[go: up one dir, main page]

FR2498814A1 - Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication - Google Patents

Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication Download PDF

Info

Publication number
FR2498814A1
FR2498814A1 FR8101406A FR8101406A FR2498814A1 FR 2498814 A1 FR2498814 A1 FR 2498814A1 FR 8101406 A FR8101406 A FR 8101406A FR 8101406 A FR8101406 A FR 8101406A FR 2498814 A1 FR2498814 A1 FR 2498814A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
support
integrated circuit
strip
band
elastic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8101406A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2498814B1 (fr
Inventor
Christian Meigne
Alain Keryuel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unisys Corp
Original Assignee
Burroughs Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Burroughs Corp filed Critical Burroughs Corp
Priority to FR8101406A priority Critical patent/FR2498814B1/fr
Publication of FR2498814A1 publication Critical patent/FR2498814A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2498814B1 publication Critical patent/FR2498814B1/fr
Priority to US06/885,339 priority patent/US4641176A/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4839—Assembly of a flat lead with an insulating support, e.g. for TAB
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Abstract

ABOITIER POUR CIRCUIT INTEGRE, MOYEN POUR LE MONTAGE ET PROCEDE DE FABRICATION. BBOITIER DE CIRCUIT CARACTERISE EN CE QU'IL SE COMPOSE D'UN SUPPORT PLAN 10 POUR RECEVOIR DES CONNEXIONS ELECTRIQUES 18, DES CONTACTS ELASTIQUES 20 FIXES EN SAILLIE SUR UNE SECONDE SURFACE, LA PREMIERE SURFACE DU SUPPORT RECEVANT UN CIRCUIT INTEGRE 12. CL'INVENTION S'APPLIQUE A UN PROCEDE DE FABRICATION POUR MONTER UN BOITIER SUR UNE PLAQUETTE DE CIRCUIT IMPRIME.

Description

La présente invention concerne un bottier pour un
circuit intégré, un moyen pour monter ce bottier sur une pla-
quette de circuit imprimé et un procédé de fabrication.
On perd dans une certaine mesure, l'avantage de la densité des composants, en surface, que l'on obtient dans le
cas de circuits intégrés, du fait du mauvais rendement en sur-
face des techniques de bottiers lorsque le circuit intégré lui-même occupe seulement une faible fraction de la surface du
conditionnement, le reste étant utilisé pour les parties méca-
niques servant à relier le circuit aux parties extérieures. Les conditionnements denses tels que les conditionnements plats remédient à cet inconvénient du cout du soudage sur les plaquettes de circuit rendant_ les remplacements difficiles et laborienç. Il est pour cette raison souhaitable de réaliser un conditionnement ou un bottier de circuit intégré, présentant un rendement de surface élevé et qui ne doit pas être soudé sur la plaquette. Il est également souhaitable d'avoir un moyen efficace sur le plan de la surface, pour monter ce bottier
ainsi qu'un procédé de fabrication automatique.
A cet effet, l'invention concerne un conditionne-
ment pour un circuit intégré, composé d'un support plan pour y fixer avec branchement électrique, sur une première surface, un circuit intégré, des moyens de connexion pour transférer les
connexions électriques de la première surface à la seconde sur-
face du support, un moyen de contact élastique fixé à la seconde surface en saillie par rapport à celle-ci, en étant couplé électriquement au moyen de connexion et qui peut se presser sur une plaquette de circuit extérieure, pour assurer la liaison électrique entre la plaquette et le circuit intégré, ainsi qu'un couvercle pour enfermer le circuit intégré et la première
surface du support.
Un tel bottier peut s'utiliser pour recevoir d'autres composants que des circuits intégrés et nécessite des moyens
pour se fixer sur une plaquette.
C'est pourquoi, suivant une autre caractéristique
de l'invention, il est prévu un moyen de montage d'un condition-
nement à contacts à ressort sur une plaquette de circuit imprimé, comportant un châssis susceptible d'être fixé à la plaquette
et muni d'une ou plusieurs ouvertures traversantes par l'inser-
tion à travers et la mise en place d'au moins un conditionnement, ce ou ces contacts élastiques touchant des patins de contact
de la plaque ainsi qu'un moyen pour comprimer le ou les condi-
tionnements dans la ou les ouvertures.
Un tel conditionnement doit pouvoir se fabriquer automatiquement. C'est pourquoi, suivant une autre caractéristique,
l'invention concerne un procédé de fabrication d'un tel condi-
tionnement à contacts élastiques, ce procédé consistant à fabriquer une bande de transport, à fixer des supports sur la bande de transport, ces supports étant accessibles des deux
c8tés, à fabriquer une bande de contacts élastiques avec plu-
sieurs jeux de contacts élastiques, de même écartement que les supports, à réunir et à fixer les jeux de contacts élastiques sur le premier côté des supports, à couper les jeux de contacts élastiques par rapport à la bande de contacts élastiques, à fixer le ou les composants à recevoir, sur le second c8té des supports, à assurer la liaison électrique du ou des composants sur le support, à fixer un couvercle et à enlever l'ensemble de
la bande de transport.
Selon un mode de réalisation préférentiel, le cir-
cuit intégré est collé sur un premier c8té d'une plaque en
verre époxy ou autre matériau, et un fil d'or est fixé à plu-
sieurs pattes qui sont reliées au second c8té de la plaque par l'intermédiaire d'orifices traversants plaqués. Des contacts élastiques sont soudés à des conducteurs provenant des orifices traversants et viennent en saillie par rapport à la seconde face de la plaque. Le circuit intégré est placé dans un composé de silicium et la plaquette ainsi que le circuit intégré sont recouverts par un couvercle. Le couvercle est légèrement en
saillie sur le second c8té de la plaquette pour éviter une com-
pression trop importante des contacts élastiques lorsque ceux-ci
sont introduits de force dans une plaquette de circuit extérieure.
Pour l'utilisation, on place le bottier de façon que les con-
tacts élastiques rencontrent un ensemble correspondant de zones formant des patins sur une plaquette extérieure de circuit imprimé, puis on fixe en place; l'élasticité des contacts élastiques assure la pression nécessaire aux contacts élastiques
sur les patins de la plaquette du circuit.
Le bottier est monté de préférence dans un châssis fixé à une plaquette de circuit imprimé. Le châssis comporte plusieurs orifices étroitement espacés, qui pénètrent dans la surface de la plaquette de façon que lorsque le bottier est introduit dans l'un des orifices, il soit positionné pour que ses contacts élastiques coopèrent avec le jeu correspondant de patins de la plaquette du circuit imprimé, chacun des orifices ayant une profondeur telle que lorsque le bottier y est introduit, il soit positionné pour que ses contacts élastiques s'appliquent à l'état non comprimé contre les patins et que son couvercle soit légèrement en saillie par rapport à l'orifice, le cadre comportant des rainures pour introduire par glissement un couvercle, par-dessus les orifices pour comprimer le couvercle
du bottier afin qu'il soit à fleur avec l'extrémité des orifices.
