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JP2000081638A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JP2000081638A
JP2000081638A JP25019898A JP25019898A JP2000081638A JP 2000081638 A JP2000081638 A JP 2000081638A JP 25019898 A JP25019898 A JP 25019898A JP 25019898 A JP25019898 A JP 25019898A JP 2000081638 A JP2000081638 A JP 2000081638A
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JP
Japan
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signal supply
liquid crystal
video signal
scanning signal
supply wiring
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Pending
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JP25019898A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Yonekura
広顕 米倉
Shinichiro Ishihara
伸一郎 石原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to KR1020017002769A priority patent/KR20010079729A/ko
Priority to CN99810547A priority patent/CN1317106A/zh
Priority to PCT/JP1999/004606 priority patent/WO2000014600A1/ja
Priority to TW088115207A priority patent/TW536647B/zh
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトリソ工程のサイクル数を低減し、プロ
セスリードタイムを短縮することができ、ＴＦＴアレー
の全製造プロセスにおけるコストを削減することができ
る液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 走査信号供給配線２および映像信号供給
配線５を実装配線するために第２絶縁膜６を開口除去す
るためのパタン形成、走査信号供給配線２の層と映像信
号供給配線５の層とを層変換するために第１絶縁膜３を
開口除去するためのパタン形成を同時に１回で行い、Ｔ
ＦＴアレープロセスにおけるフォトリソ工程のサイクル
数を５回にするとともに、画素電極７の層を利用して走
査信号供給配線２の層と映像信号供給配線５の層との間
を電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
により液晶を駆動して画像表示するアクティブマトリク
ス方式の液晶表示装置およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年では、画像表示のために液晶を利用
した表示装置が、薄型および軽量でかつ低電力という従
来のＣＲＴなどを利用したディスプレイにない特徴を有
していることから、広く使用されており、中でもマトリ
クス状に配列された画素毎に薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴと略す）からなるスイッチング素子をもち、その
スイッチング素子により液晶を駆動して画像表示するア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置は、クロストー
クの少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノート
パソコンやカーナビゲーション装置のディスプレイ等に
使用され、近年、急速に利用されるようになってきた。
【０００３】以下、従来のアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置の一例について、図面を用いて説明する。
図２は従来のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
のＴＦＴを有するアレー部分の断面図である。図２にお
いて、２は、ＴＦＴアレー部分における絶縁性透明基板
であるガラス基板１上にマトリクス状に配列されたＴＦ
Ｔのゲート電極を兼ね、そのＴＦＴのゲート電極に走査
信号を供給する走査信号供給配線、３は、走査信号供給
配線２上に積層した第１の絶縁体層を成す第１絶縁膜
で、ＴＦＴのゲート電極に対するゲート絶縁膜、４はＴ
ＦＴの第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）３の上に形成された
ＴＦＴのチャンネル領域を形成するアモルファスシリコ
ン半導体膜、７は複数個がマトリクス状に配列された画
素電極であり、この画素電極７に対応してＴＦＴも複数
個がマトリクス状に配列されている。５は、ＴＦＴのア
モルファスシリコン半導体膜４に接続したソース電極を
兼ね、ドレイン電極１１を介して画素電極７に映像信号
を供給する映像信号供給配線である。６は、ＴＦＴの保
護膜として作用するパッシベーション絶縁膜であり、第
２の絶縁体層を成す第２絶縁膜である。
【０００４】以上のように構成された液晶表示装置につ
いて、その動作を以下に説明する。まず、走査信号供給
配線２に電圧が印加され、アモルファスシリコン半導体
膜４にＴＦＴのチャンネルが形成されると、映像信号供
給配線５からの映像信号が、ＴＦＴのチャンネルを通過
してドレイン電極１１に流れ込み、さらに画素電極７に
伝わり、その画素電極７と平行に対向するカラーフィル
タ（図示せず）部分に設けられた対向電極（図示せず）
との間の電界により、画素電極７と対向電極との間に注
入され挟持された液晶の配向を任意に可変し、光透過率
を調整することによって、所望の画像を作り出し、液晶
表示装置の画面に画像表示する。
【０００５】このような液晶表示装置において、一般
に、ガラス基板１上にＴＦＴを形成するためのアレープ
ロセス工程は、薄膜形成後、フォトリソ工程により、レ
ジストパタンを形成し、不要な薄膜部分をエッチング除
去した後にレジストパタンを除去するという作業を、サ
イクル的に繰り返す長く複雑な工程である。このフォト
リソ工程のサイクル数を低減して全製造工程のリードタ
イムを短縮することが、製品に対するコスト及び不良率
の低減につながる。
【０００６】上記のような液晶表示装置の製造工程で
は、一般的に、フォトリソ工程としては、走査信号供給
配線２、映像信号供給配線５及びドレイン電極１１、ア
モルファスシリコン半導体膜４を形成するためのパタン
形成、画素電極７を形成するためのパタン形成、走査信
号供給配線２および映像信号供給配線５を実装配線する
ためにパッシベーション絶縁膜６を開口除去するための
パタン形成、さらに走査信号供給配線２の層と映像信号
供給配線５の層とを層変換するために第１絶縁膜（ゲー
ト絶縁膜）３を開口除去するためのパタン形成の計６回
繰り返されることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の液晶表示装置を製造するための製造方法で
は、上述のように、フォトリソ工程のサイクル数として
６回必要であり、その工程が、全体の工程リードタイム
を非常に長くするため、全製造プロセスにおけるコスト
を引き上げる要因となるという問題点を有していた。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、ＴＦＴアレープロセスにおけるフォトリソ工程の
サイクル数を低減し、その工程を含む全体のプロセスリ
ードタイムを短縮することができ、ＴＦＴアレーの全製
造プロセスにおけるコストを削減することができる液晶
表示装置およびその製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、走査
信号供給配線および映像信号供給配線を実装配線するた
めに第２の絶縁体層を開口除去するためのパタン形成、
走査信号供給配線の層と映像信号供給配線の層とを層変
換するために第１の絶縁体層を開口除去するためのパタ
ン形成を同時に１回で行い、ＴＦＴアレープロセスにお
けるフォトリソ工程のサイクル数を５回にするととも
に、画素電極の層を利用して走査信号供給配線層と映像
信号供給配線層との間を電気的に接続することを特徴と
する。
【００１０】以上により、ＴＦＴアレープロセスにおけ
るフォトリソ工程のサイクル数を低減し、その工程を含
む全体のプロセスリードタイムを短縮することができ、
ＴＦＴアレーの全製造プロセスにおけるコストを削減す
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の液晶表
示装置は、液晶を用いて画面上に画像表示する表示装置
であって、対向する絶縁性透明基板間に前記液晶を挟持
し、その液晶を表示画像に対応する走査信号および映像
信号により駆動して、前記画面上に画像表示する液晶表
示装置において、前記画像表示のための複数の画素が前
記絶縁性透明基板上にマトリクス状に配列されたアレー
部分の構成要素として、少なくとも、前記画素毎に対応
してマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記
画素電極毎に対応して配列された薄膜トランジスタから
なる複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチン
グ素子の各ゲート電極に前記走査信号を供給する複数の
走査信号供給配線と、前記複数のスイッチング素子の各
ソース電極およびドレイン電極を介して前記画素電極に
前記映像信号を供給する複数の映像信号供給配線と、前
記複数の走査信号供給配線上に積層して前記複数のスイ
ッチング素子のゲート電極に対する絶縁膜となる第１の
絶縁体層と、前記複数の映像信号供給配線上に積層して
前記複数のスイッチング素子に対する保護膜となる第２
の絶縁体層とを備え、前記画素電極を、その一部が、映
像信号供給配線と第２の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールパタンを介して電気的に導通し、かつ走査信号
供給配線と第１および第２の絶縁体層に形成されたコン
タクトホールパタンを介して電気的に導通するよう形成
し、前記走査信号および映像信号による前記スイッチン
グ素子のオンオフにより、前記画素電極を通じて前記液
晶を駆動し画像表示する構成とする。
【００１２】請求項２に記載の液晶表示装置は、請求項
１記載の第１の絶縁体層が、半導体層を含む積層構造で
ある構成とする。請求項３に記載の液晶表示装置は、請
求項１または請求項２記載の第２の絶縁体層が、アクリ
ル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート等
の透明樹脂か、これらを含む積層構造である構成とす
る。
【００１３】請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶を用いて画面上に画像表示する表示装置であっ
て、対向する絶縁性透明基板間に前記液晶を挟持し、そ
の液晶を表示画像に対応する走査信号および映像信号に
より複数のスイッチング素子をオンオフして画素電極を
通じて駆動し、前記画面上に画像表示する液晶表示装置
の製造方法において、前記画像表示のための複数の画素
が前記絶縁性透明基板上にマトリクス状に配列されたア
レー部分の前記複数のスイッチング素子を含む構成要素
の形成工程として、少なくとも、前記複数のスイッチン
グ素子の各ゲート電極に走査信号を供給する複数の走査
信号供給配線および前記各ゲート電極となるゲートダミ
ー配線を選択エッチングして形成する第１の工程と、前
記複数のスイッチング素子の各チャンネル部を規定する
第２の工程と、前記複数のスイッチング素子の各ソース
電極およびドレイン電極を介して前記画素電極に前記映
像信号を供給する複数の映像信号供給配線、および前記
各ソース電極となるソースダミー配線を選択エッチング
して形成する第３の工程と、前記複数の走査信号供給配
線上に積層して前記複数のスイッチング素子のゲート電
極に対する絶縁膜、および前記複数の映像信号供給配線
上に積層して前記複数のスイッチング素子に対する保護
膜となる各絶縁体層を選択エッチングし、前記複数の走
査信号供給配線および複数の映像信号供給配線を同時に
表面に開口する第４の工程と、前記画素電極を選択エッ
チングして形成する第５の工程と、前記走査信号供給配
線または映像信号供給配線のいずれか一方の層で実装端
子を形成し、その上に前記画素電極の層を積層し、その
上に異方性導電膜等の導電膜を用いて圧着実装する第６
の工程とを有し、前記第１から第６の工程を、その順序
で実行する方法とする。
【００１４】以上の構成および方法によると、走査信号
供給配線および映像信号供給配線を実装配線するために
第２の絶縁体層を開口除去するためのパタン形成、走査
信号供給配線の層と映像信号供給配線の層とを層変換す
るために第１の絶縁体層を開口除去するためのパタン形
成を同時に１回で行い、ＴＦＴアレープロセスにおける
フォトリソ工程のサイクル数を５回にするとともに、画
素電極の層を利用して走査信号供給配線層と映像信号供
給配線層との間を電気的に接続する。
【００１５】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
装置およびその製造方法について、図面を参照しながら
具体的に説明する。図１は本実施の形態のアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置における一部断面図であ
り、従来例を示す図２と同じ部分については同一の符号
を付す。図１および図２において、１は絶縁性透明基板
であるガラス基板、２は、ＴＦＴアレー部分におけるガ
ラス基板１上にマトリクス状に配列されたＴＦＴのゲー
ト電極を兼ね、そのＴＦＴのゲート電極に走査信号を供
給する走査信号供給配線、３は、走査信号供給配線２上
に積層した第１の絶縁体層を成す第１絶縁膜で、ＴＦＴ
のゲート電極に対するゲート絶縁膜、４はＴＦＴの第１
絶縁膜（ゲート絶縁膜）３上に形成されたＴＦＴのチャ
ンネル領域を形成するアモルファスシリコン半導体膜、
５は、ＴＦＴのアモルファスシリコン半導体膜４に接続
したソース電極を兼ね、ドレイン電極１１を介して画素
電極７に映像信号を供給する映像信号供給配線、１１は
ＴＦＴのアモルファスシリコン半導体膜４に接続したド
レイン電極、７は画面上の画素を構成するために複数個
がマトリクス状に配列された画素電極であり、この画素
電極７に対応してＴＦＴもマトリクス状に配列されてい
る。６は、第２の絶縁体層を成す第２絶縁膜である保護
膜で、例えばＳｉＮｘ、ＳｉＯ2、アクリル樹脂、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリカーボネート、またはこれら
の積層膜であり、ＴＦＴのパッシベーション絶縁膜であ
る。８は、第２絶縁膜６であるパッシベーション絶縁膜
を開口除去した後に形成したコンタクトホールパタンで
あり、このコンタクトホールパタン８を介して画素電極
７とドレイン電極１１とを電気的に接続させる。
【００１６】ここまで説明した構成は従来例を示す図２
と同じであり、本実施の形態を示す図１が従来例を示す
図２と異なるところは以下の通りである。すなわち、前
述した走査信号供給配線２の層と映像信号供給配線５の
層とを電気的に接続し各層間における層変換を行わせる
際に、従来では、図２に示すように、第１絶縁膜３の層
を開口除去した後にコンタクトホールパタン１０を設
け、走査信号供給配線２と映像信号供給配線５とを直接
電気的に接続させていた。
【００１７】これに対し、本実施の形態では、図１の配
線変換部に示すように、走査信号供給配線２の表面にお
ける開口を、第２絶縁膜６の堆積以降に第１絶縁膜３と
第２絶縁膜６とを同時に除去することにより行い、その
表面開口部において、画素電極７の一部が走査信号供給
配線２と導通するように、画素電極７と走査信号供給配
線２間にコンタクトホールパタン９を形成することによ
って、走査信号供給配線２と映像信号供給配線５は、画
素電極７を介して間接的に電気的接続がなされるように
構成したことである。
【００１８】走査信号供給配線２及び映像信号供給配線
５を実装するための第２絶縁膜６であるパッシベーショ
ン絶縁膜を開口除去するパタンの形成、走査信号供給配
線２の層と映像信号供給配線５の層を層変換するための
第１絶縁膜３であるゲート絶縁膜を開口除去するパタン
の形成を同時に１回で行い、上記のフォトリソ工程のサ
イクル数を５回にし、全製造プロセスにおけるリードタ
イムを短縮することができ、全プロセスにおけるコスト
を削減することができる。
【００１９】このような構成の液晶表示装置のアレー基
板作成方法としては、まず、ガラス基板１上に走査信号
供給配線２をスパッタリング成膜法にて薄膜堆積を行
い、フォトリソ工程、エッチング工程にて走査信号供給
配線２のパターニングを行う。このような薄膜堆積、フ
ォトリソ工程、エッチング工程のパターニングを繰り返
