JP2000208447A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップをダイシングシートから剥がす時に使
用するコレットを薄板化に伴うチップの反りをなくし、
クラックの防止等の品位品質と生産性の向上を実現する
ように構成した半導体製造装置及び半導体装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】 ダイシングシート１０９に貼り付けられ
個別に分割されたチップ１１０をダイシングシートから
剥離する工程で用いるコレット１１５は平坦な吸着面で
構成され、吸着しようとするチップの大きさと同じかそ
れより大きく加工された多孔質体からなる。ダイシング
シートからチップを剥離する工程において、加熱装置も
しくは冷却装置のようなダイシングシートの接着力を低
下させる手段を設けても良い。薄板化した半導体基板の
工程中での反りやクラックを防止することができる。ま
たダイシングシートの接着力を低下させる手段を半導体
製造装置に設けたのでチップのカケやワレを防止するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシングシート
で固定した半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）を
ダイシングして得られる複数の半導体チップ（以下、チ
ップという）をダイシングシートから剥離、分離するた
めの半導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣチップが各種の薄いカード中
に埋め込まれることが行われるようになってきた。例え
ば、近年、日本においては、ＩＣチップを埋め込んだテ
レホンカードで非接触で動作する公衆電話機が用いられ
るに至っている。このような薄いカード中に埋め込まれ
るＩＣチップは極めて薄いもの、例えば３０〜５０μｍ
ぐらいの厚さのものとして造られる。このような薄いＩ
Ｃチップも普通のＩＣチップと同様に、ある大きさのウ
ェーハに複数個が作り込まれ、そのウェーハを各ＩＣチ
ップ毎にダイシングし、切り離して１個ずつとし、使用
される。而して、ウェーハつまり各ＩＣチップが数１０
μｍと極めて薄いため、各ＩＣチップが上記の工程にお
いて湾曲して、内部回路や配線に対して、伸縮により悪
影響を与えるという難点がある。本発明は、まさにこの
点に着目してなされたものであり、以下にさらに詳しく
説明する。

【０００３】半導体装置は、設計工程、マスク作成工
程、ウェーハ製造工程、ウェーハに半導体素子や集積回
路などの内部回路を形成するウェーハ処理工程、組立工
程及び検査工程の諸工程を経て製品が製造される。ウェ
ーハは、ウェーハ製造工程において、インゴットから切
り出されオリフラなどが形成される。次に、ウェーハ処
理工程において、ウェーハにトランジスタや集積回路を
形成する。ウェーハは、ダイシングシートもしくはダイ
シングテープ上に固定され、スクライブクラインに沿っ
てダイシングされる。ウェーハをダイシングして得られ
る、集積回路などが形成されたチップを、ダイシングシ
ートから剥離し、分離する。チップをダイシングシート
から引き剥がしてから、これをリードフレームに搭載
し、樹脂射止を行う組み立て工程を行う。その後の工程
を経て製品が完成する。

【０００４】従来のダイシングシートを用いて固定した
ウェーハをダイシングして得られる複数のチップをダイ
シングシートから剥離、分離されたチップに、組み立て
工程処理を施す半導体製造装置は、図１５に示す構成を
している。ダイシングを終ったウェーハ２は、ダイシン
グシート上に接着されている。ダイシング工程を終了
し、リング（ウェーハセッチング部）３に取り付けられ
たウエーハ２は、ウェーハテーブル４にセッティングさ
れる。次に、チップの良品／不良品を検出器１で判別
し、チップをダイシングシートから引き剥がして良品チ
ップを個々に分離する。チップをダイシングシートから
分離した後、吸着コレットを備えた吸着ヘッド５ を用
いてチップを吸着し、これを位置修正ステージ６に搬送
し、チップの位置ズレを補正してからボンディングヘッ
ド７を用いてリードフレーム等の外囲器にチップを搭載
させる。ボンディングヘッド７による処理が終了してか
らチップは、ディスペンスヘッド７１まで搬送され、こ
のディスペンスヘッド７１を用いて接着剤を外囲器に供
給する。

【０００５】図１６は、チップの良品／不良品を検出器
で判別し、チップ裏面からダイシングシートを引き剥が
して良品チップを個々に分離する工程におけるダイシン
グシートをチップから引き離す手順を説明する平面図及
び側面図である。この図は、チップ１０がダイシングシ
ート９から引き剥がされる状態を時系列的に３段階で記
載している。そしてチップ形状が正方形と長方形のそれ
ぞれの場合についてチップ裏面からシートが剥がれる様
子を記載する。チップの良品／不良品の判別とチップの
検出を検出器で行ってから、ピンホルダ１２を支持する
バックアップホルダ１１内をバキュームで真空に引き、
これでダイシングシート９を吸着固定させる。ダイシン
グシート９を固定させた状態で、突き上げピン８を固設
したピンホルダ１２を上昇させ、チップ１０の裏面に、
突き上げピン８を押し当てる動作を行う。ここでピンホ
ルダ12はある一定の高さまで上昇させる。

【０００６】以下、チップ裏面からシートが剥がれる順
序を図面を参照しながら説明する。まず、ピンホルダ１
２の上昇途中において、バックアップホルダ１１に固定
されていたダイシングシート９が部分的にはずれる（ス
テップ１）。ピンホルダ１１がさらに押し上げられる
と、ダイシングシート９は、チップ１０のコーナー部か
ら剥がれ始める（ステップ２）。さらにピンホルダ１２
が上昇すると、突き上げピン８の外周部分までダイシン
グシート９が剥がれる（ステップ３）。図示しない次の
ステップで、突き上げピン８のピッチの内部が剥がされ
る（ピンの外周部まで剥がされる速度よりも遅い）。

