JP2000171295A - Ａｐｄバイアス回路 - Google Patents
Ａｐｄバイアス回路Info
- Publication number
- JP2000171295A JP2000171295A JP10344633A JP34463398A JP2000171295A JP 2000171295 A JP2000171295 A JP 2000171295A JP 10344633 A JP10344633 A JP 10344633A JP 34463398 A JP34463398 A JP 34463398A JP 2000171295 A JP2000171295 A JP 2000171295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- apd
- temperature
- bias
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/959—Circuit arrangements for devices having potential barriers for devices working in avalanche mode
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＰＤのバイアス電圧を所定温度範囲に亘っ
て最適値を維持する。 【解決手段】 入射光の光強度に応じた光検出信号を出
力するＡＰＤに所定のバイアス電圧を印加するバイアス
回路において、ＡＰＤの周囲温度を検出する温度センサ
ーと、温度センサーの検出信号をデジタル信号に変換す
るＡ／Ｄコンバータと、周囲温度に対するバイアス電圧
Ｖjの変化を補償するように各温度に対応させたアドレ
スに電圧データを予め記憶し、前記デジタル信号によっ
て指定されたアドレスの電圧データを読み出す記憶手段
と、電圧データをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコンバ
ータと、アナログ電圧に基づいてＡＰＤに供給するバイ
アス電圧Ｖjを制御する電圧制御手段とを具備する。
て最適値を維持する。 【解決手段】 入射光の光強度に応じた光検出信号を出
力するＡＰＤに所定のバイアス電圧を印加するバイアス
回路において、ＡＰＤの周囲温度を検出する温度センサ
ーと、温度センサーの検出信号をデジタル信号に変換す
るＡ／Ｄコンバータと、周囲温度に対するバイアス電圧
Ｖjの変化を補償するように各温度に対応させたアドレ
スに電圧データを予め記憶し、前記デジタル信号によっ
て指定されたアドレスの電圧データを読み出す記憶手段
と、電圧データをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコンバ
ータと、アナログ電圧に基づいてＡＰＤに供給するバイ
アス電圧Ｖjを制御する電圧制御手段とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＰＤに直流のバ
イアス電圧を印加するＡＰＤバイアス回路に関する。
イアス電圧を印加するＡＰＤバイアス回路に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光検出
器として用いられるＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダ
イオード）の利得Ｍは、逆バイアス電圧と温度と関数と
して与えられる。したがって、検出した光信号のビット
誤り率に影響がないように、バイアス電圧を温度補償し
てＳＮ比を一定に維持する必要がある。
器として用いられるＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダ
イオード）の利得Ｍは、逆バイアス電圧と温度と関数と
して与えられる。したがって、検出した光信号のビット
誤り率に影響がないように、バイアス電圧を温度補償し
てＳＮ比を一定に維持する必要がある。
【０００３】図５は、ＡＰＤに係わる従来のバイアス回
路である。このバイアス回路では、入射光信号の強度が
増大すると、通過電流が増加するので抵抗Ｒにおける電
圧降下が増大し、バイアス電圧Ｖｊが抵抗Ｒに並列接続
されたツェナー・ダイオードＺＤのクランプ電圧するま
で、つまりＶａ−Ｖｚｄまで下がる（図６参照）。しか
し、この回路は、ツェナー・ダイオードＺＤによって強
い入射光信号によるダメージからＡＰＤを保護すること
ができるが、バイアス電圧の温度補償をしていないの
で、広い温度範囲に亘って最適のバイアス電圧を維持す
ることができないという問題点がある。
路である。このバイアス回路では、入射光信号の強度が
増大すると、通過電流が増加するので抵抗Ｒにおける電
圧降下が増大し、バイアス電圧Ｖｊが抵抗Ｒに並列接続
されたツェナー・ダイオードＺＤのクランプ電圧するま
で、つまりＶａ−Ｖｚｄまで下がる（図６参照）。しか
し、この回路は、ツェナー・ダイオードＺＤによって強
い入射光信号によるダメージからＡＰＤを保護すること
ができるが、バイアス電圧の温度補償をしていないの
で、広い温度範囲に亘って最適のバイアス電圧を維持す
ることができないという問題点がある。
【０００４】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、ＡＰＤのバイアス電圧を所定温度範囲に亘っ
て最適値を維持することが可能なＡＰＤバイアス回路の
提供を目的としている。
たもので、ＡＰＤのバイアス電圧を所定温度範囲に亘っ
て最適値を維持することが可能なＡＰＤバイアス回路の
提供を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、入射光の光強度に応じた光検出信号を
出力するＡＰＤに所定のバイアス電圧を印加するバイア
