JP2000235366A - ゴーグル型表示システム - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
装置システムを提供すること。 【解決手段】 使用者の心身の異常が認識された場合に
は、外部装置から供給される第1の映像信号をLCDパ
ネルに表示することを停止し、その代わりにCCD撮像
素子によって撮影された外部の景色が表示される。こう
することによって、使用者に身体の異常を警告するとと
もに、外部の景色を見せることでリラックスさせること
ができる。
Description
装着して使用するゴーグル型の表示システムに関する。
ゴーグル型の表示装置が普及してきている。このゴーグ
ル型の表示装置は、HMD(ヘッドマウントディスプレ
イ)とも呼ばれ、映像を拡大してその虚像を形成するレ
ンズ、およびそのレンズの焦点距離よりも近くに設置さ
れた液晶パネルのような表示装置を有している。使用者
は、液晶パネルの表示をレンズを介して観察することに
よって、拡大された映像を鑑賞することができる。よっ
て、小型でありながらも、大画面の表示を鑑賞すること
ができる。
ンズを介して虚像を観察しているため、眼の疲労が大き
く、この疲労状態が続くと、最悪の場合には短時間の使
用においても視力の低下を引き起こすことがあり、問題
があった。
みてなされたものであり、使用によって使用者が健康を
害するのを防ぐゴーグル型表示システムを提供するもの
である。
の表示装置と、外部映像信号供給装置より入力される第
1の映像信号と、外部の像を第2の映像信号に変換する
2つの撮像素子と、使用者の生体情報を生体情報信号に
変換するセンサと、前記2つの表示装置へ映像信号を供
給する映像信号制御回路と、を有するゴーグル型表示シ
ステムであって、前記映像信号制御回路は、前記生体情
報信号を数値処理した指数に基づき、前記2つの表示装
置に前記第1の映像信号または前記第2の映像信号を供
給することを特徴とするゴーグル型表示システムが提供
される。
部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号と、
外部の像を第2の映像信号に変換する2つの第1の撮像
素子と、使用者の眼の像を第3の映像信号に変換する2
つの第2の撮像素子と、使用者の生体情報を生体情報信
号に変換するセンサと、前記2つの表示装置へ映像信号
を供給する映像信号制御回路と、を有するゴーグル型表
示システムであって、前記映像制御回路は、前記第3の
映像信号および前記生体情報信号を数値処理した指数に
基づき、前記2つの表示装置に前記第1の映像信号また
は前記第2の映像信号を供給することを特徴とするゴー
グル型表示システムが提供される。
部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号と、
外部の像を第2の映像信号に変換する2つの撮像素子
と、使用者の生体情報を生体情報信号に変換するセンサ
と、前記2つの表示装置へ映像信号を供給する映像信号
制御回路と、を有するゴーグル型表示システムであっ
て、前記映像信号制御回路は、前記生体情報信号を数値
処理して得たカオスアトラクター指数に基づき前記使用
者の疲労の程度を算出し、前記疲労の程度があらかじめ
設定されたレベル以下の場合には、前記映像信号制御回
路は前記2つの表示装置に前記第1の映像信号を供給
し、前記疲労の程度が前記あらかじめ設定されたレベル
を超える場合には、前記映像信号制御回路は前記2つの
表示装置に前記第2の映像信号を供給することを特徴と
するゴーグル型表示システムが提供される。
部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号と、
外部の像を第2の映像信号に変換する2つの撮像素子
と、使用者の眼の像を第3の映像信号に変換する2つの
撮像素子と、使用者の生体情報を生体情報信号に変換す
るセンサと、前記2つの表示装置へ映像信号を供給する
映像信号制御回路と、を有するゴーグル型表示システム
であって、前記映像信号制御回路は、前記第3の映像信
号および前記生体情報信号を数値処理して得たカオスア
トラクター指数に基づき前記使用者の疲労の程度を算出
し、前記疲労の程度があらかじめ設定されたレベル以下
の場合には、前記映像信号制御回路は前記2つの表示装
置に前記第1の映像信号を供給し、前記疲労の程度が前
記あらかじめ設定されたレベルを超える場合には、前記
映像信号制御回路は前記2つの表示装置に前記第2の映
像信号を供給することを特徴とするゴーグル型表示シス
テムが提供される。
素子またはイメージセンサであってもよい。
たはイメージセンサであってもよい。
温または瞳孔の開き度合であってもよい。
たは体温センサであってもよい。
ンサは、ヘッドホンに設置されてもよい。
体形成されているようにしてもよい。
ってもよい。
ED、緑色LED、および青色LEDが用いられてもよ
い。
ル方式で駆動されるようにしてもよい。
る。なお、以下の実施形態は好ましい例であり、本願発
明のゴーグル型表示装置システムは、以下の実施の形態
に限定されるわけではない。
ル型表示装置システムの概略構成図が示してある。10
1はゴーグル型表示装置である。102−LおよびRは
LCDパネル(液晶パネル)である。なお本明細書で
は、符号の後に(−R)および(−L)といった符号が
付けていることがあるが、これらの符号はそれぞれ右眼
用、左眼用の構成要素であることを意味する。105−
LおよびRはLEDバックライトであり、それぞれ導光
板103(図示せず)およびLED104(図示せず)
を有している。LED104には、赤色、緑色および青
色の複数のLEDが含まれており、全体として白色光源
としての役割を果たしている。導光板103は、前記複
数のLEDから照射される光をLCDパネル102の表
示部全面に均一に照射する為のものである。106−L
およびRはレンズである。107−LおよびRはCCD
撮像素子であり、それぞれ使用者の左眼、右眼の像を撮
影し第3の映像信号Lおよび第3の映像信号Rに変換す
る。108−LおよびRはCCD撮像素子であり、それ
ぞれ外部の景色(像)を撮影し第2の映像信号Lおよび
第2の映像信号Rに変換する。109は画像信号制御回
路であり、外部装置からの第1の映像信号Lおよび第1
の映像信号Rならびに使用者の生体情報信号が入力さ
れ、またCCD撮像素子107−Lおよび107−Rか
ら第3の映像信号Lおよび第3の映像信号RならびにC
CD撮像素子108−Lおよび108−Rから第2の映
像信号Lおよび第2の映像信号Rが入力される。また、
画像信号制御回路109は、LCDパネル102−Lお
よび102−Rに、それぞれ映像信号L、映像信号Rを
供給する。110−Lおよび110−Rは、それぞれ使
用者の左眼、右眼である。
これらの構成要素の他にも、使用者の生体情報を得て生
体情報信号に変換するためのセンサや、音声や音楽など
を出力するためのスピーカやヘッドホン、映像信号を供
給するビデオデッキやコンピュータ等を有している。
ル型表示装置システムの構成を斜視図により示したもの
である。
の外観図である。なお、図3は透視図としているので、
各構成要素が示されている。
像素子107−Lおよび107−Rならびに外部の像を
撮影するCCD撮像素子108−Lおよび108−Rの
配置は、図3に示される配置に限られることはない。設
計次第で、これらのCCD撮像装置の配置を変更するこ
とは可能である。
いてLCDパネルをフィールドシーケンシャル駆動する
ことによって表示を行う。図18にフィールドシーケン
シャル駆動方法のタイミングチャートを示す。フィール
ドシーケンシャル駆動方法のタイミングチャートには、
映像信号書き込みの開始信号(Vsync信号)、赤
(R)、緑(G)ならびに青(B)のLEDの点灯タイ
ミング信号(R、GならびにB)、および映像信号(V
IDEO)が示されている。Tfはフレーム期間であ
る。また、TR、TG、TBは、それぞれ赤(R)、緑
(G)、青(B)のLED点灯期間である。
ばR1は、外部から入力される赤に対応する元の映像信
号が時間軸方向に1/3に圧縮された信号である。ま
た、LCDパネルに供給される映像信号、例えばG1
は、外部から入力される緑に対応する元の映像信号が時
間軸方向に1/3に圧縮された信号である。また、LC
Dパネルに供給される映像信号、例えばB1は、外部か
ら入力される青に対応する元の映像信号が時間軸方向に
1/3に圧縮された信号である。
ては、LED点灯期間TR期間、TG期間およびTB期間
に、それぞれR、G、BのLEDが順に点灯する。赤の
LEDの点灯期間(TR)には、赤に対応した映像信号
(R1)がLCDパネルに供給され、LCDパネルに赤
の画像1画面分が書き込まれる。また、緑のLEDの点
灯期間(TG)には、緑に対応した映像信号(G1)がL
CDパネルに供給され、LCDパネルに緑の画像1画面
分が書き込まれる。また、青のLEDの点灯期間(T
B)には、青に対応した映像信号(B1)がLCDパネル
に供給され、LCDパネルに青の画像1画面分が書き込
まれる。これらの3回の画像の書き込みにより、1フレ
ームが形成される。
によるカラーLCDパネルは、従来のカラー表示装置の
3倍の解像度が得られる。
おいては、陰極管のバックライトを用いて表示を行って
もよい。
テムの動作および機能について説明する。図1を再び参
照する。本実施形態のゴーグル型表示システムは、通常
の使用時には、画像信号制御回路が外部装置より供給さ
れる第1の映像信号Lおよび第1の映像信号RをLCD
パネル102−Lおよび102−Rに供給する。外部装
置の例としては、パーソナルコンピュータ、携帯情報端
末やビデオデッキが挙げられる。使用者は、LCDパネ
ル102−Lおよび102−Rに映し出された映像をレ
ンズ106−Lおよび106−Rを通して観察する。使
用者は、LCDパネルに映し出される映像を、実際にL
CDパネルがある位置よりも遠くに拡大された映像(虚
像)として観察する。
は、使用者の眼球をモニターし、眼の像を電気信号に変
換するCCD撮像素子107−Lおよび107−Rが設
けられている。これらのCCD撮像素子107−Lおよ
び107−Rは、使用中、使用者の眼の像をモニター
し、眼の映像信号(第3の映像信号)を画像信号制御回
路109に入力する。画像信号制御回路109は、入力
された眼の映像信号(第3の映像信号)を数値処理し、
使用者の眼の充血度を算出する。
ステムには、図4に示されるようなヘッドホン401が
備えられている。図4において、402−Rおよび40
2−Lははスピーカ部である。403はバンドである。
404は脈波センサであり、使用者の耳の一部にフィッ
トするようになっており、使用者の脈波を検出する。4
05はアンテナであり、外部装置から音声や音楽の電波
を受信し、脈波センサによる使用者の脈波の情報をゴー
グル型表示装置101の画像信号制御回路109に送信
する。
ゴーグル型表示装置システムの動作フローチャートが示
されている。本実施形態のゴーグル型表示装置において
は、通常は、画像信号制御回路は、外部装置(例えば、
パーソナルコンピュータやビデオデッキ)からの第1の
映像信号をLCDパネルに供給する。ヘッドホンに備え
られた脈波センサによって測定された脈波情報が画像信
号制御回路109に入力される。なお、本実施形態にお
いては、センサからの生体情報信号を画像信号制御回路
109に入力するようになっているが、センサからの生
体情報信号を一度外部装置に送信し、その後外部装置か
ら生体情報信号を画像信号制御回路109へ入力するよ
うにしてもよい。
りも小さい場合には、"脈波正常"と判断され、次のステ
ップに進む。使用者の脈波があらかじめ設定された値よ
りも大きい場合には、"脈波異常"と判断され、LCDパ
ネルにCCD撮像素子108−Lおよび108−Rによ
って撮影された外部の景色が表示される。
07−Rによって撮影された使用者の眼の映像信号は、
画像信号制御回路109に入力される。画像信号制御回
路109は、使用者の眼の映像信号を画像処理し、使用
者の眼の充血度を算出する。
た使用者の眼の充血度があらかじめ設定された値よりも
小さい場合には、"充血度正常"と判断され、次の通常の
ステップに進む。使用者の眼の充血度があらかじめ設定
された値よりも大きい場合には、"充血度異常"と判断さ
れ、LCDパネルにCCD撮像素子108−Lおよび1
08−Rによって撮影された外部の景色が表示される。
部位(a〜e等)から、使用者の生態情報を得ることが
できる。
眼の充血度異常が認識された場合には、外部装置から供
給される第1の映像信号をLCDパネルに表示すること
を停止し、その代わりにCCD撮像素子108−Lおよ
び108−Rによって撮影された外部の景色が表示され
る。こうすることによって、使用者に身体の異常を警告
するとともに、外部の景色を見せることでリラックスさ
せることができる。
形態1のゴーグル型表示装置の構成に加えて、血圧セン
サを設けた場合について説明する。なお、血圧センサを
設けること以外は、実施形態1と同じであるので、構成
の詳細については、実施形態1を参照することができ
る。
ゴーグル型表示装置システムの動作フローチャートが示
されている。本実施形態のゴーグル型表示システムは、
通常の使用時には、画像信号制御回路が外部装置より供
給される第1の映像信号L、RをLCDパネル102−
Lおよび102−Rに供給する。
波があらかじめ設定された値よりも小さい場合には、"
脈波正常"と判断され、次の通常のステップに進む。使
用者の脈波があらかじめ設定された値よりも大きい場合
には、"脈波異常"と判断され、LCDパネルにCCD撮
像素子108−Lおよび108−Rによって撮影された
外部の景色が表示される。
る。この血圧情報は、画像信号制御回路に入力される。
使用者の血圧があらかじめ設定された値よりも小さい場
合には、"血圧正常"と判断され、次のステップに進む。
使用者の血圧があらかじめ設定された値よりも大きい場
合には、"血圧異常"と判断され、LCDパネルにCCD
撮像素子108−Lおよび108−Rによって撮影され
た外部の景色が表示される。
出された使用者の眼の充血度があらかじめ設定された値
よりも小さい場合には、"充血度正常"と判断され、通常
の次のステップに進む。使用者の眼の充血度があらかじ
め設定された値よりも大きい場合には、"充血度異常"と
判断され、LCDパネルにCCD撮像素子108−Lお
よび108−Rによって撮影された外部の景色が表示さ
れる。
の脈波異常、血圧異常または眼の充血度異常が認識され
た場合には、外部装置から供給される第1の映像信号を
LCDパネルに表示することを停止し、その代わりにC
CD撮像素子108−Lおよび108−Rによって撮影
された外部の景色が表示される。こうすることによっ
て、使用者に身体の異常を警告するとともに、外部の景
色を見せることでリラックスさせることができる。
示装置システムは、上記実施形態1のゴーグル型表示装
置システムと構成は同じであるが、使用者の生体情報に
よって外部装置からの映像と、CCD撮像装置からの外
部の映像とを切り替える判断を、カオス理論を用いて行
う。
表示装置システムは、脈波センサ、血圧センサ、体温セ
ンサまたは使用者の眼を撮影するCCD撮像装置からの
生体情報に基づき、カオスアトラクター情報を得る。
る。自然界や人工の世界では、予測可能な現象が多く見
られる。ハレー彗星や人工衛星の位置を予測し、対応す
ることもできる。原因と結果の関係が明瞭である決定論
的予測可能性こそ、科学の偉大なる力の一つである様に
思われる。
気の運動の様に考えられるがしばしばはずれる。このよ
うな原因と結果が不明瞭にみえる現象は、乱雑な要素を
もつといわれ、基本的には、系を記述する完全なパラメ
ータが明らかであれば、言い換えれば、系についての情
報を十分収集可能であれば、正確な予測が可能であると
信じられていた。
情報不足のために生ずると考えられていたのである。し
かしながら、少数の自由度(3次元以上)しか持たない
簡単な系ですら、乱雑な挙動を示す事があるという発見
により、決定論的でありながら乱雑さが本質であるもの
が存在することが見出された。このような乱雑さをカオ
スと呼ぶ様になった。
るわけではない。進化論と同様にその定義は広域にわた
り、対象によってその概念は一人歩きしている感さえあ
る。そのため、本明細書においては、あえて次のように
まとめる。
るにもかかわらず、非常に複雑な振舞が非線型として表
れる結果、本質的にランダムになる現象を意味する。そ
して、一見、規則性、予測性のない乱雑な無秩序に見え
る現象の背後にも複雑な秩序や法則性が存在することを
示している。
ーをカオスアトラクターと呼び、これはカオスを生成す
るシステムの挙動が収束する数学的構造体である。
波は、カオス的振る舞いをすることが知られており、学
会等においては、この分野における第一人者によって指
尖脈波が示すカオスの心身情報として報告され、同時に
同一人によりこのカオスを利用した医療診断方法が特許
出願されている(特開平4−208136)。
システムにおいては、使用者より得られた脈波、血圧等
の生体情報を数値処理して得たカオスアトラクターと、
このデーターがカオスの定義条件に適合する程度を示す
リアプノフ数とが、使用者の身体の心身情報との相関が
あることを積極的に利用するものである。
脈波、血圧、眼の充血度、体温等を数値処理して得たカ
オスアトラクターを生成することにより使用者の生体情
報を得る。このデーターがカオスの定義条件に適合する
程度を示す数値であるリアプノフ数とから使用者の心身
の状態を把握することが可能となる。
光ダイオードとフォトセンサーとを組み合わせたセンサ