【０００７】吸着コレット（以下、コレットという）
は、図１７（ａ）−１７（ｄ）に示すように、チップの
辺を吸着するタイプのコレット１５とチップの表面を部
分的に吸着するタイプのコレット１４とがある。コレッ
ト１５は、２面にテーパが付けられた２面テーパーコレ
ットが図示されているが、４面にテーパが付けられた４
面テーパーコレットも知られている。コレットの材質
は、超硬のウレタン、ダイフロン（商品名；正式には、
ポリクロロトリフルオロエチレンで、略称はＰＣＴＦ
Ｅ）、ベスペル（商品名；ポリイミド樹脂）等が用いら
れている。コレットの動作は、突き上げ動作時にチップ
の表面部分までコレットが移動してチップを部分的に吸
着する。またコレットはチップの表面及び外周に接触さ
せる場合と接触させない場合があり、コレットの形状や
材質により条件を変えている。突き上げピンホルダの上
昇と共にコレットも上昇してチップをダイシングシート
から剥がすのを手伝う。つまりコレットはチップがダイ
シングシートから剥がれる時の位置ズレやバランスを保
っ役目をする。ダイシングシートからチップが剥がれた
後、図１５に示すように位置修正ステージヘチップを搬
送する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来使用されているコ
レットは、図１８（ａ）に示すように、コレットの吸着
溝が、チップの周辺もしくはチップの表面の一部に接触
するような構造が通常である。そのためチップ１０の厚
さが薄いと、図１８（ａ）に示すようにチップ１０が曲
がり、コレット１５（コレットＡ）の吸着力により、コ
レットの吸着溝の内面に沿って反るようになる。また、
図１８（ｂ）に示すように、チップサイズよりも小さい
コレット１４コレットＢ）を使用した場合においては、
チップ１０の外周部を固定できない。このため、チップ
１０のコーナー部分が剥がれ難くなる。その結果とし
て、チップの外周部が下に引っ張られ、チップ１０に山
反りが発生する。図１９（ａ），図１９（ｂ）は、チッ
プ反りのコレットの吸着力依存性をチップの厚さごとに
説明する特性図である。図１９（ａ）は、図１８（ａ）
のコレットＡの特性図、図１９（ｂ）は、図１８（ｂ）
のコレッートＢの特性図である。いずれのコレットも吸
着力が小さくなれぱチップの反りは小さくなるが、チッ
プ厚が厚くなると吸着力の変化に伴う反り量の変化は小
さくなる。チップが薄いほど、且つ吸着力が大きいほ
ど、反り量は大きくなる。

【０００９】チップに反りが発生すると、チップ内に形
成されている配線などの伸びや縮みにより配線などの特
性が変動したり、配線の切断などによるチップ不良やチ
ップの割れが発生するという問題があった。

【００１０】本発明は、上記のような事情によりなされ
たものであり、チップをダイシングシートから剥がす時
に使用するコレットを、チップの薄板化に伴うチップの
反りをなくし、クラックの防止等の品位品質と生産性の
向上を実現するように構成した半導体製造装置及びこの
半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供す
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、ダイシングシ
ートに貼り付けられ、個別にダイシングされたチップ
を、ダイシングシートから剥離する工程で用いるコレッ
トに関する。このようなコレットを、平坦な吸着面を有
し、且つ吸着しようとするチップの大きさと同じかそれ
より少し大きく又は小さく加工された多孔質体により構
成したことを特徴としている。さらに、コレットを多孔
質体から形成する構造に代え、コレットにおけるチップ
吸着溝内に、柱、ボール、半球、半円柱などを設け、そ
れらによって吸着されたチップが湾曲しないようにして
いる。また、前記ダイシングシートからチップを剥離す
る工程において、加熱装置もしくは冷却装置のようなダ
イシングシートの接着力を低下させる手段を設けること
を特徴としている。薄板化した半導体基板の工程中での
反りやクラックを防止することができるため半導体装置
の特性を良好に保つことができる。また歩留まりを向上
させることができる。さらにダイシングシートの接着力
を低下させる手段を半導体製造装置に設けたので、チッ
プのカケやワレを防止することができる。

【００１２】本発明の半導体製造装置は、ダイシングさ
れて個別のチップに分離されており、ダイシングシート
に接着されているウェーハのあるチップ表面の全面を、
均一に吸着する、吸着面が平坦なコレットを具備したこ
とを特徴としている。前記コレットは、多孔質体からな
るようにしても良い。前記多孔質体は、ホーラスセラミ
ックス、金属メッシュ体、硝子繊維のいずれから選択し
ても良い。前記コレットの吸着面のサイズは、チップサ
イズより各辺とも±２ｍｍ程度大きいようにしても良
い。前記チップを前記ダイシングシートから剥離する際
に、このダイシングシートの有する接着剤の接着力を低
下させる手段をさらに有するようにしても良い。前記手
段は接着剤の特性に応じて、チップ及びダイシングシー
トを加熱する装置もしくはこれらを冷却する装置であっ
ても良い。前記加熱装置もしくは冷却装置は、それぞれ
加熱エアー吹き付け装置もしくは冷却エアー吹き付け装
置であっても良い。前記加熱する装置もしくは冷却する
装置は、前記コレットに取り付けるようにしても良い。
チップ単体を加熱又は冷却することができるので、剥離
するチップ以外のチップバラケについても解決ができ、
歩留まりの向上もしくは生産性の向上ができる。

【００１３】前記チップを前記ダイシングシートから剥
離するに際してこのチップを突き上げる突き上げピン及
びこの突き上げピンを支持する突き上げピンホルダをさ
らに有し、前記加熱する装置もしくは冷却する装置は、
この突き上げピンホルダに取り付けても良い。チップ表
面側からの及びダイシングシート裏面側からの両方から
の加熱もしくは冷却を行うことができるので安定して接
着力を低下させることができる。その結果、チップ剥離
を確実に行え、且つクラックを防止することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシングさ
れて個別のチップに分離されておりダイシングシートに
接着されているウェーハの所定のチップを、吸着面が平
坦であるコレットにより均一に吸着する工程と、前記コ
レットにより吸着保持されたチップを前記ダイシングシ
ートから剥離する際に、このチップを突き上げる突き上
げピンにより突き上げてこのチップを前記ダイシングシ
ートから剥離する工程とを備えていることを特徴として
いる。前記チップを前記ダイシングシートから剥離する
際にこのダイシングシートの接着力を低下させる工程を
さらに具備するようにしても良い。

