JP2000105548A

JP2000105548A - 表示パネル用電極基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000105548A
Application number: JP11209593A
Authority: JP
Inventors: Shuntaro Yoshida; 俊太郎吉田; Makoto Sato; 良佐藤; Akinari Fukaya; 顕成深谷; Hiromichi Kato; 博道加藤; Kazue Suematsu; 和重末松
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1998-07-31
Filing date: 1999-07-23
Publication date: 2000-04-11

Abstract

(57)【要約】【目的】埋め込み補助電極構造の形成の仕方に工夫を
凝らし、電極基板の内表面の平坦度を良好に確保しつ
つ、補助電極と透明電極との間の通電性を良好に確保す
るようにした表示パネル用電極基板及びその製造方法を
提供する。【解決手段】補助電極形成工程Ｓ２にて透明基板１１
の内表面に金属材料により複数のストライプ状補助電極
１２を形成する。平坦化膜材料成膜工程Ｓ３にて、ガラ
スペーストを各補助電極１２を埋め込むように透明基板
１１の内表面に塗布してガラスペースト膜を形成する。
研磨工程Ｓ４にて、各補助電極１２の先端面を露出面１
２ａとして露出させるようにガラスペースト膜の表面を
研磨する。透明電極形成工程Ｓ６にて、各補助電極１２
の露出面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の
透明電極１４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶パネルやエレク
トロルミネセンスパネル等の各種の表示パネル用電極基
板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば、マトリクス駆動方式の透
過型液晶パネルにおいては、その電極基板の複数の透明
電極の各配線抵抗の大小が液晶パネルの表示性能や製造
コストに大きく影響することを考慮して、各透明電極の
上に不透明な金属材料からなる補助電極をそれぞれ積み
上げる積み上げ補助電極構造が採用されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶パ
ネルにおいて、各透明電極の配線抵抗をより一層低抵抗
化するためには、各補助電極の幅や高さを増加させるこ
とで、当該各補助電極の断面積を増大させる必要があ
る。しかし、各補助電極の幅を広げると、これら各補助
電極は不透明故、液晶パネルの表示領域における開口率
を低下させる。その結果、液晶パネルの輝度が低下す
る。また、各補助電極の高さを増加させると、電極基板
の内表面の平坦度が悪化するため、両電極基板の間隔が
不均一になる。その結果、液晶パネルの表示むらを引き
起こす。

【０００４】そこで、近年、電極基板のガラス基板の中
に各補助電極を埋め込み、その上に各対応の透明電極を
成膜する「埋め込み電極構造」が採用されるようになっ
ている。この「埋め込み電極構造」によれば、電極基板
の内表面の平坦度を悪化させることなく、ガラス基板の
内部にて各補助電極の高さを十分に確保できる。このた
め、原理上、液晶パネルの開口率を低下させることな
く、各透明電極の配線抵抗の低抵抗化を実現できる。

【０００５】ここで、「埋め込み電極構造」の製造方法
としては、ガラス基板にショットブラストやエッチング
等により複数の溝を形成した上で当該各溝内に導電性ペ
ースト材料を埋め込む方法があるが、この導電性ペース
トとして非焼成タイプのものを採用した場合、当該導電
性ペーストは有機バインダーを含むため、この導電性ペ
ーストの比抵抗が高い。このため、各透明電極の十分な
配線抵抗の低減効果を期待することができない。また、
上記導電性ペーストとして焼成タイプのものを採用した
場合、この導電性ペーストは有機バインダーの燃焼によ
り収縮する。このため、電極基板の内表面の平坦度を良
好に確保することが困難である。

【０００６】これに対し、「埋め込み電極構造」を採用
しかつ電極基板の内表面の平坦化をねらった電極基板と
しては、特開平９−１８９９１７号公報にて示すものが
ある。この電極基板は、ガラス基板の内表面に形成され
た各補助電極の相互間に樹脂層を平坦に埋め込んだ構造
を有している。ここで、この構造は次のようにして形成
される。

【０００７】即ち、流動性樹脂材料を、型基板の平坦な
内表面とガラス基板の各補助電極を形成した内表面との
間に介装する。そして、このように介装した流動性樹脂
材料を、型基板及びガラス基板を一対のローラにより挟
持して加圧しつつ、押し広げて樹脂層とし、その後、硬
化する。ついで、ガラス基板及び硬化した樹脂層を、上
記型基板から剥離する。これにより、上述のように各補
助電極の相互間に樹脂層を埋め込んだ構造が形成され
る。このことは、上記型基板を用いた転写によって電極
基板の内表面を平坦にすることができることを意味す
る。

【０００８】しかし、上述のような一対のローラによる
加圧及び押し広げの過程において、各補助電極には、各
対応の透明電極と電気的に接触されるべき露出面がそれ
ぞれ形成されるものの、上記加圧及び押し広げによって
は、当該露出面の露出面積が不十分となり、当該露出面
が流動性樹脂材料により部分的に覆われたまま、当該流
動性樹脂材料の硬化処理がなされてしまう。

【０００９】このため、上述のようにガラス基板及び硬
化した樹脂層を型基板から剥離したとき、補助電極の露
出面は硬化した樹脂層により部分的に覆われたままとな
っているから、このような補助電極の露出面に透明電極
を形成しても、両者、即ち、補助電極と透明電極との間
の電気的接触による導通性が悪いという不具合が生ず
る。これに対し、上述した補助電極と透明電極との間の
導通性を良好に確保するには、補助電極の露出面の平坦
度を表面粗度Ｒａにして２００Å以上に粗くする必要が
あるが、このようにすると、両電極基板間の間隔が不均
一となり、却って、液晶パネルに表示むらを招く。

【００１０】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処するため、埋め込み補助電極構造の形成の仕方に工夫
を凝らし、電極基板の内表面の平坦度を良好に確保しつ
つ、補助電極と透明電極との間の通電性を良好に確保す
るようにした表示パネル用電極基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあた
り、請求項１に記載の発明によれば、基板（１１）の内
表面に金属材料により複数のストライプ状補助電極（１
２）を形成する補助電極形成工程（Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１乃
至Ｒ３）と、平坦化膜形成材料を各補助電極を埋め込む
ように基板の内表面に塗布して材料膜を形成する材料膜
形成工程（Ｓ３、Ｒ４）と、各補助電極の先端面を露出
面（１２ａ）として露出させるように材料膜の表面を研
磨する研磨工程（Ｓ４、Ｒ５）と、各補助電極の露出面
にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極
（１４）を形成する主電極形成工程（Ｓ５、Ｓ６、Ｒ
６、Ｒ７、Ｕ５、Ｕ６）とを備える表示パネル用電極基
板の製造方法が提供される。

【００１２】このように、平坦化膜形成材料を各補助電
極を埋め込むように基板の内表面に塗布して材料膜を形
成し、各補助電極の先端面を露出面として露出させるよ
うに材料膜の表面を研磨するようにしたので、各補助電
極の露出面が一様に露出されるとともに、この露出面と
各平坦化膜の表面とは同一面にある。このため、補助電
極と透明電極との間の通電性を良好に確保し得るのは勿
論のこと、電極基板の内表面の平坦度を良好に確保でき
る。

【００１３】ここで、請求項２に記載の発明によれば、
請求項１に記載の発明において、材料膜形成工程におい
て、平坦化膜形成材料として低融点ガラスペーストを用
い、この低融点ガラスペーストを所定の温度にて焼成す
ることで材料膜として形成する。これにより、各補助電
極に主電極を、例えば、ＩＴＯで形成するとき、高温で
行える。

【００１４】また、請求項３に記載の発明によれば、請
求項１又は２に記載の発明において、補助電極形成工程
において、金属材料として感光性Ａｇペーストを用い、
このＡｇペーストを基板の内表面に塗布してフォトリソ
グラフィ法によるパターニング処理にて各補助電極を形
成する。これにより、金属材料として非感光性ペースト
を用いる場合に比べて、各補助電極のパターニング処理
による形成プロセスが簡単となる。

【００１５】また、請求項４に記載の発明によれば、請
求項１又は２に記載の発明において、補助電極形成工程
において、金属材料としてＣｕ及びＮｉを用い、基板の
内表面にＮｉを無電界メッキによりＮｉ膜として形成
し、このＮｉ膜を下地電極としてＣｕをＮｉ膜に電界メ
ッキによりＣｕ膜を形成し、これら両Ｃｕ膜及びＮｉ膜
をフォトリソグラフィ法によるパターニング処理にて各
補助電極を形成する。このように、補助電極をＣｕ及び
Ｎｉを用いて形成するようにしても、請求項１又は２に
記載の発明と同様の作用効果を達成できる。

【００１６】また、請求項５に記載の発明によれば、基
板の内表面に金属材料により複数のストライプ状補助電
極を形成する補助電極形成工程（Ｓ１１、Ｓ２１、Ｒ１
１乃至Ｒ３１）と、各補助電極の先端面が突出するよう
に当該各補助電極の間に沿いそれぞれ基板の内表面に前
記金属材料よりも硬度の高い平坦化膜形成材料によって
ストライプ状平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程（Ｓ
３１、Ｒ４１）と、各補助電極の先端面を各平坦化膜の
表面に一致するまで研磨して露出面を形成する研磨工程
（Ｓ４１、Ｒ５１）と、各補助電極の露出面にその長手
方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極を形成する主
電極形成工程（Ｓ５、Ｓ６、Ｒ６、Ｒ７、Ｕ５、Ｕ６）
とを備える表示パネル用電極基板の製造方法が提供され
る。