ーや半導体圧力センサーを利用したものがある。
ターの関係は次のようである。 (1)脈波のカオスアトラクターは精神心理状態を敏感
に反映し、特有のトポロジーを示す。 (2)脈波から得られるカオスアトラクターは人に共通
の基本構造の上に、個人特有の構造を持ち、更に精神心
理状態や病気によって変化する。 (3)一般に精神心理状態や、生理状態が不安定になっ
たり、病気になると、アトラクターの全体構造が単純
化、無構造化し、小さくなる。また、リズムには機械的
で単調な周期構造が現れる。すなわち、よりカオス的で
はなくなる。 (4)健康状態では、全体構造は複雑でダイナミック、
局所構造も巻き込み、ねじれ、スクリュー構造などの複
雑な構造を示す。そして、リズムは脱周期的になる。即
ち、健康な生態はカオスであり、カオスで満ちている。 (5)意識を集中するとカオスアトラクターは複雑にな
り、巻き込み、ねじれなどの局所構造が現れ、或る域値
以上のストレスがかかり、疲労すると構造は単純にな
り、局所構造が消失する。
の状態を数種類に場合分けし、その場合わけに従って、
LCDパネルに表示する映像を切り替えることができ
る。
のゴーグル型表示装置は、通常は、外部装置からの映像
信号をLCDパネルに供給する。
圧、体温等)が画像信号制御回路に入力される。画像信
号制御回路は、前記生体情報を数値処理し、既に設定し
てあるレベルに見合うかどうか判断を行い、その程度に
合わせてリアプノフ指数を算出する。この数値演算処理
ならびにリアプノフ指数の算出にはコンピュータ処理を
必要とするが、この処理法ならびに処理後のカオスアト
ラクターの表現は特に算出式、処理手続が固定されてい
るわけではなく、任意に表現処理することができる。
に設定しているレベルはカオスアトラクターの分類整理
の仕方によりいくとおりにも設定することができる。例
えば『興奮状態』と『それ以外』と言う設定を行えば2
段階であるが、この2段階に加えて『意識集中』と『意
識散漫』を加えると合計4段階となり、また、『疲労状
態』と『疲労していない状態』とを加えると合計6段階
となる。この段階に対して、LCDパネルに供給する映
像を切り替える。つまり、『疲労状態』にあるときは、
外部装置から供給される第1の映像信号をLCDパネル
に表示することを停止し、その代わりにCCD撮像素子
108−Lおよび108−Rによって撮影された外部の
景色が表示される。こうすることによって、使用者に身
体の異常を警告するとともに、外部の景色を見せること
でリラックスさせることができる。
による、米国特許5,395,110号、米国特許5,800,265号、
日本国特許2722302号、日本国特許2673768号、日本国特
許2722303号、日本国特許出願特開平6-134098号公報、
および日本国特許出願特開平8-229236号公報に記載の技
術を適用することができる。
示システムは、上述の実施形態1〜3で説明したゴーグ
ル型表示装置システムとは構成が少し異なる。図8に本
実施形態のゴーグル型表示装置システムの概略構成図が
斜視図で示してある。802−Lおよび802−RはL
CDパネルである。803−Lおよび803−Rは導光
板である。804−Lおよび804−RはLEDであ
る。導光板803−Lおよび803−RならびにLED
804−Lおよび804−Rは、LEDバックライト8
05−Lおよび805−Rを構成する。LED804に
は、赤色、緑色および青色の複数のLEDが含まれてお
り、全体として白色光源としての役割を果たしている。
導光板803は、前記複数のLEDから照射される光を
LCDパネル802に均一に照射する為のものである。
806−Lおよび806−Rはレンズである。807−
Lおよび807−RはCCD撮像素子であり、それぞれ
使用者の左眼、右眼の像を撮影し第3の映像信号Lおよ
び第3の映像信号Rに変換する。808−Lおよび80
8−RはCCD撮像素子であり、それぞれ外部の景色
(像)を撮影し第2の映像信号Lおよび第2の映像信号
Rに変換する。809−Lおよび809−Rはミラーで
あり、LCDパネルの映像をレンズに入射させるための
ものである。
施形態のゴーグル型表示装置は、画像信号制御回路81
0を有している。画像信号制御回路810は、外部よ
り、外部装置からの第1の映像信号および使用者の生体
情報信号が入力され、またCCD撮像素子807−Lお
よび807−Rから第3の映像信号Lおよび第3の映像
信号RならびにCCD撮像素子808−Lおよび808
−Rから第2の映像信号Lおよび第2の映像信号Rが入力
される。また、画像信号制御回路810は、LCDパネ
ル802−LおよびRに、それぞれ映像信号L、映像信
号Rを供給する。
これらの構成要素の他にも、使用者の生体情報を得て生
体情報信号に変換するためのセンサや、音声や音楽など
を出力するためのスピーカやヘッドホン等を有してい
る。
の外観図である。なお、図9は透視図としているので、
各構成要素が示されている。
像素子807−Lおよび807−Rならびに外部の像を
撮影するCCD撮像素子808−Lおよび808−Rの
配置は、図8に示される配置に限られることはない。設
計次第で、これらのCCD撮像装置の配置を変更するこ
とは可能である。
おいては、LCDパネルのバックライトにLEDバック
ライトを用いているが、陰極管のバックライトを用いて
もよい。
ついては、上述の実施形態1〜3のいずれをも参照する
ことができる。
示装置は、使用者の眼をモニターするCCD撮像装置を
省略し、その代わりにLCDパネル上に一体形成された
イメージセンサを用いて使用者の眼をモニターする。
システムの概略構成図が示してある。1001はゴーグ
ル型表示装置である。1002−Lおよび1002−R
はイメージセンサ内蔵LCDパネルである。これらのL
CDパネル1002−Lおよび1002−Rに内蔵され
ているイメージセンサは、使用者の眼の像を第3の映像
信号LおよびRに変換する。1005−Lおよび100
5−RはLEDバックライトであり、それぞれ導光板1
003(図示せず)およびLED1004(図示せず)
を有している。1006−Lおよび1006−Rはレン
ズである。1007−Lおよび1007−RはCCD撮
像素子であり、それぞれ外部の景色(像)を撮影し第2
の映像信号Lおよび第2の映像信号Rに変換する。10
09は画像信号制御回路であり、外部より、外部装置か
らの第1の映像信号および使用者の生体情報信号が入力
され、またCCD撮像素子1007−Lおよび1007
−Rから第2の映像信号Lおよび第2の映像信号Rなら
びにLCDパネル1002−Lおよび1002−Rに内
蔵されたイメージセンサから第3の映像信号Lおよび第
3の映像信号Rが入力される。また、画像信号制御回路
1009は、LCDパネル1002−Lおよび1002
−Rに、それぞれ映像信号L、映像信号Rを供給する。
これらの構成要素の他にも、使用者の生体情報を得て生
体情報信号に変換するためのセンサや、音声や音楽など
を出力するためのスピーカやヘッドホン等を有してい
る。
ーグル型表示装置システムの構成を斜視図により示した
ものである。
システムに用いられるイメージセンサ内蔵LCDパネルの
一例を示したものである。なお、図15には、比較的小
さなイメージセンサが4つ内蔵されたLCDパネルが示
されているが、これに限られるわけではない。
ついては、上述の実施形態1〜3のいずれをも参照する
ことができる。
示装置は、使用者の眼をモニターするCCD撮像装置お
よび外部の景色をモニターするCCD撮像装置を省略
し、その代わりにLCDパネル上に一体形成されたイメ
ージセンサを用いて使用者の眼および外部の景色をモニ
ターする。
システムの概略構成図が示してある。1201はゴーグ
ル型表示装置である。1202−Lおよび1202−R
はイメージセンサ内蔵LCDパネルである。これらのL
CDパネル1202−Lおよび1202−Rに内蔵され
ているイメージセンサは、使用者の眼の像を第3の映像
信号LおよびRに変換し、外部の景色(像)を撮影し第
2の映像信号Lおよび第2の映像信号Rに変換する。1
205−Lおよび1205−RはLEDバックライトで
あり、それぞれ導光板1203(図示せず)およびLE
D1204(図示せず)を有している。1206−Lお
よび1206−Rはレンズである。1209は画像信号
制御回路であり、外部より、外部装置からの第1の映像
信号および使用者の生体情報信号が入力され、またLC
Dパネル1202−Lおよび1202−Rに内蔵された
イメージセンサから第2の映像信号Lおよび第2の映像信
号Rならびに第3の映像信号Lおよび第3の映像信号R
が入力される。また、画像信号制御回路1209は、L
CDパネル1202−Lおよび1202−Rに、それぞ
れ映像信号L、映像信号Rを供給する。
これらの構成要素の他にも、使用者の生体情報を得て生
