FR2697374A1 - Ensemble à microbandes multicouches et son procédé de fabrication. - Google Patents
Ensemble à microbandes multicouches et son procédé de fabrication. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2697374A1 FR2697374A1 FR9312831A FR9312831A FR2697374A1 FR 2697374 A1 FR2697374 A1 FR 2697374A1 FR 9312831 A FR9312831 A FR 9312831A FR 9312831 A FR9312831 A FR 9312831A FR 2697374 A1 FR2697374 A1 FR 2697374A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- circuit
- layer
- upper circuit
- ground plane
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/088—Stacked transmission lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
L'invention concerne un ensemble à microbandes multicouches. Elle se rapporte à un ensemble qui comprend une première couche (10), ayant un premier circuit supérieur (26), un premier circuit inférieur (28) et un premier circuit d'interconnexion (32) qui connecte les premiers circuits supérieur et inférieur, une seconde couche (12) ayant un second circuit supérieur (38) placé sur la seconde surface supérieure (20), la première couche (10) et la seconde couche (12) étant telles que la seconde surface supérieure est placée entre la première surface inférieure et la seconde surface inférieure, et un plan de masse (37) disposé au-dessous du premier et du second circuit supérieur au moins. Application aux antennes à hautes fréquences.
Description
La présente invention concerne un ensemble à lignes plates ou à
microbandes multicouches et elle concerne plus précisément le transfert de signaux électriques entre au
moins deux couches séparées.
Une microbande est un type de guide d'onde ayant un conducteur, habituellement de forme rectangulaire plate, séparé d'un seul plan de masse par une matière diélectrique d'un substrat Une microbande interne est une variante de la microbande fondamentale dans laquelle le conducteur
unique est enrobé dans un matériau de substrat diélec-
trique Une ligne plate est analogue à une microbande interne, mis à part le fait qu'une ligne plate a deux plans de masse, chacun le long d'une grande face du matériau
diélectrique du substrat.
De nombreux systèmes utilisent des ensembles à microbandes multicouches dans lesquels divers éléments de circuit sont disposés entre des couches séparées d'une matière diélectrique et sont collés pour la formation d'une structure composite Les types des divers éléments de circuit utilisés peuvent comprendre des composants passifs et actifs ainsi que des lignes de transmission (appelées de manière équivalente "lignes d'alimentation") Une raison de l'utilisation de la construction multicouche est d'éviter les interférences électriques entre les signaux présents dans les lignes d'alimentation et les éléments de circuit par isolement mutuel Dans une configuration fréquemment utilisée, les lignes d'alimentation sont placées à la face supérieure de la couche inférieure et sont séparées par une matière diélectrique de substrat d'un plan de masse placé à la face inférieure de la couche inférieure alors que les divers autres éléments de circuit sont répartis entre les
couches supérieures de l'ensemble.
Lorsque les lignes d'alimentation et les éléments du
circuit qui forment un ensemble sont répartis dans plu-
sieurs couches séparées cependant, il devient nécessaire d'acheminer les signaux dans différents sens entre les différentes couches pour interconnecter les divers circuits Par exemple, pour la mise en oeuvre d'une certaine fonction du circuit, il peut être nécessaire de connecter une ligne d'alimentation d'une première couche à un élément de circuit d'une seconde couche En outre, il peut être nécessaire d'acheminer plusieurs signaux, provenant de couches différentes, afin qu'ils apparaissent dans une même couche pour faciliter la connexion à un
appareil extérieur.
L'acheminement des signaux entre les couches pose cependant des problèmes D'abord, la construction d'un ensemble à microbandes ayant des connexions entre les couches prend du temps et nécessite du travail et est fastidieux étant donné les faibles tolérances d'erreur Une
technique connue de construction d'un ensemble à micro-
bandes multicouches ayant des connexions entre les couches nécessite plusieurs étapes, comme décrit dans la suite en référence aux figures l A à l E. Comme l'indique la figure l A, un ruban 101 est raccordé, par soudage avec apport, à un premier circuit supérieur 103, par exemple un élément de circuit ou une
ligne d'alimentation, placé sur une première couche 105.
Ensuite, comme l'indique la figure l B, une seconde couche 107 doit être alignée avec précision sur la première couche 105 afin que le ruban 101 puisse passer dans un trou 109 formé dans la seconde couche 107 La tâche d'alignement des couches et de passage des rubans de connexion nécessite une grande précision et elle est encore aggravée par le fait que plusieurs connexions entre les deux couches, nécessitant chacune un ruban et un alignement sur un trou, doivent être habituellement réalisées entre les deux couches. Comme l'indique la figure 1 C, la première couche 105 est alors reliée à la seconde couche 107 par une première couche 111 de collage placée entre elles Cette première couche 111 maintient le ruban 101 en position fixe par rapport au trou 109 dans la seconde couche 107 et empêche la perturbation de l'alignement précis obtenu dans l'étape exécutée en référence à la figure 1 B. Ensuite, comme l'indique la figure 1 D, le ruban 101 passant dans le trou 109 de la seconde couche 107 est connecté par soudage avec apport au second circuit supé- rieur 113, par exemple un élément de circuit ou une ligne d'alimentation, placé sur la seconde couche 107 Le ruban 101 forme une connexion électrique ohmique entre le premier circuit supérieur 103 placé sur la première couche 105 et le second circuit supérieur 113 placé sur la seconde couche 107, et complète la structure nécessaire au passage des signaux entre les surfaces analogues des deux couches
séparées d'un ensemble à microbandes multicouches.
Enfin, comme l'indique la figure l E, une seconde couche éventuelle de collage 115 peut être placée sur la seconde couche 107 afin qu'elle recouvre le second circuit supérieur 113 La seconde couche de collage 115 isole le second circuit supérieur 113 des courts- circuits ohmiques indésirables et maintient fermement le ruban 101 en
position.
Bien que le procédé précité de construction donne un ensemble à microbandes multicouches capable de transmettre
des signaux entre les couches séparées, il présente plu-
sieurs inconvénients Parmi ces inconvénients, ce procédé connu prend du temps et nécessite de la main d'oeuvre étant donné qu'il est nécessaire d'utiliser une étape précise d'alignement En outre, le procédé connu présente de
faibles tolérances d'erreur dues à la difficulté de l'ali-
gnement du trou de petite dimension et du ruban En outre, comme la structure précitée nécessite le raccordement d'un ruban entre deux couches séparées, le ruban est soumis à des contraintes, provoquant éventuellement une rupture ou
un défaut d'adaptation d'impédance, à la suite d'un mouve-
ment relatif entre les deux couches en cours de
construction.