【００１７】このように、各補助電極の先端面が突出す
るように当該各補助電極の間に沿いそれぞれ基板の内表
面に前記金属材料よりも硬度の高い平坦化膜形成材料に
よってストライプ状平坦化膜を形成し、各補助電極の先
端面を各平坦化膜の表面に一致するまで研磨して露出面
を形成するので、請求項１に記載の発明の作用効果を達
成できるのは勿論のこと、請求項１の場合に比べて、研
磨量を減少させ電極基板の内表面の平坦度をより一層良
好に確保できる。

【００１８】また、請求項６に記載の発明によれば、基
板（１１）の内表面に補助電極及び平坦化膜を交互にス
トライプ状に複数ずつ形成する補助電極・平坦化膜形成
工程（Ｔ１乃至Ｔ５）と、各補助電極の露出面にその長
手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極（１４）を
形成する主電極形成工程（Ｔ７、Ｔ８）とを備える表示
パネル用電極基板の製造方法であって、補助電極・平坦
化膜形成工程は、基板の内表面に複数のストライプ状下
地電極（ｈ、ｉ）を形成する下地電極形成工程（Ｔ１、
Ｔ２）と、基板の内表面に各下地電極を覆うように平坦
化膜形成材料を塗布して材料膜（ｊ）を形成する材料膜
形成工程（Ｔ３）と、材料膜に前記各下地電極をそれぞ
れ臨むようにストライプ状開口部を形成するとともに当
該各開口部間にそれぞれ平坦化膜を形成する開口部・平
坦化膜形成工程（Ｔ４）と、各下地電極上に各開口部内
に当該各開口部からそれぞれ突出するように導電性金属
材料を電気メッキにより充填してストライプ状導電部材
を形成する導電部材形成工程（Ｔ５）と、各導電部材の
先端面を各平坦化膜の表面に一致するまで研磨して露出
面として形成し、この露出面を形成した各導電部材をそ
の下地電極と共にそれぞれ補助電極とする研磨工程（Ｔ
６）とを備える表示パネル用電極基板の製造方法が提供
される。

【００１９】このように、材料膜に各下地電極をそれぞ
れ臨むようにストライプ状開口部を形成するとともに当
該各開口部間にそれぞれ平坦化膜を形成し、各下地電極
上に各開口部内に当該各開口部からそれぞれ突出するよ
うに導電性金属材料を電気メッキにより充填してストラ
イプ状導電部材を形成し、各導電部材の先端面を各平坦
化膜の表面に一致するまで研磨して露出面として形成す
るようにしても、請求項５に記載の発明と同様の作用効
果を達成できる。

【００２０】また、請求項７に記載の発明によれば、基
板（１１）と、この基板の内表面に交互にストライプ状
に複数ずつ形成した補助電極及び平坦化膜と、各補助電
極の露出面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状
に形成した主電極（１４）とを備える表示パネル用電極
基板であって、複数の補助電極は、それぞれ、基板の内
表面に設けられたストライプ状下地電極（ｉ）と、複数
の平坦化膜のうち下地電極の両側平坦化膜の間にて当該
下地電極上に導電性金属材料により電気メッキでもって
形成した導電部材（ｋ１）とを備える表示パネル用電極
基板が提供される。これによれば、請求項６に記載の発
明により製造するに適した表示パネル用電極基板の提供
が可能となる。

【００２１】また、上記請求項１及び請求項５記載の製
造方法について、更に鋭意検討したところ、平坦化膜形
成材料として低融点ガラスペーストを用い、主電極形成
工程において、主電極形成材料としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）を用いた場合には、以下の
ような問題を生じる可能性があることを見出した。つま
り、材料膜及び各補助電極の露出面の上にスパッタリン
グにより透明なＩＴＯを成膜した後、エッチング液（王
水等）を用いたエッチングによりストライプ状にパター
ニングして主電極を形成するのであるが、パターニング
の際に、エッチング液により、低融点ガラス（鉛ガラス
等）が白濁、融解してしまう。

【００２２】また、このような問題に対して、従来、低
融点ガラス上でエッチング可能な透明電極材料、及びそ
のエッチング液は明らかではなかった。また、エッチン
グによらないパターニング方法としてリフトオフ法があ
るが、パターニングに用いるレジスト材料による異物混
入の問題、コストアップ等により実現が難しい。

【００２３】そこで、上記低融点ガラスの白濁という問
題について、調査を進めた結果、この問題は、下地（鉛
ガラス等の低融点ガラス）の耐酸性が極めて低く、エッ
チング液（王水等）によるエッチングレートがパターニ
ングされる材料（スパッタリングＩＴＯ）のエッチング
レートよりも大きいことが原因であることが分かった。

【００２４】上記問題を回避するために、パターニング
される主電極形成材料及びエッチング液について鋭意検
討した結果、下地の低融点ガラスよりも耐酸性が低く且
つエッチングレートの大きな主電極形成材料として、Ｉ
ＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）または有
機酸ＩＴＯを用い、低融点ガラスへのアタックの少ない
エッチング液として酸を有機系溶媒で希釈したものを用
いればよいことを見出した。請求項８ないし請求項１１
記載の発明は、この知見に基づき、成されたものであ
る。

【００２５】即ち、請求項８記載の発明によれば、請求
項１または請求項５記載の発明において、平坦化膜形成
材料として低融点ガラスペーストを用い、主電極形成工
程（Ｕ５、Ｕ６）において、主電極（１４）を形成する
主電極形成材料としてＩＺＯまたは有機酸ＩＴＯを用
い、この主電極形成材料によって材料膜及び各補助電極
の露出面を覆う覆い膜（ｍ）を形成した後、この覆い膜
を、酸を有機系溶媒で希釈したエッチング液でエッチン
グすることにより、該主電極を形成する。これにより、
請求項１または請求項５の発明と同様の効果を奏すると
ともに、上記低融点ガラスの白濁、融解という問題を適
切に防止する製造方法を提供できる。

【００２６】また、調査を進めるうちに、低融点ガラス
がエッチング液中の水分に敏感に反応し、白濁すること
もわかった。そして、検討の結果、請求項９記載の発明
のように、エッチング液として、含有される水分量が２
％以内のものを用いれば、より好適に上記低融点ガラス
の白濁、融解という問題を防止することができることを
見出した。

【００２７】ここで、具体的に、エッチング液の酸とし
ては、塩酸またはクロルスルホン酸を用いることがで
き、エッチング液の有機系溶媒としては、ｎ−ブタノー
ルもしくはｉｓｏ−プロパノールを用いることができ
る。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
により説明する。

【００２９】（第１実施形態）図１は、本発明が表示パ
ネルの一実施形態である液晶パネルに適用された例を示
している。この液晶パネルは、下側電極基板１０と、上
側電極基板２０とを備えており、これら両電極基板１
０、２０の間には、スメクチック液晶が、帯状シールを
介して、複数のスペーサと共に設けられている。なお、
下側電極基板１０は走査電極電極基板であり、上側電極
基板２０は信号電極側電極基板である。

【００３０】下側電極基板１０は、透明基板１１の内表
面に複数の不透明のストライプ状補助電極１２、複数の
透明のストライプ状平坦化膜１３、複数のストライプ状
透明電極１４、透明の絶縁膜及び透明の配向膜を順次形
成して構成されている。ここで、透明基板１１は、ソー
ダライムガラス材料等からなる厚さ１ｍｍ程度のガラス
板により形成されている。なお、このガラス板１１の両
面は研磨により高い平行度を有していることが望まし
い。

【００３１】各補助電極１２及び各平坦化膜１３は、透
明基板１１の内表面に、交互に、かつ互いに並行に形成
されており、各補助電極１２は、図１にて例示するごと
く、その先端面である露出面１２ａにて対応の透明電極
１４の裏面と一様に密着している。これにより、各補助
電極１２は、対応の透明電極１４の配線抵抗値を低下さ
せる。本実施形態では、各補助電極１３の形成材料は、
金属材料であって、低い抵抗値を有し、かつ、透明電極
１１であるガラス板と良好な密着性を有することが望ま
しい。

【００３２】各平坦化膜１３は、各補助電極１２の透明
基板１１の内表面からの高さと同一の高さを有してお
り、これら各平坦化膜１３の形成材料としては、例え
ば、ガラスペースト（焼成により硬化して透明ガラスと
なるペースト）や光硬化型透明樹脂のモノマー液等が用
いられる。各透明電極１４は、各対応の補助電極１２の
露出面１２ａ上にその長手方向に沿い形成されている。
なお、各透明電極１４の形成材料としてはＩＴＯが採用
されている。

【００３３】一方、上側電極基板２０は、透明基板２１
の内表面に複数のストライプ状透明電極２２、透明の絶
縁膜及び配向膜を順次形成して構成されている。なお、
複数条の透明電極２５は、複数条の透明電極１２に直角
に延在するように配置され、スメクチック液晶と共に複
数のマトリックス状画素を構成する。

【００３４】次に、このように構成した液晶パネルのう
ちの下側電極基板１０の製造方法について図２及び図３
を参照して説明する。図２（ａ）は補助電極材料成膜工
程Ｓ１を示す。この工程では、感光性銀ペーストを、図
２（ａ）にて符号ａにより示すごとく、透明基板１１の
内表面に印刷法による塗布でもって銀ペースト膜として
成膜する。この銀ペースト膜の膜厚は、この膜の本焼成
後に各透明電極１４の配線抵抗を低減させるに要する膜
厚としてある。上記成膜後、当該銀ペースト膜ａを、温
度８０℃にて、仮焼成して乾燥する。

【００３５】ついで、補助電極形成工程Ｓ２（図２
（ｂ）参照）にて、銀ペースト膜ａをフォトリソグラフ
ィ法により現像露光してパターニング処理した後焼成し
て複数のストライプ状補助電極１２として形成する。こ
のとき、上記感光性銀ペーストとして、低融点ガラスを
含む低温焼成タイプのものを用いれば、４７０℃で焼成
可能である。このような低温焼成は、透明基板１１であ
るガラス基板の反りや収縮量を抑制するのに有効であ
る。

【００３６】次の平坦化膜材料成膜工程Ｓ３（図２
（ｃ）参照）においては、ガラスペーストを、図２
（ｃ）にて符号ｂにより示すごとく、透明基板１１の内
表面にスクリーン印刷による塗布でもってガラスペース
ト膜として成膜する。但し、ガラスペースト膜ｂの膜厚
は、図２（ｃ）にて例示するごとく、各補助電極１２を
ガラスペースト膜ｂ内に埋め込むのに十分な膜厚にす
る。

【００３７】上述のようにガラスペースト膜ｂの成膜
後、このガラスペースト膜ｂを焼成する。このような焼
成後に後述する研磨工程Ｓ４の処理を行うので、ガラス
ペースト膜ｂがその焼成時に収縮しても、補助電極１２
に変形等を生ずることはない。ここで、上記ガラスペー
ストとして、Ｂｉ系やＰｂ系の低融点タイプのものを使
用すれば、５３０℃で焼成可能である。このような低温
焼成は、透明基板１１であるガラス板の反りや収縮量を
抑制するのに有効である。

【００３８】ついで、研磨工程Ｓ４（図２（ｄ）参照）
において、ガラスペースト膜ｂの研磨を、図３（ａ）に
て示すようなヘッド固定型テープ研磨機３０を用い、次
のようにして行う。ここで、テープ研磨機３０のテーブ
ル３１の送り速度は３００ｍｍ／分であり、研磨テープ
３２のローラ３３による巻き上げ速度は１２００ｍｍ／
分である。また、研磨テープ３２としては、炭化珪素Ｎ
Ｏ．６００からなる研磨テープが採用されている。

【００３９】まず、ガラスペースト膜ｂが上側に位置す
るように透明基板１１をテーブル３１の上面と研磨テー
プ３２のうち両ローラ３４、３５間に位置するテープ部
分３２ａとの間に挟持する（図３（ａ）参照）。このと
き、ガラスペースト膜ｂは、テーブル３１の上面に、ロ
ーラ３５により荷重４０ｋｇｆでもってテープ部分３２
ａを介して押し付けられる。また、ローラ３５はゴム硬
度６０のゴムにより形成されている。

【００４０】このような状態において、上述のごとく、
テーブル３１を送り速度３００ｍｍ／分にて図示矢印Ａ
方向に送り、かつ、ローラ３３により研磨テープ３２を
巻き上げ速度１２００ｍｍ／分にて図示矢印Ｂ方向に巻
き上げる。

【００４１】これにより、ガラスペースト膜ｂは、その
表面ｂ１（図２（ｃ）参照）にて、研磨テープ３２によ
りそのテープ部分３２ａにて研磨される。このときの研
磨は、ローラ３５が上記ゴム硬度を有するゴムにより形
成されているため、ガラスペースト膜ｂに損傷を与える
ことなく円滑になされ得る。また、上記研磨の量は各補
助電極１２の先端面を露出面として露出させるに十分な
量とする。

【００４２】このような研磨に伴い、ガラスペースト膜
ｂの表面ｂ１が各補助電極１２の露出面１２ａと同一面
に達すると、テープ研磨機３０による研磨が停止され
る。これにより、ガラスペースト膜ｂが複数のストライ
プ状平坦化膜１３として形成されるとともに、各補助電
極１２の露出面１２ａが、図２（ｄ）にて例示するごと
く、一様に露出される。

【００４３】換言すれば、上述のようなテープ研磨機３
０による研磨により、各平坦化膜１３の表面１３ａが各
補助電極１２の露出面１２ａと同一面にて一様に平坦化
されるとともに、各補助電極１２の露出面１２ａが一様
に露出される。

【００４４】なお、ガラスペースト膜ｂの研磨は、テー
プ研磨機３０に代えて、図３（ｂ）にて示すベルト研磨
機４０や、図３（ｃ）にて示すヘッド振動型テープ研磨
機５０により行うようにしてもよい。

【００４５】ここで、ベルト研磨機４０の両ローラ４
１、４２による研磨ベルト４３の速度、即ち、ベルト速
度は、４００ｍ／分である。また、ベルト研磨機４０の
各上側送りローラ４４と各下側送りローラ４５とによる
透明基板１１に対する送り速度は、１ｍ／分である。ま
た、研磨ベルト４３としては、酸化アルミニウムＮＯ．
１０００からなる研磨ベルトが採用されている。なお、
ローラ４１はゴム硬度３５のゴムにより形成されてい
る。

【００４６】このようなベルト研磨機４０によれば、各
上側送りローラ４４と各下側送りローラ４５とにより透
明基板１１を図示矢印Ｃ方向へ上記送り速度にて送り、
かつ、両ローラ４１、４２により研磨ベルト４３を図示
矢印Ｄ方向へ上記巻き上げ速度にて巻き上げながら、ロ
ーラ４１の上記ゴム硬度のもと、研磨ベルト４３により
透明基板１１の各平坦化膜１３を上述と同様に円滑に平
坦化する。

【００４７】その結果、テープ研磨機３０による研磨の
場合と同様の作用効果を達成できる。なお、ベルト研磨
機４０により研磨する場合、透明基板１１の送り速度と
研磨ベルト４３の巻き上げ速度との間に大きな差がある
ため、当該研磨は、研磨面に散水して冷却しつつなされ
る。

【００４８】一方、ヘッド振動型テープ研磨機５０のテ
ーブル５１の送り速度は５０ｍｍ／分であり、ローラ５
３による研磨テープ５２の送り速度は５０ｍ／秒であ
る。また、研磨テープ５２としては、ダイヤＮＯ．６０
０からなる研磨テープが採用されている。また、ローラ
５３は図３（ｃ）にて図示両矢印Ｆ方向（テーブル５１
の移動方向とは直交する方向）に振動するもので、この
ローラ５３の振動数は４５０ｃｐｍである。なお、ロー
ラ５３はゴム硬度６０のゴムにより形成されている。

【００４９】このようなテープ研磨機５０によれば、テ
ーブル５１を上記送り速度にて図示矢印Ｅ方向に送りな
がら、研磨テープ５２を上記送り速度にて図示矢印Ｇ方
向に送り、かつ、ローラ５３を上記振動数にて図示Ｆ方
向に振動させて、ローラ５３の上記ゴム硬度のもと、研
磨テープ５２により透明基板１１の各平坦化膜１３を上
述と同様に円滑に平坦化する。その結果、テープ研磨機
３０による研磨の場合と同様の作用効果を達成できる。

【００５０】以上のようにして研磨工程Ｓ４を終了した
後、透明電極材料成膜工程Ｓ５（図２（ｅ）参照）にお
いて、ＩＴＯを各補助電極１２の露出面１２ａ及び各平
坦化膜１３の表面１３ａにスパッタリングによりＩＴＯ
膜ｃとして成膜する。

【００５１】なお、透明基板１１の耐熱温度は５８０℃
故、上記スパッタリングに代えて、４００℃程度で焼成
の必要な印刷ＩＴＯによる成膜を行うようにしてもよ
い。ここで、上記印刷ＩＴＯは、有機酸ＩＴＯペースト
をスクリーン印刷により、各補助電極１２の露出面１２
ａ及び各平坦化膜１３の表面１３ａに印刷塗布して印刷
ＩＴＯ膜を成膜し、この印刷ＩＴＯ膜を４００℃程度で
焼成して上記ＩＴＯ膜ｃとしてもよい。これにより、ス
パッタリングによる場合に比べて、ＩＴＯ膜ｃを低コス
トにて形成することができる。

【００５２】ついで、透明電極形成工程Ｓ６（図２
（ｆ）参照）において、ＩＴＯ膜ｃをフォトリソグラフ
ィ法により現像露光してパターニング処理し複数のスト
ライプ状透明電極１４を図２（ｆ）にて例示するごとく
形成する。ここで、各透明電極１４は、その裏面にて、
それぞれ、対応の各補助電極１２の露出面１２ａ全体を
含みその両側の平坦化膜１３の各表面の一部に亘り覆う
ように形成される。

