FR2797347A1 - Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation - Google Patents
Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation Download PDFInfo
- Publication number
- FR2797347A1 FR2797347A1 FR9910121A FR9910121A FR2797347A1 FR 2797347 A1 FR2797347 A1 FR 2797347A1 FR 9910121 A FR9910121 A FR 9910121A FR 9910121 A FR9910121 A FR 9910121A FR 2797347 A1 FR2797347 A1 FR 2797347A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- thin layer
- source substrate
- cleavage
- zone
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 15
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 4
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Procédé de transfert d'une couche mince (18) d'un substrat source (10) vers un support cible (30) comportant les étapes suivantes : a) une implantation d'ions ou d'espèces gazeuses dans le substrat source de façon à y former une zone (16), dite de clivage, qui délimite ladite couche mince (18) dans le substrat source,b) le report du substrat source sur le support cible et la solidarisation de la couche mince avec le support cible,c) la séparation de la couche mince (18) d'avec le substrat source (10) selon la zone de clivage,conformément à l'invention le procédé comporte préalablement à l'étape b) : - une surfragilisation de la zone de clivage (16) provoquée par un traitement thermique et/ ou par l'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source.
Description
PROCEDE <B>DE</B> TRANSFERT <B>D'UNE COUCHE MINCE</B> COMPORTANT <B>UNE</B> ETAPE <B>DE</B> SURFRAGILISATION <U>Domaine technique</U> La présente invention concerne un procédé de transfert d'une couche mince d'un substrat, dit substrat source, vers un support appelé support cible.
L'invention trouve des applications en particulier dans les domaines de la micro-électronique, de la micro-mécanique, de l'optique intégrée et de l'électronique intégrée.
Elle permet, par exemple de réaliser des structures dans lesquelles la couche mince, qui est en un matériau sélectionné pour ses propriétés physiques, est reportée sur un support afin de former un empilement à plusieurs couches. Ainsi, on peut combiner les avantages des matériaux de la couche mince et du support. Le report d'une couche permet notamment d'associer dans une même structure des parties qui présentent a priori des incompatibilités telles qu'une différence importante de coefficients de dilatation thermique.
Etat <U>de la technique antérieure</U> Le texte qui suit se réfère à un certain nombre de documents dont les références complètes sont précisées à la fin de la description.
Parmi les procédés généralement mis en oeuvre pour la formation de couches minces, on peut citer en particulier un procédé de clivage, bien connu sous la dénomination "Smart-cut", et illustré par le document (1). Le procédé "Smart-cut" est basé essentiellement sur l'implantation d'hydrogène ou d'un autre gaz sous forme neutre ou ionique dans un substrat de façon à y former une zone de clivage fragilisée.
Dans le cas d'un substrat plan, la zone de clivage s'étend, de façon sensiblement parallèle à sa surface et est située dans le substrat à une profondeur fixée par l'énergie d'implantation. La zone de clivage délimite ainsi dans le substrat une couche superficielle mince qui s'étend en épaisseur depuis la zone de clivage jusqu'à la surface du substrat.
Une deuxième étape comprend la mise en adhérence du substrat source avec un support cible de telle façon que la couche mince soit solidaire du support cible. La fixation de la couche mince sur le support cible peut avoir lieu au moyen d'une colle et/ou par l'intermédiaire d'une couche de liaison. Elle peut avoir lieu également par adhérence moléculaire directe entre la surface du substrat et la surface du support cible.
Dans ce dernier cas, il est cependant nécessaire que les faces que l'on souhaite faire adhérer présentent certaines propriétées comme une bonne planéité et une faible rugosité.
Une dernière étape du procédé consiste à fracturer le substrat selon la zone de clivage pour en séparer la couche mince. Celle-ci reste alors solidaire du support cible.
Dans le cas du procédé décrit par le document (1), la fracture (ou clivage) du substrat est provoquée par apport d'énergie sous forme d'un traitement thermique.
Les conditions d'implantation définissent la zone de clivage et conditionnent la séparation de la couche mince d'avec le substrat.
Or, on a observé qu'une trop grande fragilisation de la zone de clivage après l'implantation, bien que favorable pour la séparation, provoque des déformations de la surface de la couche mince. Les déformations se présentent sous la forme de cloques et constituent un obstacle pour la fixation de la couche mince sur le support cible.
Cette trop grande fragilisation, peut être liée à une implantation ionique à forte dose ou à une implantation ionique à plus faible dose associée à un recuit. La trop grande fragilisation peut donc induire l'apparition de cloques en surface d'autant plus facilement que la zone fragilisée est proche de la surface.
Dans certaines applications on souhaite obtenir des films minces autoportés, c'est-à-dire qui peuvent être séparée du substrat source sans être préalablement fixés sur un support.
Ces films minces peuvent alors être reportés ultérieurement sur différents supports cibles et, en particulier, sur des supports avec lesquels le substrat source ne peut pas être mis en adhérence avant la séparation de la couche mince, par exemple, pour des raisons de compatibilité des coefficients de dilatation thermique. On peut à ce sujet se reporter au document (2) qui propose un procédé dérivé de celui du document (1).
Le document (2) propose un procédé permettant d'obtenir la séparation de son substrat d'origine, d'un film mince qui est autoporté. Pour cela, il faut que les espèces gazeuses implantées se trouvent à une profondeur suffisante et/ou que l'on dépose, après l'étape d'implantation, une couche d'un matériau permettant de rigidifier la structure pour obtenir la séparation au niveau de la zone implantée sans avoir de cloques.
L'illustration de la technique de formation d'une couche mince par clivage d'un substrat, peut être complétée par le document (3) qui suggère de compléter le traitement thermique de fracture (clivage) du substrat par l'exercice de forces mécaniques de flexion, de traction et/ou de cisaillement.
Le document (4) qui décrit également un procédé basé sur le principe établi par le document (1), montre que le budget thermique mis en oeuvre pour provoquer la fracture du substrat source dépend des budgets thermiques de tous les traitements thermiques imposés au substrat source depuis l'implantation jusqu'à la fracture.
On entend par budget thermique le couple durée de traitement thermique/température de traitement thermique.
Dans un certain nombre d'applications il est nécessaire d'assembler une couche mince d'un substrat source avec un support cible qui présente un coefficient de dilatation thermique différent de celui du substrat source.
Dans ces applications, il est généralement délicat de soumettre la structure obtenue après assemblage du substrat source et du support cible, à un traitement thermique avec un budget thermique suffisant pour garantir la séparation de la couche mince d'avec le substrat source.
Une solution à ce problème consiste alors à modifier les conditions d'implantation en effectuant un surdosage des espèces implantées. Un tel surdosage permet en effet de réduire le budget thermique de la fracture de séparation (clivage).
A titre d'exemple, lorsque le substrat source est une plaque de silicium, une dose d'ions d'hydrogène implantés, de 1.101'/cm2 au lieu de 6.1016/cm2, permet pour une durée de traitement thermique de quelques heures d'en abaisser la température de 400 C à 280 C.
La solution consistant à surdoser l'implantation n'est cependant pas toujours satisfaisante en raison de la différence de coefficient de dilatation thermique pouvant exister entre le substrat et le support. En effet, le budget thermique nécessaire à la séparation peut être tel qu'il provoque le déclollement du substrat et du support et/ou la cassure du substrat et/ou du support dans leur volume.
Une solution alternative pour éviter un décollement entre la couche mince et le support cible sous l'effet d'une dilatation différentielle, consiste à amincir le substrat source avant l'étape de fracture (clivage). Cette solution, suggérée par le document (5), présente toutefois l'inconvénient d'une opération supplémentaire d'amincissement et celui d'une consommation de matière importante.
La mise en oeuvre de forces mécaniques pour séparer le substrat source de la couche mince, telle qu'évoquée ci-dessus en référence au document (3), permet également de réduire le budget thermique de fracture, notamment dans le cas où les matériaux en contact présentent des coefficients de dilatation différents. L'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source et/ou le support cible n'est toutefois pas toujours possible, notamment lorsque les matériaux mis en oeuvre sont fragiles, ou lorsque la zone de clivage n'est pas assez fragilisée par l'implantation ionique.
Finalement, les techniques de séparation et de transfert de couche mince, décrites ci-dessus, impliquent un certain nombre de contraintes et de compromis. Ces contraintes sont imposées en particulier par le type de matériaux utilisés pour constituer le substrat source, la couche mince et le support cible. <U>Exposé de l'invention</U> La présente invention a pour but de proposer un procédé de transfert d'une couche mince, ne présentant pas les difficultés et limitations des procédés indiquées ci-dessus.
Un but est en particulier de proposer un tel procédé qui mette en oeuvre un budget thermique réduit voir nul pour obtenir une fracture de séparation de la couche mince.
Un autre but est de proposer un procédé adapté au transfert d'une couche mince sur un support cible, dans lequel les matériaux de la couche mince et du support cible présentent des coefficients de dilatation thermique différents.
Encore un autre but est de proposer un procédé de transfert dans lequel un excellent état de surface du substrat source (sans cloques) peut être préservé de façon à autoriser une bonne adhérence avec le support cible, avec ou sans apport de liant (colle), et en permettant d'avoir une zone de clivage très fragilisée.
Enfin, un but de l'invention est de proposer un procédé de transfert permettant d'obtenir, après transfert, une couche mince sur le support cible, qui présente une surface libre avec une faible rugosité.
Pour atteindre ces buts, l'invention a plus précisément pour objet un procédé de transfert d'une couche mince d'un substrat source vers un support cible comportant, dans l'ordre, les étapes suivantes a) une implantation d'ions ou d'espèces gazeuses dans le substrat source de façon à y former une zone, dite de clivage, qui délimite ladite couche mince dans le substrat source, b) le report du substrat source sur le support cible et la solidarisation de la couche mince avec le support cible, c) la séparation de la couche mince d'avec le substrat source selon la zone de clivage. Conformément à l'invention, le procédé comporte préalablement à l'étape b), - une formation d'une épaisseur de film de matériau entre la zone de clivage et la surface du substrat telle que cette épaisseur soit supérieure, égale ou voisine d'une épaisseur limite pour laquelle le film est autoporté, et - une surfragilisation de la zone de clivage provoquée par un traitement thermique et/ou par l'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source.
Selon un premier mode de réalisation de l'invention, l'étape de formation d'une épaisseur de film consiste à réaliser l'étape a) d'implantation de façon â obtenir la zone de clivage à ladite épaisseur, le film étant alors constitué par la couche mince.
Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, l'étape de formation d'une épaisseur de film consiste à réaliser une étape de formation d'une couche dite d'épaississeur sur la couche mince, la couche mince et la couche d'épaisseur formant alors le film.
L'épaisseur limite du film est l'épaisseur permettant de rigidifier la structure pour obtenir la séparation du film au niveau de la zone de clivage sans apparition en surface de cloques. C'est cette épaisseur limite qui permet d'obtenir des films autoportés. Cette épaisseur dépend en particulier des propriétés mécaniques des matériaux, mais aussi des conditions de séparation de l'étape c) telle que par exemple la montée en température du traitement thermique. Selon un mode avantageux, l'invention comporte également la réalisation, avant l'étape b), de tout ou partie de composants micro-électriques et/ou micro mécaniques et/ou optoélectroniques.
La séparation de la couche mince d'avec le substrat source, opérée à l'étape c), peut avoir lieu sous l'effet d'un traitement thermique, sous l'effet d'efforts mécaniques ou sous l'effet de ces actions combinées.
Or, grâce â l'étape de surfragilisation, le budget thermique et/ou les efforts mécaniques mis en oeuvre lors de l'étape c) pour la fracture de séparation peuvent être particulièrement réduits. Ceci a pour avantage de ne pas provoquer de rupture d'adhérence entre le film mince et le support cible, même en cas d'une différence des coefficients de dilatation thermique des matériaux mis en contact.
Un autre avantage de l'invention est de supprimer ou réduire les efforts mécaniques exercés sur les parties en contact et éviter ainsi de les détériorer. On facilite ainsi la séparation.
I1 convient de noter que l'étape de surfragilisation n'induit pas de contraintes de dilatation différentielle dans la mesure où cette étape est effectuée avant le report du substrat source sur le support cible (étape b).
Selon un aspect avantageux, la surfragilisation comporte un traitement thermique mis en oeuvre avec un budget thermique supérieur ou égal à 50%, et de préférence supérieur à 60%, d'un budget thermique global permettant la séparation. Le budget thermique global considéré ici prend en compte non seulement les traitements thermiques opérés dans le strict cadre du procédé de l'invention, mais comprend également d'éventuels traitements thermiques mis en oeuvre, par exemple, pour la réalisation de composants ou pour le dépôt de matériaux sur la couche mince entre les étapes a) et b).
Comme évoqué précédemment, les étapes c) et l'étape de surfragilisation peuvent comporter un exercice d'efforts mécaniques.
Ces efforts mécaniques comprennent, par exemple, l'application de forces sous la forme d'une pression mécanique et/ou d'une tension mécanique et/ou des forces sous la forme d'une pression de gaz.
Le traitement thermique de séparation peut aussi être choisi suffisant pour provoquer lors de l'étape c) une séparation de la couche mince, par simple écartement du substrat source et du support cible.
L'étape d'implantation a) permet de former dans le substrat source des cavités situées dans la zone de clivage.
Les cavités (ou micro-cavités ou platelets ou microbulles) peuvent se présenter sous différentes formes. Elles peuvent être sphériques et/ou aplaties avec une épaisseur de seulement quelques distances inter-atomiques. Par ailleurs, les cavités peuvent contenir une phase gazeuse libre et/ou des atomes de gaz issus des ions implantés, fixés sur les atomes du matériau formant les parois des cavités. Les traitements thermiques subis par le support source, et en particulier un traitement thermique de surfragilisation du procédé, conduisent à la coalescence de tout ou partie des cavités. La coalescence provoque ainsi la surfragilisation du substrat dans la zone de clivage.
Ce phénomène permet en outre d'obtenir, après le report et la fracture de séparation, une surface libre de la couche mince avec une faible rugosité.
La couche d'épaississeur, par exemple en Si, Si02, Si3N4 ou encore SiC, recouvre la couche mince en tout ou partie. L'épaisseur de la couche d'épaississeur pour obtenir une épaisseur de film est choisie par exemple dans une gamme allant de 3 à 10 Dun pour un épaississeur Si02.
Il convient de préciser qu'une couche utilisée comme couche d'épaississeur peut être une couche qui sert également en tout ou partie à la réalisation de composants électroniques, optoélectroniques, ou mécaniques à la surface de la couche mince.
L'invention concerne également un procédé de transfert d'une couche mince d'un substrat source comportant les étapes suivantes a) une implantation d'ions ou d'espèces gazeuses dans le substrat source de façon à y former une zone, dite de clivage, qui délimite ladite couche mince dans le substrat source, b) la séparation de la couche mince d'avec le substrat source selon la zone de clivage, conformément à l'invention, le procédé comporte en outre, préalablement à l'étape b) - une formation d'une épaisseur de film de matériau entre la zone de clivage et la surface du substrat telle que cette épaisseur soit supérieure, égale ou voisine d'une épaisseur limite pour que le film soit autoporté, et - une surfragilisation de la zone de clivage provoquée par un traitement thermique et/ou par l'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif.
<U>Brève description des figures</U> - La figure 1 est une coupe schématique d'un substrat source et illustre une opération d'implantation d'ions.
- La figure 2 est une coupe schématique du substrat source de la figure 1 et illustre la formation d'une couche d'épaisseur.
- La figure 3 est une coupe schématique du substrat source de la figure 2 et illustre une étape de fragilisation.
- La figure 4 est une coupe schématique d'une structure formée du substrat source de la figure 3, reporté sur un support cible.
- La figure 5 est une coupe schématique de la structure de la figure 4 après fracture de séparation du substrat source. <U>Description détaillée d'un mode de mise en oeuvre de</U> <U>l'invention</U> La description qui suit se rapporte à un transfert d'une couche mince de silicium sur un support cible de silice fondue (appelée abusivement quartz).
L'invention peut cependant être mise en oeuvre pour d'autres matériaux solides, qu'ils soient cristallins - ou non. Ces matériaux peuvent être diélectriques, conducteurs, semi-isolants ou semi conducteurs.
De même, le support cible peut être un support final ou intermédiaire, tel qu'une poignée, un substrat massif ou un substrat multicouche.
Le procédé peut en particulier être mis à profit pour le report de couches de LiNb03 ou de semi conducteurs III-V tel que AsGa, InP sur du silicium ou du SiC.
La figure 1 montre un substrat initial 10 en silicium. Celui-ci subit une implantation d'ions hydrogène indiquée avec des flèches 12. Cette implantation correspond à l'étape al) du procédé.
L'implantation, effectuée par exemple avec une dose de 6.1016/cm2 et une énergie de 70 keV, permet de former des microcavités 14 dans le substrat 10 à une profondeur de l'ordre de 7000 Cette profondeur correspond également à l'épaisseur d'une couche mince 18. Celle-ci est délimitée à la surface du substrat par une zone 16, dite de clivage, comprenant les microcavités 14. Antérieurement ou de préférence postérieurement à cette implantation, la couche mince superficielle 18 peut être soumise à d'autres traitements, connus en soi, pour la formation dans cette couche de composants électroniques, optiques, ou mécaniques. Ces composants ne sont pas représentés sur la figure pour des raisons de clarté.
De même, pour une meilleure lisibilité des figures, les différentes couches ou caractéristiques représentées, ne le sont pas selon une échelle uniforme. En particulier, les couches très minces sont représentées avec une épaisseur exagérée.
La figure 2 qui correspond à l'étape d'utilisation d'un épaisseur du procédé, montre le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium 20 d'une épaisseur de l'ordre de, ou supérieure à 5 um, sur la couche mince 18. La couche d'oxyde de silicium est par exemple déposée par un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma à une température de 300 C.
La couche d'oxyde de silicium 20 a un rôle d'épaississeur de la couche mince 18. En d'autres termes, elle a pour fonction de prévenir une déformation de la couche mince sous l'effet de traitements thermiques ultérieurs.
La figure 3 correspond à l'étape de surfragilisation du procédé. Lors de cette étape, le substrat subit des traitements visant à fragiliser davantage encore la zone de clivage 16.
Dans l'exemple illustré, on procède à un traitement thermique effectué à une température de l'ordre de 450 C pendant une durée de l'ordre de 12 minutes.
Ce budget thermique est de préférence supérieur à 60% du budget thermique nécessaire pour obtenir une séparation uniquement par recuit. Une telle surfragilisation est possible avec une épaisseur suffisante de film.
On observe que le traitement thermique provoque une coalescence partielle des microcavités 14 de la zone de clivage 16.
Lors de cette opération, la couche de d'épaisseur 20 qui recouvre la couche mince 18, prévient sa déformation et en particulier prévient la formation de cloques.
En l'absence de cette couche, des cloques seraient susceptibles d'apparaître avec un traitement thermique à 450 C après une durée de l'ordre de 2 minutes ce qui correspond uniquement à un traitement thermique de 10% du traitement thermique nécessaire à la séparation.
Le traitement thermique peut être suivi par une étape de polissage de la face libre de la couche d'épaississeur 20 juste pour améliorer la rugosité de surface de façon à la préparer pour un collage moléculaire.
La figure 4 montre le report du substrat source 10 sur un support cible 30 qui, en l'occurrence, est une plaque de quartz.
Le report est effectué de façon à mettre en contact une face plane du support cible avec la face plane libre de la couche d'épaississeur 20. Des forces d'adhérence moléculaire s'exerçant au niveau des faces mises en contact assurent la solidarisation (fixation) entre le substrat source et le support cible.
Lorsqu'une telle adhérence moléculaire n'est pas possible pour des raisons de nature des matériaux ou de qualité des surfaces, le report peut avoir lieu par l'intermédiaire d'un liant ou d'une colle.
Les forces d'adhérence moléculaire peuvent être renforcées par exemple par un traitement thermique et/ou par des préparations de surface. Dans l'exemple illustré, et en raison des fortes différences de coefficients de dilatation thermique entre le silicium et le quartz, le traitement thermique est effectué à une température relativement basse, de l'ordre de 200 C pendant une durée de 20 heures.
Ce traitement thermique peut contribuer à induire des contractes telles que la fracture du substrat peut être obtenue selon cette zone.
La figure 5 illustre l'étape c) du procédé qui correspond à une fracture du substrat source. La fracture a lieu selon la zone de clivage et sépare la couche mince 18 de la partie restante du substrat 10. Cette dernière partie peut alors être réutilisée par exemple pour un nouveau transfert de couche mince.
La couche mince 18 reste solidaire du support 30 par l'intermédiaire de la couche d'épaississeur 20. Dans un autre exemple, non représenté, où l'épaisseur de la couche mince est assez importante pour éviter des déformations, la couche d'épaississeur peut être omise. La couche mince est alors directement en contact avec le support cible.
A titre d'exemple, on peut citer l'utilisation d'un substrat en SiC, qui est implanté à environ 200 KeV de façon à obtenir un film sans épaississeur, d'environ 1,5 um. Dans cet exemple, la surfragilisation peut être obtenue sans épaississeur.
La fracture du substrat source peut être provoquée par l'exercice d'une force mécanique et/ou par un traitement thermique.
Dans l'exemple illustré, une lame de rasoir (non représentée) peut être insérée à la main au niveau de la zone fragilisée.
L'invention s'applique particulièrement bien à la réalisation d'une couche mince de silicium sur de la silice fendue dont l'intérêt principal est d'avoir un support transparent avec une couche de semi-conducteur pouvant comporter des composants.
DOCUMENTS <B><U>CITES</U></B> (1) FR-A-2 681 472 (US-A-5 374 564) (2) FR-A2 738 671 (US-A-5 714 395) (3) FR-A-2 748 851 <B>(4)</B> FR-A-2 767 416 (5) FR-A-2 755 537
Claims (9)
1. Procédé de transfert d'une couche mince (18) d'un substrat source (10) vers un support cible (30) comportant les étapes suivantes a) une implantation d'ions ou d'espèces gazeuses dans le substrat source de façon à y former une zone (16), dite de clivage, qui délimite ladite couche mince (18) dans le substrat source, b) le report du substrat source sur le support cible et la solidarisation de la couche mince avec le support cible, c) la séparation de la couche mince (18) d'avec le substrat source (10) selon la zone de clivage, caractérisé en ce qu'il comporte préalablement à l'étape b) . - la formation d'une épaisseur de film de matériau entre la zone de clivage et la surface du substrat telle que cette épaisseur soit supérieure, égale ou voisine d'une épaisseur limite pour que le film soit autoporté, et - une surfragilisation de la zone de clivage (16) provoquée par un traitement thermique et/ou par l'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la séparation de la couche mince (18) d'avec le substrat source (10) est provoquée par un traitement thermique et/ou par l'exercice de forces mécaniques.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la surfragilisation comporte un traitement thermique mis en oeuvre avec un budget thermique permettant la séparation.
4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le traitement thermique de séparation est choisi suffisant pour provoquer, lors de l'étape c), une séparation de la couche mince (18), par simple écartement du substrat source et du support cible.
5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape c) et l'étape de surfragilisation comportent l'exercice de forces sous la forme d'une pression mécanique et/ou une tension mécanique et/ou des forces sous la forme d'une pression de gaz.
6. Procédé de transfert d'une couche mince (18) d'un substrat source (10) comportant les étapes suivantes a) une implantation d'ions ou d'espèces gazeuses dans le substrat source de façon à y former une zone (16), dite de clivage, qui délimite ladite couche mince (18) dans le substrat source, b) la séparation de la couche mince (18) d'avec le substrat source (10) selon la zone de clivage, caractérisé en ce qu'il comporte préalablement à l'étape b) . - une formation d'une épaisseur de film de matériau entre la zone de clivage et la surface du substrat telle que cette épaisseur soit supérieure, égale ou voisine d'une épaisseur limite pour que le film soit autoporté, et - une surfragilisation de la zone de clivage (16) provoquée par un traitement thermique et/ou par l'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source.
7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une épaisseur de film consiste à réaliser l'étape a) d'implantation de façon à obtenir la zone de clivage à ladite épaisseur, le film étant alors constitué par la couche mince.
8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de formation d'une épaisseur de film comprend la réalisation d'une couche dite d'épaississeur (20) sur la couche mince, la couche mince et la couche d'épaississeur formant alors le film.
9. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la réalisation, avant l'étape b), de tout ou partie de composants micro-électroniques et/ou micro mécaniques et/ou optoélectroniques.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9910121A FR2797347B1 (fr) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation |
| JP2001516228A JP2003506892A (ja) | 1999-08-04 | 2000-08-03 | 過度の脆弱化ステップを有した薄層の移送方法 |
| KR1020027001366A KR100742240B1 (ko) | 1999-08-04 | 2000-08-03 | 과깨짐 형성 단계를 포함하는 박막의 전달 방법 |
| PCT/FR2000/002239 WO2001011667A1 (fr) | 1999-08-04 | 2000-08-03 | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragilisation |
| EP00956612A EP1203403A1 (fr) | 1999-08-04 | 2000-08-03 | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragilisation |
| MYPI20003580A MY137329A (en) | 1999-08-04 | 2000-08-04 | Process of transferring a thin layer including an over-weakening phase |
| TW089115613A TW457565B (en) | 1999-08-04 | 2000-09-05 | Method for transferring a thin layer comprising a step of excess fragilization |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9910121A FR2797347B1 (fr) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2797347A1 true FR2797347A1 (fr) | 2001-02-09 |
| FR2797347B1 FR2797347B1 (fr) | 2001-11-23 |
Family
ID=9548879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9910121A Expired - Fee Related FR2797347B1 (fr) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1203403A1 (fr) |
| JP (1) | JP2003506892A (fr) |
| KR (1) | KR100742240B1 (fr) |
| FR (1) | FR2797347B1 (fr) |
| MY (1) | MY137329A (fr) |
| TW (1) | TW457565B (fr) |
| WO (1) | WO2001011667A1 (fr) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032384A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants |
| WO2003096426A1 (fr) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Nec Corporation | Procedes de fabrication d'un substrat et d'un dispositif a semi-conducteurs, substrat et dispositif a semi-conducteurs produits a l'aide de ces procedes |
| FR2845517A1 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur |
| FR2845518A1 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur |
| FR2857953A1 (fr) * | 2003-07-21 | 2005-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
| US7176108B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-02-13 | Soitec Silicon On Insulator | Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation |
| US7229899B2 (en) | 1997-12-30 | 2007-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for the transfer of a thin film |
| US7439092B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-10-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Thin film splitting method |
| US7670930B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-03-02 | Commissariat A L 'energie Atomique | Method of detaching a thin film by melting precipitates |
| US7772087B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation |
| EP2293326A2 (fr) | 2004-06-10 | 2011-03-09 | S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. | Procédé pour la fabrication d'une tranche SOI |
| US8252663B2 (en) | 2009-06-18 | 2012-08-28 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method of transferring a thin layer onto a target substrate having a coefficient of thermal expansion different from that of the thin layer |
| US8389379B2 (en) | 2002-12-09 | 2013-03-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for making a stressed structure designed to be dissociated |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| FR2846788B1 (fr) * | 2002-10-30 | 2005-06-17 | Procede de fabrication de substrats demontables | |
| FR2847075B1 (fr) * | 2002-11-07 | 2005-02-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'une zone fragile dans un substrat par co-implantation |
| FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
| FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
| JP4879737B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2012-02-22 | ソワテク | 半導体層の分離方法 |
| FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
| FR2891281B1 (fr) | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
| JP5284576B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2013-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
| KR101440930B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Ｓｏｉ 기판의 제작방법 |
| WO2008132895A1 (fr) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Procédé de fabrication d'un substrat soi et dispositif semi-conducteur |
| JP5367330B2 (ja) | 2007-09-14 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP5464843B2 (ja) | 2007-12-03 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
| JP5339785B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2013-11-13 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US8524572B2 (en) * | 2011-10-06 | 2013-09-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing units comprising crystalline materials, and methods of forming semiconductor-on-insulator constructions |
| US9281233B2 (en) * | 2012-12-28 | 2016-03-08 | Sunedison Semiconductor Limited | Method for low temperature layer transfer in the preparation of multilayer semiconductor devices |
| FR3055063B1 (fr) * | 2016-08-11 | 2018-08-31 | Soitec | Procede de transfert d'une couche utile |
| FR3108787B1 (fr) * | 2020-03-31 | 2022-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Procédé basse température de transfert et de guérison d’une couche semi-conductrice |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0763849A1 (fr) * | 1995-09-13 | 1997-03-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de fabrication de films minces à matériau semi-conducteur |
| EP0807970A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une couche mince de matériau semiconducteur |
| US5877070A (en) * | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
| US5909627A (en) * | 1998-05-18 | 1999-06-01 | Philips Electronics North America Corporation | Process for production of thin layers of semiconductor material |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0995227A4 (fr) * | 1997-05-12 | 2000-07-05 | Silicon Genesis Corp | Procede de clivage controle |
-
1999
- 1999-08-04 FR FR9910121A patent/FR2797347B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-08-03 KR KR1020027001366A patent/KR100742240B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-08-03 WO PCT/FR2000/002239 patent/WO2001011667A1/fr active Search and Examination
- 2000-08-03 EP EP00956612A patent/EP1203403A1/fr not_active Withdrawn
- 2000-08-03 JP JP2001516228A patent/JP2003506892A/ja active Pending
- 2000-08-04 MY MYPI20003580A patent/MY137329A/en unknown
- 2000-09-05 TW TW089115613A patent/TW457565B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0763849A1 (fr) * | 1995-09-13 | 1997-03-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de fabrication de films minces à matériau semi-conducteur |
| EP0807970A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une couche mince de matériau semiconducteur |
| US5877070A (en) * | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
| US5909627A (en) * | 1998-05-18 | 1999-06-01 | Philips Electronics North America Corporation | Process for production of thin layers of semiconductor material |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EN W G ET AL: "THE GENESIS PROCESSTM: A NEW SOI WAFER FABRICATION METHOD", ANNUAL IEEE INTERNATIONAL SILICON-ON-INSULATOR CONFERENCE,US,NEW YORK, NY: IEEE, vol. CONF. 24, 1998, pages 163 - 164, XP000830696, ISBN: 0-7803-4501-0 * |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8609514B2 (en) | 1997-12-10 | 2013-12-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for the transfer of a thin film comprising an inclusion creation step |
| US7229899B2 (en) | 1997-12-30 | 2007-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for the transfer of a thin film |
| US7883994B2 (en) | 1997-12-30 | 2011-02-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for the transfer of a thin film |
| FR2830983A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants |
| US7615463B2 (en) | 2001-10-11 | 2009-11-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for making thin layers containing microcomponents |
| CN100440477C (zh) * | 2001-10-11 | 2008-12-03 | 原子能委员会 | 用于制造含微型元件的薄层的方法 |
| WO2003032384A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants |
| WO2003096426A1 (fr) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Nec Corporation | Procedes de fabrication d'un substrat et d'un dispositif a semi-conducteurs, substrat et dispositif a semi-conducteurs produits a l'aide de ces procedes |
| EP1513198A4 (fr) * | 2002-05-08 | 2010-02-24 | Nec Corp | Procedes de fabrication d'un substrat et d'un dispositif a semi-conducteurs, substrat et dispositif a semi-conducteurs produits a l'aide de ces procedes |
| EP1513198A1 (fr) * | 2002-05-08 | 2005-03-09 | NEC Corporation | Procedes de fabrication d'un substrat et d'un dispositif a semi-conducteurs, substrat et dispositif a semi-conducteurs produits a l'aide de ces procedes |
| US7238598B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-07-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Formation of a semiconductor substrate that may be dismantled and obtaining a semiconductor element |
| FR2845517A1 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur |
| WO2004032183A3 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-07-29 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur. |
| WO2004032183A2 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Commissariat A L'energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur. |
| FR2845518A1 (fr) * | 2002-10-07 | 2004-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur |
| US7176108B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-02-13 | Soitec Silicon On Insulator | Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation |
| US8389379B2 (en) | 2002-12-09 | 2013-03-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for making a stressed structure designed to be dissociated |
| US8193069B2 (en) | 2003-07-21 | 2012-06-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Stacked structure and production method thereof |
| WO2005019094A1 (fr) * | 2003-07-21 | 2005-03-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure empilée, et procédé pour la fabriquer |
| FR2857953A1 (fr) * | 2003-07-21 | 2005-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
| US7772087B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation |
| EP2293326A2 (fr) | 2004-06-10 | 2011-03-09 | S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. | Procédé pour la fabrication d'une tranche SOI |
| US7439092B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-10-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Thin film splitting method |
| US7670930B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-03-02 | Commissariat A L 'energie Atomique | Method of detaching a thin film by melting precipitates |
| US8252663B2 (en) | 2009-06-18 | 2012-08-28 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method of transferring a thin layer onto a target substrate having a coefficient of thermal expansion different from that of the thin layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY137329A (en) | 2009-01-30 |
| WO2001011667A1 (fr) | 2001-02-15 |
| EP1203403A1 (fr) | 2002-05-08 |
| FR2797347B1 (fr) | 2001-11-23 |
| TW457565B (en) | 2001-10-01 |
| KR20020085868A (ko) | 2002-11-16 |
| KR100742240B1 (ko) | 2007-07-24 |
| JP2003506892A (ja) | 2003-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2797347A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation | |
| EP0950257B1 (fr) | Procede de fabrication d'un film mince sur un support | |
| EP1299905B1 (fr) | Procede de decoupage d'un bloc de materiau et de formation d'un film mince | |
| EP1155442B1 (fr) | Procede de realisation d'une structure multicouche a contraintes internes controlees | |
| EP0898307B1 (fr) | Procédé de traitement pour le collage moléculaire et le décollage de deux structures | |
| EP1285461B1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche mince | |
| EP1922752B1 (fr) | Procede de report d'une couche mince sur un support | |
| EP3646374B1 (fr) | Procédé de transfert d'une couche mince sur un substrat support présentant des coefficients de dilatation thermique différents | |
| FR2744285A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final | |
| EP2842155B1 (fr) | Procede de collage dans une atmosphere de gaz presentant un coefficient de joule-thomson negatif | |
| EP2586055A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche mince de silicium monocristallin | |
| FR2938117A1 (fr) | Procede d'elaboration d'un substrat hybride ayant une couche continue electriquement isolante enterree | |
| EP2065906B1 (fr) | Procédé de modération de déformation | |
| WO2021198576A1 (fr) | Structure demontable utilisee pour le transfert ou la manipulation de couches, et procede de transfert d'une couche mettant en œuvre ladite structure demontable | |
| EP2302666B1 (fr) | Procédé de planarisation par ultrasons d'un substrat dont une surface a été libérée par fracture d'une couche enterrée fragilisée | |
| EP2023380A1 (fr) | Procédé et installation pour la fracture d'un substrat composite selon un plan de fragilisation | |
| WO2006100301A1 (fr) | Procede de fabrication d'une hetero-structure comportant au moins une couche epaisse de materiau semi-conducteur | |
| FR3064398A1 (fr) | Structure de type semi-conducteur sur isolant, notamment pour un capteur d'image de type face avant, et procede de fabrication d'une telle structure | |
| FR3093859A1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche utile sur une substrat support | |
| WO2024184336A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure comprenant une pluralite de cavites enterrees | |
| EP4128330B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure empilee | |
| WO2020188168A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support | |
| WO2023117997A1 (fr) | Procede de fabrication de substrats demontables | |
| WO2002076881A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure a membrane micro-usinee | |
| FR3059149A1 (fr) | Procede de fabrication d'un film mince a base d'inp ou de gaas |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20140430 |