体情報信号に変換するためのセンサや、音声や音楽など
を出力するためのスピーカやヘッドホン等を有してい
る。
ーグル型表示装置システムの構成を斜視図により示した
ものである。
ついては、上述の実施形態1〜3のいずれをも参照する
ことができる。
6で用いたLCDパネルの作製方法例を以下に説明す
る。本実施形態では、絶縁表面を有する基板上に複数の
TFT(薄膜トランジスタ)を形成し、表示部となるア
クティブマトリクス回路、ソース信号線駆動回路、ゲイ
ト信号線駆動回路、デジタルデータ分割回路、および他
の周辺回路等を同一基板上に形成する例を図16および
図17に示す。なお、以下の例では、アクティブマトリ
クス回路の1つの画素TFTと、他の回路(ソース信号
線駆動回路、ゲイト信号線駆動回路、および他の周辺回
路)の基本回路であるCMOS回路とが同時に形成され
る様子を示す。また、以下の例では、CMOS回路にお
いてはPチャネル型TFTとNチャネル型TFTとがそ
れぞれ1つのゲイト電極を備えている場合について、そ
の作製工程を説明するが、ダブルゲイト型やトリプルゲ
イト型のような複数のゲイト電極を備えたTFTによる
CMOS回路をも同様に作製することができる。また、
以下の例では、画素TFTはダブルゲイトのNチャネル
型TFTである、シングルゲイト、トリプルゲイト等の
TFTとしてもよい。
7001には、例えばコーニング社の1737ガラス基
板に代表される無アルカリガラス基板を用いた。そし
て、基板7001のTFTが形成される表面に、酸化珪
素で成る下地膜7002を200nmの厚さに形成し
た。下地膜7002は、さらに窒化珪素膜を積層させて
も良いし、窒化珪素膜のみであっても良い。また、下地
膜7002は、窒化酸化珪素膜と酸化珪素膜との積層構
造としてもよい。
の厚さで、非晶質珪素膜をプラズマCVD法で形成し
た。非晶質珪素膜の含有水素量にもよるが、好ましくは
400〜500℃に加熱して脱水素処理を行い、非晶質
珪素膜の含有水素量を5atm%以下として、結晶化の工
程を行って結晶性珪素膜とした。
化技術または熱結晶化の技術を用いれば良い。本実施形
態では、パルス発振型のKrFエキシマレーザー光を線
状に集光して非晶質シリコン膜に照射して、結晶性シリ
コン膜とした。
ン膜として用いたが、初期膜として微結晶シリコン膜を
用いても構わないし、直接結晶性シリコン膜を成膜して
も良い。
ターニングして、島状の半導体活性層7003、700
4、7005を形成した。
7005を覆って、酸化珪素または窒化珪素を主成分と
するゲート絶縁膜7006を形成した。ここではプラズ
マCVD法で窒化酸化珪素膜を100nmの厚さに形成
した。そして、図16では説明しないが、ゲート絶縁膜
7006の表面に第1のゲート電極を構成する、第1の
導電膜としてタンタル(Ta)を10〜200nm、例
えば50nmさらに第2の導電膜としてアルミニウム
(Al)を100〜1000nm、例えば200nmの
厚さでスパッタ法で形成した。そして、公知のパターニ
ング技術により、第1のゲート電極を構成する第1の導
電膜7007、7008、7009、7010と、第2
の導電膜の7012、7013、7014、7015が
形成された。
として、アルミニウムを用いる場合には、純アルミニウ
ムを用いても良いし、チタン、珪素、スカンジウムから
選ばれた元素が0.1〜5atm%添加されたアルミニウ
ム合金を用いても良い。また銅を用いる場合には、図示
しないが、ゲート絶縁膜7006の表面に窒化珪素膜を
設けておくと好ましい。
成するnチャネル型TFTのドレイン側に保持容量部を
設ける構造となっている。このとき、第1のゲート電極
と同じ材料で保持容量部の配線電極7011、7016
が形成される。
れたら、1回目のn型不純物を添加する工程を行った。
結晶性半導体材料に対してn型を付与する不純物元素と
しては、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(S
b)などが知られているが、ここでは、リンを用い、フ
ォスフィン(PH3)を用いたイオンドープ法で行っ
た。この工程では、ゲート絶縁膜7006を通してその
下の半導体層にリンを添加するために、加速電圧は80
keVと高めに設定した。また、こうして形成された不
純物領域は、後に示すnチャネル型TFTの第1の不純
物領域7034、7042、7046を形成するもの
で、LDD領域として機能するものである。従ってこの
領域のリンの濃度は、1×1016〜1×1019atms/cm3
の範囲にするのが好ましく、ここでは1×1018atms/c
m3とした。
素は、レーザーアニール法や、熱処理により活性化させ
る必要があった。この工程は、ソース・ドレイン領域を
形成する不純物添加の工程のあと実施しても良いが、こ
の段階でレーザーアニール法により活性化させることは
効果的であった。
第1の導電膜7007、7008、7009、7010
と第2の導電膜7012、7013、7014、701
5はリンの添加に対してマスクとして機能した。その結
果ゲート絶縁膜を介して存在する半導体層の第1のゲー
ト電極の真下の領域には、まったく、あるいは殆どリン
が添加されなかった。そして、図16(B)に示すよう
に、リンが添加された低濃度不純物領域7017、70
18、7019、7020、7021、7022、70
23が形成された。
チャネル型TFTを形成する領域をレジストマスク70
24、7025で覆って、pチャネル型TFTが形成さ
れる領域のみに、p型を付与する不純物添加の工程を行
った。p型を付与する不純物元素としては、ボロン
(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、が
知られているが、ここではボロンをその不純物元素とし
て、イオンドープ法でジボラン(B2H6)を用いて添加
した。ここでも加速電圧を80keVとして、2×10
20atms/cm3の濃度にボロンを添加した。そして、図16
(C)に示すようにボロンが高濃度に添加された領域7
026、7027が形成された。この領域は後にpチャ
ネル型TFTのソース・ドレイン領域となる。
5を除去した後、第2のゲート電極を形成する工程を行
った。ここでは、第2のゲート電極の材料にタンタル
(Ta)を用い、100〜1000nm、例えば200
nmの厚さに形成した。そして、公知の技術によりパタ
ーニングを行い、第2のゲート電極7028、702
9、7030、7031が形成された。この時、第2の
ゲート電極の長さは5μmとなるようにパターニングし
た。結果として、第2のゲート電極は、第1のゲート電
極の両側にそれぞれ1.5μmの長さでゲート絶縁膜と
接する領域が形成された。
ャネル型TFTのドレイン側に保持容量部が設けられる
が、この保持容量部の電極7032は第2のゲート電極
と同時に形成された。
29、7030、7031をマスクとして、2回目のn
型を付与する不純物元素を添加する工程を行った。ここ
では同様に、フォスフィン(PH3)を用いたイオンド
ープ法で行った。この工程でも、ゲート絶縁膜7006
を通してその下の半導体層にリンを添加するために、加
速電圧は80keVと高めに設定した。そして、ここで
リンが添加される領域は、nチャネル型TFTでソース
領域7035、7043、及びドレイン領域7036、
7047として機能させるため、この領域のリンの濃度
は、1×1019〜1×1021atms/cm3とするのが好まし
く、ここでは1×1020atms/cm3とした。
7035、7043、及びドレイン領域7036、70
47を覆うゲート絶縁膜を除去して、その領域の半導体
層を露出させ、直接リンを添加しても良い。この工程を
加えると、イオンドープ法の加速電圧を10keVまで
下げることができ、また、効率良くリンを添加すること
ができた。
039とドレイン領域7040にも同じ濃度でリンが添
加されるが、前の工程でその2倍の濃度でボロンが添加
されているため、導電型は反転せず、pチャネル型TF
Tの動作上何ら問題はなかった。
型を付与する不純物元素は、このままでは活性化せず有
効に作用しないので、活性化の工程を行う必要があっ
た。この工程は、電気加熱炉を用いた熱アニール法や、
前述のエキシマレーザーを用いたレーザーアニール法
や、ハロゲンランプを用いたラピットサーマルアニール
法(RTA法)で行うことができた。
550℃、2時間の加熱処理をして活性化を行った。本
実施形態では、第1のゲート電極を構成する第2の導電
膜にアルミニウムを用いたが、タンタルで形成された第
1の導電膜と第2のゲート電極がアルミニウムを覆って
形成されているため、タンタルがブロッキング層として
機能して、アルミニウム原子が他の領域に拡散すること
を防ぐことができた。また、レーザーアニール法では、
パルス発振型のKrFエキシマレーザー光を線状に集光
して照射することにより活性化が行われた。また、レー
ザーアニール法を実施した後に熱アニール法を実施する
と、さらに良い結果が得られた。またこの工程は、イオ
ンドーピングによって結晶性が破壊された領域をアニー
ルする効果も兼ね備えていて、その領域の結晶性を改善
することもできた。
ート電極と、その第1のゲート電極を覆って第2のゲー
ト電極を設けられ、nチャネル型TFTでは、第2のゲ
ート電極の両側にソース領域とドレイン領域が形成され
た。また、ゲート絶縁膜を介して半導体層に設けられた
第1の不純物領域と、第2のゲート電極がゲート絶縁膜
に接している領域とが、重なって設けられた構造が自己
整合的に形成された。一方、pチャネル型TFTでは、
ソース領域とドレイン領域の一部が第2のゲート電極と
オーバーラップして形成されているが、実使用上何ら問
題はなかった。
層間絶縁膜7049を1000nmの厚さに形成した。
第1の層間絶縁膜7049としては、酸化珪素膜、窒化
珪素膜、酸化窒化珪素膜、有機樹脂膜、およびそれらの
積層膜をもちいることができる。本実施形態では、図示
しないが、最初に窒化珪素膜を50nm形成し、さらに
酸化珪素膜を950nm形成した2層構造とした。
ーニングでそれぞれのTFTのソース領域と、ドレイン
領域にコンタクトホールが形成された。そして、ソース
電極7050、7052、7053とドレイン電極70
51、7054が形成した。図示していないが、本実施
形態ではこの電極を、チタン膜を100nm、チタンを
含むアルミニウム膜300nm、チタン膜150nmを
スパッタ法で連続して形成した3層構造の膜を、パター
ニングして形成した。
7001上にCMOS回路と、アクティブマトリクス回
路が形成された。また、アクティブマトリクス回路のn
チャネル型TFTのドレイン側には、保持容量部が同時
に形成された。以上のようにして、アクティブマトリク
ス基板が作製された。
て同一の基板に作製されたCMOS回路と、アクティブ
マトリクス回路をもとに、LCDパネルを作製する工程
を説明する。最初に、図16(E)の状態の基板に対し
て、ソース電極7050、7052、7053とドレイ
ン電極7051、7054と、第1の層間絶縁膜704
9を覆ってパッシベーション膜7055を形成した。パ
ッシベーション膜7055は、窒化珪素膜で50nmの
厚さで形成した。さらに、有機樹脂からなる第2の層間
絶縁膜7056を約1000nmの厚さに形成した。有
機樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミド
アミド等を使用することができる。有機性樹脂膜を用い
ることの利点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率
が低いので、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる
点などが上げられる。なお上述した以外の有機性樹脂膜
を用いることもできる。ここでは、基板に塗布後、熱重
合するタイプのポリイミドを用い、300℃で焼成して
形成した。
域の一部の上に、遮光層7057を形成した。遮光層7
057は金属膜や顔料を含ませた有機樹脂膜で形成すれ
ば良いものである。ここでは、チタンをスパッタ法で形
成した。
絶縁膜7058を形成する。この第3の層間絶縁膜70
58は、第2の層間絶縁膜7056と同様に、有機樹脂
膜を用いて形成すると良い。そして、第2の層間絶縁膜
7056と第3の層間絶縁膜7058とにドレイン電極
7054に達するコンタクトホールを形成し、画素電極
7059を形成した。画素電極7059は、透過型液晶
表示装置とする場合には透明導電膜を用い、反射型の液
晶表示装置とする場合には金属膜を用いれば良い。ここ
では透過型の液晶表示装置とするために、酸化インジウ
ム・スズ(ITO)膜を100nmの厚さにスパッタ法
で形成し、画素電極7059を形成した。
膜7060を形成する。通常液晶表示素子の配向膜には
ポリイミド樹脂が多く用いられている。対向側の基板7
071には、対向電極7072と、配向膜7073とを
形成した。配向膜は形成された後、ラビング処理を施し
て液晶分子がある一定のプレチルト角を持って平行配向
するようにした。
回路と、CMOS回路が形成された基板と対向基板と
を、公知のセル組み工程によってシール材やスペーサ
(共に図示せず)などを介して貼りあわせる。その後、
両基板の間に液晶材料7074を注入し、封止剤(図示
せず)によって完全に封止した。よって図17(B)に
示すLCDパネルが完成した。
表示システムに用いられる液晶表示装置にはネマチック
液晶以外にも様々な液晶を用いることが可能である。例
えば、1998, SID, "Characteristics and Driving Sche
me of Polymer-Stabilized Monostable FLCDExhibiting
Fast Response Time and High Contrast Ratio with G
ray-Scale Capability" by H. Furue et al.や、1997,
SID DIGEST, 841, "A Full-Color Thresholdless Antif
erroelectric LCD Exhibiting Wide Viewing Angle wit
h Fast Response Time" by T. Yoshida et al.や、199
6, J. Mater. Chem. 6(4), 671-673, "Thresholdless a
ntiferroelectricity in liquid crystals and its app
lication to displays" by S. Inui et al.や、米国特
許第5594569 号に開示された液晶を用いることが可能で
ある。
クティックC相転移系列を示す強誘電性液晶(FLC)
を用い、DC電圧を印加しながらコレステリック相−カ
イラルスメクティックC相転移をさせ、かつコーンエッ
ジをほぼラビング方向に一致させた単安定FLCの電気
光学特性を図25に示す。図25に示すような強誘電性
液晶による表示モードは「Half−V字スイッチング
モード」と呼ばれている。図25に示すグラフの縦軸は
透過率(任意単位)、横軸は印加電圧である。「Hal
f−V字スイッチングモード」については、寺田らの”
Half−V字スイッチングモードFLCD”、第46
回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、1999年3
月、第1316頁、および吉原らの”強誘電性液晶によ
る時分割フルカラーLCD”、液晶第3巻第3号第19
0頁に詳しい。
電性混合液晶を用いると、低電圧駆動かつ階調表示が可
能となることがわかる。本発明の液晶表示装置には、こ
のような電気光学特性を示す強誘電性液晶も用いること
ができる。
す液晶を反強誘電性液晶(AFLC)という。反強誘電
性液晶を有する混合液晶には、電場に対して透過率が連
続的に変化する電気光学応答特性を示す、無しきい値反
強誘電性混合液晶と呼ばれるものがある。この無しきい
値反強誘電性混合液晶は、いわゆるV字型の電気光学応
答特性を示すものがあり、その駆動電圧が約±2.5V
程度(セル厚約1μm〜2μm)のものも見出されてい
る。
液晶は自発分極が大きく、液晶自体の誘電率が高い。こ
のため、無しきい値反強誘電性混合液晶を液晶表示装置
に用いる場合には、画素に比較的大きな保持容量が必要
となってくる。よって、自発分極が小さな無しきい値反
強誘電性混合液晶を用いるのが好ましい。
合液晶を本発明のゴーグル型表示システムに用いられる
液晶表示装置に用いることによって低電圧駆動が実現さ
れるので、低消費電力化が実現される。
のゴーグル型表示装置システムの表示装置としてEL
(エレクトロルミネッセンス)表示装置を作製した例に
ついて説明する。
の上面図である。図19(A)において、4010は基
板、4011は画素部、4012はソース側駆動回路、
4013はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回
路は配線4014〜4016を経てFPC4017に至
り、外部機器へと接続される。
の断面構造である。このとき、少なくとも画素部、好ま
しくは駆動回路及び画素部を囲むようにしてカバー材6
000、シール材7000、密封材(第2のシール材)
7001が設けられている。
に駆動回路用TFT(但し、ここではnチャネル型TF
Tとpチャネル型TFTを組み合わせたCMOS回路を
図示している。)4022及び画素部用TFT4023
(但し、ここではEL素子への電流を制御するTFTだ
け図示している。)が形成されている。
T4023が完成したら、樹脂材料でなる層間絶縁膜
