JP4237679B2

JP4237679B2 - 表示装置とその製造方法

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Publication number: JP4237679B2
Application number: JP2004175363A
Authority: JP
Inventors: 隆史橋口; 明男中山; 泰志松井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-06-14
Filing date: 2004-06-14
Publication date: 2009-03-11
Anticipated expiration: 2024-06-14
Also published as: JP2005352354A

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。

一般に、液晶表示装置は、それぞれの上面および下面に電極を備えた２枚の基板の間に液晶からなる液晶層が挟持され、さらに２枚の基板の上下に偏光板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが設置された構造を有している。これらの基板の電極を有する表面には、いわゆる配向処理がなされ、液晶分子の向きを平均的に表わしたダイレクタが所望の液晶には複屈折性があり、バックライトから偏光板を通して入射された光は複屈折により楕円偏光に変化し、反対側の偏光板に入射される。この状態で、上下の電極間に電圧を印加すると、ダイレクタの配列状態が変化して液晶層の複屈折率が変化し、反対側の偏光板に入射される楕円偏光状態が変化し、したがって、液晶表示装置を透過する光強度およびスペクトルが変化する電気光学効果が得られる。

液晶表示装置には、バックライト（背面光源）をその背面又は側方に設置して、画像表示を行う透過型液晶表示装置と、基板に反射板を設置し、周囲光を反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射型液晶表示装置とがある。この透過型液晶表示装置は、周囲光が非常に明るい場合には、周囲光に比べて表示光が暗いため表示を観察できないという問題がある。他方、反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有する。

これらの問題点を解決するために、光の一部を透過し、また光の一部を反射する半透過型反射膜を用いた液晶表示装置（以下、半透過型液晶表示装置）が提案されている（特許文献１）。

この半透過型液晶表示装置の製造方法の一例について図１５を用いて説明する。図１５は、従来の液晶表示装置に用いられているＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す断面図である。１は第１の金属薄膜、２は第１の絶縁膜、３は半導体能動膜、４はオーミックコンタクト膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は第２の絶縁膜、８は有機膜、９は導電性薄膜である。１０、１１は第３の金属薄膜で金属薄膜１０は金属薄膜１１の下層に設置される。１２はコンタクトホールである。

まず、スパッタリング等でガラス基板上に第１の金属薄膜１を形成する。第１のフォトリソグラフィー工程によって、ゲート配線、ゲート電極及びゲート端子を形成する。第１の金属薄膜にはクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。上述の工程により図１５（ａ）に示す構造が形成される。

つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連続で成膜する。第１の絶縁膜２は例えば、ＳｉＮｘやＳｉＯｙ等からなり、ゲート絶縁膜として用いられる。半導体能動膜３としてはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用いられる。オーミックコンタクト膜４としては、ａ−Ｓｉあるいはｐ−Ｓｉにリン（Ｐ）等を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。次に第２のフォトリソグラフィープロセスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニングする。これにより、図１５（ｂ）に示す構造が形成される。

スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。次に第３のフォトリソグラフィープロセスで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６を形成するようにパターニングする。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行う。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタクト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出する。これにより、図１５（ｃ）に示す構造が形成される。

さらに第２の絶縁膜７及び有機膜８を形成した後、第４のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。このプロセスでは、後の工程で形成される導電性薄膜をゲート端子やソース電極、ドレイン電極等に接続するためのコンタクトホール１２が形成される。これにより、図１５（ｄ）に示す構成となる。

さらに導電性薄膜９を形成し、第５のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。導電性薄膜９はＩＴＯ等の透明導電膜により構成される。これにより、図１５（ｅ）に示す構成となる。その後、第３の金属薄膜１０、１１を形成し、第６のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。これにより図１５（ｆ）に示す構成となる。この導電性薄膜９と第３の金属薄膜１０、１１が液晶を駆動するための画素電極となる。そして、導電性薄膜９が設けられている部分はバックライトからの光を透過する透過部となり、第３の金属薄膜１０、１１が設けられている部分は外光の光を反射する反射部となる。上述のように形成されたＴＦＴアレイ基板は対向電極を備えたＣＦ基板と貼り合わされ、その間に液晶が注入される。この両基板に液晶が狭持された液晶パネルは面状光源装置の発光面側に載置される。このようにして、半透過型の液晶表示装置が製造される。

しかし、このような工程で形成された液晶表示装置には以下のような問題点があった。上述の構成ではコンタクトホール１２において導電性薄膜９を第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜と直接接触させている。導電性薄膜９を第１の金属薄膜１等を直接接触させた場合、コンタクトホール１２における接触抵抗（コンタクト抵抗）が悪くなるという問題点が生じていた。特に、ドライエッチングにて有機膜８や第２の絶縁膜７を除去してコンタクトホールを形成した場合、ドライエッチングを行わない通常の接触と比べて、接触部の抵抗率が極端に悪くなるといった問題点があった。なお、ドライエッチングによるコンタクト抵抗の劣化は金属薄膜の材質がクロムの時に特に顕著に表れる。このようなコンタクト抵抗の劣化は配線、端子又は電極の抵抗を劣化させ、表示特性、表示品質の低下を招いてしまうおそれがある。

ところで、液晶表示装置にはＴＦＴアレイ基板とＣＦ基板を電気的に接続するトランスファパッドが形成されているＴＦＴアレイ基板に設けられている共通電位入力端子に入力した共通電位をこのトランスファパッドを介してＣＦ基板の対向電極に供給している。

このトランスファパッドの構成の一例について図１６及び図１７を用いて説明する。図１６はＴＦＴ基板におけるトランスファパッド周辺の構成を示す上面図である。図１７はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。なお、トランスファパッドは通常、表示領域外の基板端部に設けられている。

図１７に示すようにトランスファパッド１６はＴＦＴアレイ基板となるガラス基板２５の上に設けられている。このトランスファパッド１６の上にトランスファが形成され、ＣＦ基板の対向電極と接続する。トランスファパッド１６の周辺において、ガラス基板２５の上には共通電位となる共通配線１７が設けられている。この共通配線１７は第１の金属薄膜又は第２の金属薄膜からなる。この共通配線１７の上には絶縁膜１８が設けられ、さらにその上には有機膜８が形成されている。この有機膜８及び絶縁膜１８のトランスファパッド１６に対応する部分にはドライエッチングによりホール２４が形成される。したって、ガラス基板２５が露出するよう有機膜８及び絶縁膜１８を除去することによりホール２４が形成される。

