JP2000207765A - 光学ヘッド、光学部品、および光記憶装置 - Google Patents
光学ヘッド、光学部品、および光記憶装置Info
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- Optical Head (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スポット径が光の波長よりも小さい集光スポ
ットを形成することができるとともに製造が容易な光学
ヘッド、そのような光学ヘッドに適したレンズ、および
記録媒体に対する情報の読み書きを高密度に行うことが
できる光記憶装置を提供する。 【解決手段】 入射光の強度が高いほど高い透過率で入
射光を透過する光透過膜１０で覆われた出射面２０ａを
有する光学部品２０を備えている。
ットを形成することができるとともに製造が容易な光学
ヘッド、そのような光学ヘッドに適したレンズ、および
記録媒体に対する情報の読み書きを高密度に行うことが
できる光記憶装置を提供する。 【解決手段】 入射光の強度が高いほど高い透過率で入
射光を透過する光透過膜１０で覆われた出射面２０ａを
有する光学部品２０を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の駆動機構に
よって駆動されて所定の記憶媒体に近接して移動しその
記憶媒体の表面に光を照射する光学ヘッド、そのような
光学ヘッドに用いられるレンズ、およびそのような光学
ヘッドを用いて記憶媒体に対し情報を読み書きする光記
憶装置に関する。
よって駆動されて所定の記憶媒体に近接して移動しその
記憶媒体の表面に光を照射する光学ヘッド、そのような
光学ヘッドに用いられるレンズ、およびそのような光学
ヘッドを用いて記憶媒体に対し情報を読み書きする光記
憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、上述したような光学ヘッドを
用いて記録媒体上にレーザ光を集光することによって記
録媒体上に集光スポットを形成し、その集光スポットを
用いて記録媒体を熱することにより記録媒体に情報を書
き込み、あるいは、記録媒体に書き込まれた情報をその
集光スポットを用いて読みとる光記憶装置が知られてい
る。このような光記憶装置による情報の記録密度は、集
光スポットの径が小さいほど高い。
用いて記録媒体上にレーザ光を集光することによって記
録媒体上に集光スポットを形成し、その集光スポットを
用いて記録媒体を熱することにより記録媒体に情報を書
き込み、あるいは、記録媒体に書き込まれた情報をその
集光スポットを用いて読みとる光記憶装置が知られてい
る。このような光記憶装置による情報の記録密度は、集
光スポットの径が小さいほど高い。
【０００３】従来の光記憶装置では、集光レンズ等とい
った集光系で集光スポットを形成する光学ヘッドが用い
られることが一般的であるが、集光系によって形成され
る集光スポットの径は、後述する回折限界と呼ばれるサ
イズ以下に小さくすることができない。
った集光系で集光スポットを形成する光学ヘッドが用い
られることが一般的であるが、集光系によって形成され
る集光スポットの径は、後述する回折限界と呼ばれるサ
イズ以下に小さくすることができない。
【０００４】これに対し、回折限界そのものが小さい特
殊な集光系を用いて情報を高密度に記録する技術や、光
ファイバなどを加工して極小の出射口を形成し、サイズ
の小さな集光スポットを物理的に形成する技術が提案さ
れている。
殊な集光系を用いて情報を高密度に記録する技術や、光
ファイバなどを加工して極小の出射口を形成し、サイズ
の小さな集光スポットを物理的に形成する技術が提案さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光記憶装置による情報
の記録密度は、飛躍的な向上が望まれており、レーザ光
の波長よりも小さなスポット径を実現する技術が望まれ
ているが、上述した特殊な集光系を用いる技術では、ス
ポット径はせいぜいレーザ光の波長程度までしか小さく
することができないし、極小の出射口を用いる技術で
は、レーザ光の波長よりも小さな出射口を形成すること
自体が困難であるといった問題がある。
の記録密度は、飛躍的な向上が望まれており、レーザ光
の波長よりも小さなスポット径を実現する技術が望まれ
ているが、上述した特殊な集光系を用いる技術では、ス
ポット径はせいぜいレーザ光の波長程度までしか小さく
することができないし、極小の出射口を用いる技術で
は、レーザ光の波長よりも小さな出射口を形成すること
自体が困難であるといった問題がある。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑み、スポット径が
光の波長よりも小さい集光スポットを形成することがで
きるとともに製造が容易な光学ヘッド、そのような光学
ヘッドに適したレンズ、および記録媒体に対する情報の
読み書きを高密度に行うことができる光記憶装置を提供
することを目的とする。
光の波長よりも小さい集光スポットを形成することがで
きるとともに製造が容易な光学ヘッド、そのような光学
ヘッドに適したレンズ、および記録媒体に対する情報の
読み書きを高密度に行うことができる光記憶装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の光学ヘッドは、所定の駆動機構によって駆動されて
所定の記憶媒体に近接して移動しその記憶媒体の表面に
光を照射する光学ヘッドにおいて、光ビームを発光する
発光部と、光ビームが入射される入射面と、入射面から
入射された光ビームを出射する出射面を有する光学部品
と、前記光学部品の出射面から出る光ビームのうち所定
強度以上の光ビームを透過させる光透過部と、を少なく
とも有することを特徴とする。
明の光学ヘッドは、所定の駆動機構によって駆動されて
所定の記憶媒体に近接して移動しその記憶媒体の表面に
光を照射する光学ヘッドにおいて、光ビームを発光する
発光部と、光ビームが入射される入射面と、入射面から
入射された光ビームを出射する出射面を有する光学部品
と、前記光学部品の出射面から出る光ビームのうち所定
強度以上の光ビームを透過させる光透過部と、を少なく
とも有することを特徴とする。
【０００８】本発明の光学ヘッドは、上記光透過部が、
入射光エネルギーの一部を熱エネルギーに変換し、入射
光を高温ほど高い透過率で透過させる物質からなるもの
であってもよく、あるいは、上記光透過部が、入射光強
度の増大に応じて吸収率が低下する過飽和吸収体からな
るものであってもよい。
入射光エネルギーの一部を熱エネルギーに変換し、入射
光を高温ほど高い透過率で透過させる物質からなるもの
であってもよく、あるいは、上記光透過部が、入射光強
度の増大に応じて吸収率が低下する過飽和吸収体からな
るものであってもよい。
【０００９】本発明の光学ヘッドによれば、上述したよ
うな光透過部で出射面が覆われているので、出射面に当
てられた光のうちの光強度が高い部分の光だけが光透過
部を透過する。このため、光学系によって、光の波長程
度まで絞られた光を出射面に当てると、後で詳細に説明
するように、光透過部によって、波長よりもスポット径
が小さい集光スポットが形成される。また、上述したよ
うな光透過部は、例えば光透過膜として出射面をコーテ
ィングするように形成することで容易に形成することが
できる。さらに、光透過部は、出射面とすき間を空けて
設けられたシート状のものであってもよく、あるいは、
光学部品自体が加工されることによって層状に形成され
たものであってもよい。
うな光透過部で出射面が覆われているので、出射面に当
てられた光のうちの光強度が高い部分の光だけが光透過
部を透過する。このため、光学系によって、光の波長程
度まで絞られた光を出射面に当てると、後で詳細に説明
するように、光透過部によって、波長よりもスポット径
が小さい集光スポットが形成される。また、上述したよ
うな光透過部は、例えば光透過膜として出射面をコーテ
ィングするように形成することで容易に形成することが
できる。さらに、光透過部は、出射面とすき間を空けて
設けられたシート状のものであってもよく、あるいは、
光学部品自体が加工されることによって層状に形成され
たものであってもよい。
【００１０】また、本発明の光学ヘッドは、上記光学部
品が、光の焦点を上記出射面に結ばせるものであっても
よく、あるいは、上記光学部品が光ファイバであっても
よい。
品が、光の焦点を上記出射面に結ばせるものであっても
よく、あるいは、上記光学部品が光ファイバであっても
よい。
【００１１】光ファイバを用いた光学ヘッドの場合に
は、光ファイバが、光ファイバの一端に出射面を有しそ
の一端に向かって先細りの形状を有するものであること
が望ましい。
は、光ファイバが、光ファイバの一端に出射面を有しそ
の一端に向かって先細りの形状を有するものであること
が望ましい。
【００１２】このような先細りの形状を有する光ファイ
バによって出射面に光が集められて光強度が高い集光ス
ポットが形成されることとなる。
バによって出射面に光が集められて光強度が高い集光ス
ポットが形成されることとなる。
【００１３】また、光ファイバを用いた光学ヘッドの場
合には、光ファイバが、光ファイバの一端に、凸の出射
面を有するものであることが望ましい。
合には、光ファイバが、光ファイバの一端に、凸の出射