【００１４】以上説明したことから本発明が理解される
と思うが、さらに重ねていえば本発明は以下のように説
明される。即ち、本発明は、半導体ウェーハがダイシン
グシート上に接着された状態でダイシングされて、この
半導体ウェーハにおける複数の半導体チップがそれぞれ
分離されており、これらのチップをコレットによって吸
着して前記ダイシングシートから剥離する半導体製造装
置において、前記コレットは、このコレットにおける前
記チップを吸着するコレット本体の吸着面は平面となっ
ており、この吸着面に複数の吸着孔が開口しており、こ
れらの吸着孔が大気に比して負圧であることにより前記
チップを吸着する、ものとして構成したものである。前
記コレット本体は多孔質体から構成することができる。
前記多孔質体は、多孔質セラミックス、金属メッシュ体
及び硝子繊維のうちのいずれかを用いることができる。
前記多孔質体の側面がシール材で、気密状態にシール
し、前記吸着面での吸着を実効あらしめることができ
る。前記コレット本体はブロックとして構成されてお
り、前記ブロックの一面が前記吸着面であり、この吸着
面には、負圧化する凹部が形成されており、この凹部内
に複数の変形阻止部材が設けられており、この複数の部
材の頂面又は頂点と前記ブロックの吸着面とは同じ面上
に位置しており、このコレット本体による前記チップの
吸着時に、前記部材が前記チップの前記凹部の深さ方向
へのたわみを阻止する。前記複数の変形阻止部材は複数
の柱であり、これらの複数の柱が前記凹部内に立設され
ている。前記複数の変形阻止部材は複数の球であり、こ
れらは球が前記凹部内に配設されている。前記複数の変
形阻止部材は複数の半球であり、これらの半球が前記凹
部内に、この半球の平面側がこの凹部の底面になるよう
に配設されている。前記複数の変形阻止部材は複数の半
円柱であり、これらの複数の半円柱が前記凹部内に、こ
の半円柱の平面側がこの凹部内の底面になるように配設
されている。前記半導体チップを前記ダイシングシート
から剥離する際に、このダイシングシートの接着力を低
下させる手段をさらに有する。前記低下させる手段は、
半導体チップ及びダイシングシートを加熱する装置もし
くはこれらを冷却する装置のいずれかである。前記加熱
装置もしくは冷却装置は、それぞれ加熱エアー吹き付け
装置もしくは冷却エアー吹き付け装置からなる。前記加
熱する装置もしくは冷却する装置は、前記コレットに取
り付ける。前記半導体チップを前記ダイシングシートか
ら剥離する際に、この半導体チップをこのシートを介し
て突き上げる複数の突き上げピンを有する。複数の突き
上げピンは突き上げピンホルダに取り付けられており、
前記加熱する装置もしくは冷却する装置は、この突き上
げピンホルダに取り付けられる。

【００１５】さらに、本発明は、半導体ウェーハがダイ
シングシート上に接着された状態でダイシングされて、
この半導体ウェーハにおける複数の半導体チップがそれ
ぞれ分離されており、これらのチップをコレットによっ
て吸着して前記ダイシングシートから剥離する半導体装
置の製造方法において、前記コレットとして、このコレ
ットにおける前記チップを吸着するコレット本体の吸着
面は平面となっており、この吸着面に複数の吸着孔が開
口しており、これらの吸着孔が大気に比して負圧である
ことにより前記チップを吸着する、ものを用いて前記各
チップを前記シートから剥離するものとして構成され
る。前記コレット本体として多孔質体から構成したもの
を用いられる。前記多孔質体として、多孔質セラミック
ス、金属メッシュ体及び硝子繊維のうちのいずれかから
構成したものを用いられる。前記コレット本体として、
ブロックから構成し、前記ブロックの一面が前記吸着面
であり、この吸着面には、負圧化する凹部が形成されて
おり、この凹部内に複数の変形阻止部材が設けられてお
り、この複数の部材の頂面又は頂点と前記ブロックの吸
着面とは同じ面上に位置しており、このコレット本体に
よる前記チップの吸着時に、前記部材が前記チップの前
記凹部の深さ方向へのたわみを阻止する、ものを用いら
れる。前記半導体チップを前記ダイシングシートから剥
離する際に、このダイシングシートの接着力を低下させ
る工程をさらに具備する。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１（ａ）乃至図４（ｂ）を
参照して第１の実施例を説明する。

【００１７】図１（ａ），（ｂ）は、半導体製造装置に
用いられるコレットの底面の平面図及びこの平面図のＡ
−パ線に沿う断面図、図２は、ダイシングシート上のチ
ップを吸着したコレットとチップを突き上げる突き上げ
ピンを示す断面図、図３は、コレットで吸着したチップ
の反り量のチップ厚さ依存性を説明する特性図、図４
（ａ），（ｂ）は、ダイシングシートに固定されウェー
ハ状に配置されたチップの平面図及びその一部を拡大し
た拡大平面図である。

【００１８】このチップは、図１５と同様な構成の半導
体製造装置で処理される。この半導体製造装置を構成す
る突き上げ装置は、この実施例のコレットを用いてダイ
シングシートからチップを剥離する。

【００１９】半導体装置の製造工程における組み立て工
程では、例えば、リードフレームやパッケージなどにチ
ップを搭載するダイボンディング工程、接着剤を硬化さ
せる工程、ワイヤホンディング工程、モールド工程等が
行われる。この半導体製造装置で行われるダイボンディ
ング工程は、図４（ａ），（ｂ）に示すウェーハ状に配
列されたチップをダイシングシートから剥離し、このチ
ップを位置修正ステージに搬送してから始まる。チップ
は、例えば、長方形である。まず、ウェーハに集積回路
などが形成された複数のチップ領域を有する。このウェ
ーハを、ダイシングシート１０９に接着させる。このウ
ェーハをダイシングシート１０９上でダイシング処理す
る。さらにダイシングシートは延伸され、これによりチ
ップ１１０間の間隔が広がる。

【００２０】このような状態で、バックアップホルダ内
に装着されたピンホルダに支持された突き上げピンによ
りある良品と判別されたチップが選択的に突き上げら
れ、このチップはコレットにより保持される。コレット
は、チップを保持してこれを位置修正ステージに搬送す
る。

【００２１】図１（ａ），（ｂ）は、例えば、図１５に
示す、突き上げ装置を含む半導体製造装置に適用したコ
レットの一例の形状である。コレット１１５は、チップ
を吸着する平坦な吸着面を有する多孔質セラミックス１
１６を備えている。多孔質セラミックス１１６は、一様
な通気性がありその側面も通気性を有している。したが
って、多孔質セラミックス１１６の外周部（側面）は、
吸着時にバキュームがリークしない様にするため、シー
ト材及び金属等のシール材１０７で、シールされてい
る。シール材にはプラスチックテープ、メタル箔、塗料
などを用いる。コレットを突き上げ装置に取り付ける部
分は、取り付け具１１９と、先端が多孔質セラミック１
１６に接触している中空の支持体１１７と、を有してい
る。この中空部としての孔を介して、多孔質セラミック
ス１１６が吸気され、チップが保持されるようになって
いる。支持体１１７と多孔質セラミックス１１６との間
には金属支持板１２０が挿入されている。したがって、
コレットを突き上げ装置に取り付ける部分と、金属支持
板１２０と、多孔質セラミックス１１６と、がコレット
１１５を構成している。コレット１１５の吸着面のサイ
ズは、チップと同じサイズにするか、もしくはチップサ
イズと比較して２ｍｍよりも大きくするか又は２ｍｍよ
りも小さくする。

