JP2000164936A - 発光表示装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 174
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 122
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 19
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 21
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 14
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229920003189 Nylon 4,6 Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フルカラー表示ができ、白色表示時にＲＧＢ
の各色の半導体発光素子を用いずに表現でき、さらに出
光を集光して輝度を上げ発光表示装置の表面での輝度を
均一にし、静電気による絶縁破壊を回避する。 【解決手段】 発光表示装置１は、リードフレーム２上
に複数の半導体発光素子４，４ａが載置されるパターン
と電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂとを有し、複
数の半導体発光素子４、パターンおよび配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２が光反射材を混入した樹脂からなるモールド
ケース３で覆われる。半導体発光素子４は、波長変換材
料を混入した波長変換材料混入樹脂５で被着され、波長
変換材料混入樹脂５の表面にはレンズ状透明樹脂６が被
包形成され、さらにダイオード７が逆極性に並列接続さ
れる。リードフレーム２の凹状底部には透明樹脂が充填
される。
の各色の半導体発光素子を用いずに表現でき、さらに出
光を集光して輝度を上げ発光表示装置の表面での輝度を
均一にし、静電気による絶縁破壊を回避する。 【解決手段】 発光表示装置１は、リードフレーム２上
に複数の半導体発光素子４，４ａが載置されるパターン
と電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂとを有し、複
数の半導体発光素子４、パターンおよび配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２が光反射材を混入した樹脂からなるモールド
ケース３で覆われる。半導体発光素子４は、波長変換材
料を混入した波長変換材料混入樹脂５で被着され、波長
変換材料混入樹脂５の表面にはレンズ状透明樹脂６が被
包形成され、さらにダイオード７が逆極性に並列接続さ
れる。リードフレーム２の凹状底部には透明樹脂が充填
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
や波長変換材料混入樹脂で被着した半導体発光素子等を
リードフレーム上に複数設け、特に静電気等に弱い青色
系発光の半導体発光素子に対してダイオードを逆極性に
並列接続し、フルカラで電気的ショックに強い半導体発
光素子の実現を可能にする発光表示装置に関する。
や波長変換材料混入樹脂で被着した半導体発光素子等を
リードフレーム上に複数設け、特に静電気等に弱い青色
系発光の半導体発光素子に対してダイオードを逆極性に
並列接続し、フルカラで電気的ショックに強い半導体発
光素子の実現を可能にする発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフルカラ表示させる発光表示装置
は、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂｌｕｅ）および
緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子、いわゆるＲＢＧ
の三つの半導体発光素子を用いたランプを１ユニットと
するＬＥＤランプを用いたものが知られている。
は、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂｌｕｅ）および
緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子、いわゆるＲＢＧ
の三つの半導体発光素子を用いたランプを１ユニットと
するＬＥＤランプを用いたものが知られている。
【０００３】また、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂ
ｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子の
三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等に設け
たフルカラの発光表示装置も知られている。
ｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子の
三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等に設け
たフルカラの発光表示装置も知られている。
【０００４】さらに、半導体発光素子自身の発光色から
他の発光色を得るため、例えば特開平７−９９３４５号
公報に開示されているように、リードフレームのカップ
状に形成した底部上に半導体発光素子を載置し、カップ
内部に半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する
蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る
発光ダイオードが知られている。
他の発光色を得るため、例えば特開平７−９９３４５号
公報に開示されているように、リードフレームのカップ
状に形成した底部上に半導体発光素子を載置し、カップ
内部に半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する
蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る
発光ダイオードが知られている。
【０００５】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るため、青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲したものも知ら
れている。
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るため、青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲したものも知ら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のフルカラ表示さ
せる発光表示装置は、赤色、青色および緑色発光色の半
導体発光素子を３つ用いたランプを１ユニットとして使
用する場合には、発光表示装置が大型化なってしまうと
いう課題がある。しかも、互いの半導体発光素子間の距
離があるので、混合色が得にくく、混合色のばらつきや
画面色が粗くなってしまう課題もある。
せる発光表示装置は、赤色、青色および緑色発光色の半
導体発光素子を３つ用いたランプを１ユニットとして使
用する場合には、発光表示装置が大型化なってしまうと
いう課題がある。しかも、互いの半導体発光素子間の距
離があるので、混合色が得にくく、混合色のばらつきや
画面色が粗くなってしまう課題もある。
【０００７】また、従来の発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青
色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光
素子の三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等
に設けたフルカラの発光表示装置では、白色の発光色を
得る場合に赤色、青色および緑色等全ての半導体発光素
子に電荷を供給しなければ成らないので、電力消費が大
きく、省エネルギに対する課題や携帯機器等のバッテリ
必要スペースに対する課題がある。
色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光
素子の三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等
に設けたフルカラの発光表示装置では、白色の発光色を
得る場合に赤色、青色および緑色等全ての半導体発光素
子に電荷を供給しなければ成らないので、電力消費が大
きく、省エネルギに対する課題や携帯機器等のバッテリ
必要スペースに対する課題がある。
【０００８】さらに、特開平７−９９３４５号公報に開
示されているように、リードフレームのカップ状に形成
した底部上に載置した半導体発光素子に波長変換する蛍
光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る発
光ダイオードは、リードフレーム材料自身でカップを形
成するため、複数の電気的パターンが作成できず、単一
の電極となってしまう。その結果、複数の半導体発光素
子の載置ができず、さらに単色の半導体発光素子のみの
ために混合色が得にくい課題がある。
示されているように、リードフレームのカップ状に形成
した底部上に載置した半導体発光素子に波長変換する蛍
光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る発
光ダイオードは、リードフレーム材料自身でカップを形
成するため、複数の電気的パターンが作成できず、単一
の電極となってしまう。その結果、複数の半導体発光素
子の載置ができず、さらに単色の半導体発光素子のみの
ために混合色が得にくい課題がある。
【０００９】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るために青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲した構成では、
波長変換材料の使用量が多くなってしまうとともに波長
変換材料の分散分布の安定性に課題がある。
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るために青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲した構成では、
波長変換材料の使用量が多くなってしまうとともに波長
変換材料の分散分布の安定性に課題がある。
【００１０】さらに、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌ
Ｎ系、ＩｎＧａＮ系等からなる青色発光色の半導体発光
素子は、発光する活性層が静電気等の電気的ショックに
より破壊する課題がある。
Ｎ系、ＩｎＧａＮ系等からなる青色発光色の半導体発光
素子は、発光する活性層が静電気等の電気的ショックに
より破壊する課題がある。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するためな
されたもので、複数の半導体発光素子をリードフレーム
上に載置し、さらに白色光を得るために３つのＲＧＢ半
導体発光素子を用いずに青色発光の半導体発光素子に波
長変換材料を混入した樹脂で被着して白色光を得るとと
もにダイオードを逆極性に並列接続して静電気等に対し
回避した取扱が容易で省エネに優れたフルカラの表示が
行える発光表示装置を提供することにある。
されたもので、複数の半導体発光素子をリードフレーム
上に載置し、さらに白色光を得るために３つのＲＧＢ半
導体発光素子を用いずに青色発光の半導体発光素子に波
長変換材料を混入した樹脂で被着して白色光を得るとと
もにダイオードを逆極性に並列接続して静電気等に対し
回避した取扱が容易で省エネに優れたフルカラの表示が
行える発光表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に係る発光表示装置は、複数の半導体発光素子
の少なくとも１つ以上が波長変換材料を混入した樹脂で
被着されるとともに、ダイオードが逆極性に並列接続さ
れることを特徴とする。
請求項１に係る発光表示装置は、複数の半導体発光素子
の少なくとも１つ以上が波長変換材料を混入した樹脂で
被着されるとともに、ダイオードが逆極性に並列接続さ
れることを特徴とする。
【００１３】請求項１に係る発光表示装置は、複数の半
導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材料を混
入した樹脂で被着するとともに、ダイオードを逆極性に
並列接続するので、ｎ層からなるカソード側に静電気等
の高電荷が加わっても逆極性に並列接続した整流素子に
流れることによって半導体発光素子に電流が流れない。
導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材料を混
入した樹脂で被着するとともに、ダイオードを逆極性に
並列接続するので、ｎ層からなるカソード側に静電気等
の高電荷が加わっても逆極性に並列接続した整流素子に
流れることによって半導体発光素子に電流が流れない。
【００１４】また、請求項２に係る発光表示装置は、複
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材
料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレンズ
状に被包形成されることを特徴とする。
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材
料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレンズ
状に被包形成されることを特徴とする。
【００１５】請求項２に係る発光表示装置は、複数の半
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状に被包
形成したので、少ない数の半導体発光素子でフルカラや
白色光を得られるとともに出射光を集光し輝度を高くす
ることができる。
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状に被包
形成したので、少ない数の半導体発光素子でフルカラや
白色光を得られるとともに出射光を集光し輝度を高くす
ることができる。
【００１６】さらに、請求項３に係る発光表示装置は、
複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレン
ズ状に被包形成されるとともに、底部に透明樹脂が充填
されることを特徴とする。
複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレン
ズ状に被包形成されるとともに、底部に透明樹脂が充填
されることを特徴とする。
【００１７】請求項３に係る発光表示装置は、複数の半
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状に被包
形成するとともに、底部を透明樹脂で充填したので、少
ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得られる
とともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに発光表
示装置の表面での輝度を均一にできる。
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状に被包
形成するとともに、底部を透明樹脂で充填したので、少
ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得られる
とともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに発光表
示装置の表面での輝度を均一にできる。
【００１８】また、請求項４に係る発光表示装置は、複
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材
料を混入した樹脂で被着されるとともに、ダイオードが
逆極性に並列接続され、さらに底部に透明樹脂が充填さ
れることを特徴とする。
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上が波長変換材
料を混入した樹脂で被着されるとともに、ダイオードが
逆極性に並列接続され、さらに底部に透明樹脂が充填さ
れることを特徴とする。
【００１９】請求項４に係る発光表示装置は、複数の半
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂を被着するとともに、ダイオードを逆極性に
並列接続し、さらに底部を透明樹脂で充填したので、少
ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得られる
とともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに発光表
示装置の表面での輝度を均一にでき、またダイオード等
をリードフレームの凹状底部へより強く固定するととも
に、素子等を保護する。
導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材料を混
入した樹脂を被着するとともに、ダイオードを逆極性に
並列接続し、さらに底部を透明樹脂で充填したので、少
ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得られる
とともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに発光表
示装置の表面での輝度を均一にでき、またダイオード等
をリードフレームの凹状底部へより強く固定するととも
に、素子等を保護する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明する。なお、本発明は、半導体発光素
子や波長変換材料を混入した樹脂で被着した半導体発光
素子等をリードフレーム上に複数載置し、各種の発光色
を得るとともにダイオードを逆極性に並列接続して静電
気等に対し回避し、取扱が容易で省エネに優れたフルカ
ラ表示が可能な発光表示装置を提供するものである。
図面に基づき説明する。なお、本発明は、半導体発光素
子や波長変換材料を混入した樹脂で被着した半導体発光
素子等をリードフレーム上に複数載置し、各種の発光色
を得るとともにダイオードを逆極性に並列接続して静電
気等に対し回避し、取扱が容易で省エネに優れたフルカ
ラ表示が可能な発光表示装置を提供するものである。
【００２１】図１は本発明に係る発光表示装置の実施の
形態を示す全体斜視図、図２は図１の発光表示装置の断
面図である。図１及び図２に示すように、本実施の形態
の発光表示装置１は、インジェクションモールド成型さ
れたもので、リードフレーム２、モールドケース３、半
導体発光素子４、波長変換材料混入樹脂５、レンズ状透
明樹脂６、ダイオード７、ワイヤ８、リード端子９およ
び出光窓１０から構成されている。
形態を示す全体斜視図、図２は図１の発光表示装置の断
面図である。図１及び図２に示すように、本実施の形態
の発光表示装置１は、インジェクションモールド成型さ
れたもので、リードフレーム２、モールドケース３、半
導体発光素子４、波長変換材料混入樹脂５、レンズ状透
明樹脂６、ダイオード７、ワイヤ８、リード端子９およ
び出光窓１０から構成されている。
【００２２】リードフレーム２は、導電性および弾性力
のある燐青銅やアルミニウム等の金属薄板からなり、半
導体発光素子４やダイオード７を載置する複数の載置パ
ターンや電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂ等と複
数のリード端子９および図示しない支持枠部等を１ユニ
ットとして、多数ユニットを並設されるようにパンチプ
レス等により形成される。
のある燐青銅やアルミニウム等の金属薄板からなり、半
導体発光素子４やダイオード７を載置する複数の載置パ
ターンや電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂ等と複
数のリード端子９および図示しない支持枠部等を１ユニ
ットとして、多数ユニットを並設されるようにパンチプ
レス等により形成される。
【００２３】リードフレーム２は図示しない金型によっ
て面対称に挟み込まれ、載置パターンや配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２にモールドケース３がインサートモールド成
形される。
て面対称に挟み込まれ、載置パターンや配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２にモールドケース３がインサートモールド成
形される。
【００２４】なお、リードフレーム２は、モールドケー
ス３のインサートモールド成形、半導体発光素子４やダ
イオード７等のチップのマウント、ボンディング、ワイ
ヤ８のボンディング、波長変換材料混入樹脂５の被着、
レンズ状透明樹脂６の被包形成、レンズ状透明樹脂６お
よび凹状底部への透明樹脂の充填等の工程まで全体のフ
レームを保持し、最終的にはリード端子９のみを残して
切断除去される。
ス３のインサートモールド成形、半導体発光素子４やダ
イオード７等のチップのマウント、ボンディング、ワイ
ヤ８のボンディング、波長変換材料混入樹脂５の被着、
レンズ状透明樹脂６の被包形成、レンズ状透明樹脂６お
よび凹状底部への透明樹脂の充填等の工程まで全体のフ
レームを保持し、最終的にはリード端子９のみを残して
切断除去される。
【００２５】モールドケース３は、変成ポリアミド、ポ
リブチレンテレフタレート、ナイロン４６や芳香族系ポ
リエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材
料に、光の反射性を良くするためにチタン酸バリウム等
の白色粉体を混入させたものを加熱して圧力を加え、射
出成型により形成される。
リブチレンテレフタレート、ナイロン４６や芳香族系ポ
リエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材
料に、光の反射性を良くするためにチタン酸バリウム等
の白色粉体を混入させたものを加熱して圧力を加え、射
出成型により形成される。
【００２６】半導体発光素子４，４ｂは、ＧａＰ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の化合物
半導体などからなり、各色を発光する。
Ａｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の化合物
半導体などからなり、各色を発光する。
【００２７】特に青色発光にはＩｎＧａＡｌＰ系、Ｉｎ
ＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系などの半導体発光素子が用
いられ、Ｇａの添加量によって黄緑色から赤色や青色か
ら黄緑色のように、ある範囲において各種の発光色が得
られる。
ＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系などの半導体発光素子が用
いられ、Ｇａの添加量によって黄緑色から赤色や青色か
ら黄緑色のように、ある範囲において各種の発光色が得
られる。
【００２８】なお、図１の例では、波長変換材料混入樹
脂５で被着した素子を半導体発光素子４とし、波長変換
材料混入樹脂５を被着せずに発光色が発光素子のままの
素子を半導体発光素子４ｂとして区別している。
脂５で被着した素子を半導体発光素子４とし、波長変換
材料混入樹脂５を被着せずに発光色が発光素子のままの
素子を半導体発光素子４ｂとして区別している。
【００２９】半導体発光素子４，４ｂは、これら素子の
チップをパターン２ａ，２ｂ等にダイボンダで載置し、
フィラを樹脂に分散させた銀ペースト等により電気的接
続および機械的接続が行われ、対電極側にワイヤーボン
ディングして電気的接続が行われる。
チップをパターン２ａ，２ｂ等にダイボンダで載置し、
フィラを樹脂に分散させた銀ペースト等により電気的接
続および機械的接続が行われ、対電極側にワイヤーボン
ディングして電気的接続が行われる。
【００３０】波長変換材料混入樹脂５は、無機系の蛍光
顔料や有機系の蛍光染料等からなり、無色透明なエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散させたものであ
り、半導体発光素子４を覆うように被着される。これに
より、半導体発光素子４の発光色を他の異なる色に変換
している。波長変換材料混入樹脂５は、例えば緑色発光
の半導体発光素子４からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光
染料を混入した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、
青色発光の半導体発光素子４からの光を緑色蛍光顔料や
緑色蛍光染料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光
が得られる。
顔料や有機系の蛍光染料等からなり、無色透明なエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散させたものであ
り、半導体発光素子４を覆うように被着される。これに
より、半導体発光素子４の発光色を他の異なる色に変換
している。波長変換材料混入樹脂５は、例えば緑色発光
の半導体発光素子４からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光
染料を混入した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、
青色発光の半導体発光素子４からの光を緑色蛍光顔料や
緑色蛍光染料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光
が得られる。
【００３１】なお、赤色蛍光顔料としては、例えばＹ2
Ｏ3 ：ＥｕやＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4 ：Ｅｕ等がある。また、
緑色蛍光顔料としては、例えばＺｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ等
がある。さらに、橙色蛍光顔料としては、ＣａＳｉ
Ｏ3 ：Ｐｂ，ＭｎやＹ3 Ａｌ5 Ｏ 12系等がある。
Ｏ3 ：ＥｕやＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4 ：Ｅｕ等がある。また、
緑色蛍光顔料としては、例えばＺｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ等
がある。さらに、橙色蛍光顔料としては、ＣａＳｉ
Ｏ3 ：Ｐｂ，ＭｎやＹ3 Ａｌ5 Ｏ 12系等がある。
【００３２】また、波長変換材料混入樹脂５は、半導体
発光素子４等の発光した光の吸収により励起されエネル
ギ準位の低い基底状態からエネルギ準位の高い励起状態
に遷移し、基底状態に戻る時に電子エネルギを振動や回
転等の熱エネルギに変化することなく光として放出する
物である。すなわち、波長変換材料混入樹脂５は、一般
にストークスの法則の様に、半導体発光素子４の発光波
長よりも波長変換材料からの発光波長のほうが長い発光
や２段階的な電子励起が励起過程に含まれ、反ストーク
スな半導体発光素子４の発光波長よりも波長変換材料か
らの発光波長のほうが短い発光をも含まれる。
発光素子４等の発光した光の吸収により励起されエネル
ギ準位の低い基底状態からエネルギ準位の高い励起状態
に遷移し、基底状態に戻る時に電子エネルギを振動や回
転等の熱エネルギに変化することなく光として放出する
物である。すなわち、波長変換材料混入樹脂５は、一般
にストークスの法則の様に、半導体発光素子４の発光波
長よりも波長変換材料からの発光波長のほうが長い発光
や２段階的な電子励起が励起過程に含まれ、反ストーク
スな半導体発光素子４の発光波長よりも波長変換材料か
らの発光波長のほうが短い発光をも含まれる。
【００３３】さらに、波長変換材料混入樹脂５は、無色
透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散する
比率によって、エポキシ樹脂部分を透過した半導体発光
素子４本来の色調と波長変換材料で波長変換された色調
との混合によって色度図等に示される色調が得られる。
透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散する
比率によって、エポキシ樹脂部分を透過した半導体発光
素子４本来の色調と波長変換材料で波長変換された色調
との混合によって色度図等に示される色調が得られる。
【００３４】例えば、青色発光の半導体発光素子４から
の光を橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波長変換
材料混入樹脂５に投射すると、青色光と橙色光との混合
によって白色光が得られ、波長変換材料が多い場合には
橙色の色調が濃い光が得られ、波長変換材料が少ない場
合には青色の色調が濃い光が得られる。
の光を橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波長変換
材料混入樹脂５に投射すると、青色光と橙色光との混合
によって白色光が得られ、波長変換材料が多い場合には
橙色の色調が濃い光が得られ、波長変換材料が少ない場
合には青色の色調が濃い光が得られる。
【００３５】レンズ状透明樹脂６は、透明なエポキシ樹
脂等からなり、半導体発光素子４に被着した波長変換材
料混入樹脂５の表面にレンズ状に被包形成される。この
レンズ状透明樹脂６は、半導体発光素子４自身の発光色
と波長変換された発光色とを集光して白色光として光束
を出射する。
脂等からなり、半導体発光素子４に被着した波長変換材
料混入樹脂５の表面にレンズ状に被包形成される。この
レンズ状透明樹脂６は、半導体発光素子４自身の発光色
と波長変換された発光色とを集光して白色光として光束
を出射する。
【００３６】ダイオード７は、半導体発光素子４に対し
て逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパタ
ーン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード
電極側からボンディングワイヤ８でパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子４の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
て逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパタ
ーン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード
電極側からボンディングワイヤ８でパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子４の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
【００３７】また、特にＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡ
ｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静
電気等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近
年半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これらダイオ
ード（整流素子）７の逆極性に並列接続することにより
静電気による絶縁破壊を回避する事が可能である。
ｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静
電気等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近
年半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これらダイオ
ード（整流素子）７の逆極性に並列接続することにより
静電気による絶縁破壊を回避する事が可能である。
【００３８】ワイヤ８は金線等からなり、半導体発光素
子４等のアノード電極とパターン２ｂ等とをボンダによ
って電気的に接続している。同様にダイオード７のアノ
ード電極とパターン２ａとをボンダによって電気的に接
続している。
子４等のアノード電極とパターン２ｂ等とをボンダによ
って電気的に接続している。同様にダイオード７のアノ
ード電極とパターン２ａとをボンダによって電気的に接
続している。
【００３９】リード端子９は、導電性および弾性力のあ
る燐青銅等の銅合金材またはアルミニウム等からなるリ
ードフレームをモールドケース３から直接取り出して形
成される。リード端子９は、例えばパターン２ｂと電気
的に接続されて半導体発光素子４のアノード電極側と等
しく、本発明の発光表示装置としての陽極（＋）として
使用されるように構成される。同様に、パターン２ａと
電気的に接続されたリード端子は半導体発光素子４のカ
ソード電極側と等しく、陰極（−）として使用されるよ
うに構成される。
る燐青銅等の銅合金材またはアルミニウム等からなるリ
ードフレームをモールドケース３から直接取り出して形
成される。リード端子９は、例えばパターン２ｂと電気
的に接続されて半導体発光素子４のアノード電極側と等
しく、本発明の発光表示装置としての陽極（＋）として
使用されるように構成される。同様に、パターン２ａと
電気的に接続されたリード端子は半導体発光素子４のカ
ソード電極側と等しく、陰極（−）として使用されるよ
うに構成される。
【００４０】出光窓１０は、モールドケース３の開口部
であり、キャスティングタイプの場合には、無色透明な
エポキシ樹脂等を充填したフラットな面やレンズ状の凸
面からなり、目的に応じてエポキシ樹脂に光散乱剤を混
入させ、モールドケース３の開口部表面での輝度を均一
にするとともに、半導体発光素子４，４ｂ、ダイオード
７、ワイヤ８および波長変換材料混入樹脂５やレンズ状
透明樹脂６等全体も固定させている。
であり、キャスティングタイプの場合には、無色透明な
エポキシ樹脂等を充填したフラットな面やレンズ状の凸
面からなり、目的に応じてエポキシ樹脂に光散乱剤を混
入させ、モールドケース３の開口部表面での輝度を均一
にするとともに、半導体発光素子４，４ｂ、ダイオード
７、ワイヤ８および波長変換材料混入樹脂５やレンズ状
透明樹脂６等全体も固定させている。
【００４１】また、レンズ状透明樹脂６によって集光作
用を高める場合には、レンズ状透明樹脂６の屈折率より
も低屈折率のエポキシ樹脂等の異屈折率材を用いてより
効率を上げることが可能である。
用を高める場合には、レンズ状透明樹脂６の屈折率より
も低屈折率のエポキシ樹脂等の異屈折率材を用いてより
効率を上げることが可能である。
【００４２】さらに、本発明の発光表示装置の使用目的
による機械的、化学的特性仕様によって、シリコーン樹
脂をモールドケース３の開口部に充填しても良い。
による機械的、化学的特性仕様によって、シリコーン樹
脂をモールドケース３の開口部に充填しても良い。
【００４３】また、モールドケース３内部に樹脂等を充
填しないエアギャップタイプの場合には、モールドケー
ス３内部側面を傾斜させ、反射効率が最大になる様に傾
斜角度を設計する。
填しないエアギャップタイプの場合には、モールドケー
ス３内部側面を傾斜させ、反射効率が最大になる様に傾
斜角度を設計する。
【００４４】さらに、モールドケース３の開口部表面で
の輝度を均一にするために散乱フィルムやコントラスト
を向上するために光学フィルタを用いる場合もある。
の輝度を均一にするために散乱フィルムやコントラスト
を向上するために光学フィルタを用いる場合もある。
【００４５】
【実施例】次に、本発明に係る発光表示装置の実施例に
ついて説明する。 （実施例１）青色発光の半導体発光素子に対して逆電圧
を印加した場合、半導体発光素子単体の構成では、５回
の試験に於いて印加電圧３００Ｖ以上で全て不良となっ
た。また、半導体発光素子に逆接続にダイオードを挿入
した場合には、５回の試験に於いて印加電圧５０００Ｖ
でも絶縁破壊を示さなかった。
ついて説明する。 （実施例１）青色発光の半導体発光素子に対して逆電圧
を印加した場合、半導体発光素子単体の構成では、５回
の試験に於いて印加電圧３００Ｖ以上で全て不良となっ
た。また、半導体発光素子に逆接続にダイオードを挿入
した場合には、５回の試験に於いて印加電圧５０００Ｖ
でも絶縁破壊を示さなかった。
【００４６】（実施例２）ＹＡＧ（イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット）系の蛍光顔料である（Ｙ，Ｇ
ｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12：Ｃｅの（Ｙ，Ｇｄ）
3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12とＣｅとの原子量比を各種変
え、この比率が１：４の時に、さらに蛍光顔料の平均粒
径を８μｍ程度にした物を無色透明なエポキシ樹脂と重
量比１：１に調整した波長変換材料混入樹脂による橙色
の発光色と青色発光の半導体発光素子の発光色とにより
白色の光を得ることができた。
ミニウム・ガーネット）系の蛍光顔料である（Ｙ，Ｇ
ｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12：Ｃｅの（Ｙ，Ｇｄ）
3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12とＣｅとの原子量比を各種変
え、この比率が１：４の時に、さらに蛍光顔料の平均粒
径を８μｍ程度にした物を無色透明なエポキシ樹脂と重
量比１：１に調整した波長変換材料混入樹脂による橙色
の発光色と青色発光の半導体発光素子の発光色とにより
白色の光を得ることができた。
【００４７】なお、上記実施例に青色発光の半導体発光
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発光表示
装置は、複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を
波長変換材料を混入した樹脂を被着するとともに、ダイ
オードを逆極性に並列接続するので、ｎ層からなるカソ
ード側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並列接
続した整流素子に流れることによって半導体発光素子に
電流が流れない。これにより、半導体発光素子の絶縁破
壊を回避し発光表示装置としての歩留りの向上が図れ
る。
装置は、複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を
波長変換材料を混入した樹脂を被着するとともに、ダイ
オードを逆極性に並列接続するので、ｎ層からなるカソ
ード側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並列接
続した整流素子に流れることによって半導体発光素子に
電流が流れない。これにより、半導体発光素子の絶縁破
壊を回避し発光表示装置としての歩留りの向上が図れ
る。
【００４９】また、請求項２に係る発光表示装置は、複
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材
料を混入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状
に被包形成したので、少ない数の半導体発光素子でフル
カラや白色光を得られるとともに、出射光を集光して輝
度を高くすることができ、省エネに対応できる。
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材
料を混入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ状
に被包形成したので、少ない数の半導体発光素子でフル
カラや白色光を得られるとともに、出射光を集光して輝
度を高くすることができ、省エネに対応できる。
【００５０】さらに、請求項３に係る発光表示装置は、
複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換
材料を混入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ
状に被包形成するとともに、底部を透明樹脂で充填した
ので、少ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を
得られるとともに、出射光を集光して輝度を上げ、さら
に発光表示装置の表面での輝度を均一にできる。しか
も、消費電力の低減等コストパフォーマンスに優れた発
光表示装置を提供できる。
複数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換
材料を混入した樹脂で被着し、さらに透明樹脂でレンズ
状に被包形成するとともに、底部を透明樹脂で充填した
ので、少ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を
得られるとともに、出射光を集光して輝度を上げ、さら
に発光表示装置の表面での輝度を均一にできる。しか
も、消費電力の低減等コストパフォーマンスに優れた発
光表示装置を提供できる。
【００５１】また、請求項４に係る発光表示装置は、複
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材
料を混入した樹脂を被着するとともに、ダイオードを逆
極性に並列接続し、さらに底部を透明樹脂で充填したの
で、少ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得
られるとともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに
発光表示装置の表面での輝度を均一にでき、またダイオ
ード等をリードフレームの凹状底部へより強く固定する
とともに、素子等を保護でき、消費電力の低減など経済
性や半導体発光素子の絶縁破壊の回避による取扱が容易
にできる。
数の半導体発光素子の少なくとも１つ以上を波長変換材
料を混入した樹脂を被着するとともに、ダイオードを逆
極性に並列接続し、さらに底部を透明樹脂で充填したの
で、少ない数の半導体発光素子でフルカラや白色光を得
られるとともに、出射光を集光して輝度を上げ、さらに
発光表示装置の表面での輝度を均一にでき、またダイオ
ード等をリードフレームの凹状底部へより強く固定する
とともに、素子等を保護でき、消費電力の低減など経済
性や半導体発光素子の絶縁破壊の回避による取扱が容易
にできる。
【００５２】よって、フルカラ表示ができ白色表示時に
ＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現出来ると
ともに、静電気による絶縁破壊を回避し、取扱を容易に
し静電気対策を必要とせず、さらに消費電力の低減など
経済性、作業性に優れ、各種用途に適した分野への利用
が可能な発光表示装置である。
ＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現出来ると
ともに、静電気による絶縁破壊を回避し、取扱を容易に
し静電気対策を必要とせず、さらに消費電力の低減など
経済性、作業性に優れ、各種用途に適した分野への利用
が可能な発光表示装置である。
【図１】本発明に係る発光表示装置の実施の形態を示す
全体斜視図
全体斜視図
【図２】図１の発光表示装置の断面図
１…発光表示装置、２…リードフレーム、２ａ，２ｂ…
載置パターン、配線パターン、３…モールドケース、
４，４ｂ…半導体発光素子、５…波長変換材料混入樹
脂、６…レンズ状透明樹脂、７…ダイオード、８…ワイ
ヤ、９…リード端子、１０…出光窓。
載置パターン、配線パターン、３…モールドケース、
４，４ｂ…半導体発光素子、５…波長変換材料混入樹
脂、６…レンズ状透明樹脂、７…ダイオード、８…ワイ
ヤ、９…リード端子、１０…出光窓。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１月７日（２０００．１．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 発光表示装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
や波長変換材料混入樹脂で被着した半導体発光素子等を
リードフレーム上に複数設け、特に静電気等に弱い青色
系発光の半導体発光素子に対してダイオードを逆極性に
並列接続し、フルカラで電気的ショックに強い半導体発
光素子の実現を可能にする発光表示装置に関する。
や波長変換材料混入樹脂で被着した半導体発光素子等を
リードフレーム上に複数設け、特に静電気等に弱い青色
系発光の半導体発光素子に対してダイオードを逆極性に
並列接続し、フルカラで電気的ショックに強い半導体発
光素子の実現を可能にする発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフルカラ表示させる発光表示装置
は、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂｌｕｅ）および
緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子、いわゆるＲＢＧ
の三つの半導体発光素子を用いたランプを１ユニットと
するＬＥＤランプを用いたものが知られている。
は、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂｌｕｅ）および
緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子、いわゆるＲＢＧ
の三つの半導体発光素子を用いたランプを１ユニットと
するＬＥＤランプを用いたものが知られている。
【０００３】また、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂ
ｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子の
三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等に設け
たフルカラの発光表示装置も知られている。
ｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子の
三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等に設け
たフルカラの発光表示装置も知られている。
【０００４】さらに、半導体発光素子自身の発光色から
他の発光色を得るため、例えば特開平７−９９３４５号
公報に開示されているように、リードフレームのカップ
状に形成した底部上に半導体発光素子を載置し、カップ
内部に半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する
蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る
発光ダイオードが知られている。
他の発光色を得るため、例えば特開平７−９９３４５号
公報に開示されているように、リードフレームのカップ
状に形成した底部上に半導体発光素子を載置し、カップ
内部に半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する
蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る
発光ダイオードが知られている。
【０００５】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るため、青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲したものも知ら
れている。
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るため、青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲したものも知ら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のフルカラ表示さ
せる発光表示装置は、赤色、青色および緑色発光色の半
導体発光素子を３つ用いたランプを１ユニットとして使
用する場合には、発光表示装置が大型化なってしまうと
いう課題がある。しかも、互いの半導体発光素子間の距
離があるので、混合色が得にくく、混合色のばらつきや
画面色が粗くなってしまう課題もある。
せる発光表示装置は、赤色、青色および緑色発光色の半
導体発光素子を３つ用いたランプを１ユニットとして使
用する場合には、発光表示装置が大型化なってしまうと
いう課題がある。しかも、互いの半導体発光素子間の距
離があるので、混合色が得にくく、混合色のばらつきや
画面色が粗くなってしまう課題もある。
【０００７】また、従来の発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青
色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光
素子の三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等
に設けたフルカラの発光表示装置では、白色の発光色を
得る場合に赤色、青色および緑色等全ての半導体発光素
子に電荷を供給しなければ成らないので、電力消費が大
きく、省エネルギに対する課題や携帯機器等のバッテリ
必要スペースに対する課題がある。
色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光
素子の三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等
に設けたフルカラの発光表示装置では、白色の発光色を
得る場合に赤色、青色および緑色等全ての半導体発光素
子に電荷を供給しなければ成らないので、電力消費が大
きく、省エネルギに対する課題や携帯機器等のバッテリ
必要スペースに対する課題がある。
【０００８】さらに、特開平７−９９３４５号公報に開
示されているように、リードフレームのカップ状に形成
した底部上に載置した半導体発光素子に波長変換する蛍
光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る発
光ダイオードは、リードフレーム材料自身でカップを形
成するため、複数の電気的パターンが作成できず、単一
の電極となってしまう。その結果、複数の半導体発光素
子の載置ができず、さらに単色の半導体発光素子のみの
ために混合色が得にくい課題がある。
示されているように、リードフレームのカップ状に形成
した底部上に載置した半導体発光素子に波長変換する蛍
光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得る発
光ダイオードは、リードフレーム材料自身でカップを形
成するため、複数の電気的パターンが作成できず、単一
の電極となってしまう。その結果、複数の半導体発光素
子の載置ができず、さらに単色の半導体発光素子のみの
ために混合色が得にくい課題がある。
【０００９】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るために青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲した構成では、
波長変換材料の使用量が多くなってしまうとともに波長
変換材料の分散分布の安定性に課題がある。
他の波長に変換してＬＥＤランプ単体で白色の発光色を
得るために青色発光の半導体発光素子等を波長変換材料
が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲した構成では、
波長変換材料の使用量が多くなってしまうとともに波長
変換材料の分散分布の安定性に課題がある。
【００１０】さらに、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌ
Ｎ系、ＩｎＧａＮ系等からなる青色発光色の半導体発光
素子は、発光する活性層が静電気等の電気的ショックに
より破壊する課題がある。
Ｎ系、ＩｎＧａＮ系等からなる青色発光色の半導体発光
素子は、発光する活性層が静電気等の電気的ショックに
より破壊する課題がある。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するためな
されたもので、複数の半導体発光素子をリードフレーム
上に載置し、さらに白色光を得るために３つのＲＧＢ半
導体発光素子を用いずに青色発光の半導体発光素子に波
長変換材料を混入した樹脂で被着して白色光を得るとと
もにダイオードを逆極性に並列接続して静電気等に対し
回避した取扱が容易で省エネに優れたフルカラの表示が
行える発光表示装置を提供することにある。
されたもので、複数の半導体発光素子をリードフレーム
上に載置し、さらに白色光を得るために３つのＲＧＢ半
導体発光素子を用いずに青色発光の半導体発光素子に波
長変換材料を混入した樹脂で被着して白色光を得るとと
もにダイオードを逆極性に並列接続して静電気等に対し
回避した取扱が容易で省エネに優れたフルカラの表示が
行える発光表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に係る発光表示装置は、青色に発光する半導体
発光素子が、橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波
長変換材料混入樹脂で被着されるとともに、波長変換材
料混入樹脂の上から透明樹脂でレンズ状に被包形成さ
れ、さらにダイオードが逆極性に並列接続され、底部に
透明樹脂が充填されることを特徴とする。
請求項１に係る発光表示装置は、青色に発光する半導体
発光素子が、橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波
長変換材料混入樹脂で被着されるとともに、波長変換材
料混入樹脂の上から透明樹脂でレンズ状に被包形成さ
れ、さらにダイオードが逆極性に並列接続され、底部に
透明樹脂が充填されることを特徴とする。
【００１３】請求項１に係る発光表示装置は、青色に発
光する半導体発光素子が、橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料
を混入した波長変換材料混入樹脂で被着されるととも
に、波長変換材料混入樹脂の上から透明樹脂でレンズ状
に被包形成され、さらにダイオードが逆極性に並列接続
され、底部に透明樹脂が充填されるので、ｎ層からなる
カソード側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並
列接続した整流素子に流れることによって半導体発光素
子に電流が流れない。また、少ない数の半導体発光素子
でフルカラや白色光を得られるとともに、出射光を集光
して輝度を上げ、さらに発光表示装置の表面での輝度を
均一にできる。さらに、ダイオード等をリードフレーム
の凹状底部へより強く固定するとともに、素子等を保護
する。
光する半導体発光素子が、橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料
を混入した波長変換材料混入樹脂で被着されるととも
に、波長変換材料混入樹脂の上から透明樹脂でレンズ状
に被包形成され、さらにダイオードが逆極性に並列接続
され、底部に透明樹脂が充填されるので、ｎ層からなる
カソード側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並
列接続した整流素子に流れることによって半導体発光素
子に電流が流れない。また、少ない数の半導体発光素子
でフルカラや白色光を得られるとともに、出射光を集光
して輝度を上げ、さらに発光表示装置の表面での輝度を
均一にできる。さらに、ダイオード等をリードフレーム
の凹状底部へより強く固定するとともに、素子等を保護
する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明する。なお、本発明は、半導体発光素
子や波長変換材料を混入した樹脂で被着した半導体発光
素子等をリードフレーム上に複数載置し、各種の発光色
を得るとともにダイオードを逆極性に並列接続して静電
気等に対し回避し、取扱が容易で省エネに優れたフルカ
ラ表示が可能な発光表示装置を提供するものである。
図面に基づき説明する。なお、本発明は、半導体発光素
子や波長変換材料を混入した樹脂で被着した半導体発光
素子等をリードフレーム上に複数載置し、各種の発光色
を得るとともにダイオードを逆極性に並列接続して静電
気等に対し回避し、取扱が容易で省エネに優れたフルカ
ラ表示が可能な発光表示装置を提供するものである。
【００１５】図１は本発明に係る発光表示装置の実施の
形態を示す全体斜視図、図２は図１の発光表示装置の断
面図である。図１及び図２に示すように、本実施の形態
の発光表示装置１は、インジェクションモールド成型さ
れたもので、リードフレーム２、モールドケース３、半
導体発光素子４、波長変換材料混入樹脂５、レンズ状透
明樹脂６、ダイオード７、ワイヤ８、リード端子９およ
び出光窓１０から構成されている。
形態を示す全体斜視図、図２は図１の発光表示装置の断
面図である。図１及び図２に示すように、本実施の形態
の発光表示装置１は、インジェクションモールド成型さ
れたもので、リードフレーム２、モールドケース３、半
導体発光素子４、波長変換材料混入樹脂５、レンズ状透
明樹脂６、ダイオード７、ワイヤ８、リード端子９およ
び出光窓１０から構成されている。
【００１６】リードフレーム２は、導電性および弾性力
のある燐青銅やアルミニウム等の金属薄板からなり、半
導体発光素子４やダイオード７を載置する複数の載置パ
ターンや電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂ等と複
数のリード端子９および図示しない支持枠部等を１ユニ
ットとして、多数ユニットを並設されるようにパンチプ
レス等により形成される。
のある燐青銅やアルミニウム等の金属薄板からなり、半
導体発光素子４やダイオード７を載置する複数の載置パ
ターンや電気的接続する配線パターン２ａ，２ｂ等と複
数のリード端子９および図示しない支持枠部等を１ユニ
ットとして、多数ユニットを並設されるようにパンチプ
レス等により形成される。
【００１７】リードフレーム２は図示しない金型によっ
て面対称に挟み込まれ、載置パターンや配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２にモールドケース３がインサートモールド成
形される。
て面対称に挟み込まれ、載置パターンや配線パターン２
ａ，２ｂが表出して凹なる底部を形成するようにリード
フレーム２にモールドケース３がインサートモールド成
形される。
【００１８】なお、リードフレーム２は、モールドケー
ス３のインサートモールド成形、半導体発光素子４やダ
イオード７等のチップのマウント、ボンディング、ワイ
ヤ８のボンディング、波長変換材料混入樹脂５の被着、
レンズ状透明樹脂６の被包形成、レンズ状透明樹脂６お
よび凹状底部への透明樹脂の充填等の工程まで全体のフ
レームを保持し、最終的にはリード端子９のみを残して
切断除去される。
ス３のインサートモールド成形、半導体発光素子４やダ
イオード７等のチップのマウント、ボンディング、ワイ
ヤ８のボンディング、波長変換材料混入樹脂５の被着、
レンズ状透明樹脂６の被包形成、レンズ状透明樹脂６お
よび凹状底部への透明樹脂の充填等の工程まで全体のフ
レームを保持し、最終的にはリード端子９のみを残して
切断除去される。
【００１９】モールドケース３は、変成ポリアミド、ポ
リブチレンテレフタレート、ナイロン４６や芳香族系ポ
リエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材
料に、光の反射性を良くするためにチタン酸バリウム等
の白色粉体を混入させたものを加熱して圧力を加え、射
出成型により形成される。
リブチレンテレフタレート、ナイロン４６や芳香族系ポ
リエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材
料に、光の反射性を良くするためにチタン酸バリウム等
の白色粉体を混入させたものを加熱して圧力を加え、射
出成型により形成される。
【００２０】半導体発光素子４，４ｂは、ＧａＰ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の化合物
半導体などからなり、各色を発光する。
Ａｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の化合物
半導体などからなり、各色を発光する。
【００２１】特に青色発光にはＩｎＧａＡｌＰ系、Ｉｎ
ＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系などの半導体発光素子が用
いられ、Ｇａの添加量によって黄緑色から赤色や青色か
ら黄緑色のように、ある範囲において各種の発光色が得
られる。
ＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系などの半導体発光素子が用
いられ、Ｇａの添加量によって黄緑色から赤色や青色か
ら黄緑色のように、ある範囲において各種の発光色が得
られる。
【００２２】なお、図１の例では、波長変換材料混入樹
脂５で被着した素子を半導体発光素子４とし、波長変換
材料混入樹脂５を被着せずに発光色が発光素子のままの
素子を半導体発光素子４ｂとして区別している。
脂５で被着した素子を半導体発光素子４とし、波長変換
材料混入樹脂５を被着せずに発光色が発光素子のままの
素子を半導体発光素子４ｂとして区別している。
【００２３】半導体発光素子４，４ｂは、これら素子の
チップをパターン２ａ，２ｂ等にダイボンダで載置し、
フィラを樹脂に分散させた銀ペースト等により電気的接
続および機械的接続が行われ、対電極側にワイヤーボン
ディングして電気的接続が行われる。
チップをパターン２ａ，２ｂ等にダイボンダで載置し、
フィラを樹脂に分散させた銀ペースト等により電気的接
続および機械的接続が行われ、対電極側にワイヤーボン
ディングして電気的接続が行われる。
【００２４】波長変換材料混入樹脂５は、無機系の蛍光
顔料や有機系の蛍光染料等からなり、無色透明なエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散させたものであ
り、半導体発光素子４を覆うように被着される。これに
より、半導体発光素子４の発光色を他の異なる色に変換
している。波長変換材料混入樹脂５は、例えば緑色発光
の半導体発光素子４からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光
染料を混入した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、
青色発光の半導体発光素子４からの光を緑色蛍光顔料や
緑色蛍光染料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光
が得られる。
顔料や有機系の蛍光染料等からなり、無色透明なエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散させたものであ
り、半導体発光素子４を覆うように被着される。これに
より、半導体発光素子４の発光色を他の異なる色に変換
している。波長変換材料混入樹脂５は、例えば緑色発光
の半導体発光素子４からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光
染料を混入した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、
青色発光の半導体発光素子４からの光を緑色蛍光顔料や
緑色蛍光染料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光
が得られる。
【００２５】なお、赤色蛍光顔料としては、例えばＹ2
Ｏ3 ：ＥｕやＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4 ：Ｅｕ等がある。また、
緑色蛍光顔料としては、例えばＺｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ等
がある。さらに、橙色蛍光顔料としては、ＣａＳｉ
Ｏ3 ：Ｐｂ，ＭｎやＹ3 Ａｌ5 Ｏ 12系等がある。
Ｏ3 ：ＥｕやＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4 ：Ｅｕ等がある。また、
緑色蛍光顔料としては、例えばＺｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ等
がある。さらに、橙色蛍光顔料としては、ＣａＳｉ
Ｏ3 ：Ｐｂ，ＭｎやＹ3 Ａｌ5 Ｏ 12系等がある。
【００２６】また、波長変換材料混入樹脂５は、半導体
発光素子４等の発光した光の吸収により励起されエネル
ギ準位の低い基底状態からエネルギ準位の高い励起状態
に遷移し、基底状態に戻る時に電子エネルギを振動や回
転等の熱エネルギに変化することなく光として放出する
物である。すなわち、波長変換材料混入樹脂５は、一般
にストークスの法則の様に、半導体発光素子４の発光波
長よりも波長変換材料からの発光波長のほうが長い発光
や２段階的な電子励起が励起過程に含まれ、反ストーク
スな半導体発光素子４の発光波長よりも波長変換材料か
らの発光波長のほうが短い発光をも含まれる。
発光素子４等の発光した光の吸収により励起されエネル
ギ準位の低い基底状態からエネルギ準位の高い励起状態
に遷移し、基底状態に戻る時に電子エネルギを振動や回
転等の熱エネルギに変化することなく光として放出する
物である。すなわち、波長変換材料混入樹脂５は、一般
にストークスの法則の様に、半導体発光素子４の発光波
長よりも波長変換材料からの発光波長のほうが長い発光
や２段階的な電子励起が励起過程に含まれ、反ストーク
スな半導体発光素子４の発光波長よりも波長変換材料か
らの発光波長のほうが短い発光をも含まれる。
【００２７】さらに、波長変換材料混入樹脂５は、無色
透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散する
比率によって、エポキシ樹脂部分を透過した半導体発光
素子４本来の色調と波長変換材料で波長変換された色調
との混合によって色度図等に示される色調が得られる。
透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散する
比率によって、エポキシ樹脂部分を透過した半導体発光
素子４本来の色調と波長変換材料で波長変換された色調
との混合によって色度図等に示される色調が得られる。
【００２８】例えば、青色発光の半導体発光素子４から
の光を橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波長変換
材料混入樹脂５に投射すると、青色光と橙色光との混合
によって白色光が得られ、波長変換材料が多い場合には
橙色の色調が濃い光が得られ、波長変換材料が少ない場
合には青色の色調が濃い光が得られる。
の光を橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波長変換
材料混入樹脂５に投射すると、青色光と橙色光との混合
によって白色光が得られ、波長変換材料が多い場合には
橙色の色調が濃い光が得られ、波長変換材料が少ない場
合には青色の色調が濃い光が得られる。
【００２９】レンズ状透明樹脂６は、透明なエポキシ樹
脂等からなり、半導体発光素子４に被着した波長変換材
料混入樹脂５の表面にレンズ状に被包形成される。この
レンズ状透明樹脂６は、半導体発光素子４自身の発光色
と波長変換された発光色とを集光して白色光として光束
を出射する。
脂等からなり、半導体発光素子４に被着した波長変換材
料混入樹脂５の表面にレンズ状に被包形成される。この
レンズ状透明樹脂６は、半導体発光素子４自身の発光色
と波長変換された発光色とを集光して白色光として光束
を出射する。
【００３０】ダイオード７は、半導体発光素子４に対し
て逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパタ
ーン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード
電極側からボンディングワイヤ８でパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子４の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
て逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパタ
ーン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード
電極側からボンディングワイヤ８でパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子４の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
【００３１】また、特にＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡ
ｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静
電気等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近
年半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これらダイオ
ード（整流素子）７の逆極性に並列接続することにより
静電気による絶縁破壊を回避する事が可能である。
ｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静
電気等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近
年半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これらダイオ
ード（整流素子）７の逆極性に並列接続することにより
静電気による絶縁破壊を回避する事が可能である。
【００３２】ワイヤ８は金線等からなり、半導体発光素
子４等のアノード電極とパターン２ｂ等とをボンダによ
って電気的に接続している。同様にダイオード７のアノ
ード電極とパターン２ａとをボンダによって電気的に接
続している。
子４等のアノード電極とパターン２ｂ等とをボンダによ
って電気的に接続している。同様にダイオード７のアノ
ード電極とパターン２ａとをボンダによって電気的に接
続している。
【００３３】リード端子９は、導電性および弾性力のあ
る燐青銅等の銅合金材またはアルミニウム等からなるリ
ードフレームをモールドケース３から直接取り出して形
成される。リード端子９は、例えばパターン２ｂと電気
的に接続されて半導体発光素子４のアノード電極側と等
しく、本発明の発光表示装置としての陽極（＋）として
使用されるように構成される。同様に、パターン２ａと
電気的に接続されたリード端子は半導体発光素子４のカ
ソード電極側と等しく、陰極（−）として使用されるよ
うに構成される。
る燐青銅等の銅合金材またはアルミニウム等からなるリ
ードフレームをモールドケース３から直接取り出して形
成される。リード端子９は、例えばパターン２ｂと電気
的に接続されて半導体発光素子４のアノード電極側と等
しく、本発明の発光表示装置としての陽極（＋）として
使用されるように構成される。同様に、パターン２ａと
電気的に接続されたリード端子は半導体発光素子４のカ
ソード電極側と等しく、陰極（−）として使用されるよ
うに構成される。
【００３４】出光窓１０は、モールドケース３の開口部
であり、キャスティングタイプの場合には、無色透明な
エポキシ樹脂等を充填したフラットな面やレンズ状の凸
面からなり、目的に応じてエポキシ樹脂に光散乱剤を混
入させ、モールドケース３の開口部表面での輝度を均一
にするとともに、半導体発光素子４，４ｂ、ダイオード
７、ワイヤ８および波長変換材料混入樹脂５やレンズ状
透明樹脂６等全体も固定させている。
であり、キャスティングタイプの場合には、無色透明な
エポキシ樹脂等を充填したフラットな面やレンズ状の凸
面からなり、目的に応じてエポキシ樹脂に光散乱剤を混
入させ、モールドケース３の開口部表面での輝度を均一
にするとともに、半導体発光素子４，４ｂ、ダイオード
７、ワイヤ８および波長変換材料混入樹脂５やレンズ状
透明樹脂６等全体も固定させている。
【００３５】また、レンズ状透明樹脂６によって集光作
用を高める場合には、レンズ状透明樹脂６の屈折率より
も低屈折率のエポキシ樹脂等の異屈折率材を用いてより
効率を上げることが可能である。
用を高める場合には、レンズ状透明樹脂６の屈折率より
も低屈折率のエポキシ樹脂等の異屈折率材を用いてより
効率を上げることが可能である。
【００３６】さらに、本発明の発光表示装置の使用目的
による機械的、化学的特性仕様によって、シリコーン樹
脂をモールドケース３の開口部に充填しても良い。
による機械的、化学的特性仕様によって、シリコーン樹
脂をモールドケース３の開口部に充填しても良い。
【００３７】また、モールドケース３内部に樹脂等を充
填しないエアギャップタイプの場合には、モールドケー
ス３内部側面を傾斜させ、反射効率が最大になる様に傾
斜角度を設計する。
填しないエアギャップタイプの場合には、モールドケー
ス３内部側面を傾斜させ、反射効率が最大になる様に傾
斜角度を設計する。
【００３８】さらに、モールドケース３の開口部表面で
の輝度を均一にするために散乱フィルムやコントラスト
を向上するために光学フィルタを用いる場合もある。
の輝度を均一にするために散乱フィルムやコントラスト
を向上するために光学フィルタを用いる場合もある。
【００３９】
【実施例】次に、本発明に係る発光表示装置の実施例に
ついて説明する。 （実施例１）青色発光の半導体発光素子に対して逆電圧
を印加した場合、半導体発光素子単体の構成では、５回
の試験に於いて印加電圧３００Ｖ以上で全て不良となっ
た。また、半導体発光素子に逆接続にダイオードを挿入
した場合には、５回の試験に於いて印加電圧５０００Ｖ
でも絶縁破壊を示さなかった。
ついて説明する。 （実施例１）青色発光の半導体発光素子に対して逆電圧
を印加した場合、半導体発光素子単体の構成では、５回
の試験に於いて印加電圧３００Ｖ以上で全て不良となっ
た。また、半導体発光素子に逆接続にダイオードを挿入
した場合には、５回の試験に於いて印加電圧５０００Ｖ
でも絶縁破壊を示さなかった。
【００４０】（実施例２）ＹＡＧ（イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット）系の蛍光顔料である（Ｙ，Ｇ
ｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12：Ｃｅの（Ｙ，Ｇｄ）
3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12とＣｅとの原子量比を各種変
え、この比率が１：４の時に、さらに蛍光顔料の平均粒
径を８μｍ程度にした物を無色透明なエポキシ樹脂と重
量比１：１に調整した波長変換材料混入樹脂による橙色
の発光色と青色発光の半導体発光素子の発光色とにより
白色の光を得ることができた。
ミニウム・ガーネット）系の蛍光顔料である（Ｙ，Ｇ
ｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12：Ｃｅの（Ｙ，Ｇｄ）
3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12とＣｅとの原子量比を各種変
え、この比率が１：４の時に、さらに蛍光顔料の平均粒
径を８μｍ程度にした物を無色透明なエポキシ樹脂と重
量比１：１に調整した波長変換材料混入樹脂による橙色
の発光色と青色発光の半導体発光素子の発光色とにより
白色の光を得ることができた。
【００４１】なお、上記実施例に青色発光の半導体発光
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発光表示
装置は、青色に発光する半導体発光素子が、橙色蛍光顔
料や橙色蛍光染料を混入した波長変換材料混入樹脂で被
着されるとともに、波長変換材料混入樹脂の上から透明
樹脂でレンズ状に被包形成され、さらにダイオードが逆
極性に並列接続され、底部に透明樹脂が充填されるの
で、ｎ層からなるカソード側に静電気等の高電荷が加わ
っても逆極性に並列接続した整流素子に流れることによ
って半導体発光素子に電流が流れない。これにより、半
導体発光素子の絶縁破壊を回避し発光表示装置としての
歩留りの向上が図れる。
装置は、青色に発光する半導体発光素子が、橙色蛍光顔
料や橙色蛍光染料を混入した波長変換材料混入樹脂で被
着されるとともに、波長変換材料混入樹脂の上から透明
樹脂でレンズ状に被包形成され、さらにダイオードが逆
極性に並列接続され、底部に透明樹脂が充填されるの
で、ｎ層からなるカソード側に静電気等の高電荷が加わ
っても逆極性に並列接続した整流素子に流れることによ
って半導体発光素子に電流が流れない。これにより、半
導体発光素子の絶縁破壊を回避し発光表示装置としての
歩留りの向上が図れる。
【００４３】また、少ない数の半導体発光素子でフルカ
ラや白色光を得られるとともに、出射光を集光して輝度
を上げ、さらに発光表示装置の表面での輝度を均一にで
きる。しかも、消費電力の低減等コストパフォーマンス
に優れた発光表示装置を提供できる。
ラや白色光を得られるとともに、出射光を集光して輝度
を上げ、さらに発光表示装置の表面での輝度を均一にで
きる。しかも、消費電力の低減等コストパフォーマンス
に優れた発光表示装置を提供できる。
【００４４】さらに、ダイオード等をリードフレームの
凹状底部へより強く固定するとともに、素子等を保護で
き、消費電力の低減など経済性や半導体発光素子の絶縁
破壊の回避による取扱が容易にできる。
凹状底部へより強く固定するとともに、素子等を保護で
き、消費電力の低減など経済性や半導体発光素子の絶縁
破壊の回避による取扱が容易にできる。
【００４５】よって、フルカラ表示ができ白色表示時に
ＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現出来ると
ともに、静電気による絶縁破壊を回避し、取扱を容易に
し静電気対策を必要とせず、さらに消費電力の低減など
経済性、作業性に優れ、各種用途に適した分野への利用
が可能な発光表示装置である。
ＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現出来ると
ともに、静電気による絶縁破壊を回避し、取扱を容易に
し静電気対策を必要とせず、さらに消費電力の低減など
経済性、作業性に優れ、各種用途に適した分野への利用
が可能な発光表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発光表示装置の実施の形態を示す
全体斜視図
全体斜視図
【図２】図１の発光表示装置の断面図
【符号の説明】 １…発光表示装置、２…リードフレーム、２ａ，２ｂ…
載置パターン、配線パターン、３…モールドケース、
４，４ｂ…半導体発光素子、５…波長変換材料混入樹
脂、６…レンズ状透明樹脂、７…ダイオード、８…ワイ
ヤ、９…リード端子、１０…出光窓。
載置パターン、配線パターン、３…モールドケース、
４，４ｂ…半導体発光素子、５…波長変換材料混入樹
脂、６…レンズ状透明樹脂、７…ダイオード、８…ワイ
ヤ、９…リード端子、１０…出光窓。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 司 東京都多摩市永山６−22−６ 日本デンヨ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA01 CA02 CA05 CA21 DA07 EA02 EA10 EB08 EB12 EC11 ED04 EE12 EE13 EE15 FA04 GA01 5F041 AA12 AA24 AA44 CA40 DA07 DA21 DA44 EE25 FF01
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレーム上に複数の半導体発光素
子が載置されるパターンと電気的接続する配線パターン
とを有し、前記複数の半導体発光素子、前記パターンお
よび前記配線パターンが表出して凹状の底部に位置する
ように前記リードフレームが光反射材を混入した樹脂か
らなるモールドケースで覆われた構造の発光表示装置に
おいて、 前記半導体発光素子は、少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着されるとともに、ダイオード
が逆極性に並列接続されることを特徴とする発光表示装
置。 - 【請求項２】 リードフレーム上に複数の半導体発光素
子が載置されるパターンと電気的接続する配線パターン
とを有し、前記複数の半導体発光素子、前記パターンお
よび前記配線パターンが表出して凹なる底部を形成する
ように前記リードフレームが光反射材を混入した樹脂か
らなるモールドケースで覆われた構造の発光表示装置に
おいて、 前記半導体発光素子は、少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレン
ズ状に被包形成されることを特徴とする発光表示装置。 - 【請求項３】 リードフレーム上に複数の半導体発光素
子が載置されるパターンと電気的接続する配線パターン
とを有し、前記複数の半導体発光素子、前記パターンお
よび前記配線パターンが表出して凹なる底部を形成する
ように前記リードフレームが光反射材を混入した樹脂か
らなるモールドケースで覆われた構造の発光表示装置に
おいて、 前記半導体発光素子は、少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着され、さらに透明樹脂でレン
ズ状に被包形成されるとともに、前記底部に透明樹脂が
充填されることを特徴とする発光表示装置。 - 【請求項４】 リードフレーム上に複数の半導体発光素
子が載置されるパターンと電気的接続する配線パターン
とを有し、前記複数の半導体発光素子、前記パターンお
よび前記配線パターンが表出して凹なる底部を形成する
ように前記リードフレームが光反射材を混入した樹脂か
らなるモールドケースで覆われた構造の発光表示装置に
おいて、 前記半導体発光素子は、少なくとも１つ以上が波長変換
材料を混入した樹脂で被着されるとともに、ダイオード
が逆極性に並列接続され、さらに前記底部に透明樹脂が
充填されることを特徴とする発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33589698A JP2000164936A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33589698A JP2000164936A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 発光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164936A true JP2000164936A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18293593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33589698A Pending JP2000164936A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164936A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299691A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプ及びこれに用いられるフィルタ |
| WO2004017789A1 (ja) * | 2002-07-30 | 2004-03-04 | Yoshida Industry Co., Ltd. | 収納ケース |
| JP2007329068A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Stanley Electric Co Ltd | 車両用灯具 |
| JP2008186886A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Kyocera Chemical Corp | 模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109556U (ja) * | 1991-03-08 | 1992-09-22 | シヤープ株式会社 | 反射ケース型ｌｅｄランプ |
| JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JPH1065215A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JPH10190066A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置 |
| JPH10242513A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 |
| JPH10256610A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH10284759A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP33589698A patent/JP2000164936A/ja active Pending
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| JP2008186886A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Kyocera Chemical Corp | 模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置 |
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