さらに有機膜８及び絶縁膜１８には共通配線１７と接続するためのコンタクトホール１２が形成されている。コンタクトホール１２は共通配線１７が露出するように形成される。このホール２４及びコンタクトホール１２を覆うように透明な導電性薄膜９が形成される。導電性薄膜９はホール２４及びコンタクトホール１２に渡って設けられているため、共通配線１７と導電性薄膜９とが導通する。

トランスファは、通常、２つの基板を貼り合せた後にその位置及び形状を検査するため、ガラス基板の上に直接設けられたＩＴＯ等の透明な導電性薄膜９の上に形成される。これにより、ＴＦＴアレイ基板の裏面側から光学顕微鏡等を用いてトランスファの位置及び形状を検査することができる。すなわち、ガラス基板及び導電性薄膜が透明であるため、ＴＦＴアレイ基板の裏面側からの透過光により、トランスファを観察することができる。トランスファが所望の位置、形状で形成されていない場合、接触不良を起こすことがあり、さらには、両基板のギャップの誤差を生じるからである。従って、上述のように２つの基板を貼り合せた後、基板の外側から検査を行うことにより、トランスファの位置及び形状を検査している。

さらに、導電性薄膜９の下にトランスファの寸法を測定するためのバーニアを金属薄膜のパターンにより形成したもの（特許文献２）がある。このトランスファパッドの一部には透明な導電性薄膜の下に金属薄膜のパターンが形成されている。このバーニアにより、トランスファの寸法を測定することができるようになる。また、トランスファパッドが設けられる領域において金属膜の一部を除去して、基板裏面側から検査するための光透過部を設けたものもある（特許文献３）。

有機膜８及び絶縁膜１８のエッチング工程では、図１７に示すようにコンタクトホール１２を形成するため共通配線１７の表面を露出させる。従って、共通配線１７の表面はエッチングプロセスに曝され、表面改質が起こる。その上からＩＴＯからなる導電性薄膜９と直接接触させているためコンタクト抵抗が劣化してしまうおそれがある。特に有機膜８及び絶縁膜１８をドライエッチングでパターニングした場合、共通配線１７の表面がドライエッチングのプラズマに曝されるため、コンタクト抵抗の劣化が顕著になる。

さらに、以下に示す問題点もあった。トランスファパッドは通常、表示領域の外側の外周部に配置されている。ホール２４にはディスペンサを用いてトランスファが設けられるため、一定以上のスペースが必要とされる。従って、コンタクトホール１２を形成するスペースが制限され、十分な大きさのコンタクトホールを形成できないおそれがある。この場合、共通配線と透明導電膜との接触面積が小さくなり、コンタクト抵抗がさらに劣化してしまうというおそれがあった。

特開２００３−２４８２３２号公報特開２０００−８９２４７号公報（段落番号００７７）特開２００１−２８１６８９号公報（段落番号００２６）

上述のように従来の液晶表示装置では、パッドと配線とのコンタクト抵抗が劣化するという問題点があった。

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、パッドと配線とが良好なコンタクト抵抗で接続される表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様にかかる表示装置は、外部と接続するための接続パッド（例えば、本発明の実施の形態におけるトランスファパッド１６）が設けられた基板を備える表示装置であって、前記基板上に設けられた配線（例えば、本発明の実施の形態における共通配線１７）と、前記配線の上に設けられた有機膜（例えば、本発明の実施の形態における有機膜８）と、前記接続パッドが配置される接続パッド用ホール（例えば、本発明の実施の形態におけるホール２４）であって、前記配線が露出するよう前記有機膜に形成された接続パッド用ホールと、前記有機膜の上から前記接続パッドとなるよう設けられた透明導電膜（例えば、本発明の実施の形態における導電性薄膜９）であって、前記接続パッド用ホールにおいて前記配線と接続されている透明導電膜とを備えるものである。これにより良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

本発明の第２の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記接続パッド用ホールにおいて前記透明導電膜と前記配線との間に設けられた下地金属膜（例えば、本発明の実施の形態における下地金属膜１３）を介して前記透明導電膜と前記配線が接続されることが望ましい。これにより、さらに良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

本発明の第３の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記接続パッド用ホールにおいて、前記下地金属膜と前記配線が略同じ大きさでパターニングされていてものである。

本発明の第４の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記下地金属膜のパターンの端部が前記接続パッド用ホール内の配置されているものである。これにより、有機膜上の断線を防ぐことができる。

本発明の第５の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記下地金属膜のパターンの端部が前記有機膜上に配置され、前記下地金属膜のパターンの端部に前記導電性薄膜の上から保護膜（例えば、本発明の実施の形態における第３の金属薄膜１０）が形成されているものである。これにより、有機膜上の断線を防ぐことができる。

本発明の第６の態様にかかる表示装置は、外部と接続するための接続パッドが設けられた基板を備える表示装置であって、前記基板上に設けられた配線と、前記配線の上に設けられた有機膜と、前記接続パッドが配置される接続パッド用ホールであって、前記有機膜に形成された接続パッド用ホールと、前記配線が露出するよう前記有機膜に形成されたコンタクトホールと、前記有機膜の上から前記接続パッド用ホールに設けられた透明導電膜とを備え、前記有機膜と前記透明導電膜との間に設けられた下地金属膜であって、前記接続パッド用ホールから前記コンタクトホールに渡って配置された下地金属膜を介して前記配線と前記透明性導電膜が電気的に接続されているものである。これにより、パッドを設けるスペースが制限されていても、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

本発明の第７の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置の好適な実施例であって、表示領域内において前記基板と前記有機膜との間に絶縁膜を介して交差する第１の配線と第２の配線が設けられているものである。

本発明の第８の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置の好適な実施例であって、前記基板と対向配置された対向基板をさらに備え、前記接続用パッドに設けられたトランスファを介して、前記対向基板に設けられた対向電極と前記配線とが電気的に接続されているものである。

本発明の第９の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、上述の態様の表示装置において、前記ホール内において基板裏面側からの光を透過する光透過部が形成されていることを特徴とするものである。これにより、基板裏面側からトランスファの検査を行うことができる。

本発明の第１０の態様にかかる表示装置の製造方法は、表示領域内において、基板と有機膜との間に、絶縁膜を介して交差する前記第１の配線及び前記第２の配線が配置された表示装置の製造方法であって、前記基板上に配線を形成するステップと、前記配線の上に有機膜を形成するステップと、外部と接続する接続パッドが配置される接続パッド用ホールであって、前記配線が露出するよう前記有機膜に形成された接続パッド用ホールを設けるステップと、前記接続パッド用ホールにおいて前記配線と接続された透明導電膜を前記接続パッドとして形成するステップとを有するものである。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。

本発明の第１１の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置の製造方法において、前記有機膜を形成するステップの後に、前記接続パッド用ホール内において、前記配線と前記透明導電膜と間に下地金属膜を形成するステップをさらに有するものである。これにより、コンタクト抵抗をさらに低減することができる。

本発明の第１２の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置の製造方法において、前記下地金属膜端部の上に配置される保護膜を前記透明導電膜の上から形成するステップをさらに有するものである。これにより、有機膜上の断線を防ぐことができる。

本発明の第１３の態様にかかる表示装置の製造方法は、表示領域内において、基板と有機膜との間に、絶縁膜を介して交差する前記第１の配線及び前記第２の配線が配置された表示装置の製造方法であって、前記基板上に配線を形成するステップと、前記配線の上に有機膜を形成するステップと、前記接続パッドが配置される接続パッド用ホールであって、前記有機膜に形成された接続パッド用ホールを設けるステップと、前記配線が露出するよう前記有機膜に設けられたコンタクトホールを設けるステップと、前記コンタクトホールにおいて前記配線と電気的に接続する下地金属膜であって、前記有機膜の上から前記接続パッド用ホールから前記コンタクトホールに渡って配置された下地金属膜を形成するステップと、前記接続パッド用ホールにおいて前記下地金属膜と電気的に接続する透明導電膜であって、前記接続パッド用ホールに設けられた透明導電膜を前記下地金属膜の上から形成するステップとを備えるものである。これにより、限られたスペースであってもコンタクト抵抗を低減することができる。

本発明の第１４の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置の製造方法の呼応的な実施例であって、前記接続パッド用ホールにおいて、前記透明導電膜の上にトランスファを設けるステップと、対向電極を有する対向基板を前記基板と対向配置させるステップと前記トランスファを介して前記配線と前記対向電極を電気的に接続するステップをさらに備えるものである。

本発明によれば、パッドと配線とが良好なコンタクト抵抗で接続された表示装置及びその製造方法を提供することができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。

発明の実施の形態１．
図１に本発明にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、７回の写真工程により半透過型ａ−ＳｉのＴＦＴアレイを製造している。１は第１の金属薄膜、２は第１の絶縁膜、３は半導体能動膜、４はオーミックコンタクト膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は第２の絶縁膜、８は有機膜、９は導電性薄膜、１０、１１は第３の金属薄膜、１２はコンタクトホール、１３は下地金属膜である。図１に示したパターン形状は左から順にゲート端子部、ソース端子部、ソース配線とゲート配線の交差部、ＴＦＴ部、表示領域の反射部、表示領域の透過部を示している。ゲート端子部及びソース端子部は例えば、基板端部における表示領域以外の領域に設けられており、この端子を介して駆動回路から信号が入力される。ＴＦＴ部は表示領域の各画素に対応されて設けられている。ソース配線とゲート配線の交差部はＴＦＴ部の近傍に設けられている。反射部には各画素における反射電極が設けられ、透過部には各画素における透過電極が設けられている。この反射電極と透過電極が各画素の画素電極を構成している。

まず、絶縁性基板としてガラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板には、ガラス基板等の透明な絶縁性基板を用いる。また、絶縁性基板の厚さは任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くするために１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁性基板が薄すぎる場合には各種の成膜やプロセスの熱履歴によって基板の歪みが生じるためにパターニング精度が低下するなどの不具合を生じるので、絶縁性基板の厚さは使用するプロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁性基板がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の端面は面取りを実施しておくことが、端面からのチッピングによる異物の混入を防止する上で好ましい。また、絶縁性基板の一部に切り欠きを設けて基板の向きが特定できるようにすることが、各プロセスでの基板処理の方向が特定できることでプロセス管理がしやすくなることより好ましい。

つぎに、スパッタリングなどの方法で第１の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金属薄膜１上には、後述の工程でドライエッチングによりコンタクトホールが形成され、その上から導電性薄膜が形成されるので、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導電性を有する金属薄膜を第１の金属薄膜１に用いることが好ましく、少なくとも表面がクロム、チタン、タンタル、モリブデンなどのうちのいずれかであることが好ましい。また、第１の金属薄膜１として、異種の金属薄膜を積層した金属薄膜や膜厚方向に組成の異なる金属薄膜を用いることもできる。また、第１の金属薄膜１としてアルミニウムを含む材料を用いた場合は、少なくとも表面が１０〜１０００μΩ程度の比抵抗を有する窒化アルミニウムであることが好ましい。

つぎに、第１のフォトリソグラフィープロセス（写真工程）で第１の金属薄膜１をパターニングし、ゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および補助容量配線、ゲート端子等を形成する。これにより、図１（ａ）で示される構造が形成される。フォトリソグラフィープロセスはＴＦＴアレイ基板を洗浄後、感光性レジストを塗布・乾燥したのちに、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することで写真製版的にＴＦＴアレイ基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成し、感光性レジストを加熱硬化させたのちにエッチングを行い、感光性レジストを剥離することで行われる。感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との濡れ性が不良で、感光性レジストのはじきが生じる場合には、塗布前にＵＶ洗浄を実施したり、濡れ性改善のためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を蒸気塗布するなどの処理を行う。

また、感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との密着性が不良で、剥がれが生じる場合には加熱硬化温度を高くしたり、時間を長くしたりするなどを行う。第１の金属薄膜１のエッチングは、公知のエッチャント（たとえば、第１の金属薄膜１がクロムからなる場合には、第二硝酸セリウムアンモンおよび硝酸が混合されてなる水溶液）を用いてウェットエッチングでエッチング可能である。また、第１の金属薄膜１のエッチングはパターンエッジがテーパ形状となるようにエッチングすることが、他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。ここで、テーパ形状とは断面が台形状になるようにパターンエッジがエッチングされることをいう。また、この工程でゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および補助容量配線を形成することを示したが、その他にＴＦＴアレイ基板を製造する上で必要な各種のマーク類や配線が形成される。

つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連続で成膜する。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜２としてはＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜やこれらの積層膜が用いられる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞれ正数である）。第１の絶縁膜２の膜厚は３００ｎｍから６００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合にはゲート配線とソース配線の交差部で短絡を生じやすく、第１の金属薄膜１の厚さ程度以上とすることが好ましい。膜厚が厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性が低下することからなるべく薄くすることが好ましい。好ましい実施例では、３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜した後、１００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜することにより、第１の絶縁膜２を形成する。

半導体能動膜３としてはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用いられる。半導体能動膜３の膜厚は１００ｎｍから３００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合には後述するオーミックコンタクト膜４のドライエッチ時の消失が発生し、厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなることより、オーミックコンタクト膜４のドライエッチ時のエッチング深さの制御性と必要とするＴＦＴのＯＮ電流より膜厚を選択する。半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のａ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＮｘ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることが、ＴＦＴが導通状態となるゲート電圧であるＴＦＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。

半導体能動膜３としてｐ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のｐ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＯｙ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることがＴＦＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。また、半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２との界面付近を成膜レートの小さい条件で成膜し、上層部を成膜レートの大きい条件で成膜することが短い成膜時間で移動度の大きいＴＦＴ特性がえられることと、ＴＦＴのオフ時のリーク電流を小さくできることより好ましい。好適な実施例では、半導体能動膜３として１５０ｎｍのａ−Ｓｉ膜を成膜する。

オーミックコンタクト膜４としては、ａ−Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。オーミックコンタクト膜４の膜厚は、２０ｎｍから７０ｎｍ程度とすることができる。これらのＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｐ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜は公知のガス（ＳｉＨ_４、ＮＨ₃、Ｈ_２、ＮＯ_２、ＰＨ_３、Ｎ_２およびこれらの混合ガス）を用いて成膜することが可能である。好適な実施例では、オーミックコンタクト膜４として３０ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜を成膜する。

つぎに、第２のフォトリソグラフィープロセスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニングする。これにより、図１（ｂ）に示す構造が形成される。第１の絶縁膜２は、全体に亘って残存する。半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４はＴＦＴ部が形成される部分の他に、ソース配線とゲート配線および補助容量配線とが平面的に交差する部分にもパターニングして残存させることが交差部での耐電圧が大きくなることより好ましい。また、ＴＦＴ部の半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４をソース配線の下部まで連続形状で残存させることが、ソース電極が半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４の段差を乗り越えることがなく、段差部でのソース電極の断線が発生しにくいので好ましい。

半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、ＳＦ₆とＯ₂の混合ガスまたはＣＦ₄とＯ₂の混合ガス）でドライエッチングが可能である。

つぎに、スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。

つぎに第３のフォトリソグラフィープロセスで第２の金属薄膜がソース配線、ソース端子、ソース電極５及びドレイン電極６を形成するようにパターニングする。これにより、図１（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソース配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成される。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成される。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行なう。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタクト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出する。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、ＳＦ₆とＯ₂の混合ガスまたはＣＦ₄とＯ₂の混合ガス）でドライエッチングが可能である。

つぎに、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁膜７を形成する。その上から有機膜８を形成する。第２の絶縁膜７は第１の絶縁膜２と同様の材質により形成することができる。好適な実施例では、第２の絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられる。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５が用いられる。この有機膜８は３．０〜４．０μｍ程度の厚み、望ましくは３．２〜３．９μｍ程度の厚みで形成される。もちろん、これ以外の厚みでもよい。

つぎに第４のフォトリソグラフィープロセスで有機膜８、第２の絶縁膜７、第１の絶縁膜２を図１（ｄ）に示す形状にパターニングする。この工程ではドライエッチングにより、第１の電極１と接続するためのコンタクトホール１２が形成される。このとき有機膜８の表面に凸凹を設けてもよい。これにより、外光が散乱され良好な表示特性を得ることができる。

ゲート端子部では、ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタクトホール１２を形成するため、有機膜８並びに第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出している。ソース端子部では、ソース配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタクトホール１２を形成するため有機膜８及び第２の絶縁膜７が除去され第２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間では、有機膜８及び第２の絶縁膜７が除去されドレイン電極６が露出している。さらに透過部では、有機膜８並びに第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出している。なお、コンタクトホール１２の形成は前述と同様の方法を用いることができる。

この後、本発明ではスパッタリング等の方法で下地金属膜１３を形成する。ここでは下地金属膜１３として、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。好適な実施例では、１００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第５のフォトリソグラフィープロセスにより、この下地金属膜１３をパターニングする。

下地金属膜１３は図１（ｅ）に示されるようにコンタクトホール１２の上部を覆う様に形成される。コンタクトホール１２の下に設けられている第１の金属薄膜１、ソース電極５やドレイン電極６等が露出していると、パターニングの際に第１の金属薄膜１、ソース電極５やドレイン電極６等がエッチング液に溶け出してしまうからである。なお、エッチングは前述と同様の方法を用いることができる。この下地金属膜１３はコンタクトホール１２の下部でゲート端子、ソース端子やドレイン電極等と接触され、電気的に接続される。

つぎに、スパッタリングなどの方法で導電性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、透明導電膜であるＩＴＯ、ＳｎＯ₂、ＩＺＯなどを用いることができ、とくに化学的安定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いられる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファスＩＴＯのいずれでもよいが、アモルファスＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。

つぎに、第６のフォトリソグラフィープロセスで導電性薄膜９を図１（ｆ）に示されるように画素電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッチングは使用する材料によって公知のウェットエッチング（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）でのドライエッチングによるエッチングも可能である。また、この工程で透過電極を形成することを示したが、電気的に対向基板の対向電極とＴＦＴアレイ基板の共通配線とを接続するためのトランスファパッドがＴＦＴアレイ基板に形成される。

なお、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱後であれば結晶化ＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅう酸が混合されてなる水溶液で行う。好適な実施例では、アモルファスＩＴＯを成膜し、しゅう酸によりエッチングし、第３の金属薄膜成膜前に大気中で２２０〜２３０℃に加熱する。この透過部に設けられた導電性薄膜９が液晶の駆動に用いられる。またゲート端子部やソース端子部のコンタクトホール１２の上に設けられた導電性薄膜９は下地金属膜１３と接触しているため、ゲート端子、ソース端子、ドレイン電極等と電気的に接続されることになる。

つぎに、スパッタリングなどの方法で第３の金属薄膜を構成する金属薄膜１０、１１を成膜する。第３の金属薄膜１０、１１としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅、銀やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。金属薄膜１０は、金属薄膜１１がコンタクトホール部等の段差で段切れ生じるのを防ぐ効果を有する。この段切れが無視できる場合は、金属薄膜１０は形成しなくてもよい。この場合、工程数が減少し、コスト低減が可能となる。好適な実施例では、１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜後、３００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムとＣｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜する。アルミニウムとＣｕの合金が露出していると、次の写真工程の現像時に、導電性薄膜９の腐食が進むため、これを防止するために最上層にクロム（図示せず）を設けている。

つぎに、第７のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１０、１１及び最上層のクロムを反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチング除去して、反射電極を形成する。なお、金属膜１０がクロムの場合、金属薄膜１１のエッチング後にレジストを剥離することで、最上層のクロムと同時にエッチングすることも可能である。反射電極は、クロムよりなる金属薄膜１０上にアルミニウムとＣｕの合金からなる金属薄膜１１が積層した状態で形成される。最上層のクロムは、導電性薄膜９の腐食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜１１は反射電極として用いられるため反射率が高い材質であることが好ましい。そのため本実施の形態では電気伝導度の高いアルミニウムに銅を添加した合金を用いている。第３の金属薄膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うことが可能である。反射部に設けられた第３の金属薄膜１１は反射電極として用いられ、この反射電極及び透過電極により液晶が駆動される。最終的には、図１（ｇ）で示す構造が形成される。

この上から配向膜が塗布され、一定の方向にラビングすることによってＴＦＴアレイ基板が製造される。このように製造されたＴＦＴアレイ基板は、対向電極を有するＣＦ基板とスペーサーを介して貼り合わされ、その間に液晶が注入される。この液晶層が狭持された液晶パネルをバックライトユニットに取り付けることにより、液晶表示装置が製造される。

このように製造された液晶表示装置は図２に示すようにＴＦＴアレイ基板の共通配線とＣＦ基板の対向電極を接続するためのトランスファ１９を備えている。トランスファ１９は表示領域外の基板端に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１５に設けられたトランスファパッド１６の上に導電性粒子を含む樹脂、銀ペースト又はＡｕパール等を設けることによりトランスファ１９が形成される。このトランスファ１９は通常、ＴＦＴアレイ基板１５とＣＦ基板とをシールするため塗布されるシール材の外側に形成される。

本発明にかかる液晶表示装置におけるトランスファパッドの周辺の構成について図３及び図４を用いて説明する。図３はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。図３はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。

１７は共通配線であり、図１で示した製造工程における第１の金属薄膜１又はソース電極５（ドレイン電極６）と同じ層により形成される。１８は絶縁膜であり、第１の絶縁膜２又は第２の絶縁膜５と同じ層により形成される。１２は有機膜及び絶縁膜に設けられたコンタクトホール、１６はトランスファパッド、２３は下地金属膜に設けられた開口部、２４は有機膜及び絶縁膜に設けられたホールである。

有機膜８及び絶縁膜１８には図３の点線で囲まれた領域のトランスファパッド１６に対応して、トランスファパッド１６よりも大きなホール２４が設けられている。なお、図３において、斜線の部分には有機膜８及び絶縁膜１８が設けられている。図３に示すようにトランスファパッド１６は通常、ホール２４の中央部に設けられる。図４に示すようにトランスファパッド１６の最上層には導電性薄膜９で配置されている。

このホール２４の周りにはコンタクトホール１２が形成されている。このホール２４及びコンタクトホール１２は図１（ｄ）に示すコンタクトホール１２を設けるためのドライエッチング工程で有機膜８及び絶縁膜１８をパターニングすることにより形成される。これにより、図３及び図４に示すように基板が露出するようホール２４が形成される。さらにホール２４の周りにはコンタクトホール１２が形成される。なお、図３において、コンタクトホール１２はホール２４の周りに複数設けたが、１つ以上のコンタクトホール１２が形成されていればよい。

有機膜８の下に配置された絶縁膜１８の下には共通配線１７が形成されている。この共通配線１７は図１（ａ）に示す第１の金属薄膜１を形成する工程あるいは図１（ｃ）に示すソース電極５（ドレイン電極６）を形成する工程で設けられる。また、共通配線１７は第１の金属薄膜１及び第２の電極の積層構成としもよい。コンタクトホール１２に対応する部分の有機膜８及び絶縁膜１８が除去されるようパターニングされ、共通配線１７が露出するように形成される。

有機膜８の上から下地金属膜１３がコンタクトホール１２を覆うように形成される。下地金属膜１３は図１（ｅ）に示す構成によって形成される。下地金属膜１３は有機膜７の上及びコンタクトホール内に配置される。コンタクトホール１２において、下地金属膜１３と共通配線１７が接続する。さらに下地金属膜１３を覆うように導電性薄膜９が設けられている。この導電性薄膜９はＩＴＯ等の透明導電膜であり、図１（ｆ）に示す工程で形成される。

下地金属膜１３はホール２４において、開口部２３が形成されるようにパターニングされる。すなわち、トランスファパッド１６が設けられる領域において、下地金属膜１３は開口部２３に対応する部分がエッチングにより除去された構成となる。開口部２３では基板が露出するよう有機膜８及び絶縁膜１８が除去される。この上から導電性薄膜９を形成するため、導電性薄膜９は開口部２３の内部にまで形成される。従って、導電性薄膜９は開口部２３において基板上に直接配置される。開口部２３では遮光膜となる金属膜が形成されておらず、基板上に透明な導電性薄膜９のみが設けられた構成となる。この開口部２３が設けられている領域は基板の裏面側からの光が透過する光透過部となり、トランスファの検査を行うことができる。

下地金属膜１３はコンタクトホール１２からホール２４に渡って形成されている。さらに下地金属膜１３の上には導電性薄膜９が設けられている。従って、導電性薄膜９は下地金属膜１３を介して共通配線１７と接続される。下地金属膜１３は有機膜８及び絶縁膜１８のエッチング工程後に形成されているため、表面が改質されておらず、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。これにより、低抵抗配線でトランスファパッドに共通電位を供給できる。さらに導電性薄膜９が最上層にあるためトランスファとのコンタクト抵抗を低減することができる。

下地金属膜１３はコンタクトホール１２からホール２４に渡って形成されている。従って、下地金属膜１３のパターン端部がホール２４の内側に形成される。一方、下地金属膜１３のパターン端が図５に示すように有機膜８の上に配置されていると、ホール周辺部では有機膜の上に導電性薄膜９が直接形成されるため、導電性薄膜の膜質が脆弱化する。さらに下地金属膜１３のパターン端において、導電性薄膜９には段差が生じてしまうため、下地金属膜１３のカバレッジが低下する。そのため、図１（ｆ）で示した反射電極のエッチング工程で下地金属膜までエッチャントが染み込み、下地金属膜１３が溶け出してしまう。

これにより、下地金属膜１３のパターン端部であった箇所には、導電性薄膜９と有機膜８との間に隙間が生じてしまう。下地金属膜１３のパターン端の段差部で導電性薄膜の膜切れが発生するおそれがある。トランスファパッド周辺で導電性薄膜９に膜切れが生じた場合、断線が生じるためトランスファを介して対向電極に共通電位を安定して供給できなくなり、表示品質が低下するといった問題点があった。特に絶縁膜１８の上に有機膜８を設けた構成では、有機膜８の表面が平坦でないため、下地金属膜及び導電性薄膜９に凹凸が生じ、より断線が生じやすくなってしまう。

本実施の形態では下地金属膜１３がコンタクトホール１２からホール２４の内側まで延設されているため、パターン端部が有機膜上に配置されない構成となる。従って、トランスファパッド周辺における断線を防ぐことが出来る。

導電性薄膜９はコンタクトホール１２及びホール２４を覆うように設けられている。さらに下地金属膜１３は開口部２３を除いて、コンタクトホール１２及びホール２４を覆うように形成されている。従って、下地金属膜１３と導電性薄膜９とが略同じ大きさのパターンとなり、接触面積を広くすることができる。これにより、さらに抵抗を低減することができる。

本実施の形態では、コンタクトホール１２において共通配線１７と下地金属膜１３を接続しているため、ホール２４の大きさを小さくすることができる。従って、スペースの制約上、ホール２４を大きくできない場合であっても、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

なお、図３では図を簡素化するため導電性薄膜９及び下地金属膜１３について省略して図示している。従って、図３において開口部２３を除いた領域に下地金属膜１３が形成され、さらに図３に示す領域全体に導電性薄膜９が形成される。上述のトランスファパッド１６の周辺の構成では、有機膜８の上に下地金属膜１３のパターン端が配置されなくなる。有機膜上において導電性薄膜９の段差が無くなり、導電性薄膜９の断線を防ぐことができる。さらに、ホール２４の内部において下地金属膜１３と導電性薄膜９を接続しているため、コンタクトホール１２のみにおいて下地金属膜１３と導電性薄膜９を接続した場合に比べて、下地金属膜１３と導電性薄膜９とのコンタクト面積を容易に広くすることができる。従って、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

このようにして設けられたトランスファパッド１６を有するＴＦＴアレイ基板とＣＦ基板を貼り合わせると図６に示す構成となるトランスファパッド１６の上にディスペンサを用いトランスファ１９を設ける。そして表面に対向電極２２が設けられているＣＦ基板２１をＴＦＴアレイ基板と対向配置して、外周に塗布されたシール材（図示せず）を硬化させることによって、基板を貼り合わせる。これにより、対向電極２２と共通配線１７が接続され、対向電極２２に共通電位を供給することができる。上述の構成では、導電性薄膜９が最上層に設けられているため、対向電極２２とのコンタクトを良好にすることができる。

上述のホール２４は例えば、０．８〜１．０ｍｍ□で形成される。そして、ホール２４を覆うように例えば、１．０ｍｍ□〜１．２ｍｍ□の導電性薄膜９のパターンが形成される。さらに開口部２３は例えば、０．０４ｍｍ□〜０．０５ｍｍで形成される。トランスファパッド１６における開口部２３の占める割合は約３０％以上あれば、トランスファの検査を行うことができる。もちろん、上記の例は、典型的な一例であり、これらの値に限られるものではない。

半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置においては、ゲート配線及びソース配線を形成した後に、反射電極の散乱特性を向上させるための有機膜８が形成される。この有機膜８の上に画素電極となる導電性薄膜９が形成される。有機膜を８パターニングして、ホール２４及びコンタクトホール１２を設ける工程で、配線の表面が露出されるため、コンタクト抵抗が劣化するおそれがある。特に有機膜８及び絶縁膜１８をドライエッチングで除去した場合、ドライエッチングのプラズマに共通配線１７の表面が曝されるため、コンタクト抵抗の劣化が顕著に表れる。本実施の形態に示す構成では共通配線１７と導電性薄膜９の間に下地金属膜１３が形成されているため、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

さらに共通配線１７と導電性薄膜９の間に下地金属膜１３を配置した構成では、有機膜上に下地金属膜１３のパターン端が配置されると断線が発生しやすくなる。画素電極となる導電性薄膜９の下地金属膜１３が配置された構成では、この下地金属膜１３をホール内部まで延在させることにより、製造プロセスを増やすことなく、断線の発生が抑制することができる。さらに、下地金属膜１３を介して共通配線１７と導電性薄膜９を接続することにより、良好なコンタクト抵抗を有する液晶表示装置を形成することができる。本発明は画素電極と有機膜との間に下地金属膜を有する構成の液晶表示装置、例えば、半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置に好適である。

発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図７及び図８を用いて説明する。図７はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。図８はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。なお、本実施の形態における製造工程は実施の形態１における製造工程と同様の工程であるため、説明を省略する。また、本実施の形態における液晶表示装置の構成で実施の形態１で示した構成と同様の構成については説明を省略する。

本実施の形態ではホール２４の周辺にコンタクトホール１２が配置されていない構成となる。共通配線１７がホール２４の内側に延設して設けられている。従って、図３に示すようにホール内部において、共通配線１７は絶縁膜１８より内側にはみ出した構成となるように形成される。ホール２４を形成した段階では、ホール２４の内部で共通配線１７が露出する構成となっている。すなわち、共通配線１７の上の有機膜８及び絶縁膜１８を除去して共通配線１７を露出することにより、ホール２４が形成される。

このホールの内側に延設された共通配線１７を覆うように下地金属膜１３が形成される。さらにその上からホール２４を覆うように導電性薄膜９が形成される。このような構成では共通配線１７がホール２４の内側まで設けられているため、共通配線１７と下地金属膜１３との接触面積がコンタクトホール１２の大きさや数に制限されない。そのため、接触面積を広くすることができ、コンタクト抵抗を低減することができる。

本実施の形態でも、ホール２４の内部において下地金属膜１３には開口部２３が設けられているため、トランスファパッドにおいて光透過部が形成される。この光透過部により、基板の裏面側からトランスファの検査を行うことができる。

開口部２３を除いて、下地金属膜１３はホール２４を覆うように設けられている。また、下地金属膜１３の上に設けられた導電性薄膜９はホール２４を覆うように設けられている。従って、開口部を除いて下地金属膜１３と導電性薄膜９のパターンを略同じ大きさで形成することができるため、接触面積を広くすることができる。よって、コンタクト抵抗を低減することができる。

ホール２４の内部に延在している共通配線１７は下地金属膜１３によって覆われているため、共通配線１７と導電性薄膜９が直接接触してコンタクト抵抗が劣化する箇所がない構成となる。有機膜８及び絶縁膜１８をドライエッチングでパターニングして、共通配線１７を露出させる構成でも、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。さらに、有機膜上に下地金属膜１３のパターン端部が配置されない構成となるため、トランスファパッド周辺において導電性薄膜９の断線を防ぐことができる。

また、半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置においては、ゲート配線及びソース配線を形成した後に、反射電極の散乱特性を向上させるための有機膜が形成される。この有機膜８の上に画素電極となる導電性薄膜９が形成されるので、断線が発生しやすい。本実施の形態では有機膜上に下地金属膜１３を配置していないため、断線の発生を防ぐことができる。

さらに、ホール内部において下地金属膜１３と導電性薄膜９とを略同じ大きさでパターニングしているため、導電性薄膜９と下地金属膜１３とが接触する面積が増やすことができる。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。さらに下地金属膜１３を介して共通配線１７とトランスファパッド１６となる導電性薄膜９を接続している。そのため、有機膜８及び絶縁膜１８をドライエッチングにより除去して、共通配線を露出させた場合であっても良好なコンタクト抵抗を得ることができる。このように本実施の形態は画素電極となる導電性薄膜９と有機膜８との間に下地金属膜１３を有する構成の液晶表示装置、例えば、半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置に好適である。

発明の実施の形態３．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図９及び図１０を用いて説明する。図９はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。図１０はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。なお、本実施の形態における製造工程は実施の形態１における製造工程と同様の工程であるため、説明を省略する。また、本実施の形態における液晶表示装置の構成で実施の形態１又は実施の形態２で示した構成と同様の構成については説明を省略する。

本実施例では、下地金属膜１３はホールの内部において、島状に配置されている。従って、共通配線１７のパターン端がホール２４の外側に設けられていないため、有機膜８の上に共通配線１７が配置されない構成となる。これにより、有機膜上のおける導電性薄膜９の断線の発生を防ぐことができる。

さらに下地金属膜１３は共通配線１７の上に島状に形成されているため、共通配線１７と導電性薄膜９が下地金属膜１３を介して接続される。よって、上述の実施の形態と同様に導電性薄膜９とのコンタクトを良好にすることができる。また、導電性薄膜９が最上層に設けられているため、対向電極２２とのコンタクトを良好にすることができる。共通配線１７と下地金属膜１３との接触面積を広くすることができるため、さらに良好なコンタクト抵抗を得ることができる。

本実施の形態では、ホール２４の内部においてトランスファパッド１６に対応する領域には共通配線１７が下地金属膜１３と略同じ大きさで設けられている。共通配線１７は下地金属膜１３と同様に開口部２４が形成されるようパターニングされる。このようにトランスファパッド１６の領域に共通配線１７及び下地金属膜１３を設けた場合、共通配線１７及び下地金属膜１３が開口部２３を形成するようにする。これにより、基板を貼り合せた後でも、ＴＦＴアレイ基板の裏面側からトランスファの状態を観察することができる。

また、半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置においては、ゲート配線及びソース配線を形成した後に、反射電極の散乱特性を向上させるための有機膜８が形成される。この有機膜８の上に画素電極となる導電性薄膜９が形成されるので、断線が発生しやすい。本実施の形態に示す構成では有機膜上に下地金属膜１３を配置されないため、断線の発生を防ぐことができる。

さらに、下地金属膜１３と共通配線１７を略同じ大きさでパターニングしているため、共通配線１７と下地金属膜１３が接触する面積が増やすことができる。これによりコンタクト抵抗を低減することができる。このように本実施の形態は画素電極となる導電性薄膜９と有機膜８との間に下地金属膜１３を有する構成の液晶表示装置、例えば、半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置に好適である。

発明の実施の形態４．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図１１及び図１２を用いて説明する。図１１はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。図１２はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。なお、本実施の形態における製造工程は実施の形態１における製造工程と同様の工程であるため、説明を省略する。また、本実施の形態における液晶表示装置の構成で上述の実施の形態で示した構成と同様の構成については説明を省略する。

本実施の形態では、ホール２４の内部において、導電性薄膜９と共通配線１７が直接接触されている。そして、開口部２３を有する共通配線１７がホール全体に設けられている。コンタクトホールの大きさや数に制限されないため、導電性薄膜９との接触面積を広くすることができる。さらに、光透過部となる開口部２３が形成されているため、ＴＦＴアレイ基板の裏面側からの検査が可能になる。

また、有機膜８の上に下地金属膜１３のパターン端が設けられていないため、有機膜上のおける導電性薄膜９の断線の発生を防ぐことができる。本実施の形態では、導電性薄膜９と共通配線１７が直接接続されているが、例えば、ウェットエッチングにより有機膜８及び絶縁膜１８等をパターニングして、ドライエッチングを介さない場合には、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。さらに本実施の形態は、ドライエッチングを介した場合であっても、良好なコンタクト抵抗を得ることが出来る場合に好適である。

発明の実施の形態５．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図１３及び図１４を用いて説明する。図１３はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。図１４はトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。なお、本実施の形態における製造工程は上述の実施の形態における製造工程と同様の工程であるため、説明を省略する。また、本実施の形態における液晶表示装置の構成で上述の実施の形態で示した構成と同様の構成については説明を省略する。

本実施の形態ではホール２４の内側から外側に渡って、導電性薄膜９の上に第３の金属薄膜が設けられている。この第３の金属薄膜９は下地金属膜１３のパターン端における導電性薄膜９の断線を防止するため、下地金属膜１３の上に配置される。第３の金属薄膜９は下地金属膜１３のホール外側のパターン端を覆うように設けられている。従って、有機膜上における導電性薄膜９の段差部分が第３の金属薄膜９により覆われる。

この第３の金属薄膜１０は図１（ｇ）に示す工程により形成される。第３の金属薄膜１０を形成する工程において、下地金属膜１３のパターン端には、第３の金属薄膜１０を形成するためのレジストが形成されていることになる。従って、第３の金属薄膜１０が保護膜となり、エッチャントが下地金属膜１３まで染み込むことを防ぐことができるため、段差部分における導電性薄膜９の断線を防ぐことができる。もちろん、保護膜となる第３の金属薄膜は有機膜上の下地金属膜全体に設けてもよい。これにより、有機膜上における導電性薄膜９の断線を防ぐことができる。

ホール内部のトランスファパッド１６が設けられる領域では、下地金属膜１３が除去されている。従って、開口部２３が基板裏面側からの光を透過する光透過部となり、裏面側からのトランスファの検査が可能になる。また、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる導電性薄膜９が最上層に配置されるため、トランスファと直接接触する。従って、良好なコンタクトを得ることができる。また、ホール内部において共通配線１７を延設させているため、接触面積を広くすることができる。よって、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。さらに導電性薄膜９が最上層にあるためトランスファとのコンタクト抵抗を低減することができる。

本実施の形態で示す構成では反射電極となる第３の金属薄膜を下地金属膜１３のパターン端に配置して、有機膜上における導電性薄膜の断線を防いでいる。特に反射特性を向上するためゲート配線及びソース配線の上に有機膜を設けた場合、有機膜８の表面は凹凸が大きいため、断線が発生しやすい。反射電極となる第３の金属薄膜１０を利用することにより、製造工程を増やさずに、段差部分の保護膜を形成することができる。このように本発明は半透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置に好適な発明である。
その他の実施の形態

上述の実施例では、トランスファパッド周辺の構成について説明したが、本発明はトランスファパッド以外のパッドについても利用することができる。例えば、ＣＯＧタイプの液晶表示装置について、ドライバＩＣを設けるためのパッドなど、外部と接続するためのパッドであれば、同様の効果を得ることができる。また、液晶表示装置以外の表示装置についても利用することができる。

さらに上述の実施の形態をそれぞれ組み合わせた構成としてもよい。上述の実施の形態で説明した構成以外の構成が設けられていても良い。また、半透過型の液晶表示装置以外の表示装置に利用することも可能である。

本発明にかかる液晶表示装置の製造工程における構成を示す側面断面図である。本発明にかかる液晶表示装置の構成を示す平面図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の比較例におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。本発明にかかる液晶表示装置のトランスファ周辺の構成を示す側面断面図である。本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。本発明の実施の形態５にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。本発明の実施の形態５にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。従来の液晶表示装置の製造工程における構成を示す側面断面図である。従来の液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す平面図である。従来の液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板におけるトランスファパッド周辺の構成の概略を示す側面断面図である。

符号の説明

１第１の金属薄膜、２第１の絶縁膜、３半導体能動膜、
４オーミックコンタクト膜、５ソース電極、６ドレイン電極、７第２の絶縁膜
８有機膜、９導電性薄膜、１０，１１第３の金属薄膜、１２コンタクトホール、
１３下地金属膜、１４第２の金属薄膜、１５ＴＦＴアレイ基板、
１６トランスファパッド、１７共通配線、１８絶縁膜、１９トランスファ、
２１ＣＦ基板、２２対向電極、２３開口部、２４ホール、２５ガラス基板

Claims

外部と接続するための接続パッドが設けられた基板を備え、光を透過する透過部が画素電極に設けられている表示装置であって、
前記基板上に設けられた配線と、
前記配線の上に設けられた有機膜と、
前記接続パッドが配置される接続パッド用ホールであって、前記配線が露出するよう前記有機膜に形成された接続パッド用ホールと、
前記有機膜の上に形成され、前記接続パッド用ホールにおいて、前記配線と接触する下地金属膜と、
前記接続パッドとなるよう設けられた透明導電膜であって、前記下地金属膜と接触するよう前記下地金属膜の上に形成され、前記接続パッド用ホールにおいて前記配線と接続される透明導電膜とを備え、
前記下地金属膜のパターンの端部が前記有機膜上に配置され、
前記下地金属膜のパターンの端部に前記透明導電膜の上から導電性の保護膜が形成されている表示装置。
前記接続パッド用ホールにおいて前記下地金属膜を介して前記透明導電膜と前記配線が接続される請求項１記載の表示装置。
前記下地金属膜のパターンの端部が前記接続パッド用ホール内に配置されている請求項１又は２記載の表示装置。
前記基板と前記有機膜との間に設けられた絶縁膜をさらに備え、
表示領域内において前記絶縁膜を介して交差する第１の配線と第２の配線が前記基板と前記有機膜との間に設けられている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
前記基板と対向配置された対向基板をさらに備え、
前記接続用パッドに設けられたトランスファを介して、前記対向基板に設けられた対向電極と前記配線とが電気的に接続される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
前記接続パッド用ホール内において基板裏面側からの光を透過する光透過部が形成されていることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
前記接続用パッドに、ドライバＩＣが接続されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
光を透過する透過部が画素電極に設けられた表示装置の製造方法であって、
前記基板上に配線を形成するステップと、
前記配線の上に有機膜を形成するステップと、
前記基板の外部と接続する接続パッドが配置される接続パッド用ホールであって、前記配線が露出するよう前記有機膜に接続パッド用ホールを設けるステップと、
前記接続パッド用ホールが設けられた有機膜上に下地金属膜を形成するステップと、
前記接続パッド用ホールから露出した前記配線と接触するよう、前記有機膜上の前記下地金属膜をパターニングする工程と、
前記接続パッド用ホールにおいて前記下地金属膜と接触し、前記配線と接続される透明導電膜を、前記パターニングされた下地金属膜の上から成膜するステップと、
前記接続パッド用ホールにおいて前記配線と接続された透明導電膜が前記接続パッドとなるよう、前記透明導電膜をパターニングするステップと、
前記下地金属膜の端部の上に配置される導電性の保護膜を前記透明導電膜の上から形成するステップとを有する表示装置の製造方法。
前記下地金属膜の端部が、前記接続パッド用ホール内に配置されている請求項８に記載の表示装置の製造方法。
前記接続パッド用ホールにおいて、前記透明導電膜の上にトランスファを設けるステップと、
対向電極を有する対向基板を前記基板と対向配置させるステップと
前記トランスファを介して前記配線と前記対向電極を電気的に接続するステップをさらに備える請求項８又は９に記載の表示装置の製造方法。
前記接続用パッドにドライバＩＣが接続されることを特徴とする請求項８又は９に記載の表示装置の製造方法。