【００５３】この場合、上述のように各補助電極１２の
露出面１２ａは、各平坦化膜１３の表面１３ａと同一面
にあり、上記研磨により一様に露出しているから、各透
明電極１４はその対応の各補助電極１２の露出面１２ａ
と一様に密着し得る。これにより、各透明電極１４と対
応の各補助電極１２との間で互いに良好な通電性が確保
され得る。

【００５４】その後、絶縁膜形成工程Ｓ７（図２（ｇ）
参照）において、透明の絶縁膜材料を印刷により各透明
電極１４を介して各平坦化膜１３の表面１３ａに塗布し
て絶縁膜（図２（ｇ）にて符号ｄ参照）を形成する。つ
いで、配向膜形成工程Ｓ８（図２（ｈ）参照）におい
て、透明の配向膜材料（例えば、ポリイミド）を、絶縁
膜ｄに配向膜（図２（ｈ）にて符号ｅ参照）として成膜
する。これにより、下側電極基板１０の製造が終了す
る。

【００５５】このように製造した下側電極基板１０にお
いては、上述のように、各補助電極１２の露出面及び各
平坦化膜１３の表面が共に同一面内にて平坦化されてい
るから、このような下側電極基板１０をシール及びスペ
ーサを介して上側電極基板２０に重ね合わせて液晶パネ
ルとして構成しても、これら両電極基板１０、２０の間
の間隔が一様となる。その結果、液晶パネルの表示むら
の発生を良好に防止できる。なお、下側電極基板１０に
おいては、各平坦化膜１３の間に補助電極１２を埋め込
む構造となっているので、平坦化膜１３及び補助電極１
２の高さを調整することで、透明電極１４の配線抵抗の
低抵抗化を確保できるから、液晶パネルとしての表示領
域の開口率の低下を招くこともない。

【００５６】（第２実施形態）図４は、本発明の第２実
施形態を示している。この第２実施形態における液晶パ
ネルの下側電極基板は、上記第１実施形態にて述べた液
晶パネルの下側電極基板１０において、複数のストライ
プ状補助電極１２に代えて、複数のストライプ状補助電
極１５（図４（ｃ）乃至（ｇ）参照）を設けた構成とな
っている。なお、図４（ｃ）乃至（ｇ）では、複数のス
トライプ状補助電極１５のうちの一例が示されている。
その他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

【００５７】次に、このように構成した液晶パネルの下
側電極基板の製造方法につき図４に基づいて説明する。
まず、図４（ａ）のＮｉ無電界メッキ工程Ｒ１におい
て、上記第１実施形態にて述べた透明基板１１の内表面
にＮｉを無電界メッキ法によりメッキしてＮｉ膜ｆを形
成する。

【００５８】次に、図４（ｂ）のＣｕ電界メッキ工程Ｒ
２において、Ｎｉ膜ｆ上にこのＮｉ膜ｆを電極としてＣ
ｕを電界メッキ法によりメッキしてＣｕ膜ｇを積層形成
する。このように、Ｎｉ膜ｆ上にＣｕ膜ｇを形成するこ
ととしたのは、透明基板１１であるガラス基板にＣｕ膜
ｇを電界メッキ法により直接形成しても、Ｃｕ膜ｇと透
明基板１１との密着性が不足することを考慮して、ガラ
ス基板と密着性のよいＮｉからなるＮｉ膜ｆを下地電極
として有効する活用したものである。

【００５９】ついで、補助電極形成工程Ｒ３（図４
（ｃ）参照）にて、上述のように積層形成したＣｕ膜ｇ
及びＮｉ膜ｆをフォトリソグラフィ法によりエッチング
処理して複数のストライプ状補助電極１５として形成す
る。図４（ｃ）では、補助電極１５の一例を示す。

【００６０】次の図４（ｄ）にて示す平坦化膜材料成膜
工程Ｒ４では、上記第１実施形態にて述べた平坦化膜材
料成膜工程Ｓ３と同様の処理により、ガラスペースト膜
ｂを、各補助電極１５をガラスペースト膜ｂ内に十分に
埋め込むような膜厚にて、透明基板１１の内表面に成膜
する。

【００６１】その後、図４（ｅ）にて示す研磨工程Ｒ５
において、上記第１実施形態にて述べた研磨工程Ｓ４と
同様の処理によりガラスペースト膜ｂを研磨する。これ
により、ガラスペースト膜ｂが上記第１実施形態と同様
に複数のストライプ状平坦化膜１３として形成されると
ともに、各補助電極１５の露出面１５ａ（Ｃｕ膜ｇの先
端面）が、図４（ｅ）にて例示するごとく、一様に露出
される。換言すれば、各平坦化膜１３の表面１３ａが各
補助電極１５の露出面１５ａと同一面にて一様に平坦化
されるとともに、各補助電極１５の露出面１５ａが一様
に露出される。

【００６２】このような研磨処理後、図４（ｆ）にて示
す透明電極材料成膜工程Ｒ６において、上記第１実施形
態にて述べた透明電極材料成膜工程Ｓ５と同様の処理に
より、ＩＴＯ膜ｃを、各補助電極１５の露出面１５ａ及
び各平坦化膜１３の表面１３ａに成膜する。

【００６３】ついで、図４（ｇ）にて示す透明電極形成
工程Ｒ７において、上記第１実施形態にて述べた透明電
極形成工程Ｓ６と同様の処理により、複数のストライプ
状透明電極１４をパターニング形成する。ここで、各透
明電極１４は、その裏面にて、それぞれ、対応の各補助
電極１５の露出面１５ａ全体を含みその両側の平坦化膜
１３の各表面の一部に亘り覆うように形成される。

【００６４】この場合、上述のように、各平坦化膜１３
の表面は平坦化され、各補助電極１５の露出面１５ａ
は、各平坦化膜１３の表面１３ａと同一面にあって、上
記研磨により一様に露出しているから、各透明電極１４
はその対応の各補助電極１５の露出面１５ａと一様に密
着し得る。これにより、各透明電極１４と対応の各補助
電極１５との間で互いに良好な通電性が確保され得る。

【００６５】また、透明電極形成工程Ｒ７の処理後は、
上記第１実施形態にて述べた絶縁膜形成工程Ｓ７及び配
向膜形成工程Ｓ８の処理が同様になされ、本第２実施形
態における下側電極基板の製造が終了する。

【００６６】このように製造した下側電極基板を、上記
第１実施形態と同様に、上側電極基板２０と重ね合わせ
て液晶パネルを構成すれば、当該両電極基板の間の間隔
が一様となる。その結果、液晶パネルの表示むらの発生
を良好に防止できる。その他の作用効果を上記第１実施
形態と同様である。

【００６７】（第３実施形態）図５は、本発明の第３実
施形態を示す。この第３実施形態において液晶パネルの
下側電極基板（上記第１実施形態にて述べた下側電極基
板１０に相当する）は、各補助電極１２の形成材料であ
る銀ペーストの硬度が各平坦化膜１３の形成材料である
ガラスペーストの硬度よりも著しく低いことを利用し
て、次のようにして製造される。

【００６８】ちなみに、銀ペースト及びガラスペースト
を焼成した状態で双方の硬度を調べたところ、銀ペース
トの硬度は、１６．７であり、ガラスペーストの硬度は
２１２．４であった。従って、銀ペーストの硬度は、ガ
ラスペーストの硬度に比べて著しく低いことが分かる。
なお、硬度の測定は、島津製作所製ＤＵＨ−２０１Ｓ型
硬度測定装置により、１１５°三角錐の圧子を用い、１
ｇｆに荷重でもって行った。

【００６９】まず、図５（ａ）にて示す補助電極材料成
膜工程Ｓ１１においては、上記第１実施形態にて述べた
補助電極材料成膜工程Ｓ１と実質的に同様の処理によ
り、感光性銀ペーストを透明基板１１の内表面に銀ペー
スト膜ａ１として成膜した後仮焼成して乾燥する。但
し、本第３実施形態では、銀ペースト膜ａ１の膜厚は、
上記第１実施形態にて述べた銀ペースト膜ａの膜厚より
も、十分に厚い膜厚となっている。

【００７０】ついで、図５（ｂ）にて示す銀ペースト膜
部形成工程Ｓ２１においては、上記第１実施形態にて述
べた補助電極形成工程Ｓ２と同様の処理により、銀ペー
スト膜ａ１を、各補助電極１２と同様の幅を有する各銀
ペースト膜部ａ２としてパターニング形成する。なお、
図５（ｂ）では、銀ペースト膜部ａ２の一例を示す。

【００７１】このようなパターニング形成後、図５
（ｃ）にて示す平坦化膜材料成膜工程Ｓ３１において、
上記第１実施形態にて述べた平坦化膜材料成膜工程Ｓ３
と実質的に同様の処理により、ガラスペースト膜ｂに代
えて、ガラスペーストを、複数のストライプ状ガラスペ
ースト膜ｂ１として透明基板１１の内表面に成膜する。
この場合、各ガラスペースト膜ｂ１の膜厚は、銀ペース
ト膜ａ１の膜厚よりも薄く、上記第１実施形態にて述べ
た補助電極１２の高さに等しい膜厚となっている。

