JP2000039615A - 液晶電気光学装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 輝度の向上とラビング筋の低減化とを共に実
現する。 【解決手段】 画素電極１の周囲部１aを、基板からの
傾斜角が８５度の高プレティルト領域２とする。一方、
中央部１bを、上記傾斜角が８８度の低プレティルト領
域３とする。こうして、段差や横方向電界の影響でドメ
インが発生し易い画素電極１の周囲部１aでは、液晶分
子の基板法線からの傾きを大きくしてドメイン領域を減
少させ、画素の輝度を向上させる。一方、平坦でドメイ
ンが発生しにくい画素電極１の中央部１bでは、液晶分
子の基板法線からの傾きを小さくしてラビング筋が入り
にくくする。こうして、輝度向上とラビング筋の低減化
とを図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置や情報
処理装置等に用いられる液晶の電気光学特性を利用する
液晶電気光学装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述のような液晶電気光学装置を構成す
る液晶電気光学素子の動作モードの一つとして、負の誘
電異方性を有する液晶分子を液晶電気光学素子の基板
(以下、単に基板と言う)に垂直に配向させる垂直(ホメ
イトロピック)配向がある。この垂直配向では、液晶を
挟持する基板間に電圧を印加すると、液晶分子は上記基
板に対して平行な方向に向かって傾く。

【０００３】ところで、上記垂直配向では、上記液晶分
子が傾く方向が不定となり易い。それは、上記基板の面
内方向が総て等価となってしまうためである。そこで、
電圧を印加しない状態で、液晶分子を基板法線方向から
基板面内の一方向に向けて少し傾ける(プレティルトさ
せる)配向が提案されている。液晶分子が基板法線に対
して一定の方向にプレティルト角を持てば、電圧印加時
に液晶分子が傾く方向が定まることになる。このよう
に、液晶分子に基板法線方向からある面内方向に向かっ
て一定のプレティルト角を与える方法として、以下のよ
うな方法が知られている。

【０００４】(１) 基板表面に、配向制御層として、液
晶分子が基板に対して垂直な配向性を有する垂直配向膜
(例えば、ＪＳＲ社製：ＪＡＬＳ-２０３等の側鎖を持つ
ポリイミド)を塗布する。その後、ラビング法を用いて
上記垂直配向膜でなる配向制御層の表面に一軸配向処理
を行う。これによって、電圧印加時に液晶分子が倒れる
方向を一方向に揃えることが可能である。ところが、ラ
ビング法等の一軸配向処理には、液晶電気光学素子面内
の一軸配向性や基板面から液晶分子が立ち上がるプレテ
ィルト角の面内均一性に多少のばらつきがあり、ラビン
グ筋が生じ易い。

【０００５】(２) 紫外線に感応する垂直配向膜材料
（例えば、日産化学工業製：ＳＥ-１２１１)の膜に斜め
方向から紫外線を照射すると、基板法線方向から傾いた
方向に一定の指向性を有する配向膜が得られることが確
認されている。また、負の誘電異方性を有する液晶材料
(メルク社製：ＭＬＣ-２０１２)および垂直配向膜材料
（日産化学工業製：ＲＮ-７８３)を用いた際に、紫外線
照射条件と達成されるプレティルト角度とに密接な関係
があることが確認されており、紫外線照射時間・角度等
の変化によって所望のプレティルト角度の設定が可能で
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の垂直配向の液晶電気光学素子を有する液晶電気光学
装置では、通常、全基板領域において、液晶分子に基板
法線方向からある面内方向に向かって一定のプレティル
ト角を付与した際に、基板面の段差や電極間の横方向電
界が液晶の傾斜方向に影響を及ぼして配向ベクトルが不
均一になり易い。そのために、配向ベクトルが互いに異
なる領域の境界線上に白表示中の画素に黒の部分(ドメ
イン)が生ずる。

【０００７】したがって、低プレティルト採用時には、
液晶分子の基板法線からの傾きが小さいためにドメイン
として現れる領域(以下、ドメイン領域と言う)が大きく
なって、輝度が低下してしまうという問題がある。一方
において、高プレティルト採用時には、液晶分子の基板
法線からの傾きが大きいためにドメイン領域が減少して
輝度は向上するのではあるが、ラビング筋が目立つこと
になるという問題がある。

【０００８】そこで、この発明の目的は、輝度の向上と
ラビング筋の低減化とを共に実現可能な液晶電気光学装
置およびその液晶電気光学装置の製造方法を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、互いに対向して液晶を挟持
する２枚の基板上に,少なくとも電極と配向膜が形成さ
れている液晶電気光学装置において、上記配向膜は,上
記液晶分子を同一方向にプレティルトさせて配向させる
機能を有すると共に,上記電極上における所定領域に形
成されて上記液晶分子の基板法線からのプレティルト角
度を所定角度にする第１配向膜と,上記電極上における
上記所定領域以外の領域に形成されて上記液晶分子の基
板法線からのプレティルト角度を上記所定角度とは異な
る所定角度にする第２配向膜とで構成されていることを
特徴としている。尚、上記第１配向膜と第２配向膜と
は、同一配向膜における異なるプレティルト角度の領域
をも含む概念である。

【００１０】上記構成によれば、液晶に電界を印加する
電極上における所定領域に形成される第１配向膜のプレ
ティルト角度と、上記電極上における上記所定領域以外
の領域に形成される第２配向膜のプレティルト角度とは
異なる。そのために、上記所定領域を上記電極の周囲部
とし、この周囲部における第１配向膜のプレティルト角
度を上記周囲部以外の中央部における第２配向膜のプレ
ティルト角度よりも大きくすることによって、ドメイン
が発生し易い電極周囲部における液晶分子の基板法線か
らの角度が大きくなり、上記ドメイン領域が狭まって輝
度が向上する。一方、上記ドメインが発生し難い電極中
央部における上記液晶分子の基板法線からの角度が小さ
くなって、ラビング筋が目立たなくなる。こうして、輝
度の向上とラビング筋の低減化とが図られる。

【００１１】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明の液晶電気光学装置において、上記第１配向膜
が形成される上記電極上における所定領域は,上記電極
の周囲部であり、上記第１配向膜が定める上記所定角度
は,上記第２配向膜が定める上記所定角度よりも大きな
角度であることを特徴としている。

【００１２】上記構成によれば、上記電極の周囲部にお
ける第１配向膜のプレティルト角度が、上記電極の中央
部における第２配向膜のプレティルト角度よりも大きく
設定される。その結果、上記ドメインが発生し易い電極
周囲部における液晶分子の基板法線からの角度が大きく
なり、上記ドメイン領域が狭まって輝度が向上する。一
方、上記ドメインが発生し難い電極中央部における上記
液晶分子の基板法線からの角度が小さくなって、ラビン
グ筋が目立たなくなる。こうして、輝度の向上とラビン
グ筋の低減化とが図られる。

【００１３】また、請求項３に係る発明は、請求項２に
係る発明の液晶電気光学装置において、上記第１配向膜
は、上記電極の周囲部のうち、少なくとも、上記液晶分
子にプレティルトを与える側に位置する周囲部に形成さ
れることを特徴としている。

【００１４】この発明によれば、上記ドメイン領域を減
少させる機能およびラビング筋を目立たなくする機能が
的確に発揮されて、各画素の輝度の向上とラビング筋の
低減化とが効果的に図られる。

【００１５】また、請求項４に係る発明は、請求項１に
係る発明の液晶電気光学装置において、上記第１配向膜
および第２配向膜の少なくとも一方は、紫外線照射によ
ってプレティルト角度が制御可能な配向膜であることを
特徴としている。

【００１６】上記構成によれば、上記第１配向膜および
第２配向膜の少なくとも一方におけるプレティルト角度
の設定は、ラビング等の物理的処理に因らずに紫外線照
射によって簡単に行われる。さらに、上記ラビングによ
るプレティルト角度の設定と組み合わせることによっ
て、１つの配向膜で複数種のプレティルト角度が設定で
きる。

【００１７】また、請求項５に係る発明は、請求項４に
係る発明の液晶電気光学装置において、上記紫外線照射
によってプレティルト角度が制御可能な配向膜は、ポリ
イミド,ポリアミド,ポリアミドイミドもしくはポリシロ
キサンのうち、少なくとも１種の構造を構成単位に含ん
でいることを特徴としている。

【００１８】上記構成によれば、上記紫外線照射によっ
てプレティルト角度が制御可能な最適な配向膜が容易に
得られる。

【００１９】また、請求項６に係る発明は、請求項１に
係る発明の液晶電気光学装置において、上記配向膜は
０.１度以上２０度未満のプレティルト角度を有すると
共に、第１配向膜のプレティルト角度と上記第２配向膜
のプレティルト角度とは０.１度以上の角度差を有して
いることを特徴としている。

【００２０】上記構成によれば、上記配向膜は、０.１
度以上のプレティルト角度を有しているために、液晶分
子はプレティルトが与えられている方向に均一に動作す
る。さらに、２０度未満のプレティルト角度を有してい
るために、コントラスト低下等の表示品位の低下が防止
される。また、第１,第２配向膜のプレティルト角の差
が１度以上であるために、上記輝度の向上とラビング筋
の低減化とが効果的に図られる。

【００２１】また、請求項７に係る発明は、請求項１に
係る発明の液晶電気光学装置の製造方法であって、上記
第１配向膜および第２配向膜の少なくとも一方として,
紫外線照射によってプレティルト角度が制御可能な配向
膜を塗布し、この紫外線照射によってプレティルト角度
が制御可能な配向膜に対するプレティルト角度の設定
は,上記電極上における所定領域またはこの所定領域以
外の領域に対する選択的な紫外線照射によっておこなう
ことを特徴としている。

【００２２】上記構成によれば、上記第１配向膜および
第２配向膜の少なくとも一方におけるプレティルト角度
の設定は、ラビング等の物理的処理に因らずに紫外線照
射によって容易に行われる。

【００２３】また、請求項８に係る発明は、請求項７に
係る発明の液晶電気光学装置の製造方法において、上記
照射される紫外線は自然光の紫外線であることを特徴と
している。

【００２４】上記構成によれば、上記紫外線照射による
プレティルト角度の設定が、自然光の紫外線によって容
易に且つ安価に行われる。

【００２５】また、請求項９に係る発明は、請求項７に
係る発明の液晶電気光学装置の製造方法において、上記
照射される紫外線は、直線偏光あるいは楕円偏光した紫
外線であることを特徴としている。

【００２６】上記構成によれば、上記配向膜に与えるプ
レティルトの方向に偏光した直線偏光あるいは楕円偏光
の紫外線を照射することによって、紫外線の照射エネル
ギーが請求項９に比して約半分になる。

【００２７】また、請求項１０に係る発明は、請求項７
に係る発明の液晶電気光学装置の製造方法において、上
記紫外線の照射は、上記配向膜形成時,あるいは,上記配
向膜が形成された上記２枚の基板を対向させて貼り合わ
せた後に行うことを特徴としている。

【００２８】上記構成によれば、上記配向膜のプレティ
ルト角度を設定する際に行われる紫外線照射を上記配向
膜形成時に行うことによって、上記配向膜に対して十分
に紫外線が照射される。また、上記配向膜形成後の基板
を貼り合わせた後に行うことによって、上記電極上にお
ける所定領域とこの所定領域以外の領域とが精度よく設
定される。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の液晶
電気光学装置を構成する液晶電気光学素子における画素
電極部分の拡大模式図である。尚、図１(a)は平面図で
あり、図１(b)は図１(a)におけるＡ−Ａ矢視断面図であ
る。また、図２は、本実施の形態の液晶電気光学装置を
構成する液晶電気光学素子の縦断面図である。ここで、
図１に示す画素電極はアクティブマトリックス型液晶表
示素子の画素電極であり、図２に示す液晶電気光学素子
は単純マトリックス型液晶表示素子である。

【００３０】本実施の形態においては、図１に示すよう
に、液晶電気光学素子において、電極の縁等による段差
や電極間の横方向電界の影響によって配向ベクトルが不
均一であるためにドメインが発生し易い各画素電極１の
周囲部１aを、上記ドメイン領域が減少する高プレティ
ルト領域２とする。一方、平坦であって配向ベクトルが
均一であるためにドメインが発生し難い各画素電極１の
中央部１bを、ラビング筋が目立たない低プレティルト
領域３とする。こうすることによって、各画素の輝度の
向上とラビング筋の低減化とを図るのである。

【００３１】本実施の形態における液晶電気光学素子の
全体は、図２に示すような構造を有している。ガラス基
板等の第１透明基板１１上に、複数本の平行ストライプ
状電極１２が形成され、その上が垂直配向膜１３で覆わ
れている。同様に、第２透明基板１４上に、複数本の平
行ストライプ状電極１５が形成され、その上が垂直配向
膜１６で覆われている。そして、両透明基板１１,１４
は、互いに対向され、スペーサ２１によって所定間隔を
保持し、両電極１２,１５が互いに交差されて配設され
ている。尚、１７,１８はシール材であり、１９,２０は
偏向板であり、２２は液晶である。

【００３２】尚、本液晶電気光学素子を上記アクティブ
マトリックス型液晶表示素子とする場合には、第１透明
基板上の電極を１つのコモン電極とする一方、第２透明
基板上の電極を画素に対応してマトリックス状に配置さ
れた複数の画素電極とする。そして、第２透明基板上に
は、上記画素電極を駆動するアクティブマトリックス回
路を搭載する。

【００３３】図２において、上記垂直配向膜１３,１６
は、液晶分子を垂直に配向させる配向構造を有するもの
であり、紫外線に感応して液晶分子の基板法線からの傾
きを制御する性質を有する。本実施の形態においては、
日産化学工業製のＲＮ-７８３を使用する。この材料は
ポリイミド構造を有するが、他にポリアミド,ポリアミ
イミド,ポリシロキサン等の構造を有する材料を使用す
ることも可能である。

【００３４】上記垂直配向膜１３,１６は次のようにし
て形成される。尚、以下の説明では第１透明基板１１上
に垂直配向膜１３を形成する場合で代表して説明する
が、第２透明基板１４上に垂直配向膜１６を形成する場
合も同様である。先ず、第１透明基板(以下、単に基板
という)１１上に垂直配向膜１３を塗布した後ラビング
処理を行って、基板１１の全表面に基板１１からの傾斜
角が８８度のプレティルト角度を得る。その後、基板１
１全体を個々の電極１２の周囲に相当する個所に開口部
を設けたマスクで覆い、基板１１からの傾斜角が８５度
のプレティルト角度になるように紫外線照射を行う。照
射量は約２Ｊである。その結果、各電極１２の周囲部は
上記傾斜角が８５度の高プレティルト領域２に設定さ
れ、中央部は上記傾斜角が８８度の低プレティルト領域
３に設定されたマルチプレティルト型の液晶電気光学素
子２３が得られる。

【００３５】尚、本実施の形態においては、簡略化のた
めに無偏光の紫外線を照射するが、プレティルトを与え
る方向に偏光している直線偏光もしくはそれに近い楕円
偏光の紫外線を用いてもよい。その場合には、照射エネ
ルギーを約半分して同じ効果を得ることができ、垂直配
向膜１３に対するダメージを低減できる。また、上述の
ように、紫外線に感応してプレティルト角を制御可能な
垂直配向膜１３を使用すれば、両基板１１,１４を貼り
合わせた後に紫外線を照射することによって非常に容易
に照射精度を高めることが可能になる。したがって、マ
ルチプレティルト型液晶電気光学素子の作成上におい
て、かなり有利なものとなる。

【００３６】こうして上記垂直配向膜１３,１６が形成
された第１,第２透明基板１１,１４の一方には直径４.
５μmのスペーサ２１を散布し、他方の表示領域周囲に
はシール材１７,１８を塗布し、ラビング方向が互いに
逆方向になるように両透明基板１１,１４を貼り合わせ
る。そして、両透明基板１１,１４内に液晶２２を注入
した後、注入口を封止する。その後、液晶２２が等方相
になる温度以上まで加熱した後冷却し、両面に偏光板１
９,２０を貼り付けて液晶電気光学素子２３が完成す
る。尚、その場合、偏光板１９,２０の透過軸がラビン
グ方向に対して略４５度の角度になるようにする。

【００３７】尚、こうして得られる液晶電気光学素子２
３は透過型であるが、反射型を採用する場合には図３に
示すようにする。すなわち、上述の透過型の液晶電気光
学素子２３の場合と同様にして、液晶３１を注入して加
熱冷却して液晶電気光学素子３２を形成する。そして、
この液晶電気光学素子３２における一面側の外側に、光
源３６からの入射光の偏光軸と出射光の偏光軸とが直交
するような偏光ビームスプリッタ３３を、上記両偏光軸
のうちの何れかが液晶電気光学素子３２の一方の透明基
板における一軸配向方位角と一致するように配置する。
さらに、他面側の外側に、アルミニウム鏡面を利用した
反射装置３４を配置する。尚、上記構成において、偏光
度が不足する場合には、液晶電気光学素子３２上におけ
る偏光ビームスプリッタ３３側に偏光板３５を挿入して
も差し支えない。

【００３８】上記構成を有する液晶電気光学素子は、以
下のような特性を有している。尚、以下の説明はアクテ
ィブマトリックス型液晶電気光学素子で説明するが、単
純マトリックス型液晶電気光学素子の場合でも同様の特
性を有する。表１に、画素電極１の周囲部１aおよび中
央部１bのプレティルト角度と、画素電極１の端からの
高プレティルト領域の幅ａと、透過率(輝度)との関係を
示す。尚、表中、「高プレティルト領域設定画素」は、
各画素電極１の両側(全周)に高プレティルト領域２を設
けるか各画素電極１の片側(半周)に高プレティルト領域
２を設けるかを示している。また、「ドメイン暗ピーク
の位置」は、左側の画素電極１との境界から計測したド
メイン暗ピークの位置までの距離である。また、図４に
は、画素電極部分の断面模式図を示す。尚、図４(a)は
画素電極１の両側(周囲部１a)に高プレティルト領域２
を設けた場合であり、図４(b)は画素電極１の片側に高
プレティルト領域２を設けた場合である。ここで、画素
電極１の片側に高プレティルト領域２を設ける場合に
は、画素電極１の周囲部１aのうち、液晶分子にプレテ
ィルトを与える側に位置する周囲部に設けるようにす
る。

【表１】

【００３９】表１より、上記画素電極１の端部に基板１
１,１４からの傾斜角が８５度の高プレティルト領域２
を設定することにより、基板１１,１４の全領域を基板
１１,１４からの傾斜角が８８度の低プレティルト領域
に設定する場合よりも透過率は上昇傾向を示した。これ
は、ドメイン領域の減少(４μm→２.１μm)によるもの
である。また、図４(a)に示すように、画素電極１の両
側に高プレティルト領域２を設けた方が、図４(b)に示
すように、画素電極１の片側のみに高プレティルト領域
２を設ける場合よりも透過率は上昇する。尚、基板１
１,１４の全領域を上記傾斜角が８５度の高プレティル
ト領域に設定した場合には、他の何れの場合よりも高い
透過率を示すが、点灯時に最も醜いラビング筋が見られ
た。

【００４０】尚、上記プレティルト角度は、少なくとも
０.１度は必要であり、この角度以下では液晶分子を一
定方向に均一に動作させることは困難である。一方、プ
レティルト角度が２０度以上ではコントラスト低下等の
表示品位の低下が大きく、現実的ではない。また、低プ
レティルト領域３と高プレティルト領域２とのプレティ
ルト角度の差は、少なくとも１度程度は必要である。そ
うでなければ、この発明の明確な効果を得ることは困難
である。

【００４１】上述のように、本実施の形態においては、
電極の縁等による段差や電極間の横方向電界の影響によ
って配向ベクトルが不均一であるためにドメインが発生
し易い電極１(１２,１５)の周囲部１aを、高プレティル
ト領域２とする。一方、平坦であって配向ベクトルが均
一であるためにドメインが発生し難い電極１(１２,１
５)の中央部１bを、低プレティルト領域３としている。
したがって、電極１(１２,１５)の周囲部１aでは、液晶
分子の基板法線からの傾きが大きいために、ドメイン領
域が減少されて各画素の輝度が向上する。一方、電極１
(１２,１５)の中央部１bでは、液晶分子の基板法線から
の傾きが小さいために、ラビング筋が入りにくい。その
結果、画素の輝度向上とラビング筋の低減化とが図られ
る。

【００４２】尚、上記実施の形態においては、上記基板
１１上に紫外線に感応する垂直配向膜１３を塗布した後
ラビング処理を行って基板１１からの傾斜角が８８度の
プレティルト角度を得る。その後、電極１２の周囲に開
口部を設けたマスクで覆い、基板１１からの傾斜角が８
５度のプレティルト角度になるように紫外線照射を行っ
て、１層の垂直配向膜における各電極１２の周囲部に高
プレティルト領域２を設定し、中央部に低プレティルト
領域３を設定している。

【００４３】しかしながら、上記マルチプレティルト型
の液晶電気光学素子は、以下のような方法によっても形
成可能である。すなわち、基板１１からの傾斜角が８８
度のプレティルト角度が得られる第１垂直配向膜を基板
１１上に塗布した後、その上に基板１１からの傾斜角が
８５度のプレティルト角度が得られる第２垂直配向膜を
塗布して、２層構造の垂直配向膜を形成する。そうした
後、第２垂直配向膜における電極１２の中央部に相当す
る位置に開口部を設けて、この開口部から第１垂直配向
膜を露出させる。そして、全体をラビングするのであ
る。こうすることによって、上記第２垂直配向膜とこの
第２垂直配向膜の開口部から露出している第１垂直配向
膜とは、同じ方法にラビングされるが、電極１２の周囲
部には高プレティルト領域２が形成され、中央部には低
プレティルト領域３が形成されるのである。

【００４４】また、以下のような方法でも形成可能であ
る。すなわち、紫外線に感応して液晶分子の基板法線か
らの傾きを制御する性質を有する垂直配向膜を基板１１
上に塗布する。そして、先ず、電極１２の中央部に相当
する領域に開口部を有する第１マスクを使用してラビン
グを行う。次に、第１マスクと相補的な開口部(つま
り、電極１２の周囲部に相当する領域に開口部)を有す
る第２マスクを使用してラビングを行う。こうして、１
層の垂直配向膜における電極１２の周囲部と中央部とで
異なるプレティルト角を有するマルチプレティルトを形
成するのである。

【００４５】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の液晶電気光学装置は、液晶分子を同一方向にプ
レティルトさせて配向させる配向膜を有すると共に、上
記配向膜は、電極上における所定領域に形成されてプレ
ティルト角度を所定角度にする第１配向膜と、上記電極
上における上記所定領域以外の領域に形成されてプレテ
ィルト角度を上記所定角度とは異なる所定角度にする第
２配向膜とで構成されているので、上記電極の周囲部に
おける第１配向膜のプレティルト角度を中央部における
第２配向膜のプレティルト角度よりも大きくすることが
できる。したがって、上記ドメインが発生し易い電極周
囲部における液晶分子の基板法線からの角度を大きく
し、上記ドメイン領域を狭くして画素の輝度を向上でき
る。一方、上記ドメインが発生し難い電極中央部におけ
る上記液晶分子の基板法線からの角度を小さくして、ラ
ビング筋を目立たなくできる。こうして、輝度の向上と
ラビング筋の低減化とを図ることができる。

【００４６】また、請求項２に係る発明の液晶電気光学
装置は、上記第１配向膜が形成される上記電極上におけ
る所定領域は周囲部であり、上記第１配向膜が定める上
記所定角度は上記第２配向膜が定める上記所定角度より
も大きな角度であるので、上記ドメインが発生し易い電
極周囲部における液晶分子の基板法線からの角度を大き
くし、上記ドメイン領域を狭くして画素の輝度を向上で
きる。一方、上記ドメインが発生し難い電極中央部にお
ける上記液晶分子の基板法線からの角度を小さくして、
ラビング筋を目立たなくできる。こうして、輝度の向上
とラビング筋の低減化とを図ることができる。

【００４７】また、請求項３に係る発明の液晶電気光学
装置における上記第１配向膜は、上記電極の周囲部のう
ち、少なくとも、上記液晶分子にプレティルトを与える
側に位置する周囲部に形成されるので、上記ドメイン領
域を減少させる機能とラビング筋を目立たなくする機能
とを的確に発揮でき、上記輝度の向上とラビング筋の低
減化とを効果的に図ることができる。

【００４８】また、請求項４に係る発明の液晶電気光学
装置における上記第１配向膜および第２配向膜の少なく
とも一方は、紫外線照射によってプレティルト角度が制
御可能な配向膜であるので、ラビング等の物理的処理に
因らずに紫外線照射によって簡単にプレティルト角度を
制御できる。さらに、上記ラビングによるプレティルト
角度の設定と組み合わせることによって、１つの配向膜
で複数種のプレティルト角度を設定できる。その場合に
は、上記第１配向膜と第２配向膜とを同じ配向膜で構成
することができる。

【００４９】また、請求項５に係る発明の液晶電気光学
装置における上記紫外線照射によってプレティルト角度
が制御可能な配向膜は、ポリイミド,ポリアミド,ポリア
ミドイミドもしくはポリシロキサンのうち、少なくとも
１種の構造を構成単位に含んでいるので、上記紫外線照
射によってプレティルト角度が制御可能な最適な配向膜
を容易に得ることができる。

【００５０】また、請求項６に係る発明の液晶電気光学
装置における上記配向膜は、０.１度以上２０度未満の
プレティルト角度を有するので、表示品位を低下させる
こと無く総ての液晶分子をプレティルト方向に均一に動
作させることができる。さらに、上記第１配向膜のプレ
ティルト角度と上記第２配向膜のプレティルト角度とは
０.１度以上の角度差を有しているので、上記各画素の
輝度の向上とラビング筋の低減化とを効果的に図ること
ができる。

【００５１】また、請求項７に係る発明の液晶電気光学
装置の製造方法は、請求項１に係る発明の液晶電気光学
装置における上記第１,第２配向膜の少なくとも一方の
配向膜として、紫外線照射によってプレティルト角度が
制御可能な配向膜を塗布し、この紫外線照射によってプ
レティルト角度が制御可能な配向膜に対するプレティル
ト角度の設定は、上記電極上における所定領域またはこ
の所定領域以外の領域に対する選択的な紫外線照射によ
っておこなうので、ラビング等の物理的処理に因らずに
紫外線照射によって容易にプレティルト角度を設定でき
る。

【００５２】また、請求項８に係る発明の液晶電気光学
装置の製造方法における上記照射される紫外線は自然光
の紫外線であるので、上記紫外線照射によるプレティル
ト角度の設定を自然光の紫外線によって容易に且つ安価
に行うことができる。

【００５３】また、請求項９に係る発明の液晶電気光学
装置の製造方法における上記照射される紫外線は、直線
偏光あるいは楕円偏光した紫外線であるので、上記配向
膜におけるプレティルト方向に偏光した直線偏光あるい
は楕円偏光の紫外線を照射することによって、紫外線の
照射エネルギーを請求項９に比して約半分にできる。し
たがって、この発明によれば、上記配向膜に対するダメ
ージを低減できる。

【００５４】また、請求項１０に係る発明の液晶電気光
学装置の製造方法における上記紫外線の照射は、上記配
向膜形成時、または、上記配向膜が形成された上記２枚
の基板を対向させて貼り合わせた後に行うので、上記配
向膜形成時に行う場合には、上記配向膜に対して十分に
紫外線を照射できる。また、上記配向膜が形成された基
板を貼り合わせた後に行う場合には、上記電極上におけ
る所定領域とこの所定領域以外の領域とを精度よく設定
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液晶電気光学装置における画素電極
部分の拡大模式図である。

【図２】この発明の液晶電気光学装置を構成する液晶電
気光学素子の縦断面図である。

【図３】反射型の液晶電気光学素子の縦断面図である。

【図４】画素電極部分の断面模式図である。

【符号の説明】

１…画素電極、 １a…周囲部、
１b…中央部、 ２…高プレティ
ルト領域、３…低プレティルト領域、 １１,
１４…基板、１２,１５…電極、 １
３,１６…垂直配向膜、１７,１８…シール材、
１９,２０,３５…偏光板、２１…スペーサ、
２２,３１…液晶、２３,３２…液晶
電気光学素子、 ３３…偏光ビームスプリッタ、
３４…反射装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HB13Y HD14 LA09 MA01 MA11 MA15 MB01 MB05 MB14 4J035 CA01K LA05 LB20 4J043 ZB23

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向して液晶を挟持する２枚の基
   板上に、少なくとも電極と配向膜が形成されている液晶
   電気光学装置において、 上記配向膜は、上記液晶分子を同一方向にプレティルト
   させて配向させる機能を有すると共に、上記電極上にお
   ける所定領域に形成されて上記液晶分子の基板法線から
   のプレティルト角度を所定角度にする第１配向膜と、上
   記電極上における上記所定領域以外の領域に形成されて
   上記液晶分子の基板法線からのプレティルト角度を上記
   所定角度とは異なる所定角度にする第２配向膜とで構成
   されていることを特徴とする液晶電気光学装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の液晶電気光学装置にお
   いて、 上記第１配向膜が形成される上記電極上における所定領
   域は、上記電極の周囲部であり、 上記第１配向膜が定める上記所定角度は、上記第２配向
   膜が定める上記所定角度よりも大きな角度であることを
   特徴とする液晶電気光学装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の液晶電気光学装置にお
   いて、 上記第１配向膜は、上記電極の周囲部のうち、少なくと
   も、上記液晶分子にプレティルトを与える側に位置する
   周囲部に形成されることを特徴とする液晶電気光学装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の液晶電気光学装置にお
   いて、 上記第１配向膜および第２配向膜の少なくとも一方は、
   紫外線照射によってプレティルト角度が制御可能な配向
   膜であることを特徴とする液晶電気光学装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の液晶電気光学装置にお
   いて、 上記紫外線照射によってプレティルト角度が制御可能な
   配向膜は、ポリイミド,ポリアミド,ポリアミドイミドも
   しくはポリシロキサンのうち、少なくとも１種の構造を
   構成単位に含んでいることを特徴とする液晶電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の液晶電気光学装置にお
   いて、 上記配向膜は、０.１度以上２０度未満のプレティルト
   角度を有すると共に、第１配向膜のプレティルト角度と
   上記第２配向膜のプレティルト角度とは０.１度以上の
   角度差を有していることを特徴とする液晶電気光学装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の液晶電気光学装置の製
   造方法であって、 上記第１配向膜および第２配向膜の少なくとも一方とし
   て、紫外線照射によってプレティルト角度が制御可能な
   配向膜を塗布し、 この紫外線照射によってプレティルト角度が制御可能な
   配向膜に対するプレティルト角度の設定は、上記電極上
   における所定領域またはこの所定領域以外の領域に対す
   る選択的な紫外線照射によっておこなうことを特徴とす
   る液晶電気光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の液晶電気光学装置の製
   造方法において、 上記照射される紫外線は、自然光の紫外線であることを
   特徴とする液晶電気光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７に記載の液晶電気光学装置の製
   造方法において、 上記照射される紫外線は、直線偏光あるいは楕円偏光し
   た紫外線であることを特徴とする液晶電気光学装置の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 請求項７に記載の液晶電気光学装置の
    製造方法において、 上記紫外線の照射は、上記配向膜形成時、あるいは、上
    記配向膜が形成された上記２枚の基板を対向させて貼り
    合わせた後に行うことを特徴とする液晶電気光学装置の
    製造方法。