JP2000162639A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分割露光境界が視認されにくく、超広視野角
で高い表示品位をもつ横方向電界型の液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 液晶に電界を印加する電極を分割露光す
る際、隣合う分割露光領域が境界共有領域をもち、この
境界共有領域内の所定の電極はいずれか一方の露光によ
って形成され、かつその電極の配列は乱数配列的に配置
されていることを特徴とする横方向電界方式の液晶表示
装置。
で高い表示品位をもつ横方向電界型の液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 液晶に電界を印加する電極を分割露光す
る際、隣合う分割露光領域が境界共有領域をもち、この
境界共有領域内の所定の電極はいずれか一方の露光によ
って形成され、かつその電極の配列は乱数配列的に配置
されていることを特徴とする横方向電界方式の液晶表示
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置お
よびその製造方法、とくにアクティブマトリクス型の液
晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法、とくにアクティブマトリクス型の液
晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置において、液晶に印
加する電界の方向を基板に対して平行な方向とする方式
が、主に超広視野角を得る手法として用いられている
（たとえば、特開平８−２５４７１２号公報）。この方
式を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラス
トの変化、階調レベルの反転がほとんどなくなることが
明らかにされている（たとえば、Ｍ．Ｏｈｅ、他、Ａｓ
ｉａＤｉｓｐｌａｙ ’９５、ｐｐ．５７７−５８
０）。
ティブマトリクス型の液晶表示装置において、液晶に印
加する電界の方向を基板に対して平行な方向とする方式
が、主に超広視野角を得る手法として用いられている
（たとえば、特開平８−２５４７１２号公報）。この方
式を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラス
トの変化、階調レベルの反転がほとんどなくなることが
明らかにされている（たとえば、Ｍ．Ｏｈｅ、他、Ａｓ
ｉａＤｉｓｐｌａｙ ’９５、ｐｐ．５７７−５８
０）。
【０００３】この横方向電界方式の液晶表示装置に用い
られる薄膜トランジスタ集積装置（以下、「ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ」と略す）の製造工程において、各レイヤーのパタ
ーンを形成する際、フォトレジストを露光する一手法と
して分割露光装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤパネルをいく
つかの領域に分けて露光する分割露光方式が用いられて
いる。分割露光方式はフォトマスクにレチクルを用いる
ため微細なパターンが比較的精度よく得ることができる
という特徴を有する。
られる薄膜トランジスタ集積装置（以下、「ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ」と略す）の製造工程において、各レイヤーのパタ
ーンを形成する際、フォトレジストを露光する一手法と
して分割露光装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤパネルをいく
つかの領域に分けて露光する分割露光方式が用いられて
いる。分割露光方式はフォトマスクにレチクルを用いる
ため微細なパターンが比較的精度よく得ることができる
という特徴を有する。
【０００４】しかし、分割露光方式は、分割露光領域の
中心部のパターン精度は高いが、周辺部は露光機の光学
系の回転や歪みの影響を受け、比較的パターン精度や重
ね精度が劣るという特徴をもつ。この周辺部のパターン
のばらつきは最大１μｍ程度と大きく、分割露光境界で
のパターン寸法や重ね寸法の変化が発生した。とくに液
晶に電圧を印加する電極間隔の分割露光境界での寸法変
化は表示上の不良となり歩留りの低下を生じた。以下に
電極間隔変化と表示不良の関係を説明する。
中心部のパターン精度は高いが、周辺部は露光機の光学
系の回転や歪みの影響を受け、比較的パターン精度や重
ね精度が劣るという特徴をもつ。この周辺部のパターン
のばらつきは最大１μｍ程度と大きく、分割露光境界で
のパターン寸法や重ね寸法の変化が発生した。とくに液
晶に電圧を印加する電極間隔の分割露光境界での寸法変
化は表示上の不良となり歩留りの低下を生じた。以下に
電極間隔変化と表示不良の関係を説明する。
【０００５】液晶に印加する電界の方向を基板に対して
平行な方向とする横方向電界方式液晶表示装置では、液
晶を駆動するために電極間に高い電界が必要である。電
極間隔に最大５Ｖの電圧を印加できる液晶表示装置の場
合は、液晶材料によって異なるが十分な電界強度を得る
ために４〜６μｍ程度の電極間隔とする必要がある。こ
のため前述の１μｍ程度のパターン精度のばらつきは電
極間隔に比較して十分大きく、そのまま表示上の明るさ
のばらつきとなる。このため、このような狭い間隔の電
極を精度よく形成することが重要となり高精度のパター
ニングが要求される。図１０に横方向電界方式液晶表示
装置における電極間隔のばらつきと輝度の変化率の関係
を示す。図に示すように露光境界での電極間隔の変化が
大きくなるにしたがい輝度変化が増加する。このため、
横方向電界方式液晶表示装置では分割露光部ごとの電極
間隔が変化することによって分割露光境界での輝度の変
化として視認されてしまう。
平行な方向とする横方向電界方式液晶表示装置では、液
晶を駆動するために電極間に高い電界が必要である。電
極間隔に最大５Ｖの電圧を印加できる液晶表示装置の場
合は、液晶材料によって異なるが十分な電界強度を得る
ために４〜６μｍ程度の電極間隔とする必要がある。こ
のため前述の１μｍ程度のパターン精度のばらつきは電
極間隔に比較して十分大きく、そのまま表示上の明るさ
のばらつきとなる。このため、このような狭い間隔の電
極を精度よく形成することが重要となり高精度のパター
ニングが要求される。図１０に横方向電界方式液晶表示
装置における電極間隔のばらつきと輝度の変化率の関係
を示す。図に示すように露光境界での電極間隔の変化が
大きくなるにしたがい輝度変化が増加する。このため、
横方向電界方式液晶表示装置では分割露光部ごとの電極
間隔が変化することによって分割露光境界での輝度の変
化として視認されてしまう。
【０００６】また、２つの電極をそれぞれ別の層で形成
した場合は、製造ばらつきによって層間の重ね合わせの
ずれ量が分割した部分ごとに異なり、電極間隔が変化す
るために分割露光境界で明るさの変化として視認されて
しまうという問題が発生する。
した場合は、製造ばらつきによって層間の重ね合わせの
ずれ量が分割した部分ごとに異なり、電極間隔が変化す
るために分割露光境界で明るさの変化として視認されて
しまうという問題が発生する。
【０００７】これらは横方向電界方式液晶表示装置固有
の現象であり、境界が画面表示とは関係のない線として
見えるため、程度によっては不良品となり、歩留り低下
の原因となった。
の現象であり、境界が画面表示とは関係のない線として
見えるため、程度によっては不良品となり、歩留り低下
の原因となった。
【０００８】これは対向基板とＴＦＴ基板の組み立て精
度によって液晶に電圧を印加する電極の間隔が決定する
縦方向電界液晶装置では生じなかった新しい現象であ
る。
度によって液晶に電圧を印加する電極の間隔が決定する
縦方向電界液晶装置では生じなかった新しい現象であ
る。
【０００９】縦方向電界液晶装置に関して、露光境界の
寸法精度および重ね精度の変化による露光境界視認を低
減するため、さまざまな手法が提案されており、たとえ
ば、特開平２−１４３５１３号公報、特開平２−１４３
５１４号公報に開示されている。前記特開平２１４３５
１４号公報の特許請求の範囲の請求項２によれば、「微
細パターンが大面積にわたって連続的に配置されてなる
マスクパターンを形成するにあたり、この大面積を複数
の小区画に分割しこの分割した各々の小区画に対応する
小面積マスクパターンを作製し、これをステッパー方式
により大面積基板上で合成し、大面積マスクパターンを
作製する方法において、大面積を複数の小区画に分割す
るに際し、隣接する小区画が境界共有領域を有し、この
共有領域内の個々の微細パターンがより近い方の小区画
に、より大きい確率により属し、かつ乱数配列的に配置
されることを特徴とするマスクパターンの作製方法」が
提案されている。前記先行例によれば、従来の方法にお
けるような境界線に沿った規則的、連続的なズレを生じ
ず、人の目にムラとして認識されることがないとある。
しかし横方向電界方式の液晶表示装置固有の現象である
電極間隔の露光境界での変化による表示不良の低減手法
はしめされていない。
寸法精度および重ね精度の変化による露光境界視認を低
減するため、さまざまな手法が提案されており、たとえ
ば、特開平２−１４３５１３号公報、特開平２−１４３
５１４号公報に開示されている。前記特開平２１４３５
１４号公報の特許請求の範囲の請求項２によれば、「微
細パターンが大面積にわたって連続的に配置されてなる
マスクパターンを形成するにあたり、この大面積を複数
の小区画に分割しこの分割した各々の小区画に対応する
小面積マスクパターンを作製し、これをステッパー方式
により大面積基板上で合成し、大面積マスクパターンを
作製する方法において、大面積を複数の小区画に分割す
るに際し、隣接する小区画が境界共有領域を有し、この
共有領域内の個々の微細パターンがより近い方の小区画
に、より大きい確率により属し、かつ乱数配列的に配置
されることを特徴とするマスクパターンの作製方法」が
提案されている。前記先行例によれば、従来の方法にお
けるような境界線に沿った規則的、連続的なズレを生じ
ず、人の目にムラとして認識されることがないとある。
しかし横方向電界方式の液晶表示装置固有の現象である
電極間隔の露光境界での変化による表示不良の低減手法
はしめされていない。
【００１０】また横方向電界方式の液晶表示装置に関し
ては、特開平１０−１４２６３３号公報に、絶縁性基板
上に形成する第一層目に、ゲート電極と同時に水平方向
の電界を形成するための２つの電極を形成することによ
り、電極間の重ね合わせのずれをなくし、表示ムラを低
減し、分割露光境界を視認しにくくする手法が開示され
て要る。しかし２つの電極を同層で形成した場合でも重
ねずれによる露光境界での電極間隔の寸法変化がないの
であり、パターン精度の変化による電極間隔の変化は本
質的になくなることはなく分割露光境界視認の要因とな
る。
ては、特開平１０−１４２６３３号公報に、絶縁性基板
上に形成する第一層目に、ゲート電極と同時に水平方向
の電界を形成するための２つの電極を形成することによ
り、電極間の重ね合わせのずれをなくし、表示ムラを低
減し、分割露光境界を視認しにくくする手法が開示され
て要る。しかし２つの電極を同層で形成した場合でも重
ねずれによる露光境界での電極間隔の寸法変化がないの
であり、パターン精度の変化による電極間隔の変化は本
質的になくなることはなく分割露光境界視認の要因とな
る。
【００１１】本発明は、超広視野角でかつ露光境界が視
認されにくい良好な表示特性をもち、低コストかつ簡単
な液晶表示装置およびその製造方法、とくに分割露光方
式を用いた横方向電界方式の液晶表示装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。
認されにくい良好な表示特性をもち、低コストかつ簡単
な液晶表示装置およびその製造方法、とくに分割露光方
式を用いた横方向電界方式の液晶表示装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、画面を複数の領域に分割して画素パターンを形成す
る横方向電界方式の液晶表示装置において、隣り合う分
割露光領域が境界共有領域を有し、この境界共有領域に
おいて画素パターンがいずれかの露光領域に属しかつ乱
数配列的に配置されることを特徴としている。
は、画面を複数の領域に分割して画素パターンを形成す
る横方向電界方式の液晶表示装置において、隣り合う分
割露光領域が境界共有領域を有し、この境界共有領域に
おいて画素パターンがいずれかの露光領域に属しかつ乱
数配列的に配置されることを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 本実施の形態による液晶表示装置の画素部平面図を図１
に示し、該装置の製造工程の工程断面図を図２の（ａ）
〜（ｃ）および図３の（ａ）および（ｂ）に示す。図
１、図２および図３において、２１はガラスなどの絶縁
性物質を用いた絶縁性基板、２２はＣｒなどの金属を用
い基板２１上に形成されたゲート配線、１６はＣｒなど
の金属を用い基板２１上に形成された保持容量共通配
線、２３はゲート配線および保持容量共通配線を覆うよ
うに形成された窒化シリコンなどからなるゲート絶縁
膜、２４はゲート絶縁膜２３の上部に接するように形成
されたノンドープ非晶質Ｓｉなどの半導体膜、２５は半
導体膜２４に接続して形成されかつその膜の一部である
能動態領域の上部をエッチングなどで取り除いた領域２
６を有するＰなどの不純物をＳｉなどの半導体膜にドー
プしたコンタクト膜、２７はＣｒなどの金属またはＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導
電膜などで形成された液晶にそれが駆動する電圧を印加
するために用いる画素電極、３７は保持容量共通配線に
接続され画素電極との間で電界を生じさせるための対向
電極、２８はコンタクト膜２５に接するように形成され
ソース配線１３に接続されたソース電極、２９はコンタ
クト膜２５に接するように形成されたドレイン電極、１
０２はデバイス全体を覆うように窒化シリコン膜などで
形成された層間絶縁膜、１０３はコンタクトホール、６
０はゲート配線と同一の材料を用い基板２１上に形成さ
れた第一の配線、６１はソース配線と同一の材料を用い
基板２１上に形成された第二の配線、５４はコンタクト
ホールを介し第一の配線６０と第二の配線６１を接続す
る画素電極と同一の材料を用い形成された第三の配線で
ある。
に示し、該装置の製造工程の工程断面図を図２の（ａ）
〜（ｃ）および図３の（ａ）および（ｂ）に示す。図
１、図２および図３において、２１はガラスなどの絶縁
性物質を用いた絶縁性基板、２２はＣｒなどの金属を用
い基板２１上に形成されたゲート配線、１６はＣｒなど
の金属を用い基板２１上に形成された保持容量共通配
線、２３はゲート配線および保持容量共通配線を覆うよ
うに形成された窒化シリコンなどからなるゲート絶縁
膜、２４はゲート絶縁膜２３の上部に接するように形成
されたノンドープ非晶質Ｓｉなどの半導体膜、２５は半
導体膜２４に接続して形成されかつその膜の一部である
能動態領域の上部をエッチングなどで取り除いた領域２
６を有するＰなどの不純物をＳｉなどの半導体膜にドー
プしたコンタクト膜、２７はＣｒなどの金属またはＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導
電膜などで形成された液晶にそれが駆動する電圧を印加
するために用いる画素電極、３７は保持容量共通配線に
接続され画素電極との間で電界を生じさせるための対向
電極、２８はコンタクト膜２５に接するように形成され
ソース配線１３に接続されたソース電極、２９はコンタ
クト膜２５に接するように形成されたドレイン電極、１
０２はデバイス全体を覆うように窒化シリコン膜などで
形成された層間絶縁膜、１０３はコンタクトホール、６
０はゲート配線と同一の材料を用い基板２１上に形成さ
れた第一の配線、６１はソース配線と同一の材料を用い
基板２１上に形成された第二の配線、５４はコンタクト
ホールを介し第一の配線６０と第二の配線６１を接続す
る画素電極と同一の材料を用い形成された第三の配線で
ある。
【００１４】プロセスフローを説明する。まず、図２
（ａ）に示すように絶縁性基板２１上にＣｒ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇなどやそ
れらを主成分とする合金やＩＴＯなどの透明導電膜、さ
らにそれらの多層膜導電性材料を用いてスパッタ法や蒸
着法などで成膜しついで写真製版・加工によりゲート配
線２２、保持容量共通配線１６を形成する。ついで図２
（ｂ）に示すように窒化シリコンなどのゲート絶縁膜２
３と非晶質Ｓｉ、多結晶ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの半導体膜
２４、ｎ型のＴＦＴの場合はＰなどの不純物を高濃度に
ドーピングしたｎ+非晶質Ｓｉ、ｎ+多結晶ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉなどのコンタクト膜２５を連続的にたとえばプラズマ
ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。つい
で、コンタクト膜２５と半導体膜２４を島状に加工す
る。Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇなどやそれらを主成分とする合金やＩＴＯな
どの透明導電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料を用
いてスパッタ法や蒸着法などで成膜後写真製版と微細加
工技術によりソース電極２８、ドレイン電極２９、保持
容量電極１０１を形成する（図２の（ｃ））。このソー
スおよびドレイン電極と同じ材料で形成されるソース配
線およびドレイン配線もこの時同時に形成される。この
ソース電極２８およびドレイン電極２９あるいはそれら
を形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト層２
５をエッチングしてチャネル領域から取り除く２６。つ
いで窒化シリコンや酸化シリコン、無機絶縁膜、有機樹
脂からなる層間絶縁膜１０２を成膜し、写真製版とそれ
に続くエッチングによりコンタクトホール１０３を形成
する（図３の（ａ））。
（ａ）に示すように絶縁性基板２１上にＣｒ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇなどやそ
れらを主成分とする合金やＩＴＯなどの透明導電膜、さ
らにそれらの多層膜導電性材料を用いてスパッタ法や蒸
着法などで成膜しついで写真製版・加工によりゲート配
線２２、保持容量共通配線１６を形成する。ついで図２
（ｂ）に示すように窒化シリコンなどのゲート絶縁膜２
３と非晶質Ｓｉ、多結晶ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの半導体膜
２４、ｎ型のＴＦＴの場合はＰなどの不純物を高濃度に
ドーピングしたｎ+非晶質Ｓｉ、ｎ+多結晶ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉなどのコンタクト膜２５を連続的にたとえばプラズマ
ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。つい
で、コンタクト膜２５と半導体膜２４を島状に加工す
る。Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇなどやそれらを主成分とする合金やＩＴＯな
どの透明導電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料を用
いてスパッタ法や蒸着法などで成膜後写真製版と微細加
工技術によりソース電極２８、ドレイン電極２９、保持
容量電極１０１を形成する（図２の（ｃ））。このソー
スおよびドレイン電極と同じ材料で形成されるソース配
線およびドレイン配線もこの時同時に形成される。この
ソース電極２８およびドレイン電極２９あるいはそれら
を形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト層２
５をエッチングしてチャネル領域から取り除く２６。つ
いで窒化シリコンや酸化シリコン、無機絶縁膜、有機樹
脂からなる層間絶縁膜１０２を成膜し、写真製版とそれ
に続くエッチングによりコンタクトホール１０３を形成
する（図３の（ａ））。
【００１５】ここまでの写真製版工程では露光Ｘ、Ｙの
境界を図４に示すように直線としてもよい。
境界を図４に示すように直線としてもよい。
【００１６】最後にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇなどやそれらを主成分とす
る合金やＩＴＯなどの透明導電膜、さらにそれらの多層
膜導電性材料を成膜後パターニングすることで画素電極
２７および対向電極３７および配線５４を形成する（図
３の（ｂ））。なお、図３の（ｂ）において、Ａはゲー
ト／ソース交差部、ＢはＴＦＴ部、Ｃは保持容量部、Ｄ
は対向電極部をそれぞれ示している。
Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇなどやそれらを主成分とす
る合金やＩＴＯなどの透明導電膜、さらにそれらの多層
膜導電性材料を成膜後パターニングすることで画素電極
２７および対向電極３７および配線５４を形成する（図
３の（ｂ））。なお、図３の（ｂ）において、Ａはゲー
ト／ソース交差部、ＢはＴＦＴ部、Ｃは保持容量部、Ｄ
は対向電極部をそれぞれ示している。
【００１７】この画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程では図５に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオー
バーラップし、オーバーラップした全領域Ｚにおいてそ
れぞれの露光により形成されるパターン（この工程では
画素電極および対向電極）の割合がほぼ等しくなるよう
にする。また、パターンを乱数配列的配置になるように
してもよい。なお、オーバーラップする幅は１ｍｍ未満
でもよいが、１ｍｍ以上でよりよい効果が得られる。
真製版工程では図５に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオー
バーラップし、オーバーラップした全領域Ｚにおいてそ
れぞれの露光により形成されるパターン（この工程では
画素電極および対向電極）の割合がほぼ等しくなるよう
にする。また、パターンを乱数配列的配置になるように
してもよい。なお、オーバーラップする幅は１ｍｍ未満
でもよいが、１ｍｍ以上でよりよい効果が得られる。
【００１８】つぎにウェットエッチあるいはドライエッ
チによりパターニングする。
チによりパターニングする。
【００１９】以上により、薄膜トランジスタ集積装置を
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようシール材にて接
合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共通
配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、
保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶表示
装置を作製する。
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようシール材にて接
合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共通
配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、
保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶表示
装置を作製する。
【００２０】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ露光境界共有領域が生じる。このため露光境界での電
極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩和され、
歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ露光境界共有領域が生じる。このため露光境界での電
極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩和され、
歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００２１】なお本実施の形態で述べた効果は、分割露
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
【００２２】実施の形態２ 本実施の形態では画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程で図６に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオーバ
ーラップし、オーバーラップした領域Ｚにおいてそれぞ
れの露光により形成されるパターン（この工程では画素
電極および対向電極）がそれぞれの露光領域端になるほ
ど小さい確率で存在するようにする。またパターンを乱
数配列的配置になるようにしてもよい。また、パターン
を乱数配列的配置になるようにしてもよい。なお、オー
バーラップする幅は１ｍｍ未満でもよいが、１ｍｍ以上
でよりよい効果が得られる。この点以外の構成は実施の
形態１と同一であるので省略する。
真製版工程で図６に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオーバ
ーラップし、オーバーラップした領域Ｚにおいてそれぞ
れの露光により形成されるパターン（この工程では画素
電極および対向電極）がそれぞれの露光領域端になるほ
ど小さい確率で存在するようにする。またパターンを乱
数配列的配置になるようにしてもよい。また、パターン
を乱数配列的配置になるようにしてもよい。なお、オー
バーラップする幅は１ｍｍ未満でもよいが、１ｍｍ以上
でよりよい効果が得られる。この点以外の構成は実施の
形態１と同一であるので省略する。
【００２３】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。このため露
光境界での電極間隔変化による露光境界視認を低減する
ことができ、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。このため露
光境界での電極間隔変化による露光境界視認を低減する
ことができ、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００２４】また露光境界共有領域と通常露光領域の境
界部での電極間隔の平均値の変化が小さいため、露光境
界共有領域と通常露光領域の境界視認が低減できる。
界部での電極間隔の平均値の変化が小さいため、露光境
界共有領域と通常露光領域の境界視認が低減できる。
【００２５】なお本実施の形態で述べた効果は、分割露
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
【００２６】実施の形態３ 本実施の形態による液晶表示装置の画素部平面図を図８
に示す。図８において、２２はＣｒ等の金属を用い絶縁
基板に形成されたゲート配線、１６はＣｒ等の金属を用
い絶縁基板上に形成された保持容量共通配線、２４はノ
ンドープ非晶質Ｓｉ等の半導体を用いた半導体膜、２７
はＣｒ等の金属またはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜等で形成された液晶にそれ
が駆動する電圧を印加するために用いる画素電極、３７
は共通配線に接続され画素電極との間で電界を生じさせ
るための対向電極、２９はドレイン電極である。
に示す。図８において、２２はＣｒ等の金属を用い絶縁
基板に形成されたゲート配線、１６はＣｒ等の金属を用
い絶縁基板上に形成された保持容量共通配線、２４はノ
ンドープ非晶質Ｓｉ等の半導体を用いた半導体膜、２７
はＣｒ等の金属またはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜等で形成された液晶にそれ
が駆動する電圧を印加するために用いる画素電極、３７
は共通配線に接続され画素電極との間で電界を生じさせ
るための対向電極、２９はドレイン電極である。
【００２７】プロセスフローを説明する。まず絶縁基板
上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金やＩＴＯ等の
透明導電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料を用いて
スパッタ法や蒸着法などで成膜しついで写真製版・加工
によりゲート配線２２、保持容量共通配線１６および対
向電極３７を形成する。ついで窒化シリコンなどのゲー
ト絶縁膜と非晶質Ｓｉ、多結晶ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの半
導体膜２４、ｎ型のＴＦＴの場合はＰなどの不純物を高
濃度にドーピングしたｎ+非晶質Ｓｉ、ｎ+多結晶ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉなどのコンタクト膜を連続的にたとえばプラズ
マＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。つい
で、コンタクト膜と半導体膜２４を島状に加工する。Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｇ等やそれらを主成分とする合金やＩＴＯ等の透明導
電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料をスパッタ法や
蒸着法で成膜後写真製版と微細加工技術によりソース配
線１３、ソース電極２８、ドレイン電極２９、画素電極
２７、保持容量電極１０１を形成する。このソース電極
２８およびドレイン電極２９あるいはそれらを形成した
ホトレジストをマスクとしてコンタクト層をエッチング
してチャネル領域が取り除く。ついで窒化シリコンや酸
化シリコン、無機絶縁膜、有機樹脂からなる層間絶縁膜
を成膜し、写真製版とそれに続くエッチングにより端子
部を形成する。
上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金やＩＴＯ等の
透明導電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料を用いて
スパッタ法や蒸着法などで成膜しついで写真製版・加工
によりゲート配線２２、保持容量共通配線１６および対
向電極３７を形成する。ついで窒化シリコンなどのゲー
ト絶縁膜と非晶質Ｓｉ、多結晶ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの半
導体膜２４、ｎ型のＴＦＴの場合はＰなどの不純物を高
濃度にドーピングしたｎ+非晶質Ｓｉ、ｎ+多結晶ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉなどのコンタクト膜を連続的にたとえばプラズ
マＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。つい
で、コンタクト膜と半導体膜２４を島状に加工する。Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｇ等やそれらを主成分とする合金やＩＴＯ等の透明導
電膜、さらにそれらの多層膜導電性材料をスパッタ法や
蒸着法で成膜後写真製版と微細加工技術によりソース配
線１３、ソース電極２８、ドレイン電極２９、画素電極
２７、保持容量電極１０１を形成する。このソース電極
２８およびドレイン電極２９あるいはそれらを形成した
ホトレジストをマスクとしてコンタクト層をエッチング
してチャネル領域が取り除く。ついで窒化シリコンや酸
化シリコン、無機絶縁膜、有機樹脂からなる層間絶縁膜
を成膜し、写真製版とそれに続くエッチングにより端子
部を形成する。
【００２８】以上により、薄膜トランジスタ集積装置を
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようにシール材にて
接合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共
通配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回
路、保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶
表示装置を作製する。
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようにシール材にて
接合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共
通配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回
路、保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶
表示装置を作製する。
【００２９】なお画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程では図５に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオー
バーラップし、オーバーラップした全領域Ｚにおいてそ
れぞれの露光により形成されるパターン（この工程では
画素電極および対向電極）の割合がほぼ等しくなるよう
にする。なお、オーバーラップする幅は１ｍｍ未満でも
よいが、１ｍｍ以上でよりよい効果が得られる。また、
パターンを乱数配列的配置になるようにしてもよい。
真製版工程では図５に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオー
バーラップし、オーバーラップした全領域Ｚにおいてそ
れぞれの露光により形成されるパターン（この工程では
画素電極および対向電極）の割合がほぼ等しくなるよう
にする。なお、オーバーラップする幅は１ｍｍ未満でも
よいが、１ｍｍ以上でよりよい効果が得られる。また、
パターンを乱数配列的配置になるようにしてもよい。
【００３０】以上により、薄膜トランジスタ集積装置を
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようシール材にて接
合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共通
配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、
保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶表示
装置を作製する。
作製することができる。さらに、この薄膜トランジスタ
集積装置を対向基板と液晶をはさむようシール材にて接
合する。さらにゲート配線、ソース配線、保持容量共通
配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、
保持容量共通配線用電源を接続することにより液晶表示
装置を作製する。
【００３１】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ露光境界共有領域が生じる。このため露光境界での電
極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩和され、
歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ露光境界共有領域が生じる。このため露光境界での電
極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩和され、
歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００３２】また重ね合わせずれ量が分割露光境界で変
化することにより生じていた電極間隔変動も、その平均
値がそれぞれの露光領域の中間の値をもつ領域が生じる
ため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減する。
化することにより生じていた電極間隔変動も、その平均
値がそれぞれの露光領域の中間の値をもつ領域が生じる
ため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減する。
【００３３】なお本実施の形態で述べた効果は、分割露
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
【００３４】実施の形態４ 本実施の形態では画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程で図６に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオーバ
ーラップし、オーバーラップした領域Ｚにおいてそれぞ
れの露光により形成されるパターン（少なくとも画素電
極または対向電極のいずれか一方）がそれぞれの露光領
域端になるほど小さい確率で存在するようまたパターン
を乱数配列的配置になるようにしてもよい。またオーバ
ーラップする幅は１ｍｍ以上でよい。この点以外の構成
は実施の形態３と同一であるので省略する。
真製版工程で図６に示すように露光領域Ｘ、Ｙがオーバ
ーラップし、オーバーラップした領域Ｚにおいてそれぞ
れの露光により形成されるパターン（少なくとも画素電
極または対向電極のいずれか一方）がそれぞれの露光領
域端になるほど小さい確率で存在するようまたパターン
を乱数配列的配置になるようにしてもよい。またオーバ
ーラップする幅は１ｍｍ以上でよい。この点以外の構成
は実施の形態３と同一であるので省略する。
【００３５】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。このため露
光境界での電極間隔変化による露光境界視認を低減する
ことができ、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。このため露
光境界での電極間隔変化による露光境界視認を低減する
ことができ、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００３６】なお実施の形態で述べた効果は、分割露光
方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置で
あれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版工
程において本実施の形態の手法を用いることで分割露光
領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の大
小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得ること
ができる。
方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置で
あれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版工
程において本実施の形態の手法を用いることで分割露光
領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の大
小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得ること
ができる。
【００３７】実施の形態５ 本実施の形態では画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程で図７（ａ）および（ｂ）に示すように画素
電極と対向電極で露光Ｘ1、Ｘ2およびＹ1およびＹ2の境
界共有領域の位置が異なるようにする。図７では露光境
界共有領域が重ならない例を示しているが一部重なって
もよい。この点以外の構成は実施の形態３あるいは４と
同一であるので省略する。
真製版工程で図７（ａ）および（ｂ）に示すように画素
電極と対向電極で露光Ｘ1、Ｘ2およびＹ1およびＹ2の境
界共有領域の位置が異なるようにする。図７では露光境
界共有領域が重ならない例を示しているが一部重なって
もよい。この点以外の構成は実施の形態３あるいは４と
同一であるので省略する。
【００３８】なお図７の（ａ）は画素電極露光時の境界
共有領域位置を示し、図７の（ｂ）は対向電極露光時の
境界共有領域位置を示している。
共有領域位置を示し、図７の（ｂ）は対向電極露光時の
境界共有領域位置を示している。
【００３９】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。また画素電
極と対向電極の重ね合わせずれによる電極間隔変化を抑
えることができる。このため露光境界での電極間隔変化
による露光境界視認を低減することができ、歩留まりお
よび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光境界共有領域で連続的に変化し
急峻な電極間距離の平均値変化が生じない。また画素電
極と対向電極の重ね合わせずれによる電極間隔変化を抑
えることができる。このため露光境界での電極間隔変化
による露光境界視認を低減することができ、歩留まりお
よび表示品位の向上が得られる。
【００４０】また重ね合わせずれ量が分割露光境界で変
化することにより生じていた電極間隔変動も、画素電極
と対向電極がそれぞれ別の位置で重ね合わせずれが生じ
るため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減す
る。
化することにより生じていた電極間隔変動も、画素電極
と対向電極がそれぞれ別の位置で重ね合わせずれが生じ
るため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減す
る。
【００４１】なお本実施の形態で述べた効果は、分割露
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
【００４２】実施の形態６ 本実施の形態では画素電極および対向電極を露光する写
真製版工程で図９に示すように画素電極と対向電極で露
光ＸおよびＹの境界共有領域Ｚのパターン配置が異なる
ようにする。この点以外の構成は実施の形態３あるいは
４と同一であるので省略する。
真製版工程で図９に示すように画素電極と対向電極で露
光ＸおよびＹの境界共有領域Ｚのパターン配置が異なる
ようにする。この点以外の構成は実施の形態３あるいは
４と同一であるので省略する。
【００４３】なお、図９の（ｂ）は画素電極露光時のパ
ターン配置例を示しており、図９の（ｃ）は対向電極露
光時のパターン配置例を示している。
ターン配置例を示しており、図９の（ｃ）は対向電極露
光時のパターン配置例を示している。
【００４４】上記方法により製造された液晶表示装置で
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光ＸおよびＹの境界共有領域Ｚで
連続的に変化し急峻な電極間距離の平均値変化が生じな
い。また画素電極と対向電極の重ね合せずれによる電極
間隔変化を抑えることができる。このため露光境界での
電極間隔変化による露光境界視認を低減することがで
き、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
は電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対向電極間
の距離）の平均値が露光ＸおよびＹの境界共有領域Ｚで
連続的に変化し急峻な電極間距離の平均値変化が生じな
い。また画素電極と対向電極の重ね合せずれによる電極
間隔変化を抑えることができる。このため露光境界での
電極間隔変化による露光境界視認を低減することがで
き、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００４５】また重ね合わせずれ量が分割露光境界で変
化することにより生じていた電極間隔変動も、その平均
値がそれぞれの露光領域の中間の値をもつ領域が生じる
ため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減する。
化することにより生じていた電極間隔変動も、その平均
値がそれぞれの露光領域の中間の値をもつ領域が生じる
ため、露光境界共有領域分割露光境界視認が低減する。
【００４６】なお本実施の形態で述べた効果は、分割露
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
光方式により作成された横方向電界方式の液晶表示装置
であれば、画素電極および対向電極を形成する写真製版
工程において本実施の形態の手法を用いることで分割露
光領域の数や大小、ＴＦＴ構造、駆動方式、表示装置の
大小、画素数、液晶の種類を問わず同様の効果を得るこ
とができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明の請求項１および２にかかわる液
晶表示装置によれば、上記方法により製造された液晶表
示装置では電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対
向電極間の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間
の値をもつ露光境界共有領域が生じる。このため露光境
界での電極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩
和され、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
晶表示装置によれば、上記方法により製造された液晶表
示装置では電圧を印加する電極間の距離（画素電極と対
向電極間の距離）の平均値がそれぞれの露光領域の中間
の値をもつ露光境界共有領域が生じる。このため露光境
界での電極間隔変化により生じていた露光境界視認が緩
和され、歩留りおよび表示品位の向上が得られる。
【００４８】本発明の請求項３にかかわる液晶表示装置
によれば、露光境界共有領域と通常露光領域の境界部で
の電極間隔の平均値の変化が小さいため、露光境界共有
領域と通常露光領域の境界視認が低減できる。
によれば、露光境界共有領域と通常露光領域の境界部で
の電極間隔の平均値の変化が小さいため、露光境界共有
領域と通常露光領域の境界視認が低減できる。
【００４９】本発明の請求項８、１１および１２にかか
わる液晶表示装置によれば、また重ね合わせずれ量が分
割露光境界で変化することにより生じていた電極間隔変
動も、その平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ領域が生じるため、露光境界共有領域分割露光境界視
認が低減する。
わる液晶表示装置によれば、また重ね合わせずれ量が分
割露光境界で変化することにより生じていた電極間隔変
動も、その平均値がそれぞれの露光領域の中間の値をも
つ領域が生じるため、露光境界共有領域分割露光境界視
認が低減する。
【図１】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の画素部の一例を示す平面図である。
の画素部の一例を示す平面図である。
【図２】図１の液晶表示装置の製造工程を示す工程断面
図である。
図である。
【図３】図１の液晶表示装置の製造工程を示す工程断面
図である。
図である。
【図４】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
【図５】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
【図６】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
【図７】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の露光Ｘ1、Ｘ2と露光Ｙ1、Ｙ2との間の境界領域を示す
説明図である。
の露光Ｘ1、Ｘ2と露光Ｙ1、Ｙ2との間の境界領域を示す
説明図である。
【図８】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示装
置の画素部の一例を示す平面図である。
置の画素部の一例を示す平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
の露光Ｘと露光Ｙとの間の境界領域を示す説明図であ
る。
【図１０】従来の液晶表示装置における電極間隔のばら
つきと輝度の変化率との関係を示すグラフである。
つきと輝度の変化率との関係を示すグラフである。
１６ 保持容量共通配線 ２１ 絶縁性基板 ２２ ゲート配線 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ 半導体膜 ２５ コンタクト膜 ２７ 画素電極 ２８ ソース電極 ２９ ドレイン電極 ３７ 対向電極 ５４ 第三の配線 ６０ 第一の配線 ６１ 第二の配線 １０１ 保持容量電極 １０２ 層間絶縁膜 １０３ コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JB24 JB69 KA05 KA10 KA12 KA18 KB04 KB25 MA04 MA05 MA07 MA08 MA16 MA18 MA19 MA37 NA01 NA29
Claims (13)
- 【請求項１】 画面を複数の領域に分割して画素パター
ンを形成する横方向電界方式の液晶表示装置において、
隣り合う分割露光領域が境界共有領域を有し、この境界
共有領域において画素パターンがいずれかの露光領域に
属すように配置されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記境界共有領域内の所定のパターンが
乱数配列的に配置されることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記境界共有領域内の所定のパターンが
それぞれの露光領域端になるほど小さい確率で存在する
よう配置されたことを特徴とする請求項１または２記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記境界共有領域を有する露光により形
成されるパターンが少なくとも液晶に電界を印加するた
めの電極を含むことを特徴とする請求項１〜３記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶に電界を印加するための電極が同層
で形成され、少なくともその液晶に電界を印加するため
の電極パターンを複数の領域に分割して形成する横方向
電界方式の液晶表示装置において、隣り合う分割露光境
界が境界共有領域を有し、この境界共有領域において画
素パターンがいずれかの露光領域に属すように配置され
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記境界共有領域内の所定パターンが乱
数配列的に配置されることを特徴とする請求項５記載の
液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記境界共有領域内の所定のパターンが
それぞれの露光領域端になるほど小さい確率で存在する
よう配置されたことを特徴とする請求項６または７記載
の液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶に電界を印加するための電極が別層
で形成され、少なくとも一方の電極パターンを複数の領
域に分割して形成する横方向の電界方式の液晶表示装置
において、隣り合う分割露光境界が境界共有領域を有
し、この境界共有領域において画素パターンがいずれか
の露光領域に属すように配置されることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項９】 前記境界共有領域内の所定のパターンが
乱数配列的に配置されることを特徴とする請求項８記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記境界共有領域内の所定のパターン
がそれぞれの露光領域端になるほど小さい確率で存在す
るよう配置されたことを特徴とする請求項８または９記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記境界共有領域の位置が画素パター
ンを構成する層によって異なることを特徴とする請求項
１〜１０記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記境界共有領域内の所定のパターン
の配置が層によって異なることを特徴とする請求項１〜
１０記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 境界共有領域の幅が１ｍｍ以上である
ことを特徴とする請求項１〜１０記載の液晶表示装置。
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