【００２２】図２は、上記突き上げ装置にコレットを用
いてダイシングシートからチップを剥離する様子を示し
ている。この装置では、チップの良品／不良品の判別と
チップの検出を検出器で行う。この後、ピンホルダ１１
２を支持するバックアップホルダ１１１内をバキューム
で真空に引き、これでダイシングシート１０９を吸着固
定させる。ダイシングシート１０９を固定させた状態
で、突き上げピン１０８を支持し固定したピンホルダ１
１２を上昇させて、チップ１１０の裏面に突き上げピン
１０８を押し当てる動作を行う。

【００２３】図１（ａ）に示すコレット１１５を使用し
て、チップ１１０をダイシングシート１０９から剥がす
際に、突き上げピン１０８が上昇する前に、コレット１
１５がチップ１１０の表面部に下降し、チップ１１０表
面を吸着する。このコレッ１ト１１５の吸着面を構成す
る多孔質セラミックス１１６表面には、チップ１１０が
吸着保持されている。

【００２４】チップ１１０は、吸着面にほぼ同じ形状大
きさであり、図４（ａ），（ｂ）に示すように、複数個
のチップ１１０がダイシングシート１０９上に固着され
ている。コレット１１５は、その内の所定の１つを剥離
する。突き上げピン１０８が上昇するにともなってコレ
ット１１５も上昇し、チップ１１０を保持した状態でチ
ップ１１０裏面からダイシングシート１０９を引き剥が
す。引き剥がされたチップ１１０は、位置修正ステージ
ヘ搬送され、ここでチップ位置が修正されて半導体製造
装置のダイボンディング工程を行うシステムに搬送され
る（図１５参照）。

【００２５】このように、本発明のコレットは、ダイシ
ングシートから素子を引き剥がす際に用いるチップを吸
着する吸着コレットと、ダイシングシートから引き剥が
したチップを搬送する搬送コレットと、チップをリード
フレームや基板等の外周器に接着接合するダイボンディ
ングコレットなどに適用される。

【００２６】この実施例で説明したコレットを使用する
ことにより、数１０μｍから２００μｍまでに薄板化し
たチップの工程中での反りや素子クラックを防止でき
る。このためチップ（半導体素子）の特性を良好に保
ち、歩留まりを向上させることが可能になる。

【００２７】図３は、本発明及び従来のコレットを使用
したときのチップ反り量のチップ屋さ依存性を示す特性
図である。縦軸がコレットを用いたときのチップ反り量
（μｍ）を表わし、横軸がチップ厚さ（μｍ）を表わし
ている。図に示すようにチップの厚さが薄くなるにした
がって、従来のコレットＡ、コレットＢは反り量が急増
してくるのに対し、本発明のコレットを用いたチップの
反り量は、従来のコレットを用いたチップの反り量と比
較して、チップ厚が薄くなっても余り増加せず、本発明
の効果は明らかである。とくにチップ屋が１００μｍ以
下になるとその効果はさらに著しくなる。

【００２８】次に、図５を参照して第２の実施例を説明
する。

【００２９】本発明では、チップ厚が薄くなっても反り
の生じないコレットを突き上げ装置に用いているが、こ
の実施例を含めて以下の実施例に係る半導体製造装置で
はさらに剥離時にチップとダイシングシートとの接合力
を弱める用いる手段を講じている。図５は、チップを接
着したダイシングシートを装着した突き上げ装置の断面
図であり、突き上げ装置にコレットを用いてダイシング
シートからチップを剥離する様子を示している。コレッ
ト２１５は、チップを吸着する平坦な吸着面を有する多
孔質セラミックス２１６を備えている。多孔質セラミッ
クス２１６は、一様な通気性がありその側面も通気性を
有している。したがって、多孔質セラミックメ２１６の
外周部（側面）は、吸着時にバキュームがリークしない
様にシート材や金属等のシール材でシールされている。
シール材にはプラスチックテープ、メタル箔、塗料など
を用いる。コレットを突き上げ装置に取り付ける部分
は、先端が多孔質セラミック２１６に接触している中空
の支持体２１７を有している。この中空部としての孔を
介して多孔質セラミックス２１６が吸気され、ウェーハ
２１０が保持されるようになっている。コレット２１５
の吸着面のサイズは、チップと同じサイズにするか、も
しくはチップサイズと比較して２ｍｍより大きくするか
又は２ｍｍより小さくする。

【００３０】この装置は、チップの良品／不良品の判別
と検出を検出器で行ってから、ピンホルダ２１２を支持
するバックアップホルダ２１１内をバキュームで真空に
引き、これでダイシングシート２０９を固定させた状態
で、突き上げピン２０８を支持し固定したピンホルダ２
１２を上昇させてチップ２１０の裏面に突き上げピン２
０８を押し当てる動作を行う。

【００３１】この動作は次のように行われる。コレット
２１５を使用してチップ２１０をダイシングシート２０
９から剥がす際に、突き上げピン２０８が上昇する前
に、コレット２１５がチップ２１０の表面部に下降し、
チップ２１０表面を吸着する。このコレット２１５の吸
着面を構成する多孔質セラミックス２１６表面には、チ
ップ２０９が吸着保持されている。チップ２０９は、吸
着面にほぼ同じ形状、大きさであり、複数個のチップ２
１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃがダイシングシート２０９
上に固着されている。突き上げピン２０８が上昇するに
ともなってコレット２１５も上昇し、チップ２１０を保
持した状態でチップ２１０裏面からダイシングシート２
０９を引き剥がす。引き剥がされたチップ２１０は、位
置修正ステージヘ搬送され、ここでチップ位置が修正さ
れて半導体製造装置のダイボンディング工程を行うシス
テムに搬送される（図１１参照）。

【００３２】この実施例では、コレット２１５には支持
体２１７に加熱装置（ヒータ）もしくは冷却装置２１８
などのチップとダイシングシートとの接着力を弱める手
段が取り付けられている。この手段は、チップ２１０を
ダイシングシート（転写テープ）から個々に剥離する際
にチップ表面から加熱もしくは冷却を行いダイシングシ
ート２０９の接着力の低下及び変形を促進させる。

【００３３】なおここで用いられるダイシングシート２
０９は、一般的に市販されている加熱もしくは冷却する
ことにより、チップとダイシングシートとの接着カが低
下する特性や、ダイシングシートの弾性率が変化する特
性、例えば、ＰＥＴ等の基材が変形する特性などを持つ
ものを使用する。そして、加熱もしくは冷却により前記
接着力低下、弾性率の変化、基材の変形をおこない、チ
ップ裏面から突き上げピン２０８を上昇させて、チップ
２１０をダイシングシート２０９から弱い力で剥離す
る。