(平坦化膜)4026の上に画素部用TFT4023の
ドレインと電気的に接続する透明導電膜でなる画素電極
4027を形成する。透明導電膜としては、酸化インジ
ウムと酸化スズとの化合物(ITOと呼ばれる)または
酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を用いることがで
きる。そして、画素電極4027を形成したら、絶縁膜
4028を形成し、画素電極4027上に開口部を形成
する。
4029は公知のEL材料(正孔注入層、正孔輸送層、
発光層、電子輸送層または電子注入層)を自由に組み合
わせて積層構造または単層構造とすれば良い。どのよう
な構造とするかは公知の技術を用いれば良い。また、E
L材料には低分子系材料と高分子系(ポリマー系)材料
がある。低分子系材料を用いる場合は蒸着法を用いる
が、高分子系材料を用いる場合には、スピンコート法、
印刷法またはインクジェット法等の簡易な方法を用いる
ことが可能である。
蒸着法によりEL層を形成する。シャドーマスクを用い
て画素毎に波長の異なる発光が可能な発光層(赤色発光
層、緑色発光層及び青色発光層)を形成することで、カ
ラー表示が可能となる。その他にも、色変換層(CC
M)とカラーフィルターを組み合わせた方式、白色発光
層とカラーフィルターを組み合わせた方式があるがいず
れの方法を用いても良い。勿論、単色発光のEL表示装
置とすることもできる。
極4030を形成する。陰極4030とEL層4029
の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが
望ましい。従って、真空中でEL層4029と陰極40
30を連続成膜するか、EL層4029を不活性雰囲気
で形成し、大気解放しないで陰極4030を形成すると
いった工夫が必要である。本実施形態ではマルチチャン
バー方式(クラスターツール方式)の成膜装置を用いる
ことで上述のような成膜を可能とする。
て、LiF(フッ化リチウム)膜とAl(アルミニウ
ム)膜の積層構造を用いる。具体的にはEL層4029
上に蒸着法で1nm厚のLiF(フッ化リチウム)膜を
形成し、その上に300nm厚のアルミニウム膜を形成
する。勿論、公知の陰極材料であるMgAg電極を用い
ても良い。そして陰極4030は4031で示される領
域において配線4016に接続される。配線4016は
陰極4030に所定の電圧を与えるための電源供給線で
あり、導電性ペースト材料4032を介してFPC40
17に接続される。
30と配線4016とを電気的に接続するために、層間
絶縁膜4026及び絶縁膜4028にコンタクトホール
を形成する必要がある。これらは層間絶縁膜4026の
エッチング時(画素電極用コンタクトホールの形成時)
や絶縁膜4028のエッチング時(EL層形成前の開口
部の形成時)に形成しておけば良い。また、絶縁膜40
28をエッチングする際に、層間絶縁膜4026まで一
括でエッチングしても良い。この場合、層間絶縁膜40
26と絶縁膜4028が同じ樹脂材料であれば、コンタ
クトホールの形状を良好なものとすることができる。
を覆って、パッシベーション膜6003、充填材600
4、カバー材6000が形成される。
バー材6000と基板4010の内側にシール材700
0が設けられ、さらにシール材7000の外側には密封
材(第2のシール材)7001が形成される。
材6000を接着するための接着剤としても機能する。
充填材6004としては、PVC(ポリビニルクロライ
ド)、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビ
ニルブチラル)またはEVA(エチレンビニルアセテー
ト)を用いることができる。この充填材6004の内部
に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を保持できるので好
ましい。
含有させてもよい。このとき、スペーサーをBaOなど
からなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもた
せてもよい。
ン膜6003はスペーサー圧を緩和することができる。
また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩
和する樹脂膜などを設けてもよい。
板、アルミニウム板、ステンレス板、FRP(Fibe
rglass−Reinforced Plastic
s)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリ
ルフィルムを用いることができる。なお、充填材600
4としてPVBやEVAを用いる場合、数十μmのアル
ミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることが好ましい。
方向)によっては、カバー材6000が透光性を有する
必要がある。
よび密封材7001と基板4010との隙間を通ってF
PC4017に電気的に接続される。なお、ここでは配
線4016について説明したが、他の配線4014、4
015も同様にしてシール材7000および密封材70
01の下を通ってFPC4017に電気的に接続され
る。
態9とは異なる形態のEL表示装置を作製した例につい
て、図20(A)、20(B)を用いて説明する。図1
9(A)、19(B)と同じ番号のものは同じ部分を指
しているので説明は省略する。
の上面図であり、図20(A)をA-A'で切断した断面
図を図20(B)に示す。
ってパッシベーション膜6003までを形成する。
004を設ける。この充填材6004は、カバー材60
00を接着するための接着剤としても機能する。充填材
6004としては、PVC(ポリビニルクロライド)、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブ
チラル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)を
用いることができる。この充填材6004の内部に乾燥
剤を設けておくと、吸湿効果を保持できるので好まし
い。
含有させてもよい。このとき、スペーサーをBaOなど
からなる粒状物質とし、スペーサー自体に吸湿性をもた
せてもよい。
ン膜6003はスペーサー圧を緩和することができる。
また、パッシベーション膜とは別に、スペーサー圧を緩
和する樹脂膜などを設けてもよい。
板、アルミニウム板、ステンレス板、FRP(Fibe
rglass−Reinforced Plastic
s)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、
マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリ
ルフィルムを用いることができる。なお、充填材600
4としてPVBやEVAを用いる場合、数十μmのアル
ミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることが好ましい。
方向)によっては、カバー材6000が透光性を有する
必要がある。
000を接着した後、充填材6004の側面(露呈面)
を覆うようにフレーム材6001を取り付ける。フレー
ム材6001はシール材(接着剤として機能する)60
02によって接着される。このとき、シール材6002
としては、光硬化性樹脂を用いるのが好ましいが、EL
層の耐熱性が許せば熱硬化性樹脂を用いても良い。な
お、シール材6002はできるだけ水分や酸素を透過し
ない材料であることが望ましい。また、シール材600
2の内部に乾燥剤を添加してあっても良い。
基板4010との隙間を通ってFPC4017に電気的
に接続される。なお、ここでは配線4016について説
明したが、他の配線4014、4015も同様にしてシ
ール材6002の下を通ってFPC4017に電気的に
接続される。
パネルにおける画素部のさらに詳細な断面構造を図21
に、上面構造を図22(A)に、回路図を図22(B)
に示す。図21、図22(A)及び図22(B)では共
通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。
れたスイッチング用TFT3002は実施形態7のTFT
構造を用いてもよいし、公知のTFTの構造を用いても
よい。本実施形態ではダブルゲート構造としているが、
構造及び作製プロセスに大きな違いはないので説明は省
略する。但し、ダブルゲート構造とすることで実質的に
二つのTFTが直列された構造となり、オフ電流値を低
減することができるという利点がある。なお、本実施形
態ではダブルゲート構造としているが、シングルゲート
構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上の