Un autre problème posé par l'acheminement des signaux entre les couches est que les interconnexions peuvent provoquer une dégradation du signal due aux réflexions provoquées par les défauts d'adaptation des impédances C'est pour cette raison qu'un ensemble connu à microbandes multicouches ayant des connexions entre les couches a en général des performances réduites à hautes fréquences par rapport à un ensemble à microbandes à une seule couche ne nécessitant pas de connexion entre les couches.
Manifestement, un appareil et un procédé de cons-
truction d'ensemble à microbandes multicouches supprimant
ces inconvénients sont souhaitables.
La présente invention a donc pour objet la réalisa-
tion d'un ensemble à microbandes multicouches ayant un dispositif permettant la transition des signaux entre les
surfaces analogues des deux couches séparées.
Elle a aussi pour objet un procédé perfectionné de
construction d'un tel ensemble à microbandes multicouches.
Elle a aussi pour objet la réalisation d'une
connexion entre couches destinée à un ensemble à micro-
bandes multicouches qui donne des performances à hautes fréquences comparables à celles d'un ensemble à une seule couche. Elle a aussi pour objet un procédé de construction d'un ensemble à microbandes multicouches ayant un nombre
d'étapes réduit.
Elle a aussi pour objet un procédé de construction d'un ensemble à microbandes multicouches dans lequel l'interconnexion de deux couches préalablement assemblées peut être réalisée en une seule étape de raccordement des
deux couches.
Les objets précédents ainsi que d'autres sont atteints par raccordement d'une première couche qui a un
circuit placé à sa face supérieure et connecté électrique-
ment au circuit de sa face inférieure, à une seconde couche qui a un circuit à sa face supérieure, le circuit de la face inférieure de la première couche recouvrant le circuit de la face supérieure de la seconde couche pour la formation d'une connexion électrique En conséquence, la transition des signaux entre la face supérieure de la première couche et la face supérieure de la seconde couche
est assurée.
Dans un premier mode de réalisation, la connexion électrique à recouvrement est établie par juxtaposition de la première et de la seconde couche afin que le circuit de la face inférieure de la première couche soit couplé capacitivement au circuit de la face supérieure de la
seconde couche.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la connexion électrique entre le circuit des faces supérieure et inférieure de la première couche est réalisée par établissement d'un trou entre la face supérieure et la face inférieure, puis par connexion électrique des circuits supérieur et inférieur avec un connecteur électrique qui
passe dans le trou.
D'autres caractéristiques et avantages de l'inven-
tion ressortiront mieux de la description qui va suivre,
faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: les figures l A à l E sont des vues d'un ensemble en élévation latérale illustrant cinq étapes d'un procédé
connu de construction d'un ensemble à microbandes multi-
couches ayant une connexion entre les couches; la figure 2 A est une vue en élévation latérale représentant l'interconnexion de deux couches d'un ensemble à microbandes dans un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 2 B est une vue en plan de l'appareil représenté sur la figure 2 A; la figure 2 C est une vue agrandie de la région A-A de la figure 2 B; la figure 3 est une vue éclatée en perspective de l'ensemble à microbandes représenté sur la figure 2 A; la figure 4 est une vue en plan d'une connexion à recouvrement d'un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 5 est une vue en plan d'une connexion à recouvrement réalisée dans un autre mode de réalisation de la présente invention; et les figures 6 A à 6 D sont des vues en élévation latérale illustrant quatre étapes d'un procédé de construc- tion d'un ensemble à microbandes ayant une connexion entre
les couches selon la présente invention.
La description détaillée qui suit concerne un
ensemble à microbandes multicouches destiné à transmettre des signaux électriques entre des surfaces analogues de deux couches, et un procédé de construction de cet
ensemble, en référence aux figures.
On se réfère d'abord aux figures 2 A à 3; l'ensemble à microbandes multicouches d'un mode de réalisation de la présente invention représenté dans le présent mémoire
comporte une première couche 10 et une seconde couche 12.
La première couche 10 a une première surface supérieure 14 et une première surface inférieure 16 qui est pratiquement parallèle à la première surface supérieure 14 et elles sont séparées par une première surface de bord 18 De même, la seconde couche 12 a une seconde surface supérieure 20 et une seconde surface inférieure 22 qui est pratiquement parallèle, et elles sont séparées par une seconde surface de bord 24 Chacune des première et seconde couches 10, 12
est composée d'un matériau diélectrique convenable.
Un premier circuit supérieur 26 est disposé à la première surface supérieure 14 de la première couche 10 et un premier circuit inférieur 28 est disposé à la première surface inférieure 16 de la première couche 10 Chacun des
premiers circuits supérieur 26 et inférieur 28 peut com-
prendre par exemple un élément de circuit, une ligne d'alimentation, un circuit imprimé ou une combinaison de tels organes Dans ce mode de réalisation particulier, la première couche 10 a un trou 30 qui raccorde la première
surface supérieure 14 à la première surface inférieure 16.
Le trou 30 a un diamètre convenable afin qu'un organe conducteur de l'électricité 32, par exemple un fil ou ruban, puisse passer dans le trou Dans une variante, le trou 30 peut être revêtu d'un matériau conducteur de l'électricité ou un oeillet conducteur de l'électricité peut être placé dans le trou 30 L'organe conducteur de l'électricité 32 est formé d'un matériau conducteur conve- nable permettant l'établissement d'une connexion électrique entre le premier circuit supérieur 26 et le premier circuit
inférieur 28.
Dans une variante à l'utilisation de l'organe conducteur de l'électricité 32 pour la connexion du premier circuit supérieur 26 au premier circuit inférieur 28, ces deux ensembles de circuits peuvent être construits afin qu'ils forment un seul organe en une seule pièce au lieu de
former des éléments distincts de circuit ayant un dispo-
sitif séparé de connexion entre eux Ce résultat peut être obtenu par exemple par dépôt de la première couche 10 afin qu'elle établisse le premier circuit supérieur 26 et le premier circuit inférieur 28 et simultanément dépôt du trou pour l'établissement d'une connexion électrique entre le premier circuit supérieur 26 et le premier circuit
inférieur 28.
Comme représenté, l'organe 32 conducteur de l'élec-
tricité est placé à l'intérieur du trou 30 afin qu'une première extrémité de l'organe conducteur 32 soit en butée contre le premier circuit supérieur 26 et que l'autre extrémité de l'organe 32 soit en butée contre le premier circuit inférieur 28 aux points de fixation 34 L'organe
conducteur 32 est fixé par exemple par un joint de soudure.
