JP2000003535A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録膜の外部磁界感度を高めること
で、小さな外部磁界で情報をオーバーライトできる磁気
超解像形の光磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 透明基板上に、希土類−遷移金属系の垂
直磁化膜からなる磁気超解像形の光磁気記録膜と、自発
磁化を有する補助磁性膜とを担持してなる光磁気記録媒
体において、前記補助磁性膜として、キュリー温度近傍
で角形比が１以下で、２００（Ｏｅ）の外部磁界で情報
を完全に消去可能な磁性膜を用いる。また、同種の光磁
気記録媒体において、前記光磁気記録膜として、遷移金
属がもつ部分磁化の磁気モーメントの方向が、少なくと
も当該光磁気記録膜のキュリー温度直下において当該光
磁気記録膜の磁化の方向と同じか逆で、２００（Ｏｅ）
の外部磁界で情報を完全に消去可能な磁性膜を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体に係
り、特に、磁気超解像形の光磁気記録媒体における希土
類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録膜と自
発磁化を有する補助磁性膜の磁気的特性に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体を用いた情報記録システ
ムが実用化の段階に入り、オーバーライト機能、すなわ
ち情報が記録されたエリアに新たな情報を再書き込みす
る場合、先に記録された情報を一旦消去した後に新たな
情報を書き込むのではなく、先に記録された情報を消去
しつつ同時に新たな情報を記録し得る機能を有する光磁
気記録媒体の開発がますます重要な技術的課題になって
いる。

【０００３】光磁気記録媒体のオーバーライト記録方式
としては、現在のところ、光磁気記録媒体に一定強度の
外部磁界を印加しつつ、２値化された情報信号の“０”
または“１”に対応してパルス状に強度変調された記録
用光を走査し、情報を記録する光強度変調方式が最も注
目されている。光強度変調方式のオーバーライト記録を
可能にした光磁気記録媒体としては、例えば特開昭６２
−１７５９４８号公報に記載されているもの、あるいは
例えば国際公開番号ＷＯ９０／０２４００に記載されて
いるものなどがある。

【０００４】なお、光磁気記録媒体は、基板上に担持さ
れた磁性層に情報信号に対応する反磁区（磁化ドメイ
ン）を形成して情報の記録を行い、このようにして情報
が記録された磁性層に直線偏光を照射したとき、磁性層
の磁化の向きによって反射光のカー回転角が変化するこ
とを利用して情報の再生を行うものである。磁性層に反
転磁区を形成する方式には、いわゆる光強度変調方式と
磁界強度変調方式とがあるが、いずれの方式において
も、磁性層をキュリー温度近傍あるいはそれ以上に昇温
しなくてはならない。また、光磁気記録媒体は、情報の
消去と再記録とを繰り返し行うことができるイレーザブ
ルタイプの情報記録媒体であり、情報の消去を行う場合
にも磁性層をキュリー温度近傍あるいはそれ以上に昇温
しなくてはならない。従来より、磁性層の昇温は、磁性
層にレーザビームを合焦することによって行われてい
る。

【０００５】かように光磁気記録媒体は、磁性層を所定
温度まで昇温することによって情報の記録と消去とを行
うから、所望のデータ転送速度を得るためには、磁性層
のキュリー温度と、磁性層に接する部分の熱伝導率と、
磁性層に照射されるレーザビームの強度と、光磁気記録
媒体上を走行するレーザビームスポットの線速度とをバ
ランス良く設定しなくてはならない。

【０００６】従来より実用化されている５インチの光磁
気ディスクは、出力値が３０〜４０ｍＷの半導体レーザ
が搭載された光磁気ディスク駆動装置に装着されて２４
００ｒｐｍで回転駆動され（角速度一定）、レーザビー
ムスポットの線速度が最も高くなる（１５０ｍ／ｓ）最
外周記録領域において最適な状態で情報の記録および消
去が行えるように、磁性層のキュリー温度と磁性層に接
する部分の熱伝導率とが設定されている。なお、これに
関連する従来技術としては、例えば特開昭５６−４０９
０号公報、特開昭５６−５４０７０号公報、特開昭５７
−１２０２５３号公報、特開昭５７−１６９９９６号公
報などを挙げることができる。

【０００７】また、従来より、例えば「わかりやすい光
ディスク」、株式会社オプトロニクス、昭和６０年１２
月１０日発行、第５２頁に記載されているように、２枚
の光磁気記録単板の透明基板および記録面同士を接着剤
を介して貼り合わせてなるいわゆる密着貼り合わせ構造
の光磁気記録媒体が知られている。また、２枚の光記録
単板の透明基板の内周部および外周部を接着剤が塗布さ
れたスぺーサを介して貼り合わせ、相対向する記録面の
間に空気層を介在させたいわゆるエアサンドイッチ構造
の光磁気記録媒体が知られている。

【０００８】光記録単板は、基板のプリフォーマットパ
ターン形成面に少なくとも記録層または反射層を含む１
層または複数層の薄膜を被着したものであって、透明基
板は、例えばガラスなどの透明セラミック材料や、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキ
シ、光硬化性樹脂などの透明プラスチック材料をもって
形成される。一方、これらの光記録単板を接着する接着
剤やエポキシ系接着剤などの高分子接着剤が賞用されて
いる。

【０００９】さらに、この種の光情報記録媒体にあって
は、従来より透明基板と光磁気記録膜との間に、酸化物
ならびに窒化物などの透明薄層を設けて、光学多重干渉
膜、保護膜として機能させる検討が種々行われている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、情報のオー
バーライトを実現するためには、光強度変調方式をとる
か磁界強度変調方式をとるかに拘らず、光磁気記録膜の
外部磁界感度が充分に高くなくてはならない。上記光変
調方式のオーバーライト記録に適用される光磁気記録媒
体の公知例のうちの前者は、垂直磁化膜である光磁気記
録膜上に自発磁化を有する補助磁性膜を積層したので、
垂直磁化膜単独の場合に比べて記録時又は消去時の外部
磁界感度を高めることができる。

【００１１】しかるに、このようにしても記録又は消去
時に２００（Ｏｅ）以上の外部磁界が必要であり、実用
上充分に外部磁界感度が高くなっているとは言えない。
また、光磁気記録膜と補助磁性膜とが直接積層されてい
るので、両膜間に作用する交換結合力が期待される値よ
りもかなり大きくなり、光強度変調方式による場合に
は、少なくとも５〜６（ＫＯｅ）もの初期化磁石が必要
となる。さらに、それに比例して記録磁区が消失しやす
いという問題もある。

【００１２】また、光磁気記録媒体においては、データ
転送速度の高速化が最も重要な技術的課題の１つになっ
ている。データ転送速度を高速化するためには、光磁気
記録媒体に対するレーザビームスポットの線速度（例え
ば、光磁気ディスクの回転速度）を高速化しなくてはな
らないが、レーザビームスポットの線速度を高速化する
とレーザビームの照射時間が短縮化されて磁性層が昇温
されにくくなるので、光磁気記録媒体の記録感度を向上
するか、あるいは半導体レーザを大出力化するかという
いずれかの技術的課題を解決する必要がある。

【００１３】また、貼り合わせ構造の光磁気記録媒体に
おいては、媒体内部への水分の侵入を防止し、記録層ま
たは反射層の腐食を防止するため、接着層中に無機フィ
ラーを混入して接着層の透湿率を低減することが多い
が、この場合にも無機フィラーと接着剤との反応性が乏
しいために剥離を生じやすく、長期保存性が悪いという
問題がある。

【００１４】さらに、酸化物層を蒸着法やスパッタリン
グ法で形成タイプの光磁気記録媒体にあっては、前記酸
化物層が化学的に不安定となり、酸素が遊離しやすく、
その遊離した酸素が光磁気記録膜中に徐々に拡散し、そ
の結果、光磁気記録膜を酸化して、情報の記録、再生、
消去特性が劣化してしまう。

【００１５】一方、酸化物層はポリカーボネートなどの
合成樹脂製透明基板に対する密着性が弱いため、光磁気
記録膜の下地層とした場合、長い間には透明基板と下地
層との間において剥離を生じ、データストレージとして
の機能が低下する。このようなことから、従来の光磁気
記録媒体では信頼性に問題があった。

【００１６】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたものであって、その第１の目的は、安価にして簡
単なヘッド装置で情報の記録、再生が可能な光磁気記録
媒体を提供することにある。

【００１７】第２の目的は、初期化磁石を小型化するこ
とができ、かつ安定な記録を実現可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。

【００１８】第３の目的は、従来実用化されている３０
〜４０ｍＷ程度の半導体レーザを用いてデータ転送速度
をより高速化することができる光磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【００１９】第４の目的は、ＲＯＭ領域と書換え領域と
が混在することによる上述のような問題点を解決した新
たな光ディスクを提供することにある。

【００２０】第５の目的は、光記録単板同士あるいは光
記録単板と保護板とが接着層を介して強固に接着され、
長期保存性に優れた光磁気記録媒体を提供するにある。

【００２１】第６の目的は、酸化物層から光磁気記録膜
への酸素の侵入を防止し、もって信頼性及び耐久性に優
れた光磁気記録媒体を提供するにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、これらの目的
を達成するため、第１に、透明基板と、当該透明基板上
に担持された希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる
光磁気記録膜並びに自発磁化を有する補助磁性膜とを備
え、磁界強度変調方式で情報のオーバーライトが行われ
る磁気超解像形の光磁気記録媒体において、前記補助磁
性膜として、キュリー温度近傍で角形比が１以下の磁性
膜を用い、２００（Ｏｅ）の外部磁界で完全な情報の消
去が可能であるという構成にした。

【００２３】第２に、同様の磁気超解像形の光磁気記録
媒体において、前記光磁気記録膜として、遷移金属がも
つ部分磁化の磁気モーメントの方向が、少なくとも当該
光磁気記録膜のキュリー温度直下において当該光磁気記
録膜の磁化の方向と同じであるものを用い、２００（Ｏ
ｅ）の外部磁界で完全な情報の消去が可能であるという
構成にした。

【００２４】第３に、同様の磁気超解像形の光磁気記録
媒体において、前記光磁気記録膜として、遷移金属がも
つ部分磁化の磁気モーメントの方向が、少なくとも当該
光磁気記録膜のキュリー温度直下において当該光磁気記
録膜の磁化の方向と逆であるものを用い、２００（Ｏ
ｅ）の外部磁界で完全な情報の消去が可能であるという
構成にした。

【００２５】前記第１乃至第３の光磁気記録媒体におい
て、前記補助磁性膜としては、当該補助磁性膜の磁気モ
ーメントと前記光磁気記録膜中の遷移金属がもつ部分磁
化の磁気モーメントとの間で交換結合力が作用し合うも
のを用いることができる。

【００２６】前記光磁気記録膜としては、キュリー温度
近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体、キュリー温度近
傍で希土類リッチのフェリ磁性体、キュリー温度近傍で
遷移金属リッチのフェロ磁性体、キュリー温度近傍で希
土類リッチのフェロ磁性体などを用いることができ、膜
面に垂直な方向の対して傾斜した方向の磁気モーメント
成分を有し、かつ当該光磁気記録膜をそのキュリー温度
近傍まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成
分と膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分が共
に消失する磁性膜を用いることが特に好ましい。

【００２７】さらに、磁気超解像形の光磁気記録媒体と
しては、公知に属する任意の膜構造を有するものを用い
ることができるが、光磁気記録膜が、下記の（１）〜
（４）の条件を満たし、かつ室温下で互いに磁気的に結
合する第１、第２、第３の希土類−遷移金属系非晶質垂
直磁化膜の積層体からなり、これら各磁性膜のうち、透
明基板から最も離隔して配設される前記第３の磁性膜
が、室温下で希土類副格子磁化が優勢な磁性膜をもって
構成されたものが、特に好適である。

【００２８】(1) Ｔ₀ ＜Ｔｃ₂ ＜Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₃ (2) Ｈｃ₁ ＋Ｈｗ_(3,1) ＜Ｈｒ（再生時に最高温度まで
昇温させる領域及びその近傍の領域において） (3) Ｈｃ₃ ＞Ｈｒ（室温から再生時の最高到達温度まで
の温度範囲において） (4) Ｈｃ₁ ＜Ｈｗ_(3,1)（室温時） 但し、Ｔ₀ は室温、Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₂ ，Ｔｃ₃ は夫々第
１、第２、第３の磁化膜のキュリー温度、Ｈｃ₁ ，Ｈｃ
₃ は夫々第１、第３の磁化膜の保磁力、Ｈｒは再生用外
部磁界の強度、Ｈｗ_(3,1) は第３の磁性膜が第１の磁性
膜に及ぼす交換磁界の強度である。

【００２９】なお、かかる構成に加えて、超解像形の光
磁気記録媒体を構成する３つの磁性膜のうちの少なくと
もいずれか１つの磁性膜の表面に、希土類−遷移金属系
非晶質合金の酸化物層又は窒化物層を形成するか、ある
いは前記３つの磁性膜のいずれかと接する部分に当該接
する磁性膜との間で互いに交換結合力を作用する補助磁
性膜を設けるか、あるいは再生動作時に記録磁区の保存
に関与する第３の磁性膜に、白金、ニオブ、ネオジム、
ホルミウム、ガドリニウム、クロムから選択される少な
くとも１種類の非磁性元素を添加すると、より一層外部
磁界感度が高くなる。

【００３０】前記酸化物層又は窒化物層は、酸素量又は
窒素量が調整された真空槽内で、所望の磁性膜のいずれ
かを加熱処理することによって得られる。また、前記補
助磁性膜としては、前記第３の磁性膜に記録磁区を形成
する温度で遷移金属副格子磁化が優勢な組成の希土類−
遷移金属系非晶質磁化膜や、同じく前記第３の磁性膜に
記録磁区を形成する温度で、当該第３の磁性膜に印加さ
れる記録用外部磁界の方向に向く磁気モーメント成分を
有するものなどを用いることができる。

【００３１】加えて、透明基板の脱水処理、及び脱水処
理後の膜形成までのタイミングを工夫することによって
も光磁気記録媒体の外部磁界感度を改善できる。すなわ
ち、高分子化合物からなる透明基板を作製した後、この
透明基板のプリフォーマットパターン形成面に少なくと
も垂直磁化膜を含む薄膜の積層体を真空成膜する光磁気
記録媒体の製造方法において、前記透明基板を成形した
後、この透明基板をベーク炉内に入れ、大気圧下８０℃
の温度で４時間以上加熱して脱水処理を施し、前記ベー
ク炉から気温が２０℃で相対湿度が６０％の環境下に取
り出した後、５０分以内に前記薄膜の真空成膜を行うと
いった方法をとることが好ましい。

【００３２】また、前記透明基板を成形した後、この透
明基板を真空チャンバ内に入れ、２０Ｐａ以下の真空条
件下８０℃の温度で１時間以上加熱して脱水処理を施
し、前記真空チャンバから気温が２０℃で相対湿度が６
０％の環境下に取り出した後、５０分以内に前記薄膜の
真空成膜を行うといった方法をとることもできる。

【００３３】さらに、透明ガラス板の片面に高分子化合
物からなるプリフォーマットパターンの転写層を設けて
なる透明基板を用いる場合には、基板作製後、前記転写
層プリフォーマットパターン上に少なくとも垂直磁化膜
を含む薄膜の積層体を真空成膜する光磁気記録媒体の製
造方法においては、前記透明基板を作製した後、この透
明基板をベーク炉内に入れ、大気圧下８０℃の温度で４
時間以上加熱して脱水処理を施し、前記ベーク炉から気
温が２０℃で相対湿度が６０％の環境下に取り出した
後、４時間経過以降に前記薄膜の真空成膜を行うといっ
た方法をとる。

【００３４】一方、前記補助磁性膜としては、前記光磁
気記録膜との間で交換結合力を作用し合うものを備える
ことが好ましく、前記光磁気記録膜のキュリー温度近傍
で角形比が１以下の磁性膜を用いることが特に好まし
い。この補助磁性膜は、貴金属又は遷移金属を含む合金
で構成することができ、より具体的には、（Ａｕ，Ａ
ｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ）元素群から選択された少
なくとも１種類の元素と、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）元素群
から選択された少なくとも１種類の元素との合金や、
（Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｈｏ，
Ｇｄ，Ｃｒ）元素群から選択された少なくとも１種類の
元素を含有した希土類−遷移金属系の非晶質合金をもっ
て形成することができる。さらに、補助磁性膜のキュリ
ー温度と光磁気記録膜のキュリー温度との差は１５０℃
以内とすることが好ましい。

【００３５】なお、前記光磁気記録膜と補助磁性膜との
間に作用する交換結合力を制御するために、これら両膜
の間に膜面方向に磁気容易軸をもつ磁性酸化物等からな
る中間層を設けることもできる。具体的な中間層材料と
しては、（Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ）元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素の酸化物を主成分とする磁
性酸化物が特に好適である。交換結合力を制御するにつ
いては、中間層の膜厚が特に重要となる。中間層の膜厚
を１０００Å以上とすると情報の記録および消去に悪影
響がでるため、中間層の膜厚は１０００Å以下とするこ
とが好ましい。

【００３６】また、見掛け上のカー回転角を大きくして
信号対雑音比を向上させるため、中間層を構成する磁性
酸化物として基板よりも屈折率が大きいものを用い、記
録層を補助層との間で生じる多重干渉を利用して、カー
回転角のエンハンスメントを行わせるようにすることも
できる。

