JP2000098371A - 反射型画像表示素子及び表示素子用基板 - Google Patents
反射型画像表示素子及び表示素子用基板Info
- Publication number
- JP2000098371A JP2000098371A JP10263700A JP26370098A JP2000098371A JP 2000098371 A JP2000098371 A JP 2000098371A JP 10263700 A JP10263700 A JP 10263700A JP 26370098 A JP26370098 A JP 26370098A JP 2000098371 A JP2000098371 A JP 2000098371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- reflection
- pattern
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 69
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 101001062854 Rattus norvegicus Fatty acid-binding protein 5 Proteins 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽光等の外光と内蔵の照明とを利用して表
示画面を照明することができ、しかもいずれの照明形態
においても光の利用効率の高い表示素子を提供する。 【解決手段】 透明電極36を有する前面側基板33と
反射電極40を有する背面側基板32の間に液晶層34
を封止する。この液晶表示パネルの側面には、サイドラ
イトとなる光源44を設ける。反射電極40の表面に
は、光源44から離れるに従ってパターン密度が大きく
なるようにして導光パターン42を設け、反射電極40
の表面を配向膜41で覆う。
示画面を照明することができ、しかもいずれの照明形態
においても光の利用効率の高い表示素子を提供する。 【解決手段】 透明電極36を有する前面側基板33と
反射電極40を有する背面側基板32の間に液晶層34
を封止する。この液晶表示パネルの側面には、サイドラ
イトとなる光源44を設ける。反射電極40の表面に
は、光源44から離れるに従ってパターン密度が大きく
なるようにして導光パターン42を設け、反射電極40
の表面を配向膜41で覆う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽光や室内照明
等の外部からの光を利用して表示画面を照明することが
できる反射型画像表示素子と、その装置に用いられる表
示素子用基板に関する。
等の外部からの光を利用して表示画面を照明することが
できる反射型画像表示素子と、その装置に用いられる表
示素子用基板に関する。
【0002】
【従来の技術】手帳サイズのパーソナルコンピュータや
PDA等の携帯端末が普及しつつあるが、その携帯性ゆ
え、これらの携帯端末には電源としてバッテリーが用い
られている。これらの携帯端末では、連続使用時間の長
いことが望まれており、そのためには消費電力が小さく
てバッテリー駆動時間が長いことが重要である。
PDA等の携帯端末が普及しつつあるが、その携帯性ゆ
え、これらの携帯端末には電源としてバッテリーが用い
られている。これらの携帯端末では、連続使用時間の長
いことが望まれており、そのためには消費電力が小さく
てバッテリー駆動時間が長いことが重要である。
【0003】携帯端末は、情報表示用に液晶表示パネル
等の画像表示素子を備えているが、これまでは、内蔵の
照明光で透過型表示パネルを照らすようにしたバックラ
イト型の画像表示素子が主流となっていた。しかし、バ
ックライト型の画像表示素子は消費電力が大きいため、
現在では、太陽光や室内照明等の外部からの光を利用し
た、バックライト等の内部照明が不要な反射型画像表示
素子へ次第に移行しつつある。
等の画像表示素子を備えているが、これまでは、内蔵の
照明光で透過型表示パネルを照らすようにしたバックラ
イト型の画像表示素子が主流となっていた。しかし、バ
ックライト型の画像表示素子は消費電力が大きいため、
現在では、太陽光や室内照明等の外部からの光を利用し
た、バックライト等の内部照明が不要な反射型画像表示
素子へ次第に移行しつつある。
【0004】このような反射型画像表示素子1(例え
ば、ECB型LCD)の構造を図1に示す。これは液晶
層2を挟み込んでいる2枚のガラス基板3,4のうち、
背面側のガラス基板4の内面にアルミニウム等によって
表面反射率の高い反射電極5を設け、反射電極5の上に
配向膜6を形成し、他方のガラス基板3の内面に透明電
極7等を設け、透明電極7の上にも配向膜8を形成し、
両ガラス基板3,4間の空間に液晶層2を挟んで周囲を
シール材9で封止し、ガラス基板3の前面に偏光板10
を配置したものである。
ば、ECB型LCD)の構造を図1に示す。これは液晶
層2を挟み込んでいる2枚のガラス基板3,4のうち、
背面側のガラス基板4の内面にアルミニウム等によって
表面反射率の高い反射電極5を設け、反射電極5の上に
配向膜6を形成し、他方のガラス基板3の内面に透明電
極7等を設け、透明電極7の上にも配向膜8を形成し、
両ガラス基板3,4間の空間に液晶層2を挟んで周囲を
シール材9で封止し、ガラス基板3の前面に偏光板10
を配置したものである。
【0005】この反射型画像表示素子1においては、明
るい画素部分では、偏光板10を透過して液晶層2に入
射した外光11は、反射電極5によって反射され、再び
透明画素部分を通過してもと来た方向へ出射される。
るい画素部分では、偏光板10を透過して液晶層2に入
射した外光11は、反射電極5によって反射され、再び
透明画素部分を通過してもと来た方向へ出射される。
【0006】しかし、このような反射型画像表示素子1
では、屋外など強い外光のある場所では良好に見えて
も、屋内の暗いところや夜間では充分な外光を得られな
いため、表示が見えなくなるという欠点を持つ。
では、屋外など強い外光のある場所では良好に見えて
も、屋内の暗いところや夜間では充分な外光を得られな
いため、表示が見えなくなるという欠点を持つ。
【0007】この欠点を補うものとして、図2に示すよ
うに、表示素子の前面にフロントライト13を設置した
フロントライト型の画像表示素子12が提案されてい
る。このフロントライト型画像表示素子12にあって
は、前面側のガラス基板3の端に反射セード14を備え
たフロントライト13を設置し、偏光板10やガラス基
板3を通してフロントライト13からの光15を入射さ
せるようにしたものである。これは、常時フロントライ
ト13を点灯させておくものでなく、充分な外光が得ら
れないなど、必要な場合にのみ表示画面を照らすことに
より、消費電力を抑えてバッテリーの消耗を小さくする
ものである。
うに、表示素子の前面にフロントライト13を設置した
フロントライト型の画像表示素子12が提案されてい
る。このフロントライト型画像表示素子12にあって
は、前面側のガラス基板3の端に反射セード14を備え
たフロントライト13を設置し、偏光板10やガラス基
板3を通してフロントライト13からの光15を入射さ
せるようにしたものである。これは、常時フロントライ
ト13を点灯させておくものでなく、充分な外光が得ら
れないなど、必要な場合にのみ表示画面を照らすことに
より、消費電力を抑えてバッテリーの消耗を小さくする
ものである。
【0008】しかしながら、フロントライト型表示素子
12では、表示画面にかからないようフロントライト1
3は表示画面の端に装着されているので、表示画面はフ
ロントライト13の近辺では明るいが、フロントライト
13から遠ざかるに従って極端に暗くなり、表示画面を
均一に照らすことができず、実用性にはほど遠いもので
あった。
12では、表示画面にかからないようフロントライト1
3は表示画面の端に装着されているので、表示画面はフ
ロントライト13の近辺では明るいが、フロントライト
13から遠ざかるに従って極端に暗くなり、表示画面を
均一に照らすことができず、実用性にはほど遠いもので
あった。
【0009】また、反射型表示素子とバックライト型表
示素子の中間にあたるものとして、半透過型の液晶表示
パネルの背後にバックライトを設けた、図3のような構
造の半透過型表示素子16が提案されている。この半透
過型の表示素子16は、対向する一対のガラス基板3,
4のうち、一方のガラス基板4の内面に透明電極17を
設け、透明電極17の上に配向膜6を形成し、他方のガ
ラス基板3の内面にも透明電極7を設け、この透明電極
7の上にも配向膜8を形成し、両ガラス基板3,4間の
空間に液晶層2を挟んで周囲をシール材9で封止してい
る。また、前面側ガラス基板3の前面に偏光板10を貼
り、背面側ガラス基板4の背面には偏光板付きの半透過
板18を貼っている。このような液晶表示パネルの背面
に配置されるバックライトは、下面に拡散パターン22
を形成された高屈折率材料からなる導光板20の下面に
反射板21を設け、導光板20の端面に光源19を配置
し、端面から導光板20内に入射した光源19からの光
15を拡散パターン22で反射させることにより、液晶
表示パネル側へ出射させるものである。
示素子の中間にあたるものとして、半透過型の液晶表示
パネルの背後にバックライトを設けた、図3のような構
造の半透過型表示素子16が提案されている。この半透
過型の表示素子16は、対向する一対のガラス基板3,
4のうち、一方のガラス基板4の内面に透明電極17を
設け、透明電極17の上に配向膜6を形成し、他方のガ
ラス基板3の内面にも透明電極7を設け、この透明電極
7の上にも配向膜8を形成し、両ガラス基板3,4間の
空間に液晶層2を挟んで周囲をシール材9で封止してい
る。また、前面側ガラス基板3の前面に偏光板10を貼
り、背面側ガラス基板4の背面には偏光板付きの半透過
板18を貼っている。このような液晶表示パネルの背面
に配置されるバックライトは、下面に拡散パターン22
を形成された高屈折率材料からなる導光板20の下面に
反射板21を設け、導光板20の端面に光源19を配置
し、端面から導光板20内に入射した光源19からの光
15を拡散パターン22で反射させることにより、液晶
表示パネル側へ出射させるものである。
【0010】しかして、外光が強い場所では、バックラ
イトを消灯させていても、前面から液晶表示パネル内に
入射した外光11が半透過板18で反射して再び前面か
ら出射され、液晶表示パネルの表示画面を明るくする。
これに対し、外光がなく暗い場所では、バックライトを
点灯させると、バックライトから出射した光15は半透
過板18を通過して液晶表示パネルの前面から出射さ
れ、液晶表示パネルの表示画面を照射する。
イトを消灯させていても、前面から液晶表示パネル内に
入射した外光11が半透過板18で反射して再び前面か
ら出射され、液晶表示パネルの表示画面を明るくする。
これに対し、外光がなく暗い場所では、バックライトを
点灯させると、バックライトから出射した光15は半透
過板18を通過して液晶表示パネルの前面から出射さ
れ、液晶表示パネルの表示画面を照射する。
【0011】しかし、このような半透過型表示素子で
は、半透過板に反射と透過の相反する性質を持たせてい
るため、液晶表示素子内に入射した外光の半分は半透過
膜を透過して逃げるので、前面へ拡散反射される反射光
量が少なくなり、逆に、バックライトから照射された光
も半透過膜で反射されるので、前面へ透過する透過光量
も少なくなり、いずれの使用形態においても効率が悪く
なっていた。
は、半透過板に反射と透過の相反する性質を持たせてい
るため、液晶表示素子内に入射した外光の半分は半透過
膜を透過して逃げるので、前面へ拡散反射される反射光
量が少なくなり、逆に、バックライトから照射された光
も半透過膜で反射されるので、前面へ透過する透過光量
も少なくなり、いずれの使用形態においても効率が悪く
なっていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の技術的
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、太陽光等の外光と内蔵の照明とを利用
して表示画面を照明することができ、しかもいずれの照
明形態においても光の利用効率の高い表示素子を提供す
ることにある。
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、太陽光等の外光と内蔵の照明とを利用
して表示画面を照明することができ、しかもいずれの照
明形態においても光の利用効率の高い表示素子を提供す
ることにある。
【0013】
【発明の開示】請求項1に記載の画像表示素子は、透光
性を有する前面側基板と背面側基板との間に画像生成部
を設け、前面側基板から入射した光を反射させるための
反射面を前面側基板の背面と背面側基板の前面との間に
設けた反射型画像表示素子において、前記反射面に、側
方からの入射光を拡散反射させるための導光パターンを
設け、そのパターン密度が光入射側から離れるに従って
大きくなるようにしたものである。
性を有する前面側基板と背面側基板との間に画像生成部
を設け、前面側基板から入射した光を反射させるための
反射面を前面側基板の背面と背面側基板の前面との間に
設けた反射型画像表示素子において、前記反射面に、側
方からの入射光を拡散反射させるための導光パターンを
設け、そのパターン密度が光入射側から離れるに従って
大きくなるようにしたものである。
【0014】また、請求項2に記載の画像表示素子は、
透光性を有する前面側基板と透光性を有する背面側基板
との間に透光性を有する電極を用いた画像生成部を設
け、前面側基板から入射した光を反射させるための反射
面を背面側基板の前面と背面との間に設けた反射型画像
表示素子において、前記反射面に、側方からの入射光を
拡散反射させるための導光パターンを設け、そのパター
ン密度が光入射側から離れるに従って密度が大きくなる
ようにしたものである。
透光性を有する前面側基板と透光性を有する背面側基板
との間に透光性を有する電極を用いた画像生成部を設
け、前面側基板から入射した光を反射させるための反射
面を背面側基板の前面と背面との間に設けた反射型画像
表示素子において、前記反射面に、側方からの入射光を
拡散反射させるための導光パターンを設け、そのパター
ン密度が光入射側から離れるに従って密度が大きくなる
ようにしたものである。
【0015】請求項1又は2に記載した画像表示素子に
あっては、側方から反射面へ向けて光を入射させること
ができるので、側方から光源の光を入射させ、反射板に
より前方へ光を反射させることができる。従って、周囲
が暗かったり、外光が乏しい場合には、光源の光を補助
光として用いることにより、画像表示素子の表示面を明
るくし、画像のコントラストや視忍性を良好にすること
ができる。
あっては、側方から反射面へ向けて光を入射させること
ができるので、側方から光源の光を入射させ、反射板に
より前方へ光を反射させることができる。従って、周囲
が暗かったり、外光が乏しい場合には、光源の光を補助
光として用いることにより、画像表示素子の表示面を明
るくし、画像のコントラストや視忍性を良好にすること
ができる。
【0016】しかも、反射板には、側方からの入射光を
拡散反射させるための導光パターンを、光入射側から離
れるに従って密度が大きくなるように設けているので、
導光パターンの分布密度を適性化することにより、均一
な表示面を得ることができる。
拡散反射させるための導光パターンを、光入射側から離
れるに従って密度が大きくなるように設けているので、
導光パターンの分布密度を適性化することにより、均一
な表示面を得ることができる。
【0017】さらに、請求項3に記載の実施態様では、
前記反射面に前面からの入射光を散乱させるための、前
記導光パターンよりも大きな凹凸を形成しているから、
反射面に光拡散性を持たせることができ、外光(つま
り、正面の景色など)が反射面に映り込んだり、外光の
正反射方向から外れた方向で画像のコントラストが低下
したりするのを防止し、画像表示素子の視認性を良好に
することができる。しかも、前記導光パターンは、この
凹凸の頂点付近に設けているから、拡散パターンが光源
からの光に対して凹凸の陰になることがなく、光源から
の光を確実に拡散させることができる。
前記反射面に前面からの入射光を散乱させるための、前
記導光パターンよりも大きな凹凸を形成しているから、
反射面に光拡散性を持たせることができ、外光(つま
り、正面の景色など)が反射面に映り込んだり、外光の
正反射方向から外れた方向で画像のコントラストが低下
したりするのを防止し、画像表示素子の視認性を良好に
することができる。しかも、前記導光パターンは、この
凹凸の頂点付近に設けているから、拡散パターンが光源
からの光に対して凹凸の陰になることがなく、光源から
の光を確実に拡散させることができる。
【0018】また、請求項4に記載しているように、光
源を反射型画像表示素子の側部に設けることにより、偏
光板を通過させることなく前面側基板と背面側基板の間
の空間へ光源の光を入射させることができ、偏光板によ
る光量損失を防止することができる。さらに、側部に光
源を配置することにより、画像表示素子を薄型化するこ
とができる。
源を反射型画像表示素子の側部に設けることにより、偏
光板を通過させることなく前面側基板と背面側基板の間
の空間へ光源の光を入射させることができ、偏光板によ
る光量損失を防止することができる。さらに、側部に光
源を配置することにより、画像表示素子を薄型化するこ
とができる。
【0019】また、請求項5に記載しているように、前
記画像生成部よりも前面側に偏光板を備えている場合に
は、偏光板と反射板との間から光源の光が入射するよう
にすれば、光源からの光を偏光板を通過させることなく
反射板に入射させることができ、偏光板を通過すること
による補助光(光源の光)の光量減少を抑えることがで
きる。
記画像生成部よりも前面側に偏光板を備えている場合に
は、偏光板と反射板との間から光源の光が入射するよう
にすれば、光源からの光を偏光板を通過させることなく
反射板に入射させることができ、偏光板を通過すること
による補助光(光源の光)の光量減少を抑えることがで
きる。
【0020】請求項6に記載の表示素子用基板は、基板
に光を反射させるための反射面を設け、この反射面に、
光を拡散反射させるための導光パターンを密度が疎から
密へと次第に変化するように形成したものである。
に光を反射させるための反射面を設け、この反射面に、
光を拡散反射させるための導光パターンを密度が疎から
密へと次第に変化するように形成したものである。
【0021】この表示素子用基板を反射型画像表示素子
の一方の基板として使用すれば、請求項1に記載したよ
うな反射型画像表示素子を容易に製作することができ
る。
の一方の基板として使用すれば、請求項1に記載したよ
うな反射型画像表示素子を容易に製作することができ
る。
【0022】特に、請求項7に記載したように、前記基
板に形成された電極の表面に反射面が形成された表示素
子用基板は、背面側の電極(反射電極)で外光を反射さ
せるタイプの反射型画像表示素子に用いることができ
る。また、請求項8に記載したように、前記基板の表面
に透光性を有する電極を設け、この電極よりも背面側に
反射面を設けた表示用基板は、背面側基板の背面側に反
射面を設けたタイプの反射型画像表示素子に用いること
ができる。一般に、前者のタイプの反射型画像表示素子
は光利用効率が高く、後者のタイプは構造及び組み立て
を容易にできる。
板に形成された電極の表面に反射面が形成された表示素
子用基板は、背面側の電極(反射電極)で外光を反射さ
せるタイプの反射型画像表示素子に用いることができ
る。また、請求項8に記載したように、前記基板の表面
に透光性を有する電極を設け、この電極よりも背面側に
反射面を設けた表示用基板は、背面側基板の背面側に反
射面を設けたタイプの反射型画像表示素子に用いること
ができる。一般に、前者のタイプの反射型画像表示素子
は光利用効率が高く、後者のタイプは構造及び組み立て
を容易にできる。
【0023】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図4は本発明
の一実施形態による反射型液晶表示素子31の構造を示
す一部破断した断面図である。この反射型液晶表示素子
31は、液晶表示パネルAとサイドライトBからなる。
液晶表示パネルAにあっては、背面側基板32と透明な
前面側基板33の間に液晶層34を挟み込んであり、両
基板32,33間の空間の周囲をシール材35で塞ぐこ
とによって液晶層34を封止している。前面側基板33
及び背面側基板32としてはガラスやプラスチック、フ
ィルム等からなる透明基板が用いられるが、背面側基板
32では不透明な材質の基板をもちいてもよい。前面側
基板33の内面には、透明電極36及び配向膜37(カ
ラー表示素子の場合には、カラーフィルタも)が形成さ
れ、前面側基板33の外面には偏光板38が貼られてい
る。背面側基板32の内面には、下地層39、反射電極
40及び配向膜41が形成されている。
の一実施形態による反射型液晶表示素子31の構造を示
す一部破断した断面図である。この反射型液晶表示素子
31は、液晶表示パネルAとサイドライトBからなる。
液晶表示パネルAにあっては、背面側基板32と透明な
前面側基板33の間に液晶層34を挟み込んであり、両
基板32,33間の空間の周囲をシール材35で塞ぐこ
とによって液晶層34を封止している。前面側基板33
及び背面側基板32としてはガラスやプラスチック、フ
ィルム等からなる透明基板が用いられるが、背面側基板
32では不透明な材質の基板をもちいてもよい。前面側
基板33の内面には、透明電極36及び配向膜37(カ
ラー表示素子の場合には、カラーフィルタも)が形成さ
れ、前面側基板33の外面には偏光板38が貼られてい
る。背面側基板32の内面には、下地層39、反射電極
40及び配向膜41が形成されている。
【0024】また、サイドライトBは、光源44と光反
射板45からなる。光源44は、冷陰極管のような線状
光源でもよく、また発光ダイオードのような点光源でも
よい。光源44は液晶表示パネルAの側面に対向するよ
うに配置されており、シール材35の少なくとも光源4
4と対向する部分は透明となっている。しかして、光源
44から出射された光もしくは光源44から出て光反射
板45で反射された光47は、シール材35を透過して
前面側基板33と背面側基板32の間に封止されている
液晶層34へ入射する。
射板45からなる。光源44は、冷陰極管のような線状
光源でもよく、また発光ダイオードのような点光源でも
よい。光源44は液晶表示パネルAの側面に対向するよ
うに配置されており、シール材35の少なくとも光源4
4と対向する部分は透明となっている。しかして、光源
44から出射された光もしくは光源44から出て光反射
板45で反射された光47は、シール材35を透過して
前面側基板33と背面側基板32の間に封止されている
液晶層34へ入射する。
【0025】背面側基板32の構造を図5に詳細に示
す。背面側基板32の表面には合成樹脂からなる下地層
39が成形されており、各下地層39の表面は多数の微
細な凹凸が均一に、かつ整然と配列した凹凸パターン4
8となっている。この凹凸パターン48の周期は液晶表
示パネルAの画素周期よりも短くなっている。この下地
層39の凹凸パターン48の上には、均一な膜厚を有す
るアルミニウム等の反射電極40が形成されている。こ
の反射電極40の表面には、下地層39の凹凸パターン
48のため同じ周期の凹凸からなる光拡散パターン49
が形成されている。
す。背面側基板32の表面には合成樹脂からなる下地層
39が成形されており、各下地層39の表面は多数の微
細な凹凸が均一に、かつ整然と配列した凹凸パターン4
8となっている。この凹凸パターン48の周期は液晶表
示パネルAの画素周期よりも短くなっている。この下地
層39の凹凸パターン48の上には、均一な膜厚を有す
るアルミニウム等の反射電極40が形成されている。こ
の反射電極40の表面には、下地層39の凹凸パターン
48のため同じ周期の凹凸からなる光拡散パターン49
が形成されている。
【0026】下地層39の表面には、その凹凸パターン
48の頂点付近において、微小突起42が形成されてい
る。このため、下地層39の上に形成された反射電極4
0でも、光拡散パターン49の頂点付近において、下地
層39の微小突起42に対向して微細な導光パターン4
3が形成されている。この導光パターン43は、光源4
4から離れるに従って分布密度が大きくなるように設け
られている。具体的にいうと、光源44が線状光源の場
合には、図6(a)に示すように、導光パターン43は
光源44の配置されている側面と平行な方向にはほぼ均
一な分布密度を有しているが、光源44の配置されてい
る側面から離れるに従って(すなわち、図6(a)の矢
印方向へいくに従って)次第に密度が大きくなってい
る。また、光源44が点光源の場合には、図6(b)に
示すように、光源44からの距離rに応じて導光パター
ン43の分布密度が大きくなる(点光源に対する導光パ
ターン43の設計方法は、特願平8−301079号に
開示されている)。
48の頂点付近において、微小突起42が形成されてい
る。このため、下地層39の上に形成された反射電極4
0でも、光拡散パターン49の頂点付近において、下地
層39の微小突起42に対向して微細な導光パターン4
3が形成されている。この導光パターン43は、光源4
4から離れるに従って分布密度が大きくなるように設け
られている。具体的にいうと、光源44が線状光源の場
合には、図6(a)に示すように、導光パターン43は
光源44の配置されている側面と平行な方向にはほぼ均
一な分布密度を有しているが、光源44の配置されてい
る側面から離れるに従って(すなわち、図6(a)の矢
印方向へいくに従って)次第に密度が大きくなってい
る。また、光源44が点光源の場合には、図6(b)に
示すように、光源44からの距離rに応じて導光パター
ン43の分布密度が大きくなる(点光源に対する導光パ
ターン43の設計方法は、特願平8−301079号に
開示されている)。
【0027】さらに、この背面側基板32には、反射電
極40の上から基板全体にポリイミド、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリスチレン、エポキシアクリレート
又はポリウレタン等の有機高分子からなる配向膜41を
均一に塗布し、布やブラシでラビングされる。同様に、
表面にカラーフィルタや透明電極36等を形成された前
面側基板33にも、透明電極36の上から配向膜37を
塗布しラビング処理される。ついで、前面側基板33と
背面側基板32の間に液晶層34を封入するようにして
反射型液晶表示素子31が組み立てられる。
極40の上から基板全体にポリイミド、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリスチレン、エポキシアクリレート
又はポリウレタン等の有機高分子からなる配向膜41を
均一に塗布し、布やブラシでラビングされる。同様に、
表面にカラーフィルタや透明電極36等を形成された前
面側基板33にも、透明電極36の上から配向膜37を
塗布しラビング処理される。ついで、前面側基板33と
背面側基板32の間に液晶層34を封入するようにして
反射型液晶表示素子31が組み立てられる。
【0028】導光パターン43のパターン配置は、従来
と同様の設計手法にて決定することができるが、その場
合には導光パターン43が反射電極40の頂点付近にか
らならずしも位置しない。そのため、従来の設計手法で
導光パターン43の位置を決定した後、反射電極40の
谷の部分にある導光パターン43を反射電極40の頂点
付近へ移動させる必要がある。こうして導光パターン4
3をすべて反射電極40の頂点付近へ移動させると、液
晶表示素子31の画像に輝度むらが発生することにな
る。そこで、このような輝度むらを補正する必要が生じ
る。この補正としては、例えば導光パターン43を移動
させたことによって明るくなりすぎた部分では導光パタ
ーン43の密度を減らし、暗くなった部分では導光パタ
ーン43の密度を増やすようにすればよい。この補正
は、秩序だった方法で行なってもよいが、それが困難な
場合にはトライアンドエラーに近い手法で行なえばよ
い。
と同様の設計手法にて決定することができるが、その場
合には導光パターン43が反射電極40の頂点付近にか
らならずしも位置しない。そのため、従来の設計手法で
導光パターン43の位置を決定した後、反射電極40の
谷の部分にある導光パターン43を反射電極40の頂点
付近へ移動させる必要がある。こうして導光パターン4
3をすべて反射電極40の頂点付近へ移動させると、液
晶表示素子31の画像に輝度むらが発生することにな
る。そこで、このような輝度むらを補正する必要が生じ
る。この補正としては、例えば導光パターン43を移動
させたことによって明るくなりすぎた部分では導光パタ
ーン43の密度を減らし、暗くなった部分では導光パタ
ーン43の密度を増やすようにすればよい。この補正
は、秩序だった方法で行なってもよいが、それが困難な
場合にはトライアンドエラーに近い手法で行なえばよ
い。
【0029】このような反射型液晶表示素子31にあっ
ては、暗い画素部分では、偏光板38を通って前面から
外光46が入射し、反射電極40で反射して偏光板38
へ戻ってきた光は、偏光面が90°旋光しているため偏
光板38を透過できず、暗くなる。これに対し、明るい
画素部分では、偏光板38を通って前面から入射した外
光46は、反射電極40の前面で反射し、再び液晶表示
素子31の前面から抜け出る。しかも、入射した外光4
6は反射電極40によって反射され、さらに、前面の光
拡散パターン49によって散乱反射されるので、液晶表
示素子の画面が明るくなり、画像のコントラストも良好
となる。また、反射電極40に凹凸パターンを49を形
成しているので、前面から入射した外光46を適度に拡
散させることができ、景色の映り込みなども解消され
る。
ては、暗い画素部分では、偏光板38を通って前面から
外光46が入射し、反射電極40で反射して偏光板38
へ戻ってきた光は、偏光面が90°旋光しているため偏
光板38を透過できず、暗くなる。これに対し、明るい
画素部分では、偏光板38を通って前面から入射した外
光46は、反射電極40の前面で反射し、再び液晶表示
素子31の前面から抜け出る。しかも、入射した外光4
6は反射電極40によって反射され、さらに、前面の光
拡散パターン49によって散乱反射されるので、液晶表
示素子の画面が明るくなり、画像のコントラストも良好
となる。また、反射電極40に凹凸パターンを49を形
成しているので、前面から入射した外光46を適度に拡
散させることができ、景色の映り込みなども解消され
る。
【0030】また、外光が乏しい場合には、サイドライ
トBを点灯すると、サイドライトBの光源44から出射
した光47がシール材35を通って液晶層34に入る。
液晶層34に入った光47は前面側基板33と背面側基
板32の間に閉じ込められ、反射電極40や透明電極3
6で反射されながらサイドライトBと反対側へ向けて液
晶層34内を伝わっていく。そのとき、反射電極40に
設けられた導光パターン43で拡散反射されると、図7
に示すように散乱された光47のうち前面側基板33に
向けて散乱された光47は前面側基板33を通過し、さ
らに偏光板38を通って前方へ出射される。
トBを点灯すると、サイドライトBの光源44から出射
した光47がシール材35を通って液晶層34に入る。
液晶層34に入った光47は前面側基板33と背面側基
板32の間に閉じ込められ、反射電極40や透明電極3
6で反射されながらサイドライトBと反対側へ向けて液
晶層34内を伝わっていく。そのとき、反射電極40に
設けられた導光パターン43で拡散反射されると、図7
に示すように散乱された光47のうち前面側基板33に
向けて散乱された光47は前面側基板33を通過し、さ
らに偏光板38を通って前方へ出射される。
【0031】液晶層34内を伝わる光47は、光源44
から離れるに従って弱くなるが、光源44から離れるに
従って導光パターン43の分布密度が大きくなっている
ので、光源44から離れるほど拡散される確率が高くな
り、液晶表示パネルA全体で均一な輝度を得ることがで
きる。フロントライト型の液晶表示素子では、均一に表
示画面を照らすことができず、表示ないし画像を良好な
状態で見ることができなかったが、本発明の液晶表示素
子では、導光パターン43の分布を適性化することによ
り補助光(光源)によって均一に画面を照すことがで
き、暗いところでも画像を均一に表示することができ
る。
から離れるに従って弱くなるが、光源44から離れるに
従って導光パターン43の分布密度が大きくなっている
ので、光源44から離れるほど拡散される確率が高くな
り、液晶表示パネルA全体で均一な輝度を得ることがで
きる。フロントライト型の液晶表示素子では、均一に表
示画面を照らすことができず、表示ないし画像を良好な
状態で見ることができなかったが、本発明の液晶表示素
子では、導光パターン43の分布を適性化することによ
り補助光(光源)によって均一に画面を照すことがで
き、暗いところでも画像を均一に表示することができ
る。
【0032】しかも、反射電極40の表面を反射面に
し、液晶表示パネルAの側面から光源44の光を入射さ
せているから、サイドライトBから出射され導光パター
ン43で拡散反射された光47は、液晶表示パネルAの
前面から出射されるまでに偏光板38を1度通過するだ
けであって、偏光板38によって光量が減少しにくく、
高い光利用効率を達成することができる。フロントライ
ト型の液晶表示素子の場合には、偏光板を通して液晶表
示パネルの前面から光源からの補助光や外光が入射する
ので、入射した光が反射電極で反射して人の目に入るま
でには2度偏光板を通過しなければならないが、本発明
の液晶表示素子31では、偏光板を1回通過するだけで
あるから、光量損失を低減し、画面を明るくすることが
できる。
し、液晶表示パネルAの側面から光源44の光を入射さ
せているから、サイドライトBから出射され導光パター
ン43で拡散反射された光47は、液晶表示パネルAの
前面から出射されるまでに偏光板38を1度通過するだ
けであって、偏光板38によって光量が減少しにくく、
高い光利用効率を達成することができる。フロントライ
ト型の液晶表示素子の場合には、偏光板を通して液晶表
示パネルの前面から光源からの補助光や外光が入射する
ので、入射した光が反射電極で反射して人の目に入るま
でには2度偏光板を通過しなければならないが、本発明
の液晶表示素子31では、偏光板を1回通過するだけで
あるから、光量損失を低減し、画面を明るくすることが
できる。
【0033】また、導光パターン43は、反射電極40
に形成されている光拡散パターン49の頂点付近に設け
られているから、光源44から出射されて液晶層34を
伝わる光47に関して導光パターン43が光拡散パター
ン49の陰になることがなく、効率的に光源44の光4
7を拡散させることができる。
に形成されている光拡散パターン49の頂点付近に設け
られているから、光源44から出射されて液晶層34を
伝わる光47に関して導光パターン43が光拡散パター
ン49の陰になることがなく、効率的に光源44の光4
7を拡散させることができる。
【0034】(下地層及び反射電極の形成方法)つぎ
に、紫外線照射により硬化する紫外線硬化型樹脂を用い
た、いわゆる2P(Photo-Polymerization)法により背
面側基板32の上に下地層39を成形する方法を説明す
る。この方法を用いる場合には、背面側基板32として
ガラス基板やプラスチック基板、フィルム基板等の透明
な基板を用いる。図8(a)(b)に示すように、背面
側基板32の上に流動性のある透明な紫外線硬化型樹脂
51を供給した後、紫外線硬化型樹脂51の上から背面
側基板32へ向けてスタンパ52を降下させる[図8
(c)]。このスタンパ52の下面には、下地層39の
凹凸パターン48及び微小突起42と合致する反転パタ
ーン53が形成されている。このスタンパ52を背面側
基板32に十分に押し付けてスタンパ52と背面側基板
32の間に紫外線硬化型樹脂51を挟み込み、スタンパ
52の反転パターン53で紫外線硬化型樹脂51を型押
しした後、そのままの状態で、背面側基板32を通して
紫外線硬化型樹脂51に紫外線ランプ等によって紫外線
(UV光)を照射する[図8(d)]。紫外線を照射さ
れた紫外線硬化型樹脂51は、紫外線を浴びると硬化反
応を起こして硬化するので、紫外線硬化型樹脂51にス
タンパ52の反転パターン53が転写成形され、硬化し
た紫外線硬化型樹脂51によって背面側基板32上に下
地層39が形成されると共に下地層39の表面に凹凸パ
ターン48が成形され、凹凸パターン48の頂上付近に
微小突起42が形成される[図8(e)]。こうして下
地層39が形成されると、その凹凸パターン48の上に
真空蒸着法やスパッタ法等によってアルミニウム等の電
極材料を均一な厚みに堆積させて反射電極40を形成す
る[図8(f)]。ついで、反射電極40の不要部分を
適宜除去する[図8(g)]。このとき、反射電極40
の表面には、下地層39の凹凸パターン48が浮き出て
光拡散パターン49となり、微小突起42によって導光
パターン43ができる。
に、紫外線照射により硬化する紫外線硬化型樹脂を用い
た、いわゆる2P(Photo-Polymerization)法により背
面側基板32の上に下地層39を成形する方法を説明す
る。この方法を用いる場合には、背面側基板32として
ガラス基板やプラスチック基板、フィルム基板等の透明
な基板を用いる。図8(a)(b)に示すように、背面
側基板32の上に流動性のある透明な紫外線硬化型樹脂
51を供給した後、紫外線硬化型樹脂51の上から背面
側基板32へ向けてスタンパ52を降下させる[図8
(c)]。このスタンパ52の下面には、下地層39の
凹凸パターン48及び微小突起42と合致する反転パタ
ーン53が形成されている。このスタンパ52を背面側
基板32に十分に押し付けてスタンパ52と背面側基板
32の間に紫外線硬化型樹脂51を挟み込み、スタンパ
52の反転パターン53で紫外線硬化型樹脂51を型押
しした後、そのままの状態で、背面側基板32を通して
紫外線硬化型樹脂51に紫外線ランプ等によって紫外線
(UV光)を照射する[図8(d)]。紫外線を照射さ
れた紫外線硬化型樹脂51は、紫外線を浴びると硬化反
応を起こして硬化するので、紫外線硬化型樹脂51にス
タンパ52の反転パターン53が転写成形され、硬化し
た紫外線硬化型樹脂51によって背面側基板32上に下
地層39が形成されると共に下地層39の表面に凹凸パ
ターン48が成形され、凹凸パターン48の頂上付近に
微小突起42が形成される[図8(e)]。こうして下
地層39が形成されると、その凹凸パターン48の上に
真空蒸着法やスパッタ法等によってアルミニウム等の電
極材料を均一な厚みに堆積させて反射電極40を形成す
る[図8(f)]。ついで、反射電極40の不要部分を
適宜除去する[図8(g)]。このとき、反射電極40
の表面には、下地層39の凹凸パターン48が浮き出て
光拡散パターン49となり、微小突起42によって導光
パターン43ができる。
【0035】このようにして下地層39及び反射電極4
0を形成すれば、スタンパ52を用いて背面側基板32
の上に簡単に下地層39及び反射電極40を形成するこ
とができ、しかも、紫外線照射によって紫外線硬化型樹
脂51を硬化させて下地層39を成形することにより、
樹脂硬化のための養生時間も必要なく、簡単な工程で、
しかも短時間で下地層39を形成することができ、反射
電極40も均一な厚みに堆積させるだけでよいので、量
産に適している。
0を形成すれば、スタンパ52を用いて背面側基板32
の上に簡単に下地層39及び反射電極40を形成するこ
とができ、しかも、紫外線照射によって紫外線硬化型樹
脂51を硬化させて下地層39を成形することにより、
樹脂硬化のための養生時間も必要なく、簡単な工程で、
しかも短時間で下地層39を形成することができ、反射
電極40も均一な厚みに堆積させるだけでよいので、量
産に適している。
【0036】この理由を以下に詳しく述べる。2P法に
よれば、スタンパ52の反転パターン53を紫外線硬化
型樹脂51に転写させることによって微細な凹凸パター
ン48を有する下地層39を容易に形成することがで
き、微細な凹凸パターン48及び微小突起42を有する
下地層39の上に均一な厚みの電極材料を堆積させるこ
とにより、光拡散パターン49及び導光パターン43を
有する反射電極40を容易に製作することができる。特
に、比較的粘性の低い紫外線硬化型樹脂51を用い、ス
タンパ52で型押しした後、紫外線を照射して硬化させ
れば、精度よくスタンパ52の反転パターン53を転写
することができ、正確な複製を大量に行える。さらに、
2P法では紫外線照射光源を背面側基板32の全体に一
括露光するだけで下地層39が形成され、処理工程が1
回で済む。
よれば、スタンパ52の反転パターン53を紫外線硬化
型樹脂51に転写させることによって微細な凹凸パター
ン48を有する下地層39を容易に形成することがで
き、微細な凹凸パターン48及び微小突起42を有する
下地層39の上に均一な厚みの電極材料を堆積させるこ
とにより、光拡散パターン49及び導光パターン43を
有する反射電極40を容易に製作することができる。特
に、比較的粘性の低い紫外線硬化型樹脂51を用い、ス
タンパ52で型押しした後、紫外線を照射して硬化させ
れば、精度よくスタンパ52の反転パターン53を転写
することができ、正確な複製を大量に行える。さらに、
2P法では紫外線照射光源を背面側基板32の全体に一
括露光するだけで下地層39が形成され、処理工程が1
回で済む。
【0037】これに対し、エッチング法では、同じマス
クと同じ設定条件(例えば温度、ガス雰囲気、時間な
ど)を用いても、そのときの光の当たり方、温度やガス
雰囲気濃度の密度分布等によりバラツキが大きくなって
しまう。これでは0.01mmオーダーで高さをシビア
に制御しなければならない液晶表示素子用には適さな
い。また、従来のように、マスクを用いてその移動速度
を制御することにより複雑な形状の反射電極40を形成
しようとすれば、非常に複雑なマスク制御を必要とし、
処理時間が非常に長くなる。
クと同じ設定条件(例えば温度、ガス雰囲気、時間な
ど)を用いても、そのときの光の当たり方、温度やガス
雰囲気濃度の密度分布等によりバラツキが大きくなって
しまう。これでは0.01mmオーダーで高さをシビア
に制御しなければならない液晶表示素子用には適さな
い。また、従来のように、マスクを用いてその移動速度
を制御することにより複雑な形状の反射電極40を形成
しようとすれば、非常に複雑なマスク制御を必要とし、
処理時間が非常に長くなる。
【0038】また、スタンパ52で型押しした後、紫外
線照射して紫外線硬化型樹脂51を硬化させるだけで下
地層39を形成できるので、熱硬化性樹脂を用いる方法
やエッチング法などに比べ、基板1枚あたりの処理時間
が短くて済む。基板1枚あたりの処理時間は、従来の例
えばエッチング法を用いるかぎり、原理的に時間が掛か
るのはやむを得ず、工業的に量産性を考えた場合、大き
なネックとなっていた。
線照射して紫外線硬化型樹脂51を硬化させるだけで下
地層39を形成できるので、熱硬化性樹脂を用いる方法
やエッチング法などに比べ、基板1枚あたりの処理時間
が短くて済む。基板1枚あたりの処理時間は、従来の例
えばエッチング法を用いるかぎり、原理的に時間が掛か
るのはやむを得ず、工業的に量産性を考えた場合、大き
なネックとなっていた。
【0039】また、従来法では反射電極40自体の厚み
が不均一となるため、液晶表示素子の駆動法を工夫しな
いと、場合によっては画素内にムラが生じることがあ
る。これに対し、本発明の液晶表示素子では、反射電極
40の厚みを均一にすることができるので、このような
問題を解消できる。
が不均一となるため、液晶表示素子の駆動法を工夫しな
いと、場合によっては画素内にムラが生じることがあ
る。これに対し、本発明の液晶表示素子では、反射電極
40の厚みを均一にすることができるので、このような
問題を解消できる。
【0040】よって、本発明によれば、液晶表示素子の
広視野角化の要求に大きく貢献し、かつ、反射電極40
前面の滑らかさが液晶表示素子としての要求を十分満た
す、反射電極40付きの基板32を容易かつ大量に製造
することが可能となる。また、本発明によれば、製造上
のバラツキ(同一液晶表示素子内でのバラツキ、液晶表
示素子間でのバラツキ)が少ないため、上記効果(例え
ば広視野角化など)を安定して得ることができ、工業生
産性に優れる。
広視野角化の要求に大きく貢献し、かつ、反射電極40
前面の滑らかさが液晶表示素子としての要求を十分満た
す、反射電極40付きの基板32を容易かつ大量に製造
することが可能となる。また、本発明によれば、製造上
のバラツキ(同一液晶表示素子内でのバラツキ、液晶表
示素子間でのバラツキ)が少ないため、上記効果(例え
ば広視野角化など)を安定して得ることができ、工業生
産性に優れる。
【0041】(スタンパの製造方法)上記スタンパ52
の製造方法を図9に示す。まず、図9(a)に示すよう
な平板状をしたガラス板56を用意し、図10に示すよ
うにガラス板56の前面に、結像レンズ57で集光させ
たレーザー光を照射し、レーザー加工(レーザーリトグ
ラフイ)により2点鎖線で示す深さまでガラス板56を
蒸発除去し、ガラス板56の表面に所望の凹凸パターン
58と突起58a(すなわち、下地層39の凹凸パター
ン48及び微小突起42と同じ形状であって、予めレー
ザー加工装置を制御するコンピュータに記憶させてい
る)を形成する[図9(b)]。ガラス板56の前面に
所望の凹凸パターン58と突起58aを形成してガラス
板56からなる原盤59を作製した後、原盤59の上に
ニッケルを堆積させ、ニッケル電鋳法により原盤59の
反転型であるニッケルマスタ60を作製し[図9
(c)]、ニッケルマスタ60を原盤59から剥離する
[図9(d)]。ニッケル電鋳法によりニッケルマスタ
60を作製する際には、その準備として原盤59を例え
ば蒸着法あるいは無電解メッキ法で導電化しておき、導
電化された原盤59の前面を陰極とし、例えばスルファ
ミン酸ニッケル浴で電気メッキしてニッケルマスタ60
を作製する。
の製造方法を図9に示す。まず、図9(a)に示すよう
な平板状をしたガラス板56を用意し、図10に示すよ
うにガラス板56の前面に、結像レンズ57で集光させ
たレーザー光を照射し、レーザー加工(レーザーリトグ
ラフイ)により2点鎖線で示す深さまでガラス板56を
蒸発除去し、ガラス板56の表面に所望の凹凸パターン
58と突起58a(すなわち、下地層39の凹凸パター
ン48及び微小突起42と同じ形状であって、予めレー
ザー加工装置を制御するコンピュータに記憶させてい
る)を形成する[図9(b)]。ガラス板56の前面に
所望の凹凸パターン58と突起58aを形成してガラス
板56からなる原盤59を作製した後、原盤59の上に
ニッケルを堆積させ、ニッケル電鋳法により原盤59の
反転型であるニッケルマスタ60を作製し[図9
(c)]、ニッケルマスタ60を原盤59から剥離する
[図9(d)]。ニッケル電鋳法によりニッケルマスタ
60を作製する際には、その準備として原盤59を例え
ば蒸着法あるいは無電解メッキ法で導電化しておき、導
電化された原盤59の前面を陰極とし、例えばスルファ
ミン酸ニッケル浴で電気メッキしてニッケルマスタ60
を作製する。
【0042】こうして得られたニッケルマスタ60でも
スタンパ52の反転パターン53と同じパターン61を
有しているから、ニッケルマスタ60をスタンパ52と
して使用できるが、通常は(工業的には)このニッケル
マスタ60をさらにニッケル電鋳法で複製したものをス
タンパとする。ニッケルマスタ60を複製する場合に
は、ニッケルマスタ60の表面に例えば重クロム酸カリ
溶液で酸化膜を作った後、再びニッケル電鋳法により凸
凹が反転したマザー62(原盤59の複製)を作製し
[図9(e)]、さらにニッケル電鋳法によりマザー6
2の反転した型を作製し、ニッケルマスタ60の複製で
あるスタンパ52を作製する[図9(f)]。従って、
スタンパ52が摩耗した場合には、マザー62から再度
複製することができる。
スタンパ52の反転パターン53と同じパターン61を
有しているから、ニッケルマスタ60をスタンパ52と
して使用できるが、通常は(工業的には)このニッケル
マスタ60をさらにニッケル電鋳法で複製したものをス
タンパとする。ニッケルマスタ60を複製する場合に
は、ニッケルマスタ60の表面に例えば重クロム酸カリ
溶液で酸化膜を作った後、再びニッケル電鋳法により凸
凹が反転したマザー62(原盤59の複製)を作製し
[図9(e)]、さらにニッケル電鋳法によりマザー6
2の反転した型を作製し、ニッケルマスタ60の複製で
あるスタンパ52を作製する[図9(f)]。従って、
スタンパ52が摩耗した場合には、マザー62から再度
複製することができる。
【0043】また、スタンパ52を作製するには、図1
1(a)〜(f)に示すように、ガラス板56の前面に
塗布されたレジスト65をレーザー加工することによっ
て原盤59を作製してもよい。レジスト65を使用する
場合には、ガラス板56とレジスト65の密着剤とし
て、例えばシランカップリング剤をガラス板56の前面
に塗布しておき、レーザー加工した後、露光、現像及び
洗浄の工程を経て、レジスト65による凹凸パターン5
8及び突起58aがガラス板56の上方に形成される
[図11(a)(b)]。この後の処理は、図10
(c)以下と同様に行う[図11(c)〜(f)]。
1(a)〜(f)に示すように、ガラス板56の前面に
塗布されたレジスト65をレーザー加工することによっ
て原盤59を作製してもよい。レジスト65を使用する
場合には、ガラス板56とレジスト65の密着剤とし
て、例えばシランカップリング剤をガラス板56の前面
に塗布しておき、レーザー加工した後、露光、現像及び
洗浄の工程を経て、レジスト65による凹凸パターン5
8及び突起58aがガラス板56の上方に形成される
[図11(a)(b)]。この後の処理は、図10
(c)以下と同様に行う[図11(c)〜(f)]。
【0044】(第2の実施形態)第1の実施形態では、
下地層39の各凹凸パターン48を構成している凸部ど
うしは分離しているように見える(実際には、0.5〜
2μm程度の薄い樹脂層が存在する)。図12に示すも
のは、下地層39の厚みを大きくし(例えば数10μm
程度)、凹凸パターン48の凸部どうしが連続するよう
にしたものである。また、この実施形態では、画素と画
素の中間(ブラックマトリクスとなる部分)において
は、反射電極40を分離している。
下地層39の各凹凸パターン48を構成している凸部ど
うしは分離しているように見える(実際には、0.5〜
2μm程度の薄い樹脂層が存在する)。図12に示すも
のは、下地層39の厚みを大きくし(例えば数10μm
程度)、凹凸パターン48の凸部どうしが連続するよう
にしたものである。また、この実施形態では、画素と画
素の中間(ブラックマトリクスとなる部分)において
は、反射電極40を分離している。
【0045】このような形状の下地層39を形成する場
合には、図13(a)〜(g)に示すように、十分な量
の紫外線硬化型樹脂51を背面側基板32の上に供給
し、スタンパ52を下降させる下限位置を設定すること
によって、下降したスタンパ52と背面側基板32の間
に所定のスペースを残すようにすればよい。
合には、図13(a)〜(g)に示すように、十分な量
の紫外線硬化型樹脂51を背面側基板32の上に供給
し、スタンパ52を下降させる下限位置を設定すること
によって、下降したスタンパ52と背面側基板32の間
に所定のスペースを残すようにすればよい。
【0046】なお、図14に示すように、下地層39も
反射電極40に合せて画素と画素の中間で分離するよう
にしてもよい。
反射電極40に合せて画素と画素の中間で分離するよう
にしてもよい。
【0047】また、下地層39を2P法によって背面側
基板32の上に転写成形する際、成形された下地層39
はスタンパ52から剥離しにくいので、背面側基板32
から剥がれる恐れがある。そのため、下地層39の、ス
タンパ52からの離形性を良好にするには、下地層3
9を形成するための紫外線硬化型樹脂51にあらかじめ
離型剤(剥離剤)66を混入させておけばよい(図1
5)。あるいは、背面側基板32の前面に、背面側基
板32と下地層39との密着性を良好にする働きのある
薬品(プライマー、カップリング剤)67をあらかじめ
塗布しておいてもよい(図16)。あるいは、との
方法を併用してもよい。
基板32の上に転写成形する際、成形された下地層39
はスタンパ52から剥離しにくいので、背面側基板32
から剥がれる恐れがある。そのため、下地層39の、ス
タンパ52からの離形性を良好にするには、下地層3
9を形成するための紫外線硬化型樹脂51にあらかじめ
離型剤(剥離剤)66を混入させておけばよい(図1
5)。あるいは、背面側基板32の前面に、背面側基
板32と下地層39との密着性を良好にする働きのある
薬品(プライマー、カップリング剤)67をあらかじめ
塗布しておいてもよい(図16)。あるいは、との
方法を併用してもよい。
【0048】(第3の実施形態)図17は本発明のさら
に別な実施形態を示す図であって、背面側基板32に下
地層39を一体成形すると共にその上に反射電極40を
形成するものである。図17(a)に示すものは背面側
基板32と下地層39を一体成形するための金型を示し
ており、下金型71には背面側基板32を成形するため
の凹部72が設けられ、上金型73の下面には、下地層
39、凹凸パターン48及び微小突起42を成形するた
めのスタンパ52が取り付けられている。しかして、こ
の下金型71内に例えば熱硬化性樹脂を注入し、上金型
73を下金型71へ下降させると同時にスタンパ52で
熱硬化性樹脂を押圧し、その状態で加圧加熱して樹脂を
硬化させる。ついで、上金型73と下金型71を型開き
して内部の成形品を取り出すと、図17(b)に示すよ
うに、下地層39を一体成形された背面側基板32が得
られ、同時に下地層39の上に凹凸パターン48が形成
され、凹凸パターン48の頂点付近に微小突起42が成
形される。ついで、下地層39の上に反射電極40を形
成して反射電極40の表面に光拡散パターン49と導光
パターン43を形成する。
に別な実施形態を示す図であって、背面側基板32に下
地層39を一体成形すると共にその上に反射電極40を
形成するものである。図17(a)に示すものは背面側
基板32と下地層39を一体成形するための金型を示し
ており、下金型71には背面側基板32を成形するため
の凹部72が設けられ、上金型73の下面には、下地層
39、凹凸パターン48及び微小突起42を成形するた
めのスタンパ52が取り付けられている。しかして、こ
の下金型71内に例えば熱硬化性樹脂を注入し、上金型
73を下金型71へ下降させると同時にスタンパ52で
熱硬化性樹脂を押圧し、その状態で加圧加熱して樹脂を
硬化させる。ついで、上金型73と下金型71を型開き
して内部の成形品を取り出すと、図17(b)に示すよ
うに、下地層39を一体成形された背面側基板32が得
られ、同時に下地層39の上に凹凸パターン48が形成
され、凹凸パターン48の頂点付近に微小突起42が成
形される。ついで、下地層39の上に反射電極40を形
成して反射電極40の表面に光拡散パターン49と導光
パターン43を形成する。
【0049】このようにすれば、背面側基板と下地層を
同時に成形することができるので、製造工程が減り、コ
ストも安価になる。
同時に成形することができるので、製造工程が減り、コ
ストも安価になる。
【0050】なお、ここでは、下地層の光拡散パターン
49は正弦波状に成形しているが、光拡散パターン49
は第1の実施形態のように球面状をしていてもよい。も
っとも、正弦波状の光拡散パターン49を用いれば、も
っとも画像の表示品質をよくすることができる。あるい
は、下地層の表面はフラット(平坦面)となっていても
差し支えない。
49は正弦波状に成形しているが、光拡散パターン49
は第1の実施形態のように球面状をしていてもよい。も
っとも、正弦波状の光拡散パターン49を用いれば、も
っとも画像の表示品質をよくすることができる。あるい
は、下地層の表面はフラット(平坦面)となっていても
差し支えない。
【0051】(第4の実施形態)図18は本発明のさら
に別な実施形態による反射型液晶表示素子81を示す断
面図である。この反射型液晶表示素子81では、背面側
基板32の内面に透明電極82を設け、背面側基板32
の背面に微小な凹部を形成することによって光を拡散さ
せるための導光パターン43を形成している。この導光
パターン43も、光源44からの距離が遠くなるに従っ
て、パターン密度が大きくなるように形成されている
(図6(a)(b)参照)。さらに、背面側基板32の
裏面側に白色樹脂シート等の反射シート83を貼ること
により、背面側基板32の裏面に反射面を形成してい
る。
に別な実施形態による反射型液晶表示素子81を示す断
面図である。この反射型液晶表示素子81では、背面側
基板32の内面に透明電極82を設け、背面側基板32
の背面に微小な凹部を形成することによって光を拡散さ
せるための導光パターン43を形成している。この導光
パターン43も、光源44からの距離が遠くなるに従っ
て、パターン密度が大きくなるように形成されている
(図6(a)(b)参照)。さらに、背面側基板32の
裏面側に白色樹脂シート等の反射シート83を貼ること
により、背面側基板32の裏面に反射面を形成してい
る。
【0052】この反射型液晶表示素子81では、偏光板
38を通過して入射した光46は、透明電極82を透過
して反射シート83で反射され、再び前面から出射す
る。また、外光が乏しい場合には、光源44を点灯させ
ると、光源から出射された光47はシール材35を通っ
て液晶層34に入る。さらに背面側基板32内に入った
光47は導光パターン43で拡散され、導光パターン4
3によって前面側へ反射された光47が液晶表示素子8
1から前方へ出射し、液晶表示素子81の表示面を照ら
す。このとき、導光パターン43は、光源44から遠い
側ほど密度が大きくなっているので、表示面は均一に照
らされる。
38を通過して入射した光46は、透明電極82を透過
して反射シート83で反射され、再び前面から出射す
る。また、外光が乏しい場合には、光源44を点灯させ
ると、光源から出射された光47はシール材35を通っ
て液晶層34に入る。さらに背面側基板32内に入った
光47は導光パターン43で拡散され、導光パターン4
3によって前面側へ反射された光47が液晶表示素子8
1から前方へ出射し、液晶表示素子81の表示面を照ら
す。このとき、導光パターン43は、光源44から遠い
側ほど密度が大きくなっているので、表示面は均一に照
らされる。
【0053】(第5の実施形態)図19は本発明のさら
に別な実施形態による反射型液晶表示素子91の構造を
示す断面図である。この液晶表示に素子91では、背面
側基板32に設けられた反射電極40の表面を、にポリ
イミド、ポリアミド、ポリカーボネイト樹脂、メタクリ
ル樹脂等の高屈折率透明樹脂材料からなる導光層92で
覆い、さらに導光層92の表面を配向膜41で覆ってい
る。また、反射電極40の表面には、導光層92内の光
を拡散させるための導光パターン43を設けてあり、こ
の導光パターン43も光源44から離れるに従って密度
が大きくなるようにしている。光源44は、導光層92
の端部と対向する位置に配置されている。
に別な実施形態による反射型液晶表示素子91の構造を
示す断面図である。この液晶表示に素子91では、背面
側基板32に設けられた反射電極40の表面を、にポリ
イミド、ポリアミド、ポリカーボネイト樹脂、メタクリ
ル樹脂等の高屈折率透明樹脂材料からなる導光層92で
覆い、さらに導光層92の表面を配向膜41で覆ってい
る。また、反射電極40の表面には、導光層92内の光
を拡散させるための導光パターン43を設けてあり、こ
の導光パターン43も光源44から離れるに従って密度
が大きくなるようにしている。光源44は、導光層92
の端部と対向する位置に配置されている。
【0054】しかして、導光層92の端面から導光層9
2内に入射した光は、導光層92の界面で全反射を繰り
返しながら導光層92内を伝搬し、拡散パターン42に
よって前面側へ反射された光47が液晶表示素子91の
前面から外部へ出射され、表示面を照らす。しかも、導
光パターン43の密度を光源44と反対側で大きくする
ことにより、表示面を均一に照明することができる。
2内に入射した光は、導光層92の界面で全反射を繰り
返しながら導光層92内を伝搬し、拡散パターン42に
よって前面側へ反射された光47が液晶表示素子91の
前面から外部へ出射され、表示面を照らす。しかも、導
光パターン43の密度を光源44と反対側で大きくする
ことにより、表示面を均一に照明することができる。
【0055】(第6の実施形態)図20は本発明のさら
に別な実施形態による反射型液晶表示素子93の構造を
示す断面図である。この液晶表示に素子93では、反射
電極40の上にポリイミド、ポリアミド等の高屈折率透
明樹脂材料によって導光層92を形成し、この導光層9
2の表面にラビング処理を施すことにより、導光層92
に配向膜の機能を持たせたものである。
に別な実施形態による反射型液晶表示素子93の構造を
示す断面図である。この液晶表示に素子93では、反射
電極40の上にポリイミド、ポリアミド等の高屈折率透
明樹脂材料によって導光層92を形成し、この導光層9
2の表面にラビング処理を施すことにより、導光層92
に配向膜の機能を持たせたものである。
【図1】従来例による反射型液晶表示素子を示す断面図
である。
である。
【図2】別な従来例による反射型液晶表示素子を示す断
面図である。
面図である。
【図3】さらに別な従来例による反射型液晶表示素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図4】本発明の一実施形態による反射型液晶表示素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】同上の液晶表示素子に用いられている背面側基
板の一部破断した拡大断面図である。
板の一部破断した拡大断面図である。
【図6】(a)は同上の拡散パターンの分布密度の変化
を示す平面図、(b)は同上の拡散パターンの別な分布
密度を示す平面図である。
を示す平面図、(b)は同上の拡散パターンの別な分布
密度を示す平面図である。
【図7】同上の反射型液晶表示素子の作用説明図であ
る。
る。
【図8】(a)〜(g)は背面側基板上に下地層及び反
射電極を形成する方法を説明する概略図である。
射電極を形成する方法を説明する概略図である。
【図9】(a)〜(f)は下地層を成形するためのスタ
ンパの製造方法を説明する図である。
ンパの製造方法を説明する図である。
【図10】ガラス板をレーザー加工する様子を示す図で
ある。
ある。
【図11】(a)〜(f)は下地層を成形するためのス
タンパの別な製造方法を説明する図である。
タンパの別な製造方法を説明する図である。
【図12】本発明の別な実施形態における、背面側基板
上に形成された下地層及び反射電極を示す断面図であ
る。
上に形成された下地層及び反射電極を示す断面図であ
る。
【図13】(a)〜(g)は背面側基板上に同上の下地
層及び反射電極を形成する方法を説明する概略図であ
る。
層及び反射電極を形成する方法を説明する概略図であ
る。
【図14】本発明のさらに別な実施形態における、透明
基板上に形成された下地層及び画素電極を示す断面図で
ある。
基板上に形成された下地層及び画素電極を示す断面図で
ある。
【図15】スタンパと下地層との離型性を良好にする方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図16】スタンパと下地層との離型性を良好にする別
な方法を説明する図である。
な方法を説明する図である。
【図17】(a)(b)(c)は背面側基板に下地層を
一体成形し、その上に反射電極W形成する方法を説明す
る図である。
一体成形し、その上に反射電極W形成する方法を説明す
る図である。
【図18】本発明の別な実施形態による反射型液晶表示
素子を示す断面図である。
素子を示す断面図である。
【図19】本発明のさらに別な実施形態による反射型液
晶表示素子を示す断面図である。
晶表示素子を示す断面図である。
【図20】本発明のさらに別な実施形態による反射型液
晶表示素子を示す断面図である。
晶表示素子を示す断面図である。
32 背面側基板 33 前面側基板 34 液晶層 36 透明電極 37、41 配向膜 38 偏光板 39 下地層 40 反射電極 42 微小突起 43 導光パターン 44 光源 48 凹凸パターン 49 光拡散パターン
フロントページの続き Fターム(参考) 2H042 DA02 DA11 DC02 DC08 DD01 DE00 2H091 FA08X FA16Y FA17Y FA42Y FA45Y FB08 FC02 FC19 GA02 LA17
Claims (8)
- 【請求項1】 透光性を有する前面側基板と背面側基板
との間に画像生成部を設け、前面側基板から入射した光
を反射させるための反射面を前面側基板の背面と背面側
基板の前面との間に設けた反射型画像表示素子におい
て、 前記反射面に、側方からの入射光を拡散反射させるため
の導光パターンを設け、当該パターンの密度が光入射側
から離れるに従って大きくなるようにしたことを特徴と
する反射型画像表示素子。 - 【請求項2】 透光性を有する前面側基板と透光性を有
する背面側基板との間に透光性を有する電極を用いた画
像生成部を設け、前面側基板から入射した光を反射させ
るための反射面を背面側基板の前面と背面との間に設け
た反射型画像表示素子において、 前記反射面に、側方からの入射光を拡散反射させるため
の導光パターンを設け、当該パターンの密度が光入射側
から離れるに従って大きくなるようにしたことを特徴と
する反射型画像表示素子。 - 【請求項3】 前記反射面は、前面からの入射光を散乱
させるための、前記導光パターンよりも大きな凹凸を有
し、この凹凸の頂点付近に前記導光パターンが形成され
ていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の反射
型画像表示素子。 - 【請求項4】 側部に光源を備えた、請求項1又は2に
記載の反射型画像表示素子。 - 【請求項5】 前記画像生成部よりも前面側に偏光板を
備えた、請求項4に記載の反射型画像表示素子におい
て、 前記偏光板と前記反射板との間から光源の光が入射する
ように、前記光源を配置したことを特徴とする反射型画
像表示素子。 - 【請求項6】 基板に光を反射させるための反射面を設
け、この反射面に、光を拡散反射させるための導光パタ
ーンを密度が疎から密へと次第に変化するように形成し
た表示素子用基板。 - 【請求項7】 前記反射面は、前記基板に形成された電
極の表面に形成されていることを特徴とする、請求項6
に記載の表示素子用基板。 - 【請求項8】 前記基板の表面に透光性を有する電極を
設け、この電極よりも背面側に前記反射面を設けたこと
を特徴とする、請求項6に記載の表示素子用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10263700A JP2000098371A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 反射型画像表示素子及び表示素子用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10263700A JP2000098371A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 反射型画像表示素子及び表示素子用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000098371A true JP2000098371A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17393125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10263700A Pending JP2000098371A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 反射型画像表示素子及び表示素子用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000098371A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002166425A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 金型の複製方法および性状判定方法 |
CN1702535B (zh) * | 2004-05-10 | 2010-05-05 | 三星电子株式会社 | 显示面板及具有该显示面板的液晶显示装置 |
JP2010204168A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sony Corp | 反射電極の形成方法並びに駆動基板および表示装置 |
US7830478B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel and liquid crystal display device having the same |
KR101214988B1 (ko) * | 2009-09-23 | 2012-12-24 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 광굴절 패턴을 갖는 백라이트 어셈블리, 그것의 제조 방법, 이 백라이트 어셈블리를 포함하는 액정표시장치 |
US9720277B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having optical sensor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52120797A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display unit |
JPH02111922A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0453925A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPH10186361A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-14 | Sharp Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
JPH10509537A (ja) * | 1995-09-22 | 1998-09-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | フラットパネル画像表示装置 |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP10263700A patent/JP2000098371A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52120797A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display unit |
JPH02111922A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0453925A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPH10509537A (ja) * | 1995-09-22 | 1998-09-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | フラットパネル画像表示装置 |
JPH10186361A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-14 | Sharp Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002166425A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 金型の複製方法および性状判定方法 |
CN1702535B (zh) * | 2004-05-10 | 2010-05-05 | 三星电子株式会社 | 显示面板及具有该显示面板的液晶显示装置 |
US7830478B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel and liquid crystal display device having the same |
JP2010204168A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sony Corp | 反射電極の形成方法並びに駆動基板および表示装置 |
KR101214988B1 (ko) * | 2009-09-23 | 2012-12-24 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 광굴절 패턴을 갖는 백라이트 어셈블리, 그것의 제조 방법, 이 백라이트 어셈블리를 포함하는 액정표시장치 |
US9720277B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having optical sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI226419B (en) | Touch panel-including illuminator and reflective liquid-crystal display device | |
JP3649145B2 (ja) | 反射型表示装置及びその製造方法並びにそれを用いた機器 | |
JP3410977B2 (ja) | フロントライト及び反射型液晶表示装置 | |
KR100656999B1 (ko) | 선 격자 편광필름 및 선 격자 편광필름의 격자제조용 몰드제작방법 | |
JP3774616B2 (ja) | 照明装置及び導光板の製造方法 | |
US8128257B2 (en) | Curved compact collimating reflectors | |
US20070086191A1 (en) | Optical member, method of manufacturing the optical member, and display device having the optical member | |
KR20050069907A (ko) | 광학 막, 프리즘 막 구조물, 광학 구조물, 백라이트디스플레이 장치, 광학 디스플레이 장치, 프리즘 막, 및광학 막 형성 방법 | |
KR100295505B1 (ko) | 평판형 표시장치의 도광판 및 그 제조방법 | |
US7889310B2 (en) | Method for producing apertures in a diffuse reflector layer having a metal reflection film | |
JPH11237625A (ja) | フォトマスクおよびこれを用いた凹凸体の製造方法 | |
US20070070270A1 (en) | Display | |
JP4425490B2 (ja) | 反射型液晶表示装置の製造方法 | |
JP3744422B2 (ja) | 反射部材及びその製造方法 | |
JP2000098371A (ja) | 反射型画像表示素子及び表示素子用基板 | |
JP2003202568A (ja) | 導光体およびその製造方法、面状光源装置、表示装置 | |
JPH11202326A (ja) | 反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子用の基板 | |
JP2003215574A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
CN100420998C (zh) | 采用计算机合成全息图的光学元件、导光板、背光源及液晶显示装置 | |
JP4191498B2 (ja) | 光学素子、その製造方法及び液晶表示装置 | |
JP4125198B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
CN119479472A (zh) | 显示面板 | |
KR100431759B1 (ko) | 반사형 표시장치 및 그 제조방법과 그것을 이용한 기기 | |
JP2001338507A (ja) | 面光源素子およびそれを用いた表示装置 | |
JPH10253977A (ja) | 反射板および露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040413 |