JP2000195720A - 積層電子部品 - Google Patents
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Abstract
してインダクタンス値が異なる複数種類の積層電子部品
を製造可能とし、しかも低インダクタンス値の積層電子
部品の浮遊容量を小さくする。 【解決手段】 積層電子部品は、複数層のセラミック層
1、1’を積層した積層体11と、この積層体11のセ
ラミック層1の層間に形成された内部電極5a〜5d
と、少なくとも一部の内部電極5e、5dに導通し、積
層体11の端面に導出された引出電極4と、この引出電
極4に接続されるよう積層体11の端部に設けられた外
部電極14とを有する。さらに、内部電極5a〜5dの
間に介在され、内部電極5a〜5dを有しないセラミッ
ク層1”と、このセラミック層1”に形成され、その両
側に積層される他のセラミック層1、1に形成された内
部電極5a〜5dを周回状に連ねるよう接続するスルー
ホール導体が充填されたスルーホール6’とを有する。
Description
セラミック層を積層し、このセラミック層の積層体の内
部で前記内部電極を周回状に連ねたインダクタを有する
積層電子部品に関する。換言すると、積層体内部で内部
電極をコイル状に連ね、インダクタ素子を構成した積層
電子部品に関する。
て、積層体を得る手法に、スラリビルト法とシートラミ
ネート法との2つがある。前者のスラリビルト法は、セ
ラミックペーストと導電ペーストとをスクリーン印刷等
によって順次塗り重ねてセラミック層と内部電極パター
ンとを交互に形成していく方法である。また、後者のシ
ートラミネート法は、予めシート状のセラミックグリー
ンシートを成型し、このセラミックグリーンシートにス
クリーン印刷等によって導電ペーストにより内部電極パ
ターンを印刷し、これらのセラミックグリーンシートを
積層するものである。
クインダクタやインダクタを含む積層複合電子部品で
は、各セラミック層に形成された内部電極パターンは、
その接続しようとする端部を除いてセラミックペースト
を印刷した後、その内部電極パターン端部に重ねて導電
ペーストを印刷することにより、内部電極パターンが順
次接続され、最終的にコイル状に接続される。また、後
者の手法により製造される積層セラミックインダクタや
インダクタを含む積層複合電子部品では、各セラミック
グリーンシートに形成した内部電極パターンは、セラミ
ックグリーンシートに設けたスルーホール導体で順次接
続され、コイル状に接続される。
最終的にはそれが焼成され、さらに導体の露出している
両端面に導電ペーストを焼き付け、外部電極が形成され
る。これによって積層電子部品が得られる。こうして作
られた積層電子部品のうち、たとえば積層セラミックイ
ンダクタは、その積層体の積層方向に重畳して周回する
コイル状の内部電極が形成され、この一部の内部電極の
端部は、引出電極として前記積層体の端面に導出し、積
層体の端面で外部電極に接続される。
れた積層セラミックインダクタのセラミック層の積層構
造を示している。この図14に示すように、積層体11
は、複数のセラミック層1、1…、1’、1’…が積層
され、一体となったものである。
〜5dが形成されている。これら内部電極5a〜5d
は、スルーホール6、6…に設けられたスルーホール導
体を介して順次接続され、積層体11の内部で、その積
層方向に重畳して周回する如くコイル状に連なってい
る。磁性体セラミックからなるセラミック層1、1…
は、このコイルの磁芯となる。
1、1…のうち、図14において上下の端のセラミック
層1、1に形成された内部電極積5c、5dの端部は、
積層体11の対向する一対の端面にそれぞれ導出した引
出電極4、4となっている。前記内部電極5a〜5dが
形成されたセラミック層1、1…の両側に、内部電極が
形成されていないセラミック層1’、1’…、いわゆる
ブランクのセラミック層1’、1’…が積層されてい
る。
等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必
要に応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施
して外部電極が形成される。この外部電極には、積層体
11の端面に導出された前記引出電極4、4に電気的に
接続される。これにより、図示の例では、内部電極5a
〜5dにより形成されるインダクタの両端に外部電極が
接続された状態となる。さらに、このようなインダクタ
ンス部分の他に、コンデンサ等を組み合わせた積層LC
部品のような複合積層電子部品もある。
クタンス値の異なる積層電子部品を得るためには、積層
体11の内部での内部電極5a〜5dの巻数を異ならせ