【００７２】次の図５（ｄ）に示す研磨工程Ｓ４１にお
いては、上記第１実施形態にて述べた研磨工程Ｓ４とは
異なり、各銀ペースト膜部ａ２の研磨を、上記第１実施
形態にて述べたヘッド固定型テープ研磨機３０を用いて
行う。即ち、各銀ペースト膜部ａ２は、その先端面に
て、研磨テープ３２によりそのテープ部分３２ａにて研
磨される。これに伴い、各銀ペースト膜部ａ２の先端面
が各ガラスペースト膜ｂ１の表面、即ち各補助電極１２
の露出面１２ａと同一面に達すると、テープ研磨機３０
による研磨が停止される。

【００７３】これにより、各銀ペースト膜部ａ２が各補
助電極１２として形成され、各補助電極１２の露出面１
２ａが、図５（ｄ）にて例示するごとく、一様に露出さ
れる。このとき、各ガラスペースト膜ｂ１の表面も平坦
化のため僅かに研磨されて各平坦化膜１３となる。

【００７４】このように本第３実施形態においては、各
銀ペースト膜部ａ２の硬度が各ガラスペースト膜ｂ１の
硬度よりも著しく低いことを利用して、上記第１実施形
態とは異なり、各銀ペースト膜部ａ２を各ガラスペース
ト膜ｂ１よりも厚く形成した上で、当該各銀ペースト膜
部ａ２を研磨するようにした。これにより、本第３実施
形態では、上記第１実施形態に比べて、以下の特有の作
用効果を達成することができる。

【００７５】上記第１実施形態では、上述のごとく、各
補助電極１２ではなくガラスペースト膜ｂを研磨する
が、ガラスペースト膜ｂの硬度が高いため、このガラス
ペースト膜ｂは研磨時に割れ易い。よって、この割れ易
さを防止するため、ガラスペースト膜ｂを細かい砥粒で
研磨すると、ガラスペースト膜ｂの不要部分を研磨によ
り除去するにあたり、長時間を要する。

【００７６】一方、ガラスペースト膜ｂを粗い砥粒で研
磨すると、ガラスペースト膜ｂの不要部分の研磨による
除去が、短時間で可能となるものの、ガラスペースト膜
ｂの研磨面に条痕、割れや補助電極の断線等が発生す
る。このため、仕上げ加工を行っても、平坦化膜１３の
平坦度を良好には確保できない。

【００７７】これに対し、本第３実施形態では、上述の
ごとく、各ガラスペースト膜ｂ１（ガラスペースト膜ｂ
に対応する）ではなく、当該各ガラスペースト膜ｂ１よ
りも著しく硬度の低い各銀ペースト膜部ａ２（上記第１
実施形態における各補助電極１２に対応する）を研磨す
るようにした。従って、ガラスペースト膜ｂ１の破損や
補助電極１２の断線等を招くことなく、研磨の砥粒を細
かくした上で、各銀ペースト膜部ａ２を、短時間で円滑
にかつ良好に研磨することができる。

【００７８】また、上記第１実施形態では、ガラスペー
スト膜ｂがその内部に補助電極１２を埋め込むような膜
厚で形成される。このため、ガラスペースト膜ｂの除去
量が多く、その結果、研磨による除去が、ガラスペース
ト膜ｂの硬度の高さとも相まって、円滑にはなされにく
い。そして、これに伴い、平坦化膜１３の表面が荒れる
ため、ＩＴＯの成膜時にこのＩＴＯによるレベリングが
困難な上、ＩＴＯのエッチング時のレジスト密着性が悪
くパターニング処理を良好には行えない。

【００７９】これに対し、本第３実施形態では、上述の
ごとく、各銀ペースト膜部ａ２を各ガラスペースト膜ｂ
１よりも厚く形成した上で、各銀ペースト膜部ａ２を研
磨するため、上記第１実施形態のようにガラスペースト
膜ｂを研磨するのに比べて研磨量がかなり少ない。従っ
て、本第３実施形態の方が上記第１実施形態の場合に比
べて、研磨時間を短縮できる。

【００８０】さらに、本第３実施形態では、上述のごと
く、各銀ペースト膜部ａ２を研磨するため、この研磨を
円滑に行える。従って、平坦化膜１３の表面の荒れを招
くことなく、ＩＴＯ膜のパターニング処理を良好に行え
る。

【００８１】また、本第３実施形態において、上述のよ
うに、平坦化膜材料成膜工程Ｓ３１において、透明基板
１１の内表面に各ガラスペースト膜ｂ１を成膜すると
き、上記第１実施形態とは異なり、図５（ｃ）にて示す
ように、銀ペースト膜部ａ２の先端面にガラスペースト
膜ｂ１１が不必要に形成される。

【００８２】しかし、上記補助電極材料成膜工程Ｓ１１
において、銀ペーストは、その仮焼成時に、そのバイン
ダがとんで多孔質となるため、上述のように形成された
ガラスペースト膜ｂ１１は、多孔質となって銀ペースト
膜部ａ２に吸収される。このため、ガラスペースト膜ｂ
１１の膜厚が薄くなる。従って、その後の研磨工程Ｓ４
１における研磨量をより一層減少させ得る。

【００８３】また、上記第１実施形態において、各補助
電極上のガラスペースト膜部分をすべて除去しようとす
ると、各補助電極のうち初期段階で露出した部分は、ガ
ラスペースト膜と銀ペースト膜との間の硬度差に起因し
て、当該露出部分以外の部分のガラスペースト膜の除去
に時間を要している間に、銀ペースト膜が削れ過ぎてし
まう。このため、補助電極の露出面がガラスペースト膜
の表面に対し凹形状となる。

【００８４】一方、ガラスペースト膜の研磨を早めに終
了すると、補助電極上のガラスペースト膜部分を除去し
切れない。これに対し、本第３実施形態では、上述のご
とく、上記第１実施形態とは異なり各銀ペースト膜部ａ
２を研磨するため、これら各銀ペースト膜部ａ２よりも
硬度の高い各ガラスペースト膜ｂ１の表面が研磨量に対
するストッパとしての役割を果たす。従って、補助電極
の露出面が削り過ぎとなってガラスペースト膜の表面に
対し凹形状となることはない。

【００８５】（第４実施形態）図６は、本発明の第４実
施形態を示している。この第４実施形態において液晶パ
ネルの下側電極基板（上記第２実施形態にて述べた下側
電極基板に相当する）は、各補助電極１５の形成材料で
あるＮｉ膜及びＣｕ膜の硬度が各平坦化膜１３の形成材
料であるガラスペーストの硬度よりも著しく低いことを
利用して、次のようにして製造される。

【００８６】図６（ａ）にて示すＮｉ無電界メッキ工程
Ｒ１１においては、上記第２実施形態におけるＮｉ無電
界メッキ工程Ｒ１と同様の処理により、透明基板１１の
内表面にＮｉを無電界メッキ法によりメッキしてＮｉ膜
ｆを形成する。

【００８７】次に、図６（ｂ）にて示すＣｕ電界メッキ
工程Ｒ２１において、上記第２実施形態におけるＣｕ電
界メッキ工程Ｒ２と実質的に同様の処理により、Ｎｉ膜
ｆ上にＣｕ膜ｇ１を電界メッキ形成する。但し、本第４
実施形態では、Ｃｕ膜ｇ１の膜厚とＮｉ膜ｆの膜厚との
和が、上記第３実施形態にて述べた銀ペースト膜ａ１の
膜厚と同一となっている。なお、、Ｎｉ膜ｆ上にＣｕ膜
ｇ１を形成することとしたのは、上記第２実施形態にて
述べた場合と同様に、Ｃｕ膜ｇ１と透明基板１１との密
着性の不足をＮｉ膜ｆにより防止するためである。

【００８８】ついで、図６（ｃ）にて示すＮｉ・Ｃｕ膜
部形成工程Ｒ３１においては、上記第３実施形態にて述
べた銀ペースト膜部形成工程Ｓ２１と同様の処理によ
り、Ｎｉ膜ｆ及びＣｕ膜ｇ１を、各補助電極１５と同様
の幅を有するＮｉ・Ｃｕ膜部としてパターニング形成す
る。

【００８９】このようなパターニング形成後、図６
（ｄ）にて示す平坦化膜材料成膜工程Ｒ４１では、上記
第３実施形態にて述べた平坦化膜材料成膜工程Ｓ３１と
同様の処理により、ガラスペーストを複数のストライプ
状ガラスペースト膜ｂ１として透明基板１１の内表面に
成膜する。

【００９０】その後、図６（ｅ）にて示す研磨工程Ｒ５
１において、上記第３実施形態にて述べた研磨工程Ｓ４
１と同様の処理により、上記各Ｎｉ・Ｃｕ膜部を研磨す
る。これにより、このように研磨された各Ｎｉ・Ｃｕ膜
部が各補助電極１５（図４参照）として形成される。こ
れにより、上記第３実施形態と同様の作用効果を達成で
きる。