【００３７】前記第３の目的を達成するために本発明
は、透明基板上に、当該透明基板側よりエンハンス層と
光磁気記録膜たる磁性膜と熱制御層と反射層とが順次積
層された単板構造もしくはエアサンドイッチ構造の光磁
気記録媒体において、前記エンハンス層の膜厚を７０〜
８０ｎｍ、前記磁性層の膜厚を１０〜２０ｎｍ、前記熱
制御層の膜厚を２０〜１００ｎｍ、前記反射層の膜厚を
５０ｎｍ以下に調整すると共に、前記磁性層のキュリー
温度を３００℃以下に調整した。

【００３８】前記第４の目的を達成するために本発明
は、従来より用いられている書換え可能な光ディスクと
再生専用ディスクとを貼り合わせたことを特徴とする。
ここで、書換え可能な光ディスクとしては、相変化光デ
ィスク、光磁気ディスク等がある。前者に用いられる記
録膜には、カルコゲナイド薄膜、つまりＧｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ，Ｓｎ，Ｉｎ等の元素から構成される薄膜を用いる。
後者に用いられる記録膜には、希土類と遷移金属との合
金薄膜、具体的には希土類としてＴｂ，Ｇｂ，Ｄｙなど
と遷移金属としてＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等とを組み合わせた
薄膜を用いる。

【００３９】書換え可能な光ディスクや再生専用光ディ
スクの基板には、ポリカーボネートや、ＰＭＭＡ（ポリ
メチルメタクリレート）を用いる。記録膜の形成は、高
周波スパッタリングや直流スパッタリング法により、効
率良く大量に、しかも再現性よく作製することができ
る。再生専用光ディスクでは、書換え可能な光ディスク
の記録膜に相当する膜として、ＡｌやＡｕ等の高い反射
率を有する膜を基板上に形成する。

【００４０】本発明になる光ディスクを用いて、使用者
は、再生専用光ディスク側からアプリケーションプログ
ラムを読み込み、パーソナルコンピュータ内のハードデ
ィスク（磁気ディスク）上に格納することができる。格
納したプログラムを実行しながら、使用者は書換え可能
ディスク側に新たな情報を書き込む。また、消去、再書
き込みを進めることができる。

【００４１】前記第５の目的を達成するために本発明
は、レプリカ基板のプリフォーマットパターン形成面に
少なくとも記録層または反射層を含む１層または複数層
の薄膜が被着された２枚の光記録単板を、前記薄膜を内
側にし、かつ前記レプリカ基板同士を接着層を介して貼
り合わせてなる光情報記録媒体、および前記光記録単板
と前記レプリカ基板と同質の材料にて形成された保護板
とを、前記薄膜を内側にし、かつ前記レプリカ基板と保
護板とを接着層を介して貼り合わせてなる光情報記録媒
体において、前記接着層を構成する接着剤中に、シラン
カップリング剤またはチタンカップリング剤を添加し
た。

【００４２】また、レプリカ基板のプリフォーマットパ
ターン形成面に少なくとも記録層または反射層を含む１
層または複数層の薄膜が被着された２枚の光記録単板
を、前記薄膜を内側にし、かつ前記レプリカ基板同士を
接着層を介して貼り合わせてなる光情報記録媒体、およ
び前記光記録単板と前記レプリカ基板と同質の材料にて
形成された保護板とを、前記薄膜を内側にし、かつ前記
レプリカ基板と保護板とを接着層を介して貼り合わせて
なる光情報記録媒体において、前記接着層を構成する接
着剤中に、シランカップリング剤またはチタンカップリ
ング剤にて表面処理がなされた無機フィラーを添加し
た。

【００４３】前記第６の目的を達成するために本発明
は、前記透明基板と光磁気記録膜との間に、例えばＳ
ｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｃａ，Ａｌのグループから
選択された少なくとも１種以上の金属または半金属の酸
化物層と、例えばＳｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｃａ，Ａｌのグループから選択された少なくとも１種以
上の金属または半金属の窒化物層とを、順次形成した。

【００４４】前記第１乃至第３の課題解決手段に記載の
発明によると、これらの手段を備えない光磁気記録媒体
に比べて、より小さな外部磁界で補助磁性膜の磁化の方
向、ひいては光磁気記録膜の磁化の方向を上向き又は下
向きにスイッチングできる。よって、媒体の外部磁界感
度が向上し、従来実用化が困難であるとされていた磁界
強度変調方式によるオーバーライト記録が可能になる。

【００４５】以下に、光磁気記録膜として、キュリー温
度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体を用いた場合
と、キュリー温度近傍で希土類リッチのフェリ磁性体を
用いた場合を例にとって、前記第１の目的を達成するた
めに構成された手段の作用をより詳細に説明する。

【００４６】希土類−遷移金属系の非晶質合金は、その
磁気的性質として、希土類（重希土類金属）と遷移金属
の持つ部分磁化が反平行になるフェリ磁性を示す。すな
わち、媒体全体の磁化の方向は、希土類の部分磁化と遷
移金属の部分磁化との差として観察され、それらの部分
磁化の大小関係によって、全体の磁化の向きが希土類の
部分磁化方向になったり（ＲＥ−ｒｉｃｈ）、遷移金属
の部分磁化方向になったり（ＴＭ−ｒｉｃｈ）する。ま
た、希土類の部分磁化が遷移金属の部分磁化よりも温度
に対する依存性が大きいために、合金の組成によって
は、室温と磁化を失う特定の温度（キュリー温度）との
間に磁化方向が逆転する補償温度を持ったり、この補償
温度を持たないものになったりする。さらに、媒体の保
磁力も部分磁化の大小関係に依存して変化し、室温でＴ
Ｍ−ｒｉｃｈの場合には、媒体の保磁力は室温から昇温
するにしたがって漸減し、キュリー温度で保磁力を失
う。一方、室温でＲＥ−ｒｉｃｈのものの中には、室温
とキュリー温度との間に保磁力が無限大に発散する磁気
補償点が現われ、磁気補償点よりも低い温度ではＲＥ−
ｒｉｃｈ、磁気補償点よりも高い温度ではＴＭ−ｒｉｃ
ｈとなるものがある。

【００４７】貴金属−遷移金属系の補助磁性膜は、外部
磁界が印加される以前においては、磁化が面内方向（補
助磁性膜の膜面と平行な方向）に向いており、キュリー
温度近傍まで昇温された状態で外部磁界が印加される
と、磁化の方向が面内方向より立ち上がって外部磁界方
向の磁気モーメント成分を生じる。また、外部磁界を取
り除くと、再度磁化の方向が面内方向に復帰する。

【００４８】以下、図７３に基づいて、少なくともキュ
リー温度の近傍においてＴＭ−ｒｉｃｈのフェリ磁性体
からなる光磁気記録膜上にこの補助磁性膜を積層してな
る光磁気記録媒体における信号のオーバーライト原理に
ついて説明する。なお、この図において、符号４は光磁
気記録膜を、また符号５は補助磁性膜を示し、光磁気記
録膜４中の白抜き矢印は希土類の部分磁化を、実線矢印
は遷移金属の部分磁化を示している。そして、各矢印の
長さが、各部分磁化の大きさを表わしている。

【００４９】図７３（１）の状態を消去状態、図７３
（２）の状態を記録状態とした場合、図７３（１）の消
去状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射して
補助磁性層５および光磁気記録膜４をキュリー温度近傍
まで昇温しつつ上向き（正方向）に外部磁界Ｈを印加し
てゆくと、補助磁性層５の磁化の方向が面内方向より上
向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分
を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４中の遷
移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが徐々に
大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界を印加した段
階で、光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向き
に反転し、全体の磁化Ｍが正となった図７３（３）の状
態になる。この状態から外部磁界Ｈを取り除きかつ補助
磁性膜５および光磁気記録膜４を冷却すると、補助磁性
膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、光磁気記録膜４
の磁化の方向は、上向きに保存される（図７３（２）の
状態）。また、図７３（２）の記録状態にある部分に一
定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５および光
磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ上向き
に外部磁界Ｈを印加した場合には、もともと光磁気記録
膜４の磁化が上向きになっているので、変化を生じな
い。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化
状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって記録が
行われる。

【００５０】一方、図７３（２）の記録状態にある部分
に一定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５およ
び光磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ下
向き（負方向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁
性層５の磁化の方向が面内方向より下向きに立ち上がっ
て外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。そし
て、これによって光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁
化との間の交換結合エネルギーが徐々に大きくなり、あ
る特定の大きさの外部磁界を印加した段階で、光磁気記
録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、全体
の磁化Ｍが負となった状態になる。この状態から外部磁
界Ｈを取り除きかつ補助磁性膜５および光磁気記録膜４
を冷却すると、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に
復帰し、光磁気記録膜４の磁化の方向は、上向きに保存
される（図７３（１）の状態）。また、図７３（１）の
消去状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射し
て補助磁性層５および光磁気記録膜４をキュリー温度近
傍まで昇温しつつ下向きに外部磁界Ｈを印加した場合に
は、もともと光磁気記録膜４の磁化が下向きになってい
るので、変化を生じない。かように、初期状態における
光磁気記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行
うことによって消去が行われる。

【００５１】図７３に示すように、補助磁性膜５と光磁
気記録膜４とを積層してなる光磁気記録媒体は、両膜の
間に作用する交換結合力によって、光磁気記録膜単層か
らなる光磁気記録媒体に比べて、磁化反転を生じる外部
磁界Ｈの大きさが格段に小さくなる。よって、前記第１
の手段に示した光磁気記録媒体は、小さな外部磁界を用
いて磁界強度変調方式によるオーバーライト記録が可能
になる。なお、前記においては、室温においてもＴＭ−
ｒｉｃｈである光磁気記録媒体を例にとって説明した
が、室温においてもＲＥ−ｒｉｃｈであり、室温とキュ
リー温度の間に補償点を有する光磁気記録媒体について
も同様の原理で信号のオーバーライトを行うことができ
る。また前記においては、図７３（１）の状態を消去状
態、図７３（２）の状態を記録状態としたが、逆に図７
３（１）の状態を記録状態、図７３（２）の状態を消去
状態としても、外部磁界Ｈの印加方向を逆向きとするこ
とによって、前記と同様の原理のもとで信号のオーバー
ライトを行うことができる。次に、図７４〜図７６に基
づいて、少なくともキュリー温度の近傍においてＲＥ−
ｒｉｃｈのフェリ磁性体からなる光磁気記録膜上に補助
磁性膜５を積層してなる光磁気記録媒体における信号の
オーバーライト原理について説明する。なお、この図に
おける符号の意味内容は、図７３と同じである。

【００５２】この光磁気記録媒体は、キュリー温度Ｔｃ
以下のある温度Ｔｏまでは、図７４に示すようなＭ−Ｈ
ループを示すが、その温度Ｔｏ以上、キュリー温度Ｔｃ
までの温度範囲においては、図７５に示すようなＭ−Ｈ
ループを示す。図７５（１）の状態を消去状態、図７５
（２）の状態を記録状態とした場合、図７５（１）の消
去状態にある部分に媒体温度がＴｏ＜Ｔ₁＜Ｔｃとなる
ような強度のレーザビームを照射しつつ上向き（正方
向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁性膜５の磁
化の方向が面内方向より上向きに立ち上がって外部磁界
方向の磁気モーメント成分を生じる。そして、これによ
って光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化との間の交
換結合エネルギーが徐々に大きくなり、ある特定の大き
さの外部磁界Ｈｃ₁を印加した段階で、光磁気記録膜４
中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、希土類の部
分磁化が下向きになって全体の磁化Ｍが下向きとなった
図７５（３）の状態になる。この状態から補助磁性膜５
および光磁気記録膜４を冷却しかつ外部磁界Ｈを取り除
くと、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、
光磁気記録膜４の磁化の方向は、下向きのまま保存され
る（図７５（２）の状態）。なお、図７５（３）の状態
から、さらに強い外部磁界Ｈを上向きに印加すると、あ
る特定の大きさの外部磁界Ｈｃ₂を印加した段階で、補
助磁性層５と光磁気記録膜４との間の界面磁壁に蓄えら
れていた交換結合力に対応するエネルギーよりも外部磁
界Ｈと光磁気記録膜４との相互作用がもつエネルギーの
方が大きくなり、補助磁性層５の部分磁化が完全に外部
磁界方向に向くと共に、光磁気記録膜４の希土類の部分
磁化が上向きに反転し、図７５（４）の状態になる。こ
の状態から補助磁性膜５および光磁気記録膜４を冷却し
かつ外部磁界Ｈを取り除くと、補助磁性膜５の磁化の方
向が面内方向に復帰し、再度補助磁性層５と光磁気記録
膜４との間の界面磁壁に蓄えられていた交換結合力に対
応するエネルギーの方が外部磁界Ｈと光磁気記録膜４と
の相互作用がもつエネルギーよりも大きくなって、光磁
気記録膜４の希土類の部分磁化が下向きに反転し、図７
５（２）の状態になる。また、図７５（２）の記録状態
にある部分に大きな外部磁界Ｈを印加した場合にも前記
と同様にして一旦は図７５（４）の状態になるが、補助
磁性膜５および光磁気記録膜４を冷却しかつ外部磁界Ｈ
を取り除けば、またもとの図７５（２）の状態に復帰す
る。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化
状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって記録が
行われる。

【００５３】また、図７５（１’）の消去状態にある部
分に媒体温度がＴ₁＜Ｔ₂＜Ｔｃとなるような強度のレー
ザビームを照射しつつ上向き（正方向）に外部磁界Ｈを
印加してゆくと、補助磁性層５の磁化の方向が面内方向
より上向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメン
ト成分を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４
中の遷移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが
徐々に大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界Ｈ
ｃ₁’を印加した段階で、光磁気記録膜４中の遷移金属
の部分磁化が上向きに反転し、希土類の部分磁化が下向
きになって全体の磁化Ｍが下向きとなった図７５
（３’）の状態になる。この図７５（３’）の状態から
さらに強い外部磁界Ｈを上向きに印加すると、ある特定
の大きさの外部磁界Ｈｃ₂’を印加した段階で、補助磁
性層５と光磁気記録膜４との間の界面磁壁に蓄えられて
いた交換結合力に対応するエネルギーよりも外部磁界Ｈ
と光磁気記録膜４との相互作用がもつエネルギーの方が
大きくなり、補助磁性層５の部分磁化が完全に外部磁界
方向に向くと共に、光磁気記録膜４の希土類の部分磁化
が上向きに反転し、図７５（４’）の状態になる。この
状態から補助磁性膜５および光磁気記録膜４を冷却しか
つ外部磁界Ｈを取り除くと、補助磁性膜５の磁化の方向
が面内方向に復帰すると共に、光磁気記録膜４の部分磁
化は図７５（４’）の状態のままクエンチされ、図７５
の破線部分をジャンプして図７５（１’）の消去状態に
戻る。また、図７５（２’）の記録状態にある部分に大
きな外部磁界Ｈを印加した場合にも前記と同様にして一
旦図７５（４’）の状態になり、外部磁界Ｈを取り除き
かつ補助磁性膜５および光磁気記録膜４が冷却された段
階で、図７５の破線部分をジャンプして図７５（１’）
の消去状態に戻る。かように、初期状態における光磁気
記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行うこと
によって消去が行われる。

【００５４】図７５に示すように、高温時（Ｔ₂ 時）に
おいて光磁気記録膜４に磁化反転を生じる外部磁界の大
きさＨｃ₂ ’は、高温になることによって光磁気記録膜
４の保磁力が低下していることから、低温時（Ｔ₁ 時）
において光磁気記録膜４に磁化反転を生じる外部磁界の
大きさＨｃ₂ に比べて小さくなる。すなわち、Ｈｃ₂’
＜Ｈｃ₂ の関係にあるので、外部磁界Ｈ₁ をＨｃ₂’＜
Ｈ₁ ＜Ｈｃ₂に調整すると共に、補助磁性層５および光
磁気記録膜４を温度Ｔ₁まで昇温するようにレーザビー
ムの低レベルのパワーを調整し、補助磁性層５および光
磁気記録膜４を温度Ｔ₂ まで昇温するようにレーザビー
ムの高レベルのパワーを調整することによって、初期磁
界を必要としない光強度変調方式によるオーバーライト
記録が可能になる。

【００５５】上記のオーバーライト記録を実現するに必
要な外部磁界Ｈ₁ 、レーザビームの低レベルのパワー、
それにレーザビームの高レベルのパワーは、以下のよう
にして求めることができる。まず、Ｔ₀ ＜Ｔ₁ ＜Ｔ₂ ＜
Ｔ_c となるように、適当にレーザビームの低レベルのパ
ワーと高レベルのパワーとを設定する。次に、外部磁界
Ｈの大きさと印加方向とを種々変えて信号の記録を行
う。この信号記録部から信号を読み出し、外部磁界Ｈと
再生信号出力値との相関図を描くと、図７６（ａ）およ
び図７６（ｂ）のグラフ図が得られる。ここに、温度Ｔ
₁ で信号の記録が行え、かつ温度Ｔ₂ では信号の記録が
行えなくなるような外部磁界Ｈの大きさが、信号のオー
バーライト記録を実現するに必要な外部磁界Ｈ₁ の大き
さである。外部磁界Ｈ₁ の値は、温度Ｔ₁ ，Ｔ₂ によっ
て変動する。したがって、レーザビームの低レベルのパ
ワーおよび高レベルのパワーを種々変更し、温度Ｔ₁ ，
Ｔ₂を種々変更しながら上記の試験を繰り返し、最適な
レーザビームを選択する。