るか、または磁性体の透磁率を変える必要がある。積層
電子部品の外径寸法は、規格化されているため、内部電
極5a〜5dの巻数を少なくするためには、セラミック
層の厚みを変えるか、または内部電極5a〜5dを形成
したセラミック層1、1…の積層数を少なくし、その分
だけ内部電極5a〜5dを形成していないブランクのセ
ラミック層1’、1’を両側により多く積層することが
必要である。
造に当たって、生産効率を高めるためには、セラミック
層1、1’を形成するためのセラミックグリーンシート
の標準化を図り、共通したセラミックグリーンシートで
異なるインダクタンス値を有する複数のアイテムの積層
電子部品を製造できるようにすることが必要である。そ
の意味で、透磁率の異なるセラミック層を使用したり、
厚さの異なるセラミック層を使用することは、異なるア
イテムの積層電子部品を製造するため、多くの種類のセ
ラミックグリーンシートを予め用意しておく必要があ
り、生産効率が低くなる。
品を製造するのと同じ薄いセラミックグリーンシートを
用い、内部電極5a〜5dの巻数が少ないより低いイン
ダクタンス値の積層電子部品を製造する場合、内部電極
5a〜5dを形成したセラミック層1、1…の積層数を
少なくする必要がある。そしてその分だけ、積層体11
の両側に積層するブランクのセラミック層1’、1’の
積層数を多くする必要がある。
ンダクタンス値を有する積層電子部品を製造すると、セ
ラミック層1、1…を介して対向する内部電極間で取得
される静電容量により、積層電子部品の浮遊容量が無視
できなくなる。すなわち、内部電極5a〜5dの巻数が
少なく、インダクタンス値が小さい積層セラミックイン
ダクタでは、浮遊容量が無視できない程度に大きくな
り、特性の低下を避けることができない。
記のような課題に鑑み、その目的は、同じ厚さのセラミ
ックグリーンシートを使用してインダクタンス値が異な
る複数のアイテムの積層電子部品を製造することができ
るようにすることにある。さらに、本発明の目的は、コ
イルの巻数が少なく、低インダクタンス値の積層電子部
品を得るに当たり、浮遊容量をより小さくすることを可
能とすることにある。
め、本発明では、内部電極5a〜5dの巻数が異なり、
インダクタンス値が異なる複数の積層電子部品を同じ厚
さのセラミック層で得るようにする。そして、内部電極
5a〜5dの巻数が少なく、インダクタンス値が低い積
層電子部品については、内部電極5a〜5dの間に、内
部電極5a〜5dを有しないセラミック層1”を介在さ
せ、このセラミック層1”の両側に積層されたセラミッ
ク層1、1…の内部電極5a〜5dを、接続手段、例え
ば、前記セラミック層1”に設けたスルーホール6’の
スルーホール導体で接続する。
ラミック層1、1’を積層した積層体11と、この積層
体11のセラミック層1の層間に形成され、同積層体1
1の内部でコイル状に連なるよう順次接続された内部電
極5a〜5dと、少なくとも一部の内部電極5e、5d
に接続されるよう積層体11の端部に設けられた外部電
極14とを有する。さらに、内部電極5a〜5dを有す
るセラミック層1、1の間に介在された内部電極5a〜
5dを有しないセラミック層1”と、このセラミック層
1”の両側に隣接して積層された前記セラミック層1、
1に形成された内部電極5a〜5dをコイル状に連ねる
よう接続する接続手段とを有する。この接続手段は、例
えば内部電極5a〜5dを有しないセラミック層1”に
設けたスルーホール6’のスルーホール導体からなる。
層1”は、1枚または複数枚のセラミックシートからな
る。この場合、予め、レーザ加工により対応する位置に
スルーホール6’を穿孔した複数枚のセラミックシート
9を用意し、これら複数のセラミックシート9を予め積
み重ねて一層としたものを使用することができる。
ルーホール6’を穿孔すると、レーザ光の入射側の主面
のスルーホール6’の開口径は、他方の主面側より大き
くなる。この両主面の開口径の差は、セラミックシート
9が厚い程大きくなる。そこで、或る程度の厚さのセラ
ミック層1”を使用するときは、厚さの薄いセラミック
シート9の対応する位置にスルーホール6’をそれぞれ
穿孔しておき、これら複数のセラミックシート9を複数
枚重ね、スルーホール6’が一連に連なった一層のセラ
ミック層1”とすることにより、セラミック層1”の両
主面のスルーホール6’の開口径の差を実質的に小さく
することができる。
ミック層1”は、内部電極5a〜5dの1巻分のセラミ
ック層1、1の間毎に介在させるか、或いは内部電極5
a〜5dの半巻分のセラミック層1の間毎に介在させ
る。この内部電極5a〜5dを有しない前記のセラミッ
ク層1”の介在層数は、当該積層電子部品の内部電極5
a〜5dの巻数により決定する。なお、積層体11のセ
ラミック層1、1’、1”の積層方向は、外部電極1
4、14が対向した方向と直交する方向であっても、ま
た外部電極14、14が対向した方向であってもよい。
a〜5dを有するセラミック層1、1…の間に内部電極
5a〜5dを有しないセラミック層1”が介在されるた
め、内部電極5a〜5dの間隔が広くなり、内部電極5
a〜5d間の浮遊容量が小さくなる。そのため、薄いセ
ラミック層1、1’、1”を積層した積層電子部品であ
っても、その浮遊容量を小さくすることができる。しか
も、前記セラミック層1”に設けたスルーホール6’の
スルーホール導体により、内部電極5a〜5dの積層体
11の内部での接続も可能となる。
を積層することができるので、内部電極5a〜5dの巻
数が少なく、インダクタンス値が小さな積層電子部品
と、内部電極5a〜5dの巻数が多く、インダクタンス
値が大きな積層電子部品とで、セラミックグリーンシー
トを共用することができる。すなわち、インダクタンス
値が異なる複数のアイテムの積層電子部品を同じセラミ
ックグリーンシートで製造することができる。
1’、1”を、外部電極14、14が対向した方向に積
層した積層電子部品では、外部電極14、14と内部電
極5a、5bとをスルーホール導体で接続する構造をと
る。そのため、外部電極14、14に近い部分に積層さ
れるセラミック層1’の層数が多くなると、その部分に
スルーホール導体が集中することになる。しかし、積層
体11の内部の特定の箇所にスルーホール導体が集中す
ると、応力により積層体11の内部に歪が発生しやす
く、積層体11の抗折強度が低下する。
スルーホール導体が外部電極14、14に近い側のセラ
ミック層1’だけでなく、内部電極5a〜5dを有する
セラミック層1の間にもスルーホール導体を有するセラ
ミック層1”が挿入されるため、その分だけ外部電極1
4、14に近い側に積層されるスルーホール導体を有す
るセラミック層1’の層数が少なくなる。すなわち、外
部電極14、14に近い部分にスルーホール導体が集中
するが避けられるため、積層体11の抗折強度が低下し
ない。
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図1は、本発明による積層電子部品の例として、積層セ
ラミックインダクタの積層体の積層構造を示す分解概念
図である。このような積層体は、通常次のようにして多
数のものが同時に製造される。
インダー中に分散した磁性体スラリーを用い、ドクター
ブレード法、押出成形法等の手段で薄い磁性体セラミッ
クグリーンシートを作る。これらのセラミックグリーン
シートの所定の位置に予めスルーホール(バイアホー
ル)を打ち抜く。その後、銀ペースト等の導電ペースト
を使用し、このセラミックグリーンシートの上に周回状
の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷す
ると共に、前記スルーホールに導電ペーストを吸引し、
スルーホール導体を印刷する。
を積層する。まず、内部電極パターンを印刷していない
磁性体セラミックグリーンシートを数枚積層し、その上
に必要とするコイルの巻数により、異なる形状の内部電
極パターンを有するセラミックグリーンシートを順次積
層する。そして、これらセラミックグリーンシートの上
に内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリ
ーンシートを積層する。この積層体を圧着した後、個々
のチップ毎に裁断し、この未焼成の積層チップを焼成し
することにより、焼成済みの積層体11を得る。
分解して示したのが図1である。図1に示すように、こ
の積層体11は、複数の磁性体セラミック層1、1…、
1’、1’…、1”、1”…が積層され、一体となった
ものである。前記セラミック層1、1…、1’、1’
…、1”、1”…のうち、セラミック層1、1…には、
周回状の内部電極5a〜5dが形成されている。
1、1…のうち、図1において上下の端のセラミック層
1、1に形成された内部電極5c、5dの端部は、積層
体11の対向する一対の端面にそれぞれ導出した引出電
極4、4となっている。図1において、下端の内部電極
5cを有するセラミック層1の平面図を図3(a)に示
す。図1において上端の内部電極5dの端部には、図1
においてその下の他のセラミック層1の内部電極5aと
接続するためのスルーホール6が穿孔され、このスルー
ホール6にスルーホール導体が充填されている。
ック層1、1の間にあるセラミック層1、1…に形成さ
れた内部電極5a、5bは、コイルの半巻分のもので、
L字形に形成されている。これら内部電極5a、5bの
端部には、積層された他の内部電極5a、5b、5cの
端部と接続するためのスルーホール6が穿孔され、この
スルーホール6にスルーホール導体が充填されている。
これら内部電極5a、5bを有するセラミック層1、1
の平面図をそれぞれ図3(b)と(d)に示す。
る各セラミック層1、1…の間には、内部電極5a〜5
dを有しておらず、スルーホール6’のみを有するセラ
ミック層1”が介在されている。このセラミック層1”
の平面図を図3(c)に示す。図1の例では、1巻分の
内部電極5a〜5dを有する2層のセラミック層1、1
の間にそれぞれ2層のセラミック層1”、1”が介在さ
れている。このセラミック層1”、1”に設けられたス
ルーホール6’、6’は、図1においてそのセラミック
層1”,1”の上に積層されるセラミック層1に設けら
れたスルーホール6の位置と対応している。
1、1…に設けられた内部電極5a〜5dは、それらセ
ラミック層1、1…とその間のセラミック層1”、1”
に設けられたスルーホール6、6’のスルーホール導体
を介して順次接続され、積層体11の内部で重畳して周
回するようコイル状に連なっている。磁性体セラミック
からなるセラミック層1、1…は、このコイルの磁芯と
なる。さらに、前記内部電極5a〜5dが形成されたセ
ラミック層1、1…及びスルーホール6’、6’…を有
するセラミック層1”、1”…の両側に、内部電極が形
成されていないセラミック層1’、1’…、いわゆるブ
ランクのセラミック層1’、1’…が積層されている。
の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを
焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッキ
や半田メッキ等を施して外部電極14、14が形成され
る。この外部電極14、14は、積層体11の端面に導
出された前記引出電極4、4(図1参照)に電気的に接
続される。これにより、図示の例では、内部電極5a〜
5dにより形成されるインダクタの両端に外部電極1
4、14が接続された状態となる。図2において、セラ
ミック層1、1’の積層状態を二点鎖線で示す。
は、内部電極5a〜5dの1巻分毎に内部電極を有しな
い2層のセラミック層1”、1”が介在されるため、1
巻分ずつの内部電極5a〜5dの対向間隔が2層のセラ
ミック層1”、1”によって広がり、その間で取得され
る静電容量が小さくなる。従って、比較的薄いセラミッ
ク層1、1…、1’、1’…、1”、1”…により、内
部電極5a〜5dの巻数が比較的少ない積層セラミック
インダクタを作った場合でも、浮遊容量を小さく抑える
ことができる。
の1巻毎のセラミック層1、1の間にスルーホール
6’、6’のみを有するセラミック層1”、1”を2層
介在させているが、このセラミック層1”、1”の介在
層数は、必要とする内部電極5a〜5dの総巻数により
適宜決定する。内部電極5a〜5dの総巻数が少なくと
きは、セラミック層1”、1”の介在層数を多くし、内
部電極5a〜5dの総巻数が多いときは、セラミック層
1”、1”の介在層数を少なくし、図2に示す積層セラ
ミックインダクタの外形寸法を所定の寸法に調整する。
インダクタの積層体11の他の実施形態を示すものであ
る。この実施形態では、内部電極5a〜5dを有しない
セラミック層1”として、複数のセラミックシート9を
積み重ねて一層としたものを使用している。その他の点
は、図1〜図3に示した実施形態と同様である。
成するセラミックシート9には、それぞれ対応する所定
の位置にレーザ加工によりスルーホール6’が穿孔され
ており、これら複数枚のセラミックシート9が積み重ね
て一層のセラミック層1”とされた状態では、前記のス
ルーホール6’が連なってセラミック層1”を貫通する
スルーホール6となる。
シート9とこれより厚いセラミックシート9とにそれぞ
れスルーホール6’を穿孔した例を示す。レーザ加工に
よりスルーホール6’を穿孔すると、矢印で示すレーザ
光の入射側の開口径D1、D2は、レーザ光の出射側の
開口径dより大きくなる。この場合例えば、図6(b)
に示すセラミックシート9の厚さが図6(a)に示すセ
ラミックシート9の3倍であると、レーザ光の出射側の
最小開口径dを同じ大きさにとるためには、前者のレー
ザ光入射側の開口径D2を後者の開口径D1の約3倍と
なければならない。すなわち、レーザ光の出射側の最小
開口径dを、スルーホール導体のコンタクトに必要な大
きさとするためには、厚いセラミックシート9では、そ
の分だけレーザ光の入射側の主面の開口径D2を大きく
とならければならない。そのため、スルーホール6”が
セラミック層1”のマージン部分やコア部分となる部分
に多く占められることになり、積層電子部品の特性の低
下を招くことになる。
1”を使用するときは、厚さの薄いセラミックシート9
の対応する所定の位置にスルーホール6’をそれぞれ穿