【００９１】ここで、平坦化膜材料成膜工程Ｒ４１にお
いて、透明基板１１の内表面に各ガラスペースト膜ｂ２
を成膜するとき、図６（ｄ）にて示すように、Ｃｕ膜ｇ
１の先端面にガラスペースト膜ｂ３が薄く不必要に形成
されても、その後の研磨工程Ｒ５１にて当該ガラスペー
スト膜ｂ３を容易に研磨除去できるので、その後の上記
Ｎｉ・Ｃｕ膜部の研磨に支障はない。

【００９２】（第５実施形態）図７は本発明の第５実施
形態を示している。この第５実施形態における下側電極
基板は、当該下側電極基板における各補助電極（各補助
電極１５に対応する）の形成材料である銀ペーストの硬
度が各平坦化膜（各平坦化膜１３に対応する）の形成材
料であるガラスペーストの硬度よりも著しく低いことを
利用して、次のようにして製造される。

【００９３】図７（ａ）にて示すＮｉ無電界メッキ工程
Ｔ１において、上記第２実施形態におけるＮｉ無電界メ
ッキ工程Ｒ１と同様の処理により、透明基板１１の内表
面にＮｉを１００ｎｍ程度の膜厚にてＮｉ膜ｈを成膜す
る。なお、このＮｉ膜ｈに代えてＣｒ膜を透明基板１１
の内表面に成膜するようにしてもよい。

【００９４】次に、図７（ｂ）にて示すＮｉ膜パターニ
ング工程Ｔ２において、Ｎｉ膜ｈを、フォトリソグラフ
ィ法により、パターニング処理することで、複数のスト
ライプ状Ｎｉ膜部ｉを形成する。ついで、図７（ｃ）に
て示す平坦化膜材料成膜工程Ｔ３において、感光性ガラ
スペーストを透明基板１１の内表面に塗布してガラスペ
ースト膜ｊを成膜して焼成する。

【００９５】その後、図７（ｄ）にて示す平坦化膜材料
成膜パターニング工程Ｔ４において、ガラスペースト膜
ｊをフォトリソグラフィ法により、露光及び現像して、
このガラスペースト膜ｊに、各Ｎｉ膜部ｉ上にて、断面
台形状のストライプ状開口部ｊ１を形成する。これによ
り、ガラスペースト膜ｊは、各開口部ｊ１の間にてフ複
数のストライプ状平坦化膜ｊ２（複数の平坦化膜１３に
対応する）として形成される。なお、各Ｎｉ膜部ｉは各
開口部ｊ１を通して外部に露呈している。

【００９６】但し、各開口部ｊ１を形成する際、露光・
現像条件を選択して、当該各開口部ｊ１は、図７（ｄ）
にて例示するごとく、図示上方に向け末広がり状となっ
ている。これにより、後述するＩＴＯの成膜時の段切れ
を防ぐことができる。なお、露光・現像後、各Ｎｉ膜部
ｉを本焼成する。

【００９７】次に、図７（ｅ）にて示すＣｕ電界メッキ
工程Ｔ５において、各Ｎｉ膜部ｉ上にこのＮｉ膜部ｉを
下地電極としてＣｕを電界メッキ法によりメッキしてＣ
ｕ膜部ｋを形成する。ここで、各Ｃｕ膜部ｋの膜厚は、
各開口部ｊ１の深さよりも大きくしてある。

【００９８】然る後、図７（ｆ）にて示す研磨工程Ｔ６
において、各Ｃｕ膜部ｋを上記第４実施形態の研磨工程
Ｒ５１と同様に研磨処理することで、研磨Ｃｕ膜部ｋ１
として形成する。この研磨Ｃｕ膜部ｋ１及びＮｉ膜部ｉ
が補助電極を構成する。ここで、各研磨Ｃｕ膜部ｋ１の
表面は各平坦化膜ｊ２の表面と同一となり一様に露呈し
ている。

【００９９】ついで、図７（ｇ）にて示す透明電極材料
成膜工程Ｔ７において、ＩＴＯ膜ｃを上記第３実施形態
と同様に成膜し、図７（ｈ）にて示す透明電極形成工程
Ｔ７において、上記第３実施形態と同様にして各透明電
極１４を形成する。このようにして下側電極基板を製造
しても、上記第４実施形態（図６参照）と同様の作用効
果を達成できる。

【０１００】（第６実施形態）本実施形態に係る表示パ
ネル用電極基板の製造方法を図８に示す。本製造方法
は、上記図１に示した液晶パネルのうちの下側電極基板
１０の製造方法を示すもので、図２の製造方法と同一部
分には、図８中同一符号を付して説明を簡略化する。本
実施形態においては、複数のストライプ状透明電極（本
発明でいう主電極）１４をＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉ
ｎｃＯｘｉｄｅ）より構成したところが、上記各実施
形態とは異なる。以下、本実施形態を製造工程順に説明
していく。

【０１０１】まず、図８（ａ）に示す補助電極材料成膜
工程Ｓ１では、ガラス基板等よりなる透明基板１１の内
表面に感光性銀ペーストを、印刷法による塗布でもって
銀ペースト膜ａとして成膜する。本例では、銀ペースト
膜ａの印刷膜厚は１０μｍ程度とできる。上記成膜後、
当該銀ペースト膜ａを、温度８０℃にて、仮焼成して乾
燥する。

【０１０２】ついで、補助電極形成工程Ｓ２（図８
（ｂ）参照）にて、銀ペースト膜ａを現像（パターニン
グ）し、例えば５７０℃程度で本焼成して、複数のスト
ライプ状補助電極１２を形成する。本焼成された補助電
極（銀ペースト）１２は本例では厚み５μｍ程度まで収
縮する。次の平坦化膜材料成膜工程Ｓ３（図８（ｃ）参
照）においては、上記第１実施形態に示したような低融
点タイプのガラスペースト（低融点ガラスペースト、本
例では透明鉛ガラス）を、透明基板１１の内表面に印刷
し仮焼成（本例では８０℃）して、ガラスペースト膜ｂ
として成膜する。

【０１０３】この工程Ｓ３にてガラスペースト膜ｂを成
膜した後、本焼成（本例では５５０℃）する。このとき
鉛ガラスが溶融し、ポーラスな補助電極（銀配線）１２
に吸収されたり、鉛ガラスが溶融したときの表面張力に
より凹凸が発生するため、次の研磨工程Ｓ４（図８
（ｄ）参照）にて、上記第１実施形態と同様に研磨処理
を行い、ガラスペースト膜ｂの表面ｂ１と各補助電極１
２の露出面１２ａとを同一面とする。

【０１０４】これにより、ガラスペースト膜ｂが複数の
ストライプ状平坦化膜１３として形成されるとともに、
各補助電極１２の露出面１２ａが、図８（ｄ）にて例示
するごとく、一様に露出される。ここまでの工程Ｓ１〜
Ｓ４については、上記第１実施形態と同様であるが、本
実施形態では、次に行う透明電極材料成膜工程Ｕ５及び
透明電極形成工程Ｕ６が、上記第１実施形態と相違す
る。

【０１０５】まず、図８（ｅ）に示す透明電極材料成膜
工程Ｕ５では、主電極形成材料としてＩＺＯ（出光興産
株式会社製ＩＤ−ＩＸＯ（商品名）等）を用いる。この
ＩＺＯを所定の膜厚（本例では５００オングストロー
ム）となるように、各補助電極１２の露出面１２ａ及び
各平坦化膜（材料膜）１３の表面１３ａにスパッタリン
グにより、ＩＺＯ膜（本発明でいう覆い膜）ｍとして成
膜する。

【０１０６】次に、図８（ｆ）に示す透明電極形成工程
Ｕ６では、酸を有機系溶媒で希釈したエッチング液でエ
ッチングし、透明電極１４を形成する。本例では、感光
性レジスト材料により、透明電極１４となるＩＺＯ膜ｍ
の表面をマスキングする。次に、エッチング液としてｎ
−ブタノール９９％に対し、３５％塩酸を１％混合した
ものを使用し、液温２５℃で３分間ほど浸すことにより
ＩＺＯ膜ｍをパターニングし、透明電極１４を形成す
る。ここで、液温を３０℃以上にしたり、微量の水分が
エッチング液に混入すると、平坦化膜１３である鉛ガラ
スの面が局所的に白濁したり、掘れ込むため注意を要す
る。また、必要以上に長い時間（例えば１０分以上）、
基板を浸しておくと鉛ガラスがアタックされる場合もあ
る。

【０１０７】その後、上記第１実施形態と同様に、絶縁
膜形成工程Ｓ７（図８（ｇ）参照）を行い、上下の電極
基板１０、２０の短絡防止を目的とした絶縁膜ｄを形成
する。ここで、本例では、酸化タンタルをスパッタにて
成膜したり、有機Ｔｉ（有機チタン）系材料をゾルゲル
法にて成膜することで、絶縁膜ｄを形成することができ
る。更に、上記第１実施形態と同様に、配向膜形成工程
Ｓ８（図８（ｈ）参照）において、透明の配向膜材料
（例えば、ポリイミド）をオフセット法による印刷等の
手法にて、絶縁膜ｄ上に配向膜ｅとして成膜する。これ
により、下側電極基板１０の製造が終了する。

【０１０８】ところで、本実施形態においては、透明電
極材料成膜工程Ｕ５及び透明電極形成工程Ｕ６にて、Ｉ
ＺＯによってＩＺＯ膜ｍを形成した後、このＩＺＯ膜ｍ
を、酸を有機系溶媒で希釈したエッチング液でエッチン
グすることで、主電極としての透明電極１４を形成して
いるが、このような方法を採用した根拠を、次に述べ
る。

【０１０９】上記第１実施形態の透明電極材料成膜工程
Ｓ５及び透明電極形成工程Ｓ６（図２（ｅ）及び図２
（ｆ）参照）では、透明電極１４の材料としてＩＴＯを
スパッタあるいは印刷法により成膜している。そして、
透明電極１４を形成するために感光性レジスト材料によ
り、電極となるＩＴＯ膜ｃの表面をマスキングし、塩酸
と塩化第二鉄の混合液、王水等の一般のＩＴＯエッチン
グ液によりパターニング後、レジストを剥離する。

【０１１０】しかし、この方法では、上述したように、
一般のＩＴＯエッチング液により、低融点ガラス（例え
ば鉛ガラス）である平坦化膜１３が白濁、融解してしま
う。実際に、ＩＴＯエッチング液の中でも比較的弱酸性
であるシュウ酸２０％溶液で試したものの、平坦化膜１
３である鉛ガラスが白濁した。このように、低融点ガラ
スの耐酸性が低いことがわかったため、ＩＴＯよりも酸
性度の低いエッチング液でパターニング可能な透明電極
材料としてＡｕ（金）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の検討も
行った。

【０１１１】しかし、ＡｕはＫＩ（ヨウ化カリウム）の
水溶液でエッチング可能であるが、膜厚５００オングス
トローム以下で蒸着しても透過率が低いため、表示パネ
ル用電極基板への使用が困難であった。また、ＺｎＯは
酢酸１％の弱酸性水溶液でパターニングできるのである
が、ＺｎＯをイオンプレーティング法で成膜したとこ
ろ、平坦化膜１３である鉛ガラスと反応し、黒色に変色
するため、やはり使用できないことがわかった。

【０１１２】そこで、次に、透明電極１４の形成材料
（主電極形成材料）としてＩＺＯを選択し、このＩＺＯ
をスパッタリングで膜厚１５００オングストロームに成
膜したところ、許容できる透過率が確保できた。しか
し、ＩＺＯのエッチング液であるシュウ酸水溶液では上
述のように鉛ガラスが変色するため、極めて弱酸である
酢酸１％水溶液でエッチングした結果、液温７０℃、１
５分でパターニングできたが、鉛ガラスが白濁してしま
った。

【０１１３】これらの結果から、平坦化膜１３として用
いる低融点ガラス（鉛ガラス等）は、透明電極形成材料
との反応により変色しやすい上、酸に弱く、エッチング
液中の水分との反応により白濁しやすい材料であること
がわかった。そのため、透明電極材料には低融点ガラス
と反応せず、且つ弱酸性でエッチング可能なものを選
び、エッチング液には、弱酸性で水分を極力含まないも
のを選ぶ必要がある。

【０１１４】そこで、種々の組合せを検討した結果、透
明電極形成材料としてＩＺＯを使用し、エッチング液と
して微量の酸を有機系溶媒で希釈した液を使用すればよ
いことがわかった。具体的には、エッチング液として、
上記したようにｎ−ブタノール９９％に対し３５％塩酸
を１％混合したものが挙げられる。この混合系の場合、
３５％塩酸が３％を越えると鉛ガラスが白濁してしま
う。

【０１１５】また、その他、エッチング液としては、ｉ
ｓｏ−プロパノール９７％に対し塩酸３％のもの、ｉｓ
ｏ−プロパノール９７％に対しクロルスルホン酸３％の
ものを使用しても、平坦化膜１３である低融点ガラス
（鉛ガラス等）をアタックせずに、ＩＺＯのエッチング
が可能である。また、これらの具体的なエッチング液に
対し、含有される水分量が２％以内のものが、低融点ガ
ラスの白濁防止のためには好ましいこともわかった。以
上が本実施形態のエッチング方法を採用した根拠であ
る。

【０１１６】このようなエッチング方法、即ち上記工程
Ｕ５及びＵ６は、上記第２、第３、第４実施形態におい
ても、平坦化膜形成材料として低融点ガラスペーストを
用いた場合に適用可能である。そして、本実施形態によ
れば、上記第１〜第４実施形態と同様の効果を得ること
ができるのに加えて、上述した低融点ガラスの白濁、融
解という問題を適切に防止する製造方法を提供できる。

【０１１７】なお、本発明者等の検討によれば、透明電
極１４の形成材料としてＩＺＯの代わりに、スクリーン
印刷またはスピンコートの可能な有機酸ＩＴＯのペース
トを使用することも可能である。この場合は、有機酸Ｉ
ＴＯの焼成条件等により変化する膜質によっては、エッ
チング時間が長くなり、その結果、平坦化膜１３の鉛ガ
ラス面がアタックされる場合もあるため、注意を要す
る。

【０１１８】（他の実施形態）なお、本発明の実施にあ
たり、上記各実施形態にて述べた透過型液晶パネル用電
極基板に限ることなく、反射型液晶パネル用電極基板に
本発明を適用してもよい。また、本発明の実施にあた
り、上記各実施形態にて述べたマトリクス駆動方式の液
晶パネル用電極基板に限ることなく、各種駆動方式の液
晶パネル用電極基板に本発明を適用して実施してもよ
い。

【０１１９】また、本発明の実施にあたり、液晶パネル
の液晶は、スメクチック液晶に限ることなく、各種の液
晶であってもよい。また、本発明の実施にあたっては、
液晶パネルに限ることなく、エレクトロルミネッセンス
パネル等の各種の表示パネル用電極基板に本発明を適用
して実施してもよい。

【０１２０】なお、本明細書中には以下のような課題及
びこの課題を解決するための手段、ならびにその手段に
よって達成される効果を有する別の発明を内包するもの
である。なお、この発明の実施形態は図２の製造方法を
援用した前述の第６実施形態に基づくものであるが、勿
論、前述の第２実施形態〜第５実施形態における透明電
極の形成方法、前述の他の実施形態にも適用できる。

【０１２１】課題：表示パネル（例えば、液晶表示パネ
ル、プラズマディスプレイパネル、ＥＬパネル、等のフ
ラットディスプレイパネル）の基板を、低コストな鉛ガ
ラス等の低融点ガラスから構成する場合、その低融点ガ
ラスからなる基板表面にＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）あるいはＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）で構成
された透明導電膜を形成し、該導電膜を通常のエッチン
グ液（例えば王水）を用いてストライプ状にパターニン
グして電極を形成する場合、エッチング液により低融点
ガラスが白濁、溶解するということを本発明者は見出し
た。

【０１２２】これについて、鋭意、精査した結果、低融
点ガラスの溶解は、低融点ガラスの耐酸性が極めて低
く、エッチング液によるエッチングレートが上記導電膜
のエッチングレートよりも大きいことが原因であり、又
低融点ガラスの白濁はエッチング液中の水分が原因であ
ることを突き止めた。

【０１２３】本発明者は鋭意、研究した結果、低融点ガ
ラスよりも耐酸性が低く且つエッチングレートの大きい
材料からからなる透明導電膜を用いるとともに、エッチ
ング液を、低融点ガラスへの攻撃性の低い、酸を有機系
溶液で希釈したエッチング液とすることでエッチング液
による低融点ガラスの白濁、溶解が回避されることを見
出した。

【０１２４】課題を解決するための手段：上記課題を達
成するためには、次の構成がある。即ち、（１）低融点
ガラスの上に、該低融点ガラスよりも耐酸性が低く且つ
エッチングレートが大きい材料から構成された透明導電
膜を形成し、酸を有機系溶媒で希釈したエッチング液で
前記透明導電膜をエッチングによりパターニングするも
のであることを特徴とするエッチング方法、（２）上記
（１）において、前記有機系溶媒がアルコールであるこ
とを特徴とするエッチング方法、（３）上記（１）又は
（２）において、前記酸が塩酸又はクロルスルフォン酸
であること、（４）上記（２）において、アルコールが
ｎ−ブタノールまたはｉｓｏ−プロパノールであること
を特徴とするエッチング方法、（５）上記（１）〜
（４）の何れか一つにおいて、前記エッチング液に含有
される水分量が２％以内であることを特徴とするエッチ
ング方法、（６）（１）〜（５）の何れか一つにおい
て、前記低融点ガラスが鉛ガラスを主成分とすることを
特徴とするエッチング方法、（７）（１）〜（６）何れ
か一つにおいて、前記低融点ガラスは表示パネルを構成
する基板であることを特徴とするエッチング方法、
（８）（１）〜（７）の何れか一つにおいて、前記透明
導電膜は有機酸ＩＴＯ又はＩＺＯにより構成されている
こと、である。