La fixation de l'organe conducteur 32 aux points 34 forme une connexion électrique ohmique entre le premier circuit
supérieur 26 et le premier circuit inférieur 28.
Dans le mode de réalisation de l'invention repré-
senté sur les figures 2 A à 3, une première couche éven-
tuelle de collage 36, comprenant par exemple un matériau à base de résine ayant des caractéristiques diélectriques et de liaison convenables, est placée sur la première face supérieure 14 de la première couche 10 Le rôle de cette première couche éventuelle de collage 36 est notamment l'isolement électrique du premier circuit supérieur 26 et le maintien en place du premier circuit supérieur 26 et de
l'organe conducteur 32.
Un second circuit supérieur 38 est disposé sur la seconde face supérieure 30 de la seconde couche 12 Ce second circuit supérieur 38 peut comprendre par exemple un élément de circuit, une ligne d'alimentation, un circuit imprimé ou une combinaison de tels organes Un plan de masse 37 est placé le long de la seconde face inférieure 22 de la seconde couche 12 Un connecteur d'entrée 43, par exemple de type coaxial -comprenant un boîtier 39 et une broche 41 d'alimentation est fixé au plan de masse 37 afin
que le boîtier 39 soit connecté physiquement et électrique-
ment au plan de masse 37, alors que la broche 41 d'alimen-
tation ou ligne de transport des signaux passe dans un espace formé dans le plan de masse 37 dans le matériau diélectrique du substrat formant la seconde couche 12, afin qu'elle soit connectée physiquement et électriquement au second circuit supérieur 38, par exemple par soudage avec apport. La première couche 10 et la seconde couche 12 sont orientées afin que la première surface inférieure 16 de la première couche 10 soit tournée vers la seconde surface supérieure 20 de la seconde couche 12 Le second circuit
supérieur 38 est positionné près du premier circuit infé-
rieur 28 et recouvre celui-ci.
Une connexion électrique existe entre le second circuit supérieur 38 et le premier circuit inférieur 28 dans la région 40 de recouvrement par couplage capacitif entre les deux ensembles de circuits Le couplage capacitif est un procédé fiable et commode pour l'établissement d'une
connexion électrique entre les deux ensembles de circuits.
Lorsque certaines conditions sont remplies comme indiqué
dans la suite, une connexion électrique à couplage capa-
citif a des performances comparables à celles d'une con-
nexion électrique ohmique En outre, la connexion à cou-
plage capacitif est simplement établie par liaison des deux ensembles de circuits en position adjacente et de recouvre- ment à l'aide d'une couche de collage ayant des propriétés diélectriques et de liaison convenables Comme aucune5 connexion physique ne doit être conservée entre les deux ensembles de circuits pour l'établissement d'une connexion
à couplage capacitif, la fiabilité de l'ensemble est accrue.
Un autre mode de réalisation possible, ayant un dispositif différent pour la formation de la connexion électrique entre les deux ensembles de circuits, comprend la mise du premier circuit inférieur 28 en contact physique avec le second circuit supérieur 38 afin qu'une connexion électrique ohmique et non une connexion électrique à couplage capacitif, soit formée entre eux Par exemple, une telle connexion implique un plus grand degré de difficulté de construction parce que les deux jeux de circuits qui
doivent être connectés électriquement doivent être main-
tenus en contact physique constant pour assurer une con-
nexion électrique stable Par exemple, pour l'établissement d'une connexion électrique ohmique entre le premier circuit
inférieur 28 et le second circuit supérieur 38 dans l'en-
semble à microbandes représenté sur la figure 2 A, il serait nécessaire de coller la première couche 10 à la seconde couche 12 afin que le premier circuit inférieur 28 soit maintenu en contact physique constant avec le second circuit supérieur 38, sans matériau de collage entre les
deux jeux de circuits.
Dans le mode de réalisation de la présente invention
représenté sur la figure 2 A et mettant en oeuvre un cou-
plage capacitif, les caractéristiques de la connexion électrique résultante à couplage capacitif sont déterminées
par plusieurs paramètres Initialement, lors du fonction-
nement à des fréquences élevées, par exemple des hautes fréquences, il est important que les interconnexions entre
les éléments de circuit présentent une adaptation d'impé-
dance réduisant au minimum les restrictions des signaux et accroissant au maximum le transfert de puissance Un premier procédé de réalisation d'une connexion à impédance adaptée est la création d'une longueur de recouvrement égale à X/4 entre les deux jeux de circuits Comme indiqué sur la figure 2 A, la longueur V de recouvrement, dans ce mode de réalisation, est pratiquement égale à X/4, si bien qu'une connexion électrique à impédance adaptée est établie. Dans une variante, la longueur V de recouvrement peut être égale à une longueur autre que X/4, tant que la surface de recouvrement établit un couplage capacitif suffisant entre le premier circuit inférieur 28 et le second circuit supérieur 38 Par exemple, une longueur de recouvrement autre que X/4 peut être souhaitable dans des systèmes qui travaillent sur une large gamme de fréquences
et pas seulement aux hautes fréquences.
La capacité de la connexion C est déterminée par l'équation: (i) C = EA/d E étant la constante diélectrique de la matière placée entre les deux ensembles de circuits, A la surface de la région de recouvrement et d la distance séparant les deux
jeux de circuits L'impédance de la connexion Z est déter-
minée par l'équation (ii) Z = -j/C -j étant égal à la racine carrée de -1, W étant égal à
2 N fois la fréquence et C étant la capacité de la con-
nexion, calculée d'après l'équation précitée (i) Lorsque des valeurs convenables de E, a et d sont utilisées, la capacité C est suffisamment grande pour que l'impédance Z de la connexion devienne négligeable et la connexion apparaît alors comme un court-circuit pour les hautes fréquences. On se réfère maintenant à la figure 2 C qui est une vue en plan de la région 40 de recouvrement du premier
circuit inférieur 28 et du second circuit supérieur 38.
Comme représenté, l'un des deux jeux de circuits, le second il circuit supérieur 38 dans ce cas, est légèrement plus étroit d'une amplitude A que la largeur du premier circuit inférieur 28 X + A Le rôle de la différence de largeur A est d'assurer des tolérances de positionnement lors de la construction de l'appareil selon l'invention Plus précisé- ment, pour que le second circuit supérieur 38 soit placé entièrement sous le premier circuit inférieur 28 dans la région 40 de recouvrement, le second circuit supérieur 38 est légèrement plus étroit afin qu'il donne la tolérance nécessaire de positionnement lors de la construction de
l'ensemble à microbandes selon la présente invention.
Etant donné que la largeur de la ligne d'alimenta-
tion est inversement proportionnelle à son impédance caractéristique, le second circuit supérieur 38 considéré seul a une impédance caractéristique supérieure à celle du
premier circuit inférieur 28 considéré seul, d'une ampli-
tude proportionnelle à la différence de largeur A Lorsque les deux ensembles de circuits sont couplés de la manière décrite précédemment cependant, l'impédance caractéristique de la structure agrégée -c'est-àdire la combinaison des deux ensembles de circuits est déterminée uniquement par la largeur du plus large des deux ensembles de circuits à
recouvrement -dans ce cas le premier circuit inférieur 28.
Dans le mode de réalisation particulier des figures 2 A à 3, le second circuit supérieur 38 est maintenu près du premier circuit inférieur 28 et recouvre celui-ci grâce à une seconde couche de collage 42 assurant la connexion
électrique lors du fonctionnement de l'ensemble à micro-
bandes Bien qu'une couche de collage soit utilisée dans ce mode de réalisation, un autre dispositif, par exemple un cadre de support, des pinces, des vis ou des ressorts, peut être utilisé pour le maintien en coopération de la première
couche 10 et de la seconde couche 12.
Un autre mode de réalisation ayant une disposition différente de recouvrement des deux ensembles de circuits, donnant une plus grande tolérance de positionnement, est représenté sur la figure 4 Dans le mode de réalisation particulier représenté dans ce cas, le premier circuit inférieur 228 et le second circuit supérieur 238 ont chacun une largeur X Le premier circuit inférieur 228 a cependant une extrémité terminale 230 sous forme étalée de largeur W 5 nettement supérieure à la largeur X La configuration de recouvrement de ce mode de réalisation représenté sur la figure 4 est une exception à la règle générale selon laquelle la largeur du plus large des deux jeux de circuits détermine l'impédance caractéristique du circuit couplé dans son ensemble Dans ce mode de réalisation, la valeur de la largeur W n'a pas d'importance pour l'impédance caractéristique du circuit à recouvrement Dans la mesure o la longueur de recouvrement Vl est pratiquement égale à À/4 et la longueur V 2 de l'extrémité 230 est pratiquement égale à X/2, l'impédance caractéristique de l'ensemble de la structure, c'est-à-dire le premier circuit inférieur 228 recouvert du second circuit supérieur 238, est déterminée par la largeur X En conséquence, la valeur W doit être choisie afin qu'elle donne des tolérances convenables de positionnement dans la région 240 de recouvrement Ce mode de réalisation présente l'avantage de donner de grandes tolérances de positionnement tout en maintenant une largeur
constante X entre les deux ensembles de circuits.
Un autre mode de réalisation de la présente inven-
tion, qui tire avantage de la structure d'un circuit
hybride en quadrature à ligne en dérivation pour la forma-
tion d'une connexion électrique à recouvrement des deux jeux de circuits, est représenté sur la figure 5 Un
élément de circuit hybride en quadrature à ligne en déri-
vation est utilisé pour diviser la puissance d'un signal d'entrée parmi un ou plusieurs signaux de sortie, avec transmission d'un ou plusieurs signaux de sortie avec des déphasages par rapport aux signaux d'entrée qui sont des
multiples de 90 Ces déphasages sont obtenus par sépara-
tion d'une voie d'entrée qui transmet le signal d'entrée d'une voie de sortie qui transmet un signal de sortie par une ligne de transmission de longueur égale à X/4 ou à un multiple de cette valeur Dans ce mode de réalisation, le second circuit supérieur 338 représenté en trait interrompu forme une première partie du circuit hybride en quadrature à ligne en dérivation Le premier circuit inférieur 238 représenté en trait plein forme une seconde partie du circuit hybride en quadrature en ligne en dérivation Le premier circuit inférieur 328 recouvre le second circuit supérieur 338 dans les régions de recouvrement 340 dans
lesquelles une connexion électrique est établie par cou-
plage capacitif La structure résultante formée par recou-
vrement du premier circuit inférieur 328 et du second circuit supérieur 338 est appelée structure hybride en
quadrature à ligne en dérivation Un tel dispositif com-
prend quatre voies 346 et est utilisé notamment pour diviser l'énergie et transmettre des signaux de sortie ayant des phases différentes Dans la structure hybride en quadrature à ligne en dérivation, la longueur de chacun des bras en shunt 344 (parties en U) et des bras séries 342 (parties de raccordement) est pratiquement égale à X/4 En outre, les bras en shunt 344 sont plus larges et ont donc une plus faible impédance caractéristique que chacun des
bras séries 342 et des quatre voies 346.
L'établissement d'une connexion électrique à recou-
vrement entre le premier circuit inférieur 328 et le second circuit supérieur 338 à l'aide de la structure hybride en
quadrature à ligne en dérivation présente quelques avan-
tages Plus précisément, les parties en U forment un emplacement commode pour le recouvrement de deux ensembles de circuits, pour les raisons suivantes D'abord, les bras en shunt 344, ayant déjà une largeur accrue pour des raisons de fonctionnement du circuit, donnent aussi les
tolérances nécessaires de positionnement pour le recouvre-
ment des deux ensembles de circuits Comme décrit précédem-
ment, l'impédance caractéristique de la structure générale des bras de shunt, c'est-à-dire des régions de recouvrement 340 formées par les parties respectives en U du premier circuit inférieur 328 et du second circuit supérieur 338, est déterminée par le plus large des deux jeux de circuits,
dans ce cas le second circuit supérieur 338 En consé-
quence, la largeur plus faible des parties en U du premier circuit inférieur 338 a un effet faible sinon nul sur les performances à hautes fréquences de la structure hybride. Deuxièmement, comme les bras de shunt 344 de la structure hybride en quadrature à ligne en dérivation ont déjà une longueur pratiquement égale à X/4 pour des raisons de fonctionnement du circuit, la mise des deux jeux de circuits à recouvrement dans les parties en U donne une longueur de recouvrement pratiquement égale à X/4, assurant ainsi une connexion électrique à adaptation d'impédance qui apparaît en fait sous forme d'un court- circuit pour les signaux à hautes fréquences Les bras de shunt 344, ayant comme propriétés une plus grande largeur et une longueur
égale à X/4, constituent donc un emplacement très avanta-
geux pour le recouvrement des deux ensembles de circuits à la transition des signaux entre la première et la seconde couche. Enfin, comme le premier circuit inférieur 328 peut être plus étroit que le second circuitsupérieur 338, deux des quatre voies 346 qui font partie du premier circuit inférieur 328 sont plus étroites que les bras de shunt 344,
nécessaires pour un fonctionnement convenable de la struc-
ture hybride.
Il est important de noter que les éléments de
circuit et les lignes d'alimentation des modes de réalisa-
tion qui précèdent doivent conserver les caractéristiques d'une ligne de transmission à microbandes plates Comme
décrit précédemment, une ligne de transmission à micro-
bandes comprend un conducteur de signaux séparé d'un seul plan de masse par de la matière diélectrique seulement En conséquence, dans tous les modes de réalisation décrits précédemment, il n'existe aucun recouvrement entre le premier circuit supérieur et la combinaison du premier circuit inférieur et du second circuit supérieur En d'autres termes, seule une matière diélectrique est présente entre le premier circuit supérieur et le plan de
masse Aux emplacements de transition des signaux cepen- dant, le second circuit supérieur est placé en sandwich entre le premier circuit inférieur et le plan de masse avec 5 une amplitude prédéterminée de recouvrement pour la forma-
tion d'une connexion électrique entre le second circuit
supérieur et le premier circuit inférieur.
L'appareil précité est utile pour la transition des signaux électriques entre les surfaces analogues de couches séparées d'un ensemble à microbandes multicouches Plus précisément, comme l'indique la figure 2 A, la connexion électrique entre le premier circuit supérieur 26 et le
premier circuit inférieur 28 en coopération avec la con-
nexion électrique entre le premier circuit inférieur 28 et le second circuit supérieur 38 permet par exemple à un signal provenant du second circuit supérieur 38 d'être acheminé par le premier circuit inférieur 28 vers le premier circuit supérieur 26 Ainsi, un appareil permet la
transition d'un signal électrique d'une surface particu-
lière d'une couche à la surface analogue d'une couche différente Ainsi, dans le mode de réalisation représenté sur les figures 2 A à 3, un signal électrique peut être acheminé de la seconde surface supérieure 20 de la seconde
couche 12 à la première surface supérieure 14 de la pre-
mière couche 10 Evidemment, la transition des signaux électriques ou leur acheminement entre les différentes couches doit être considéré comme réalisé dans un sens ou dans l'autre Par exemple, le mode de réalisation de la présente invention représenté sur les figures 2 A à 3 convient aussi bien à la transition des signaux de la première couche à la seconde qu'à la transition des signaux
de la seconde couche à la première.
Plusieurs avantages sont dus à l'utilisation du mode de réalisation de l'invention représenté sur les figures 2 A
à 3 Par exemple, ce mode de réalisation forme une struc-
ture qui permet aux signaux électriques de sortir du circuit ou d'entrer dans le circuit sur une couche séparée, autre que la couche dont provient le signal De plus, le
mode de réalisation des figures 2 A à 3 permet la distribu-
tion du circuit entre plusieurs couches avec conservation de performances à hautes fréquences comparables à celles d'un circuit placé sur une seule couche Un autre avantage est la plus grande fiabilité de cette configuration Comme les deux points de fixation 34 de l'organe conducteur 32 sont placés chacun sur une même couche, c'est- à-dire la première couche 10, l'organe conducteur 32 est soumis à moins de contraintes dues au déplacement relatif entre deux couches séparées lors de la construction Ainsi, les connexions électriques formées aux points 34 de fixation risquent moins de présenter un défaut par rupture ou
augmentation d'impédance due à des contraintes.
On décrit maintenant, en référence aux figures 6 A à 6 D, un procédé de construction de l'ensemble à microbandes multicouches décrit précédemment ayant un dispositif permettant la transition des signaux électriques entre des
surfaces analogues de deux couches du circuit.
Initialement, comme l'indique la figure 6 A, une première couche 200, composée d'un matériau diélectrique
convenable, est réalisée avec une première surface supé-
rieure 202 et une première surface inférieure 204 Un premier circuit supérieur 206 est placé à la première surface supérieure 202 et un premier circuit inférieur 208 est placé sur la première surface inférieure 204 La première couche 200 a un trou 210 passant en son centre et raccordant la première surface supérieure 202 à la première
surface inférieure 204.
Ensuite, comme l'indique la figure 6 B, un organe 212 de connexion électrique, par exemple un fil ou un ruban, passe dans le trou 210 de la première couche 200 et est fixé, par exemple par soudage avec apport, au premier circuit supérieur 206 et au premier circuit inférieur 208 aux points 214 de fixation, avec formation d'une connexion électrique ohmique entre le premier circuit supérieur 206
et le premier circuit inférieur 208.
Dans une variante à l'utilisation de l'organe
conducteur 212 pour la connexion du premier circuit supé-
rieur 206 au premier circuit inférieur 208, ces deux ensembles de circuits peuvent être construits afin qu'ils forment un seul organe au lieu de former deux jeux de circuits ayant un dispositif séparé de connexion entre eux,
comme décrit précédemment.
Comme l'indique la figure 6 C, la première couche 200 est alors liée à une seconde couche 216 qui est composée d'un matériau diélectrique convenable et qui a un second
circuit supérieur 218 placé sur une seconde surface supé-
rieure 220 La première couche 200 et la seconde couche 216 sont disposées afin que le premier circuit inférieur 208 soit adjacent au second circuit supérieur 218 et le
recouvre lorsque les deux couches sont liées Le recouvre-
ment forme une connexion électrique à couplage capacitif entre le premier circuit inférieur 208 et le second circuit supérieur 218 En conséquence, la formation d'une connexion électrique entre le premier circuit inférieur 208 et le second circuit supérieur 218, avec la connexion électrique déjà formée entre le premier circuit supérieur 206 et le premier circuit inférieur 208, complète la structure nécessaire à la transition des signaux entre des surfaces
analogues des deux couches séparées.
Dans le mode de réalisation particulier représenté sur les figures 6 A à 6 D, la première couche 200 est liée à la seconde couche 216 par une étape de collage destinée à former une première couche 224 de collage déposée entre la première surface inférieure 204 de la première couche 200 et la seconde surface supérieure 220 de la seconde couche 216 Dans une variante, un dispositif tel qu'un cadre de support, des pinces, des vis ou des ressorts, peut être utilisé pour l'opération de liaison entre la première
couche 200 et la seconde couche 216.
Enfin, comme l'indique la figure 6 D, une seconde étape éventuelle de collage peut être réalisée afin qu'elle forme une seconde couche de collage 226 déposée sur la
première surface supérieure 202 de la première couche 200.
La seconde couche de collage 226 isole le premier circuit supérieur 206 et maintient fermement en position l'organe 212 de connexion électrique Dans une variante, l'étape représentée sur la figure 6 D peut être réalisée entre les étapes représentées sur les figures 6 B et 6 C Ainsi, la seconde couche éventuelle de collage 226 peut être déposée sur la première surface supérieure 202 de la première couche 200 avant que la première couche 200 et la seconde
couche 216 ne soient liées pour la formation d'une con-
nexion électrique entre le premier circuit inférieur 208 et
le second circuit supérieur 218.
L'utilisation du procédé de construction de ce mode de réalisation de l'invention, représenté sur les figures 6 A à 6 D, présente plusieurs avantages Le procédé précité de construction d'un ensemble à microbandes multicouches
ayant une connexion entre les couches permet une construc-
tion rapide, facile et peu coûteuse de l'ensemble à micro-
bandes par rapport au procédé utilisé antérieurement Par exemple, chaque type de couche peut être réalisé séparément en grande série, stocké et utilisé à volonté, sans qu'il soit nécessaire de construire individuellement chaque couche au moment de la construction de la totalité de l'ensemble à microbandes Plus précisément, l'organe de connexion électrique 212 peut être préalablement connecté entre le premier circuit supérieur 206 et le premier circuit inférieur 208, et la seconde couche éventuelle 226 de collage peut être déposée sur la première surface
supérieure 202 pour compléter la construction de la pre-
mière couche 200 Après la construction préalable des
couches, lorsque le montage de l'ensemble global à micro-
bandes est nécessaire, la seule étape restant est la liaison ou le collage de la première couche 200 à la
seconde couche 216 avec formation de la connexion élec-
trique entre le premier circuit inférieur 208 et le second circuit supérieur 218 De cette manière, l'étape longue et laborieuse d'alignement de la première et de la seconde couche est évitée En outre, le procédé de construction de la présente invention permet une construction préalable séparée de chaque couche si bien que le premier circuit supérieur et le premier circuit inférieur peuvent être connectés électriquement avant collage de la première et de la seconde couche l'une à l'autre Ainsi, l'opération de
montage peut être simplifiée et peut être peu coûteuse.
Il est bien entendu que l'invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses
éléments constitutifs sans pour autant sortir de son cadre.
Claims (14)
- REVENDICATIONSl.Ensemble à microbandes multicouches, destiné à assurer la transition de signaux électriques entre des surfaces analogues de deux couches, caractérisé en ce qu'il comprend une première couche ( 10) ayant une première surface supérieure ( 14) et une première surface inférieure ( 16) qui est séparée de la première surface supérieure, un premier circuit qui comporte un premier circuit supérieur ( 26) placé sur la première surface supérieure, un premier circuit inférieur ( 28) placé sur la première surface inférieure, et un premier circuit d'interconnexion ( 32) qui connecte les premiers circuits supérieur et inférieur, une seconde couche ( 12) qui comporte une seconde surface supérieure ( 20) et une seconde surface inférieure ( 22) qui est séparée de la seconde surface supérieure, un second circuit qui comporte un second circuit supérieur ( 38) placé sur la seconde surface supérieure( 20),la première couche ( 10) et la seconde couche ( 12) étant disposées afin que la seconde surface supérieure soit placée entre la première surface inférieure et la seconde surface inférieure, et un plan de masse ( 37) disposé au-dessous du premier et du second circuit supérieur au moins, le premier circuit supérieur ( 26) et le premier circuit inférieur ( 28) étant disposés afin que le premier circuit supérieur soit décalé latéralement par rapport au premier circuit inférieur et qu'il n'existe pratiquement aucun recouvrement mutuel par rapport au plan de masse, le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) étant disposés afin que le premier circuit inférieur recouvre le second circuit supérieur par rapport au plan de masse en formant une région ( 40) de recouvrement avec connexion électrique entre le premier circuit inférieur et le second circuit supérieur, si bien que le premier circuit supérieur et le second circuit supérieur sont connectés électriquement, le premier circuit supérieur ( 26) et le second circuit supérieur ( 38) étant disposés afin qu'il n'existe pratiquement aucun recouvrement entre le premier circuit supérieur et le second circuit supérieur par rapport au plan de masse, et seule de la matière diélectrique pratiquement est disposée entre le premier circuit supérieur et le plan de masse et entre le second circuit supérieur et le plan de masse.
- 2 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une matière diélectrique ( 42) placée entre le premier circuit inférieur ( 28) et le secondcircuit supérieur ( 38) afin que le premier circuit infé-rieur et le second circuit supérieur soient connectés électriquement.
- 3 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé ence qu'il comporte en outre une matière diélectrique adhé-sive disposée entre le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) de manière que le premier circuit inférieur et le second circuit supérieur soient connectés électriquement de manière capacitive et que la première couche soit raccordée mécaniquement à la secondecouche.
- 4 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé ence qu'il comporte en outre une matière diélectrique adhé-sive ( 42) disposée pratiquement dans tout l'espace comprisentre la première couche ( 10) et la seconde couche ( 12).
- 5 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de recouvrement ( 40) est disposée sur une distance pratiquement égale au quart de la longueur d'onde à la fréquence à laquelle travaille l'ensemble à microbandes.
- 6 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un circuit parmi le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) est plus étroit quel'autre dans la région de recouvrement ( 40).
- 7 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) ont chacun pratiquement une première largeur, et un premier circuit parmi le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) a une extrémité terminale ayant une partie élargie ( 230) de seconde largeur supérieure à la première largeur et une longueur pratiquement égale à la moitié de la longueur d'onde à la fréquence à laquelle travaille l'ensemble à microbandes, la partie élargie et l'autre circuit parmi le premier circuit inférieur et le second circuit supérieur étant disposés de manière que la région de recouvrement ( 40) soit formée sur une distance pratiquement égale auquart de la longueur d'onde.
- 8 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) forment un circuit en quadrature àligne en dérivation.
- 9 Ensemble selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche de collage ( 226) adjacente à la première surface supérieure de la première couche.
- 10 Procédé de construction d'un ensemble multi-couche destiné à assurer la transition de signaux élec-triques entre des surfaces analogues de deux couches, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: la disposition d'une première couche ( 10) qui comporte un premier substrat ayant une première surface supérieure ( 14) et une première surface inférieure ( 16) séparée de la première surface supérieure, un premier circuit qui comprend un premier circuit supérieur ( 26) placé sur la première surface supérieure, un premier circuit inférieur ( 28) placé sur la première surface inférieure, et un premier circuit d'interconnexion ( 32) placé entre le premier circuit supérieur et le premier circuit inférieur,la disposition d'une seconde couche ( 12) qui com-porte un second substrat ayant une seconde surface supé-rieure ( 20) et une seconde surface inférieure ( 22) séparée de la seconde surface supérieure, et un second circuit qui comprend un second circuit supérieur ( 38) placé sur la seconde surface supérieure, et le collage de la première couche ( 10) à la seconde couche ( 12) de manière que la seconde surface supérieure soit placée entre la première surface inférieure et la seconde surface inférieure et que le premier circuit inférieur ( 28) recouvre le second circuit supérieur ( 38) en formant une région de recouvrement ( 40) et assure laconnexion électrique capacitive du premier circuit infé-rieur et du second circuit supérieur, si bien que le premier circuit supérieur et le second circuit supérieursont connectés électriquement.
- 11 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les deux étapes de disposition comprennent la délimitation d'un premier circuit parmi le premier circuit inférieur ( 28) et le second circuit supérieur ( 38) afin qu'il soit plus large que l'autre, si bien qu'il existe unetolérance de positionnement lors de l'étape de collage.
- 12 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les deux étapes de disposition comprennent la délimitation du premier circuit inférieur ( 28) et du secondcircuit supérieur ( 39) afin qu'ils aient chacun pratique-ment une première largeur, et un premier circuit parmi le premier circuit inférieur et le second circuit supérieur a une extrémité terminale ayant une partie élargie ( 230) de seconde largeur supérieure à la première largeur et dont la longueur est pratiquement égale à la moitié de la longueurd'onde à la fréquence de travail de l'ensemble à micro-bandes, et, pendant l'étape de collage, la partie élargie et l'autre circuit parmi le premier circuit inférieur et le second circuit supérieur sont disposés de manière que leur recouvrement corresponde à une distance pratiquement égaleau quart de la longueur d'onde.
- 13 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les étapes de disposition comprennent la délimi-tation du premier circuit inférieur ( 28) afin qu'il com- prenne un premier élément nécessaire à la formation d'un circuit en quadrature à ligne en dérivation et du second circuit supérieur ( 38) afin qu'il comprenne un second élément nécessaire à la formation du circuit en quadrature à ligne en dérivation, l'un des premier et second éléments ayant une largeur supérieure à celle de l'autre des premier et second éléments de manière qu'il existe une tolérance depositionnement pendant l'étape de collage.
- 14 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend le positionnement d'un plan de masse ( 37) au-dessous du premier circuit supérieur ( 28) et du second circuit supérieur ( 38) au moins, et le collage comprend le positionnement du premier circuit supérieur ( 28) et du premier circuit inférieur ( 38)afin que le premier circuit supérieur soit décalé latéra-lement par rapport au premier circuit inférieur et qu'il n'existe pratiquement aucun recouvrement entre eux par rapport au plan de masse, et seule pratiquement une matière diélectrique est placée entre le premier circuit supérieur et le plan de masse et entre le second circuit supérieur etle plan de masse.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/967,828 US5309122A (en) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Multiple-layer microstrip assembly with inter-layer connections |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2697374A1 true FR2697374A1 (fr) | 1994-04-29 |
FR2697374B1 FR2697374B1 (fr) | 1996-08-09 |
Family
ID=25513392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9312831A Expired - Fee Related FR2697374B1 (fr) | 1992-10-28 | 1993-10-27 | Ensemble a microbandes multicouches et son procede de fabrication. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5309122A (fr) |
JP (1) | JPH06260813A (fr) |
CA (1) | CA2109133A1 (fr) |
DE (1) | DE4336874A1 (fr) |
FR (1) | FR2697374B1 (fr) |
GB (1) | GB2272112B (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0800210A1 (fr) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Alcatel Espace | Module hyperfréquence compact |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06314622A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型回路部品及びその製造方法 |
US6728113B1 (en) * | 1993-06-24 | 2004-04-27 | Polychip, Inc. | Method and apparatus for non-conductively interconnecting integrated circuits |
GB9506878D0 (en) * | 1995-04-03 | 1995-05-24 | Northern Telecom Ltd | A coxial transaction arrangement |
US5751201A (en) * | 1996-06-19 | 1998-05-12 | Motorola, Inc. | Resonator with metal layers devoid of DC connection and semiconductor device in substrate |
US6018283A (en) * | 1996-12-18 | 2000-01-25 | Texas Instruments Incorporated | Ultrawide bandwidth Z-axis interconnect |
US6525620B1 (en) * | 1999-05-21 | 2003-02-25 | Intel Corporation | Capacitive signal coupling device |
SE514408C2 (sv) * | 1999-06-17 | 2001-02-19 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektrisk transmissionsanordning |
SE514407C2 (sv) * | 1999-06-17 | 2001-02-19 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektrisk transmissionsanordning |
EP1069639B1 (fr) * | 1999-06-29 | 2006-04-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module comportant un circuit à hautes fréquences |
US6624722B2 (en) * | 2001-09-12 | 2003-09-23 | Radio Frequency Systems, Inc. | Coplanar directional coupler for hybrid geometry |
US7425760B1 (en) | 2004-10-13 | 2008-09-16 | Sun Microsystems, Inc. | Multi-chip module structure with power delivery using flexible cables |
US20080009211A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Matthew Raymond Himes | Assemblies useful for the preparation of electronic components and methods for making same |
CN112558016A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-26 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种采用多层微带连接的雷达收发系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4047132A (en) * | 1975-06-20 | 1977-09-06 | International Computers Limited | Multilayer printed circuit boards |
EP0207029A2 (fr) * | 1985-06-25 | 1986-12-30 | Communications Satellite Corporation | Antennes microbandes à couplage électromagnétique alimentées par des microbandes couplées capacitivement aux lignes d'alimentation |
US4891612A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-02 | Cascade Microtech, Inc. | Overlap interfaces between coplanar transmission lines which are tolerant to transverse and longitudinal misalignment |
EP0379736A1 (fr) * | 1988-12-29 | 1990-08-01 | Japan Radio Co., Ltd | Procédé de fabrication de plaquettes circuit multicouches |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2754484A (en) * | 1954-11-22 | 1956-07-10 | Itt | Shield for microstrip circuits |
US3345589A (en) * | 1962-12-14 | 1967-10-03 | Bell Telephone Labor Inc | Transmission line type microwave filter |
US3303439A (en) * | 1965-06-14 | 1967-02-07 | Western Electric Co | Strip transmission line interboard connection |
US3883828A (en) * | 1974-06-03 | 1975-05-13 | Merrimac Ind Inc | High-power coupler synthesis |
JPS56128001A (en) * | 1980-03-13 | 1981-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | Multilayer unification method of triplate strip line |
US4375053A (en) * | 1980-12-29 | 1983-02-22 | Sperry Corporation | Interlevel stripline coupler |
JPS58123202A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | トリプレ−ト線路形マイクロ波回路 |
US4459568A (en) * | 1982-02-02 | 1984-07-10 | Rockwell International Corporation | Air-stripline overlay hybrid coupler |
JPH0244408B2 (ja) * | 1984-09-03 | 1990-10-03 | Nippon Denki Kk | Ekookyanseragatasohokozofukuki |
US4810981A (en) * | 1987-06-04 | 1989-03-07 | General Microwave Corporation | Assembly of microwave components |
US4803450A (en) * | 1987-12-14 | 1989-02-07 | General Electric Company | Multilayer circuit board fabricated from silicon |
US4906953A (en) * | 1988-09-08 | 1990-03-06 | Varian Associates, Inc. | Broadband microstrip to coplanar waveguide transition by anisotropic etching of gallium arsenide |
US4980659A (en) * | 1989-08-24 | 1990-12-25 | Raytheon Company | Microwave dual level transition |
JPH03237802A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Murata Mfg Co Ltd | 遅延線 |
JP3058898B2 (ja) * | 1990-09-03 | 2000-07-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその評価方法 |
JPH04207701A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Nippon Avionics Co Ltd | プログラマブルディレイライン |
US5184095A (en) * | 1991-07-31 | 1993-02-02 | Hughes Aircraft Company | Constant impedance transition between transmission structures of different dimensions |
US5261153A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-16 | Zycon Corporation | In situ method for forming a capacitive PCB |
-
1992
- 1992-10-28 US US07/967,828 patent/US5309122A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-25 CA CA002109133A patent/CA2109133A1/fr not_active Abandoned
- 1993-10-27 FR FR9312831A patent/FR2697374B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-27 JP JP5268649A patent/JPH06260813A/ja active Pending
- 1993-10-27 GB GB9322170A patent/GB2272112B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-28 DE DE4336874A patent/DE4336874A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4047132A (en) * | 1975-06-20 | 1977-09-06 | International Computers Limited | Multilayer printed circuit boards |
EP0207029A2 (fr) * | 1985-06-25 | 1986-12-30 | Communications Satellite Corporation | Antennes microbandes à couplage électromagnétique alimentées par des microbandes couplées capacitivement aux lignes d'alimentation |
US4891612A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-02 | Cascade Microtech, Inc. | Overlap interfaces between coplanar transmission lines which are tolerant to transverse and longitudinal misalignment |
EP0379736A1 (fr) * | 1988-12-29 | 1990-08-01 | Japan Radio Co., Ltd | Procédé de fabrication de plaquettes circuit multicouches |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0800210A1 (fr) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Alcatel Espace | Module hyperfréquence compact |
FR2747239A1 (fr) * | 1996-04-04 | 1997-10-10 | Alcatel Espace | Module hyperfrequence compact |
US5917388A (en) * | 1996-04-04 | 1999-06-29 | Alcatel Espace | Compact microwave module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2109133A1 (fr) | 1994-04-29 |
US5309122A (en) | 1994-05-03 |
FR2697374B1 (fr) | 1996-08-09 |
GB2272112B (en) | 1996-07-24 |
JPH06260813A (ja) | 1994-09-16 |
GB9322170D0 (en) | 1993-12-15 |
DE4336874A1 (de) | 1994-05-05 |
GB2272112A (en) | 1994-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2697374A1 (fr) | Ensemble à microbandes multicouches et son procédé de fabrication. | |
EP0627765B1 (fr) | Dispositif semiconducteur incluant un élément semiconducteur du type "FLIP-CHIP" | |
EP0089084B1 (fr) | Structure d'antenne plane hyperfréquences | |
EP0013222A1 (fr) | Déphaseur hyperfréquence à diodes et antenne à balayage électronique comportant un tel déphaseur | |
EP2054929A2 (fr) | Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d | |
FR2704692A1 (fr) | Structure d'interconnexion à densité élevée comprenant une chambre et procédé de fabrication. | |
EP0667984B1 (fr) | Antenne fil-plaque monopolaire | |
EP0469988A1 (fr) | Procédé d'interconnexion entre un circuit intégré et un circuit support et circuit intégré adapté à ce procédé | |
FR2550892A1 (fr) | Sortie d'antenne en guide d'onde pour une antenne plane hyperfrequence a reseau d'elements rayonnants ou recepteurs et systeme d'emission ou de reception de signaux hyperfrequences comprenant une antenne plane equipee d'une telle sortie d'antenne | |
FR2778025A1 (fr) | Appareil resonant a dielectrique | |
WO2008006976A1 (fr) | Circuit intégré réparti sur au moins deux plans non parallèles et son procédé de réalisation | |
EP0387955A1 (fr) | Boîtier pour circuit intégré hyperfréquences | |
WO2001039325A1 (fr) | Reflecteur hyperfrequence actif a balayage electronique | |
EP0616490B1 (fr) | Dispositif électronique miniaturisé, notamment dispositif à effet gyromagnétique | |
FR2666452A1 (fr) | Module de circuit a semiconducteurs multicouche. | |
FR2497410A1 (fr) | Ensemble de circuits comprenant plusieurs elements du type " microbande " d'epaisseurs de dielectrique differentes et son procede de fabrication | |
EP0828413B1 (fr) | Dispositif d'affichage électro-optique et support flexible pour de tels dispositifs servant à l'alimentation de ces dispositifs | |
EP1139484A1 (fr) | Déphaseur hyperfréquence, et antenne à balayage électronique comportant de tels déphaseurs | |
FR2759814A1 (fr) | Elements d'antenne hyperfrequence en helice | |
WO2000046876A1 (fr) | Antenne a balayage electronique bi-bande, a reflecteur hyperfrequence actif | |
EP0296929B1 (fr) | Ligne de transmission hyperfréquence de type symétrique et à deux conducteurs coplanaires | |
WO2019110651A1 (fr) | Composant micro-ondes et procédé de fabrication associé | |
FR2664432A1 (fr) | Module hyperfrequence triplaque. | |
FR2522885A1 (fr) | Ensemble de circuits hyperfrequences du type microbande, destines a des bandes de frequences differentes, et application d'un tel ensemble | |
WO2003088475A1 (fr) | Dispositif d'interconnexion pour composants a ondes acoustiques d'interface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |