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JP2000252081A - 有機el素子 - Google Patents

有機el素子

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Publication number
JP2000252081A
JP2000252081A JP11050902A JP5090299A JP2000252081A JP 2000252081 A JP2000252081 A JP 2000252081A JP 11050902 A JP11050902 A JP 11050902A JP 5090299 A JP5090299 A JP 5090299A JP 2000252081 A JP2000252081 A JP 2000252081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
transparent
transparent electrode
organic
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11050902A
Other languages
English (en)
Inventor
Morimitsu Wakabayashi
守光 若林
Hajime Yamamoto
肇 山本
Shigeru Fukumoto
滋 福本
Yoshio Sato
好雄 佐藤
Hiroyoshi Mekawa
博義 女川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hokuriku Electric Industry Co Ltd filed Critical Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority to JP11050902A priority Critical patent/JP2000252081A/ja
Publication of JP2000252081A publication Critical patent/JP2000252081A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】明るく高品質な発光表示を可能にする有機EL
素子を提供する。 【解決手段】ガラスや石英、樹脂等の透明基板10の表
面にITOやSnO等の透明な電極材料により形成さ
れた透明電極12と、透明電極12に積層された有機E
L材料からなる発光層18と、発光層18に積層され、
透明電極12に対向して形成されたAl,Li,Cs等
からなる背面電極24とを備える。透明基板10の表面
に埋め込まれ、12透明電極のパターンに沿って透明電
極12に接した導電体による導体パターン16を備え
る。発光層18は光の3原色に対応した3発光パターン
を一組として透明電極12に沿って複数本形成され、導
体パターン16は発光層18の発光パターンに沿って複
数形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機EL素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、有機EL(エレクトルミネッセン
ス)素子は、透明な基板に透孔性のITO膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機EL材料
であり、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
ノリール錯体(Alq)等の電子輸送材料、さらに各
種発光材料を積層したものや、これらの混合層からな
る。そしてこの発光層の表面で、透明電極と直交する方
向に、Al,Li,Ag,Mg,In等の金属からなる
ストライプ状の背面電極が透明電極と対向するように設
けられ、発光部を形成している。そして発光部におい
て、透明電極と背面電極間に電圧を印加し、これら各電
極が形成するストライプの交点で発光する、いわゆる単
純マトリックスタイプの発光装置が一般的であった。
【0003】このような有機EL素子の駆動方法は、I
TOの抵抗値がAl−Liよりも高いので、Al−Li
の背面電極側を走査電極として、ITOの透明電極側で
は並列に信号を出すようにしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、このドットマトリクス表示の場合、微細な表示を行
うためのものや大画面化した場合、ドット数を多くする
必要があるため各ストライプ数が多くなり、1ライン当
たりの発光時間が短くなってしまい画面が暗くなるもの
であった。ここで例えば、画面の周期を1/30秒、走
査する背面電極の本数をnとすると、透明電極は並列に
駆動されるので、背面電極との交点での点灯時間は1/
30n秒である。実験的には、人の目でちらつきなく画
面を見られるのは1/30秒以下であり、この状態で、
走査する電極の本数が128を超えると、1発光素子あ
たりの発光時間が短く、画像が暗く質が悪くなってしま
うものであった。
【0005】一方、画質を上げるために走査側電極の本
数を増やすと、画面面積が一定であれば、電極の太さが
細くなり、透明電極は比較的抵抗値が高いので画面の位
置により電流値が変わり、画面に明るさむらができてし
まうという問題もあった。
【0006】なお、TFT(薄膜トランジスタ)を用い
た駆動回路を利用することにより上記問題点は解決され
得るが、TFTは高価であり、EL素子を利用した表示
装置の価格も高くなってしまうものであった。
【0007】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、明るく高品質な発光表示を可能にする
有機EL素子を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の有機EL素子
は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板の表面にITOや
SnO等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機EL材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたAl,Li,Cs等からなる背面電極とを
備える。そして、上記透明基板表面に埋め込まれ、上記
透明電極のパターンに沿って上記透明電極に接した導電
体による導体パターンを備えた有機EL素子である。
【0009】また、上記透明電極はストライプ状に形成
され、上記導体パターンは、上記透明電極に沿ってスト
ライプ状に設け、複数の組毎に外部の駆動回路に接続さ
れるものである。上記透明基板の表面に透明絶縁体層を
設け、この透明絶縁体層に、上記透明電極の各発光画素
に対応して開口部を設け、この開口部により上記導体パ
ターンと上記透明電極とを接続したものである。
【0010】上記発光層は光の3原色に対応した3発光
パターンを一組として上記透明電極に沿って複数本形成
され、上記導体パターンは上記発光層の発光パターンに
沿って複数形成されている。上記導体パターンは上記各
発光パターンの間の境界部に対応して位置している。さ
らに、光の3原色に対応した3発光パターンに対応した
上記複数の導体パターンの組は、各々1本の上記透明電
極に接続している。
【0011】また、光の3原色に対応した3発光パター
ンは、各々背面電極に接続し、各背面電極は、上記各3
発光パターン毎に背面導体に接続している。
【0012】上記複数の透明電極は、複数の組毎に外部
の駆動回路に接続され、上記透明電極の各組毎に、上記
背面電極は別々に上記外部の駆動回路に接続され、上記
透明電極側を走査電極として上記各組毎に上記透明電極
を走査して上記発光層に電圧をかけるものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図1〜図4はこの発明の
有機EL素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
のEL素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板10の
一方の表面に、SiO等の透明絶縁体層14を介し
て、所定のピッチでストライプ状の透明電極12が設け
られている。透明電極12はITOやSnO等からな
り、図1、図2においては、紙面に直角方向に透明電極
12が延びている。透明絶縁体層14は、例えば、33
0μmピッチでストライプ状に形成され、その間は透明
基板10が露出している。
【0014】透明基板10の表面には、透明電極12の
各々に対して、その両側縁部および透明電極12の幅を
3等分する位置に2本の計4本の導体パターン16が、
その表面に埋設されている。導体パターンは銅やアルミ
ニウム等の電気抵抗の小さい金属材料が良い。導体パタ
ーン16は透明基板10の周縁部で、外部に接続される
配線パターンとして用いられる。
【0015】ここで、透明基板が0.5mm厚で、33
0μmピッチの透明電極12のストライプパターンと
し、この表示装置の画素ピッチも330μmとすると、
これらの寸法は、例えば透明電極12の幅が300μ
m、導体パターン16の幅が20μm、隣り合う透明電
極12間の間隔が約30μm、その下方の導体パターン
同士の間隔が10μmとなる。導体パターン16の透明
基板10表面からの深さは、適宜設定し得るが、例えば
4μm程度である。透明電極12は、適宜500Å程度
の厚さに形成されている。
【0016】透明電極12およびその間に露出した透明
絶縁体層14には、銅フタロシアニン(CuPc)等の
バッファー層15を介して発光層18が積層されてい
る。発光層18は、500Å程度の厚さのホール輸送材
料20、及び500Å程度の厚さの電子輸送材料22か
らなる。ホール輸送材料20は、透明電極12およびそ
の間に露出した透明絶縁体層14の全面に積層されてい
る。
【0017】また、電子輸送材料22は、光の3原色に
対応した3発光パターンを一組として、透明電極12に
沿って複数本形成されている。電子輸送材料22は各透
明電極12に対応して3本の発光パターン22R,22
B,22Gが各々わずかに間隔を空けてストライプ状に
形成されている。
【0018】ここで、発光層18は、母体材料のうちホ
ール輸送材料20としては、α−NPD、トリフェニル
ジアミン誘導体(TPD)、ヒドラゾン誘導体、アリー
ルアミン誘導体等がある。また、電子輸送材料22の赤
色発光パターン22RとしてはDCM、青色発光パター
ン22Bとしては、ジスチリルビフェニル誘導体(DP
VBi)、緑色発光パターン22Gとしてはアルミキノ
リール錯体(Alq3)等の有機EL発光材料を使用す
る。さらに適宜の発光材料を混合しても良い。
【0019】光の3原色に対応した3発光パターン22
R,22B,22Gには、各々背面電極24が積層され
ている。背面電極24は、図4に示すように、各3発光
パターン22R,22B,22G毎に独立して積層され
ているとともに、透明電極12の長手方向に沿った1画
素毎の区切りである、透明絶縁体層14の区切り毎に独
立して設けられている。従って、背面電極24は、3発
光パターン22R,22B,22G毎の1発光画素毎に
独立に形成されている。背面電極24は、Al,Li,
Ag,Mg,In,Cs等を含む金属薄膜からなる。
【0020】背面電極24およびその間の発光層18に
は、SiO等の絶縁層26が全面に積層されている。絶
縁層26には、各背面電極24の独立した画素毎に透孔
28が形成され、この透孔28を介して、各3発光パタ
ーン22R,22B,22Gに対して直交した背面導体
30が背面電極24に接続している。従って、背面導体
30は透明絶縁体層14毎に3本形成され、この各3本
の背面導体30は各々光りの3原色の各発光パターン2
2R,22B,22Gの一素毎に各々透孔28を介して
背面電極24に接続している。
【0021】この実施形態の有機EL素子の製造方法
は、平滑な透明基板10の表面にフォトレジストを塗布
し、図3(A)等に示すストライプ状の導体パターン1
6に対応するパターンのマスクにより露光して、この導
体パターン16に対応する部分および引出線部分が露出
するようにし、フッ化水素酸等によりエッチングを行っ
て、図1(A)に示すストライプ状の溝32を形成す
る。そして、基板10を洗浄し、無電解銅メッキを0.
5μm程度溝32内面に施し、フォトレジストを剥離
し、電気メッキにより4μmの厚さに銅による導体パタ
ーン16を形成する。
【0022】この後、透明基板10を真空装置内にセッ
トし、図1(B)に示すように、透明絶縁体層14を蒸
着する。このとき、直径30μmの単繊維ワイヤ等によ
りワイヤマスク34を介して蒸着する。ワイヤマスク3
4は、例えば330μmピッチにマスクフレームに配置
し、図3に示すように、透明絶縁体層14の形成されて
いない開口部である境界部36を透明基板10上に形成
する。
【0023】次に、図1(C)に示すように、ITO等
の透明電極材料を蒸着等の真空薄膜形成技術により設け
る。このとき、透明電極12は、300μmの幅で30
μmの間隔を空けて複数本形成されるように、ワイヤマ
スク34と同様のワイヤマスク36をワイヤマスク34
と直交する方向に配置して蒸着する。ワイヤマスク36
は、2本の近接した導体パターン16の上方に位置する
ようにし、透明電極12の両側縁部に対応して、導体パ
ターン16が各々位置する。また、透明電極12の幅方
向に3等分する2点に沿って、2本の導体パターン16
が位置している。
【0024】次に、図1(D)に示すように、透明電極
12の表面に、500〜1000Åの厚さのバッファー
層15を全面に蒸着し、その後ホール輸送材料20を2
50〜500Åの厚さに蒸着する。
【0025】この後、図2(A)に示すように、電子輸
送材料22を蒸着する。電子輸送材料22の蒸着は、各
発光パターン22R,22B,22Gを順に蒸着する。
蒸着方法は、図2(A)に示すように、300μmの幅
内に所定の間隔を空けて3本の発光パターン22R,2
2B,22Gを形成するスリット38を330μmピッ
チで形成したマスク40により各発光パターン22R,
22B,22Gを順に蒸着する。発光パターン22R,
22B,22Gの形成に際して,スリット38の位置を
100μmづつ平行移動させて蒸着すれば良い。
【0026】そして、図4に示すように、各画素毎に3
原色の発光画素が独立した状態で蒸着されるように開口
した孔を有するマスクを用いて、図2(B)に示すよう
に、背面電極24を蒸着する。さらに、背面電極24お
よび各背面電極24間の発光層18に、絶縁層26を積
層する。このとき、図2(C)に示すように、例えば各
発光パターン22R,22B,22Gに沿ったワイヤマ
スク42を介して一回SiOを蒸着し、この後図2
(C)および図4に示すように、発光パターンに対して
45度の方向で各画素を1回横切るピッチのワイヤマス
ク44により、再びSiOを蒸着する。すると、図4に
示すように、ワイヤマスク42,44の交点で、各発光
パターン22R,22B,22Gの各画素毎に、各3原
色の画素毎の透孔28が形成される。
【0027】この後、図2(D)および図4に示すよう
に、Al等の背面導体30を750〜1000Åの厚さ
に各々ストライプ状にマスク蒸着する。背面導体30
は、1画素当たりRGBの3本が各々独立に形成され、
透孔28を介して、各色の画素毎に背面電極24に接続
する。
【0028】そして,この透明基板10条の発光部部を
乾燥窒素雰囲気中で乾燥剤を入れて密封する。
【0029】この実施形態のEL素子の駆動方法は、表
面側の透明電極に導体パターン16が接続しているの
で、導体パターン16を走査電極として外部の駆動回路
に接続する。そして、例えば、256×256ドットの
カラー表示を行う場合、透明電極が256本であり、各
ドットの発光時間を長くするため2組に分けて128本
ずつの組にして各組毎に走査する。このとき、背面電極
24では128本づつの透明電極12に対応して、各々
背面導体30を設ける。したがって、背面導体30の本
数は、128本の透明電極の各組毎に各々256ドット
×3原色=768本必要となる。背面導体30は、表示
装置の背面側であるので、背面導体の本数が増えても処
理可能である。
【0030】背面導体30と外部の駆動回路との接続
は、例えばフレキシブル基板の端子を、異方性導電体を
介して接続する。また、フレキシブル基板に駆動IC等
を予め取り付けておくことにより作業をより効率的に行
うことができる。
【0031】この実施形態のEL素子によれば、透明電
極12に沿って導体パターン16が形成され、透明電極
12の各部位までの抵抗値を低い値にすることができ
る。したがって、透明電極12側を走査電極とし、背面
電極24側には配線を多く設けることができ、画素数の
多い表示装置においても、分割走査等により発光時間の
長い表示装置を提供することができる。
【0032】なおこの発明の有機EL素子は、上記実施
形態に限定されるものではなく、透明電極に接した導体
パターンは1本でも良く、背面導体の形成も適宜の構造
が可能である。また背面導体と背面電極の接続構造は適
宜設定可能であり、マスク蒸着のマスクの配置や形状も
上記実施形態以外に、穴明きマスクや、格子状マスク等
により形成可能である。また、透明絶縁層は、ガラス等
の透明基板表面の汚染やその他の悪影響を避けるために
用いることが好ましいが、必ずしも設けなくても良く、
透明基板表面の状態が良い場合等においては設けないこ
ともある。
【0033】
【発明の効果】この発明の有機EL素子は、透明電極の
抵抗値をきわめて小さくすることができ、全体として均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極側で表示のための走査が可能であり、背面電極側に
複雑な配線を形成することができ、より大きく高精細
で、明るい画面を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第一実施形態の有機EL素子の製造
工程を示す部分縦断面図である。
【図2】この発明の第一実施形態の有機EL素子の次の
製造工程を示す部分縦断面図である。
【図3】この発明の第一実施形態の有機EL素子の透明
絶縁体層と透明電極および導体パターンを示す部分平面
図(A)とB−B線断面図(B)である。
【図4】この発明の第一実施形態の有機EL素子の発光
パターンと背面電極および背面導体を示す部分平面図で
ある。
【符号の説明】
10 透明基板 12 透明電極 14 透明絶縁体層 15 バッファー層 16 導体パターン 18 発光層 20 ホール輸送材料 22 電子輸送材料 24 背面電極 28 透孔 30 背面導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 佐藤 好雄 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 女川 博義 富山県富山市有沢77−2 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB05 BA07 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03 5G307 FA01 FA02 FB01 FC07

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板の表面に、透明な電極材料によ
    り形成された透明電極と、上記透明電極に積層された有
    機EL材料からなる発光層と、この発光層に積層され、
    上記透明電極に対向して形成された背面電極とを有し、
    上記透明基板表面に埋め込まれ、上記透明電極のパター
    ンに沿って上記透明電極に接した導電体による導体パタ
    ーンを備えたことを特徴とする有機EL素子。
  2. 【請求項2】 上記透明電極はストライプ状に形成さ
    れ、上記導体パターンは上記透明電極に沿ってストライ
    プ状に設けられ、上記透明電極は複数本の組毎に外部の
    駆動回路に接続されるものであることを特徴とする請求
    項1記載の有機EL素子。
  3. 【請求項3】 上記複数の透明電極は、複数の組毎に外
    部の駆動回路に接続され、上記透明電極の各組毎に、上
    記背面電極が別々に上記外部の駆動回路に接続され、上
    記透明電極側を走査電極として上記各組毎に上記透明電
    極を走査して上記発光層に電圧をかけることを特徴とす
    る請求項2記載の有機EL素子。
  4. 【請求項4】 上記透明基板の表面に透明絶縁体層を設
    け、この透明絶縁体層に、上記透明電極の各発光画素に
    対応して開口部を設け、この開口部により上記導体パタ
    ーンと上記透明電極とを接続したものであることを特徴
    とする請求項1,2または3記載の有機EL素子。
  5. 【請求項5】 上記発光層は光の3原色に対応した3発
    光パターンを一組として上記透明電極に沿って複数本形
    成され、上記導体パターンは上記発光層の発光パターン
    に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項
    2,3または4記載の有機EL素子。
  6. 【請求項6】 上記導体パターンは上記各発光パターン
    の間の境界部に対応して位置していることを特徴とする
    請求項5記載の有機EL素子。
  7. 【請求項7】 上記複数の導体パターンの組は、各々1
    本の上記透明電極に接続していることを特徴とする請求
    項5または6記載の有機EL素子。。
  8. 【請求項8】 光の3原色に対応した上記3発光パター
    ンは、各々背面電極に接続し、各背面電極は、上記各3
    発光パターン毎に背面導体に接続していることを特徴と
    する請求項5記載の有機EL素子。
JP11050902A 1999-02-26 1999-02-26 有機el素子 Pending JP2000252081A (ja)

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