すことにより、アモルファスシリコン半導体膜４、及び
映像信号供給配線５及びドレイン電極１１及び画素電極
７を形成する。
【００２０】このように、配線変換部における走査信号
供給配線２の表面開口除去を、第２絶縁膜６の堆積以降
に第１絶縁膜３と第２絶縁膜６とを同時に行い、走査信
号供給配線２と映像信号供給配線５は、画素電極７を介
して間接的に電気的接続がなされるように構成した液晶
表示装置では、走査信号供給配線２及び映像信号供給配
線５を実装配線するためにパッシベーション絶縁膜を開
口除去するためのパタンの形成、走査信号供給配線２の
層と映像信号供給配線５の層とを層変換するためにゲー
ト絶縁膜を開口除去するためのパタンの形成を同時に１
回で行って、上記のフォトリソサイクルを５回にするこ
とができる。
【００２１】その結果、アレープロセスにおいて、薄膜
堆積、フォトリソ工程、エッチング工程、その他洗浄工
程等の多くの工程が必要であったものを大幅に低減する
ことができ、アレープロセスリードタイムも大幅に短縮
することができるとともに、プロセスコストをも削減す
ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、走査信号
供給配線および映像信号供給配線を実装配線するために
第２の絶縁体層を開口除去するためのパタン形成、走査
信号供給配線の層と映像信号供給配線の層とを層変換す
るために第１の絶縁体層を開口除去するためのパタン形
成を同時に１回で行い、ＴＦＴアレープロセスにおける
フォトリソ工程のサイクル数を５回にするとともに、画
素電極の層を利用して走査信号供給配線層と映像信号供
給配線層との間を電気的に接続することができる。
【００２３】そのため、 ＴＦＴアレープロセスにおけ
るフォトリソ工程のサイクル数を低減し、その工程を含
む全体のプロセスリードタイムを短縮することができ、
ＴＦＴアレーの全製造プロセスにおけるコストを削減す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示装置およびその
製造方法を示す断面構成図
【図２】従来の液晶表示装置およびその製造方法を示す
断面構成図
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 走査信号供給配線（ゲート電極） ３ 第１絶縁膜 ４ アモルファスシリコン半導体膜 ５ 映像信号供給配線（ソース電極） ６ 第２絶縁膜 ７ 画素電極 ８ （画素電極／映像信号供給配線間）コンタクトホ
ールパタン ９ （画素電極／走査信号供給配線間）コンタクトホ
ールパタン １０ （映像信号供給配線／走査信号供給配線間）コ
ンタクトホールパタン １１ ドレイン電極
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Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を用いて画面上に画像表示する表示
    装置であって、対向する絶縁性透明基板間に前記液晶を
    挟持し、その液晶を表示画像に対応する走査信号および
    映像信号により駆動して、前記画面上に画像表示する液
    晶表示装置において、前記画像表示のための複数の画素
    が前記絶縁性透明基板上にマトリクス状に配列されたア
    レー部分の構成要素として、少なくとも、前記画素毎に
    対応してマトリクス状に配列された複数の画素電極と、
    前記画素電極毎に対応して配列された薄膜トランジスタ
    からなる複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッ
    チング素子の各ゲート電極に前記走査信号を供給する複
    数の走査信号供給配線と、前記複数のスイッチング素子
    の各ソース電極およびドレイン電極を介して前記画素電
    極に前記映像信号を供給する複数の映像信号供給配線
    と、前記複数の走査信号供給配線上に積層して前記複数
    のスイッチング素子のゲート電極に対する絶縁膜となる
    第１の絶縁体層と、前記複数の映像信号供給配線上に積
    層して前記複数のスイッチング素子に対する保護膜とな
    る第２の絶縁体層とを備え、前記画素電極を、その一部
    が、映像信号供給配線と第２の絶縁体層に形成されたコ
    ンタクトホールパタンを介して電気的に導通し、かつ走
    査信号供給配線と第１および第２の絶縁体層に形成され
    たコンタクトホールパタンを介して電気的に導通するよ
    う形成し、前記走査信号および映像信号による前記スイ
    ッチング素子のオンオフにより、前記画素電極を通じて
    前記液晶を駆動し画像表示することを特徴とする液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】 第１の絶縁体層が、半導体層を含む積層
    構造であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
    置。
  3. 【請求項３】 第２の絶縁体層が、アクリル樹脂、ポリ
    イミド、ポリアミド、ポリカーボネート等の透明樹脂
    か、これらを含む積層構造であることを特徴とする請求
    項１または請求項２記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 液晶を用いて画面上に画像表示する表示
    装置であって、対向する絶縁性透明基板間に前記液晶を
    挟持し、その液晶を表示画像に対応する走査信号および
    映像信号により複数のスイッチング素子をオンオフして
    画素電極を通じて駆動し、前記画面上に画像表示する液
    晶表示装置の製造方法において、前記画像表示のための
    複数の画素が前記絶縁性透明基板上にマトリクス状に配
    列されたアレー部分の前記複数のスイッチング素子を含
    む構成要素の形成工程として、少なくとも、前記複数の
    スイッチング素子の各ゲート電極に走査信号を供給する
    複数の走査信号供給配線および前記各ゲート電極となる
    ゲートダミー配線を選択エッチングして形成する第１の
    工程と、前記複数のスイッチング素子の各チャンネル部
    を規定する第２の工程と、前記複数のスイッチング素子
    の各ソース電極およびドレイン電極を介して前記画素電
    極に前記映像信号を供給する複数の映像信号供給配線、
    および前記各ソース電極となるソースダミー配線を選択
    エッチングして形成する第３の工程と、前記複数の走査
    信号供給配線上に積層して前記複数のスイッチング素子
    のゲート電極に対する絶縁膜、および前記複数の映像信
    号供給配線上に積層して前記複数のスイッチング素子に
    対する保護膜となる各絶縁体層を選択エッチングし、前
    記複数の走査信号供給配線および複数の映像信号供給配
    線を同時に表面に開口する第４の工程と、前記画素電極
    を選択エッチングして形成する第５の工程と、前記走査
    信号供給配線または映像信号供給配線のいずれか一方の
    層で実装端子を形成し、その上に前記画素電極の層を積
    層し、その上に異方性導電膜等の導電膜を用いて圧着実
    装する第６の工程とを有し、前記第１から第６の工程
    を、その順序で実行することを特徴とする液晶表示装置
    の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9733532B2 (en) 2014-05-27 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method of manufacturing thin film transistor

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
GB0126720D0 (en) * 2001-11-07 2002-01-02 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix pixel device
KR100525437B1 (ko) * 2002-04-19 2005-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TWI358053B (en) 2002-12-06 2012-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device having a thin film t
KR100965175B1 (ko) * 2002-12-06 2010-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는액정표시장치
CN100403359C (zh) * 2003-07-10 2008-07-16 友达光电股份有限公司 具有备用信号线的薄膜电晶体阵列及其制作方法
TWI282001B (en) * 2003-09-19 2007-06-01 Sharp Kk Active substrate, display apparatus and method for producing display apparatus
JP2005215275A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Quanta Display Japan Inc 液晶表示装置とその製造方法
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
CN101359669B (zh) * 2007-07-31 2010-06-16 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04333828A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Sony Corp 液晶表示装置
JPH05243333A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Nec Corp 薄膜電界効果型トランジスタ基板
JP3239504B2 (ja) * 1993-01-13 2001-12-17 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
JP2755376B2 (ja) * 1994-06-03 1998-05-20 株式会社フロンテック 電気光学素子の製造方法
JPH09113932A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Fujitsu Ltd 配線基板とその製造方法
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JP3152193B2 (ja) * 1996-12-18 2001-04-03 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
KR100552286B1 (ko) * 1998-05-29 2006-05-11 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9733532B2 (en) 2014-05-27 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method of manufacturing thin film transistor

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