JP2000068531A - 光半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ側壁から光信号を伝達する事によ
り薄形化し、且つ反射面とレンズとの組み合わせにより
集光効率を増大した、光半導体装置を得る。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２
５とする。受光素子２の上部に反射面２７を形成し、封
止体の側面２５ｂにレンズ２８を形成する。信号光６が
レンズ２８から入射し、反射面２７で反射して受光素子
２のホトダイオード部ＰＤに到達する。更に、反射面２
７、レンズ２８共に円筒形状の曲面に形成して、光信号
６を集光する。
り薄形化し、且つ反射面とレンズとの組み合わせにより
集光効率を増大した、光半導体装置を得る。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２
５とする。受光素子２の上部に反射面２７を形成し、封
止体の側面２５ｂにレンズ２８を形成する。信号光６が
レンズ２８から入射し、反射面２７で反射して受光素子
２のホトダイオード部ＰＤに到達する。更に、反射面２
７、レンズ２８共に円筒形状の曲面に形成して、光信号
６を集光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光素子を、また
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
【０００３】ＩｒＤＡ通信を利用するためには、接続す
べき両方の機器に、赤外線信号を発する発光素子と、赤
外線信号を受ける受光素子とを備える必要がある。発光
素子と受光素子とは、それぞれ別個のパッケージとして
電子機器に組み込まれる場合もあるし、両者が１つのパ
ッケージに収納されたモジュールとして供給される場合
もある。
べき両方の機器に、赤外線信号を発する発光素子と、赤
外線信号を受ける受光素子とを備える必要がある。発光
素子と受光素子とは、それぞれ別個のパッケージとして
電子機器に組み込まれる場合もあるし、両者が１つのパ
ッケージに収納されたモジュールとして供給される場合
もある。
【０００４】図５に、発光素子と受光素子とを１つのパ
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
【０００５】半導体チップで提供された受光素子２のホ
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
【０００７】一方、図６に示すようにリードを折り曲げ
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、光信号が透過可能なる封止体の内部に、前
記光信号を電気信号に変換する受光素子を封止した光半
導体装置において、前記受光ダイオードの上部の前記封
止体に、前記封止体の側面から入射した光信号を反射し
て前記受光ダイオードに到達させる反射面を形成し、前
記光信号が入射する封止体の側面に凸状のレンズを形成
し、前記反射面と前記凸状のレンズとを組み合わせるこ
とで、前記受光素子の表面に対して垂直方向の集光と水
平方向の集光とを行うことを特徴とするものである。
みて成され、光信号が透過可能なる封止体の内部に、前
記光信号を電気信号に変換する受光素子を封止した光半
導体装置において、前記受光ダイオードの上部の前記封
止体に、前記封止体の側面から入射した光信号を反射し
て前記受光ダイオードに到達させる反射面を形成し、前
記光信号が入射する封止体の側面に凸状のレンズを形成
し、前記反射面と前記凸状のレンズとを組み合わせるこ
とで、前記受光素子の表面に対して垂直方向の集光と水
平方向の集光とを行うことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照しながら、詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）は本発明の構造を示す平面図、
図１（Ｂ）はＡＡ線断面図、図２は主要部分を示す斜視
図である。
を図面を参照しながら、詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）は本発明の構造を示す平面図、
図１（Ｂ）はＡＡ線断面図、図２は主要部分を示す斜視
図である。
【００１０】これらの図中、２１は受光素子２を搭載す
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
【００１１】受光素子２は、半導体チップとして提供さ
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッドが形成さ
れ、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドとリー
ド２３とが接続されている。
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッドが形成さ
れ、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドとリー
ド２３とが接続されている。
【００１２】発光素子３は、例えば波長８７０ｎｍの赤
外光を発光するＬＥＤダイオードチップである。ＬＥＤ
はチップの全体で発光し、全方位に光が発散する素子で
ある。そのため、チップを固着するアイランド２２を円
錐形の「お椀」のような形状に加工し、アイランド２２
の中心部に固着した発光素子３からの光信号６をアイラ
ンド２２の傾斜した側壁で上方向に反射させ、光を集め
るような構造としている。前記アイランド２２はアノー
ドまたはカソードの一方の端子となり、チップ表面に形
成した電極パッドが他方の端子となる。他方の端子とな
る電極パッドは、ボンディングワイヤ２４により所定の
箇所に接続されている。
外光を発光するＬＥＤダイオードチップである。ＬＥＤ
はチップの全体で発光し、全方位に光が発散する素子で
ある。そのため、チップを固着するアイランド２２を円
錐形の「お椀」のような形状に加工し、アイランド２２
の中心部に固着した発光素子３からの光信号６をアイラ
ンド２２の傾斜した側壁で上方向に反射させ、光を集め
るような構造としている。前記アイランド２２はアノー
ドまたはカソードの一方の端子となり、チップ表面に形
成した電極パッドが他方の端子となる。他方の端子とな
る電極パッドは、ボンディングワイヤ２４により所定の
箇所に接続されている。
【００１３】各アイランド２１、２２に固着された発光
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて赤
外光あるいは紫外光に対して透明な樹脂でトランスファ
ーモールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体
２５の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体
２５表面と同一平面を成して露出する。リード２３は封
止体２５の一側面２５ａの中間から外部に導出され、表
面実装用途に適するように、Ｚ字型に折り曲げられてい
る。
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて赤
外光あるいは紫外光に対して透明な樹脂でトランスファ
ーモールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体
２５の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体
２５表面と同一平面を成して露出する。リード２３は封
止体２５の一側面２５ａの中間から外部に導出され、表
面実装用途に適するように、Ｚ字型に折り曲げられてい
る。
【００１４】而して、受光素子２のホトダイオード部分
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた溝２６を形成し、溝２
６の側壁によって反射面２７を構成している。また、封
止体２５の他の側面２５ｂには、凸状のレンズ２８を形
成している。反射面２７と凸状のレンズ２８の近傍を図
２に示した。
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた溝２６を形成し、溝２
６の側壁によって反射面２７を構成している。また、封
止体２５の他の側面２５ｂには、凸状のレンズ２８を形
成している。反射面２７と凸状のレンズ２８の近傍を図
２に示した。
【００１５】図２を参照して、反射面２７は、受光素子
２のホトダイオード部分ＰＤの表面か或いはそれよりも
やや深い位置に焦点を持つような略円筒形の凹曲面（封
止体２５の内部から観測して）としており、受光素子２
の表面に対して水平方向（図示ｘ方向）に延在する中心
線２９と半径ｒ１を持つ様な形状で加工されている。こ
の凹曲面は、封止体２５をトランスファーモールドする
際に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておく
ことによって形成するか、あるいは完成後に封止体２５
の表面を削ることで形成される。
２のホトダイオード部分ＰＤの表面か或いはそれよりも
やや深い位置に焦点を持つような略円筒形の凹曲面（封
止体２５の内部から観測して）としており、受光素子２
の表面に対して水平方向（図示ｘ方向）に延在する中心
線２９と半径ｒ１を持つ様な形状で加工されている。こ
の凹曲面は、封止体２５をトランスファーモールドする
際に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておく
ことによって形成するか、あるいは完成後に封止体２５
の表面を削ることで形成される。
【００１６】そして、反射面２７は、封止体２５の他の
側面２５ｂから導入させた光信号６を、反射させて受光
素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達させる役割を果
たす。この時、反射面２７をパラボラ状にすることによ
って、より多くの光信号６をホトダイオード部分ＰＤの
表面に集光する。反射面２７は受光素子２の表面に対し
て垂直方向（ｚ方向）に光信号６を集光する役割を果た
す。これは図１（Ｂ）に矢印で記載した光信号６の経路
からも明瞭に理解される。
側面２５ｂから導入させた光信号６を、反射させて受光
素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達させる役割を果
たす。この時、反射面２７をパラボラ状にすることによ
って、より多くの光信号６をホトダイオード部分ＰＤの
表面に集光する。反射面２７は受光素子２の表面に対し
て垂直方向（ｚ方向）に光信号６を集光する役割を果た
す。これは図１（Ｂ）に矢印で記載した光信号６の経路
からも明瞭に理解される。
【００１７】一方、封止体２５の他の側面２５ｂに形成
したレンズ２８は、反射面２７での反射を考慮した上
で、受光素子２のホトダイオード部分ＰＤの表面か或い
はそれよりもやや深い位置に焦点を持つような略円筒形
の凸曲面（装置の外部から観測して）とほぼ垂直な側壁
を有しており、受光素子２の表面に対して垂直方向（図
示ｚ方向）に延在する中心線３０と半径ｒ２を持つ様な
形状で加工されている。この凸曲面は、封止体２５を樹
脂封止する際に、封止体２５と一体化するように形成す
るのが簡便である。
したレンズ２８は、反射面２７での反射を考慮した上
で、受光素子２のホトダイオード部分ＰＤの表面か或い
はそれよりもやや深い位置に焦点を持つような略円筒形
の凸曲面（装置の外部から観測して）とほぼ垂直な側壁
を有しており、受光素子２の表面に対して垂直方向（図
示ｚ方向）に延在する中心線３０と半径ｒ２を持つ様な
形状で加工されている。この凸曲面は、封止体２５を樹
脂封止する際に、封止体２５と一体化するように形成す
るのが簡便である。
【００１８】そして、レンズ２８は、封止体２５の他の
側面２５ｂから導入させた光信号６を、受光素子２の表
面に沿って水平方向（図示ｘ方向）に光信号６を集光す
る役割を果たす。即ち、受光素子２の表面と水平な面に
沿って光を集めるのである。これは図１（Ａ）に矢印で
記載した光信号６の経路からも明瞭に理解される。
側面２５ｂから導入させた光信号６を、受光素子２の表
面に沿って水平方向（図示ｘ方向）に光信号６を集光す
る役割を果たす。即ち、受光素子２の表面と水平な面に
沿って光を集めるのである。これは図１（Ａ）に矢印で
記載した光信号６の経路からも明瞭に理解される。
【００１９】これらの反射面２７と凸曲面２８とによ
り、より多くの光信号５を集光してホトダイオードＰＤ
に入射することができる。この事は、光信号６の受信感
度を増大し、伝搬距離を増大することを意味する。加え
て、垂直方向の集光機能を反射面２７に持たせること
で、レンズ２８には水平方向の集光機能だけを分担させ
る事が可能となる。従って、レンズ２８を円筒形状に加
工することで、同一投影面積に球体レンズを設けた場合
と比較しても光信号６を入射できる表面積を増大できる
利点を有する。
り、より多くの光信号５を集光してホトダイオードＰＤ
に入射することができる。この事は、光信号６の受信感
度を増大し、伝搬距離を増大することを意味する。加え
て、垂直方向の集光機能を反射面２７に持たせること
で、レンズ２８には水平方向の集光機能だけを分担させ
る事が可能となる。従って、レンズ２８を円筒形状に加
工することで、同一投影面積に球体レンズを設けた場合
と比較しても光信号６を入射できる表面積を増大できる
利点を有する。
【００２０】尚、反射面２７は、その境界における材料
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７とレンズ２８表面はそれより表面荒さが小さい鏡面
加工としている。反射面２７に関しては、反射率を向上
するために、その表面を遮光性の金属被膜などで覆って
も良い。
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７とレンズ２８表面はそれより表面荒さが小さい鏡面
加工としている。反射面２７に関しては、反射率を向上
するために、その表面を遮光性の金属被膜などで覆って
も良い。
【００２１】更に、凸状のレンズ２８は、上下金型から
の樹脂の剥離性を考慮して、その側壁に１〜５度のテー
パ角度を持たせても良い。このテーパ角度θは、リード
２３の位置を中心として上方向にも下方向にも設けるも
ので、図１（Ａ）、図１（Ｂ）の記載からも明瞭に理解
される。
の樹脂の剥離性を考慮して、その側壁に１〜５度のテー
パ角度を持たせても良い。このテーパ角度θは、リード
２３の位置を中心として上方向にも下方向にも設けるも
ので、図１（Ａ）、図１（Ｂ）の記載からも明瞭に理解
される。
【００２２】上記の受光素子２に対して、発光素子３側
にも同様に反射面４０と凸状のレンズ４１を配置する。
受光素子２側とはその曲率などの設計を異ならせるため
に各々別個に設けてある。発光素子３から発光された信
号光６を反射面４０で反射し、レンズ４１を介して封止
体２５の側壁２５ｂから外部に出射する機能を有し、且
つ、反射面４０で垂直方向の集光を、レンズ４１で水平
方向の集光を行ってある程度の方向性を持たせという、
受光素子２側と同様の機能を持っている。反射面４０と
レンズ４１とで信号光６を集光することにより、信号光
６の伝搬距離を増大できる。
にも同様に反射面４０と凸状のレンズ４１を配置する。
受光素子２側とはその曲率などの設計を異ならせるため
に各々別個に設けてある。発光素子３から発光された信
号光６を反射面４０で反射し、レンズ４１を介して封止
体２５の側壁２５ｂから外部に出射する機能を有し、且
つ、反射面４０で垂直方向の集光を、レンズ４１で水平
方向の集光を行ってある程度の方向性を持たせという、
受光素子２側と同様の機能を持っている。反射面４０と
レンズ４１とで信号光６を集光することにより、信号光
６の伝搬距離を増大できる。
【００２３】この様に、光信号６の伝達経路を折り曲げ
ることによって、係る装置をプリント基板上に表面実装
した時に、封止体２５の側面２５ｂから光信号６を伝搬
することができ、これによってプリント基板全体の高さ
を低く抑えることができ、電子機器の薄形化を推進する
ことができる。
ることによって、係る装置をプリント基板上に表面実装
した時に、封止体２５の側面２５ｂから光信号６を伝搬
することができ、これによってプリント基板全体の高さ
を低く抑えることができ、電子機器の薄形化を推進する
ことができる。
【００２４】尚、光半導体装置としては、受光素子２と
発光素子３の両方を封止した構造の他、どちらか一方を
封止した装置であっても良い。
発光素子３の両方を封止した構造の他、どちらか一方を
封止した装置であっても良い。
【００２５】図３に、本発明の第２の実施の形態を示し
た。反射面２７を得るための構成として溝２６を設けた
ものではなく、反射面２７を形成した部分を凸状に突起
させたものである。また、反射面２７と反射面４０とを
分離せずに連続した１つの湾曲面で構成しても良い。先
の実施の形態と同じ箇所に同じ符号を伏して説明を省略
する。
た。反射面２７を得るための構成として溝２６を設けた
ものではなく、反射面２７を形成した部分を凸状に突起
させたものである。また、反射面２７と反射面４０とを
分離せずに連続した１つの湾曲面で構成しても良い。先
の実施の形態と同じ箇所に同じ符号を伏して説明を省略
する。
【００２６】図４に、本発明の第３の実施の形態を示し
た。反射面２７とレンズ２８の機能を逆にしたもので、
反射面２７が水平方向（ｘ方向）の集光を行い、レンズ
２８が垂直方向（ｚ方向）の集光を行うように構成した
ものである。先の実施の形態と同じ箇所に同じ符号を伏
して説明を省略する。
た。反射面２７とレンズ２８の機能を逆にしたもので、
反射面２７が水平方向（ｘ方向）の集光を行い、レンズ
２８が垂直方向（ｚ方向）の集光を行うように構成した
ものである。先の実施の形態と同じ箇所に同じ符号を伏
して説明を省略する。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２５
ｂから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２５の全体の高
さを小さくできるので、プリント基板に実装したときに
大幅な薄形化を実現できるものである。
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２５
ｂから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２５の全体の高
さを小さくできるので、プリント基板に実装したときに
大幅な薄形化を実現できるものである。
【００２８】また、反射面２７で垂直方向の集光を、レ
ンズ２８で水平方向の集光を行うというように、各々の
機能を分離することで、レンズ２８の表面積を増大し、
集光できる光信号６の量を増大して装置の感度を増大で
きる利点をも有する。
ンズ２８で水平方向の集光を行うというように、各々の
機能を分離することで、レンズ２８の表面積を増大し、
集光できる光信号６の量を増大して装置の感度を増大で
きる利点をも有する。
【図１】第１の実施の形態を説明する（Ａ）平面図、
（Ｂ）断面図である。
（Ｂ）断面図である。
【図２】第１の実施の形態を説明する斜視図である。
【図３】第２の実施の形態を説明する（Ａ）平面図、
（Ｂ）断面図である。
（Ｂ）断面図である。
【図４】第３の実施の形態を説明する斜視図である。
【図５】従来例を説明する斜視図である。
【図６】従来例を説明する斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 国井 秀雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高田 清 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA01 AA06 CB32 DA26 DA55 DA57 EE21 5F088 AA03 BA20 EA09 JA02 JA06 JA11 JA12
Claims (8)
- 【請求項１】 光信号が透過可能なる封止体の内部に、
前記光信号を電気信号に変換する受光素子を封止した光
半導体装置において、 前記受光素子の上部に、前記封止体の側面から入射した
光信号を反射して前記受光ダイオードに到達させる反射
面を形成し、 前記光信号が入射する封止体の側面に凸状のレンズを形
成し、 前記反射面と前記凸状のレンズとを組み合わせること
で、前記受光素子の表面に対して垂直方向の集光と水平
方向の集光とを行うことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記反射面が円筒形の凹曲面であり、前
記レンズが円筒形の凸曲面であることを特徴とする請求
項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記反射面が前記垂直方向の集光を行
い、前記凸状のレンズが前記水平方向の集光を行うこと
を特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記反射面が前記水平方向の集光を行
い、前記凸状のレンズが前記垂直方向の集光を行うこと
を特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 前記反射面が前記封止体の樹脂表面で形
成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体
装置。 - 【請求項６】 前記反射面が前記封止体の表面に形成し
た溝の内壁で形成されていることを特徴とする請求項５
記載の光半導体装置。 - 【請求項７】 前記凸状のレンズが前記封止体と一体化
した樹脂により形成されていることを特徴とする請求項
１記載の光半導体装置。 - 【請求項８】 光信号が透過可能なる封止体の内部に、
電気信号から光信号を発する発光素子を封止した光半導
体装置において、 前記発光素子の上部に、前記発光素子から発光された光
信号を前記発光素子に対して水平方向に反射させる反射
面を形成し、 前記光信号が出射する封止体の側面に凸状のレンズを形
成し、 前記反射面と前記凸状のレンズとを組み合わせること
で、前記発光素子の表面に対して垂直方向の集光と水平
方向の集光とを行うことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240698A JP2000068531A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240698A JP2000068531A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068531A true JP2000068531A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17063380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10240698A Pending JP2000068531A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015057866A (ja) * | 2009-09-11 | 2015-03-26 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| US9458982B2 (en) | 2009-09-11 | 2016-10-04 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP10240698A patent/JP2000068531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015057866A (ja) * | 2009-09-11 | 2015-03-26 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| US9458982B2 (en) | 2009-09-11 | 2016-10-04 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10084117B2 (en) | 2009-09-11 | 2018-09-25 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device |
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