面を有するものであることが望ましい。
【００１４】このような凸の出射面を有することによ
り、光強度が強い集光スポットが生じることとなる。
り、光強度が強い集光スポットが生じることとなる。
【００１５】上記目的を達成する本発明の第１の光学部
品は、光ビームが入射される入射面と、入射面から入射
された光ビームを出射する出射面と、出射面から出る光
ビームを光強度が高いほど高い透過率で透過させる光透
過部とを有することを特徴とする。
品は、光ビームが入射される入射面と、入射面から入射
された光ビームを出射する出射面と、出射面から出る光
ビームを光強度が高いほど高い透過率で透過させる光透
過部とを有することを特徴とする。
【００１６】上記目的を達成する本発明の第２の光学部
品は、光ビームが入射される入射面と、入射面から入射
された光ビームを出射する出射面とを有し、光ビームを
該出射面に集光するように形成されてなる光学部品にお
いて、所定強度以上の光ビームを透過させる光透過層が
前記出射面に設けられてなることを特徴とする。
品は、光ビームが入射される入射面と、入射面から入射
された光ビームを出射する出射面とを有し、光ビームを
該出射面に集光するように形成されてなる光学部品にお
いて、所定強度以上の光ビームを透過させる光透過層が
前記出射面に設けられてなることを特徴とする。
【００１７】本発明の光学部品は、レンズであってもよ
く光ファイバであってもよい。
く光ファイバであってもよい。
【００１８】また、上記目的を達成する本発明の第１の
光記憶装置は、 光ビームを発光する発光部、光ビーム
が入射される入射面と、入射面から入射された光ビーム
を出射する出射面と、出射面から出る光ビームのうち所
定強度以上の光ビームを透過させる光透過部とを有する
光学部品、光ビームが照射される記憶媒体を所定の位置
に保持する記憶媒体保持機構、および前記光学部品を、
前記記憶媒体保持機構で保持された記憶媒体と前記光透
過部とを光ビームの波長以下の距離だけ離した状態で駆
動する光学部品駆動機構を備えたことを特徴とする。
光記憶装置は、 光ビームを発光する発光部、光ビーム
が入射される入射面と、入射面から入射された光ビーム
を出射する出射面と、出射面から出る光ビームのうち所
定強度以上の光ビームを透過させる光透過部とを有する
光学部品、光ビームが照射される記憶媒体を所定の位置
に保持する記憶媒体保持機構、および前記光学部品を、
前記記憶媒体保持機構で保持された記憶媒体と前記光透
過部とを光ビームの波長以下の距離だけ離した状態で駆
動する光学部品駆動機構を備えたことを特徴とする。
【００１９】このような第１の光記憶装置によれば、光
の波長よりも小さいスポット径を有する集光スポットに
よって情報の読み書きが高密度に行われる。
の波長よりも小さいスポット径を有する集光スポットに
よって情報の読み書きが高密度に行われる。
【００２０】さらに、上記目的を達成する本発明の第２
の光記憶装置は、光ビームを発光する発光部、光ビーム
が入射される入射面と、前記入射面から入射された光ビ
ームを出射する出射面とを有し、光ビームを該出射面に
集光するように形成されてなり、０．７５以下の開口数
を有する光学部品、光ビームが照射される記憶媒体を所
定の位置に保持する記憶媒体保持機構、および前記光学
部品を、前記記憶媒体保持機構で保持された記憶媒体と
前記光透過部とを光ビームの波長の１０分の１以下の距
離だけ離した状態で駆動する光学部品駆動機構を備えた
ことを特徴とする。
の光記憶装置は、光ビームを発光する発光部、光ビーム
が入射される入射面と、前記入射面から入射された光ビ
ームを出射する出射面とを有し、光ビームを該出射面に
集光するように形成されてなり、０．７５以下の開口数
を有する光学部品、光ビームが照射される記憶媒体を所
定の位置に保持する記憶媒体保持機構、および前記光学
部品を、前記記憶媒体保持機構で保持された記憶媒体と
前記光透過部とを光ビームの波長の１０分の１以下の距
離だけ離した状態で駆動する光学部品駆動機構を備えた
ことを特徴とする。
【００２１】本発明の第２の光記憶装置によれば、後述
するように、出射面と記憶媒体表面との間の距離がふら
ついても記憶媒体への照射光の光量が安定している。こ
のため記憶媒体に対する情報の読み書きが安定して高密
度な読み書きを行うことができる。
するように、出射面と記憶媒体表面との間の距離がふら
ついても記憶媒体への照射光の光量が安定している。こ
のため記憶媒体に対する情報の読み書きが安定して高密
度な読み書きを行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明するにあたり、先ず、比較例について説明し、その
後、本発明の原理と、本発明の具体的な実施形態につい
て説明する。
説明するにあたり、先ず、比較例について説明し、その
後、本発明の原理と、本発明の具体的な実施形態につい
て説明する。
【００２３】図１は、回折限界そのものが小さい特殊な
集光系が用いられた比較例を示す概念図である。
集光系が用いられた比較例を示す概念図である。
【００２４】この図１に示されている集光系は、回折限
界そのものが小さくなるように工夫された集光系であ
る。回折限界ｒeは、 ｒe ＝０．４１λ／（Ｎ．Ａ．） ・・・（１） と表される。但し、λはレーザ光の波長、Ｎ．Ａ．は開
口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）であ
り、開口数Ｎ．Ａ．は、集光系の入射瞳をａ、焦点距離
をｆ、屈折率をｎとすると （Ｎ．Ａ．）＝ｎａ／２ｆ ・・・（２） と表される。
界そのものが小さくなるように工夫された集光系であ
る。回折限界ｒeは、 ｒe ＝０．４１λ／（Ｎ．Ａ．） ・・・（１） と表される。但し、λはレーザ光の波長、Ｎ．Ａ．は開
口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）であ
り、開口数Ｎ．Ａ．は、集光系の入射瞳をａ、焦点距離
をｆ、屈折率をｎとすると （Ｎ．Ａ．）＝ｎａ／２ｆ ・・・（２） と表される。
【００２５】この集光系は、対物レンズ１と、ＳＩＬ
（Ｓｏｌｉｄ ＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｅｎｓ）２とで構
成されている。対物レンズ１は、一般的な光学ヘッドで
用いられる集光レンズと同等のレンズであり、ＳＩＬ２
は、球面２ａが対物レンズを向き、対物レンズ１と平面
２ｂとの距離が対物レンズ１の焦点距離と同じになるよ
うに配置された半球レンズである。対物レンズ１に対し
て図の上方から入射されたレーザ光３は、ＳＩＬ２の平
面２ｂに、球面２ａおよびＳＩＬ２内部を経由して集光
され、平面２ｂに集光スポットが形成される。レーザ光
３は球面２ａによって屈折されず、このため、この図１
に示す集光系の開口数は、対物レンズ１が単独に存在す
る場合の開口数と等しい。一方、レーザ光３がＳＩＬ２
内部を経由して集光されるので、ＳＩＬ２の屈折率をｎ
とすると、レーザ光３の波長は対物レンズ１単独で集光
される場合のｎ分の１倍の波長となる。この結果、式
（１）で表される回折限界は、対物レンズ１単独でレー
ザ光が集光される場合の回折限界に比べてｎ分の１倍と
なる。
（Ｓｏｌｉｄ ＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｅｎｓ）２とで構
成されている。対物レンズ１は、一般的な光学ヘッドで
用いられる集光レンズと同等のレンズであり、ＳＩＬ２
は、球面２ａが対物レンズを向き、対物レンズ１と平面
２ｂとの距離が対物レンズ１の焦点距離と同じになるよ
うに配置された半球レンズである。対物レンズ１に対し
て図の上方から入射されたレーザ光３は、ＳＩＬ２の平
面２ｂに、球面２ａおよびＳＩＬ２内部を経由して集光
され、平面２ｂに集光スポットが形成される。レーザ光
３は球面２ａによって屈折されず、このため、この図１
に示す集光系の開口数は、対物レンズ１が単独に存在す
る場合の開口数と等しい。一方、レーザ光３がＳＩＬ２
内部を経由して集光されるので、ＳＩＬ２の屈折率をｎ
とすると、レーザ光３の波長は対物レンズ１単独で集光
される場合のｎ分の１倍の波長となる。この結果、式
（１）で表される回折限界は、対物レンズ１単独でレー
ザ光が集光される場合の回折限界に比べてｎ分の１倍と
なる。
【００２６】ところで、このような集光系によれば、径
が小さい集光スポットを形成することができるが、集光
されたレーザ光３のうちの多くの部分は、平面２ｂによ
る全反射の角度範囲に入ってしまいＳＩＬ２外部へと伝
搬することができない。しかし、レーザ光３は電場や磁
場としての性質も有しており、集光スポットに集光され
たレーザ光３の電場や磁場は、平面２ｂからＳＩＬ２外
部にはみ出すように存在している。このように平面２ｂ
からいわばしみ出した電場や磁場は近接場光と呼ばれて
いる。
が小さい集光スポットを形成することができるが、集光
されたレーザ光３のうちの多くの部分は、平面２ｂによ
る全反射の角度範囲に入ってしまいＳＩＬ２外部へと伝
搬することができない。しかし、レーザ光３は電場や磁
場としての性質も有しており、集光スポットに集光され
たレーザ光３の電場や磁場は、平面２ｂからＳＩＬ２外
部にはみ出すように存在している。このように平面２ｂ
からいわばしみ出した電場や磁場は近接場光と呼ばれて
いる。
【００２７】そこで、図１に示す集光系を用いた光学ヘ
ッドでは、平面２ｂが記憶媒体４表面に約１００ｎｍ程
度まで近づけられることにより、近接場光が記憶媒体４
に照射される。
ッドでは、平面２ｂが記憶媒体４表面に約１００ｎｍ程
度まで近づけられることにより、近接場光が記憶媒体４
に照射される。
【００２８】図２は、回折限界そのものが小さい他の集
光系が用いられた比較例を示す概念図である。
光系が用いられた比較例を示す概念図である。
【００２９】この図２に示す集光系は、図１に示す集光
系のＳＩＬ２に替えて、超半球面体のＳＩＬ５が用いら
れた集光系であり、この図２に示す集光系では、レーザ
光３がＳＩＬ５の球面５ａによって屈折される。この結
果、この図２に示す集光系の開口数は、図１に示す集光
系の開口数のｎ分の１倍となる。従って、式（１）で表
される回折限界は、対物レンズ１単独でレーザ光が集光
される場合の回折限界に比べてｎの２乗分の１倍とな
る。
系のＳＩＬ２に替えて、超半球面体のＳＩＬ５が用いら
れた集光系であり、この図２に示す集光系では、レーザ
光３がＳＩＬ５の球面５ａによって屈折される。この結
果、この図２に示す集光系の開口数は、図１に示す集光
系の開口数のｎ分の１倍となる。従って、式（１）で表
される回折限界は、対物レンズ１単独でレーザ光が集光
される場合の回折限界に比べてｎの２乗分の１倍とな
る。
【００３０】このように、特殊な集光系を用いることに
より、式（１）で表される回折限界そのものを小さくす
ることはある程度可能であるが、スポット径はせいぜい
レーザ光の波長程度までしか小さくすることができな
い。
より、式（１）で表される回折限界そのものを小さくす
ることはある程度可能であるが、スポット径はせいぜい
レーザ光の波長程度までしか小さくすることができな
い。
【００３１】上述した極小の出射光を用いる技術とし
て、特殊な加工が施された光ファイバによってレーザ光
の波長よりも小さなスポット径を実現する技術が提案さ
れている。
て、特殊な加工が施された光ファイバによってレーザ光
の波長よりも小さなスポット径を実現する技術が提案さ
れている。
【００３２】図３は、光ファイバが用いられた比較例を
示す概念図である。
示す概念図である。
【００３３】光ファイバ６は、端部６ａが円錐状に加工
されており、その円錐状の端部６ａの周面にはアルミニ
ウムの反射膜６ｂがコーティングされている。レーザ光
３は光ファイバ６内を図の上方から伝搬されてきて反射
膜６ｂによって集光される。また、円錐状の端部６ａの
さらに先端には、レーザ光３の波長λよりも小さな直径
の出射面６ｃが形成されており、レーザ光３の波長より
も小さいスポット径が物理的に実現される。
されており、その円錐状の端部６ａの周面にはアルミニ
ウムの反射膜６ｂがコーティングされている。レーザ光
３は光ファイバ６内を図の上方から伝搬されてきて反射
膜６ｂによって集光される。また、円錐状の端部６ａの
さらに先端には、レーザ光３の波長λよりも小さな直径
の出射面６ｃが形成されており、レーザ光３の波長より
も小さいスポット径が物理的に実現される。
【００３４】但し、出射面６ｃの直径がレーザ光３の波
長よりも小さいために、レーザ光３は、出射面６ｃから
光ファイバの外に伝搬することができない。そこで、図
１の説明同様に出射面６ｃは記録媒体４表面に近づけら
れて近接場光が記録媒体４に照射される。
長よりも小さいために、レーザ光３は、出射面６ｃから
光ファイバの外に伝搬することができない。そこで、図
１の説明同様に出射面６ｃは記録媒体４表面に近づけら
れて近接場光が記録媒体４に照射される。
【００３５】記録媒体４によって反射されたレーザ光３
は、光ファイバ６内を図の上方へと伝搬されていく。
は、光ファイバ６内を図の上方へと伝搬されていく。
【００３６】このように、原理的には、直径がレーザ光
の波長よりも小さい出射面６ｃが形成されることによっ
て、スポット径がレーザ光の波長よりも小さい集光スポ
ットが実現されるが、光ファイバ６の先端にそのような
出射面６ｃを実際に形成すること自体が非常に困難であ
り、光ファイバの加工技術の飛躍的な進歩が必要とされ
る。
の波長よりも小さい出射面６ｃが形成されることによっ
て、スポット径がレーザ光の波長よりも小さい集光スポ
ットが実現されるが、光ファイバ６の先端にそのような
出射面６ｃを実際に形成すること自体が非常に困難であ
り、光ファイバの加工技術の飛躍的な進歩が必要とされ
る。
【００３７】以下、本発明の原理について説明する。
【００３８】図４は、本発明の原理の説明図である。
【００３９】この図には、入射光の強度が高いほど高い
透過率で入射光を透過する光透過膜１０で覆われた出射
面２０ａを有する光学部品２０の一部分が示されてい
る。光透過膜１０の膜厚は入射光の波長以下である。光
透過膜１０の材料としては、例えば、入射光の一部を吸
収して発熱し所定温度を超えると急激に透過率が高くな
る性質を持つアンチモンや、入射光強度が低いと入射光
を高い吸収率で吸収し入射高強度がある程度高いと吸収
が飽和して吸収率が急激に低くなる過飽和吸収体の一例
であるフタロシアニン等が考えられる。光透過膜１０の
成膜には、光学薄膜の成膜方法として一般的な蒸着、ス
パッタが適応できる。従って波長以下の厚みで成膜する
事も容易である。また、光学部品２０の材料としてはガ
ラスなどが考えられる。
透過率で入射光を透過する光透過膜１０で覆われた出射
面２０ａを有する光学部品２０の一部分が示されてい
る。光透過膜１０の膜厚は入射光の波長以下である。光
透過膜１０の材料としては、例えば、入射光の一部を吸
収して発熱し所定温度を超えると急激に透過率が高くな
る性質を持つアンチモンや、入射光強度が低いと入射光
を高い吸収率で吸収し入射高強度がある程度高いと吸収
が飽和して吸収率が急激に低くなる過飽和吸収体の一例
であるフタロシアニン等が考えられる。光透過膜１０の
成膜には、光学薄膜の成膜方法として一般的な蒸着、ス
パッタが適応できる。従って波長以下の厚みで成膜する
事も容易である。また、光学部品２０の材料としてはガ
ラスなどが考えられる。
【００４０】また、この図には、出射面２０ａにレーザ
光３０が集光されている様子も示されており、集光され
たレーザ光３０は、直径がレーザ光３０の波長程度であ
る集光スポットを形成している。この図に示されている
点線３０ａは、集光されたレーザ光３０の強度分布を表
しており、集光スポットの中央付近に光強度のピークが
存在する。出射面２０ａ近傍に存在する近接場光は、点
線３０ａが示す強度分布に応じた強度分布となり、近接
場光は、集光スポットの中央付近では光透過膜１０を透
過し、集光スポットの周辺では光透過膜１０に遮られ
る。つまり、光透過膜１０は、集光スポットの径を縮小
するように作用する。この結果、光透過膜１０を透過す
る近接場光は、図に点線３０ｂで示すように、レーザ光
３０の波長よりも小さいスポット径の集光スポットを形
成する。
光３０が集光されている様子も示されており、集光され
たレーザ光３０は、直径がレーザ光３０の波長程度であ
る集光スポットを形成している。この図に示されている
点線３０ａは、集光されたレーザ光３０の強度分布を表
しており、集光スポットの中央付近に光強度のピークが
存在する。出射面２０ａ近傍に存在する近接場光は、点
線３０ａが示す強度分布に応じた強度分布となり、近接
場光は、集光スポットの中央付近では光透過膜１０を透
過し、集光スポットの周辺では光透過膜１０に遮られ
る。つまり、光透過膜１０は、集光スポットの径を縮小
するように作用する。この結果、光透過膜１０を透過す
る近接場光は、図に点線３０ｂで示すように、レーザ光
３０の波長よりも小さいスポット径の集光スポットを形
成する。
【００４１】光学部品２０は、記憶媒体４０の表面と出
射面２０ａが約１００ｎｍ程度まで近接させられ、点線
３０ｂで示される集光スポットを形成している近接場光
が記憶媒体４０に照射される。この結果、レーザ光３０
の波長よりも小さいスポット径の集光スポットによる読
み書きが行われることとなる。
射面２０ａが約１００ｎｍ程度まで近接させられ、点線
３０ｂで示される集光スポットを形成している近接場光
が記憶媒体４０に照射される。この結果、レーザ光３０
の波長よりも小さいスポット径の集光スポットによる読
み書きが行われることとなる。
【００４２】次に、上述した原理を応用した光学ヘッド
の具体的な実施形態について説明する。但し、以下説明
する図５，図７，図８では光学ヘッドのうち光学部品の
出射面付近だけが示されており、本発明にいう発光部や
入射面は、ここでは図示を省略した。
の具体的な実施形態について説明する。但し、以下説明
する図５，図７，図８では光学ヘッドのうち光学部品の
出射面付近だけが示されており、本発明にいう発光部や
入射面は、ここでは図示を省略した。
【００４３】図５は、上述した原理を図１に示す集光系
に応用した光学ヘッドの概念図である。
に応用した光学ヘッドの概念図である。
【００４４】この図５には、光透過膜１０が備えられて
いる点を除いて図１に示す集光系と同様な集光系が示さ
れている。対物レンズ５０およびＳＩＬ２１からなる組
み合わせレンズ、もしくはＳＩＬ２１は本発明にいう光
学部品の一例である。
いる点を除いて図１に示す集光系と同様な集光系が示さ
れている。対物レンズ５０およびＳＩＬ２１からなる組
み合わせレンズ、もしくはＳＩＬ２１は本発明にいう光
学部品の一例である。
【００４５】この図５に示す集光系において、部品の製
造誤差、および装置稼働時の制御誤差を考慮すると、レ
ーザ光３１が出射面２１ａに集光されて形成された集光
スポットの、点線３１ａで示される光強度分布には、集
光スポットの中心にピークＰが生じるとともに、ピーク
Ｐの周囲にサイドローブＳＲが生じる。このサイドロー
ブＳＲの光強度は、ピークＰの光強度に対して高々３０
％程度であるが、このサイドローブＳＲは、情報を読み
とる際にはノイズやクロストーク（混信）の原因とな
り、情報を書き込む際にはクロスライト（重ね書き）の
原因となる。このようなサイドローブＳＲを含めた集光
スポットの実質的な径は大きい。
造誤差、および装置稼働時の制御誤差を考慮すると、レ
ーザ光３１が出射面２１ａに集光されて形成された集光
スポットの、点線３１ａで示される光強度分布には、集
光スポットの中心にピークＰが生じるとともに、ピーク
Ｐの周囲にサイドローブＳＲが生じる。このサイドロー
ブＳＲの光強度は、ピークＰの光強度に対して高々３０
％程度であるが、このサイドローブＳＲは、情報を読み
とる際にはノイズやクロストーク（混信）の原因とな
り、情報を書き込む際にはクロスライト（重ね書き）の
原因となる。このようなサイドローブＳＲを含めた集光
スポットの実質的な径は大きい。
【００４６】以下説明するように、光透過膜１０によっ
て、サイドローブＳＲに相当する近接場光が遮られ、点
線３１ｂで示される、ピークＰに相当する近接場光だけ
が光透過膜１０を透過して記憶媒体４０に照射される。
て、サイドローブＳＲに相当する近接場光が遮られ、点
線３１ｂで示される、ピークＰに相当する近接場光だけ
が光透過膜１０を透過して記憶媒体４０に照射される。
【００４７】図６は、図５に示す光学ヘッドによって形
成される集光スポットのシミュレート結果を表すグラフ
である。
成される集光スポットのシミュレート結果を表すグラフ
である。
【００４８】このグラフには、図５に示す出射面２１ａ
にレーザ光３１が集光されて形成された集光スポットの
光強度分布がシミュレートされた結果が示されており、
レーザ光３１の波長が６３３ｎｍ、対物レンズの開口数
が０．８、ＳＩＬ２１の屈折率が１．８であるという条
件の下でシミュレートされている。グラフの横軸は、集
光スポットの中心からの距離を示しており、グラフの縦
軸は、集光スポットの中心における光強度を「１．０」
とする相対的な光強度を示している。集光スポットの中
心付近には、半値幅が０．１６５μｍであるピークＰが
存在し、そのピーク周辺には、ピークＰの約２０％程度
の光強度を有するサイドローブＳＲが存在する。
にレーザ光３１が集光されて形成された集光スポットの
光強度分布がシミュレートされた結果が示されており、
レーザ光３１の波長が６３３ｎｍ、対物レンズの開口数
が０．８、ＳＩＬ２１の屈折率が１．８であるという条
件の下でシミュレートされている。グラフの横軸は、集
光スポットの中心からの距離を示しており、グラフの縦
軸は、集光スポットの中心における光強度を「１．０」
とする相対的な光強度を示している。集光スポットの中
心付近には、半値幅が０．１６５μｍであるピークＰが
存在し、そのピーク周辺には、ピークＰの約２０％程度
の光強度を有するサイドローブＳＲが存在する。
【００４９】図５に示す光透過膜１０を、上述したアン
チモンやフタロシアニン等で代表されるような、入射光
強度が所定の閾値を越えると急激に透過光強度が増大す
る物質で作成し、その閾値ＴＨがピークＰの光強度の半
分程度となるように膜厚等を調整すると、サイドローブ
ＳＲに相当する近接場光は光透過膜１０に遮られ、ピー
クＰに相当する近接場光のみが光透過膜１０を透過す
る。その結果、光透過膜１０を透過する近接場光のスポ
ット径Ｒは、レーザ波長の約４分の１程度という極めて
小さな径になる。
チモンやフタロシアニン等で代表されるような、入射光
強度が所定の閾値を越えると急激に透過光強度が増大す
る物質で作成し、その閾値ＴＨがピークＰの光強度の半
分程度となるように膜厚等を調整すると、サイドローブ
ＳＲに相当する近接場光は光透過膜１０に遮られ、ピー
クＰに相当する近接場光のみが光透過膜１０を透過す
る。その結果、光透過膜１０を透過する近接場光のスポ
ット径Ｒは、レーザ波長の約４分の１程度という極めて
小さな径になる。
【００５０】膜の透過率が変化する入射光強度のしきい
値ＴＨは光透過膜１０の膜厚を変えることで制御する事
が可能である。アンチモンのような温度によって透過率
が変化する材料を用いた膜の場合、膜厚を厚くすると膜
の熱容量が大きくなり、入射光による膜の温度上昇率が
低下する。透過率が変化する温度は膜厚では変化しない
ため、結果的に入射光強度に対するしきい値を高くでき
る。逆に膜厚を薄くすると膜の温度上昇率は高くなり、
入射光強度のしきい値を低くすることができる。また、
フタロシアニンのような透過飽和吸収材料を用いた膜の
場合では、飽和する光強度は単純に膜厚に比例する。従
って、膜厚を厚くすれば入射光強度に対する透過率が変
化するしきい値を高くすることができる。膜厚を薄くす
れば逆にしきい値を下げられる。光透過膜１０の成膜に
は、光学薄膜の製法で一般的な蒸着、スパッタが適応で
きるため、膜厚の制御は容易である。
値ＴＨは光透過膜１０の膜厚を変えることで制御する事
が可能である。アンチモンのような温度によって透過率
が変化する材料を用いた膜の場合、膜厚を厚くすると膜
の熱容量が大きくなり、入射光による膜の温度上昇率が
低下する。透過率が変化する温度は膜厚では変化しない
ため、結果的に入射光強度に対するしきい値を高くでき
る。逆に膜厚を薄くすると膜の温度上昇率は高くなり、
入射光強度のしきい値を低くすることができる。また、
フタロシアニンのような透過飽和吸収材料を用いた膜の
場合では、飽和する光強度は単純に膜厚に比例する。従
って、膜厚を厚くすれば入射光強度に対する透過率が変
化するしきい値を高くすることができる。膜厚を薄くす
れば逆にしきい値を下げられる。光透過膜１０の成膜に
は、光学薄膜の製法で一般的な蒸着、スパッタが適応で
きるため、膜厚の制御は容易である。
【００５１】図７は、本発明の原理を光ファイバに応用
した光学ヘッドの概念図である。
した光学ヘッドの概念図である。
【００５２】この図７には、光透過膜１０で覆われた出
射面２２ａを一端に有し、その一端に向かって先細りの
形状を有する光ファイバ２２が示されており、レーザ光
３２は、光ファイバ２２内部を図の上方から伝搬されて
きて、先細りの形状によって出射面２２ａに集光され
る。出射面２２ａの直径はレーザ光３２の波長λよりも
大きく、このような光ファイバ２２は作成が容易であ
る。
射面２２ａを一端に有し、その一端に向かって先細りの
形状を有する光ファイバ２２が示されており、レーザ光
３２は、光ファイバ２２内部を図の上方から伝搬されて
きて、先細りの形状によって出射面２２ａに集光され
る。出射面２２ａの直径はレーザ光３２の波長λよりも
大きく、このような光ファイバ２２は作成が容易であ
る。
【００５３】また、この図７には、光ファイバ２２中を
伝播するレーザ光３２の光強度分布が点線３２ａで示さ
れており、出射面２２ａの中心付近に光強度のピークが
存在する。
伝播するレーザ光３２の光強度分布が点線３２ａで示さ
れており、出射面２２ａの中心付近に光強度のピークが
存在する。
【００５４】出射面２２ａの中心付近に存在する強い近
接場光は、光透過膜１０によって透過されて記憶媒体４
０に照射され、出射面２２ａの周辺部分に存在する弱い
近接場光は、光透過膜１０によって遮られる。この結
果、点線３２ｂで示すような、レーザ光３２の波長λよ
りも小さなスポット径が実現される。
接場光は、光透過膜１０によって透過されて記憶媒体４
０に照射され、出射面２２ａの周辺部分に存在する弱い
近接場光は、光透過膜１０によって遮られる。この結
果、点線３２ｂで示すような、レーザ光３２の波長λよ
りも小さなスポット径が実現される。
【００５５】記憶媒体４０によって反射されたレーザ光
３２は、光ファイバ２２内部を図の上方へと伝搬されて
いく。
３２は、光ファイバ２２内部を図の上方へと伝搬されて
いく。
【００５６】図８は、本発明の原理を光ファイバに応用
した他の光学ヘッドの概念図である。
した他の光学ヘッドの概念図である。
【００５７】この図８に示す光ファイバ２３は、凸の出
射面２３ａを有する点を除いて、図７に示す光ファイバ
２２と同様であり重複説明は省略する。
射面２３ａを有する点を除いて、図７に示す光ファイバ
２２と同様であり重複説明は省略する。
【００５８】このような凸の出射面近傍には、強い近接
場光が存在していることが知られており、この図８に示
す光ファイバ２３が用いられることにより、記憶媒体４
０に強い近接場光が照射される。
場光が存在していることが知られており、この図８に示
す光ファイバ２３が用いられることにより、記憶媒体４
０に強い近接場光が照射される。
【００５９】以下、本発明の光記憶装置の具体的な実施
形態について説明する。
形態について説明する。
【００６０】図９は、本発明の光記憶装置の一実施形態
を表面側から見た外観斜視図であり、図１０は、裏面側
から見た外観斜視図である。
を表面側から見た外観斜視図であり、図１０は、裏面側
から見た外観斜視図である。
【００６１】この光記憶装置１００には、光記憶装置１
００の土台となるアルミニウム合金製のドライブベース
１１０が備えられており、ドライブベース１１０は、４
個の防振ゴム１２０を介してフレーム１３０に取り付け
られている。また、ドライブベース１１０には、トップ
カバー１４０およびボトムカバー１５０がそれぞれねじ
止めされている。
００の土台となるアルミニウム合金製のドライブベース
１１０が備えられており、ドライブベース１１０は、４
個の防振ゴム１２０を介してフレーム１３０に取り付け
られている。また、ドライブベース１１０には、トップ
カバー１４０およびボトムカバー１５０がそれぞれねじ
止めされている。
【００６２】フレーム１３０には、フロントパネル１６
０が取り付けられており、このフロントパネル１６０に
は、本発明にいう記憶媒体の一例である円盤状の光ディ
スクを内蔵した光ディスクカートリッジが光記憶装置１
００に挿入されるための挿入口１６１が設けられてい
る。
０が取り付けられており、このフロントパネル１６０に
は、本発明にいう記憶媒体の一例である円盤状の光ディ
スクを内蔵した光ディスクカートリッジが光記憶装置１
００に挿入されるための挿入口１６１が設けられてい
る。
【００６３】光記憶装置１００の、フロントパネル１６
０が取り付けられた前端に対する後端には、光記憶装置
１００をコンピュータ等といった機器と電気的に接続す
るためのコネクタ１７０が搭載されている。
０が取り付けられた前端に対する後端には、光記憶装置
１００をコンピュータ等といった機器と電気的に接続す
るためのコネクタ１７０が搭載されている。
【００６４】図１１は、図９および図１０に示す光記憶
装置の分解斜視図である。
装置の分解斜視図である。
【００６５】ドライブベース１１０には、光ディスクを
保持して回転させるスピンドルモータ１８０が搭載され
ており、このスピンドルモータ１８０は本発明にいう記
憶媒体保持機構の一例である。
保持して回転させるスピンドルモータ１８０が搭載され
ており、このスピンドルモータ１８０は本発明にいう記
憶媒体保持機構の一例である。
【００６６】また、このドライブベース１１０には、光
ディスクの半径方向に移動自在な移動光学アセンブリ１
９０と、ドライブベース１１０に固定される固定光学ア
センブリ２００とからなる光学ヘッドが搭載され、固定
光学アセンブリ２００は、ドライブベース１１０の裏面
側に固定される。また、固定光学アセンブリ２００に
は、後述するプリント配線板２１０と電気的に接続する
ためのコネクタ２０１が備えられている。
ディスクの半径方向に移動自在な移動光学アセンブリ１
９０と、ドライブベース１１０に固定される固定光学ア
センブリ２００とからなる光学ヘッドが搭載され、固定
光学アセンブリ２００は、ドライブベース１１０の裏面
側に固定される。また、固定光学アセンブリ２００に
は、後述するプリント配線板２１０と電気的に接続する
ためのコネクタ２０１が備えられている。
【００６７】この図１１には、永久磁石をスライドさせ
ることによって、光ディスクに印加されるバイアス磁界
をオンオフするバイアス磁石アセンブリ２２１と、光デ
ィスクカートリッジのシャッタを開閉する開閉アーム２
２２が備えられた光ディスクカートリッジローディング
アセンブリ２２０が示されており、この光ディスクカー
トリッジローディングアセンブリ２２０は、ドライブベ
ース１１０の表面側にねじ止め固定される。光ディスク
カートリッジローディングアセンブリ２２０の表面側に
は絶縁シート２３０が搭載され、絶縁シート２３０の外
周部には、密封性を高めることによって光ディスクに粉
塵が付着することを防止するシール部材２３１が装着さ
れている。
ることによって、光ディスクに印加されるバイアス磁界
をオンオフするバイアス磁石アセンブリ２２１と、光デ
ィスクカートリッジのシャッタを開閉する開閉アーム２
２２が備えられた光ディスクカートリッジローディング
アセンブリ２２０が示されており、この光ディスクカー
トリッジローディングアセンブリ２２０は、ドライブベ
ース１１０の表面側にねじ止め固定される。光ディスク
カートリッジローディングアセンブリ２２０の表面側に
は絶縁シート２３０が搭載され、絶縁シート２３０の外
周部には、密封性を高めることによって光ディスクに粉
塵が付着することを防止するシール部材２３１が装着さ
れている。
【００６８】また、この図１１には、固定光学アセンブ
リ２００のコネクタ２０１と接続するためのコネクタ２
１１と、外部機器と電気的に接続するためのコネクタ１
７０が搭載され、光学ヘッドの駆動を制御する駆動制御
回路等が含まれるプリント配線板２１０の裏面側が示さ
れており、このプリント配線板２１０は、プリント配線
板２１０のコネクタ２１１と固定光学アセンブリ２００
のコネクタ２０１が互いに接続されるように絶縁シート
２３０の上からドライブベース１１０に搭載されドライ
ブベース１１０にねじ止め固定される。
リ２００のコネクタ２０１と接続するためのコネクタ２
１１と、外部機器と電気的に接続するためのコネクタ１
７０が搭載され、光学ヘッドの駆動を制御する駆動制御
回路等が含まれるプリント配線板２１０の裏面側が示さ
れており、このプリント配線板２１０は、プリント配線
板２１０のコネクタ２１１と固定光学アセンブリ２００
のコネクタ２０１が互いに接続されるように絶縁シート
２３０の上からドライブベース１１０に搭載されドライ
ブベース１１０にねじ止め固定される。
【００６９】さらに、ドライブベース１１０には、トッ
プカバー１４０がプリント配線板２１０の上からねじ止
め固定され、ドライブベース１１０の背面側にはボトム
カバー１５０がねじ止め固定される。最後に、ドライブ
ベースは、防振ゴム１２０を介してフレーム１３０に取
り付けられる。
プカバー１４０がプリント配線板２１０の上からねじ止
め固定され、ドライブベース１１０の背面側にはボトム
カバー１５０がねじ止め固定される。最後に、ドライブ
ベースは、防振ゴム１２０を介してフレーム１３０に取
り付けられる。
【００７０】図１２は、固定光学アセンブリと移動光学
アセンブリとの配置関係を示す斜視図であり、ドライブ
ベースは図示を省略されている。
アセンブリとの配置関係を示す斜視図であり、ドライブ
ベースは図示を省略されている。
【００７１】固定光学アセンブリ２００には、情報の読
み書きに用いられるレーザ光を発生する本発明にいう発
光部の一例であるレーザダイオード２０２と、光ディス
ク２４０が反射した光に含まれている、光ディスク２４
０に記憶されている情報に応じた信号を検出する光検出
器２０３と、情報を記憶する場所として光ディスク上に
設けられている同心円状のトラックに対する集光スポッ
トのずれを後述するように検出するための光検出器２０
４と、集光スポットのフォーカスのずれを後述するよう
に検出するための光検出器２０５が取り付けられてい
る。
み書きに用いられるレーザ光を発生する本発明にいう発
光部の一例であるレーザダイオード２０２と、光ディス
ク２４０が反射した光に含まれている、光ディスク２４
０に記憶されている情報に応じた信号を検出する光検出
器２０３と、情報を記憶する場所として光ディスク上に
設けられている同心円状のトラックに対する集光スポッ
トのずれを後述するように検出するための光検出器２０
４と、集光スポットのフォーカスのずれを後述するよう
に検出するための光検出器２０５が取り付けられてい
る。
【００７２】移動光学アセンブリ１９０は、一対の磁気
回路２５０によって駆動され一対のガイドレール２６０
に沿って光ディスク２４０の半径方向に移動する。移動
光学アセンブリ１９０には、対物レンズおよびＳＩＬ３
００の位置を微調整することによって、集光スポットの
フォーカスを調整するとともに集光スポットをトラック
上に位置させるアクチュエータが内蔵されている。これ
ら一対の磁気回路２５０やアクチュエータが、本発明に
いう光学ヘッド駆動機構の一例である。また、移動光学
アセンブリ１９０には、断面が四角形の筒口１９２が設
けられており、固定光学アセンブリ２００のレーザダイ
オード２０２によって発せられ後述するように平行光に
されたレーザ光がこの筒口１９２から移動光学アセンブ
リ１９０内に入る。また、光ディスク２４０が反射した
光がこの筒口１９２から固定光学アセンブリ２００に戻
る。さらに、移動光学アセンブリ１９０には、筒口１９
２から入ったレーザ光を対物レンズおよびＳＩＬ３００
に入射させる立ち上げミラーも内蔵されている。
回路２５０によって駆動され一対のガイドレール２６０
に沿って光ディスク２４０の半径方向に移動する。移動
光学アセンブリ１９０には、対物レンズおよびＳＩＬ３
００の位置を微調整することによって、集光スポットの
フォーカスを調整するとともに集光スポットをトラック
上に位置させるアクチュエータが内蔵されている。これ
ら一対の磁気回路２５０やアクチュエータが、本発明に
いう光学ヘッド駆動機構の一例である。また、移動光学
アセンブリ１９０には、断面が四角形の筒口１９２が設
けられており、固定光学アセンブリ２００のレーザダイ
オード２０２によって発せられ後述するように平行光に
されたレーザ光がこの筒口１９２から移動光学アセンブ
リ１９０内に入る。また、光ディスク２４０が反射した
光がこの筒口１９２から固定光学アセンブリ２００に戻
る。さらに、移動光学アセンブリ１９０には、筒口１９
２から入ったレーザ光を対物レンズおよびＳＩＬ３００
に入射させる立ち上げミラーも内蔵されている。
【００７３】図１３は、図１２に示す固定光学アセンブ
リと移動光学アセンブリからなる光学ヘッドの光学系を
示す構成図である。
リと移動光学アセンブリからなる光学ヘッドの光学系を
示す構成図である。
【００７４】図１３の左上方には、固定光学アセンブリ
のレーザダイオード２０２が示されており、レーザダイ
オード２０２によって発せられたレーザ光は、コリメー
トレンズ２７０によって平行光となり偏光ビームスプリ
ッタ２８０に入射する。レーザダイオード２０２によっ
て発せられるレーザ光は偏光しており、その偏光方向
が、偏光ビームスプリッタ２８０を通過する偏光方向に
なるようにレーザダイオード２０２が配置されている。
そのため、偏光ビームスプリッタ２８０に入射したレー
ザ光は、偏光ビームスプリッタ２８０を通過して移動光
学アセンブリの対物レンズ１９１に入射する。光学ヘッ
ドは、偏光ビームスプリッタ２８０と対物レンズ１９１
との間で、移動光学アセンブリと固定光学アセンブリと
に分離される。対物レンズ１９１に入射した光は、図６
に示すように、対物レンズ１９１によって集光され、Ｓ
ＩＬ３００を介して光ディスク２４０に照射される。
のレーザダイオード２０２が示されており、レーザダイ
オード２０２によって発せられたレーザ光は、コリメー
トレンズ２７０によって平行光となり偏光ビームスプリ
ッタ２８０に入射する。レーザダイオード２０２によっ
て発せられるレーザ光は偏光しており、その偏光方向
が、偏光ビームスプリッタ２８０を通過する偏光方向に
なるようにレーザダイオード２０２が配置されている。
そのため、偏光ビームスプリッタ２８０に入射したレー
ザ光は、偏光ビームスプリッタ２８０を通過して移動光
学アセンブリの対物レンズ１９１に入射する。光学ヘッ
ドは、偏光ビームスプリッタ２８０と対物レンズ１９１
との間で、移動光学アセンブリと固定光学アセンブリと
に分離される。対物レンズ１９１に入射した光は、図６
に示すように、対物レンズ１９１によって集光され、Ｓ
ＩＬ３００を介して光ディスク２４０に照射される。
【００７５】情報が書き込まれる際には、永久磁石３０
５によってバイアス磁界が印加され、書き込む情報に応
じた出力変調がレーザダイオード２０２に施される。情
報が読みとられる際には、バイアス磁界がオフにされ、
レーザダイオード２０２の出力は一定に保たれる。
５によってバイアス磁界が印加され、書き込む情報に応
じた出力変調がレーザダイオード２０２に施される。情
報が読みとられる際には、バイアス磁界がオフにされ、
レーザダイオード２０２の出力は一定に保たれる。
【００７６】光ディスク２４０によって反射されたレー
ザ光は、ＳＩＬ３００、対物レンズ１９１を介して偏光
ビームスプリッタ２８０へと戻り、大部分は偏光ビーム
スプリッタ２８０を再度通過する。しかし、レーザ光の
うち、光ディスク２４０による反射の際に生じるＫａｒ
ｒ効果により偏光方向が回転された分については、偏光
ビームスプリッタ２８０によって反射されて図の下方へ
と向かいビームスプリッタ３１０に入射される。
ザ光は、ＳＩＬ３００、対物レンズ１９１を介して偏光
ビームスプリッタ２８０へと戻り、大部分は偏光ビーム
スプリッタ２８０を再度通過する。しかし、レーザ光の
うち、光ディスク２４０による反射の際に生じるＫａｒ
ｒ効果により偏光方向が回転された分については、偏光
ビームスプリッタ２８０によって反射されて図の下方へ
と向かいビームスプリッタ３１０に入射される。
【００７７】ビームスプリッタ３１０は、入射された光
を所定の比率で図の左方と下方とに分け、図の左方へと
分けられた光は、以下説明するように、光ディスク２４
０によって反射された光に含まれている信号の検出に用
いられる。
を所定の比率で図の左方と下方とに分け、図の左方へと
分けられた光は、以下説明するように、光ディスク２４
０によって反射された光に含まれている信号の検出に用
いられる。
【００７８】ビームスプリッタ３１０によって図の左方
へと分けられた光は、検光子３２０によって、さらに、
Ｋａｒｒ効果により偏光方向が所定のプラス方向に回転
された成分ｐ１と、そのプラス方向に対するマイナス方
向に回転された成分ｐ２とに分離され、集光レンズ３３
０によって各成分ｐ１，ｐ２の光が光検出器２０３の受
光面上の各位置に集光される。光検出器２０３の受光面
は２分割されており、分割された各部分によって各成分
ｐ１，ｐ２の光が検出されて各検出信号が得られる。こ
れらの検出信号どうしの差が、光ディスク２４０によっ
て反射された光に含まれている信号に相当する。
へと分けられた光は、検光子３２０によって、さらに、
Ｋａｒｒ効果により偏光方向が所定のプラス方向に回転
された成分ｐ１と、そのプラス方向に対するマイナス方
向に回転された成分ｐ２とに分離され、集光レンズ３３
０によって各成分ｐ１，ｐ２の光が光検出器２０３の受
光面上の各位置に集光される。光検出器２０３の受光面
は２分割されており、分割された各部分によって各成分
ｐ１，ｐ２の光が検出されて各検出信号が得られる。こ
れらの検出信号どうしの差が、光ディスク２４０によっ
て反射された光に含まれている信号に相当する。
【００７９】ビームスプリッタ３１０によって図の下方
へと分けられた光は、さらに、ビームスプリッタ３４０
によって所定の比率で図の下方と右方とに分けられる。
図の右方へと分けられた光は、後述するように、トラッ
クに対する集光スポットのずれの検出に用いられ、図の
下方へと分けられた光は、後述するように、集光スポッ
トのフォーカス調整に用いられる。
へと分けられた光は、さらに、ビームスプリッタ３４０
によって所定の比率で図の下方と右方とに分けられる。
図の右方へと分けられた光は、後述するように、トラッ
クに対する集光スポットのずれの検出に用いられ、図の
下方へと分けられた光は、後述するように、集光スポッ
トのフォーカス調整に用いられる。
【００８０】ビームスプリッタ３４０によって図の右方
へと分けられた光は、集光レンズ３５０によって、光検
出器２０５の受光面上に集光される。光検出器２０５の
受光面は２分割されており、光検出器２０５の受光面上
に集光された光が、受光面が分割された各部分によって
検出されて各検出信号が得られる。これらの検出信号の
差が、いわゆるプッシュプル法によってトラッキングエ
ラー信号として用いられて、トラックに対する集光スポ
ットのずれが検出される。
へと分けられた光は、集光レンズ３５０によって、光検
出器２０５の受光面上に集光される。光検出器２０５の
受光面は２分割されており、光検出器２０５の受光面上
に集光された光が、受光面が分割された各部分によって
検出されて各検出信号が得られる。これらの検出信号の
差が、いわゆるプッシュプル法によってトラッキングエ
ラー信号として用いられて、トラックに対する集光スポ
ットのずれが検出される。
【００８１】ビームスプリッタ３４０によって図の下方
へと分けられた光は、シリンドリカルレンズ３６０と球
面レンズ３７０によって集光される。シリンドリカルレ
ンズ３６０が存在するため、光を図の垂直方向から見た
場合と、図の左右方向から見た場合とでは、光が集光さ
れる様子が異なっている。図に示す矢印ｆ１，ｆ２は、
光を図の垂直方向から見た場合の様子を示しており、光
は、シリンドリカルレンズ３６０と球面レンズ３７０そ
れぞれによって屈折され、光検出器２０４の受光面より
も手前で一旦焦点を結び、その後拡散しながら受光面に
当たる。これに対し、図に示す矢印ｆ３，ｆ４は、光を
図の左右方向から見た場合の様子を示しており、光は、
シリンドリカルレンズ３６０によって素通しされ、その
後、球面レンズ３７０によって、光検出器２０４の受光
面よりも奥で焦点を結ぶように屈折され、焦点を結ぶ前
に受光面に当たる。その結果、受光面上に当たる光の形
は一般に楕円形となる。
へと分けられた光は、シリンドリカルレンズ３６０と球
面レンズ３７０によって集光される。シリンドリカルレ
ンズ３６０が存在するため、光を図の垂直方向から見た
場合と、図の左右方向から見た場合とでは、光が集光さ
れる様子が異なっている。図に示す矢印ｆ１，ｆ２は、
光を図の垂直方向から見た場合の様子を示しており、光
は、シリンドリカルレンズ３６０と球面レンズ３７０そ
れぞれによって屈折され、光検出器２０４の受光面より
も手前で一旦焦点を結び、その後拡散しながら受光面に
当たる。これに対し、図に示す矢印ｆ３，ｆ４は、光を
図の左右方向から見た場合の様子を示しており、光は、
シリンドリカルレンズ３６０によって素通しされ、その
後、球面レンズ３７０によって、光検出器２０４の受光
面よりも奥で焦点を結ぶように屈折され、焦点を結ぶ前
に受光面に当たる。その結果、受光面上に当たる光の形
は一般に楕円形となる。
【００８２】図１４は、光検出器の受光面に当たる光の
様子を示す図である。
様子を示す図である。
【００８３】図１４の上下方向は図１３の奥行き方向に
相当し、図１４の左右方向は図１３の左右方向に相当す
る。光検出器２０４の受光面は、「×」印状に交差する
２本の線ｍ，ｎによって４分割された菱形をしている。
図１４（Ｂ）には、図１３に示す対物レンズ１９１が、
集光スポットのフォーカスが合う位置に存在する場合に
受光面に当たる光の形ｋ１が示されており、光の形ｋ１
が円形となるように受光面の位置が調整されている。
相当し、図１４の左右方向は図１３の左右方向に相当す
る。光検出器２０４の受光面は、「×」印状に交差する
２本の線ｍ，ｎによって４分割された菱形をしている。
図１４（Ｂ）には、図１３に示す対物レンズ１９１が、
集光スポットのフォーカスが合う位置に存在する場合に
受光面に当たる光の形ｋ１が示されており、光の形ｋ１
が円形となるように受光面の位置が調整されている。
【００８４】図１４（Ａ）には、対物レンズ１９１が、
集光スポットのフォーカスが合う位置から光ディスク２
４０に近づいた場合に受光面に当たる光の形ｋ２が示さ
れており、光の形ｋ２は図の上下方向に長い楕円とな
る。一方、図１４（Ｃ）には、対物レンズ１９１が、集
光スポットのフォーカスが合う位置から光ディスク２４
０に対して遠ざかった場合に受光面に当たる光の形ｋ３
が示されており、光の形ｋ３は図の左右方向に長い楕円
となる。
集光スポットのフォーカスが合う位置から光ディスク２
４０に近づいた場合に受光面に当たる光の形ｋ２が示さ
れており、光の形ｋ２は図の上下方向に長い楕円とな
る。一方、図１４（Ｃ）には、対物レンズ１９１が、集
光スポットのフォーカスが合う位置から光ディスク２４
０に対して遠ざかった場合に受光面に当たる光の形ｋ３
が示されており、光の形ｋ３は図の左右方向に長い楕円
となる。
【００８５】従って、受光面が４分割されてなる４つの
部分２０４ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄのうち、
図の上方と下方に示されている２つの部分２０４ａ，２
０４ｂによって受けた光の光量と、４つの部分２０４
ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄのうち、図の左方と
右方に示されている２つの部分２０４ｃ，２０４ｄによ
って受けた光の光量との差を検出することによってフォ
ーカスのずれが検出される。
部分２０４ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄのうち、
図の上方と下方に示されている２つの部分２０４ａ，２
０４ｂによって受けた光の光量と、４つの部分２０４
ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄのうち、図の左方と
右方に示されている２つの部分２０４ｃ，２０４ｄによ
って受けた光の光量との差を検出することによってフォ
ーカスのずれが検出される。
【００８６】図１５は、固定光学アセンブリの内部構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【００８７】固定光学アセンブリ２００には、図１２に
示す移動光学アセンブリ１９０の筒口１９２に対応する
筒口２０６が設けられており、その筒口の奥に偏光ビー
ムスプリッタ２８０が配置されている。
示す移動光学アセンブリ１９０の筒口１９２に対応する
筒口２０６が設けられており、その筒口の奥に偏光ビー
ムスプリッタ２８０が配置されている。
【００８８】レーザダイオード２０２から発せられるレ
ーザ光は楕円形に広がる光であり、このため、レーザダ
イオード２０２は、偏光ビームスプリッタ２８０にレー
ザ光が入射する方向に対して斜めに配置され、レーザダ
イオード２０２によって発せられたレーザ光が、図１３
では図示を省略したプリズムによって屈折されることに
よってレーザ光が円形に変形され、その後、偏光ビーム
スプリッタ２８０に入射される。
ーザ光は楕円形に広がる光であり、このため、レーザダ
イオード２０２は、偏光ビームスプリッタ２８０にレー
ザ光が入射する方向に対して斜めに配置され、レーザダ
イオード２０２によって発せられたレーザ光が、図１３
では図示を省略したプリズムによって屈折されることに
よってレーザ光が円形に変形され、その後、偏光ビーム
スプリッタ２８０に入射される。
【００８９】偏光ビームスプリッタ２８０を素通りした
レーザ光は筒口２０６を通って移動光学アセンブリ１９
０へと渡り、移動光学アセンブリ１９０から戻ってきた
光の一部は、図１３で説明したように偏光ビームスプリ
ッタ２８０によって図１５の左上方へと反射される。
レーザ光は筒口２０６を通って移動光学アセンブリ１９
０へと渡り、移動光学アセンブリ１９０から戻ってきた
光の一部は、図１３で説明したように偏光ビームスプリ
ッタ２８０によって図１５の左上方へと反射される。
【００９０】固定光学アセンブリ２００の中央部には、
図１３において説明したビームスプリッタ３１０，３４
０や検光子３２０等が配置されており、偏光ビームスプ
リッタ２８０によって図の左上方へと反射された光は、
図１３において説明したようにこれらのビームスプリッ
タ３１０，３４０や検光子３２０等を通り、固定光学ア
センブリ２００の枠に穿たれた穴２０７，２０８，２０
９を通って各光検出器に到達する。
図１３において説明したビームスプリッタ３１０，３４
０や検光子３２０等が配置されており、偏光ビームスプ
リッタ２８０によって図の左上方へと反射された光は、
図１３において説明したようにこれらのビームスプリッ
タ３１０，３４０や検光子３２０等を通り、固定光学ア
センブリ２００の枠に穿たれた穴２０７，２０８，２０
９を通って各光検出器に到達する。
【００９１】高密度な光記録装置では、光学ヘッドから
記録媒体上に照射されるスポット径を小さくするととも
に、照射強度を一定に制御することも重要である。デー
タ書き込み時に照射強度が変化すると、媒体上の記録ピ
ットにエッジ形状のばらつきを発生する。このばらつき
は記録読み取り時に信号のジッターとして現れ、読み取
りエラーを増加させる。エラーの少ない安定な記録の読
み取り書き込みを実現するためには、記録媒体への光照
射強度を制御することが不可欠である。
記録媒体上に照射されるスポット径を小さくするととも
に、照射強度を一定に制御することも重要である。デー
タ書き込み時に照射強度が変化すると、媒体上の記録ピ
ットにエッジ形状のばらつきを発生する。このばらつき
は記録読み取り時に信号のジッターとして現れ、読み取
りエラーを増加させる。エラーの少ない安定な記録の読
み取り書き込みを実現するためには、記録媒体への光照
射強度を制御することが不可欠である。
【００９２】図１６は、ＳＩＬを用いた光ヘッド装置に
よる記録媒体上の光照射強度をシミュレートした結果で
ある。この計算では本発明の光透過膜を仮定していない
が、膜がある場合にもこの結果は同様に成り立つ。
よる記録媒体上の光照射強度をシミュレートした結果で
ある。この計算では本発明の光透過膜を仮定していない
が、膜がある場合にもこの結果は同様に成り立つ。
【００９３】図１６は、照射光強度のシミュレート結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【００９４】この図１６には、図５に示すＳＩＬ２１と
記憶媒体４０との間の距離と、記憶媒体４０への照射光
の強度との関係がシミュレートされた結果が示されてお
り、ＳＩＬ２１の屈折率が１．８８であるという条件の
下でシミュレートされている。また、対物レンズ５０の
開口数（Ｎ．Ａ．）については、０．６、０．７５、
０．８５であるという３種類の条件の下でシミュレート
されており、各シミュレーション結果のグラフが、各開
口数の値が付されて示されている。この図１６の縦軸
は、照射光強度を任意単位で示しており、横軸は、ＳＩ
Ｌ２１と記憶媒体４０との間の距離をレーザ光３１の波
長を単位として示している。
記憶媒体４０との間の距離と、記憶媒体４０への照射光
の強度との関係がシミュレートされた結果が示されてお
り、ＳＩＬ２１の屈折率が１．８８であるという条件の
下でシミュレートされている。また、対物レンズ５０の
開口数（Ｎ．Ａ．）については、０．６、０．７５、
０．８５であるという３種類の条件の下でシミュレート
されており、各シミュレーション結果のグラフが、各開
口数の値が付されて示されている。この図１６の縦軸
は、照射光強度を任意単位で示しており、横軸は、ＳＩ
Ｌ２１と記憶媒体４０との間の距離をレーザ光３１の波
長を単位として示している。
【００９５】これらのシミュレーションでは、上述した
ような、レーザ光３１が有する電場や磁場としての性質
に起因する近接場光の他、レーザ光３１が有する光子と
しての性質に起因する、ＳＩＬ２１から記憶媒体４０へ
の量子力学的な光トンネリングについても考慮されてい
る。
ような、レーザ光３１が有する電場や磁場としての性質
に起因する近接場光の他、レーザ光３１が有する光子と
しての性質に起因する、ＳＩＬ２１から記憶媒体４０へ
の量子力学的な光トンネリングについても考慮されてい
る。
【００９６】記憶媒体４０への照射光の強度は、ＳＩＬ
２１と記憶媒体４０との間の距離が多少変化しても安定
していることが望ましく、つまり、グラフの線が水平に
近いことが望ましい。このような視点で図１６のグラフ
を見ると、開口数が０．８５である場合のグラフは、Ｓ
ＩＬ２１と記憶媒体４０との間の距離がレーザ光３１の
波長の１００分の１以下であるという非現実的な領域を
除いて、右下がりに大きく傾いており、照射光強度が安
定しないことが分かる。これに対して、開口数が０．７
５以下である場合のグラフは、ＳＩＬ２１と記憶媒体４
０との間の距離がレーザ光３１の波長の１０分の１以下
である領域においてグラフの線が水平に近く、照射光強
度が安定的であることが分かる。
２１と記憶媒体４０との間の距離が多少変化しても安定
していることが望ましく、つまり、グラフの線が水平に
近いことが望ましい。このような視点で図１６のグラフ
を見ると、開口数が０．８５である場合のグラフは、Ｓ
ＩＬ２１と記憶媒体４０との間の距離がレーザ光３１の
波長の１００分の１以下であるという非現実的な領域を
除いて、右下がりに大きく傾いており、照射光強度が安
定しないことが分かる。これに対して、開口数が０．７
５以下である場合のグラフは、ＳＩＬ２１と記憶媒体４
０との間の距離がレーザ光３１の波長の１０分の１以下
である領域においてグラフの線が水平に近く、照射光強
度が安定的であることが分かる。
【００９７】従って開口数が０．７５以下である対物レ
ンズを用いた光学ヘッドを、ＳＩＬ２１と記憶媒体４０
との間の距離をレーザ光３１の波長の１０分の１以下に
した状態で駆動することにより、情報の読み書きが安定
となり高密度な読み書きを行うことができる。
ンズを用いた光学ヘッドを、ＳＩＬ２１と記憶媒体４０
との間の距離をレーザ光３１の波長の１０分の１以下に
した状態で駆動することにより、情報の読み書きが安定
となり高密度な読み書きを行うことができる。
【００９８】前述した図１６の技術は、図４のスポット
径を小さくする技術と組合せることで、小さいスポット
でも所望の強度を得ることができ、安定な読み取り又は
書き込みが実現可能となり、高密度化を一層高めること
ができる。
径を小さくする技術と組合せることで、小さいスポット
でも所望の強度を得ることができ、安定な読み取り又は
書き込みが実現可能となり、高密度化を一層高めること
ができる。
【００９９】なお、上記説明では、ＳＩＬを用いた光記
憶装置について説明したが、本発明の光記憶装置は、光
ファイバを用いるものであってもよく、光ファイバを用
いる場合には、ファイバを浮上又は接触スライダに取り
つけ、媒体に対して浮上又は接触させて近接記録再生を
行うようにしてもよい。
憶装置について説明したが、本発明の光記憶装置は、光
ファイバを用いるものであってもよく、光ファイバを用
いる場合には、ファイバを浮上又は接触スライダに取り
つけ、媒体に対して浮上又は接触させて近接記録再生を
行うようにしてもよい。
【０１００】また、図１２のような直線駆動型でファイ
バ又はレンズを媒体に近接させて保持してもよいし、回
転駆動型（一般的なハードディスクドライブのようなス
イングアーム方式）で保持して媒体上を駆動してもよ
い。
バ又はレンズを媒体に近接させて保持してもよいし、回
転駆動型（一般的なハードディスクドライブのようなス
イングアーム方式）で保持して媒体上を駆動してもよ
い。
【０１０１】また、上記説明では、蒸着等によって成膜
された光透過膜について説明したが、本発明にいう光透
過部や光透過層は、光学部品自体が加工されることによ
って層状に形成されたものであってもよい。また、近接
場光を利用する場合には、光透過部や光透過層が光学部
品の出射面と密接していることが望ましいが、強度が多
少低下してもよい場合には、光透過部は、光学部品の出
射面とすき間を空けて設けられたシート状のものであっ
てもよい。
された光透過膜について説明したが、本発明にいう光透
過部や光透過層は、光学部品自体が加工されることによ
って層状に形成されたものであってもよい。また、近接
場光を利用する場合には、光透過部や光透過層が光学部
品の出射面と密接していることが望ましいが、強度が多
少低下してもよい場合には、光透過部は、光学部品の出
射面とすき間を空けて設けられたシート状のものであっ
てもよい。
【０１０２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学ヘッ
ドおよびレンズは、スポット径が光の波長よりも小さい
集光スポットを形成することができるとともに製造が容
易であり、本発明の光記憶装置によれば、記録媒体に対
する情報の読み書きを高密度に行うことができる。
ドおよびレンズは、スポット径が光の波長よりも小さい
集光スポットを形成することができるとともに製造が容
易であり、本発明の光記憶装置によれば、記録媒体に対
する情報の読み書きを高密度に行うことができる。
【図１】回折限界そのものが小さい特殊な集光系が用い
られた比較例を示す概念図である。
られた比較例を示す概念図である。
【図２】回折限界そのものが小さい他の集光系が用いら
れた比較例を示す概念図である。
れた比較例を示す概念図である。
【図３】光ファイバが用いられた比較例を示す概念図で
ある。
ある。
【図４】本発明の原理の説明図である。
【図５】本発明の原理を図１に示す集光系に応用した光
学ヘッドの概念図である。
学ヘッドの概念図である。
【図６】図５に示す光学ヘッドによって形成される集光
スポットのシミュレート結果を表すグラフである。
スポットのシミュレート結果を表すグラフである。
【図７】本発明の原理を光ファイバに応用した光学ヘッ
ドの概念図である。
ドの概念図である。
【図８】本発明の原理を光ファイバに応用した他の光学
ヘッドの概念図である。
ヘッドの概念図である。
【図９】本発明の光記憶装置の一実施形態を表面側から
見た外観斜視図である。
見た外観斜視図である。
【図１０】本発明の光記憶装置の一実施形態を裏面側か
ら見た外観斜視図である。
ら見た外観斜視図である。
【図１１】光記憶装置の分解斜視図である。
【図１２】固定光学アセンブリと移動光学アセンブリと
の配置関係を示す斜視図である。
の配置関係を示す斜視図である。
【図１３】光学ヘッドの光学系を示す構成図である。
【図１４】光検出器の受光面に当たる光の様子を示す図
である。
である。
【図１５】固定光学アセンブリの内部構造を示す斜視図
である。
である。
【図１６】照射光強度のシミュレート結果を示すグラフ
である。
である。
１０ 光透過膜 ２０ 光学部品 ２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ 出射面 ２１，３００ ＳＩＬ ２２，２３ 光ファイバ ３０，３１，３２ レーザ光 ４０ 記憶媒体 ５０ 対物レンズ １００ 光記憶装置 １８０ スピンドルモータ １９０ 移動光学アセンブリ １９１ 対物レンズ ２００ 固定光学アセンブリ ２４０ 光ディスク ２５０ 磁気回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H050 AC86 AC87 5D119 AA22 JA35 JA43 JA64 JB01 JB02 JB10 LB09
Claims (11)
- 【請求項１】 所定の駆動機構によって駆動されて所定
の記憶媒体に近接して移動し該記憶媒体の表面に光を照
射する光学ヘッドにおいて、 光ビームを発光する発光部と、 光ビームが入射される入射面と、入射面から入射された
光ビームを出射する出射面を有する光学部品と、 前記光学部品の出射面から出る光ビームのうち所定強度
以上の光ビームを透過させる光透過部と、を少なくとも
有することを特徴とする光学ヘッド。 - 【請求項２】 前記光透過部が、入射光エネルギーの一
部を熱エネルギーに変換し、入射光を高温ほど高い透過
率で透過させる物質からなるものであることを特徴とす
る請求項１記載の光学ヘッド。 - 【請求項３】 前記光透過部が、入射光強度の増大に応
じて吸収率が低下する性質を有する過飽和吸収体からな
るものであることを特徴とする請求項１記載の光学ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記光学部品が、光の焦点を前記出射面
に結ばせるものであることを特徴とする請求項１記載の
光学ヘッド。 - 【請求項５】 前記光学部品が光ファイバであることを
特徴とする請求項１記載の光学ヘッド。 - 【請求項６】 前記光ファイバが、該光ファイバの一端
に前記出射面を有し該一端に向かって先細りの形状を有
するものであることを特徴とする請求項５記載の光学ヘ
ッド。 - 【請求項７】 前記光ファイバが、該光ファイバの一端
に、突状の出射面を有するものであることを特徴とする
請求項５記載の光学ヘッド。 - 【請求項８】 光ビームが入射される入射面と、 前記入射面から入射された光ビームを出射する出射面
と、 前記出射面から出る光ビームを光強度が高いほど高い透
過率で透過させる光透過部とを有することを特徴とする
光学部品。 - 【請求項９】 光ビームが入射される入射面と、入射面
から入射された光ビームを出射する出射面とを有し、光
ビームを該出射面に集光するように形成されてなる光学
部品において、 所定強度以上の光ビームを透過させる光透過層が前記出
射面に設けられてなることを特徴とする光学部品。 - 【請求項１０】 光ビームを発光する発光部、 光ビームが入射される入射面と、前記入射面から入射さ
れた光ビームを出射する出射面と、前記出射面から出る
光ビームのうち所定強度以上の光ビームを透過させる光
透過部とを有する光学部品、 光ビームが照射される記憶媒体を所定の位置に保持する
記憶媒体保持機構、および前記光学部品を、前記記憶媒
体保持機構で保持された記憶媒体と前記光透過部とを光
ビームの波長以下の距離だけ離した状態で駆動する光学
部品駆動機構を備えたことを特徴とする光記憶装置。 - 【請求項１１】 光ビームを発光する発光部、 光ビームが入射される入射面と、前記入射面から入射さ
れた光ビームを出射する出射面とを有し、光ビームを該
出射面に集光するように形成されてなり、０．７５以下
の開口数を有する光学部品、 光ビームが照射される記憶媒体を所定の位置に保持する
記憶媒体保持機構、および前記光学部品を、前記記憶媒
体保持機構で保持された記憶媒体と前記光透過部とを光
ビームの波長の１０分の１以下の距離だけ離した状態で
駆動する光学部品駆動機構を備えたことを特徴とする光
記憶装置。
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