[go: up one dir, main page]

JP2000026991A - 錫及び錫合金メッキ浴 - Google Patents

錫及び錫合金メッキ浴

Info

Publication number
JP2000026991A
JP2000026991A JP10195729A JP19572998A JP2000026991A JP 2000026991 A JP2000026991 A JP 2000026991A JP 10195729 A JP10195729 A JP 10195729A JP 19572998 A JP19572998 A JP 19572998A JP 2000026991 A JP2000026991 A JP 2000026991A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
tin
diacetate
salt
bath
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10195729A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4249292B2 (ja
Inventor
Takao Takeuchi
孝夫 武内
Masakazu Yoshimoto
雅一 吉本
Keigo Obata
惠吾 小幡
Kazuhiro Aoki
和博 青木
Hidemi Nawafune
秀美 縄舟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Ishihara Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daiwa Kasei Kenkyusho KK, Ishihara Chemical Co Ltd filed Critical Daiwa Kasei Kenkyusho KK
Priority to JP19572998A priority Critical patent/JP4249292B2/ja
Publication of JP2000026991A publication Critical patent/JP2000026991A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4249292B2 publication Critical patent/JP4249292B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な錫及び錫合金メッキ浴を提供する。 【解決手段】 このメッキ浴は、必須成分として(A)
錫塩と、錫塩及び鉛、銀、亜鉛、ビスマス、インジウ
ム、銅、ニッケルから選ばれた金属の塩の混合物とのい
ずれかよりなる可溶性塩、並びに(B)特定のモノアミ
ン酸及びその塩の少なくとも一種以上を含む浴に、さら
に、メッキ粒子を微細化させる(C)特定の非イオン界
面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、
両性界面活性剤の一種以上を含有することを特徴とする
錫及び錫合金メッキ浴。さらに、グリコール酸あるいは
グリコール酸塩類を添加することによってメッキ皮膜の
平滑化と電着物組成の安定化および浴の安定性を向上さ
せることを特徴とする錫及び錫合金メッキ浴。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ接合に適し
た錫および錫合金皮膜を得るための電気メッキ用錫及び
又は錫合金用メッキ浴に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、錫および錫合金メッキ皮膜は、は
んだ付け性向上用メッキ皮膜及びエッチングレジスト皮
膜として弱電工業並びに電子工業用部品などに広く利用
されいる。これらメッキ浴には、浴中での金属イオンの
安定化、メッキ皮膜の平滑化、合金皮膜組成の均一安定
化を目的に種々な錯化剤が用いられているが、未だ改良
すべき点が多い。
【0003】例えば、錫および錫合金めっき浴の錯化剤
には、グルコン酸、クエン酸、酒石酸、マロン酸、ピロ
リン酸(特開昭53−124131)、エチレンジアミ
ン四酢酸(特開平2−254194)、脂肪族または芳
香族スルホカルボン酸(特開昭61−194194)等
が用いられているが、錯形成能力の弱い錯化剤では経時
によって錫酸塩の白色沈殿物を生じ工業的使用が困難で
ある。一方、錯形成能が強い錯化剤では生分解性が悪
く、海洋投棄の禁止等の環境問題から使用の削減が提唱
されている。
【0004】錫合金めっき浴では、錫イオンの安定性に
加えて合金となる異種金属イオンの安定性を考慮する必
要がある。例えば、グルコン酸錫浴とスルホコハク酸銀
浴は単独浴では安定であるが、合金浴は経時によって褐
色の銀化合物沈殿を生じて浴中の銀イオン濃度を著しく
低減させる。また、メタンスルホン酸錫−インジウム合
金メッキ浴では経時安定性は良好であるが、錫とインジ
ウムの析出電位の異なることが原因で低電流密度条件で
はインシジウムが共析しない問題がある。さらに、錫合
金メッキ浴の安定化および浴中の金属組成と合金皮膜組
成を近似させる目的で錯化剤濃度を増加させた場合に
は、陰極電流効率の低下を招き膜が薄くなると共に、併
用添加剤による平滑化作用を低減させるので、光沢剤や
半光沢剤を併用した際に生じる緻密で均一なメッキ皮膜
を得ることが困難になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
に鑑み発明されたもので、錫塩又は、錫塩及び鉛、銀、
亜鉛、ビスマス、インジウム、銅、ニッケルから選ばれ
た金属塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、特
定のモノアミン酸およびその塩の少なくとも一種と、特
定の非イオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオ
ン界面活性剤、両性界面活性剤の一種以上を含有するこ
とを特徴とする錫及び錫合金メッキ浴で、さらに、グリ
コール酸あるいはグリコール酸塩類を添加することによ
ってメッキ皮膜の平滑化と浴の経時安定性、錫合金メッ
キ浴では電着物組成の安定性をさらに向上させることを
特徴とする錫及び錫合金メッキ浴を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく、錫塩又は、錫塩と鉛、銀、亜鉛、ビスマ
ス、インジウム、銅、ニッケルから選ばれた金属塩との
混合物のいずれかよりなる可溶性塩からなる錫および錫
合金メッキ液に対して各種錯化剤の添加配合試験を実施
した結果、特定のモノアミン型化合物及び(又は)その
塩の少なくとも一種を含有させ、さらに、非イオン系界
面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性
剤、両性界面活性剤の内の少なくとも一種を併用するこ
とによって、浴の経時安定性に優れ、メッキ皮膜は平滑
で光沢又は半光沢外観を示し、合金メッキ浴では電流密
度に依存する電着物組成の安定な錫及び錫合金メッキ浴
を見い出した。
【0007】従って、本発明は、(A)錫塩又は、錫塩
と鉛、銀、亜鉛、ビスマス、インジウム、銅、ニッケル
から選ばれた金属の塩との混合物のいずれかよりなる可
溶性塩、(B)下記一般式(a)
【化2】 [式中、R1 は、水素あるいは炭素数1〜10の無置換
または置換炭化水素基で、置換基として、−OH、−C
OOM、−SO3M、−NH2 、−CONH2 、−NH
C(=NH)NH2 、あるいは−SHを含んでいてもよ
い。R2 及びR3は、同一であっても異なっていてもよ
く、水素あるいは炭素数1〜8の無置換または置換炭化
水素基で、置換基として−OH、−COOM、あるいは
−SO3Mを一つ以上含んでいてもよい。R4 は、水
素、−COOM、あるいは−SO3Mを表す。また、R
1 とR2 の間で環を形成してもよい。Mは水素、アルカ
リ金属、アンモニウムを表す。]で表される特定のモノ
アミン型化合物及び(又は)その塩の少なくとも一種、
及び(C)非イオン系界面活性剤、アニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤の内の少な
くとも一種を含有することを特徴とする錫及び錫合金メ
ッキ浴である。
【0008】
【発明の実施の形態】一般式(a)で表されるモノアミ
ン型化合物が、イミノジコハク酸、アスパラギン酸一酢
酸、アスパラギン酸二酢酸、アスパラギン酸一プロピオ
ン酸、2−スルホメチルアスパラギン酸、2−スルホエ
チルアスパラギン酸、グルタミン酸二酢酸、2−スルホ
メチルグルタミン酸、2−スルホエチルグルタミン酸、
メチルイミノ二酢酸、α−アラニン二酢酸、β−アラニ
ン二酢酸、フェニルアラニン二酢酸、アントラニル酸二
酢酸、スルファニル酸二酢酸、タウリン二酢酸、スルホ
メチル二酢酸、あるいはこれらのアルカリ金属塩または
アンモニウム塩の少なくとも一種を含有し、さらに、非
イオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン
系界面活性剤、両性界面活性剤の内の少なくとも一種を
併用することで、浴の経時安定性に優れ、メッキ皮膜は
平滑で光沢又は半光沢外観を示し、合金メッキ浴では電
流密度に依存する電着物組成の安定な錫及び錫合金メッ
キ浴を見い出した。
【0009】本発明に用いられるようなモノアミン型化
合物が廃水処理において微生物分解性に優れた錯化剤で
あることは、例えば、特開平9−221697(グルタ
ミン酸二酢酸四ナトリウム)、特開平8−92197
(スルホエチルアミノカルボン酸)等に開示されている
が、錫および錫合金浴の錯化剤として用いた場合には、
めっき浴の寿命を向上させる。
【0010】更に、本発明者らは、前記のメッキ浴に、
下記一般式(b) HOCH2COOM (b) [式中、Mは水素、アルカリ金属、アンモニウムを表
す。]で表されるグリコール酸あるいはこれらの塩類を
添加することによって、メッキ皮膜の平滑化と浴の経時
安定性、錫合金メッキ浴では電着物組成の安定性がさら
に向上した錫及び錫合金メッキ浴を完成するに至った。
【0011】本発明に用いられる錫塩としては、メタン
スルホン酸第一錫、エタンスルホン酸第一錫、プロパン
スルホン酸第一錫、2−プロパノールスルホン酸第一
錫、スルホコハク酸錫、pーフェノールスルホン酸錫、
クレゾールスルホン酸錫、トリフルオロメタンスルホン
酸錫、硫酸第一錫、ホウフッ化第一錫、塩化第一錫、酸
化第一錫、炭酸第一錫、錫酸ナトリウム、錫酸カリウ
ム、クエン酸錫、酒石酸第一、コハク酸第一錫、グルコ
ン酸第一錫等の任意の可溶性錫塩を用いることができ
る。
【0012】一方、錫と合金を形成する金属塩として
は、メッキ液中でPb2+、Ag+、Bi3+、In3+、C
+ 、Cu2+、Zn2+、Ni2+等の各種金属イオンを生
成する任意の可溶性塩を意味する。
【0013】具体例を下記に示すと、 (1)酸化物:酸化銀、酸化ビスマス、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化第一銅、酸化第二銅、酸化鉛等。 (2)ハロゲン化物:塩化ビスマス、塩化亜鉛、塩化第
一銅、塩化第二銅、塩化インジウム、塩化ニッケル、ヨ
ウ化銀等。 (3)無機酸または有機酸との塩:硫酸ニッケル、硫酸
第一銅、硫酸第二銅、硫酸インジウム、硫酸ビスマス、
硫酸亜鉛、硫酸銀、メタンスルホン酸銀、メタンスルホ
ン酸第一銅、2−プロパノールスルホン酸第二銅、エタ
ンスルホン酸ニッケル、フェノールスルホン酸亜鉛、ホ
ウフッ化鉛、硝酸銀、炭酸銀、プロパンスルホン酸ビス
マスなど。
【0014】上記錫および錫合金となる特定の異種金属
の総濃度(金属として)は、一般に0.01〜200g
/L、好ましくは0.1〜100g/Lである。
【0015】錫合金浴では、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、
インジウム、銅、ニッケルから選ばれた金属の一種以上
を錫と併用して用いることができる。
【0016】本発明に用いる特定のモノアミン型化合物
及びその塩とは、下記一般式(a)
【化3】 [式中、R1 は、水素あるいは炭素数1〜10の無置換