【００３４】この実施例では加熱装置もしくは冷却装置
は多孔質セラミックス２１６のみを加熱もしくは冷却す
るようにしているので、チップ２１０ａのみを加熱もし
くは冷却することになる。チップ２１０ａに隣接してい
るチップ２１０ｂ，２１０ｃは実質的に加熱もしくは冷
却されない。このように剥離しようとするチップ単体の
み加熱もしくは冷却することにより、目的とするチップ
単体にしかシートの接着力低下及びシート変形が行われ
ないため、その他外周のチップは貼り付けた状態を維持
することができる。その結果ウェーハ全体を加熱もしく
は冷却することにより生じる、チップの整列性が悪くな
るような問題、例えば、半導体製造装置での位置検出等
でチップが回転していたり、許容範囲以上の位置ズレが
発生した時の誤検出及び検出ができないという問題は、
本発明では生じない。またチップの剥離力が小さいとき
には、突き上げピン２０８を使用しないで、コレット２
１５をチップ表面に接触させてバキューム力のみで剥離
することも可能である。

【００３５】次に、図６を参照して第３の実施例を説明
する。図６は、チップを接着したダイシングシートを装
着した突き上げ装置の断面図であり、突き上げ装置とコ
レットとを用いて、ダイシングシートからチップを剥離
する様子を示している。コレット３１５は、チップを吸
着ナる平坦な吸着面を有する多孔質セラミックス３１６
を備えている。多孔質セラミックス３１６は、一様な通
気性がありその側面も通気性を有している。したがっ
て、多孔質セラミックス３１６の外周部（側面）は、吸
着時にバキュームがリークしない様にシート材及び金属
等のシール材でシールされている。シール材にはプラス
チックテープメタル箔、塗料などを用いる。コレットは
バキュームパイプによって突き上げ装置に取り付けられ
ている。この先端には、多孔質セラミック３１６に接触
している支持体３１７を有している。この中空部を介し
て多孔質セラミックス３１６が吸気され、ウェーハが保
持されるようになっている。コレット３１５の吸着面の
サイズは、チップと同じサイズにするか、もしくはチッ
プサイズと比較して２ｍｍより大きくするか又は２ｍｍ
より小さくする。

【００３６】この図ではコレット３１５の吸着面が、ダ
イシングシート３０９に固着されたチップ３１０を吸着
している状態を示している。ここで用いられるダイシン
グシート３０９としては、一般的に市販されている加熱
もしくは冷却することによりチップとダイシングシート
との接着力が低下する特性や、ダイシングシートの弾性
率が変化する特性、例えば、ＰＥＴ等の基材が変形する
特性などを持つものを使用する。これにより、加熱もし
くは冷却により前記接着力低下、弾性率の変化、基材の
変形を行ない、チップ３１０をダイシングシート３０９
から弱い力で剥離する。

【００３７】この実施例では、コレット３１５には支持
体３１７に加熱エアー供給装置もしくは冷却エアー供給
装置３１８などのチップ３１０とダイシングシート３０
９との接着力を弱める手段が取り付けられている。この
手段は、支持体３１７のバキュームパイプを介してチッ
プ３１０をダイシングシート（転写テープ）から個々に
剥離する際にチップ３１０表面に加熱エアーもしくは冷
却エアーを吹き付けてダイシングシート３０９の接着力
の低下及び変形を促進させる。

【００３８】この実施例では、加熱エアーもしくは冷却
エアーは、多孔質セラミックス３１６のみを加熱もしく
は冷却することになるので、多孔質セラミックス３１６
に吸着されたチップ３１０のみが加熱もしくは冷却さ
れ、このチップ３１０に隣接しているチップ３１０は実
質的に加熱もしくは冷却されない。このように剥離しよ
うとするチップ単体のみを加熱もしくは冷却することに
より、目的とするチップ単体にしかシートの接着力低下
及びシート変形が行われない。このため、その他外周の
チップは貼り付けた状態を維持することができる。その
結果ウェーハ全体を加熱もしくは冷却するような方式で
チップの整列性が悪くなるような問題、例えば、半導体
製造装置での位置検出等でチップが回転していたり、許
容範囲以上の位置ズレが発生した時の誤検出及び検出が
できないという問題は、本発明では生じない。またチッ
プの剥離力によっては突き上げピンを使用しないで、コ
レットをチップ表面に接触させてバキュームカのみで剥
離することもできる。

【００３９】次に、図７を参照して第４の実施例を説明
する。図７は、チップを接着したダイシングシートを装
着した突き上げ装置の断面図であり、突き上げ装置とコ
レットとを用いて、ダイシングシート４０９からチップ
４１０を剥離する様子を示している。コレット４！５
は、チップを吸着する平坦な吸着面を有する多孔質セラ
ミックス４１６を備えている。多孔質セラミックス４１
６は、一様な通気性がありその側面も通気性を有してい
る。したがって、多孔質セラミックス４１６の外周部
（側面）は、吸着時にバキュームがリークしない様に、
シート材及び金属等のシール材でシールされている。シ
ール材にはプラスチックテープ、メタル箔、塗料などを
用いる。コレットは、突き上げ装置に、バキュームパイ
プを用いて取り付けられている。バキュームパイプの先
端に、多孔質セラミック４１６を保持する支持体４１７
を有している。この中空部（バキュームパイプ）を介し
て多孔質セラミックス４１６が吸気され、ウェーハが吸
引保持されるようになっている。コレット４１５の吸着
面のサイズは、チップと同じサイズにするか、もしくは
チップサイズと比較して２ｍｍよりも大きくするか又は
２ｍｍよりも小さくする。

【００４０】この装置は、チップの良品／不良品の判別
とチップ検出を検出器で行ってから、ピンホルダ４１２
を支持するバックアップホルダ４１１内をバキュームで
真空に引く。このようにすることにより、ダイシングシ
ート４０９を固定させた状態で、突き上げピン４０８を
有するピンホルダ４１２を上昇させ、チップ４１０の裏
面に突き上げピン４０８を押し当てる動作を行う。この
実施例では、コレット４１５においては、支持体４１７
に加熱装置（ヒータ）もしくは冷却装置４１８が取り付
けられているとともに、バックアップホルダ４１１にも
加熱装置もしくは冷却装置４１９が取り付けられてい
る。これら加熱装置もしくは冷却装置は、各チップ４１
０をダイシングシート４０９から剥離する際に、このシ
ート４０９をチップ４１０表面側から加熱もしくは冷却
し、ダイシングシート４０９の接着力の低下及び変形を
促進させる。ここで用いられるダイシングシート４０９
は、一般的に市販されている加熱もしくは冷却すること
によりチップとダイシングシートとの接着カが低下する
特性やダイシングシートの弾性率が変化する特性、例え
ば、ＰＥＴ等の基材が変形する特性などを持つものを使
用し、加熱もしくは冷却により前記接着力低下、弾性率
の変化、基材の変形を生じさせ、この状態でチップ裏面
から突き上げピン４０８ を上昇させて、チップ４１０
をダイシングシート４０９から弱い力で容易に剥離す
る。

