JP2000091331A - 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法Info
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さが薄くかつ欠陥密度が低い絶縁膜を低温
で形成することができる絶縁膜の作製方法およびそれを
用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコンよりなる基板１１の表面に酸素
原子を含む電離気体Ｇ1を照射し、酸化膜１２を形成す
る。次いで、酸化膜１２にエキシマレーザビームＥを照
射する。これにより、酸化膜１２および酸化膜１２と基
板１１との界面における欠陥密度が低減し、欠陥密度が
低い絶縁膜が得られる。エキシマレーザビームの照射で
は基板１１の表面の温度のみが瞬間的に上昇し、周囲の
温度は上昇しない。よって、ボロシリケートガラスなど
の低耐熱性材料よりなる基板も用いることができる。ま
た、酸化膜１２の上に被覆膜を形成してその上からエキ
シマレーザビームＥを照射するようにしてもよい。これ
によれば、エキシマレーザビームの照射により新しい欠
陥が生成することを防止できる。
で形成することができる絶縁膜の作製方法およびそれを
用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコンよりなる基板１１の表面に酸素
原子を含む電離気体Ｇ1を照射し、酸化膜１２を形成す
る。次いで、酸化膜１２にエキシマレーザビームＥを照
射する。これにより、酸化膜１２および酸化膜１２と基
板１１との界面における欠陥密度が低減し、欠陥密度が
低い絶縁膜が得られる。エキシマレーザビームの照射で
は基板１１の表面の温度のみが瞬間的に上昇し、周囲の
温度は上昇しない。よって、ボロシリケートガラスなど
の低耐熱性材料よりなる基板も用いることができる。ま
た、酸化膜１２の上に被覆膜を形成してその上からエキ
シマレーザビームＥを照射するようにしてもよい。これ
によれば、エキシマレーザビームの照射により新しい欠
陥が生成することを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下地部の表面に酸
化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜を形成する絶縁膜の作
製方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関す
る。
化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜を形成する絶縁膜の作
製方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、電界効果トランジスタ
またはメモリなど、半導体よりなる下地部の上に酸化
膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜などの絶縁膜を形成した
ものがある。従来は、これらの絶縁膜を、例えば、化学
気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition ）法あ
るいはスパッタリング法により作製していた。また、特
にシリコン（Ｓｉ）よりなる下地部の表面に酸化膜を形
成する場合には、下地部を酸素あるいは水蒸気雰囲気中
において高温（約１０００℃）で加熱することにより作
製していた。
またはメモリなど、半導体よりなる下地部の上に酸化
膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜などの絶縁膜を形成した
ものがある。従来は、これらの絶縁膜を、例えば、化学
気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition ）法あ
るいはスパッタリング法により作製していた。また、特
にシリコン（Ｓｉ）よりなる下地部の表面に酸化膜を形
成する場合には、下地部を酸素あるいは水蒸気雰囲気中
において高温（約１０００℃）で加熱することにより作
製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化学気
相成長法やスパッタリング法では、薄い絶縁膜を制御性
良く作製することが難しく、かつ絶縁膜と下地部との界
面における欠陥密度が１０12ｃｍ-2ｅＶ-1程度と高いと
いう問題があった。よって、これらの方法では、絶縁膜
の膜厚を数ｎｍと薄くすることができず、面積も狭くす
ることができなかった。従って、近年の半導体装置の微
細化に対応することができなかった。
相成長法やスパッタリング法では、薄い絶縁膜を制御性
良く作製することが難しく、かつ絶縁膜と下地部との界
面における欠陥密度が１０12ｃｍ-2ｅＶ-1程度と高いと
いう問題があった。よって、これらの方法では、絶縁膜
の膜厚を数ｎｍと薄くすることができず、面積も狭くす
ることができなかった。従って、近年の半導体装置の微
細化に対応することができなかった。
【０００４】一方、シリコンよりなる下地部を酸素ある
いは水蒸気雰囲気中で加熱する方法によれば、数ｎｍの
薄い絶縁膜を制御性良く作製することが可能であり、ま
た下地部との界面の欠陥密度も１０10ｃｍ-2ｅＶ-1程度
と低くすることができるが、下地部を１０００℃程度の
高温で加熱しなければならず、低温で絶縁膜を作製する
ことができないという問題があった。よって、ケイ酸塩
ガラス，ボロシリケートガラスあるいはプラスチックな
どの低耐熱性材料よりなる下地基板の上に半導体よりな
る下地部を設けたものを用いることができず、大面積の
半導体装置を形成することができなかった。また、次世
代ＬＳＩ（Large-Scale Integration ）における電界効
果トランジスタのように各半導体素子が微細化してくる
と、不純物の再分布や形成層の歪みを避けるために、高
温での処理は好ましくなく、この方法では対応できなか
った。
いは水蒸気雰囲気中で加熱する方法によれば、数ｎｍの
薄い絶縁膜を制御性良く作製することが可能であり、ま
た下地部との界面の欠陥密度も１０10ｃｍ-2ｅＶ-1程度
と低くすることができるが、下地部を１０００℃程度の
高温で加熱しなければならず、低温で絶縁膜を作製する
ことができないという問題があった。よって、ケイ酸塩
ガラス，ボロシリケートガラスあるいはプラスチックな
どの低耐熱性材料よりなる下地基板の上に半導体よりな
る下地部を設けたものを用いることができず、大面積の
半導体装置を形成することができなかった。また、次世
代ＬＳＩ（Large-Scale Integration ）における電界効
果トランジスタのように各半導体素子が微細化してくる
と、不純物の再分布や形成層の歪みを避けるために、高
温での処理は好ましくなく、この方法では対応できなか
った。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い絶縁
膜を低温で形成することができる絶縁膜の作製方法およ
びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
ので、その目的は、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い絶縁
膜を低温で形成することができる絶縁膜の作製方法およ
びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による絶縁膜の作
製方法は、半導体よりなる下地部の表面を酸素原子およ
び窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝
すことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸
化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形
成した下地部の表面を加熱する工程とを含むものであ
る。
製方法は、半導体よりなる下地部の表面を酸素原子およ
び窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝
すことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸
化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形
成した下地部の表面を加熱する工程とを含むものであ
る。
【０００７】本発明による半導体装置の製造方法は、半
導体よりなる下地部の表面を酸素原子および窒素原子の
うちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すことにより
下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜より
なる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下地部
の表面を加熱する工程とを含むものである。
導体よりなる下地部の表面を酸素原子および窒素原子の
うちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すことにより
下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜より
なる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下地部
の表面を加熱する工程とを含むものである。
【０００８】本発明による他の半導体装置の製造方法
は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜が形成されたトランジスタを有する半導体装置を製造
するものであって、下地部の表面を酸素原子および窒素
原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すこと
により下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化
膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した
下地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜が形成されたトランジスタを有する半導体装置を製造
するものであって、下地部の表面を酸素原子および窒素
原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すこと
により下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化
膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した
下地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
【０００９】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成されたメモリ，電荷蓄積部を構成する半導体
よりなる下地部の上に絶縁膜が形成されたメモリあるい
はキャパシタの電極を構成する下地部の上に絶縁膜が形
成されたメモリを有する半導体装置を製造するものであ
って、下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの
少なくとも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部
の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶
縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下地部の表面
を加熱する工程とを含むものである。
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成されたメモリ，電荷蓄積部を構成する半導体
よりなる下地部の上に絶縁膜が形成されたメモリあるい
はキャパシタの電極を構成する下地部の上に絶縁膜が形
成されたメモリを有する半導体装置を製造するものであ
って、下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの
少なくとも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部
の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶
縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下地部の表面
を加熱する工程とを含むものである。
【００１０】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、電極を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜が形成されたダイオードを有する半導体装置を製造す
るものであって、下地部の表面を酸素原子および窒素原
子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すことに
より下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜
よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下
地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
法は、電極を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜が形成されたダイオードを有する半導体装置を製造す
るものであって、下地部の表面を酸素原子および窒素原
子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝すことに
より下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜
よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成した下
地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
【００１１】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成された単一電子トランジスタを有する半導体
装置を製造するものであって、下地部の表面を酸素原子
および窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体
に曝すことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるい
は酸化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜
を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含むもので
ある。
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成された単一電子トランジスタを有する半導体
装置を製造するものであって、下地部の表面を酸素原子
および窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体
に曝すことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるい
は酸化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜
を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含むもので
ある。
【００１２】本発明による更に他の半導体装置の製造方
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成された単一電子メモリを有する半導体装置を
製造するものであって、下地部の表面を酸素原子および
窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝す
ことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化
窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成
した下地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
法は、伝導層を構成する半導体よりなる下地部の上に絶
縁膜が形成された単一電子メモリを有する半導体装置を
製造するものであって、下地部の表面を酸素原子および
窒素原子のうちの少なくとも一方を含む電離気体に曝す
ことにより下地部の表面に酸化膜，窒化膜あるいは酸化
窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成
した下地部の表面を加熱する工程とを含むものである。
【００１３】本発明による絶縁膜の作製方法および半導
体装置の製造方法では、まず、半導体よりなる下地部の
表面が酸素原子および窒素原子のうちの少なくとも一方
を含む電離気体に曝され、その表面に酸化膜，窒化膜あ
るいは酸化窒化膜が形成される。次いで、その表面が加
熱され、表面に形成された酸化膜，窒化膜あるいは酸化
窒化膜における欠陥が低減される。
体装置の製造方法では、まず、半導体よりなる下地部の
表面が酸素原子および窒素原子のうちの少なくとも一方
を含む電離気体に曝され、その表面に酸化膜，窒化膜あ
るいは酸化窒化膜が形成される。次いで、その表面が加
熱され、表面に形成された酸化膜，窒化膜あるいは酸化
窒化膜における欠陥が低減される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。まず、図１（Ａ）に示したように、例えば、
シリコンよりなる下地部としての基板１１を用意し、そ
の表面を硝酸（ＨＮＯ3 ）の水溶液で洗浄する。次い
で、水酸化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）との水溶液で洗浄し、更に、水で洗浄す
る。
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。まず、図１（Ａ）に示したように、例えば、
シリコンよりなる下地部としての基板１１を用意し、そ
の表面を硝酸（ＨＮＯ3 ）の水溶液で洗浄する。次い
で、水酸化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）との水溶液で洗浄し、更に、水で洗浄す
る。
【００１６】続いて、図１（Ｂ）に示したように、基板
１１の表面に酸素原子（Ｏ）を含む電離気体Ｇ1 を照射
し、電離気体Ｇ1 の雰囲気中に基板１１の表面を曝す。
その際、例えば、酸素（Ｏ2 ）およびオゾン（Ｏ3 ）の
うちの少なくとも１種を含む気体を真空装置中において
電離させることにより、酸素原子を含む電離気体を生成
させる。その際の条件は、例えば、雰囲気を０．６Ｔｏ
ｒｒ、供給する気体の流量を４００ｓｃｃｍ、温度を１
５０℃、電力を３５０Ｗとする。これにより、基板１１
の表面に絶縁膜である酸化膜１２が形成される。この酸
化膜１２は欠陥を多く有しており、酸化膜１２と基板１
１との界面にも欠陥が多く存在している。
１１の表面に酸素原子（Ｏ）を含む電離気体Ｇ1 を照射
し、電離気体Ｇ1 の雰囲気中に基板１１の表面を曝す。
その際、例えば、酸素（Ｏ2 ）およびオゾン（Ｏ3 ）の
うちの少なくとも１種を含む気体を真空装置中において
電離させることにより、酸素原子を含む電離気体を生成
させる。その際の条件は、例えば、雰囲気を０．６Ｔｏ
ｒｒ、供給する気体の流量を４００ｓｃｃｍ、温度を１
５０℃、電力を３５０Ｗとする。これにより、基板１１
の表面に絶縁膜である酸化膜１２が形成される。この酸
化膜１２は欠陥を多く有しており、酸化膜１２と基板１
１との界面にも欠陥が多く存在している。
【００１７】酸化膜１２を形成したのち、図１（Ｃ）に
示したように、例えば、その表面に基板１１により吸収
されるエネルギービームＥを照射して、基板１１の表面
および酸化膜１２を加熱する。エネルギービームとして
はエキシマレーザビームあるいは電子線ビームなどのい
ずれを用いてもよいが、特にはエキシマレーザビームが
好ましい。エキシマレーザビームの波長としては、例え
ば、ＸｅＣｌの３０８ｎｍ，ＫｒＦの２４８ｎｍあるい
はＡｒＦの１９３ｎｍなどいずれの波長を用いてもよ
い。
示したように、例えば、その表面に基板１１により吸収
されるエネルギービームＥを照射して、基板１１の表面
および酸化膜１２を加熱する。エネルギービームとして
はエキシマレーザビームあるいは電子線ビームなどのい
ずれを用いてもよいが、特にはエキシマレーザビームが
好ましい。エキシマレーザビームの波長としては、例え
ば、ＸｅＣｌの３０８ｎｍ，ＫｒＦの２４８ｎｍあるい
はＡｒＦの１９３ｎｍなどいずれの波長を用いてもよ
い。
【００１８】また、エネルギービームの照射時間は例え
ば１００ｎｓｅｃ程度の短い時間とし、基板１１の表面
が酸化膜１２を形成した時の温度よりも高くなるように
する。よって、この加熱では、基板１１の表面近傍の温
度のみが瞬間的に高くなり、基板１１全体の温度は高く
ならない。これにより、酸化膜１２の欠陥が低減し、酸
化膜１２と基板１１との界面における欠陥も低減する。
すなわち、これにより、良好な酸化膜１２が得られる。
ば１００ｎｓｅｃ程度の短い時間とし、基板１１の表面
が酸化膜１２を形成した時の温度よりも高くなるように
する。よって、この加熱では、基板１１の表面近傍の温
度のみが瞬間的に高くなり、基板１１全体の温度は高く
ならない。これにより、酸化膜１２の欠陥が低減し、酸
化膜１２と基板１１との界面における欠陥も低減する。
すなわち、これにより、良好な酸化膜１２が得られる。
【００１９】なお、このようにして形成した酸化膜１２
の膜厚をエリプソメトリ法により測定した。図２にその
膜厚と酸素原子を含む電離気体中に基板１１を曝した時
間との関係を示す。図２に示したように、この方法によ
れば、膜厚が数ｎｍ程度の薄い酸化膜１２を形成できる
ことが分かる。
の膜厚をエリプソメトリ法により測定した。図２にその
膜厚と酸素原子を含む電離気体中に基板１１を曝した時
間との関係を示す。図２に示したように、この方法によ
れば、膜厚が数ｎｍ程度の薄い酸化膜１２を形成できる
ことが分かる。
【００２０】このように本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法によれば、基板１１の表面を酸素原子を含む電離
気体の雰囲気中に曝したのち、それよりも高い温度で基
板１１の表面を加熱するようにしたので、厚さが薄くか
つ欠陥密度が低い酸化膜１２を容易に形成することがで
きる。よって、この方法を用いて半導体装置を形成すれ
ば、半導体装置を微細化することができる。
製方法によれば、基板１１の表面を酸素原子を含む電離
気体の雰囲気中に曝したのち、それよりも高い温度で基
板１１の表面を加熱するようにしたので、厚さが薄くか
つ欠陥密度が低い酸化膜１２を容易に形成することがで
きる。よって、この方法を用いて半導体装置を形成すれ
ば、半導体装置を微細化することができる。
【００２１】また、基板１１の表面のみを加熱するよう
にしたので、基板１１全体の温度を高くすることなく低
温で良好な酸化膜１２を形成することができる。よっ
て、基板１１に代えて、ケイ酸塩ガラス，ボロシリケー
トガラスあるいはプラスチックなどの低耐熱性材料より
なる下地基板の上に下地部としてシリコン層を形成した
ものを用いることもできる。従って、この方法を用いて
半導体装置を形成すれば、大面積の半導体装置を得るこ
とができる。更に、不純物の分布や形成した層の歪みを
防止することができるので、半導体装置を微細化するこ
とができる。加えて、エネルギービームを照射すること
により基板１１の表面を加熱するようにしたので、基板
１１の表面近傍のみを容易に加熱することができる。
にしたので、基板１１全体の温度を高くすることなく低
温で良好な酸化膜１２を形成することができる。よっ
て、基板１１に代えて、ケイ酸塩ガラス，ボロシリケー
トガラスあるいはプラスチックなどの低耐熱性材料より
なる下地基板の上に下地部としてシリコン層を形成した
ものを用いることもできる。従って、この方法を用いて
半導体装置を形成すれば、大面積の半導体装置を得るこ
とができる。更に、不純物の分布や形成した層の歪みを
防止することができるので、半導体装置を微細化するこ
とができる。加えて、エネルギービームを照射すること
により基板１１の表面を加熱するようにしたので、基板
１１の表面近傍のみを容易に加熱することができる。
【００２２】（第２の実施の形態）図３は本発明の第２
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。本実施の形態では、第１の実施の形態におけ
る酸化膜１２に代えて、下地部である基板１１の上に絶
縁膜として酸化窒化膜１３を形成する場合について説明
する。この方法は、電離気体の種類が異なることを除
き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、ここでは、第１の実施の形態と同一の構成要素には
同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、
酸化窒化膜１３というのは酸素と窒素とを含む化合物の
ことを言う。
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。本実施の形態では、第１の実施の形態におけ
る酸化膜１２に代えて、下地部である基板１１の上に絶
縁膜として酸化窒化膜１３を形成する場合について説明
する。この方法は、電離気体の種類が異なることを除
き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、ここでは、第１の実施の形態と同一の構成要素には
同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、
酸化窒化膜１３というのは酸素と窒素とを含む化合物の
ことを言う。
【００２３】まず、図３（Ａ）に示したように、第１の
実施の形態と同様に、例えば、シリコンよりなる下地部
としての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次い
で、図３（Ｂ）に示したように、基板１１の表面に酸素
原子および窒素原子（Ｎ）を含む電離気体Ｇ2 を照射
し、電離気体Ｇ2 の雰囲気中に基板１１の表面を曝す。
その際、例えば、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）を含む気体を
真空装置中において電離させることにより、酸素原子お
よび窒素原子を含む電離気体を生成させる。その際の条
件は、例えば、雰囲気を０．１Ｔｏｒｒ、供給する気体
の流量を２５０ｓｃｃｍ、温度を４００℃、電力を２０
Ｗとする。これにより、基板１１の表面に酸化窒化膜１
３が形成される。この酸化窒化膜１３は欠陥を多く有し
ており、酸化窒化膜１３と基板１１との界面にも欠陥が
多く存在している。
実施の形態と同様に、例えば、シリコンよりなる下地部
としての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次い
で、図３（Ｂ）に示したように、基板１１の表面に酸素
原子および窒素原子（Ｎ）を含む電離気体Ｇ2 を照射
し、電離気体Ｇ2 の雰囲気中に基板１１の表面を曝す。
その際、例えば、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）を含む気体を
真空装置中において電離させることにより、酸素原子お
よび窒素原子を含む電離気体を生成させる。その際の条
件は、例えば、雰囲気を０．１Ｔｏｒｒ、供給する気体
の流量を２５０ｓｃｃｍ、温度を４００℃、電力を２０
Ｗとする。これにより、基板１１の表面に酸化窒化膜１
３が形成される。この酸化窒化膜１３は欠陥を多く有し
ており、酸化窒化膜１３と基板１１との界面にも欠陥が
多く存在している。
【００２４】酸化窒化膜１３を形成したのち、図３
（Ｃ）に示したように、第１の実施の形態と同様に、例
えば、その表面に基板１１により吸収されるエネルギー
ビームＥを照射して加熱する。これにより、第１の実施
の形態と同様に、酸化窒化膜１３の欠陥が低減し、酸化
窒化膜１３と基板１１との界面の欠陥も低減する。すな
わち、これにより、良好な酸化窒化膜１３が得られる。
（Ｃ）に示したように、第１の実施の形態と同様に、例
えば、その表面に基板１１により吸収されるエネルギー
ビームＥを照射して加熱する。これにより、第１の実施
の形態と同様に、酸化窒化膜１３の欠陥が低減し、酸化
窒化膜１３と基板１１との界面の欠陥も低減する。すな
わち、これにより、良好な酸化窒化膜１３が得られる。
【００２５】なお、このようにして形成した酸化窒化膜
１３の膜厚をエリプソメトリ法により測定した。図４に
その膜厚と酸素原子と窒素原子とを含む電離気体中に基
板１１を曝した時間との関係を示す。図４に示したよう
に、この方法によれば、膜厚が数ｎｍ程度の薄い酸化窒
化膜１３を形成できることが分かる。
１３の膜厚をエリプソメトリ法により測定した。図４に
その膜厚と酸素原子と窒素原子とを含む電離気体中に基
板１１を曝した時間との関係を示す。図４に示したよう
に、この方法によれば、膜厚が数ｎｍ程度の薄い酸化窒
化膜１３を形成できることが分かる。
【００２６】このように本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法によれば、基板１１の表面を酸素原子および窒素
原子を含む電離気体の雰囲気中に曝したのち、それより
も高い温度で基板１１の表面を加熱するようにしたの
で、第１の実施の形態と同様に、厚さが薄くかつ欠陥密
度が低い酸化窒化膜１３を容易に形成することができ
る。また、第１の実施の形態と同様に、基板１１の表面
のみをエネルギービームの照射により加熱するようにし
たので、第１の実施の形態において説明した効果と同様
の効果を有する。すなわち、低温で良好な酸化窒化膜１
３を容易に形成することができる。
製方法によれば、基板１１の表面を酸素原子および窒素
原子を含む電離気体の雰囲気中に曝したのち、それより
も高い温度で基板１１の表面を加熱するようにしたの
で、第１の実施の形態と同様に、厚さが薄くかつ欠陥密
度が低い酸化窒化膜１３を容易に形成することができ
る。また、第１の実施の形態と同様に、基板１１の表面
のみをエネルギービームの照射により加熱するようにし
たので、第１の実施の形態において説明した効果と同様
の効果を有する。すなわち、低温で良好な酸化窒化膜１
３を容易に形成することができる。
【００２７】なお、本実施の形態においては、一酸化二
窒素を含む気体を電離させることにより酸素原子および
窒素原子を含む電離気体を生成させる場合について具体
的に説明したが、酸素およびオゾンのうちの少なくとも
１種と、アンモニア（ＮＨ3）および窒素（Ｎ2 ）のう
ちの少なくとも１種とを含む気体を電離させることによ
り酸素原子および窒素原子を含む電離気体を生成させる
ようにしてもよい。また、それらに加えて一酸化二窒素
を含む気体を電離させることにより酸素原子および窒素
原子を含む電離気体を生成させるようにしてもよい。
窒素を含む気体を電離させることにより酸素原子および
窒素原子を含む電離気体を生成させる場合について具体
的に説明したが、酸素およびオゾンのうちの少なくとも
１種と、アンモニア（ＮＨ3）および窒素（Ｎ2 ）のう
ちの少なくとも１種とを含む気体を電離させることによ
り酸素原子および窒素原子を含む電離気体を生成させる
ようにしてもよい。また、それらに加えて一酸化二窒素
を含む気体を電離させることにより酸素原子および窒素
原子を含む電離気体を生成させるようにしてもよい。
【００２８】（第３の実施の形態）図５は本発明の第３
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。本実施の形態では、第１の実施の形態におけ
る酸化膜１２に代えて、下地部である基板１１の上に絶
縁膜として窒化膜１４を形成する場合について説明す
る。この方法は、電離気体の種類が異なることを除き、
第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、
ここでは、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。本実施の形態では、第１の実施の形態におけ
る酸化膜１２に代えて、下地部である基板１１の上に絶
縁膜として窒化膜１４を形成する場合について説明す
る。この方法は、電離気体の種類が異なることを除き、
第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、
ここでは、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００２９】まず、図５（Ａ）に示したように、第１の
実施の形態と同様に、例えば、シリコンよりなる下地部
としての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次い
で、図５（Ｂ）に示したように、基板１１の表面に窒素
原子を含む電離気体Ｇ3 を照射し、電離気体Ｇ3 の雰囲
気中に基板１１の表面を曝す。その際、例えば、アンモ
ニアおよび窒素のうちの少なくとも１種を含む気体を真
空装置中において電離させることにより、窒素原子を含
む電離気体を生成させる。その際の条件は、例えば、雰
囲気を６００Ｔｏｒｒ、温度を１５０℃、電力を３４０
Ｗとする。これにより、基板１１の表面に窒化膜１４が
形成される。この窒化膜１４は欠陥を多く有しており、
窒化膜１４と基板１１との界面にも欠陥が多く存在して
いる。
実施の形態と同様に、例えば、シリコンよりなる下地部
としての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次い
で、図５（Ｂ）に示したように、基板１１の表面に窒素
原子を含む電離気体Ｇ3 を照射し、電離気体Ｇ3 の雰囲
気中に基板１１の表面を曝す。その際、例えば、アンモ
ニアおよび窒素のうちの少なくとも１種を含む気体を真
空装置中において電離させることにより、窒素原子を含
む電離気体を生成させる。その際の条件は、例えば、雰
囲気を６００Ｔｏｒｒ、温度を１５０℃、電力を３４０
Ｗとする。これにより、基板１１の表面に窒化膜１４が
形成される。この窒化膜１４は欠陥を多く有しており、
窒化膜１４と基板１１との界面にも欠陥が多く存在して
いる。
【００３０】窒化膜１４を形成したのち、図５（Ｃ）に
示したように、第１の実施の形態と同様に、例えば、そ
の表面に基板１１により吸収されるエネルギービームＥ
を照射して加熱する。これにより、第１の実施の形態と
同様に、窒化膜１４の欠陥が低減し、窒化膜１４と基板
１１との界面の欠陥も低減する。すなわち、これによ
り、良好な窒化膜１４が得られる。
示したように、第１の実施の形態と同様に、例えば、そ
の表面に基板１１により吸収されるエネルギービームＥ
を照射して加熱する。これにより、第１の実施の形態と
同様に、窒化膜１４の欠陥が低減し、窒化膜１４と基板
１１との界面の欠陥も低減する。すなわち、これによ
り、良好な窒化膜１４が得られる。
【００３１】このように本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法によれば、基板１１の表面を窒素原子を含む電離
気体の雰囲気中に曝したのち、それよりも高い温度で基
板１１の表面を加熱するようにしたので、第１の実施の
形態と同様に、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い窒化膜１
４を容易に形成することができる。また、第１の実施の
形態と同様に、基板１１の表面のみをエネルギービーム
の照射により加熱するようにしたので、第１の実施の形
態において説明した効果と同一の効果を有する。すなわ
ち、低温で良好な窒化膜１４を容易に形成することがで
きる。
製方法によれば、基板１１の表面を窒素原子を含む電離
気体の雰囲気中に曝したのち、それよりも高い温度で基
板１１の表面を加熱するようにしたので、第１の実施の
形態と同様に、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い窒化膜１
４を容易に形成することができる。また、第１の実施の
形態と同様に、基板１１の表面のみをエネルギービーム
の照射により加熱するようにしたので、第１の実施の形
態において説明した効果と同一の効果を有する。すなわ
ち、低温で良好な窒化膜１４を容易に形成することがで
きる。
【００３２】（第４の実施の形態）図６は本発明の第４
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。この方法は、酸化膜１２の上に被覆膜１５を
形成する工程を更に含むことを除き、第１の実施の形態
と同様の構成を有している。よって、ここでは、第１の
実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。
の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を工程順に表すも
のである。この方法は、酸化膜１２の上に被覆膜１５を
形成する工程を更に含むことを除き、第１の実施の形態
と同様の構成を有している。よって、ここでは、第１の
実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。
【００３３】まず、第１の実施の形態と同様に、例え
ば、シリコンよりなる下地部としての基板１１を用意
し、その表面を洗浄する（図１（Ａ）参照）。次いで、
第１の実施の形態と同様に、酸素原子を含む電離気体Ｇ
1 の雰囲気中に基板１１の表面を曝し、絶縁膜である酸
化膜１２を形成する（図１（Ｂ）参照）。
ば、シリコンよりなる下地部としての基板１１を用意
し、その表面を洗浄する（図１（Ａ）参照）。次いで、
第１の実施の形態と同様に、酸素原子を含む電離気体Ｇ
1 の雰囲気中に基板１１の表面を曝し、絶縁膜である酸
化膜１２を形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００３４】続いて、図６（Ａ）に示したように、例え
ば、ＣＶＤ法または真空蒸着法により、酸化膜１２の上
に半導体または金属などよりなる被覆膜１５を形成す
る。この被覆膜１５は、酸化膜１２の少なくとも一部を
覆い、基板１１の表面が間接的に加熱されるようにする
ことにより、エネルギービームの照射による新たな欠陥
の生成を抑制するためのものである。被覆膜１５を形成
する材料としては、例えば、シリコン，ゲルマニウム
（Ｇｅ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）など
の半導体、またはタングステン（Ｗ），チタン（Ｔ
ｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）およびニ
ッケル（Ｎｉ）などの高融点金属を少なくとも１種含む
金属、またはこれらの半導体と金属とを含む合金などが
好ましい。これらにより被覆膜１５を形成すれば、融点
が高くなるので基板１１の表面を高温で加熱することが
できるからである。
ば、ＣＶＤ法または真空蒸着法により、酸化膜１２の上
に半導体または金属などよりなる被覆膜１５を形成す
る。この被覆膜１５は、酸化膜１２の少なくとも一部を
覆い、基板１１の表面が間接的に加熱されるようにする
ことにより、エネルギービームの照射による新たな欠陥
の生成を抑制するためのものである。被覆膜１５を形成
する材料としては、例えば、シリコン，ゲルマニウム
（Ｇｅ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）など
の半導体、またはタングステン（Ｗ），チタン（Ｔ
ｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）およびニ
ッケル（Ｎｉ）などの高融点金属を少なくとも１種含む
金属、またはこれらの半導体と金属とを含む合金などが
好ましい。これらにより被覆膜１５を形成すれば、融点
が高くなるので基板１１の表面を高温で加熱することが
できるからである。
【００３５】被覆膜１５を形成したのち、図６（Ｂ）に
示したように、被覆膜１５の上からエネルギービームＥ
を照射する。これにより、基板１１の表面および酸化膜
１２が間接的に加熱され、エネルギービームＥの照射に
よる新たな欠陥の生成が抑制される。よって、第１の実
施の形態よりも更に効果的に酸化膜１２の欠陥が低減
し、酸化膜１２と基板１１との界面における欠陥も低減
する。すなわち、これにより、良好な酸化膜１２が得ら
れる。
示したように、被覆膜１５の上からエネルギービームＥ
を照射する。これにより、基板１１の表面および酸化膜
１２が間接的に加熱され、エネルギービームＥの照射に
よる新たな欠陥の生成が抑制される。よって、第１の実
施の形態よりも更に効果的に酸化膜１２の欠陥が低減
し、酸化膜１２と基板１１との界面における欠陥も低減
する。すなわち、これにより、良好な酸化膜１２が得ら
れる。
【００３６】なお、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方
法は、そのまま、ダイオードを有する半導体装置の製造
方法に適用することができる。図７は本実施の形態に係
る絶縁膜の作製方法を用いた半導体装置の製造方法を工
程順に表すものである。
法は、そのまま、ダイオードを有する半導体装置の製造
方法に適用することができる。図７は本実施の形態に係
る絶縁膜の作製方法を用いた半導体装置の製造方法を工
程順に表すものである。
【００３７】まず、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方
法と同様にして、例えば、シリコンよりなる下地部とし
ての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次いで、
図７（Ａ）に示したように、例えば、基板１１の一面に
アルミニウムなどの金属よりなる金属層１６を蒸着し、
４００℃で１分間加熱処理することによりそれらをオー
ミック接合させる。これにより、基板１１と金属層１６
とからなる第１の電極１７が形成される。続いて、図７
（Ｂ）に示したように、本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法と同様にして、例えば、酸素原子を含む電離気体
の雰囲気中に基板１１の表面を曝し、絶縁膜である酸化
膜１２を形成する。
法と同様にして、例えば、シリコンよりなる下地部とし
ての基板１１を用意し、その表面を洗浄する。次いで、
図７（Ａ）に示したように、例えば、基板１１の一面に
アルミニウムなどの金属よりなる金属層１６を蒸着し、
４００℃で１分間加熱処理することによりそれらをオー
ミック接合させる。これにより、基板１１と金属層１６
とからなる第１の電極１７が形成される。続いて、図７
（Ｂ）に示したように、本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法と同様にして、例えば、酸素原子を含む電離気体
の雰囲気中に基板１１の表面を曝し、絶縁膜である酸化
膜１２を形成する。
【００３８】酸化膜１２を形成したのち、図７（Ｃ）に
示したように、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方法と
同様にして、例えば、酸化膜１２の上にアルミニウムな
どの金属よりなる第２の電極１８を蒸着する。なお、こ
の第２の電極１８は、この製造方法においては被覆膜と
しても機能する。そののち、図７（Ｄ）に示したよう
に、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方法と同様にし
て、例えば、第２の電極１８を被覆膜としてその上から
エネルギービームＥを照射する。これにより、第１の電
極１７を構成する基板１１の上に酸化膜１２を介して第
２の電極を有するダイオードが形成される。
示したように、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方法と
同様にして、例えば、酸化膜１２の上にアルミニウムな
どの金属よりなる第２の電極１８を蒸着する。なお、こ
の第２の電極１８は、この製造方法においては被覆膜と
しても機能する。そののち、図７（Ｄ）に示したよう
に、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方法と同様にし
て、例えば、第２の電極１８を被覆膜としてその上から
エネルギービームＥを照射する。これにより、第１の電
極１７を構成する基板１１の上に酸化膜１２を介して第
２の電極を有するダイオードが形成される。
【００３９】本実施の形態に係る方法を用いて形成した
酸化膜１２の特性を調べるために、この方法によりダイ
オードを作製し、第１の電極１７と第２の電極１８との
間に電圧を印加してその電流電圧特性を測定した。その
際、電離気体Ｇ1 には酸素ガスを電離させたものを用
い、エネルギービームにはＸｅＣｌエキシマレーザビー
ムを用いて３００ｍＪ／ｃｍ2 の強さで照射した。その
結果を図８に示す。
酸化膜１２の特性を調べるために、この方法によりダイ
オードを作製し、第１の電極１７と第２の電極１８との
間に電圧を印加してその電流電圧特性を測定した。その
際、電離気体Ｇ1 には酸素ガスを電離させたものを用
い、エネルギービームにはＸｅＣｌエキシマレーザビー
ムを用いて３００ｍＪ／ｃｍ2 の強さで照射した。その
結果を図８に示す。
【００４０】また、比較例１として、酸化膜１２の加熱
処理を行わないことを除き本実施の形態に係る方法と同
様にしてダイオードを作製し、同様にして電流電圧特性
を調べた。更に、比較例２として、基板１１に金属層１
６と第２の電極１８とを形成し、同様にして電流電圧特
性を調べた。それらの結果も図８に合わせて示す。な
お、図８において、点線は本実施の形態に係る方法によ
り作製したダイオードの電流電圧特性であり、破線は比
較例１の電流電圧特性であり、実線は比較例２の電流電
圧特性である。
処理を行わないことを除き本実施の形態に係る方法と同
様にしてダイオードを作製し、同様にして電流電圧特性
を調べた。更に、比較例２として、基板１１に金属層１
６と第２の電極１８とを形成し、同様にして電流電圧特
性を調べた。それらの結果も図８に合わせて示す。な
お、図８において、点線は本実施の形態に係る方法によ
り作製したダイオードの電流電圧特性であり、破線は比
較例１の電流電圧特性であり、実線は比較例２の電流電
圧特性である。
【００４１】図８に示したように、比較例２，比較例１
および本実施の形態に係る方法により作製したダイオー
ドの順に電流値が小さくなっている。すなわち、本実施
の形態に係る方法によれば、酸化膜１２の膜質を向上さ
せることができ、ダイオードの電流値を小さくできるこ
とが分かる。
および本実施の形態に係る方法により作製したダイオー
ドの順に電流値が小さくなっている。すなわち、本実施
の形態に係る方法によれば、酸化膜１２の膜質を向上さ
せることができ、ダイオードの電流値を小さくできるこ
とが分かる。
【００４２】このように本実施の形態に係る絶縁膜の作
製方法によれば、酸化膜１２の上に被覆膜１５を形成し
たのち、被覆膜１５にエネルギービームを照射すること
により基板１１の表面を加熱するようにしたので、エネ
ルギービームの照射により新しい欠陥が生成してしまう
ことを防止でき、酸化膜１２の欠陥密度を更に低くする
ことができる。よって、この方法を用いてダイオードを
有する半導体装置を形成すれば、電流値を小さくするこ
とができ、特性を向上させることができる。
製方法によれば、酸化膜１２の上に被覆膜１５を形成し
たのち、被覆膜１５にエネルギービームを照射すること
により基板１１の表面を加熱するようにしたので、エネ
ルギービームの照射により新しい欠陥が生成してしまう
ことを防止でき、酸化膜１２の欠陥密度を更に低くする
ことができる。よって、この方法を用いてダイオードを
有する半導体装置を形成すれば、電流値を小さくするこ
とができ、特性を向上させることができる。
【００４３】なお、本実施の形態に係る絶縁膜の作製方
法は、酸化膜１２を形成する場合のみでなく、絶縁膜と
して第２の実施の形態において説明した酸化窒化膜１３
を作製する場合および第３の実施の形態において説明し
た窒化膜１４を作製する場合についても同様に適用する
ことができる。
法は、酸化膜１２を形成する場合のみでなく、絶縁膜と
して第２の実施の形態において説明した酸化窒化膜１３
を作製する場合および第３の実施の形態において説明し
た窒化膜１４を作製する場合についても同様に適用する
ことができる。
【００４４】図９に、第２の実施の形態と同様にして基
板を電離気体に曝したのち、本実施の形態と同様にして
第２の電極を形成し、加熱処理を行って酸化窒化膜を形
成したダイオードの電流電圧特性を示す。ダイオードの
作製に際しては、電離気体Ｇ2 として一酸化二窒素を電
離させたものを用い、エネルギービームＥにはＸｅＣｌ
エキシマレーザビームを用いて３００ｍＪ／ｃｍ2 の強
さで照射した。
板を電離気体に曝したのち、本実施の形態と同様にして
第２の電極を形成し、加熱処理を行って酸化窒化膜を形
成したダイオードの電流電圧特性を示す。ダイオードの
作製に際しては、電離気体Ｇ2 として一酸化二窒素を電
離させたものを用い、エネルギービームＥにはＸｅＣｌ
エキシマレーザビームを用いて３００ｍＪ／ｃｍ2 の強
さで照射した。
【００４５】また、酸化窒化膜の加熱処理を行わないこ
とを除き本実施の形態に係る方法と同様にして作製した
ダイオードの電流電圧特性を比較例３として、基板１１
に金属層１６と第２の電極１８とを形成したものの電流
電圧特性を比較例４として、それぞれ図９に合わせて示
す。なお、図９において、点線は本実施の形態に係る方
法により作製した酸化窒化膜を有するダイオードの電流
電圧特性であり、破線は比較例３の電流電圧特性であ
り、実線は比較例４の電流電圧特性である。
とを除き本実施の形態に係る方法と同様にして作製した
ダイオードの電流電圧特性を比較例３として、基板１１
に金属層１６と第２の電極１８とを形成したものの電流
電圧特性を比較例４として、それぞれ図９に合わせて示
す。なお、図９において、点線は本実施の形態に係る方
法により作製した酸化窒化膜を有するダイオードの電流
電圧特性であり、破線は比較例３の電流電圧特性であ
り、実線は比較例４の電流電圧特性である。
【００４６】図９に示したように、この場合において
も、比較例４，比較例３および本実施の形態に係る方法
により作製したダイオードの順に電流値が小さくなって
いる。すなわち、本実施の形態に係る方法によれば、酸
化窒化膜についても同様にその膜質を向上させることが
でき、ダイオードの電流値を小さくできることが分か
る。
も、比較例４，比較例３および本実施の形態に係る方法
により作製したダイオードの順に電流値が小さくなって
いる。すなわち、本実施の形態に係る方法によれば、酸
化窒化膜についても同様にその膜質を向上させることが
でき、ダイオードの電流値を小さくできることが分か
る。
【００４７】（第５の実施の形態）図１０乃至図１２は
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。この方法は、第４の実施の
形態に係る絶縁膜の作製方法を用いて薄膜電界効果トラ
ンジスタを有する半導体装置を製造するものである。
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。この方法は、第４の実施の
形態に係る絶縁膜の作製方法を用いて薄膜電界効果トラ
ンジスタを有する半導体装置を製造するものである。
【００４８】まず、図１０（Ａ）に示したように、石英
ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラズ
などよりなる下地基板２１を用意し、その上に、例え
ば、ＣＶＤ法またはスパッタリング法により二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）よりな
る絶縁層２２を形成する。次いで、図１０（Ｂ）に示し
たように、この絶縁層２２の上に、例えば、ＣＶＤ法に
より非晶質シリコン（アモルファスシリコン）よりなる
下地部としての半導体層２３を形成する。
ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラズ
などよりなる下地基板２１を用意し、その上に、例え
ば、ＣＶＤ法またはスパッタリング法により二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）よりな
る絶縁層２２を形成する。次いで、図１０（Ｂ）に示し
たように、この絶縁層２２の上に、例えば、ＣＶＤ法に
より非晶質シリコン（アモルファスシリコン）よりなる
下地部としての半導体層２３を形成する。
【００４９】続いて、図１０（Ｃ）に示したように、例
えば、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と水素（Ｈ2 ）との混合
ガスの電離気体を用いたエッチングにより半導体層２３
を選択的に除去し、伝導層２３ａを形成する。伝導層２
３ａを形成したのち、図１０（Ｄ）に示したように、第
１の実施の形態と同様にして、酸素原子を含む電離気体
Ｇ1 の雰囲気中に伝導層２３ａの表面を曝し、その表面
に絶縁膜としての酸化膜２４を形成する。
えば、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）と水素（Ｈ2 ）との混合