【０１２５】効果：上記（１）〜（８）の構成による効
果としては以下である。即ち、（１）〜（８）によれ
ば、低融点ガラスの表面に形成した透明導電膜を前述の
特定構成のエッチング液でパターニングすることによ
り、該低融点ガラスの白濁、溶解を回避することができ
る。このため、例えば、該低融点ガラスを表示パネルの
基板として用いた場合には、低融点ガラス基板が白濁す
ることがないので、表示パネルとしての諸性能、例えば
光透過率が低くなるということがなくなる。

【０１２６】また、低融点ガラスがエッチング液中の水
分により白濁することが分かった。このため、（２）〜
（５）のように、エッチング液として、含有される水分
量が２％以内（０％も含む）のものを用いることで、低
融点ガラスの白濁を良好に防止することができる。

【０１２７】なお、エッチング液の有効成分である酸と
しては塩酸又はクロルスルフォン酸が望ましい。また、
有機系溶媒のアルコールはｎ−ブタノールまたはｉｓｏ
−プロパノールが望ましく、このアルコールは水分量２
％以内に調整しやすい。

【０１２８】なお、透明導電膜としてはＩＺＯ、有機酸
ＩＴＯが望ましい。ＩＺＯはスパッタリングで通常成膜
されるものであるが、エッチングレートが大きいので上
記エッチング液でもエッチングされる。これに対して、
ＩＴＯとして通常のスパッタリングで成膜したものを使
うと、結晶構造が強固であり、エッチングされにくいの
で、塗布、熱処理により形成できる有機酸ＩＴＯを用い
るのが好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶パネルの一実施形態を示す平
面図である。

【図２】（ａ）乃至（ｈ）は、上記液晶パネルの下側電
極基板の製造方法を示す工程図である。

【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、それぞれ、ガラスペース
ト膜の研磨のため研磨機を示す概略図である。

【図４】本発明の第２実施形態を示す下側電極基板の要
部製造工程図である。

【図５】本発明の第３実施形態を示す下側電極基板の要
部製造工程図である。

【図６】本発明の第４実施形態を示す下側電極基板の要
部製造工程図である。

【図７】本発明の第５実施形態を示す下側電極基板の要
部製造工程図である。

【図８】本発明の第６実施形態を示す下側電極基板の要
部製造工程図である。

【符号の説明】

１１…透明基板、１２、１５…補助電極、１２ａ、１５
ａ…露出面、１３…平坦化膜、１４…透明電極、Ｒ１、
Ｒ１１、Ｔ１…Ｎｉ無電界メッキ工程、Ｒ２、Ｒ２１…
Ｃｕ電界メッキ工程、Ｒ３、Ｓ２…補助電極形成工程、
Ｒ３１…Ｎｉ・Ｃｕ膜部形成工程、Ｒ４、Ｓ３、Ｓ３
１、Ｔ３…平坦化膜材料成膜工程、Ｒ５、Ｓ４、Ｓ４
１、Ｒ５１…研磨工程、Ｒ６、Ｓ５、Ｕ５…透明電極材
料成膜工程、Ｒ７、Ｓ６、Ｕ６…透明電極形成工程、Ｓ
１、Ｓ１１…補助電極材料形成工程、Ｓ２１…銀ペース
ト膜形成工程、Ｔ２…Ｎｉ膜パターニング工程、Ｔ４…
平坦化膜材料成膜パターニング工程。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者深谷顕成愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内 (72)発明者加藤博道愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内 (72)発明者末松和重愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１１）の内表面に金属材料により
複数のストライプ状補助電極（１２）を形成する補助電
極形成工程（Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１乃至Ｒ３）と、平坦化膜形成材料を前記各補助電極を埋め込むように前
記基板の内表面に塗布して材料膜を形成する材料膜形成
工程（Ｓ３、Ｒ４）と、前記各補助電極の先端面を露出面（１２ａ）として露出
させるように前記材料膜の表面を研磨する研磨工程（Ｓ
４、Ｒ５）と、前記各補助電極の露出面にその長手方向に沿いそれぞれ
ストライプ状の主電極（１４）を形成する主電極形成工
程（Ｓ５、Ｓ６、Ｒ６、Ｒ７、Ｕ５、Ｕ６）とを備える
表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項２】前記材料膜形成工程において、前記平坦
化膜形成材料として低融点ガラスペーストを用い、この
低融点ガラスペーストを所定の温度にて焼成することで
前記材料膜として形成することを特徴とする請求項１に
記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項３】前記補助電極形成工程において、前記金
属材料として感光性Ａｇペーストを用い、このＡｇペー
ストを前記基板の内表面に塗布してフォトリソグラフィ
法によるパターニング処理にて前記各補助電極を形成す
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル
用電極基板の製造方法。
【請求項４】前記補助電極形成工程において、前記金
属材料としてＣｕ及びＮｉを用い、前記基板の内表面に
前記Ｎｉを無電界メッキによりＮｉ膜として形成し、こ
のＮｉ膜を下地電極として前記Ｃｕを前記Ｎｉ膜に電界
メッキによりＣｕ膜を形成し、これら両Ｃｕ膜及びＮｉ
膜をフォトリソグラフィ法によるパターニング処理にて
前記各補助電極を形成することを特徴とする請求項１又
は２に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項５】基板の内表面に金属材料により複数のス
トライプ状補助電極を形成する補助電極形成工程（Ｓ１
１、Ｓ２１、Ｒ１１乃至Ｒ３１）と、前記各補助電極の先端面が突出するように当該各補助電
極の間に沿いそれぞれ前記基板の内表面に前記金属材料
よりも硬度の高い平坦化膜形成材料によってストライプ
状平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程（Ｓ３１、Ｒ４
１）と、前記各補助電極の先端面を前記各平坦化膜の表面に一致
するまで研磨して露出面を形成する研磨工程（Ｓ４１、
Ｒ５１）と、前記各補助電極の露出面にその長手方向に沿いそれぞれ
ストライプ状の主電極を形成する主電極形成工程（Ｓ
５、Ｓ６、Ｒ６、Ｒ７、Ｕ５、Ｕ６）とを備える表示パ
ネル用電極基板の製造方法。
【請求項６】基板（１１）の内表面に補助電極及び平
坦化膜を交互にストライプ状に複数ずつ形成する補助電
極・平坦化膜形成工程（Ｔ１乃至Ｔ５）と、前記各補助電極の露出面にその長手方向に沿いそれぞれ
ストライプ状の主電極（１４）を形成する主電極形成工
程（Ｔ７、Ｔ８）とを備える表示パネル用電極基板の製
造方法であって、前記補助電極・平坦化膜形成工程は、前記基板の内表面に複数のストライプ状下地電極（ｈ、
ｉ）を形成する下地電極形成工程（Ｔ１、Ｔ２）と、前記基板の内表面に前記各下地電極を覆うように平坦化
膜形成材料を塗布して材料膜（ｊ）を形成する材料膜形
成工程（Ｔ３）と、前記材料膜に前記各下地電極をそれぞれ臨むようにスト
ライプ状開口部を形成するとともに当該各開口部間にそ
れぞれ平坦化膜を形成する開口部・平坦化膜形成工程
（Ｔ４）と、前記各下地電極上に前記各開口部内に当該各開口部から
それぞれ突出するように導電性金属材料を電気メッキに
より充填してストライプ状導電部材を形成する導電部材
形成工程（Ｔ５）と、前記各導電部材の先端面を前記各平坦化膜の表面に一致
するまで研磨して露出面として形成し、この露出面を形
成した前記各導電部材をその下地電極と共にそれぞれ前
記補助電極とする研磨工程（Ｔ６）とを備える表示パネ
ル用電極基板の製造方法。
【請求項７】基板（１１）と、この基板の内表面に交互にストライプ状に複数ずつ形成
した補助電極及び平坦化膜と、前記各補助電極の露出面にその長手方向に沿いそれぞれ
ストライプ状に形成した主電極（１４）とを備える表示
パネル用電極基板であって、前記複数の補助電極は、それぞれ、前記基板の内表面に設けられたストライプ状下地電極
（ｉ）と、前記複数の平坦化膜のうち前記下地電極の両側平坦化膜
の間にて当該下地電極上に導電性金属材料により電気メ
ッキでもって形成した導電部材（ｋ１）とを備える表示
パネル用電極基板。
【請求項８】前記平坦化膜形成材料として低融点ガラ
スペーストを用い、前記主電極形成工程（Ｕ５、Ｕ６）において、前記主電
極（１４）を形成する主電極形成材料としてＩＺＯまた
は有機酸ＩＴＯを用い、この主電極形成材料によって前
記材料膜及び前記各補助電極の露出面を覆う覆い膜
（ｍ）を形成した後、この覆い膜を、酸を有機系溶媒で
希釈したエッチング液でエッチングすることにより、前
記主電極を形成することを特徴とする請求項１または５
に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項９】前記エッチング液として、含有される水
分量が２％以内のものを用いることを特徴とする請求項
８に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項１０】前記エッチング液の酸として、塩酸ま
たはクロルスルホン酸を用いることを特徴とする請求項
８または９に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項１１】前記エッチング液の有機系溶媒とし
て、ｎ−ブタノールもしくはｉｓｏ−プロパノールを用
いることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１
つに記載の表示パネル用電極基板の製造方法。