孔しておき、これら複数のセラミックシート9を複数枚
重ねて一層のセラミック層1”とする。これにより、図
5に示すように、セラミック層1”の一方の主面のスル
ーホール6’の開口径はD1となり、同じ厚さの単一層
のセラミックシート9をセラミック層1”として使用し
た場合に比べ、開口径を約1/nとすることができる。
ここでnは、セラミック層1”を構成するセラミックシ
ート9の積層数であり、例えば図5ではn=3である。
が大きいと、その分だけセラミック層1”のコアとなる
部分やその外側のマージン部分の容積が減殺され、イン
ダクタ等の積層電子部品の特性の低下を招く。例えば、
インダクタの場合では、Q値の低下等を招くことにな
る。
ト9の対応する所定の位置にスルーホール6’をそれぞ
れ穿孔しておき、これら複数のセラミックシート9を複
数枚重ねて一層のセラミック層1”とすることにより、
この問題を解決することができる。
インダクタの積層体11の他の実施形態を示すものであ
る。この実施形態では、半巻分の内部電極5a〜5dを
有する1層のセラミック層1の間に、それぞれ1層のセ
ラミック層1”が介在されている点で、図1に示した実
施形態と異なる。
ラミック層1、1…に設けられた内部電極5a〜5d
は、それらセラミック層1、1…とその間のセラミック
層1”に設けられたスルーホール6’のスルーホール導
体を介して順次接続され、積層体11の内部でコイル状
に連なっている。そして、内部電極5a〜5dの半巻分
毎に内部電極を有さず、積層されたセラミック層1、1
…の内部電極5a〜5dを接続するためのスルーホール
6’のみを有する1層のセラミック層1”が介在され
る。それ以外は、図1に示した実施形態と同じである。
また、内部電極5a〜5dの半巻分毎に内部電極を有し
ない1層のセラミック層1”が介在されるため、半巻分
ずつの内部電極5a〜5dの対向間隔がセラミック層
1”によって広がり、その間の静電容量が小さくなる。
従って、浮遊容量が小さい積層インダクタを得ることが
できる。
5dの総巻数がより少なくときは、セラミック層1、1
の間のセラミック層1”の介在層数をより多くし、複数
層のセラミック層1”を介在させるようにする。また、
この実施形態においても、前述の図4及び図5に示した
実施形態と同様にして、厚さの薄いセラミックシート9
の対応する所定の位置にスルーホール6’をそれぞれ穿
孔しておき、これら複数のセラミックシート9を複数枚
重ねて一層のセラミック層1”としたものを使用するこ
とができる。
実施形態として、積層複合電子部品としての積層LC部
品に本発明を適用した例を示している。積層体11のお
ける図8の左側のインダクタ部分は、図1に示した実施
形態と同じであるため、詳細な説明は省略する。
ては、前述の磁性体セラミックグリーンシートの他に、
酸化チタン等の誘電体粉末を含む誘電体セラミックグリ
ーンシートを用意し、銀ペースト等の導電ペーストを使
用し、この誘電体セラミックグリーンシートの一部に内
部電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷する。
製造したのと同様してにして積層された磁性体セラミッ
クグリーンシートの上に、内部電極が印刷されていない
誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層し、この
上に互いにずれた内部電極パターンを有するセラミック
グリーンシートを交互に積層する。この内部電極を有す
る誘電体セラミックグリーンシートを必要とする静電容
量により、適当な枚数積層する。さらにこの誘電体セラ
ミックグリーンシートの上に、内部電極パターンが印刷
されていない誘電体セラミックグリーンシートを積層す
る。
セラミックグリーンシートとの積層順序は、前後しても
よい。すなわち、誘電体セラミックグリーンシートを予
め積層し、その上に磁性体セラミックグリーンシートを
積層するができるのは、言うまでもない。この積層体を
圧着した後、個々のチップ毎に裁断し、この未焼成の積
層チップを焼成しすることにより、焼成済みの積層体1
1を得る。
分解してして示したのが図8である。図8に示すよう
に、この積層体11は、複数のセラミック層1、1’、
1”、7、7’が積層され、一体となったものである。
磁性体セラミック層1、1…には、周回状の内部電極5
a〜5dが形成され、その1巻分のセラミック層1、1
の間にスルーホール6’、6’のみを有する2層のセラ
ミック層1”、1”が介在されている。
1、1…に設けられた内部電極5a〜5dは、それらセ
ラミック層1、1…とその間のセラミック層1”、1”
に設けられたスルーホール6、6’のスルーホール導体
を介して順次接続され、積層体11の内部でコイル状に
連なっている。
1、1…のうち、図8において上下の端のセラミック層
1、1に形成された内部電極積5c、5dの端部は、積
層体11の対向する一対の端面にそれぞれ導出した引出
電極4、4となっている。前記内部電極5a〜5dが形
成されたセラミック層1、1…の両側に、内部電極が形
成されていないセラミック層1’、1’…、いわゆるブ
ランクのセラミック層1’、1’…が積層されている。
の上に、内部電極8a、8bを有していない、いわゆる
ブランクの誘電体セラミック層7’が積層され、この上
に内部電極8a、8bを有する誘電体セラミック層7、
7…が積層され、さらにこの上に内部電極8a、8bを
有していない誘電体セラミック層7’が積層されてい
る。誘電体セラミック層7、7…に設けられた内部電極
8a、8bは、同セラミック層7、7…を介して対向し
ている共に、前記内部電極5e、5dが導出された積層
体11の対向する一対の端面に交互に導出されている。
ックインダクタと同様に、積層体11の両端に図2に示
すような外部電極14、14が形成さる。これにより、
インダクタ部分とコンデンサ部分とが並列に接続された
LC部品が構成される。この積層LC部品でも、前述と
同様にしてインダクタ部分の浮遊容量を小さく抑えるこ
とができる。
4及び図5に示した実施形態と同様にして、厚さの薄い
セラミックシート9の対応する所定の位置にスルーホー
ル6’をそれぞれ穿孔しておき、これら複数のセラミッ
クシート9を複数枚重ねて一層のセラミック層1”とし
たものを使用することができる。
インダクタの他の実施形態を示すもので、積層体11の
積層構造を示している。前記の実施態様は、何れも外部
電極14、14が対向した方向と直交する方向に複数の
セラミック層1、1…、1’、1’…、1”、1”…を
積層し、外部電極14,14とコイル状の内部電極5a
〜5dとの接続は、両端の内部電極5c、4dに連ねた
引出電極4、4を介して成されている。
前記セラミック層1、1…、1’、1’…、1”、1”
…を一対の外部電極14、14(図10参照)が対向し
た方向に積層している。この積層体では、内部電極5
a、5bを有しない、積層体11の両端に積層されるブ
ランクのセラミック層1’、1’にスルーホール6”、
6”を設け、このスルーホール6”、6”にスルーホー
ル導体を充填している。
1’、1’の間にあるセラミック層1、1…に形成され
た内部電極5a、5bは、前述の実施形態のものと同様
であり、コイルの半巻分のものである。これら内部電極
5a、5bを有するセラミック層1、1の平面図をそれ
ぞれ図11(a)と(b)に示す。
る各セラミック層1、1…の間には、内部電極5a、5
bを有しておらず、スルーホール6’のみを有するセラ
ミック層1”が介在されている。このセラミック層1”
の平面図を図11(c)に示す。図9の例では、1巻分
の内部電極5a、5bを有する2層のセラミック層1、
1の間にそれぞれ2層のセラミック層1”、1”が介在
されている。このセラミック層1”、1”に設けられた
スルーホール6’、6’は、図1においてそのセラミッ
ク層1”,1”の上に積層されるセラミック層1に設け
られたスルーホール6の位置と対応している。
1、1…に設けられた内部電極5a、5bは、それらセ
ラミック層1、1…とその間のセラミック層1”、1”
に設けられたスルーホール6、6’のスルーホール導体
を介して順次接続され、積層体11の内部で重畳して周
回するようコイル状に連なっている。
れたセラミック層1、1…及びスルーホール6’、6’
…を有するセラミック層1”、1”…の両側に、内部電
極が形成されておらず、スルーホール6”を有するセラ
ミック層1’、1’…、いわゆるブランクのセラミック
層1’、1’…が積層されている。そして最も外側に前
記のスルーホール6”にスルーホール導体が充填された
ブランクのセラミック層1’、1’が積層されている。
このブランクのセラミック層1’の平面図を図11
(d)に示す。
1のスルーホール6”、6”のスルーホール導体が導出
されたセラミック層1’、1’側の端部に銀ペースト等
の導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必要
に応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施し
て外部電極14、14が形成される。この外部電極1
4、14は、積層体11の最も外側のセラミック層
1’、1’のスルーホール6”、6”に充填されたスル
ーホール導体に電気的に接続される。これにより、図示
の例では、内部電極5a、5bにより形成されるインダ
クタの両端に外部電極14、14が接続された状態とな
る。図10において、セラミック層1、1’の積層状態
を二点鎖線で示す。
クタでも、内部電極5a、5bの1巻分毎に内部電極を
有しない2層のセラミック層1”、1”が介在されるた
め、1巻分ずつの内部電極5a、5bの対向間隔が2層
のセラミック層1”、1”によって広がり、その間で取
得される静電容量が小さくなる。従って、比較的薄いセ
ラミック層1、1…、1’、1’…、1”、1”…によ
り、内部電極5a、5bの巻数が比較的少ない積層セラ
ミックインダクタを作った場合でも、浮遊容量を小さく
抑えることができる。この実施形態においても、内部電
極5a〜5dの総巻数がより少なくときは、セラミック
層1、1の間のセラミック層1”の介在層数をより多く
し、複数層のセラミック層1”を介在させるようにす
る。
形態と同様に、前記セラミック層1、1…、1’、1’
…、1”、1”…を一対の外部電極14、14(図10
参照)が対向した方向に積層している。但しこの実施形
態では、前述の図4及び図5に示した実施形態と同様に
して、厚さの薄いセラミックシート9の対応する所定の
位置にスルーホール6’をそれぞれ穿孔しておき、これ
ら複数のセラミックシート9を複数枚重ねて一層のセラ
ミック層1”としたものを使用している。その他の点
は、図9〜図11に示した実施形態と同様である。
様に、前記セラミック層1、1…、1’、1’…、
1”、1”…を一対の外部電極14、14(図10参
照)が対向した方向に積層している。但しこの実施形態
では、半巻分の内部電極5a、5bを有する1層のセラ
ミック層1毎に、それぞれ1層のセラミック層1”が介
在されている点で前記図9に示す実施形態と異なってい
る。それ以外は、図9に示した実施形態と同じである。
クタでも、内部電極5a、5bの半巻分毎に内部電極を
有しない1層のセラミック層1”が介在されるため、半
巻分ずつの内部電極5a、5bの対向間隔がセラミック
層1”によって広がり、その間の静電容量が小さくな
る。従って、浮遊容量が小さい積層インダクタを得るこ
とができる。
5dの総巻数がより少なくときは、セラミック層1、1
の間のセラミック層1”の介在層数をより多くし、複数
層のセラミック層1”を介在させるようにする。またこ
の実施形態においても、前述の図12に示した実施形態
と同様にして、厚さの薄いセラミックシート9の対応す
る所定の位置にスルーホール6’をそれぞれ穿孔してお
き、これら複数のセラミックシート9を複数枚重ねて一
層のセラミック層1”としたものを使用することができ
る。
ール導体を有するセラミック層1’が最も外側の内部電
極5a、5bを有するセラミック層1の外側だけでな
く、内部電極5a〜5dを有するセラミック層1の間に
もスルーホール導体を有するセラミック層1”が挿入さ
れる。このため、最も外側の内部電極5a、5bを有す
るセラミック層1の外側に積層されるスルーホール導体
を有するセラミック層1’の層数をその分だけ少なくす
ることができ、外部電極14、14に近い部分にスルー
ホール導体が集中するが避けられる。これにより、積層
体11の抗折強度を低下させなくて済む。
の導体成分として銀粉末を使用したものを使用したが、
導電ペーストとしてはこの他に、銅、ニッケル、パラジ
ウム或いはそれらの合金等を使用したものでも本発明を
同様に適用することができる。また前述の実施形態で
は、シートラミネート法による積層電子部品の製造方法
を例として説明したが、スラリビルト法においても、ほ
ぼ同様にして本発明を適用することができる。未焼成の
セラミックの積層体を得る工程において、既に形成され
たセラミックグリーンシートを積層していくか、セラミ
ックペーストを重ね塗りしていくかの点が異なる。また
スラリビルト法において、内部電極をコイル状に連なる
ように接続するのは前記のようなスルーホール導体では
なく、内部電極の接続しようとする端部を除く部分にセ
ラミックペーストを塗布しながら積層体を作る点で異な
っている。それ以外に基本的には異なるところは無い。
4、14の焼き付けは同時であってもよい。すなわち、
未焼成11の積層体の端部に予め外部電極14、14を
形成するための導電ペーストを塗布しておき、この導電
ペーストの焼き付けと積層体11の焼成とを同時に行う
ものである。但しこの場合は、高温焼成可能な導電ペー
ストを使用することが必要となる。
じ厚さのセラミックグリーンシートを使用してインダク
タンス値が異なる複数のアイテムの積層電子部品を製造
することができる。しかもコイルの巻数が少なく、低イ
ンダクタンス値の積層電子部品を得るに当たり、浮遊容
量を小さくすることが可能となる。これにより、生産効
率の向上と、浮遊容量が問題となる低インダクタンス値
の積層電子部品の特性の保持という相反する要請を同時
に達成することが可能となる。
積層セラミックインダクタの積層体のセラミック層を分
離して示した斜視図である。
ンダクタの外観を示した斜視図である。
ミック層を示す平面図である。
ての積層セラミックインダクタの積層体のセラミック層
を分離して示した斜視図である。
いセラミック層の例を示す要部縦断側面図である。
クシートとのそれぞれレーザ加工によりスルーホールを
穿孔した状態の例を示す要部縦断側面図である。
ての積層セラミックインダクタの積層体のセラミック層
を分離して示した斜視図である。
ての積層LC複合部品の積層体のセラミック層を分離し
て示した斜視図である。
ての積層セラミックインダクタの積層体のセラミック層
を分離して示した斜視図である。
インダクタの外観を示した斜視図である。
ラミック層を示す平面図である。
しての積層セラミックインダクタの積層体のセラミック
層を分離して示した斜視図である。
しての積層セラミックインダクタの積層体のセラミック
層を分離して示した斜視図である。
の積層体のセラミック層を分離して示した斜視図であ
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 複数層のセラミック層(1)、(1’)
を積層した積層体(11)と、この積層体(11)のセ
ラミック層(1)の層間に形成され、同積層体(11)
の内部でコイル状に連なるよう順次接続された内部電極
(5a)〜(5d)と、少なくとも一部の内部電極(5
e)、(5d)に接続されるよう積層体(11)の端部
に設けられた外部電極(14)とを有する積層電子部品
において、内部電極(5a)〜(5d)を有するセラミ
ック層(1)、(1)の間に介在された内部電極(5
a)〜(5d)を有しないセラミック層(1”)と、こ
のセラミック層(1”)の両側に隣接して積層された前
記セラミック層(1)、(1)に形成された内部電極
(5a)〜(5d)をコイル状に連ねるよう接続する接
続手段とを有することを特徴とする積層電子部品。 - 【請求項2】 複数層のセラミック層(1)、(1’)
を積層した積層体(11)と、この積層体(11)のセ
ラミック層(1)の層間に形成され、同積層体(11)
の内部でコイル状に連なるよう順次接続された内部電極
(5a)〜(5d)と、少なくとも一部の内部電極(5
e)、(5d)に接続されるよう積層体(11)の端部
に設けられた外部電極(14)とを有する積層電子部品
において、内部電極(5a)〜(5d)を有するセラミ
ック層(1)、(1)の間に介在された内部電極(5
a)〜(5d)を有しないセラミック層(1”)と、こ
のセラミック層(1”)に設けられ、その両側に隣接し
て積層された前記セラミック層(1)、(1)に形成さ
れた内部電極(5a)〜(5d)をコイル状に連ねるよ
う接続するスルーホール導体が充填されたスルーホール
(6’)とを有することを特徴とする積層電子部品。 - 【請求項3】 内部電極(5a)〜(5d)を有しない
セラミック層(1”)が複数枚のセラミックシート
(9)を積み重ねて一層としたものであることを特徴と
する請求項2に記載の積層電子部品。 - 【請求項4】 内部電極(5a)〜(5d)を有しない
セラミック層(1”)を構成する複数枚のセラミックシ
ート(9)の対応する位置に予めスルーホール(6’)
が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の積
層電子部品。 - 【請求項5】 セラミックシート(9)のスルーホール
(6’)は、レーザ加工により穿孔されたものであるこ
とを特徴とする請求項4に記載の積層電子部品。 - 【請求項6】 内部電極(5a)〜(5d)を有しない
セラミック層(1”)が、内部電極(5a)〜(5d)
の1巻分のセラミック層(1)、(1)の間に介在され
ていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の
積層電子部品。 - 【請求項7】 内部電極(5a)〜(5d)を有しない
セラミック層(1”)が、内部電極(5a)〜(5d)
の半巻分のセラミック層(1)の間に介在されているこ
とを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の積層電子
部品。 - 【請求項8】 積層体(11)のセラミック層(1)、
(1’)、(1”)は、外部電極(14)、(14)が
対向した方向と直交する方向に積層されていることを特
徴とする請求項1〜7の何れかに記載の積層電子部品。 - 【請求項9】 積層体(11)のセラミック層(1)、
(1’)、(1”)は、外部電極(14)、(14)が
対向した方向に積層されていることを特徴とする請求項
174の何れかに記載の積層電子部品。
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