【００４１】この実施例では、加熱装置もしくは冷却装
置によって、多孔質セラミックス４１６のみを加熱もし
くは冷却するようにしているので、この多孔質セラミッ
クス４１６に吸着されたチップ４１０のみを加熱もしく
は冷却することになり、このチップ４１０に隣接してい
る他のチップ４１０は実質的に加熱もしくは冷却されな
い。さらに、バックアップホルダ４１１にも加熱装置も
しくは冷却装置４１９が装着されているので、熱が他の
部分に逃げることが少なくなり、加熱もしくは冷却効率
が上がる。したがって、対象とするある１つのチップに
おいてしか、シートによる接着力の低下及びシート自体
の変形が行われないため、その他のチップは貼り付けた
状態を維持することができる。

【００４２】次に、図８を参照して第５の実施例を説明
する。

【００４３】図８は、チップを接着したダイシングシー
トを装着した突き上げ装置の断面図であり、突き上げ装
置とコレットとを用いてダイシングシートからチップを
剥離する様子を示している。コレット５１５は、チップ
を吸着する平坦な吸着面を有する多孔質セラミックス５
１６を備えている。多孔質セラミックス５１６は、一様
な通気性がありその側面も通気性を有している。したが
って、多孔質セラミックス５１６の外周部（側面）は、
吸着時にバキュームがリークしない様にシート材及び金
属等のシール材でシールされている。シール材にはプラ
スチックテープ、メタル箔、塗料などを用いる。コレッ
トは、突き上げ装置に、中空のバキュームパイプを用い
て取り付けられており、そのパイプの先端に、多孔質セ
ラミック５１６を支持する支持体５１７を有している。
この中空部（バキュームパイプ）を介して多孔質セラミ
ックス５１６が吸気され、ウェーハが吸引保持されるよ
うになっている。コレット５１５の吸着面のサイズは、
チップと同じサイズにするか、もしくはチップサイズと
比較して２ｍｍよりも大きくするか又は２ｍｍ よりも
小さくする。

【００４４】この装置は、チップの良品／不良品の判別
とチップの検出を検出器で行ってから、ピンホルダ５１
２を有するバックアップホルダ５１１内をバキュームで
真空に引く。このようにすることにより、ダイシングシ
ート５０９を吸着固定させるダイシングシート５０９を
固定させる。この状態で、突き上げピン５０８ を有す
るピンホルダ５１２を上昇させて、チップ５１０の裏面
に、突き上げピン５０８を押し当てる動作を行う。この
実施例では、バックアップホルダ５１１に加熱装置もし
くは冷却装置５１９が取り付けられている。加熱装置も
しくは冷却装置５１９は、各チップ５１０をダイシング
シート５０９から剥離する際に、チップ５１０表面から
加熱もしくは冷却を行い、ダイシングシート５０９の接
着力の低下及び変形を促進させる。ここで用いられるダ
イシングシート５０９は、一般的に市販されている、加
熱もしくは冷却することにより、チップとダイシングシ
ートとの接着力が低下する特性やダイシングシートの弾
性率が変化する特性、例えば、ＰＥＴ等の基材が変形す
る特性などを持つものを使用する。このように、加熱も
しくは冷却により、前記接着力低下、弾性率の変化、基
材の変形を生じさせ、チップ裏面から突き上げピン５０
８を上昇させて、チップ５１０をダイシングシート５０
９から弱い力で剥離する。バックアップホルダ５１１に
加熱装置もしくは冷却装置５１９が装着されているの
で、比較的熱が他の部分に逃げることが少なく、加熱も
しくは冷却効率が上がる。

【００４５】次に、図９を参照して第６の実施例を説明
する。

【００４６】図９は、チップを接着したダイシングシー
トを突き上げ装置に装着した断面図であり、突き上げ装
置とコレットとを用いてダイシングシートからチップを
剥離する様子を示している。コレット６１５は、チップ
を吸着する平坦な吸着面を有する多孔質セラミックス６
１６を備えている。多孔質セラミックス６１６は、一様
な通気性がありその側面も通気性を有している。したが
って、多孔質セラミックス６１６の外周部（側面）は、
吸着時にバキュームがリークしない様にシート材及び金
属等のシール材でシールされている。シール材にはプラ
スチックテープ、メタル箔、塗料などを用いる。コレッ
トを、突き上げ装置に、中空のバキュームパイプを用い
て取り付けている。このパイプの先端に、多孔質セラミ
ック６１６ を支持する支持体６１７を有している。こ
の中空部（バキュームパイプ）を介して多孔質セラミッ
クス６１６が吸気され、ウェーハが吸引保持されるよう
になっている。コレット６１５の吸着面のサイズは、チ
ップと同じサイズにするか、もしくはチップサイズと比
較して２ｍｍよりも大きくするか又は２ｍｍよりも小さ
くする。

【００４７】この装置は、チップの良品／不良品の判別
とチップの検出を検出器で行ってから、ピンホルダ６１
２を有するバックアップホルダ６１１内をバキュームで
真空に引く。このようにすることにより、ダイシングシ
ート６０９を固定させた状態で、突き上げピン６０８を
有するピンホルダ６１２を上昇させて、チップ６１０の
裏面に突き上げピン６０８を押し当てる動作を行う。こ
の実施例では、ピンホルダ６１２に加熱装置もしくは冷
却装置６１８が取り付けられている。加熱装置もしくは
冷却装置６１８は、各チップ６１０をダイシングシート
６０９から剥離する際に、このシート６０９をチップ６
１０表面側から加熱しもしくは冷却して、ダイシングシ
ート６０９の接着力の低下及び変形を促進させる。ここ
で用いられるダイシングシート６０９は、一般的に市販
されている加熱もしくは冷却することによりチップとダ
イシングシートとの接着力が低下する特性やダイシング
シートの弾性率が変化する特性、例えば、ＰＥＴ等の基
材が変形する特性などを持つものを使用する。加熱もし
くは冷却により、前記シート６０９の接着力低下、弾性
率の変化、基材の変形を生じさせ、チップ裏面から突き
上げピン６０８を上昇させて、チップ６１０をダイシン
グシート６０９から弱いカで剥離する。

【００４８】ピンホルダ６１２に加熱装置もしくは冷却
装置６１９が装着されているので、比較的熱が他の部分
に逃げることが少なく、バックアップホルダに加熱装置
もしくは冷却装置を装着する場合より加熱もしくは冷却
領域を多孔質セラミックス６１６に吸着されたチップ６
１０内に限定することができる。

【００４９】次に、図１０を参照して第７の実施例を説
明する。図１０は、チップを接着したダイシングシート
を突き上げ装置に装着した断面図及び突き上げロッドの
平面図であり、突き上げ装置とコレットとを用いてダイ
シングシートからチップを剥離する様子を示している。
コレット７１５は、チップを吸着する、平坦な吸着面を
有する多孔質セラミックス７１６を備えている。多孔質
セラミックス７１６は、一様な通気性がありその側面も
通気性を有している。したがって、多孔質セラミックス
７１６の外周部（側面）は、吸着時にバキュームがリー
クしない様に、シート材及び金属等のシール材でシール
されている。シール材にはプラスチックテープ、メタル
箔、塗料などを用いる。コレットは、突き上げ装置に、
中空状のバキュームパイプによって取り付けられてい
る。このパイプの先端に、多孔質セラミック７１６を保
持する支持体７１７を有している。この中空部（バキュ
ームパイプ）を介して多孔質セラミックス７１６が吸気
され、ウェーハが吸着保持されるようになっている。コ
レット７１５の吸着面のサイズは、チップと同じサイズ
にするか、もしくはチップサイズと比較して２ｍｍより
も大きくするか又は２ｍｍよりも小さくする。

【００５０】この図ではコレット７１５の吸着面に、ダ
イシングシート７０９上のチップ７１０を吸着している
状態を示している。ここで用いられるダイシングシート
７０９は、一般的に市販されている、加熱もしくは冷却
することによりチップとダイシングシートとの接着力が
低下する特性やダイシングシートの弾性率が変化する特
性、例えば、ＰＥＴ等の基材が変形する特性などを持つ
ものを使用する。加熱もしくは冷却により、前記シート
の接着力低下、弾性率の変化、基材の変形を行ない、チ
ップ７１０をダイシングシート７０９から弱い力で剥離
する。

【００５１】この実施例では、多孔質セラミックス７１
６に吸着されたチップ７１０を、ダイシングシート７０
９を介して突き上げるに際して、上記の先端の鋭い突き
上げピンに代えて、先端の平坦な突き上げロッド７０８
を用いている。この突き上げロッド７０８に加熱装置も
しくは冷却装置７１８などの、チップ７１０とダイシン
グシート７０９との接着力を弱める手段が取り付けられ
ている。この手段は、支持体７１７におけるバキューム
パイプを介して、チップ７１０をダイシングシートから
個々に剥離する際に、チップ７１０表面に加熱エアーも
しくは冷却エアーを吹き付けることにより、ダイシング
シート７０９の接着力の低下及び変形を促進させる。突
き上げロッド７０８は、バックアップボルグ７１１に支
持されたロッドホルダ７１２に支えられている。

【００５２】この実施例では、突き上げロッド７０８に
より、多孔質セラミックス７１６に吸着されたチップ７
１０のみを加熱もしくは冷却することになる。このた
め、このチップ７１０に隣接している他のチップ７１０
は実質的に加熱もしくは冷却されない。このように剥離
しようとする１つのチップのみを加熱もしくは冷却する
ようにしたので、対象とする１つのチップにおいてしか
シートの接着力低下及びシートの変形が行われない。こ
のため、その他のチップは貼り付けた状態を維持するこ
とができる。その結果、ウェーハ全体を加熱もしくは冷
却すると生じる問題、つまりチップの整列性が悪くなる
ような問題、より詳しくは、半導体製造装置での位置検
出等でチップが回転していたり、許容範囲以上の位置ズ
レが発生した時の誤検出及び検出ができないという問題
は、本発明では生じない。また突き上げピンを使用しな
いで、コレットのバキューム力のみでチップをシートか
ら剥離することもできる。加熱もしくは冷却によって、
接着力の低下及び変形を促進させ、これにより剥離時間
を速めることができる。

【００５３】以上の説明では、コレットとして、多孔質
セラミックス製の吸着体を用いたものについて示した。
しかしながら、この多孔質セラミックス製吸着体を有す
るコレットに代えて、各種の構成の吸着体を有するコレ
ットを用いることができる。以下にそれらの例を説明す
る。

【００５４】図１１（ａ）−（ｅ）までに示す各例は、
それぞれ、コレット本体の図中下側にある、チップを吸
着する凹溝内に、柱、球体、等のチップそり防止部材を
位置させて、チップのそりを防止するようにしたもので
ある。

【００５５】以下、図を参照しつつ、より詳しく説明す
る。

【００５６】図１１（ａ），（ｂ）と図１１（ｃ），
（ｄ）はそれぞれ柱を用いた例を示す。

【００５７】図１１（ａ），（ｂ）において、ここに示
すコレット１１５Ａは、図１（ａ），（ｂ）と一部同様
に、軸孔１１７ａを有する支持体１１７の途中に取り付
け具１１９が設けられており、先端にコレット本体１１
６Ａが設けられている。このコレット本体１１６Ａの図
中下面に前記支持体１１７の孔１１７ａに連通し、負圧
化する吸着溝１１７Ａが設けられている。この吸着溝１
１７Ａ内に複数の柱１１８Ａを設けている。これらの柱
１１８Ａの下面は、コレット本体１１６Ａの下面と同一
の面となっている。

【００５８】図１１（ｃ），（ｄ）は、図１１（ａ），
（ｂ）の変形例で、柱１１８Ａの数を少なくしたもの
で、平面的配置は図１１（ｄ）に示される。

【００５９】図１１（ｅ）は、図１１（ａ），（ｂ）の
コレット１１５Ａによる動作状態を示す。この図からわ
かるように、チップ１１０はピンホルダ１１２上のピン
１０８，１０８によって下から突き上げられており、且
つコレット１１５Ａに吸着されている。この状態におい
ては、チップ１１０は柱１１８Ａ，１１８Ａ，…の天面
で支持され、平面状態を保ち、撓んではいない。

【００６０】図１２（ａ）−（ｅ）は、前記図１１
（ａ）−（ｅ）の複数の柱１１８Ａに代えて複数の球１
２０Ａを用いた例を示す。図１２（ａ），（ｂ）と図１
２（ｃ），（ｄ） とは、複数の球１２０Ａの数におい
て異なるものの他はほとんど同じである。図１２（ｅ）
は、図１２（ａ），（ｂ）の使用状態を示す。

【００６１】図１３（ａ）−（ｅ）は、図１１（ａ）−
（ｅ）の複数の柱 に代えて複数の半球を用いた例を示
す。図１３（ａ），（ｂ）と図１３（ｃ），（ｄ）とは
複数の半球の数が異なり、図１３（ｅ）は図１３
（ａ），（ｂ）の使用状態を示す。

【００６２】図１４（ａ）−（ｅ）は、図１１（ａ）−
（ｅ）の柱に代えて複数の半円柱を用いた例を示す。図
１４（ａ），（ｂ）と図１４（ｃ），（ｄ）とは半円柱
１２０Ｇ，１２０Ｈの大きさ、数が異なる。図１４
（ｅ）は図１４（ａ），（ｂ）の使用状態を示す。

【００６３】

【発明の効果】本発明は、以上に述べたように、極めて
薄いウェーハのダイシング工程において、各チップの反
り及びクラックを防止できるので、チップ特性を良好に
保つことができ、また歩留まりを向上させることが可能
になる。また、チップ及びダイシングシートを加熱もし
くは冷却することにより、ダイシングシートの接着力や
ダイシングシートの弾性率を変化させられる。このた
め、シートに接着固定されている各チップをピックアッ
プする際に、チップのカケやワレを防止でき、品質の良
いチップを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、第１の実施例のコレットの
断面図及び平面図。

【図２】第１の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図３】本発明及び従来コレットの使用時のチップ反り
を説明する特性図。

【図４】（ａ），（ｂ）は本発明のダイシングシートに
接着されたチップの平面図及びその一部を拡大した平面
図。

【図５】第２の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図６】第３の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図７】第４の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図８】第５の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図９】第６の実施例の突き上げ装置の断面図。

【図１０】（ａ），（ｂ）は第７の実施例の突き上げ装
置の断面図及び突き上げロッドの平面図。

【図１１】（ａ）−（ｅ）は図１（ａ），（ｂ）の変形
例で、チップのそり防止に複数の柱を使った例。

【図１２】図１２（ａ）−（ｅ）は図１（ａ），（ｂ）
の変形例で、チップのそり防止に複数の球 を使った
例。

【図１３】（ａ）−（ｅ）は図１（ａ），（ｂ）の変形
例で、チップのそり防止に複数の半球 を使った例。

【図１４】（ａ）−１４（ｅ）は図１（ａ），（ｂ）の
変形例で、チップのそり防止に複数の半円柱を使った
例。

【図１５】従来及び本発明に用いる半導体製造装置の斜
視図。

【図１６】従来コレットを用いてチップからダイシング
シートが剥がれ方を説明する突き上げ装置の断面図及び
チップの平面図。

【図１７】（ａ）−（ｄ）は従来コレットの断面図及び
平面図。

【図１８】（ａ）−（ｂ）は従来コレット使用時のチッ
プ反りを説明する突き上げ装置の断面図。

【図１９】（ａ），（ｂ）は従来コレット使用時のチッ
プの反り量を説明する特性図。

【符号の説明】

１ 検出装置 ２ ウェーハ ３ リング（ウェーハセッティング部） ４ ウェーハテーブル ５ 素子吸着ヘッド ６ チップ位置修正ステージ ７ ダイボンダヘッド ８，１０８，２０８，４０８，５０８，６０８ 突き上
げピン ９，１０９，２０９，３０９，４０９，５０９，６０
９，７０９ ダイシングシート １０，１１０，２１０，２１０ａ，２１０ｂ，２１０
ｃ，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０ チップ
（半導体素子） １１，１１１，２１１，４１１，５１１，６１１，７１
１ バックアップホルダ １２，１１２，２１２，４１２，５１２，６１２，７１
２ ピンホルダ １３ チップ裏面からシートが剥離した面 １４，１５，１１５，１１５Ａ−１１５Ｈ，２１５，３
１５，４１５，５１５，６１５，７１５ コレット １６，１１６，２１６，３１６，４１６，５１６，６１
６，７１６ 多孔質セラミック ７１ ディスペンスヘッド １０７ シール材 １１７，２１７，３１７，４１７，５１７，６１７，７
１７ 支持体 １１８Ａ 柱 １１９ 取り付け具 １２０ 金属支持板 １２０Ａ 球 １２０Ｅ 半球 ２１８，４１８，４１９，５１９，６１８，７１８ 加
熱装置もしくは冷却装置 ３１８ 加熱エアー供給装置もしくは冷却エアー供給装
置 ７０８ 突き上げロッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼 田 英 夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハがダイシングシート上に接
   着された状態でダイシングされて、この半導体ウェーハ
   における複数の半導体チップがそれぞれ分離されてお
   り、これらのチップをコレットによって吸着して前記ダ
   イシングシートから剥離する半導体製造装置において、 前記コレットは、このコレットにおける前記チップを吸
   着するコレット本体の吸着面は平面となっており、この
   吸着面に複数の吸着孔が開口しており、これらの吸着孔
   が大気に比して負圧であることにより前記チップを吸着
   する、ものとして構成されている半導体製造装置。
2. 【請求項２】前記コレット本体は多孔質体から構成され
   ている、請求項1 の半導体製造装置。
3. 【請求項３】前記コレット本体はブロックとして構成さ
   れており、前記ブロックの一面が前記吸着面であり、こ
   の吸着面には、負圧化する凹部が形成されており、この
   凹部内に複数の変形阻止部材が設けられており、この複
   数の部材の頂面又は頂点と前記ブロックの吸着面とは同
   じ面上に位置しており、このコレット本体による前記チ
   ップの吸着時に、前記部材が前記チップの前記凹部の深
   さ方向へのたわみを阻止する、請求項１の半導体製造装
   置。
4. 【請求項４】半導体ウェーハがダイシングシート上に接
   着された状態でダイシングされて、この半導体ウェーハ
   における複数の半導体チップがそれぞれ分離されてお
   り、これらのチップをコレットによって吸着して前記ダ
   イシングシートから剥離する半導体装置の製造方法にお
   いて、 前記コレットとして、このコレットにおける前記チップ
   を吸着するコレット本体の吸着面は平面となっており、
   この吸着面に複数の吸着孔が開口しており、これらの吸
   着孔が大気に比して負圧であることにより前記チップを
   吸着する、ものを用いて前記各チップを前記シートから
   剥離する半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記コレット本体として多孔質体から構成
   したものを用いた請求項４の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記多孔質体として、多孔質セラミック
   ス、金属メッシュ体及び硝子繊維のうちのいずれかから
   構成したものを用いた請求項５の半導体装置の製造方
   法。