Le bottier est fabriqué de préférence en utilisant une bande de transport, et en partant d'une bande en polyester, poinçonnée à des intervalles réguliers pour obtenir des trous rectangulaires, cette bande étant collée sur une première bande en cuivre, attaquée par photocorrosion, pour laisser des pattes de support venant en saillie dans les orifices, puis on soude
le support sur les pattes, on réalise l'attaque par photocorro-
sion, on recouvre et on trempe une seconde bande de cuivre, pour y réaliser des modèles de contacts élastiques, suivant le mame espacement que les conducteurs, on réunit la bande de transport et la seconde bande de cuivre, on soude les jeux de contacts élastiques au support et on coupe les jeux de contacts de la seconde bande de cuivre, on fixe au support du circuit intégré, on colle le circuit intégré sur le support, on noie le circuit intégré sur le support, on fixe un couvercle et on coupe les
pattes de support.
La présente invention sera décrite plus en détail à l'aide des dessins annexés, dans lesquels
- la figure 1 est une vue en coupe du bottier.
- la figure 2 est une vue en perspective partielle-
ment coupée du moyen de montage du bottier.
- la figure 3 est un schéma du procédé de fabrica-
tion du bottier.
- la figure 4 montre le procédé de fabrication de
la bande de transport.
- la figure 5 montre une partie de la bande de
transport dans une phase intermédiaire de sa fabrication.
- la figure 6 montre une partie de la bande de
transport à la fin de sa fabrication.
- la figure 7 montre le c8té des contacts élastiques
du support.
- la figure 8 montre le côté du circuit intégré du support. - la figure 9 montre le support fixé à la bande de transport. - la figure 10 est un schéma montrant l'opération
de fixation du support.
- la figure 11 est un schéma montrant la fabrica-
tion de la bande élastique.
- la figure 12 montre la forme des ressorts qui
sont réalisés par corrosion dans la bande élastique.
- la figure 13 montre le procédé de l'opération de
fixation du jeu de contacts élastiques sur le support.
- la figure 14 montre l'opération de fixation du circuit intégré et du couvercle sur le bottier, terminant le
procédé de fabrication.
La figure 1 est une vue en coupe transversale du
bottier du circuit intégré selon l'invention.
Un bottier 8 d'un circuit intégré comporte un sup-
port en verre époxy ou autre matériau 10, plan; Un circuit intégré 12 est fixé à l'aide d'une couche de colle 14 sur une
face de ce support. Le support 10 comporte sur la face corres-
pondant au circuit intégré, un ensemble de schémas de circuit
imprimé, électriquement, distincts, entourant le circuit inté-
gré 12. Chacun des schémas est associé à l'un des orifices traversants, plaqués 16, qui forment un ensemble de chemins conducteurs d'électricité, traversants, allant jusque sur la face du support 10 autre que celle du circuit intégré. Des fils
de liaison 18 en or, soudés aux ultra-sons, relient électrique-
ment les zones des pattes du circuit intégré 12 aux schémas du
circuit imprimé, comme cela est bien connu dans cette technique.
Les connexions électriques des liaisons 18 sont faites vers le
c8té du support 10 autre que celui du circuit intégré par l'in-
termédiaire des orifices plaqués 16.
Des organes de contact, élastique 20 sont fixés à la face opposée à celle du circuit intégré, sur le support 10, à l'aide de liaisons soudées 22, sur les conducteurs 17. Les organes élastiques 20 sont plaqués en or pour éviter la corrosion
2498814
ou l'oxydation et assurer un bon contact électrique entre le circuit intégré 12 et le dispositif dont il fait partie. Les organes de contacts élastiques 20 peuvent être pressés sur les
patins de la plaquette du circuit imprimé pour assurer la liai-
son électrique. Un couvercle 24 est fixé de façon hermétique sur le c8té du support 10 correspondant au circuit intégré, pour enfermer ce circuit intégré 12. Le couvercle 24 comporte des parties en saillie 26 qui débordent par rapport à la face du support 10 ne portant pas le circuit intégré, pour éviter que les contacts électriques 20 ne soient trop fortement pressés contre la plaquette externe du circuit imprimé, et ne provoquent un dommage. L'intervalle 28 au-dessus du circuit intégré 12 peut le cas échéant être rempli d'une masse de remplissage ou d'empotage. Le couvercle 24 est réalisé de préférence en un matériau ayant une bonne conductivité thermique pour dissiper
la chaleur dégagée par le circuit intégré 12.
Le couvercle 24 qui est de préférence un couvercle isolant électrique; mais s'il ne touche ni les schémas ou les traces sur le support ni aucune autre pièce conductrice d'électricité appartenant à la plaque du circuit externe, le
couvercle peut être réalisé en métal.
La figure 2 montre un moyen pour le montage d'un
bottier sur une plaque de circuit imprimé.
Un organe de positionnement 32 est fixé sur la
plaque 30 du circuit imprimé. L'organe 32 comporte une plate-
forme centrale 34 munie d'un ensemble de logements 36 arrivant à la surface de la plaque 30 du circuit imprimé, pour recevoir les circuits intégrés 8, sous bottiers et pour les fixer sur la plaque 30 du circuit imprimé; les organes de contact, élastiques 20 assurent la liaison électrique avec les traces des pattes sur la plaque 30. Les couvercles 24 des circuits intégrés sous bottiers 8, sont en saillie lorsque les organes de contact élastiques 20 ne sont pas comprimés, en restant
légèrement au-dessus du niveau de la plate-forme centrale 34.
Les deux c8tés opposés de la plate-forme centrale 34 sont munis
de parois de retenue 38 dont chacune porte à sa partie supé-
