JP2000260573A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】簡単な構成で安価に製造可能であり、明るく高
品質な発光表示を可能にする有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表
面にＩＴＯやＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成さ
れた透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層１８と、この発光層１８に積層さ
れ透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ
等からなる背面電極２４とを備える。透明電極１２のパ
ターンに沿って透明電極１２に接して、透明基板１０の
表面に埋め込まれたワイヤ１６を備える。ワイヤ１６は
その一部が透明基板１０の表面から露出し、その露出部
分は透明基板１０の表面となめらかに連続しワイヤ１６
と透明電極１２が接続している。
品質な発光表示を可能にする有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表
面にＩＴＯやＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成さ
れた透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層１８と、この発光層１８に積層さ
れ透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ
等からなる背面電極２４とを備える。透明電極１２のパ
ターンに沿って透明電極１２に接して、透明基板１０の
表面に埋め込まれたワイヤ１６を備える。ワイヤ１６は
その一部が透明基板１０の表面から露出し、その露出部
分は透明基板１０の表面となめらかに連続しワイヤ１６
と透明電極１２が接続している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子に関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機ＥＬ材料
であり、α−ＮＰＤやトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料で
あるアルミキノリール錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材
料、さらに各種発光材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と
直交する方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金
属からなるストライプ状の背面電極が透明電極と対向す
るように設けられ、発光部を形成している。そして発光
部において、透明電極と背面電極間に電圧を印加し、こ
れら各電極が形成するストライプの交点で発光する、い
わゆる単純マトリックスタイプの発光装置が一般的であ
った。
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機ＥＬ材料
であり、α−ＮＰＤやトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料で
あるアルミキノリール錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材
料、さらに各種発光材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と
直交する方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金
属からなるストライプ状の背面電極が透明電極と対向す
るように設けられ、発光部を形成している。そして発光
部において、透明電極と背面電極間に電圧を印加し、こ
れら各電極が形成するストライプの交点で発光する、い
わゆる単純マトリックスタイプの発光装置が一般的であ
った。
【０００３】このような有機ＥＬ素子の駆動方法は、Ｉ
ＴＯの抵抗値がＡｌ−Ｌｉよりも高いので、Ａｌ−Ｌｉ
の背面電極側を走査電極として、ＩＴＯの透明電極側で
は並列に信号を出すようにしていた。
ＴＯの抵抗値がＡｌ−Ｌｉよりも高いので、Ａｌ−Ｌｉ
の背面電極側を走査電極として、ＩＴＯの透明電極側で
は並列に信号を出すようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、このドットマトリクス表示の場合、微細な表示を行
うためのものや大画面化した場合、ドット数を多くする
必要があるため各ストライプ数が多くなり、１ライン当
たりの発光時間が短くなってしまい画面が暗くなるもの
であった。ここで例えば、画面の周期を１／ｎ秒、走査
する背面電極の本数をｍとすると、透明電極は並列に駆
動されるので、背面電極との交点での点灯時間は１／ｍ
ｎ秒である。実験的には、人の目でちらつきなく画面を
見られるのは１／２４秒以下であり、この状態で、走査
する電極の本数が１２８を超えると、１発光素子あたり
の発光時間が短く、画像が暗く質が悪くなってしまうも
のであった。
合、このドットマトリクス表示の場合、微細な表示を行
うためのものや大画面化した場合、ドット数を多くする
必要があるため各ストライプ数が多くなり、１ライン当
たりの発光時間が短くなってしまい画面が暗くなるもの
であった。ここで例えば、画面の周期を１／ｎ秒、走査
する背面電極の本数をｍとすると、透明電極は並列に駆
動されるので、背面電極との交点での点灯時間は１／ｍ
ｎ秒である。実験的には、人の目でちらつきなく画面を
見られるのは１／２４秒以下であり、この状態で、走査
する電極の本数が１２８を超えると、１発光素子あたり
の発光時間が短く、画像が暗く質が悪くなってしまうも
のであった。
【０００５】一方、画質を上げるために走査側電極の本
数を増やすと、画面面積が一定であれば、電極の太さが
細くなり、透明電極は比較的抵抗値が高いので画面の位
置により電流値が変わり、画面に明るさむらができてし
まうという問題もあった。
数を増やすと、画面面積が一定であれば、電極の太さが
細くなり、透明電極は比較的抵抗値が高いので画面の位
置により電流値が変わり、画面に明るさむらができてし
まうという問題もあった。
【０００６】なお、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用い
た駆動回路を利用することにより上記問題点は解決され
得るが、ＴＦＴは高価であり、ＥＬ素子を利用した表示
装置の価格も高くなってしまうものであった。
た駆動回路を利用することにより上記問題点は解決され
得るが、ＴＦＴは高価であり、ＥＬ素子を利用した表示
装置の価格も高くなってしまうものであった。
【０００７】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、簡単な構成で安価に製造可能であり、
明るく高品質な発光表示を可能にする有機ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
れたものであり、簡単な構成で安価に製造可能であり、
明るく高品質な発光表示を可能にする有機ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の有機ＥＬ素子
は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板の表面にＩＴＯや
ＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極とを
備える。そして、上記透明電極のパターンに沿って上記
透明電極に接して、上記透明基板表面に埋め込まれたワ
イヤを備えた有機ＥＬ素子である。
は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板の表面にＩＴＯや
ＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極とを
備える。そして、上記透明電極のパターンに沿って上記
透明電極に接して、上記透明基板表面に埋め込まれたワ
イヤを備えた有機ＥＬ素子である。
【０００９】また、上記ワイヤはその一部が上記透明基
板表面から露出し、その露出部分は上記透明基板表面と
なめらかに連続している。さらに、上記透明基板の表面
にＳｉＯ２等の透明絶縁体層を設け、この透明絶縁体層
には上記透明電極の各発光画素に対応して開口部を設
け、この開口部により上記ワイヤと上記透明電極とを接
続している。
板表面から露出し、その露出部分は上記透明基板表面と
なめらかに連続している。さらに、上記透明基板の表面
にＳｉＯ２等の透明絶縁体層を設け、この透明絶縁体層
には上記透明電極の各発光画素に対応して開口部を設
け、この開口部により上記ワイヤと上記透明電極とを接
続している。
【００１０】さらに、上記透明電極はストライプ状に形
成され、上記透明電極は複数本の組毎に外部の駆動回路
に接続されている。上記透明電極の各組毎に、上記背面
電極が別々に上記外部の駆動回路に接続され、上記透明
電極側を走査電極として上記各組毎に上記透明電極を走
査して上記発光層に電圧をかけるものである。
成され、上記透明電極は複数本の組毎に外部の駆動回路
に接続されている。上記透明電極の各組毎に、上記背面
電極が別々に上記外部の駆動回路に接続され、上記透明
電極側を走査電極として上記各組毎に上記透明電極を走
査して上記発光層に電圧をかけるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
のＥＬ素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の
一方の表面に、ＳｉＯ２等の透明絶縁体層１４を介し
て、所定のピッチでストライプ状の透明電極１２が設け
られている。透明電極１２は、ＩＴＯやＳｎＯ２等から
なり、１０００〜２０００Åの厚さに形成され、図１に
おいて紙面に直角方向に透明電極１２が延びている。透
明絶縁体層１４は、透明電極１２と直交する方向で１０
００〜２０００Åの厚さでストライプ状に形成され、そ
の間は透明基板１０が露出している。
いて図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
のＥＬ素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の
一方の表面に、ＳｉＯ２等の透明絶縁体層１４を介し
て、所定のピッチでストライプ状の透明電極１２が設け
られている。透明電極１２は、ＩＴＯやＳｎＯ２等から
なり、１０００〜２０００Åの厚さに形成され、図１に
おいて紙面に直角方向に透明電極１２が延びている。透
明絶縁体層１４は、透明電極１２と直交する方向で１０
００〜２０００Åの厚さでストライプ状に形成され、そ
の間は透明基板１０が露出している。
【００１２】透明基板１０の表面には、透明電極１２の
各々の一方の側縁部に重なるように沿ってワイヤ１６が
埋設されている。ワイヤ１６は、銅やアルミニウム等の
電気抵抗の小さい材料からなり、ワイヤ１６の側面が長
手方向に沿って一部露出している。ワイヤ１６は、たと
えば３０μｍの太さであり、発光画素の間のスペース部
分に位置する。またワイヤ１６は透明基板１０の周縁部
では、外部に接続されるリード端子としても用いること
ができる。
各々の一方の側縁部に重なるように沿ってワイヤ１６が
埋設されている。ワイヤ１６は、銅やアルミニウム等の
電気抵抗の小さい材料からなり、ワイヤ１６の側面が長
手方向に沿って一部露出している。ワイヤ１６は、たと
えば３０μｍの太さであり、発光画素の間のスペース部
分に位置する。またワイヤ１６は透明基板１０の周縁部
では、外部に接続されるリード端子としても用いること
ができる。
【００１３】透明電極１２およびその間に露出した透明
絶縁体層１４には、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の
図示しないバッファー層を介して発光層１８が積層され
ている。発光層１８は、５００Å程度の厚さのホール輸
送材料２０、及び５００Å程度の厚さの電子輸送材料２
２からなる。ホール輸送材料２０は、透明電極１２およ
びその間に露出した透明絶縁体層１４の全面に積層され
ている。
絶縁体層１４には、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の
図示しないバッファー層を介して発光層１８が積層され
ている。発光層１８は、５００Å程度の厚さのホール輸
送材料２０、及び５００Å程度の厚さの電子輸送材料２
２からなる。ホール輸送材料２０は、透明電極１２およ
びその間に露出した透明絶縁体層１４の全面に積層され
ている。
【００１４】また、電子輸送材料２２は、光の３原色に
対応した３発光パターンを一組として、透明電極１２に
沿って複数本形成されている。電子輸送材料２２は各透
明電極１２に対応して３本の発光パターン２２Ｒ，２２
Ｂ，２２Ｇが各々わずかに間隔を空けてストライプ状に
形成されている。
対応した３発光パターンを一組として、透明電極１２に
沿って複数本形成されている。電子輸送材料２２は各透
明電極１２に対応して３本の発光パターン２２Ｒ，２２
Ｂ，２２Ｇが各々わずかに間隔を空けてストライプ状に
形成されている。
【００１５】ここで、発光層１８は、母体材料のうちホ
ール輸送材料２０としては、α−ＮＰＤ、トリフェニル
ジアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリー
ルアミン誘導体等がある。また、電子輸送材料２２の赤
色発光材料としてはＤＣＭ、青色発光材料としては、ジ
スチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、緑色発光材
料としてはアルミキノリール錯体（Ａｌｑ3）等の有機
ＥＬ発光材料を使用する。さらに適宜の発光材料を混合
しても良い。
ール輸送材料２０としては、α−ＮＰＤ、トリフェニル
ジアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリー
ルアミン誘導体等がある。また、電子輸送材料２２の赤
色発光材料としてはＤＣＭ、青色発光材料としては、ジ
スチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、緑色発光材
料としてはアルミキノリール錯体（Ａｌｑ3）等の有機
ＥＬ発光材料を使用する。さらに適宜の発光材料を混合
しても良い。
【００１６】電子輸送材料２２には、透明電極１２と直
交する方向でストライプ状に、背面電極２４が積層され
ている。背面電極２４は、図２に示すように、透明絶縁
体層１４と対向して平行に形成され、たとえば３３０μ
ｍピッチで３０μｍの間隔をあけて形成されている。背
面電極２４は、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｃｓ等
を含む金属薄膜からなる。背面電極２４およびその間の
発光層１８には、ＳｉＯ等の絶縁層が全面に積層されて
いる。
交する方向でストライプ状に、背面電極２４が積層され
ている。背面電極２４は、図２に示すように、透明絶縁
体層１４と対向して平行に形成され、たとえば３３０μ
ｍピッチで３０μｍの間隔をあけて形成されている。背
面電極２４は、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｃｓ等
を含む金属薄膜からなる。背面電極２４およびその間の
発光層１８には、ＳｉＯ等の絶縁層が全面に積層されて
いる。
【００１７】この実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
は、平滑な透明基板１０を形成する際にワイヤ１６を所
定のピッチで埋め込む。埋め込み方法は、透明基板１０
の溶融状態でワイヤ１４を表面に埋め込み、乾燥後、研
磨してワイヤ１４の側面を露出させる。
は、平滑な透明基板１０を形成する際にワイヤ１６を所
定のピッチで埋め込む。埋め込み方法は、透明基板１０
の溶融状態でワイヤ１４を表面に埋め込み、乾燥後、研
磨してワイヤ１４の側面を露出させる。
【００１８】この後、透明基板１０を真空装置内にセッ
トし、図１（Ａ）に示すように、透明絶縁体層１４を蒸
着する。このとき、単繊維ワイヤ等によるワイヤマスク
を介して蒸着する。ワイヤマスクは、例えば３３０μｍ
ピッチにマスクフレームに配置し、図２に示すように、
透明絶縁体層１４の形成されていない開口部である境界
部２６を透明基板１０上に形成する。
トし、図１（Ａ）に示すように、透明絶縁体層１４を蒸
着する。このとき、単繊維ワイヤ等によるワイヤマスク
を介して蒸着する。ワイヤマスクは、例えば３３０μｍ
ピッチにマスクフレームに配置し、図２に示すように、
透明絶縁体層１４の形成されていない開口部である境界
部２６を透明基板１０上に形成する。
【００１９】次に、図１（Ｂ）に示すように、ＩＴＯ等
の透明電極材料を蒸着等の真空薄膜形成技術により設け
る。このとき、透明電極１２は、たとえば３００μｍの
幅で２０μｍ程度の間隔を空けて複数本形成されるよう
に、ワイヤマスク２８をワイヤ１４と平行に配置して蒸
着する。ワイヤマスク２８は、ワイヤ１４に対して１０
〜２０μｍ程度ずらして位置させる。
の透明電極材料を蒸着等の真空薄膜形成技術により設け
る。このとき、透明電極１２は、たとえば３００μｍの
幅で２０μｍ程度の間隔を空けて複数本形成されるよう
に、ワイヤマスク２８をワイヤ１４と平行に配置して蒸
着する。ワイヤマスク２８は、ワイヤ１４に対して１０
〜２０μｍ程度ずらして位置させる。
【００２０】次に、図１（Ｃ）に示すように、透明電極
１２の表面に、５００〜１０００Åの厚さのバッファー
層を全面に蒸着し、その後ホール輸送材料２０を２５０
〜５００Åの厚さに蒸着し、さらに、電子輸送材料２２
を同様に蒸着する。
１２の表面に、５００〜１０００Åの厚さのバッファー
層を全面に蒸着し、その後ホール輸送材料２０を２５０
〜５００Åの厚さに蒸着し、さらに、電子輸送材料２２
を同様に蒸着する。
【００２１】この後、図１（Ｃ）に示すように、背面電
極２４を蒸着する。背面電極２４の蒸着には、ワイヤマ
スク３０を用いる。ワイヤマスク３０は、透明絶縁層１
４の蒸着時のマスクと同様に配置し、境界部２６上に位
置するようにして蒸着を行う。さらに図示しない保護層
等を蒸着し、真空薄膜形成装置から取り出す。
極２４を蒸着する。背面電極２４の蒸着には、ワイヤマ
スク３０を用いる。ワイヤマスク３０は、透明絶縁層１
４の蒸着時のマスクと同様に配置し、境界部２６上に位
置するようにして蒸着を行う。さらに図示しない保護層
等を蒸着し、真空薄膜形成装置から取り出す。
【００２２】そして、この透明基板１０上の発光部を乾
燥窒素雰囲気中で乾燥剤を入れて密封する。
燥窒素雰囲気中で乾燥剤を入れて密封する。
【００２３】この実施形態のＥＬ素子の駆動方法は、表
面側の透明電極にワイヤ１６が接続しているので、ワイ
ヤ１６を走査電極として外部の駆動回路に接続する。そ
して、例えば、２５６×２５６ドットのカラー表示を行
う場合、透明電極が２５６本であり、各ドットの発光時
間を長くするため２組に分けて１２８本ずつの組にして
各組毎に走査する。このとき、背面電極２４では１２８
本づつの透明電極１２に対応して設ける。したがって、
の背面電極は、分割した分の本数倍に形成される。この
実施形態では、背面電極２４は表示装置の背面側である
ので、本数が増えても配線処理が容易に可能である。
面側の透明電極にワイヤ１６が接続しているので、ワイ
ヤ１６を走査電極として外部の駆動回路に接続する。そ
して、例えば、２５６×２５６ドットのカラー表示を行
う場合、透明電極が２５６本であり、各ドットの発光時
間を長くするため２組に分けて１２８本ずつの組にして
各組毎に走査する。このとき、背面電極２４では１２８
本づつの透明電極１２に対応して設ける。したがって、
の背面電極は、分割した分の本数倍に形成される。この
実施形態では、背面電極２４は表示装置の背面側である
ので、本数が増えても配線処理が容易に可能である。
【００２４】この実施形態のＥＬ素子によれば、透明電
極１２に沿ってワイヤ１６が形成され、透明電極１２の
各部位までの抵抗値を低い値にすることができる。した
がって、透明電極１２側を走査電極とし、背面電極２４
側には配線を多く設けることができ、画素数の多い表示
装置においても、分割走査等により発光時間の長い表示
装置を提供することができる。また大画面にも向いてい
るものであり、ワイヤ１６は発光画素間に位置し、自発
光素子であるので目立たないものである。
極１２に沿ってワイヤ１６が形成され、透明電極１２の
各部位までの抵抗値を低い値にすることができる。した
がって、透明電極１２側を走査電極とし、背面電極２４
側には配線を多く設けることができ、画素数の多い表示
装置においても、分割走査等により発光時間の長い表示
装置を提供することができる。また大画面にも向いてい
るものであり、ワイヤ１６は発光画素間に位置し、自発
光素子であるので目立たないものである。
【００２５】なおこの発明の有機ＥＬ素子は、上記実施
形態に限定されるものではなく、マスク蒸着のマスクの
配置や形状も上記実施形態以外に、穴明きマスクや、格
子状マスク等により形成可能である。また、透明絶縁層
は、ガラス等の透明基板表面の汚染やその他の悪影響を
避けるために用いることが好ましいが、必ずしも設けな
くても良く、透明基板表面の状態が良い場合等において
は設けないこともある。
形態に限定されるものではなく、マスク蒸着のマスクの
配置や形状も上記実施形態以外に、穴明きマスクや、格
子状マスク等により形成可能である。また、透明絶縁層
は、ガラス等の透明基板表面の汚染やその他の悪影響を
避けるために用いることが好ましいが、必ずしも設けな
くても良く、透明基板表面の状態が良い場合等において
は設けないこともある。
【００２６】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子は、透明電極の
抵抗値をきわめて小さくすることができ、全体として均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極側で表示のための走査が可能であり、背面電極側に
複雑な配線を形成することができ、より大きく高精細
で、明るい画面を可能にする。
抵抗値をきわめて小さくすることができ、全体として均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極側で表示のための走査が可能であり、背面電極側に
複雑な配線を形成することができ、より大きく高精細
で、明るい画面を可能にする。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す部分縦断面図である。
工程を示す部分縦断面図である。
【図２】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の背面
電極と透明電極およびワイヤ等を示す部分平面図（Ａ）
とＢ−Ｂ線断面図（Ｂ）である。
電極と透明電極およびワイヤ等を示す部分平面図（Ａ）
とＢ−Ｂ線断面図（Ｂ）である。
１０ 透明基板 １２ 透明電極 １４ 透明絶縁体層 １６ ワイヤ １８ 発光層 ２０ ホール輸送材料 ２２ 電子輸送材料 ２４ 背面電極
フロントページの続き (72)発明者 山本 肇 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB18 BA06 CA00 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 5G307 FA01 FA02 FB01 FC10
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板の表面に、透明な電極材料によ
り形成された透明電極と、上記透明電極に積層された有
機ＥＬ材料からなる発光層と、この発光層に積層され、
上記透明電極に対向して形成された背面電極とを有し、
上記透明電極のパターンに沿って上記透明電極に接して
上記透明基板表面に埋め込まれたワイヤを備えたことを
特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記ワイヤはその一部が上記透明基板表
面から露出し、その露出部分は上記透明基板表面となめ
らかに連続していることを特徴とする請求項１記載の有
機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記透明基板の表面に透明絶縁体層を設
け、この透明絶縁体層には上記透明電極の各発光画素に
対応して開口部を設け、この開口部により上記ワイヤと
上記透明電極とを接続したことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 上記透明電極はストライプ状に形成さ
れ、上記透明電極は複数本の組毎に外部の駆動回路に接
続されることを特徴とする請求項１、２または３記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 上記複数の透明電極は、複数の組毎に外
部の駆動回路に接続され、上記透明電極の各組毎に、上
記背面電極が別々に上記外部の駆動回路に接続され、上
記透明電極側を走査電極として上記各組毎に上記透明電
極を走査して上記発光層に電圧をかけることを特徴とす
る請求項４記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064601A JP2000260573A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064601A JP2000260573A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260573A true JP2000260573A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13262955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064601A Pending JP2000260573A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260573A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519177A (ja) * | 2003-07-16 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 均質な明るさを備えた電界発光デバイス |
| WO2007119200A3 (en) * | 2006-04-18 | 2008-03-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | An electro-optic device and a method for producing the same |
| WO2007128971A3 (en) * | 2006-04-12 | 2008-04-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic display and method of manufacturing the same |
| JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2009519564A (ja) * | 2005-12-12 | 2009-05-14 | モア ビー． チャド | ワイヤ式のフラットパネルディスプレイ |
| FR2924274A1 (fr) * | 2007-11-22 | 2009-05-29 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| WO2009078263A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064601A patent/JP2000260573A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519177A (ja) * | 2003-07-16 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 均質な明るさを備えた電界発光デバイス |
| JP2009519564A (ja) * | 2005-12-12 | 2009-05-14 | モア ビー． チャド | ワイヤ式のフラットパネルディスプレイ |
| WO2007128971A3 (en) * | 2006-04-12 | 2008-04-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic display and method of manufacturing the same |
| JP2009533810A (ja) * | 2006-04-12 | 2009-09-17 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光電子ディスプレイ及びその製造方法 |
| US8115216B2 (en) | 2006-04-12 | 2012-02-14 | Cambridge Display Technology Limited | Optoelectronic display and method of manufacturing the same |
| CN101449382B (zh) * | 2006-04-12 | 2013-11-13 | 剑桥显示技术有限公司 | 光电显示器及其制造方法 |
| KR101347995B1 (ko) | 2006-04-12 | 2014-01-07 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 광전자 디스플레이 및 그 제조 방법 |
| WO2007119200A3 (en) * | 2006-04-18 | 2008-03-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | An electro-optic device and a method for producing the same |
| JP2008277202A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Aitesu:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
| WO2008139934A1 (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-20 | International Test And Engineering Services Co., Ltd. | 多層基板およびその製造方法 |
| FR2924274A1 (fr) * | 2007-11-22 | 2009-05-29 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| WO2009078263A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
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