または置換炭化水素基で、置換基としては、−OH、−
COOM、−SO3M、−NH2 、−CONH2、−NH
C(=NH)NH2 、あるいは−SHを含んでいてもよ
い。R2 及びR 3 は、同一であっても異なっていてもよ
く、水素あるいは炭素数1〜8の無置換または置換炭化
水素基で、置換基として−OH、−COOM、あるいは
−SO3Mを一つ以上含んでいてもよい。R4 は、水
素、−COOM、あるいは−SO3Mを表す。また、R
1 とR2 の間で環を形成してもよい。Mは水素、アルカ
リ金属、アンモニウムを表す。]で表されるものであ
る。
【0017】一般式(a)の化合物の具体例としては、
イミノジコハク酸、アスパラギン酸一酢酸、アスパラギ
ン酸二酢酸、アスパラギン酸一プロピオン酸、2−スル
ホメチルアスパラギン酸、2−スルホエチルアスパラギ
ン酸、グルタミン酸二酢酸、2−スルホメチルグルタミ
ン酸、2−スルホエチルグルタミン酸、メチルイミノ二
酢酸、α−アラニン二酢酸、β−アラニン二酢酸、フェ
ニルアラニン二酢酸、アントラニル酸二酢酸、スルファ
ニル酸二酢酸、タウリン二酢酸、スルホメチル二酢酸
等、あるいはこれらのナトリウム、カリウムなどのアル
カリ金属塩またはアンモニウム塩である。
【0018】これら一般式(a)で示されるモノアミン
型化合物の錫、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、インジウム、
銅、ニッケル塩を本メッキ浴に使用することは可能であ
るが、浴中の金属濃度を増加させるために、他の金属塩
と併用させることもできる。
【0019】本発明の錫および錫合金メッキ浴は、上記
のモノアミン型化合物を単独または2種類以上を複合し
て使用することができる。環境汚染防止の観点からは、
これら生分解性の良いモノアミン型化合物を主用錯化剤
として用いるのが好ましいが、上記モノアミン型化合物
一種類と錫および錫合金メッキ浴に使用されている公知
の錯化剤が併用できる。例えば、グルコン酸、酒石酸、
マレイン酸、スルホコハク酸、クエン酸、トリポリリン
酸、ピロリン酸、スルファミン酸、リンゴ酸、マロン
酸、乳酸、酪酸、プロピオン酸、酢酸、チオシアン酸、
ヨウ化カリウム等を併用することができる。
【0020】モノアミン型化合物の使用量は錯化剤の種
類や組み合わせ、金属合金種に応じて適宜選択される
が、主錯化剤として添加する場合は、浴中の金属分1モ
ルに対して0.1〜20モル程度が適当であり、好まし
くは、0.5〜15モル程度である。また、補助錯化剤
として用いる場合は、絶対濃度で0.001mol/L
程度の低濃度から、浴中の金属分1モルに対して主錯化
剤に匹敵する1〜20モル程度までの高濃度範囲で用い
る。
【0021】本発明の錫および錫合金メッキ浴は、平滑
で緻密なメッキ皮膜を得るために下記に示す特定の非イ
オン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系
界面活性剤、両性界面活性剤の内の少なくとも一種を含
有する。
【0022】本発明の錫メッキ又は錫合金メッキに利用
できる効果のある界面活性剤の例としては、例えば下記
(1)〜(13)を例示することができる。
【0023】(1)一般式
【化4】 [ここで、Rはアルキル(C1 〜C25)を表し、Aは酸
素又は単結合を表す。Mは水素又はアルカリ金属を表
す。]で表されるナフタレンスルホン酸系界面活性剤、
【0024】(2)一般式 HO−(A)m−(B)n−H [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは、0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。]で表
されるポリオキシアルキレン系界面活性剤、
【0025】(3)一般式 R−X−(A)m−(B)n−H [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは、0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは、
炭素数1〜22のアルキル基又は炭素数1〜25の脂肪
酸でエステル化したソルビタンを表す。Xは、−O−又
は−COO−を表す。]で表されるポリオキシアルキレ
ンアルキルエーテル(又はエステル)系界面活性剤、
【0026】(4)一般式 Ph−O−(A)m−(B)n−H [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは、0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Ph
は、フェニル基又はアルキル基(C1〜C25)で置換し
たフェニル基を表わす。]で表されるポリオキシアルキ
レンフェニル(又はアルキルフェニル)エーテル系界面
活性剤、
【0027】(5)一般式
【化5】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは、0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは水
素又はアルキル基(C1〜C25)を表す。]で表される
ポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフチ
ル)エーテル系界面活性剤、
【0028】(6)一般式
【化6】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは、0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Ra、
Rb、Rcは、それぞれ独立に水素、フェニル基、アル
キル基(C1〜C4 )又は−CH(CH3)−φを表わ
す。ただし、少なくとも1つはフェニル基もしくは−C
H(CH3 )−φであるものとする。]で表されるポリ
オキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系界面活
性剤、
【0029】(7)一般式
【化7】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されない。Ra、Rbは、それぞれ独立に水素、フェ
ニル基又はアルキル基(C1〜C4)を表し、Rc、Rd
は、それぞれ独立に水素又はメチル基を表し、m1、m
2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。]で表されるポリオキシア
ルキレンスチレン化フェニルエーテルのフェニル基にさ
らにポリオキシアルキレン鎖を付加した系界面活性剤、
【0030】(8)一般式
【化8】 [ここで、Ra及びRbは水素もしくはアルキル基(C
1 〜C25)を表し、同一又は異なってもよい。A及びB
は−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H−
O−を表し、それらの存在位置は限定されない。m1、
m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。Mは水素又はアルカリ金属
を示す。]で表されるリン酸エステル系界面活性剤、
【0031】(9)一般式
【化9】 [ここで、Rは、アルキル基(C1〜C30)、アルケニ
ル基(C2〜C30)又はアシル基(C1〜C30)を表し、
A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(C
3 )H−O−を表し、それらの存在位置は限定されな
い。m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の
整数を表す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn
2の和は1から6の範囲内にある。−CH2−CH(C
3)−Oの付加モル数が−CH2−CH2−Oの付加モ
ル数より多いことはない。]で表されるポリオキシアル
キル(又はアルケニル)アミン(又はアミド)系界面活
性剤、
【0032】(10)一般式
【化10】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されない。m1、m2、m3、m4、n1、n2、n
3、n4は整数で、m1+m2+m3+m4=5〜7
0、n1+n2+n3+n4=5〜70である。m1、
m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から6の範囲内にある。xは2又は3の整数を表す。
Rは、アルキル基(C1〜C30)又はアルケニル基(C2
〜C30)を表す。]で表されるアルキレンジアミンのア
ルキレンオキシド付加物系界面活性剤、
【0033】(11)一般式
【化11】 [ここで、Raは、アルキル基(C1〜C20)を表し、
Rbは、−(CH2mOH又は−(CH2mOCH2
OO−を表し、Rcは、アルキル基(C1〜C4)、−
(CH2nCOO−、−(CH2nSO3−、−CH
(OH)CH2SO3 −を表し、m及びnは1〜4の整
数を表す。Mはアルカリ金属を表し、Xはハロゲン、水
酸基又はアルカンスルホン酸基(C1〜C5)を表す。R
cがアルキル基の場合には、Mは存在せず、Rcがアル
キル基以外の場合には、Mは存在してもしなくてもよ
く、Mが存在しないときにはXも存在しない。]で表さ
れるアルキルイミダゾリニウムベタイン系界面活性剤、
【0034】(12)一般式
【化12】 [ここで、Raは水素又はメチル基を表し、又は結合が
なくてもよい。Rbは水素又はメチル基若しくはエチル
基を表し、該アルキル基の水素の一つがエーテル結合を
介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rcはア
ルキル基(C5 〜C20)を表す。カルボキシル基は水素
又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。mは1
〜4の整数を、nは0〜4の整数を表す。]で表される
アルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性剤、
【0035】(13)一般式
【化13】 [ここで、Xは、ハロゲン、OH又はアルカンスルホン
酸基(C1〜C5)を表し、Raは、アルキル基(C1
20)を表し、Rb及びRcは、アルキル基(C1
4)又はアルコキシル基(C1〜C10)を表し、Rd
は、アルキル基(C1 〜C10)、ベンジル基又は脂肪酸
−(CH2 )nCOOHを表し、ここで、nは1〜18
の整数を表す。Reは、アルキル基(C8 〜C20)を表
し、Rfは、水素又はアルキル基(C1〜C4)を表
す。]で表されるアンモニウム又はピリジニウム4級塩
系界面活性剤、
【0036】さらにそれらの中で好適なもので市販品と
して容易に入手できるものを具体的に挙げれば下記のと
おりである。
【0037】前記式(1)で表されるものとして、例え
ばアルキル(プロピル、プチル・・・)ナフタレンスル
ホン酸ナトリウム:ペレックスNB−L、β−ナフタレ
ンスルホン酸−ホルマリン縮合物のナトリウム塩:デモ
ールN(共に花王(株)社製)等が含まれる。
【0038】前記式(2)で表されるものとして、例え
ばエチレングリコール、ジ−(トリ−、テトラ−、オク
タ−・・・)エチレングリコールのようなポリエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ジ−(トリ−、テ
トラ−、オクタ−・・・)プロピレングリコールのよう
なポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドとプ
ロピレンオキサイドとの縮合物等、特に、ポリオキシエ
チレン−ポリオキシプロピレンブロックポリマー:エパ
ンタイプ、例えばエパン720、エパン740、エパン
750、エパン450(第一工業製薬(株)社製)、プ
ルロニックタイプ、例えばプルロニックL64、プルロ
ニックL101、プルロニックP103、プルロニック
PP150(旭電化工業(株)社製)、ポリオキシエチ
レンオレイルエーテル:ニッコールBO−20(日光ケ
ミカルズ(株)社製)、ポリオキシエチレン誘導体:エ
マルゲンL−40(花王(株)社製)、PEO及びPP
Oのモノメチルエーテル:50HB−2000/500
0(三洋化成(株)社製)等が含まれる。
【0039】前記式(3)で表されるものとして、例え
ば、上記の(2)に記載のようなポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール等のアルキル(例えば、
オレイル、セチル、ステアリル、ラウリル・・・)エー
テル若しくは脂肪酸エステル、ソルビタンエステル等、
特に、ポリオキシエチレンアルキルエーテル:例えばブ
ラウノンEL−1303、ブラウノンEL−1509、
ブラウノンCH−310(青木油脂工業(株)社製)、
ニューコール1110(日本乳化剤(株)社製)、ニッ
コールBL(日光ケミカルズ(株)社製)、ノイゲンE
T−170(第一工業製薬(株)社製)、ポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル:例えばソルゲンTW
シリーズ(第一工業製薬(株)社製)、ニューコールシ
リーズ(日本乳化剤(株)社製)、ポリオキシエチレン
脂肪酸エステル:例えばニッコールMYL−10(日光
ケミカルズ(株)社製)等が含まれる。
【0040】前記式(4)で表されるものとして、例え
ば、上記の(2)に記載のようなポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール等のフェニルエーテル又
はアルキル置換フェニルエーテル等、特に、ポリオキシ
エチレンノニルフェニルエーテル:例えばノイゲンEA
−150、ノイゲンEA−130T(第一工業製薬
(株)社製));ブラウノンNK−808、N−51
2、DP−9(青木油脂工業(株)社製);ニューコー
ル704、ニューコール707、ニューコール710、
ニューコール714、ニューコール723、ブラウノン
LPE−1007(青木油脂工業(株)社製);アデカ
トールNP−15,アデカトールNP−720(旭電化
工業(株)社製)等が含まれる。
【0041】前記式(5)で表されるものとして、例え
ば、ナフトール又はアルキルナフトールのエチレンオキ
サイド及び(又は)プロピレンオキサイド付加物等、特
に、ポリオキシエチレンβ−ナフトール:ブラウノンB
N−18(青木油脂工業(株)社製)、アデカトールP
C−10(旭電化工業(株)社製)、ノイゲンEN−1
0(第一工業製薬(株)社製)等が含まれる。
【0042】前記式(6)で表されるものとして、例え
ば、スチレン化フェノール又はα−メチルスチレン化フ
ェノールのエチレンオキサイド及び(又は)プロピレン
オキサイド付加物等、特に、ポリオキシエチレンアルキ
ルアリールエーテル:ニューコール2607(日本乳化
剤(株)社製)、ポリオキシエチレンスチレン化フェニ
ルエーテル:ブラウノンDSP−9(青木油脂工業
(株)社製)等が含まれる。
【0043】前記式(7)で表されるものとして、例え
ば、ビスフェノールAのビス(エチレンオキサイド及び
(又は)プロピレンオキサイド付加物)等、例えばリポ
ノックスNC−100(ライオン)等が含まれる。
【0044】前記式(8)で表されるものとして、例え
ば、アルキルリン酸エステルのナトリウム塩等、ポリオ
キシエチレン化及び(又は)ポリオキシプロピレン化リ
ン酸のナトリウム塩等、例えば、アデカコールPS−4
40E、アデカコールCS−141E、アデカコールT
S−230E(旭電化工業(株)社製)等が含まれる。
【0045】前記式(9)で表されるものとして、例え
ば、アルキル(又はアルケニル)アミン(又はアミド)
のエチレンオキサイド及び(又は)プロピレンオキサイ
ド付加物等、例えば、ナイミーンL207、ナイミーン
T2−210、ナイミーンS−215(日本油脂(株)
社製)、ポリオキシエチレンラウリルアミン:ニューコ
ール420(日本乳化剤(株)社製)、ポリオキシエチ
レンオレイルアミン:ニッコールTAMNO−15(日
光ケミカルズ(株)社製)、エトキシ化オレイン酸アミ
ド:タムド−5、ポリオキシエチレンオレイルアミノエ
ーテル:ブラウノンO−205(青木油脂工業(株)社
製)等が含まれる。
【0046】前記式(10)で表されるものとして、例
えば、エチレンジアミンのエチレンオキサイド及び(又
は)プロピレンオキサイドN付加物等、例えばテトロニ
ックTR−701、テトロニックTR−702(旭電化
工業(株)社製)等が含まれる。
【0047】前記式(11)で表されるものとして、例
えば、アルキル(ラウリル、オレイル、セチル、ステア
リル、ベヘニル・・・)ジメチルアンモニウムベタイ
ン、2−アルキル(ラウリル、オレイル、セチル、ステ
アリル、ベヘニル・・・)−N−メチル(カルボキシメ
チル)−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイ
ン等、例えば、ソフタゾリンCH、ソフタゾリンNS
(川研ファインケミカル(株)社製)、ニッサンアノン
GLM−R(日本油脂(株)社製)、レボン101−H
(三洋化成工業(株)社製)、ニッコールAM−103
EX(日本乳化剤(株)社製)等が含まれる。
【0048】前記式(12)で表されるものとして、例
えば、ジメチルラウリル(オレイル、セチル、ステアリ
ル、ベヘニル・・・)ベタイン等、特に、ココナツアミ
ンアセテート(ラウリルアミンアセテート):アセタミ
ン24(花王(株)社製)等が含まれる。
【0049】前記式(13)で表されるものとして、例
えば、ラウリル(オレイル、セチル、ステアリル、ベヘ
ニル・・・)トリ(ジ)メチルアンモニウムクロライド
等、例えばニッコールCA2150、塩化ベンザルコニ
ウム:ニッコールCA101(日光ケミカルズ(株)社
製)、ベンジルアンモニウム塩:テクスノールR−5
(日本乳化剤(株)社製)等が含まれる。
【0050】これら界面活性剤のメッキ浴への添加濃度
は、0.001〜50g/lで、さらに好適には0.0
1〜30g/lが使用される。使用量の不足は平滑で緻
密な錫および錫合金皮膜を得るという前述の効果が期待
できず、過剰の添加は、電流効率を低下させたり皮膜組
成の均一性を低下させるなどの悪影響を及ぼす可能性が
ある。
【0051】更に、本発明の錫および錫合金メッキ浴
は、 下記一般式(b) HOCH2COOM (b) [式中、Mは水素、アルカリ金属、アンモニウムを表
す。]で表されるグリコール酸あるいはこれらの塩類を
併用添加することによってメッキ皮膜の平滑化と浴の寿
命、経時安定性、錫合金メッキ浴では電着物組成の安定
性をさらに向上させることができる。
【0052】グリコール酸又はグリコール酸塩の適正添
加濃度は、金属合金種に応じて適宜選択されるが、浴中
の金属分1モルに対して0.001〜10モル程度が適
当であり、好ましくは、0.01〜2モルである。
【0053】さらに、本発明のメッキ浴は、析出物の結
晶を微細化するために上記記載のモノアミン酸型化合物
および界面活性剤、グリコール酸に加えて平滑剤および
光沢剤等を併用使用することができる。該平滑剤および
光沢剤には錫メッキ浴又は錫合金メッキ浴において公知
の物質が適用できる。効果を発揮した物質の一例を下記
(1)〜(19)に示した。これら平滑剤および光沢剤
は単独又は適宜混合添加して使用できる。使用量は、下
記(1)の高分子物質を用いる場合は0.001〜50
g/lが適当であり、好ましくは0.005〜10g/
lである。下記(2)〜(19)の群の添加剤に対して
は、0.001〜50g/lが適当であり、さらに好適
には0.005〜20g/lが添加される。
【0054】(1)下記の高分子化合物、ゼラチン、ペ
プトン、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミ
ド、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン
【0055】(2)一般式
【化14】 [ここで、Raは、水素又はアルキル(C1〜C4)を表
し、Rbは、水素、アルキル(C1〜C4)またはフェニ
ルを表し、Rc は、水素又は水酸基を表し、Aは単結
合、アルキレン、ベンジリデン又はフェニレンを表
す。]で表されるスルファニル酸誘導体およびその塩。
【0056】(3)一般式
【化15】 [ここで、Ra は、水素又はアルキル(C1 〜C4 )を
表し、Rb は、水素又はメチルを表し、nは2〜15の整
数を表す。]で表されるキノリン類。
【0057】(4)一般式
【化16】 [ここで、Xは、水素、ハロゲン、アルキル(C1
4)、アセチル、アミノ基、水酸基、又はカルボキシル基
を表し、Yは、水素、水酸基を表し、nは、0〜12の整数
を表す。]で表されるトリアゾール及びその誘導体。
【0058】(5)一般式
【化17】 [ここで、R1、R2、R3、R4、R5 は、それぞれ同一
又は異なってもよく、−H、−SH、−OH、−OR
(Rは所望により−COOHで置換されていてもよいC
1〜C6のアルキル基)、ハロゲン、−COOH,−CO
COOH,アリール、−SR(Rは所望により−COO
Hにて置換されていてもよいC1〜C6のアルキル)、
【化18】 −NH2、−NRR’(R及びR’はC1〜C6のアルキ
ル又は一緒になって環を形成してもよい)、−NHCO
R(RはC1〜C6のアルキル)、−NHCOアリール、
−NHNH2、−NO2、−CONHアリール、−CSN
Hアリール、−CN、−CHO、−SO3H、−SO2
2又は−SO2NRR’(R及びR’はC1〜C6のアル
キルまたは一緒になって環を形成してもよい)を表
す。]で表されるベンゾチアゾール及びその誘導体、
【0059】(6)一般式
【化19】 [ここで、X及びYは、それぞれ独立に水素又は水酸基
を表し、Ra、Rbは、それぞれ独立にアルキル(C1
5)を表す。]で表されるイミン類。
【0060】(7)一般式
【化20】 [ここで、Xは、水素、ハロゲン又はアルキル(C1
4)を表し、Yは、水素又は水酸基を表す。]で表さ
れるトリアジン類。
【0061】(8)一般式
【化21】 [ここで、Ra、Rbは、同一又は異なっていてもよく水
素、アルキル(C1〜C1 8)、アルコキシ(C1〜C18
又はシクロアルキル(C3〜C7)を表し、Aは、低級ア
ルキレンを表す。]で表されるトリアジン類。
【0062】(9)一般式
【化22】 [ここで、Rは、アルキル(C1〜C4)又はフェニルを
表す。]で表される芳香族オキシカルボン酸のエステル
類。
【0063】(10)一般式 Ra−CRb=CH−CO−X−Rc [ここで、Ra及びRcは、フェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル、ピロニル、アミノ
基、水酸基、もしくは水素から選ばれた基であり、該基
は、アルキル(C1 〜C6 )、アルキルオキシ(C1
6)、アシル(C1〜C6 )、アルキルチオ(C1 〜C
6 )、水酸基,ハロゲン、カルボキシル基、ニトロ基及
び−NRdRe(Rd及びReは、同一又は異なってよ
く、各々水素又はアルキル(C1〜C4)を表す)から選
ばれた同一又は異なる置換基を1〜4個有してもよく、
あるいはRaとRcは結合して環状となってもよく、ある
いは、Rc はRa−CRb=CH−CO−に等しくてもよ
い。Xは、単結合もしくはメチレンである。Rbは水素
又はアルキル(C1〜C4)である。]で表されるC=O
と共役の位置に二重結合を有する化合物。
【0064】(11)一般式 R−CHO [ここで、Rは、アルキル(C1〜C6)、アルケニル
(C2〜C6)、アルキニル(C2〜C6)、フェニル、ナ
フチル、アセナフチル、ピリジル、キノリル、チエニ
ル、フリル、インドール及びピロニル、アルデヒド基も
しくは水素から選ばれた基であり、該基は、アルキル
(C1〜C6)、フェニル、アルキルオキシ(C1
6)、アシル(C1〜C6)、アルキルチオ(C1
6)、水酸基,ハロゲン、ニトロ基及び−NRaRb
(Ra及びRbは、同一又は異なってよく、各々水素又は
アルキル(C1〜C4)を表す)から選ばれた同一又は異
なる置換基を1〜4個有してもよい。]で表されるアル
デヒド類。
【0065】(12)一般式 Ra−CO−(CH2n−CO−Rb [ここで、Ra及びRbは、同一又は異なってもよく、水
素、アルキル(C1〜C6)又は−C24−CO−CO−
25を表し、nは0〜2の整数である]で表されるジ
ケトン類。
【0066】(13)一般式 Ra−NH−Rb [ここで、Raは、フェニルを表し、該基は、アルキル
(C1 〜C3)、ハロゲン又はアミノ基で置換されても
よい。Rb は水素、アルキル(C1〜C3)、−NH−C
S−N=N−φ、−CH2又は−φ−NH2を表す。]で
表されるアニリン誘導体。
【0067】(14)一般式
【化23】 [ここで、Ra,Rbは、それぞれ独立に水素、低級アル
キル、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基又はスルホン
酸基を表す。]で表されるニトロ化合物またはそのナト
リウム、カリウムもしくはアンモニウム塩。
【0068】(15)一般式 HOOC−CHR−SH [ここで、Rは、水素又はアルキル(C1〜C2)を表
し、該アルキルの水素はカルボキシル基で置換されてい
てもよい。]で表されるメルカプトカルボン酸類
【0069】(16)下記から選ばれる複素環式化合物
類: 1,10−フェナントロリン、2−ビニルピリジ
ン、キノリン、インドール、イミダゾール、2−メルカ
プトベンゾイミダゾール、1,2,3−(又は1,2,
4−又は1,3,5−)トリアジン、1,2,3−ベン
ゾトリアジン、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2
−シンナミルチオフェン、
【0070】(17)アセトフェノン及びハロゲン化ア
セトフェノン
【0071】(18)一般式
【化24】 [ここで、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立に、水
素、メチル、エチル又は(CH2n−CH(R4 )(O
H)を表し、Ra、Rb及びRcのうち少なくとも一つは
−(CH2n−CH(Rd )(OH)である。Rdは水
素又はメチルを表し、nは1又は2の整数を表す。]で
表されるアミンアルコール類、
【0072】(19) 上記(11)から選ばれたアル
デヒドと上記(13)又は下記一般式(a)から選ばれ
たアミンとの反応生成物、 (a)一般式 Ra−NH−Rb [ここで、Ra及びRbは水素、アルキル(C1 〜C
6 )、又はシクロアルキル(C3〜C8)を表す。該Ra
及びRbの水素は、水酸基、アミノ基で置換されていて
よく、また、結合して又は−NH−又は−O−を介して
結合して環を形成してもよい。ただし、該Ra及びRb
は同時に水素であることはない。]で表される脂肪族一
級又は二級アミン、
【0073】これらのうち、特に好適な例を挙げると、前
記式(2)で表されるものとして、N−ブチリデンスル
ファニル酸、N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p−
スルファニル酸、アルドール、
【0074】前記式(3)で表されるものとして、8−
ヒドロキシキノリンに5モルの酸化プロピレンを付加し
た生成物、
【0075】前記式(4)で表されるものとして、ベン
ゾトリアゾール、4−メチルベンゾトリアゾール、4−
ヒドロキシベンゾトリアゾール、4−カルボキシベンゾ
トリアゾール、
【0076】前記式(5)で表されるものとして、ベン
ゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、2−メル
カプトベンゾチアゾール、2−アミノ−4−クロロベン
ゾチアゾール、2−アミノ−6−メトキシベンゾチアゾ
ール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、2−クロロベ
ンゾチアゾール、2−メチル−5−クロロベンゾチアゾ
ール、2,5−ジメチルベンゾチアゾール、5−ヒドロ
キシ−2−メチルベンゾチアゾール、6−クロロ−2−
メチル−4−メトキシベンゾチアゾール、2−(n−ブ
チル)メルカプト−6−アミノベンゾチアゾール、2−
ベンゾチアゾールチオ酢酸、2−ベンゾチアゾールオキ
シ酢酸、6−エトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾー
ル、
【0077】前記式(6)で表されるものとして、N、
N’ジイソ−ブチリデン−o−フェニレンジアミン、
【0078】前記式(7)で表されるものとして、2,
4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル
(1’)エチル−1,3,5−トリアジン、2,4−ジ
アミノ−6−[2’−エチルイミダゾリル(1’)エチ
ル−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
[2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)エチル−1,
3,5−トリアジン、
【0079】前記式(8)で表されるものとして、β−
N−ドデシルアミノプロピオグアナミン、β−N−ヘキ
シルアミノプロピオグアナミン、ピペリジンプロピオグ
アナミン、シクロヘキシルアミノプロピオグアナミン、
モルホリンプロピオグアナミン、β−N−(2−エチル
ヘキシロキシプロピルアミノ)プロピオグアナミン、β
−N−(ラウリルオキシプロピルアミノ)プロピオグア
ナミン、
【0080】前記式(9)で表されるものとして、o−
(又はm−又はp−)安息香酸メチル、サリチル酸フェ
ニル、
【0081】前記式(10)で表されるものとして、イ
タコン酸、プロピレン−1,3−ジカルボン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、メタ
クリル酸ブチル、エタクリル酸、アクリルアミド、ジア
セトンアクリルアミド、t−ブチルアクリルアミド、N
−メトキシジメチルアクリルアミド、クルクミン(1,
7−ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェラル)−
1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン)、イソホロン
(3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセノン)、
メシチルオキシド、ビニルフェニルケトン、フェニルプ
ロペニルケトン、フェニルイソブテニルケトン、フェニ
ル−1−メチルプロペニルケトン、ベンジリデンアセト
フェノン(chalcone)、2−(ω−ベンゾイ
ル)ビニルフラン、p−フロロフェニルプロペニルケト
ン、p−クロロフェニルプロペニルケトン、p−ヒドロ
キシフェニルプロペニルケトン、m−ニトロフェニルプ
ロペニルケトン、p−メチルフェニルプロペニルケト
ン、2,4,6−トリメチルフェニルプロペニルケト
ン、p−メトキシフェニルプロペニルケトン、p−メト
キシフェニルブテニルケトン、p−メチルチオフェニル
プロペニルケトン、p−イソブチルフェニルプロペニル
ケトン、α−ナフチル−1−メチルプロペニルケトン、
4−メトキシナフチルプロペニルケトン、2−チエニル
プロペニルケトン、2−フリルプロペニルケトン、1−
メチルピロールプロペニルケトン、ベンジリデンメチル
エチルケトン、ベンジリデンアセトンアルコール、p−
トルイデンアセトン、アニザルアセトン(アニシリデン
アセトン)、p−ヒドロキシベンジリデンアセトン、ベ
ンジリデンメチルイソブチルケトン、3−クロロベンジ
リデンアセトン、ベンザルアセトン(ベンジリデンアセ
トン)、ベンジリデンアセチルアセトン、4−(1−ナ
フチル)−3−ブテン−2−オン、ピリジデンアセト
ン、フルフリジンアセトン、4−(2−チオフェニル)
−3−ブテン−2−オン、4−(2−フリル)−3−ブ
テン−2−オン、アクロレイン(アクリルアルデヒド、
プロペナール)、アリルアルデヒド、クロトンアルデヒ
ド、シンナムアルデヒド、ベンジルクロトンアルデヒ
ド、テニリデンアセトン、
【0082】前記式(11)で表されるものとして、ホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデ
ヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、
n−バレルアルデヒド(バレラール、ペンタナール)、
イソバレルアルデヒド、n−カプロンアルデヒド(ヘキ
サナール、ヘキシルアルデヒド)、スクシンアルデヒド
(スクシンジアルデヒド)、グルタルアルデヒド(1,
5−ペンタンジアール、グルタルジアルデヒド)、アル
ドール(3−ヒドロキシブチルアルデヒド、アセトアル
ドール)、クロトンアルデヒド、桂皮アルデヒド、プロ
パギルアルデヒド、ベンズアルデヒド、o−フタルアル
デヒド、サリチルアルデヒド(O−ヒドロキシベンズア
ルデヒド)、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ニ
トロベンズアルデヒド、o−(又はp−)メトキシベン
ズアルデヒド(アニスアルデヒド)、3−メトキシベン
ズアルデヒド、バニリン、o−バニリン、ベラトルアル
デヒド(3,4−ジメトキシベンズアルデヒド)、2,
5−ジメトキシベンズアルデヒド、(2,4−、2,6
−)ジクロロベンズアルデヒド、1−(又は2−)ナフ
トアルデヒド、2−(又は4−)クロロ−1−ナフトア
ルデヒド、2−(又は4−)ヒドロキシ−1−ナフトア
ルデヒド、5(又は2)−メトキシナフトアルデヒド、
2−フルアルデヒド(2−フルアルデヒド=フルフラー
ル)、3−フルアルデヒド、2(3)−チオフェンカル
ボキシアルデヒド、ピコリンアルデヒド、3−アセナフ
トアルデヒド、3−インドールカルボキシアルデヒド、
【0083】前記式(12)で表されるものとして、グ
リオキサール(エタンジアール、オキサルアルデヒド、
ジホルミル、ビホルミル)、ジアセチル(ビアセチル、
ジメチルグリオキサール、ブタンジオン)、ヘキサンジ
オン−3,4、アセチルアセトン(2,4−ペンタンジ
オン)、ヘキサンジオン−3,4−アセチルアセトン、
【0084】前記式(13)で表されるものとして、ア
ニリン、o−(又はm−又はp−)トルイジン、o−
(又はp−)アミノアニリン、o−(又はp−)クロル
アニリン、2,5−(又は3,4−)クロルメチルアニ
リン、N−モノメチルアニリン、4,4’ジアミノジフ
ェニルメタン、N−フェニル−(α−又はβ−)ナフチ
ルアミン、ジチゾン、
【0085】前記式(14)で表されるものとして、p
−ニトロフェノール、ニトロベンゼンスルホン酸、2,
4−ジニトロベンゼンスルホン酸、m−ニトロ安息香
酸、
【0086】前記式(15)で表されるものとして、メ
ルカプト酢酸(チオグリコール酸)、メルカプトコハク
酸、
【0087】前記式(18)で表されるものとして、ト
リエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノエタノ
ールアミン、N−メチルエタノールアミン、
【0088】前記式(19)で表されるものとして、ア
ミン−アルデヒド縮合物、例えば、ピペラジン、ビペリ
ジン、モルホリン、シクロプロピルアミン、シクロヘキ
シルアミン、シクロオクチルアミン、エチレンジアミ
ン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、など
の式(a)で表される脂肪族第一若しくは第二アミン類
又は前記式(13)で表される芳香族アミン類と前記式
(11)で表されるアルデヒド類との縮合物などを含む
ことができる。
【0089】本発明のメッキ浴は、酸性浴、中性浴、ア
ルカリ性浴を問わず、錫および錫合金種によって適意選
択することができる。
【0090】酸性浴では、前述の錯化剤の他、アルカン
スルホン酸、アルカノールスルホン酸、スルホコハク
酸、フェノールスルホン酸などの有機酸の他、塩酸、硫
酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、過塩素酸等
の無機酸を選択することができる。
【0091】上記アルカンスルホン酸としては、化学式
n2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示される
ものが使用可能であり、具体的には、メタンスルホン
酸、1−プロパンスルホン酸、1−ブタンスルホン酸、
2−プロパンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペン
タンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン
酸、ドデカンスルホン酸等が含まれる。
【0092】上記アルカノールスルホン酸としては、C
mm+1−CH(OH)−Cp2p−SO3 H(例えば、
m=0〜2、p=1〜10)で示されるものが使用可能
であり、具体的には、2−ヒドロキブタン−1−スルホ
ン酸、2−ヒドロキプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキペンタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキヘキサ
ン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシドデカン−1−ス
ルホン酸等が含まれる。
【0093】本メッキ浴のアルカリ調整剤は、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、アンモニウム等を用いるこ
とができる。
【0094】本発明の錫および錫合金メッキ浴は、従来
の錫および錫合金メッキ浴において公知である電導性
塩、pH緩衝剤、および酒石酸マグネシウム、ロッシェ
ル塩、リン酸一水素ナトリウム、リン酸二水素アンモニ
ウム、ポリアクリルアミド等の高分子凝集剤等の酸化第
二錫微粒子の凝集促進剤、およびヒドロキノン、ピロカ
テコール、レゾルシン、ピロガロール、クレゾールスル
ホン酸、アスコルビン酸、フロログリシノールヒドラジ
ン等の酸化防止剤等を適宜添加して用いることが出来
る。
【0095】本発明の錫および錫合金電気メッキ浴の陰
極電流密度条件とメッキ浴温度条件は、バレルメッキ、
ラックメッキ、高速度メッキ、スルホールメッキ、ラッ
クレスメッキなどのメッキ方法によって適宜任意に変更
することができる。一般の陰極電流密度条件は、0.0
01〜200A/dm2 程度、好ましくは0.05〜5
0A/dm2 、一般の浴温度条件5〜90℃程度、好ま
しくは15〜50℃の範囲で使用される。
【0096】錫合金浴は、下記実施例の数例に限定され
るものではなく、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、インジウ
ム、銅、ニッケルから選ばれた金属の一種以上を錫と併
用して用いることができる。
【0097】次に実施例によって、本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれら数例によって限定される
ものではなく、前述した目的に沿って、メッキ浴の組成
およびメッキ条件は適宜、任意に変更することができ
る。
【0098】
【実施例】バフ研磨した銅板を素地として用いた。0.
3×25×25mmに切断後、定法に従って予備処理と
して、ベンジン脱脂、電解脱脂、水洗の後、所定の陰極
電流密度条件でメッキを施した。
【0099】メッキ浴の経時安定試験は、メッキ浴を建
浴後、室温度条件下で静置保存して濁りや浮遊物、沈殿
物の有無を目視観察により評価した。
【0100】錫合金電着物の合金組成は、得られた電着
物を無機酸に溶解後、ICP発光分光分析装置にて測定
した。
【0101】メッキ皮膜の外観評価は、ヤケ(コゲ)、
デンドライト等の異常析出物の有無および平滑性および
均一性を目視で評価した。下記に外観の評価基準を示
す。 ◎:非常に平滑で均一な外観を示した。 〇:皮膜外観に異常がなく、実用レベルの外観を示し
た。 △:皮膜粒子が粗く、均一性および平滑性が実用レベル
からやや劣る外観を示した。 ×:ヤケ(コゲ)またはデンドライト等が顕著に認めら
れ、実用不可能な外観。
【0102】 実施例1 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 10 g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 1 g/L メタンスルホン酸 100 g/L アスパラギン酸二酢酸 0.5 mol/L ポリオキシエチレンラウリルアミン 0.1 g/L オレイルメチルアンモニウムベタイン 0.5 g/L N,N’−ジイソブチリデン−o− フェニレンジアミン 0.05 g/L pH4(KOHにて)
【0103】 実施例2 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 20 g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 2 g/L スルホコハク酸 0.5 mol/L スルホメチル二酢酸 1 mol/L ポリオキシエチレンエチレンジアミン 0.5 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 0.05 g/L 2−メチルベンゾチアゾール 0.05 g/L アセトフェノン 0.01 g/L pH5.5(KOHにて)
【0104】 実施例3 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 40 g/L 硫酸銀(Ag+として) 0.5 g/L メタンスルホン酸 100 g/L スルホエチルグルタミン酸二酢酸 0.3 mol/L ヨウ化カリウム 0.05 mol/L ジメチルラウリルベタイン 0.05 g/L 8−ヒドロキシキノリン 0.01 g/L サリチルアルデヒド 0.05 g/L pH4(KOHにて)
【0105】 実施例4 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 12 g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛 (Pb2+として) 8 g/L メタンスルホン酸 80 g/L グルタミン酸二酢酸 0.2 mol/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 10 g/L N−(3−ヒドロキシブチリデン)− p−スルファニル酸カリウム 0.1 g/L
【0106】 実施例5 硫酸第一錫(Sn2+として) 40 g/L エタンスルホン酸インジウム(In3+として) 20 g/L スルファミン酸 100 g/L α−アラニン二酢酸 0.1 mol/L グリシン 30 g/L デシルジメチルベンザルコニウムクロライド 0.2 g/L ジメチルラウリルベタイン 5 g/L 2,4−ジメチル−6−[2’−エチルイミダゾリン (1’)エチル−1,3,5−トリアジン] 0.03 g/L pH2(アンモニアにて)
【0107】 実施例6 硫酸第一錫(Sn2+として) 40 g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 ビスマス(Bi3+として) 40 g/L スルホコハク酸 80 g/L スルファニル酸2酢酸 0.1 mol/L プロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム 0.005 g/L ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 10 g/L 4−カルボキシベンゾトリアゾール 0.003 g/L pH1(アンモニアにて)
【0108】 実施例7 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 30 g/L 硫酸銅(Cu2+として) 0.5 g/L メタンスルホン酸 90 g/L L−グルタミン酸二酢酸四ナトリウム 0.5 mol/L オレイルメチルアンモニウムベタイン 0.5 g/L ポリオキシエチレンポリオキシ プロピレンブロックポリマー 1.0 g/L サリチル酸フェニル 0.02 g/L カテコール 0.3 g/L pH6(NaOHにて)
【0109】 実施例8 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 30 g/L 塩化ニッケル(Ni2+として) 1 g/L 硫酸 60 g/L メチルイミノ二酢酸 2.0 mol/L ポリエチレングリコールラウリルエーテル 1.3 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 0.2 g/L ポリエチレングリコールラウリルアミン 2.0 g/L モルホリンプロピオグアナミン 1.5 g/L ダイアセトンアクリルアミド 0.05 g/L
【0110】 実施例9 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 2 g/L プロパンスルホン酸鉛(Pb2+として) 30 g/L フェノールスルホン酸 140 g/L グルコン酸ナトリウム 0.1 mol/L イミノジコハク酸 1.0 mol/L ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン トリスチレン化フェノールエーテル 10 g/L ポリオキシエチレンエチレンジアミン 0.05 g/L 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.05 g/L アクリル酸エチル 0.02 g/L
【0111】 実施例10 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 5 g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 20 g/L ブタンスルホン酸 100 g/L スルホエチルグルタミン二酢酸 0.2 mol/L アスパラギン酸プロピオン酸 0.2 mol/L りん酸水素二ナトリウム 1.0 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 2.0 g/L o−トルイジン 3.0 g/L
【0112】 実施例11 フェノールスルホン酸第一錫(Sn2+として) 1 g/L スルファミン酸インジウム(In3+として) 40 g/L スルファミン酸 100 g/L フェニルアラニン二酢酸 0.5 mol/L ポリオキシエチレンラウリルアミン 0.1 g/L オレイルメチルアンモニウムベタイン 0.5 g/L ポリエチレングリコール 0.01 g/L
【0113】 実施例12 ホウフッ化第一錫(Sn2+として) 5 g/L メタンスルホン酸銀(Ag+として) 0.5 g/L フェノールスルホン酸 140 g/L フェニルアラニン二酢酸 0.05 mol/L 2,2’−ジチオアニリン 0.2 mol/L ジメチルラウリルアミン 0.05 g/L ポリオキシエチレンラウリルアミン 0.1 g/L メルカプトコハク酸 0.03 g/L p−ニトロフェノール 0.05 g/L
【0114】 実施例13 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 5 g/L 塩化ニッケル(Ni2+として) 5 g/L 硫酸 100 g/L セリン二酢酸 0.4 mol/L ポリオキシエチレンリン酸エステル 0.5 g/L デシルジメチルラウリルエーテル 0.1 g/L N−メチチルエタノールアミン 0.2 g/L pH3.0(アンモニアにて)
【0115】 実施例14 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 30 g/L メタンスルホン酸銅(Cu2+として) 3 g/L 硫酸 100 g/L スルホエチルグルタミン酸 0.5 mol/L 酒石酸カリウム 1 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 2.0 g/L ポリオキシエチレンポリオキシ プロピレンブロックポリマー 0.5 g/L 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.007 g/L クロトンアルデヒド 0.005 g/L pH4.0(KOHにて)
【0116】実施例15 実施例5の浴に、グリコール酸0.1mol/Lを添加
した。 硫酸第一錫(Sn2+として) 40 g/L エタンスルホン酸インジウム(In3+として) 20 g/L スルファミン酸 100 g/L α−アラニン二酢酸 0.1 mol/L グリシン 30 g/L グリコール酸 0.1 mol/L デシルジメチルベンザルコニウムクロライド 0.2 g/L ジメチルラウリルベタイン 5 g/L 2,4−ジメチル−6−[2’−エチルイミダゾリン (1’)エチル−1,3,5−トリアジン] 0.03g/L pH2(アンモニアにて)
【0117】実施例16 実施例14の浴に、グリコール酸0.05mol/Lを添
加した。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 30 g/L メタンスルホン酸銅(Cu2+として) 3 g/L 硫酸 100 g/L スルホエチルグルタミン酸 0.5 mol/L グリコール酸 0.05 mol/L 酒石酸カリウム 1 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 2.0 g/L ポリオキシエチレンポリオキシ プロピレンブロックポリマー 0.5 g/L 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.007 g/L クロトンアルデヒド 0.005 g/L pH4.0(KOHにて)
【0118】実施例17 実施例10の浴に、グリコール酸0.2mol/Lを添加
した。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 5 g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 20 g/L アスパラギン酸プロピオン酸 0.2 mol/L グリコール酸 0.2 mol/L りん酸水素二ナトリウム 1.0 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 2.0 g/L o−トルイジン 3.0 g/L
【0119】 実施例18 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 20 g/L プロパンスルホン酸 100 g/L グルタミン酸二酢酸四ナトリウム 0.5 mol/L グリコール酸アンモニウム 0.3 mol/L ビスフェノールAのポリオキシエチレン付加物 0.03 g/L N−メチルエタノールアミン 0.7 g/L ポリエチレングリコール 2.5 g/L pH3.5(アンモニアにて)
【0120】 実施例19 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 20 g/L メタンスルホン酸ビスマス(Bi3+として) 0.5 g/L スルファミン酸インジウム(In3+として) 0.5 g/L スルファミン酸 80 g/L 2−スルホメチル二酢酸 0.8 mol/L グリコール酸カリウム 0.5 mol/L グルコン酸アンモニウム 0.5 mol/L オレイルメチルアンモニウムベタイン 0.3 g/L デシルシジメチルベンザルコニウムベタイン 1 g/L N,N’−ジイソブチリデン−o− フェニレンジアミン 0.05 g/L pH4.0(アンモニアにて)
【0121】比較例1 実施例1記載の浴を、アスパラギン酸二酢酸無添加にし
て建浴する。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 10 g/L メタンスルホン酸鉛(Pb2+として) 1 g/L メタンスルホン酸 100 g/L ポリオキシエチレンラウリルアミン 0.1 g/L オレイルメチルアンモニウムベタイン 0.5 g/L N,N’−ジイソブチリデン−o− フェニレンジアミン 0.05 g/L pH4(KOHにて)
【0122】比較例2 実施例2記載の浴を、スルホメチル二酢酸無添加にして
建浴する。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 20 g/L 硫酸亜鉛(Zn2+として) 2 g/L スルホコハク酸 0.5 mol/L ポリオキシエチレンエチレンジアミン 0.5 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 0.05 g/L 2−メチルベンゾチアゾール 0.05 g/L アセトフェノン 0.01 g/L pH5.5(KOHにて)
【0123】比較例3 実施例3記載の浴を、スルホエチルグルタミン酸二酢酸
無添加にして建浴する。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 40 g/L 硫酸銀(Ag+として) 0.5 g/L メタンスルホン酸 100 g/L スルホエチルグルタミン酸二酢酸 0.3 mol/L ヨウ化カリウム 0.05 mol/L ジメチルラウリルベタイン 0.05 g/L 8−ヒドロキシキノリン 0.01 g/L サリチルアルデヒド 0.05 g/L pH4(KOHにて)
【0124】比較例4 実施例4記載の浴にポリオキシエチレンα−ナフトール
を添加しないで建浴する。 メタンスルホン酸第一錫(Sn2+として) 12 g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 鉛(Pb2+として) 8 g/L メタンスルホン酸 80 g/L グルタミン酸二酢酸 0.2 mol/L N−(3−ヒドロキシブチリデン)−p− スルファニル酸カリウム 0.1 g/L
【0125】比較例5 実施例5記載の浴にα−アラニン二酢酸を添加せずに建
浴する。 硫酸第一錫(Sn2+として) 40 g/L エタンスルホン酸インジウム(In3+として) 20 g/L スルファミン酸 100 g/L グリシン 30 g/L デシルジメチルベンザルコニウムクロライド 0.2 g/L ジメチルラウリルベタイン 5 g/L 2,4−ジメチル−6−[2’−エチルイミダゾリン (1’)エチル−1,3,5−トリアジン]0.03 g/L pH2(アンモニアにて)
【0126】比較例6 実施例7記載の浴にスルファニル酸2酢酸を添加せずに
建浴する。 硫酸第一錫(Sn2+として) 40 g/L 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 ビスマス(Bi3+として) 40 g/L スルホコハク酸 80 g/L プロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム 0.005 g/L ポリエチレングリコールノニルフェニルエーテル 10 g/L 4−カルボキシベンゾトリアゾール 0.003 g/L pH1(アンモニアにて)
【0127】比較例7 実施例18記載の浴にグルタミン酸二酢酸四ナトリウム
を添加せずに建浴する。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 20 g/L プロパンスルホン酸 100 g/L グリコール酸アンモニウム 0.3 mol/L ビスフェノールAのポリオキシエチレン付加物 0.03 g/L N−メチルエタノールアミン 0.7 g/L ポリエチレングリコール 2.5 g/L pH3.5(アンモニアにて)
【0128】比較例8 実施例16記載浴のスルホエチルグルタミン酸を削除し
て、グリコール酸濃度を0.5mol まで増加させたが、
メッキ浴は数時間後に濁りを生じ、浴としては不適当で
あった。 2−ヒドロキシプロパンスルホン酸 第一錫(Sn2+として) 30 g/L メタンスルホン酸銅(Cu2+として) 3 g/L 硫酸 100 g/L グリコール酸 0.5 mol/L 酒石酸カリウム 1 g/L ポリオキシエチレンα−ナフトール 2.0 g/L ポリオキシエチレンポリオキシ プロピレンブロックポリマー 0.5 g/L 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.007 g/L クロトンアルデヒド 0.005 g/L pH4.0(KOHにて)
【0129】前記実施例および比較例の浴安定性と錫の
共析率、メッキ外観の試験結果を表1〜4に示した。
【0130】
【表1】
【0131】
【表2】
【0132】
【表3】
【0133】
【表4】
【0134】実施例1〜3のモノアミン型化合物を添加
した錫合金浴と、比較例1〜3のモノアミン型化合物無
添加浴を比較すると、添加浴では浴の経時安定性が良
く、緻密で平滑なメッキ外観が得られているのに対し
て、無添加浴では濁りを生じ易い不安定な浴であった。
比較例1及び2の建浴初期に沈殿物を生じ無い浴につい
てメッキ付け試験を実施したが、得られた皮膜はコゲや
異常析出物のある不均一な外観であった。
【0135】実施例4と比較例4は、界面活性剤ポリオ
キシエチレンα−ナフトールの添加有無による影響を示
したもので、グルタミン酸二酢酸を添加した比較例4
は、浴安定性は良好であるがメッキ外観著しく粗野な皮
膜で実用上支障のある皮膜であった。
【0136】実施例5と比較例5を比較すると、α−ア
ラニン二酢酸の添加効果は浴安定性および皮膜外観の良
化だけで無く、メッキ皮膜組成に対しても大きく影響を
与えている。比較例5では、Inの共析率が低電流密度
条件で低下する傾向があり、2A/dm2 での錫含有率
が97.8%まで増加する。一方、α−アラニン二酢酸
を添加した実施例5では、2A/dm2 での錫含有率が
58.9%で5.10A/dm2 の皮膜と近似した組成
を示した。メッキ皮膜組成の電流密度依存性の低い実施
例5浴に、グリコール酸を添加した実施例15浴では、
電流密度変化に対して皮膜組成がさらに安定すると共
に、メッキ外観の均一性と平滑性がさらに向上した半光
沢皮膜を示した。
【0137】実施例6浴のSn−Bi合金浴において
も、スルファニル酸二酢酸の添加有無効果を比較例6と
比較した場合、メッキ外観と浴安定性の向上に加えて、
皮膜組成の電流密度変化に対する安定性が向上した。比
較例6の3A/dm2 条件ではBi含有率が高いが、実
施例6浴の同条件では10.20A/dm2 条件と近似
した皮膜組成を示した。
【0138】このように、浴の経時安定の向上と電流密
度変化に対して皮膜組成が安定すること、並びにメッキ
外観の均一性と平滑性を向上させる効果がモノアミン型
化合物と界面活性剤を併用添加した錫ー鉛、錫ー銅、錫
ーニッケル、錫ービスマス、錫ー銀、錫ー亜鉛、錫ーイ
ンジウム合金メッキ浴にあることが、実施例7〜13の
試験結果により示された。
【0139】実施例14と実施例16は、錫銅合金浴の
グリコール酸添加による効果を示したもので、グリコー
ル酸を添加した実施例16では皮膜組成の電流密度依存
性が小さく、メッキ外観がさらに良化する相乗効果を示
した。
【0140】実施例18と比較例7は錫浴での比較結果
であるが、グルタミン酸二酢酸四ナトリウム無添加の比
較例8浴では建浴時に濁りを生じ実用上不適当であっ
た。
【0141】実施例19は、Sn−Bi−In三元合金
浴を示したもので、10A/dm2条件でSn:98.
5%、Bi:0.9%、In:0.6%組成の平滑なメ
ッキ皮膜が得られ、浴の安定性も良好であった。
【0142】以上の実施例1〜19に示した錫および錫
−鉛合金、錫−銀合金、錫−亜鉛合金、錫−ビスマス合
金、錫−銅合金、錫−インジウム合金、錫−ニッケル合
金、錫系三元合金において、一般式(a)で示されるモ
ノアミン型化合物および一般式(1)〜(12)に示し
た特定の界面活性剤が、メッキ浴の安定性および電流密
度変化による皮膜組成の安定化、皮膜外観の平滑性に大
きな効果を示した。
【0143】また、モノアミン型化合物とグリコール酸
の併用添加が、電着物組成の電流密度依存安定性と皮膜
外観の平滑性に相乗効果を示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 雅一 兵庫県明石市二見町南二見21番地の8株式 会社大和化成研究所内 (72)発明者 小幡 惠吾 兵庫県明石市二見町南二見21番地の8株式 会社大和化成研究所内 (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町5番26号石原 薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町5丁目38−34 Fターム(参考) 4K023 AA17 AB34 BA06 BA08 BA15 BA29 CB03 CB05 CB13 CB14 CB16 CB17 CB21 CB40

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)錫塩又は、錫塩と鉛、銀、亜鉛、
    ビスマス、インジウム、銅、ニッケルから選ばれた金属
    の塩との混合物のいずれかよりなる可溶性塩、(B)下
    記一般式(a) 【化1】 [式中、R1 は、水素あるいは炭素数1〜10の無置換
    または置換炭化水素基で、置換基として、−OH、−C
    OOM、−SO3M、−NH2 、−CONH2 、−NH
    C(=NH)NH2 、あるいは−SHを含んでいてもよ
    い。R2 及びR3は、同一であっても異なっていてもよ
    く、水素あるいは炭素数1〜8の無置換または置換炭化
    水素基で、置換基として−OH、−COOM、あるいは
    −SO3Mを一つ以上含んでいてもよい。R4 は、水
    素、−COOM、あるいは−SO3Mを表す。また、R
    1 とR2 の間で環を形成してもよい。Mは水素、アルカ
    リ金属、アンモニウムを表す。]で表される特定のモノ
    アミン型化合物及び(又は)その塩の少なくとも一種、
    及び(C)非イオン系界面活性剤、アニオン系界面活性
    剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤の内の少な
    くとも一種を含有することを特徴とする錫及び錫合金メ
    ッキ浴。
  2. 【請求項2】 一般式(a)で表されるモノアミン型化
    合物がイミノジコハク酸、アスパラギン酸一酢酸、アス
    パラギン酸二酢酸、アスパラギン酸一プロピオン酸、2
    −スルホメチルアスパラギン酸、2−スルホエチルアス
    パラギン酸、グルタミン酸二酢酸、2−スルホメチルグ
    ルタミン酸、2−スルホエチルグルタミン酸、メチルイ
    ミノ二酢酸、α−アラニン二酢酸、β−アラニン二酢
    酸、フェニルアラニン二酢酸、アントラニル酸二酢酸、
    スルファニル酸二酢酸、タウリン二酢酸、スルホメチル
    二酢酸、あるいはこれらのアルカリ金属塩またはアンモ
    ニウム塩である請求項1記載の錫及び錫合金メッキ浴。
  3. 【請求項3】 さらに、下記一般式(b) HOCH2COOM (b) [式中、Mは水素、アルカリ金属、アンモニウムを表
    す。]で表されるグリコール酸あるいはこれらの塩類で
    あるアルカリ金属塩またはアンモニウム塩の1種又は2
    種以上を含有する請求項1又は2記載の錫及び錫合金メ
    ッキ浴。
JP19572998A 1998-07-10 1998-07-10 錫及び錫合金メッキ浴 Expired - Fee Related JP4249292B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19572998A JP4249292B2 (ja) 1998-07-10 1998-07-10 錫及び錫合金メッキ浴

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19572998A JP4249292B2 (ja) 1998-07-10 1998-07-10 錫及び錫合金メッキ浴

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000026991A true JP2000026991A (ja) 2000-01-25
JP4249292B2 JP4249292B2 (ja) 2009-04-02

Family

ID=16346001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19572998A Expired - Fee Related JP4249292B2 (ja) 1998-07-10 1998-07-10 錫及び錫合金メッキ浴

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4249292B2 (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001164396A (ja) * 1999-09-27 2001-06-19 Ishihara Chem Co Ltd スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品
JP2001262391A (ja) * 2000-03-14 2001-09-26 Ishihara Chem Co Ltd スズ−銅系合金メッキ浴並びに当該皮膜を形成した電子部品
JP2001295092A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nippon New Chrome Kk 銅−スズ合金めっき用ピロリン酸浴
JP2001323392A (ja) * 2000-03-31 2001-11-22 Shipley Co Llc すず電解質組成物
WO2002103084A1 (fr) * 1999-10-27 2002-12-27 Kojima Chemicals Co., Ltd Solution de galvanoplastie de palladium
JP2005290505A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Mitsubishi Materials Corp 鉛−スズ合金ハンダめっき液
WO2006016603A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Dipsol Chemicals Co., Ltd. 錫-亜鉛合金電気めっき方法
JP2006052421A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Ishihara Chem Co Ltd 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴
JP2006265572A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Ishihara Chem Co Ltd 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴
CN1295383C (zh) * 2002-06-05 2007-01-17 江南机器厂 锡铅铋合金镀层
US7357853B2 (en) 2003-08-08 2008-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroplating composite substrates
JP2008266757A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 錫または錫合金電気めっき液
JP2010163667A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 電気錫めっき液および電気錫めっき方法
US20110062030A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Lippert Lothar Electrolyte composition
KR101183255B1 (ko) * 2012-04-13 2012-09-14 서영호 주석-아연 합금 도금액
KR101367914B1 (ko) * 2012-06-28 2014-02-27 서영호 주석-아연 합금 도금액
JP2018012887A (ja) * 2016-07-18 2018-01-25 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC アミン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物及びインジウムを電気めっきする方法
EP3321396A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Barrel plating or high-speed rotary plating using a neutral tin plating solution
CN110777405A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 波音公司 用于在金属基材上电沉积锡-铋合金的组合物和方法
WO2021153160A1 (ja) * 2020-01-27 2021-08-05 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法
JP2021116473A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法
US11162182B2 (en) * 2017-10-24 2021-11-02 Mitsubishi Materials Corporation Tin or tin alloy plating solution
CN113862733A (zh) * 2021-11-01 2021-12-31 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种滚镀中性镀锡工艺
CN114737228A (zh) * 2022-06-09 2022-07-12 深圳市板明科技股份有限公司 一种线路板电镀锡光亮剂及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11268203B2 (en) * 2017-10-24 2022-03-08 Mitsubishi Materials Corporation Tin or tin alloy plating solution

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001164396A (ja) * 1999-09-27 2001-06-19 Ishihara Chem Co Ltd スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品
WO2002103084A1 (fr) * 1999-10-27 2002-12-27 Kojima Chemicals Co., Ltd Solution de galvanoplastie de palladium
GB2382353A (en) * 1999-10-27 2003-05-28 Kojima Chemicals Co Ltd Palladium Plating Solution
GB2382353B (en) * 1999-10-27 2004-10-27 Kojima Chemicals Co Ltd Palladium Plating Solution
JP2001262391A (ja) * 2000-03-14 2001-09-26 Ishihara Chem Co Ltd スズ−銅系合金メッキ浴並びに当該皮膜を形成した電子部品
JP2001323392A (ja) * 2000-03-31 2001-11-22 Shipley Co Llc すず電解質組成物
JP2001295092A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nippon New Chrome Kk 銅−スズ合金めっき用ピロリン酸浴
CN1295383C (zh) * 2002-06-05 2007-01-17 江南机器厂 锡铅铋合金镀层
US7357853B2 (en) 2003-08-08 2008-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroplating composite substrates
JP2005290505A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Mitsubishi Materials Corp 鉛−スズ合金ハンダめっき液
KR100929761B1 (ko) * 2004-08-10 2009-12-03 딥솔 가부시키가이샤 주석-아연 합금 전기 도금 방법
JP2006052431A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Dipsol Chem Co Ltd 錫−亜鉛合金電気めっき方法
US20070199827A1 (en) * 2004-08-10 2007-08-30 Dipsol Chemicals Co., Ltd. Method for electroplating with tin-zinc alloy
JP2006052421A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Ishihara Chem Co Ltd 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴
WO2006016603A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Dipsol Chemicals Co., Ltd. 錫-亜鉛合金電気めっき方法
JP2006265572A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Ishihara Chem Co Ltd 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴
JP2008266757A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 錫または錫合金電気めっき液
JP2010163667A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 電気錫めっき液および電気錫めっき方法
US20110062030A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Lippert Lothar Electrolyte composition
CN102021613A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 肖特太阳能控股公司 电解质组合物
KR101183255B1 (ko) * 2012-04-13 2012-09-14 서영호 주석-아연 합금 도금액
KR101367914B1 (ko) * 2012-06-28 2014-02-27 서영호 주석-아연 합금 도금액
JP2018012887A (ja) * 2016-07-18 2018-01-25 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC アミン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物及びインジウムを電気めっきする方法
EP3321396A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Barrel plating or high-speed rotary plating using a neutral tin plating solution
CN108070885A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 罗门哈斯电子材料有限责任公司 使用中性镀锡液的滚镀或高速旋转电镀
CN108070885B (zh) * 2016-11-11 2020-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 使用中性镀锡液的滚镀或高速旋转电镀
US11162182B2 (en) * 2017-10-24 2021-11-02 Mitsubishi Materials Corporation Tin or tin alloy plating solution
CN110777405A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 波音公司 用于在金属基材上电沉积锡-铋合金的组合物和方法
JP2020037738A (ja) * 2018-07-25 2020-03-12 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company スズ−ビスマス合金を金属基材に電着させるための組成物及び方法
WO2021153160A1 (ja) * 2020-01-27 2021-08-05 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法
JP2021116473A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法
CN113862733A (zh) * 2021-11-01 2021-12-31 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种滚镀中性镀锡工艺
CN113862733B (zh) * 2021-11-01 2022-10-25 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种滚镀中性镀锡工艺
CN114737228A (zh) * 2022-06-09 2022-07-12 深圳市板明科技股份有限公司 一种线路板电镀锡光亮剂及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP4249292B2 (ja) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000026991A (ja) 錫及び錫合金メッキ浴
US6372117B1 (en) Bright tin-copper alloy electroplating solution
JP3782869B2 (ja) 錫−銀合金めっき浴
JP3904333B2 (ja) 錫又は錫合金めっき浴
JP5412612B2 (ja) スズ及びスズ合金メッキ浴、当該浴により電着皮膜を形成した電子部品
US4347107A (en) Electroplating tin and tin alloys and baths therefor
JP3538499B2 (ja) 錫−銀合金電気めっき浴
JP4162246B2 (ja) シアン化物非含有銀系メッキ浴、メッキ体及びメッキ方法
JP3419995B2 (ja) 無電解錫−銀合金めっき浴
GB2104920A (en) Electrodeposition of zinc-nickel alloy deposits
JP3274766B2 (ja) 低融点錫合金めっき浴
KR102399444B1 (ko) 아연-니켈-철 3원 합금 및 이러한 합금 도금용 알칼리성 전해질
JP4605359B2 (ja) 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴
JPH1046385A (ja) 電気・電子回路部品
JPH10130855A (ja) 非シアン置換銀めっき浴
JP3609565B2 (ja) 錫−亜鉛合金めっき浴
CA1193224A (en) Process and composition for the electrodeposition of tin
JP4389083B2 (ja) 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴
JP4132247B2 (ja) 電気・電子回路部品
JP3579550B2 (ja) 電気・電子回路部品
SG178183A1 (en) Tin-containing alloy plating bath, electroplating method using same, and base having electroplated material deposited thereon
JP2757067B2 (ja) 錫、鉛または錫―鉛合金めっき浴
JP2667323B2 (ja) 酸化防止剤、めっき浴用助剤およびこれを用いためっき浴
US4207148A (en) Electroplating bath for the electrodeposition of tin and tin/cadmium deposits
JPS61117297A (ja) スズ属金属めつき液

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060403

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060623

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060719

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20060908

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081114

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees