ITMI950189A1 - Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato compatto ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi - Google Patents
Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato compatto ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi Download PDFInfo
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Abstract
Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata comprendente, in combinazione tra loro, un'unità di controllo, un'unità per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi che riceve un segnale dall'unità di controllo e che genera energia elettrica, un'unità d'accumulo dell'energia elettrica, un'unità comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo che emette un segnale laser quando l'energia elettrica è stata accumulata nell'unità d'accumulo dell'energia, un'unità di commutazione a semiconduttore attivata dal segnale laser per convertire l'energia accumulata in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata che converte l'impulso di corrente ricevuto dall'unità di commutazione in un impulso ottico d'uscita a potenza elevata.L'unità di commutazione a semiconduttore è un commutatore a tre terminali costituito da tre elementi a semiconduttore.
Description
Descrizione dell ' invenzione industriale dal titolo:
"Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato , compatto , ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata."
Campo dell'invenzione
La presente invenzione si riferisce ad un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore e pi? precisamente ad un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi (PRF) e potenza elevata.
Descrizione della tecnica anteriore
I dispositivi di controllo per laser a semiconduttore hanno in genere un'impedenza circuitale molto elevata. A causa del notevole disadattamento d'impedenza tra un circuito di controllo per laser avente impedenza elevata ed un laser a semiconduttore avente impedenza estremamente bassa, buona parte dell'energia elettrica utilizzata per far funzionare il laser a semiconduttore viene perduta sotto forma di calore.
Per il funzionamento del dispositivo di controllo per laser a semiconduttore a potenza elevata si dovrebbe fornire al dispositivo di controlla per laser a semiconduttore una corrente superiore al livello di soglia. Si deve compensare l'energia perduta.
Tale dispositivo di controllo convenzionale per laser impulsato a potenza elevata ? perci? progettato con una caratteristica di potenza molto elevata, tenendo conto dell'energia che si deve perdere e di quella richiesta per far funzionare il laser.
Nel dispositivo di controllo convenzionale per laser impulsato a potenza elevata, se l'energia perduta aumenta la caratteristica di potenza aumenta rapidamente. Di conseguenza, le caratteristiche del dispositivo di controllo per laser come il tempo di salita e quello di discesa, la durata e la frequenza di ripetizione dell'impulso laser di uscita peggiorano rapidamente, mentre le dimensioni ed il peso del dispositivo di controllo aumentano rapidamente.
Per risolvere tali problemi presentati dal dispositivo di controllo convenzionale per laser, ? stato proposto un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata, descritto nella Domanda di Brevetto coreana No. 94-2144 depositata dal Richiedente.
Tale dispositivo di controllo per laser a semiconduttore utilizza come condensatore d'accumulo dell'energia una struttura a microstriscia a bassa impedenza non uniforme per ottenere un circuito di controllo per laser a semiconduttore molto efficiente. Inoltre, in condizione d?adattamento d?impedenza, il tempo di transito di un'onda che muove nelle due direzioni (twoway wave) nella struttura a microstriscia ad impedenza non uniforme diventa la durata degli impulsi d'uscita del laser a potenza elevata. Progettando opportunamente il condensatore d'accumulo dell'energia si ottengono perci? impulsi d'uscita del laser aventi una durata di soli pochi nanosecondi.
Tuttavia, per ragioni pratiche come sicurezza della vista, distanza utile, precisione e comunicazioni dati ad alta velocit? ? molto desiderabile generare impulsi laser con elevata potenza di picco e durata molto minore di alcuni nanosecondi. L'uso della struttura a microstriscia ad impedenza non uniforme come condensatore d'accumulo dell'energia costituisce un modo molto efficace per generare impulsi laser con elevata potenza di picco e durata di alcuni nanosecondi.
In una condizione operativa ideale, la durata minima di un impulso laser di uscita ottenuto da una struttura a microstriscia non uniforme ? circa eguale al tempo di transito di un'onda che muove nelle due direzioni in tale condensatore d'accumulo dell'energia. Perci?, se la lunghezza della microstriscia a impedenza non uniforme diviene corta, di conseguenza la durata degli impulsi di uscita del laser diviene breve. Gli impulsi luminosi d'uscita con durata di pochi nanosecondi vengono cos? ottenuti semplicemente riducendo la lunghezza fisica del condensatore d'accumulo dell'energia fino a che il tempo di transito dell'onda che muove nelle due direzioni in tale condensatore diviene di pochi nanosecondi.
Ma per la generazione degli impulsi laser di uscita con durata inferiore a pochi nanosecondi la cosa non ? cos? semplice. Semplicemente miniaturizzando la lunghezza fisica del condensatore d'accumulo dell?energia non si ottiene una durata d'impulso estremamente breve. Questo ? il limite. Una miniaturizzazione troppo spinta della microstriscia, che ? la condizione richiesta per la durata d'impulso estremamente breve (inferiore a pochi nanosecondi), pu? tradursi in una capacit? troppo piccola per immagazzinare l'energia elettrostatica necessaria nel condensatore d'accumulo dell'energia. Inoltre, induttanze parassite possono influire negativamente sulle caratteristiche degli impulsi d'uscita. Bisogna perci? ideare una nuova tecnica.
Sommario dell'invenzione
Costituisce perci? uno scopo dell'invenzione fornire un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata, comprendente un commutatore a semiconduttore a tre terminali attivato otticamente, atto a generare impulsi luminosi con elevata potenza di picco, durata estremamente breve e frequenza di ripetizione elevata.
Secondo la presente invenzione, tale scopo viene raggiunto mediante un dispositivo di controllo per laser semiconduttore comprendente mezzi di controllo per controllare un segnale di controllo d'ingresso, mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi per ricevere detto segnale di controllo controllato in detti mezzi di controllo e generare cosi un'energia elettrica, mezzi d'accumulo dell?energia per ricevere detta energia elettrica da detti mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi ed accumulare l'energia elettrica ricevuta, mezzi comprendenti una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo per generare una luce laser ottica a bassa potenza quando l'energia elettrica ? stata accumulata nei mezzi d'accumulo dell'energia, mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente per convertire l'energia accumulata capacitivamente in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata per convertire detto impulso di corrente elevata ricevuto da detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente in un impulso d'uscita ottico a potenza elevata, dove detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente comprendono un commutatore a tre terminali costituito da tre elementi a semiconduttore.
Elenco delle figure
Altri scopi ed aspetti dell'invenzione risulteranno evidenti dalla seguente descrizione di forme di realizzazione con riferimento alle figure allegate, dove:
- la figura 1 mostra uno schema a blocchi di un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore realizzato secondo il trovato;
- la figura 2a) mostra una vista dall'alto di un'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente realizzata secondo il trovato;
- le figure 2b) e 2c) mostrano sezioni trasversali fatte rispettivamente secondo le linee A-A e B-B di figura 2a);
- le figure 3a) e 3b) mostrano schematicamente una sorgente di luce di attivazione, rispettivamente mezzi di controllo realizzati secondo il trovato;
- la figura 4 mostra uno schema a blocchi comprendente un'unit? d'accumulo dell'energia, l'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente, un'impedenza di adattamento ed un sistema laser realizzati secondo il trovato;
- le figure da 5a) a 5c) mostrano forme d'onda che illustrano rispettivamente le sequenze grafiche del flusso d'energia del dispositivo di controllo per laser realizzato secondo il trovato. Descrizione dettagliata di una forma di realizzazione preferita. La figura 1 mostra uno schema a blocchi di un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato, compatto, ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata realizzato secondo il trovato. Come illustrato in figura 1, il dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato comprende un'unit? di controllo 100, un'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi, un'unit? d'accumulo dell'energia 300, un'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo, un'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 ed un sistema laser a potenza elevata 600.
L'unit? di controllo 100 controlla un segnale introdotto da uno stadio d'ingresso ed invia il segnale controllato all'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi. L'unit? di controllo 100 invia inoltre un segnale all'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo.
L'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi regola l'energia elettrica primaria prelevata dalla rete di alimentazione in corrente alternata oppure da batteria dal segnale inviato dall'unit? di controllo 100 ed invia parte dell'energia all'unit? d'accumulo dell'energia 300. L'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi invia inoltre parte dell'energia all'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo.
L'unit? d'accumulo dell'energia 300 comprende un condensatore a bassa impedenza avente una struttura a microstriscia non uniforme ed accumula l'energia ricevuta dall'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi.
L'unit? 400 (comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo) ? costituita da un laser a semiconduttore a potenza media o poco elevata con due spezzoni di fibra ottica. L'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo fornisce luce laser ottica d'uscita di bassa o media potenza in risposta al segnale di controllo inviato dall'unit? di controllo 100 quando ? completato l'accumulo dell'energia nell'unit? d'accumulo dell'energia 300.
L'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 ? un commutatore a tre terminali comprendente tre elementi a semiconduttore. L'unit? di commutazione 500 ? attivata dalla luce laser ricevuta dall'unit? 400 (comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo) per convertire l'energia elettrostatica accumulata capacitivamente nell'impulso di corrente elevata.
Il sistema laser a potenza elevata 600 emette l'impulso di corrente elevata convertita in un impulso ottico a potenza elevata nell'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500.
L'energia elettrica primaria, prelevata dalla rete di alimentazione in corrente alternata oppure da una batteria, viene regolata dal segnale inviato dall'unit? di controllo 100 e poi usata per caricare capacitivamente l'unit? d'accumulo dell'energia 300. Quando le luci ottiche provenienti dalla sorgente luce di attivazione, emesse dai due spezzoni di fibra ottica dell'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo, sono introdotte nell'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500, l'energia elettrostatica accumulata capacitivamente si trasforma nell'impulso di corrente elevata.
La durata dell'impulso della luce laser d'uscita ? determinata dall'intervallo di tempo ?t tra due impulsi consecutivi di luce ottica di attivazione. In particolare, la vantaggiosa combinazione del condensatore d'accumulo dell'energia a bassa impedenza e del commutatore a semiconduttore a tre terminali attivato da un laser a semiconduttore a potenza media o poco elevata si traduce in un dispositivo di controllo compatto per laser a semiconduttore impulsato capace di generare impulsi di luce con potenza di picco elevata, durata estremamente breve ed elevata frequenza di ripetizione.
Come mostrato nelle figura da 2a) a 2c), l'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 comprende un commutatore a tre terminali. Questo commutatore a tre terminali ? costituito da tre elementi a semiconduttore: un elemento a semiconduttore 1, un elemento a semiconduttore 2 ed un elemento a semiconduttore 3? Il primo commutatore, costituito dagli elementi a semiconduttore 1 e 2, ha una struttura n-i-p mostrata in figura 2b). Il secondo commutatore, costituito dagli elementi a semiconduttore 2 e 3. ha una struttura p-i-p mostrata in figura 2c).
La principale funzione di questi commutatori ? controllare mediante l'impulso di luce laser la durata del flusso di energia elettrica nel sistema laser a potenza elevata. Inizialmente (senza l'illuminazione di luce laser di attivazione) entrambi i commutatori costituiscono un circuito aperto (switch-off). Quando gli impulsi di luce laser di attivazione (avente un'adeguata lunghezza d'onda con sufficiente potenza ottica) sono introdotti nelle aree di commutazione attive, le condizioni di entrambi i commutatori vengono cambiate da elevata resistivit? (switch-off) a elevata conducibilit? (switch-on). Incidentalmente, le luci di attivazione sono introdotte nelle aree di commutazione attive poste tra due elementi a semiconduttore sia dal lato superiore sia da quello inferiore.
Tuttavia le funzioni di questi commutatori sono alquanto diverse. L'attivazione del primo commutatore da parte dell'impulso di luce laser avvia il flusso di energia elettrica dal condensatore d'accumulo dell'energia al sistema laser a potenza elevata. Ma l'attivazione del secondo commutatore da parte dell'impulso di luce ritardato nel tempo rispetta al primo impulso di luce crea un corto circuito tra gli estremi del sistema laser a potenza elevata, cosicch? che il flusso di energia nel sistema laser a potenza elevata ? costretto a finire.
Come mostrato nelle figure 3a) e 3b), l'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo ? costituita dal laser a semiconduttore a potenza media (o poco elevata) con due spezzoni di fibra ottica. L'impulso di luce proveniente dal laser a semiconduttore di attivazione ? trasferito nei due spezzoni di fibra ottica.
La differenza di lunghezza fisica c5L tra due spezzoni di fibra ottica, mostrata in figura 3a), determina l'intervallo di tempo ?t tra due impulsi luminosi consecutivi, come mostrato in figura 3b).
La formula matematica che regola la relazione tra la lunghezza L del cavo in fibra ottica ed il tempo di propagazione t dell'impulso di luce in tale cavo ? la seguente:
(1)
dove L ? la lunghezza in centimetri del cavo in fibra ottica e ?r ? la costante dielettrica del materiale del nucleo del cavo in fibra ottica. Di conseguenza l'intervallo di tempo ?t associato con la lunghezza aggiuntiva <5L del cavo in fibra ottica ? il seguente
(2)
Perci?, quando la differenza di lunghezza fisica ?L diminuisce, 1'intervallo di tempo ?t tra due impulsi luminosi consecutivi diviene breve, cosicch? si ottiene una durata molto breve degli impulsi laser a potenza elevata.
L'azione del dispositivo di controllo inizia fornendo l'istruzione operativa all'unit? di controllo 100 che avvia una sequenza di azioni. Per prima cosa viene attivata l'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi. La potenza primaria prelevata dalla rete di alimentazione in corrente alternata oppure da una batteria viene regolata ed usata per caricare ad impulsi il condensatore dell'unit? d'accumulo dell'energia 300- Nel momento in cui la tensione di polarizzazione impulsiva del condensatore raggiunge la tensione di picco V, l'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo ? attivata dal segnale di controllo emesso dall'unit? di controllo 100, come mostrato nelle figure 3a) e 3b).
L'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo genera un impulso ottico con tempo di salita veloce ed elevata frequenza di ripetizione. L'impulso ottico generato ? trasferito negli spezzoni di fibra ottica, trasmesso attraverso gli spezzoni di fibra ottica ed usato per attivare l'unit? di commutazione a semiconduttore 500.
Quando la luce ottica d'attivazione ? penetrata nell'area attiva dell'unit? di commutazione a semiconduttore 500, produce un numero di coppie fotone-lacuna sufficiente a far cambiare lo stato del commutatore da completamente aperto (non conduttore) a completamente chiuso (conduttore).
Quando il primo commutatore, costituito dagli elementi a semiconduttore 1 e 2 dell?unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 e mostrato in figura 2b), ? attivato dall'impulso di luce d'attivazione (trasmesso attraverso il cavo a fibra ottica di lunghezza L), l'energia elettrostatica accumulata nel condensatore incomincia a fluire nel sistema laser a potenza elevata. Non appena il primo commutatore ? attivato, il secondo commutatore, costituito dagli elementi a semiconduttore 2 e 3 dell'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 e mostrato in figura 2c), ? attivato dall'impulso di luce d'attivazione (trasmesso attraverso il cavo a fibra ottica di lunghezza L+ 6L) per creare un canale di cortocircuito tra gli estremi del sistema laser a potenza elevata. Quando ? stato realizzato il cortocircuito, il flusso di energia elettrica nel sistema laser a potenza elevata viene fatto finire bruscamente.
In caso di un notevole disadattamento d'impedenza, la durata dell'impulso di luce laser d?uscita diventa grande ed il tempo di discesa ? lento. Ci? ? principalmente dovuto alle riflessioni multiple dell'onda progressiva a causa del notevole disadattamento d'impedenza. D'altro canto, se l'impedenza ? ben adattata la durata dell'impulso di luce laser d'uscita ? circa eguale al tempo di transito dell'onda che muove nelle due direzioni nel condensatore d'accumulo dell'energia dell'unit? d'accumulo dell'energia 300-La figura 4 ? uno schema a blocchi che illustra l'unit? d'accumulo dell'energia, l'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente, l'impedenza di adattamento ed il sistema laser. D'altra parte, le figure da 5a) a 5c) mostrano forme d'onda che illustrano rispettivamente le sequenze grafiche del flusso d'energia del dispositivo di controllo per laser.
Per prima cosa, il condensatore d'accumulo dell'energia mostrato in figura 4 ? polarizzato ad impulsi alla tensione V mostrata in figura 5a) (a causa della tensione di polarizzazione impulsiva +V, il primo commutatore viene polarizzato inversamente). Il primo commutatore, illustrato in figura 2b), viene attivato illuminando 1'area di commutazione attiva con 1'impulso di luce d'attivazione trasmesso attraverso il cavo in fibra ottica di lunghezza L.
Quando il primo commutatore ? attivato, l'energia elettrostatica accumulata nel condensatore incomincia a fluire verso il sistema laser a potenza elevata, come mostrato in figura 5b). Il secondo commutatore, mostrato in figura 2c), viene attivato introducendo un impulso di luce d'attivazione trasmesso attraverso il cavo in fibra ottica di lunghezza L+ 6L. Non appena il secondo commutatore ? attivato, si crea un canale di cortocircuito tra i capi del sistema laser a potenza elevata, cosicch? il flusso dell'energia elettrica nel sistema laser a potenza elevata viene fatto cessare bruscamente, come mostrato in figura 5c).
Come risulta dalla precedente descrizione, la presente invenzione fornisce un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata che utilizza un commutatore a semiconduttore a tre terminali attivato otticamente atto a controllare la durata del flusso di energia nel sistema laser a potenza elevata. Progettando opportunamente l'intervallo di tempo ?t tra due spezzoni di fibra ottica, si possono produrre impulsi ottici con una durata d'impulso estremamente breve.
Secondo la presente invenzione il dispositivo di controllo ? atto a generare impulsi d'uscita laser a potenza elevata con tempo di salita e di discesa veloce e frequenza di ripetizione degli impulsi elevata generando impulsi ottici con tempo di salita veloce dal laser a semiconduttore a potenza media (o poco elevata), trasferendoli in due spezzoni di fibra ottica, usandoli come luci d?attivazione del commutatore e controllando il flusso dell'energia elettrica nel sistema laser a potenza elevata.
L'effetto geometrico della struttura a microstriscia non uniforme secondo la presente invenzione consente di progettare un condensatore d'accumulo d'energia compatto con impedenza molto bassa. Questo condensatore a bassa impedenza riduce notevolmente la perdita d'energia durante il trasferimento dell'energia dal condensatore al sistema laser. A differenza del dispositivo di controllo tradizionale per laser impulsato a potenza elevata, il dispositivo di controllo impulsato risultante, che ? molto efficiente, elimina la necessit? di un'alimentazione a potenza elevata e di ventilatori di raffreddamento. Il dispositivo di controllo per laser impulsato a durata d'impulso molto breve e potenza elevata che utilizza un condensatore a bassa impedenza diventa quindi molto efficiente, molto compatto e molto leggero. Bench? le forme di realizzazione preferite dell'invenzione siano state descritte a puro titolo d'esempio, un tecnico del ramo pu? rilevare che sono possibili varie modifiche, aggiunte e sostituzioni senza uscire dallo scopo e dallo spirito del trovato, quali risultano dalle rivendicazioni allegate.
Claims (2)
- RIVENDICAZIONI 1) Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore comprendente mezzi di controllo per controllare un segnale di controllo d'ingresso, mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi per ricevere detto segnale di controllo controllato in detti mezzi di controllo e generare cosi un'energia elettrica, mezzi d'accumulo dell'energia per ricevere detta energia elettrica da detti mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi ed accumulare l'energia elettrica ricevuta, mezzi comprendenti una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo per generare una luce laser ottica a bassa potenza quando l'energia elettrica ? stata accumulata nei mezzi d'accumulo dell'energia, mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente per convertire l'energia elettrica accumulata capacitivamente in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata per convertire detto impulso di corrente elevata ricevuto da detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente in un impulso ottico a potenza elevata da emettere, dove detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente comprendono un commutatore a tre terminali costituito da tre elementi a semiconduttore.
- 2) Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore come alla rivendicazione 1, dove detto commutatore a tre terminali comprende un primo commutatore costituito da due di detti tre elementi a semiconduttore per avere una struttura n-i-p ed un secondo commutatore, costituito da uno di detti due elementi a semiconduttore di detto primo commutatore e dal rimanente di detti tre elementi a semiconduttore per avere una struttura p-i-P-3) Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore come alla rivendicazione 1, dove entrambi detti commutatori servono a mantenere un circuito aperto in uno stato iniziale in cui non sono illuminati da luce laser di attivazione ed a commutare le loro condizioni da una condizione di elevata resistivit? ad una condizione di elevata conducibilit? quando impulsi di luce laser di attivazione sono introdotti nelle aree di commutazione attive dei commutatori.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002444A KR970003745B1 (ko) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 반도체 레이저 드라이버 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ITMI950189A0 ITMI950189A0 (it) | 1995-02-03 |
| ITMI950189A1 true ITMI950189A1 (it) | 1996-08-03 |
| IT1273496B IT1273496B (it) | 1997-07-08 |
Family
ID=19377062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ITMI950189A IT1273496B (it) | 1994-02-08 | 1995-02-03 | Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato, compatto,ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5418807A (it) |
| KR (1) | KR970003745B1 (it) |
| CN (1) | CN1128422A (it) |
| BR (1) | BR9500553A (it) |
| DE (1) | DE19504158A1 (it) |
| FR (1) | FR2716040A1 (it) |
| GB (2) | GB9501254D0 (it) |
| IT (1) | IT1273496B (it) |
| TW (1) | TW266339B (it) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19818561A1 (de) * | 1998-04-25 | 1999-11-04 | Jenoptik Jena Gmbh | Impulslasersteuerung |
| DE10041079A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lasermodul mit Ansteuerschaltung |
| US7545839B2 (en) * | 2003-01-02 | 2009-06-09 | Optiswitch Technology Corporation | Apparatus and method for driving a pulsed laser diode |
| US8373627B1 (en) | 2003-07-31 | 2013-02-12 | Wavefront Research, Inc. | Low power optical interconnect driver circuit |
| CN100423428C (zh) * | 2005-07-15 | 2008-10-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种用于短脉冲大电流激光器驱动的一体化电源 |
| DE102008028037A1 (de) * | 2008-06-12 | 2009-12-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Erzeugung gepulster Laserstrahlung mit einem Faserlaser |
| CN103928842B (zh) * | 2014-04-23 | 2016-06-08 | 福建一丁芯半导体股份有限公司 | 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路 |
| DE102017121713A1 (de) * | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte Lasertreiberschaltung zum Schalten eines Pulsstroms für eine Laserdiode |
| CN110703644A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-17 | 广东工业大学 | 数控设备专用ns级同步触发装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE364403B (it) * | 1972-07-03 | 1974-02-18 | Bofors Ab | |
| US5121401A (en) * | 1990-05-03 | 1992-06-09 | Motorola, Inc. | Pulsed modulators utilizing transmission lines |
-
1994
- 1994-02-08 KR KR1019940002444A patent/KR970003745B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-03-21 US US08/215,287 patent/US5418807A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-23 GB GBGB9501254.8A patent/GB9501254D0/en active Pending
- 1995-02-03 IT ITMI950189A patent/IT1273496B/it active IP Right Grant
- 1995-02-07 CN CN95101914A patent/CN1128422A/zh active Pending
- 1995-02-07 BR BR9500553A patent/BR9500553A/pt not_active Application Discontinuation
- 1995-02-08 GB GB9502427A patent/GB2286718A/en not_active Withdrawn
- 1995-02-08 DE DE19504158A patent/DE19504158A1/de not_active Withdrawn
- 1995-02-08 FR FR9501459A patent/FR2716040A1/fr active Pending
- 1995-04-07 TW TW084103319A patent/TW266339B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1273496B (it) | 1997-07-08 |
| KR950026068A (ko) | 1995-09-18 |
| GB9502427D0 (en) | 1995-03-29 |
| FR2716040A1 (fr) | 1995-08-11 |
| GB2286718A (en) | 1995-08-23 |
| US5418807A (en) | 1995-05-23 |
| TW266339B (it) | 1995-12-21 |
| CN1128422A (zh) | 1996-08-07 |
| BR9500553A (pt) | 1995-10-17 |
| DE19504158A1 (de) | 1995-08-24 |
| KR970003745B1 (ko) | 1997-03-21 |
| ITMI950189A0 (it) | 1995-02-03 |
| GB9501254D0 (en) | 1995-03-15 |
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| 0001 | Granted |