【００５６】なお、上記のようなオーバーライト記録を
実現するためには、補助磁性膜５のキュリー温度と光磁
気記録膜４のキュリー温度との差が１５０℃以内に規制
されていることが好ましく、その差が小さいほど好まし
い。また、前記においては、図７５（１），（１’）の
状態を消去状態、図７５（２），（２’）の状態を記録
状態としたが、逆に、図７５（１），（１’）の状態を
記録状態、図７５（２），（２’）の状態を消去状態と
しても、外部磁界Ｈの印加方向を逆向きとすることによ
って、前記と同様の原理のもとで信号のオーバーライト
を行うことができる。

【００５７】

【発明の実施の形態】以下に、前記第１の目的を達成す
るための手段を具体化した実施例について説明する。

【００５８】＜第１実施例＞本発明の第１実施例を図１
〜図５に基づいて説明する。図１は本例に係る光磁気記
録媒体の要部断面図であって、この図に示すように本例
の光磁気記録媒体は、透明基板１のプリフォーマットパ
ターン２形成面に、透明基板１側より、透明基板１より
も高い屈折率を有する無機誘電体からなるエンハンス膜
３と、光磁気記録膜４と、補助磁性膜５と、保護膜６と
を順次積層してなる。

【００５９】透明基板１は、例えばポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン、エポキシ
などのプラスチック材料や、ガラスなどの透明基板をも
って、ディスク状もしくはカード状など所望の形状に形
成される。

【００６０】透明基板１の片面には、レーザスポットを
案内するための案内溝や、この案内溝に沿って画定され
る記録トラックのアドレスなどを表わすプリピット列か
らなるプリフォーマットパターン２が微細な凹凸状に形
成され、トラッキングサーボ信号やプリフォーマット信
号が光学的に読み出せるようになっている。なお、図１
においては、透明基板１の片面にプリフォーマットパタ
ーン２が直接形成されているが、平板状に形成された透
明基板の片面に当該透明基板と屈折率が近似した光硬化
性樹脂層を設け、この光硬化性樹脂層の表面に前記プリ
フォーマットパターン２を転写することもできる。

【００６１】エンハンス膜３は、光磁気記録膜４と透明
基板１との間で再生用光ビームを多重干渉させ、見掛け
上のカー回転角を大きくするために設けられるものであ
って、シリコン、アルミニウム、ジルコニウム、チタ
ン、タンタルの窒化物や酸化物など、屈折率が前記透明
基板１よりも大きな無機誘電体からなり、６００〜１０
００Åの膜厚に形成される。該エンハンス膜３の成膜手
段としては、スパッタリングが特に好適である。

【００６２】光磁気記録膜４は、フェリ磁性を有する希
土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜にて形成される。
希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜としては、下記
の一般式で表わされるものが特に好ましい。

【００６３】一般式；Ｔｂ_x Ｆｅ_(100-x-y-z)Ｃｏ_Y Ｍ_Z 但し、１５原子％≦ｘ≦３０原子％ ５原子％≦ｙ≦１５原子％ ０原子％≦ｘ≦１０原子％ Ｍは、Ｎｂ，Ｃｒ，Ｐｔから選択された少なくとも１種
類の元素。この垂直磁化膜は、組成を種々変更すること
によって、少なくともキュリー温度直下でＴＭ−ｒｉｃ
ｈのものとしたり、あるいはＲＥ−ｒｉｃｈのものにす
ることができる。この垂直磁化膜は、ＴｂとＦｅとＣｏ
と添加元素Ｍとの合金、またはこれらの元素を含む焼結
体にて形成されたターゲツトをスパッタリングすること
によって、２００〜５００Åの膜厚に形成される。

【００６４】補助磁性膜５は、再生用光に対する反射率
が７０％以上で、かつ常温における熱伝導率が０．０５
〜２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制された材料から
形成される。その膜厚は、２００〜４００Åの範囲が適
当である。すなわち、本例の光磁気記録媒体は、光磁気
記録膜４を透過した再生用光を補助磁性膜５によって透
明基板１側に戻し、入射光および戻り光が光磁気記録膜
４を透過する際に受けるファラデー効果によって見掛け
上のカー回転角を増大させ、もって再生ＣＮ比の改善を
図ることを特徴の１つとするものであるので、再生用光
に対する反射率は高いほど良好な結果を得ることができ
るのであって、少なくとも再生用光に対して７０％以上
の反射率を有することがより好ましい。

【００６５】また、補助磁性膜５の熱伝導率が低すぎる
と、情報の記録または消去の際に光磁気記録層４が過剰
に加熱され、これが繰り返されることによって光磁気記
録層４が変質（例えば、非晶質垂直磁化膜が結晶化する
等）したり、透明基板１のプリフォーマットパターン２
が変形したりしやすく、再生出力レベルが短期間のうち
に低下するといった不都合を生じる。一方、補助磁性膜
５の熱伝導率が高すぎると、光磁気記録層４を情報の記
録または消去に必要な温度まで昇温することが難しくな
り、記録感度が低下したり、既記録信号の消え残りによ
る記録／再生エラーが増加するので、大パワーのレーザ
光源を搭載しなくてはならなくなるといった不都合を生
じる。

【００６６】図２に、補助磁性膜５の熱伝導率と、記録
／消去動作を１０⁴ 回繰り返した後の再生出力の低下、
および情報の記録／消去動作に要するレーザパワーとの
関係を示す。この図から明らかなように、補助磁性膜５
として熱伝導率が０．０５Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以下のもの
を用いると、記録／消去動作を１０⁴ 回繰り返した後の
再生出力が急激に低下し、実用性がないことがわかる。
また、補助磁性膜５として熱伝導率が２．０Ｗ／ｃｍ・
ｄｅｇ以上のものを用いると、情報の記録／消去に１０
ｍＷ（膜面）以上のレーザパワーが必要となり、やはり
実用化が難しくなることがわかる。これらのデータか
ら、補助磁性膜５の熱伝導率が前記の範囲に決められ
る。

【００６７】補助磁性膜５の具体例としては、Ｐｔ，Ａ
ｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｈなどの貴金属元素群から選
択された少なくとも１種類の元素と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
などの遷移金属元素群から選択された少なくとも１種類
の元素との合金薄膜を挙げることができる。なお、貴金
属−遷移金属系の補助磁性膜は、組成を調整することに
よって、外部磁界が印加される以前においては磁化が面
内方向（補助磁性膜の膜面と平行な方向）に向いてお
り、キュリー温度近傍まで昇温された状態で外部磁界が
印加されると磁化の方向が面内方向より立ち上がって外
部磁界方向の磁気モーメント成分を生じ、外部磁界を取
り除くと再度磁化の方向が面内方向に復帰するものを作
製できる。したがって、この種の補助磁性膜５は、構成
元素が同一であっても、その含有比率によって、既記録
信号を完全に消去するに要する外部磁界の大きさが変動
する。

【００６８】図３に、ＣｏＰｔ合金薄膜を例にとって、
薄膜中のＰｔ含有率と消去方向磁界との関係を示す（膜
厚は、２００Å）。ここに、消去方向磁界とは、消去方
向に外部磁界を印加しつつ情報の記録を行ったときに、
記録が行えなくなる最小の磁界であり、およそ既記録信
号を完全に消去するに要する外部磁界の大きさを表わ
す。図３から明らかなように、ＣｏＰｔ合金薄膜におい
ては、消去方向磁界が最小となるＰｔ含有率がある。ド
ライブ側からの要請により、ドライブに搭載可能な外部
磁界はせいぜい３００［Ｏｅ］であり、この外部磁界に
よって既記録信号を完全に消去するためには、ＣｏＰｔ
合金薄膜のＰｔ含有率を６０〜９５原子％に調整する必
要があることがわかる。

【００６９】保護層６は、前記エンハンス層３と同様の
無機誘電体、または光硬化性樹脂などの有機材料をもっ
て形成される。保護層材料として無機誘電体を用いる場
合には、５００〜２０００Åの膜厚に形成される。

【００７０】以下に、より具体的な実験例と比較例とを
示し、両者の記録・消去特性を比較する。

【００７１】＜実験例１＞射出成形されたポリカーボネ
ート基板のプリフォーマットパターン形成面に、８００
ÅのＳｉＯＮエンハンス層と、５００ÅのＴｂ₁₈Ｆｅ₆₇
Ｃｏ₁₀Ｃｒ₅ 非晶質垂直磁化膜と、２００ÅのＰｔ₈₀Ｃ
ｏ₂₀補助磁性膜と、１０００ÅのＳｉＯＮ保護層とを順
次スパッタリングして、図４（ａ）の光磁気記録媒体を
作成した。ここに、前記Ｐｔ₈₀Ｃｏ₂₀補助磁性膜は、当
該補助磁性膜のキュリー温度直下で膜面に垂直な方向の
成分を有して印加された外部磁界により磁気モーメント
が回転して外部磁界方向の成分を生じ、かつ前記光磁気
記録膜に対して交換結合力を及ぼすものとなり、再生用
光に対する反射率が７０％以上となっている。さらに、
膜厚を２００Åに調整したので、常温における熱伝導率
が０．０５〜２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇになっている。一
方、前記Ｔｂ₁₈Ｆｅ₆₇Ｃｏ₁₀Ｃｒ₅ 非晶質垂直磁化膜
は、当該光磁気記録膜のキュリー温度直下においてＴＭ
−ｒｉｃｈであって、外部磁界を印加して前記補助磁性
膜の磁気モーメントが外部磁界方向の成分を有した際に
両膜の遷移金属がもつ部分磁化の磁気モーメントとの間
に交換結合力が作用して、光磁気記録膜の磁化の方向が
外部磁界の方向に向けられるものになっている。

【００７２】＜比較例１＞射出成形されたポリカーボネ
ート基板のプリフォーマットパターン形成面に、８００
ÅのＳｉＯＮエンハンス層と、５００ÅのＴｂ₁₈Ｆｅ₆₇
Ｃｏ₁₀Ｃｒ₅ 非晶質垂直磁化膜と、１０００ÅのＳｉＯ
Ｎ保護層とを順次スパッタリングして、図４（ｂ）の光
磁気記録媒体を作成した。

【００７３】図５に、実験例１に係る光磁気記録媒体の
記録・消去特性と、比較例１に係る光磁気記録媒体の記
録・消去特性とを示す。ここにいう記録・消去特性と
は、記録時に印加する外部磁界の大きさおよび方向を変
化させたときの再生ＣＮ比の変化をいい、図５の横軸に
は記録時に印加する外部磁界の大きさおよび方向が目盛
られ、縦軸には再生ＣＮ比が目盛られている。

【００７４】この図から明らかなように、比較例１の光
磁気記録媒体は、約５００［Ｏｅ］の外部磁界を記録方
向に印加しなければ再生ＣＮ比が飽和値に達しないのに
対し、実験例１の光磁気記録媒体は、約５０［Ｏｅ］の
外部磁界を記録方向に印加するだけで再生ＣＮ比が飽和
値に達する。このことから、実験例の光磁気記録媒体
は、より小さな外部磁界で完全な記録を行えることがわ
かる。また、比較例１の光磁気記録媒体は、消去方向に
約６２０［Ｏｅ］の外部磁界を印加しなければ再生ＣＮ
比をゼロにすることができないのに対し、実験例１の光
磁気記録媒体は、約８０［Ｏｅ］の外部磁界を消去方向
に印加するだけで再生ＣＮ比をゼロにすることができ
る。このことから、実験例１の光磁気記録媒体は、より
小さな外部磁界で完全な消去を行えることがわかる。か
ように、実験例１の光磁気記録媒体は、１００［Ｏｅ］
程度の小さな外部磁界で情報の記録と再生とを行うこと
ができるので、作用の欄に示した原理に基づいて、磁界
変調方式によるオーバーライトが可能である。また、再
生ＣＮ比の飽和値は、実験例１の光磁気記録媒体および
比較例１の光磁気記録媒体ともにほぼ同じ値になってお
り、充分な高ＣＮ比を帯有していることがわかる。

【００７５】なお、前記第１実施例においては、透明基
板１と光磁気記録膜４との間にエンハンス膜３を介設し
たが、補助磁性膜５の反射率が高く、充分な再生ＣＮ比
を得られる場合には、これを省略することもできる。

【００７６】また、前記第１実施例においては、媒体の
最外面に保護膜６を配設したが、補助磁性膜５として耐
食性に優れたものを用いる場合には、これを省略するこ
ともできる。

【００７７】さらに、前記第１実施例においては、光磁
気記録膜４の背面側に補助磁性膜５を直接積膜したが、
これら光磁気記録膜４と補助磁性膜５との間に、エンハ
ンス膜３と同様の無機誘電体からなる第２エンハンス膜
を設けることもできる。

【００７８】＜第２実施例＞本発明の第２実施例を図６
〜図７に基づいて説明する。図６に示すように、本例の
光磁気記録媒体は、補助磁性膜５の表面に、前記第１実
施例における保護層６に代えて、反射膜及び保護膜を兼
ねる熱制御層８を積層したことを特徴とする。その他に
ついては、前記第１実施例の光磁気記録媒体と同じであ
るので、対応する部分に同一符号を表示して説明を省略
する。

【００７９】熱制御層８は、［Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｂｅ］元素群から選択された１種類以上の金属元素
と、［Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｒｂ，Ｐｅ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｚｒ］元素群から選択され
た１種類以上の金属元素との合金で構成されている。特
に、Ｔｉを６〜１０原子％含有したＡｌＴｉ合金からな
り、膜厚が５００〜１０００Åの範囲に規制されたもの
は好適である。

【００８０】光磁気記録膜４の材料としてＴｂＦｅＣｏ
合金を用いた場合、前記組成の合金のキュリー点が約２
００℃であることから、情報の記録または消去時、レー
ザ光照射領域における膜内温度を２００℃以上に昇温さ
せる必要がある。記録レーザ光により光磁気記録膜４が
その熱的状態に到達した際、レーザ光照射の中心部は膜
内で最高の温度となる。すなわち、例えば図７に示すよ
うに、一定サイズ（例えば直径が０．８μｍ）の記録ピ
ツトを形成しようとする場合、その径の内部を２００℃
以上に昇温させる必要がある。すなわち、直径０．８μ
ｍの円周の線が２００℃の等温線となり、それより内側
は必然的に２００℃以上になる。

【００８１】このとき、熱制御層８の熱伝導性によって
レーザ光照射の中央部の温度に差が生じる。同図の曲線
は温度分布を模式的に示す曲線で、点線の曲線Ｂは熱伝
導性が比較的よい熱制御層８を使用した場合、実線の曲
線Ａは熱伝導性が比較的悪い熱制御層８を使用した場合
の特性曲線である。この図から明らかなように、熱制御
層８の熱伝導性の違いにより、レーザ光照射部分におけ
る中央部の温度に差が生じる。換言すれば、光磁気記録
膜４の最高温度は、熱制御層８の熱伝導性（熱伝導率、
膜厚など）によってコントロールすることができる。

【００８２】前述のように光磁気記録膜としてＴｂＦｅ
Ｃｏ合金を用い、金属保護膜としてＡｌＴｉ合金を使用
して、光磁気記録膜の最高温度に対する熱制御層中のＴ
ｉ含有率の依存性について検討した結果を図８に示す。

【００８３】図中の横軸にＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ
含有率を、縦軸にレーザ光照射部分における中央部温度
を、それぞれ示している。なお、この中央部温度は、膜
面温度が２００℃以上の領域を直径１μｍとした時の中
央部温度である。

【００８４】前述のように、Ｔｂ_X Ｆｅ_(100-X-Y-Z)Ｃ
ｏ_Y Ｍ_Z 系の光磁気記録膜においては、レーザ光照射部
分が３００℃以上になると結晶化が進行して記録、再生
特性に悪影響を及ぼすことから、３００℃以上にならな
いように温度コントロールをする必要がある。そのため
には、図８から明らかなように、ＡｌＴｉ合金中におけ
るＴｉ含有率を１０原子％以下に規制する必要がある。

【００８５】図９は、ＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率をそ
の合金の常温における熱伝導率Ｋとの関係を示す図であ
る。この図から明らかなように、Ｔｉ含有率によってＡ
ｌＴｉ合金の熱伝導率Ｋが変化し、Ｔｉ含有率が１０原
子％ということは、熱伝導率Ｋが０．１３Ｗ／ｃｍ・ｄ
ｅｇ以上となる。

【００８６】本発明者らの種々の実験結果から、この熱
制御層の常温における熱伝導率Ｋが２．０≧Ｋ≧０．１
Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制する必要があることを発
見した。熱制御層の常温における熱伝導率Ｋが２．０Ｗ
／ｃｍ・ｄｅｇを越えると、熱拡散が早すぎて、記録、
消去に際して高いレーザパワーが必要となり、不経済で
ある。一方、熱制御層の常温における熱伝導率Ｋが０．
１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ未満になると、反対に熱拡散が遅す
ぎて、記録、再生を繰り返しているうちに記録膜の非晶
質構造の緩和が生じ、結晶化してしまう。したがって熱
制御層の常温における熱伝導率Ｋは、２．０≧Ｋ≧０．
１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制する必要があり、特に
０．２５≧Ｋ≧０．１４Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制
されたものは好適である。

【００８７】図１０は、ＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率
と、記録、消去サイクル後における搬送波レベルの低下
との関係を示す図である。なお、前記ＡｌＴｉ合金の膜
厚は７５０Åとし、記録と消去を１０，０００回繰り返
した後、記録、再生した信号の搬送波レベルの低下状態
を示したものである。

【００８８】この図からも明らかなように、ＡｌＴｉ合
金中のＴｉ含有率が１０原子％を少し越えると搬送波レ
ベルの低下が生じており、これは記録膜の非晶質構造の
緩和が生じ、結晶化が進行したものであると推測され
る。

【００８９】この光磁気記録媒体においては、基板上の
各膜の厚みは通常下記のとおりである。 第１エンハンス膜……６００〜１０００Å 光磁気記録膜 ……２００〜 ５００Å 第２エンハンス膜…… ０〜 ４００Å。

【００９０】このように構成された光磁気記録媒体の場
合、記録、消去過程で必要とするレーザパワーの制御
は、前記熱制御層の調整で行うことができる。

【００９１】膜面到達パワーで５〜１０ｍＷのレーザパ
ワー｛５インチの光磁気ディスクを２４００ｒｐｍ（線
速７．５〜１５ｍ／秒）で回転｝により記録、消去が行
われ、１〜３ｍＷのレーザパワーで再生が行えるために
は、熱制御層の膜厚とＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率は図
１５のＡ領域にある必要がある。このＡ領域の上限以上
では、線速１５ｍ／秒で消去を行う場合（トラックオフ
セットマージンまでを考慮すると）１０ｍＷ以上のレー
ザパワーを必要とする。また、Ａ領域の下限以下では、
１〜３ｍＷのレーザパワーで信号を再生した際にデータ
破壊が起こる危険性がある。

【００９２】またこの熱制御層は、記録膜を保護する機
能も担っており、その効果は熱制御層の組成と膜厚とに
よって異なる。ＡｌＴｉ合金においては、８０℃、９０
％ＲＨの環境下で１０００時間でエラーレートが１×１
０ ⁶以下のままである組成、ならびに膜厚は図１５のＣ
領域である。ＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率が６原
子％以上の領域では、熱制御層の膜厚が５００Å以上あ
れば安定した保護効果を有することが確認されている。
これはＴｉによる防蝕効果の現われであり、Ｔｉの含有
率が６原子％未満であると防蝕効果が必ずしも充分でな
い。よって、ＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率は６原
子％以上、膜厚が５００Å以上に規制する必要がある。

【００９３】以上のことから、熱制御層のＡｌＴｉ合金
中におけるＴｉ含有率は６〜１０原子％、膜厚を５００
Å以上に規制することにより、記録、消去サイクルに対
する耐久性、記録、消去、再生パワー特性、ならびに記
録膜の保護効果に優れた光磁気記録媒体を得ることがで
きる。

【００９４】図１１ならびに図１２は、本発明の具体例
を示す図で、図１１はエアサンドイッチ形の光磁気記録
媒体、図１２は密着貼り合わせ形の光磁気記録媒体を示
し、図中の１１，１２は記録ディスク単板、１３は図６
に示す各膜３〜６の積層膜、１４は空隙、１５は内周ス
ぺーサ、１６は外周スぺーサ、１７は接着剤層を表示し
ている。

【００９５】前記実施例では、熱制御層としてＡｌＴｉ
合金の場合について説明したが、［［Ａｌ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ｂｅ］元素群から選択された少なくとも１種
類の金属元素と、［Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｒ
ｂ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｗ，Ｚｒ］元素群から選
択された少なくとも１種類の金属元素との合金におい
て、熱伝導率Ｋを２．０≧Ｋ≧０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ
とした熱制御層であれば、前記実施例と同様の効果が得
られる。

【００９６】図１６は、本発明が適用できるＡｌＡｇ合
金組成とその合金の熱伝導率との関係を示す特性図、図
１７は、ＣｕＴｉ合金組成とその合金の熱伝導率との関
係を示す特性図である。これらＡｌＡｇ合金ならびにＣ
ｕＴｉ合金を熱制御層として使用し、その熱伝導率の範
囲を規制することにより、同様の効果を得ることができ
る。

【００９７】＜第３実施例＞本発明の第３実施例を図１
８〜図２４に基づいて説明する。本例の光磁気記録媒体
は、前記第１および第２実施例における光磁気記録膜の
組成を変更することによって、光磁気記録膜の外部磁界
感度を向上したことを特徴とするものである。したがっ
て、光磁気記録膜以外の部分については、前記第１およ
び第２実施例と同じであるので、説明を省略する。

【００９８】本例の光磁気記録膜は、膜中に窒素（Ｎ）
または酸素（Ｏ）のいずれか一方、もしくはＮとＯの双
方が総量で０．１〜５．０原子％混入された希土類−遷
移金属系の非晶質垂直磁化膜からなり、２００〜５００
Åの膜厚に形成される。すなわち従来は、光磁気記録膜
内に混入したＮおよびＯは不純物であると認識されてお
り、光磁気記録膜内へのＮおよびＯの混入を防止する方
向で技術的な検討が行われていたが、本願発明者らは、
希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜中に混入される
ＮあるいはＯの混入率と残留カー回転角との関係、前記
混入率と垂直磁気異方性定数との関係、前記混入率とＣ
Ｎ比との関係等について研究した結果、カー回転角を低
下することなく、垂直磁気異方性エネルギーのみを低下
できるＮ，Ｏの適正混入率範囲があるという事実を知得
した。本願発明者らの研究によると、希土類−遷移金属
系の非晶質垂直磁化膜中に、ＮまたはＯもしくはＮおよ
びＯを０．１〜５．０原子％の範囲で混入すると、カー
回転角を低下することなく、垂直磁気異方性エネルギー
のみを低下することができ、光磁気記録膜の外部磁界感
度を高めることができる。本例における光磁気記録膜中
のＮ，Ｏ混入率は、このような知見に基づいて決定され
たものである。希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜
としては、公知に属する任意の組成のものを用いること
ができるが、希土類（例えば、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｎｂ，Ｄ
ｙ）と、遷移金属（例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）と、添
加元素（例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）とを含む３元合金
系が特に好ましい。

【００９９】以下に、この光磁気記録膜の形成方法を列
挙する。

【０１００】（ａ）透明基板上に第１エンハンス膜を成
膜した後、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を適
宜の方法で成膜した後、前記非晶質垂直磁化膜を、真空
度が１．０×１０⁵ 〜１．０×１０³ Ｐａに調整された
真空容器中で、５〜９０分間、２０〜１２０℃に加熱
し、非晶質垂直磁化膜を窒化または酸化して所望の光磁
気記録膜とする。

【０１０１】（ｂ）透明基板上に第１エンハンス膜を成
膜した後、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を
０．１〜５．０％の分圧のＮまたはＯもしくはＮとＯの
混合ガスを含む雰囲気中で成膜し、この成膜過程で希土
類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を窒化または酸化し
て所望の光磁気記録膜とする。

【０１０２】前記（ｂ）に挙げた０．１〜５．０％の分
圧のＮまたはＯもしくはＮとＯの混合ガスを含む雰囲気
を作る方法としては、以下のような方法がある。

【０１０３】（１）真空容器を１０⁵ Ｐａオーダーの高
真空度まで真空引きした後、当該真空容器中にＮまたは
ＯもしくはＮとＯの混合ガスを供給し、成膜工程中の真
空容器内のＮまたはＯもしくはＮとＯの混合ガスの分圧
を０．１〜５．０％に調整する。

【０１０４】（２）希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁
化膜の成膜に先立って行われる真空引きで、真空容器中
の真空度を１．０×１０⁴ 〜５．０×１０⁴ Ｐａに調整
し、真空容器中に０．１〜５．０％の分圧の空気を残留
させる。

【０１０５】なお、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁
化膜を成膜する方法としては、スパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着など、任意の真空成膜法を適
用することができる。

【０１０６】図１８に光磁気記録膜４中のＮ混入率およ
びＯ混入率と垂直磁気異方性定数との関係を、また図１
９に光磁気記録膜４中のＮ混入率およびＯ混入率と残留
カー回転角との関係を示す。

【０１０７】図１８に示すように、光磁気記録膜の垂直
磁気異方性定数Ｋｕは、ＮまたはＯの混入によって敏感
に減少し、ＮまたはＯの混入率が大きくなるに従って漸
次減少する。そして、ＮまたはＯの混入率が５．０原子
％を越えると、反磁界以下となり、磁気モーメントが面
内に傾くようになる。

【０１０８】一方、図１９に示すように、残留カー回転
角は窒素および酸素の混入に対して比較的安定であり、
混入率が０〜５．０原子％の範囲では、ほとんど低下し
ないので実用的に優れている。

【０１０９】図２１、図２２、図２３に、光磁気記録膜
４中のＮ混入率およびＯ混入率と、再生ＣＮ比、飽和記
録磁界、消去比が−４０ｄＢとなる外部磁界の大きさ、
すなわち消去磁界との関係を示す。ただし、試料として
は、図２０の膜構造を有するディスク状磁気記録媒体を
用いた。

【０１１０】かように、図２１、図２２、図２３のデー
タは、図１８、図１９に示したデータと対応しており、
Ｎ混入率、Ｏ混入率が０〜５％の範囲で最も特徴的な効
果が得られる。

【０１１１】以下に、実験例および比較例を挙げ、各例
の光磁気記録媒体の再生ＣＮ比、飽和記録磁界、消去磁
界、それに光磁気記録膜中のＮ混入率およびＯ混入率を
示す図２４に、前記実験例５〜９および比較例２に係る
光磁気記録媒体の製造方法の概略と、各方法によって製
造された光磁気記録媒体の再生ＣＮ比、飽和記録磁界、
消去磁界、それに光磁気記録膜中のＮ混入率およびＯ混
入率を示す。但し、試料としては、ポリカーボネート基
板のプリフォーマットパターン形成面に、膜厚が８００
ÅのＡｌＳｉＯＮエンハンス膜と、膜厚が２５０ÅのＴ
ｂＦｅＣｏ光磁気記録膜が夫々スパツタリングされた光
磁気ディスクを用いた。

【０１１２】この図から明らかなように、実験例５〜９
の光磁気記録媒体は、再生ＣＮ比が比較例２（従来例）
の光磁気記録媒体と同程度であるのに対し、飽和記録磁
界は従来例の５０％程度に低下し、消去磁界は従来例の
４０％に低下している。したがって、情報の記録および
消去に必要な外部磁界の小型化、軽量化を図ることがで
き、マグネット電源部の簡素化、消費電力の低減、記録
／再生装置の小型化、それに記録、消去動作の高速化な
どを図ることができる。また、媒体側から見れば、外部
磁界と光磁気記録媒体との距離変動や発熱による磁場の
変動に対して大きな余裕をもたせることができ、信頼性
に優れた光磁気記録媒体とすることができる。

【０１１３】なお、前記第３実施例においては、基板の
プリフォーマットパターン形成面に第１エンハンス膜
と、光磁気記録膜と、第２エンハンス膜と、熱拡散膜と
が積層された光磁気記録媒体を例にとって説明したが、
本発明の要旨がこれに限定されるものではなく、少なく
とも光磁気記録膜を有するものであれば、任意の膜構造
を有する光磁気記録媒体に応用することができる。

【０１１４】＜第４実施例＞本発明の第４実施例を図２
５〜図３０、および図３５に基づいて説明する。本例の
光磁気記録媒体も、前記第１および第２実施例における
光磁気記録膜の組成を変更することによって、光磁気記
録膜の外部磁界感度を向上したことを特徴とするもので
ある。図２５は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
であって、この図に示すように本例の光磁気記録媒体
は、透明基板１のプリフォーマットパターン２形成面
に、透明基板１側より、エンハンス膜３と、光磁気記録
膜４と、補助磁性膜５と、保護膜１０とを順次積層して
なる。なお、透明基板１、プリフォーマットパターン
２、エンハンス膜３、光磁気記録膜４については、前記
第１実施例と同じであるので、説明を省略する。また、
必要に応じて、保護膜１０上に反射膜を積層することも
できる。

【０１１５】前記補助磁性膜９としては、例えば貴金属
（Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｈ，Ｐｄなど）と遷移金
属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒなど）との合金、具
体的にはＰｔＣｏ合金、ＡｇＣｏ合金、ＰｄＣｏ合金、
ＲｈＣｏ合金、ＲｈＦｅ合金、ＡｇＦｅ合金などの合
金、あるいはＡｌＣｏ合金、ＡｌＦｅ合金などの強磁性
体、あるいはＦｅ₃ Ｏ₄ などの各種フェライト、鉄ガー
ネット、クロマイト、希土類−遷移金属合金などのフェ
リ磁性体あるいはこれら磁性金属とそれの酸化物または
窒化物との混合体からなり、そのキュリー温度と前記光
磁気記録膜４のキュリー温度との差が１５０℃以内に調
整されたものが用いられる。なお、補助磁性膜５の膜厚
は２０〜１０００Å、より好ましくは３００〜５００Å
である。また、この補助磁性膜５は、前記光磁気記録膜
４に対して基板側に設けることもできるし、その反対側
に設けることもできる。さらには、前記光磁気記録膜４
の中間に設けることもできる。

【０１１６】前記光磁気記録膜４のキュリー温度との差
が１５０℃以内であるキュリー温度を有する補助磁性膜
５を前記光磁気記録膜４と接触するように形成すれば、
光磁気記録膜４と補助磁性膜５との間に磁気的な相互作
用が生じ、磁界強度変調方式による信号のオーバーライ
トが実現可能となる。

【０１１７】図２７は、ＣｏＰｔ合金膜中におけるＰｔ
の含有率とその合金膜のキュリー温度（Ｔ_c ）との関係
を示す特性図である。この図に示すように、Ｐｔの含有
率を調整することにより、その合金膜のキュリー温度Ｔ
ｃを任意に変更することが可能である。

【０１１８】図２６は、補助磁性膜９のキュリー温度と
必要消去磁界との関係を示す特性図である。すなわち、
光磁気記録膜４として膜厚が３００ÅのＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成し、その上に補助磁性膜９として膜厚が５０
０ÅのＣｏＰｔ合金膜を形成した。そして、補助磁性膜
９の合金組成比を変えることにより、それのキュリー温
度を１０〜６００℃の範囲で変化させた。このとき、光
磁気記録膜４のキュリー温度は２００℃とした。

【０１１９】このような光磁気記録媒体を使用して、消
去方向に外部磁界を印加しつつ情報の記録を行い、記録
が行える最小限の磁界強度を測定し、それを必要消去磁
界とした。この必要消去磁界は、既記録信号を完全に消
去するに必要な外部磁界の大きさに相当する。

【０１２０】磁界強度変調方式によるオーバーライトを
行う場合、記録再生装置側からの要請により、その装置
に搭載可能な外部磁界はせいぜい２００［Ｏｅ］程度で
ある。この図２６の結果から明らかなように、キュリー
温度が３６０℃を越えると外部磁界遮蔽を生じ、またキ
ュリー温度が５０℃未満であると光磁気記録膜４と補助
磁性膜９との磁気的相互作用がほとんど生じない。その
結果、必要消去磁界は２００［Ｏｅ］を越えてしまい、
実用的でない。

【０１２１】これに対して、光磁気記録膜４と直接接触
し、そのキュリー温度が５０〜３５０℃の範囲である補
助磁性膜９を形成すれば、２００［Ｏｅ］以下の小さな
外部磁界で完全な情報の消去が可能となる。特に、補助
磁性層９のキュリー温度を１００〜３００℃の範囲に規
制すれば、１００［Ｏｅ］以下の外部磁界で完全な情報
の消去が可能であることがわかる。

【０１２２】光磁気記録膜４としてＴｂの含有率が２３
重量％、Ｆｅの含有率が６６重量％、Ｃｏの含有率が１
１重量％の組成を有するＴｂＦｅＣｏ系合金を使用し、
補助磁性膜９としてＰｔの含有率が８０重量％、Ｃｏの
含有率が２０重量％の組成を有するＰｔＣｏ系合金を使
用した場合、光磁気記録膜４のキュリー温度は２００℃
で補助磁性膜９のキュリー温度は１８０℃となり、光磁
気記録膜４と補助磁性膜９とのキュリー温度差は２０℃
である。

【０１２３】図２８に、図２５に示した本発明の実施例
に係る光磁気記録媒体と、補助磁性膜９を有しない従来
の光磁気記録媒体の記録、消去特性を比較して示す。こ
こでいう記録、消去特性とは、記録時に印加する外部磁
界の大きさおよび方向を変化させたときの再生ＣＮの変
化をいう。なお、図中の曲線Ａが本発明の実施例に係る
光磁気記録媒体の特性曲線で、曲線Ｂが従来の光磁気記
録媒体の特性曲線である。

【０１２４】この図から明らかなように、従来の光磁気
記録媒体（曲線Ｂ）は約３３０［Ｏｅ］以上の外部磁界
を記録方向に印加しなければ再生ＣＮ比が飽和値に達し
ないのに対して、本発明の実施例に係る光磁気記録媒体
（曲線Ａ）は約１００［Ｏｅ］の外部磁界を記録方向に
印加するだけで再生ＣＮ比が飽和値に達する。このこと
からも本発明の光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界
で完全な記録が行えることがわかる。また、従来の光磁
気記録媒体（曲線Ｂ）は約６００［Ｏｅ］以上の外部磁
界を消去方向に印加しなければ再生ＣＮ比をゼロにする
ことができないのに対して、本発明の実施例に係る光磁
気記録媒体（曲線Ａ）は約５０［Ｏｅ］の外部磁界を消
去方向に印加するだけで再生ＣＮ比をゼロにすることが
できる。このことからも本発明の光磁気記録媒体は、よ
り小さな外部磁界で完全な消去が行えることがわかる。
従って、本発明の光磁気記録媒体は、外部磁界変調方式
による情報のオーバーライトが確実に行える記録、消去
特性を有していることが立証できる。

【０１２５】図２９ならびに図３０は、本実施例の変形
例を示す要部拡大断面図である。これらの図において、
１は透明基板、３はエンハンス膜、４は光磁気記録膜、
１２は保護膜、１１は反射膜、９は補助磁性膜である。
図２９の実施例の場合、補助磁性膜９がエンハンス膜３
と光磁気記録膜４との間に形成されている。一方、図３
０の実施例の場合、補助磁性膜９が光磁気記録膜４の両
面に形成されている。

【０１２６】また、光磁気記録膜４の組成を調整し、少
なくともキュリー温度直下でＲＥ−ｒｉｃｈとなる光磁
気記録膜４を用いれば、光強度変調方式によるダイレク
トオーバーライトも可能となる。すなわち、前記したよ
うに、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜は、組成
を種々変更することによって、少なくともキュリー温度
直下でＴＭ−ｒｉｃｈのものとしたり、あるいはＲＥ−
ｒｉｃｈのものにすることができる。そして、少なくと
もキュリー温度直下においてＲＥ−ｒｉｃｈである光磁
気記録膜に接して前記第１実施例または第４実施例に示
した補助磁性膜５を積層し、外部磁界の大きさおよびレ
ーザパワーを適宜選択することによって、作用の欄に示
した原理に基づいて、光強度変調方式によるダイレクト
オーバーライトを行うことができる。図３１に、光強度
変調方式によるダイレクトオーバーライトが可能な光磁
気記録媒体の構成の一例を示す。

【０１２７】＜第５実施例＞本実施例の光磁気記録媒体
は、膜面と垂直な方向に対して傾斜した方向の磁気モー
メント成分を有し、かつ当該磁性膜をそのキュリー温度
近傍まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成
分と膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分が共
に消失する希土類−遷移金属合金系の磁性膜を前記光磁
気記録膜４として設けたことを特徴とする。

【０１２８】図３７（ａ）〜（ｊ）に、膜面と垂直な方
向に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分を有する
光磁気記録膜を例示する。この図において、矩形で示す
のは光磁気記録膜たる磁性膜であり、磁性膜中の矢印は
各部分における磁気モーメントの向きを示している。磁
性膜を示す矩形の下辺は透明基板側の界面であり、上辺
は反射膜側の界面である。

【０１２９】同図に示すように、本発明の光磁気記録媒
体は、光磁気記録膜が単層にて形成されている。そし
て、図３７（ａ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面
から膜厚方向の略中央部分までは磁気モーメントが垂直
上向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメ
ントが斜め上向きに向き、反射膜側の界面では磁気モー
メントが面内方向に向いている。図３７（ｂ）の光磁気
記録膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モ
ーメントが面内方向に向いており、そこから上の部分で
は磁気モーメントが斜め上向きに向き、膜厚方向の略中
央部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。
さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆方向に
傾斜し、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向
に向いている。図３７（ｃ）の光磁気記録膜は、透明基
板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが垂直上
向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメン
トが斜め上向きになり、膜厚方向の略中央部分では磁気
モーメントが面内方向に向いている。さらにそこから上
の部分では磁気モーメントが再度同一方向に傾斜し、反
射膜側の界面では磁気モーメントが垂直上向きに向いて
いる。図３７（ｄ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界
面部分から反射膜側の界面部分まで、磁気モーメントが
一律に斜め上向きに向いている。図３７（ｅ）の光磁気
記録膜は、透明基板側の界面部分から反射膜側の界面部
分まで、磁気モーメントが螺旋状に回転している。図３
７（ｆ）の光磁気記録膜は、斜め右上向きの磁気モーメ
ントと斜め左上向きの磁気モーメントとが、膜厚方向に
交互に形成されている。図３７（（ｇ）の光磁気記録膜
は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメン
トが面内方向に向いており、そこから上の部分では磁気
モーメントが順次右回りに旋回して遂には垂直上向きに
なる。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが同
一方向に旋回し、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメ
ントが面内方向に向いている。さらにそこから上の部分
では磁気モーメントが逆向きに旋回し、遂には垂直上向
きになる。さらにそこから上の部分では磁気モーメント
が逆向きに旋回し、反射膜側の界面では磁気モーメント
が面内方向に向いている。図３７（ｈ）の光磁気記録膜
は、透明基板側の界面から略中央部分では磁気モーメン
トが垂直上向きに向いており、反射膜側の界面近傍では
磁気モーメントが斜め上向きに傾斜している。図３７
（ｉ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面付近では磁
気モーメントが斜め上向きに傾斜しており、略中央部か
ら反射膜側の界面までの部分では磁気モーメントが垂直
上向きに向いている。図３７（ｊ）の光磁気記録膜は、
透明基板側の界面から略中央部までは磁気モーメントが
垂直上向きに向いており、それより反射膜側の界面まで
の部分では磁気モーメントが斜め下向きに傾斜してい
る。

【０１３０】これらの図から明らかなように、本発明の
磁性膜は単層構造になっており、その中で磁化モーメン
トが垂直又は斜めもしくは面内方向に向く部分を有する
のであって、垂直磁化膜と面内磁化膜とを積層したもの
とは根本的に異なっている。図３７（ａ）〜（ｊ）に掲
げた各光磁気記録膜のうち、膜厚方向に磁気モーメント
が膜面と垂直でない方向に向く部分と膜面と垂直に向く
部分とを有する光磁気記録膜にあっては、光磁気記録膜
をキュリー温度近傍まで加熱したときに、膜面と垂直で
ない方向に向く磁気モーメントが、前記膜面と垂直に向
く磁気モーメントと共に消失するように調整される。膜
面と垂直でない方向に向く磁気モーメントが消失する温
度と、膜面と垂直に向く磁気モーメントが消失する温度
とは、接近している方が好ましく、特に、膜面と垂直に
向く磁気モーメントが消失する温度（キュリー温度）を
Ｔ_cとしたときに、膜面と垂直でない方向に向く磁気モ
ーメントがＴ_c ±５０℃の範囲で消失することが好まし
い。

【０１３１】本発明の光磁気記録媒体は、磁気トルク計
にかけて磁気トルクを測定したとき、いずれも図３８に
示すようなトルクカーブを示す。すなわち、外部磁場の
大きさをＨ_ex、測定温度における磁壁抗磁力をＨ_c 、測
定温度における垂直異方性磁界をＨ_k 、膜面に垂直な方
向を０°、膜面に垂直な方向からの外部磁場Ｈ_exの回転
角度をθとし、Ｈ_c ＜Ｈ_ex＜Ｈ_k なる大きさの外部磁場
を試料の支持軸回りに回転しつつ、試料の支持軸に働く
磁気トルクＴを磁気トルク計にて測定したとき、 ０°
≦θ≦９０°の範囲及び１８０°≦θ≦２７０°の範囲
に、∂²Ｔ／∂θ²＜０なる領域が存在するか（但し、∂
Ｔ(θ₀ )／∂θ＝０なるθ₀ が存在する場合には、Ｔ
(θ₀ )＜Ｔ_max なる領域が存在すること）、３６０°≧
θ≧２７０°の範囲及び１８０°≧θ≧９０°の範囲
に、∂²Ｔ／∂θ²＞０なる領域が存在し（但し、∂Ｔ
(θ₀ )／∂θ＝０なるθ₀ が存在する場合Ｔ(θ₀ )＞Ｔ
_min なる領域が存在すること）する。但し、上記の各式
を満たす条件が、磁壁移動に伴う微分不可能点でないこ
とはもちろんである。

【０１３２】比較例として、垂直磁化膜単層の光磁気記
録膜を有する光磁気記録媒体のトルクカーブを図３９に
示す。このトルクカーブには、図３８のＢに相当するピ
ークが現われない。

【０１３３】また、本実施例の光磁気記録媒体は、異な
る試料温度のもとで前記のトルクカーブを測定し、試料
温度と図３８に示すＡ及びＢのピーク値との相関をグラ
フにプロツトしたとき、いずれも図４０に示すような特
性を示す。すなわち、試料温度が上昇するにしたがって
Ａのピーク値及びＢのピーク値が順次低下し、ほぼ同一
の温度（図４０の例では同一温度）で共にゼロとなる。
なお、Ａのピーク値がゼロになる温度とＢのピーク値が
ゼロになる温度とは、必ずしも一致する必要はなく、Ａ
のピーク値がゼロになる温度（キュリー温度）をＴ_c と
したときに、Ｂのピーク値がゼロになる温度がＴ_c ±５
０℃の範囲にあればよい。

【０１３４】図４１に本実施例に係る光磁気記録媒体の
外部磁界特性を、図４２に本実施例に係る光磁気記録媒
体のビットエラー発生特性を示す。但し、試料として
は、膜構造が図４３に示すように構成された光磁気記録
媒体を用いた。図４１に示すように、本発明の光磁気記
録媒体は、記録方向又は消去方向に５０（Ｏｅ）以上の
外部磁界を印加することによって飽和磁化に達すること
ができ、また、図４２に示すように、記録方向に５０
（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加することによってビット
エラー発生率を最低レベルにすることができる。

【０１３５】本実施例の光磁気記録媒体は、垂直磁化膜
を光磁気記録膜として用いた従来の光磁気記録媒体（図
４１及び図４２に破線で表示）に比べて、１５０（Ｏ
ｅ）以上も情報の記録消去に必要な外部磁界強度を低下
できる。

【０１３６】以下に、本発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法例と、各製造方法によって作製される磁性膜の構
造とを列挙する。

【０１３７】（１）透明基板上に、第１無機誘電体層
と、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜と、第２無
機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて順次積層
し、図９の膜構造を有する光磁気記録媒体を作製した
後、この光磁気記録媒体を６０℃〜１５０℃の温度で、
２〜１０分間加熱する。これによって、図３７（ｄ）に
示したような磁性膜を形成できる。

【０１３８】（２）透明基板上に第１無機誘電体層をス
パッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、スパ
ッタガスの組成を適宜切り替えつつ希土類−遷移金属系
の非晶質合金を所望の膜厚に達するまでスパッタリング
する。例えば、磁性層の膜厚が全膜厚の１／２〜１／１
０に達する毎に、スパッタガスを純Ａｒから１〜２０体
積％のＮ₂ガスを混入したＡｒガス又は０．５〜１０体
積％のＯ₂ガスを混入したＡｒガスに切り替える。これ
によって、図３７（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示
したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上
に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法に
て積層する。

【０１３９】（３）透明基板上に第１無機誘電体層をス
パッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、垂直
磁気異方性が異なる磁性膜を交互に形成する。垂直磁気
異方性が異なる磁性膜の組み合わせには、例えば希土類
−遷移金属系の非晶質合金と、Ｃｏを主成分とし、これ
に（Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ａｇ）のグループ
から選択された少なくとも１種類の金属の合金などを挙
げることができる。これによって、図３７（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成で
きる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反
射膜とを連続スパッタ法にて積層する。

【０１４０】（４）透明基板上に第２無機誘電体層をス
パッタリングした後、当該第２無機誘電体層上に、（Ｇ
ｄ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｎｄ）のグループから選択される希土
類元素の添加量、又は（Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ）のグループ
から選択される遷移金属の添加量が異なるＴｂＦｅＣｏ
系合金を順次積層する。これによって、原子間の交換相
互作用及び異方性エネルギーの相関により、図３７
（ｅ）のようなヘリカルスピン構造をとる磁性膜、ある
いは図３７（ｆ）のようなキャントスピン構造をとる磁
性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘
電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。

【０１４１】（５）透明基板上に第１無機誘電体層をス
パッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、（Ｎ
ｂ，Ｔｉ，Ｗ，Ｂｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｒ
ｈ）のグループから選択される非磁性元素の添加量が異
なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによっ
て、異方性エネルギーが低下し、図３７（ｄ）のような
構造の磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第
２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層
する。

【０１４２】本第５実施例の光磁気記録媒体は、前記光
磁気記録膜４上にこれと交換結合力を及ぼしあう補助磁
性膜を積層することによって、さらに外部磁界感度を高
めることができる。補助磁性膜としては、記録温度にお
ける飽和磁化をＭｓ（Ｔ_WR）、記録温度における垂直磁
気異方性エネルギーをＫｕ（Ｔ_WR）としたときに、下式
にて表わされる磁気特性を有する希土類−遷移金属−添
加元素系の合金薄膜を用いることができる。 ２πＭｓ²（Ｔ_WR）≧Ｋｕ（Ｔ_WR）。

【０１４３】希土類としては、元素記号がＧｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｎｄ，Ｈｏで表わされるものを挙げることがで
き、遷移金属としては、元素記号がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉで
表わされるものを挙げることができ、添加元素系として
は、元素記号がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｂ，
Ｃｒで表わされるものを挙げることができる。これらの
うちでは、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＴｂＦｅＰｔ合金などが
特に好適である。

【０１４４】図４４に、補助磁性膜が設けられた本実施
例の光磁気記録媒体の磁界変調記録特性を示す。ただ
し、試料としては図４５に示す膜構造を有する光磁気デ
ィスクを用い、図４４に表記した条件のもとで信号の記
録を行った。図４４から明らかなように、本実施例の光
磁気記録媒体は、飽和記録磁界が５０（Ｏｅ）以下にな
る。

【０１４５】以下の第６〜第９実施例に、本発明を例え
ば特開平１−１４３０４２号公報などに記載されている
超解像方式の光磁気記録媒体に適用した場合の実施例を
示す ＜第６実施例＞本発明の第６実施例を図４６及び図４７
に基づいて説明する。図４６は本例に係る光磁気記録媒
体の要部断面図であり、図４７は本実施例の効果を示す
グラフ図である。

【０１４６】図４６に示すように、本例の光磁気記録媒
体は、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面２
に、見掛け上のカー回転角を大きくし、再生信号のＣＮ
比を改善するためのエンハンス膜３と、フェリ磁性を有
する希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜からなる第
１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃと、保護層６とを順
次積層してなる。透明基板１としては、いわゆる２Ｐ法
によって片面にプリフォーマットパターン２が転写され
たガラス基板を用いた。このガラス基板１のプリフォー
マットパターン２上に、膜厚が約８５０ÅのＳｉＮエン
ハンス膜３と、膜厚が約３００ÅのＧｄＦｅＣｏ系非晶
質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜４ａと、膜厚が約１
００ÅのＴｂＦｅＮｂ系非晶質垂直磁化膜からなる第２
の磁性膜４ｂと、膜厚が約４００ÅのＴｂＦｅＣｏ系非
晶質垂直磁化膜からなる第３の磁性膜４ｃと、膜厚が約
８００ÅのＳｉＮ保護層１４とを連続スパッタリングし
て、第６実施例の光磁気記録媒体とした。前記第３の磁
性膜４ｃは、室温においてＴｂ副格子磁化が優勢な組成
に調整されている。

【０１４７】図４７に、前記第６実施例に係る光磁気記
録媒体と、当該光磁気記録媒体における第３の磁性膜４
ｃに代えてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅ
Ｃｏ系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光磁
気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラフ図の縦
軸には再生信号のＣＮ比が目盛られ、横軸には印加され
る外部磁界の大きさが目盛られている。なお、外部磁界
の正値は記録方向の磁界を示し、負値は消去方向の磁界
を示す。このグラフ図から明らかなように、第３の磁性
膜４ｃとしてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦ
ｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光
磁気記録媒体は、記録方向に約３００［［Ｏｅ］以上、
消去方向に約６００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加しな
くては飽和磁界に達しないのに対し、第３の磁性膜４ｃ
としてＴｂ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ系非
晶質垂直磁化膜が設けられた第１実施例に係る光磁気記
録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々約２００［Ｏ
ｅ］以上の外部磁界を印加するだけで飽和磁界に達する
ことができる。よって、外部磁界ひいてはドライブ装置
の小型化、軽量化、省電力化を図ることができると共
に、磁界変調方式による情報のオーバーライトが実現可
能になった。

【０１４８】なお、前記実施例及び比較例では、透明基
板１としてガラス基板を用いたが、これに代えて樹脂基
板を用いた場合にも前記と同様の結果が得られた。前記
実施例及び比較例では、エンハンス膜３及び保護膜６と
してＳｉＮを用いたが、ＳｉＯ₂ ，ＳｉＯ，Ｓｉ₂ Ｎ
₃ ，ＡｌＮ等、他の無機誘電体を用いた場合にも前記と
同様の結果が得られた。また、無機保護膜６に代えて、
ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも前記と同様の結果が
得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した場合にも、
前記と同様の結果が得られた。さらに、第１の磁性膜４
ａとしてＧｄＦｅ又はＧｄＣｏ系の非晶質垂直磁化膜を
用い、第２の磁性膜４ｂとしてＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣ
ｏ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ系の非晶質垂
直磁化膜を用いた場合にも、前記と同様の結果が得られ
た。

【０１４９】＜第７実施例＞以下、本発明の第２実施例
を図４８及び図４９に基づいて説明する。図４８は本例
に係る光磁気記録媒体の要部断面図であり、図４９は本
実施例の効果を示すグラフ図である。

【０１５０】図４８に示すように、本例の光磁気記録媒
体は、第３の磁性膜４ｃの表面に、酸化層９を形成した
ことを特徴とする。酸化層９は、ガラス基板１上に、エ
ンハンス膜３と、第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃ
とを連続スパッタリングした後、成膜を一旦中止してス
パッタチャンバー内の酸素量を調整し、第３の磁性膜４
ｃを加熱することによって形成される。その後、スパッ
タチャンバー内の真空度を再度調整し、所定の膜厚の保
護層６をスパッタリングすることによって、第２実施例
の光磁気記録媒体を形成できる。酸化層９以外の部分に
ついては、第６実施例の光磁気記録媒体と同様に形成さ
れる。

【０１５１】図４９に、前記第７実施例に係る光磁気記
録媒体と、前記第６実施例に係る光磁気記録媒体との外
部磁界特性を示す。このグラフ図から明らかなように、
本例の光磁気記録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々
約１００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加するだけで飽和
磁界に達することができ、第６実施例の光磁気記録媒体
に比べて、さらに約±１００［Ｏｅ］も外部記録感度が
向上している。

【０１５２】なお、前記第７実施例では、第３の磁性膜
４ｃの表面に加熱酸化層を形成したが、第１の磁性膜４
ａ又は第２の磁性膜４ｂの表面に前記と同様の加熱酸化
層９を形成しても、前記と同様の結果が得られた。ま
た、前記加熱酸化層９に代えて、加熱窒化層を形成した
場合にも前記と同様の結果が得られた。加熱窒化層は、
窒化しようとする磁性膜をスパッタリングした後、スパ
ッタチャンバー内の窒素量を調整し、当該窒化しようと
する磁性膜を加熱することによって形成される。その
他、透明基板１の材料や保護膜６の材料、それに加熱酸
化層９又は加熱窒化層の形成位置を第６実施例の説明欄
に表記したように変更しても、前記と同様の結果が得ら
れた。

【０１５３】＜第８実施例＞以下、本発明の第８実施例
を図５０及び図５１に基づいて説明する。図５０は本例
に係る光磁気記録媒体の要部断面図であり、図５１は本
実施例の効果を示すグラフ図である。

【０１５４】図５０に示すように、本例の光磁気記録媒
体は、第３の磁性膜４ｃに接して、補助磁性膜５に設け
たことを特徴とする。補助磁性膜５としては、第３の磁
性層４ｃに記録磁区が形成される温度（第３の磁性層４
ｃのキュリー温度近傍又は補償温度近傍）で、遷移金属
副格子磁化が優勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化
膜が用いられる。その他、エンハンス膜３、第１〜第３
の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃ、保護層６については、第６
実施例の場合と同じである。補助磁性膜５は、他の薄膜
と共に連続スパッタリングされる。

【０１５５】図５１に、前記補助磁性膜５として、膜厚
が５０Åの上記組成のＴｂＦｅＣｏ膜が設けられた前記
第８実施例に係る光磁気記録媒体と、前記第６実施例に
係る光磁気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラ
フ図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体は、記
録方向及び消去方向に夫々約１００［Ｏｅ］以上の外部
磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができ、第
６実施例の光磁気記録媒体に比べて約±１００［Ｏｅ］
も外部記録感度が向上している。これは、前記補助磁性
膜５を形成することによって、記録磁区を形成しようと
する領域又は消去しようとする領域に作用するその周囲
領域からの浮遊磁界が減少されるためであると考えられ
る。

【０１５６】なお、前記第８実施例においては、第３の
磁性膜４ａの表面側（保護膜６側）にのみ補助磁性膜５
を形成したが、第３の磁性膜４ｃの背面側（透明基板１
側）に補助磁性膜５を形成しても同様の結果が得られ
た。また、第１の磁性膜４ａ又は第２の磁性膜４ｂの表
面に前記と同様の補助磁性膜５を形成しても、前記と同
様の結果が得られた。その他、透明基板１の材料や保護
膜６の材料を第６実施例の説明欄に表記したように変更
しても、前記と同様の結果が得られた。

【０１５７】＜第９実施例＞以下、本発明の第４実施例
を図５２〜図５５に基づいて説明する。図５２は補助磁
性膜中のＰｔ添加量と垂直磁気異方性定数との関係を示
すグラフ図、図５３は補助磁性膜中のＰｔ添加量と残留
カー回転角との関係を示すグラフ図、図５４は補助磁性
膜中のＰｔ添加量と再生ＣＮ比との関係を示すグラフ
図、図５５は補助磁性膜中のＰｔ添加量と記録信号を消
去するに要する最小消去磁界との関係を示すグラフ図で
ある。

【０１５８】本例の光磁気記録媒体は、前記第３実施例
に係る光磁気記録媒体の補助磁性膜１６をＡｕ，Ａｇ，
Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒから選択さ
れた少なくとも１種類の元素が添加された希土類−遷移
金属系非晶質合金にて形成したことを特徴とする。その
他、エンハンス膜３、第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，
４ｃ、保護層６については、第６実施例の場合と同じで
ある。補助磁性膜は、他の薄膜と共に連続スパッタリン
グされる。したがって、本例の光磁気記録媒体の断面構
造は、前記第８実施例の光磁気記録媒体と同じになる
（図５０参照）。図５２に、前記第９実施例に係る光磁
気記録媒体にける補助磁性膜中のＰｔ添加量と垂直磁気
異方性定数との関係を示す。この図から明らかなよう
に、本例の光磁気記録媒体の垂直磁気異方性エネルギー
は、補助磁性膜中のＰｔ添加量を増加するにしたがって
低下し、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１３ａｔ％を越
えると磁化容易軸が膜面に垂直な方向に向く。一方図５
３に、この光磁気記録媒体における補助磁性膜中のＰｔ
添加量と残留カー回転角との関係を示す。この図から明
らかなように、本例の光磁気記録媒体の残留カー回転角
は、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１０ａｔ％まではほ
ぼ一定であるが、１０ａｔ％を越えると急激に低下す
る。これら図５２及び図５３の結果から、補助磁性膜中
に約１０原子％までのＰｔを添加することによって、カ
ー回転角を低下させることなく垂直磁気異方性エネルギ
ーを低下させることができること、すなわち光磁気記録
媒体の再生ＣＮ比を低下することなく外部磁界感度を高
めることがわかる。

【０１５９】図５４に、Ｐｔを添加したＴｂＦｅＣｏ膜
が補助磁性膜として設けられた光磁気記録媒体の再生Ｃ
Ｎ比とＰｔ添加量との関係を示す。但し、補助磁性膜の
膜厚を約５０Å、記録信号のパルス幅を６０ｎＳ、記録
磁区間のピツチを１．５３μｍ、媒体に対する光ビーム
の線速を７．５４ｍ／ｓとし、最大出力時のＣＮ比を測
定した。この図から明らかなように、本例の光磁気記録
媒体の再生ＣＮ比は、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１
０〜１２ａｔ％まではほぼ一定であるが、その値を越え
ると急激に低下する。図５５に、図５４のデータをとる
に使用した光磁気記録媒体の消去磁界の大きさと補助磁
性膜中のＰｔ添加量との関係を示す。ただし、本例で
は、記録時の搬送波レベルに対する消去後のノイズレベ
ルが−４０ｄＢとなるために必要な外部磁界の大きさを
もって消去磁界の大きさとした。この図から明らかなよ
うに、補助磁性膜中にＰｔを添加すると、添加量が増加
するにしたがって必要な消去磁界が小さくなる。しか
し、１０ａｔ％を越えるＰｔを添加しても消去磁界の低
下度がきわめて小さくなる。このことから、第３の磁性
層４ｃに記録磁区が形成される温度で遷移金属副格子磁
化が優勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜からな
る補助磁性膜に約１０ａｔ％のＰｔを添加することによ
って、消去磁界感度を極限まで高められることがわか
る。

【０１６０】なお、前記第９実施例では、補助磁性膜の
添加元素としてＰｔを用いたが、これに代えてＡｕ，Ａ
ｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒなどを用いて
も、前記と同様の結果が得られた。その他、透明基板１
１の材料や保護膜１４の材料、それに補助磁性膜１６の
形成位置を第３実施例の説明欄に表記したように変更し
ても、前記と同様の結果が得られた。

【０１６１】なお、前記第１の目的を達成するための手
段を具体化した実施例においては、光磁気記録膜として
キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体（図
３２）を用いた場合、及びキュリー温度近傍で希土類リ
ッチのフェリ磁性体（図３３）を用いた場合についての
み説明したが、その他、キュリー温度近傍で遷移金属リ
ッチのフェロ磁性体（図３４）、及びキュリー温度近傍
で希土類リッチのフェロ磁性体（図３５）を用いること
もできる。本実施例においては、キュリー温度近傍にお
ける光磁気記録膜の磁気モーメントの大きさのみを問題
にしており、室温における光磁気記録膜の磁気モーメン
トの大きさについては、何ら問題にならない。例えば、
図３６に示すように、室温においては希土類リッチのフ
ェリ磁性体であっても、キュリー温度近傍で遷移金属リ
ッチのフェリ磁性体となるものは、遷移金属リッチのフ
ェリ磁性体として取り扱うことができる。これらの図３
２〜図３６において、黒矢印は遷移金属の磁気モーメン
トを、白矢印は希土類金属の磁気モーメントを示してい
る。

【０１６２】次に、前記第２の目的を達成するための手
段を具体化した実施例について説明する。

【０１６３】＜第１０実施例＞図５６に示すように、所
謂２Ｐ法にて、プリフォーマットパターン（図示せず）
が転写された紫外線硬化樹脂層２１をガラス円板２２の
片面に密着し、プリフォーマットパターン付きの透明基
板１を作製した。

【０１６４】次いで、この透明基板１の前記プリフォー
マットパターン上に、透明基板１側より、膜厚が約８５
０Åの窒化珪素誘電体製エンハンス層３と、膜厚が約３
００Åのテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製記録層
４と、膜厚が約２００Åの不定比な組成の鉄酸化物製中
間層２３と、膜厚が約１２００Åのテルビウム−デイス
プロシウム−鉄−コバルト非晶質合金製補助層５と、膜
厚が約１０００Åの窒化珪素製保護層６とを順次積層
し、図５６に示すディスク単板２４を作製した。最後
に、前記のようにして作製された２枚のディスク単板２
４を、各層を内側にして同心に貼り合わせ、図１１に示
すエアサンドイッチ構造の光磁気ディスクを作製した。

【０１６５】＜第１１実施例＞射出成形法にて、片面に
プリフォーマットパターン（図示せず）が形成されたポ
リカーボネート製の透明基板１を作製した。

【０１６６】次いで、この透明基板１の前記プリフォー
マットパターン上に、透明基板側１より、膜厚が約８５
０Åの窒化珪素誘電体製のエンハンス層３と、膜厚が約
２５０Åのテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製記録
層４と、膜厚が約１５０Åの不定比な組成のコバルト酸
化物製中間層２３と、膜厚が約１２００Åのガドリニウ
ム−テルビウム非晶質合金製補助層８５、膜厚が約１０
００Åの窒化珪素誘電体製保護層６とを順次積層し、図
５７に示すディスク単板２８を作製した。

【０１６７】最後に、前記のようにして作製された２枚
のディスク単板２８を、各層を内側にして同心に貼り合
わせ、図１２に示す密着貼り合わせ構造の光磁気ディス
クを作製した。

【０１６８】第１０および第１１実施例の各光磁気ディ
スクに形成された記録層と補助層の保磁力−温度特性、
それに飽和磁化−温度特性を調べたところ、いずれも図
５８に示す特性をもっていることが判った。すなわち、
記録層４は補助層５に比べて室温での保磁力が高く、補
助層５よりも低いキュリー点をもつ。また、記録層４は
補助層５に比べて室温での飽和磁化が低くなっている。

【０１６９】また、第１０および第１１実施例の各光磁
気ディスクについて、記録磁区の消去に必要なＬレベル
のレーザパワーと、情報の記録に必要なＨレベルのレー
ザパワーを調べたところ、いずれも図５９に示すよう
に、約４ｍＷ以下のＬレベルのレーザパワーをかけるこ
とによって先に記録された信号を再生することができ、
約１４ｍＷ以上のＨレベルのレーザパワーをかけること
によって情報の記録を行うことができることが判った。

【０１７０】さらに、初期化磁界の大きさを種々変更し
ながら、４．９３［ＭＨｚ］の信号が記録されたトラッ
ク上に、１．８５［ＭＨｚ］の信号をオーバーライト
し、４．９３［ＭＨｚ］の信号が完全に消去され、１．
８５［ＭＨｚ］の信号がオーバーライトされる初期化磁
界の大きさを調べた。第１０および第１１実施例の各光
磁気ディスクは、いずれも図６０に示すように、約１
［ＫＯｅ］の初期化磁界をかけるだけで先に記録された
４．９３［ＭＨｚ］の信号が完全に消去され、かつ後に
記録された１．８５［ＭＨｚ］の信号は飽和レベルに達
しており、５〜６［［ＫＯｅ］の初期化磁界をかけなく
てはならない従来技術に比べて、初期化磁石を格段に小
型化できることが判った。

【０１７１】ただし、第１０実施例の光磁気ディスクに
ついては、１．８５［ＭＨｚ］の信号をＬレベルが６
［ｍＷ］、Ｈレベルが１４［ｍＷ］に強度変調してオー
バーライトし、第１１実施例の光磁気ディスクについて
は、１．８５［ＭＨｚ］の信号をＬレベルが５．５［ｍ
Ｗ］、Ｈレベルが１２［ｍＷ］に強度変調してオーバー
ライトしてオーバーライトした。また、再生用レーザビ
ームのパワーは１．５［ｍＷ］であった。

【０１７２】なお、第１０および第１１実施例の光磁気
ディスクのみならず、前記第２の目的を達成するための
手段として挙げた全ての発明に係る光磁気記録媒体は、
いずれも前記と同様の効果が確認された。

【０１７３】次に、前記第３の目的を達成するための手
段を具体化した実施例について説明する。

【０１７４】＜第１２実施例＞図６１に示すように、直
径１０インチのガラス板３１の片面に、いわゆる２Ｐ法
にて、プリフォーマットパターン２が転写された紫外線
硬化樹脂層３２を形成し、プリフォーマットパターン付
きの透明基板１を作製した。

【０１７５】次いで、この透明基板１の前記プリフォー
マットパターン２上に、透明基板１側より、膜厚が約８
０ｎｍの窒化珪素製エンハンス層３と、膜厚が約２０ｎ
ｍで、キュリー温度が１９０℃であり、補償温度が１０
０℃のテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製磁性層４
と、膜厚が約５ｎｍの白金−コバルト合金製補助磁化層
５と、膜厚が約２５ｎｍの窒化珪素製熱制御層８と、膜
厚が約５０ｎｍのアルミニウム−チタン合金製反射層１
１とを順次積層し、ディスク単板を作製した。しかる後
に、このようにして作製された２枚のディスク単板を貼
り合わせて、図１１に示すエアサンドイッチ構造の光磁
気ディスクを作製した。

【０１７６】この光磁気ディスクをドライブ装置に装着
し、３６００ｒｐｍで回転して最外周の線速度が４５ｍ
／ｓとなる部分にレーザビームスポットを位置付け、記
録周波数が３２ＭＨｚ、記録レーザパワーが約１０ｍ
Ｗ、外部磁界が３０００ｅの条件下で信号の記録を行
い、４．０ｍＷの再生用レーザビームを照射して信号の
再生を行ったところ、４９ｄＢの再生Ｃ／Ｎを得ること
ができた。図４３に、本例の光磁気ディスクの再生Ｃ／
Ｎ−記録レーザパワー特性を示す。

【０１７７】＜第１３実施例＞図６１に示すように、直
径５インチのガラス板３１の片面に、いわゆる２Ｐ法に
て、プリフォーマットパターンが転写された紫外線硬化
樹脂層３２を形成し、プリフォーマットパターン付きの
透明基板１を作製した。

【０１７８】次いで、この透明基板の前記プリフォーマ
ットパターン上に、透明基板側より、膜厚が約８０ｎｍ
の窒化珪素製エンハンス層３と、膜厚が約２０ｎｍで、
キュリー温度が１８５℃であり、補償温度が８０℃のテ
ルビウム−鉄−コバルト−ニオブ非晶質合金製磁性層４
と、膜厚が約２５ｎｍの窒化珪素製熱制御層８と、膜厚
が約５０ｎｍのアルミニウム−チタン合金製反射層１１
とを順次積層し、図１２に示す単板構造の光磁気ディス
クを作製した。

【０１７９】この光磁気ディスクをドライブ装置に装着
し、３６００ｒｐｍで回転して最外周の線速度が２２．
５ｍ／ｓとなる部分にレーザビームスポットを位置付
け、記録周波数が１４．８ＭＨｚ、記録レーザパワーが
約６．５ｍＷ、外部磁界が３００Ｏｅの条件下で信号の
記録を行い、４．０ｍＷの再生用レーザビームを照射し
て信号の再生を行ったところ、４８ｄＢの再生Ｃ／Ｎを
得ることができた。

【０１８０】また、エンハンス層３の膜厚を７０〜８０
ｎｍの範囲で変化させ、磁性層４の膜厚を１０〜３０ｎ
ｍの範囲で変化させ、熱制御層８の膜厚を２０〜１００
ｎｍの範囲で変化させ、反射層１１の膜厚を７０ｎｍ以
下、５０ｎｍ程度の範囲で変化させた場合にも、前記と
同様の結果が得られた。

【０１８１】＜第１４実施例＞以下前記第４の目的を達
成するための手段を具体化する実施例を図面を用いて説
明する。図６２は本実施例１４になる光ディスク３３を
示す。基板１ａ上には、カー回転角の増強用の窒化シリ
コン膜３が８００ｎｍ形成され、この上に、光磁気記録
膜としてＴｂＦｅＣｏ膜４が２０ｎｍ、保護膜として窒
化シリコン膜６が３００ｎｍ、反射膜としてアルミニウ
ム膜１１が５０ｎｍが積層されている。一方基板１ｂ上
には反射膜としてアルミニウム膜３４が３０ｎｍ形成さ
れている。基板１ａと１ｂとは接着剤２９により貼り合
わされている。

【０１８２】＜第１５実施例＞以下に、前記第５の目的
を達成するための手段を具体化する実施例１５について
説明する。この実施例１５は、前出の図１１における透
明基板１と内周スぺーサ１５及び外周スぺーサ１６とを
接着する接着剤１７、それに図１２における記録ディス
ク１１，１２を接着する接着剤１７の改良に関する。

【０１８３】接着層１７としては、例えばホットメルト
接着剤やエポキシ系接着剤などを主成分とし、これにシ
ランカップリング剤またはチタンカップリング剤が添加
された接着剤によって形成される。シランカップリング
剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリトメキシシ
ラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、Ｎ−フエニル−γ−アミノプロピルト
リエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシランなどを挙げることができ、チタンカップリング
剤としては、チタニウムステアレートなどを挙げること
ができる。接着剤に対するシランカップリング剤または
チタンカップリング剤の含有率は、０．１重量％〜１０
重量％程度が良好である。接着剤の形成方法としては、
用いる接着剤の種類に応じて、例えばロールコート法、
スプレーコート法、スクリーン印刷法などを適用するこ
とができる。

【０１８４】また、他の例としては、シランカップリン
グ剤あるいはチタンカップリング剤にて表面処理された
無機フィラーが添加された接着層を用いることもでき
る。

【０１８５】無機フィラーとしては、例えばＳｉＯ₂，
ＳｉＯ，Ａｌ₂Ｏ₃，ＡｌＮなどの粒状体もしくは粉状体
を用いることができる。表面処理に用いるシランカップ
リング剤またはチタンカップリング剤としては、前記の
ものを用いることができる。また、表面処理方法として
は、無機フィラーの表面にシランカップリング剤または
チタンカップリング剤を塗布したり、無機フィラーに形
成される微細な空間内にシランカップリング剤またはチ
タンカップリング剤を含浸させるといった方法をとるこ
とができる。

【０１８６】以下に、実験例を挙げ、実施例の効果に言
及する。

【０１８７】＜実験例１０〜２６＞内径が１５ｍｍ、外
径が１３０ｍｍ、厚さが１．２ｍｍのガラス板の片面
に、いわゆる２Ｐ法によって所望のプリフォーマットパ
ターンを転写し、レプリカ基板を作製した。次いで、こ
のレプリカ基板のプリフォーマットパターン上に光磁気
記録膜を積層し、光磁気記録単板を作製した。また、内
径が１５ｍｍ、外径が２５ｍｍ、厚さが０．５ｍｍのア
ルミニウム製の内周スぺーサと、内径が１２５ｍｍ、外
径が１３０ｍｍ、厚さが０．５ｍｍのアルミニウム製の
外周スぺーサとを作製した。さらには、エポキシ接着剤
（チバガイギー社製アラルダイト）を主剤とし、これに
図６３に表示する組合わせのシランカップリング剤ある
いはチタンカップリング剤が添加された各種の接着剤を
用意した。

【０１８８】前記接着剤をもって接着層が形成された内
周スぺーサおよび外周スぺーサの表裏両面に、光磁気膜
を内側にして光磁気記録単板を貼り合わせ、接着剤に添
加されたシランカップリング剤またはチタンカップリン
グ剤の種類および組合せ、それに添加量が異なる１７種
類の光情報記録媒体を作製した。ただし、接着層の厚さ
は、約３０μｍとした。

【０１８９】これらの光情報記録媒体を温度１２０℃、
相対湿度１００％の環境下に１００時間放置後、取り出
して観察したところ、実験例１０〜２１の光情報記録媒
体には接着部になんら異常が認められなかった。これに
対し、実験例２２、２４、２６の光情報記録媒体にはレ
プリカ基板と接着層との界面に剥離が発生した。また、
実験例２３、２５の光情報記録媒体では接着層からフィ
ラーが分離し、光磁気膜上まで拡散しているのが認めら
れた。これらの結果より、接着剤に対するシランカップ
リング剤またはチタンカップリング剤の含有率は、およ
そ０．１重量％〜１０重量％が好適であることがわか
る。

【０１９０】＜実験例２７〜３６＞実験例１０〜２６で
用いたと同様の光磁気記録単板と、内周スぺーサと、外
周スぺーサとを作製した。また、エポキシ接着剤（チバ
ガイギー社製アラルダイト）を主剤とし、これに図６４
に表示する組合せのフィラーおよびシランカップリング
剤が添加された各種の接着剤を用意した。

【０１９１】前記接着剤をもって接着層が形成された内
周スぺーサおよび外周スぺーサの表裏両面に、光磁気膜
を内側にして光磁気記録単板を貼り合わせ、接着剤に添
加されたフィラーの種類および組合せ、それに添加量が
異なる１７種類の光情報記録媒体を作製した。ただし、
接着層の厚さは、約３０μｍとした。

【０１９２】これらの光情報記録媒体を温度１２０℃、
相対湿度１００％の環境下に１００時間放置後、取り出
して観察したところ、実験例２７〜３２の光情報記録媒
体には接着部になんら異常が認められなかった。これに
対し、実験例３３〜３６の光情報記録媒体にはレプリカ
基板と接着層との界面に剥離が発生した。この結果よ
り、接着剤に対するフィラーの含有率は、６０重量％以
下が好適であることがわかる。

【０１９３】なお、前記実施例においては、レプリカ基
板同士あるいはレプリカ基板とスぺーサの接着について
のみ説明したが、その他、光記録単板の中心部にセンタ
ーハブを備えた光ディスクにおいては、レプリカ基板と
センターハブとの接着にも応用することができる。

【０１９４】また、前記実施例においては光ディスクを
例にとって説明したが、光カードなど他の形状の光情報
記録媒体の製造にも応用することができる。

【０１９５】＜第１６実施例＞以下に、前記第６の目的
を達成するための手段を具体化する実施例１６について
説明する。この実施例１６は、エンハンス膜３を構成す
る無機誘電体層の改良に関する。

【０１９６】図６５は実施例１１に係る光磁気記録媒体
の要部断面図であって、透明基板１のプリフォーマット
パターン２の形成面に、透明基板１側より酸化物層６１
と、窒化物層６２と、光磁気記録膜４と、保護層６と、
反射層１１とが順次積層され、前記酸化物層６１と窒化
物層６２とをもってエンハンス膜３が構成されている。

【０１９７】前記酸化物層６１として、例えばＳｉＯ
₂ ，ＺｒＯ₂ ，Ｔａ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ａｌ₂
Ｏ₃ ，ＣａＯなどの金属あるいは半金属の酸化物が使用
される。この酸化物層１の膜厚は、前述のような理由か
ら３０〜８００Åの範囲に規制されている。

【０１９８】前記窒化物層６２として、例えばＡｌＮ，
ＢＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＴａＮ，ＴｉＮなどの金属あるいは
半金属の窒化物が使用される。この窒化物層２の膜厚
は、前述のような理由から５００〜２０００Åの範囲に
規制されている。

【０１９９】その他については、前出の各実施例に係る
光磁気記録媒体と同じであるので、説明を省略する。

【０２００】次に、本実施例１６の実験例と比較例につ
いて説明する。ＰＣ（ポリカーボネート）製透明基板上
に形成する第１エンハンス膜部分の材料構成から実験例
３７〜４６においては、ＳｉＯ₂ ／ＳｉＮ，ＳｉＭｇＯ
／ＳｉＮ，ＺｒＯ₂ ／ＳｉＮ，ＳｉＺｒＯ／ＳｉＮ，Ｚ
ｒＹＯ／ＳｉＮ，Ｔａ₂ Ｏ₅ ／ＡｌＮ，ＡｌＴａＯ／Ｓ
ｉＡｌＮ，ＳｉＹＯ／ＳｉＴａＮ，Ｙ₂ Ｏ₃ ／ＡｌＴａ
Ｎ，ＣａＳｉＯ／ＳｉＡｌＮであり、比較例としてはＳ
ｉＮ，ＳｉＯである。なお、第１エンハンス膜の厚みは
９００〜１１００Åであり、Ｔｂ−Ｔｅ−Ｃｏ記録膜の
厚みは３００Å、Ａｌ反射膜の厚みが６００Åである。

【０２０１】この実験例３７〜４６の光ディスク単板
と、従来例に係る比較例３、４の光ディスク単板とを８
０℃、９０％ＲＨの環境下において加速試験を行った結
果を図６６に示す。

【０２０２】この図から明らかなように、従来のもの、
特に透明基板上にＳｉＯのみの下地層を形成し、その上
に直接光記録膜を形成した比較例のものは、ビットエラ
ーレートが非常に高い。これに比較して本発明のもの
は、いずれのものにおいてもビットエラーレートが非常
に低く、長期間経過しても性能的に安定していること、
即ち、信頼性の高い光情報記録媒体であることが立証で
きる。

【０２０３】最後に、光磁気記録膜の外部磁界感度を高
めるに好適な光磁気記録媒体の製造方法に関する実施例
を挙げる。

【０２０４】垂直磁気膜の表面に適当な膜厚の面内磁化
膜を設けると光磁気記録媒体の外部磁界感度が向上で
き、面内磁化膜は、垂直磁化膜の表面を酸化することに
よっても生成できる。透明基板上に垂直磁化膜を成膜す
ると、透明基板に含まれる水分によって垂直磁化膜が酸
化され、垂直磁化膜の表面に面内磁化膜が生成される。
ここで、透明基板に含まれる水分量が過大であると、不
必要に大きな面内磁化膜が生成されて外部磁界感度が低
下し、透明基板に含まれる水分量が過少であると必要な
膜厚の面内磁化膜が生成されず、やはり外部磁界感度が
低下する。したがって、透明基板に含まれる水分量を調
整することによって、最適な膜厚の面内磁化膜を生成す
ることができ、外部磁界感度の高い光磁気記録媒体を得
ることができる。

【０２０５】実験によると、透明基板として高分子化合
物からなるものを用いた場合には、前記の条件で透明基
板の脱水処理を行った後、短時間のうちに垂直磁化膜を
成膜した方が高い外部磁界感度を得ることができ、脱水
処理後の保存時間が長くなるにしたがって外部磁界感度
が低下する。特に、前記条件下での保存時間が５０分間
を超えると、外部磁界感度が急激に低下する。一方、透
明基板としてガラス板の片面に高分子化合物からなる転
写層が設けられたものを用いた場合には、前記の条件で
透明基板の脱水処理を行った後、ある程度の時間が経過
してから垂直磁化膜を成膜した方が高い外部磁界感度を
得ることができる。具体的には、前記の放置条件で４時
間以上保存することによって、ほぼ最良の外部磁界感度
を得ることができる。以下の第１７実施例〜第１９実施
例は、かかる知見に基づいてなされたものである。

【０２０６】＜第１７実施例＞射出成形法によって、片
面にプリフォーマットパターンを有するポリカーボネー
ト製のディスク状透明基板（以下、これをＰＣ基板とい
う）を作製した。

【０２０７】このＰＣ基板をベーク炉に入れ、大気圧下
８０℃の温度で４時間以上加熱して脱水処理を行った。

【０２０８】ＰＣ基板をベーク炉から取り出し、気温が
２０℃で相対湿度が６０％の環境下に保存した。しかる
後に、ベーク炉から取り出されたＰＣ基板を高周波（Ｒ
Ｆ）スパッタリング装置に収納し、そのプリフォーマッ
トパターン形成面上に、ＳｉＮエンハンス膜と、ＴｂＦ
ｅＣｏ垂直磁化膜と、ＳｉＮ保護膜と、Ａｌ反射膜とを
この順に積層して、図６７に示す断面構造を有する光磁
気記録媒体を作製した。図６７において、１はＰＣ基
板、２はプリフォーマットパターン、３はＳｉＮエンハ
ンス膜、４はＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜、９はＴｂＦｅＣ
ｏ垂直磁化膜の酸化層（面内磁化膜）、６はＳｉＮ保護
膜、７はＡｌ反射膜を示している。

【０２０９】図６８に、脱水処理済のＰＣ基板をベーク
炉から取り出した後の保存時間と、当該ＰＣ基板を用い
て作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示
す。記録特性の測定は、記録済の光磁気ディスクに１８
０（Ｏｅ）の消去磁界を印加しつつ消去レベルのレーザ
ビームを照射し、当該消去動作が行われたトラックの残
留磁界（ノイズ）をＰＩＮフォトダイオード差動検出器
を備えた差動特性検出器にて測定することで行った。同
図に示すように、本例の光磁気ディスクは、ＰＣ基板１
の脱水処理を行った後、短時間のうちに垂直磁化膜４等
を成膜した方がより高い外部磁界感度を有しており、脱
水処理後の保存時間が長くなるにしたがって外部磁界感
度が低下している。このデータから、前記条件下では、
脱水処理後５０分間以内に垂直磁化膜４等を成膜するの
が好ましいことが判る。脱水処理後５０分以上経過した
ときに外部磁界感度が急激に低下するのは、一旦脱水さ
れたＰＣ基板１が時間の経過とともに吸水し、垂直磁化
膜４の表面が過剰に酸化されて、過大な膜厚の面内磁化
膜が生成されるためであると推定される。

【０２１０】なお、前記実施例では、エンハンス膜３及
び保護膜５としてＳｉＮを用いたが、ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ
Ｏ，Ｓｉ₂ Ｎ₃ ，ＡｌＮ等、他の無機誘電体を用いた場
合にも前記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜
に代えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも前記と同
様の結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した
場合にも、前記と同様の結果が得られた。さらに、垂直
磁化膜４をＴｂＦｅＣｏ以外の他の希土類−遷移金属系
の非晶質垂直磁化膜を用いた場合にも、前記と同様の結
果が得られた。

【０２１１】＜第１８実施例＞ＰＣ基板の脱水処理を、
２０（Ｐａ）以下の真空度に真空引きされた真空チャン
バ内で８０℃に１時間以上加熱することで行った。それ
以外の諸条件については、前記第１実施例と同じにし
た。

【０２１２】図６９に、脱水処理済のＰＣ基板をベーク
炉から取り出した後の保存時間と、当該ＰＣ基板を用い
て作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示
す。記録特性の測定条件は、前記第１実施例と同じにし
た。同図に示すように、本例の光磁気ディスクにおいて
も前記第１実施例の場合とほぼ同様の傾向を示すが、脱
水処理後５０分間における外部磁界感度の安定性がより
高められている。これは、本例の場合、第１実施例の場
合よりもＰＣ基板がより高度に脱水される結果、ＰＣ基
板が外部磁界感度に影響を及ぼすまで吸湿するのに時間
がかかるためであると推定される。

【０２１３】なお、本例の光磁気ディスクにおいても、
前記第１７実施例の場合と同様に、エンハンス膜材料及
び保護膜材料、各膜の膜厚、垂直磁化膜材料を種々変更
した場合にも、前記と同様の結果が得られた。

【０２１４】＜第１９実施例＞所謂２Ｐ法によって、片
面にプリフォーマットパターン転写樹脂層（以下、樹脂
層という）が設けられたガラス製のディスク状透明基板
（以下、２Ｐ基板という）を作製した。

【０２１５】この２Ｐ基板をベーク炉に入れ、大気圧下
８０℃の温度で４時間以上加熱して脱水処理を行った。

【０２１６】２Ｐ基板をベーク炉から取り出し、気温が
２０℃で相対湿度が６０％の環境下に保存した。しかる
後に、ベーク炉から取り出された２Ｐ基板をＲＦスパッ
タリング装置に収納し、そのプリフォーマットパターン
形成面上に、ＳｉＮエンハンス膜と、ＴｂＦｅＣｏ垂直
磁化膜と、ＳｉＮ保護膜と、Ａｌ反射膜とをこの順に積
層して、図７０に示す断面構造を有する光磁気記録媒体
を作製した。図７０において、１は２Ｐ基板、２２はガ
ラス板、２１は樹脂層を示し、その他前出の図６７と対
応する部分には、それと同一の符号が表示されている。

【０２１７】図７１に、脱水処理済の２Ｐ基板をベーク
炉から取り出した後の保存時間と、当該２Ｐ基板を用い
て作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示
す。記録特性の測定方法は、前記各実施例の場合と同じ
である。同図に示すように、本例の場合には、前記各実
施例の場合とは異なり、脱水処理後、ある程度の時間が
経過してから垂直磁化膜を成膜した方が高い外部磁界感
度を得ることができる。これは２Ｐ基板の場合、樹脂層
の膜厚が薄いために前記の脱水条件で高高度に脱水処理
がなされ、その結果、直ちに垂直磁化膜等を成膜すると
外部磁界感度の改善に必要な酸化膜すなわち面内磁化膜
ができないためであると推定される。図７１のデータか
ら、前記条件下では、脱水処理後４時間以上、より好ま
しくは６時間以上経過してから垂直磁化膜４等を成膜す
るのが好ましいことが判る。

【０２１８】なお、本例の光磁気ディスクにおいても、
前記第１実施例の場合と同様に、エンハンス膜材料及び
保護膜材料、各膜の膜厚、垂直磁化膜材料を種々変更し
た場合にも、前記と同様の結果が得られた。

【０２１９】＜第２０実施例＞第２０実施例は、光磁気
記録膜及び補助磁性膜の好適な組合せと、それら両膜の
作製方法とに関する。

【０２２０】図４５の膜構造を有する光磁気記録媒体を
例にとって、本実施例を説明する。図に示すように、本
実施例の光磁気記録媒体は、透明基板１上に、第１エン
ハンス膜３ａと、光磁気記録膜４と、補助磁性膜５と、
第２エンハンス膜３ｂと、熱拡散膜８とがこの順に積層
されている。

【０２２１】光磁気記録膜４は、下記の一般式で表わさ
れる希土類−遷移金属−添加元素系の非晶質合金であっ
て、補償温度がない、すなわちキュリー温度まで希土類
モーメントが優勢な磁性膜にて形成され、補助磁性膜５
は、この合金に酸素又は窒素が添加されたものにて形成
される。

【０２２２】一般式；（Ｔｂ_100-A Ｑ_A ）_X Ｆｅ
_100-X-Y-Z Ｃｏ_Y Ｍ_Z 但し、２５原子％≦Ｘ≦４０原子％ ５原子％≦Ｙ≦１５原子％ ０原子％≦Ｚ≦１０原子％ ０原子％≦Ａ≦２０原子％ ＭはＮｂ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌから選択された少な
くとも１種類の元素、ＱはＧｄ，Ｎｄ，Ｄｙから選択さ
れた少なくとも１種類の元素。光磁気記録膜４は１００
〜５００Åの膜厚に形成され、補助磁性膜５はその５〜
４０％の膜厚に形成される。補助磁性膜５は、定法にし
たがって第１エンハンス膜３ａと光磁気記録膜４とのス
パッタリングが終了した後、スパッタチャンバー内の真
空度を１×１０⁶ 〜１×１０⁴ （Ｐａ）に調整し、この
真空条件下で加熱するか、あるいはスパッタチャンバー
内に酸素又は窒素とスパッタガス（例えば、Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ等）の混合ガスを導入しながら加熱することに
よって形成できる。第２エンハンス膜３ｂ及び熱拡散膜
８は、補助磁性膜５の作製後、定法にしたがってスパッ
タリングされる。この方法によると、全ての膜を連続ス
パッタリングできるので、光磁気記録媒体を量産性よく
製造できる。

【０２２３】図７２に、膜厚が４００ÅのＴｂ_31.7Ｆｅ
_56.4Ｃｏ_11.9光磁気記録膜と、膜厚が１００Åの酸素を
５％含有したＴｂＦｅＣｏ補助磁性膜を有する光磁気記
録媒体（第２０実施例品）と、光磁気記録膜の組成が第
２０実施例品と同じで、酸素を含まないＴｂＦｅＣｏ補
助磁性膜が積層された光磁気記録媒体（比較例品）と、
従来品の、Ｃ／Ｎの磁場依存性を示す。この図から明ら
かなように、第２０実施例品は、５０（Ｏｅ）の外部磁
界で飽和磁化に達することができ、１００（Ｏｅ）以上
の外部磁界を印加しなくては飽和磁化に達しない比較例
品、及び２００（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加しなくて
は飽和磁化に達しない従来品に比べて、格段に外部磁界
感度が改善される。

【０２２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
補助磁性膜として角形比が１以下のものを用いるか、光
磁気記録膜として、遷移金属がもつ部分磁化の磁気モー
メントの方向が少なくとも当該光磁気記録膜のキュリー
温度直下において当該光磁気記録膜の磁化の方向と同じ
であるもの、或いは遷移金属がもつ部分磁化の磁気モー
メントの方向が少なくとも当該光磁気記録膜のキュリー
温度直下において当該光磁気記録膜の磁化の方向と逆で
あるものを用いたので、２００（Ｏｅ）の外部磁界で完
全な記録情報の消去が可能で、従来実用化が困難である
とされていた磁気超解像形の光磁気記録媒体における磁
界強度変調方式によるオーバーライト記録が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
である。

【図２】第１実施例における強磁性反射膜の効果を示す
グラフ図である。

【図３】第１実施例におけるＰｔＣｏ薄膜の組成と消去
方向磁界との関係を示すグラフ図である。

【図４】実験例１および比較例に係る光磁気記録媒体の
説明図である。

【図５】第１実施例中の各実験例および比較例に係る光
磁気記録媒体の記録・消去特性を比較して示すグラフ図
である。

【図６】第２実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
である。

【図７】第２実施例にけるレーザビーム照射部の温度分
布を示す説明図である。

【図８】第２実施例における熱制御層の組成とレーザビ
ーム照射部の温度との関係を示すグラフ図である。

【図９】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導率
の関係を示すグラフ図である。

【図１０】第２実施例における熱制御層の組成と繰返し
記録、再生に対する耐久性との関係を示すグラフ図であ
る。

【図１１】第２実施例における光磁気記録媒体の具体的
構造を示す断面図である。

【図１２】第２実施例における光磁気記録媒体の具体的
構造を示す断面図である。

【図１３】第２実施例中の各実験例に係る光磁気記録媒
体の再生信号出力特性図である。

【図１４】第２実施例に係る光磁気記録媒体の繰返し記
録、再生に対する耐久性を示すグラフ図である。

【図１５】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導
率と膜厚との関係を示すグラフ図である。

【図１６】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導
率の関係を示すグラフ図である。

【図１７】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導
率の関係を示すグラフ図である。

【図１８】第３実施例における光磁気記録膜へのＮ混入
率およびＯ混入率と垂直磁気異方性定数との関係を示す
グラフ図である。

【図１９】第３実施例における光磁気記録膜へのＮ混入
率およびＯ混入率と残留カー回転角との関係を示すグラ
フ図である。

【図２０】第３実施例における光磁気記録媒体に積層さ
れた各膜の組成と膜厚の一例を示す表図である。

【図２１】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ
混入率およびＯ混入率と再生ＣＮ比との関係を示すグラ
フ図である。

【図２２】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ
混入率およびＯ混入率と飽和記録磁界との関係を示すグ
ラフ図である。

【図２３】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ
混入率およびＯ混入率と消去磁界との関係を示すグラフ
図である。

【図２４】第３実施例中の各実験例および比較例に係る
光磁気記録媒体の製造方法と再生ＣＮ比と飽和記録磁界
と消去磁界とＮ混入率とＯ混入率とを示す表図である。

【図２５】第４実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面
図である。

【図２６】第４実施例における補助磁性膜のキュリー温
度と必要消去磁界との関係を示すグラフ図である。

【図２７】第４実施例における補助磁性膜の組成とキュ
リー温度との関係を示すグラフ図である。

【図２８】第４実施例に係る光磁気記録媒体と従来の光
磁気記録媒体の記録、消去特性を比較して示すグラフ図
である。

【図２９】第４実施例に係る光磁気記録媒体の変形例を
示す要部断面図である。

【図３０】第４実施例に係る光磁気記録媒体の他の変形
例を示す要部断面図である。

【図３１】光強度変調方式によるオーバーライトが可能
な光磁気記録媒体の構成の一例を示す説明図である。

【図３２】キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ
磁性体の説明図である。

【図３３】キュリー温度近傍で希土類リッチのフェリ磁
性体の説明図である。

【図３４】キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェロ
磁性体の説明図である。

【図３５】キュリー温度近傍で希土類リッチのフェロ磁
性体の説明図である。

【図３６】室温では希土類リッチで、キュリー温度近傍
では遷移金属リッチとなるフェリ磁性体の説明図であ
る。

【図３７】第５実施例に係る磁性膜の構造を模式的に示
す説明図である。

【図３８】第５実施例に係る光磁気記録媒体のトルクカ
ーブを例示するグラフ図である。

【図３９】従来例に係る光磁気記録媒体のトルクカーブ
を例示するグラフ図である。

【図４０】試料温度とトルフカーブのピーク値との相関
を示すグラフ図である。

【図４１】第５実施例に係る光磁気記録媒体の外部磁界
特性を示すグラフ図である。

【図４２】第５実施例に係る光磁気記録媒体のビツトエ
ラー発生特性を示すグラフ図である。

【図４３】第５実施例に係る光磁気記録媒体の膜構造を
例示する断面図である。

【図４４】補助磁性膜を有する第５実施例の光磁気記録
媒体の磁界変調記録特性を示すグラフ図である。

【図４５】補助磁性膜を有する第５実施例の光磁気記録
媒体の要部断面図である。

【図４６】第６実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面
図である。

【図４７】第６実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示
すグラフ図である。

【図４８】第７実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面
図である。

【図４９】第７実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示
すグラフ図である。

【図５０】第８実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面
図である。

【図５１】第８実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示
すグラフ図である。

【図５２】第９実施例に係る光磁気記録媒体の垂直磁気
異方性定数と補助磁性膜への白金添加量との関係を示す
グラフ図である。

【図５３】第９実施例に係る光磁気記録媒体の残留カー
回転角と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラ
フ図である。

【図５４】第９実施例に係る光磁気記録媒体の再生ＣＮ
比と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図
である。

【図５５】第９実施例に係る光磁気記録媒体の最小消去
磁界と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ
図である。

【図５６】第１０実施例に係る媒体の膜構造を示す断面
図である。

【図５７】第１１実施例に係る媒体の膜構造を示す断面
図である。

【図５８】第１０，第１１実施例の記録層および補助層
の保磁力−温度特性と飽和磁化−温度特性を示すグラフ
図である。

【図５９】情報のオーバーライトに必要なレーザパワー
の大きさを示すグラフ図である。

【図６０】情報のオーバーライトに必要な初期化磁界の
大きさを示すグラフ図である。

【図６１】第１３実施例に係る光磁気記録媒体の要部断
面図である。

【図６２】第１４実施例に係る光磁気ディスクの再生Ｃ
／Ｎ−記録レーザパワー特性図である。

【図６３】接着剤中のカップリング剤組成を示す表図で
ある。

【図６４】接着剤中のカップリング剤及びフィラーの組
成を示す表図である。

【図６５】第１６実施例に係る光磁気記録媒体の要部断
面図である。

【図６６】第１６実施例に係る光磁気記録媒体の耐食性
試験結果を示すグラフ図である。

【図６７】第１７実施例に係る光磁気記録媒体の要部断
面図である。

【図６８】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラ
フ図である。

【図６９】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラ
フ図である。

【図７０】第１９実施例に係る光磁気記録媒体の要部断
面図である。

【図７１】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラ
フ図である。

【図７２】第２０実施例に係る光磁気記録媒体のＣＮ比
の磁場依存性を示すグラフ図である。

【図７３】補助磁性膜を有する光磁気記録媒体の磁界強
度変調方式によるオーバーライトの原理を示す説明図で
ある。

【図７４】キュリー温度直下でＲＥ−ｒｉｃｈの光磁気
記録膜の低温時の記録・消去特性を示す説明図である。

【図７５】補助磁性膜を有する光磁気記録媒体の光強度
変調方式によるオーバーライトの原理を示す説明図であ
る。

【図７６】外部磁界強度及びレーザパワーの選択方法を
示す説明図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ プリフォーマットパターン ３ エンハンス膜 ４ 光磁気記録膜 ５ 補助磁性膜 ６ 保護層 ８ 熱制御層

フロントページの続き (72)発明者 橋本 昌俊 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 白井 睦智 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 太田 憲雄 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 藤原 英夫 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 吉弘 昌史 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 山田 幸憲 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 小山 栄二 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 古性 均 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板と、当該透明基板上に担持され
   た希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録
   膜並びに自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、磁界強
   度変調方式で情報のオーバーライトが行われる磁気超解
   像形の光磁気記録媒体において、前記補助磁性膜とし
   て、キュリー温度近傍で角形比が１以下の磁性膜を用
   い、２００（Ｏｅ）の外部磁界で完全な情報の消去が可
   能であることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 透明基板と、当該透明基板上に担持され
   た希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録
   膜並びに自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、磁界強
   度変調方式で情報のオーバーライトが行われる磁気超解
   像形の光磁気記録媒体において、前記光磁気記録膜とし
   て、遷移金属がもつ部分磁化の磁気モーメントの方向
   が、少なくとも当該光磁気記録膜のキュリー温度直下に
   おいて当該光磁気記録膜の磁化の方向と同じであるもの
   を用い、２００（Ｏｅ）の外部磁界で完全な情報の消去
   が可能であることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 透明基板と、当該透明基板上に担持され
   た希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録
   膜並びに自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、磁界強
   度変調方式で情報のオーバーライトが行われる磁気超解
   像形の光磁気記録媒体において、前記光磁気記録膜とし
   て、遷移金属がもつ部分磁化の磁気モーメントの方向
   が、少なくとも当該光磁気記録膜のキュリー温度直下に
   おいて当該光磁気記録膜の磁化の方向と逆であるものを
   用い、２００（Ｏｅ）の外部磁界で完全な情報の消去が
   可能であることを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記補助磁性膜として、当該補助
   磁性膜の磁気モーメントと前記光磁気記録膜中の遷移金
   属がもつ部分磁化の磁気モーメントとの間で交換結合力
   が作用し合うものを用いたことを特徴とする光磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記光磁気記録膜が、キュリー温
   度近傍で、遷移金属リッチのフェリ磁性体からなること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記光磁気記録膜が、キュリー温
   度近傍で、希土類リッチのフェリ磁性体からなることを
   特徴とする光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記光磁気記録膜が、キュリー温
   度近傍で、遷移金属リッチのフェロ磁性体からなること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記光磁気記録膜が、キュリー温
   度近傍で、希土類リッチのフェロ磁性体からなることを
   特徴とする光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体において、前記光磁気記録膜として、膜面に
   垂直な方向に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分
   を有し、かつ当該光磁気記録膜をそのキュリー温度近傍
   まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成分と
   膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分が共に消
   失する磁性膜を備えたことを特徴とする光磁気記録媒
   体。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
    磁気記録媒体において、前記光磁気記録膜が、下記の
    （１）〜（４）の条件を満たし、かつ室温下で互いに磁
    気的に結合する第１、第２、第３の希土類−遷移金属系
    非晶質垂直磁化膜の積層体からなり、これら各磁性膜の
    うち、透明基板から最も離隔して配設される前記第３の
    磁性膜が、室温下で希土類副格子磁化が優勢な磁性膜を
    もって構成されたものであることを特徴とする光磁気記
    録媒体。 (1) Ｔ₀ ＜Ｔｃ₂ ＜Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₃ (2) Ｈｃ₁ ＋Ｈｗ_(3,1) ＜Ｈｒ（再生時に最高温度まで
    昇温させる領域及びその近傍の領域において） (3) Ｈｃ₃ ＞Ｈｒ（室温から再生時の最高到達温度まで
    の温度範囲において） (4) Ｈｃ₁ ＜Ｈｗ_(3,1)（室温時） 但し、Ｔ₀ は室温、Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₂ ，Ｔｃ₃ は夫々第
    １、第２、第３の磁化膜のキュリー温度、Ｈｃ₁ ，Ｈｃ
    ₃ は夫々第１、第３の磁化膜の保磁力、Ｈｒは再生用外
    部磁界の強度、Ｈｗ_(3,1) は第３の磁性膜が第１の磁性
    膜に及ぼす交換磁界の強度である。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
    磁気記録媒体において、前記補助磁性膜が、貴金属又は
    遷移金属を含む合金で構成されていることを特徴とする
    光磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の光磁気記録媒体に
    おいて、前記補助磁性膜が、（Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐ
    ｔ，Ｒｈ，Ｐｄ）元素群から選択された少なくとも１種
    類の元素と、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）元素群から選択され
    た少なくとも１種類の元素との合金で構成されているこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
    磁気記録媒体において、前記補助磁性膜が、（Ａｕ，Ａ
    ｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃ
    ｒ）元素群から選択された少なくとも１種類の元素を含
    有した希土類−遷移金属系の非晶質合金で構成されてい
    ることを特徴とする光磁気記録媒体。
14. 【請求項１４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
    磁気記録媒体において、前記補助磁性膜のキュリー温度
    と前記光磁気記録膜のキュリー温度との差が、１５０℃
    以内に規制されていることを特徴とする光磁気記録媒
    体。
15. 【請求項１５】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
    磁気記録媒体において、前記補助磁性膜のキュリー温度
    が、１００℃乃至３００℃の範囲内に規制されているこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。