ゲート本数を持つマルチゲート構造でも構わない。
Tを用いて形成される。このとき、スイッチング用TF
T3002のドレイン配線3035は配線3036によ
って電流制御用TFTのゲート電極3037に電気的に
接続されている。また、3038で示される配線は、ス
イッチング用TFT3002のゲート電極3039a、
3039bを電気的に接続するゲート配線である。
量を制御するための素子であるため、多くの電流が流
れ、熱による劣化やホットキャリアによる劣化の危険性
が高い素子でもある。そのため、電流制御用TFTのド
レイン側に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なる
ようにLDD領域を設ける本願発明の構造は極めて有効
である。
003をシングルゲート構造で図示しているが、複数の
TFTを直列につなげたマルチゲート構造としても良
い。さらに、複数のTFTを並列につなげて実質的にチ
ャネル形成領域を複数に分割し、熱の放射を高い効率で
行えるようにした構造としても良い。このような構造は
熱による劣化対策として有効である。
TFT3003のゲート電極3037となる配線は30
04で示される領域で、電流制御用TFT3003のド
レイン配線3040と絶縁膜を介して重なる。このと
き、3004で示される領域ではコンデンサが形成され
る。このコンデンサ3004は電流制御用TFT300
3のゲートにかかる電圧を保持するためのコンデンサと
して機能する。なお、ドレイン配線3040は電流供給
線(電源線)3006に接続され、常に一定の電圧が加
えられている。
御用TFT3003の上には第1パッシベーション膜3
041が設けられ、その上に樹脂絶縁膜でなる平坦化膜
3042が形成される。平坦化膜3042を用いてTF
Tによる段差を平坦化することは非常に重要である。後
に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在する
ことによって発光不良を起こす場合がある。従って、E
L層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を
形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
る画素電極(EL素子の陰極)であり、電流制御用TF
T3003のドレインに電気的に接続される。画素電極
3043としてはアルミニウム合金膜、銅合金膜または
銀合金膜など低抵抗な導電膜またはそれらの積層膜を用
いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造と
しても良い。
れたバンク3044a、3044bにより形成された溝
(画素に相当する)の中に発光層3045が形成され
る。なお、ここでは一画素しか図示していないが、R
(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した発光層を
作り分けても良い。発光層とする有機EL材料としては
π共役ポリマー系材料を用いる。代表的なポリマー系材
料としては、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)
系、ポリビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオ
レン系などが挙げられる。
な型のものがあるが、例えば「H. Shenk,H.Becker,O.Ge
lsen,E.Kluge,W.Kreuder,and H.Spreitzer,“Polymers
forLight Emitting Diodes”,Euro Display,Proceeding
s,1999,p.33-37」や特開平10−92576号公報に記
載されたような材料を用いれば良い。
発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色に発光
する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光す
る発光層にはポリフェニレンビニレン若しくはポリアル
キルフェニレンを用いれば良い。膜厚は30〜150n
m(好ましくは40〜100nm)とすれば良い。
のできる有機EL材料の一例であって、これに限定する
必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注
入層を自由に組み合わせてEL層(発光及びそのための
キャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良
い。
発光層として用いる例を示したが、低分子系有機EL材
料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層とし
て炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。こ
れらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いるこ
とができる。
DOT(ポリチオフェン)またはPAni(ポリアニリ
ン)でなる正孔注入層3046を設けた積層構造のEL
層としている。そして、正孔注入層3046の上には透
明導電膜でなる陽極3047が設けられる。本実施形態
の場合、発光層3045で生成された光は上面側に向か
って(TFTの上方に向かって)放射されるため、陽極
は透光性でなければならない。透明導電膜としては酸化
インジウムと酸化スズとの化合物や酸化インジウムと酸
化亜鉛との化合物を用いることができるが、耐熱性の低
い発光層や正孔注入層を形成した後で形成するため、可
能な限り低温で成膜できるものが好ましい。
子3005が完成する。なお、ここでいうEL素子30
05は、画素電極(陰極)3043、発光層3045、
正孔注入層3046及び陽極3047で形成されたコン
デンサを指す。図22Aに示すように画素電極3043
は画素の面積にほぼ一致するため、画素全体がEL素子
として機能する。従って、発光の利用効率が非常に高
く、明るい画像表示が可能となる。
の上にさらに第2パッシベーション膜3048を設けて
いる。第2パッシベーション膜3048としては窒化珪
素膜または窒化酸化珪素膜が好ましい。この目的は、外
部とEL素子とを遮断することであり、有機EL材料の
酸化による劣化を防ぐ意味と、有機EL材料からの脱ガ
スを抑える意味との両方を併せ持つ。これによりEL表
示装置の信頼性が高められる。
は図21のような構造の画素からなる画素部を有し、オ
フ電流値の十分に低いスイッチング用TFTと、ホット
キャリア注入に強い電流制御用TFTとを有する。従っ
て、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な
EL表示パネルが得られる。
態11に示した画素部において、EL素子3005の構
造を反転させた構造について説明する。説明には図23
を用いる。なお、図21の構造と異なる点はEL素子の
部分と電流制御用TFTだけであるので、その他の説明
は省略することとする。
3はPTFTを用いて形成される。作製プロセスは実施
形態1〜9を参照すれば良い。
0として透明導電膜を用いる。具体的には酸化インジウ
ムと酸化亜鉛との化合物でなる導電膜を用いる。勿論、
酸化インジウムと酸化スズとの化合物でなる導電膜を用
いても良い。
3051bが形成された後、溶液塗布によりポリビニル
カルバゾールでなる発光層3052が形成される。その
上にはカリウムアセチルアセトネートでなる電子注入層
3053、アルミニウム合金でなる陰極3054が形成
される。この場合、陰極3054がパッシベーション膜
としても機能する。こうしてEL素子3101が形成さ
れる。
した光は、矢印で示されるようにTFTが形成された基
板の方に向かって放射される。
9の構成と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。また、実施形態10の電子機器の表示部として本実
施形態のEL表示パネルを用いることは有効である。
(B)に示した回路図とは異なる構造の画素とした場合
の例について図24(A)〜(C)に示す。なお、本実
施形態において、3201はスイッチング用TFT32
02のソース配線、3203はスイッチング用TFT3
202のゲート配線、3204は電流制御用TFT、3
205はコンデンサ、3206、3208は電流供給
線、3207はEL素子とする。
線3206を共通とした場合の例である。即ち、二つの
画素が電流供給線3206を中心に線対称となるように
形成されている点に特徴がある。この場合、電源供給線
の本数を減らすことができるため、画素部をさらに高精
細化することができる。
8をゲート配線3203と平行に設けた場合の例であ
る。なお、図24(B)では電流供給線3208とゲー
ト配線3203とが重ならないように設けた構造となっ
ているが、両者が異なる層に形成される配線であれば、
絶縁膜を介して重なるように設けることもできる。この
場合、電源供給線3208とゲート配線3203とで専
有面積を共有させることができるため、画素部をさらに
高精細化することができる。
造と同様に電流供給線3208をゲート配線3203と
平行に設け、さらに、二つの画素を電流供給線3208
を中心に線対称となるように形成する点に特徴がある。
また、電流供給線3208をゲート配線3203のいず
れか一方と重なるように設けることも有効である。この
場合、電源供給線の本数を減らすことができるため、画
素部をさらに高精細化することができる。
9の構成と自由に組み合わせて実施することが可能であ
る。また、実施形態10の電子機器の表示部として本実
施形態の画素構造を有するEL表示パネルを用いること
は有効である。
22(A)、22(B)では電流制御用TFT3003
のゲートにかかる電圧を保持するためにコンデンサ30
04を設ける構造としているが、コンデンサ3004を
省略することも可能である。実施形態11の場合、電流
制御用TFT3003として、ゲート絶縁膜を介してゲ
ート電極に重なるように設けられたLDD領域を有して
いるTFTを用いている。この重なり合った領域には一
般的にゲート容量と呼ばれる寄生容量が形成されるが、
本実施形態ではこの寄生容量をコンデンサ3004の代
わりとして積極的に用いる点に特徴がある。
ート電極とLDD領域とが重なり合った面積によって変
化するため、その重なり合った領域に含まれるLDD領
域の長さによって決まる。
(A),(B),(C)の構造においても同様に、コン
デンサ3205を省略することは可能である。
によると、種々のセンサによって得られた使用者の生体
情報に基づいて使用者の身体の状態を認識し、異常が認
識された場合には、外部装置から供給される第1の映像
信号をLCDパネルに表示することを停止し、その代わ
りに、撮影された外部の景色が表示される。こうするこ
とによって、使用者に身体の異常を警告するとともに、
外部の景色を見せることでリラックスさせることができ
る。また、使用者の視力の低下を防ぐことができる。
施形態1の概略構成図である。
施形態1の概略構成斜視図である。
施形態1外観斜視図である。
システムに用いられるヘッドホンを示す図である。
施形態1の動作フローチャートを示す図である。
施形態2の動作フローチャートを示す図である。
施形態3の動作フローチャートを示す図である。
施形態4の概略構成斜視図である。
施形態4外観斜視図である。
実施形態5の概略構成斜視図である。
実施形態5外観斜視図である。
実施形態6の概略構成斜視図である。
実施形態6外観斜視図である。
の使用者の生体情報を得る測定ポイントの例を示した図
である。
実施形態5に用いられるイメージセンサ内蔵LCDパネ
ルの例である。
に用いられるLCDパネルの作製方法例である。
に用いられるLCDパネルの作製方法例である。
動方法のタイミングチャートを示す図である。
である。
図である。
成を示す断面図である。
成を示す上面図及び回路図である。
成を示す断面図である。
成を示す回路図である。
を表した図である。
Claims (13)
- 【請求項1】2つの表示装置と、 外部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号
と、 外部の像を第2の映像信号に変換する2つの撮像素子
と、 使用者の生体情報を生体情報信号に変換するセンサと、 前記2つの表示装置へ映像信号を供給する映像信号制御
回路と、 を有するゴーグル型表示装置システムであって、 前記映像信号制御回路は、前記生体情報信号を数値処理
した指数に基づき、前記2つの表示装置に前記第1の映
像信号または前記第2の映像信号を供給することを特徴
とするゴーグル型表示システム。 - 【請求項2】2つの表示装置と、 外部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号
と、 外部の像を第2の映像信号に変換する2つの第1の撮像
素子と、 使用者の眼の像を第3の映像信号に変換する2つの第2
の撮像素子と、 使用者の生体情報を生体情報信号に変換するセンサと、 前記2つの表示装置へ映像信号を供給する映像信号制御
回路と、 を有するゴーグル型表示システムであって、 前記映像制御回路は、前記第3の映像信号および前記生
体情報信号を数値処理した指数に基づき、前記2つの表
示装置に前記第1の映像信号または前記第2の映像信号
を供給することを特徴とするゴーグル型表示システム。 - 【請求項3】2つの表示装置と、 外部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号
と、 外部の像を第2の映像信号に変換する2つの撮像素子
と、 使用者の生体情報を生体情報信号に変換するセンサと、 前記2つの表示装置へ映像信号を供給する映像信号制御
回路と、 を有するゴーグル型表示システムであって、 前記映像信号制御回路は、前記生体情報信号を数値処理
して得たカオスアトラクター指数に基づき前記使用者の
疲労の程度を算出し、 前記疲労の程度があらかじめ設定されたレベル以下の場
合には、前記映像信号制御回路は前記2つの表示装置に
前記第1の映像信号を供給し、 前記疲労の程度が前記あらかじめ設定されたレベルを超
える場合には、前記映像信号制御回路は前記2つの表示
装置に前記第2の映像信号を供給することを特徴とする
ゴーグル型表示システム。 - 【請求項4】2つの表示装置と、 外部映像信号供給装置より入力される第1の映像信号
と、 外部の像を第2の映像信号に変換する2つの撮像素子
と、 使用者の眼の像を第3の映像信号に変換する2つの撮像
素子と、 使用者の生体情報を生体情報信号に変換するセンサと、 前記2つの表示装置へ映像信号を供給する映像信号制御
回路と、 を有するゴーグル型表示システムであって、 前記映像信号制御回路は、前記第3の映像信号および前
記生体情報信号を数値処理して得たカオスアトラクター
指数に基づき前記使用者の疲労の程度を算出し、 前記疲労の程度があらかじめ設定されたレベル以下の場
合には、前記映像信号制御回路は前記2つの表示装置に
前記第1の映像信号を供給し、 前記疲労の程度が前記あらかじめ設定されたレベルを超
える場合には、前記映像信号制御回路は前記2つの表示
装置に前記第2の映像信号を供給することを特徴とする
ゴーグル型表示システム。 - 【請求項5】前記第1の撮像素子は、CCD撮像素子ま
たはイメージセンサであることを特徴とする請求項1乃
至4のいずれか一に記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項6】前記第2の撮像素子は、CCD撮像素子ま
たはイメージセンサであることを特徴とする請求項2、
4または5に記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項7】前記使用者の生体情報は、脈波、血圧、体
温または瞳孔の開き度合であることを特徴とする請求項
1乃至6のいずれか一に記載のゴーグル型表示システ
ム。 - 【請求項8】前記センサは、脈波センサ、血圧センサま
たは体温センサであることを特徴とする請求項1乃至7
のいずれか一に記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項9】前記脈波センサ、血圧センサまたは体温セ
ンサは、ヘッドホンに設置されることを特徴とする請求
項8に記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項10】前記イメージセンサは、前記表示装置と
一体形成されていることを特徴とする請求項5または6
に記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項11】前記表示装置は、反射型液晶表示装置で
あることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一に
記載のゴーグル型表示システム。 - 【請求項12】前記表示装置のバックライトには、赤色
LED、緑色LED、および青色LEDが用いられるこ
とを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一に記載の
ゴーグル型表示システム。 - 【請求項13】前記表示装置は、フィールドシーケンシ
ャル方式で駆動されることを特徴とする請求項12のゴ
ーグル型表示システム。
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