ス回路において、ＡＰＤの周囲温度を検出する温度セン
サーと、温度センサーの検出信号をデジタル信号に変換
するＡ／Ｄコンバータと、周囲温度に対するバイアス電
圧Ｖjの変化を補償するように各温度に対応させたアド
レスに電圧データを予め記憶し、前記デジタル信号によ
って指定されたアドレスの電圧データを読み出す記憶手
段と、電圧データをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコン
バータと、アナログ電圧に基づいてＡＰＤに供給するバ
イアス電圧Ｖjを制御する電圧制御手段とを具備する手
段を採用する。
に、本発明では、入射光の光強度に応じた光検出信号を
出力するＡＰＤに所定のバイアス電圧を印加するバイア
ス回路において、ＡＰＤの周囲温度を検出する温度セン
サーと、温度センサーの検出信号をデジタル信号に変換
するＡ／Ｄコンバータと、周囲温度に対するバイアス電
圧Ｖjの変化を補償するように各温度に対応させたアド
レスに電圧データを予め記憶し、前記デジタル信号によ
って指定されたアドレスの電圧データを読み出す記憶手
段と、電圧データをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコン
バータと、アナログ電圧に基づいてＡＰＤに供給するバ
イアス電圧Ｖjを制御する電圧制御手段とを具備する手
段を採用する。
【０００６】また、上記手段において、記憶手段には、
光検出信号の誤り率が各温度において所定の規定誤り率
を満足するように設定された電圧データを記憶するとい
う手段を採用する。
光検出信号の誤り率が各温度において所定の規定誤り率
を満足するように設定された電圧データを記憶するとい
う手段を採用する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わるＡＰＤバイアス回路の一実施形態について説明す
る。
係わるＡＰＤバイアス回路の一実施形態について説明す
る。
【０００８】図１は、本実施形態の構成を示す回路図で
ある。この図に示すように、本ＡＰＤバイアス回路は、
ＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダイオード）１のアノ
ード端子はプリアンプ２の入力端に接続され、そのカソ
ード端子は抵抗Ｒを介してトランジスタ３（電圧制御手
段）のエミッタ端子に接続されている。また、トランジ
スタ３のコレクタ端子は電源４に接続され、ベース端子
はデジタル温度補償回路５に接続されている。
ある。この図に示すように、本ＡＰＤバイアス回路は、
ＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダイオード）１のアノ
ード端子はプリアンプ２の入力端に接続され、そのカソ
ード端子は抵抗Ｒを介してトランジスタ３（電圧制御手
段）のエミッタ端子に接続されている。また、トランジ
スタ３のコレクタ端子は電源４に接続され、ベース端子
はデジタル温度補償回路５に接続されている。
【０００９】すなわち、ＡＰＤ１は、抵抗Ｒを介してト
ランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaによって逆バイアスさ
れた状態とされると共に、アノード端子から光検出信号
が取り出されてプリアンプ２に入力されるようになって
いる。そして、トランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaは、
トランジスタ３のベース電圧、つまりデジタル温度補償
回路５からトランジスタ３のベース端子に印加される電
圧によって制御されるように構成されている。
ランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaによって逆バイアスさ
れた状態とされると共に、アノード端子から光検出信号
が取り出されてプリアンプ２に入力されるようになって
いる。そして、トランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaは、
トランジスタ３のベース電圧、つまりデジタル温度補償
回路５からトランジスタ３のベース端子に印加される電
圧によって制御されるように構成されている。
【００１０】上記デジタル温度補償回路５は、温度セン
サ５ａ、Ａ／Ｄコンバータ５ｂ、ＲＯＭ５ｃ（記憶手
段）及びＤ／Ａコンバータ５ｄから構成されている。温
度センサ５ａによって検出された周囲温度の検出信号
は、Ａ／Ｄコンバータ５ｂによってデジタル信号に変換
されてＲＯＭ５ｃに入力される。このデジタル信号は、
ＲＯＭ５ｃのアドレス（温度アドレス）を指定するもの
であり、上記デジタル信号をＲＯＭ５ｃに入力すると、
このデジタル信号によって指定された温度アドレスの電
圧データが読み出されてＤ／Ａコンバータ５ｄに供給さ
れるようになっている。Ｄ／Ａコンバータ５ｄは、この
電圧データをアナログ電圧に変換してトランジスタ３の
ベース端子に供給される。
サ５ａ、Ａ／Ｄコンバータ５ｂ、ＲＯＭ５ｃ（記憶手
段）及びＤ／Ａコンバータ５ｄから構成されている。温
度センサ５ａによって検出された周囲温度の検出信号
は、Ａ／Ｄコンバータ５ｂによってデジタル信号に変換
されてＲＯＭ５ｃに入力される。このデジタル信号は、
ＲＯＭ５ｃのアドレス（温度アドレス）を指定するもの
であり、上記デジタル信号をＲＯＭ５ｃに入力すると、
このデジタル信号によって指定された温度アドレスの電
圧データが読み出されてＤ／Ａコンバータ５ｄに供給さ
れるようになっている。Ｄ／Ａコンバータ５ｄは、この
電圧データをアナログ電圧に変換してトランジスタ３の
ベース端子に供給される。
【００１１】このように構成されたＡＰＤバイアス回路
では、温度センサ５ａによって検出される周囲温度に応
じてトランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaを設定すること