ガスの電離気体を用いたエッチングにより半導体層２３
を選択的に除去し、伝導層２３ａを形成する。伝導層２
３ａを形成したのち、図１０（Ｄ）に示したように、第
１の実施の形態と同様にして、酸素原子を含む電離気体
Ｇ1 の雰囲気中に伝導層２３ａの表面を曝し、その表面
に絶縁膜としての酸化膜２４を形成する。
【００５０】酸化膜２４を形成したのち、図１１（Ａ）
に示したように、その上の一部に、例えば、ＣＶＤ法に
より選択的に非晶質シリコンよりなるゲート電極２５を
形成する。なお、このゲート電極２５は、この製造工程
においては被覆膜として機能する。ゲート電極２５を形
成したのち、図１１（Ｂ）に示したように、例えば、イ
オンインプランテーションによりリン原子（Ｐ）または
ホウ素原子（Ｂ）を注入し、ゲート電極２５および伝導
層２３ａのうちゲート電極２５により覆われていない領
域にそれぞれ不純物を導入する。これにより、ゲート電
極２５に不純物が添加されると共に、ゲート電極２５を
挟んでソース領域２３ｂとドレイン領域２３ｃとがそれ
ぞれ形成される。
に示したように、その上の一部に、例えば、ＣＶＤ法に
より選択的に非晶質シリコンよりなるゲート電極２５を
形成する。なお、このゲート電極２５は、この製造工程
においては被覆膜として機能する。ゲート電極２５を形
成したのち、図１１（Ｂ）に示したように、例えば、イ
オンインプランテーションによりリン原子（Ｐ）または
ホウ素原子（Ｂ）を注入し、ゲート電極２５および伝導
層２３ａのうちゲート電極２５により覆われていない領
域にそれぞれ不純物を導入する。これにより、ゲート電
極２５に不純物が添加されると共に、ゲート電極２５を
挟んでソース領域２３ｂとドレイン領域２３ｃとがそれ
ぞれ形成される。
【００５１】不純物を導入したのち、図１１（Ｃ）に示
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極２５を被覆膜としてその上からエネルギービームＥを
照射する。エネルギービームＥを照射したのち、図１２
に示したように、例えば、四フッ化炭素と水素との混合
ガスの電離気体を用いたエッチングにより、酸化膜２４
のうちゲート電極２５に覆われていない領域を選択的に
除去する。そののち、例えば、真空蒸着法により、ソー
ス領域２３ｂに対応させてアルミニウムなどの金属より
なるソース電極２６を選択的に形成すると共に、ドレイ
ン領域２３ｃに対応させてアルミニウムなどの金属より
なるドレイン電極２７を選択的に形成する。これによ
り、伝導層２３ａの上に酸化膜２４を介してゲート電極
２５を有する薄膜電界効果トランジスタが形成される。
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極２５を被覆膜としてその上からエネルギービームＥを
照射する。エネルギービームＥを照射したのち、図１２
に示したように、例えば、四フッ化炭素と水素との混合
ガスの電離気体を用いたエッチングにより、酸化膜２４
のうちゲート電極２５に覆われていない領域を選択的に
除去する。そののち、例えば、真空蒸着法により、ソー
ス領域２３ｂに対応させてアルミニウムなどの金属より
なるソース電極２６を選択的に形成すると共に、ドレイ
ン領域２３ｃに対応させてアルミニウムなどの金属より
なるドレイン電極２７を選択的に形成する。これによ
り、伝導層２３ａの上に酸化膜２４を介してゲート電極
２５を有する薄膜電界効果トランジスタが形成される。
【００５２】なお、ゲート電極２５を形成したのち、次
のようにして薄膜電界効果トランジスタを形成するよう
にしてもよい。図１３は第５の実施の形態に係る半導体
装置の他の製造方法を工程順に表すものである。
のようにして薄膜電界効果トランジスタを形成するよう
にしてもよい。図１３は第５の実施の形態に係る半導体
装置の他の製造方法を工程順に表すものである。
【００５３】すなわち、図１１（Ａ）に示したようにゲ
ート電極２５を形成したのち、図１３（Ａ）に示したよ
うに、例えば、四フッ化炭素と水素との混合ガスの電離
気体を用いてエッチングを行い、酸化膜２４のうちゲー
ト電極２５に覆われていない領域を選択的に除去する。
そののち、例えば、ホスフィン（ＰＨ3 ）またはジボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）の電離気体Ｇ4 を照射し、ゲート電極２
５および伝導層２３ａのうちゲート電極２５により覆わ
れていない領域にそれぞれ不純物を導入する。これによ
り、ゲート電極２５に不純物が添加されると共に、ゲー
ト電極２５を挟んでソース領域２３ｂとドレイン領域２
３ｃとが形成される。
ート電極２５を形成したのち、図１３（Ａ）に示したよ
うに、例えば、四フッ化炭素と水素との混合ガスの電離
気体を用いてエッチングを行い、酸化膜２４のうちゲー
ト電極２５に覆われていない領域を選択的に除去する。
そののち、例えば、ホスフィン（ＰＨ3 ）またはジボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）の電離気体Ｇ4 を照射し、ゲート電極２
５および伝導層２３ａのうちゲート電極２５により覆わ
れていない領域にそれぞれ不純物を導入する。これによ
り、ゲート電極２５に不純物が添加されると共に、ゲー
ト電極２５を挟んでソース領域２３ｂとドレイン領域２
３ｃとが形成される。
【００５４】不純物を導入したのち、図１３（Ｂ）に示
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極２５を被覆膜としてその上からエネルギービームＥを
照射する。エネルギービームＥを照射したのち、上記方
法と同様にして、ソース電極２６とドレイン電極２７と
を選択的にそれぞれ形成する（図１２参照）。これによ
り、薄膜電界効果トランジスタが形成される。
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極２５を被覆膜としてその上からエネルギービームＥを
照射する。エネルギービームＥを照射したのち、上記方
法と同様にして、ソース電極２６とドレイン電極２７と
を選択的にそれぞれ形成する（図１２参照）。これによ
り、薄膜電界効果トランジスタが形成される。
【００５５】このように本実施の形態に係る半導体装置
の製造方法によれば、伝導層２３ａの表面を酸素原子を
含む電離気体の雰囲気中に曝したのち、その表面を加熱
するようにしたので、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い酸
化膜２４を低温で形成することができる。よって、半導
体装置を微細化することができると共に、石英ガラス，
ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラスなどより
なる下地基板２１を用いることができ、大面積の半導体
装置を形成することができる。
の製造方法によれば、伝導層２３ａの表面を酸素原子を
含む電離気体の雰囲気中に曝したのち、その表面を加熱
するようにしたので、厚さが薄くかつ欠陥密度が低い酸
化膜２４を低温で形成することができる。よって、半導
体装置を微細化することができると共に、石英ガラス，
ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラスなどより
なる下地基板２１を用いることができ、大面積の半導体
装置を形成することができる。
【００５６】また、酸化膜２４の上にゲート電極２５を
形成したのち、このゲート電極２５を被覆膜として加熱
処理を行うようにしたので、酸化膜２４の欠陥密度を更
に低くすることができる。
形成したのち、このゲート電極２５を被覆膜として加熱
処理を行うようにしたので、酸化膜２４の欠陥密度を更
に低くすることができる。
【００５７】なお、本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法は、伝導層２３ａの上に絶縁膜として酸化膜２４
を形成する場合のみでなく、絶縁膜として第２の実施の
形態において説明した酸化窒化膜を作製する場合、およ
び第３の実施の形態において説明した窒化膜を作製する
場合についても同様に適用することができる。
造方法は、伝導層２３ａの上に絶縁膜として酸化膜２４
を形成する場合のみでなく、絶縁膜として第２の実施の
形態において説明した酸化窒化膜を作製する場合、およ
び第３の実施の形態において説明した窒化膜を作製する
場合についても同様に適用することができる。
【００５８】また、本実施の形態においてはトランジス
タを有する半導体装置の製造方法について説明したが、
第１の電極を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜を介して第２の電極を形成したキャパシタよりなるメ
モリを有する半導体装置、および第１の電極を構成する
半導体よりなる下地部の上に絶縁膜を介して第２の電極
を形成したダイオードを有する半導体装置についても、
本実施の形態と同様にして製造することができる。
タを有する半導体装置の製造方法について説明したが、
第１の電極を構成する半導体よりなる下地部の上に絶縁
膜を介して第２の電極を形成したキャパシタよりなるメ
モリを有する半導体装置、および第１の電極を構成する
半導体よりなる下地部の上に絶縁膜を介して第２の電極
を形成したダイオードを有する半導体装置についても、
本実施の形態と同様にして製造することができる。
【００５９】（第６の実施の形態）図１４乃至図１６は
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。この方法は、第４の実施の
形態に係る絶縁膜の作製方法を用いてメモリを有する半
導体装置を製造するものである。なお、ここでは、第５
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法と途中まで工
程が同一であるので、同一の工程については先の図面を
参照すると共に、同一の構成要素には同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。この方法は、第４の実施の
形態に係る絶縁膜の作製方法を用いてメモリを有する半
導体装置を製造するものである。なお、ここでは、第５
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法と途中まで工
程が同一であるので、同一の工程については先の図面を
参照すると共に、同一の構成要素には同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。
【００６０】まず、第５の実施の形態と同様に、石英ガ
ラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラスな
どよりなる下地基板２１を用意し、その上に絶縁層２２
を形成する（図１０（Ａ）参照）。次いで、第５の実施
の形態と同様に、絶縁層２２の上に非晶質シリコンより
なる下地部としての半導体層２３を形成し、それを選択
的に除去して伝導層２３ａを形成する（図１０（Ｂ）
（Ｃ）参照）。そののち、第５の実施の形態と同様に、
酸素原子を含む電離気体Ｇ1 の雰囲気中に伝導層２３ａ
の表面を曝し、その表面に絶縁膜としての酸化膜２４を
形成する（図１０（Ｄ）参照）。
ラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラスな
どよりなる下地基板２１を用意し、その上に絶縁層２２
を形成する（図１０（Ａ）参照）。次いで、第５の実施
の形態と同様に、絶縁層２２の上に非晶質シリコンより
なる下地部としての半導体層２３を形成し、それを選択
的に除去して伝導層２３ａを形成する（図１０（Ｂ）
（Ｃ）参照）。そののち、第５の実施の形態と同様に、
酸素原子を含む電離気体Ｇ1 の雰囲気中に伝導層２３ａ
の表面を曝し、その表面に絶縁膜としての酸化膜２４を
形成する（図１０（Ｄ）参照）。
【００６１】酸化膜２４を形成したのち、図１４（Ａ）
に示したように、例えば、ＣＶＤ法またはスパッタリン
グ法により、非晶質シリコン，非晶質ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）または窒化ケイ素よりなる電荷蓄積部３１を形成す
る。なお、電荷蓄積部３１は二次元的な膜である必要は
なく、複数の島状に分離した構造を有していてもよい。
電荷蓄積部３１を形成したのち、図１４（Ｂ）に示した
ように、電荷蓄積部３１を下地部とし、第１の実施の形
態と同様にして、酸素原子を含む電離気体Ｇ1の雰囲気
中に電荷蓄積部３１の表面を曝し、その表面に絶縁膜と
しての酸化膜３２を形成する。なお、この酸化膜３２を
ＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成するように
してもよい。
に示したように、例えば、ＣＶＤ法またはスパッタリン
グ法により、非晶質シリコン，非晶質ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）または窒化ケイ素よりなる電荷蓄積部３１を形成す
る。なお、電荷蓄積部３１は二次元的な膜である必要は
なく、複数の島状に分離した構造を有していてもよい。
電荷蓄積部３１を形成したのち、図１４（Ｂ）に示した
ように、電荷蓄積部３１を下地部とし、第１の実施の形
態と同様にして、酸素原子を含む電離気体Ｇ1の雰囲気
中に電荷蓄積部３１の表面を曝し、その表面に絶縁膜と
しての酸化膜３２を形成する。なお、この酸化膜３２を
ＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成するように
してもよい。
【００６２】酸化膜３２を形成したのち、図１５（Ａ）
に示したように、伝導層２３ａの一部に対応して、例え
ば、ＣＶＤ法により選択的に非晶質シリコンよりなるゲ
ート電極３３を形成する。ゲート電極３３を形成したの
ち、例えば、四フッ化炭素と水素との混合ガスの電離気
体を用いてエッチングを行い、ゲート電極３３に覆われ
ていない領域の酸化膜３２，電荷蓄積部３１および酸化
膜２４を選択的に除去する。そののち、図１５（Ｂ）に
示したように、例えば、ホスフィンまたはジボランの電
離気体Ｇ4 を照射し、ゲート電極３３および伝導層２３
ａのうちゲート電極３３により覆われていない領域にそ
れぞれ不純物を導入する。これにより、ゲート電極３３
に不純物が添加されると共に、ソース領域２３ｂおよび
ドレイン領域２３ｃがそれぞれ形成される。
に示したように、伝導層２３ａの一部に対応して、例え
ば、ＣＶＤ法により選択的に非晶質シリコンよりなるゲ
ート電極３３を形成する。ゲート電極３３を形成したの
ち、例えば、四フッ化炭素と水素との混合ガスの電離気
体を用いてエッチングを行い、ゲート電極３３に覆われ
ていない領域の酸化膜３２，電荷蓄積部３１および酸化
膜２４を選択的に除去する。そののち、図１５（Ｂ）に
示したように、例えば、ホスフィンまたはジボランの電
離気体Ｇ4 を照射し、ゲート電極３３および伝導層２３
ａのうちゲート電極３３により覆われていない領域にそ
れぞれ不純物を導入する。これにより、ゲート電極３３
に不純物が添加されると共に、ソース領域２３ｂおよび
ドレイン領域２３ｃがそれぞれ形成される。
【００６３】不純物を導入したのち、図１６（Ａ）に示
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極３３を被覆膜とし、その上からエネルギービームＥを
照射する。これにより、酸化膜２４，３３の欠陥が低減
する。エネルギービームＥを照射したのち、図１６
（Ｂ）に示したように、例えば、真空蒸着法により、ソ
ース電極３４およびドレイン電極３５を選択的にそれぞ
れ形成する。これにより、伝導層２３ａの上に酸化膜２
４を介して電荷蓄積層３１を有すると共に、電荷蓄積層
３１の上に酸化膜３２を介してゲート電極３３を有する
メモリが形成される。
したように、第４の実施の形態と同様にして、ゲート電
極３３を被覆膜とし、その上からエネルギービームＥを
照射する。これにより、酸化膜２４，３３の欠陥が低減
する。エネルギービームＥを照射したのち、図１６
（Ｂ）に示したように、例えば、真空蒸着法により、ソ
ース電極３４およびドレイン電極３５を選択的にそれぞ
れ形成する。これにより、伝導層２３ａの上に酸化膜２
４を介して電荷蓄積層３１を有すると共に、電荷蓄積層
３１の上に酸化膜３２を介してゲート電極３３を有する
メモリが形成される。
【００６４】このように本実施の形態に係る半導体装置
の製造方法によれば、伝導層２３ａまたは電荷蓄積層３
１の表面を酸素原子を含む電離気体の雰囲気中に曝した
のち、その表面を加熱するようにしたので、厚さが薄く
かつ欠陥密度が低い酸化膜２４，３２を低温で形成する
ことができる。よって、半導体装置を微細化することが
できると共に、石英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボ
ロシリケートガラスなどよりなる下地基板２１を用いる
ことができ、大面積の半導体装置を形成することができ
る。
の製造方法によれば、伝導層２３ａまたは電荷蓄積層３
１の表面を酸素原子を含む電離気体の雰囲気中に曝した
のち、その表面を加熱するようにしたので、厚さが薄く
かつ欠陥密度が低い酸化膜２４，３２を低温で形成する
ことができる。よって、半導体装置を微細化することが
できると共に、石英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボ
ロシリケートガラスなどよりなる下地基板２１を用いる
ことができ、大面積の半導体装置を形成することができ
る。
【００６５】また、酸化膜２４の上に電荷蓄積部３１な
どを形成したのち、それらを被覆膜として加熱処理を行
うようにしたので、または、酸化膜３２の上にゲート電
極３３を形成したのち、それを被腹膜として加熱処理を
行うようにしたので、酸化膜２４，３２の欠陥密度を更
に低くすることができる。
どを形成したのち、それらを被覆膜として加熱処理を行
うようにしたので、または、酸化膜３２の上にゲート電
極３３を形成したのち、それを被腹膜として加熱処理を
行うようにしたので、酸化膜２４，３２の欠陥密度を更
に低くすることができる。
【００６６】なお、本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法は、絶縁膜として酸化膜２４，３３を形成する場
合のみでなく、絶縁膜として第２の実施の形態において
説明した酸化窒化膜を作製する場合、および第３の実施
の形態において説明した窒化膜を作製する場合について
も同様に適用することができる。
造方法は、絶縁膜として酸化膜２４，３３を形成する場
合のみでなく、絶縁膜として第２の実施の形態において
説明した酸化窒化膜を作製する場合、および第３の実施
の形態において説明した窒化膜を作製する場合について
も同様に適用することができる。
【００６７】また、電荷蓄積部とゲート電極との間のキ
ャパシタンスを１ａＦ程度に小さくすることにより顕著
な単一電子効果を得ることができる単一電子メモリにつ
いても、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法と全
く同様にして製造することができる。
ャパシタンスを１ａＦ程度に小さくすることにより顕著
な単一電子効果を得ることができる単一電子メモリにつ
いても、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法と全
く同様にして製造することができる。
【００６８】（第７の実施の形態）図１７乃至図２０は
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。なお、図１７乃至図２０の
各工程図では平面図とその断面図とをそれぞれ表してい
る。
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を工程順に表すものである。なお、図１７乃至図２０の
各工程図では平面図とその断面図とをそれぞれ表してい
る。
【００６９】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
は、第４の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を用いて
単一電子トランジスタ（Single Charge Tunneling, Ple
numPress, edited by H.Grabert and M.H.Devoret参
照）を有する半導体装置を製造するものである。なお、
この方法は、伝導層４３ａを形成する工程が異なること
を除き、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
と同一の構成を有している。よって、ここでは、第５の
実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。
は、第４の実施の形態に係る絶縁膜の作製方法を用いて
単一電子トランジスタ（Single Charge Tunneling, Ple
numPress, edited by H.Grabert and M.H.Devoret参
照）を有する半導体装置を製造するものである。なお、
この方法は、伝導層４３ａを形成する工程が異なること
を除き、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
と同一の構成を有している。よって、ここでは、第５の
実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。
【００７０】まず、図１７に示したように、例えば、石
英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラ
スなどよりなる下地基板２１を用意し、その上に絶縁層
２２を形成する。次いで、その上に、非晶質シリコンよ
りなる下地部としての半導体層を形成し、この半導体層
を選択的に除去して伝導層４１を形成する。その際、伝
導層４１の中央部４１ａの幅を端部４１ｂ，４１ｃに比
べて狭くなるようにする。
英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロシリケートガラ
スなどよりなる下地基板２１を用意し、その上に絶縁層
２２を形成する。次いで、その上に、非晶質シリコンよ
りなる下地部としての半導体層を形成し、この半導体層
を選択的に除去して伝導層４１を形成する。その際、伝
導層４１の中央部４１ａの幅を端部４１ｂ，４１ｃに比
べて狭くなるようにする。
【００７１】次いで、図１８に示したように、酸素原子
を含む電離気体Ｇ1 の雰囲気中に伝導層４１の表面を曝
し、その表面に絶縁膜としての酸化膜２４を形成する。
なお、ここでは、伝導層４１の中央部４１ａの幅を端部
４１ｂ，４１ｃに比べて狭くしているので、形状依存酸
化により、中央部４１ａと端部４１ｂ，４１ｃとの境界
部分にトンネル接合部４１ｄ，４１ｅがそれぞれ形成さ
れる。
を含む電離気体Ｇ1 の雰囲気中に伝導層４１の表面を曝
し、その表面に絶縁膜としての酸化膜２４を形成する。
なお、ここでは、伝導層４１の中央部４１ａの幅を端部
４１ｂ，４１ｃに比べて狭くしているので、形状依存酸
化により、中央部４１ａと端部４１ｂ，４１ｃとの境界
部分にトンネル接合部４１ｄ，４１ｅがそれぞれ形成さ
れる。
【００７２】酸化膜２４を形成したのち、図１９に示し
たように、伝導層４１における中央部４１ａの一部を覆
うように、ゲート電極２５を選択的に形成する。ゲート
電極２５を形成したのち、例えば、リン原子またはホウ
素原子を注入し、ゲート電極２５および伝導層４１のう
ちゲート電極２５により覆われていない領域にそれぞれ
不純物を導入して、ゲート電極２５に不純物を添加する
と共に、ソース領域４２およびドレイン領域４３をそれ
ぞれ形成する。そののち、ゲート電極２５を被覆膜とし
てその上からエネルギービームＥを照射する。
たように、伝導層４１における中央部４１ａの一部を覆
うように、ゲート電極２５を選択的に形成する。ゲート
電極２５を形成したのち、例えば、リン原子またはホウ
素原子を注入し、ゲート電極２５および伝導層４１のう
ちゲート電極２５により覆われていない領域にそれぞれ
不純物を導入して、ゲート電極２５に不純物を添加する
と共に、ソース領域４２およびドレイン領域４３をそれ
ぞれ形成する。そののち、ゲート電極２５を被覆膜とし
てその上からエネルギービームＥを照射する。
【００７３】エネルギービームＥを照射したのち、図２
０に示したように、酸化膜２４を選択的に除去し、ソー
ス領域４２とドレイン領域４３を露出させる。そのの
ち、ソース電極２６とドレイン電極２７とをそれぞれ選
択的に形成する。これにより、伝導層４１の上に酸化膜
２４を介してゲート電極２５を有する単一電子トランジ
スタが形成される。
０に示したように、酸化膜２４を選択的に除去し、ソー
ス領域４２とドレイン領域４３を露出させる。そのの
ち、ソース電極２６とドレイン電極２７とをそれぞれ選
択的に形成する。これにより、伝導層４１の上に酸化膜
２４を介してゲート電極２５を有する単一電子トランジ
スタが形成される。
【００７４】このように本実施の形態に係る半導体装置
の製造方法によれば、伝導層４１の表面を酸素原子を含
む電離気体の雰囲気中に曝したのち、その上にゲート電
極２５を形成しこれを被覆膜として加熱処理をするよう
にしたので、第５の実施の形態と同様に、厚さが薄くか
つ欠陥密度が低い酸化膜２４を低温で形成することがで
きる。よって、半導体装置を微細化することができると
共に、大面積の半導体装置を形成することができる。
の製造方法によれば、伝導層４１の表面を酸素原子を含
む電離気体の雰囲気中に曝したのち、その上にゲート電
極２５を形成しこれを被覆膜として加熱処理をするよう
にしたので、第５の実施の形態と同様に、厚さが薄くか
つ欠陥密度が低い酸化膜２４を低温で形成することがで
きる。よって、半導体装置を微細化することができると
共に、大面積の半導体装置を形成することができる。
【００７５】なお、本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法は、絶縁膜として酸化膜２４を形成する場合のみ
でなく、絶縁膜として第２の実施の形態において説明し
た酸化窒化膜を作製する場合、および第３の実施の形態
において説明した窒化膜を作製する場合についても同様
に適用することができる。
造方法は、絶縁膜として酸化膜２４を形成する場合のみ
でなく、絶縁膜として第２の実施の形態において説明し
た酸化窒化膜を作製する場合、および第３の実施の形態
において説明した窒化膜を作製する場合についても同様
に適用することができる。
【００７６】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明はこれらの各実施の形態に限定されるも
のではなく、種々変形可能である。例えば、上記各実施
の形態では、エネルギービームを照射することにより下
地部の表面を加熱するようにしたが、他の方法により下
地部の表面を加熱するようにしてもよい。
したが、本発明はこれらの各実施の形態に限定されるも
のではなく、種々変形可能である。例えば、上記各実施
の形態では、エネルギービームを照射することにより下
地部の表面を加熱するようにしたが、他の方法により下
地部の表面を加熱するようにしてもよい。
【００７７】また、上記各実施の形態では、下地部をシ
リコンにより形成する場合について具体的に説明した
が、本発明は、下地部をゲルマニウムまたはシリコンゲ
ルマニウムにより形成するようにしてもよい。または、
下地部をガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体
により形成するようにしてもよい。
リコンにより形成する場合について具体的に説明した
が、本発明は、下地部をゲルマニウムまたはシリコンゲ
ルマニウムにより形成するようにしてもよい。または、
下地部をガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体
により形成するようにしてもよい。
【００７８】更に、上記第４乃至第７の各実施の形態に
おいては、具体的な半導体装置の製造方法について説明
したが、本発明の絶縁膜の作製方法を含んでいれば、他
にどのような工程を含んでいてもよい。
おいては、具体的な半導体装置の製造方法について説明
したが、本発明の絶縁膜の作製方法を含んでいれば、他
にどのような工程を含んでいてもよい。
【００７９】加えて、上記第５乃至第７の各実施の形態
では、石英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロリケー
トガラスなどよりなる下地基板２１を用いる場合につい
て具体的に説明したが、本発明は、プラスチックなどの
更に融点が低い材料よりなる基板を用いることもでき
る。
では、石英ガラス，ケイ酸塩ガラスあるいはボロリケー
トガラスなどよりなる下地基板２１を用いる場合につい
て具体的に説明したが、本発明は、プラスチックなどの
更に融点が低い材料よりなる基板を用いることもでき
る。
【００８０】更にまた、上記第５乃至第７の各実施の形
態では、下地基板２１の上に二酸化ケイ素または窒化ケ
イ素よりなる絶縁層２２を形成するようにしたが、絶縁
層２２を酸化窒化ケイ素（すなわち酸素と窒素とケイ素
との化合物）により形成するようにしてもよい。また、
窒化ケイ素膜と二酸化ケイ素膜との多層構造を有する絶
縁層２２を形成するようにしてもよい。
態では、下地基板２１の上に二酸化ケイ素または窒化ケ
イ素よりなる絶縁層２２を形成するようにしたが、絶縁
層２２を酸化窒化ケイ素（すなわち酸素と窒素とケイ素
との化合物）により形成するようにしてもよい。また、
窒化ケイ素膜と二酸化ケイ素膜との多層構造を有する絶
縁層２２を形成するようにしてもよい。
【００８１】加えてまた、上記第４の実施の形態では、
ダイオードを有する半導体装置の製造方法について説明
したが、例えば、基板１１の表面を電離気体に曝して絶
縁膜を形成し、加熱処理したのち、絶縁膜の上に例えば
１０ｎｍ以下の薄い半導体層を形成し、更にその表面を
電離気体に曝して絶縁膜を形成し、加熱処理をしたの
ち、その絶縁膜の上に半導体層を形成するというよう
に、薄い絶縁膜と薄い半導体層とを繰り返し形成するよ
うにすれば、多重のトンネル障壁が設けられた共鳴トン
ネルダイオードを有する半導体装置を形成することがで
きる。
ダイオードを有する半導体装置の製造方法について説明
したが、例えば、基板１１の表面を電離気体に曝して絶
縁膜を形成し、加熱処理したのち、絶縁膜の上に例えば
１０ｎｍ以下の薄い半導体層を形成し、更にその表面を
電離気体に曝して絶縁膜を形成し、加熱処理をしたの
ち、その絶縁膜の上に半導体層を形成するというよう
に、薄い絶縁膜と薄い半導体層とを繰り返し形成するよ
うにすれば、多重のトンネル障壁が設けられた共鳴トン
ネルダイオードを有する半導体装置を形成することがで
きる。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至請求項
８のいずれか１に記載の絶縁膜の作製方法によれば、下
地部の表面を電離気体に曝して絶縁膜を形成したのち、
その表面を加熱するようにしたので、厚さが薄くかつ欠
陥密度が低い絶縁膜を低温で容易に形成することができ
るという効果を奏する。
８のいずれか１に記載の絶縁膜の作製方法によれば、下
地部の表面を電離気体に曝して絶縁膜を形成したのち、
その表面を加熱するようにしたので、厚さが薄くかつ欠
陥密度が低い絶縁膜を低温で容易に形成することができ
るという効果を奏する。
【００８３】特に、請求項４または請求項５に記載の絶
縁膜の作製方法によれば、エネルギービームを照射する
ことにより下地部の表面を加熱するようにしたので、下
地部の表面近傍のみを容易に加熱することができ、周囲
の温度が上昇することを防止することができるという効
果を奏する。
縁膜の作製方法によれば、エネルギービームを照射する
ことにより下地部の表面を加熱するようにしたので、下
地部の表面近傍のみを容易に加熱することができ、周囲
の温度が上昇することを防止することができるという効
果を奏する。
【００８４】また、請求項６または請求項７に記載の絶
縁膜の作製方法によれば、絶縁膜を形成したのち、その
上に被覆膜を形成してエネルギービームを照射し、それ
により下地部の表面を加熱するようにしたので、エネル
ギービームの照射により新しい欠陥が生成してしまうこ
とを防止することができ、絶縁膜の欠陥密度を更に低く
することができる。
縁膜の作製方法によれば、絶縁膜を形成したのち、その
上に被覆膜を形成してエネルギービームを照射し、それ
により下地部の表面を加熱するようにしたので、エネル
ギービームの照射により新しい欠陥が生成してしまうこ
とを防止することができ、絶縁膜の欠陥密度を更に低く
することができる。
【００８５】更に、請求項９乃至請求項２１のいずれか
１に記載の半導体装置の製造方法によれば、下地部の表
面を電離気体に曝して絶縁膜を形成したのち、その表面
を加熱するようにしたので、厚さが薄くかつ欠陥密度が
低い絶縁膜を低温で容易に形成することができる。よっ
て、半導体装置を微細化することができると共に、例え
ば、下地部を低耐熱性材料よりなる下地基板の上に形成
することが可能となり、大面積の半導体装置を形成する
ことができるという効果を奏する。
１に記載の半導体装置の製造方法によれば、下地部の表
面を電離気体に曝して絶縁膜を形成したのち、その表面
を加熱するようにしたので、厚さが薄くかつ欠陥密度が
低い絶縁膜を低温で容易に形成することができる。よっ
て、半導体装置を微細化することができると共に、例え
ば、下地部を低耐熱性材料よりなる下地基板の上に形成
することが可能となり、大面積の半導体装置を形成する
ことができるという効果を奏する。
【００８６】加えて、請求項１２または請求項１３に記
載の半導体装置の製造方法によれば、エネルギービーム
を照射することにより下地部の表面を加熱するようにし
たので、下地部の表面近傍のみを容易に加熱することが
でき、周囲の温度が上昇することを防止することができ
る。よって、例えば、下地部を低耐熱性材料よりなる下
地基板の上に形成することが可能となり、大面積の半導
体装置を形成することができるという効果を奏する。ま
た、不純物の分布や形成した層の歪みを防止することが
でき、半導体装置を微細化することができるという効果
も奏する。
載の半導体装置の製造方法によれば、エネルギービーム
を照射することにより下地部の表面を加熱するようにし
たので、下地部の表面近傍のみを容易に加熱することが
でき、周囲の温度が上昇することを防止することができ
る。よって、例えば、下地部を低耐熱性材料よりなる下
地基板の上に形成することが可能となり、大面積の半導
体装置を形成することができるという効果を奏する。ま
た、不純物の分布や形成した層の歪みを防止することが
でき、半導体装置を微細化することができるという効果
も奏する。
【００８７】更にまた、請求項１４または請求項１５に
記載の半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜を形成し
たのち、その上に被覆膜を形成してエネルギービームを
照射し、それにより下地部の表面を加熱するようにした
ので、エネルギービームの照射により新しい欠陥が生成
してしまうことを防止することができ、絶縁膜の欠陥密
度を更に低くすることができる。よって、半導体装置の
特性を向上させることができると共に、微細化をするこ
とができるという効果を奏する。
記載の半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜を形成し
たのち、その上に被覆膜を形成してエネルギービームを
照射し、それにより下地部の表面を加熱するようにした
ので、エネルギービームの照射により新しい欠陥が生成
してしまうことを防止することができ、絶縁膜の欠陥密
度を更に低くすることができる。よって、半導体装置の
特性を向上させることができると共に、微細化をするこ
とができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る絶縁膜の作製
方法を工程順に表す断面図である。
方法を工程順に表す断面図である。
【図２】図１に示した方法により作製した酸化膜の膜厚
と酸素原子を含む電離気体中に基板を曝した時間との関
係を表す特性図である。
と酸素原子を含む電離気体中に基板を曝した時間との関
係を表す特性図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る絶縁膜の作製
方法を工程順に表す断面図である。
方法を工程順に表す断面図である。
【図４】図３に示した方法により作製した酸化窒化膜の
膜厚と酸素原子および窒素原子を含む電離気体中に基板
を曝した時間との関係を表す特性図である。
膜厚と酸素原子および窒素原子を含む電離気体中に基板
を曝した時間との関係を表す特性図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る絶縁膜の作製
方法を工程順に表す断面図である。
方法を工程順に表す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る絶縁膜の作製
方法を工程順に表す断面図である。
方法を工程順に表す断面図である。
【図７】図６に示した方法を用いたダイオードの作製方
法を工程順に表す断面図である。
法を工程順に表す断面図である。
【図８】図７に示した方法により作製したダイオードの
電流電圧特性を表す特性図である。
電流電圧特性を表す特性図である。
【図９】第４の実施の形態に係る方法を用いて作製した
他のダイオードの電流電圧特性を表す特性図である。
他のダイオードの電流電圧特性を表す特性図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法を工程順に表す断面図である。
の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１１】図１０に続く各工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く各工程を表す断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置
の他の製造方法を工程順に表す断面図である。
の他の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法を工程順に表す断面図である。
の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１５】図１４に続く各工程を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く各工程を表す断面図である。
【図１７】本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法の一工程を表す平面図およびそのＩ−Ｉ線に
沿った断面図である。
の製造方法の一工程を表す平面図およびそのＩ−Ｉ線に
沿った断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す平面図およびそのＩ
Ｉ−ＩＩ線に沿った断面図である。
Ｉ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を表す平面図およびそのＩ
ＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
ＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を表す平面図およびそのＩ
Ｖ−ＩＶ線に沿った断面図である。
Ｖ−ＩＶ線に沿った断面図である。
１１…基板、１２，２４，３２…酸化膜、１３…酸化窒
化膜、１４…窒化膜、１５…被覆膜、１６…金属層、１
７…第１の電極、１８…第２の電極、２１…下地基板、
２２…絶縁膜、２３…半導体層、２３ａ，４１…伝導
層、２３ｂ，４２…ソース領域、２３ｃ，４３…ドレイ
ン領域、２５，３３ …ゲート電極、２６，３４…ソー
ス電極，２７，３５…ドレイン電極、３１…電荷蓄積
層、４１ａ…中央部、４１ｂ，４１ｃ…端部、４１ｄ，
４１ｅ…トンネル接合部、Ｇ1 ，Ｇ2，Ｇ3 …電離気
体、Ｅ…エネルギービーム
化膜、１４…窒化膜、１５…被覆膜、１６…金属層、１
７…第１の電極、１８…第２の電極、２１…下地基板、
２２…絶縁膜、２３…半導体層、２３ａ，４１…伝導
層、２３ｂ，４２…ソース領域、２３ｃ，４３…ドレイ
ン領域、２５，３３ …ゲート電極、２６，３４…ソー
ス電極，２７，３５…ドレイン電極、３１…電荷蓄積
層、４１ａ…中央部、４１ｂ，４１ｃ…端部、４１ｄ，
４１ｅ…トンネル接合部、Ｇ1 ，Ｇ2，Ｇ3 …電離気
体、Ｅ…エネルギービーム
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｕ 21/329 ６１８Ｃ ６２２ 29/91 Ａ (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F040 DC01 DC03 DC09 EB11 EB12 5F058 BA06 BA11 BA20 BB07 BD01 BD02 BD04 BD10 BD15 BF02 BF17 BF29 BF30 BF32 BF33 BF38 BF54 BF60 BF62 BF64 BF66 BF67 BF75 BF77 BH02 BH03 BH04 BJ01 BJ04 5F083 EP18 FZ01 HA02 JA02 JA05 JA19 PR21 PR33
Claims (21)
- 【請求項１】 半導体よりなる下地部の表面を酸素原子
（Ｏ）および窒素原子（Ｎ）のうちの少なくとも一方を
含む電離気体に曝すことにより下地部の表面に酸化膜，
窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工
程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする絶縁膜の作製方法。 - 【請求項２】 絶縁膜を形成する際の温度よりも高い温
度で下地部の表面を加熱することを特徴とする請求項１
記載の絶縁膜の作製方法。 - 【請求項３】 酸素（Ｏ2 ），オゾン（Ｏ3 ），一酸化
二窒素（Ｎ2 Ｏ），アンモニア（ＮＨ3 ）および窒素
（Ｎ2 ）のうちの少なくとも１種を電離させることによ
り酸素原子および窒素原子のうちの少なくとも一方を生
成させることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜の作製
方法。 - 【請求項４】 エネルギービームを照射することにより
下地部の表面を加熱することを特徴とする請求項１記載
の絶縁膜の作製方法。 - 【請求項５】 エネルギービームとしてエキシマレーザ
ビームを照射することを特徴とする請求項４記載の絶縁
膜の作製方法。 - 【請求項６】 更に、下地部の表面に絶縁膜を形成した
のち加熱する前に、絶縁膜の少なくとも一部を覆うよう
に被覆膜を形成する工程を含むと共に、被覆膜にエネル
ギービームを照射することにより下地部の表面を加熱す
ることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜の作製方法。 - 【請求項７】 シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇ
ｅ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデ
ン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），ニッケル（Ｎｉ）およ
びアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１種を含む
被覆膜を形成すると共に、エネルギービームとしてエキ
シマレーザビームを照射することを特徴とする請求項６
記載の絶縁膜の作製方法。 - 【請求項８】 シリコンにより下地部を形成することを
特徴とする請求項１記載の絶縁膜の作製方法。 - 【請求項９】 半導体よりなる下地部の表面を酸素原子
（Ｏ）および窒素原子（Ｎ）のうちの少なくとも一方を
含む電離気体に曝すことにより下地部の表面に酸化膜，
窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を形成する工
程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 絶縁膜を形成する際の温度よりも高い
温度で下地部の表面を加熱することを特徴とする請求項
９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 酸素，オゾン，一酸化二窒素，アンモ
ニアおよび窒素のうちの少なくとも１種を電離させるこ
とにより酸素原子および窒素原子のうちの少なくとも一
方を生成させることを特徴とする請求項９記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１２】 エネルギービームを照射することによ
り下地部の表面を加熱することを特徴とする請求項９記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 エネルギービームとしてエキシマレー
ザビームを照射することを特徴とする請求項１２記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 更に、下地部の表面に絶縁膜を形成し
たのち加熱する前に、絶縁膜の少なくとも一部を覆うよ
うに被覆膜を形成する工程を含むと共に、被覆膜にエネ
ルギービームを照射することにより下地部の表面を加熱
することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 シリコン，ゲルマニウム，タングステ
ン，チタン，モリブデン，タンタル，ニッケルおよびア
ルミニウムのうちの少なくとも１種を含む被覆膜を形成
すると共に、エネルギービームとしてエキシマレーザビ
ームを照射することを特徴とする請求項１４記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 シリコンにより下地部を形成すること
を特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 伝導層を構成する半導体よりなる下地
部の上に絶縁膜が形成されたトランジスタを有する半導
体装置の製造方法であって、 下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの少なく
とも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部の表面
に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を
形成する工程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 伝導層を構成する半導体よりなる下地
部の上に絶縁膜が形成されたメモリ，電荷蓄積部を構成
する半導体よりなる下地部の上に絶縁膜が形成されたメ
モリあるいはキャパシタの電極を構成する下地部の上に
絶縁膜が形成されたメモリを有する半導体装置の製造方
法であって、 下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの少なく
とも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部の表面
に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を
形成する工程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 電極を構成する半導体よりなる下地部
の上に絶縁膜が形成されたダイオードを有する半導体装
置の製造方法であって、 下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの少なく
とも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部の表面
に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を
形成する工程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 伝導層を構成する半導体よりなる下地
部の上に絶縁膜が形成された単一電子トランジスタを有
する半導体装置の製造方法であって、 下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの少なく
とも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部の表面
に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を
形成する工程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 伝導層を構成する半導体よりなる下地
部の上に絶縁膜が形成された単一電子メモリを有する半
導体装置の製造方法であって、 下地部の表面を酸素原子および窒素原子のうちの少なく
とも一方を含む電離気体に曝すことにより下地部の表面
に酸化膜，窒化膜あるいは酸化窒化膜よりなる絶縁膜を
形成する工程と、 絶縁膜を形成した下地部の表面を加熱する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10252844A JP2000091331A (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10252844A JP2000091331A (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091331A true JP2000091331A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17242979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10252844A Pending JP2000091331A (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091331A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054474A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tadahiro Ohmi | Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device |
| US7157773B2 (en) | 2002-07-05 | 2007-01-02 | Renesas Technology Corp. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| KR20240016932A (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR20240016931A (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
1998
- 1998-09-07 JP JP10252844A patent/JP2000091331A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002054474A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tadahiro Ohmi | Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device |
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| US7718484B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-05-18 | Foundation For Advancement Of International Science | Method of forming a dielectic film that contains silicon, oxygen and nitrogen and method of fabricating a semiconductor device that uses such a dielectric film |
| US7157773B2 (en) | 2002-07-05 | 2007-01-02 | Renesas Technology Corp. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| KR20240016932A (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR20240016931A (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR102700850B1 (ko) | 2022-07-29 | 2024-08-30 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR102723370B1 (ko) | 2022-07-29 | 2024-10-30 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
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