rieure une lèvre 40, débordant par-dessus de la plate-forme centrale 34. Une plaque de retenue 42 du circuit intégré
(représentée en position partiellement rétractée) peut se glis-
ser par-dessus les bottiers 8; cette plaque 42 est retenue par les lèvres 40 pour s'appuyer contre les parties supérieures
des bottiers 8 et les mettre à fleur avec la surface de la plate-
forme centrale, en comprimant ainsi les contacts 20 sur la plaque 30 et en retenant les bottiers 8 dans leurs logements 36. Les lèvres 40, comportent plusieurs découpes 44 de chaque c8té de l'organe de positionnement 32. La plaque 42 est munie d'un jeu correspondant et complémentaire de pattes 46. La plaque 42 se met directement par-dessus les bottiers 8 en faisant passer ses pattes 46 dans les découpes 44. La plaque 42 peut alors glisser sous les lèvres 40, sur une faible longueur pour se maintenir en place. Des coins sont prévus en-dessous des lèvres 40 pour forcer les pattes 46 contre la surface de la
plate-forme centrale 34, en glissant de cette façon. La profon-
deur des logements 36 est choisie de façon que les bottiers 8 assurent une force de rappel élastique de l'ordre de 10 grammes par ressort lorsque la plaque 42 est en place. La plaque 42 peut être munie de nervures ou d'ailettes pour améliorer la
dissipation thermique. L'organe de positionnement 32 peut ser-
vir pour autant de boîtiers 8 qu'il a de logements 36. Les organes de positionnement 32 peuvent se fixer par paire, un de
chaque c8té de la plaque 30 et les paires ne sont pas nécessai-
rement identiques.
La figure 3 montre schématiquement les phases du
procédé de fabrication du bottier de-circuit intégré.
Un procédé de fabrication automatique, en continu,
de circuits intégrés placés dans des bottiers consiste à utili-
ser un poste de fabrication 50 pour réaliser une bande des
supports 52 en poinçonnant des orifices rectangulaires, régu-
lièrement espacés dans la direction longitudinale; ces orifi-
ces sont poinçonnés dans une bande en polyester 54; puis on fixe sur cette bande une première bande de cuivre 56 et on
effectue une attaque chimique de la bande de cuivre 56 a tra-
vers les orifices poinçonnés, pour laisser les pattes de récep-
tion pour le support de plaquette (chip) 10.
Le poste de fixation des supports 58 reçoit des supports 10 sortant du procédé de fabrication de supports 60
pour les souder par les coins sur les pattes de support.
Dans le poste de fabrication des ressorts 62, on utilise une seconde bande de cuivre 64 dans laquelle on réalise par attaque chimique, un modèle ou une trace correspondant aux
7 2498814
contacts élastiques ou ressorts 20, puis on recourbe les ressort pour mettre en forme, on les trempe, on les revêt d'or, et en sortie on obtient une bande de ressorts 66 sur laquelle est fixé un ensemble de contacts élastiques ou ressorts 20, qui se suiven au même intervalle régulier que les supports 10 de la bande des
supports 52.
Dans -le poste 68 de fixation des contacts élastiques on réunit les ressorts 20 aux supports 10, en les soudant, puis on coupe les ressorts 20 dans la bande élastique 66 et on évacue
le reste de la bande 70 des contacts élastiques.
Dans le poste 74 de fixation de la plaquette (chip) du couvercle, on inverse la bande des supports 52, on distribue et on fixe sur chaque support 10 une pastille 12 on colle cette pastille 12 sur la trace du circuit imprimé réalisée sur le suppor 10 à l'aide d'organes de liaison en or 18, on réalise l'empotage de la pastille 12 dans un composé au silicium, on fixe un couvercl 24 sur la trace et on découpe la pastille 8 dans son bottier, pour le séparer de la bande des supports 52, en coupant les pattes. Ce poste 74 reçoit les pastilles 12 provenant du procédé de fabricati de pastilles 76, les couvercles 24, provenant du procédé de fabric tion des couvercles 78 et, on évacue la bande des supports 80,
perdue, après en avoir coupé les bottiers 8.
La figure 4 montre le procéd de fabrication de la
bande des supports.
Un rouleau d'alimentation 82 portant une bande de polyester, distribue cette bande de polyester 54 pour la mettre sous un poinçon 84 et une matrice 86 afin de poinçonner des trous
rectangulaires à intervalles réguliers dans la bande 54.
Un rouleau d'alimentation 88, distribue la première bande de cuivre 56 à un distributeur de colle 90 pour déposer
un mince film de colle 92 sur la surface de la bande 56.
Une paire de galets de pincement 94 presse la bande de polyester, poinçonnée 54, sur la surface revêtue de colle de la première bande de cuivre 56 pour former une bande composée 96. Un distributeur de natière photorésistante 98 dépose un film mince d'une couche photorésistante 100 sur le côté correspondant au polyester de la bande composée 96. La couche photorésistante est telle que les surfaces exposées à la lumière permettent l'attaque chimique et les surfaces non
exposées à la lumière résistent à cette attaque chimique.
Une première source lumineuse et un masque 102 sont mis en oeuvre par le passage de chaque perforation rectangulaire du côté correspondant à la couche de polyester de la bande composée 96, pour insoler le cuivre visible, suivant un schéma laissant les pattes de support pour la fixation suivante du
support 10.
La bande composée 96, exposée passe dans un premier bain d'attaque chimique 104 qui enlève le cuivre insolé. La bande sortant du bain 104 après rinçage pour enlever l'excédent de matière photorésistante, est la bande composée des supports 52. La figure 5 montre la bande composée 96. Des trous 106 pour des roues à picots sont prévus le long de chaque bord de la bande. Les trous 106 sont réalisés à la fois dans la
bande de polyester 54 et dans la première bande de cuivre 56.
La figure montre le côté du polyester de la bande composée 96.
Des zones de cuivre 109 apparaissent à travers les fenêtres
rectangulaires 108 réalisées dans le film de polyester.
La figure 6 montre la bande de support 52, composé, après l'insolation, l'attaque chimique et le rinçage de la bande composée 96. La bande 52 est également représentée du côté du film de polyester. Les pattes de fixation de support , qui correspondent à du cuivre non enlevé par l'attaque chimique, existent dans chaque coin des orifices traversants 112.
La figure 7 montre le c8té du support 10 correspon-
dant aux contacts élastiques. Un ensemble d'orifices traversants 16, plaqués, existe dans le support et forme un ensemble de chemins conducteurs traversants, allant sur l'autre côté du
support 10.
La figure 8 montre le côté du support 10 correspon-
dant au circuit intégré, Plusieurs zones 114 du circuit intégré sont prévues pour la liaison par des fils d'or, entre la pastille 12 et le support 10. Chacune des zones 114 communique avec
l'autre coté du support par l'intermédiaire d'un orifice tra-
versant plaqué 16. On a ainsi une zone centrale 118, dégagée, pour fixer la plaquette 12. Les zones des coins 116 du circuit
imprimé, sont prévues pour être soudées sur les pattes 110.
La figure 9 montre le côté correspondant au film de a cuivre de la bande de support 52, composée, après fixation du support 10. Les zones des coins 116 sont soudées sur les pattes suspendues au support 10 qui reste accessible des deux
c8tés, dans le trou 112 de la bande 52.
La figure 10 montre schématiquement le poste de fixation 58 du support; dans ce poste on soude le support 10
sur les pattes 110.
La bande des supports 52 passe sous un distributeur de supports 120 qui place chaque fois un support 10 dont le circuit intégré est tourné vers le haut, en partant du c8té du film de polyester de la bande 52, sur chaque ensemble de pattes 110 (comme à la figure 9). Puis, la bande 52 passe dans
un poste de soudage 122 (dans le schéma représenté, il s'agit-
d'une tète de soudage 122 mais celle-ci peut être remplacée par n'importe quel autre type de machine de soudage); dans cette machine, le support 10 est soudé sur les pattes 110 comme cela
est indiqué à la figure 9.
La figure 11 montre le poste de fabrication de la
bande à ressorts 62, pour réaliser la bande à ressorts 66.
Un rouleau 124 portant une bande de cuivre, distri-
bue la seconde bande de cuivre 64 à un second distributeur 126 qui dépose une couche mince de matière photorésistante 128. La couche photorésistante 128 est telle que les zones qui sont
ultérieurement exposées à la lumière, subissent l'attaque chi-
mique et que les zones non exposées à la lumière résistent à
l'attaque chimique.
Puis la bande 64 passe sous une seconde source de lumière et un masque 130 pour insoler la couche photorésistante 128 à des intervalles réguliers le long de la trajectoire de la bande 64, et cela suivant un modèle ou une trace, qui, une
fois attaqué chimiquement, forme les contacts élastiques 20.
A la suite de cela, la bande 64 passe dans un second bain d'attaque chimique 132 qui enlève le cuivre des
zones précédemment exposées à la lumière.
Après l'attaque chimique, on fait passer la bande 64 à travers un poste de nettoyage ou de rinçage et de séchage 134 pour enlever la partie résiduelle de matière photorésistante
128 et on prépare la couche de cuivre pour le placage de l'or.
Après nettoyage et séchage, on fait passer la bande 64 à travers un bain de placage à l'or 136 qui dépose une mince
couche d'or, assurant la résistance à la corrosion.
Après le placage, on fait passer la bande 64 à travers un poste de mise en forme 138 qui, au fur et à mesure des modèles de ressort réalisés par attaque chimique, recourbe ces formes pour les profiler comme cela est indiqué à la figure
1, en fonction de leur fixation sur le support 10.
Le poste de mise en forme 138 comporte deux outils de mise en forme; le premier de ces outils est utilisé pour la mise en forme des ressorts 20 destinés à une première paire de c8tés opposés du bottier 8, et le second de ces outils est
utilisé pour la mise en forme des ressorts 20 destinés à l'au-
tre paire de c8tés opposés du bottier. Les deux séries de res-
sorts étant complémentaires et alternant sur la longueur de la
bande 64.
Après cette mise en forme par courbure, on fait passer la bande à travers un poste de trempe 140 qui rend les
contacts 20 élastiques par chauffage et trempe.
A la sortie du poste de trempe 140, on a une bande élastique 66 portant un ensemble de jeux de contacts élastiques 20 ayant le mame écartement longitudinal que les supports 10
de la bande de support 52.
La figure 12 montre le résultat de l'attaque chimi-
que de la seconde bande de cuivre 64.
La seconde bande de cuivre 64 est identique à la première bande de cuivre 56 et comporte les mênmes trous 106 pour les roues à picots. La trace réalisée par attaque chimique
laisse un ensemble de doigts en cuivre 142, un doigt correspon-
dant chaque fois à un conducteur, 17 traversant le support 10.
La figure 13 représente le poste de fixation 68 pour
les contacts élastiques, pour les souder sur le support 10.
La bande élastique 66 est réunie à la bande de support 52 de façon que les pointes des contacts élastiques 20 viennent toucher les orifices traversants 16, plaqués, réalisés
dans le support 10.
Après cet assemblage, l'ensemble passe dans un poste de soudage 144 qui soude les extrémités de support des ressorts sur les conducteurs 17 à l'aide d'un "thermode" susceptible de souder les deux séries de ressorts 20 sur la bande à ressorts 66 et, simultanément aux coins adjacents 10 sur la bande des supports 52. Pour souder chaque série de ressorts 20 une tête il 2498814 de soudage pousse l'extrémité de support des ressorts 20 dans le support 10, puis on arrête le chauffage et on maintient la pression exercée sur les ressorts 20 appliqués contre le support
, pour que la soudure puisse se fixer, puis on extrait l'en-
semble. Après le soudage, on coupe les ressorts 20 de la bande élastique 66 à l'aide d'un second ensemble 146 formé par une matrice et un poinçon, mis en oeuvre chaque fois qu'un
support 10 y passe.
On évacue la bande élastique 70 non utilisée et on fait sortir la bande des supports 52 du poste 68; elle est
alors prAte pour le montage des chips.
La figure 14 montre le poste de fixation 74 des
pastilles et des couvercles.
La bande de support 52 sur laquelle sont fixes des
supports 10 avec au-dessus et en-dessous des contacts élasti-
ques 20, passe sur un tambour inverseur 148 de façon que les.
supports 10 soient tournés vers le haut et que les contacts
élastiques 20 soient tournés vers le bas. Dans les mêmes condi-
tions, on peut utiliser une variante qui assure une inversion
par exemple une torsion de 1800 de la bande 52.
Puis la bande 52 passe sous un distributeur despastil] qui place chaque fois un chip 12 à l'aide de colle 14 dans la zone centrale libre de chaque support 10 lorsque le support
10 passe en-dessous du distributeur.
Le circuit intégré 12 étant fixé sur le support 10,
la bande entraîne le support 10 en-dessous d'un poste de fixa-
tion automatique des fils d'or 152, qui est bien connu dar& la technique, pour relier les zones en forme de patins de la pastille 12 à l'aide de fils de liaison en or 18, soudés aux ultra-sons,
sur les zones du circuit imprimé 114 du support 10.
Après fixation, le support 1O passe dans un poste d'empotage au silicium 154 qui enrobe le circuit intégré 12 sur
le support 10 avec un composé d'enrobage au silicium.
Après cet enrobage, le support 10 passe en-dessous d'un distributeur de couvercles 156 qui distribue et fixe le
couvercle 24 sur l'ensemble ainsi assemblé.
A la suite de cela, le support 10 passe dans un dispositif de découpage 158 qui coupe les pattes 110 maintenant le support 10 sur la bande 52. Simultanément, le bottier 8 ainsi
12 2498814
isolé, est pris par un dispositif de réception 160.
Le dispositif de réception 160 peut être une simple trémie, un dispositif d'empilage utilisé comme distributeur dans un dispositif d'introduction automatique de pastilles ou un - moyen dans lequel le bottier terminé 8 est directement mis sur
la plaquette du circuit imprimé.
Dans ce m'nme poste, on évacue le reste 80 de la
bande des supports.
I E V E N D I C A T I 0 N S
1 ) Boîtier de circuit intégré caractérisé en ce
qu'il se compose d'un support plan (10) pour recevoir des con-
nexions électriques (18), une première surface du dupport rece-
vant un circuit intégré (12), des moyens de connexion (16) pour faire passer les connexions électriques (18) de la première et de la seconde faces de support (10), des contacts élastiques (20) fixés en saillie sur la seconde surface en étant couplés
électriquement aux moyens de liaison (16) et pouvant être pres-
sés sur la plaquette d'un circuit externe (30), pour assurer la liaison électrique entre la plaquette (30) et le circuit intégré (12) ainsi qu'un couvercle (24) entourant le circuit
intégré (12) et la première surface du support (10).
) Procédé pour la fabrication simultanée de bottiers de circuit intégré suivant la revendication 1, procédé caractérisé
en ce que, dans une première étape on fixe, sur une bande trans-
porteuse (52) plusieurs supports (10) destinés chacun à un circuit intégré (12), de façon à pouvoir accéder aux deux faces du support, dans une seconde étape, ou réalisé une bande de contacts élastiques (66) portant des jeux de contacts (20) à même espacement que les supports (10) sur labande transporteuse (52), dans une troisième étape, on applique et fixe les jeux de contacts (20) sur la face des support (10), et on les sépare de la bande (66), dans une quatrième étape, on fixe les circuits intégrés (12) sur l'autre face du support (10) et on établie les connexions électriques (18) et dans une dernière étape, on fixe le couvercle (24) et on retire
les boîtiers finis (8) de la bande transporteuse (52).
) Procédé suivant la revendication 2 caractérisé en ce qu'on procéde à l'aide d'un moyen de montage comprenant un chassis (32) susceptible d'être fixé à une plaque de circuit imprimé (30) pourvu d'ouvertures traversants (36) par la mise en place d'un ou plusieurs boîtiers (8) de telle sorte que les contacts élastiques (30) rencontrent les pattes de contact de la plaque lorsque les
boîtiers sont enfoncés dans les ouvertures de la plaque.
FR8101406A 1981-01-26 1981-01-26 Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication Expired FR2498814B1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8101406A FR2498814B1 (fr) 1981-01-26 1981-01-26 Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication
US06/885,339 US4641176A (en) 1981-01-26 1986-07-11 Semiconductor package with contact springs

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8101406A FR2498814B1 (fr) 1981-01-26 1981-01-26 Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2498814A1 true FR2498814A1 (fr) 1982-07-30
FR2498814B1 FR2498814B1 (fr) 1985-12-20

Family

ID=9254509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8101406A Expired FR2498814B1 (fr) 1981-01-26 1981-01-26 Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4641176A (fr)
FR (1) FR2498814B1 (fr)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2521350A1 (fr) * 1982-02-05 1983-08-12 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
FR2535110A1 (fr) * 1982-10-20 1984-04-27 Radiotechnique Compelec Procede d'encapsulation d'un composant semi-conducteur dans un circuit electronique realise sur substrat et application aux circuits integres rapides
FR2563049A1 (fr) * 1984-04-11 1985-10-18 M O Valve Co Ltd Boitier pour circuit integre
US5034044A (en) * 1988-05-11 1991-07-23 General Electric Company Method of bonding a silicon package for a power semiconductor device
US5133795A (en) * 1986-11-04 1992-07-28 General Electric Company Method of making a silicon package for a power semiconductor device

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US4942497A (en) * 1987-07-24 1990-07-17 Nec Corporation Cooling structure for heat generating electronic components mounted on a substrate
CA1283225C (fr) * 1987-11-09 1991-04-16 Shinji Mine Systeme de refroidissement pour bloc de circuit integre tridimensionnel
DE3853197T2 (de) * 1987-12-07 1995-06-29 Nippon Electric Co Kühlungssystem für integrierte Schaltungspackung.
DE68918156T2 (de) * 1988-05-09 1995-01-12 Nippon Electric Co Flache Kühlungsstruktur für integrierte Schaltung.
US4975766A (en) * 1988-08-26 1990-12-04 Nec Corporation Structure for temperature detection in a package
JPH06100408B2 (ja) * 1988-09-09 1994-12-12 日本電気株式会社 冷却装置
DE68925403T2 (de) * 1988-09-20 1996-05-30 Nippon Electric Co Kühlungsstruktur für elektronische Bauelemente
US5092034A (en) * 1988-12-19 1992-03-03 Hewlett-Packard Company Soldering interconnect method for semiconductor packages
US5151039A (en) * 1990-04-06 1992-09-29 Advanced Interconnections Corporation Integrated circuit adapter having gullwing-shaped leads
WO1991015881A1 (fr) * 1990-04-06 1991-10-17 Advanced Interconnections Corporation Adapteur de circuits integres a conducteurs a double coude
JPH0770806B2 (ja) * 1990-08-22 1995-07-31 株式会社エーユーイー研究所 超音波溶着による電子回路およびその製造方法
JPH088282B2 (ja) * 1990-11-28 1996-01-29 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン Ｔａｂテープ、半導体チップの結合方法
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US7073254B2 (en) * 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US6081028A (en) * 1994-03-29 2000-06-27 Sun Microsystems, Inc. Thermal management enhancements for cavity packages
US8033838B2 (en) * 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
JPH09260436A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5833471A (en) * 1996-06-11 1998-11-10 Sun Microsystems, Inc. Hold-down collar for attachment of IC substrates and elastomeric material to PCBS
KR100242981B1 (ko) * 1996-10-16 2000-02-01 김영환 다핀형 버틈 리드 패키지
EP0974163A2 (fr) * 1998-02-17 2000-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Bande a modules presentant des modules supports de donnees a double-mode de liaison
JP3939429B2 (ja) * 1998-04-02 2007-07-04 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6329220B1 (en) * 1999-11-23 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Packages for semiconductor die
US6452268B1 (en) * 2000-04-26 2002-09-17 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Integrated circuit package configuration having an encapsulating body with a flanged portion and an encapsulating mold for molding the encapsulating body
US6559537B1 (en) * 2000-08-31 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Ball grid array packages with thermally conductive containers
US6462273B1 (en) * 2001-03-16 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor card and method of fabrication
US7134197B2 (en) * 2003-12-18 2006-11-14 Honeywell International Inc. Plastic lead frames utilizing reel-to-reel processing
US9270251B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-23 Adaptive Methods, Inc. Carrier for mounting a piezoelectric device on a circuit board and method for mounting a piezoelectric device on a circuit board

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1185857A (en) * 1966-08-16 1970-03-25 Signetics Corp Improvements in or relating to Integrated Circuit Assemblies
FR2033678A5 (fr) * 1969-03-03 1970-12-04 North American Rockwell
FR2149350A1 (fr) * 1971-08-19 1973-03-30 Globe Union Inc
CH608314A5 (en) * 1976-04-02 1978-12-29 Ret Sa Rech Economiques Et Tec Process for manufacturing a tape support for mounting integrated electronic components, and tape support obtained by this process
US4147889A (en) * 1978-02-28 1979-04-03 Amp Incorporated Chip carrier
GB2025129A (en) * 1978-07-26 1980-01-16 Nat Semiconductor Corp Lead tapes forsemiconductor devices
EP0021643A1 (fr) * 1979-06-08 1981-01-07 Fujitsu Limited Dispositif semiconducteur comprenant une structure préventive contre une erreur du type "soft-error"

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1243175A (en) * 1967-09-01 1971-08-18 Lucas Industries Ltd Electrical component assemblies
US3842189A (en) * 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
US4042861A (en) * 1973-11-08 1977-08-16 Citizen Watch Company Limited Mounting arrangement for an integrated circuit unit in an electronic digital watch
US3904262A (en) * 1974-09-27 1975-09-09 John M Cutchaw Connector for leadless integrated circuit packages
US4079511A (en) * 1976-07-30 1978-03-21 Amp Incorporated Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames
US4166665A (en) * 1976-12-27 1979-09-04 Cutchaw John M Liquid cooled connector for large scale integrated circuit packages
US4327953A (en) * 1977-06-06 1982-05-04 Texas Instruments Incorporated Interchangeable module for integrated circuits
FR2395609A1 (fr) * 1977-06-24 1979-01-19 Radiotechnique Compelec Panneau generateur a cellules solaires noyees dans un stratifie et procede pour l'obtenir
FR2439478A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Boitier plat pour dispositifs a circuits integres
US4195193A (en) * 1979-02-23 1980-03-25 Amp Incorporated Lead frame and chip carrier housing
US4223243A (en) * 1979-05-09 1980-09-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Tube with bonded cathode and electrode structure and getter
DE2919404C2 (de) * 1979-05-14 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gehäuse für Halbleiterbauelement
DE3011730C2 (de) * 1980-03-26 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gehäuse für elektrische Bauelemente, Bauelementegruppen oder integrierte Schaltungen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1185857A (en) * 1966-08-16 1970-03-25 Signetics Corp Improvements in or relating to Integrated Circuit Assemblies
FR2033678A5 (fr) * 1969-03-03 1970-12-04 North American Rockwell
FR2149350A1 (fr) * 1971-08-19 1973-03-30 Globe Union Inc
CH608314A5 (en) * 1976-04-02 1978-12-29 Ret Sa Rech Economiques Et Tec Process for manufacturing a tape support for mounting integrated electronic components, and tape support obtained by this process
US4147889A (en) * 1978-02-28 1979-04-03 Amp Incorporated Chip carrier
GB2025129A (en) * 1978-07-26 1980-01-16 Nat Semiconductor Corp Lead tapes forsemiconductor devices
EP0021643A1 (fr) * 1979-06-08 1981-01-07 Fujitsu Limited Dispositif semiconducteur comprenant une structure préventive contre une erreur du type "soft-error"

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2521350A1 (fr) * 1982-02-05 1983-08-12 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
US4691225A (en) * 1982-02-05 1987-09-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and a method of producing the same
FR2535110A1 (fr) * 1982-10-20 1984-04-27 Radiotechnique Compelec Procede d'encapsulation d'un composant semi-conducteur dans un circuit electronique realise sur substrat et application aux circuits integres rapides
FR2563049A1 (fr) * 1984-04-11 1985-10-18 M O Valve Co Ltd Boitier pour circuit integre
US5133795A (en) * 1986-11-04 1992-07-28 General Electric Company Method of making a silicon package for a power semiconductor device
US5034044A (en) * 1988-05-11 1991-07-23 General Electric Company Method of bonding a silicon package for a power semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US4641176A (en) 1987-02-03
FR2498814B1 (fr) 1985-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2498814A1 (fr) Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication
EP0239494B1 (fr) Boîtier de circuit intégré
EP0234654B1 (fr) Appareil pour établir des transferts de données avec une carte électronique portative
EP0591414B1 (fr) Cadre de montage pour circuits integres ou similaires
EP0376062B1 (fr) Module électronique pour un objet portatif de petite dimension, tel qu'une carte ou une clef, à circuit intégré, et procédé de fabrication de tels modules
FR2617335A1 (fr) Substrat de connexion en ceramique muni de protuberances de raccordement a la pastille de circuit integre
FR2511198A1 (fr) Fiche multibroche a systeme perfectionne d'interconnexion selective des broches, en particulier pour circuits electroniques
FR2548857A1 (fr) Procede de fabrication en continu d'une carte imprimee
USRE29906E (en) Apparatus for mounting semiconductor devices
US5571034A (en) Method of making an array of electrical components with leads attached and the product thereof
FR2667983A1 (fr) Procede de conditionnement de circuits integres et boitiers realises par sa mise en óoeuvre.
FR2489611A1 (fr) Procede de fabrication d'un support d'affichage pour diode electroluminescente
EP0028791A1 (fr) Barre d'alimentation électrique
US4216051A (en) Apparatus for making bondable finger contacts
EP0313456B1 (fr) Produit en bande pour supporter et convoyer des composants électroniques et procédé pour sa fabrication
US4628597A (en) Method of making an electrical connector
EP0823098A2 (fr) Dispositif de contre-collage pour la solidarisation d'une bande metallique et d'une bande de materiau isolant
EP1085553B1 (fr) Procédé de fabrication en série de modules porte-fusible et modules porte-fusible obtenus par le procédé
EP0023165B1 (fr) Plate-forme support de grille de connexion, notamment pour boîtier de circuits intégrés, et boîtier comportant une telle plate-forme
EP0195871A1 (fr) Connecteur électrique multipolaire et son procédé de fabrication
JPS62171132A (ja) 半導体チップの実装方法
JP6788509B2 (ja) リードフレームの製造方法およびリードフレーム
EP0256581A1 (fr) Circuit imprimé souple à composants en surface, et procédé pour le fabriquer
BE891213A (fr) Element porteur pour composant a circuit integre
WO2004100316A2 (fr) Systeme electronique, circuit imprime et module de radiocommunication a connecteur coaxial et procede de montage correspondant

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name
TP Transmission of property
ST Notification of lapse