が可能である。すなわち、周囲温度に対するバイアス電
圧Ｖjの変化を補償するように、電圧データを温度アド
レス（すなわち周囲温度）に対応させてＲＯＭ５ｃに記
憶させておくことにより、バイアス電圧Ｖjの温度変化
を補償することができる。
では、温度センサ５ａによって検出される周囲温度に応
じてトランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaを設定すること
が可能である。すなわち、周囲温度に対するバイアス電
圧Ｖjの変化を補償するように、電圧データを温度アド
レス（すなわち周囲温度）に対応させてＲＯＭ５ｃに記
憶させておくことにより、バイアス電圧Ｖjの温度変化
を補償することができる。
【００１２】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。図２に示すように、本実施形態のＡＰＤバイアス
回路図は、抵抗Ｒに並列にツェナー・ダイオードＺＤを
付加すると共に、デジタル温度補償回路５にＲＯＭ５ｃ
の動作を制御するコントローラ５ｅを付加してデジタル
温度補償回路５’としたものである。
する。図２に示すように、本実施形態のＡＰＤバイアス
回路図は、抵抗Ｒに並列にツェナー・ダイオードＺＤを
付加すると共に、デジタル温度補償回路５にＲＯＭ５ｃ
の動作を制御するコントローラ５ｅを付加してデジタル
温度補償回路５’としたものである。
【００１３】図３は、本ＡＰＤバイアス回路の作動を示
すフローチャートである。温度とＡＰＤ１に入射する光
の光強度が設定され（ステップＳ１，Ｓ２）、続いて電
圧データが「０」に初期設定される（ステップＳ３）。
そして、例えばプリアンプ２の出力においてＡＰＤ１に
よって検出された検出光の強度信号（光検出信号）の誤
り率が測定される（ステップＳ４）。
すフローチャートである。温度とＡＰＤ１に入射する光
の光強度が設定され（ステップＳ１，Ｓ２）、続いて電
圧データが「０」に初期設定される（ステップＳ３）。
そして、例えばプリアンプ２の出力においてＡＰＤ１に
よって検出された検出光の強度信号（光検出信号）の誤
り率が測定される（ステップＳ４）。
【００１４】そして、この誤り率が規定誤り率を満たし
ていない場合（ステップＳ５）、コントローラ５ｅは、
エミッタ電圧Ｖａを増加させるようにＲＯＭ５ｃからＤ
／Ａコンバータ５ｄに出力する電圧データを「１」増加
させ（ステップＳ６）、再度上記誤り率を測定すること
を繰り返す。この結果、誤り率が規定誤り率を満たす状
態になると、所望温度範囲の全ての温度について電圧デ
ータの設定が終了していなければ（ステップＳ７）、こ
のときにＲＯＭ５ｃからＤ／Ａコンバータ５ｄに出力さ
れている修正された電圧データ（ステップＳ８）が、上
記温度センサー５ａに基づいて設定された温度アドレス
に書き込まれる（ステップＳ９）。
ていない場合（ステップＳ５）、コントローラ５ｅは、
エミッタ電圧Ｖａを増加させるようにＲＯＭ５ｃからＤ
／Ａコンバータ５ｄに出力する電圧データを「１」増加
させ（ステップＳ６）、再度上記誤り率を測定すること
を繰り返す。この結果、誤り率が規定誤り率を満たす状
態になると、所望温度範囲の全ての温度について電圧デ
ータの設定が終了していなければ（ステップＳ７）、こ
のときにＲＯＭ５ｃからＤ／Ａコンバータ５ｄに出力さ
れている修正された電圧データ（ステップＳ８）が、上
記温度センサー５ａに基づいて設定された温度アドレス
に書き込まれる（ステップＳ９）。
【００１５】同様にして、他の温度でも上述した処理が
繰り返し実行されることにより、最終的に、操作上の温
度範囲に亘る温度アドレスに対して、誤り率が規定誤り
率を満たすように設定された電圧データがＲＯＭ５ｃに
書き込まれる。
繰り返し実行されることにより、最終的に、操作上の温
度範囲に亘る温度アドレスに対して、誤り率が規定誤り
率を満たすように設定された電圧データがＲＯＭ５ｃに
書き込まれる。
【００１６】このようにして電圧データがＲＯＭ５ｃに
一旦書き込まれると、ＡＰＤ１の使用中では温度センサ
ー５ａよってＡＰＤ１の周囲温度が感知され、この周囲
温度によって指定された温度アドレスの電圧データがＲ
ＯＭ５ｃから読み出されてＤ／Ａ変換機５ｄに供給さ
れ、この結果トランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaが調節
され、最終的にバイアス電圧Ｖjが光検出信号の誤り率
が規定誤り率を満たす最適状態に調整される。
一旦書き込まれると、ＡＰＤ１の使用中では温度センサ
ー５ａよってＡＰＤ１の周囲温度が感知され、この周囲
温度によって指定された温度アドレスの電圧データがＲ
ＯＭ５ｃから読み出されてＤ／Ａ変換機５ｄに供給さ
れ、この結果トランジスタ３のエミッタ電圧Ｖaが調節
され、最終的にバイアス電圧Ｖjが光検出信号の誤り率
が規定誤り率を満たす最適状態に調整される。
【００１７】図４は、本実施形態におけるバイアス電圧
Ｖjのシミュレーション結果である。回路温度に応じて
バイアス電圧Ｖjを異なる値に補償し、光検出信号の誤
り率が規定誤り率を満たすように最適のバイアス電圧Ｖ
jに設定されている。
Ｖjのシミュレーション結果である。回路温度に応じて
バイアス電圧Ｖjを異なる値に補償し、光検出信号の誤
り率が規定誤り率を満たすように最適のバイアス電圧Ｖ
jに設定されている。
【００１８】上記各実施形態によれば、ＡＰＤ１の伝達
関数上の温度効果をデジタル式に補償し、光検出信号の
ビット誤り率が規定誤り率を満たすように光検出信号の
ＳＮ比を維持することができる。すなわち、ＡＰＤ１を
搭載する部品や装置をバイアス電圧ＶjとＡＰＤ１の利
得要素を手動調整する必要がなく、製造することができ
る。
関数上の温度効果をデジタル式に補償し、光検出信号の
ビット誤り率が規定誤り率を満たすように光検出信号の
ＳＮ比を維持することができる。すなわち、ＡＰＤ１を
搭載する部品や装置をバイアス電圧ＶjとＡＰＤ１の利
得要素を手動調整する必要がなく、製造することができ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるＡ
ＰＤバイアス回路によれば、所望の温度範囲に亘ってバ
イアス電圧の温度変化が自動的に補償されるので、光検
出信号のＳＮ比を所定の値に維持することができる。し
たがって、バイアス電圧Ｖjを手動調整することなく、
ＡＰＤを搭載する部品や装置を製造することができる。
ＰＤバイアス回路によれば、所望の温度範囲に亘ってバ
イアス電圧の温度変化が自動的に補償されるので、光検
出信号のＳＮ比を所定の値に維持することができる。し
たがって、バイアス電圧Ｖjを手動調整することなく、
ＡＰＤを搭載する部品や装置を製造することができる。
【図１】 本発明の一実施形態の機能構成を示す回路図
である。
である。
【図２】 本発明の他の実施形態の機能構成を示す回路
図である。
図である。
【図３】 本発明の他の実施形態の動作を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】 本発明の他の実施形態におけるバイアス電圧
の変化特性を示すグラフである。
の変化特性を示すグラフである。
【図５】 従来のＡＰＤバイアス回路の一例を示す回路
図である。
図である。
【図６】 従来のＡＰＤバイアス回路におけるバイアス
電圧の変化特性を示すグラフである。
電圧の変化特性を示すグラフである。
１……ＡＰＤ（アバランシェ・フォト・ダイオード） ２……プリアンプ ３……トランジスタ（電圧制御手段） ４……電源 ５，５’……デジタル温度補償回路 ５ａ……温度センサー ５ｂ……Ａ／Ｄコンバータ ５ｃ……ＲＯＭ（記憶手段） ５ｄ……Ｄ／Ａコンバータ ５ｅ……コントローラ Ｒ……抵抗 ＺＤ……ツェナー・ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 入射光の光強度に応じた光検出信号を出
力するＡＰＤ（１）に所定のバイアス電圧を印加するバ
イアス回路であって、 ＡＰＤ（１）の周囲温度を検出する温度センサー（５
ａ）と、 前記温度センサー（５ａ）の検出信号をデジタル信号に
変換するＡ／Ｄコンバータ（５ｂ）と、 前記周囲温度に対するバイアス電圧Ｖjの変化を補償す
るように各温度に対応させたアドレスに電圧データを予
め記憶し、前記デジタル信号によって指定されたアドレ
スの電圧データを読み出す記憶手段（５ｃ）と、 前記電圧データをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコンバ
ータ（５ｄ）と、 前記アナログ電圧に基づいてＡＰＤ（１）に供給するバ
イアス電圧Ｖjを制御する電圧制御手段（３）と、 を具備することを特徴とするＡＰＤバイアス回路。 - 【請求項２】 記憶手段（５ｃ）は、光検出信号の誤り
率が各温度において所定の規定誤り率を満足するように
設定された電圧データを記憶することを特徴とする請求
項１記載のＡＰＤバイアス回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344633A JP2000171295A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Ａｐｄバイアス回路 |
| EP99123214A EP1006591A2 (en) | 1998-12-03 | 1999-11-25 | Circuit, method and record medium for applying DC bias voltage to avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344633A JP2000171295A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Ａｐｄバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171295A true JP2000171295A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18370780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10344633A Pending JP2000171295A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Ａｐｄバイアス回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1006591A2 (ja) |
| JP (1) | JP2000171295A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346365C (zh) * | 2002-10-04 | 2007-10-31 | 菲尼萨公司 | 用于补偿光电检测器的方法及装置 |
| CN105743340A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-07-06 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路 |
| US12123773B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-10-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Voltage control system |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7155133B2 (en) * | 2002-02-12 | 2006-12-26 | Finisar Corporation | Avalanche photodiode controller circuit for fiber optics transceiver |
| RU2239205C2 (ru) * | 2002-07-15 | 2004-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное конструкторское бюро точного приборостроения" Российского агентства по обычным вооружениям | Устройство для обнаружения оптических и оптико-электронных приборов (варианты) |
| ATE336140T1 (de) * | 2002-12-09 | 2006-09-15 | Quantum Semiconductor Llc | Schaltung für bildsensoren mit lawinenphotodioden |
| RU2248670C2 (ru) * | 2003-04-03 | 2005-03-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Катарсис" | Устройство включения лавинного фотодиода в приемнике оптического излучения |
| RU2248099C2 (ru) * | 2003-04-25 | 2005-03-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Устройство оптической линии связи |
| RU2251214C1 (ru) * | 2003-08-06 | 2005-04-27 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Бортовой ретранслятор |
| RU2262200C1 (ru) * | 2004-02-09 | 2005-10-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Устройство оптической линии связи |
| RU2292117C1 (ru) * | 2005-05-14 | 2007-01-20 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Бортовой ретранслятор системы связи (варианты) и способ ретрансляции широкополосных сигналов |
| CN100414718C (zh) * | 2006-12-27 | 2008-08-27 | 天津市德力电子仪器有限公司 | 实现apd偏置电压大范围负压的电路 |
| WO2009071930A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Bae Systems Plc | Bias controller |
| DE202008018045U1 (de) | 2008-05-02 | 2011-05-19 | Borosak, Marko | Impulslaserstrahldetektor mit verbesserter Sonnen- und Temperaturkompensation |
| US8309926B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-11-13 | Marko Borosak | Pulsed-laser beam detector with improved sun and temperature compensation |
| CN103837512B (zh) * | 2014-02-10 | 2016-06-29 | 苏州中科医疗器械产业发展有限公司 | 应用于微弱荧光测量的雪崩二极管apd的高压偏置电路 |
| US9529079B1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-12-27 | Google Inc. | Multiplexed multichannel photodetector |
| GB2542811A (en) | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Stmicroelectronics (Research & Development) Ltd | Sensing apparatus having a light sensitive detector |
| JP7454917B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2024-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| US12113088B2 (en) | 2018-12-12 | 2024-10-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detection device |
| CN113167643B (zh) | 2018-12-12 | 2024-05-28 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置及光检测装置的制造方法 |
| EP3988908A4 (en) | 2018-12-12 | 2022-12-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | PHOTOSENSOR AND METHOD FOR MAKING THE PHOTOSENSOR |
| DE102019206317A1 (de) * | 2019-05-03 | 2020-11-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer Photodiode |
| RU2750443C1 (ru) * | 2020-11-26 | 2021-06-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Способ приема сигналов |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP10344633A patent/JP2000171295A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-25 EP EP99123214A patent/EP1006591A2/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346365C (zh) * | 2002-10-04 | 2007-10-31 | 菲尼萨公司 | 用于补偿光电检测器的方法及装置 |
| CN105743340A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-07-06 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路 |
| CN105743340B (zh) * | 2014-12-10 | 2019-01-11 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路 |
| US12123773B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-10-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Voltage control system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1006591A2 (en) | 2000-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000171295A (ja) | Ａｐｄバイアス回路 | |
| EP0913896B1 (en) | Laser diode driving method and circuit | |
| US6313459B1 (en) | Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver | |
| US5530433A (en) | Smoke detector including ambient temperature compensation | |
| US5414280A (en) | Current driven voltage sensed laser drive (CDVS LDD) | |
| US7761013B2 (en) | Optical receiver having bias circuit for avalanche photodiode with wide dynamic range | |
| US4250488A (en) | Device for scanning patterns with a regulated light source | |
| JPH07176782A (ja) | アバランシェフォトダイオードを用いた光検出回路 | |
| JP3329680B2 (ja) | 光センサ | |
| JP4223304B2 (ja) | 光受信器 | |
| EP1182435A2 (en) | Light sensor system and method for detecting ambient light | |
| JP2002084235A (ja) | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 | |
| JPH10276048A (ja) | オフセット補償回路 | |
| US5369462A (en) | Inclination detecting apparatus and camera for detecting hand shake using the same | |
| JP2930100B2 (ja) | 赤外線センサのレベル調整回路 | |
| JPH0690046A (ja) | 光モニタ回路 | |
| JPH1038683A (ja) | 光量検出装置 | |
| JP2536412B2 (ja) | 光ａｇｃ回路 | |
| JP3038255B2 (ja) | カメラの絞り制御装置 | |
| JPS5945087B2 (ja) | 光電素子の感度補正回路 | |
| JP3080435B2 (ja) | カメラの絞り制御装置 | |
| JP3132510B2 (ja) | 光センサ回路 | |
| JP2006156808A (ja) | 光送信モジュールおよび光受信モジュールの製造方法 | |
| JPH0694443A (ja) | ２軸傾きセンサ | |
| JPH08139395A (ja) | 半導体レ−ザ及び光量検出回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |