、VTRカメラフォーカス用、ラ
ジカセ等キャプスタン用、CD,LD,MDスピンドル
用、CD,LD,MDローディング用、CD,LD光ピ
ックアップ用等のOA、AVI機器用モータ;エアコンコ
ンプレッサー用、冷蔵庫コンプレッサー用、電動工具駆
動用、扇風機用、電子レンジファン用、電子レンジプレ
ート回転用、ミキサ駆動用、ドライヤーファン用、シェ
ーバー駆動用、電動歯ブラシ用等の家電機器用モータ;
ロボット軸、関節駆動用、ロボット主駆動用、工作機器
テーブル駆動用、工作機器ベルト駆動用等のFA機器用
モータ;その他、オートバイ用発電器、スピーカ・ヘッ
ドホン用マグネット、マグネトロン管、MRI用磁場発
生装置、CD−ROM用クランパ、ディストリビュータ
用センサ、ABS用センサ、燃料・オイルレベルセン
サ、マグネットラッチ等に好適に使用される。
【0044】
【実施例】実施例1 原料粉末として、Fe2O3、SrCO3、Co3O4、C
oO、La2O3を用意し、これらを 式 Sr1-xLax(Fe12-yCoy)zO19 となるように秤量した。x、yおよびzを、表1に示
す。また、上記原料粉末に対する割合で表して、0.2
重量%のSiO2粉末および0.1重量%のCaCO3粉
末をそれぞれ用意した。また、上記式で表される組成に
対する割合で表して、表1に示す量のAl2O3粉末も用
意した。これらを湿式アトライタで混合・粉砕し、乾燥
して整粒した後、空気中において1270℃で1時間仮
焼して、顆粒状の仮焼体を得た。
oO、La2O3を用意し、これらを 式 Sr1-xLax(Fe12-yCoy)zO19 となるように秤量した。x、yおよびzを、表1に示
す。また、上記原料粉末に対する割合で表して、0.2
重量%のSiO2粉末および0.1重量%のCaCO3粉
末をそれぞれ用意した。また、上記式で表される組成に
対する割合で表して、表1に示す量のAl2O3粉末も用
意した。これらを湿式アトライタで混合・粉砕し、乾燥
して整粒した後、空気中において1270℃で1時間仮
焼して、顆粒状の仮焼体を得た。
【0045】各仮焼体にSiO2 を0.4重量%、Ca
CO3 を0.9重量%添加した後、振動ロッドミルによ
り20分間乾式粗粉砕した。
CO3 を0.9重量%添加した後、振動ロッドミルによ
り20分間乾式粗粉砕した。
【0046】次いで、分散媒として水を、分散剤として
仮焼体粒子に対し0.6重量%のグルコン酸を用い、こ
れらと上記仮焼体とを混合して粉砕用スラリーを調製し
た。グルコン酸添加の際には、グルコン酸の中和当量の
5倍に相当するアンモニア水を加えて粉砕時のpHを調
整した。なお、グルコン酸の添加量は、グルコン酸イオ
ンに換算した値である。
仮焼体粒子に対し0.6重量%のグルコン酸を用い、こ
れらと上記仮焼体とを混合して粉砕用スラリーを調製し
た。グルコン酸添加の際には、グルコン酸の中和当量の
5倍に相当するアンモニア水を加えて粉砕時のpHを調
整した。なお、グルコン酸の添加量は、グルコン酸イオ
ンに換算した値である。
【0047】この粉砕用スラリーを用いて、湿式アトラ
イタにより粉砕を行い、表1に示す仮焼体粉末A、B、
C、D、Eを得た。アトライタの粉砕速度(回転数)お
よび粉砕時間を、表1に示す。また、得られた仮焼体粉
末の比表面積(BET値)を、表1に示す。また、粒径
0.8〜1.0μmの粒子が仮焼粉末全体に占める割合
を、仮焼粉末の粒度分布として表1に示す。なお、粒度
分布は、走査型電子顕微鏡により測定した。
イタにより粉砕を行い、表1に示す仮焼体粉末A、B、
C、D、Eを得た。アトライタの粉砕速度(回転数)お
よび粉砕時間を、表1に示す。また、得られた仮焼体粉
末の比表面積(BET値)を、表1に示す。また、粒径
0.8〜1.0μmの粒子が仮焼粉末全体に占める割合
を、仮焼粉末の粒度分布として表1に示す。なお、粒度
分布は、走査型電子顕微鏡により測定した。
【0048】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを遠心分離し
て、成形用スラリーとした。この成形用スラリーから水
を除去しながら圧縮成形を行った。この成形は、圧縮方
向に約10kOe の磁場を印加しながら行った。得られた
成形体は、直径30mm、高さ15mmの円柱状であった。
て、成形用スラリーとした。この成形用スラリーから水
を除去しながら圧縮成形を行った。この成形は、圧縮方
向に約10kOe の磁場を印加しながら行った。得られた
成形体は、直径30mm、高さ15mmの円柱状であった。
【0049】次に、空気中において、室温から安定温度
までの昇温速度を表1に示す値として1210℃に保持
することにより焼成を行い、室温までの降温速度を昇温
速度と同じに保って降温することにより、焼結体を得
た。各焼結体の製造に使用した仮焼体粉末の符号を、表
1に示す。また、表1に、昇温開始から降温終了までの
時間を焼成時間として示す。各焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度(Br)、保磁力(HcJ)および配
向度Br/Jmを調べた。結果を表1に示す。また、各
焼結体の結晶粒径の分布を走査型電子顕微鏡により調
べ、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる結晶粒
が全体に占める割合を求めた。この結果を、焼結体粒度
分布として表1に示す。
までの昇温速度を表1に示す値として1210℃に保持
することにより焼成を行い、室温までの降温速度を昇温
速度と同じに保って降温することにより、焼結体を得
た。各焼結体の製造に使用した仮焼体粉末の符号を、表
1に示す。また、表1に、昇温開始から降温終了までの
時間を焼成時間として示す。各焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度(Br)、保磁力(HcJ)および配
向度Br/Jmを調べた。結果を表1に示す。また、各
焼結体の結晶粒径の分布を走査型電子顕微鏡により調
べ、粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる結晶粒
が全体に占める割合を求めた。この結果を、焼結体粒度
分布として表1に示す。
【0050】図1および図2に、仮焼体粉末Aおよび仮
焼体粉末Bの走査型電子顕微鏡写真をそれぞれ示す。
焼体粉末Bの走査型電子顕微鏡写真をそれぞれ示す。
【0051】
【表1】
【0052】表1から、本発明の効果が明らかである。
仮焼体粉末Aに比べ粉砕速度を低くした仮焼体粉末Bで
は、粒度が揃っており、これは、図2において、粒径
0.5μm以下の粒子が図1よりも少ないことからも裏
付けられる。仮焼体粉末Bを用いた焼結体2、3のほう
が、仮焼体粉末Aを用いた焼結体1よりも配向度Br/
Jmが高くなっているが、この結果は、微粒子が少ない
ほうが高配向になることを示している。そして、昇降温
速度を2.5℃/分と低くした焼結体3では、昇降温速
度を5℃/分とする替わりに多量のCo添加により特性
向上をはかった焼結体4と同等のHcJが得られている。
なお、焼結体3では、0.5μm未満の微細な結晶粒お
よび1.5μmを超える粗大な結晶粒が共に約10%で
あった。
仮焼体粉末Aに比べ粉砕速度を低くした仮焼体粉末Bで
は、粒度が揃っており、これは、図2において、粒径
0.5μm以下の粒子が図1よりも少ないことからも裏
付けられる。仮焼体粉末Bを用いた焼結体2、3のほう
が、仮焼体粉末Aを用いた焼結体1よりも配向度Br/
Jmが高くなっているが、この結果は、微粒子が少ない
ほうが高配向になることを示している。そして、昇降温
速度を2.5℃/分と低くした焼結体3では、昇降温速
度を5℃/分とする替わりに多量のCo添加により特性
向上をはかった焼結体4と同等のHcJが得られている。
なお、焼結体3では、0.5μm未満の微細な結晶粒お
よび1.5μmを超える粗大な結晶粒が共に約10%で
あった。
【0053】また、Al2O3を添加しない焼結体5、6
の比較から、仮焼体粉末の粒度分布および昇降温速度の
制御によるHcJ向上効果は、Al2O3添加の有無にかか
わらず実現することがわかる。
の比較から、仮焼体粉末の粒度分布および昇降温速度の
制御によるHcJ向上効果は、Al2O3添加の有無にかか
わらず実現することがわかる。
【図1】粒子構造を示す図面代用写真であって、フェラ
イト仮焼体粉末の走査型電子顕微鏡写真である。
イト仮焼体粉末の走査型電子顕微鏡写真である。
【図2】粒子構造を示す図面代用写真であって、フェラ
イト仮焼体粉末の走査型電子顕微鏡写真である。
イト仮焼体粉末の走査型電子顕微鏡写真である。
Claims (9)
- 【請求項1】 六方晶構造を有するフェライトを主相と
する焼結磁石であって、 CoおよびAl2O3を含有し、 粒径が1.0±0.5μmの範囲内に収まる結晶粒が全
体の70体積%以上を占める焼結磁石。 - 【請求項2】 Al2O3の含有量が1.0重量%以下で
ある請求項1の焼結磁石。 - 【請求項3】 Sr、Ba、CaおよびPbから選択さ
れる少なくとも1種の元素であって、Srを必ず含むも
のをAとし、 希土類元素(Yを含む)およびBiから選択される少な
くとも1種の元素であってLaを必ず含むものをRと
し、 Co、またはCoおよびZnをMとしたとき、 A,R,FeおよびMを含有する請求項1または2の焼
結磁石。 - 【請求項4】 A,R,FeおよびMそれぞれの金属元
素の総計の構成比率が、全金属元素量に対し、 A:1〜13原子%、 R:0.05〜10原子%、 Fe:92〜95原子%、 M:0.1〜5原子% である請求項3の焼結磁石。 - 【請求項5】 組成を 式 A1-xRx(Fe12-yMy)zO19 (x,y,zはモル数を表す)で表したとき、 0.04≦x≦0.9、 0.04≦y≦0.5、 0.7≦z≦1.2 である請求項4の焼結磁石。
- 【請求項6】 六方晶構造を有するフェライトを主相と
する焼結磁石を製造する方法であって、 原料粉末を仮焼して仮焼体を得る仮焼工程と、仮焼体を
粉砕して仮焼粉末を得る粉砕工程と、仮焼粉末を成形し
て成形体を得る成形工程と、成形体を焼成して焼結磁石
を得る焼成工程とを有し、 前記焼成工程において、昇温速度および降温速度を90
0℃以上において1〜4℃/分に設定する焼結磁石の製
造方法。 - 【請求項7】 前記粉砕工程において、仮焼粉末の比表
面積が7.0〜9.0m2/gとなり、かつ、粒径0.8〜
1.0μmの粒子が仮焼粉末全体の80重量%以上を占
めるように粉砕を行う請求項6の焼結磁石の製造方法。 - 【請求項8】 焼成後のAl2O3含有量が1.0重量%
以下となるように、前記成形体にAl2O3が含有されて
いる請求項6または7の焼結磁石の製造方法。 - 【請求項9】 請求項1〜5のいずれかの焼結磁石が製
造される請求項6〜8のいずれかの焼結磁石の製造方
法。
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-
1999
- 1999-03-19 JP JP11076962A patent/JP2000277312A/ja not_active Withdrawn
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